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Transistor en Émetteur Commun : TP d'Amplification

Ce document présente un TP sur le montage en émetteur commun utilisant un transistor bipolaire, visant à comprendre son fonctionnement en tant qu'amplificateur de signal. Les objectifs incluent l'étude des caractéristiques du transistor en régime statique et dynamique, ainsi que l'analyse des points de fonctionnement. Les résultats expérimentaux incluent des valeurs mesurées pour les tensions et courants au point de fonctionnement, ainsi que le calcul du gain du transistor.

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Transistor en Émetteur Commun : TP d'Amplification

Ce document présente un TP sur le montage en émetteur commun utilisant un transistor bipolaire, visant à comprendre son fonctionnement en tant qu'amplificateur de signal. Les objectifs incluent l'étude des caractéristiques du transistor en régime statique et dynamique, ainsi que l'analyse des points de fonctionnement. Les résultats expérimentaux incluent des valeurs mesurées pour les tensions et courants au point de fonctionnement, ainsi que le calcul du gain du transistor.

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TP 1 : TRANSISTOR EN EMETTEUR COMMUNE

CI1 : EEBI

RÉALISER PAR : ENCADRÉ PAR :


 ALIOU SALAH-EDDINE
 OTHMANE ABDELLAOUI

INTRODUCTION GÉNÉRALE
Le montage en émetteur commun constitue l’un des montages fondamentaux
utilisant le transistor bipolaire (BJT). Il est largement employé dans les circuits
d’amplification grâce à sa capacité à fournir un gain en tension important tout en
assurant une bonne stabilité du point de fonctionnement.

Dans ce TP, nous étudions le comportement du transistor en configuration émetteur


commun afin de comprendre son rôle dans l’amplification des signaux faibles.
L’objectif est d’analyser les différentes étapes de polarisation, de tracer les
caractéristiques du transistor et d’observer la réponse du montage en régime
dynamique. Cette étude permet d’illustrer les notions essentielles liées au gain, à
l’impédance d’entrée et de sortie, ainsi qu’à l’influence des éléments de polarisation
sur la performance globale du montage.

OBJECTIF DE TP :
 Comprendre le fonctionnement d’un transistor bipolaire NPN/PNP monté en
émetteur commun (EC).
 Étudier la caractéristique et le comportement du transistor en régime continu
(statique) et en régime variable (dynamique).
 Mettre en évidence le rôle du transistor comme amplificateur de signal.

I. EN RÉGIME STATISTIQUE :

Condensateur Valeurs numériques


C1, C2 470uF
Ce 100uF

RÉSISTANCE Valeurs numériques (kilo hom)


R 10
RE, RC 1
R1 47
R2 27

PARTIE THÉORIQUE :
a) Déduire les valeurs des coordonnées du point de fonctionnement.
1. Définitions des grandeurs mesurées / connues
 Mesures DC :
o V C 0(Ou V C M 0) : tension du collecteur par rapport à la masse.

o V B 0(Ou V B M 0) : tension de la base par rapport à la masse.

o V E 0(Ou V E M 0 ) : tension de l’émetteur par rapport à la masse.

 Valeurs du circuit : V CC , RC , R E , R1 , R 2

2. Coordonnées du point de fonctionnement.


 Tension collecteur-émetteur au point de fonctionnement :

VCE0=VC0−VE0

A.N : VCE0=20,5-5,9=14,6v
 Courant collecteur au point de fonctionnement :

Vcc−VC 0
Ic 0=
RC
28−20 , 5
A. N: I c 0= =0,0075 A
1000
 Courant émetteur au point de fonctionnement :

VE 0
IE 0= ℜ

5 ,9
A.N: IE 0= =0 , 0059 A
1000
 Courant base au point de fonctionnement :
IC 0
IB 0=
β0

A.N : IB 0=119 uA

PARTIE EXPREMENTALE :
V CM 0 19V
V BM 0 10V
V EM 0 9,2V

V C E 0=V C 0−V E 0

A.N : V CE 0=1 V
V BE 0=V B 0−V E 0

A.N : V B E 0 =0 , 8

IC 0
β 0=
IB 0

Ona :
Vcc−VC 0
Ic 0=
RC
A.N : Ic 0=9 m A

Et :

VE 0
IE 0= ℜ

A.N IE 0=9 , 2 m A

Donc :
N I B 0=0 ,2 mA

Finalement :
β 0=45

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