Transistor NPN STC945 : Caractéristiques et Utilisations
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Transistor silicium NPN
Description Connexion PIN
• Amplificateur de petit signal général
C
Fonctionnalités
B
• Tension de saturation faible du collecteur
: VCE(sat)=0,25V (Max.)
• Faible capacité de sortie : Cob=2pF(Typ.) E
• Paire complémentaire avec STA733
TO-92
Informations de commande
Tapez NON. Marquage Code de paquet
STC945 STC945 TO-92
Cotes maximales absolues (Ta=25°C)
Characteristic Symbole Notes Unité
Tension de collecteur à base VCBO 50 V
Tension collecteur-émetteur VPDG 40 V
Tension Émetteur-Base VEBO 5 V
Courant de collecteur JeC 150 mA
Dissipation du collecteur PC 500 mW
Température de jonction Tj 150 °C
Température de stockage Tstg -55~150 °C
Caractéristiques électriques (Ta=25°C)
Caractéristique Symbole Condition de test Min. Typ. Max. Unit
Tension de claquage de la base du collecteur BVCBO JeC=50μA, jeE=0 50 - - V
Tension de rupture Collecteur-Émetteur BVPDG JeC=1mA, IB=0 40 - - V
Tension de rupture émetteur-base BVEBO JeE=50μA, jeC=0 5 - - V
Courant de coupure du collecteur JeCBO VCB=50V,IE=0 - - 0,1 μUn
Courant de coupure de l'émetteur JeEBO VEB=5V,IC=0 - - 0,1 μUn
Gain en courant continu *
hFE VCE=6V,IC=2mA 70 - 700 -
Tension de saturation collecteur-émetteur VCE(sat) JeC=100mA, IB=10mA - - 0,25 V
Fréquence de transition fT VCE=10V,IC1mA 80 - - MHz
Capacitance de sortie du collecteur Cobjet VCB=10V,IE=0, f=1MHz - 2 3,5 pF
VCE=6V,IC=0.1mA,
Figure de bruit NF - - 10 dB
f=1KHz, Rg=10KΩ
* : hFErank / O : 70 ~ 140, Y : 120 ~ 240, G : 200 ~ 400, L : 300 ~ 700
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STC945
Courbes caractéristiques électriques
Fig. 1 PC–Tun Fig. 2 IC-VÉT
Fig. 3 IC-VCE Fig. 4 hFE-JeC
Fig. 5 VCE(sat)-JeC
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STC945
Dimension de contour
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STC945
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