SOLUIONNAIRE DU CHAPITRE # 1 DE BOYLESTAD

PROBLEMAS PROPUESTOS CAPITULO # 3

3.2 CONSTRUCTION D'UN TRANSISTOR

1. ¿Qué nombres se aplican a los dos tipos de transistores BJT? Trace la construcción básica de
chacun et marquez les différents porteurs minoritaires et majoritaires dans chacun. Tracez le
symbole graphique à côté de chacun. Est-ce que n'importe quelle partie de cette information change en changeant de
silicium à germanium ?

Le transistor est un dispositif semi-conducteur à trois couches composé de deux couches de matériau de type n et
une de matériau de type p ou de deux couches de matériau de type p et une de matériau de type n. Le premier s'appelle
transistor npn et le deuxième transistor pnp.

Figura 1: tipos de transistores[ CITATION ROB09 12298 ]

2. Quelle est la principale différence entre un dispositif bipolaire et un dispositif unipolaire ?

Un transistor bipolaire utilise des trous et des électrons dans le processus d'injection ou de flux de charge, tandis que
Les dispositifs unipolaires utilisent des électrons ou des trous, mais pas les deux, dans le processus d'écoulement de
charge.

3.3 OPÉRATION DU TRANSISTOR

3. Comment les deux jonctions de transistor doivent-elles être polarisées pour un fonctionnement correct ?
amplificateur de transistor ?

Directe et inversement biaisée.

4. Quelle est la source du courant de fuite dans un transistor ?

Le courant de fuite ICO est le courant de porteurs minoritaires dans le collecteur.

5. Tracez une figure similaire à la figure 3.3 de la jonction polarisée en direct d'un transistor npn.
Décrivez le mouvement résultant des porteurs.

Figure 2: Jonction de polarisation en directe[ CITATION ROB09 l 12298 ]

Dans la figure 3.3, on a dessiné le transistor pnp sans polarisation entre la base et l'émetteur, nous pouvons observer
similitudes entre cette situation et celle du diode polarisé en direct. La largeur de la région de
l'appauvrissement a été réduit en raison de la polarisation appliquée et le résultat a été un flux intense de
porteurs majoritaires du matériau de type p au matériau de type n.

6. Tracez une figure semblable à la figure 3.4 de la jonction polarisée inverse d'un transistor npn.
Décrivez le mouvement résultant des porteurs.
 Figure 3 : Jonction de polarisation en inverse[ CITATION ROB09 12298 ]

Nous pouvons réaliser qu'en éliminant la polarisation de la base à l'émetteur du transistor pnp
nous obtiendrons la figure 3.4. En considérant le chapitre qui a été étudié précédemment en cours, nous voyons
les similitudes entre cette situation et celle du diode polarisée inverse. Rappelez-vous que le flux de
les porteurs majoritaires est nul, et le résultat est seulement un flux de porteurs minoritaires, comme se
indique dans la figure 3.4. En résumé, par conséquent : La jonction p-n d'un transistor est polarisée en inverse.
pendant que l'autre se polarise directement.

7. Trace une figure similaire à la figure 3.5 du flux de porteurs majoritaires et minoritaires de
un transistor npn. Décrivez le mouvement résultant des porteurs.

Figure 4 : flux de porteurs majoritaires et minoritaires[ CITATION ROB09 l 12298 ]

Dans la figure 3.5, les deux potentiels de polarisation ont été appliqués à un transistor pnp, avec les flux de
porteurs majoritaires et minoritaires résultants indiqués. Observez dans la figure 3.5 les largeurs des
régions de pauvreté où l'on voit clairement quelle union est polarisée directement et laquelle ne l'est pas
est très polarisée à l'envers. Comme indiqué dans la figure 3.5, une grande quantité de porteurs
les majoritaires se diffuseront à travers la jonction p–n polarisée directement vers le matériau de type n.

8. Quelle est toujours la plus grande des courants dans le transistor ? Laquelle est toujours la plus petite ?
petite ? Laquelle des deux courants est de magnitude relativement semblable ?

IE le plus grand
IB le plus petit
IC≅ IE

9. Si le courant dans l'émetteur d'un transistor est de 8 mA et que IB est de 1100 de IC, déterminez les
niveaux de CI et d'IB.

1
J e B= J e CJ e C=100IB
100

J e E =Je C+ J e B =100IB + J e B=101IB

J e E 8mA
J e B= = =79,21mA
101 101

J e C =100IB=100 ( 79,21μA)=¿ 7,921 mA

10. De mémoire, tracez le symbole des transistors pnp et npn, puis insérez le flux.
conventionnel de chaque courant

R. La flèche dans le symbole graphique définit la direction du courant de l'émetteur (flux conventionnel) à
à travers le dispositif.

11. En utilisant les caractéristiques de la figure 3.7, déterminez VÊtrecon jeE= 5 mA et VCB= 1,10 y
20 V. Est-il raisonnable de supposer de manière approximative que V CBil n'a qu'un léger effet
dans la relation entre VSOISe IE?

JeE= 5 mA, VCB= 1 V : VBE800 mV

VCB= 10 V: VBE=770 mV

VCB= 20 V : VÊTRE=750 mV

Le changement de VCBes 20 V: 1 V =20:1.

Le changement résultant dans VBEes 800 mV :750 =1.07:1(muy leve).

12. a. Déterminez la résistance de chaque moyenne pour les caractéristiques de la figure 3.10b.

b. Pour les réseaux où la magnitude des éléments résistifs est généralement de

kilohms, est-ce que l'approximation de la figure 3.10c [basée sur les résultats de la partie
(a)]?

ΔV0.9V−0,7V
a)rav ¿ = =25Ω
ΔI 8mA−0
b) Oui, car à 25Ω cela est souvent insignifiant par rapport aux autres niveaux de la
résistance du réseau.
13. a. Avec les caractéristiques de la figure 3.8, déterminez le courant dans le collecteur si

JeE= 4,5 mA et VCB= 4 V.

b. Répète la partie (a) avec IE= 4,5 mA et VCB= 16 V.

c. Comment les changements dans V ont-ils affectéCBle niveau résultant de IC.?

d. D'une manière approximative, comment I se rapportent-ils? Ee ICsur la base des résultats

antérieurs ?

a) JeC ≅ JeE=4,5 mA.

b) MoiC≅ JeE=4,5 mA.
c) Insignifiant : aucun changement dans cet ensemble de caractéristiques n'est reconnu.
d)MoiC≅ JeE

14. a. En utilisant les caractéristiques des figures 3.7 et 3.8, déterminez [Link] VCB= 10 V

y VSOIS= 800 mV.

b. Déterminer VÊTREsi jeC= 5 mA et VCB= 10 V.

c. Répétez la partie (b) en utilisant les caractéristiques de la figure 3.10b.

d. Répétez la partie (b) en utilisant les caractéristiques de la figure 3.10c.

 e. Compare les solutions de VSOISpour les parties (b) et (d). Peut-on ignorer la différence
si en général des niveaux de tension supérieurs à quelques volts sont présentés ?

Figure 5 : graphique des niveaux et caractéristiques[ CITATION ROB09 l 12298 ]

a)Usando Fig. 3.7 primero, IE≅ 7 mA

Alors Fig. 3.8 résultats en IC≅ 7 mA.
b) En utilisant la Fig. 3.7 d'abord, IE≅ 5 mA
Alors Fig. 3.8 résultats en VÊTRE≅ 0,78 V.
c) Utilisant la Fig. 3.10 (b) IE= 5 mA résultats en VSOIS=0,81 V.
d) Utilisant la Fig. 3.10 (c) IE= 5 mA résultats en VÊTRE=0,7 V.
e) Oui, la différence des niveaux de VÊTREpeut être ignorée pour la plupart des applications s'il y a
tensions de plusieurs volts dans le réseau.

15. a. Dadaαcdde 0,998, déterminez ICsi jeE= 4 mA.

b. Déterminez αcdsiIE= 28 mA et IB= 20 μA.

c. Trouvez IEsi IB= 40 μA yαcd= 0,98.

JeC=αIE(0.988)(4 mA) = 3.992 mA

b)MoiEJeC+ JeB

JeCJeEJeB= 2,8 mA – 0,02 mA = 2,78 mA.

Ic2,78mA
αdc¿ =Ie2.8mA =0.993
 α 0,98
c)JeC= β IB=
( ) (
1−α
JeB=
1−0,98
¿
)
Ic1.96mA
JeE = = =2mA
α 0,993

16. De mémoire, tracez la configuration d'un transistor BJT en base commune (npn et pnp) et indiquez
la polarité de la polarisation appliquée et les directions du courant résultant.

Figure 6 : notation et symbolique d'un transistor[ CITATION ROB09 12298 ]

La flèche dans le symbole définit la direction du courant de l'émetteur (flux conventionnel) à travers le
dispositif.

3.5 ACTION AMPLIFICATEUR DU TRANSISTOR

17. Calcule le gain de tension (AV= VL/ Vje) pour le réseau de la figure 3.8 si Vje= 500 mA et R =
1 kΩ. (Les autres valeurs du circuit ne changent pas.)
 [ CITATION ROB09 12298 ]
Figure 7 : caractéristiques d'un collecteur d'une amplification en configuration émetteur commun

Jeje= Vje/ Rje= 500 mV / 20 Ω = 25 mA

JeLJeje= 25 mA.

VLJeLRL(25 mA)(1 kΩ) = 25 V

V
o25V
UnV¿ = =50
Vi05,V

18. Calcule la ganancia de voltaje (AV= VL/ Vi ) pour le réseau de la figure 3.12 si la résistance
l'intérieur de la source est de 100 Ω en série avec Vje.

Vi 200mV 200mV
Je¿je Ri+ Rs20Ω+
= = =1,67 mA
100Ω120Ω

JeLJe suisje= 1,67 mA

VLJeLR = (1,67)(5 kΩ) = 8,35 V

V
35ov8.
UnV¿ = =41,75
V0i2.v

3.6 CONFIGURATION EN ÉMETTEUR COMMUN

19. Définissez ICBOJe suisPDG. En quoi sont-ils différents ? Comment sont-ils liés ? Sont-ils généralement de
magnitude similaire ?

JeCBOc'est le courant qui va du collecteur à la base.

JePDGc'est le courant qui va du collecteur à l'émetteur.

JeCBO= J e PDG

JeCBOdada en mA et IPDG= mA

20. En utilisant les caractéristiques de la figure 3.14 :

Figure 8 : Caractéristiques d'un transistor en silicium en configuration d'émetteur commun : (a) caractéristiques ; (b) caractéristiques de base
ROB09 \l 12298 ]

| )
750mV
( 1000mV
1 V =0,75V

a) Déterminez la valeur JedeCcorrespondant à V=+750mV

BECE V=+5
y V .

Fig.3.14 (a) J e C≅ 3 , 6 m A

Fig.3.14 (b) J e B≅ 3 5 μ A

b) Déterminez la valeur VdeCEyV Être correspondant à Je=3mA

C I=30μA
e B

Fig.3.14 (a) V CE≈2,5V

Fig.3.14 (b) V ÊTRE≅0,72V

21. a) Pour les caractéristiques en émetteur commun de la figure 3.14, déterminez la beta de cd dans un
point d'opération de V=+8
CE V I =2mA
e C .
 Figure 9 : caractéristiques du transistor en silicium[ CITATION ROB09 12298 ].

Je C 2mA
β= = =117.65
J e B17μA

c) Déterminez la valeurα correspondante à ce point de fonctionnement.

β 117,65
α= = =0,992
β+ 1 117,65+1

d) En V=+8
CE V déterminez la valeur correspondante de JePDG.
J e PDG=0,3mA

e) Calculez la valeur approximativeJePDG

de avec la valeur de bêta de cd obtenue dans la partie (a).

J e PDG=(1−α ) J e PDG

¿ ( 1−0,992 ) ( 0,3 mA)=2.4μA

22. a) En utilisant les caractéristiques de la figure 3.14a, déterminezJePDG en V=10V
CE .
 Figure 10 : Caractéristiques de l'émetteur commun [CITATION ROB09 12298].

JePDG≅ 0 , 3 m A

Déterminerβ cd en Je=10μA
B V=10V
y CE .
J e C≈1,35mA

J e C 1.35mA
β cd = = =135
J e B 10μA

Utilisant la β cd déterminée dans la partie (b) calculeJeCBO.

β 135 135
α= = = =0,9926
β+ 1 135+1 136

JeCBO ≅(1−α ) Je PDG

J e CBO=(1−0,9926 ) ( 0.3mA
) =2,2 μA
β
23. a) Sur la base des caractéristiques de la figure 3.14a, déterminez Je=80μA
cdcon
B V=5
y CEV .

Figure 11 : Graphique des caractéristiques[ CITATION ROB09 12298 ]

 J e C =βIB

J e C =( 83,75) ( 80μA)=6,7 mA

J e C 6,7 mA
β dc = = =83,75
JeB80μA

b) Répétez la partie (a) enJe=5μAV

B =15V
y CE .
J e C =βIB

J e C =( 170 ) ( 5 μ A )=0.85mA

I C 0,85mA
β dc = = =170
JeB 5μA

c) Répétez la partie (a) enJe=30μA

B V=10V
y CE .
J e C =βIB

J e C =( 113,33 ) ( 30μA ) =3,4 mA

J e C 3.4mA
β dc = = =113,33
JeB30μA

d) En révisant les résultats des parties (a) à (c), la valeur de change-t-elle ? β cd de point à point
sur la courbe des caractéristiques ? Où les valeurs les plus élevées ont-elles été trouvées ? Peut-il
arriver à une conclusion générale sur la valeur de β cd avec les caractéristiques de la figure
3,14a ?
β dc Si vous changez de point à point dans les caractéristiques.

Valor Bajo ,Je

valor
B V
alto CEBêtas supérieurs

24. a) En utilisant les caractéristiques de la figure 3.14a, déterminezcaβen Je=80μA

B V=5 V
y CE .
 Figure 12 : Graphique des caractéristiques[ CITATION ROB09 12298 ]

|
∆IC 7.3mA−6mA1.3mA
β ac = V =5 V = = =65
∆IB CE 90μA−70μA20μA

b) Répétez la partie (a) enJe=5μA

B V=15V
y CE .

|
∆IC 1,4mA−0,3 mA 1,1 mA
β ac = VCE=15V= = =110
∆IB 10μA−0μA 10μA

c) Répétez la partie (a) enJe=30μA

B V=10V
y CE .

|
∆IC 4,25 mA−2,35mA1,9mA
β ac = V =10V= = =95
∆IB CE 40μA−20μA 20μA

d) En examinant les résultats des parties (a) à (c), la valeur change-t-elle ? β ca d'un point à un autre
sur la courbe des caractéristiques ? Où se situent les valeurs les plus élevées ? Peut-elle atteindre
une conclusion générale sur la valeur de β ca sur un ensemble des caractéristiques de
collecteur?
β çachange de point à point dans les caractéristiques.
La valeur la plus élevée est obtenue à un niveau plus élevé deCEVy niveau inférieur de . JeC
Je
La séparation entre courbes c'est
B le meilleur dans cette région
e) Los puntos seleccionados en este ejercicio son los mismos que se emplearon en el problema
23. Si cela a été effectué, comparez les niveaux deβ cdβyça à chaque point et commentez sur la
tendance de l'amplitude pour chaque quantité.
V CE JeB β cd β ça JeC β cd
β ca
5V 80μA 83,75 65 6,7 mA 1.29
 10V 30μA 113,33 95 3,4 mA 1,19
15V 5μA 170 110 0.85mA 1,55

Quand JeC diminué, le niveau de β cd y β ça a augmenté. Veuillez noter que le niveau de β cd y β ca dans le
le centre de la région active est proche de la valeur moyenne des niveaux obtenus. Dans chaque cas β cd es
plus grand queca,βavec la plus petite différence se produisant au centre de la région active.

25. En utilisant les caractéristiques de la figure 3.14a, déterminezβ cdJ edans

B=25μA y V=10V
CE .
β cd
Ensuite, calculezα cd et le niveau résultant de . (Utilisez
JeE Je
le niveau deCdéterminé par Je=
C
JeB

Figure 13 : Graphique des caractéristiques d'un transistor[ CITATION ROB09 12298 ]

J e C =βIB

J e C =( 116 ) ( 25μA )
=2.9mA
J e C 2,9 mA
β cd = = =116
J e B25μA

β 116
α= = =0,991
β+ 1 116+1
J e C 2,9 mA
J e E= = =2,93
α 0,991
α cd=0,987
26. a) Étant donné que déterminez la valeur correspondante de β cd .
 α 0,987 0,987
β cd = = = =75,92
α −1 0,987−1 0.013

b) Dada β cd=120 déterminez la valeur correspondante de α.

β 120 120
α= = = =0.992
β+ 1 120+1 121
β
c) Étant donné que =180Je=2,0mA
cd e c déterminerEeJe . JeB
J e C 2,0 mA
J e B= = =11,11μA
β 180
J e E =J e c +J e B =2,0mA+11,11μA=2,011 mA

27. De mémoire, tracez la configuration en émetteur commun (npnopnp) et insérez la modalité de

polarisation correcte avec les directions résultantes de Je,B jeC e JeE .

Figure 14 :
Configuración en emisor común(NPN-PNP)[ CITATION ROB09 l 12298 ].

Figure 15 : Symboles de la configuration en émetteur commun (NPN, PNP)

3.7 CONFIGURATION EN COLLECTEUR COMMUN

28. Un voltage d'entrée est appliqué 2V rms (mesure de la base à terre) au circuit de la figure
3.21. En supposant que la tension de l'émetteur suit la tension de la base avec précision et que
V0
V(rms)=0,1
être V calcule l'amplification de tension du circuit ( A=
v ) et le courant de l'émetteur
Vje
pour ℜ=1 k Ω .

Figure 16 : Configuration en collecteur commun

V e =V je−V être=2 V −0,1V=1,9V

V 0 1,9V
A v= = =0,95≅1
Vje 2V

VE 1,9V
J e e= = =1,9 mA ( rms )
RE1kΩ

29. Pour un transistor dont les caractéristiques sont celles de la figure 3.14, tracez les caractéristiques de
entrée et sortie de la configuration en collecteur commun.

Caractéristiques de sortie :

Figure 17 : Caractéristiques d'entrée et de sortie [ CITATION Rob09 \l 12298 ].

Les courbes sont essentiellement les mêmes avec de nouvelles échelles comme montré.

Les caractéristiques d'entrée de l'émetteur commun peuvent être utilisées directement pour le collecteur commun.

30.- Déterminez la région de fonctionnement pour un transistor dont les caractéristiques sont celles de la figure

3,14 si JeCmax=7mA,VCEmax=17V et PCmax=40mW

 Figure 18 : Caractéristiques d'entrée[ CITATION ROB09 \l 12298 ]

P Cmax=30mW=VCEJe C

PCmax 30mW
J e C =PCmax, V CE= = =4,29V
J e Cmax 7mA

PCmax 30mW
V CE =V CEmaxJ e C = = =1,5 mA
VCmax 20V

PCmax 30mW
V CE=10V,IC = = =3mA
VCE 10V

PCmax 30mW
J e C =4mA ,V CE= = =7,5V
Je Cmax 4mA

PCmax 30 mW
V CE=15V,IC = = =2mA
VCE 15V
 Figure 19 : le courant de collecteur par rapport à la tension collecteur émetteur[ CITATION Rob09 12298 ]

31.- Déterminez la région de fonctionnement pour un transistor dont les caractéristiques sont celles de la figure

3,8 si JeCmax=6mA,VCEmax=15V y PCmax=30mW

Figure 20 : graphique des caractéristiques du courant[ CITATION ROB09

12298 ].
PCmax 30mW
J e C =PCmaxV CE= = =5 V
I Cmax 6mA

PCmax 30mW
V CB=V CBmaxJ e C = = =2mA
J e Cmax15mA

PCmax 30mW
J e C =4mA ,V CB= = =7,5V
J e C 4mA

PCmax 30mW
V CB=10V,IC = = =3mA
VCB10mA
 Figure 21 : relation entre le courant et la tension[ CITATION Rob09 l 12298 ].

32.- En se référant à la figure 3.23, déterminez l'intervalle de température pour le dispositif en

degrés Fahrenheit.

Figura 22: tabla de voltajes de la fig. 3.23[ CITATION ROB09 12298 ]

9
℉ = ℉C+32℉
5

9
℉ = ( −55℉C
)+32℉=−67℉
5

9
℉ = ( −150℉C
)+32℉=−302℉
5

−67℉ ≤TJ≤−302℉

33.- En utilisant les informations fournies dans la figure 3.23 concernant P Cmax, V CEmaxJ e CmaxJ eCmaxtrace
les limites de fonctionnement pour l'appareil.
 Figure 23 : tableau des tensions de la fig. 3.23[ CITATION ROB09 12298 ]

JeCmax=200mA ,VCE =30V , PDmax =6,25 mW

P Dmax 625mW
J e C =J e Cmax, V CE= = =3,125V
Je Cmax200mA

P Dmax 625mW
V CE =V CEmaxJ e C = = =20,83 mA
V CEmax 30V

P Dmax 625mW
J e C =100mA,VCE= = =6,25V
J e C 100mA

P Dmax 625mW
V CE =20V,IC = = =3,125 mA
V CE 20V
 [ CITATION Rob09
Figure 24 : Dépression du courant de collecteur lors de l'augmentation de la tension collecteur émetteur
12298 ].

34. Sur la base des données de la figure 3.23, quelle est la valeur attendue deJePDG utilisant la valeur
moyenne de β cd ?

M o i CBO=50nA max

β min+ β max
β moyenne=
2
50+150
β moyenne=
2
200
β moyenne=
2
β moyenne=100

J e PDG=β∗Je CBO

J e PDG=(100)(50nA)

J e PDG=5µA

35. Comment [Link] de E(fig. 3.23j, h normalisé à partir de h=100

E ) avec le
h
intervalle defer(fig. 3.23f) dans la gamme deJe
Cde 0,110
a mA ?
 Figura 25: Graficas de la ganancia de corriente[ CITATION ROB09 12298 ].

h E ( β dc ), V CE=1 V, T =25℉ C

J e C =0,1 mA, h E≈0,43∗100=43

J e C =10mA,h E≅0,98∗100=98

h E ( β ac ) ,V CE =10V,T=25℉C

J e C =0,1 mA, h E≅ 7 2
J e C =1omA,h E≅160

Les valeurs de hEyfeils hobtiendront la même augmentation du courant de collecteur ; le niveau deFeils sonthbeaucoup
plus hauts que de hEmais en tenant compte qu'il soit grand V CE.

36. En utilisant les caractéristiques de la figure 3.23b, déterminez si la capacitance d'entrée dans la
la configuration en base commune augmente ou diminue avec les niveaux croissants du potentiel de
polarisation inverse. Pouvez-vous expliquer pourquoi ?

Figure 26 : graphique de la capacitance[ CITATION ROB09 12298 ].

Si la magnitude du potentiel de polarisation inverse du transistor augmente, la capacitance d'entrée

diminue. L'augmentation du potentiel de polarisation inverse fait augmenter la largeur de la région de
appauvrissement, donc cela va réduire la capacitance.
A
C=∈
d

37. Avec les caractéristiques de la figure 3.23f, déterminez combien le niveau a changé. h fe depuis
sa valeur à1mA10mA
jusqu'à sa valeur à . Remarquez que l'échelle verticale est logarithmique et qu'elle peut
requérir une référence à la section 11.2. Est-ce un changement qui devrait être considéré dans une situation
de design ?
 Figure 27 : graphique du gain de courant[ CITATION ROB09 l 12298 ].

a)
UntJ e C =1mA,hfe≅120

AtJ e C =10mA,hfer≅ 1 6 0

b)
On peut dire que lorsque bêta tend à augmenter, lorsque le courant du collecteur augmente.
β con Je=10mA
38. En utilisant les caractéristiques de la figure 3.23j, déterminez le niveau decd C à les
trois niveaux de température apparaissant sur la figure. Le changement avec l'intervalle est-il significatif ?
de température spécifiée ? Est-ce un élément de préoccupation dans le processus de conception ?

Figure 28 : graphique du gain de courant[ CITATION ROB09 12298 ].

JeC
β cd =
JeB

100mA
β cd =
125℉ C
β cd =0,8 mA
 100mA
β cd =
25℉ C
β cd =4mA

100mA
β cd =
−55℉ C
β cd =−1,8 mA

En partie, oui, le changement de température est généralement très significatif. J e Caugmente

cela va être réduit de moitié.
Il est important de concevoir car en général les transistors fonctionnent à une température de 25°C.
39. Déterminer :
β Je=14
a) En se basant sur les caractéristiques de la figure 3.24, déterminez C en mAV3V
ca y CE .

Figure 29 : Graphique des caractéristiques de la figure 3.24[ CITATION ROB09 12298 ].

( |
∆IC
)
16mA−12.2mA3.8mA
β unc = VCE=3V= = =190
∆IB 80uA−60μA 20µA

b) Déterminerβcden Je=1mA
C V=8
y CEV .
J e C 12mA
β dc = = =201,7
JeB 59,5 µA

c) Déterminerβcaen Je=14mA
C V=3 V
y CE .
4 m A −2mA
β ac = =−200
18µA−8 u A

d) Déterminerβcden Je=1mAV
C y=8 V
CE .
 J e C 3mA
β dc = = =230,77
JeB13uA

e) Comment le niveau decaet celuiβdecddans chaque

β région ?
Dans les deux cas,β dc est légèrement supérieur à β ac≅10%

β cd=β
f) Est-ce que l'approximation est valable pour cet ensemble de caractéristiques ?
ça

Les valeurs de β dcβyac augmentent avec l'augmentation de J e Cpour V CE et les deux diminuent à des niveaux
décréments de V CE para J e Eun fixe. En conclusion, l'augmentation prévue en raison d'une augmentation dans le
le courant de collecteur peut être compensé par une diminution de V CE.
BIBLIOGRAPHIE

[1] R. L. NASHELSKY, Electrónica: teoría de circuitos y dispositvos electrónicos, Mexico : Pearson, 2009.

[2] R. L. B. -. L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, Louis Nashelsky: Pearson, 2009.