L’objectif de ce Module est :

Réaliser des circuits électroniques à régulateurs

monolithiques et des circuits d’amplification simples.
Les éléments de cours
1. Le transformateur d’alimentation et le
redressement
2. Le filtrage
3. Les régulateurs intégrés
4. L’amplificateur opérationnel
5. Le transistor
6. Des amplificateurs transistorisés complets
Plan
I. La diode
 2.1 Les semi-conducteurs.
 2.2 La jonction PN.
 2.3 La diode.
 2.3.1 Schéma et construction.
 2.3.2 Polarisation en direct.
 2.3.3 Polarisation en inverse
 2.3.4 Caractéristiques des diodes.
 2.4 Types de diodes.
 2.4.1 Diodes redresseuses.
 2.4.2 Diode électroluminescente (Del).
 2.5 EXERCICES
La Diode
1. Les semi-conducteurs :
 Un semi-conducteur, comme son nom l’indique, n'est pas assez conducteur
pour être utilisé comme conducteur et ni assez isolant pour être utilisé
comme isolant. C'est pour cela qu'on le nomme semi-conducteur.
 Le matériel semi-conducteur le plus répandu est le silicium. On le retrouve
sous la forme de cristaux. Dans un solide, les atomes se rejoignent pour
former des cristaux.
 Les liens qui les retiennent sont dits covalents: le même électron est partagé
par deux noyaux. Un atome de silicium a, sur sa dernière couche quatre
électrons, c’est-à-dire qu’il est tétravalent: il serait bien content d'en avoir
huit. C'est pourquoi il s'associe avec quatre autres atomes à l'aide des liens
covalents.
La Diode
1. Les semi-conducteurs :
 Pour que le semi-conducteur soit util , On modifie la résistance
des semiconducteurs en introduisant des impuretés convenables
dans leur structure cristalline. On dit que le semiconducteur est
dopé.
 Ceci est réalisé en introduisant des atomes ayant des électrons en
plus, ou en moins, sur leur dernière couche. Par exemple, l'arsenic,
le phosphore et l’antimoine ont cinq, donc un de trop. Le bore, le
galliumélectron
et l’indium
en
surplus
en ont trois; il en manque un.
trou

Type N Type P

élément pentavalent élément trivalent

La Diode
1. Les semi-conducteurs :
 Type N :
L'addition d'un élément pentavalent crée un surplus d'électron. Les liens étant
tous complétés, les électrons en trop peuvent se promener d'un atome à l'autre.
Ce type de dopage produit un matériel semiconducteur de type N.

 Type P :
L'addition d'un élément trivalent crée un manque d'électrons qu'on appelle
trous. Un électron manquant dans la structure cristalline laisse une place libre
où un électron peut venir se placer en provenant du lien voisin, laissant alors un
trou où il était. Le courant électrique est appelé un courant de trous, les trous
semblant se déplacer. Ce type de dopage produit un matériel de type P.
électron en
surplus trou

Type N Type P

élément pentavalent élément trivalent

La Diode
2. La jonction PN :
 La jonction PN.
Que se passe-t-il lorsqu'on réunit un matériel P avec un N? On obtient une jonction PN.
les électrons qui étaient des porteurs majoritaires du côté N vont vers le côté P en éliminant
ainsi aussi les trous du côté P.
Du Coté P Les atomes près de la jonction, deviennent des ions négatifs à cause de l'électron de
trop dans leur structure. De l'autre côté, c'est-à-dire du côté N, les atomes ayant un électron
de trop pour compléter leurs liaisons covalentes perdent cet électron et deviennent des ions
positifs
On a alors autour de la jonction l’apparition de ce qu'on appelle un dipôle.
La Diode
2. La jonction PN :
 La jonction PN.
On a alors une zone dépourvue de porteurs majoritaires. On appelle cette zone la zone
de déplétion.
Ce processus va se continuer jusqu'à ce que le champ électrique créé par le dipôle soit
assez puissant pour empêcher d'autres électrons de traverser la jonction; on aura alors
l'équilibre
Le champ électrique provenant du dipôle crée une différence de potentiel
appelée barrière de potentiel. Cette barrière de potentiel vaut 0,6 à 0,7 volts
pour le silicium.
La Diode
3. La diode:
 Schéma et construction.
 Ci-dessous la Représentation réelle et schématique d’une diode. Le côté
de la diode à partir lequel sort le courant est appelé cathode (K). Dans
la réalité, la cathode est repérée par une bague peinte sur le corps de la
diode.
 Le schémas représente également la construction d'une diode. Elle est
l’assemblage de deux semiconducteurs de types N et P auxquels on a
raccordé des broches.
 Une diode ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
I

A K
A: anode
B: cathode

P N
A K
La Diode
3. La diode:
 Polarisation en direct
Dans la Jonction PN de la diode , Tout le matériel est conducteur, autant du côté P que du côté
N, sauf dans la zone de déplétion où il n'y a pas de porteurs majoritaires.
On alimentant la diode dans le sensedirect Le champ électrique causé par la pile va s'opposer
à celui du dipôle et, par surcroît, l'annuler.
Les électrons entrent du côté N et pénètrent ensuite dans la zone de déplétion comme
électrons libres en annulant les ions positifs. Ceux qui quittent, du côté P, laissent des trous
qui atteignent la zone de déplétion annulant les ions négatifs. À la jonction, les électrons du
côté N tombent dans les trous du côté P et atteignent la sortie du bloc P par courant de trous.
La zone de déplétion n'existe donc plus et toute la diode est conductrice.

I conventionnel
La Diode
3. La diode:
 Polarisation inverse
 Le champ électrique causé par la source s'additionne à celui du dipôle. La zone de
déplétion s'épaissit jusqu'à ce que son potentiel soit égal à celui de la source. La zone de
déplétion n'étant pas conductrice, la diode est bloquée, c'est-à-dire plus un courant ne la
traverse.
P N
ARRET
La Diode
3. La diode:
 Caractéristiques
ID
des diodes
 En direct. IFmax

Pour qu'une diode

conduise, une tension
minimale d'environ 0,7
volts est requise URmax

Une diode possède aussi 0,7V

UD
des caractéristiques UFmax

maximales à ne pas
dépasser, tels le courant et
en inverse en direct
la tension maximale en
direct. Ce sont les cas où la
diode s’échauffe et brûle.
La Diode
3. La diode:
 Caractéristiques
des diodes ID

 En inverse.
IFmax
En inverse, une diode se
comporte comme un
circuit ouvert.
Aussi, comme en direct, un
point maximal ne doit pas URmax
être franchi: c'est le point
d'avalanche. Une diode ne UD
peut endurer qu'une 0,7V
UFmax
certaine valeur de voltage
en inverse. Si ce voltage est
atteint, le courant
en inverse en direct
augmente rapidement et la
diode se détruit.
La Diode
3. La diode:
 Caractéristiques
des diodes
 Exercice :
 Calculer UD1
 Calculer URL D1
RL

Gen.
La Diode
3. La diode:
 Type de diode
 Diode de redressement : D1
RL
 Redressement simple alternance
 Un circuit redresseur transforme une tension Gen.

alternative en une tension pulsée C.C. e max.

 D1, ne laissera passer que le courant causé par
l'alternance positive du générateur C.A.
eGén

 Lors de l'alternance positive du générateur

C.A., la diode se trouvant polarisée en direct
laisse passer un courant dans la charge (RL). e max. - VD

eRL
 Lors de l'alternance négative, la diode se
trouve en inverse, bloque et agit comme un
circuit ouvert récoltant toute la tension du 0,7V
en direct en inverse

générateur CA à ses bornes et aucun UD

courant ne traverse RL.
-es max = PIV
La Diode
3. La diode:
 Type de diode
 Diode électroluminescente (Del).:
 Une diode électroluminescente, est un
composant opto-électronique capable
d’émettre de la lumière lorsqu’il est parcouru
par un courant électrique
 Le semiconducteur utilisé pour la fabrication
d’une Del est l’arséniure de gallium ou le
phosphore de gallium. Elle fonctionne à basse
tension et à une faible consommation.
 Près de la jonction, lorsque les électrons
tombent dans les trous, c'est-à-dire descendent
de niveau d'énergie, ils émettent de l'énergie,
une partie en chaleur, une partie en lumière.
Dans le cas de la Del, c'est le deuxième cas qui VD = 2v
est exploité. ID = 20mA
La Diode
I Del
3. La diode:
 Type de diode
-3V U Del
 Caractéristiques d’un (DEL):
2V
 Calculer la résistance de
en inverse en direct
branchement R :
 Idel = IR = 20mA
 UR = 9V - 2V = 7V R

 R = 7V / 20mA = 350Ω 9V

(360Ω standard)
La Diode
3. La diode:
 Type de diode
 Exercice: (Voir fichier)
La Diode
b- Redressement simple alternance :
U2

220 v 18 v AC
AC
On appliquant une tension 220v AC « Alternative » au
primaire d’un Transformateur 220/18v.
on retrouvera a la sortie du secondaire une tension
Alternative 18v AC
La Diode
b- Redressement simple alternance :
UR

220 v AC

L’ajout d’une diode à la sortie du transformateur.

Permet d’avoir une tension redresser simple alternance.
La Diode
b- Redressement simple alternance :
c- Redressement double alternance :
1 - Redressement par deux diodes et un
transformateur à point milieu.
 Pour que VL s’approche un peu plus d’une
tension continue, on va redresser les deux
alternances.
 avec un transformateur à prise
médiane (point milieu).
 D1 conduit durant l'alternance positive de eS1
tandis que D2 le fait à son tour durant celle de
eS2.
 On retrouve ainsi, aux bornes de RL,
l’alternance positive de eS1 et eS2 l’une à la suite
de l'autre,
 Produisant ce qu'on appelle du pleine onde
 c- Redressement double alternance :
1 - Redressement par deux diodes et un
transformateur à point milieu.

On utilise ici un transformateur à point milieu M.

Ce transformateur permet d’avoir une tension
« symétrique »(En opposition de phase)
 c- Redressement double alternance :
1 - Redressement par deux diodes et un
transformateur à point milieu.

L’ajout d’une diode a chaque borne du transfo.

Nous permet d’obtenir un redressement simple alternance
dans chaque borne.
 c- Redressement double alternance : UR
1 - Redressement par deux diodes et un
transformateur à point milieu.

Charge

On reliant les deux bornes de sortie des diodes ensemble,

On obtient ainsi une tension positive aux bornes d’une
charge R
 a- Redressement double alternance : :
1 - Redressement par deux diodes et un
transformateur à point milieu.

UR

M Charge

On reliant les deux bornes de sortie des diodes ensemble,

On obtient ainsi une tension positive aux
bornes d’une charge R
d- Redressement double alternance :

UE
R

UE UR

2URMax
 a- Redressement double alternance : :
2- Redressement par pont de GRAETZ( pont):
 D1 et D2 conduisent ensemble D3 D1

lorsque es est positive et on retrouve es

+

aux bornes de RL l'alternance positive D2 D4 URL

de es moins la chute de tension de D1 -

et D2. es
is
50Hz

 Lorsque es est négative, D3 et D4

A
B

conduisent et on retrouve aux bornes

de RL l'alternance négative de es. es crête - 1.4V
100Hz
URL A B

 Le courant circule donc toujours dans

le même sens, peu importe les 0,7V

polarités de es. UD1,UD2

 La fréquence de l'onde aux bornes de

es crête - 0,7V

RL est 100 Hz. UD3,UD4

0,7V

es crête - 0,7V
a- Redressement double alternance : :
2- Redressement par pont de GRAETZ :

D1
Bloqu D1 D2

ée
D4 D3 Charge

R
a- Redressement double alternance : :
2- Redressement par pont de GRAETZ :
D2
D1
Passan
D2
te
D4 D3 Charge

R
D3
Bloqu
ée
a- Redressement double alternance : :
2- Redressement par pont de GRAETZ :

D1 D2

D4 D3 Charge

R
 a- Redressement double alternance : :
2- Redressement par pont de GRAETZ :

D1 D4
D2

Passan
D4 te
D3 Charge

Pendant l’alternance (+) : Les diodes : …..

D2 et
…...
D4 [Link] D1 et …...
Les diodes : ….. D3
Bloquées.
 a- Redressement double alternance : :
2- Redressement par pont de GRAETZ : UR
D4
D3
D2
D1 Bloqu
Passan
Passan D1 D2
ée
te
te
D4 D3 Charge

Donc
Pendant la tension
l’alternance (-) : Lesaux bornes
diodes : …..
D1 et
…... de la charge
D3 Conduisent.
et LesRdiodes
est toujours
D2 et …...
: ….. D4
Bloquées.
positives
d- Redressement double alternance :
 d- Redressement double alternance :
2- Redressement pleine onde bipolaire :
Ceci est une répétition du
redressement pleine onde D1
eS1
50Hz
+ iS1
avec un transformateur à es1
+

prise médiane. On utilise, en es2

-
D2
URL1
-

parallèle, deux circuits de ce

genre: pour les alternances D3
eS2
positives de es1 et es2 et pour iS2 50Hz
+
les alternances négatives es1 D4
URL2
-

et es2. Le circuit alimente

deux charges: avec une
es crête - 0,7V
tension pulsée positive et
es1 es2 100Hz
avec une tension négative URL1

pulsée par rapport à

commun.
URL2 es2 es1 100Hz

es crête - 0,7V
d- Exercices :