Mathématiques Informatique Physique Chimie

ÉLECTROCINÉTIQUE
Semestre 1

Le courant en régime sinusoïdal

 Plan du cours
1 – Signal harmonique ou sinusoïdal
1.1 Définitions générales
1.2 Circuit électrique
2 – Étude théorique d’un circuit électrique
2.1 Les lois instantanées pour les courants de BF
2.2 La méthode du nombre complexe
2.3 Les générateurs en régime sinusoïdal
3 – Circuits RLC : Résonance en courant, en tension
4 – Puissance électrique
 1 – Signal harmonique
1.1 Définition
A - Un signal harmonique ou
sinusoïdal a pour expression : Xm
(*)
x (t )  X m sin(t   )

x(t): la valeur instantanée du courant

Xm : la valeur maximale ou amplitude
 : la pulsation ou fréquence angulaire
 : la phase 2
  2f 
T
(*) ou x (t )  X m cos(t   )
 B – Valeur efficace
R R

G
u(t): tension périodique de période T U=?
Calculons les énergies absorbées par les deux systèmes :
1T 2 U2
E   u (t)dt E  P. T  . T
R0 R
Les 2 énergies sont égales 
1T 2
U  u (t)dt
TO
 U : Valeur RMS (Root Mean Square) , moyenne quadratique
 B - Valeur efficace
 La valeur efficace d’un signal alternatif x(t) est définie
comme la racine carrée de la moyenne du carré de x(t) calculée
sur une période. Elle s’écrit :
T
1
X  x 2 dt

T 0

 Dans le cas d’un signal alternatif sinusoïdal, on obtient:

Xm
X 
2

 x(t) s’écrit alors : x (t )  X 2 sin(t   )

 1.2 Circuit électrique
1.2.1 Déphasage entre le courant et la tension
A D U DM  Ri
i (t )  I m sin(t   i )
u (t )  U m sin(t   u )
 u /i   u   i
u/i : Déphasage entre u et i
Voie 1 (Ue)
 u / i  0 : La tension est en avance
sur le courant
 u : Phase initiale de u (unité : radian)
Voie 2 (UDM)
 u  t : Phase à l’instant t de u
 1.2 Circuit électrique
A) Cas d’une résistance

A i R B

i (t )  I m sin(t   i )
U=Ri
Le courant i et la
tension u sont en phase.
 1.2 Circuit électrique
B) Cas d’un condensateur

i
C

 u
  i /u  rad
2 u (t )  U m sin(t )
dQ du
i (t )  C  I m cos(t )  I m sin(t   / 2)
dt dt
 Le courant i est en quadrature avance sur la tension u
.
 1.2 Circuit électrique
C) Cas d’une bobine pure

i L
u

  i /u   rad u (t )  U m sin(t )
2
di 
dt 
u (t )  L  L .i (t )  u (t )dt  i (t )  I m sin(t  )
2
Le courant i est en quadrature retard sur la tension u
.
 1.2.2 Impédance du dipôle AB
Soit D un dipôle quelconque se trouvant entre A et B
soumis à une tension u(t) et traversé par un courant i(t) :

A i(t) UAB = Um sin(t +  u) et i = Im sin(t +  i )

L’impédance du dipôle AB est donnée par :

Um U
D Z AB   Unité: Ohm ()
u(t) Im I
Pour une résistance : ZR = R
1
B Pour un condensateur: ZC =
Cω
Pour une bobine: ZL = L
 2. Etude théorique d’un dipôle RLC
2.1 Lois instantanées pour les signaux de basse fréquence
HYPOTHÈSE : Approximation des Régimes Quasi-Stationnaires (ARQS)
l’intensité électrique est la même à un même instant pour
toute section d’un conducteur filiforme.
VALIDITÉ :
Avec une vitesse de propagation de l’intensité proche de
c = 3 108 m s− 1 , pour une fréquence  ≤ 10 MHz , soit T  10-7 s.
Cela conduit à la condition l  30 m qui est généralement
satisfaite dans le domaine de l’électronique.

 Pour les courants alternatifs de basse fréquence, les lois des

courants continus restent valables.
 2.1 Lois instantanées pour les courants de BF
A) Pour des dipôles en série
i1 A i2 B i3 C
i = i1 = i2 = i3
UAB UBC
UAC = UAB + UBC
UAC
B) Pour des dipôles en dérivation
UAB
A B
i i1 i = i1 + i2

i2 UAB = UCD
C D
UCD
 2.1 Lois instantanées pour les courants de BF
C) Aux bornes d’un dipôle RLC
i R L C

A D E B
UAD UDE UEB
UAB
 Aux bornes de la résistance : UAD = Ri
di
 Aux bornes de la bobine : UDE = L   e
dt
avec e : fém d’auto-induction
q dq
 Aux bornes du condensateur : E BU  et i  
 q  idt
C dt
di 1
 Aux bornes de RLC : U AB  Ri  L  idt 
dt C
 2.2 La méthode du nombre complexe
A) Les différentes notations
2
• Notation algébrique : z  a  jb avec j  1
jθ
• Notation d’Euler : z = z (cos θ + jsin θ ) = ze

• Notation polaire de Steinmetz: z = z∠ θ

avec

Module de z : Argument  :
b Im(z)
2 2 tgθ  
z a b a Re(z)
 2.2 La méthode du nombre complexe
B) Applications
Soient z 1 , z 2 , z 3 trois nombres complexes tels que:
z 1  a 1  jb 1 ; z 2  a 2  jb 2 ; z 3  a 3  jb 3
soit z 1  z 1 θ 1 ; z 2  z 2 θ 2 ; z 3  z 3 θ 3
• Cas d’une somme
z  a  jb  z 1  z 2  z 3 avec a = a1+a2+a3 et b= b1+b2+b3
• Cas d’un quotient
z 1 . z2 z 1 . z2
z  θ 1  θ 2  θ 3
z3 z3
 2.2 La méthode du nombre complexe
C) Impédance complexe
• Pour un dipôle D donné,
UAB = Um cos(t +  u)  u AB  U m e j( ω t   u )  U m e j ω t
j( ω t   i ) jω t
i = Im cos(t +  i)  i  Im e  Im e
On définit :
• l’amplitude complexe de la tension par :
j u
Um  U m e et
• l’amplitude complexe de l’intensité par :
j i
Im  I m e
 C) Impédance complexe
• l’impédance complexe du dipôle est définie par:
j u
Um Um e U m j( u  i ) j( u  i )
z  j i
 e  z.e
Im Im e Im
 Caractéristiques de z :
Um
Module ( z ) : z  z
Im
Argument ( z ) :    u   i tel que :
Im( z )
tan( ) 
Re( z )
 D) Propriétés
D.1 ) Loi d’Ohm :
I z
U  Z. I
U
D.2 ) Dipôles en série:
z1 z2 z3

z z  z 1  z2  z3

 D) Propriétés
D.3 ) Dipôles en parallèle:
• L’admittance d’un dipôle d’impédance complexe z est
donnée par :
• Module : Y  Y  1  Im( Z )
1 Z Re( Z )
Y= • Argument :
Z
Arg ( Y)  - Arg (Z)  -   i   u
U
• De U  Z. I on tire I  Y. U
Z
 D.3 ) Dipôles en parallèle
Y1
I1
n n
I2 Y2
I  I
i 1
i U . Yi 1
i

I A I3 Y3 B
Or

Yn
I  U .Y
In
D’où
U
n
I Y  Y i

 U
i 1
D.4 ) Impédances complexes de quelques dipôles
a) Résistance
ZR
I R
Module : Z  R
U Argument : tg ( )  0
  u  i  0  u et i sont en phase

b) Bobine π
j
2
L Z  jLω Lωe
I
Module : Z = Lω
U π
Argument :    u   i  rad
2
 u est en quadrature avance sur i
 D.4 ) Impédances complexes de quelques dipôles
- j 1 - j 2π 1
c) Condensateur Z = = .e Module : Z =
Cω Cω Cω
C π
I Argument :    u   i   rad
2
 u est en quadrature retard sur i
U
d) Circuit LC Z  Z L  Z C  j (L 
1
)
C
I L C Argument :
1 π
Si (L  ) 0   rad
U C 2
1 1 π
Module : Z  (L  ) Si (L  ) 0    rad
C C 2
D.4 ) Impédances complexes de quelques dipôles
e) Circuit RLC
I L C

U
1
Z  Z R  Z L  Z C  R  j (L  )
C
Module Z : Argument  :
1
2 1 2 L 
Z  R  (L  ) C
C tg 
R
 2.3 Les générateurs en régime sinusoïdal
A) Générateur de tension
Un générateur de tension sinusoïdale a une f.é.m e(t):
e (t )  E m sin( t   )
j φe
La f.é.m. complexe associée s’écrit : E m = E m .e
Un générateur de tension est caractérisé par :
• sa f.é.m complexe E
• son impédance interne complexe Z
E
I Z Pour un générateur
de tension idéal Z  0
U E
U  E  Z .I
 2.3 Les générateurs en régime sinusoïdal
B) Générateur de courant
Un générateur de courant est caractérisé par :
E
• Son courant électromoteur complexe : I0 
(ou courant de court-circuit) Z

• Son admittance complexe : Y  1

Z
I0 Loi des nœuds en B : I 0  I  I 1
A B I
Or U  Z .I  I  Y .U
I1
Y D’où I  I 0  Y .U

U
 PARTIE 3
Circuits RLC
 3.1 Résonance en courant
A) Fréquence de résonance
i(t) L Une tension u (t )  U m . cos(t )
est appliquée aux bornes du dipôle RLC.
On s’intéresse à la variation de l’intensité
u (t ) C du courant en fonction de la fréquence et
R plus particulièrement aux phénomènes de
résonance.
u R (t ) La résonance en courant est obtenue
lorsque l’ intensité du courant parcourant le dipôle RLC est
maximale.
U 1
Or I  avec Z = Z R + Z L + Z C = R + j ( Lω - )
Z Cω
 A) Fréquence de résonance
U  U m Um
Donc I I   
Z  Z 2 1 2
R  (L  )
C
L’intensité maximale est donc obtenue lorsque Z  Z min  R
soit 1 2
(L  ) 0
C
 La fréquence f0 qui répond à cette condition
s’appelle la fréquence de résonance
Um 0 1
I  I MAX   f  f0  
R 2 2 LC
 B ) Fréquences de coupures
I MAX
Les fréquences pour lesquelles I  sont appelées
2
fréquences de coupure .
Pour un dipôle RLC série, il existe deux fréquences de
coupure, l’une inférieure à f0 , l’autre supérieure.
On les notes fC1 et fC2 respectivement.
I MAX Um Um
I   
2 2 1 2 R 2
R  (L  )
C
Ce qui donne :
1
L    R  LC 2  RC  1  0
C
 C ) Facteur de qualité
D’où l’on tire les deux pulsations de coupure :
2 2 2 2
 RC  R C  4LC RC  R C  4LC
C 1  et  C 2 
2LC 2LC
avec  C 1  2 f C 1 et  C 2  2 f C 2
0 f0
Le rapport Q   est appelé
C 2  C 1 f C 2  f C 1
facteur de qualité ou sélectivité du circuit
1 L
 Dans le cas d’un dipôle RLC série : Q
R C
REMARQUE : Le facteur de qualité diminue quand la résistance augmente
 D ) Déphasage
Le déphasage entre tension et courant est donné par :
1  1 
  Arg ( Z )  Arctg  . L  
R  C  
1
• À la résonance : L  0 donc   0
C
Tension et courant sont en phase. Le dipôle se comporte comme
une résistance
1
• Si f<f0 : L  0 La tension est en retard par rapport
C
au courant. Le dipôle se comporte comme un dipôle capacitif
1
• Si f>f0 : L  0 La tension est en avance par rapport
C
au courant. Le dipôle se comporte comme un dipôle inductif
E ) Courbe de réponse

1 L
Q
R C
Um
I 
2 1 2
R  (L  )
C
 La résonance est
d’autant plus aigüe que R
est petite
 L’intensité maximale est
d’autant plus grande que R
est petite
 3.2 Résonance en tension
A) Etude de la tension aux bornes du condensateur
i(t) D’après la loi des mailles :
L U(t )  U (t )  U (t )  U (t )
L R C
u (t ) R Ce qui s’écrit encore
C di (t )
U(t )  L  Ri (t )  U C (t )
dt
u C (t ) dQ (t ) dU C
Or i (t )  C
dt dt
Ce qui donne
2
d U C (t ) dU C (t )
LC 2
 RC  U C (t )  U m cos( t )
dt dt
 A) Étude de la tension aux bornes du condensateur
La solution de cette équation est la somme de l’équation
homogène (sans second membre : SSM ) et une solution particulière.
On rappelle que :
• La solution de l’ESSM  Régime transitoire
• La solution particulière  Régime permanent
REMARQUES :
• Le régime transitoire ne dure que brièvement.
• Le phénomène de résonance est associé au régime forcé.
On s’intéressera donc par la suite uniquement au régime
permanent. Pour obtenir la solution particulière, on utilisera
la notation complexe.
 A) Étude de la tension aux bornes du condensateur
A.1) Amplitude de uc(t):
D’après la méthode du diviseur de tension, en notation
complexe, la tension aux bornes du condensateur s’écrit :
ZC 1 1
UC = .U = . .U
ZC +ZR +ZL jCω 1
+ R + jLω
jCω
Ce qui s’écrit encore sous la forme:
1
UC  2
.U
1  LC  jRC
 A.1) Amplitude de uc(t)
L’amplitude de uC est donnée par le module de
l’amplitude complexe :
Um
UC 
1 LC   R
2 2 2
C 2 2
En notant x = /0 une grandeur sans dimension et Q
le facteur de qualité tels que :
1 1 L
0  et Q 
LC R C
On obtient finalement:
Um
UC 
(1  x 2 ) 2  (x / Q ) 2
 A.2) Déphasage entre uc(t) et i(t)
Le déphasage  entre la tension uc(t) et i(t)
se déduit de l’argument de U C , on obtient alors :
 Um 
  Arg (U C )  Arg  2

 1 LC  jRC 
2
 Arg (U m )  Arg (1 LC  jRC )
2
  Arg (1 LC  jRC )
= -Arg [ j .( RCω - j ( 1 - LCω )) ]
2


  Arg ( j )  Arg RC  j (1 LC ) 2

 A.2) Déphasage entre uc(t) et i(t)
 
 1  LC 2 
    arctg  


2  RC 

   arctg

1  LC 2

2 RC
En considérant la variable x, précédemment définie et le
facteur de qualité Q, on a finalement :
1 L
 Q Q
2  R C
    arctg  . (1  x ) Avec
2 x  x   /0
 B) Étude du phénomène de résonance
B.1) Étude de l’amplitude
Rappelons que l’amplitude de uc(t) est donnée par :
Um Um
UC  
(1  x 2 ) 2  (x / Q ) 2 f (x )
avec f (x )  (1  x 2 ) 2  (x \ Q ) 2
 Comme la fonction est croissante, le sens de
variation de UC est inverse à celui de f(x)
Dérivons f(x)
f ' (x )  4 x (1  x 2 )  (2x \ Q 2 )  4 x (x 2  1  (1/ 2Q 2 ))
 B.1) Étude de l’amplitude
2 1
Cette dérivée s’annule pour x = 0 et pour x  1  2  0
2Q
2 1 1
x  1 2  0  x  1 2
2Q 2Q
1
REMARQUE : Cette deuxième solution existe si Q 
er 1 2
1 cas : Q 
2
x 0 
f ' (x ) 0  

f (x ) 1
U C (x ) Um
0
 B.1) Étude de l’amplitude
1
1er cas :Q
2

La tension aux bornes du condensateur n’admet pas

Um d’autre maximum en dehors de x=0
 B.1) Étude de l’amplitude
2ème cas : Q  1/ 2
x 0 x  1  (1/ 2Q ) 2

f ' (x ) 0  0  
1 
f (x ) f min
MAX
U C (x ) U U C
m 0
avec
MAX
1 1
U C  2Q U m / 4Q  1 et f min
2 2
 2 (1 2
)
Q 4Q
 B.1) Étude de l’amplitude
2ème cas : Q  1/ 2 • Plus Q est grand , plus la résonance est aigüe
(pic étroit).
• La surtension (c.-à-d. Uc > Um ) est d’autant plus
importante que Q est grand.
Q=3 • Plus Q est grand plus la pulsation de résonance
Q=1.5 tend vers la pulsation propre du circuit.
Q=1

Um
 B.2) Étude du déphasage
 Q 2 
Rappelons que :     arctg  . (1  x )
2 x  1
Q
Notons g (x )  .(1 x 2 )  g ' (x )   Q .(1 2 )  0
x x
La fonction arc tg étant croissante, donc  décroit
Valeurs limites :  
Lim  (x ) x 0     0
2 2
 
Lim  (x ) x      
2 2

A la résonance : 
 (x  1)  
2
B.2) Étude du déphasage