N° d’ordre 2011ISAL0050 Année 2011

Thèse

Etude des mécanismes physiques

responsables des dysfonctionnements des
transistors HEMTs à base
d’hétérostructures AlGaN/GaN et
AlInN/GaN

présentée devant
L’Institut National des Sciences Appliquées de Lyon

pour obtenir
le grade de docteur

Ecole doctorale : Electronique, Electrotechnique, Automatique

Spécialité : Dispositifs de l’Electronique Intégrée

par
Walf Chikhaoui

Soutenue le juin 2011 devant la Commission d’examen

Jury

Cette thèse a été préparée à l’Institut des Nanotechnologies de Lyon (INSA de Lyon)

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Ecoles doctorales

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Résumé

La fabrication des composants semiconducteurs à base de nitrure de gallium (GaN) connaît

actuellement une grande expansion. Ce matériau, par ces propriétés physico-chimiques
intéressantes, est un très bon candidat pour la réalisation de diodes électroluminescentes LEDs
dans le domaine de l’éclairage ainsi que dans la filière microélectronique pour la fabrication de
composants de puissance à haute fréquence de fonctionnement.

Dans la pratique, avant d’intégrer ces composants dans un système électronique, l’analyse de leur
fiabilité est une étape nécessaire pour valider la technologie de fabrication utilisée. L’objectif de
ce travail est la détermination des mécanismes physiques responsables de la dégradation des
performances des Transistors à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base d’hétérostructures
AlGaN/GaN et AlInN/GaN.

Dans un premier temps, la caractérisation en régime statique des composants, par des mesures de
courant et de capacité à différentes températures, nous a permis de repérer certaines anomalies
dans les caractéristiques des composants. Cette non-idéalité liée aux effets thermiques semble
provenir des mécanismes de piégeage des porteurs par les défauts dans le matériau. Dans le but
d’analyser ces mécanismes, des mesures de spectroscopie de défauts profonds (DLTS) ont été
effectuées sur la capacité de type Schottky du contact de la grille. Ces mesures ont été effectuées
sur des transistors non vieillis ainsi que sur des composants qui ont subi des tests de
vieillissement accélérés pour évaluer leur niveau de dégradation.

L’étape suivante a consisté à mesurer les pièges profonds dans les HEMTs par DLTS en courant
de drain, de façon à déterminer quels défauts influencent directement le courant dans ces
dispositifs. Cette étude a été effectuée sur différents composants avec différentes géométries pour
analyser au mieux le comportement de ces pièges.

L’étude du contact de grille est aussi une étape importante pour déterminer les origines de
défaillance des composants. Pour cela, nous avons réalisé une étude approfondie sur les différents
mécanismes de transport à travers la barrière métal/semiconducteur en effectuant des mesures en
température du courant de grille. Cette étude nous a permis de conclure sur la stabilité du contact
de grille après les tests de vieillissement accélérés.

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Abstract

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INTRODUCTION ................................................................................................................................ 13

CHAPITRE I : LES MATERIAUX NITRURES POUR LES HEMTS HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE ............ 14

I) INTRODUCTION .............................................................................................................................. 18
II) LES NITRURES D’ELEMENT III : HISTORIQUE, AVANTAGES ET APPLICATIONS .................................................. 18
II-1) HISTORIQUE DES SYSTEMES A BASE DE GAN ............................................................................................... 18
II-2) AVANTAGES DES ÉLÉMENTS III-N ............................................................................................................. 19
II-3) APPLICATIONS ....................................................................................................................................... 22
III) LE SYSTEME DES MATERIAUX NITRURE D’ELEMENT III............................................................................. 24
III-1) STRUCTURE CRISTALLINE ET PROPRIÉTÉS ................................................................................................... 24
III-2) HÉTÉROSTRUCTURES ET GAZ 2D .............................................................................................................. 27
III-3) LE TRANSISTOR A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE HEMT ......................................................................... 30
III-4) PERFORMANCES DES COMPOSANTS HEMT A BASE DE GAN......................................................................... 32
IV) LES MECANISMES DE DYSFONCTIONNEMENT DANS LES HEMTS ................................................................ 34
IV-1) L’EFFONDREMENT (COLLAPSE EN ANGLAIS) DU COURANT : PRINCIPALE CAUSE LIMITANT LES PERFORMANCES DES
HEMTS ......................................................................................................................................................... 34
IV-2) LES PIEGES DE SURFACE DANS UN HEMT A BASE DE GAN .......................................................................... 35
IV-3) LES PIEGES DANS LA COUCHE TAMPON DE GAN ........................................................................................ 36
IV-4) COMMENT MINIMISER LES EFFETS DE PIEGEAGE ......................................................................................... 37
V) OBJECTIFS DE CE TRAVAIL ................................................................................................................ 39
VI) BIBLIOGRAPHIE DU CHAPITRE I ......................................................................................................... 41

CHAPITRE II : SPECTROSCOPIE DE DEFAUTS ....................................................................................... 18

I) INTRODUCTION .............................................................................................................................. 50
II) DYNAMIQUE DES CENTRES PROFONDS ................................................................................................. 50
II-1) PROCESSUS DE CAPTURE-ÉMISSION THERMIQUE ......................................................................................... 50
II-2) THERMODYNAMIQUE D’ÉMISSION DES PORTEURS ....................................................................................... 53
II-3) EMISSION ASSISTEE PAR CHAMP ELECTRIQUE .............................................................................................. 56
III) SPECTROSCOPIE DE TRANSITOIRE DES CENTRES PROFONDS (DLTS) ............................................................ 58
III-1) ANALYSE DU TRANSITOIRE DE CAPACITE .................................................................................................... 58
III-2) ANALYSE DU TRANSITOIRE DE COURANT.................................................................................................... 67

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III-3) PRINCIPE DE LA DLTS ............................................................................................................................ 70

III-4) DLTS PAR TRANSFORMEE DE FOURIER : DLTFS......................................................................................... 73
III-5) THÉORIE DE LA DLTFS ........................................................................................................................... 74
III-6) APPAREILLAGE DE MESURES DLTFS ......................................................................................................... 78
III-7) COMPARAISON ENTRE LES TECHNIQUES UTILISEES ...................................................................................... 80
IV) BIBLIOGAPHIE DU CHAPITRE II .......................................................................................................... 82

CHAPITRE III : CARACTERISATIONS DES DEFAUTS DANS LES HEMTS ................................................... 50

I) INTRODUCTION .............................................................................................................................. 86
II) STRUCTURES ÉTUDIÉES .................................................................................................................... 87
II-1) ARCHITECTURE DES STRUCTURES .............................................................................................................. 87
II-2) ECHANTILLONS TESTÉS ............................................................................................................................ 89
III) DYSFONCTIONNEMENTS DANS LES CARACTÉRISTIQUES STATIQUES ............................................................ 90
III-1) APPAREILLAGE ET DÉVELOPPEMENT DU CRYOSTAT ...................................................................................... 91
III-2) MESURES COURANT-TENSION ................................................................................................................. 91
III-3) MESURES CAPACITÉ-TENSION ................................................................................................................. 96
IV) SPECTROSCOPIE DES DEFAUTS DANS LES HEMTS : .............................................................................. 101
IV-1) ETUDE DES HEMTS ALGAN /GAN DE LA PLAQUE AEC1388 : DLTS EN CAPACITE ....................................... 101
IV-2) ETUDE DES HEMTS ALGAN/GAN DE LA PLAQUE AEC1389 : ................................................................... 108
IV-3) ETUDE DE LA PLAQUE AEC1561 ........................................................................................................... 118
V) ETUDE DE LA FIABILITE DES HEMTS A BASE DE GAN ............................................................................. 121
V-1) OBSERVATION ET INTERPRETATION DES TESTS DE VIEILLISSEMENT EFFECTUES A III-V LAB ................................. 123
V-2) MISE EN EVIDENCE PAR DLTS DES DEFAUTS GENERES LORS DU VIEILLISSEMENT DES FATFETS.......................... 125
VI) CONCLUSION ............................................................................................................................. 130
VII) BIBLIOGRAPHIE DU CHAPITRE III .................................................................................................... 132

CHAPITRE IV : ETUDE APPROFONDIE DU CONTACT DE GRILLE ............................................................ 86

I) INTRODUCTION ............................................................................................................................ 140

II) LA BARRIERE METAL-SEMICONDUCTEUR ........................................................................................... 140
II-1) LE MODELE SCHOTTKY IDEAL.................................................................................................................. 140
II-2) LE MODELE DE BARDEEN ....................................................................................................................... 141

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II-3) LE MODELE GENERAL ............................................................................................................................ 143

III) MECANISMES DE CONDUCTION DANS UN CONTACT M-S....................................................................... 144
III-1) DIODE HOMOGENE ............................................................................................................................. 146
III-2) DIODE INHOMOGENE .......................................................................................................................... 148
IV) PROCEDES EXPERIMENTAUX .......................................................................................................... 153
V) ETUDE DE COURANT DE GRILLE EN DIRECT .......................................................................................... 154
V-1) EXTRACTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES ............................................................................................ 154
V-2) CARACTERISATION ELECTRIQUE DU CONTACT SCHOTTKY ............................................................................ 155
V-3) INFLUENCE DES TESTS DE STRESS SUR LE CONTACT SCHOTTKY ...................................................................... 167
VI) MECANISMES DE FUITE DE GRILLE ................................................................................................... 177
VI-1) MECANISMES DE FUITE DANS LE SYSTEME ALGAN ................................................................................... 179
VI-2) MECANISMES DE FUITE DANS LE SYSTEME ALINN..................................................................................... 186
VII) CONCLUSION ............................................................................................................................ 194
VIII) BIBLIOGRAPHIE DU CHAPITRE IV ................................................................................................... 196

CONCLUSION.................................................................................................................................. 140

ANNEXE ......................................................................................................................................... 203

PUBLICATIONS DE L’AUTEUR .................................................................................................................. 212

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 Introduction

Introduction

13
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 Introduction

Depuis sa réapparition au début des années 1990, le nitrure de gallium (GaN) a été considéré
comme un matériau semiconducteur très intéressant et très prometteur pour ses potentialités
d’application en optoélectronique pour l’émission et l’absorption dans l’ultra-violet et en
électronique de puissance. Dans ce domaine, les propriétés physiques des nitrures d’élément
III telles que la large bande d’énergie interdite, une mobilité électronique raisonnable, un fort
champ de claquage et une grande stabilité chimique ont permis à ce système de matériaux
d’être un bon candidat pour les applications hyperfréquences à haute puissance et haute
température. La démonstration du premier transistor à haute mobilité électronique (HEMT) à
base d’une hétérostructure d’AlGaN/GaN est venue confirmer le grand potentiel pressenti
pour cette filière1. Aujourd’hui, ces composants possèdent pratiquement le meilleur
compromis puissance-fréquence dans un large domaine d’utilisation. Les applications
s’étalent de l’électronique de puissance en passant par les communications sans fils jusqu’aux
radars et stations de bases et bientôt ils couvriront le domaine des ondes millimétriques.

Malgré les performances remarquables atteintes avec les hétérostructures d’AlGaN/GaN,

l’alternative trouvée, ces quelques dernières années, dans les systèmes AlInN/GaN prouve un
rendement encore plus meilleur avec ce système qu’avec son concurrent AlGaN/GaN. La
possibilité d’obtenir une couche barrière AlInN en accord de maille avec la couche tampon
GaN et l’amélioration de la qualité de l’interface AlInN/GaN sont les principales causes qui
permettent de multiplier par deux la densité de porteurs dans le canal de conduction.

Cependant, les grands avantages de la technologie des HEMTs à base de GaN n'ont pas
encore été pleinement exploités malgré le début de la commercialisation en masse de ces
composants. La raison en est que plusieurs aspects liés à la fiabilité des transistors sont en
cours d’amélioration :

 En raison de l’absence de substrats GaN de grande taille, l’hétéroépitaxie de ce

matériau dépend encore des autres substrats tels que le saphir, le SiC ou le silicium.
Associés à ces substrats, plusieurs problèmes tels que le désaccord de maille et le
coefficient de dilatation thermique, très différents par rapport au GaN, peuvent
remettre en question la fiabilité des composants.

1
M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm, and M. S. Shur, “Microwave performance of
a 0.25 µm gate AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor,” Applied Physics Letters, vol. 65, no. 9,
pp. 1121–1123, 1994.

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 Introduction

 Les caractéristiques de sortie des transistors peuvent présenter des comportements

anormaux sous certains régimes de fonctionnement. Ces effets parasites sont
généralement liés au piégeage des porteurs par les défauts dans le matériau lui-même.
Ces défauts, qui se comportent comme des états surfaciques ou des centres profonds
selon leur position énergétique dans la bande interdite, sont principalement induits par
des impuretés, des lacunes et/ou des défauts structuraux dans le matériau. Leur
conséquence sur la fiabilité des composants est néfaste puisque leur influence peut
limiter la durée de vie des transistors.
 Les contacts Schottky sur les hétérostructures à base de GaN souffrent encore des
problèmes de fuite de porteurs entre le métal et le semiconducteur malgré la maturité
des technologies utilisées. Ces anomalies sont liées à la génération de défauts lors de
la croissance ou bien lors de la métallisation des contacts. La compréhension des
mécanismes de transport induits par ces effets parasites nécessite une analyse
complète et des caractérisations détaillées pour déterminer leur origine exacte.

Dans ce contexte, cette thèse se consacre à l’étude expérimentale des mécanismes de transport
responsables de la non-idéalité dans le fonctionnement des transistors HEMTs à base d’
hétérostructures AlGaN/GaN et AlInN/GaN fabriqués à III-V Lab. L’objectif est de
caractériser ces composants, repérer les anomalies et effectuer une analyse physique
approfondie pour extraire l’origine des mécanismes de défaillance. Certaines études ont pu
être menées sur des transistors qui ont subis des tests de vieillissement accélérés.

Ce travail s’est déroulé dans le cadre d’un projet blanc fiancé par l’ANR (CARDYNAL piloté
par l’IMS de bordeaux). Il regroupait outre l’IMS, l’IEMN de Lille, le groupe GIE de III-V
Lab d’Alcatel-Thalès à Marcoussis et l’INL.

Le manuscrit est organisé de la manière suivante :

Dans le premier chapitre, nous présentons les matériaux III-N, leurs propriétés physiques et
leurs principales applications. Nous introduisons les hétérojonctions à base de nitrure
d’éléments III et leur utilisation pour la fabrication des transistors HEMTs. Nous donnons
ensuite un aperçu sur l’état de l’art dans la recherche et dans le marché de ces dispositifs. Les
problématiques liées aux dégradations des transistors sont évoquées à la fin de ce chapitre.

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 Introduction

La description des mécanismes de piégeage des porteurs, de la cinétique des défauts ainsi que
des méthodes de caractérisation font l’objet du deuxième chapitre.

Les résultats des mesures de spectroscopie de centre profonds (Deep Level transient
Spectroscopy ou DLTS en anglais) font l’objet du troisième chapitre.

Enfin, l’étude approfondie du contact Schottky des composants par l’analyse du courant de
grille est présentée dans le quatrième chapitre.

Nous essaierons, dans chaque partie étudiée, de donner une explication complète sur les
phénomènes observés en faisant des comparaisons entre les prédictions théoriques et les
résultats expérimentaux.

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 Chapitre I : Les matériaux Nitrures pour les HEMTs hyperfréquence de puissance

Chapitre I : Les matériaux Nitrures pour les HEMTs

hyperfréquence de puissance

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 Chapitre I : Les matériaux Nitrures pour les HEMTs hyperfréquence de puissance

I) Introduction
Au cours des quinze dernières années, de grands efforts de recherche ont été investis dans
l’étude des semiconducteurs à base de composés III-N. Ceci vient évidemment des avantages
physico-chimiques que présentent le GaN et ses alliages. En particulier, sa large bande
interdite, son fort champ de claquage et sa forte vitesse de saturation ont permis à ce matériau
d’être considéré comme un candidat très intéressant et très prometteur pour les applications
optiques, électroniques hyperfréquence et de puissance. Malgré cette expansion rapide qui a
permis d’atteindre le stade de commercialisation de composants à base de nitrures d’éléments
III, certains handicaps liés aux processus de croissance et/ou aux procédés de fabrication
limitent les performances attendues des composants et leur fiabilité. Ces limitations sont
principalement liées à la présence de niveaux profonds dans la bande interdite, provenant
principalement de pièges à la surface et/ou à l’interface des couches semiconductrices. Ces
pièges provoquent différents effets indésirables dans le fonctionnement des composants.

Dans ce chapitre, nous donnons un bref aperçu sur l’histoire du développement du GaN et de
ses alliages. Nous décrivons ensuite les propriétés physiques et les perspectives d’application
des composés III-N comparés aux semiconducteurs classiques. En particulier, nous insistons
sur les domaines d'application et l'état de l'art de l’électronique à base de GaN destinée aux
composants hyperfréquence et de puissance. Enfin nous évoquerons les limites des
performances des transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) dans le système GaN.
Nous citerons les origines possibles des effets parasites et leurs conséquences sur le
fonctionnement du composant. Suivant cette problématique, nous exposerons la stratégie
choisie au cours de ce travail pour déterminer les mécanismes physiques responsables de la
non-idéalité du comportement des transistors HEMTs.

II) Les Nitrures d’élément III : Historique, avantages et

applications
II-1) Historique des systèmes à base de GaN
Les dispositifs à base de nitrure de gallium GaN ont connu un énorme succès au cours de ces
dernières années. En revanche, le matériau lui-même a été découvert dès le début du XXème
siècle. Juza et Hahn ont été les premiers à synthétiser le GaN dans les années 1930 en faisant
passer de l’ammoniac (NH3) sur du gallium liquide (Ga) à des températures élevées [1]. Leur
but était d’étudier la structure et les paramètres du réseau cristallin du GaN. A cette époque,
aucune croissance épitaxiale en phase vapeur n’avait jamais été tentée en raison de l’absence

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 Chapitre I : Les matériaux Nitrures pour les HEMTs hyperfréquence de puissance

d’un substrat adéquat. La fin des années 1970 a connu une forte diminution des recherches
dans le domaine du GaN en raison des difficultés rencontrées avec la croissance des couches
de haute qualité nécessaires pour le développement des dispositifs.

Les problèmes persistants étaient toujours le choix et la disponibilité d'un substrat approprié,
le contrôle de la conductivité intrinsèque très élevée des matériaux de type n et les difficultés
d'obtention d’un GaN de type p. En 1982, seule une poignée d'articles étaient publiés dans le
monde entier sur ce système de matériaux.

Il a fallu attendre la persévérance d’Amano et al. qui, en 1986, ont obtenu une couche GaN
avec des propriétés morphologiques, optiques et électriques fortement améliorées. Cette
couche a été obtenue par une croissance MOCVD (MetalOrganic Chemical Vapor
Deposition) sur un substrat de saphir et par l’intermédiaire d’une couche de nucléation d’AlN
[2]. En 1989, la même équipe était la première à élaborer une couche GaN conductrice de
type p [3]. Ces découvertes ont conduit à la renaissance du GaN au début des années 1990.

En 1991, Khan et al. étaient les premiers à donner la preuve d’un gaz d'électrons
bidimensionnel (2DEG) formé par une hétérojonction AlxGa1-xN/GaN sur saphir [4]. Les
premiers transistors GaN à effet de champ (Metal Semiconductor Field Effect Transistors
MESFET) et à hétérostructure (High Electron Mobility Transistors HEMTs) produits par
MOCVD sur substrats de saphir furent fabriqués respectivement en 1993 et en 1994, par
Khan et al. [5, 6]. En 1993, Nakamura et al. ont donné naissance à la première LED bleu GaN
[7].

Depuis ces pas de géant, les activités de recherche et la commercialisation des dispositifs à
base de GaN ont beaucoup progressé. Aujourd’hui, les technologies de production, la
reproductibilité et la fiabilité du matériau épitaxié sont les questions clés qui doivent être
posées pour satisfaire les grandes promesses attendues des dispositifs à base de GaN.

II-2) Avantages des éléments III-N

En comparant les propriétés de base des matériaux semiconducteurs, nous pouvons conclure
sur les domaines d’applications et les performances accessibles par certains alliages. Comme
nous pouvons le voir sur la figure I.1, les semiconducteurs diffèrent essentiellement par la
nature et la largeur de leur bande d’énergie interdite. Nous trouvons parmi eux des matériaux
à gap direct tels que le GaAs, l’InP et le GaN. L’avantage de ce type de bande interdite est

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 Chapitre I : Les matériaux Nitrures pour les HEMTs hyperfréquence de puissance

que les transitions des porteurs (électrons ou trous) entre les niveaux énergétiques est directe.
Dans ce cas, une recombinaison radiative ou une absorption inter-bandes est facilement
générée. Ces propriétés sont primordiales dans les applications optoélectroniques à base de
semiconducteurs III-V, notamment pour la réalisation de lasers à semiconducteurs.

Figure I.1 : Energie de la bande interdite en fonction du paramètre de maille à

300 K de différents semiconducteurs.

La largeur de la bande interdite joue aussi un rôle important selon l’application envisagée. Les
semiconducteurs à grand gap (SGG) permettent d’atteindre des tensions de claquage et des
températures de fonctionnement assez élevées, ce qui rend possible leur utilisation dans les
dispositifs à haute tension d’alimentation. SiC et GaN possèdent un gap deux à trois fois plus
grand et par conséquent un champ de claquage typiquement un ordre de grandeur plus grand
que les semiconducteurs classiques tels que le Si, le GaAs ou l’InP.

D’autres propriétés physiques de ces alliages peuvent être aussi comparées afin de voir
l’intérêt de certains d’entre eux. Le tableau I.1 présente les propriétés fondamentales à 300K
des semiconducteurs les plus importants pour les performances des dispositifs électroniques
[8, 9, 10].

Généralement, pour atteindre des forts courants et un fonctionnement à haute fréquence, il est
souhaitable d’avoir une mobilité de porteurs de charge (μ) et une vitesse de saturation (νsat)
des électrons élevées. La haute mobilité des électrons dans GaAs (8500 cm2.V-1.s-1) est la
principale raison qui explique que les transistors à effet de champ (FET) fabriqués avec ce
matériau ont d’excellentes performances à haute fréquence. Un inconvénient majeur dans la
fabrication des transistors à base de GaN et de SiC est la valeur relativement faible de la

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 Chapitre I : Les matériaux Nitrures pour les HEMTs hyperfréquence de puissance

mobilité des électrons, qui est de 900 cm2.V-1.s-1 pour GaN et environ 700 cm2.V-1.s-1 pour le
SiC. Cependant, ces valeurs sont suffisantes pour les transistors spécifiquement conçus pour
un fonctionnement à haute puissance.

Propriétés GaN AlN InN SiC Si GaAs InP

Bande interdite (eV) 3,4 6,2 0,7 3,2 1,1 1,4 1,3
Champ de claquage (MV/cm) 3,3 8,4 1,2 3,5 0,3 0,4 0,5
Vitesse de saturation (107 cm/s) 2,5 2,1 1,8 2,0 1 1 1
Mobilité électronique (cm2/V.s) 990 135 3,6 650 1500 8500 5400
Permittivité relative (εr) 9,5 9,14 15,3 10 11,8 11,5 12,5
Conductivité thermique (W/cm.K) 1,3 2 0,45 4,5 1,5 0,5 0,7
Tableau I.1 : Propriétés des différents matériaux semiconducteurs.

La conductivité thermique (κ) d'un matériau semiconducteur est un paramètre très important
car il définit la capacité de dissipation de la chaleur par un composant. Une mauvaise
conductivité thermique conduit à un fonctionnement dégradé du dispositif à des températures
élevées. En général, les semiconducteurs classiques sont de mauvais conducteurs thermiques,
en particulier GaAs et InP. Inversement, le SiC et surtout le diamant sont d'excellents
conducteurs thermiques. Le GaN et l’AlN sont comparables avec le Si, le meilleur des
semiconducteurs classiques.

La permittivité relative (εr) est une indication sur la charge capacitive d'un transistor et
affecte les impédances de sortie d’un dispositif. Le tableau I.1 montre que les valeurs de εr
pour les semiconducteurs à grand gap sont inférieures à celles des semiconducteurs
classiques : -20% dans le cas du GaN, d’AlN et du SiC et -55% pour le diamant. Cela permet
par exemple, avec un dispositif à base de GaN, d’avoir une surface 20% plus grande pour une
impédance donnée. En conséquence, cette augmentation de la surface permet de générer des
courants plus forts et une plus forte puissance de sortie.

Pour une meilleure comparaison des performances des différents matériaux semiconducteurs,
plusieurs figures de mérite ont été proposées. Ces figures combinent les propriétés principales
des matériaux pour les classer selon leurs performances en puissance et en fréquence. Le
facteur de mérite de Johnson (JFOM) [11] tient compte de la tension de claquage et de la
vitesse de saturation des électrons dans la définition de la fréquence de travail de certains
semiconducteurs. Le JFOM du GaN est 728 fois celui du silicium, environ 93 fois celui du
GaAs, et deux fois celui du SiC [8]. La figure de mérite de Baliga (BFOM) [12] est calculée

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 Chapitre I : Les matériaux Nitrures pour les HEMTs hyperfréquence de puissance

en fonction de la permittivité relative, de la mobilité des électrons, et du champ électrique de

claquage ; elle représente la potentialité de travail en haute puissance. Le BFOM pour le GaN
est environ 133 fois supérieur à celui de Si, 11 fois celui de GaAs et trois fois celui du SiC
[8]. D’après ces chiffres, il est très clair que le GaN est un bien meilleur matériau pourles
applications haute fréquence/haute puissance que le GaAs ou le SiC.

II-3) Applications
Les premières recherches effectuées sur les semiconducteurs à grand gap ont été dirigées vers
des applications optoélectroniques. Cela est dû au fait que le bleu était la couleur qui
manquait sur le marché des diodes électroluminescentes (LED). Avant que les LEDs à base de
GaN ne deviennent disponibles, le SiC a été utilisé, mais sa bande interdite indirecte
conduisait à une efficacité de recombinaison radiative plutôt faible. En utilisant le système
d’alliages de nitrure InGaAlN, des LEDs de longueurs d'onde allant de l'ultraviolet (UV) au
bleu/vert peuvent être réalisées avec une très bonne efficacité. De nombreuses autres
applications sont possibles telles que les écrans de télévision à base de LED, l'éclairage
automobile et peut-être l'éclairage général dans le futur. Les LEDs blanches peuvent être
réalisées par revêtement de l'intérieur d’une LED UV avec un luminophore (par exemple du
phosphore) pour convertir les photons ultraviolets en lumière visible.

L’optoélectronique s’est aussi intéressée aux lasers UV-bleu à base de GaN avec une gamme
de longueur d’onde autour de 400 nm. La florescence induite par laser UV employée dans les
domaines médicaux, tels que la dermatologie, la gynécologie et le traitement des tumeurs, a
remporté un vif succès. Ces lasers sont aussi utilisés pour les nouvelles générations de lecteurs
enregistreurs DVD appelés Blue-Ray Disc utilisés par Sony pour la première fois en 2003.

Dans le domaine de la microélectronique, la plupart des applications sont dirigées vers le

développement de dispositifs haute fréquence/haute puissance. Les deux technologies à base
de SiC et de GaN offrent l'avantage d'une densité de puissance élevée et de bonnes propriétés
thermiques, ce qui permet d’obtenir des petits modules de puissance assez performants. Dans
les systèmes nitrures, la structure couramment utilisée est la structure latérale de type HEMT.
Aujourd’hui, le plus gros marché potentiel concerne les stations de base destinées aux
communications (satellites, téléphonie mobile…). Compte tenu de leurs avantages, les
dispositifs à base de GaN rentrent en concurrence avec les technologies LDMOS (laterally
diffused metal oxide semiconductor) à base de silicium et les HEMTs pseudomorphiques

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 Chapitre I : Les matériaux Nitrures pour les HEMTs hyperfréquence de puissance

GaAs qui sont beaucoup moins chers mais aussi moins performantes. La réalisation des
transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) à base de GaN est complexe en raison de la
difficulté d’atteindre un dopage de type p suffisamment fort dans la base. En outre, la
présence des dislocations peut générer des chemins de conduction parallèle dans ces
dispositifs à conduction verticale et affecter leur fiabilité.

La figure I.2 montre les gammes de puissance accessibles en fonction des fréquences de
fonctionnement pour certains semiconducteurs utilisés aujourd’hui dans la microélectronique.
Nous remarquons que, contrairement au GaAs ou au silicium, dont l’utilisation se limite à des
gammes bien déterminées en fréquence et en puissance, le GaN apparait comme un bon
candidat pour couvrir des domaines plus larges avec un bon compromis puissance-fréquence
[13].

Figure I.2 : Gammes de puissances accessibles en fonction de la fréquence pour

différents matériaux semiconducteurs d’après [13].

Un autre domaine d'application est l'électronique haute température. Habituellement, les

systèmes électroniques qui contrôlent les compartiments à haute température, comme un
moteur à réaction, sont situés dans les régions froides. Cela nécessite un câblage entre le
système électronique et les capteurs. Si ces systèmes pouvaient être placés dans la zone à
haute température, la quantité totale de câblage pourrait être réduite. L’utilisation des
composants à base de GaN présente un avantage du fait de leur capacité de fonctionnement
dans un environnement qui peut atteindre 600°C. Cette température de fonctionnement est
deux fois supérieure à celle des composants à base de Si sur isolant (SOI) qui ne dépasse pas
300°C.

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 Chapitre I : Les matériaux Nitrures pour les HEMTs hyperfréquence de puissance

III) Le système des matériaux Nitrure d’élément III

III-1) Structure cristalline et propriétés
Le groupe III-N AlN, GaN et InN peut se cristalliser sous deux formes différentes :
hexagonale (wurtzite) ou cubique de type zenc-blende. Toutefois, la structure hexagonale est
la phase la plus stable thermodynamiquement. Dans ces structures, chaque atome forme un
site tétraédrique avec les quatre atomes voisins de l’autre type. En raison de la grande
différence d’électronégativité des atomes Ga et N, la liaison prend plutôt un caractère ionique
qui apporte une grande stabilité à la structure. Comme le montre la figure I.3, la structure
wurtzite correspond à deux réseaux hexagonaux composés chacun d’une des deux espèces
d’atomes et décalés suivant l’axe c de u = 3/8∙c, avec u la longueur de la liaison anion-cation
et c la hauteur de la maille élémentaire. Cette structure est caractérisée par une rupture de
symétrie à partir du troisième voisin suivant la direction [0001]. Par convention, la direction
[0001] est donnée par le vecteur orienté de l’atome du groupe III vers l’atome N. Le manque
de symétrie fait que la phase hexagonale du GaN peut avoir deux faces différentes (la face-Ga
_
et la face-N) qui correspondent respectivement aux directions [0001] et [000 1] .

En l’absence de toute contrainte dans une couche de nitrure wurtzite, celle-ci peut présenter
une polarisation macroscopique non nulle. Cette polarisation spontanée vient du dipôle créé
par la non superposition du barycentre des charges positives avec celui des charges négatives.
Ce décalage entre les deux barycentres des charges a deux origines. La première vient de
l’irrégularité des tétraèdres formant le cristal. Les distances entre les atomes à fort caractère
ionique varient suivant l’axe de croissance [0001], chaque tétraèdre possède donc un dipôle
élémentaire. Ces dipôles s’ajoutent pour donner dans la structure une polarisation spontanée
macroscopique dirigée suivant l’axe de croissance du matériau. La deuxième est une raison de
rupture de symétrie dans le cristal à partir du troisième voisin. Cette non centro-symétrie

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 Chapitre I : Les matériaux Nitrures pour les HEMTs hyperfréquence de puissance

Figure I.3 : Arrangement atomique du cristal GaN à face Ga

engendre la création d’un dipôle électrique suivant la direction [0001] dans la phase
hexagonale. La première contribution est la plus importante des deux. Par application de la loi
de Végard, la polarisation spontanée d’une couche d’AlGaN ayant une concentration en
aluminium x peut être calculée à partir des valeurs connues pour GaN et AlN. Ainsi elle peut
s’écrire sous la forme [14, 15]:

PSP,Alx Ga1 x N (x) = -0,052. x – 0,029 C/m2 (I.1)

De même, pour l’alliage AlInN :

PSP,Alx In1 x N (x) = -0,049. x – 0,032 C/m2 (I.2)

Nous pouvons remarquer que la polarisation spontanée est toujours plus élevée pour les
alliages ternaires AlxGa1-xN et AlxIn1-xN que pour une couche de GaN pure.

Une façon de déformer le réseau cristallin se fait par une contrainte sur le matériau qui va
modifier les paramètres c et a de la structure cristalline. Dans ce cas, l’état de polarisation
dans la couche change pour s’adapter à cette déformation. Cette polarisation supplémentaire
qui dépend de la nature de la contrainte est appelée polarisation piézoélectrique.

Selon Bernardi et al. [14] la polarisation piézoélectrique PPZ peut être calculée à partir des
éléments du tenseur piézoélectrique e33 et e31 et s’écrit sous la forme :

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PPZ = e33. εz + e31. (εx + εy) (I.3)

Où εi sont les déformations selon les axes i(x,y,z). Dans les couches minces et dans le cas où

la déformation est isotrope (εx= εy), les contraintes sont appliquées dans le plan des couches
uniquement. On peut ainsi relier la déformation dans le plan à celle suivant le plan [0001]
par :

C
ε z  2 13
ε
x
(I.4)
C
33

où C13 et C33 sont les constantes d’élasticité de la couche. Les équations (I.3 et I.4) peuvent
être combinées pour obtenir l’expression suivante :

C13
PPZ  2  ε x (e 31  e 33 ) (I.5)
C 33

Dans le cas des hétérojonctions AlGa(In)N/GaN où la couche AlGaN est en tension par
rapport à la couche de GaN, la polarisation piézoélectrique peut être déterminée en fonction
de la composition d’Aluminium x introduite dans la couche contrainte. L’équation (I.5) pour
une hétérostructure AlGaN/GaN s’écrit [15]:

PPZ,Alx Ga1 x N/GaN (x)  [0,0525 x  0,0282 x(1  x)] C/m2 (I.6)

Pour une hétérostructure AlInN/GaN, la polarisation piézoélectrique devient :

PPZ,Alx In1 x N/GaN (x)  [0,0525 x  0,148(1  x)  0,0938 x(1  x)] C/m2 (I.7)

La polarisation piézoélectrique est donc toujours négative quelle que soit la composition en Al
dans le cas d’une couche d’AlxGa1-xN en tension. Pour une couche d’AlxIn1-xN, une
composition en Al proche de 83% donne un accord de maille avec le GaN et par conséquent
une polarisation piézoélectrique nulle. Lorsque le pourcentage est inférieur à cette valeur, la
couche va se trouver en compression et la polarisation piézoélectrique positive va s’opposer à
la polarisation spontanée de la couche.

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III-2) Hétérostructures et gaz 2D

Le principe des transistors à base de nitrures d’éléments III repose sur l’élaboration d’une
hétérostructure à partir de deux matériaux différents. Un alliage ternaire, appelé la couche
barrière et avec une large bande interdite, est épitaxié sur une couche buffer GaN non-
intentionnellement dopée (nid) avec un gap plus petit. Contrairement à presque tous les
systèmes à hétérojonction, la génération d’un gaz d’électrons bidimensionnel (2DEG) à
l’interface est possible même sans dopage de la couche barrière. Dans ce travail, deux types
d’hétérostructures ont été étudiés, à savoir l’AlxGa1-xN/GaN et l’AlxIn1-xN/GaN. La théorie de
la formation du gaz 2D est la même pour les deux hétérostructures, ainsi elle est décrite ci-
dessous pour l’AlGaN/GaN uniquement, la plus classique des deux.

Nous avons montré dans le paragraphe précédent que la structure wurtzite du groupe III-N est
caractérisée par un fort champ de polarisation. Comme le montre la figure I.4, les
polarisations spontanées de la couche barrière d’AlGaN et de la couche buffer de GaN sont de
même direction selon le sens invserse à la direction [0001]. De plus, lors de la croissance
d’une couche d’AlGaN sur GaN, en raison de la différence des paramètres de maille des deux
alliages, la couche barrière d’AlGaN est contrainte en tension, ce qui entraine une polarisation
piézoélectrique supplémentaire. La discontinuité de la polarisation totale à l’hétérointerface
donne naissance à une charge de polarisation électrostatique. Dans le cas où les interfaces sont
planes et où le GaN est non contraint, la densité de charges fixes résultante σinterface est donnée
par [15] :

 interface (x)  PPS,GaN - (PPS,Al x Ga 1  x N

 PPZ, Al x Ga 1 x N ) (I.8)

Figure I.4 Plans de charges de polarisation et directions des polarisations

spontanée et piézoélectrique pour une structure AlGaN/GaN.

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A partir de la condition de neutralité des charges, il est évident que la charge positive fixe doit
être compensée par une charge négative. Ainsi, des électrons libres ont tendance à
s'accumuler dans un puits quantique presque triangulaire formé à l'hétérointerface du côté de
la couche de GaN. En raison de la quantification des états d'énergie suivant la direction
[0001], ces électrons forment un 2DEG dans la couche de GaN avec une concentration
surfacique de porteurs ns.

L’impact sur le confinement des porteurs à l’hétérointerface peut être calculé numériquement.
Il est nécessaire d’effectuer un calcul auto-cohérent des équations de Poisson et de
Schrödinger couplées pour déterminer une telle solution. La figure I.5 montre le résultat d’une
simulation effectuée pour une hétérostructure Al0.24Ga0.76N/GaN à 300 K. Nous remarquons
que le puits triangulaire formé à l’interface induit trois niveaux de confinement du gaz 2D
notés sur le diagramme par E1, E2 et E3. L’amplitude des fonctions d’onde des électrons est
maximal à proximité de l’interface ce qui va générer une accumulation des porteurs à cette
profondeur.

Figure I.5 : Simulation par calcul self-consistant du diagramme de bande et des

fonctions d’ondes des électrons à l’interface AlGaN (22nm)/GaN.

Un modèle électrostatique classique fondé sur la neutralité de la charge globale dans la

structure est couramment utilisé pour calculer la densité théorique ns de la charge du gaz
d’électrons 2D [16]. Son expression est donnée par la formule :

 interface    ( x) 
ns    0 r 2 [qb ( x)  EF ( x)  Ec ] (I.9)
q  dq 

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Avec d l’épaisseur et εr la constante diélectrique de la couche barrière, b la hauteur de la

barrière Schottky, EF(x) la position du niveau de Fermi à l’hétérointerface par rapport à sa
position dans la couche de GaN et ΔEc la discontinuité de la bande de conduction à l’interface
barrière/GaN.

Contrairement aux gaz 2D obtenus par dopage dans le cas des systèmes à base de GaAs, le
dopage n’est pas indispensable pour les structures à base de GaN. Cependant, il peut être
utilisé pour augmenter la densité de porteurs en jouant sur la position du niveau de Fermi.
Cette densité peut aussi être contrôlée en faisant varier la concentration en aluminium de la
couche barrière AlGaN [17, 18].

Toutefois, les hétérostructures contenant une barrière avec un taux en Aluminium x ≤ 0,15 et
x ≥ 0,4 ne semblent pas être adaptées aux composants de haute qualité. Pour x ≤ 0,15, le
confinement des porteurs se dégrade en raison de la diminution de l’offset de bande à
l’hétérojonction. Une composition x ≥ 0,4 provoque un grand désaccord de maille entre la
couche barrière et la couche buffer ce qui conduit à une interface rugueuse et à la génération
des défauts structuraux [16]. La figure I.6 montre l’évolution de la densité du gaz 2D ainsi
que la mobilité des porteurs en fonction de la composition en Aluminium dans la couche
barrière. Malgré l’augmentation de la concentration des électrons à l’interface, la mobilité
décroit pour x ≥ 0,35 à cause de la dégradation de la qualité de l’hétérointerface [17].

Figure I.6 : Variation de la densité de porteurs et de la mobilité à l’interface en fonction de la

fraction molaire en aluminium dans une hétérostructure AlxGa1-xN d’après [17].

Dans le cas des hétérostructures AlxIn1-xN/GaN, le gaz d’électrons 2D peut être obtenu pour
une barrière d’AlInN avec un taux d’Aluminium x ≥ 0,75. Ceci conduit non seulement à un

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offset de bande entre les deux matériaux plus large mais aussi à une augmentation de la
polarisation totale. On peut s’attendre à des concentrations trois fois plus élevées du gaz 2D
comparativement à leurs homologues AlGaN/GaN [19, 20]. Le principal avantage de ce type
de système est la possibilité de faire croître une couche d’AlInN en accord de maille sur le
GaN en fixant le pourcentage en Aluminium autour de 83%, ce qui permet de réduire les
contraintes et améliorer la qualité de l’interface.

La question fondamentale qui se pose est celle de l’origine des électrons dans le gaz 2D : il
semble très probable que la surface de la barrière joue un rôle dominant. Ibbetson et al. [21]
ont proposé un modèle d’états donneurs à la surface. Ce modèle stipule que la neutralité de la
charge globale dans l’hétérostructure exige la compensation des charges mobiles du gaz 2D
par des charges positives provenant des donneurs ionisés à la surface de la couche barrière. Ce
modèle de donneurs à la surface a été affiné en faisant varier l’épaisseur de la couche barrière
[22]. Ces travaux ont montré que la densité du gaz 2D à l’interface dépend fortement de la
hauteur de barrière à la surface de la structure. Par conséquent, cette tendance ne peut pas être
expliquée par la présence d’un seul état donneur mais, au contraire, la densité d’états est
répartie dans toute la bande interdite. Reste la question ouverte sur l’origine de ces états.

III-3) Le Transistor à Haute Mobilité Electronique HEMT

Comme un transistor à effet de champ MESFET), un HEMT est caractérisé par trois contacts
métal-semiconducteur: un contact Schottky pour la grille et deux contacts ohmiques pour les
électrodes de source et de drain. Le fonctionnement du HEMT se fait à travers la modulation
du gaz d’électrons 2D. Contrairement à un MESFET, la concentration des porteurs dans le
canal et, par conséquent, le courant circulant entre la source et le drain, ne sont pas contrôlés
par la zone de charge d’espace sous le contact Schottky de la grille. Dans le cas d’un HEMT,
la tension de grille VGS affecte la position énergétique de la bande de conduction sous la grille
par rapport au niveau de Fermi. Comme tous les transistors étudiés dans cette thèse sont à
« canal ouvert » lorsque VGS= 0V, la tension de grille doit être négative pour déserter le canal.
La figure I.7 montre l’empilement des différentes couches qui constituent un HEMT ainsi que
le diagramme de bande correspondant sans polarisation appliquée.

Pour arriver à la tension de pincement Vth du canal, il faut déserter les porteurs confinés à
l’hétérointerface. La tension négative appliquée sur la grille permet de décaler le niveau de

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Fermi par rapport à la bande de conduction et par conséquent de vider partiellement ou

totalement les niveaux énergétiques des électrons positionnés en dessous du niveau de Fermi.

Figure I.7 : Architecture d’un transistor HEMT AlGaN/GaN et schéma de

bande constituant le métal de contact et l’hétérojonction.

Dans la littérature, plusieurs études ont montré que les performances des transistors HEMTs
dépendent fortement de la nature du substrat utilisé. Traditionnellement, le saphir (Al2O3) est
le substrat le plus couramment utilisé pour l’hétéroépitaxie du GaN. Il présente un choix
intéressant car il est semi-isolant, il peut résister aux hautes températures requises à la
croissance et il est relativement bon marché. Toutefois, sa conductivité thermique très faible
(0,47 W/cm.K à 300 K), son grand désaccord de maille (13%) et de coefficient de dilatation
thermique CDT (34%) avec les couches épitaxiales de GaN limitent l’utilisation de ce substrat
pour les applications hautes puissances.

La conductivité thermique élevée du SiC (3,7 à 4,5 W/cm.K à 300 K), le désaccord de maille
faible (3,4%) et le désaccord de CDT plus faible (25%) avec le GaN sont les principales
raisons pour obtenir des couches épitaxiales de GaN de qualité nettement supérieure sur du
SiC par rapport à celles obtenues sur du saphir. En conséquence, les propriétés de transport du
gaz 2D avec un tel substrat sont bien meilleures. Aujourd’hui le SiC est le substrat de choix
pour la réalisation des composants destinés aux applications hyperfréquence et haute
puissance.

Malgré le désaccord de maille très grand (17%) et le désaccord énorme de CDT (56%) avec le
GaN, l’utilisation du silicium devient le centre d’intérêt de plusieurs industriels. Ceci provient

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du faible coût, de la disponibilité des substrats en grandes tailles et de la possibilité

d’intégration avec l’électronique à base de silicium. Bien que le processus de la croissance
épitaxiale du GaN sur Si diffère considérablement de celui sur saphir ou sur SiC, à l’heure
actuelle les résultats obtenus sur des substrats de Si sont d’un niveau comparable à ceux
obtenus sur les autres substrats [23, 24].

III-4) Performances des composants HEMT à base de GaN

La nécessité d’obtenir des rendements meilleurs en puissance dans des domaines de fréquence
de plus en plus larges devient aujourd’hui la force motrice du développement des composants
RF. Pour avoir une idée sur les derniers résultats obtenus dans le domaine de la recherche et
de l’industrie, ce paragraphe sera dédié à un bref état de l’art sur les performances des
HEMTs à base de GaN obtenues dans différentes gammes de fréquences.

Le domaine le plus attractif se trouve dans les applications de communications sans fils dans
la bande de fréquence L et S (1-4 GHz). Un des résultats majeurs a été obtenu par la société
Eudyna en 2007 sur des HEMTs AlGaN/GaN sur SiC qui délivrent une puissance de 800W.
Des composants peuvent atteindre un rendement en puissance de 50 % et fonctionnent dans la
gamme 2,9 à 3,3 GHz sous une polarisation de 65V sur le drain en régime pulsé [25]. Sur
substrat de silicium, Nitronex a annoncé en 2004 un HEMT AlGaN/GaN à 12W/mm de grille
[24].

Dans la bande C (4-8 GHz), principalement utilisée dans les stations de base et les
applications radar, Oku et al. ont réussi à atteindre en 2008 une puissance de 140 W. Cette
excellente performance a été obtenue en utilisant une couche de passivation de SiN à la
surface par Cat-CVD (Catalytic Chemical Vapor Deposition) pour minimiser les défauts à
l’interface SiN/AlGaN [26]. Fujitsu a obtenu un amplificateur à base de GaN avec une
puissance de sortie de 343 W. La même société a sorti récemment le premier amplificateur
dans la bande X (8-12 GHz) avec une puissance de 100 W et un rendement de 50% [27]. Dans
cette gamme de fréquence, les applications sont dédiées aux radars météorologiques et au
contrôle aérien. Toshiba a également développé un HEMT avec une périphérie de 23,04 mm
présentant une puissance de sortie de 81 W avec un rendement de 34% sous une tension VDS=
30V et une fréquence de 9,5 GHz.

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Les performances en hautes fréquences ont été également démontrées dans la bande K (12-40
GHz). Kasahara et al. ont développé un HEMT avec une largeur de grille de 0,36 mm
délivrant une puissance de 1,48 W (4,1 W/mm) à 30 GHz [28]. Avec une structure MOS
GaN, Toshiba a sorti un transistor qui peut atteindre une puissance de 65,4 W à 14,5 GHz et
une polarisation VDS= 30V. Aujourd’hui, les évolutions technologiques dans le domaine des
hyperfréquences ciblent des gammes de fréquence encore plus élevées (> 40GHz). La figure
I.8 montre la feuille de route qu’est en train de suivre la commercialisation des HEMTs à base
de GaN dans les différents domaines de fréquences.

Figure I.8 : Feuille de route des domaines de commercialisation des HEMTs à base
de GaN en fonction des fréquences de fonctionnement d’après [27].

Il est à noter que certaines des données présentées ici ont été déjà publiées il y a 3 ans et plus.
A ce jour, il est de plus en plus difficile d’améliorer les performances des dispositifs à base
d’hétérostructures AlGaN/GaN qui approchent leurs limites théoriques. Pour cela,
l’alternative a été trouvée dans les HEMTs AlInN/GaN pour essayer de surpasser ces limites.
Il a été démontré récemment qu’avec ce type de dispositif on peut atteindre des fréquences de
l’ordre de 200 GHz [29]. Dans ce système de matériaux, le record des performances en
puissance a été démontré par III-V Lab avec un transistor de 1,2 mm de développement de
grille et délivrant une puissance de 10,8 W/mm avec un rendement de 60 % à VDS= 30V [30].

Afin d’obtenir un aperçu général sur les transistors HEMTs à base de GaN qui sont
disponibles actuellement dans le commerce, le tableau I.2 montre une gamme de transistors

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destinés aux amplificateurs pour les applications de transmission de données à haut débit
(WiMax).

Fréquence Psat Psortie Rendement IDS VDS

Société Réf Substrat
(GHz) (W) (W) (PAE %) (mA) (V)

Eudyna EGN26C07012D Si 2,6 40,8 35 400

Nitronex NPT251000 Si 2,5 90 28

RFMD RF3934 SiC 2,1 120 440 48

CREE CGH27060f SiC 2,5 60 300 28

Tableau I.2 : Caractéristiques de quelques composants commercialisés par les industriels

spécialistes dans la fabrication des HEMTs à base de GaN.

Le tableau indique clairement que la voie d’industrialisation de ces composants se divise en

deux selon le substrat choisi. L’utilisation du silicium comme substrat a été adoptée par les
industriels essentiellement à cause du faible coût de fabrication. Toutefois, la fiabilité de cette
technologie devient un souci vu le grand désaccord de maille avec le GaN et les propriétés
thermiques limitées comparées au SiC. La création de défauts et même sans vieillissements
accélérés, aura des conséquences directes sur la fiabilité des composants sur substrat de
silicium [31]. Néanmoins, il existe des travaux qui ont défendu cette voie et ont montré une
excellente fiabilité électrique des HEMTs sur Si avec une durée de vie potentielle de l’ordre
de 107 heures [32, 33, 34].

IV) Les mécanismes de dysfonctionnement dans les HEMTs

IV-1) L’effondrement (collapse en anglais) du courant : principale
cause limitant les performances des HEMTs
A l’heure actuelle, les performances des transistors HEMTs à base d’hétérostructures
AlGaN/GaN n’ont pas atteint les prédictions théoriques que promettent les propriétés
physiques des matériaux à base de GaN. Une des principales raisons est l’effet de piégeage
des porteurs au cours du fonctionnement du composant qui engendre des anomalies dans les
caractéristiques de sortie. En général, le mécanisme de piégeage consiste en la capture
d’électrons par des défauts présents dans la structure et qui correspondent à un niveau

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énergétique dans la bande interdite. Les électrons capturés réduisent la densité de porteurs
dans le canal 2D qui maintient la neutralité de la charge globale dans la structure. La
conséquence directe de cet effet se manifeste par la réduction du courant de drain ID et par la
variation de la tension de coude. La capture ou l’émission de ces pièges dépend généralement
du temps, qui caractérise la durée du mécanisme. La variation brusque d’une tension
appliquée sur le composant peut alors engendrer l’activation d’un piège. L’effet drain-lag est
observé dans le cas où l’effondrement du courant de drain est observé lors d’une variation
brusque de la tension appliquée sur le drain. L’autre effet, appelé gate-lag, se manifeste
lorsque la réduction du courant est liée à une variation brusque de la tension appliquée sur la
grille.

En général, le piégeage de porteurs responsable de ces effets peut se produire à différents

endroits de la structure tels qu’à l’interface métal/barrière, dans la zone d’accès grille-drain, à
l’interface barrière/couche tampon ou bien dans la couche tampon de GaN. La plupart des
modèles présentés pour expliquer les origines de ces phénomènes parasites sont classés en
deux catégories : le piégeage par les états de surface [35, 36, 37, 38, 39] et le piégeage dans la
couche tampon GaN [40, 41, 42, 43].

IV-2) Les pièges de surface dans un HEMT à base de GaN

Le modèle de piégeage des porteurs à la surface du composant est connu pour être lié aux
donneurs ionisés localisés à la surface. Ces pièges qui sont à l’origine du gaz 2D peuvent
aussi être une cause principale dans la limitation des performances du composant.

Pour déserter le canal du transistor, l’application d’une polarisation inverse sur la grille égale
à la tension de seuil induit, dans le cas idéal, un courant nul quelle que soit la polarisation
appliquée sur le drain. Toutefois, lorsque certains porteurs injectés sont piégés à l’interface
métal/barrière, la désertion du canal devient partielle. Ces porteurs, qui peuvent aussi être
piégés dans la zone d’accès grille drain, forment ainsi une grille virtuelle à la surface du
composant. Ce mécanisme, présenté par Vetury et al. [35] et supporté par beaucoup d’autres
travaux, se produit lorsque les électrons sont injectés dans les pièges de surface par effet
tunnel ou par saut de porteurs (hopping en anglais) sous l’effet d’un fort champ électrique
dans la zone grille drain [44]. Mazzanti et al. [45] ont montré que ces états de surface peuvent
être à l’origine de l’effet de coude (kink en anglais) dans les structures HEMTs à base
d’AlGaAs/GaAs. L’effet se manifeste par l’augmentation soudaine du courant IDS lorsque la

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tension VDS atteint une valeur élevée. Les états de surface ayant piégé les électrons injectés
par la grille finissent par les libérer sous l’effet du fort champ électrique dans la zone grille-
drain, ce qui explique ce changement brutal du courant IDS. Cet effet sera traité plus en détail
dans le chapitre 3.

Plusieurs techniques ont été reportées dans la littérature pour étudier ces états de surface.
Koley et al. [46] ont montré une corrélation entre la variation du potentiel de surface mesurée
par microscopie atomique à sonde Kelvin (KFM) et le transitoire de capture des électrons par
les pièges mesuré sur le courant de drain. Cet effet qui se produit dans la zone d’accès grille-
drain confirme le concept de la grille virtuelle proposé par Vetury. D’autres techniques
s’appuyant sur des mesures du taux de gate-lag suggèrent la présence de pièges à la surface
responsables de l’effondrement du courant de drain [47]. Les études effectuées par technique
DLTS ont montré que ces pièges peuvent être réduits en effectuant un traitement de la surface
par une couche de passivation SiNx [48].

IV-3) Les pièges dans la couche tampon de GaN

Le piégeage des électrons dans la couche tampon de GaN a été considéré comme l’une des
principales causes des effets parasites dans les caractéristiques de sortie des composants [49,
37, 41, 42, 43]. En effet, sous de fortes tensions de polarisation du drain, les électrons chauds
du canal sont injectés et capturés par les pièges dans la couche GaN. Cet effet provoque une
désertion du canal et réduit le courant de sortie IDS.

Klein et al. [49] ont effectué une étude comparative entre les défauts dans les structures
HEMTs AlGaN/GaN et les MESFETs à base de GaN. Ces travaux ont montré que le
piégeage de porteurs dans les deux types de structures pourrait être du aux dopants (carbone)
qui se comportent comme des nivaux accepteurs. Ces dopants sont généralement utilisés pour
la compensation de la couche tampon afin d’obtenir une couche de GaN semi-isolante. Pour
quantifier l’effet des pièges de la couche tampon sur la réduction du courant IDS, plusieurs
travaux ont opté pour les mesures du taux du drain-lag. Binari et al. [42] ont montré, en
utilisant des couches de GaN avec des résistivités différentes, que le taux du drain lag varie
en fonction de la qualité de la couche tampon. Les structures avec des couches de GaN
optimisées (moins résistives) n’ont montré aucun lag sur le courant de drain. L’optimisation
de la couche de GaN a permis de réduire la densité de défauts et de diminuer le courant de
fuite dans la structure. Pour éviter le passage des porteurs injectés du canal vers la couche de

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GaN, Palacios et al. [50] ont eu l’idée d’insérer une couche d’InGaN dans le buffer de GaN à
proximité du gaz 2D. L’association de ce matériau d’une plus faible bande interdite avec le
GaN forme une barrière arrière pour les électrons dans le canal.

La localisation des pièges à la surface du composant ou dans la couche tampon n’élimine pas
l’hypothèse que certains porteurs peuvent aussi être piégés dans la couche barrière. Khan et
al. [40] ont suggéré que sous un champ électrique moyennement fort (VDS< 20 V), appliqué
entre la grille et le drain, les électrons du canal peuvent être injectés dans la couche barrière
d’AlGaN. Piégés dans cette couche, les porteurs désertent davantage le canal et conduisent à
une réduction du courant IDS. D’autres travaux ont étudié l’effet du champ électrique sur le
mécanisme de piégeage/dépiégeage des porteurs dans la couche barrière. Ils ont montré
l’existence de certains mécanismes de conduction assistés par les défauts dans la couche
barrière lorsque les électrons sont injectés par la grille sous une polarisation négative. Ces
mécanismes, tels que l’effet Poole-Frenkel ou la conduction par saut de porteurs (hopping) via
les défauts, peuvent être à l’origine des anomalies liées au courant de fuite de la grille [51, 52,
53]. Nous apporterons plus de détails sur ces mécanismes dans le chapitre 4.

IV-4) Comment minimiser les effets de piégeage

Comme nous l’avons mentionné précédemment, les défauts présents dans la structure d’un
HEMT sont une source majeure de l’effondrement du courant de sortie et de la limitation des
performances en puissance et en fréquence de ces transistors. Ainsi, le contrôle de ces pièges,
activés électriquement ou thermiquement, est important pour la fiabilité des composants
surtout pour des applications qui nécessitent un fonctionnement à haute tension et à haute
température. A ce jour, beaucoup d’efforts ont été faits pour améliorer les performances par
la suppression de la dispersion en courant et les dégradations induites par les stress électriques
et thermiques. Dans ce contexte, plusieurs travaux ont étudié l’origine, la localisation et la
densité des pièges.

Les travaux qui ont étudié les états de surface dans les HEMTs à base de GaN ont montré que
ces pièges peuvent avoir pour origine des dislocations dans la couche barrière, des lacunes
d’azote (VN) ou des impuretés d’oxygène qui agissent comme des nivaux donneurs. Les
dislocations sont souvent considérées comme des états chargés négativement [54, 55] ou
positivement [56]. Leur comportent électrique dépend des conditions de la croissance et
peuvent être à l’origine du courant de fuite excessif dans les structures. Les centres V N et les

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impuretés dues à l’oxygène ont été aussi présentés comme responsables du courant de fuite de
grille [57, 58].

Parmi plusieurs techniques évoquées pour s’affranchir de l’activation des états de surface,
nous mentionnons la passivation de la surface par une couche de diélectrique tel que le SiNx
ou l’Al2O3. La couche de passivation empêche le chargement des états à la surface et réduit le
mécanisme de piégeage [59, 60, 61]. L’augmentation du courant de drain après la passivation
indique que la densité du gaz 2D augmente à son tour. Certains auteurs ont attribué cet effet à
l’augmentation de la densité de charges positives à l’interface diélectrique/AlGaN par l’ajout
d’une densité de donneurs supplémentaires. D’autres expliquent cet effet par la formation
d’une barrière qui empêche les porteurs injectés par la grille d’atteindre les pièges [59, 62, 61,
63, 64]. La couche de passivation réduit aussi le champ électrique à proximité de la grille, ce
qui minimise l’injection des porteurs de la grille vers la surface de la barrière [37]. La
suppression de ce pic de champ électrique, généralement localisé dans la zone grille-drain,
peut être obtenue par la technique des plaques de champ (field-plate) qui empêche le piégeage
des électrons et augmente la tension de claquage du composant. L’inconvénient de cette
technique est qu’elle ajoute une capacité supplémentaire entre la grille et le drain ce qui
diminue le gain du transistor [65, 66].

Malgré les améliorations apportées par la passivation de la surface, cette technique ne semble
pas être une solution finale pour atteindre les performances attendues de ces composants. La
dégradation de cette couche de passivation au cours du fonctionnement du transistor ou un
mauvais traitement de la surface avant son dépôt peut entrainer des conséquences dramatiques
sur les performances [67].

L’insertion d’une fine couche d’AlN entre la barrière et la couche tampon de GaN est une
solution pour augmenter les performances des composants. Cette couche réduit le désordre
d’alliage à l’hétérointerface et empêche la diffusion des électrons du canal vers la barrière, ce
qui entraine l’amélioration de la mobilité des porteurs [68].

Avec l’ajout d’un recuit supplémentaire en fin de procédé de fabrication (10 mn à 400°C),
Lee et al. [69] ont montré une nette amélioration du courant IDS ainsi qu’une baisse du courant
de fuite. Cette technique semble diminuer la densité des pièges électriquement actifs à la
surface.

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La plupart des solutions proposées précédemment semblent être efficaces mais ne sont pas
bon marché dans la mesure où les composants sont fabriqués sur substrat de SiC.
Aujourd’hui, la demande en masse pour l’industrialisation des transistors HEMTs nécessite
une réduction du coût de production et l’alternative a été trouvée dans le substrat de silicium.
Malheureusement le grand désaccord de maille avec le GaN semble être un handicap pour
investir dans cette filière du moment où la croissance directe sur ce substrat génère une grande
densité de dislocations et parfois des « cracks » de la couche tampon lorsque cette dernière est
relativement épaisse. Récemment, Dadgar et al. [70] ont montré que l’insertion de
multicouches d’AlN lors de la croissance de la couche tampon de GaN sur substrat de silicium
(111) diminue la contrainte de tension entre les deux matériaux. Cette technique s’avère
efficace pour diminuer la densité de dislocations dans le GaN et multiplier le champ de
claquage du composant par deux.

V) Objectifs de ce travail
Comme nous l’avons évoqué dans le paragraphe précédent, le mécanisme de piégeage des
porteurs par certains défauts dans la structure conduit à des dégradations de performances des
composants.

Durant ce travail, la méthodologie utilisée pour analyser les mécanismes de

dysfonctionnement dans les transistors HEMTs sera basée sur : (i) des caractérisations I(V) et
C(V) en régime statique pour extraire les effets parasites dans les caractéristiques de sortie (ii)
l’identification et la localisation des mécanismes physiques susceptibles d’être liés à ces
effets (iii) une analyse détaillée des caractéristiques électriques afin d’évaluer les niveaux de
dégradation de certaines zones du composant après des tests de vieillissements accélérés.

La figure I.9 résume les zones de faiblesses illustrées dans la littérature et étant susceptibles
d’être à l’origine des limitations de performances des HEMTs à base de GaN.

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Figure I.9 : Zones de piégeage possibles dans un HEMT à base de GaN.

Les pièges localisés à l’interface SiN/barrière ou directement sous la grille forment un

réservoir de charges pour les électrons injectés par le contact Schottky. Le deuxième
mécanisme généré lors du fonctionnement du composant est produit dans la zone d’accès
grille-drain. En effet, sous la polarisation VDS, les électrons chauds du canal diffusent dans la
couche de GaN ou dans la couche barrière et se trouvent piégés par les centres de
recombinaison dans ces couches. Ces défauts peuvent être de type cristallographique, ou bien
des impuretés, des complexes et des dislocations dans les couches ou à l’hétérointerface. Ces
mêmes centres participent aussi au piégeage des porteurs véhiculés par la composante
longitudinale du champ électrique sous la grille.

L’étude menée au cours de ce travail pourra nous donner une réponse sur la présence ou non
de certains de ces mécanismes dans les structures étudiées.

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 Chapitre II : Spectroscopie de défauts

Chapitre II : Spectroscopie de défauts

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 Chapitre II : Spectroscopie de défauts

I) Introduction
Dans les cristaux semi-conducteurs, une perturbation de la périodicité du cristal se manifeste
par la présence d’un niveau d’énergie dans la bande interdite et par conséquent une grande
délocalisation dans l’espace des vecteurs d’onde (espace des « k »). Si un niveau superficiel
(atome dopant) dans la bande interdite se présente avec une concentration suffisamment
élevée, la meilleure méthode pour déterminer sa densité et son énergie d’activation dans la
bande interdite reste la mesure par « effet Hall ». En revanche, dans le cas des niveaux
profonds, l’application de cette technique de mesure est très limitée puisque la densité de ces
états peut être beaucoup plus faible que la concentration des niveaux superficiels.

L’étude des défauts profonds doit alors faire appel à des techniques de mesure qui sont
sensibles à de faibles concentrations de centres profonds, en présence d’une grande densité de
dopants. Elle nécessite également des méthodes qui peuvent donner des informations
concernant les processus de recombinaison sur des centres profonds. L’une des techniques
efficaces pour étudier le comportement de ces états, reste la spectroscopie de défauts profonds
DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy).

Dans ce chapitre, nous développons, dans un premier temps, la théorie des mécanismes de
capture et d’émission des porteurs par les niveaux profonds. Ensuite nous montrons les
principes de la technique DLTS en mode capacité et en mode courant et puis, dans la dernière
partie, nous décrirons le banc de mesure que nous avons mis en œuvre au laboratoire dans ce
travail : la DLTS à transformée de Fourrier (DLTFS, Deep Level Transient Fourier
Spectroscopy).

II) Dynamique des centres profonds

II-1) Processus de capture-émission thermique
L’occupation d’un centre profond est gouvernée par quatre mécanismes, à savoir les
processus de capture et d’émission respectivement des électrons et des trous. La figure II.1
illustre les échanges d’électrons et de trous avec les bandes de valence et de conduction du
semiconducteur dans le cas de la présence de NT centres profonds/cm3 à un niveau d’énergie
ET dans la bande interdite.

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 Chapitre II : Spectroscopie de défauts

Figure II.1 : Processus d’émission-capture d’un défaut avec un niveau

d’énergie ET et une densité NT.

Considérons le cas des électrons. La dynamique de capture est caractérisée par une section de
capture σn. En présence de n électrons libres par unité de volume se déplaçant à la vitesse
thermique  n  , un centre profond est exposé à un flux de n  n  électrons par unité de surface
et par unité de temps. Si la concentration totale des centres profonds est NT et si à tout instant
un nombre nt de ces centres est occupé par les électrons, le nombre d’électrons capturés par
(NT -nt) états non occupés pour une durée de temps t est donné par l’équation :

nt   n  n  n( N T  nt )t (II-1)

et le taux de capture par état non occupé est défini par :

(nt / t )
cn  (II-2)
( N T  nt )

qui s’écrit alors :

cn   n  n  n (II-3)

La même expression peut être écrite pour le taux de capture des trous qui correspond au taux
d’émission d’électrons depuis un état occupé :

(( N T  nt ) /( t )
cp    p  p  p (II-4)
nt

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Le taux de capture par porteur est relié à l’inverse de la durée de vie des porteurs minoritaires
lors qu’elle est limitée par la recombinaison des électrons et des trous par l’état profond.
Ainsi, pour un semiconducteur de type p, la durée de vie des électrons minoritaires est donnée
par :

1 nt
 n1  (II-5)
n t

En utilisant l’équation II-1, la durée de vie non radiative τnr associée à une capture d’électron
par un défaut profond est donnée par :

 nr1   n  n  ( N T  nt ) (II-6)

Cette équation indique comment la densité NT et la section de capture σn des défauts

contrôlent la durée de vie, ce qui demeure un paramètre qui influe sur les performances des
composants électroniques.

Dans ce processus, les électrons sont émis et les trous sont capturés par les nt états occupés
par les électrons, alors que les trous sont émis et les électrons capturés par les (NT -nt) états
non occupés par les électrons. Le taux net d’échange des électrons s’écrit alors :

dnt
 (c n  e p )( N T  nt )  (en  c p )nt (II-7)
dt

où e n et e p sont les taux d’émission respectivement pour un électron et un trou.

A l’équilibre thermodynamique, le principe du bilan détaillé permet d’écrire :

en nt  c n ( N T  nt ) et e p ( N T  nt )  c p nt (II-8)

Dans ce cas, l’approximation de Boltzmann pour cette relation est donnée par :

en E  EF
 exp( T ) (II-9)
cn kT

ET étant le niveau d’énergie du centre profond, EF le niveau de Fermi, T la température et k la

constante de Boltzmann. En tenant compte de la concentration des porteurs libres qui s’écrit :

Ec  E F
n  N c exp(  ) (II-10)
kT

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où Nc est la densité d’états équivalente dans la bande de conduction et Ec l’énergie du

minimum de la bande de conduction et en remplaçant le terme cn dans l’équation II-9 par son
expression, le taux d’émission peut s’écrire :

Ec  ET
en (T )   n vn  N c exp(  ) (II-11)
kT


3kT 2mn kT 3 / 2
avec vn   ( 
)1 / 2 et N c  2( )
mn h2


où mn est la masse effective des électrons et h la constante de Planck.

On peut alors simplifier l’expression de e n en fonction de la température pour écrire :

Ec  ET 3
en (T )   n nT ² exp(  ) avec  n  2 3 (2 ) 2 k 2 mn* h 3 (II-12)
kT

Et de même pour un centre interagissant avec la bande de valence :

ET  Ev
e p (T )   p pT ² exp(  ) (II-13)
kT

Ev étant le niveau d’énergie maximum de la bande de valence.

II-2) Thermodynamique d’émission des porteurs

L’énergie de la bande interdite (gap) d’un semiconducteur est définie comme étant la somme
des potentiels chimiques de la formation d’une paire électron-trou. De la même façon le
niveau d’énergie d’un défaut ou d’une impureté est défini par la variation du potentiel
chimique pour la formation d’un porteur libre et d’un défaut ionisé. Le potentiel chimique est
défini comme l’augmentation de l’énergie libre de Gibbs, G, par paire électron-trou ou par
paire de défaut ionisé et sa charge associée, à température et pression constantes. Dans ce cas,
la variation de l’énergie libre G(T ) pour un état ionisé s’écrit sous la forme :

G(T )  Ec (T )  ET (T ) (II-14)

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Cette variation de l’énergie libre de Gibbs G(T ) est reliée aux variations de l’enthalpie
(énergie interne) H et de l’entropie S par l’équation thermodynamique :

G(T )  H  TS (II-15)

Ainsi ces arguments montrent que la création d’un défaut s’accompagne également d’une
augmentation de l’entropie comme le montre la figure II.2, car le défaut dans la structure
introduit un désordre supplémentaire à l’état vibrationnel du réseau dû à la variation de la
température. Suivant cette définition, le diagramme de bande d’énergie est correctement
interprété si on présente l’énergie libre de Gibbs pour une paire de particules appropriée [1].

H ,
H
G

TS

G(T )

0 T Température
Figure II.2: Diagramme d’illustration de la relation entre l’énergie libre de
Gibbs G(T ) et l’enthalpie H [1].

En utilisant cette notion de l’énergie libre, Engström et Alm [2] ont suggéré que le taux
d’émission thermique des porteurs d’un niveau profond à une température donnée s’écrit sous
la forme :

G(T )
en (T )   n (T ) n (T ) N c (T ) exp(  ) (II-16)
kT

On peut alors écrire l’équation II-16 sous la forme :

H
en (T )   n n (T ) n (T ) N c (T ) exp(  ) (II-17)
kT

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Avec :

S
 n  exp( ) (II-18)
k

Il faut encore noter qu’on a négligé dans tout ce qui précède la variation de la section efficace
de capture avec la température. Cette variation affecte l’énergie d’activation thermique du
défaut et pour tenir compte de ce changement, il faut introduire la loi typique de la capture
assistée par phonons multiples. Le terme de la section efficace s’écrit alors :

E
 n (T )    exp(  ) (II-19)
kT

où E est défini comme étant la barrière associée à la capture de la charge. Combinant ce

résultat avec l’équation II-16 qui donne la dépendance en température de e n , on obtient :

H  E
en (T )   n  (T ) n (T ) N c (T ) exp(  ) (II-20)
kT

On définit la section efficace apparente  na et l’énergie d’activation apparente E na par :

 na   n  (II-21)

et

Ena  H  E (II-22)

Ceci nous permet d’extraire le facteur d’entropie à partir de l’équation II-21. Les méthodes
utilisées pour déterminer ces paramètres restent peu nombreuses et restreintes aux mesures
électriques (DLTS) [3, 4, 5, 6]. Les mesures optiques ne nous permettent que de mesurer
l’énergie seuil d’une transition après l’absorption d’un photon en particulier pour les
semiconducteurs III-V à gap direct. Cette comparaison entre les mesures électriques et les
mesures optiques a été faite pour différents niveaux plus ou moins profonds. Dans le cas des
niveaux donneurs superficiels et peu profonds, les mesures optiques et électriques peuvent
donner le même résultat puisque le passage d’un porteur d’un niveau d’impureté jusqu’à la
bande de conduction ne nécessite pas une grande variation de l’entropie du cristal. Nous
citons l’exemple du niveau de l’hydrogène dans le silicium où l’attraction Coulombienne
entre les électrons de la couche superficielle et les impuretés est faible, on démontre que

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S  0 . Dans ce cas, G  H et les mesures électriques et optiques donnent les mêmes

résultats [7].

II-3) Emission assistée par champ électrique

Un des phénomènes majeurs qui peuvent changer le mécanisme de piégeage des porteurs est
l’effet du champ électrique local. Un de ces mécanismes est appelé l’effet Poole-Frenkel (PF).
Il est d’un point de vue quantique semblable à l’effet Schottky puisqu’il s’agit d’une
ionisation thermique d’un électron (ou d’un trou) sous l’effet du champ électrique. Ce
processus physique est décrit par une distorsion du potentiel d’interaction électrostatique entre
la charge et le centre qui induit un abaissement de la barrière d’émission thermique d’une
quantité  PF . Dans ce cas, la combinaison du potentiel du centre recombinant et du champ
électrique donne une barrière triangulaire à travers laquelle la charge peut passer.

L’abaissement de ce potentiel Coulombien a un impact direct sur le taux d’émission du centre

de recombinaison. En tenant compte de cet effet, l’équation du taux d’émission devient :

( Ec  ET )   PF
en (T )  N c n  n  exp(  ) (II-23)
kT

Et la relation entre le champ électrique ξ et le potentiel Coulombien PF qui lie le porteur est
donnée par :

1
 PF ( )   PF  2 (II-24)

où  PF est la constante de Poole-Frenkel qui s’écrit :

1
1 e 3
 2
 PF    (II-25)
2   0 

Il est nécessaire de noter que cet effet apparait pour des champs électriques appliqués assez
forts (typiquement au-dessus de 105 V/cm à la température ambiante). Pour des potentiels
appliqués plus faibles, il faut tenir compte de la conductivité par saut de porteurs qu’on
appelle « effet de hopping ». Bagraev et al. [8] ont montré que certains défauts étendus
peuvent provoquer une augmentation de la densité des défauts ponctuels dans leur entourage.
Ceci apparaît comme la source la plus probable d'états localisés participant à l’effet de

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hopping des porteurs. Nous verrons plus tard dans ce chapitre une explication plus détaillée
sur le comportement de ce type de défauts.

Dans les structures HEMTs sous polarisation, il peut y avoir des champs très forts et localisés
surtout dans le cas des composants à faibles dimensions. Cet effet peut engendrer un champ
électrique dans deux directions de l’espace avec une valeur qui peut atteindre ~ 106 V/cm [9]
comme le montre la figure II.3.

Figure II.3: Simulation du champ électrique longitudinal le long du canal sous la grille d’un
transistor HEMT AlGaN/GaN pour une tension de drain variant de 0 à 30 V et une densité de
défauts surfaciques de 3.0x1013 cm-2[9].

Dans ces conditions, la courbure des bandes est suffisamment importante pour que le champ
électrique puisse potentiellement influencer le mécanisme d’émission des charges piégées,
particulièrement dans les zones où le champ électrique est élevé (comme les zones du contact
de grille du côté drain). Dans ce cas, on peut favoriser deux mécanismes possibles. Le premier
est que l’électron piégé peut passer par effet tunnel direct DT (Direct Tunneling) du niveau du
défaut jusqu'à la bande de conduction sans interaction avec un phonon. Le taux d’émission du
défaut reste alors constant en fonction de la température puisqu’il n’existe aucun effet
thermique qui accompagne ce mécanisme. Le second mécanisme est l’effet tunnel assisté par
phonon PAT (Phonon Assisted Tunneling) qui nécessite une excitation thermique du centre
recombinant. Dans ce cas, le porteur gagne en énergie et augmente sa probabilité de passage

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par effet tunnel. Nous illustrons les trois mécanismes évoqués précédemment dans la figure
II.4.

Figure II.4: Représentation à 1D du potentiel d’un état profond en présence d’un

champ électrique  . Modification du processus d’émission du porteur par effet Poole-
Frenkel (PF), par effet tunnel direct (DT) et par effet tunnel assisté par phonon (PAT).

III) Spectroscopie de transitoire des centres profonds (DLTS)

Les méthodes de détection des défauts dans les semiconducteurs reposent sur une analyse du
comportement de certaines grandeurs physiques sous l’influence de ces pièges. Aujourd’hui,
il existe plusieurs méthodes de spectroscopie des centres profonds telles que la C-DLTS qui
s’appuie sur la variation de la capacité, la Q-DLTS pour l’analyse de la charge, la U-DLTS
qu’on utilise surtout dans le cas des transistors pour analyser la tension seuil et la I-DLTS
pour analyser le courant qui traverse la structure. Dans ce travail, nous nous sommes
intéressés à deux de ces techniques: la C-DLTS et la I-DLTS qui se basent sur l’analyse du
transitoire de la capacité et du courant dans la structure.

III-1) Analyse du transitoire de capacité

La DLTS conventionnelle est une technique de balayage thermique assez pointue pour
l’analyse des transitoires de capacité dans les hautes fréquences (domaine des MHz). Cette
technique est utilisée pour sonder la zone de charge d’espace d’une jonction p-n, d’une diode
Schottky ou d’un composant MOS. Le principe est basé sur la variation d’un transitoire de
capacité ΔC associé à une émission thermique des porteurs à partir d’un niveau de défaut,

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après une condition initiale de non-équilibre dans la zone de charge d’espace. La technique
DLTS offre de nombreux intérêts comme technique de caractérisation:

I) Une haute sensibilité et une bonne résolution de détection des niveaux énergétiques ;
II) Une possibilité de mesure dans un large domaine énergétique dans le gap et une
détection des états assez superficiels dans les matériaux ;
III) La détermination de la signature du comportement électrique des défauts dans les
composants microélectroniques.
Un scan DLTS en température révèle chaque défaut par un pic positif ou négatif. Le signe de
chaque pic indique si le signal est dû à un porteur majoritaire ou minoritaire et les positions
des pics sont simplement et uniquement déterminées par la fenêtre de mesure de
l’appareillage et les propriétés d’émission thermique du défaut considéré. Il est donc possible
d’extraire le taux d’émission thermique, l’énergie d’activation, le profil de concentration et la
section efficace de capture de chaque défaut à partir des mesures DLTS. Tout le travail
expérimental sur les niveaux des défauts étudiés dans ce mémoire est basé sur la zone de
déplétion formée par une structure Schottky ou par différentes structures de transistors
HEMTs. La discussion ci-dessous s’applique donc à des transitoires de capacité dans la région
de zone de charge d’espace d’une barrière Schottky.

III-1-1) Capacité d’une jonction à l’équilibre

Dans le cas d’un contact métal-semiconducteur, le modèle de Schottky permet d’assimiler la
zone de charge d’espace d’épaisseur W à la capacité d’une diode qui peut s’écrire sous la
forme :

 r 0 S
C (II-26)
W

 r étant la constante diélectrique relative du matériau,  0 celle du vide et S la surface de la

diode. Pour déterminer W, il est nécessaire de résoudre l’équation de Poisson à une dimension
dans la direction orthogonale à la surface du contact :

d 2V 1
  ( x) (II-27)
dx 2
 r 0

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Où  (x) est la densité de charge locale dans le semiconducteur à une profondeur x.

Généralement,  (x) inclut la contribution des porteurs libres, des donneurs et des accepteurs
ionisés et des niveaux profonds dans la bande interdite. Pour simplifier l’équation, on utilise
l’approximation permettant de diviser le semiconducteur en deux régions : (i) la zone de
désertion, directement sous le métal, qui ne contient pas de porteurs libres et (ii) la zone
semiconductrice en volume, électriquement neutre, où le champ électrique est nul. Dans la
zone de désertion et dans le cas particulier où NA= 0, on estime que  ( x)  qN D ( N D
dV
correspondant au dopage donneur) et dans la zone électriquement neutre  ( x)  0 et 0.
dx
Pour résoudre l’équation II-27, il faut tenir compte des conditions aux limites. Le champ
électrique est nul en dehors de la zone de charge d’espace, et on choisit l’origine des
potentiels en x= W. Dans ce cas, l’intégration de l’équation nous donne :

qN D
V ( x)   (x  W )2 (II-28)
2 r  0

Pour une diode ayant une barrière de potentiel intrinsèque Vbi et polarisée avec un potentiel
extérieur Va appliqué sur le contact Schottky, la largeur de la zone de désertion s’écrit sous la
forme :

2 r  0
W (Vbi  Va ) (II-29)
qN D

La charge d’espace Qsc par unité de surface et la capacité C du semiconducteur dans la

couche désertée sont données par :

Qsc  qN DW  2q r  0 N D (Vbi  Va ) (II-30)

Qsc q r  0 N D  
C   r 0 (II-31)
Va 2(Vbi  Va ) W

L’équation II-31 s’écrit alors sous la forme

1 2(Vbi  Va )
 (II-32)
C 2
q r  0 N D

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Où

2  1 
ND    (II-33)
q r  0  d (1 / C ) / dV 
2

Si N D est constant à travers la zone de désertion, une mesure de 1/C 2 en fonction de V donne

une droite. Dans le cas où N D n’est pas constant, la méthode de capacité différentielle peut
être utilisée pour déterminer le profil de dopage à partir de l’équation II-33. A partir de ces
mesures, on peut également calculer la valeur de la hauteur de la barrière Schottky.

III-1-2) Capacité de la jonction hors équilibre

Dans cette partie on va tenir compte des changements que peut engendrer un niveau de piège
à électron de densité volumique homogène NT qui est neutre au-dessous du niveau de Fermi et
chargé au-dessus. Dans ce cas, on peut réécrire l’équation II-29 sous la forme :

2 r  0
W (Vbi  Va ) (II-34)
q( N D  N T )

Figure II.5: Diagramme d’énergie, zone  et zone de charge d’espace pour un

contact métal-semiconducteur type (n). La figure (a) correspond au contact non
polarisé tandis que dans (b) la jonction est sous polarisation inverse V a.

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La figure II.5 illustre le diagramme de bande pour une jonction métal-semiconducteur de type
(n) avec la zone de charge d’espace correspondante, sans polarisation (a) et sous une
polarisation appliquée Va (b). A l’équilibre et sous une polarisation nulle, les niveaux profonds
dans la zone  sont sous le niveau de Fermi et donc pleins (a). Sous l’effet d’une polarisation
inverse Va, la zone de désertion augmente, la zone de charge d’espace est modifiée, ainsi la
capacité dans cette zone diminue. Les niveaux profonds NT et les niveaux des dopants
superficiels N D contribuent à la densité de charge  dans la zone de déplétion. Sur la figure, on
a repéré une zone de transition d’étendue  entre la limite de la zone de désertion et le point
où le niveau du défaut croise le niveau de Fermi.

La variation de la concentration des électrons piégés par les niveaux profonds est déterminée
par la mesure de la capacité de la jonction ou par le transitoire de capacité à une polarisation
constante [10]. La variation de la largeur de la zone de désertion W et de la capacité après
l’application d’une polarisation inverse suivie d’une impulsion de remplissage dans le cas
d’un semiconducteur de type (n) est schématisée dans la figure II.6. Pour simplifier, la
courbure des bandes due au champ électrique dans la zone de charge d’espace (zone blanche)
n’est pas présentée. L’effet de lambda est également ignoré, ainsi on présume que les niveaux
de défauts dans la zone de désertion sont au-dessus du niveau de Fermi et ceux qui sont dans
la partie « bulk » sont situés en dessous.

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ΔC

0 tp

Figure II.6: Variation de la largeur de la zone de déplétion et de la capacité après

l’application d’une polarisation inverse et un pulse de remplissage pour des défauts à
porteurs majoritaires (électrons) dans le cas d’un semiconducteur type (n).

Le transitoire de capacité résultant de l’impulsion de remplissage est présenté au centre du

schéma. Sous une polarisation maintenue en inverse (partie 1), les niveaux profonds vides
dans le gap sont représentés par des carrés vides. Après l’application d’une impulsion de
remplissage de porteurs majoritaires (partie 2), la largeur de déplétion étant contractée, les
électrons piégés dans ces niveaux se retrouvent en dessous du niveau de Fermi et sont
symbolisés par des carrés pleins. On suppose que la durée d’impulsion tp est suffisamment
longue pour remplir tous les niveaux de défauts. Dans ce cas, la capacité diminue à cause de
la réduction de la zone de charge d’espace. Immédiatement après la fin de l’impulsion de
remplissage, de retour sous polarisation inverse (partie 3), les états remplis de charges passent
au-dessus du niveau de Fermi et commencent à émettre les charges vers la bande de
conduction, charges qui seront ensuite véhiculées par le champ électrique de la jonction
(partie 4). Le taux d’émission peut être déterminé par la durée du transitoire de capacité. La

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densité nt des niveaux occupés par les défauts à un instant t après la fin de l’impulsion de
remplissage est donnée par l’expression [11]:

nt (t )  N T exp( en t ) (II-35)

Ainsi la variation de la capacité en fonction du temps peut s’écrire :

1/ 2
 nt (t ) 
C (t )  C ()1   (II-36)
 N D  NT 

Où la capacité finale ( nt ()  0 ) est

   e( N D  N T ) 
1/ 2

C ()  A r 0  (Vbi  Va ) 1 / 2 (II-37)

 2 

où A est la surface du contact Etant donné qu’on a très souvent ND>>nt la racine carrée du
terme dans l’équation de C(t) peut être développée à l’ordre 1. En supposant de plus que NT
<<ND, la variation de la capacité C (t )  C (t )  C () s’écrit alors :

C (t ) n (t )
 t (II-38)
C ( ) 2N D

A partir des ’équations II-35 et II-38 la réponse du transitoire s’écrit finalement:

C (t ) N
  T exp( en t ) (II-39)
C ( ) 2N D

Cette équation a été utilisée comme base de la technique de mesure de transitoires de capacité
pour étudier les défauts à porteurs majoritaires et comme fondement de la technique DLTS
introduite par Lang [12] en 1974.

Il est nécessaire de mentionner que dans ce qui précède on a négligé la zone de transition  .
Pour en tenir compte, l’expression du transitoire de capacité sera :

C (t ) N 
  
2

 T 1     exp( en t ) (II-40)
C ( ) 2N D 
 W   

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Par intégration de l’équation de Poisson, on peut montrer que :

2 r  0
 ( E F  ET ) (II-41)
q2 ND

III-1-3) Dynamique de remplissage des pièges

Nous avons vu dans le premier chapitre que les défauts dans un semiconducteur différent
selon leur nature. Nous pouvons les diviser principalement en deux catégories : les défauts
ponctuels qui se présentent comme des impuretés sous forme de niveaux donneurs ou
accepteurs et dont la répartition peut être homogène ou pas dans le cristal. Les défauts étendus
qui peuvent être une dislocation à travers une couche ou même un complexe de défauts
ponctuels qui migrent aux alentours des dislocations lors de la croissance du matériau. Ainsi,
selon la nature du défaut, la dynamique des porteurs sera différente. Autrement dit, la
cinétique décrivant les mécanismes de capture et d’émission ne sera pas la même.

Pour expliquer cette différence, nous allons utiliser l’équation II-7 définie précédemment.
Lors du mécanisme de capture des électrons, cette équation se simplifier sous la forme :

dnt
 c n ( N T  nt (t )) (II-42)
dt

Dans la pratique, ce processus dépend de la durée d’impulsion appliquée puisque le temps de

remplissage des pièges n’est autre que la largeur de l’impulsion définie par tp. Dans ce cas, la
solution de l’équation II-42 s’écrit sous la forme :

nt (t p )  NT [1  exp(cnt p )] (II-43)

Nous pouvons ainsi remonter à l’expression de ΔC(tp) à partir de l’équation II-39. En

conséquence, dans le cas des défauts ponctuels répartis uniformément dans le cristal,
l’amplitude du transitoire va suivre une loi exponentielle jusqu'à la saturation pour une
certaine durée d’impulsion. Lorsque tp devient très grand, l’amplitude et donc nt vont atteindre
une valeur constante.

Dans le cas des défauts étendus, la cinétique de capture est plus compliquée à interpréter.
Prenons le cas d’une dislocation, certains niveaux d’électrons associés à celle-ci et provenant

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des niveaux donneurs qui l’entourent, peuvent se manifester comme des états discrets dans la
bande interdite. A l’équilibre, ces niveaux vont définir la neutralité de la dislocation lorsque
les états occupés se trouvent sous le niveau de Fermi et ceux qui sont vides au dessus de celui-
ci. Par conséquent, la ligne de dislocation va se trouver entourée d’une zone de charge
d’espace qui va créer une variation du potentiel local lors du processus de capture d’un
électron libre provenant de la bande de conduction. Ainsi, l’électron va se trouver devant une
barrière à franchir avant de se recombiner dans le piège. Cette barrière notée (t) va dépendre
du processus de capture et donc du temps remplissage du défaut [13]. A ce moment là, en
négligeant le passage par effet tunnel, la concentration des porteurs libres nlib ayant une
énergie suffisante pour affranchir la barrière (t) sera définie par l’équation:

 q (t p ) 
nlib (t p )  n exp    (II-44)
 kT 

Avec n la concentration des porteurs définie par l’équation II-10. Dans la figure II.7, nous
présentons un modèle simplifié des états discrets et la barrière de potentiel que provoquent ces
niveaux aux alentours d’une dislocation.

Figure II.7: Illustration de la barrière de potentiel qui apparaît autour d’une dislocation
lors du mécanisme de capture des porteurs libres par les états discrets du piège.

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En tenant compte de la barrière (t), l’équation différentielle II-7 liée au mécanisme de

capture sera modifiée par :

dnt q (t )
 c n ( N T  nt (t )) exp(  ) (II-45)
dt kT

Pour résoudre cette équation, Wosinski [14] a supposé que dans le cas d’une distribution
linéaire de défauts, (t) devient proportionnelle à la fraction nt(t)/NT et peut s’écrire sous la
forme :

nt (t p )
 (t p )  0 (II-46)
nT 0

Avec 0 et nT0 respectivement les valeurs de la hauteur de barrière et la densité des centres
occupés à l’équilibre. En supposant que le terme en exponentielle dans l’équation II-45
domine par rapport à la fraction nt(t)/NT, la solution de cette équation différentielle sera alors:

nt (t p )   n  n nNT ln[1  (t p  )] (II-47)

Avec

  (kT q0 )(nT 0 NT )(1  n  n n) (II-48)

Pour des temps de remplissage long tel que tp> τ, l’équation II-47 devient :

nt (t p )   n  n nN T ln(t p  ) (II-49)

A partir de cette équation, nous pouvons déduire que pour les défauts étendus tels que les
dislocations la densité de pièges dépend linéairement de ln(tp). Dans la pratique, nous pouvons
suivre l’évolution de ΔC(tp) pour déterminer la nature du défaut [15, 16].

III-2) Analyse du transitoire de courant

Lorsqu’on mesure une capacité, la variation de celle-ci est proportionnelle à la dérivée du
nombre de charges émises par les pièges. En revanche, la variation du courant est directement
proportionnelle au nombre de charges totales émises, ce qui fait qu’une telle mesure peut être
moins précise que celle d’un transitoire de capacité. Néanmoins, les mesures de courant
offrent des avantages surtout dans le cas des composants électroniques puisque nous pouvons

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directement analyser les anomalies liées au courant d’un transistor fini plutôt que d’une
structure de test.

Notons aussi que les mesures du transitoire de courant sur les HEMTs sont assez complexes
puisqu’il s’agit de la somme des contributions du courant à travers la barrière Schottky et le
courant IDS qui traverse le canal 2D à l’hétérointerface. Le courant généré dans la couche
barrière est directement lié aux processus d’émission des pièges dans la couche superficielle.
Il peut être divisé en trois composantes ; un courant d’émission Ie, un courant de déplacement
Id et un courant de fuite constant If. Le courant d’émission est décrit par l’équation :

w
dn
I e  qA dx (II.50)
0
dt

Avec A la surface du contact sous la grille et n la densité des porteurs libres. La composante
du courant de déplacement est donnée par l’équation:

w
dnt x
I d  qA dx (II.51)
0
dt W

Le courant IDS0 en régime de saturation, pour une polarisation VGS donnée, est décrit par la
formule:

WG 
I DS 0   n v sat ALGaN (VGS  Vth ) 2 (II.52)
2 LG d AlGaN

Où WG est la largeur de la grille, LG sa longueur, µn la mobilité des électrons, vsat la vitesse de

saturation des électrons, εAlGaN la constante diélectrique de la couche AlGaN, dAlGAN
l’épaisseur de la couche barrière et Vth la tension de pincement du transistor donnée par
l’équation [17]:

2
qN D d ALGaN  p d AlGaN
Vth   B  EC   (II.53)
2 AlGaN  AlGaN

Avec B la hauteur de barrière Schottky, ΔEC la discontinuité de la bande de conduction et σp

la charge de polarisation fixe (spontanée et piézoélectrique).

Nous avons vu dans le paragraphe précédent que le processus d’émission domine lorsqu’on
applique une polarisation inverse sur la grille. Lors de ce processus, nous introduisons la

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contribution de la densité des défauts nt(t). Dans ce cas et en négligeant la contribution des
pièges à minoritaires (trous), on peut supposer que dn/dt ≈ ennt(t) et dans l’équation II-7 dnt/dt
≈ -ennt(t). En utilisant les équations II-50, II-51 et II-52 nous pouvons déterminer la totalité du
courant qui traverse la structure en fonction du temps. Le courant IDStotal(t) sera donné par la
formule:

qAW (t )en nt (t )
I DStotal (t )   I f  I DS 0 (II.54)
2

Avec

2 AlGaN (Vbi  VGS )

W (t )  (II.55)
q( N D  nt (t ))

Dans le cas où nt<<ND, l’expression du courant total peut se simplifier et on écrit:

qAW0 1
I DStotal (t )  N T exp( t /  e )  I f  I DS 0 (II-56)
2 e

Avec

2 AlGaN (Vbi  VGS )

W0  (II-57)
qN D

L’équation II-56 montre que le dénominateur dans l’expression du transitoire de courant

dépend du temps d’émission du piège contrairement à un transitoire de capacité où ce terme
n’apparait pas dans l’équation de la variation de la capacité. Ceci prouve que l’interprétation
des mesures de courant est plus complexe comparativement aux mesures capacitives
puisqu’avec cette expression la densité de défauts n’est pas évidente à extraire. Dans la
pratique, les mesures de courant doivent être effectuées à une tension proche de la tension de
pincement du canal Vth pour que la composante du courant de saturation IDS0 soit la plus
faible possible et ne masque pas la mesure du transitoire de courant. Avec cette condition, la
mesure devient possible à condition que le courant de fuite If soit également faible.

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III-3) Principe de la DLTS

Le principe de la technique DLTS porte sur le traitement des transitoires de capacité après des
séquences répétées d’impulsions comme détaillé dans la partie précédente. Le système répond
si et seulement si le taux d’émission du défaut est synchronisé avec « la fenêtre d’émission »
qui est définie comme un intervalle de mesure choisi pour détecter la réponse des pièges.
Dans ce cas, la réponse du système se traduit par l’apparition d’un signal sur le spectre DLTS.

Puisque le taux d’émission dépend fortement de la température, un balayage thermique peut

révéler la présence de plusieurs défauts à une température caractéristique lorsque leurs taux
d’émission coïncident avec cette fenêtre. La première technique développée dite technique
« boxcar » utilise une fenêtre temporelle pour filtrer le signal et déterminer ainsi la fenêtre
d’émission. Un moyennage sur plusieurs transitoires permet d’améliorer le rapport signal sur
bruit (SNR) de la sortie et de détecter ainsi de faibles concentrations de défauts [12, 18]. Au
moment du balayage en température, le filtre prend des échantillons du transitoire à des
instants t1 et t2 prédéfinis et délivre un signal proportionnel à la différence des deux signaux
(figure II.8). Ainsi la fenêtre d’émission est déterminée à partir des valeurs de t1et t2.

Lang [12] avait conçu un filtre analogique qui possède un mécanisme de rejet du signal
continu intrinsèque, donnant un signal nul quand aucun défaut n’est détecté. Le signal DLTS
normalisé est alors défini par :

C (t1 )  C (t 2 )
S (T )  (II-58)
C (0)

Où C(t1) est la capacité à t1, C(t2) est la capacité à t2 et C (0) est la variation de la capacité due
à l’impulsion de remplissage à t = 0. La figure II.8 montre une illustration d’une séquence de
transitoires enregistrés entre t1 et t2. Le signal DLTS calculé est maximal lorsque le taux
d’émission coïncide avec la fenêtre de mesure.

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Figure II.8: Représentation schématique de la relation entre le signal DLTS et les transitoires de
capacité exponentiels [12].

La position du pic par rapport à l’axe de température dépend de la fenêtre d’émission; dans le
cas des fenêtres de mesure larges c'est-à-dire des taux d’émissions faibles, le pic du défaut se
décale vers les basses températures. Lorsqu’on utilise plusieurs fenêtres d’émissions, on peut
produire une série de spectres comme il est monté sur la figure II.9.a. Chaque maximum va
correspondre à un couple (en,Tm) lorsque la dérivée par rapport à la température de la fonction
Fdlts donnée par l’équation II-59 s’annule.

Fdlts  C (t1 , t2 )  C(t1 )  C (t2 )  K[exp(ent2 )  exp(ent1 )] (II-59)

Avec K un facteur proportionnel à C(∞) selon l’équation II-39. Dans ce cas, la température
Tm au maximum du pic peut être mesurée et le taux d’émission en(Tm) calculé pour chaque
spectre à partir de l’équation :

t 
ln  2 
en (Tm )   1 
t
(II-60)
t 2  t1

Ces points sont utilisés pour tracer un graphe semi-log de log(en /T2) en fonction de 1000/T,
(digramme d’Arrhenius figure II.9.b), à partir duquel l’énergie d’activation apparente Ena et la

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section efficace apparente σna sont respectivement extraites de la pente de la droite et de

l’ordonnée à l’origine.

Figure II.9: Diagramme montrant les spectres DLTS pour différents taux d’émission et le
diagramme d’Arrhenius obtenu (b).

L’amplitude du pic DLTS est directement proportionnelle à la concentration du niveau

profond, ainsi la concentration NT peut être obtenue directement à partir de la variation de la
capacité qui est décrite par une expression simple [12, 19]:

2C (0)
NT  ND (II-61)
C

Où ND est la concentration des donneurs, C est la capacité de la jonction sous polarisation

inverse et C (0) est la variation de la capacité due à l’impulsion de remplissage. L’équation
II-61 est seulement applicable pour ND>>NT et C (0) << C.

Lorsque la condition ND>>NT n’est pas vérifiée, il est possible d’employer une variante de la
DLTS appelée DLTS en Capacité Constante (CC-DLTS) [20, 21]. Elle consiste à maintenir la
capacité de la diode constante pendant l’émission du piège par l’intermédiaire d’un circuit de
contre réaction. Dans ce cas, lorsque l’étendue de la zone de charge d’espace augmente, la
polarisation inverse augmente à son tour pour rattraper la variation de la capacité. A cause du
circuit de contre-réaction, la précision de cette technique est moindre que pour la DLTS
standard.

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III-4) DLTS par Transformée de Fourier : DLTFS

Depuis sa découverte il y a 35 ans, la spectroscopie de transitoire des défauts profonds
(DLTS) conventionnelle a été un outil performant pour identifier les niveaux profonds dans
les semiconducteurs et améliorer ainsi les performances des composants électroniques.
Malheureusement, cette technique présente certaines limitations de résolution en signal. En
effet avec la méthode Boxcar, l’acquisition de deux valeurs de capacité pour tout le transitoire
à une température donnée ne donne qu’une seule valeur de la constante de temps du piège
profond. En outre, il n’est pas possible de s’assurer que le transitoire est parfaitement
exponentiel. Dans ce cas, la validité de la technique d’exploitation est remise en question. Au
cours des dernières années, beaucoup d’efforts ont été investis pour améliorer l’analyse du
transitoire en utilisant des moyens mathématiques et informatiques pour surmonter ces
difficultés [22].

En 1988, Weiss et al [23] ont développé un nouveau concept qui a permis d’une part de
numériser le temps de transitoire de capacité et d’autre part de le traiter en utilisant la
Transformée de Fourier, cette technique est appelé DLTFS. Deux ans après, Dobaczewski et
al. [24, 25] ont déployé une autre version à haute résolution en utilisant la Transformée de
Laplace (LDLTS). Cette méthode consiste à numériser les transitoires et analyser à une
température donnée (méthode isotherme) le taux d’émission. Dans la pratique, la résolution
avec cette méthode peut atteindre des concentrations 5x10-4 à 5x10-2 plus faible que la densité
des donneurs ou des accepteurs peu profonds avec une précision sur les énergies d’activation
de quelques meV. En revanche, il est nécessaire de réduire toutes les contributions provenant
du bruit. Par exemple, il est très important d'utiliser des alimentations et des générateurs
d'impulsions très stables.

Dans notre étude, nous allons nous intéresser plus précisément à la DLTFS, puisque c’est la
technique qui a été utilisée dans ce travail. Cette méthode s’appuie sur 4 étapes principales au
cours de la mesure :

(a) Un échantillonnage du transitoire de capacité en N valeurs mesurées. A partir de ces N

valeurs, les coefficients de Fourier discrets sont calculés par une transformation de
Fourier numérique.
(b) Pour chaque coefficient de Fourier, la constante de temps et l’amplitude de chaque
transitoire peuvent être immédiatement calculées à chaque température.

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(c) Comme la détermination de la constante de temps est possible durant la mesure

DLTFS, un programme a été développé (HERA-Phystech) pour contrôler la mesure en
optimisant certains paramètres comme la température, le temps de mesure,
l’amplification, etc …
(d) Grâce aux points (b) et (c), il est possible d’ajuster sur une rampe de température une
ou plusieurs périodes de mesure Tw pour le transitoire de capacité. Ceci est un
avantage majeur pour la méthode DLTFS. De plus on peut aussi contrôler le niveau de
bruit par filtrage numérique du signal.

III-5) Théorie de la DLTFS

Pour aborder cette théorie, supposons un système numérique qui convertit un signal f(t)
analogique, via un convertisseur analogique-numérique, en N valeurs de temps discrètes et
équidistantes kt , k =0, 1,…, N-1, t est l’intervalle d’échantillonnage. On suppose que f(t)
est périodique de période Tw = Nt et contient N intervalles avec N+1 valeurs réelles f0,…,
fN .

Pour l’extraction des paramètres des pièges à partir des transitoires, nous devons d’abord
donner certaines définitions:

(a) Les coefficients de Fourier continus (analytiques) cn de la série de Fourier :

1 TW
cn 
TW 0
f (t ) exp( int )dt , n  Z (II-62)

Avec ω la fréquence correspondant à une période Tw qui s’écrit :

2
 (II-63)
TW

Dans le cas où f(t) est réelle, les coefficients an (les cosinus) et bn (les sinus) sont réels et
représentent les parties réelle et imaginaire de cn :

1
cn  (a n  ibn ), n  0 (II-64)
2

(b) La transformée de Fourier discrète (numérique) DFT (Direct Fourier Transorm):

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N 1
Fn   f k exp( 2ink / N ), n = 0, 1,…, N-1 (II-65)
k 0

Comme les valeurs échantillonnées sont réelles, seules N/2 valeurs indépendantes de Fn
existent. La relation qui lie la DFT et les coefficients de Fourier discrets c nD est donnée par :

Fn  NcnD (II-66)

Rappelons que l’idée générale de la technique DLTFS est l’échantillonnage du transitoire de

capacité sur N valeurs pour déterminer les coefficients de Fourier discrets c nD .

III-5-1) Evaluation directe du transitoire

Avec la méthode DLTFS l’évaluation directe de chaque transitoire est possible. Le terme
« direct » veut dire que la valeur évaluée, par exemple la constante de temps, est calculée
directement à partir du transitoire et pas « indirectement » à partir du maximum du pic du
spectre. Prenons une fonction exponentielle qui décrit le transitoire, cette fonction s’écrit :

 t  t0 
f (t )  A exp   B (II-67)
  

Où A est l’amplitude, B l’offset, t0 le temps entre l’impulsion de charge et le début de la

mesure, et  la constante de temps de piégeage. Il faut noter que t0 (appelé aussi temps de
recouvrement) doit être pris en compte si on n’a pas t0<<  . Pour cette fonction réelle, les
coefficients de Fourier sont les suivants :

2A
a0  exp( t 0 /  )(1  exp(TW /  ))  2 B (II-68)
TW

2A 1/
an  exp( t 0 /  )(1  exp(TW /  )) (II-69)
TW 1 /   n 2 2
2

2A n 0
bn  exp( t 0 /  )(1  exp(TW /  )) (II-70)
TW 1 /   n 2 2
2

Pour vérifier si le transitoire est exponentiel, il faut que les relations suivantes soient vérifiées:

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k2
 a k  a n  2 a k pour n < k (II-71)
n
n k
 bk bn  bk pour n < k (II-72)
k n
bn a k n
  (II-73)
a n bk k
Pour les coefficients d’ordres n=1 et n=2 on obtient un critère sur le caractère exponentiel du
transitoire (appelé « exponential class » dans le logiciel) :

b2 a1
1 (II-74)
2b1 a 2

Pour une « exponential class » proche de 1, l’amplitude du signal A et par conséquent la

concentration des centres profonds NT, peuvent être calculées à partir de chaque coefficient
an et bn.

La constante de temps τ peut être déterminée à partir du rapport de deux coefficients. Il existe
trois différentes possibilités :

1 an  ak
 (a n , a k )  (II-75)
0 k ak  n 2 an
2

1 kbn  nbk
 (bn , bk )  (II-76)
0 k nbk  n 2 kbn
2

1 bn
 (a n , bn )  (II-77)
n 0 a n
L’avantage considérable est que ni l’amplitude A ni l’offset B n’interviennent dans le calcul
des constantes de temps. Seul le rapport des coefficients an et bn est utilisé pour déterminer τ.
Un exemple d’illustration pour un transitoire est présenté sur la figure II.10.

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Figure II.10: Transitoire de capacité d’un défaut à porteurs majoritaires d’une structure
HEMT AlGaN/GaN et le calcul numérique des paramètres extraits de DLTFS pour N = 512.

III-5-2) Balayage en température

Comme pour la DLTS conventionnelle, avec la technique DLTFS le signal C ou I est
calculé en utilisant une fonction de corrélation. La différence est qu’avec la DLTS numérique
le corrélateur n’est pas une fonction analogique fixée par le matériel (porte boxcar) mais sera
obtenu par un traitement numérique du signal. Une fois que le transitoire est enregistré, le
système utilise plusieurs fonctions de corrélations ayant plusieurs formes périodiques pour
calculer le coefficient de Fourrier et extraire la valeur de C . Dans notre cas, le logiciel peut
utiliser jusqu'à 28 fonctions de corrélation, ainsi nous obtenons à la fin de la rampe en
température 28 spectres DLTS avec différents maxima à différentes températures. Chaque
spectre est défini par une constante de temps  . La figure II.11montre un exemple de spectres
pour différents coefficients de Fourier. Cela signifie qu’après un cycle de température, on peut
extraire 28 couples (  , T) qu’on utilisera pour construire le diagramme d’Arrhenius.

Les fonctions de corrélations différent entre elles par la sensibilité et la résolution en énergie,
ce qui veut dire le facteur de normalisation A et la largeur à mi-hauteur du signal. Le plus
souvent, le coefficient b1 présente un bon compromis (sinus d’ordre 1) qui est utilisé comme
un coefficient standard dans le logiciel. En général, la fonction qui donne une meilleure

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Figure II.11: Différents spectres DLTFS des coefficients a1 et b1 développés

au 1er et 2nd ordre d’une structure HEMT AlGaN/GaN pour N = 512.

résolution en énergie possède une mauvaise résolution en amplitude (jusqu'à un facteur 100
en dessous du coefficient b1). Dans ce cas, pour vérifier l’exactitude des résultats, la
simulation de la signature du défaut est nécessaire pour comparer avec le spectre expérimental
(ceci sera détaillé dans la partie résultats).

III-6) Appareillage de mesures DLTFS

Le système DL8000 de PhysTech utilisé est un équipement acquis par l’équipe au cours de ce
travail. Il a été conçu pour effectuer des mesures en DLTS capacitive (C-DLTS), courant (I-
DLTS) ou charge (Q-DLTS). L’appareillage est constitué essentiellement de deux blocs
comme le montre la figure II.12 : un bloc analogique et un bloc numérique.

La partie analogique du système constitue le système de mesures qui intègre un générateur de

tension, un capacimètre, un cryostat sous vide et un convertisseur de courant-tension I/V relié
au système d’acquisition.

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Figure II.12 : Vue schématique de l’appareillage de mesure de DLTS.

La source de tension impulsionnelle est un générateur pour toutes les polarisations appliquées
à l’échantillon. Son alimentation n’est reliée à aucune partie du bloc numérique ce qui permet
de s’affranchir du bruit électrique provenant de l’équipement lui-même.

Le chemin de mesure analogique (ligne noire en gras avec flèches) commence par la source
de polarisation (ou la source d'impulsions) et traverse le capacimètre Boonton (connexion
arrière). Via la sortie « high » de ce dernier, arrive la polarisation sur le contact Schottky de
l’échantillon qui se trouve à l’intérieur du cryostat. Le contact ohmique de l'échantillon est
relié à la face avant du Boonton (low). A la sortie (face arrière), on récupère deux signaux
porteurs de la capacité et du courant qui seront injectés dans le compartiment amplificateur
convertisseur I/V. A la sortie de l’amplificateur, le signal passe par un filtre puis est transmis

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dans l’enregistreur du transitoire. Ce dernier qui reçoit du convertisseur une tension en

fonction du temps la transforme en données numériques et transmet l’information au
processeur. La commande électronique des divers appareils est également gérée par le
processeur piloté par le logiciel HERA via une carte GPIB.

Il est important de noter que toute cette partie numérique est maintenue inactive durant la
mesure du transitoire à l’exception de l’enregistreur : une précaution prise pour éliminer toute
source de bruit provenant de l’entourage électronique.

Nous donnons dans ce paragraphe les caractéristiques techniques de l’appareillage. La source

de tension contrôlée par le logiciel de pilotage délivre deux tensions indépendantes
(polarisation et impulsion) dans la gamme ± 20 V avec une résolution de 1 mV. La durée de
l’impulsion tp peut varier de 1µs à 4.104 s avec une résolution de 5.10-7 s. Le capacimètre
Boonton 72b peut mesurer des capacités jusqu'à 3000 pF sur quatre calibres différents. Les
mesures s’effectuent à une fréquence de 1MHz et une amplitude d’un signal sinusoïdal de 100
mV qui se superpose à la tension délivrée par la source. Nous pouvons atteindre une
résolution de quelques Femtofarads avec ce type de capacimètre. L’amplificateur du signal a
pour rôle de convertir le signal analogique récupéré (courant et capacité) par le capacimètre et
de le multiplier par un gain variable lorsque le signal est faible. La limite en courant du
convertisseur est de ± 10 mA avec une résolution de 1 nA. Dans le cas des mesures de DLTS
en courant, le capacimètre n’est plus utile et le courant arrive directement sur l’amplificateur.
On peut atteindre une résolution de 10 pA sans le Boonton. L’analyse en DLTS courant des
transistors FETs nécessite une troisième sortie de tension, c’est pour ce besoin qu’une source
de tension indépendante a été conçue dans le système.

III-7) Comparaison entre les techniques utilisées

Au cours de ce travail, nous avons adopté deux techniques de spectroscopie de défauts
profonds. La première consiste à analyser les défauts en balayant la capacité de la zone de
déplétion et la deuxième repose sur l’influence des pièges sur le courant total qui traverse la
structure. Bien que les deux types de mesures aboutissent à une extraction des niveaux
énergétiques de ces centres, les résultats obtenus peuvent être complémentaires et pas
forcement identiques.

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En effet, la résolution en concentration des pièges est un grand avantage dans le cas des
mesures de capacité. Ceci nous permet d’extraire plusieurs niveaux de pièges lors d’une seule
rampe en température. En revanche, cette technique possède plusieurs limites selon le type de
semiconducteur utilisé. Dans certains cas particuliers où la condition ND>>NT n’est pas
vérifiée, la mesure en capacité est impossible. De plus, dans les structures de types FETs, la
détection de pièges dans la couche tampon ou dans le canal devient difficile car elle nécessite
l’utilisation de tensions inverses proches de la tension de seuil, ce qui induit une grande
résistance en série avec la capacité de la diode et rend la mesure difficile. De même,
l’utilisation de forts champs électriques peuvent mettre en question les résultats obtenus en
raison de l’effet Poole-Frenkel.

Dans le cas de la DLTS en courant, les problèmes liés à la résistance série ne semblent pas
intervenir dans la mesure du courant mais la tension de polarisation ne doit pas dépasser la
tension de seuil. Au-delà de cette tension, aucun courant direct dans la structure n’est alors
mesurable. Le grand avantage de cette technique est qu’elle est applicable directement sur un
composant fini qui a subi toutes les étapes technologiques nécessaires dans la réalisation d’un
transistor. En ce qui concerne la densité des pièges, cette technique reste très limitée à cause
de la complexité des équations utilisées lors de l’analyse des transitoires (équation II-56).

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IV) Bibliogaphie du chapitre II

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

I) Introduction
Comme nous l’avons décrit dans le premier chapitre, de nombreux mécanismes de défaillance
ont été répertoriés sur les technologies HEMTs. L’amélioration de la fiabilité des transistors
est surtout fortement liée au contrôle du courant dans le canal qui se dégrade sous différentes
contraintes thermiques et électriques. Les progrès apportés aux matériaux (réduction de la
densité de défauts des substrats et couches épitaxiées), aux techniques de passivation
(amélioration des états de surface et réduction des courants de fuite), à la qualité et la
robustesse des contacts de grille et ohmiques, sont autant de voies qui permettent d’améliorer
les performances en puissance de ces composants. Toutefois, jusqu’à aujourd’hui ces efforts
ne suffisent pas pour s’affranchir de tous les mécanismes de dysfonctionnement.

Dans ce chapitre, seront présentées, dans un premier temps, les mesures des caractéristiques
statiques IDS(VDS) et les mesures de capacité grille-source en fonction de la tension VGS. Nous
discuterons des anomalies qui apparaissent lors de l’étude en température et qui peuvent être
liées directement aux mécanismes de piégeage localisés dans certaines zones des composants.

Dans un deuxième temps, nous présenterons une étude approfondie des effets liés à la
présence de défauts dans la structure. En utilisant la technique DLTS capacitive, nous
discuterons la localisation de certains pièges dans la couche barrière et leurs cinétiques de
piégeage. Nous utiliserons ensuite la DLTS en courant pour analyser l’influence directe de ces
défauts sur le courant drain-source. La localisation et la nature des pièges seront l’objectif de
notre étude après l’extraction des signatures de chaque défaut. Nous avons ainsi essayé
d’avoir un maximum d’information sur le comportement de ces défauts en utilisant plusieurs
géométries de composants et en jouant sur différents paramètres tels que le champ électrique
et le temps de remplissage des pièges.

La troisième partie de cette étude est consacrée à l’analyse de la fiabilité des HEMTs après
vieillissement. Pour cela, nous utilisons la même méthode de spectroscopie de défauts pour
expliquer ce qui a provoqué la dégradation des composants après les tests de stress.

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II) Structures étudiées

II-1) Architecture des structures
Les composants étudiés au cours de ce travail proviennent de trois plaques différentes. Les
deux premières appelées AEC1388 et AEC1389 sont constituées de mêmes types de couches
pour fabriquer des HEMTs conventionnels à base d’AlGaN/GaN dont l’architecture est
présentée dans la figure III.1.a. La croissance a été réalisée au laboratoire III-V Lab d’Alcatel
par LPMOCVD (Low Pressure Metal Organic Chemical Vapour Depostion) sur un substrat
SiC. La nucléation se fait par l’intermédiaire d’une couche sur laquelle est déposée la couche
tampon de GaN non intentionnellement dopée et d’épaisseur 1,7 µm dans le cas de la plaque
AEC1388 (épaisseur différente selon la plaque). Cette couche, suffisamment épaisse, joue le
rôle d’un substrat pour les couches superficielles et impose son paramètre de maille dans le
cas d’une croissance pseudomorphique. Sur cette couche est déposé l’AlGaN non dopé
d’épaisseur 22 nm avec un pourcentage en aluminium de 22% pour la AEC1388 et 24% pour
la AEC1389. Les résistances carrés obtenues sont respectivement 527 Ω/ et 428 Ω/ avec
une densité de porteurs dans le canal ns2DEG= 1x1013 cm-2.

Les contacts ohmiques sont réalisés par un empilement de couches de titane (12 nm),
d’aluminium (200 nm), de nickel (40 nm) et d’or (100 nm) déposées par évaporation au canon
à électrons. Cet empilement est ensuite recuit sous atmosphère d’azote à 900°C durant 30
secondes. L’isolation des composants est obtenue par implantation ionique d’hélium suivie
d’un recuit sous atmosphère d’azote. Les contacts Schottky de la grille sont constitués d’une
bicouche de molybdène (40nm) et d’or (300nm) déposées par évaporation électronique. Les
composants sont passivés par dépôt d’une couche de diélectrique SiO2 (100 nm) suivi d’une
couche de Si3N4 (50 nm).

La troisième plaque (AEC1561) est une épitaxie dans le système de matériau AlInN/AlN/GaN
réalisée par LPMOCVD sur un substrat de SiC. Sur la couche tampon GaN d’épaisseur 1,7
µm a été déposée une fine couche d’AlN d’épaisseur 1 nm dans le but d’améliorer la
transition entre les différents matériaux et de minimiser le désordre cristallin à l’interface [1].
La couche barrière d’AlInN d’épaisseur 11 nm est en légère compression avec GaN ce qui
génère une légère polarisation piézoélectrique opposée à la polarisation spontanée pour un
pourcentage d’indium incorporé de 18,6 %. Contrairement au cas de la barrière d’AlGaN en
forte tension, cette légère compression a pour objectif de minimiser les défauts introduits par
les contraintes et de limiter les dégradations des performances électriques liées à la présence

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

de tels défauts. Ainsi avec un tel système la résistance carrée obtenue est de 320 Ω/ et la
densité de porteurs est ns2DEG= 1,5 x1013 cm-2.

La même recette utilisée pour la structure à base d’AlGaN a été gardée pour la réalisation des
contacts ohmiques, et la métallisation de la grille a été remplacée par une bicouche de nickel
et d’or. La passivation des composants a été effectuée par un dépôt PECVD (Plasma enhanced
Chemical Vapour Depostion) d’une couche de SiN d’épaisseur 240nm. L’architecture de la
structure est représentée dans la figure III.1.b.

Nous résumons les caractéristiques des 3 plaques dans le tableau III.1

a) b)

Figure III.1 : (a) Structure HEMT étudié dans le système AlGaN/GaN (AEC1388), (b) Structure HEMT
étudié dans le système AlInN/GaN (AEC1561).

Plaque AEC1388 AEC1389 AEC1561

Couche barrière AlxGa1-xN AlxGa1-xN AlxIn1-xN /AlN
Epaisseur (nm) 22 22 11/1
Fraction molaire (x) en Al 0,24 0,23 0,81
Epaisseur tampon (GaN) (µm) 1,7 1,15 1,7
Densité de porteurs nS (1013 cm-2) 1,01 1 1,5
Résistance carrée R ( 572 ± 33 478 320 ± 5
Contact Schottky Mo/Au Mo/Au Ni/Au
Contact ohmique Ti/Al/Ni/Au Ti/Al/Ni/Au Ti/Al/Ni/Au
Couches de passivation SiO2/SiN SiO2/SiN SiN

Tableau III.1 : Caractéristiques des plaques AEC1388, AEC1389 et AEC1561

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II-2) Echantillons testés

La structure générale des plaques étudiées est schématisée en figure III.2 : les circuits
principaux comportant les transistors de petites longueurs de grille sont situés dans la croix
centrale de la plaque. Les puces situées dans les 4 quadrants sont des motifs de test, appelés
PCM (Process Control Monitor). Dans ces motifs, on trouve des FATFETs (FAT-Field Effect
Transistors) qui sont des transistors à grande surface de grille, des GTLM (Gated
Transmission Line Method) qui nous servent comme des composants à longueurs de grilles
variables, des transistors à grille unique et à multiples doigts de grille, des Hall pour des
mesures à effet Hall, etc …

Plusieurs types de composants provenant des trois plaques ont été analysés au cours de ce
travail. Nous avons choisi différentes géométries et différentes architectures pour avoir un
maximum d’informations sur les mécanismes de dysfonctionnement. Les échantillons que
nous avons reçus de III-V Lab sont choisis à différents endroits de la plaque. Les transistors
de longueurs de grilles 0,25 µm sont fabriqués avec différentes architectures. On trouve des
composants à deux doigts, à quatre doigts et à huit doigts inter-digités avec la même largeur
WG = 75 µm. Ces composants seront repérés par n x WG x LG avec n le nombre de doigts et
LG la longueur de grille. Les autres, intégrés dans les motifs de test PCM ont des longueurs
de grilles LG variables et de même largeur WG= 125 µm dans le cas des GTLM et une plus
grande longueur de grille LG= 100 µm et WG= 160 µm dans le cas du FATFET. Dans la
figure III.2 nous montrons une image par microscope optique d’un transistor à deux grilles et
une coupe TEM (Transmission Electron Microscopy) sur l’un des deux doigts de grille
effectuée par III-V Lab.

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Figure III.2 : Exemple d’un motif de test (PCM) et une image prise par microscope optique d’un transistor
2x0,25 µm ainsi qu’une coupe TEM sur un doigt de grille du transistor (image TEM III-V Lab).

III) Dysfonctionnements dans les caractéristiques

statiques
L’instabilité des caractéristiques des transistors est généralement liée aux effets parasites des
composants. Ils peuvent être extrinsèques liés à l’environnement extérieur du transistor ou
intrinsèques liés directement au composant lui-même. Ces derniers semblent être une cause
majeure dans la dégradation des performances des HEMTs à base de GaN. Parmi les effets
reportés dans la littérature, nous pouvons citer les plus observés, tels que les
dysfonctionnements liés aux défauts cristallins, à l’auto échauffement du canal ou à
l’ionisation par impact des porteurs. Dans les paragraphes qui suivent, nous décrivons certains
de ces effets en analysant les caractéristiques statiques des transistors à travers les mesures
courant-tension et capacité-tension.

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III-1) Appareillage et développement du cryostat

L’application des polarisations grille-source et grille-drain et la mesure des tensions et des
courants sont réalisées grâce à un analyseur HP 4156A lié à une enceinte cryogénique. Le
système de refroidissement est composé d’un cryostat refroidi à l’azote liquide. Le système
offre une résolution en courant de ±10 fA à ± 100mA et une résolution en température de ±1
K dans une gamme entre 77 K et 500 K.

Les mesures C(V) ont été effectuées à l’aide de l’analyseur Agilent 4284A variable en
fréquence dans la gamme de 20Hz-100MHz. Les boitiers ont été montés dans un cryostat pour
assurer l’obscurité lors de la mesure.

Dans le cas des transistors à faibles longueurs de grilles, les premières mesures du courant
drain-source réalisées dans l’enceinte cryogénique présentaient des phénomènes
d’oscillations. Ce problème d’instabilité semblait affecter les composants puisque les
fluctuations du courant rencontrées lors des mesures dégradaient irréversiblement le courant
après chaque mesure. Pour cela, une grande partie du travail sur les caractéristiques IDS(VDS) a
consisté à adapter le système de mesure à ce type de composants. Dans l’annexe 1, nous
résumons la démarche utilisée pour optimiser le système cryogénique afin d’obtenir une
bonne stabilité dans les caractéristiques IDS-VDS.

III-2) Mesures courant-tension

Les mesures statiques IDS(VDS) peuvent révéler différents mécanismes de défaillance qui
agissent directement sur les caractéristiques de sortie. Dans ce cadre, nous avons focalisé les
mesures sur les transistors de la plaque AEC1388 afin d’analyser plusieurs de ces effets. Nous
commençons par présenter les résultats des caractéristiques IDS(VDS) obtenues en régime
continu et en régime pulsé sur un composant de géométrie 2x75x0.25 µm2. La figure III.5
montre une comparaison des résultats obtenus pour des tensions de grille allant de V GS = -2 V
à -4 V. La limite en courant de l’appareil de mesure ne dépasse passe 100mA, ce qui ne nous
a pas permis d’atteindre des valeurs de tension de grille plus élevées (dans le sens postitif).

Le réseau I(V) obtenu montre un courant de drain plus élevé en régime pulsé comparé aux
mesures continues. Cet effet a été largement étudié dans la littérature et attribué à l’auto-
échauffement du canal lorsqu’il est soumis à des contraintes électriques. La cause primordiale
de cet effet est la génération de chaleur par effet Joule liée au courant drain-source qui se

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Figure III.5 : Comparaison des caractéristiques statiques IDS(VDS) obtenues en régime

continu et pulsé à 300 K.

produit à cause des collisions entre les électrons et le réseau cristallin et le confinement de la
chaleur dans la couche tampon. Cet effet est moins visible pour les fortes tensions de grille car
le courant est moins élevé. Ceci provient du fait que lorsqu’on s’approche de la tension de
pincement, la densité des électrons dans le canal diminue faisant ainsi diminuer la probabilité
de collisions avec le réseau cristallin. Cet effet peut être néfaste dans le cas des HEMTs à base
de substrats à faible conductivité thermique. Dans le cas de nos composants, le substrat SiC
présente un avantage très important vu sa conductivité thermique qui est 4 fois plus grande
que celle du Si et 100 plus grande que celle du saphir.

La figure III.5 montre aussi la présence d’un effet « Kink » pour 4 V < VDS < 6 V. Cet effet se
manifeste par une augmentation brusque du courant de drain pour des tensions VDS > VDSkink :
ce phénomène a été observé précédemment dans le cas des MESFETs à base de GaAs, de
SiC, des MOSFETs sur Si et des HEMTs à base de GaAs et d’InP. Il a été démontré que ce
mécanisme pourrait dépendre de la longueur de grille du transistor et des propriétés physiques
des matériaux épitaxiés. Cet effet est a priori sensible à un fonctionnement sous éclairement
du composant [2] et peut apparaître à différentes valeurs de tension de drain-source VDSkink
[3]. Nous notons plusieurs origines possibles, telles que l’ionisation par impact des porteurs
sous des tensions drain-source élevées [4], la présence d’états de surface de la couche barrière
[5] ou la dynamique des porteurs vis-à-vis de la présence de défauts dans la structure [6, 7, 8,
9].

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Pour étudier ces hypothèses, nous avons effectué des mesures I(V) en régime continu en
fonction de la température pour voir l’évolution de cet effet. La figure III.6 montre une
comparaison entre les réseaux de caractéristiques à 150 K et à 300 K. Durant les mesures,
nous avons observé que l’amplitude du « Kink » dépend du temps d’intégration (temps
d’acquisition) du courant après chaque pas de polarisation drain-source. Pour cela, nous avons
imposé des temps d’intégration assez longs (500ms) pour obtenir une amplitude maximale du
« Kink ». Ceci nous permet de conclure que la notion de temps intervient forcément dans ce
mécanisme, et qu’il est donc lié très probablement à des effets de piégeage/dépiégeage.

Figure III.6 : Caractéristiques statiques IDS(VDS) à 150 K et300 K obtenues en régime continu sur des
transistors 2x75x0.25 µm2.

D’après le réseau I(V), nous pouvons remarquer que cet effet est plus visible à basse
température pour le même champ latéral appliqué entre drain et source puisque l’effet kink
apparaît pratiquement à la même valeur de VDSkink= 4.5 V. Une autre observation peut aussi
attirer l’attention est le fait que l’amplitude du kink dépend de la tension de polarisation V GS
sur la grille. En effet, les mesures à 150 K montrent que l’effet est maximal pour une tension
VGS= -3 V, ceci veut dire que cet effet est plus marquant lorsqu’on s’approche de la tension de
pincement (entre -3 V et -3.5 V).

Revenons à la littérature, R. Vetury [35] a expliqué l’effet kink par la présence d’une grille
virtuelle située entre la grille et le drain. Ce concept de grille virtuelle découle de la non-
compensation de la charge piézoélectrique présente en surface. Comme nous l’avons évoqué
lors de l’étude de l’architecture du composant, la charge positive générée par les espèces
ioniques à la surface de la couche barrière d’AlGaN devrait venir compenser la formation du
gaz 2D. A partir de cette hypothèse, Vetury admet la possibilité que, sous l’action d’un champ
électrique latéral (polarisation drain-source), les électrons injectés par la grille peuvent venir

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

se recombiner avec les états de surface chargés positivement. Dès lors, le gaz 2D dans le canal
ne serait plus compensé par la totalité des charges positives mais par une partie de celles-ci.
Par conséquent, nous allons obtenir une déplétion « locale » du canal sous les zones où les
états « accepteurs » à la surface ont piégé des électrons.

Le même scénario peut expliquer nos résultats. Dans un premier temps, le fait qu’on
s’approche de la tension de pincement, veut dire que la variation du courant à travers le canal
devient sensible à une faible variation de la densité de porteurs. Dans le cas d’un courant
faible, l’effet d’une déplétion par les états remplis à la surface est plus facilement visible. Une
autre hypothèse pour expliquer l’augmentation du kink avec VGS est le courant de fuite de
grille qui augmente. Ceci va favoriser le piégeage d’un plus grand nombre d’électrons en
surface entre grille et drain. Ces états vont alors créer une diminution du courant (collapse)
pour des tensions VDS < VDSkink. Lorsque la tension drain-source dépasse cette valeur, on
assiste à un dépiégeage de ces porteurs sous l’effet du champ électrique, ce qui provoque une
augmentation brutale du courant. La figure III.7 montre le scénario que nous pouvons
imaginer lorsque le composant est perturbé par l’effet des états de surface.

Figure III.7 : Modèle d’un composant (a) non polarisé et (b) sous une polarisation négative sur la grille et une
tension VDS montrant l’apparition d’une grille virtuelle.

La figure III.7.a montre une distribution de charges « normale » lorsque le transistor est non
polarisé. Dans ce cas, l’ensemble des charges du gaz 2D est compensé par les états donneurs
ionisés à la surface. Lorsque le composant est soumis à une polarisation négative sur la grille
et une tension VDS, les électrons injectés vont créer un courant surfacique sous l’effet du
champ électrique latéral entre la grille et le drain. Les porteurs se trouvant du côté de la grille
vont être piégés par ces états ionisés et créer un déséquilibre de charge dans la structure. Dès

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

lors, ce déficit va provoquer une déplétion localisée dans le canal et donc limiter le courant de
drain (figure III.7.b).

Pour obtenir plus d’informations sur ce mécanisme, nous avons réalisé des mesures du
courant IDS en fonction de la polarisation de la grille VGS pour différentes températures. Ces
caractéristiques de transfert ont été effectuées dans le but d’analyser l’évolution de la tension
de seuil du transistor en fonction de la température. Les mesures ont été faites sur des
composants GTLM de géométrie 10x125µm2 pour avoir une meilleure stabilité en courant et
pour nous affranchir des oscillations que nous avons rencontrées dans le cas des petites
géométries. A noter que les caractéristiques IDS(VDS) sur ce type de géométrie n’ont montré
aucun effet kink à la température ambiante.

La figure III.8.a présente les caractéristiques IDS(VGS) pour des températures variant de 100 K
à 300 K. Les mesures ont été effectuées à une tension drain-source VDS= 8 V. Cette tension a
été choisie pour voir l’influence du mécanisme de dépiègeage des porteurs sur la tension de
seuil puisqu’elle correspond selon le réseau IDS (VDS) à une tension légèrement supérieure à
VDSkink.

Figure III.8 : Réseaux de caractéristiques en fonction de la température : (a) I DS(VGS) à VDS= 8 V et (b)
IDS(VDS) à VGS= -3 V.

Les mesures à basse température montrent un décalage dans le sens positif de la tension de
seuil. Ce décalage atteint une valeur maximum de ΔVth= 0.35 V entre 100 K et 200 K. Pour
de plus hautes températures on remarque que ce décalage se réduit et le seuil se rapproche de
la valeur obtenue à 100 K. Cet effet de variation du seuil peut être expliqué par la présence
d’un plan de défauts à l’interface de l’hétérojonction ou à la surface du composant et qui peut
créer une grille virtuelle provoquant ainsi la déplétion du canal. Une des conséquences
directes de ce phénomène est la diminution du courant IDS, qui a été observée pour les

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

températures 150K et 200 K aux alentours de la tension de seuil. En effet, ce phénomène peut
être expliqué par le scénario décrit précédemment où les charges injectées par la grille sont
piégées par les états de surface dans la zone d’accès grille-drain. Dans ce cadre, nous avons
voulu étudier l’évolution en température des caractéristiques IDS(VDS) à VGS = -3 V, voisine
de la tension de seuil d’après les mesures IDS(VGS).

La figure III.8.b montre les caractéristiques IDS(VDS), pour différentes températures, mesurées
à VGS= -3 V et pour un temps d’acquisition du courant égal à 500 ms. Les mesures à basse
température (< 225K) révèlent la présence d’un effet kink. Avant l’apparition du kink, nous
pouvons constater une baisse de courant inhabituelle aux basses températures. Cet
effondrement connu sous le nom de « collapse » du courant peut être également expliqué par
la contribution des états de surface qui piègent les électrons puis finissent par les libérer sous
l’effet du champ électrique appliqué entre grille et drain, d’où le « déclenchement » du kink.

Nous pouvons remarquer aussi d’après le réseau IDS(VDS) que cet effet « collapse » du courant
drain dépend fortement de la température puisque en chauffant l’échantillon, sa contribution
diminue jusqu’à obtenir un comportement normal du transistor à la température ambiante.
Nous avons donc une activation thermique des états de surface.

Notons que dans tous les raisonnements nous avons éliminé l’hypothèse de l’ionisation par
impact des porteurs qui peut induire un effet similaire à une sur-augmentation brusque du
courant et provoquer la dynamique du kink. Mazzenti [45] a montré, par des méthodes de
simulations de courant, que la combinaison des effets de piégeage par les états de surface et
l’ionisation par impact des porteurs pourrait exister simultanément dans le cas des HFET à
base d’AlGaAs/GaAs.

Ces effets parasites, qui dans certains cas agissent simultanément et influent directement sur
les caractéristiques de sortie des transistors, compliquent en général l’interprétation concrète
des mécanismes de dysfonctionnement. C’est pour cela que nous avons choisi dans la suite
une étude capacitive pour interpréter quelques phénomènes observés, liés aux effets de
piégeage, dans les conditions d’équilibre des porteurs.

III-3) Mesures capacité-tension

Comme nous l’avons déjà évoqué précédemment, les mesures capacitives restent une
méthode moins complexe pour expliquer quelques phénomènes responsables des anomalies

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

présentes dans les caractéristiques de sortie des transistors. Avec ce type de mesures nous ne
serons pas confrontés à plusieurs effets tels que l’auto-échauffement, les effets de survitesse
des électrons dans le canal et l’ionisation par impact des porteurs.

Dans cette partie, nous allons effectuer une étude cryogénique de la capacité en fonction de la
polarisation inverse CGS(VGS) sur des FATFET 100x160 µm2 de la plaque AEC1388. Ce type
de géométrie a été choisi car la capacité mesurée est 400 fois plus grande que celle des
transistors à faible longueur de grille. Les mesures ont été réalisées entre la grille et la source
du composant à une fréquence de 1MHz. La figure III.9.a montre l’évolution de la capacité
pour différentes températures allant de 100 K à 500K avec un pas de 25 K. A basse
température, le changement brusque de la capacité entre -3 V et -3.5 V correspond à la
déplétion totale du gaz 2D dans la zone interfaciale de l’hétérojonction AlGaN/GaN. Lorsque
la température augmente, cette zone s’étale de plus en plus vers les tensions plus positives et
la capacité diminue au fur et à mesure qu’on chauffe l’échantillon. Ceci provient de
l’augmentation du courant de fuite de grille (tunnel et autres) à haute température qui entraine
une accumulation des porteurs dans la couche barrière limitant l’effet de la déplétion du gaz
2D.

Figure III.9 : (a) Mesures en fonction de la température de la capacité CGS(VGS) sur un FATFET 100x160 µm2
et (b) représentation en 3D de la variation de la capacité dC/dV en fonction de V GS à différentes températures

Nous pouvons aussi remarquer un décalage de « la queue » des caractéristiques pour les
tensions -4 V<VGS< -3.5 V. Par rapport à la mesure à 100 K, ce décalage varie dans le sens
positif des tensions puis au delà de 250 K revient dans le sens négatif. Pour mieux observer
cet effet, nous avons représenté en 3D sur la figure III.9.b la dérivée de la capacité par rapport
à la tension inverse dCGS/dVGS (pF/V) pour les différentes températures. Le maximum de la

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

courbe correspond au point d’inflexion de la capacité à l’hétérointerface donc à la tension de

seuil du transistor. A partir de ce graphe nous pouvons distinguer le décalage positif de la
tension de seuil à basse température. En effet, nous remarquons qu’entre la mesure à 100 K et
celle à 150 K, le seuil s’est décalé vers la droite d’une valeur de +100 mV puis à partir de 175
K revient vers la valeur initiale. Nous assistons au même phénomène que celui observé dans
le paragraphe précédent lors de l’extraction de la tension de seuil à partir des mesures
IDS(VGS). En revanche, le décalage observé par cette méthode capacitive |ΔVth C-V | reste
inférieur à celui obtenu par les mesures de courant |ΔVth Id-Vg | qui était de l’ordre de 350 mV.

Le comportement similaire des deux mesures montre qu’un même mécanisme est responsable
du décalage de la tension de seuil. Cet effet semble provenir des états de surface responsables
de la déplétion locale du canal puisque dans les mesures CGS(VGS) les effets tels que
l’ionisation par impact ou l’auto-échauffement du canal ne peuvent pas intervenir.

L’évolution du pic des courbes dCGS/dVGS nous montre aussi certains effets qui
accompagnent la déplétion du gaz 2D au voisinage de la tension de seuil. Dans la figure
III.10.a, nous avons tracé dCGS/dVGS en fonction de VGS pour les températures comprises
entre 100 K et 300 K.

Figure III.10 : dC/dV en fonction de VGS à différentes températures (a) entre 100 K et 300 K avec un pas de
50 K et (b) entre 300 et 500 K avec un pas de 100 K.

Nous pouvons clairement remarquer le décalage de la tension de pincement entre 100 K et

150 K puis le retour à la même valeur à 300 K. La diminution de l’amplitude du pic peut être
expliquée par une variation plus lente de la capacité. Ceci provient d’une baisse de la mobilité
des porteurs dans le gaz 2D lorsque la température augmente et surtout lorsqu’on s’approche
de la tension de pincement. Les mesures de magnétorésistance effectuées par Antoszewski et
al. [12] ont montré que la mobilité des porteurs dans le canal peut diminuer d’un facteur 10

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

lorsque qu’on s’approche de la tension de pincement. Selon d’autres travaux, la chute de la

mobilité des porteurs a été attribuée à plusieurs facteurs tels que la rugosité de la surface et de
l’interface AlGaN/GaN. Il a été démontré que l’inhomogénéité du cristal à l’interface pourrait
induire des fluctuations de potentiel très localisées qui influent beaucoup sur les propriétés du
gaz 2D [13, 14]. Nous allons aussi montrer lors de l’étude du courant de grille (voir chapitre
IV) que les fluctuations locales du potentiel de surface peuvent induire plusieurs effets
indésirables sur la qualité du contact Schottky.

Les courbes dCGS/dVGS de la figure III.10.b montrent un épaulement et l’apparition d’un autre
pic autour de VGS= -3.2 V lorsque la température dépasse 400 K. Ce pic indique la présence
d’un autre plan d’accumulation de charges au voisinage de l’interface du côté de la couche
barrière. La présence de ces porteurs dans la couche barrière peut avoir des conséquences
néfastes sur le confinement du gaz 2D puisqu’on assiste à une délocalisation des électrons de
l’interface vers la couche tampon de GaN et vers la couche d’AlGaN. Ce passage de porteurs
pourrait être à l’origine de plusieurs effets tels que le passage par effet tunnel des électrons à
travers la barrière à haute température et/ou le piégeage des porteurs par activation thermique
des centres profonds dans cette couche.

Un autre effet qui pourrait être lié à la qualité de l’interface a été observé en effectuant des
mesures « aller-retour » de la capacité en augmentant puis en diminuant la tension. La figure
III.11 montre un effet d’hystérésis observé à 230 K lors des mesures C GS(VGS). La mesure de
retour (de -4 V à 0 V) montre une diminution de la capacité lorsqu’on s’approche de la
tension de pincement autour de VGS= -3.4 V. Ce comportement provient très probablement
d’une accumulation de charges dans des centres recombinants ailleurs que dans le canal lors
de sa déplétion (mesure de 0 à -4 V).

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Figure III.11 : Mesures d’hystérésis de la capacité CGS à 230 K pour

des tensions VGS comprises entre -4 V et -3 V.

Récapitulatif

Au cours de ces mesures statiques, nous avons pu voir certains effets que nous avons trouvés
marquants pour expliquer quelques aspects liés aux dysfonctionnements des transistors.

Nous avons vu que les caractéristiques statiques en régime continu présentent un courant IDS
plus faible que celui obtenu en régime pulsé. Cet effet, généralement observé dans ce type de
composants, provient de l’auto-échauffement du canal.

Avec l’étude en température, nous avons observé un effet kink dans les caractéristiques
IDS(VDS) et un décalage de la tension de seuil Vth lors des mesures IDS(VGS). Ces effets sont
plus significatifs à basse température. Plusieurs hypothèses peuvent être à l’origine de ces
anomalies parmi lesquelles nous retenons les effets de piègeage par les états de surface et
l’ionisation par impact des porteurs sous l’action du fort champ électrique entre grille et drain.
Le même comportement de la tension de seuil a été observé lors des mesures de la capacité
CGS(VGS) à basse température.

L’effet hystérésis mesuré à 230 K sur les courbes CGS(VGS) et l’accumulation des charges aux
hautes températures à l’hétérointerface du côté de la couche barrière témoignent de la
présence de centres recombinants à l’interface AlGaN/GaN.

C’est dans cette logique que nous avons opté pour une étude plus approfondie sur les
mécanismes liés aux dysfonctionnements de nos composants. Cette étude sera l’objet de la

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

partie suivante qui va porter sur une analyse spectroscopique de transitoire des centres
profonds par la technique DLTS et qui nous permettra de clarifier certaines hypothèses.

IV) Spectroscopie des défauts dans les HEMTs :

IV-1) Etude des HEMTs AlGaN /GaN de la plaque AEC1388 : DLTS
en capacité
Comme il a été remarqué au chapitre précédent, la variation de la capacité de grille ou du
courant de drain dans les structures de HEMTs peut être directement liée au phénomène de
piégeage des porteurs par des défauts. Cet effet influe sur le fonctionnement du composant
mais la nature et la localisation de ces défauts ne sont pas élucidées à ce stade. La DLTS en
capacité constitue un outil avancé de spectroscopie pour extraire les propriétés de ces défauts.
Il est toutefois nécessaire de vérifier la validité de cette technique dans le cas des structures
HEMTs.

IV-1-1) Validité de l’étude capacitive sur les HEMTs

La DLTS en capacité possède une bonne résolution pour discriminer différents types de
pièges ainsi qu’une bonne précision pour le calcul de la concentration des défauts. Cependant,
il faut noter que cette technique est sensible à tous les pièges situés dans la zone de déplétion,
donc à la couche barrière en premier lieu. Ainsi la détection des pièges dans la couche tampon
ou dans le canal reste difficile, car elle nécessite l’utilisation de tensions inverses proches de
la tension de seuil pour lesquelles le gaz 2D est déplété, ce qui induit une grande résistance en
série avec la capacité de la diode et rend la mesure difficile voire impossible. Dans ce cas, il
est également impératif que le courant inverse de la diode Schottky soit extrêmement faible.
Si ce n’est pas le cas, cela induit la présence de porteurs dans la zone de déplétion et un
mauvais confinement des électrons dans le gaz 2D. La stratégie est alors de choisir les
échantillons avec le minimum de courant de fuite de grille afin de pouvoir étudier les défauts
aux interfaces des couches barrière/tampon.

D’autres problèmes peuvent se poser d’un point de vue pratique et remettre en cause la
validité de la mesure, tel que le niveau de dopage du semiconducteur. En effet, si le
semiconducteur n’est pas fortement dopé, la résistance en série avec la capacité de la diode
n’est pas négligeable et induit un premier régime transitoire de constante de temps RC à la fin

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

de l’impulsion de remplissage, avant le transitoire de vidage des pièges que nous cherchons à
analyser. Il s’agit de ne pas confondre cette constante de temps avec un transitoire de capture
des porteurs par les pièges.

L’exemple dans la figure III.12 illustre la présence d’un transitoire parasite de sens opposé au
transitoire d’émission des pièges mesuré à 170 K. Ce transitoire inverse d’une dizaine de
milliseconde peut provoquer de grandes erreurs dans le cas où la fenêtre de mesure du
transitoire d’émission des pièges est inférieure à cette valeur.

Figure III.12 : Exemple d’un transitoire mesurée à 170 K sur un FATFET précédé d’un
transitoire parasite de sens opposé dû à la résistance série.

Pour s’affranchir des effets néfastes de la prise en compte accidentelle de ce transitoire

parasite, nous avons ajouté un décalage temporel tadd dans le temps total d’acquisition par
l’électronique de mesure pour déclencher le transitoire juste au moment où la vraie émission
des pièges commence. Ce décalage, noté t0, dépendra du temps ajouté pour déclencher la
mesure du transitoire :

t0= tboonton + 4ts+ tadd

où tboonton est le temps donné à l’électronique de mesure pour acquérir la mesure par le
capacimètre, ts est défini par tw/N, avec N le nombre de points constituant le transitoire, tw est
la fenêtre de mesure et tadd est le délai ajouté dans le temps de recouvrement.

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

IV-1-2) Extraction de la signature des pièges

Pour cette étude, les mesures DLTS ont été effectuées sur des diodes Schottky de surface 100
µmx160 µm qui sont les grilles des FATFET des motifs PCM. La capacité est mesurée entre
le contact de grille et le contact de la source ou drain. La gamme de température est comprise
entre 77 K et 500 K. Les diodes choisies possèdent des courants de fuite n’excédant pas
quelques centaines de nanoampères à -3 V (tension proche du seuil). Ainsi, nous avons pu
sonder la zone de charge d’espace proche de la couche tampon. La durée d’impulsion de
remplissage a été fixée à 10 ms et la mesure du transitoire a été moyennée sur une dizaine de
seconde pour minimiser le bruit. La rampe en température a été suffisamment lente pour
garantir l’homogénéité de la température de l’échantillon avant chaque mesure de transitoire.

Les mesures DLTS sur la première série d’échantillons, ont permis de mettre en évidence six
défauts appelés A, B, C, D, E et F. Un spectre correspondant est représenté dans la figure
III.13.

Figure III.13 : Spectre DLTS-coefficient b1 – d’un FATFET (AEC1388). Les

tensions inverse et l’impulsion de remplissage sont respectivement égales à -3V
et 0V. La durée d’impulsion est de10ms et la fenêtre de mesure est de 10ms. Le
spectre expérimental est simulé à partir des signatures extraites reportées dans le
tableau ci-dessous.

Les signatures typiques de l’ensemble des pics DLTS observés pour un échantillon sont
représentées sur la figure III.14 et les paramètres des pièges sont rassemblés dans le tableau
III-1. Il est à noter qu’un spectre similaire a été obtenu pour 3 autres échantillons de même
géométrie.

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Figure III.14 : Diagrammes d’Arrhenius pour les pièges A, B, C, D, E et F

mesurés pour un FATFET.

Défaut Ea (eV) σ (cm²) NT (cm-3)

A 0.15 9.0x10-19 5.3x1013
B 0.21 1.1x10-18 4.4x1013
C 0.12 1.1x10-22 5.4x1013
D 0.42 1.8x10-18 1.4x1014
E 0.5 1.3x10-18 2.7x1014
F 0.94 2.4x10-14 9.9x1015
Tableau III.2 : Energies d’activation, sections efficaces de capture et
concentration des six pièges

Au cours des mesures, nous avons choisi une durée d’impulsion qui n’assure pas la saturation
des pièges, ce qui permet de maintenir la condition NT<<ND, nécessaire pour avoir un
transitoire de capacité le plus proche possible d’une exponentielle.

Dans ce tableau nous remarquons une valeur de σ très faible pour le pic C, ce qui n’est pas
significatif car pour ce défaut l’ajustement du spectre aux valeurs expérimentales est peu
sensible à la valeur de σ.

La comparaison des défauts observés avec ceux reportés dans la littérature permet d’avoir
une idée sur la nature de ces pièges. A ce propos, les défauts A, B et C de faible énergie
d’activation et en faible concentration ont été reportés comme étant des défauts ponctuels
présents soit à la surface de la barrière, soit à l’interface barrière/tampon [15]. Or la technique
utilisée par Mizutani et al. s’appuient sur la DLTS courant, les défauts ponctuels observés
agissent donc sur le courant de drain dans le canal. En revanche, la DLTS capacité est une

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

technique sensible aux pièges situés dans la zone de déplétion, surtout dans la couche barrière,
et la détection des défauts ponctuels en faible concentration à l’interface reste difficile voire
impossible. De plus les mesures en DLTS courant qui seront décrites dans le paragraphe III
sur la même plaque n’ont montré aucun défaut de ce type. Les défauts A, B et C seraient donc
plutôt des défauts à la surface de la barrière.

Les niveaux D et E avec des énergies d’activation autour de 0.45 eV et en concentration plus
forte peuvent être attribués aux états d’interface [16]. En effet, Polyakov et al. ont montré que
dans le cas des hétérostructures AlGaN/GaN, il existe des niveaux de défauts qui dépendent
de la composition en Aluminium de la couche d’AlGaN et suggèrent que de tels pièges se
trouvent à l’interface de l’hétérojonction. Il a été démontré que ce niveau peut atteindre
jusqu’à 0.8 eV à des forts pourcentages en Al. La section efficace peut varier de 1,2x10 -18 cm2
(du même ordre de grandeur que notre mesure) jusqu’à 1,2 10-12 cm2.

Finalement, concernant le défaut F, un niveau similaire a été observé dans plusieurs études
sur de fines couches de GaN élaborées par différentes technologies [17, 18]. Ce piège a été
reporté aussi dans les structures HEMTs AlGaN/GaN par des mesures du courant de fuite de
drain à différentes températures ainsi que par des mesures DLTS courant. Il est le plus
souvent associé aux défauts étendus et aux dislocations [19, 20].

IV-1-3) Nature et localisation des pièges

Nous avons vu dans le paragraphe précédent que la DLTS en capacité est liée directement à la
modulation de la zone de charge d’espace. C’est pour cela que les conditions de mesures
permettent de favoriser l’extraction de certains pièges parmi d’autres. En effet, le changement
de la polarisation inverse sur la grille nous permet de sonder plus ou moins la structure en
jouant sur la profondeur de la zone de déplétion. Pour étudier plus précisément la localisation
des pièges dans la structure, des mesures DLTS avec différentes tensions de polarisation ont
été effectuées (cf fig. III.15). Pour toutes les mesures, la fenêtre de mesure a été fixée à 10ms
et la durée d’impulsion à 20ms. La décroissance du pic principal (D, E, F) avec la diminution
de la tension inverse montre que les défauts dominants dans la structure sont plus actifs à
l’interface.

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105
 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Figure III.15 : Spectre DLTS-coefficient b1 –FATFET (AEC1388). La tension de

remplissage est maintenue à 0 V alors que la tension inverse est augmentée
depuis -1,5 V jusqu’à -3 V. Le durée d’impulsion est de10ms et la fenêtre de
mesure est de 10ms.

En effet, le changement de la polarisation inverse de -3V (tension proche du seuil) jusqu’à

-1.5V implique la modulation de la zone de charge d’espace allant de la déplétion du gaz 2D à
l’interface jusqu’à la couche barrière AlGaN. Ces mesures confirment l’attribution de ces
défauts (D, E, F) à des pièges à l’interface ou dans la couche tampon, ce qui a été démontré
dans la littérature.

Le décalage des spectres vers les hautes températures peut être expliqué par l’effet Poole-
Frenkel. En effet, le champ électrique dans la zone entre grille et source est plus grand à
VGS=-3V qu’à VGS=-1.5V. Néanmoins, supposer que l’effet Poole-Frenkel est le seul
mécanisme responsable du décalage des spectres DLTS n’est qu’une hypothèse. Cela
nécessite une étude complémentaire du comportement du contact de grille avec le champ
électrique. Le chapitre IV sera dédié à cette analyse et nous permettra d’interpréter ce
phénomène.

La nature des défauts a été également étudiée en analysant la dépendance de l’amplitude du

signal DLTS avec la durée de l’impulsion de remplissage. L’évolution du maximum du pic,
C max , est relevée en fonction de la durée de l’impulsion pour chaque température
correspondant aux différents pics. La figure III.16 présente cette étude pour une fenêtre de
mesure maintenue constante à 10 ms.

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Figure III.16 : Evolution des pics A, B, C, D, E et F avec la durée de

l’impulsion de remplissage. . Les tensions inverse et de remplissage sont
respectivement égales à -3V et 0V. La fenêtre de mesure est de 10 ms et
les températures de mesure correspondent aux maxima des taux
d’émissions des défauts.

Une saturation rapide est obtenue à partir d’une durée d’impulsion de 70 µs pour tous les
défauts. Ce comportement est typique des défauts ponctuels. Néanmoins, pour quatre des
défauts observés (F, B, D, E), une nouvelle augmentation du signal apparait pour des durées
de remplissage plus longues (entre 1 ms et 100 ms). Comme cette évolution est relativement
longue, cela pourrait être attribué à un comportement de défauts étendus [21, 15]. Cette
contradiction apparente entre deux natures différentes pour un même défaut pourrait être
expliquée par la présence de défauts étendus, pour l’instant des dislocations à l’interface
AlGaN/GaN décorées par des défauts ponctuels. En effet, la migration des défauts ponctuels
vers les défauts étendus durant la croissance pourrait se traduire par la forte concentration de
ces premiers aux alentours des dislocations. La saturation des défauts ponctuels est beaucoup
plus rapide que celle des défauts étendus. En effet, le remplissage d’un défaut étendu devient
de plus en plus difficile au fur et à mesure que celui-ci se charge. En d’autres termes la
hauteur de la barrière du piège augmente. Nous observons donc la saturation rapide des
défauts ponctuels dispersés dans la couche puis la saturation plus lente de ces mêmes défauts
lorsqu’ils sont au voisinage d’un défaut étendu.

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

IV-2) Etude des HEMTs AlGaN/GaN de la plaque AEC1389 :

IV-2-1) DLTS en capacité

Les structures mesurées dans le cadre de cette étude ont été choisies selon les mêmes critères
que pour la plaque AEC1388 (géométries, courant de fuite…). La figure III.17 montre le
spectre DLTS obtenu pour une polarisation inverse VGS= -3.5 V au lieu de -3 V utilisée pour
la plaque AEC1388, car la tension de seuil est un peu plus élevée dans le cas de ces
composants. La durée de remplissage de 100 ms au lieu de 10 ms semble améliorer la qualité
du signal sans modifier sa cinétique puisque selon la figure III.16 cette valeur de temps
d’impulsion intègre un maximum de chargement du défaut étendu. La fenêtre de mesure reste
tw= 10 ms. La température maximale a été réduite à 350 K à cause de quelques problèmes
dans le système de chauffage.

Figure III.17 : Spectre DLTS-coefficient b1 – de FATFET (AEC1389). Les

tensions inverse et de remplissage sont respectivement égales à -3.5V et 0V. La
durée d’impulsion est de100 ms et la fenêtre de mesure est de 10 ms.

On peut remarquer que les pics A, B, C et D présents dans la structure AEC1389 sont
similaires à ceux de la plaque AEC1388. Ceci nous permet de conclure sur la similarité des
pièges présents dans cette plaque.

Dans cette partie nous étudions plus précisément le défaut majoritaire D, commun aux deux
plaques, avec une énergie d’activation autour de 0.47 eV. Pour cela, l’amplitude de
l’impulsion de remplissage a été modifiée en maintenant la tension inverse Vr constante et
l’amplitude du signal du pic majoritaire a été suivie (fig. III-18-a).

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

a) b)

Figure III.18 : (a) Amplitude du pic D à 310K en fonction de la tension de remplissage à tension inverse constante
(noir) et mesure de la capacité duFATFET (AEC1389) à 310K (bleu-cercles pleins).(b) digramme de bande à
l’interface métal/semiconducteur et mécanisme de remplissage des défauts en fonction de la tension de remplissage.

Nous remarquons que le signal DLTS continue d’augmenter depuis l’interface, quand la
déplétion du gaz 2D est totale (tension seuil autour de -3.5V), jusqu’à la couche barrière.
Cette mesure montre que la densité des pièges croit de plus en plus lorsque l’impulsion de
tension sur la grille va vers le sens positif.

En effet, comme nous le montrons dans la figure III.18.b, lorsque l’impulsion de remplissage
Up est proche de la polarisation inverse Vr la densité des pièges remplis est assez faible. Tant
que l’impulsion de remplissage abaisse le niveau de Fermi, la densité des états remplis
augmente faisant croitre le signal DLTS. Comme le signal continue à augmenter jusqu'à Vp=
0 V, ceci peut nous donner une idée sur l’étendue de ce défaut. De plus, nous avons montré
précédemment que ce type de défaut provient d’une dislocation proche de l’interface de
l’hétérojonction. Avec la mesure ci-dessus nous pouvons conclure que cette dislocation n’est
pas seulement localisée à l’interface mais traverse toute la couche barrière jusqu’à la surface.
Ce mécanisme peut produire plusieurs types d’anomalies dans le fonctionnement des
composants. Ces dislocations traversantes peuvent surtout être directement impliquées dans le
mécanisme régissant le courant de fuite. Ce phénomène sera étudié plus en détail dans le
chapitre 4.

A noter qu’un effet de dégradation a été observé au cours de nos mesures sur la majorité des
composants étudiés. Cet effet se manifeste par l’augmentation irréversible du courant de fuite
de grille entre deux mesures successives. Pour cela, nous avons suivi la variation du courant

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

de fuite de grille avec la température durant deux rampes successives de mesures DLTS. Sur
la figure III.19 lors de la première mesure, nous observons une augmentation normale du
courant quand la température augmente jusqu’à 325 K. A partir de cette température, le
courant de fuite de grille croit brusquement d’une manière irréversible.

Figure III.19 : Evolution du courant de fuite de grille pour une

polarisation inverse à-3.5V lors d’une rampe en température de la mesure
DLTS

Pour s’assurer que la dégradation provient bien de la grille, nous avons mesuré le courant de
fuite de grille dans le composant entre grille et source puis entre grille et drain et nous avons
trouvé le même courant (environ -200nA).

L’effet sur les spectres DLTS est aussi marquant, puisqu’un changement au niveau des pics
est constaté sur la figure III.20. Ainsi, les pics A et B ont disparus, laissant place à un pic
négatif qui apparait vers 180 K. Une hypothèse peut expliquer ce changement : le courant de
fuite sous la grille croit en faisant augmenter la probabilité de passage des porteurs par
d’autres mécanismes, tels que l’augmentation de la densité des dislocations sous la grille ou le
passage par effet tunnel dû à la dégradation du contact Schottky. L’apparition d’un pic négatif
n’est pas attendue dans un dispositif à porteurs majoritaires (électrons), puisque ce
comportement serait dû à des transitoires correspondants à l’émission de trous. Toutefois, il a
été montré dans les systèmes AlGaAs/GaAs [23, 24, 25] que les états de surfaces ou
d’interface des régions d’accès peuvent produire ce type de signal. Ce problème des états de
surface ou d’interface dans les zones d’accès des transistors illustre l’intérêt des mesures
DLTS en courant sur le courant de drain. En effet, ce transitoire inversé pourra être observé
lorsque la surface des zones d’accès est petite par rapport à celle de la grille, comme dans une
structure Schottky pour les mesures en capacité. Dans le paragraphe suivant, nous allons

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

aborder la DLTS en courant et nous verrons le changement que peuvent provoquer la

dimension et la géométrie des composants.

Figure III.20 : Changement du spectre DLTS entre la première et la deuxième

mesure effectués les deux à une polarisation inverse à -3.5V, un pulse à 0V d’une
durée de 100 ms et une fenêtre de mesure de 10 ms.

IV-2-2) DLTS en courant de drain

IV-2-2-1) Rôle de la technique
Etant donné que les dysfonctionnements des HEMTs sont liés directement au transport de
charges, il est naturel d’utiliser des méthodes spectroscopiques basées sur les transitoires de
courant comme analyse des niveaux de défauts de ces composants. Comme le montre le
chapitre 2, il est possible d’examiner les mécanismes d’émission des pièges qui créent des
transitoires de courant en utilisant les mêmes techniques d’analyse spectroscopique que pour
les transitoires de capacité. Toutefois, des considérations supplémentaires doivent être prises
en compte lors de l’analyse.

Bien que la technique DLTS en courant existe depuis longtemps, elle a été beaucoup moins
utilisée que la DLTS capacitive en raison d’une moins grande précision dans la détermination
des propriétés des centres profonds. Cette imperfection vient en particulier du caractère
dynamique de la mesure des porteurs de charge en mouvement alors que la DLTS capacitive
est réalisée à l’équilibre. Ainsi les énergies d’activation et les sections efficaces de capture
seront dépendantes du champ électrique drain source et drain grille dans une structure de
transistor à effet de champ. La détermination des concentrations de piège est également

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

extrêmement délicate. Ceci est dû au fait qu’il est difficile de déterminer l’épaisseur du
matériau sur laquelle les pièges participent au signal DLTS.

Toutefois, comme nous l’avons vu, un des aspects le plus critique lors de la mesure en DLTS
est le point de polarisation du composant. En effet, pour l’étude des pièges dans la couche
tampon, il est nécessaire d’utiliser une tension inverse très proche de la tension de seuil de
façon à ce que le niveau de Fermi passe au-dessous du niveau des pièges. Ceci induit une
résistance en série importante qui fausse les mesures des transitoires capacitifs. Cette
limitation par une grande résistance série n’existe pas pour les analyses en DLTS courant. De
plus l’intérêt principal de cette mesure réside dans la possibilité d’effectuer des mesures sur
des composants finis de faibles surfaces de grille plutôt que sur des structures tests.

IV-2-2-2) Résultats en ID-DLTS

(a) Signatures des défauts
Suivant les travaux de Valois et Adlerstein [26, 27], les mesures ID-DLTS ont été effectuées
en tension constante sur le drain en appliquant une impulsion sur la grille. La grille est
maintenue à une polarisation inverse proche du seuil pour que tous les niveaux de pièges
passent au-dessus du niveau de Fermi, puis polarisée à 0 V pour remplir ces états pendant
l’impulsion de remplissage. Pour s’affranchir des effets de l’auto-échauffement, les cycles de
mesures ont été réduits par rapport aux mesures en capacité. La rampe de température utilisée
va de 77 K jusqu'à 350 K.

La figure III.21 montre un spectre ID-DLTS d’un transistor à huit grilles inter-digitées de
longueurs 0.25 µm. Deux pics principaux ont été observés. Le défaut E1 correspond à une
énergie d’activation de 0.25 eV et une section efficace apparente de 2.6x10-20 cm2 et le défaut
E2 correspond à un niveau à 0.31 eV et une section efficace apparente de 1.6x10-19 cm2.

Dans la littérature, le défaut E1 a été identifié par Tan [44] comme étant du à des états de
surfaces responsables du courant de fuite à travers la grille. Ce mécanisme de fuite est fondé
sur un effet de saut des porteurs (hopping) via des états de surface entre la grille et le drain.
Les états créés par les liaisons pendantes et/ou les contaminations de la surface sont
susceptibles d’être la cause de cet effet de « hopping ». Le fort champ électrique latéral
favorise également le passage des charges par effet tunnel vers la périphérie de la grille, là où
le champ électrique est le plus élevé. Il a été démontré aussi que l’éclairage de la surface par

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Figure III.21 : (a) Spectre DLTS en courant-coefficient b1- d’un transistor Lg=0.25 µm à 8 doigts de grilles
(AEC1389). Les tensions inverses et de remplissage sont respectivement égales -3.6 V et 0 V et la tension sur
le drain est de 4V. La durée de remplissage est de 1s et la fenêtre de mesure est de 1s. La simulation du
spectre expérimental est faite avec les paramètres des deux défauts extraits du diagramme d’Arrhenius(b).

une lumière visible renforce cette conduction et fait apparaitre des comportements similaires à
une augmentation de la température. Pour étudier l’effet de la surface de la grille, nous avons
effectué des mesures en faisant varier la géométrie des composants.

La figure III.22 montre les spectres ID-DLTS mesurés pour quatre composants de géométries
différentes. Le spectre (a) correspond à un transistor de 0.25 µm de longueur de grille avec 8
doigts de grilles inter-digités. Le spectre (b) est celui d’un transistor de même longueur de
grille mais avec deux doigts de grille. Les spectres (c) et (d) correspondent à un GTLM de
longueur de grille 10 µm et un FATFET de longueur de grille 100 µm. La polarisation du
drain est maintenue à 4V pour tous les composants et les mesures ont été effectuées avec la
même fenêtre de mesure et la même durée de remplissage. Le rapport du signal DLTS sur le
courant injecté a été choisi comme outil de comparaison vu que le courant total qui traverse le
canal dépend de la géométrie du composant.

Deux pics majoritaires de signe positif ont été observés sur les structures de petites LG. Le
défaut appelé E1 en particulier n’apparaît que dans ce cas. En effet, le transfert de charge par
effet tunnel ou par hopping favorisé par le champ électrique latéral, est beaucoup plus
important dans ces structures. De plus, dans le cas des structures inter-digitées présentant un
grand développement, les effets d’émissions périphériques autour de la grille sont favorisés.
Dans ces conditions, le transfert de charge du niveau de Fermi du métal vers les états de
surface est plus facile pour un rapport périmètre/surface plus faible.

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Le shift du pic E1 vers les hautes températures, dans le cas des transistors à 8 grilles inter-
digitées en comparaison avec la structure à 2 grilles inter-digités, peut être expliqué par le fait
que cette géométrie pourrait modifier le champ électrique autour des périphéries des doigts de
grilles. Ceci conduit à la modification du mécanisme d’ionisation du défaut à proximité du
contact. Mitrofanov [39] a montré que ce niveau à 0.2 eV est sensible à l’effet Poole-Frenkel,
c'est-à-dire que son énergie d’activation apparente peut changer en fonction du champ
électrique sous la grille. Il a également montré qu’en faisant varier le champ électrique latéral
appliqué sur le drain, les signatures de ce défaut peuvent changer, ce qui pourrait expliquer
que ces états de surface sont actifs dans les zones d’accès drain-grille.

Figure III.22 : (a) Spectre DLTS en courant-coefficient b1- d’un transistor Lg=0.25µm à 8 doigts de grilles
(AEC1389), (b) spectre d’un transistor lg=0.25µm à 2 grilles, (c) spectre d’un GTLM de Lg=10µm et(d)
spectre d’un FATET Lg=100µm. Les tensions inverses et de remplissage son respectivement égales -3.6 V et
0 V. La tension sur le drain est de 4 V. La durée du remplissage est de 1 s et la fenêtre de mesure est de 1 s.

(b) Propriétés du défaut H1

Pour les transistors de plus grandes dimensions de grille un pic négatif correspondant à un
défaut nommé H1 est observé. Ce défaut H1 a une énergie d’activation de 0.24 eV et une
section efficace apparente de capture de 3.7x10-19 cm2, extraites à partir du diagramme
d’Arrhenius de la figure III.23. Il est similaire au piège observé avec les mesures capacitives
lors de la deuxième rampe (figure III.20). Comme nous l’avons évoqué au paragraphe 2-1 du
chapitre, ce niveau peut être attribué aux états de surface des régions d’accès. Comme cela a
été déjà décrit dans la littérature, ce piège ne peut pas être observé lorsque la surface des
zones d’accès est petite par rapport à celle de la grille [23]. En effet, pour les zones d’accès à
large périmètre, l’accumulation de charges autour de celles-ci peut former une distribution
parasite jouant le rôle d’une grille virtuelle couplée au métal de grille par l’injection latérale

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

des charges. Le pic négatif correspond alors à une baisse du courant de drain provoquée par
ces états de surfaces. Plusieurs travaux ont étudié cette diminution du courant de drain appelée
effet collapse du courant de drain. Vetury a montré que la principale cause de ce phénomène
vient de la grille virtuelle, située dans la zone d’accès grille-drain [64]. En raison des fortes
polarisations sur la grille, les états de surfaces proches de celle-ci piègent les porteurs, ce qui
induit une grille virtuelle à charges négatives et diminue les performances en courant de drain
du composant. Meneghesso et Hasegawa ont montré en utilisant des mesures du courant sur
la grille et sur le drain qu’un même type de défaut à 0.3 eV peut produire plusieurs effets de
dispersions dans le courant [31, 32].

Figure III.23 : diagramme d’Arrhenius du piège H1 mesuré dans un

FATFET de la plaque AEC1389

Nous terminons cette étude par celle du défaut E2 commun et à la même température pour
toutes les géométries.

(c) Propriétés du défaut E2

Suivant la littérature, un défaut d’énergie d’activation 0.31 eV est communément attribué aux
dislocations sous le contact de grille. Le suivi du pic DLTS avec le temps de remplissage
permet de vérifier la nature du piège. La figure III.24 montre l’évolution du pic E2 en
fonction du temps de remplissage à sa température d’émission pour un FATFET. Nous
pouvons remarquer que le signal commence à augmenter pour des temps de remplissage
relativement longs (10 ms) et que l’amplitude du pic continue à augmenter jusqu'à 10 s de
durée de remplissage. La dépendance logarithmique avec tp entre 60 ms et 3 s est typique du
modèle de piégeage par les dislocations décrit par Omling et al. [15] et aussi démontré par
Chatterjee [21].

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Figure III.24 : Dépendance logarithmique du pic E2 à 275K avec la durée

de remplissage. Les tensions inverse et de remplissage sont respectivement
égales à -3.6 V et 0 V. La tension sur le drain est de 4 V. La fenêtre de
mesure est de 1s.

Le comportement des dislocations a toujours été un problème qui induit plusieurs mécanismes
de dysfonctionnement dans les HEMTs, tels que l’augmentation du courant de fuite de la
grille, la dégradation du courant de drain et le mauvais confinement du gaz 2D [33]. Ce type
de défaut peut agir comme un réservoir de porteurs, provoquer une accumulation de charges
et ainsi dépléter le canal pour baisser le niveau de courant dans le transistor. Qian [34] a
montré en utilisant la microscopie électronique par transmission (TEM) que ces dislocations
peuvent se propager du substrat jusqu’aux couches épitaxiées et déboucher en surface.
Comme nous l’avons vu au paragraphe 2-1 du chapitre, l’extension spatiale de ces
dislocations peut être analysée par DLTS. Pour cela, l’évolution du pic correspondant a été
suivie en faisant varier la tension de remplissage. La figure III.25 présente cette mesure pour
le défaut E2. Nous pouvons constater que le signal est logiquement nul pour une tension de
remplissage égale à la tension inverse, puis l’augmentation devient significative dès que la
tension de remplissage croît. En mettant les mesures de dC/dV à la même échelle de tension
mais en polarisation inverse, nous pouvons comparer l’évolution du signal en fonction de la
zone de déplétion. En effet, la déplétion du gaz 2D s’étale pour une polarisation inverse entre
-4 V et -3 V et le point d’interface de l’hétérojonction AlGaN/GaN est au maximum du pic à -
3.5 V. Nous remarquons que le signal DLTS augmente à partir de ce point, continue à croitre
en traversant la couche barrière et finit par saturer à la surface. Ceci nous montre que la
dislocation est active à l’interface et traverse la couche barrière AlGaN jusqu'à la surface, ce
qui est en accord avec l’observation TEM faite par Qian [34].

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Figure III.25 : Evolution du pic E2 à 275K en fonction de la tension de

remplissage et variation de la capacité en fonction de la tension inverse
dC/dV qui présente un pic de changement de capacité à l’interface

Il faut noter aussi que la dimension du composant joue un rôle prépondérant par rapport au
nombre de dislocations actives : plus on augmente la surface et plus le nombre de dislocations
actives augmente. Pour vérifier ce point, des mesures du pic E2 en fonction de la polarisation
sur le drain ont été effectuées sur deux géométries différentes, à savoir un FATFET de
longueur de grille 100 µm et un GTLM de longueur de grille 10 µm. La figure III.26 montre
l’évolution du signal DLTS du pic avec la tension VDS. La durée de remplissage a été
maintenue à 1 s, la fenêtre de mesure est de 1 s et la polarisation inverse de -3.8 V.

Figure III.26 : Evolution du pic E2 à 275K en fonction de la tension V DS sur le drain

pour deux géométries de composants FATFET (Lg= 100µm) et GTLM (Lg= 10 µm).

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

On peut remarquer que le signal du pic est constant pour VDS compris entre 1 V et 3 V puis il
croit dans le cas du FATFET. Cette augmentation pourrait être expliquée par le fait qu’à plus
fort champ électrique (VDS> 3 V), l’injection des porteurs augmente à travers la zone d’accès
grille-drain et l’accumulation des charges dans les dislocations, réparties dans la couche
barrière et à l’interface, est favorisée par ce fort champ. Quand on réduit la géométrie, le
nombre de dislocations est plus faible, la saturation de ces pièges devient plus facile et ne
nécessite pas un fort champ électrique pour charger les niveaux des défauts.

IV-3) Etude des HEMTs AlInN/GaN de la plaque AEC1561

Comme il a été mentionné dans le chapitre 1, une grande partie de la recherche sur les
HEMTs à grand gap est actuellement axée sur la substitution de la barrière AlGaN par une
barrière AlInN. La motivation pour un tel changement, au moment où les HEMTs
AlGaN/GaN commencent à être commercialisés et prêts pour l’utilisation, est due aux
performances prometteuses montrées par la filière AlInN. Toutefois, bien que ses
performances soient tout à fait respectables et que certaines sont comptées parmi les
meilleures rapportées dans la littérature, d’importants progrès dans la qualité cristalline des
matériaux doivent être accomplis pour améliorer les performances et la stabilité de ces
dispositifs. A ce jour, l’étude des défauts dans ce système d’hétérostructure reste très limitée.

En général, les pièges à la fois dans la couche barrière et dans la couche tampon ainsi qu’à
l’hétérointerface sont des sites dans lesquels les porteurs peuvent être attirés, entraînant des
effets de grilles virtuelles, des réductions de courant et des dispersions en fréquence. Les
dislocations sont connues comme des centres qui peuvent collecter ces pièges et former
d’autres complexes [35, 36].

L’analyse faite en DLTS courant dans cette partie nous a permis d’avoir une idée sur la nature
et le rôle des défauts présents dans les composants à base d’AlInN. La figure III.27 montre un
spectre DLTS, sur un composant FATFET, effectué à trois différentes fenêtres de mesures. La
polarisation sur le drain était maintenue à 1.5 V et la durée de remplissage à 1 s.

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Figure III.27 : (a) Spectres DLTS en courant-coefficient b1- d’un FATFET AlInN/AlN/GaN (AEC1561).
Les tensions inverses et de remplissage sont respectivement égales -2 V et 0 V et la tension sur le drain
est de 1.5 V. La durée du remplissage est de 1 s. Les mesures sont faites pour trois fenêtres de mesures
différentes, 100 ms, 500 ms et 1 s. Le diagramme d’Arrhenius (b) permet d’extraire une énergie
d’activation de 0.365 eV.

La signature extraite à partir du diagramme d’Arrhenius donne une énergie d’activation de

0.36 eV et une section efficace de capture de 1.4x10-19 cm2. A notre connaissance, dans la
littérature, aucun niveau similaire n’a été observé jusqu’alors dans les hétérostructures à base
d’AlInN/AlN/GaN.

Pour déterminer la nature de ce défaut, les mêmes méthodes de mesures effectuées sur les
structures AlGaN/GaN ont été employées. L’évolution du pic du défaut avec le temps de
remplissage sur la figure III.28 montre une augmentation du signal à partir d’une durée
d’impulsion relativement longue (10 ms). L’amplitude continue à croitre jusqu’à une durée de
10 s. A nouveau, cette dépendance logarithmique du signal est typique de l’émission
provenant des dislocations.

Figure III.28 : Dépendance logarithmique du pic du signal DLTS courant à 265K avec la
durée de remplissage. Les tensions inverse et de remplissage sont respectivement égales à
-2 V et 0 V. La tension sur le drain est de 1,5 V. La fenêtre de mesure est de 1 s

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

L’étude approfondie des conséquences de ces dislocations sur le comportement de la Schottky

sera traitée dans la chapitre IV où nous allons montrer que ce type de pièges participe au
courant de fuite sous la grille. Le modèle que nous présenterons montrera que le transport via
ces dislocations est dominé par l’effet Poole-Frenkel. Cet effet est également fortement
présent dans les HEMTs AlGaN/GaN.

Revenons maintenant aux résultats démontrés précédemment en DLTS courant sur les
structures AlGaN/GaN. Nous avons montré l’existence d’un niveau de dislocation à 0.31 eV
qui provient de la couche tampon et qui traverse la couche barrière. Ce résultat est a priori
semblable à celui illustré dans les structures AlInN/AlN/GaN. Pour confirmer ce point, nous
avons comparé les spectres en DLTS courant des deux types de structures. La figure III.29
montre une coïncidence des deux spectres avec un léger shift du pic L1 vers les hautes
températures qui correspond à la structure à base d’AlInN. Ce décalage induit une différence
de 55 meV en énergie. Certaines hypothèses peuvent expliquer cette faible différence en
énergie. En effet, appliquer des tensions inverses proches du pincement, pour dépiéger les
défauts à l’interface, nécessite un plus fort champ électrique dans le cas des structures à base
d’AlGaN que dans les structures à base d’AlInN. Par conséquent, l’effet Poole-Frenkel est
plus marquant dans le premier cas. De plus, nous avons remarqué que le désaccord de maille à
l’interface AlGaN/GaN provoque une polarisation piézoélectrique qui favorise encore plus
l’émission des pièges assistés par le champ électrique. Ce phénomène est beaucoup moins
marqué dans le cas des HEMTs AlIN/AlN/GaN vu que l’accord de maille est un grand
avantage pour minimiser cet effet et garder un bon confinement des porteurs du gaz 2D.

Figure III.29 : Comparaison des spectres DLTS en courant des FATFET AlGAN/GaN et
AlInN/AlN/GaN pour une fenêtre de mesure de 1s.

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120
 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Nous avons conclu dans la partie précédente que le défaut E2 provient des dislocations dans la
couche tampon et qu’il traverse la couche barrière jusqu'à la surface. La même nature du
défaut L1 nous laisse dire que ces centres existants dans la structure à base d’AlGaN
provoquent les mêmes conséquences sur la dégradation des HEMTs à base d’AlInN, voire
plus dramatiques au niveau du courant de fuite sous les contacts Schottky. Nous montrerons
également dans le chapitre suivant que ce niveau de dislocation qui traverse la couche barrière
AlInN peut induire un important courant de fuite.

En comparant les spectres DLTS, nous remarquons l’absence du pic H1 dans les structures à
base d’AlInN. Ceci vient confirmer un avantage de ces composants par rapport aux HEMTs à
base d’AlGaN. En effet, ces nouveaux composants semblent d’ores et déjà des bons
successeurs pour s’affranchir des effets du « gate lag » par rapport à leurs prédécesseurs. Les
derniers travaux effectués ont montré que la réduction du « gate lag » vient de la réduction des
effets des grilles virtuelles qui est directement lié aux nombres de porteurs piégés à la surface
du semi-conducteur ou à l’intérieur de la barrière. Ces grilles virtuelles qui étaient amplifiées
dans le cas des HEMTs AlGaN à cause du champ piézoélectrique, sont de moins en moins
actives puisque ce champ est minimisé dans les structures à base d’AlInN [37, 38, 39].
Kuzmik a montré que l’insertion de la couche mince d’AlN au cours de la croissance
provoque une diminution du champ électrique dans la barrière et par conséquent une baisse du
taux de génération des défauts de surface.

L’étude des pièges dans les dispositifs nous conduit naturellement à une discussion de leur
fiabilité. En effet, lorsque le composant est sous polarisation, notamment dans le cas des
nitrures à caractère piézoélectrique, la dégradation peut évoluer avec l’apparition des défauts
supplémentaires dans la structure. A ce titre, le paragraphe suivant sera dédié à l’étude de
certains mécanismes physiques provenant des tests de vieillissement accélérés des
composants.

V) Etude de la fiabilité des HEMTs à base de GaN

La fiabilité des dispositifs à base de GaN représente le plus grand obstacle face à la
commercialisation de cette technologie. Bien que de grands progrès aient été réalisés, dans la
mesure où certains constructeurs sont satisfaits d’une durée de vie supérieure à 107 heures [40,
41], quelques problèmes majeurs restent à résoudre dans la fabrication. En effet, la durée de
vie des composants provenant d’une même plaque diverge [42, 43]. Le défi est donc de

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

pousser les dispositifs à atteindre de plus longues durées de vies avec le même taux d’échec
pour toute une population de composants.

D’un point de vue statistique, la mesure de la fiabilité va permettre d’établir la reproductibilité

d’un procédé. Ainsi, dans le domaine des composants, c’est le pourcentage de dégradation du
composant par rapport à ses caractéristiques de départ qui va définir cette fiabilité.

Cependant, le problème de la fiabilité réside dans la difficulté d’interprétation à moins que les
mécanismes spécifiques de dégradation soient bien reconnaissables. Dans le GaN, il semble y
avoir plusieurs chemins de dégradation qui jouent un rôle prépondérant dans le
dysfonctionnement des composants.

Afin de déterminer la durée de vie des composants, des tests de stress (ou tests de
vieillissement) sont utilisés. Ils permettent d’estimer la durée de vie d’une population sans
avoir recours à des temps de mesure élevés, grâce à une accélération du vieillissement des
transistors. Divers essais peuvent dévoiler ces mécanismes de défaillance. Il s’agit de
soumettre les composants à des conditions de polarisations spécifiques et des températures de
tests relativement élevées mais raisonnablement choisies pour que la hausse des températures
ne soit pas le seul mécanisme irréversible de défaillance.

Pour tirer des conclusions sur la dégradation au cours des tests de vieillissement, il est
nécessaire d’étudier l’évolution des paramètres des transistors tels que le courant de saturation
du drain (IDSS), la tension de pincement (Vp) ou la transconductance Gm. Notons qu’il est aussi
important d’inclure d’autres paramètres tels que les résistances d’accès et les caractéristiques
des contacts qui peuvent aider à identifier correctement les mécanismes de défaillance. Enfin,
en plus de la contrainte électrique sur le dispositif, les essais environnementaux sur les
composants encapsulés permettent de vérifier la robustesse du produit aux vibrations, à
l’humidité, aux chocs (c'est-à-dire à la décharge électrostatique), à la pression…

Notre travail s’est focalisé sur deux aspects de dégradations qui peuvent être en liaison directe
avec les mécanismes de génération de défauts par ces tests. Le premier sera l’évolution du
courant de saturation du drain (IDSS) avec le temps pour différentes températures de stress. Le
second illustrera l’impact des tests de vieillissement sur le contact Schottky et sera présenté
dans le chapitre suivant. Avant toute chose, nous allons présenter les résultats de dégradation
des composants observés lors des tests de vieillissement qui nous permettront par la suite de
mieux interpréter nos résultats.

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

V-1) Observation et interprétation des tests de vieillissement

effectués à III-V Lab
Dans le projet CARDYNAL, les tests de vieillissement sur les transistors ont été effectués
principalement par III-V Lab sur les trois plaques AEC1388, AEC1389 et AEC1561. Les
vieillissements des grandes géométries (FATFET) ont été réalisés à l’IMS. Nous en
présentons ici les résultats marquants.

Concernant la plaque AEC1389, plusieurs transistors 8x75µm ont subi des stress en tension
continue pendant une durée de 2000 à 3500 heures. Quatre types de conditions de stress ont
été appliqués à une même polarisation et quatre différentes températures du canal. Elles sont
récapitulées avec l’abréviation de chaque test comme suit :

HTOT175 : Tcanal = 175°C, VDS = 25 V, IDS = 417 mA/mm

HTOT250 : Tcanal = 250°C, VDS = 25 V, IDS = 417 mA/mm

HTOT275 : Tcanal = 275°C, VDS = 25 V, IDS = 417 mA/mm

HTOT320 : Tcanal = 320°C, VDS = 25 V, IDS = 417 mA/mm

Durant les tests HTO, la puissance dissipée a été maintenue constante en contrôlant la tension
VGS. La figure III.30 montre l’évolution du courant de saturation IDSS à VGS = 0 V avec la
durée du vieillissement.

Phase 1 Phase 2 Phase 3

Figure III.30 : Evolution du courant de saturation de drain I DSS avec la durée de stress
des transistors de la plaque AEC1389. La dégradation significative du courant
apparait pour les tests de vieillissements effectués à hautes températures. L’énergie
d’activation est calculé à -15 % de dégradation du courant IDSS [Référence].

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Nous remarquons une décroissance du courant au tout début du test (première phase) puis, à
la suite d’un plateau, une dégradation significative à partir de 120 heures pour les tests à plus
hautes températures (troisième phase). Les mesures électriques faites après ces tests ont
montré une grande évolution du « drain lag » et du « gate lag » ainsi qu’une augmentation
d’un facteur 2 au niveau du bruit basse fréquence 1/f [44]. Par conséquent, nous pouvons dire
que la température a joué un grand rôle dans la dégradation des performances de ces
composants.

La dégradation semble activée thermiquement avec une énergie de 0.6 eV calculée pour une
décroissance de 15% du courant IDSS.

La figure montre également une phase intermédiaire (phase 2) après la baisse du courant
pendant les premières heures, une récupération est visible dans le cas du test HTO 175°C et
elle devient de moins en moins significative jusqu'à sa disparition pour le HTO 320°C. Cet
effet peut être dû à un mécanisme de défauts lié à la température, qui piègent les porteurs dans
les premières heures puis qui finit par les dépiéger au cours de cette phase.

Plusieurs travaux ont été effectués pour expliquer la première et la troisième phase de
dégradation qui conduisent à une baisse significative du courant de saturation de drain. Les
mécanismes impliqués pour expliquer l’effet de la dégradation sont principalement :

 Pour des courtes durées de stress [46], le piégeage des électrons chauds (hot electron)
dans la couche barrière et la génération de défaut à l’interface AlGaN/GaN après un
stress à canal ouvert pendant une durée d’une heure [46].

 la génération d’un courant de trous sous l’effet de l’ionisation par impact des
électrons à forte énergie dans la zone d’accès grille-drain [47]

 l’augmentation de la densité des défauts dans la zone d’accès grille-drain à cause du

champ électrique localement fort dans cette zone qui génère des électrons chauds
après 3000 heures de stress [48]. Ce fort champ électrique provoque un effet
piézoélectrique inverse dans cette zone et les défauts créés réduisent fortement la
densité du gaz 2D et donc le courant de saturation de drain [49].

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Pour analyser le degré de dégradation provoqué par les tests de vieillissement, une
observation TEM a été effectuée par III-V Lab sur des transistors qui ont subit des tests HTO
équivalents à ceux de la plaque AEC1389. La figure III.31 montre un endommagement du
cristal sous la grille du côté drain. Cette fissure traverse la couche barrière jusqu'à la couche
GaN. La couche de passivation SiO2 à la surface semble aussi endommagée autour du défaut.

50 nm

Figure III.31 : Image TEM d’une coupe transversale, du côté du drain, d’une grille d’un transistor à
huit doigts de grille de la plaque AEC1388. Le transistor a subi un test HTO 275°C de 473heures.

Des défauts similaires ont été déjà reportés dans la littérature [50, 51]. Dans ces travaux, il a
été démontré que dans le cas des HEMTs AlGaN/GaN soumis à de fortes polarisations, un
grand champ électrique apparait sous la grille du coté du drain. Ceci peut induire un grand
stress mécanique qui s’ajoute à la compression due au désaccord de maille. Lorsque l’énergie
élastique dépasse une valeur critique, des défauts cristallographiques peuvent apparaitre. Ce
mécanisme est connu sous le nom d’effet piézoélectrique inverse.

Afin de mieux comprendre la nature des défauts engendrés pendant le vieillissement, nous
avons effectué des mesures DLTS qui sont présentées dans la suite.

V-2) Mise en évidence par DLTS des défauts générés lors du

vieillissement des FATFETs
Étant donné que la DLTS capacitive n’est pas réalisable avec les faibles valeurs de capacité
que présentent les transistors 8x75x0.25 µm2, nous avons opté pour des mesures DLTS sur
des FATFETs. Pour cela, des tests de vieillissement ont été effectués à l’IMS pendant 481

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

heures, sous une polarisation de grille maintenue à VGS = -1 V et une tension VDS = 25 V sur
le drain.

Les résultats obtenus montrent le même comportement observé lors de la deuxième phase de
stress pour les HEMTs vieillis à III-V Lab, au cours de laquelle le courant de saturation de
drain subit une augmentation au cours du vieillissement. La figure III.32 montre l’évolution
du courant de saturation de drain IDSS ainsi que le courant de fuite de grille IGS au cours du
test.

Figure III.32 : (a) Evolution du courant de drain IDS d’un FATFET vieilli à 481 heures. Durant le stress la polarisation
de la grille a été maintenue à VGS = -1 V et la tension du drain à VDS = 25 V. (b) Evolution du courant de fuite de grille
IGS au cours du test de vieillissement.

Pendant le stress, l’augmentation du courant de drain est accompagnée d’une baisse du

courant de fuite de grille. Cette évolution peut s’expliquer par l’augmentation du nombre de
porteurs dans le canal et par la baisse du flux des électrons injectés de la grille jusqu'à la
source. Deux principaux mécanismes peuvent justifier ces phénomènes. Le premier,
expliquant la baisse du courant de fuite de grille, implique la présence d’électrons chauds
injectés dans la zone d’accès grille-drain et accumulés entre la surface de la barrière et la
couche de passivation. Ce mécanisme induit une baisse de la densité des électrons libres et par
conséquent une diminution du flux du courant injecté par la grille [52, 47]. Le deuxième
mécanisme, expliquant la hausse du courant IDS, implique la génération d’un niveau donneur
sous l’effet du fort champ électrique dans la zone d’accès grille-drain, qui entraîne
l’accumulation des électrons dans la couche barrière qui finissent par être injectés par effet
tunnel dans le canal.

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Pour vérifier les hypothèses mentionnées plus haut, nous avons effectué des mesures de
DLTS en capacité sur ce FATFET avant et après vieillissement. Les mesures après
vieillissement ont été faites du coté source et du coté drain afin d’observer l’impact des tests
sur la dégradation du composant. La figure III.33 montre les spectres DLTS normalisés
mesurés dans les mêmes conditions. La polarisation inverse sur la grille a été maintenue à
VGS (VGD) = -3.5 V, l’impulsion de remplissage à 0 V pour une durée de 20 ms et la fenêtre
de mesure à 20 ms. Comme nous pouvons le remarquer, le pic vers 350 K qui correspond au
défaut D, précédemment trouvé dans les structures non vieillies, est toujours présent après les
tests de stress du coté grille et du coté drain.

Nous avons vu dans le paragraphe 2-1 que ce niveau correspond à un défaut étendu
uniformément réparti dans la couche barrière. Les amplitudes comparables lors des mesures
côté source et coté drain révèlent de une répartition latérale homogène. Nous pouvons donc
raisonnablement attribuer le défaut D à un niveau de dislocations sous la grille.

Le point marquant est la différence importante liée au vieillissement qui est observable entre
230 K et 280 K :

(i) Pour la mesure entre grille et source, nous constatons simplement un élargissement
asymétrique du pic principal. Cet élargissement peut s’expliquer par un épaulement
côté basse température dû à l’apparition d’un niveau de défaut dans la zone de charge
d’espace sous la grille mais avec une densité assez faible.

(ii) Pour la mesure grille-drain, le résultat est marquant puisqu’un nouveau pic vers 250
K apparaît clairement sur la figure. L’analyse permet en fait de distinguer 2 pics dont
le diagramme d’Arrhenius et les signatures sont présentées dans la figure III.34.

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Figure III.33 : Evolution du spectre DLTS du FATFET vieilli pendant 481 heures à une température 175°C. Les
mesures ont été effectués à VGS = -3.5 V, une impulsion de remplissage de 0 V d’une durée de 20 ms et une fenêtre
de mesure de 20 ms.

Figure III.34 : Diagramme d’Arrhenius et tableau des signatures des pièges T1 et T2 correspondant au
pièges générés dans la zone d’accès grille-drain dégradée après les tests de stress.

Nous pouvons conclure alors que ces deux niveaux à 0.53 eV et 0.59 eV apparaissent à
l’extrémité de la grille dans la zone d’accès grille-drain. En accord avec les dégradations
constatées après des courtes ou des longues durées de stress, nous confirmons que la
dégradation du composant vient de l’endommagement de la zone d’accès grille-drain. Ce
mécanisme peut alors être expliqué par le deuxième scénario invoqué auparavant qui implique
la génération de centres donneurs en forte densité localisés du côté du drain. Jusqu’à
aujourd’hui, plusieurs études effectuées pour comprendre les mécanismes de dégradation dans

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

les HEMTs à base d’AlGaN/GaN ont essayé d’étudier ce défaut autour 0.5 eV qui a été
reporté dans de nombreux travaux [48, 53, 54, 55, 56]. La simulation de Di Lecce a montré
que ce piège qui se trouve à 0.5 eV de la bande de conduction peut s’étendre dans la couche
barrière jusqu’à l’interface AlGaN/GaN. Il faut noter que les conclusions de tous ces travaux
récents sont incertaines quant à la nature de ce défaut. Selon certains il se comporte comme un
centre accepteur alors que pour d’autres il se manifeste comme un centre donneur. Nos
mesures DLTS ont montré qu’il s’agit non seulement d’un centre donneur discret mais aussi
d’une mini-bande d’énergie qui se divise en deux niveaux donneurs autour de 0.5 eV.

A noter que l’hypothèse de la création d’un centre accepteur à la surface reste toujours à
étudier. Dans ce cas, les mesures en DLTS courant seront un moyen efficace pour voir le
comportement de ce types de défauts à la surface puisque les mesures capacitives n’ont pas
permis d’exploiter les niveaux accepteurs qui se présentent comme des pièges à trous dans un
semiconducteur de type n.

Pour résumer le mécanisme induit par ce défaut, nous avons imaginé que ce centre pourrait
être considéré comme un réservoir de charges sous la grille qui accumule les porteurs injectés
par la grille puis finit par les dé-piéger au cours du test de stress. Le scénario imaginé est
schématisé dans la figure III.35.a. En effet, le flux des électrons injectés par la grille semble
être favorisé par le passage du côté drain plutôt que du côté source à travers les défauts qui
attirent ces porteurs. Dans ce cas, on assiste à une baisse du courant de fuite grille-source. Ces
électrons injectés et accumulés par les différents niveaux de pièges seront ensuite transférés
par effet tunnel jusqu'au canal. Ceci induit l’augmentation du courant de drain au cours du
stress. La figure III.35.b montre un schéma de bande simplifié qui permet d’expliquer ce
mode de conduction à travers les défauts générés par la dégradation. A noter que ce
mécanisme ne se produit qu’au cours du stress et que l’effet réel est mesuré à la fin du test de
vieillissement. Sur ce FATFET vieilli à 481 heures, nous avons observé, après le test, une
dégradation de 10% du courant statique de saturation de drain IDSS mesuré en continu et à
canal ouvert.

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

Figure III.35 : (a) Mécanismes d’injection des porteurs à canal ouvert (V GS = -1 V et VDS = 25 V). Les flèches
montrent la circulation des électrons dans la structure. Le flux des porteurs injectés par la grille est plus grand
vers le drain que vers la source via les niveaux T1 et T2. (b) Le diagramme de bande simplifié montre que les
niveaux T1 et T2 peuvent être assimilé à un réservoir de charges qui favorise le passage tunnel des électrons
injectés de la grille jusqu’au canal de conduction via la barrière.

VI) Conclusion
Nous avons montré dans ce chapitre deux aspects liés aux mécanismes de défaillance dans les
HEMTs à base de GaN. Dans un premier temps, nous avons montré à partir des mesures
statiques I(V) et des mesures de capacité que certains effets apparaissent lors des mesures en
température. Ces anomalies qui sont à l’origine du kink du courant ou du décalage de la
tension de seuil Vth dans les caractéristiques de courant sont susceptibles d’être liées au
mécanisme de piégeage/ dépiégeage des porteurs par des niveaux de défauts répartis dans les
couches épitaxiées du composant.

Le but de la deuxième partie du chapitre était d’effectuer une étude approfondie de ces
mécanismes pour extraire les signatures de ces défauts par DLTS. Avec la spectroscopie en
capacité, nous avons pu mettre en évidence la présence de certains défauts profonds
provoqués par des dislocations à l’hétérointerface et d’autres plus superficiels très
probablement localisés à la surface du composant. Nous avons utilisé la DLTS en courant
pour étudier le comportement des pièges en fonction de la géométrie du composant. Nous
avons vu que certains défauts apparaissent dans les structures à grilles interdigités de faibles
dimensions dont la géométrie spécifique pourrait favoriser les effets de périphérie de grille.
Ceci favorise le passage d’un courant par saut de porteurs via les états de surface sous l’effet
du champ électrique latéral. D’autres pièges à comportement accepteur sont actifs lorsqu’on
utilise des composants à plus grande surface de grille. Ces niveaux provoquent une
diminution du courant drain-source par la création d’une grille virtuelle à la surface du

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

composant. Nous avons aussi identifié un niveau de dislocation qui traverse la couche
barrière, un niveau commun aux systèmes AlInN et AlGaN.

Dans la troisième partie du chapitre nous avons présenté les résultats des tests de stress HTO
effectués à différentes températures par III-V Lab sur des transistors 8x75µm. Les résultats
ont montré une dégradation du courant drain-source après les tests de vieillissement ce qui a
été confirmé, avec une coupe TEM, par un endommagement du cristal sous la grille du côté
drain. L’analyse DLTS sur un FATFET vieilli à 481 heures à l’IMS a montré aussi la
génération d’un niveau donneur qui correspond à un défaut localisé dans la zone grille-drain
du composant.

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 Chapitre III : Caractérisations des défauts dans les HEMTs

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

I) Introduction
L’étude des mécanismes physiques responsables des dégradations des transistors HEMTs
s’appuie sur plusieurs phases de caractérisations. L’analyse du contact Schottky de ce type de
dispositifs est l’une des étapes indispensables pour la compréhension des effets qui limitent
les performances des composants (courant de fuite, abaissement de la barrière …). Dans ce
chapitre, nous effectuons une étude du courant de grille en direct et en inverse. Nous
décrivons dans chacun des cas l’ensemble des mécanismes intervenant dans le transport des
charges à travers la barrière métal-semiconducteur (MS) en insistant sur le comportement de
la hauteur de barrière dans les différents cas étudiés.

Cette étude est complémentaire de celle effectuée sur les défauts au chapitre précédent
puisque nous sommes confrontés directement à l’intervention de certains de ces pièges dans
les mécanismes de transport à travers les contacts Schottky. Le comportement du contact
Schottky est étudié dans le cas des transistors non vieillis ainsi que dans le cas des
composants qui ont subi des tests de dégradation. Nous analysons l’effet des conditions des
tests sur la stabilité des contacts et nous discuterons des phénomènes susceptibles d’expliquer
l’origine des mécanismes de conduction parasite.

II) La Barrière Métal-Semiconducteur

II-1) Le modèle Schottky idéal
La hauteur de barrière Schottky (barrière de potentiel pour les électrons, dans le cas d’un
semiconducteur de type n) est due à la différence entre le travail de sortie du métal (m) et
l’affinité électronique du semiconducteur (s). Le travail de sortie du métal correspond à
l’énergie minimale nécessaire pour extraire un électron situé au niveau de Fermi (E FM) et
l’amener au niveau du vide, sans vitesse initiale. Dans le cas du semiconducteur, le niveau de
Fermi est une donnée extrinsèque dépendante du dopage du semiconducteur. On définit ainsi
l’affinité électronique (s) ; elle correspond à l’énergie minimale à fournir à un électron situé
au bas de la bande de conduction pour l’extraire du semiconducteur et l’amener dans le vide,
sans vitesse initiale.

La figure IV.1 présente le schéma de bandes du métal et du semiconducteur, avant et après le

contact Schottky, à l’équilibre thermodynamique. Dans notre cas, le semiconducteur utilisé

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

est le nitrure de gallium qui est naturellement de type n. Par conséquent, il est nécessaire
d’utiliser un métal dont le travail de sortie est supérieur à celui du semiconducteur pour
obtenir une barrière Schottky.

(a) (b)
Figure IV.1 : Diagramme énergétique du contact métal/semiconducteur (a) avant contact (b) après contact.

L’alignement des niveaux de Fermi lorsque le système est à l’équilibre thermodynamique

implique une courbure des bandes de conduction et de valence dans le semiconducteur. La
hauteur de barrière Schottky s’écrit alors :

 B  M   S (IV-1)

Le processus de transfert de charge se fait par la migration des électrons du semiconducteur

vers le métal, laissant des ions donneurs ionisés près de l’interface MS. Le dipôle électrique
résultant va progressivement s’opposer à la migration des électrons jusqu'à ce que l’équilibre
des charges soit atteint. A ce moment là, un potentiel de surface Vd (potentiel de diffusion),
correspondant à la différence entre les travaux de sortie des deux matériaux, va fixer cet état
d’équilibre. A noter que ce mécanisme définit dans le cas des transistors HEMTs le contact
d’électrode de grille dont le rôle est de moduler la densité d’électrons dans le canal.

II-2) Le modèle de Bardeen

Dans ce qui précède, nous avons totalement ignoré la présence des états de surface qui jouent
un rôle très important dans les mécanismes de transport à travers la grille d’un transistor. En
effet, à la surface du semiconducteur, la coupure abrupte du réseau périodique est à l’origine

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

d’un grand nombre d’états électroniques localisés avec des niveaux d’énergie discrets dans la
bande interdite. La stabilité des états électroniques en surface peut alors être obtenue par
l’adsorption d’atomes étrangers, comme l’oxygène, entrainant l’oxydation de la surface.

En 1947, Bardeen a montré que ce concept peut induire le blocage (« pinning » en anglais) du
niveau de Fermi qui va rester en bas de la bande vide d’états de surface quel que soit le
dopage du semiconducteur. Cet effet va provoquer une courbure des bandes à la surface et le
niveau de Fermi sera maintenu horizontal à l’équilibre thermodynamique. Chaque état de
surface est soit donneur, c'est-à-dire neutre lorsqu’il est occupé et positivement chargé s’il est
vide, soit accepteur, c'est-à-dire neutre lorsqu’il est vide et négativement chargé lorsqu’il est
occupé. La distribution des donneurs et accepteurs dépend de la composition chimique de
l’interface. On définit le niveau neutre 0 comme le niveau d’énergie le plus haut des états
occupés, dans le cas où la surface est neutre.

En fait, le concept de base de ce modèle introduit l’existence d’une couche d’interface (très
fine (de 2 à 10 Ǻ) qui se présente comme une couche d’oxyde ou d’impuretés qui peuvent se
déposer à l’interface MS lors de l’élaboration des contacts. Si la densité d’états d’interface est
très forte, le passage des porteurs du semiconducteur vers le métal à travers cette couche ne va
pas déplacer la position du maximum des états occupés et le niveau de Fermi va rester bloqué
près de 0. Ainsi, au contact des deux matériaux, l’échange de porteurs se fait non plus entre
le métal et le semiconducteur mais entre le métal et les états d’interface. Le métal n’agit plus
sur la courbure de bandes et la hauteur de la barrière Schottky est alors fixée par le blocage du
niveau de Fermi, comme le montre la figure IV.2. Dans ce cas, la hauteur de barrière s’écrit :

qB  E g  q0 (IV-2)

Figure IV.2 : Diagramme énergétique du contact métal/semiconducteur en présence

d’états de surface.

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II-3) Le modèle général

Nous appelons modèle général du contact MS, un modèle avec un contact pourvu d’une
densité de surface dans le semiconducteur et éventuellement d’une couche interfaciale. Le
concept de base de ce modèle introduit l’existence d’un dipôle dû aux états de surface. On
définit ainsi la densité des charges correspondantes QSS par [1]:

QSS  qDS ( E g  q0  q B ) (IV-3)

Où DS ([Link]-2) est la densité d’états de surface. Dans ce modèle, Cowley et Sze [2] ont
inclut la sensibilité de la barrière Schottky au travail de sortie du métal. Dans ce cas la hauteur
de barrière en présence d’états d’interface MS s’écrit :

q B   (qM  q S )  (1   )( E g  q0 ) (IV-4)

Où

i
 (IV-5)
 i  q 2 DS 

Avec εi la permittivité de la couche interfaciale isolante. Le paramètre sans dimension γ varie

entre zéro et l’unité et dépend de la densité des états de surface. Si qDSδ<<εi, alors γ se
rapproche de l’unité et l’équation se ramène à la limite de Schottky. Si qDSδ>>εi, alors γ se
rapproche de zéro et l’équation se ramène à la limite de Bardeen.

Une autre approche, développée par Kurtin et al. [3], considère que la présence d’états de
surface est relié au caractère « ionique-covalent » du semiconducteur. Cette ionicité est
mesurée par la différence d’électronégativité des constituants du matériau. Ainsi, ils
définissent le paramètre S qui représente la sensibilité de la barrière Schottky B au travail de
sortie du métal M pour différents semiconducteurs (ioniques et covalents). Cet indice est
donné par :

d B
S (IV-6)
d M

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Pour les semiconducteurs covalents comme le Si ou pseudo-covalents comme le GaAs, le

paramètre S est très faible (proche de zéro) impliquant que la hauteur de barrière est peu
sensible au travail de sortie du métal : ainsi le blocage du niveau de Fermi est favorisé.

En revanche, pour les matériaux les plus ioniques comme les nitrures d’éléments III, qui
présentent une différence d’électronégativité des éléments supérieure à 1 eV, le paramètre S
s’approche de 1 et tout se passe comme si le niveau de Fermi n’était pas bloqué en surface.

Cependant, plusieurs travaux dans la littérature [4, 5, 21, 7] ont montré une contradiction avec
les observations de Kurtin. En effet dans les hétérostructures d’AlGaN/GaN, la polarisation
spontanée et piézoélectrique de la couche d’AlGaN génère deux plans de charges opposés de
part et d’autre de la surface. Dès lors, pour que la structure soit parfaitement stable, ces plans
de charges peuvent être des centres recombinants liés à d’autres espèces ioniques créant ainsi
les états de surface, ce qui expliquerait le blocage du niveau de Fermi.

III) Mécanismes de conduction dans un contact M-S

Contrairement aux jonctions PN où le transport du courant est dû aux porteurs minoritaires,
dans un contact Schottky les processus de conduction sont essentiellement dus aux porteurs
majoritaires. Plusieurs mécanismes sont à l’origine de ce transport et peuvent se manifester
simultanément ou séparément, en polarisation directe ou inverse. Nous décrivons dans la
figure IV.3 ci-dessous et dans ce qui suit les principaux mécanismes de transport de charge à
travers une barrière Schottky.

Figure IV.3 : Principaux mécanismes de conduction des électrons dans un contact

Schottky sous polarisation (a) directe et (b) inverse.

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Polarisation directe :

(1) Le courant direct provient des électrons ayant une énergie supérieure à celle de la
hauteur de barrière de potentiel. Lorsque la température est suffisante, le flux
d’électrons qui provient de l’intérieur du semiconducteur est émis au dessus de la
barrière, ceci est connu sous le nom de phénomène d’émission thermoïonique.

(2) Lorsque la température d’utilisation est suffisante pour que les électrons atteignent la
zone étroite de l’interface MS, les porteurs peuvent passer à travers la barrière sous
l’effet du champ électrique. Ce mode de transport est appelé émission thermoïonique
assisté par effet de champ.

(3) Les électrons passent à travers la barrière via les niveaux de défauts proches de la
bande de conduction. C’est l’effet tunnel assisté par défauts.

Polarisation inverse :

(1) Emission thermoïonique.

(2) Dans le cas d’une polarisation inverse, la probabilité de transit à travers la barrière est
trop faible, sauf lorsque le champ électrique à l’interface MS est suffisamment
important pour donner une forme triangulaire à la barrière. Quand les électrons
injectés ont une énergie importante pour arriver à cette zone étroite, ils peuvent être
injectés sous l’effet du champ électrique dans la bande de conduction du
semiconducteur. C’est l’effet tunnel Fowler-Nordheim.

(3) Sous l’effet d’un faible champ électrique, les électrons peuvent transiter de piège en
piège par effet thermoïonique local. Pour une conduction de ce type, l’énergie de
l’électron doit être supérieure à la hauteur de barrière entre deux pièges. Ce
mécanisme est connu sous le nom d’effet Poole-Frenkel.

(4) Lorsque l’incurvation des bandes est importante à l’interface MS, les électrons ont la
possibilité de passer directement à travers la barrière. C’est l’effet tunnel direct

Dans le cadre de cette thèse, nous nous sommes intéressés aux différents modes qui peuvent
être en liaison directe avec les mécanismes assistés par défauts. A savoir : le courant tunnel
Fowler-Nordheim et/ou assisté par défaut et l’émission sous l’effet Poole-Frenkel seront
traités dans l’étude du courant en inverse. Pour l’étude du courant en direct, le travail a été

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

focalisé sur le courant thermoïonique et l’effet des défauts d’interface MS sur ce mode de
conduction.

Dans le paragraphe suivant, nous décrivons les deux principaux modes de conduction dans le
cas des diodes de bonne qualité d’interface appelés homogènes, à savoir le modèle
thermoïonique « pur » et le modèle de conduction par effet tunnel. Ensuite nous montrerons la
limite du modèle classique dans le cas des diodes à caractère inhomogène.

III-1) Diode homogène

III-1-1) Modèle thermoïonique

La théorie de l’émission thermoïonique représente le mode de conduction standard pour la
barrière Schottky. Le courant dû à cet effet provient des électrons ayant une énergie
supérieure à celle de la hauteur de barrière de potentiel. Sa validité repose sur le respect des
hypothèses suivantes :

Les électrons à l’interface du semiconducteur sont en équilibre thermique avec ceux

du volume.

Le flux du courant n’affecte pas l’équilibre.

La considération de ces hypothèses implique que le pseudo niveau de Fermi reste dans la
région de charge d’espace.

Dans ces conditions, la densité du courant due à l’émission thermoïnique s’écrit :

 qV  Rs I 
J  J S exp( )  1 (IV-7)
 nkT 

Où V est la tension appliquée, n le facteur d’idéalité de la diode k la constante de Boltzmann,

T la température, Rs la résistance série de la diode et JS ([Link]-2) le courant de saturation
donné par l’expression suivante :

q B
J S  A*T 2 exp(  ) (IV-8)
kT

Où est la hauteur de barrière et A* ([Link]-2.K-2) la constante de Richardson spécifique du

matériau donnée par :

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4m * qk 2
A 
*
(IV-9)
h3

m* est la masse effective de l’électron dans le semiconducteur et h la constante de Planck.

Dans le modèle thermoïonique, et en tenant compte de l’abaissement de barrière dû à l’effet

de la force image, la hauteur de barrière devient :

 B   B 0   fi (V ) (IV-10)

Où est la valeur de la hauteur de barrière sans tenir compte de ∆fi qui correspond à
l’abaissement dû à la force image qui est exprimé par :

1
 q3 Nd kT 
4

 fi (V )   2 3 ( B  V  Vn  ) (IV-11)
 8  s q 

Où εs est la permittivité et Nd le niveau de dopage du semiconducteur et Vn la différence

d’énergie entre le niveau de Fermi et le bas de la bande de conduction.

III-1-2) Courant par effet tunnel

Il existe deux modes de transport par effet tunnel à travers une barrière Schottky, l’un qui
dépend de la température (émission thermoïonique assistée par effet de champ), et l’autre qui
dépend du dopage (émission par effet de champ).

La contribution de ces deux modes de conduction ainsi que le mode thermoïonique, sous
polarisation directe, a été simplifiée par Yu et al. [8] sous la forme d’un courant total décrit
par la formule suivante (A est la surface du contact) :

  q B   qV  AA T    q B   qV    q B   qV   V 
* 2
I  AA T exp   exp   exp   exp    exp   exp   exp  n 
* 2

 kT   kT     kT   kT   E00   E00   kT 

Où E00 représente l’énergie caractéristique du semiconducteur relative à la probabilité de

transmission par effet tunnel (transparence tunnel) :

q Nd
E00  (IV-13)
2 m * s

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Et

  [(kT E00 )  1] (IV-14)

Dans le cas où E00  0 , le second terme de l’équation devient nul et le courant revient au
modèle thermoïonique « pur » en prenant n = 1.

Comme nous l’avons déjà mentionné au début du paragraphe, il faut noter qu’il existe aussi
d’autres modèles qui peuvent décrire les mécanismes de transport. Dans le cadre de cette
thèse, nous nous sommes principalement intéressés aux dysfonctionnements liés au courant
thermoïonique et au courant tunnel. Nous allons voir dans le paragraphe suivant que
l’analyse des caractéristiques I(V) des diodes Schottky est généralement perturbée par
l’existence de non-idéalités dans le comportement électrique des diodes réelles. Nous
montrerons que si certains résultats expérimentaux s’accommodent d’une interprétation
simple (courant thermoïonique pur, hauteur de barrière uniforme…) cela est loin de
représenter la majorité des cas.

III-2) Diode inhomogène

En général, les modèles standards décrits précédemment ne permettent pas de décrire tous les
mécanismes de conduction dans un contact Schottky, surtout dans le cas des filières de
matériaux pour lesquelles la technologie n’est pas parfaitement mature. En effet, la hauteur de
la barrière peut dépendre de plusieurs paramètres tels que la rugosité de l’interface MS, les
procédés de préparation de l’interface, où encore l’existence de multiples phases à l’interface
après les étapes de recuit de contacts. Ces imperfections peuvent introduire des
inhomogénéités par la génération de défauts à l’interface. Plusieurs modèles ont été
développés pour essayer de rendre compte de ces effets indésirables. Nous allons citer
quelques modèles en liaison directe avec notre étude.

III-2-1) Modèle à double hauteur de barrière

Dans le cas de ce modèle, les anomalies présentes dans les caractéristiques I(V) peuvent être
simulées par la présence de deux phases à l’interface qui peuvent induire deux hauteurs de
barrières différentes. Le modèle est équivalent à un circuit constitué de deux diodes
indépendantes en parallèle [9, 10, 11, 12, 13]. La première diode a une hauteur de barrière
Schottky basse (HBB) BL, un facteur d’idéalité nL et une surface noté A x ε avec A la surface

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

de la diode initiale et ε la proportion de la surface correspondante. La seconde diode a une

hauteur de barrière haute (HBH) BH, un facteur d’idéalité nH et une surface A(1-ε).

Le circuit électrique équivalent ainsi qu’une mesure I(V) représentant ce modèle sont illustrés
sur la figure IV.4.

Figure IV. 4 : Circuit électrique équivalent et exemple de caractéristique I(V) en

direct pour le modèle à double hauteur de barrière.

RC RC
On a RSL  et RSH  avec Rc la résistance de contact et Rp une résistance série
A A(1   )
liée au système de mesure. Ce résultat explique la présence d’une barrière basse qui apparait à
basse température et qui domine à faible polarisation. Cette barrière n’est plus visible quand
le champ électrique augmente : les porteurs franchissent alors la barrière haute. A partir de
cette base, d’autres modèles plus sophistiqués ont été développés pour expliquer les
inhomogénéités de la hauteur de barrière.

III-2-2) Modèle de Tung

Des simulations numériques ont montré que dans le cas où les fluctuations spatiales de la
hauteur de barrière du contact MS sont à une échelle comparable à l’étendue de la zone de
charge d’espace, le modèle à deux diodes parallèles n’est plus applicable [14]. L’effet « Pinch
Off » de la théorie de Tung [15, 16, 17] donne dans ce cas une explication cohérente de
plusieurs anomalies dans les résultats expérimentaux. La principale différence avec la théorie
précédente est que la théorie du « Pinch-off » tient compte de l’interaction entre les sections

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

voisines d’une même interface. La figure IV.5 montre l’effet de l’interaction de deux hauteurs
de barrière [18].

Figure IV.5 : Représentation 3D de la distribution de potentiel d’une diode Schottky due à la présence
d’une HBH et une HBB selon le modèle de Tung d’après [18].

La flèche montre que l’électron provenant du semiconducteur ne peut pas passer directement
par la barrière basse (BL = 0.3V) mais il doit surmonter une barrière de potentiel supérieure à
cette valeur. Le critère de « Pinch-off » du potentiel de la HBB est valable lorsque :

 B 2 R0
 (IV-15)
Vd w

Avec ∆=BH-BL, Vd est la courbure de bande totale, w est la largeur de la zone de charge
d’espace et R0 est le rayon de la région liée la HBB.

III-2-3) Modèle de Werner

Le modèle développé par Werner et Gütter [19, 20] est couramment le plus utilisé vue sa
validité dans le cas des faibles inhomogénéités de barrière et la simplicité d’interpréter le sens
physique des anomalies du courant mesuré. Ce modèle montre que la hauteur de barrière et le
coefficient d’idéalité peuvent varier avec la température et que cette variation est due
principalement à une fluctuation spatiale de la hauteur de barrière autour d’une valeur
moyenne, comme le montre la figure IV.6. Les principales causes restent toujours la rugosité
de l’interface MS, les défauts générés à l’interface lors de la croissance du matériau ou
pendant la réalisation des contacts.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Figure IV.6 : Diagramme énergétique qui montre les fluctuations spatiales de la hauteur de barrière
MS décrit par le modèle de Werner.

D’un point de vue mathématique, le modèle de Werner introduit une distribution gaussienne

de la hauteur de barrière autour d’une valeur moyenne  B avec une déviation standard σ.
Cette distribution continue s’écrit sous la forme suivante :

1 ( B   B )
P( B )  exp  (IV-16)
 2 2 2

1
Où est une constante de normalisation. Le courant total I(V) à travers la diode
 2
Schottky en tenant compte de l’inhomogénéité de la barrière peut s’écrire sous la forme :


I (V )   I ( B ,V ) P( B )d B (IV-17)


L’intégration de cette expression nous donne une relation entre la hauteur de barrière
apparente B et la hauteur de barrière moyenne :

q 2
 B (T )   B  (IV-18)
2kT

Cette expression montre que l’effet des fluctuations est plus accentué à basse température. La

valeur moyenne  B peut être comparable à celle extraite des mesures C(V), qui restent
toujours peu sensibles aux fluctuations locales de la barrière. Cet effet provient du fait que les
inhomogénéités spatiales sont négligeables par rapport à l’étendue de la ZCE dans le cas des

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

mesures C(V), alors que le passage du courant à travers le contact s’effectue

préférentiellement au travers des régions de barrière basse de la distribution.

Dans le cas où le courant est décrit par le modèle thermoïonique, et si on suppose que la
hauteur de barrière dépend du potentiel appliqué, l’expression du courant sera donnée par la
formule suivant :

 q (V , T )   qV  RS I 
I  AA*T 2 exp   B  exp   (IV-19)
 kT   nkT 

Ainsi on peut facilement extraire l’expression suivante du facteur d’idéalité en fonction du

potentiel appliqué et de la température :

1 1
 1   [B (V , T )  B 0 ] (IV-20)
n V

Avec  B 0 la valeur de la hauteur de barrière extrapolée à potentiel nul. Cependant, dans le cas
d’une distribution gaussienne de la barrière cette expression devient :

1  q( 2 (V )   0 
2
1 1
 1   (B (V , T )  B 0 )    (IV-21)

n V V 2kT 

Où  0 est la déviation standard à potentiel nul. De plus, si on suppose une dépendance linéaire

de  B et de  2 avec le potentiel appliqué, on peut écrire alors :

 B (V )   B 0   2V (IV-22)

 2 (V )   0 2   3V (IV-23)

Où ρ2 et ρ3 sont les coefficients de déformation de la distribution de la barrière sous l’effet du

potentiel appliqué. En les introduisant dans l’expression du facteur d’idéalité (IV-21), on peut
1 1
obtenir une relation linéaire entre  1 et défini dans l’équation suivante :
n T

1 q
 1   2  3 (IV-24)
n 2kT

A noter que dans notre étude qui est basée sur ces modèles, nous avons négligé la diminution
de la largeur de la bande interdite des semiconducteurs quand la température augmente. Cet

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

effet provoque un abaissement de la hauteur de barrière MS et par conséquent minimise les

fluctuations du potentiel à la surface.

IV) Procédés expérimentaux

Dans cette partie, nous étudions les grilles des transistors des différentes plaques à notre
disposition : AEC1388(89) et AEC1561. Dans le cas des 2 premières plaques, la barrière
Schottky est de type métal/AlGaN. L’étude a été effectuée pour différentes géométries de
grille reportées dans le tableau IV.1. Le deuxième système étudié est de type métal/AlInN
extrait de la plaque AEC1561 (voir tableau III-1). Le procédé de fabrication de ces transistors
a été présenté dans le chapitre III (§II).

Les appareillages utilisés pour les mesures de capacité ainsi que pour les mesures courant-
tension sont décrits ci-dessous :

Banc de mesure de capacité-tension:

Les mesures CG(VGS) ont été effectuées à l’aide d’un analyseur Agilent 4284A variable en
fréquence dans la gamme de 20Hz-100MHz.

Banc de mesure de courant-tension :

Deux bancs de mesures sont utilisés pour les mesures IG(VGS). L’usage d’un banc de mesure
sous pointes est consacré aux transistors de faibles dimensions montés dans des boitiers
« Egide ». Ce type de boitier offre une meilleure stabilité de mesure et permet de s’affranchir
des oscillations au niveau du courant grille-source. Les mesures sont effectuées sous vide
dans une enceinte cryogénique à circulation d’azote ou d’hélium. L’équilibre à une
température donnée s’effectue via un contrôleur de température à correcteur PID réglable. La
résolution lors de la mesure est de ±2 K. L’analyse du courant se fait grâce un appareil
Keithley 4200 avec une résolution en courant de ±10 fA.

Dans le cas des FATFET et des GTLM, les boitiers sont montés directement dans le cryostat
et les mesures de courant sont effectuées grâce à un analyseur HP 4156A. Le système
cryogénique utilisé pour les mesures en température est le même que celui décrit lors des
mesures de courant IDS(VDS). Le système offre une résolution en courant de ±10 fA à ±
100mA et une résolution en température de ±1 K dans une gamme entre 77 K et 500 K.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Nbre de
Echantillon Barrière/ Epaisseur (nm) Contact Lg (µm) Wg (µm)
grilles

AEC 1388
FATFET (GD) Al0.24Ga0.76N 22 Mo/Au 100 160
GTLM 30 (MD) / / / 30 125
T_1x2x50 (FD) / / / 1 2 50

AEC 1389 (vieillis)

HTO175_18-17 Al0.23Ga0.77N 22 Mo/Au 0,25 8 75
HTO250_19-36 / / / / / /
HTO320_19-24 / / / / /
/
AEC 1561
FATFET (GD) Al81.4In18.6N 11 Ni/Au 100 160

Tableau IV.1 : Structures étudiées extraites des trois plaques différentes

Dans le but de ne conserver que des résultats exploitables qui montrent un sens physique réel,
nous avons trié les composants afin de s’affranchir de ceux qui présentent beaucoup de
courant de fuite ou des anomalies telles que des oscillations du courant en inverse. Cela
permet d’approfondir les études sur l’origine des inhomogénéités et permet surtout
d’appliquer les modèles décrits pour extraire correctement les paramètres physiques.

V) Etude de courant de grille en direct

V-1) Extraction des paramètres électriques
Au premier ordre, l’analyse des valeurs expérimentales du courant en direct IG(VGS) se fait par
le modèle thermoïonique pur décrit par la formule (IV-7). Cette expression peut être
3kT
simplifiée dans le cas où V  (  0.08 V à 300 K). Le courant est donné alors par la
q
formule (on néglige ici la résistance série) :

 qV 
I  I S exp( ) (IV-25)
 nkT 

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

De là, on peut extraire l’expression du facteur d’idéalité qui s’écrit :

q  dV 
n   (IV-26)
kT  d (ln I ) 

La hauteur de barrière à potentiel nul est déterminée à partir de l’ordonnée à l’origine de la

fonction f(V) :

 I  qV  B
f (V )  Ln * 2    (IV-27)
 AA T  nkT kT

En pratique, l’extraction se fait par le tracé de n pour toute la gamme de tension puis le choix
de la bonne valeur se fait dans la plage des tensions où la courbe semi logarithmique lnI(V)
est linéaire. La figure IV.7 présente une illustration de l’extraction du facteur d’idéalité et de
la hauteur de barrière à potentiel nul :

Figure IV.7 : Zones d’extraction du coefficient d’idéalité et de la hauteur de barrière après les mesures
I(V) en fonction de la température.

V-2) Caractérisation électrique du contact Schottky

Dans ce paragraphe, nous présentons tout d’abord l’étude de l’influence de la dimension des
contacts sur les caractéristiques directes IG(VGS). Ensuite, nous décrivons les anomalies
observées dans les mesures de courant en fonction de la température. Enfin, nous présentons
une étude des contacts Schottky avant et après vieillissement par les tests de stress.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

V-2-1) Influence de la dimension des diodes sur les

caractéristiques
Afin de pouvoir comparer l’effet de la dimension des contacts sur les inhomogénéités de la
hauteur de barrière, nous avons effectué des mesures de courant sur trois composants de
différentes longueurs de grilles. Ces trois échantillons ont été extraits d’un même motif de test
(PCM) et la distance qui sépare un composant d’un autre est d’environ 200µm. Le but de
cette étude est d’analyser une zone très localisée de la plaque. A ce niveau, on estime que le
seul paramètre variable est la surface du contact MS (de 10-2 µm2 à 104 µm-2). La gamme de
température explorée s’étend de 100 K à 400 K. La figure IV.8 montre le réseau des
caractéristiques I(V) des trois échantillons.

(a) (b)

Figure IV.8 : Mesures de courant en direct en

fonction de la température pour trois dimensions
de grille d’un même PCM de test (a)diode faible
dimension (FD), (b) diode moyenne dimension
(MD) et (c) diode grande dimension (GD)

(c)

On remarque que la diode de plus petite surface (FD) présente un comportement « normal »
sur toute la gamme de température. Lorsqu’on augmente la surface du contact, le
comportement du courant change et on voit apparaitre des signes d’inhomogénéité des diodes
à basse température. Cet effet est beaucoup plus flagrant dans le cas des grandes dimensions
où on peut observer une distorsion complète du réseau des caractéristiques à basse
température.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Le mécanisme complexe qui domine à basse température peut être décrit par l’apparition de
multiples barrières en dessous de la barrière haute à travers lesquelles le passage des porteurs
serait favorisé. Cet effet commence à disparaitre au fur et à mesure du chauffage jusqu'à son
élimination totale à partir de 300 K dans le cas des diodes de grande surface (GD). On peut
alors conclure que l’influence de ces barrières multiples est écrantée à haute température
(figure 8(c)).

Afin d’analyser plus finement ce mécanisme, les hauteurs de barrière et les coefficients
d’idéalité de toutes les mesures ont été extraits. Il faut noter que l’extraction a été faite dans la
zone linéaire des graphes log(I)= f(V) qui correspond à la barrière haute pour pouvoir
comparer le même type de barrière pour les trois échantillons. La figure IV.9 montre
l’évolution du coefficient d’idéalité ainsi que de la hauteur de barrière avec la température.

Figure IV. 9 : Comparaison des coefficients d’idéalité et des hauteurs de barrière avec la température des trois
diodes FD, MD et GD provenant d’un même motif de test.

On peut remarquer une quasi-stabilité du facteur d’idéalité dans la diode de petite surface
(FD). Il passe de 1.26 à 100 K et 1.09 à 350 K. Cette stabilité montre que le comportement de
cette diode s’approche du modèle thermoïonique pur où le facteur d’idéalité est égal à 1. Dans
le cas des diodes de grande surface (MD et GD) ce modèle n’est plus valable puisque le
facteur d’idéalité passe de 2.25 à 1.16 pour la même gamme de température. A basse
température, dans le cas des grandes surfaces, l’inhomogénéité a une plus forte influence et le
transport de courant est susceptible d’être dominé par le passage des porteurs via les barrières
multiples ce qui fait augmenter le facteur d’idéalité.

L’évolution de la hauteur de barrière avec la température montre une augmentation de 450

mV entre 100 K et 400 K pour toutes les diodes. Ce comportement ne semble pas provenir de

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

l’effet de la force image décrit par l’équation IV-11. Nous avons calculé la contribution de cet
effet et nous avons trouvé qu’il produirait un abaissement de la barrière qui ne dépasserait pas
2 mV entre 100 et 400 K pour toutes les surfaces. Ceci montre à nouveau la déviation par
rapport au modèle thermoïonique.

Par ailleurs, on note, sur toute la gamme de température, une hauteur de barrière d’autant plus
basse que la surface du contact est grande : diminution de l’ordre de 0.15 V dans le cas de la
diode de surface intermédiaire et de 0.3 V dans le cas de la plus grande surface.

Si on trace l’évolution de la hauteur de barrière B d’une diode en fonction du coefficient

d’idéalité n mesurés à température ambiante, on obtient le graphe reporté en figure IV-10. On
voit que toutes les diodes se situent sur une même droite.

Figure IV.10 : Hauteurs de barrière en fonction des coefficients d’idéalité correspondants

extraits à température ambiante pour 4 diodes de différentes surfaces.

A noter que le point A3 intercalé dans la courbe correspond bien à une surface intermédiaire
mais à un composant extrait d’une zone de la plaque différente des trois autres. Comme nous
pouvons le remarquer, la hauteur de barrière augmente lorsque la surface du contact diminue
et l’extrapolation de la barrière à n=1 donne une hauteur de barrière B = 1.13 V pour une
diode idéale (n=1). Dans ce système de matériaux et avec cette technologie, pour être idéale à
température ambiante, un contact Schottky ne devrait donc pas dépasser une certaine surface
(inférieure à toutes celles des diodes mesurées ici).

Jusqu’à maintenant, nous avons montré de manière qualitative que l’inhomogénéité spatiale
de l’interface MS peut induire des anomalies flagrantes dans les mesures de courant. Dans le
cas des diodes de grande surface (MD et GD), ces anomalies peuvent aller jusqu'à une forte
distorsion des réseaux I(V). Assurément, les mécanismes de barrières multiples qui

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

apparaissent à basse température rendent l’exploitation des valeurs expérimentales impossible

sur toute la gamme de tension. En effet, aucun modèle décrit dans la littérature ne permet
d’exploiter ce comportement puisque l’ajustement d’un tel courant nécessiterait l’insertion de
plusieurs barrières qui peuvent interagir entre elles.

Il faut noter que les caractéristiques des diodes de grande surface peuvent présenter des
comportements différents de celui considéré ci-dessus. En effet, selon l’endroit sur la plaque,
l’inhomogénéité est plus ou moins marquée. Nous avons choisi des diodes dans des zones à
caractère plus homogène. En particulier à basse température, on peut obtenir une
caractéristique I(V) présentant 2 barrières bien distinctes : c’est ce type de diode qui est
l’objet du paragraphe suivant.

V-2-2) Etude des diodes à deux barrières

V-2-2-1) Extraction des paramètres
Dans cette étude, nous avons choisi une diode de grande dimension (GD) que l’on comparera
par la suite avec la diode de petite dimension déjà étudiée dans le paragraphe précédent. La
figure IV.11 montre l’évolution des caractéristiques I(V) avec la température de la diode.

Figure IV.11 : Mesures de courant en direct en fonction de la température dans le cas d’une
GD. Une double barrière prononcée apparaît à 100 K.

Nous remarquons que les caractéristiques de ce composant présentent, à basse température,

moins de déformations que celles étudiées dans le paragraphe précédent, dans le cas d’une
géométrie similaire. Nous pouvons clairement distinguer la présence de deux régions linéaires
en tracé semi-log. La première région apparait à faible polarisation et à basse température sur
deux ordres de grandeurs de courant entre 10-9 et 10-7 A. Cette zone finit par disparaitre à 200

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

K. La deuxième région apparait pour des tensions plus élevées à basse température et domine
le comportement de la caractéristique au fur et à mesure qu’on chauffe l’échantillon.

A ce niveau, le modèle électrique représenté par l’association de deux diodes en parallèle

permet de décrire ce mécanisme. Nous avons vu dans le paragraphe II-2-1 de ce chapitre que
ce comportement correspond physiquement à la présence de deux barrières à travers
lesquelles les porteurs peuvent passer. Une barrière haute BH (HBH) principale et une
barrière basse BL (HBL) qui témoignent de l’inhomogénéité de l’interface MS.

Nous avons étudié l’évolution de la hauteur de barrière et du coefficient d’idéalité avec la

température pour chaque partie de la caractéristique. Dans le calcul des paramètres, nous
supposons que chaque barrière de potentiel agit séparément dans sa gamme de polarisation..

Pour la HBL, les extractions de la hauteur de barrière BL et du coefficient d’idéalité nL entre
100 K et 225 K (domaine d’existence de la barrière basse) sont présentées dans la figure
IV.12.

Figure IV.12 : Hauteur de barrière basse (HBL) et coefficient d’idéalité correspondant.

Nous remarquons une grande variation du coefficient d’idéalité qui atteint une valeur
relativement élevé 3,5 à 100 K et décroit jusqu’à 1.85 à 225 K. De même, la hauteur de
barrière atteint 0,35 V à 100 K, valeur très faible pour pouvoir l’expliquer par le modèle
thermoïonique.

Pour les HBH, les valeurs des BH et des facteurs d’idéalité nH sont représentées dans la figure
IV.13 dans toute la gamme de température. La figure montre que le facteur d’idéalité est à
basse température, il passe de 1,97 à 1,07 de 100 K à 400 K. La hauteur de barrière est aussi

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

affectée puisque nous mesurons une valeur de 0,49 V à 100 K qui atteint 1,05 V à 400 K. Un
effet marquant apparait dans les figures puisque il est possible de distinguer deux régions dans
l’évolution de ces paramètres : une première zone entre 100 K et 225 K et une deuxième entre
225 K et 400 K. La première zone coïncide bien avec la gamme de température où nous avons
vu apparaitre la barrière basse. Il semble donc que cette barrière basse pourrait interagir
physiquement avec la barrière haute pour changer localement le potentiel de celle-ci.

Figure IV.13 : Hauteur de barrière haute (HBH) et coefficient d’idéalité correspondant en fonction
de la température. Nous distinguons deux zones de variations de ces paramètres. Une première dans
la gamme de température entre 100 K et 225 K et la deuxième entre 250 K et 400 K.

En conclusion, ce modèle à double barrière nous a permis de distinguer deux mécanismes

différents qui peuvent apparaitre avec la température dans les caractéristiques I(V) d’une
diode inhomogène. Il apparaît que la HBL pourrait influer sur la HBH à basse température.
Cette étude montre aussi la limite d’application du modèle thermoïnique et nous amène à
approfondir les modèles qui tiennent compte des inhomogénéités des interfaces MS. Dans le
paragraphe suivant, nous aborderons le modèle de Werner et Gütter [19, 20] pour expliquer
les anomalies qui apparaissent dans ce type de diodes.

V-2-2-2) Application du modèle de Werner

(a) Evolution de la hauteur de barrière avec la température
Rappelons que le modèle de Werner traite une distribution gaussienne de la hauteur de
barrière qui varie autour d’une valeur moyenne. L’équation (IV-18) qui va servir à
l’expression de ce modèle est rappelée ci-dessous :

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

q 2
 B (T )   B 
2kT

1
D’après cette équation, l’évolution de B en fonction de est une droite dont la pente dépend
T

de σ2 et l’ordonnée à l’origine donne la hauteur de barrière moyenne  B . Sur la figure IV.14,

nous avons tracé cette évolution pour les valeurs des HBL et HBH extraites dans le
paragraphe précédent.

1
Figure IV.14 : Variation des valeurs de HBH et HBL en fonction de
T

Dans le cas de la HBH, nous pouvons remarquer l’apparition de deux régions linéaires qui
semblent indépendantes. Ces deux phases ont déjà été observées lors de l’étude des
coefficients d’idéalité et des hauteurs de barrières dans le paragraphe précédent. Avec ce
modèle, nous pouvons extraire les deux valeurs moyennes autour desquelles fluctue la hauteur
de barrière. Dans la première région, entre 225 K et 400 K, la hauteur de barrière moyenne est

 B1 H  1.35V avec une déviation standard  1 H  143mV . Pour la deuxième région, qui se
manifeste à basse température entre 100 K et 225 K, l’extrapolation à T=0 K donne

 B 2 H  1.1V et la pente de la droite donne  2 H  105mV . Ce comportement à deux phases

d’une même barrière Schottky a été largement observé dans la littérature dans des diodes à
base de GaN, d’InP ou encore de Si [21, 22, 23, 24, 25, 26]. Ces études ont montré que les
imperfections peuvent provenir de certaines phases de réactions incomplètes ou de l’inter-
diffusion des atomes du métal et ceux du semiconducteur lors des recuits de contact. Ceci
pourrait générer des agglomérats à la surface qui se comportent comme des défauts à
l’interface MS. Yu-Long et al. ont expliqué ces anomalies par la présence d’une double

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

distribution gaussienne de la hauteur de barrière. Dans ce cas l’expression de la barrière

apparente devient :

 1  12 2  22 
 app  kT ln C1 exp(   )  C 2 exp   ) (IV-28)
 kT 2k 2T 2 kT 2k 2T 2 

Où C1 et C2 sont les coefficients de dominance d’une gaussienne par rapport à l’autre et tels
que C2=1-C1.

A noter qu’à notre connaissance, aucun de ces travaux n’a mis en évidence la présence d’une
autre barrière basse qui pourrait apparaitre lors des mesures en température et ainsi provoquer
des conséquences indésirables à l’interface MS. L’exploitation de cette HBL qui intervient

entre 100 K et 225 K donne une hauteur de barrière moyenne  B  1.02V et une déviation
L

standard de   114mV .
L

Dans le cas présent, la mise en évidence d’une barrière basse, nous amène à formuler
l’hypothèse de la présence d’un niveau de piège, proche de la bande de conduction. Celui-ci
induirait une HBL, pouvant interagir avec la HBH pour changer localement la hauteur de
celle-ci. Lorsque l’on chauffe l’échantillon, l’effet de ce niveau disparait et on se retrouve
avec le mécanisme plus classique d’une seule barrière vue par les porteurs. Koley et Spencer
[27] ont montré, en utilisant la microscopie à sonde de Kelvin sur les alliages AlGaN, que la
présence des états d’interface entre le métal et le semiconducteur pourrait induire des
variations locales du potentiel à l’interface. Ceci pourrait se traduire aussi par l’apparition de
la deuxième composante gaussienne pour la HBH.

Le modèle de Werner peut également expliquer le caractère non linéaire du diagramme de

I  1
Richardson (tracé de Ln S2  en fonction de ). En effet, selon le modèle thermoïonique, le
T  T

I  1
tracé de Ln S2  varie linéairement en fonction de avec une pente B. L’ordonnée à
T  T
l’origine est reliée à la constante de Richardson. Dans le cas d’une diode homogène
l’équation s’écrit sous la forme :

I  q
Ln S2   Ln( AA * )  B (IV-29)
T  kT

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Où A est la surface de la diode. Dans le cas d’une diode inhomogène, la hauteur de barrière
est remplacée par son expression (1V-18) et l’équation devient :

 IS  q B q 2 2
Ln 2   Ln( AA ) 
*
 (IV-30)
T  kT 2k 2T 2

La figure IV.15 montre le tracé de Richardson dans le cas de la HBH pour chacune des
distributions gaussiennes. Les courbes représentées par les carrés rouges montrent la déviation
par rapport à la linéarité pour les deux distributions lorsqu’on trace le diagramme standard
I  1
Ln S2  en fonction de .
T  T

 I S  q 2 2 1
Dans le cas où on trace Ln 2   2 2 en fonction de , on obtient un tracé linéaire
 T  2k T T
comme pour une diode homogène. A l’aide de ce tracé, il est possible d’extraire la valeur des
hauteurs de barrière moyennes : celles-ci coïncident bien avec les valeurs extraites
précédemment. On peut aussi extraire expérimentalement la constante de Richardson A*.
Dans le cas de la première composante gaussienne, nous trouvons une constante de
Richardson A* = 28 [Link]-2.K-2. La deuxième composante gaussienne donne A* = 33 [Link]-
2
.K-2. Ces valeurs sont en excellent accord avec la valeur théorique qui est autour de 30 [Link]-
2
.K-2, calculée dans le cas du matériau AlGaN à 24% d’Al avec une masse effective de
l’électron me*= 0,25me [28, 29]. Cette valeur théorique est calculée à partir de la formule
suivante :

4qk 2 me* me*

A 
*
 120 A/cm2.K2 (IV-31)
h3 me

Figure IV.15 : Tracé d’Arrhenius et extraction de la constante de Richardson A * à partir du courant

Is pour les deux composantes de la distribution gaussienne dans le cas de la HBH .

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

(b) Comparaison avec une diode de faible dimension (FD)

Afin de porter un jugement critique sur les paramètres extraits par le modèle de Werner, nous
avons comparé l’échantillon étudié précédemment avec la diode de faible dimension
présentée au début du paragraphe. La figure IV.16 présente l’évolution de B en fonction de
1
pour les deux diodes. Nous avons montré dans l’étude précédente que les diodes de faibles
T
dimensions sont de meilleure qualité et ne présentent pas dans les caractéristiques I(V) les
anomalies provenant de la HBL. Pour cela, la comparaison entre les deux géométries sera
faite par rapport à la HBH. Nous pouvons remarquer à première vue que la géométrie de
faible dimension montre des hauteurs de barrières plus hautes, ce qui a été vu dans le
paragraphe 2-1. De plus le comportement de la double gaussienne semble moins accentué
puisque les deux pentes à haute et à basse température ne sont pas très différentes l’une de
l’autre, contrairement au cas des diodes GD.

En comparant la distribution gaussienne de chaque diode à basse température, on remarque

que la hauteur de barrière moyenne dans le cas de la diode FD est  B 2 ( FD)  1.19V . Cette
H

valeur est plus grande que celle obtenue pour la GD qui a donné  B 2 (GD)  1.1V . La
H

déviation standard passe de  2 ( FD)  96mV pour la diode FD à  2 (GD)  105mV dans
H H

le cas de la diode GD. Ceci montre que les diodes GD sont plus sensibles aux fluctuations de
la hauteur de barrière et témoignent du caractère plus homogène des diodes FD par rapport
aux diodes GD.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Figure IV.16 : Variation des valeurs de HBH pour une diode FD et une diode GD.

Au delà de 225 K, la deuxième distribution gaussienne apparait pour les deux dimensions.
Nous montrons que les deux hauteurs de barrière moyennes convergent vers la même valeur

autour de  B1  1.35V . Ceci montre qu’à haute température la barrière moyenne, que voient
H

les porteurs, ne dépend plus de la géométrie et nous nous retrouvons avec une seule et unique
barrière. Cependant la fluctuation autour de cette barrière est fonction de la largeur du contact,

puisque nous trouvons dans le cas de la GD une fluctuation égale à  2 (GD)  143mV qui
H

est supérieure à  2 ( FD)  120mV , la valeur obtenue pour la diode FD.

H

Nous pouvons donc conclure de l’étude expérimentale, qu’à basse température, on trouve

 B H (GD)   B H ( FD) et  H (GD)   H ( FD) . Ceci pourrait être expliqué par la présence d’un
où plusieurs niveaux favorisant le passage des porteurs à travers la barrière. Ce mécanisme
génère des HBL dans le cas des diodes de grande surface ce qui renforce davantage le
caractère inhomogène de ces diodes. Quand l’échantillon est chauffé, dans le cas des grosses
diodes, nous avons vu que l’effet des barrières basses disparait et nous observons une seule et
unique hauteur de barrière moyenne mais avec des niveaux de fluctuations différents.

Si nous regardons de plus près dans le chapitre précédent, un résultat pourrait nous expliquer
certaines de ces anomalies qui dépendent de la géométrie des composants. En effet, les
mesures de DLTS en courant reprises sur la figure IV.17 nous ont révélé la présence d’un pic
négatif qui correspondrait à un niveau accepteur à la surface de la couche barrière. Il s’est
avéré que ce pic n’apparait que pour les composants de grandes dimensions (FATFETs).

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

A=100x160µm2

Figure IV.17 : Spectre de DLTS en courant d’un FATFET qui montre un pic négatif lié aux états de
surface

Nous pouvons imaginer que si ces états de surface s’étalent sur toute la surface de la couche
barrière, ils seront forcement actifs à l’interface MS. Dans notre cas, l’énergie d’activation
correspondant à ce défaut est égale 0.24 eV. Dans le cas où ce piège apparait sous la grille, il
pourrait être à l’origine de l’existence de la barrière basse que voient les porteurs à basse
température. Le scénario à imaginer serait plus probablement un passage tunnel des porteurs,
sous la vraie barrière, via ce défaut.

V-3) Influence des tests de stress sur le contact Schottky

Dans ce paragraphe divisé en 2 parties, nous allons étudier l’effet des tests de stress, décrits
dans le chapitre précédent, sur l’évolution du contact Schottky. Dans un premier temps, nous
allons montrer les effets du vieillissement sur le contact Schottky d’un FATFET qui
correspond à une diode de grande dimension. Ensuite, nous aborderons l’évolution des
paramètres du contact de grille Schottky des transistors de faibles dimensions, vieillis sous
différentes conditions de stress.

V-3-1) Evolution du contact Schottky dans le cas du FATFET

(diode GD)
Dans cette partie, nous allons traiter l’effet des tests de stress sur l’évolution du courant de
grille en direct après 481h de stress. Nous rappelons que le test de vieillissement a été effectué
à l’IMS sur des composants FATFET de la plaque AEC 1388.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Nous avons vu dans le chapitre précédent que l’impact des tests de stress en température HTO
est significatif en termes de dégradation du courant de saturation de drain IDSS. Ainsi, nous
avons conclu que certains mécanismes responsables de ces anomalies proviennent très
probablement des endommagements de la zone d’accès grille-drain par la création de niveaux
de pièges. Ceci n’empêche pas d’étudier aussi les niveaux de dégradation du contact Schottky
de grille pour tirer une conclusion générale sur l’impact de ce type de stress.

Pour étudier l’évolution du contact Schottky, nous avons mesuré le courant en direct en
fonction de la température avant et après vieillissement sur le même composant. La figure
IV.18 montre le réseau de caractéristiques en courant dans les deux cas, entre 100 K et 300 K.

Figure IV.18 : Evolution avec la température du courant de grille en direct d’une GD avant stress et
après 481h de stress.

Les mesures avant stress montrent un comportement «normal » et typique d’une GD avec un
début de manifestation d’une barrière basse (HBL) à 100 K. Après vieillissement, nous
pouvons remarquer que le réseau de caractéristiques se resserre avec une dépendance moindre
en température sur toute la gamme de tension. Ceci témoigne de la dominance du courant
tunnel qui est indépendant de la température. De plus, l’extraction de la hauteur de barrière est
moins évidente après le stress puisque que nous observons une distorsion de la zone linéaire
sur les graphes log(I)= f(V), surtout à basse température. Cet effet provient probablement de
l’apparition de multiples barrières due à la dégradation du contact.

Par conséquent, pour comparer l’évolution des coefficients d’idéalité et des hauteurs de
barrières avant et après vieillissement, nous nous sommes intéressés à l’extraction de la HBH
qui apparaît aux fortes tensions de polarisation.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Les valeurs extraites à partir du modèle thermoïonique sont présentées dans la figure IV.19.
En comparant les coefficients d’idéalité de la Schottky avant et après stress, nous pouvons
remarquer une grande évolution surtout à basse température. En effet, avant le vieillissement,
nous trouvons n= 1,7. Cette valeur s’approche de celles trouvées dans le cas de toutes les
HBH des GD et témoigne du caractère « normal » de la diode avant vieillissement.

Après les tests de stress, le coefficient d’idéalité a énormément augmenté à 100 K : nous
trouvons n= 5,4. Cette valeur montre que le contact Schottky a subi une forte dégradation
après le vieillissement. Quand on chauffe l’échantillon, n diminue et les deux courbes
convergent pratiquement à des températures supérieures à 375 K.

Figure IV.19 : Variation en fonction de la température des facteurs d’idéalité et des hauteurs de
barrières d’une GD avant stress et après 481h de stress.

La mesure de la barrière apparente confirme aussi le niveau de dégradation du contact à basse

température, puisque la barrière de potentiel à 100 K passe de B= 0,54 V avant vieillissement
à B= 0,28 V après vieillissement. L’évolution de la barrière Schottky avec la température
montre aussi une convergence vers la même valeur pour les températures supérieures à 375 K.

A partir de ces résultats, nous pouvons conclure que le niveau de dégradation du contact après
vieillissement est moins visible lorsqu’on dépasse 375 K. Plusieurs hypothèses peuvent être
proposées suite à ce comportement dégradé de la Schottky. Nous retenons la génération
probable de défauts à l’interface MS puisque ce comportement ne semble pas provenir d’une
dégradation de l’alliage métallique du contact. En effet, si cela était le cas, nous n’aurions pas
eu cette convergence vers un comportement normal lorsqu’on augmente la température.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Ce comportement pourrait éventuellement induire plusieurs anomalies, à savoir

l’inhomogénéité spatiale de la barrière à l’interface MS. Pour voir les conséquences à ce
niveau, nous avons adapté le modèle de Werner pour cette étude. Pour cela, nous avons tracé
1
la hauteur de barrière apparente B en fonction de dans la figure IV.20.
T

1
Figure IV.20 : Variation en fonction de de la HBH d’une GD avant stress et après 481h de stress.
T

Les deux tracés présentent la double distribution gaussienne de la hauteur de barrière déjà
observée précédemment. Nous remarquons, dans la gamme de température entre 100 K et
200 K, que la hauteur de barrière moyenne baisse après le vieillissement et passe de

 B 2 NV  1.07V à  B 2V  0.9V . Le coefficient de fluctuation de la hauteur de barrière reste à

peu près constant, autour de   104mV , la même valeur trouvée précédemment dans le cas

des GD de même dimension. La valeur de  B plus basse que celle habituellement observée
dans cette gamme de température peut être expliquée par la génération d’un autre niveau.
Probablement un défaut proche de la bande de conduction, à travers lequel les porteurs
peuvent passer.

La première distribution gaussienne, comprise entre 225 K et 400 K, montre un

comportement « normal » du composant avant stress avec  BNV

1  1.33V et   137mV . Ces

valeurs sont conformes aux résultats obtenus dans le cas des HBH des diodes de grandes
dimensions (GD). Après vieillissement, contrairement au cas de la distribution gaussienne à
basse température, nous remarquons une pente plus accentuée qui indique une augmentation

de la valeur de la hauteur de barrière moyenne  BV1  1.55V et du coefficient de fluctuation de

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

celle–ci   186mV . Pour cette gamme de température, la convergence des deux courbes pour
les températures au-delà de 375 K pourrait nous indiquer qu’il s’agit à priori de la même
hauteur de barrière qui change de comportement après vieillissement. L’augmentation de sa
valeur moyenne ne peut être pas expliquée par une amélioration de la hauteur de barrière vu
qu’elle est accompagnée d’une forte augmentation de son niveau de fluctuation.

Pour résumer cette étude, nous pouvons dire que la dégradation du contact Schottky, après
481h de stress, est très clair à basse température à partir des mesures du coefficient d’idéalité
et de la hauteur de barrière apparente. L’analyse de la distribution gaussienne, dans la gamme
de température comprise entre 100 K et 200 K, indique l’apparition d’un autre niveau de
barrière moyenne à 0,9 V plus bas que celui habituellement mesuré. Au-delà de 225 K, le
mécanisme de transport pourrait être le même avant et après vieillissement. En revanche,
l’inhomogénéité de la hauteur de barrière après stress semble être plus prononcée vue la
valeur extraite du coefficient de fluctuation.

V-3-2) Evolution du contact Schottky après les tests HTO

L’objectif de ce paragraphe est d’évaluer le degré d’inhomogénéité de la barrière après les
tests de vieillissement sur le contact de grille d’un petit transistor. Pour cela, nous avons
évalué les coefficients d’idéalité et les hauteurs de barrière en fonction de la température après
chaque type de stress (cf § IV-1 du chapitre III).

Nous montrons en figure IV.21 l’évolution, à la température ambiante, du courant en direct de

la Schottky avant et après vieillissement pour chaque type de stress. Les mesures de courant
ainsi que l’extraction des paramètres des composants avant vieillissement ont été effectuées à
III-V Lab. En comparant les caractéristiques I(V), nous pouvons remarquer une baisse du
courant direct à travers la grille entre les mesures avant et après stress. Cette baisse s’accentue
de plus en plus quand on augmente la température de stress. En effet, dans le cas du test HTO
175, la baisse du courant ne dépasse pas un ordre de grandeur, alors que dans le cas du test
HTO 250, la baisse du courant dépasse deux ordres de grandeur. Cet effet est encore plus
significatif après le HTO 320 où la baisse du courant a dépassé trois ordres de grandeur. Ces
mêmes anomalies on été observé dans le paragraphe IV-2 du chapitre précédent lors des
mesures du courant de grille du FAFET au cours du temps de stress. Ceci a été expliqué par la
génération de pièges dans la zone d’accès grille-drain qui se comporte comme un réservoir de
charges et empêche les porteurs de circuler vers le contact de la source.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Figure IV.21 : Evolution du courant en direct à la température ambiante pour trois transistors à 8 doigts de
grille avant vieillissement (courbes noires) et après les tests HTO175, HTO250 et HTO320 (courbes rouges).

Maintenant, comparons les coefficients d’idéalité et les hauteurs de barrières effectives de

chaque Schottky avant et après le stress. On peut remarquer une amélioration inattendue après
le test HTO 175, puisque la hauteur de barrière de B=0.85 V avant vieillissement à B=0.92
V après vieillissement. Cet effet est moins présent après les tests HTO 250 et HTO 320,
puisque on retrouve la même valeur de n = 1.1 et une légère augmentation de B qui passe de
1,01 V à 1,04 V dans le cas du HTO 250. Pour le test HTO 320 le facteur d’idéalité n= 1,13
avant test et 1,06 après test et la hauteur de barrière passe de 1,0 V à 1,09 V.

A noter que ces augmentations ne semblent pas provenir d’erreurs d’extraction, puisqu’à la
température ambiante les erreurs sur la valeur du coefficient d’idéalité et de la hauteur de
barrière ne dépassent pas respectivement 1% et 0,1%. Ces effets d’ « amélioration » du
contact MS ont été déjà observés dans la littérature par Sozza et al. [30] après 1000 heures de
test de stress HTO à 340°C. Cette augmentation de la hauteur de barrière provoque ainsi une
décroissance du courant de saturation de drain IDSS et une augmentation de la tension de
pincement (valeur plus positive). Les mêmes observations ont été reportées par Singhal et al.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

[31], après des tests effectués à VDS= 28V et une température de jonction de 200°C. Ces
travaux ont montré que la couche d’oxyde interfaciale qui existe initialement entre le métal et
le semiconducteur peut être consommée après les tests de stress ce qui fait principalement
augmenter la hauteur de barrière.

Dans notre cas, cette hypothèse pourrait être appliquée pour les résultats après les tests
HTO175 qui présentent une augmentation significative de la hauteur de barrière. Pour les tests
HTO 250 et HTO 320, cette « amélioration » est moins visible. Cependant, nous pouvons
supposer que le mécanisme invoqué ne serait pas le seul à intervenir mais plus probablement
qu’il serait en compétition avec un autre mécanisme de défaut qui surgit vers l’interface MS.

Afin de vérifier l’homogénéité du contact Schottky après les vieillissements, nous avons
effectué des mesures en température des caractéristiques I(V) en direct. Nous avons extrait
pour chaque mesure le coefficient d’idéalité et la hauteur de barrière correspondants. La
figure IV.22 montre le résultat de ces mesures entre 100 K et 325 K. A noter que toutes les
caractéristiques I(V) ont montré un comportement similaire à une diode « normale ». Cela
veut dire que nous n’avons pas observé de HBL ni d’anomalies dans les mesures de courants.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

HTO320_19-24

Figure IV.22 : Variation en température des hauteurs de barrière et des coefficients

d’idéalité des trois composants après les tests HTO175, HTO250 et HTO320.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

En analysant les courbes, nous pouvons distinguer deux régions. La première, comparable à
celle observée dans les études précédentes, se trouve entre 100 K et 225 K. Dans cette
gamme, la hauteur de barrière et le coefficient d’idéalité évoluent beaucoup en fonction de la
température, ce qui témoigne du caractère inhomogène des trois composants. La deuxième
région, au delà de 225 K, dans laquelle le coefficient d’idéalité et la hauteur de barrière
convergent vers une valeur limite. Ces valeurs dépendent du composant, on trouve après le
test HTO 175, une tendance de B vers 0,92 V et de n vers 1,1. Après le test HTO 250, la
limite est de 1,08 V pour B et 1,05 pour n et après le HTO 320 B converge vers 1,1 V et n
vers 1,05.

1
Pour mieux comprendre cette tendance, nous avons tracé B en fonction de pour évaluer
T
les fluctuations de la barrière. La figure IV.23 montre que la hauteur de barrière varie avec la
température jusqu’à 225 K. Au delà de 225 K, B ne dépend plus de la température. Il semble
donc que les fluctuations de la barrière ont alors un effet négligeable sur la hauteur de
barrière. Dans ce cas, le mécanisme de transport est dominé par l’effet thermoïonique. Ce
comportement montre une meilleure homogénéité de l’interface MS du fait que la double
distribution gaussienne que nous avons vue dans certaines diodes étudiées précédemment
n’apparait pas dans ces composants.

1
Figure IV.23 : Variation des valeurs de barrièrs effectives en fonction de
T
après les tests HTO175, HTO250 et HTO320.

Nous avons montré lors de la présentation du modèle de Werner que dans le cas où la
distribution gaussienne de la hauteur de barrière dépend du potentiel appliqué, le tracé de
1 1
 1 en fonction de nous permet de quantifier la déformation de la distribution de la
n T

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

barrière sous l’effet du champ électrique. Ce tracé est représenté sur la figure IV.24 pour les
trois échantillons après vieillissement.

1 1
Figure IV.24 : Variation de  1 en fonction de des trois composants après les tests HTO175,
n T
HTO250 et HTO320.

1 1
Selon le modèle de Werner, l’évolution de  1 en fonction de devrait être une droite
n T
dont l’ordonnée à l’origine donne le coefficient 2 qui caractérise la variation de  B avec le

potentiel appliqué. A partir de la pente le coefficient 3 est déterminé. Il quantifie la

déformation de la distribution standard  avec le potentiel. Le tracé pour les 3 échantillons
vieillis est reporté en figure IV-24, et montre un comportement linéaire sur une large gamme
de température, jusqu’à 225K, permettant d’extraire les coefficients 2 et 3. Dans le tableau
(IV-2), nous résumons tous les paramètres extraits de ces mesures entre 100 K et 225 K,
puisque au delà de cette température nous avons vu que le transport est dominé par l’effet
thermoïonique.

Echantillon  B (V)  (mV) 2 3 (mV)

HTO175_18-17 1,13 96 -0,043 -4,91
HTO250_19-36 1,3 112 -0,153 -9,9
HTO320_19-24 1,4 113 -0,248 -10,41

Tableau IV.2 : Valeurs des paramètres  B , , 2 et 3 obtenues pour les trois composants après
les tests de vieillissement HTO175, HTO250 et HTO320

D’après les valeurs extraites de  B , nous pouvons remarquer que le vieillissement n’a pas
provoqué un effet d’abaissement de la barrière moyenne, puisque ces ordres de grandeurs sont

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

ceux que l’on peut extraire pour une diode normale. Dans le cas du test à 250°C et 320°C, on
aperçoit que la hauteur de barrière a une valeur plus grande par rapport aux valeurs extraites
pour les deux autres tests. Ceci n’est probablement pas dû aux améliorations par le stress mais
plutôt à la qualité initiale du composant. Les valeurs de montrent aussi que le vieillissement
n’a pas provoqué d’effet de fluctuations de barrière. En effet, on retrouve des niveaux de
fluctuations assez comparables aux diodes FD « normales » non vieillies étudiées dans le
paragraphe 2-2-2-b de ce chapitre.

En comparant les coefficients 2 et 3, on peut remarquer que  2HTO175   2HTO 250   2HTO320 et

 3HTO175   3HTO 250   3HTO320 et que les différences paraissent significatives surtout à partir

du test HTO250.

Si nous revenons à l’équation  B (V )   B 0   2V , nous pouvons remarquer que même si  B 0

ne change pas entre les mesures avant et après vieillissement, la diminution après
vieillissement du terme 2 (vers les valeurs plus négatives) va entrainer un abaissement de la
barrière apparente lorsqu’on applique un potentiel. Ceci provoquera un décalage dans les
caractéristiques du courant après les tests de stress.

Ce décalage de tension, dont l’origine est probablement liée à la dégradation de la zone

d’accès grille-drain, induit une variation locale du potentiel du côté de la grille. Cet effet va
jouer aussi sur la distribution gaussienne de la hauteur de barrière qui dépendra à son tour du
potentiel. Ceci se traduit par l’augmentation des valeurs de 3 surtout après les tests HTO250.

VI) Mécanismes de fuite de grille

Dans cette partie nous allons poursuivre l’étude des dysfonctionnements liés au contact de
grille, en particulier, par l’analyse des courants de fuite en inverse qui peuvent induire des
conséquences indésirables sur les performances des transistors.

A noter que jusqu’à aujourd’hui, les diodes Schottky formées sur les matériaux à base
d’AlGaN et d’AlInN souffrent d’un excès de courant de fuite qui peut dépasser de plusieurs
ordres de grandeur les prédictions du modèle thermoïonique. Malheureusement,
comparativement aux diodes Schottky sur GaN, les études quantitatives des caractéristiques

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du courant inverse restent assez limitées dans la littérature, surtout dans les composants à base
d’AlInN.

Yu et al. [32] et Miller et al. [33] se sont basés sur l’effet tunnel assisté par champ électrique
(TFE) pour expliquer les mécanismes du courant de fuite dans les Schottky GaN et AlGaN.
Malheureusement, ce modèle n’est pas valable dans le cas des HEMTs de notre travail
puisque ce modèle fait appel à une densité de donneurs importante, ce qui n’est pas le cas
des barrières d’AlGaN non dopées de nos transistors. D’autres travaux ont suggéré des
processus de transport tunnel assisté par défauts pour éclaircir ces mécanismes [34, 35].
Néanmoins, pour valider ce modèle il faut considérer un continuum de défauts dans la bande
interdite pour pouvoir additionner tout le courant de fuite. Zhang et al.[51] ont montré qu’il
coexiste plusieurs modes de transport du courant inverse qui dépendent du champ électrique
dans la structure.

Les simulations effectuées sur nos structures par L. Lachez [37] dans le cadre du projet
Cardynal ont montré effectivement cette dépendance au champ électrique. En effet, il a
présenté quatre mécanismes qui peuvent gouverner le courant inverse du contact Schottky, à
savoir :

1) L’effet thermoïonique assisté par champ électrique aidé par une fine couche d’oxyde
sous la métallisation de grille. Ce mécanisme est appelé TFE-TSB (Thermionic Field
Emission assisted by Thin Surface Barrier) et se manifeste à des faibles champs
électriques.

2) L’effet Poole-Frenkel (PF) qui est lié à un transport assisté par défauts et qui apparait
en augmentant la polarisation de la grille.

3) Le courant tunnel de Fowler-Nordheim (FNT) qui apparait lorsque la polarisation de

la grille s’approche de la tension seuil Vth.

4) L’effet tunnel bande à bande qui gouverne le transport des porteurs suite à une forte
incurvation des bandes sous l’effet de la tension de la grille lorsque celle ci dépasse la
tension seuil Vth.

Dans le cas de notre travail, nous avons cherché une validation expérimentale de deux de ces
modèles. A savoir : l’effet PF qui pourrait être en liaison directe avec notre étude antérieure

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sur les défauts et l’effet tunnel FN qui a été à priori un mécanisme prédominant dans une
certaine gamme de tensions de grille lors de nos expériences précédentes.

Les caractéristiques du courant inverse ont été effectuées sur les composants de type FATFET
que nous avons principalement utilisés pour caractériser les défauts dans le chapitre III. Notre
étude est divisée en deux parties. Dans un premier temps, nous allons analyser le courant de
fuite à travers les contacts sur AlGaN et dans un deuxième temps à travers les structures à
base d’AlInN.

VI-1) Mécanismes de fuite dans le système ALGaN

VI-1-1) Le courant tunnel Fowler-Nordheim

Avant de juger la dominance de ce mécanisme, il faut noter que nous négligeons la
participation de l’émission thermoïonique. Nous supposons en effet que cette contribution est
négligeable dans la mesure où nous avons montré précédemment que la hauteur de barrière
MS reste suffisamment élevée pour limiter le passage des porteurs du métal vers le
semiconducteur.

La figure IV.25 montre les caractéristiques du courant inverse en fonction de la température.

Nous pouvons remarquer que pour les températures inférieures à 100 K le courant inverse est
pratiquement indépendant de la température. Ceci montre que l’effet tunnel domine le courant
de fuite à basse température. De plus, quand l’échantillon est chauffé, le réseau I(V) se serre
et présente une allure similaire à forte polarisation. Dans ce cas, le courant dépend peu de la
température et le transport par effet tunnel domine.

Figure IV.25 : Variation du courant inverse en fonction de la température pour une diode GD.

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Pour vérifier l’approche de l’effet tunnel Fowler-Nordheim, il faut connaître l’expression de

la composante tunnel FN du courant inverse. La densité de courant est donnée par la formule
suivante [38] :


J FN  Eb2 exp(  ) (IV-32)
Eb

où

q 2 (me / me* )
 (IV-33)
8h B

et

8 2me* (q B ) 3 V 
  6,83x10 7 (me* / me ) B
3
  (IV-34)
3qh  cm 

Avec, Eb le champ électrique dans la couche barrière, q la charge électrique élémentaire, est

le terme à partir du quel on peut définir la transparence tunnel qui est égale à exp(  ) , me la
Eb
masse d’un électron libre, me* la masse effective de l’électron dan la bande de conduction, h
la constante de Planck, B la hauteur de barrière Schottky effective.

Pour tracer le courant inverse, il faut connaître le champ électrique dans la couche barrière.
Dans le cas des barrières AlGaN, le champ Eb n’est plus directement proportionnel à la
tension de polarisation inverse mais dépend aussi du champ de polarisation (piézo et
spontané) dans la couche superficielle. En tenant compte de ces charges, l’expression du
champ en fonction de la tension de grille s’écrit sous la forme suivante [39] :

q( p  n2 DEG (V ))
Eb (V )  (IV-35)
 0 r

Où  p est la charge négative de polarisation, fixe à la surface de la barrière, n2 DEG (V ) est la

densité du gaz 2D en fonction de la tension appliquée sur la grille qui peut être extraite à
partir des mesures C(V). La valeur de la densité de charge  p peut être prédite

théoriquement, dans notre cas nous avons estimé cette valeur à 2,7 x1013 cm-2 [37].

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La figure IV.26 montre les valeurs du champ électrique calculées en fonction de la

polarisation inverse de la grille. Nous rappelons que ces valeurs ont été calculées à une
température égale à 300 K et pour un composant FATFET de surface 100 x160 µm2.

Nous pouvons remarquer que le champ électrique dans la couche barrière augmente au fur et à
mesure qu’on augmente la polarisation jusqu’à atteindre la saturation. Cette saturation
correspond à la tension seuil où le gaz 2D est totalement dépleté. A partir de cette valeur, Eb
ne dépend plus de n2 DEG et l’étalement de la zone de déplétion devient plutôt latéral, vers les
contacts ohmiques du composant.

Figure IV.26 : Variation du champ électrique dans la couche barrière AlGaN en

fonction de la polarisation inverse. Calcul effectué à partir des mesures C(V) à 300 K.

A partir de ces valeurs calculées du champ électrique, nous avons tracé l’évolution de
log(J/E2) en fonction de 1/E à 80 K et à 400 K. Le caractère linéaire des courbes de la figure
IV.27 montre que le mécanisme Fowler-Nordheim domine à des valeurs de tension comprise
entre 0,7 V et 2,45 V à 80 K. Lorsqu’on chauffe l’échantillon, le courant FN ne commence à
apparaître qu’à partir de 1.6 V et s’étale sur toute la gamme de tension. Ce décalage vers les
hautes tensions s’explique par la présence d’un autre mécanisme qui domine à faible
polarisation et à haute température.

Pour vérifier la validité du modèle Fowler-Nordheim utilisé pour décrire ce mécanisme de

transport, nous avons utilisé l’équation du courant IV-32 pour extraire un ordre de grandeur
de la masse effective me* et la comparer aux valeurs théoriques définies dans la littérature.

Pour ce calcul, nous avons utilisé la hauteur de barrière moyenne  B = 1,35 eV extraite dans
la partie précédente et les mesures du courant à 400 K. L’extraction de la valeur de la masse

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Figure IV.27 : Variation de log(J/E2) en fonction de 1/E pour une diode

GD. La partie linéaire de la courbe indique la présence de la composante
Fowler-Nordheim dans le courant inverse

effective donne me* = (0,8 ± 0,4) me. Cette valeur est du même ordre de grandeur que la
valeur théorique dans la littérature qui est égale à 0,25 me dans le cas de l’Al0.25Ga0.75N [40,
41]. Pour chercher l’origine de l’écart entre les valeurs de masse effective, nous avons injecté
la valeur théorique (0,25 me) dans l’équation du courant (IV-32) et nous avons calculé le
champ électrique Eb nécessaire pour obtenir le même courant avec les deux masses effectives.
Nous avons trouvé que le champ électrique calculé à partir de nos mesures est 1,4 fois plus
grand que la valeur du champ qu’on doit théoriquement obtenir. Cet écart correspond d’après
l’équation IV-35 à un écart de 28 % entre la charge totale utilisée pour le calcul du champ Eb
et la charge estimée théoriquement. Ceci pourrait provenir soit de la valeur de la densité de
charges de polarisation utilisée pour le calcul, soit d’une baisse de la densité du gaz 2D sous
l’effet d’un mauvais confinement des porteurs dans le canal ou bien encore la manifestation
d’un mécanisme de piégeage.

Pour cela nous avons comparé la densité de porteurs ns dans le canal extraite à partir des
mesures C(V) à celle effectuée par mesure de sonde mercure directement après épitaxie.
L’écart obtenu est de 35% entre les deux valeurs puisqu’on passe de 1x 1013 cm-2 à 6.5x 1012
cm-2 après la réalisation du composant. Par conséquent, cet écart peut expliquer la différence
entre la valeur du champ calculée et celle estimée pour s’approcher du cas idéal dans
l’extraction de la masse effective.

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VI-1-2) L’effet Poole-Frenkel

Comme nous l’avons déjà expliqué dans le chapitre II, ce mécanisme a pour origine le
transport des électrons assisté par les défauts. Cet effet a été observé dans le chapitre III sur le
même type d’échantillons lors des mesures de DLTS en capacité. Nous avons montré que le
spectre DLTS se décale vers les hautes températures lorsque le champ électrique appliqué sur
la grille diminue. Néanmoins, cette étude reste une analyse qualitative du phénomène évoqué.

Dans ce qui suit, nous allons compléter l’étude par l’analyse quantitative de ce mode de
transport à travers la description de la composante du courant Poole-Frenkel (PF).

Nous avons montré précédemment que la composante tunnel FN est dominante dans les
structures à fortes polarisations de grille. Ce mode de transport est prépondérant entre 80 K et
100 K puisque le courant y est indépendant de la température. Nous avons aussi vu que
lorsque l’échantillon est chauffé, ce mécanisme apparaît plutôt vers les hautes tensions
laissant place à un autre mécanisme à plus faible tension.

Pour examiner cet effet, il faut connaitre l’expression de la composante du courant d’émission
PF en fonction du champ électrique appliqué. La densité de courant est donnée par
l’expression suivante [42, 43, 44]:

 q( t  (qE b /  0  r ) 
J PF  CE b exp    (IV-36)
 kT 
 

Où C est une constante, Eb est le champ électrique dans la couche barrière définie
précédemment et tla hauteur de barrière d’émission de l’électron depuis son niveau de
piège.

A partir de cette équation, nous pouvons déduire une forme linéaire du Ln (J/Eb) en fonction
de Eb . Dans ce cas l’équation revient à la formule suivante :

q qEb q
 Ln( J / Eb )   t  log C  (IV-37)
kT  0 r kT

  K (T ) Eb  L(T )    (IV-38)

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q q
Avec K (T )    (IV-39)
kT  0 r

qt
et L(T )    log C (IV-40)
kT

Dans la figure IV.28, nous avons tracé log (J/Eb) en fonction E b pour les températures

comprises entre 250 K et 400 K. Nous pouvons remarquer que les courbes présentent une
forme linéaire pour des tensions de polarisation comprises entre 0,85 V et 1,7 V. Ceci indique
que le mécanisme de transport dans cette gamme de tension est décrit par un courant de fuite
via un ou plusieurs défauts sous la bande de conduction.

A noter que lorsqu’on augmente beaucoup la température, la zone linéaire est moins étendue
puisque le mécanisme évoqué entre en compétition directe avec l’effet tunnel direct qui
devient de plus en plus marquant.

Figure IV.28 : Variation de log(J/E) en fonction de E1/2 pour une diode

GD. La partie linéaire de la courbe indique la présence de la composante
Poole-Frenkel dans le courant inverse

Pour approfondir l’analyse de ce mécanisme, nous avons tracé selon les équations (IV-39, IV-
1
40) les fonctions K(T) et L(T) en fonction de dans la figure IV.29. A partir de K(T), nous
T
pouvons extraire la constante diélectrique relative de l’AlGaN εrAlGaN = 4,66. A partir de la
fonction L(T) et en tenant compte du champ électrique de polarisation à potentiel nul, nous
avons extrait l’énergie d’activation du piège t= 0,82 ± 0,03 eV.

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1
Figure IV.29 : Tracé des fonctions (a) K(T) et (b) L(T) en fonction de à partir des variations en
T
température de la pente et de l’ordonnée à l’origine des zones linéaires correspondantes au tracé de log(J/E).

La valeur de εr que nous avons déterminée correspond à celle trouvée par Zhang [51] et
s’approche raisonnablement de la valeur théorique de l’Al0.25Ga0.75N qui est donnée par εr =
9,7 – 1,2 xAl [9] Ce résultat montre encore une fois la validité du modèle d’émission de
porteurs par effet Poole-Frenkel pour décrire le courant de fuite de la grille dans nos
structures.

L’énergie d’activation du piège tAlGaN~0,82 eV correspond au niveau d’énergie du défaut

qui participe à ce mécanisme, compté par rapport à la bande de conduction. Dans notre
raisonnement, nous supposons qu’aucun autre niveau, plus proche de la bande de conduction,
ne participe au courant de fuite de la grille. Ce même mécanisme a été mentionné par Zhang
[51]. Dans ses travaux, la valeur trouvée det est faible (~0,3 eV). Etant donné que l’effet PF
domine à faibles tensions de grille, il a supposé que ce niveau pourrait se trouver en dessous
d’un autre niveau attribué aux dislocations qui serait plus proche de la bande de conduction.
Ce niveau à 0,3 eV sera alors compté comme un niveau intermédiaire qu’occupent les
électrons avant de passer via les dislocations.

Récapitulatif :

Dans cette partie consacrée à l’étude du courant inverse de la grille dans les diodes
AlGaN/GaN, nous avons distingué deux mécanismes présents dans le courant de fuite. Le
mécanisme Fowler-Nordheim agissant à des faibles tensions de grille semble être présent sur

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toute la gamme de température de 80 K à 400 K. Lorsque la tension de polarisation de grille

devient plus forte et dans la gamme de température comprise entre 250 K et 400 K, l’effet
Poole-Frenkel domine le transport des électrons. Cette fuite de porteurs, généralement due à
la présence des défauts dans la couche barrière, s’effectue dans notre cas via un niveau de
défaut tAlGaN~0,82 eV.

Ces mécanismes de transport valident les résultats de simulations obtenus sur nos structures
dans le cadre de la thèse de [Link]. En effet, il a été démontré que les mécanismes Poole-
Frenkel et Fowler-Nordheim, qui agissent respectivement à faible et forte tension de grille,
ont une grande influence sur le courant de fuite de grille. De plus, les simulations ont montré
l’existence de deux autres composantes du courant dans le système de matériaux
AlGaN/GaN: le tunnel bande à bande et le TFE-TSB (Thermionic Field Emission assisted by
Thin Surface Barrier).

VI-2) Mécanismes de fuite dans le système AlInN

VI-2-1) Caractéristiques de la structure AlInN/AlN/GaN

Pour ces structures, le courant de fuite de la grille reste relativement élevé comparativement
aux hétérostructures AlGaN/GaN. L’origine n’est pas parfaitement identifiée à ce jour mais
plusieurs travaux sont menés pour étudier ces effets de fuite de grille.

Plusieurs groupes sont passés à des structures MOSHEMTs en ajoutant une couche d’oxyde
sur la couche barrière. Les résultats obtenus montrent une décroissance de six ordres de
grandeur du courant de fuite de la grille [46].

Dans ce travail, nous avons étudié une structure HEMT conventionnelle à hétérojonction
Al81.4In18.6N/AlN/GaN. Avec ce pourcentage en Indium et la couche d’AlN d’épaisseur 1 nm,
la couche barrière devrait être en légère compression par rapport à la couche buffer de GaN.
Avec ces paramètres, nous devrions être dans le cas où la densité des charges de polarisation
doive pratiquement compenser la densité du gaz 2D dans le canal. Le calcul des charges de
polarisation macroscopique effectué par Bernardini et al. [14] ainsi que les travaux de
Gonschorek et al. [48] et Ambacher et al. [15] nous permettent de vérifier cette hypothèse.
Dans la figure IV.30, nous nous sommes placés par rapport à ces travaux pour estimer cette
densité de charge de polarisation et la densité du gaz 2D que nous devrions obtenir.

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Figure IV.30 : Evolution de la densité de charge de polarisation spontanée (trait pointillé),

piézoélectrique (trait discontinu) et la somme totale des charges (trait plein) en fonction du
pourcentage en Indium. La densité n2DEG est aussi calculée pour 14 nm de barrière (carrés bleus
foncés) et 6 nm (carrés bleus clairs) d’après [48] .Le point en bleu clair correspond à la valeur
trouvée avec nos échantillons de 11 nm de barrière et In=18,6 %.

A partir de ces résultats, nous pouvons estimer, pour un pourcentage d’Indium de18,6% et
une barrière d’AlInN d’épaisseur 11 nm, une densité n2DEG ~1.7x1013 cm-2 et une densité de
charges de polarisation  p ~ 2x1013 cm-2.

Les mesures C(V) par sonde mercure effectuées directement après épitaxie ont donné une
valeur de n2DEG~1,5x1013 cm-2 sur les plaques dont sont extraits les échantillons. Nous avons
refait des mesures C(V) après réalisation des contacts sur un composant FATFET, entre grille
et source à une fréquence égale à 100 KHz. La figure IV.31 montre les résultats à 300 K ainsi
que la densité n2DEG calculée en fonction de la polarisation de la grille.

Figure IV.31 : Mesure de la capacité en polarisation inverse pour une diode GD à 300
K et une fréquence 100 KHz. La densité n2DEG est intégrée de la mesure de capacité en
fonction de la tension inverse

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Nous pouvons remarquer que la valeur maximale de la densité de porteurs à potentiel nul est
de n2DEG~1,1x1013 cm-2. Cette valeur est inférieure à celle donnée après épitaxie. Plusieurs
effets peuvent intervenir pour réduire la densité surfacique d’électrons :

 La présence d’états de surface, sous la grille ou dans les zones d’accès, qui créent un
potentiel de déplétion dans le canal.

 La modification du dopage par des impuretés à caractère accepteur qui s’activeraient

lors du fonctionnement du composant après la réalisation des contacts.

Pour analyser le courant inverse, ces hypothèses seront prises en compte dans le calcul du
champ électrique dans la couche barrière en introduisant une densité surfacique de piège nt
fixe et qui pourrait provoquer la chute de la densité du gaz 2D.

VI-2-2) Etude du courant inverse

Comme nous l’avons déjà mentionné dans le chapitre précédent, l’étude des défauts par
DLTS en courant a montré une similitude des pièges présents dans les couches barrières
d’AlGaN et d’AlInN. Nous rappelons que ces pièges ont été identifiés comme étant des
dislocations qui traversent la couche de l’interface ABN/GaN jusqu’à la surface du
composant. Pour cela, nous pouvons suggérer que le mécanisme de courant de fuite assisté
par défaut pourrait être traité de la même façon dans les deux systèmes. Cependant, la nature
des alliages dans les deux cas est différente, par conséquent les propriétés de transport via ces
défauts pourraient éventuellement être différentes.

Nous allons commencer par présenter l’évolution du courant inverse du contact Ni/Au/AlInN
en fonction de la température ainsi que celle du courant direct dans la structure. La figure
IV.32 montre que le courant inverse à la tension de seuil est de deux ordres de grandeur plus
élevé que celui mesuré dans les HEMTs AlGaN. De plus, au-delà de cette valeur de tension,
là où le canal est totalement déplété, le courant dépend moins de la température. Ceci indique
la dominance de la composante tunnel direct du courant de fuite. Les mesures en direct, à 300
K, donnent une hauteur de barrière B=0,58 V, valeur relativement faible comparée aux
résultats attendus dans le cas des matériaux à grand gap. La valeur du coefficient d’idéalité
n=3,5, bien supérieure à l’unité, témoigne aussi de la mauvaise qualité du contact.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

Figure IV.32 : (a) Variation du courant inverse en fonction de la température pour une diode GD à
barrière AlInN. (b) Mesure du courant en direct en échelle normale et semi-logarithmique.

Cette valeur de hauteur de barrière relativement basse pourrait induire des conséquences
néfastes sur le courant inverse du contact Schottky. En effet, le courant de fuite via les pièges
à l’interface MS sera favorisé puisque les niveaux de défauts seront plus proches du niveau de
Fermi du métal comparé à une structure Schottky à base d’AlGaN. Dans le cas des
hétérostructures AlGaN/GaN, la hauteur de barrière peut atteindre 1.35 V. Dans ce cas, les
porteurs qui proviennent du métal nécessitent plus d’énergie pour atteindre ces niveaux. Ceci
pourrait être une raison pour expliquer le faible courant de fuite par rapport au système
AlInN.

Un des mécanismes qui pourrait apparaître dans la barrière Métal/AlInN est le transport par
effet Poole-Frenkel. Ce mode de transport ne nécessite pas un fort champ électrique à la
surface du contact Schottky pour faire passer les porteurs à travers les niveaux de défauts. Par
contre, ce champ sera différent de celui calculé pour les barrières AlGaN puisque nous devons
tenir compte du potentiel créé par l’inter-couche AlN. Son rôle est de maintenir une charge
de polarisation positive à l’interface AlN/GaN pour compenser la charge de polarisation
négative qui provient de l’interface AlInN/AlN et de la création du gaz 2D à l’interface.

En tenant compte de la densité surfacique de défauts nt dans la couche d’AlInN, le champ

électrique à travers la barrière Schottky s’écrit alors sous la forme :

q( AlInN / AlN   AlN / GaN  nt  n2 DEG (V ))

Eb (V )  (IV-41)
 0 r

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

où  AlInN / AlN est la densité de charge de polarisation à l’interface AlInN/AlN,  AlN / GaN celle
à l’interface AlN/GaN et εr la constante diélectrique relative à la couche AlInN.

La figure IV.33 montre l’évolution du champ électrique en fonction de la polarisation de la

grille. Ces valeurs ont été calculées, à 300 K, pour une densité de pièges à électrons fixe nt
~0.4 x1013 cm-2, des densités de charges de polarisations fixes  AlInN / AlN = -4,5 x1013 cm-2 et

 AlN / GaN = 6,5 x1013 cm-2 [48].

Figure IV.33 : Variation du champ électrique dans la couche barrière d’AlInN en

fonction de la polarisation inverse. Calcul effectué à partir des mesures C(V) à 300 K.

A partir de ces valeurs, nous remarquons que le champ électrique dans le cas d’une barrière
d’AlInN est plus faible que celui attendu dans une barrière d’AlGaN. Cette baisse provient
sans doute de la forte densité du gaz 2D et de la faible valeur de la densité des charges de
polarisation. Pour autant, cette valeur n’implique pas l’absence de certains mécanismes de
transport qui pourrait gouverner le courant de fuite, vu la faible hauteur de barrière du contact
Schottky.

Pour étudier le modèle de transport par émission Poole-Frenkel, nous avons tracé log (J/Eb)
en fonction E b pour les températures comprises entre 250 K et 400 K. La figure IV.34

montre que le tracé devient de plus en plus linéaire quand le composant est chauffé. Ceci
témoigne de la présence de cet effet à haute température.

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Figure IV.34 : Variation de log(J/E) en fonction de E1/2 pour une diode

GD à barrière AlInN. La partie linéaire de la courbe indique la présence
de la composante Poole-Frenkel dans le courant inverse.

A partir des équations (IV-39, IV-40), nous avons tracé les fonctions K(T) et L(T) en fonction
1
de dans la figure IV.35. Comme dans le cas du contact Schottky sur AlGaN, nous avons
T
utilisé K(T) pour extraire la constante diélectrique εrAlInN = 15,02 ± 1. Cette valeur s’approche
de 11, 8, valeur extraire par Gonschorek et al. [50]. En revanche, cette valeur est élevée
comparée aux valeurs extraites par voie optique des couches minces d’AlInN déposées sur
GaN [51]. Ces travaux ont montré qu’aux hautes fréquences εrAlInN = 2,78 xIn + 4,12. Avec xIn
le pourcentage de l’alliage en Indium.

1
Figure IV.35 : Tracé des fonctions (a) K(T) et (b) L(T) en fonction de à partir des variations en température
T
de la pente et de l’ordonnée à l’origine des zones linéaires correspondantes au tracé de log(J/E).

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

En tenant compte du champ électrique dans la barrière lorsque Vr =0 V, la fonction L(T) nous
a permis d’extraire l’énergie d’activation du piège tAlInN= 0,22± 0.02 eV qui correspond au
niveau du défaut qui participe à ce mécanisme. Cette valeur est faible comparée à celle
trouvée dans le cas d’une barrière d’AlGaN tAlGaN~0,82 eV. A partir de ces valeurs, nous
pouvons dire que le même mécanisme existe dans les deux types de barrières mais pour deux
niveaux de pièges à l’interface MS différents.

Une des causes susceptibles de cette grande différence entre les niveaux pourrait être le
champ électrique dans la couche barrière. En effet, nous avons vu dans le cas des contacts
Schottky sur AlGaN que le champ électrique dans la structure est plus fort que celui sur
AlInN. Ce potentiel plus élevé pourrait sans doute modifier la structure de bande à la surface
de la couche barrière et ainsi modifier la position réelle du niveau du piège par rapport à la
bande de conduction.

Nous avons voulu nous assurer de cette hypothèse en reprenant l’étude de l’émission Poole-
Frenkel dans le cas où le champ électrique Eb est proportionnel à la tension appliquée (Eb=
β.V). Cela veut dire qu’aucun champ électrique n’existe lorsque Vr = 0 V. Dans ce cas, le
champ créé par les charges de polarisation compense la totalité du champ électrique qui existe
entre la surface et « l’armature négative » créée par les électrons du canal.

Par conséquent, la composante du transport par effet Poole-Frenkel sera traitée en traçant
log(I/V) en fonction de V1/2. La figure IV.36 montre ce tracé ainsi que la fonction L(T) en
1
fonction de .
T

Figure IV.36 : Variation de log(IR/VR) en fonction de VR1/2 et de la fonction L(T) correspondante.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

La courbe montre que le tracé est linéaire même si nous négligeons le champ électrique
« résiduel » dans la couche barrière, le modèle de transport par émission Poole-Frenkel reste
toujours valable. Ceci explique que le champ à potentiel nul n’a pas d’influence directe sur ce
mécanisme. A partir de la fonction L(T), nous avons extrait l’énergie d’activation du piège
t0AlInN= 0,13± 0.02 eV. Cette valeur est deux fois plus faible que celle extraite
précédemment. Nous pouvons alors confirmer l’hypothèse selon laquelle le niveau du piège
est plus profond lorsque le champ électrique est plus fort à l’interface MS.

Le même niveau de piège à 0,13 eV responsable du transport par émission Poole-Frenkel a été
trouvé par Arslan et al. dans le cas des systèmes Al0.83In0.17N/GaN [53]. Dans ces travaux, il a
été supposé que le courant de fuite est dominé par la composante FP via des dislocations qui
se trouvent à cette énergie.

Le modèle décrit par Zhang pour une barrière AlGaN contredit la position de ce niveau t. En
effet, il suppose que si le courant de fuite est dominé par un transport via des dislocations, le
niveau tAlInN est un niveau de piège intermédiaire à travers lequel les porteurs peuvent
transiter pour arriver à la dislocation qui se trouve à un niveau encore plus proche de la bande
de conduction. Dans ce modèle, ce piège d’énergie t devrait être très proche du niveau de
Fermi du métal pour assurer cette transition.

Dans notre cas, si nous revenons aux résultats du chapitre précédent, nous trouvons que le
niveau de dislocations qui traversent la couche AlInN jusqu’à la surface se trouve à Edisloc
~0,37 eV par rapport à la bande de conduction.

La hauteur de barrière MS que nous trouvons ici B=0,58 V nous permet de conclure que le
modèle de Zhang s’applique bien dans nos structures. Le scénario qui décrit le mécanisme de
transport est présenté dans la figure IV.37. Pour simplifier le schéma, nous avons négligé la
courbure des bandes due au potentiel de surface entre le métal et le semiconducteur.

Le niveau de piège EtAlInN va servir comme un niveau de transition pour les porteurs qui
atteindront la dislocation. Si nous tenons compte de la courbure des bandes due au champ
électrique « résiduel » dans la couche barrière, nous trouvons que EtAlInN va baisser
davantage. Dans notre cas, si EtAlInN ~0,22 eV, comme trouvé dans la première exploitation

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

des courbes I(V), ce niveau va s’approcher encore plus du niveau de Fermi du métal et
favoriser ainsi l’augmentation du courant de fuite.

Figure IV.37 : Mécanisme de fuite des électrons montré dans un diagramme de bande simplifié du
contact Ni/Au/AlInN. Le passage des porteurs se fait à travers un niveau de dislocation dans la
couche barrière par l’intermédiaire d’un niveau de défaut aligné avec le niveau de Fermi du métal.

Récapitulatif :

L’étude du courant inverse de la diode Schottky dans le système AlInN/GaN nous montre que
le courant de fuite de la grille est essentiellement dominé par l’effet Poole-Frenkel. En tenant
compte du champ électrique dû aux charges de polarisation, l’énergie d’activation du piège
responsable de ce mécanisme se trouve à EtAlInN ~0,22 eV. Ce niveau, voisin du niveau de
Fermi du métal, est compté à partir d’un niveau de dislocation se trouvant à 0,37 eV de la
bande de conduction. La position du niveau EtAlInN est différente de celle trouvée dans le cas
d’une barrière AlGaN où EtAlGaN ~0,82 eV.

VII) Conclusion
Dans ce chapitre, le comportement du contact Schottky de grille des transistors a été étudié
en deux parties. Dans un premier temps, les mesures I(V) en direct sur plusieurs échantillons
de géométries différentes ont montré des comportements très différents en fonction de la
surface du contact : certaines diodes de grandes géométries présentent une distorsion du
réseau IGS(VGS) à basse température et cet effet est expliqué par la présence de multiples
barrières activées thermiquement.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

A partir de l’étude du coefficient d’idéalité n et de la hauteur de barrière B de ces diodes en

fonction de la température, nous avons montré que les inhomogénéités de type double hauteur
de barrière sont dominantes dans le cas des diodes de grandes surfaces. Les deux barrières
apparentes basse HBL et haute HBH semblent électriquement indépendantes, la barrière basse
HBL disparaissant à haute température. La barrière basse HBL est attribuée à l’existence
d’un niveau d’énergie dans la barrière, autorisant le passage des porteurs et activé
thermiquement. Les mesures en DLTS courant sur les composants de différentes géométries
montrent en effet l’existence d’un tel niveau très probablement lié aux états de surface qui
apparaît à basse température et qu’on ne trouve que dans le cas des grosses diodes. Cet effet
d’inhomogénéité spatiale provoque des fluctuations de la hauteur de barrière autour d’une
valeur moyenne. Dans le cas des diodes de grandes dimensions, le modèle de la distribution
présente deux composantes gaussiennes dans la barrière haute HBH dans deux gammes de
températures différentes, ceci montre encore un comportement différent de la barrière MS à
basse et à haute température.

L’étude de la Schottky après un test de stress pendant 481 heures sur une diode de grande
dimension montre une dégradation du contact avec un abaissement de la hauteur de barrière et
une augmentation des niveaux de fluctuations spatiales. Les tests de vieillissement effectués
sur les composants de petite géométrie pendant 2080 heures montrent une augmentation du
niveau de fluctuations de la barrière liée au champ électrique à partir de l’extraction des
paramètres 2 et 3 du modèle de Werner. Ces fluctuations sont plus accentuées dans le cas
des stress à 250°C et 320°C.

La deuxième partie du chapitre a été consacrée à l’étude du courant inverse de grille en

fonction de la température. Dans le système de HEMTs AlGaN, nous avons trouvé que le
courant inverse de grille est dominé par deux composantes. La première composante est
d’origine tunnel Fowler-Nordheim et la deuxième provient de l’effet Poole-Frenkel qui
apparaît à haute température et qui décrit le passage des porteurs via des niveaux de pièges
dans la couche barrière à 0,82 eV. Dans le système AlInN/GaN, cet effet est aussi présent et
nous avons vu que le passage des porteurs se fait à travers les dislocations qui traversent la
couche barrière. Nous avons montré qu’un autre niveau de défaut localisé à proximité du
niveau de Fermi du métal, localisé à 0,22 eV du niveau de la dislocation pourrait faciliter la
transition des porteurs du métal jusqu’au niveau des dislocations.

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 Chapitre IV : Etude approfondie du contact de grille

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 Conclusion

Conclusion

202
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 Conclusion

Ce travail de thèse a porté sur l’étude expérimentale des mécanismes physiques qui peuvent
affecter le fonctionnement des composants HEMTs à base d’hétérostructures AlGaN/GaN et
AlInN/GaN.

La démarche adoptée pour cette analyse s’est principalement divisée en trois parties.

En premier lieu, nous avons effectué la caractérisation en régime statique des composants par
des mesures courant-tension IDS-VDS, IDS-VGS et des mesures de capacité grille-source CGS-
VGS. A partir de cette étude menée à différentes températures, nous avons pu repérer certaines
anomalies dans les caractéristiques des composants. Les plus marquants des effets sont : le
décalage de la tension de seuil, l’apparition de l’effet kink et la baisse anormale du courant IDS
pour des tensions VGS proches de la tension de pincement lors des mesures à basse
température. Ces effets qui disparaissent pour des températures supérieures à 250 K sont très
probablement liés à des mécanismes de piégeage des porteurs par les états de surface. La
baisse de la mobilité des porteurs est accompagnée par l’apparition de deux plans de charge
localisés à l’interface à haute température. Le premier correspond à celui du canal 2D et le
second est susceptible d’être lié au piégeage des porteurs à l’interface du côté de la couche
barrière. Pour confirmer l’existence de ces défauts nous avons adopté la technique de
spectroscopie des défauts (DLTS) qui fait l’objet de la deuxième partie de notre étude.

La spectroscopie des niveaux profonds est une méthode efficace pour extraire la signature de
certains défauts présents dans la structure. Avec la DLTS en capacité, nous avons déterminé
les niveaux profonds actifs à haute température. La cinétique de ces états a montré qu’il s’agit
a priori de défauts étendus provenant de l’hétérointerface et traversant la couche barrière. La
dépendance de l’émission de ces défauts en fonction du champ électrique montre que le
mécanisme de dépiégeage est dominé par l’effet Poole-Frenkel.

Dans le but d’analyser l’effet des pièges sur le courant de drain et de s’affranchir des
problèmes de résistance série qui peuvent déformer les transitoires de capacité analysés en
DLTS, nous avons adopté la technique de DLTS en courant. L’étude faite sur des composants
avec des géométries différentes a montré qu’un niveau donneur (E1) actif à basse
température apparaît dans les transistors à grilles multiples. Avec les structures dont la
longueur de grille est supérieure à 10µm, nous avons mis en évidence la présence d’un niveau

203
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 Conclusion

accepteur (H1), responsable de la baisse du courant de drain et qui pourrait être lié aux états
de surface dans l’espace grille-drain.

L’analyse par DLTS d’un composant ayant subit des tests de vieillissement accélérés a révélé
la génération d’un niveau donneur localisé dans la zone grille-drain. Ce niveau peut être la
cause de l’effondrement du courant IDS observé après les tests de stress.

Nous avons effectué une étude comparative des défauts dans les deux structures HEMTs à
base d’AlGaN/GaN et d’AlInN/GaN. Le niveau donneur (E2) observé dans les composants à
base d’AlGaN/GaN est aussi présent dans les structures avec une barrière d’AlInN. Ce défaut
étendu qui traverse la couche barrière est probablement une dislocation générée à partir de la
couche tampon de GaN.

Enfin, dans le dernier chapitre, nous avons comparé l’évolution en température de la hauteur
de barrière Schottky du contact de grille, pour différentes géométries de transistors afin
d’évaluer la stabilité de ce contact. Nous avons constaté que la qualité de la barrière dépend
de la surface du contact. En effet, le caractère inhomogène de la barrière a été observé dans
les composants de grande dimension. Les petites géométries ont montré une meilleure
stabilité en température du contact. Nous avons expliqué ces anomalies par la fluctuation
spatiale du potentiel à l’interface métal/semiconducteur. Cet effet est provoqué par des
inhomogénéités liées aux défauts à l’interface ou à la qualité du contact. Ceci rejoint les
observations des états de surfaces constatés lors des mesures de DLTS en courant effectuées
sur les composants de différentes géométries.

Nous avons effectué une analyse approfondie dans le but d’évaluer la fiabilité du contact de
la grille après des tests de vieillissement accélérés. Les résultats obtenus sur un composant test
FATFET ont montré une dégradation du contact qui se manifeste par une baisse de la hauteur
de la barrière surtout à basse température. Cet effet est accompagné d’une augmentation du
niveau de fluctuation du potentiel à la surface. Les transistors qui ont subit les tests HTO ont
montré une bonne stabilité du contact de la grille.

Enfin nous nous sommes intéressés à l’étude du courant inverse de la grille des transistors. A
partir des analyses faites à différentes températures, nous avons pu extraire certains
mécanismes de transport qui dominent le courant de fuite. Dans les structures AlGaN/GaN,
nous avons vu que l’effet tunnel Fowler-Nordheim ainsi que l’effet Poole-Frenkel sont les
principales composantes du courant de fuite de la grille. Dans le système AlInN/GaN, nous

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 Conclusion

avons combiné les mesures DLTS et les mesures du courant de fuite pour montrer que le
transport des porteurs se fait principalement à travers des dislocations via un niveau de piège
intermédiaire.

Ce travail nous a donc permis de comprendre plusieurs aspects liés aux effets parasites dans
les transistors HEMTs à base de GaN. Dans ce contexte, d’autres études pourraient apporter
des informations sur la nature et la localisation des pièges. Dans la mesure où tous les tests de
vieillissement accélérés ont montré une dégradation significative du courant de saturation de
drain, la technique de DLTS en courant est une méthode efficace pour extraire les niveaux de
pièges générés après ces tests.

Ce travail a également donné naissance au développement de techniques de caractérisations

optiques au sein du laboratoire. En parallèle avec l’analyse par méthodes électriques présentée
dans ce travail, nous avons développé un banc de micro-photoluminescence (µPL) et de
micro-photoreflectance (µPR) fonctionnant dans l’UV afin de pouvoir déterminer les
propriétés optiques des hétérostructures à base de GaN. Ces techniques peuvent être
appliquées directement sur un composant fini puisque le diamètre du faisceau d’excitation
mesure quelques micromètres. Avec la µPL, il serait possible de détecter la photoémission des
pièges et de localiser les défauts générés après la dégradation pour les composants qui ont
subit les tests de vieillissements accélérés. La µPR est une technique expérimentale de
spectroscopie de modulation qui nous permettrait de déterminer le champ piézoélectrique
dans la couche barrière et d’étudier l’effet de la contrainte sur les propriétés de transport dans
ces matériaux. Dans les deux techniques, les échantillons sont excités par un laser UV modulé
(244 nm).

Les difficultés rencontrées lors des premiers essais sur les transistors étudiés dans ce travail ne
nous ont pas permis d’aboutir à des résultats exploitables. En effet, le laser d’excitation
UV(244nm) utilisé dans les deux techniques a provoqué une dégradation de la couche de
passivation dans l’espace grille-drain la rendant opaque localement.

Il serait possible néanmoins de poursuivre ces travaux par des mesures de micro-
électroréflectivité qui sont analogues à la µPR, mais dans lesquelles on s’affranchit des
problèmes liés au laser UV, puisque la modulation est appliquée de façon électrique.

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 Annexe

Annexe

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 Annexe

Une étape importante du travail de la thèse a été consacrée à l’adaptation du système

cryogénique au montage des transistors à faible longueur de grille (0,25 µm). Le support
conçu à l’intérieur du cryostat TRG Air Liquide est spécifique aux boitiers « Egide » dans les
quels sont montés les composants. Dans la figure I, nous montrons les différents éléments que
constitue le cœur du cryostat ainsi qu’une photo du boitier du transistor fixé sur le support.

Figure I : Schéma du cœur du cryostat utilisé pour les mesures en températures.

Le boitier Egide utilisé a été conçu pour réduire au minimum les dimensions des « bonding »
d’accès au composant et réduire les effets pénalisants des éléments extrinsèques. Cependant,
les premières mesures effectuées en régime statique continu ont montré une instabilité du
courant de sortie qui se manifeste par des phénomènes oscillatoires dans les caractéristiques
IDS-VDS. En jouant sur l’environnement extérieurs du transistor (longueur de câblage,
encapsulation ou non du cryostat, etc …), nous avons constaté une modification de
l’amplitude et du comportent des oscillations. Dans ce contexte, nous avons essayé de mettre
en évidence quelles sont les sources de perturbations se trouvant à l’extérieur du boitier et les
modalités par lesquelles elles parviennent à interférer avec le signal.

Certaines sources de parasites susceptibles d’ajouter les perturbations peuvent être classées
selon plusieurs catégories :

 Les sources électrostatiques : elles consistent en l’accumulation de charges

électriques à l’intérieur des câbles de connexion ou à leur extrémité formant ainsi une
capacité parasite. Dans ce cas, la décharge à travers les impédances situées aux

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 Annexe

extrémités du câble (à l’entrée du boitier ou du composant) n’est pas rapide et une

superposition de cet effet ajoute à chaque fois des charges à une capacité non-
déchargée. Cet effet peut s’amplifier lorsque la séquence de polarisation (en termes de
temps) issu du système est inférieure au temps nécessaire pour la décharge des
porteurs. Ceci se traduit par une tension aux bornes fluctuantes.

 Les sources électromagnétiques : dans cette catégorie on trouve plusieurs origines de

perturbations. En premier lieu, le secteur de distribution d’énergie 220 V /50 Hz peut
être une source de parasites qui apportent facilement des pics de bruit harmonique de
la fréquence 50 Hz. Dans ce cas, l’utilisation des batteries d’alimentation comme
source de polarisation est nécessaire. Les perturbations peuvent aussi être apportées
via un couplage avec une onde électromagnétique. Il s’agit d’un couplage avec une
ligne de transmission par conduction ou par rayonnement. En effet, les composants
électroniques peuvent se comporter comme une source émettrice /réceptrice d’une
onde électromagnétique qui se propage via les connexions ou se confine à proximité
du transistor. Ceci induit des interférences avec les lignes de propagation des électrons
dans le canal et produit des perturbations dans le courant.

En tenant compte de toutes ces considérations, nous avons commencé le travail sur
l’amélioration du montage par le blindage de certains éléments du circuit, une technique
essentielle contre les parasites induits. Pour cela, nous avons choisi d’utiliser un câblage
coaxial à l’intérieur du cryostat pour garder le même mode de propagation qui existe dans les
connexions liés aux générateurs de tension (en coax ou en triax). Malheureusement, dans ce
type de protections les performances chutent dès la première ouverture du système par une
rupture de liaison ou un changement de la nature du câblage (matériau, dimension, etc…).
Probablement pour cela que cette technique n’a pas apporté l’efficacité souhaitée pour
éliminer les oscillations de courant.

Les tores ferrites utilisés souvent en électronique et en radio (circuits sélectifs, filtrage,
antiparasitage, etc…) peuvent être efficaces pour absorber les fluctuations parasites. Avec
leur caractère magnétique, une résistivité comprise entre 102 et 108 Ω et une perméabilité qui
peut atteindre 104, elles imposent un circuit magnétique complètement fermé lorsqu’elles sont
placées à l’entrée du boitier. La transmission d’une onde électromagnétique parasite via le
câblage sera alors significaivement atténuée.

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 Annexe

Comme nous l’avons mentionné, les sources de perturbations électrostatiques produites par
l’accumulation de charges à l’interface entre les câbles de connexions et le boitier doivent être
aussi prisent en compte. Ces porteurs injectés comme composante parasite dans le courant
peuvent être évacués en intégrant une capacité entre la grille et la source. Pour remplir
correctement son rôle de réservoir de charges, la valeur de la capacité doit être choisie selon
l’équation :

dQ Idt
C 
dV dV

En régime de saturation de courant et pour une séquence de polarisation suffisamment lente,

la capacité que nous avons choisie est de 1000 pF. La figure II-a montre une photo du
montage après l’ajout de deux ferrites respectivement à l’entrée de la broche de grille et du
drain ainsi que la capacité réservoir entre la source et la grille.

Figure II : Photo du montage après l’ajout des ferrites et de la capacité entre la grille et
la source (a). Caractéristiques IDS-VDS après les modifications apportées (b).

Les précautions prisent pour minimiser les perturbations apportées par les connexions aux
boitiers n’ont pas permis de résoudre totalement les problèmes d’oscillations. La photo 2-b
des caractéristiques IDS-VDS montre un léger accrochage suivit d’un effondrement du courant
dans la zone de saturation.

L’autre piste à exploiter est l’effet du rayonnement électromagnétique autour du transistor que
jusqu’à maintenant n’a pas été traité. En effet, la paroi du cryostat forme une cage de Faraday
contre toute perturbation électromagnétique venant de l’extérieur. Ce pendant, l’onde qui se
trouve piégée à l’intérieur subit des réflexions multiples sur la paroi interne et se confine à
proximité de l’échantillon. Pour résoudre ce problème, un blindage autour de l’environnement
du transistor est nécessaire pour repousser ces effets parasites.

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Le blindage peut être effectué avec un matériau ferromagnétique (Fer, Nickel, Mu-métal,
etc…) qui a pour rôle de canaliser les lignes d’induction dans une seule direction : il en résulte
alors une diminution de l’induction dans son voisinage. L’utilisation d’un matériau
diamagnétique (Diamant, Graphite, Cuivre, etc…) peut aussi être une solution. Ce matériau,
soumis à une excitation magnétique, donne naissance à un champ induit opposé. Ce
comportement conduit à un phénomène de répulsion. La figure III montre la canalisation des
lignes de champ dans les matériaux ferromagnétiques et diamagnétiques.

Figure III : Différence de canalisation des lignes de champ magnétique en présence

d’un matériau ferromagnétique et d’un matériau diamagnétique.

Les premiers tests effectués avec un blindage ferromagnétique en cuivre n’ont pas aboutis à
une élimination des effets d’oscillations. Le Mu-métal avec sa perméabilité très élevée (25000
plus grande que celle du cuivre) reste une piste à exploiter pour voir son effet.

Nous avons choisi d’utiliser ensuite le graphite (diamagnétique) dans le but d’exploiter les
propriétés répulsives de ce matériau. La plaque en graphite est fixée sur deux colonnes
traversant le boitier et rapprochée au maximum de l’échantillon. La figure IV-a montre le
dispositif final ainsi que le résultat obtenu, dans la figure IV-b, avec toutes les améliorations
décrites précédemment.

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Figure IV : Photo du montage final après l’ajout d’un bloc de graphite au dessus du
boitier (a). Caractéristiques IDS-VDS après les modifications apportées (b).

Le montage que nous avons réalisé nous a permis d’obtenir des caractéristiques IDS-VDS
stables et reproductibles sur une gamme de température allant de 77 K à 500 K.

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 Annexe

Publications de l’auteur

Articles publiés dans des journaux avec comité de lecture

« Characterization of AlGaN/GaN HEMT grown on silicon carbide devices with a gate length
Lg = 0.15 µm »
S. Saadaoui, M. Gassoumi, M.M Ben Salem, W. Chikhaoui, C. Gacquière, H. Maaref.
En cours de soumission dans Sensor Letters (2011)

« Current deep level transient spectroscopy analysis of AlInN/GaN high electron mobility
transistors: Mechanism of gate leakage »
W. Chikhaoui, J.M Bluet, M.A Poisson, N. Sarazin, C. Dua, C. Bru-Chevallier.
Applied Physics Letters 072107 96 (2010)

« Deep traps analysis in AlGaN/GaN heterostructure transistors »

W. Chikhaoui, J M. Bluet, C. Bru-Chevallier, C. Dua, R. Aubry.
Physica Status Solidi (c) 7 92 95 (2009)

« Deep levels investigation of AlGaN/GaN heterostructure transistors »

W. Chikhaoui, J. M Bluet, P. Girad, G. Bremond, C. Bru-Chevallier, C. Dua, R. Aubry.
Physica B: Condenser Matter 4879 404 (2009)

« Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN

HEMTs »
N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, C. Sury, V. Hoel, J-C De Jager, N. Defrance, Y. Douvry,
C. Dua, M. Oualli, C. Bru-Chevallier, J-M. Bluet, [Link].
Microelectronics Reliability 1216 49 (2009)

Présentations orales (Conférences et Workshop)

«Analysis of Leakage Current in Schottky Diodes Realised in the InAlN/GaN Material
System»
W. Chikhaoui, J-M Bluet, M-A Poisson, N. Sarazin, C. Dua and C. Bru-Chevallier.
International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (Florida, USA).

«Gate Contact Analysis in AlGaN/GaN HEMTs.»

W. Chikhaoui, J-M Bluet, C. Bru-Chevallier, C. Dua, M-A. di Forte Poisson, E. Morvan and
M. Oualli.
International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (Florida, USA).

« Characterisation of the parasitic effects in InAlN/AlN/GaN HEMTs »

C. Sury, N. Malbert, A. Curutchet, N. Malbert , [Link] Y. Douvry, J-C De Jaeger, C. Dua, M.
Oualli, M. Piazza, J-M. Bluet , W. Chikhaoui, C. Bru-Chevallier.
5th Space Agency - MOD Round Table Workshop on GaN Component Technologies 2010
(Noordwijk, Netherlands).

«Temperature dependent degradation modes in AlGaN/GaN HEMTs,»

Douvry, Y.; Hoel, V.; De Jaeger, J.; Defrance, N.; Sury, C.; Malbert, N.; Labat, N.; Curutchet,
A.; Dua, C.; Oualli, M.; Piazza, M.; Bluet, J.; Chikhaoui, W.; Bru-Chevallier, C.

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 Annexe

Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2010 European , vol., no., pp.114-
117, 27-28 Sept. 2010

«Reliability assessment in different HTO test conditions of AlGaN/GaN HEMTs»

Malbert, N.; Labat, N.; Curutchet, A.; Sury, C.; Hoel, V.; de Jaeger, J.-C.; Defrance, N.;
Douvry, Y.; Dua, C.; Oualli, M.; Piazza, M.; Bru-Chevallier, C.; Bluet, J.-M.; Chikhaoui, W.
Reliability Physics Symposium (IRPS), 2010 IEEE International , vol., no., pp.139-145, 2-6
May 2010 (California, USA).

« Analysis of metal/semiconductor interface on AlGaN/GaN heterostructures »

[Link], J-M. Bluet, C. Bru-Chevallier.
Journées Internationales de Physique des Matériaux et Applications JIPMA 2009 (Gafsa,
TUNISIA).

« Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN

HEMTs »
N. Malbert. , N. Labat, A. Curutchet, C. Sury, V. Hoel, J-C De Jager, N. Defrance, Y.
Douvry, C. Dua, M. Oualli, C. Bru-Chevallier, J-M. Bluet, [Link].
European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis
ESREF 2009 (Arcachon, France).

« Deep traps analysis in AlGaN/GaN heterostructure transistors »

W. Chikhaoui , J M. Bluet, C. Bru-Chevallier , C. Dua, R. Aubry.
EMRS 2009 (Strasbourg, France).

Présentations posters

«Comparison of deep traps between AlGaN/GaN and AlInN/AlN/GaN HEMTs analysed by

deep level transient spectroscopy».
W. Chikhaoui , J. M Bluet., C. Bru-Chevallier., C. Dua.
International Symposium on Compound Semiconductors ISCS 2011 (Berlin, Germany).

« Deep levels investigation of AlGaN/GaN heterostructure transistors »

W. Chikhaoui , J. M Bluet., P. Girad., G. Bremond, C. Bru-Chevallier., C. Dua, R. Aubry.
International Conference on Defects in Semiconductors ICDS 2009 (St Petersburg,
Russia).

«Analyse des dysfonctionnements des transistors HEMTs à base de Nitrures d'éléments III »
[Link], J-M Bluet, P. Girard, C. Bru-Chevallier.
Journée Nano- Micro- Opto-électronique JNMO 2008 (Ile d’Oléron, France).

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