REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA

FACULTE : TECHNOLOGIE DOMAINE : SCIENCE ET TECHNOLOGIE

DEPARTEMENT : ELECTRONIQUE FILIERE : ELECTRONIQUE
N° : 2017/ IMI02/97/482 OPTION : INSTRUMENTATION ET
MAINTENANCE INDUSTRIELLE

Mémoire présenté pour l’obtention

Du diplôme de Master Académique

Par: * Kaddour Nassiba

* Tahmi chahrazad

Intitulé :

Design de capteur de pression haute sensibilité à base de

cristaux photoniques 2D sur substrat en silicium

Soutenu devant le jury composé de:

Me OUDIRA Houcine Université Mohamed Boudiaf - M’sila Président

Me ZOUACHE Tarek Université Mohamed Boudiaf - M’sila Rapporteur
Me KAHLOUCHE Ahmed Université Mohamed Boudiaf - M’sila Examinateur

Année universitaire : 2016 / 2017

 On aimerait en premier lieu remercier notre
dieu Allah qui nous a donné la volonté le
courage pour la réalisation de ce travail.
Nous tenons a remercier tout d’abord notre
encadreur Dr . T. Zouache à l’université de
M’sila de nous avoir proposé ce sujet de
recherche : design de capteur de pression
haute sensibilité à base de cristaux
photoniques 2D sur substrat en silicium de
son rapport montrent à quel point il s’est
investi dans ce travail, Nous expriment nos
profonds remerciements à monsieur le
président d’être la tête de ce jury. Nous
remercions également tous les membres de
jury, qui nous ont fait l’honneur d’être
présents ce jour.
Nous remercions tous les enseignants de
département d’Électronique et les personnels
administratifs et techniques, qui ont contribué
de près ou de loin à notre formation durant
ces cinq années.
Nous dédions ce mémoire a nos chers
parents pour leurs amour,
encouragement et sacrifices
a nos chères mères
a nos chers pères

Et enfin a toutes mes amies et toutes

personnes qu’ont contribuées à la
réalisation de ce travail.
 Sommaire

INTRODUCTION GENERALE 1
Chapitre I : Capteurs- Généralité et Caractéristiques
fondamentales

I-1- Introduction 4
I-2- Généralités sur les capteurs 4
I-2-1- Définition 4
I-2-2- Les grandeurs d'influence 5
I-2- Structure d’un capteur 5
I-2-1- Le corps d’épreuve 5
I-2-2- Transducteur (le capteur) 6
I-2-3- Le boîtier 6
I-3- caractéristiques des capteurs [5] 6
I-3-1- Etalonnage 6
I-3-2- Domaine de linéarité 7
I-3-3- Sensibilité 7
I-3-4- Temps de réponse ou rapidité 7
I-3-5- Résolution (Précision) 8
I-3-6- Fidélité 8
I-3-7- Répétabilité 8
I-3-8- Sélectivité 8
I-4- Différents types de capteurs 8
I-4-1- Biocapteurs 9
I-4-2- Capteurs chimique 9
I-4-3- Capteurs physiques 10

I-4-4- Capteurs de pressions 10

I-4-4-a- Description d’un capteur de pression 10

I-4-4-b- Evolution des principes de détection 10

I
I-4-4-c- Les corps d’épreuve 10
I-4-4-d- Les capteurs de pression existant sur le marché 11
 Le transducteur 12
 Le module électronique 12
I-4-5- Les capteurs de pression différentiels 12
a. Capteurs résistifs 12
b. Capteurs capacitifs 13
Capteur de pression à base de cristaux photoniques-principe de la
I-4-6- 14
détection
I-5- Conclusion 15

Chapitre II : Les cristaux photoniques

II-1- Introduction 16
II-2- Historique 16
II-3- Définition 16
II-3-1- Cristaux photoniques naturelles 17
II-3-2- Structures de bandes photoniques 18
II-4- Déférentes types de cristaux photoniques 18
II-4-1- Cristaux photoniques à une dimension (réseau de Bragg) 18
a. Le contraste d’indice 19
b. Les périodes 19
c. Le facteur de remplissage f 20
II-4-2 Cristaux photoniques bidimensionnels 20
II-4-2-a Différentes familles de cristaux photoniques bidimensionnels 22
II-4-2-b Structure de Bande Photonique 24
II-4-3 Les cristaux photoniques tridimensionnels 25
II-4-3-a Structures ”tas de bois” 25
II-4-3-b Les opales 26
II-5- Matériaux BIP à défaut 27

II
II-5-1- Défauts ponctuels 27

II-5-2- Les défauts linéaires 28

II-5-3- Guides d’onde dans les cristaux photoniques 29
II-6- Les différents types de cavités 30

II-6-1- Cavité hexagonale 30

II-6-2- Cavité carré 30
II-6-3- Cavité triangulaire 31
II-6-4- Cavité rectangulaire 31
II-7- Conclusion 32

Chapitre III : Utilisation des cristaux photoniques

dans la détection et la réalisation des capteurs

III-1- Introduction 33
III- 2- Type de capteurs exploitant le concept des cristaux photoniques 33
III-2- Les biocapteurs à base de cristaux photoniques 33
Bio capteurs à cristaux photoniques à quatre canaux utilisant les
III-2-1 - 33
nano résonateurs à cavité
a. Conception du biocapteur multicanal 33
b. Évaluation des caractéristiques de la biosensibilité 34
Biocapteur à base de cristal photonique pour la détection de la
III-2-2- 35
concentration du glucose dans l'urine
a. Conception du biocapteur 35
b. Résultats 36
III-3- Les capteurs de gaz à base de cristaux photoniques 37
a. Structure du capteur 37
b. Résultats 38
III-4- Les capteurs de pression à base de cristaux photoniques 39
III-4-1- Première application 39
a. Structure du capteur 39

III
 b. Résultats 40
III-4-2- Deuxième application 41
a. Structure du capteur 41
b. Résultat 42
III-5- Conclusion 43

Chapitre IV : Design d’un capteur de pression par

cristaux photoniques
IV-1- Introduction 44
IV-2- Structure de base du capteur 44
IV-2-1- Structure originale 44
IV-2-2- Structure proposé 44
IV-3- Optimisation de la structure en fonction de Rc 46
IV-3-1- Optimisation de la structure en fonction de Rc 46
IV-3-2- Résultats de l’optimisation 46
a- Réponse de la structure en fonction de Rc 46
b- Optimisation de la valeur de Rc 49
 Tracé du facteur de qualité et de la sensibilité 50
 Tracé de la transmission et de la sensibilité 50
 Structure finale du capteur de pression 51
Etude de la réponse de la structure optimisée pour différentes
IV-4- 52
pression
Tracé de la longueur d’onde de résonance en fonction de la
IV-4-1- 54
pression
IV-4-2- Tracé du facteur des qualités des réponses du capteur 54
IV-4-3- Calcul des sensibilités du capteur 55
a- La sensibilité à la variation de l’indice de réfraction 55
b- La sensibilité à la variation de pression hydrostatique 56
c- Tracé des sensibilités du capteur 57
IV-5- Conclusion 59

IV
 Liste des symboles et abréviation

Liste des symboles et abréviation

: la variation du signal de sorti

: la variation du mesurande

S : Sensibilité

m: mesurande

PhCs : Les cristaux photoniques

BIP : bandes interdites photoniques

PBG : Photonic Band Gap

MEB : micro scope électronique a balayage

λ : la longueur d’onde guidée

Ɛ : permittivité

a : La période

:Le contraste d’indice

n : L’indice de réfraction du matériau

f : Le facteur de remplissage

vi: Volume occupé par le matériau de permittivité ߝ

Λ : Volume de la cellule

FCC :un réseau cubique à faces centrées

E : le champ électrique

H : le champ magnétique

K : la direction du réseau réciproque correspond à la direction des premiers voisins

du réseau réel.

M :la direction correspond à la direction des seconds voisin

V
 Liste des symboles et abréviation

TM : transverse électrique, la polarisation magnétique

TE : transverse magnétique, la polarisation électrique

RIU : unité de l’indice de réfraction.

RI : indice de réfraction.

Q : facteur de qualité.

nh : L’indice de réfraction du matériau de haut indice.

nL : L’indice de réfraction du matériau de bas indice.

VI
 Liste Des Figures

Liste des figures

Chapitre I
Figure I-1 Définition d’un capteur 4
Figure I-2 structure d’un capteur 6
Figure I.3 Etalonnage d'un capteur 6
Figure I.4 Réponse non linéaire d'un capteur à semi-conducteur [6] 7
Figure I-5 Schéma synoptique d’un capteur de pression.[6] 10
Figure I-6 capteur résistif 13
Figure I-7 capteur capacitif 14

Chapitre II
Figure II-1 Représentation schématique de cristaux photoniques uni- 17
dimensionnels(1D),bidimensionnels(2D) et tridimensionnels (3D).[3]
Figure II-2 la figure (b) présente l’agrandissement d’une aile de papillon (a) 18
Figure II-3 schéma d’un miroir de Bragg constitué d’un milieu diélectrique 19
périodique fini.[12]
Figure II-4 Période d’un cristal photonique unidimensionnel : 20
Figure II-5 Structures bidimensionnelles [15] 21
Figure II-6 Cristal photonique bidimensionnel 21
Figure II-7- Structure périodique 2D connectée[ : 22
Figure II-8 Structure périodique 2D déconnectée 22
Figure II-9 Le réseau carré : 23
FigureII-10 Le réseau triangulaire 23
Figure II-11 Structure graphite 24
FigureII-12 différentes types de polarisation de la lumière 25
Figure II-13 La première structure BIP 3D la yablonovite 25
Figure II-14 b) Image MEB d'une structure Yablonovite en PMMA [Cuisin 2000] 26
et c) Image MEB d'une structure tas de bois en silicium
Figure II-15 Fabrication des opales inversées sur substrat par auto organisation6] 27
Figure II-16 Différents types de défauts 28
Figure II-17 Exemple de guide W1 à cristal photonique triangulaire de trous d’air 29

VII
 Liste Des Figures

sur un substrat de silicium sur isolant

Figure II-18 les deux formes de guide d’onde 29
Figure II-19 Les différents types de cavités 30
Figure II-20 Exemple de cavité carrée dans un cristal photonique carré avec un 30
paramètre de maille 600nm
Figure II-21 Exemple de cavité triangulaire dans un cristal photonique triangulaire 31
avec un paramètre de maille 600nm
Figure II-25 Exemple de cavité rectangulaire dans un cristal photonique triangulaire 31
avec un paramètre de maille 560nm

Chapitre III
Figure III-1 structure du capteur multi canal 34
Figure III-2 Diagramme de bande de la structure pour le mode TE .34
Figure III-3 structure du bio capteur de glucose 35
Figure III-4 Les gaps optiques de la structure proposée 36
Figure III-5 courbes de réponse du capteur en fonction de la concentration de 37
glucose dans l’urine
Figure III-6 Structure du capteur de gaz 38
Figure III-7 Courbes de réponse du capteur en fonction de la concentration du 39
CH4 dans l’air
Figure III-8 Courbes de réponse du capteur en fonction de la concentration du 39
CH4 dans l’air
Figure III-9 Structure du premier capteur de pression 40
Figure III-10 Déplacement des spectres de sortie (pour 1nm à 10nm) en fonction de 41
la pression appliquée
Figure III-11 Variation de la fréquence des impulsions de sortie de sortie en 41
fonction de la pression
Figure III-12 La structure finale du capteur de pression proposée 42
Figure III-13 Réponse de capteur pour différentes valeurs de pression 43

Chapitre IV

Figure IV-1 Structure originale de Zhan 44

Figure IV-2-a la matrice de trous d’air dans le substrat du silicium proposée 45

VIII
 Liste Des Figures

Figure IV-2-b Diagramme de dispersion des bandes interdites du mode TM 45

Figure IV-3-a La première structure considérée 45
Figure IV-3-b La seconde structure considérée 45
Figure IV-4-a Réponse en fonction de Rc pour n= 3.48 47
Figure IV-4-b Réponse en fonction de Rc pour n= 3.51985 47
Figure IV-4-c Réponse de la structure en fonction deRc pour les indices de réfraction 48
n1 et n2 considérés
Figure IV-4-d Réponse de la structure pour Rc= 0.35a et pour les indices de 48
réfraction n1 et n2 considérés
Figure IV-5-a Tracé de la sensibilité en pression et du facteur de qualité en fonction 49
de Rc pour n = 3.48
Figure IV-5-b Tracé de la sensibilité en pression et du facteur de qualité en fonction 49
de Rc pour n = 3.51985
FigureIV-6-a Tracé de la sensibilité en pression et de la Transmission en fonction de 50
Rc pour n = 3.48
FigureIV-6-b Tracé de la sensibilité en pression et de la Transmission en fonction de 50
Rc pour n = 3.51985
Figure IV-7 Structure finale du capteur de pression adoptée 51
Figure IV-8 Indice de réfraction du silicium en fonction de la pression 52
Figure IV-9 Réponse finales du capteur pour des pressions situées entre 0 GPa et 7 53
GPa
Figure IV-10 Longueurs d’onde de résonances correspondantes aux pressions situées 54
entre 0 et 7 GPa
Figure IV-11 Facteurs de qualités des peaks de résonances correspondants aux 55
pressions situées entre 0 et 7 GPa
Figure IV-12 Figure montrant le décalage des peak pour deux valeurs successives 57
de la pression 0GPa et 1GPa
Figure IV-13 Les sensibilités SRI et SP du capteur finale tracées pour les pressions 58
considérés

IX
 Liste des tableaux

Liste des tableaux

Tableau III-1 Grandeurs de sortie du capteur en fonction de la 37

Concentration de glucose dans l’urine
Tableau IV-1-a Caractéristiques principales de la structure en fonction de 47
Rc pour n = 3.48
Tableau IV-1-b Caractéristiques principales de la structure en fonction de 48
Rc pour n = 3.51985
Tableau IV-2 Indice de réfraction du silicium en fonction de la pression 52
Tableau IV-3 Grandeurs caractérisant la réponse du capteur en fonction 53
de la pression
Tableau IV-4 Sensibilité SRI et SP calculée pour ce capteur 57

X
Introduction générale
 Introduction générale

Introduction général :
La notion de ”cristaux photoniques” a été proposée pour la première fois en
1987 [1] et le premier cristal photonique a été réalisé en 1991 [2]. Les cristaux
photoniques (PhCs) sont des structures dont l’indice de réfraction varie
périodiquement dans une, deux ou trois dimensions et cette périodicité du milieu
produit sur la lumière qui se propage dans le cristal photonique un effet analogue à
celui du potentiel périodique sur les électrons dans un cristal. De même qu’il existe
pour les électrons des bandes d’énergie permises et des bandes interdites, il existe des
bandes photoniques d’états permises et des bandes photoniques interdites. Une bande
photonique correspond à un mode qui se propage dans le cristal photonique et une
bande interdite photonique (BIP) correspond à un intervalle d’énergie où la
propagation de la lumière est interdite dans certaines directions de ce cristal.
Les cristaux photoniques (PhCs) offrent la possibilité de contrôler la
propagation de la lumière et ceci, sur des dimensions de l’ordre de grandeur de la
longueur d’onde dans le cristal matériau. C’est notamment cette propriété qui les rend
intéressants pour de nombreuses applications. L’adaptation des cristaux photoniques à
l’optoélectronique permet d’envisager de nouvelles perspectives telles que la
réalisation de composants pour l’optique intégrée de dimensions réduites et
l’intégration de plusieurs fonctions sur un même substrat.
Les applications potentielles des BIP 2D sont différentes et multiples et entre autre on
trouve, réalisation de cavités résonantes de taille très réduite, de guides d’ondes, de
virages, de filtres sélectifs, de multiplexeurs - démultiplexeurs et de fibres optiques.
Ces matériaux ont donnés jour à de nouveaux composants optoélectroniques plus
performants et compacts que ceux classiques que nous connaissons actuellement.
La réalisation de cavités par l’inclusion de défauts ponctuels dans un cristal
photonique, ne sont apparues qu’en 1998 et les excellentes propriétés de réflexion de
lumières dans ce cristal environnant, permettent d’avoir des facteurs de qualités élevés
pour les modes résonnants crées par ces défauts dans sa BIP [2]. Se sont ces modes
résonants qui représentent le point de départ de l’utilisation des PhCs dans les
domaines ; de la détection, de la mesure et de la capture des grandeurs physiques
connues. En effet, de nos jours les capteurs les plus performants qu’ont trouve sur le
marché quelque soit leurs types utilisent au moins une cavité résonante implanté dans
une structure à cristaux photoniques. Ces dernières sont à la base de réalisation de

1
 Introduction générale

capteurs à usage domestique comme les capteurs biologiques, les capteurs

mécaniques, les capteurs chimiques et/ou de gaz ou à usage spécial comme dans les
domaines militaires ou spatiaux.
Parmi les grandeurs physiques les plus contrôlées et mesurées on trouve la
pression. La mesure de pression peut dans certains cas être vitales si on parle par
exemple d’environnement aquatique, ou spatial, pour cette raison sa mesure avec
précision été toujours un souci pour la technologie. L’apparition des cristaux
photoniques a résolue ce problème. En effet on trouve maintenant des capteurs de
pression très précis et à temps de réponse très faible puisque qu’ils utilisent les
propriétés fantastiques de la lumière (ce dernier élément ne dépendra maintenant que
de l’électronique associée à la structure PhCs). La sensibilité du capteur elle aussi est
très importante et constitue de nos jours un domaine de recherche parmi les plus
compétitifs. Différentes publications on étés réalisées ayants tous comme but
d’améliorer la sensibilité et la limite de détection des capteurs de pression à bas de
cristaux photonique, notre travail entre dans ce contexte.
Dans le présent travail nous allons faire le design et la simulation d’un capteur
de pression à haute sensibilité. La structure que nous allons utilisée représente un
design amélioré de la structure de proposée par [3]. La réalisation de notre travail sera
étalée en quatre chapitres.
Le premier chapitre est consacré à des généralités sur les capteurs. Dans ce
contexte, nous avons donnés les caractéristiques générales communes aux différents.
Puis nous avons donnés différents types de capteurs, leurs structures et leurs principes
de fonctionnement. Puis nous allons abordés précisément les capteurs de pression et
en particulier ceux à base de cristaux photoniques.
Dans le deuxième chapitre, nous passerons en revues les notions de cristaux
photoniques et les définitions de bases relatives à ces structures. Dans ce contexte
nous montrerons leurs caractéristiques très importantes et leurs capacités à fournir une
bande interdite photonique (BIP) qui représente le support essentiel pour la réalisation
de différents types de capteurs utilisant ce type de structure.
Le troisième chapitre sera en totalité consacré à l’étude de quelques
applications importantes des systèmes à cristaux photoniques. Entre autre on donnera
dans ce chapitre des exemples de réalisation de capteurs biologiques, de capteurs
chimiques et des capteurs de grandeurs mécaniques comme la pression.

2
 Introduction générale

Dans le quatrième chapitre nous allons proposé une structure à cristaux

photoniques qu’on utilisera à la suite pour la conception d’un capteur de pression. La
structure proposée doit être en premier lieu optimisée de façon à produire un
maximum de sensibilité, cela par l’optimisation de ces paramètres géométriques. En
suite et après l’obtention de la structure optimale, cette dernière sera utilisée pour la
mesure de pression avec une très bonne sensibilité.

3
 CHAPITRE I

Capteurs- Généralité et Caractéristiques

fondamentales
Chapitre I Généralités sur les capteurs

I-1- Introduction

Dans un grand nombre de domaine, il est nécessaire d’avoir accès à une grandeur
physique. Cette connaissance permet de connaître l’état physique d’un système et de pouvoir
prendre des décisions quand à la conduite de celui-ci. Les décisions peuvent être automatique
c’est à dire prise par un calculateur ou prise par un opérateur humain via une interface homme
machine. Dans les deux cas, l’état physique du système doit être connu sous la forme d’une
grandeur électrique : tension ou courant car les systèmes de traitement n’utilise que ces
grandeurs. L’opération qui permet de transformer une grandeur physique en une grandeur
électrique est réalisée par un capteur [4].

Les capteurs chimiques, physiques et les biocapteurs développés depuis quelques

dizaines d’années sont maintenant adoptés et largement utilisés dans tous les domaines de la
vie courante (qualité de l’eau et de quelques produits de l’agroalimentaire, analyses
biologiques, dépollution,.......). La sensibilité, la sélectivité, la spécificité et la durabilité des
capteurs ont toujours été des paramètres essentiels dans leur conception [5] .

Dans ce premier chapitre nous présentons les notions de base sur des capteurs,
définition, leurs caractéristiques et les différents types des capteurs.

I-2- Généralités sur les capteurs :

I-2-1- Définition :

Un capteur est un dispositif transformant l’etat d’une grandeur physique observée en

une grandeur utilisable, telle qu’une tension électrique, une fréquence, une hauteur de mesure,
une intensité ou la déviation d’une aiguille. On peut dire qu’un capteur est un dispositif qui
sous l’effet d’une grandeur physique que l’on souhaite connaitre et caractériser, délivre une
grandeur physique exploitable on parle ainsi d’un transducteur [6].

Figure I-1 : Définition d’un capteur [6].

4
Chapitre I Généralités sur les capteurs

I-2-2- Les grandeurs d'influence

Le capteur, de par ses conditions d'emploi, peut se trouver soumis non seulement au
mesurande mais à d’autres grandeurs physiques dont les variations sont susceptibles
d'entraîner un changement de la grandeur électrique de sortie qu'il n'est pas possible de
distinguer de l'action du mesurande. Ces grandeurs physiques " parasites" auxquelles la
réponse du capteur peut, être sensible sont les grandeurs d'influence [7]. On retrouve les
grandeurs de type mécanique (variations de pression, les forces qui provoquent des
déformations...) ou thermique (variation de température qui engendre la dilatation des corps et
la modification des propriétés électriques tels que le changement de conductibilité et de
caractéristiques diélectriques) mais aussi des grandeurs électriques (paramètres électriques,
tels que courant, tension, fréquence, des circuits d'alimentation du capteur)[8].
Les principales grandeurs d'influence sont :
- la température qui modifie les caractéristiques électriques, mécaniques et dimensionnelles
des composants du capteur ; l a pression, l'accélération et les vibrations susceptibles de créer
dans certains éléments constitutifs du capteur des déformations et des contraintes qui altèrent
la réponse ;
- l'humidité à laquelle certaines propriétés électriques comme la constante diélectrique ou la
résistivité peuvent être sensibles et qui risque de dégrader l’isolation électrique entre
composants du capteur ou entre le capteur et son environnement ;
- les champs magnétiques variables ou statiques ; l es premiers créent des f .é.m. d’induction
qui se superposent au signal utile, les seconds peuvent modifier une propriété électrique,
comme la résistivité lorsque le capteur utilise un matériau magnéto-résistant ;
- la tension d'alimentation - amplitude et fréquence - lorsque, comme pour le transformateur
différentiel, la grandeur électrique de sortie en dépend de par le principe même du capteur [7].
I-2- Structure d’un capteur

La structure générale d’un capteur est représenté en figure I-2. Dans cette structure on
trouve[5].

I-2-1- Le corps d’épreuve

Le corps d’épreuve est un élément sensible qui réagit à la grandeur à mesurer. Il a pour
rôle de transformer la grandeur à mesurer en une autre grandeur physique dite mesurable [5].

5
Chapitre I Généralités sur les capteurs

Figure I-2 : structure d’un capteur [5].

I-2-2- Transducteur (le capteur)
Le transducteur est un élément sensible lié au corps d’épreuve. Il traduit les réactions
du corps d’épreuve en une grandeur électrique constituant le signal de sortie [5].
I-2-3- Le boîtier
Le boîtier est un élément mécanique de protection, de maintien et de fixation du capteur[5].

I-3-caractéristiques des capteurs :

I-3-1- Etalonnage

L’étalonnage permet d’ajuster et de déterminer, sous forme graphique, la relation entre

le mesurande et la grandeur électrique de sortie [5].

Figure I.4: Etalonnage d'un capteur [6]

.

6
Chapitre I Généralités sur les capteurs

I-3-2- Domaine de linéarité

Dans ce domaine de linéarité, la variation de la grandeur de sortie est proportionnelle à
la variation du mesurande [5].
I-3-3- Sensibilité (s)
Ce paramètre caractérise l'aptitude du capteur à détecter la plus petite variation de la
grandeur à mesurer. C’est une caractéristique importante pour l’exploitation et l’interprétation
des mesures. Elle est définie comme étant la variation du signal de sortie (Sout) par rapport à
la variation du mesurande (m) (pente de la portion linéaire de la courbe d’étalonnage) et
s’écrit :

S= ………………………………………………………….…I.1

Plus un capteur est sensible plus la mesure pourra être précise. C’est une
caractéristique importante pour l’exploitation et l’interprétation des mesures[5].

Figure I.5: Réponse non linéaire d'un capteur à semi-conducteur [8].

I-3-4- Temps de réponse ou rapidité

La rapidité est caractérisée par le temps que met le capteur à réagir à une variation
brusque du mesurande. Cependant la valeur finale étant le plus souvent atteinte de manière
asymptotique, elle correspond au temps nécessaire pour que le capteur délivre une certaine
portion α de la pleine amplitude du signal. Le temps de réponse noté tα est tel que α vaut
généralement 90%.

7
Chapitre I Généralités sur les capteurs

La connaissance du temps de réponse d'un capteur est un élément essentiel lors de la

réalisation de mesures [5].
I-3-5- Résolution (Précision)
C’est le plus petit incrément de la valeur mesurée qui puisse être significativement
mesuré par le capteur [5].
I-3-6- Fidélité
Elle définit la qualité d’un capteur à délivrer des résultats les plus proches possibles
lors d’analyses répétées sur une même grandeur physique m. L’erreur de fidélité correspond à
la dispersion (écart type) σ des résultats autour de la valeur moyenne <m> de n mesures
effectuées sur m :
∑
…………………………………………………………….

√∑
…………………………………..…I.3

mi : est la valeur de m à la iième mesure.

Parmi les écarts de fidélité on distingue : la répétabilité [5].
I-3-7- Répétabilité
La répétabilité correspond à la variation aléatoire des résultats d'une série de mesures
successives d’une même grandeur physique m, effectuée dans les mêmes conditions de
mesure pendant un court intervalle de temps. Ces conditions sont appelées conditions de
répétabilité et elles concernent le même mode opératoire de mesure, même observateur, même
équipement de mesure, même lieu de mesure [5].
I-3-8- Sélectivité
Un capteur est dit sélectif, si la variation du signal de sortie est due uniquement à la
seule grandeur (physique, chimique, biologique...) qu’on veut mesurer. C'est la capacité du
capteur à ne mesurer qu'une seule grandeur dans le milieu où il est utilisé ou en d'autres
termes, d'être le plus insensible aux grandeurs d'influence, grandeurs qui ne font pas l'objet de
la mesure, mais influent sur la sortie du capteur [5].
I-4- Différents types de capteurs :
Il existe plusieurs classifications des capteurs. La plus répandue se réfère à la nature
des mesurandes ou à la transduction, de façon indépendante de l’utilisation [2].

8
Chapitre I Généralités sur les capteurs

I-4-1- Biocapteurs
Par définition un biocapteur est un système analytique qui exploite la capacité de
détection biologique pour une molécule cible, en conjonction avec un transducteur
physicochimique qui transforme la reconnaissance biologique en un signal physiquement
mesurable. Trois principaux éléments composent un biocapteur : une couche biologique
sensible, un transducteur et un signal de sortie. La couche biologique contient un
biorécepteur, qui reconnait l’espèce biologique souhaitée et qui est immobilisé sur le
transducteur. Ce dernier assure la conversion de la réponse biologique en un phénomène
physique. Au plus haut niveau, le signal de sortie permet la mesure du phénomène physique
élaboré par le transducteur. Ce niveau contient souvent des étapes d’amplification et
d’affichage, de manière appropriée et interprétable par l’utilisateur [5].
I-4-2- Capteurs chimique

Les capteurs chimiques sont destinés à la détection et/ou à l'analyse de la

concentration d'espèces chimiques ou biochimiques, gazeuses ou liquides en général.
L'analyse d'espèces solides, bien que moins évidente, peut cependant être envisagée.
Contrairement aux autres types de capteurs, les capteurs chimiques ont connu un succès limité
sur le plan commercial, malgré la forte demande de nombreux secteurs de l'économie, tels que
les industries chimique, métallurgique, automobile, électronique, agro-alimentaire,
l'environnement, le domaine médical, les biotechnologies, etc... . Ce fait est
vraisemblablement lié à la difficulté technique de transformer une grandeur telle que la
concentration d'une espèce chimique dans un liquide ou un gaz en signal électrique, tout en
assurant simultanément reproductibilité, sensibilité et sélectivité.

Un capteur chimique en lui-même est composé de deux parties essentielles :

La première concerne la réception. Il s’agit de la partie qui transforme l’information chimique
en une forme de signal ou d’énergie mesurable. Cette réception peut être soit physique (ce
sont typiquement les capteurs basés sur les mesures d’absorbance, de l’indice de réfraction, de
la modification de masse, …), soit chimique (systèmes où il y a une réaction chimique avec
l’échantillon à analyser qui donne naissance à un signal) [8].
La deuxième partie est la transduction. C’est la partie qui concerne la transformation
du signal ou de l’énergie obtenue précédemment en un signal exploitable. Les différents
principes de la transduction d’un capteur chimique sont très nombreux : optique,
électrochimique, électrique, massique, thermoélectrique [8].

9
Chapitre I Généralités sur les capteurs

I-4-3- Capteurs physiques

Ce sont des dispositifs sensibles à des phénomènes physiques, les mesurandes étant
notamment la température, la masse, la force, la vitesse, le débit et de pression (ces dernier
seront détaillés dans le paragraphe suivant) etc……[8].
La sensibilité est assurée par divers phénomènes physique, comme la piézoélectricité
l’effet hall, des variations d’impédance, la photosensibilité...etc [8]. Dans ce qui suit nous
allons abordés en détail les capteurs de pressions SANS
1-4-4- Les capteurs de pressions
1-4-4-a- Description d’un capteur de pression
La pression, comme chacun sait, constitue une variable essentielle pour l’étude
métrologique d’un milieu environnant qui peut-être soit un gaz soit un fluide. La mesure de
cette variable est réalisée à l’aide d’un capteur de pression, dispositif capable d’associer à la
grandeur mesurée, un signal électrique reconnaissable appelé « réponse » [9]. Un capteur de
pression peut donc être représenté par le schéma de la Fig. I-5

Figure 1-16: Schéma synoptique d’un capteur de pression [10].

1-4-4-b- Evolution des principes de détection

La conception d’un capteur de pression passe par des choix techniques et
technologiques lesquels sont généralement guidés par l’application même du capteur. Aussi,
la diversification des applications a conduit à une évolution des techniques utilisées [9].
1-4-4-c- Les corps d’épreuve
C’est l’élément mécanique qui, soumit aux variations de la grandeur à mesurer
(mesurande), a pour rôle de la transformer en une grandeur physique mesurable. Pour les

10
Chapitre I Généralités sur les capteurs

capteurs de pression cette grandeur est généralement une déformation. Les corps d’épreuve
les plus utilisés sont les plaques, les poutres et les membranes.
A partir des années 70, les nouveaux capteurs sont basés soit sur la déformation d’un
substrat, soit sur celle d’une membrane de silicium qui, de nos jours, est le corps d’épreuve le
plus répandu [9].

1-4-4-d- Les capteurs de pression existant sur le marché

 Avant les années 70
Pour la plupart des capteurs existants sur le marché dans cette période, la partie détection
faisait appel à l’électromécanique et utilisait des techniques dont les performances étaient
relativement modestes mais acceptables par rapport à l’application qui leur était destinée.
Parmi ces techniques on peut citer :
- le tube de Bourdon,
- le tube vrillé,
- le tube borgne,
- la capsule manométrique,
- les pistons,
- les membranes encastrées et les membranes ondulées,
- ou encore différents soufflets .
Il faut noter que ces techniques sont encore utilisées de nos jours, malgré leur grande taille
et leur coût unitaire élevé [10].
 A partir des années 70
Suivant les domaines d’applications, des impératifs de taille et de production de masse à
faible coût ont induit une évolution de l’électromécanique vers la microélectronique.
Cette filière a apporté des avantages autant techniques qu’économiques en permettant la
fabrication collective de dispositifs de détection de petite taille, de bonne stabilité, et ayant la
possibilité d’avoir le traitement de signal associé .
Les « nouveaux » capteurs sont donc principalement basés soit sur la déformation d’un
substrat (capteurs GaAlAs soit sur celle d’une membrane de silicium qui, de nos jours, est le
corps d’épreuve le plus répandu [10].
Récemment de nouvelles technologie utilisant la lumière et des microstructures ont été
inventé et fleurisse déjà a cause de leur tres grandes sensibilité.

11
Chapitre I Généralités sur les capteurs

 Le transducteur :
C’est l’élément sensible qui, lié au corps d’épreuve, traduit les réactions de ce dernier
en signal électrique. Pour effectuer la mesure de la pression, on a vu qu’il fallait convertir la
déformation du corps d’épreuve en une grandeur physique. Il existe plusieurs techniques pour
mesurer un déplacement, une déformation ou une force. La plupart des grandeurs de sortie
sont d’ailleurs de type électrique [9].
Depuis des années 80, la majeure partie des nouvelles cellules sensibles disponibles sur le
marché, est basée sur le principe de détection de type piézorésistif. Cela signifie que la
détection de la pression se fait par la mesure d’une variation de résistance .Ces composants
sont extrêmement sensibles à la température et nécessitent un circuit de compensation
spécifique. C’est pourquoi, des efforts de recherche ont été effectués sur des structures
capacitives dont les avantages potentiels sont une grande sensibilité à la pression et une faible
sensibilité à la température .Le principe de détection de ces structures capacitives est basé sur
la variation d’une capacité [9].
 Le module électronique
C’est le module de traitement du signal en vue d’une éventuelle exploitation. Comme
nous l’avons vu dans la définition d’un capteur, le circuit de traitement sert à mettre en forme
un signal électrique transportant l’information donnée par le transducteur. Autrement dit, ce
signal doit être l’image de la déformation du corps d’épreuve et par suite, de la pression.
Le capteur est construit pour exploiter une propriété de la matière, décrite par une loi
physique, permettant de connaître la correspondance entre la grandeur électrique à la sortie du
capteur et la grandeur physique à mesurer. Par exemple, pour mesurer une pression, une loi
physique permet de calculer la pression à partir de la mesure de la résistance du capteur.
Le capteur doit avoir les caractéristiques suivantes:
- Une bonne linéarité.
- Une grande étendue de mesure.
- Une très bonne sensibilité au mesurande.
- Une insensibilité aux grandeurs d’influence [9].
I-4-5- Les capteurs de pression différentiels :
a- Capteur de pression résistif
La piste résistive est placée sur la partie fixe du capteur et le mouvement mécanique
mesurer est accouplé à un curseur qui se déplace sur celle-ci, ainsi la résistance entre un point
fixe et la partie mobile du potentiomètre est fonction de la position à mesurer. L’élément
sensible est constitué d’un support sur lequel est déposée une pate résistive qui incorpore un
12
Chapitre I Généralités sur les capteurs

liant plastique et du carbone (cas des capteurs a piste résistive) ou un bobinage résistif (cas
des capteurs à fil résistif). L’élément sensible ainsi obtenu peut être apporté [11].

Figure –I-6 : capteur résistif [11]

 Soit à l’intérieur d’une forme cylindrique pour constituer un potentiomètre rotatif.

 Soit fixé sur un support plat pour réaliser un capteur de déplacement rectiligne.
b- Capteur de pression capacitif
Une solution élégante imaginée par certains constructeurs a été de transformer la
déformation de la membrane sous l’effet d’une pression(ou d’une force) en une variation de
capacité plutôt qu’une variation de résistance. En effet, il suffit de placer l’une des armatures
d’un condensateur sur la membrane qui se déforme et l’autre sur une pièce solidaire du corps
d’épreuve, mais non soumise à la déformation, comme le montre le schéma ci-dessous, pour
réaliser un condensateur plan dont la capacité est en relation directe avec la pression appliqué
[11].

Figure –I- 7:capteur capacitif [11]

Il est clair qu’on peut imaginer des géométries d’armatures permettant d’obtenir la meilleure
inéarité possible entre variation de capacité et variation de pression, que l’on peut mettre en
œuvre simultanément plusieurs condensateurs et donc faire un montage en pont peu sensible
13
Chapitre I Généralités sur les capteurs

aux contraintes thermiques. L’intérêt habituel du montage capacitif se retrouve évidemment

dans cette application, à savoir qu’on intégrera généralement ce condensateur variable dans un
circuit oscillant et qu’en conséquence la mesure de pression se ramènera à une mesure de
fréquence et l’opportunité de disposer de deux oscillateurs semblables. L’un de fréquence fixe
et l’autre variant avec la pression, dont on exploite via un mélangeur la différence des
fréquences permet évidemment une très grande précision puisqu’on réduit ainsi par
soustraction l’importance des dérives éventuelle de chaque oscillateur pris séparément [11].

I-4-6- Capteur de pression à base de cristaux photoniques - Principe de la détection:

Les cristaux photoniques (PhCs) sont l'un des domaines de recherche les populaires
en nano-optoélectronique et photonique de nos jours. Chaque jour, de nouvelles applications
des PhCs sont découvertes. Parmi les applications connus on trouve ; les guides d'ondes à
cristaux photoniques, les fibres optique à cristaux photoniques, les lasers à faible seuil,…etc.

L’application des PhCs dans le domaine des capteurs est un domaine de recherche
d’actualité, en effet les PhCs ont un potentiel de détection très important des paramètres
physiques (Température et pression hydrostatique) avec une très haute résolution et
sensibilité. Ces microstructures sont de nos jours utilisés pour détecter les gaz, l'humidité,
Mesures et détection chimique et biologique [12] et aussi la détection des grandeurs
mécaniques et en particulier la pression.

L'effet de la pression hydrostatique sur les paramètres électroniques et optique des

matériaux tels que l'écart énergétique et l'indice de réfraction peuvent être considérés comme
un bon support pour le phénomène de détection de pression. En effet, en appliquant une
pression au PhC, l'indice de réfraction du matériau, sa géométrique changent et ce
changement sera lié étroitement à la juste valeur de la pression mis en cause.

Certain capteur de pression utilisent des guides d'onde à PhC et d’autres utilisent des
guides d'onde couplés à une /ou plusieurs nano-cavités. Dans le premier cas, le spectre du
guide d'onde se trouve décalé par rapport à sa position d’origine (position du repos du
capteur). Dans le second cas, la longueur d'onde de résonance de la nano-cavité elle aussi se
décale de sa position de repos d’une distance qui dépend de la pression appliquée[13].

14
Chapitre I Généralités sur les capteurs

I-5- Conclusion

Dans ce premier chapitre nous avons abordé les capteurs en terme générale, leurs
caractéristiques, leurs types et leurs principes de fonctionnement. Puis nous parlés des
cristaux photoniques et de leurs utilisations dans le domaine de la détection des différents
phénomènes mesurable que ce soit physique, chimique, biologique ou autres.

A la fin de ce chapitre nous avons abordés les capteurs de pression et en particulier

ceux à base de cristaux photonique et dans ce contexte nous avons situés quelques type de ces
capteurs ainsi que le principe de détection qu’ils utilisent pour la mesure de pression.

15
 CHAPITRE II

LES CRISTAUX PHOTONIQUES

Chapitre II Les Cristaux Photoniques

II-1-Introduction

Dans le milieu des années 90, les avancées en nano-technologies ont rendu possible
l’élaboration de matériaux artificiels dont le comportement vis-à-vis des ondes
électromagnétiques est tout à fait surprenant, ils sont appelés parfois cristaux photoniques.,
[14]les cristaux photoniques (CPs), également connus sous le nom de structures à bandes
interdites photoniques avec abréviation BIP (en anglais, Photonic Band Gap, PBG) [2]. Les
matériaux à bandes interdites photoniques ont été définis comme des structures artificielles
qui présentent une modulation périodique de la constante diélectrique dans une ou plusieurs
directions. Selon le nombre de directions[5].
II-2-Historique :
La "date de naissance" des cristaux photoniques artificiels serait donc 1987 [15], ce
qui en ferait une idée assez neuve. Pourtant, les matériaux dont l'indice varie périodiquement
sont connus et utilisés depuis longtemps sous le nom de miroirs de Bragg qui sont des cristaux
photoniques à une dimension. C'est Lord Rayleigh en 1887, le premier qui a montré que l'on
pouvait ainsi produire un « gap » ou bande interdite. Mais la force de l'article de Yablonovitch
était d'étendre cette idée, de faire des miroirs de Bragg un concept général en s'appuyant pour
cela sur les idées développées en physique du solide. C'est en cela que Yablonovitch peut être
considéré comme le "père" des cristaux photoniques.[15]. En 1991, A. Genack et al ont
montré expérimentalement l’existence de l’effet de localisation de la lumière dans les
structures périodiques. En même temps Yablonovich et al ont démontré expérimentalement la
possibilité de réaliser une structure diélectrique capable de réfléchir la totalité d’un
rayonnement électromagnétique, quelle que soit la direction incidente et dans le domaine des
micro-ondes. Depuis, de nombreuses voies de recherches ont été ouvertes. Tous les domaines
de longueur d’onde sont concernés, des micro-ondes jusqu’à l’optique [5].
II-3-Définition :
Les cristaux photoniques sont l’analogue des semi-conducteurs pour le contrôle des
photons,[16] Les cristaux photoniques sont des matériaux dont la constante diélectrique est
modulée de façon périodique. La périodicité peut être unidimensionnelle (miroir de Bragg),
bidimensionnelle ou encore tridimensionnelle [17]. Les cristaux photoniques sont des
structures dont l’indice de réfraction est modulé de façon périodique, cette modulation
périodique sur une ou plusieurs directions de l’espace permet de créer une bande interdite
photonique où la lumière ne peut plus se propager [18].

61
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

Figure II-1- Représentation schématique de cristaux photoniquesuni

dimensionnels(1D),bidimensionnels(2D) et tridimensionnels (3D)[5].
II-3-1- : Cristaux photoniques naturelles :
Les cristaux photoniques existent dans la nature a l’état minéral et biologique. Les
opales sont des minéraux composes d’arrangements de sphères de silice hydratée. Leurs feux
sont dus a la diffraction de la lumière par leur structure de cristal photonique tridimensionnel.
L’origine de la coloration de nombreuses espèces animales et végétales provient aussi de
motifs périodiques. La coloration bleue des ailes de papillons morpho et des feuilles de
certaines variétés de Sélaginelle en sont des exemples. Les couleurs bleu, vert, jaune et
marron des plumes de paons proviennent de la diffraction par des cristaux photoniques 2D a
nombre et longueur de maille variables [19].
Cependant, toutes les couleurs rencontrées ne doivent pas leur présence à un
phénomène aussi simple qu’est l’absorption. En effet, des études ont montré que des
structures naturelles pouvaient avoir exactement les mêmes caractéristiques que les cristaux
photoniques artificiels. Les colorations vives et très caractéristiques (et souvent très
directionnelles) de certaines espèces sont parfois dues à la présence de structures relativement
complexes présentant un arrangement périodique. Elles participent notamment à la
communication interspécifique (entre mâle et femelle) ou interspécifique (couleurs
avertissantes) [20].

61
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

(a) (b)
Figure II-2 : la figure (b) présente l’agrandissement d’une aile de papillon (a)[20,22].
II-3-2- Structures de bandes photoniques
Un cristal est un arrangement périodique d’atomes ou de molécules. Par conséquent,
un cristal permet une propagation d’électrons, et en particulier, sa structure périodique peut
introduire des valences dans la structure de bande d’énergie du cristal, de telle sorte que les
électrons ne peuvent se propager qu’avec certaines énergies.
En effet, un matériau dont l’indice de réfraction varie périodiquement suivant les
différentes directions de l’espace pourra présenter des bandes d’énergie interdite pour les
photons. Ainsi, dans certaines gammes de longueurs d’onde de l’ordre de la période de la
structure, la lumière ne pourra se propager dans le matériau et sera réfléchie quelle que soit
son incidence. Cette gamme de longueurs d’onde est appelée bande interdite photonique (BIP
ou Photonic Band Gap (PBG)) et est à la base du concept de cristaux photoniques [21].

II-4- Déférentes types de cristaux photoniques :

II-4-1- Cristaux photoniques à une dimension (réseau de Bragg) :
Ces structures sont couramment utilisées sous le nom de réseau de Bragg (Figure II.3).
Elles sont généralement réalisées par un empilement de couches d’indice de réfraction
différent et d’épaisseur optique λ/4, λ étant la longueur d’onde guidée autour de laquelle le
matériau doit interdire la propagation des ondes électromagnétiques sous incidence normale.
Les réseaux de Bragg ont prouvé leur utilité dans de nombreuses applications : convertisseurs
de modes pour fibres optiques, filtres sélectifs de longueur d’onde, multiplexeurs, lasers
spéciaux à bande étroite[22].

61
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

Figure II-3 : schéma d’un miroir de Bragg constitué d’un milieu diélectrique
périodique fini [23].
Un cristal photonique est caractérisé par : les différents matériaux qui le composent, le
système cristallin selon lequel ces matériaux sont organisés et les volumes relatifs qu’ils
occupent dans la cellule élémentaire du cristal. Les quantités représentatives de ces différentes
caractéristiques sont :
a- Le contraste d’indice :
Rapport entre les indices des deux matériaux, qui peut être comparé à la hauteur de la
barrière de potentiel de la physique solide [22].
=nh/ nl……………………………………………………………………………..II-1

Avec :

nh : L’indice de réfraction du matériau de haut indice.

nL : L’indice de réfraction du matériau de bas indice.

b- Les périodes :
Ces paramètres géométriques, choisis selon le domaine de fréquence étudié, influent
sur les caractéristiques de la bande interdite photonique. La période a est : a = (a1+a2) avec a1
l’épaisseur de la couche de permittivité 1 et a2 l’épaisseur de la couche de permittivité 2
(figure II.4) [22].

61
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

Figure II-4- Période d’un cristal photonique unidimensionnel [22].

c- Le facteur de remplissage f :
Le facteur de remplissage f peut être comparé au largueur du potentiel périodique de la
physique du solide. S’il est pris pour le matériau de haut indice par exemple, il est défini
comme le rapport entre le volume occupé par ce matériau dans la cellule élémentaire du
cristal et le volume de cellule de cette dernière [22].

f= ……………………………………………………………………..II-2.

Avec :

vi: Volume occupé par le matériau de permittivité 𝜀i .

Λ : Volume de la cellule.
II-4-2-Cristaux photoniques bidimensionnels
Les matériaux à Bande Interdite Photonique unidimensionnelle (BIP 1D) ou encore
réseau de Bragg, ne contrôlent les radiations lumineuses que dans une certaine ouverture
angulaire autour de la normale. Pour permettre le contrôle de la propagation des ondes
électromagnétiques avec des angles d'incidences variables, on utilise des matériaux à BIP 2D
([Link].5) voire à BIP 3D. Notre choix s’oriente vers des BIP bidimensionnelles qui ne sont
pas aussi performantes que leur analogue tridimensionnelle mais qui sont plus faciles à
réaliser [25] .
Les structures périodiques bidimensionnelles, sont périodiques suivant deux directions
de l’espace et infinis suivant la troisième.
Ces structures périodiques sont composées de cylindres diélectriques. Elles présentent une
relative simplicité géométrique qui facilitent les études théoriques et expérimentales [17,18].

02
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

Figure II-5 : Structures bidimensionnelles [25]

Les deux réseaux les plus courants pour l’organisation des piliers (ou des trous) sont le
réseau carré et le réseau triangulaire (figure II.6) [8].

(a’) (a) (b’) (b)

Figure II-6 : Cristal photonique bidimensionnel de, (a) réseau triangulaire de trous d’air, (b)
réseau carré de tiges diélectriques. [8].
a est le pas du réseau. r est le rayon des trous et des tiges dans (a) et (b) respectivement. La
cellule élémentaire est représentée en rouge. La structure est homogène selon z et périodique
suivant x et y [8].
Dans ces structures 2D, il existe deux polarisations possibles pour les ondes
électromagnétiques. La polarisation électrique correspond au cas où le champ électrique E est
parallèle aux barreaux de la structure considérés de longueur infinie et la polarisation
magnétique correspond lorsque le champ magnétique H est parallèle aux cylindres infinis.
Il existe deux types de structures périodiques diélectriques :
• Les structures dites « connectées » (figure II-7) : les motifs élémentaires sont d’indice n1
inférieur à l’indice n2 de la matrice diélectrique [26].

06
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

Figure II-7 : Structure périodique 2D connectée [26]

• Les structures dites « déconnectées » (figure II-8) : les motifs élémentaires sont d’indice n1
supérieur à l’indice n2 de l’espace inter motifs. Elles sont constituées de tiges diélectriques ou
métalliques alignées périodiquement dans l’air ou de la mousse [26].

Figure II-8 : Structure périodique 2D déconnectée [26]

II-4-2-a : Différentes familles de cristaux photoniques bidimensionnels
Les réseaux périodiques à deux dimensions se regroupent principalement suivant trois
familles [26]
 Le réseau carré
Les nœuds du réseau sont situés sur un carré de côté « a » (Figure II-9). Il a été montré
que ce type de réseau est très sensible à l’angle d’incidence et à la polarisation de l’onde
électromagnétique. Il est ainsi difficile d’obtenir une bande interdite totale, c'est-à-dire une
bande interdite qui empêche la propagation quelle que soit la polarisation. [26].

00
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

Figure II-9 : Le réseau carré [26].

 Le réseau triangulaire
Chaque nœud du réseau est espacé de son proche voisin d’une même distance « a »
(Figure II-10). Cette structure est moins sensible à l’angle d’incidence que le réseau carré
mais la bande interdite complète reste difficile à obtenir [26].

Figure II-10 : Le réseau triangulaire [26].

• Le réseau hexagonal
- La structure graphite :

Sur un réseau hexagonal, si tous les nœuds sont identiques et espacés de « a », alors on
appelle cette structure « graphite » car elle est similaire à la structure cristalline du graphite
(Figure II-11) [26].

02
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

Figure II-11 : Structure graphite [26].

II-4-2-b Structure de Bande Photonique

Généralement, la densité d’états d’une structure à bande interdite photonique est

représentée sous forme de structure de bandes qui illustre les modes permis en fonction des
points de symétrie de la zone de Brillouin. Dans le cas de réseaux bidimensionnels, il faut
considérer deux directions de propagation au lieu d’une seule pour les unidimensionnels. La
polarisation TM (respectivement TE) est définie lorsque le vecteur champ électrique
(respectivement champ magnétique) est perpendiculaire aux deux axes de symétries (x et y)
du réseau considéré (figure II.12).
Suivant la polarisation des ondes, les caractéristiques électromagnétiques d’une
structure à BIP seront différentes. Il existe donc une bande interdite TE et une bande interdite
TM. La bande interdite absolue sera la zone commune aux deux bandes interdites [25].

(a) ( b)

Figure II-12 : différentes types de polarisation de la lumière [24].

a) polarisation TM, b) polarisation TE

02
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

II-4-3 Les cristaux photoniques tridimensionnels

L’utilisation de cristaux photoniques tridimensionnels est nécessaire pour obtenir une

bande interdite dans toutes les directions de l'espace. Un nombre conséquent de travaux ont
été réalisés sur les différentes structures géométriques possibles et leur fabrication [8]. Le
premier cristal photonique tridimensionnel a été fabriqué par K.M. Ho et al. Il était formé de
sphères de silicium arrangées selon une structure diamant.
En 1993 E. Yablonovite fabriquait un cristal photonique en perçant des trous dans un
bloc de plexiglas selon trois directions qui simulent les directions cristallines <110> d’un
cristal diamant.
Ce cristal photonique s’appelle d’après son inventeur ”la Yablonovite” (Figure II-13-a). Avec
ce cristal photonique, le concept de la bande interdite photonique a été démontré
expérimentalement pour la première fois [6]

Figure II-13 : La première structure BIP 3D: la yablonovite [17].

Ce cristal présentait une bande interdite pour les microondes, les dimensions de la
structure étant centimétriques, pour aujourd’hui aboutir à des cristaux photoniques présentant
une bande interdite dans le proche infrarouge et le visible (Figure II-13-b). D'autres structures
autorisent l'apparition d'une bande interdite totale, notamment la structure dite en "tas de
bois" [24].
II-4-3-a Structures ”tas de bois”
Il consiste à empiler des réseaux 1D, en tournant de 90° et en décalant d'une demie
période deux réseaux consécutifs (Figure II-14-c) [24] .La structure périodique de ces cristaux
photoniques tridimensionnels est bâtie en déposant par couches successives des rubans de
silicium polycristallin dans des tranchées de silice. Cette fabrication, de très longue durée, se
fait plan sur plan. Après avoir construit la structure, la silice est retirée pour obtenir un cristal

02
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

photonique tridimensionnel Si/air dont le contraste d’indice est suffisant pour ouvrir une
bande d’énergie interdite omnidirectionnelle [17].

(b) (c)
Figure II-14 : b) Image MEB d'une structure Yablonovite en PMMA [Cuisin 2000] et
c) Image MEB d'une structure tas de bois en silicium [24]
II-4-3-b Les opales
Des opales sont obtenues chimiquement par auto-organisation. La première opale a été
obtenue par sédimentation de sphères de silice en solution: par sédimentation, ces sphères
s’arrangent selon un réseau cubique à faces centrées (FCC). Le nombre important de défauts
dans les premières opales a été fortement réduit grâce à des techniques de croissance auto
organisées proposées par Y.A. Vlasov (Figure II-15) .La plupart de ces cristaux ne présentent
pas de bandes d’énergie interdites, à cause du faible contraste d’indice. Cependant, ces
structures servent d’empreinte pour la réalisation d’opales inversées à partir de l’infiltration
d’un matériau de haut indice dans les interstices qui séparent les sphères. Ces dernières sont
ensuite dissoutes chimiquement pour aboutir à la structure finale de sphères d'air dans une
matrice de haut indice. De nombreuses techniques de fabrication existent encore comme la
lithographie par holographie par rayons X, l’auto-clonage .Elles souffrent encore toutes d’une
mise en œuvre laborieuse et délicate, et souvent ne permettent pas l’insertion déterministe de
défauts[17].

01
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

Figure II-15: Fabrication des opales inversées sur substrat par auto organisation.
(a) Les sphères de SiO2 sont forcées de s’ordonner à la surface d’un substrat de silicium.
(b) Les sphères sont assemblées directement sur le substrat de Si pour former l’opale.
(c) La structure opale est infiltrée avec du silicium puis les sphères de SiO2 sont enlevées par
gravure humide [17].
II-5- Matériaux BIP à défaut

Dans un cristal photonique, la création d’un défaut est causée par la rupture de la
périodicité diélectrique ε. Cette rupture va engendrer l’ouverture d’une bande de fréquence
autorisée à l’intérieur de la bande interdite photonique. La largeur et la position de cette bande
autorisée sont gérées par les caractéristiques du défaut [26].
Une manière simple de confiner le champ dans un volume très réduit est de briser
localement la périodicité du réseau par l’introduction de défauts. Ceci a pour effet de créer des
niveaux d’énergie discrets supplémentaires dans la structure de bandes. Les modes
photoniques ainsi créés, à condition qu’ils se situent dans la bande interdite, concentrent leur
énergie dans cette zone de défauts. Le cristal environnant se comporte comme un miroir et la
lumière est réfléchie par les bords du défaut [27].
il existe deux principaux types de défauts : les défauts ponctuels et les défauts
étendus :
Les deux façons les plus faciles à perturber la périodicité du réseau sont :
1. ajouter du matériau diélectrique en plus : un défaut diélectrique
2. supprimer du matériau diélectrique : un défaut d’air [12]
II-5- 1-Défauts ponctuels
Les défauts ponctuels sont créés en modifiant les caractéristiques d’une cellule du
réseau. Pour les cristaux photoniques composés de cylindres diélectriques, le constant

01
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

diélectrique d’un cylindre peut être changé. Le cylindre peut être enlevé, ce qui crée une
lacune dans le cristal. Cela correspond à une microcavité à l’intérieur du cristal photonique.
Pour les cristaux photoniques constitués de trous dans un matériau diélectrique, ces trous
peuvent être modifiés géométriquement [12].

(a) les défauts ponctuels (b) défauts lacunaire (c) défauts de substitution.

Figure II-16 : Différents types de défauts [5].

II-5- 2- Les défauts linéaires

Ces défauts permettent de réaliser un guidage diffractif des ondes appelé aussi défauts
étendus, de dimension 1,2 ou 3, ne peuvent évidemment être obtenus que dans les cristaux de
dimension au moins équivalente. Parmi ces défauts, les défauts 1D (W1) (Figure II.17), sont
certainement ceux qui ont suscité le plus grand nombre d’études car ils ont vocation à être
utilisés comme guides de lumière au sein d’un cristal donné. On peut d’ailleurs imaginer des
défauts 2D (W2) ou 3D (W3) constitués d’une suite de guides W1, mis bout à bout et orientés
dans les directions différentes, de façon à véhiculer la lumière sur tous les chemins possibles à
l’intérieur du cristal. L’exemple de base est celui du guide d’onde linéaire W1 dans un cristal
photonique 2D. Une façon de réaliser un tel guide consiste à placer des défauts ponctuels,
couplés et régulièrement espacés, dans une direction du cristal 2D. Le couplage entre une
infinité de résonateurs conduit à une bande de propagation permise dans la direction de
l’alignement. Ce type de guide à résonateurs couplés a été proposé en 1999 [23].

01
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

Figure II-17: Exemple de guide W1 à cristal photonique triangulaire de trous d’air sur un
substrat de silicium sur isolant. [23].
II-5-3- Guides d’onde dans les cristaux photoniques

En introduisant un défaut linéaire (omission d’une ou plusieurs rangées de motifs

élémentaires), il est possible de guider la lumière selon une direction choisie. La lumière va se
propager le long de ce guide avec une fréquence appartenant à la bande interdite photonique
du cristal (figure II-18-a). Des guides d’ondes classiques à base de matériaux diélectriques
sont réalisés depuis longtemps. L’onde se propage dans le diélectrique d’indice fort et se
réfléchit totalement sur les bords qui sont constitués d’un diélectrique d’indice plus faible.
L’intérêt des guides d’ondes BIP par rapport à ceux traditionnels c’est qu’ils présentent de
faibles pertes au niveau des courbures (figure II-18-b). Le fait de recourber l’un de ces guides
sur lui-même permet d’obtenir un anneau et seuls quelques modes peuvent rester dans cet
anneau [14].

a) Guide d'onde b) Guide d'onde à courbures extrêmes

Figure II-18 : Formes des guides d’ondes

01
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

II-6- Les différents types de cavités :

Il existe plusieurs types de cavités, elles dépendent de la forme de réseau (triangulaire,
hexagonale ou carré), et de nombre de défauts (omission d’un ou plusieurs tiges); parmi
Ces cavités nous citons [28].
II-6-1- Cavité hexagonale :
Dans un cristal triangulaire, les cavités hexagonales, dont les côtés sont les rangées
denses, constituent une série de cavités canoniques. Il est commode de les nommer par le
nombre de périodes le long de chaque côté. Ainsi, un seul trou manquant correspondra à H1,
sept trous manquants à H2, etc. (figure II -19). Les cavités de type Hn, de forme hexagonale,
n’étant le nombre de rangées manquantes par côté de l’hexagone sont les plus étudiée [28].

Figure II-19 : Les différents types de cavités. [28]

II-6-2- Cavité carré :
Dans un réseau bidimensionnel carré, les cavités sont de type Sn, de forme carrée,
n’étant le nombre de lignes et de ranges manquantes du carré. Par exemple la cavité S1 est
constituée en omettant une ligne et une rangé [28].

Figure II-20 : Exemple de cavité carrée dans un cristal photonique carré avec un paramètre
de maille 600nm [28] .

22
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

II-6-3- Cavité triangulaire

La Figure II-21 représente la cavité triangulaire, cette cavité est obtenue en omettant
plusieurs trous dans un réseau triangulaire de trous d’air de section circulaire (r = 200 nm)
plonge dans une matrice diélectrique (ε=8.12) [28].

Figure II-21: Exemple de cavité triangulaire dans un cristal photonique triangulaire avec un
paramètre de maille 600nm[28].
II-6-4- Cavité rectangulaire
Le réseau CP2D triangulaire est défini par les paramètres suivant : paramètre de maille
a=560nm, La figure( II-22) représente une cavité rectangulaire correspondant à l'omission de
3 rangées finies de trous dans le CP [28].

Figure II-22 : Exemple de cavité rectangulaire dans un cristal photonique triangulaire avec
un paramètre de maille 560nm [28].

26
Chapitre II Les Cristaux Photoniques

II-9-Conclusion

Ce chapitre été consacré en totalité à l’étude de la notion de cristaux photoniques. En

effet dans ce chapitre nous avons donnés les definitions de bases relatives aux structures à
cristaux photoniques, telque la periodicité du changement de leurs constantes dielectiques, la
forme du réseau et des éléments le constituant (forme des trous pour les réseaux connectés et
des tiges pour les réseaux déconéctés) . En suite nous avons donnés une caractérisque très
importante des structures à crystaux photoniques qui est leurs capacité à fournir une bande
interdite photonique (GAP optique) qui exclue la propagation de la lumiere dans les longueurs
d’onde sont situé entre ses limites.

Pour pouvoir beneficier de leurs avantages (c-à-d de leurs GAP photonique), ces
structures doivent imperativement contenir des defauts introduit par romper la periodicité de
leurs réseaux originals (création de cavités de differentes formes, des guides d’ondes, etc),
cela été aussi traité dans ce chapitre.

A la fin du chapitre nous avons donnés differentes formes de cavités et de guides

d’ondes qu’on peut réalisés sur les cristaux photoniques et qui peuvent étre à la suite exploités
pour la réalisation de differentes application comme nous le verrons dans les chapitres qui
suivent.

20
 CHAPITRE III

Utilisation des cristaux photoniques dans

la détection et la réalisation des capteurs
Chapitre III Utilisation des cristaux photoniques dans la détection et la réalisation des capteurs
III-1 Introduction
Les cristaux photoniques sont de nos jours utilisés dans touts les domaines de la
microélectronique que ce soit, celle destinée à l’usage quotidien comme les systèmes de
détections (détection de gaz, détection de déplacements et de pressions), les systèmes de
télécommunication (la fibre optique à cristaux photoniques, les filtre), ou même dans les
systèmes à de conversion d’énergie (système à énergie renouvelable).
Le présent chapitre est consacré à l’étude de quelques applications importantes des
systèmes à cristaux photoniques dans la vie quotidienne. Dans ce contexte, nous allons étudiés
des capteurs biologiques, des capteurs mécaniques (mesurant la pression) ainsi que des
capteurs chimiques.
III- 2- Type de capteurs exploitant le concept des cristaux photoniques :
La cristaux photonies a envahie tous les domaines de contrôles et de surveillances quand
trouve devant nous touts les jours. Dans cette partie nous donnerons des exemples de
capteurs qu’on a recueillis de la vaste littérature du domaine.
III-2- Les biocapteurs à base de cristaux photoniques :
III-2-1- Bio capteurs à cristaux photoniques à quatre canaux utilisant les nano
résonateurs à cavité :
a- Conception du biocapteur multicanal :
Selon la Fig. III-1, le biocapteur est construit en modifiant trois parties de la structure
originale.
 Le premier: en supprimant une rangée de trous d'air pour créer le guide d'onde
principal appelé le guide d'onde de bus. Ce guide d’onde sera à la suite utilisé pour appliquer
la pulsation gaussienne et les modes résonnants d'action de toutes les nano-cavités.
 La seconde, quatre nano-cavités qui sont remplies d'indices de réfractions différentes
n1, n2, n3 et n4 respectivement, sont utilisées pour piéger la longueur d'onde spéciale en
fonction de la biomolécules injectée, comme le montre la Figure III- 1[29].

Figure III-1 : structure du capteur multi canal [29]

33
Chapitre III Utilisation des cristaux photoniques dans la détection et la réalisation des capteurs

 La troisième, quatre guides d'ondes appelés guides d'onde de chute sont formés afin
de détecter les modes de résonance piégés dans les quartes nano-cavité. Le biocapteur est
monté autour d’un réseau hexagonal de trous d'air avec la constante de réseau de a de 400 nm
et le rayon de 140 nm avec un indice de réfraction des trous de 1 (indice de réfraction de l’air)
dans un substrat de silicium d’indice de réfraction n de 3,45. Les tailles de nano-cavités sont
optimisées pour atteindre de bon facteur qualité, de bonnes efficacités de transmission, et une
sensibilité raisonnable. Cette structure a présenté une bande interdite photonique pour le TE
situé entre 0,22054 a/, et 0,32550 a/ (un gap optique situé entre 1.22µm et 1.81µm),
comme le montre la Figure III- 2[29].

figure III-2 : Diagramme de bande de la structure pour le mode TE [29]

b- Évaluation des caractéristiques de la biosensibilité :

L’optimisation de cette structure effectuée par [ ], l’a conduit à un rayon de cavité Rc = 84
nm (les trous colorées en vert), car pour ce rayon des résultats optimale ont été atteints c-à-d
un facteur de qualité élevé (Q de 1976.71, 1999.86, 3549,8, 4793,6 pour les canaux 1, 2 , 3 et
4 respectivement), une bonne efficacité de transmission (efficacités de transmissions obtenues
de 76,59%, 61,27%, 59,53%, 62,13% pour les canaux 1, 2 , 3 et 4 respectivement) et une
sensibilité raisonnable de sensibilité de 65,7 nm/URI (sensibilité calculée pour quartes canaux
les canaux) qui pourrait rendre la détection de bio-produits chimiques facile et possible. La
longueur d'onde de résonnante des nano-cavités lorsque l'on n'a pas rempli l'analyte dans les
trous été de 1,3724 μm et cette longueur d’onde correspond à l’état de repos du biocapteur
[29].

34
Chapitre III Utilisation des cristaux photoniques dans la détection et la réalisation des capteurs

III-2-2- Biocapteur à base de cristal photonique pour la détection de la concentration du

glucose dans l'urine :
a- Conception du biocapteur :
Le capteur de glucose à base de PC proposé est utilisé pour détecter la concentration de
glucose, d'albumine, de bilirubine et d'urée dans l'urine et le sang. Le biocapteur est Conçu en
utilisant les cristaux photonique 2D avec des tiges circulaires dans un réseau carré. Les PC
contrôlent le flux de lumière à l'intérieur de la structure à l'aide de défauts (point / ligne) qui
peuvent être utilisés pour les applications de la détection . La structure du bio capteur est
conçue de 21 × 21 tiges monté en réseau carré. La distance entre les deux tiges les plus
proches est de 540 nm (la période du réseau a), et le rayon de chaque tige est de 100 nm. C‘est
tiges sont à base de silicium d’'indice de réfraction de 3,46 (voire figure III-3) [30].

Figure III-3 : structure du bio capteur de glucose [30]

Le capteur proposé se compose de deux guides d'ondes "L" inversés et d'un résonateur à
anneau. Les rayons de la tige intérieure et de la tige externe sont respectivement de 50 nm et
100 nm. Cependant, le rayon de la tige qui est positionné en haut et en bas du résonateur à
anneau est de 86 nm afin d'obtenir une transmission de sortie plus élevée.
La figure III-4, donne le diagramme de bande de la structure sans défauts, ce qui donne
généralement la gamme de la bande interdite photonique (PBG) transversale électrique /
transversale et magnétique (TE / TM) et les modes de propagation à l'intérieur de la structure
périodique. La fréquence normalisée du premier PBG TM réduit est observée de 0,435 a /  à
0,295 a /  et donc et une gamme de longueur d'onde correspondante variant de 1241 nm à
1830 nm et pour le deuxième PBG la fréquence normalisée est de 0,754 a /  à 0,732 a / 
d’où un gap de longueurs d'ondes correspondantes s'étalant de 716 nm à 737 nm.

35
 Chapitre III Utilisation des cristaux photoniques dans la détection et la réalisation des capteurs
De ce fait, c’est le premier PBG TM qui sera utilisée pour la conception du biocapteur car il
couvre les deuxièmes et troisièmes fenêtres de la région optique [30].

Figure III-4 : Les gaps optiques de la

structure proposée [30]

b- Résultats :
L'indice de réfraction varie avec la variation de la concentration de glucose présente dans
l'urine. Cette variation induit le décalage des longueurs d’ondes des impulsions de sorties au
niveau du moniteur. La réponse du capteur en fonction de la concentration de glucose est
présentée dans le tableau III-1.

indice de l’longueur Transmission facteur de

Concentration de glucose
réfraction d’onde (nm) Normalisée qualité
dans l’urine

1.335±0.001 1585 264

Normal (0mg/dl-15mg/dl) 1

0.625mg/dl 1.336±0.001 1585 0.96 269

1.25mg/dl 1.337±0.001 1585 0.92 260

2.5mg/dl 1.338±0.001 1585 0.85 252

5mg/dl 1.341±0.001 1585 0.55 217

Tableau III-1 : Grandeurs de sortie du capteur en fonction de la

Concentration de glucose dans l’urine [30]
36
Chapitre III Utilisation des cristaux photoniques dans la détection et la réalisation des capteurs

Figure III-5 : courbes de réponse du capteur en fonction de

la concentration de glucose dans l’urine [30]

III-3- Les capteurs de gaz à base de cristaux photoniques :

Comme exemple de capteur de gaz nous avons pris la structure proposée par [3,32], cette
structure est celle que nous allons tentés d’améliorer dans le chapitre 4. Le capteur objet
d’étude est destiné a mesuré la concertation de méthane (CH4) dans l’air et il trouve son
intérêt dans la prévention en cas de présence d’un excès de concentration de ce gaz toxique
[3].
a- Structure du capteur :
Le capteur proposé par [3,32], est représenté en figure III-6. Il consiste en une matrice
de trous d’air dans un substrat en silicium d’indice de réfraction n = 3.48. La période a du
réseau hexagonal considérés par l’auteur est de 351 nm et le rayon r des trous est de 0.3×a.
L’optimisation de la structure par l’auteur l’a conduit a un rayon Rc de trous de la cavité de
0.45a avec un nombre de 28 trous et 11 trous dans l’axe central de par et d’autre du trou situé
au coordonnées (0,0). Le principe de détection de ce capteur est basé sur l’emploi d’une
molécule dite ‘Cryptophane E’ très sensible à la présence du CH4. Cette molécule est infiltrée
dans les trous de la cavité optimisée [3,32].

37
Chapitre III Utilisation des cristaux photoniques dans la détection et la réalisation des capteurs

Figure III-6 : Structure du capteur de gaz[3,32]

b- Résultats :
Les courbes de réponse du capteur en fonction de la concentration du CH4 est donnée en
figure III-7.

Figure III-7 : Courbes de réponse du capteur en fonction de

la concentration du CH4 dans l’air [3,32]

De cette figure on remarque bien que le capteur réagis à la variation de concentration de CH4
et cette réaction se traduit par un décalage des impulsions de sortie par rapport celle
correspondante à son état de repos [3,32].
La figure III-8, donne les principales caractéristiques du capteur. De cette figure, on voie
clairement que la réponse du capteur est linéaire (les longueurs d’ondes de résonances varient
linéairement avec la concentration du CH4), il présente aussi une transmission normalisée
moyenne de 0.91%, un facteur de qualité presque constant de 12923, une sensibilité RI de
363.7 nm/URI et finalement une limite de détection du gaz de 3.2 10-4 RIU [3,32].

38
Chapitre III Utilisation des cristaux photoniques dans la détection et la réalisation des capteurs

Figure III-8 : Courbes de réponse du capteur en fonction de

la concentration du CH4 dans l’air [3,32]

III-4- Les capteurs de pression à base de cristaux photoniques :

Comme un exemple de capteur de pression à base de cristaux photonique nous allons citons
quelques désign. Premièrement le désign de Mohankumar et Mrs. Indira Bahaddur.
Dans cet article, les auteurs proposent un capteur de pression nanométrique avec des
résonateurs à nano cavités à cristaux photoniques bidimensionnels. Lorsque la pression est
appliquée, la contrainte est répartie sur la structure cristalline et l'indice de réfraction est
modifié [31].
III-4-1- Première application :
a- Structure du capteur :
La structure proposée par les auteurs est une structure déconnectée formée de tige
silicium. Des défauts linéaires sont crées au centre de la structure, par la suppression de tiges
comme montré en figure III-9. Pour créer une cavité résonante, ils ont placés une seul tige au
milieu du réseau avec un plus grand rayon et aussi à ces alentours des autres tiges de rayons
différents. L’excitation lumineuse est appliquée dans une extrémité du premier guide d'onde
et les signaux de sorties (les longueurs d’onde de sortie ) sont obtenues au niveau du
détecteur.
Lorsque la pression est nulle, le déplacement de la longueur d’onde de résonance de la cavité
est l [31].

39
Chapitre III Utilisation des cristaux photoniques dans la détection et la réalisation des capteurs

Figure III-9: Structure du premier capteur de pression [31].

b- Résultats
Quand la pression est appliquée sur la cavité résonante, la propagation de la lumière par et
l’indice de réfraction changent [31]. La figure ci-dessous montre déplacement du spectre de
sortie (de 1nm à 10nm) en fonction de la pression appliquée de. En analysant la courbe de la
figure III-10, on constat que la fréquence de coupure correspondante à chaque pression se
décale d’une grandeur  par rapport a l’état de repos.

Figure III-10 : Déplacement des spectres de sortie (pour 1nm à

10nm) en fonction de la pression appliquée [31]

40
Chapitre III Utilisation des cristaux photoniques dans la détection et la réalisation des capteurs

La figure III-11 montre la dépendance linéaire de la fréquence de résonance

en fonction de la pression appliquée.

Figure III-11 : Variation de la fréquence des impulsions de sortie de

sortie en fonction de la pression [31]

III-4-2- Deuxième application :

a- Structure du capteur :
Deuxièmement le désigne de Saeed OLYAEE and Ali Asghar DEHGHANI (voire figure III-
7). Le guide d'onde peut être réalisé par la suppression d’une rangée de trous d'air ou en
éliminant une rangée de tiges diélectriques. L'onde se propage dans le Silicium pour le
premier cas et se propage dans l'air pour le second Cas, et par conséquent, la perte peut être
ignorée. Sur un substrat en SiO2 d’indice de réfraction de 1.45 on fait croitre des tiges de
silicium Si d’indice de réfraction n de 3,5 [32].
Le résonateur conçue par la nano-cavité à cristaux photonique possède un facteur de qualité
( Q) élevé et peut être utilisé dans de nombreux applications. Ce facteur de qualité Q de la
peut être amélioré en modifiant le nombre de périodes de cristaux entre la nano-cavité et le
guide d'onde.
La structure du capteur proposée ici se compose d'un réseau carré de tiges de Si (avec nSi =
3,5) entouré par l'air avec (nAir = 1). Dans ce réseau de tige, la constante de réseau « a » et le
rayon r des tiges sont respectivement considérées de 450 nm et 0,2×a. Cette structure possède
un GAP photonique de longueurs d'onde situé entre 1083 nm et 1610 nm. La figure III-12
donne la structure finale du capteur.

41
Chapitre III Utilisation des cristaux photoniques dans la détection et la réalisation des capteurs

Figure III-12 : La structure finale du capteur de pression proposée [32]

Ce capteur est conçu pour travailler dans la gamme de l’infrarouge c-à-d pour des longueurs
d’ondes situées entre 1300 nm à 1400 nm. L’optimisons de la structure a conduit les auteurs
de ce travail à un rayon Rc de la nano-cavité de 0,077×a. Finalement, la présence des deux
rands de tiges entre le guide d’onde et la nano-cavité a produit un bon facteur de qualité [32].
b- Résultat
En l'absence de pression la nano cavité montre une longueur d'onde résonnante située à
λ= 1316 nm et facteur de qualité correspondant de Q= 1470. Pour étudier l'effet de la
pression sur la structure, nous avons effectué une étude approfondie. Les simulations ont été
réalisées pour différents valeurs des pressions de 0 à 10 GPa par incrément de 1 GPa à chaque
étape [32].
Les courbes de la Figure III-13, donnent les impulsions de sorties correspondantes à chaque
pression. De ces courbes on voie bien que la pression appliquée influe sur l’abscisse de ces
impulsions et ces dernières se trouvent décalée d’un  de valeur dépendante de la pression
hydrostatique appliquée [32].

Figure III-13 : réponse de capteur pour différentes valeurs de pression [32]

42
Chapitre III Utilisation des cristaux photoniques dans la détection et la réalisation des capteurs

III-5- Conclusion
L’utilisation des cristaux photoniques comme capteur est le sujet d’actualité des
recherches en nano-optoélectronique et photonique. Dans ce chapitre nous avons données
différents exemples d’applications des cristaux photoniques dans le domaine des capteurs,
entres autres des capteurs chimiques (capteur de gaz…)., biocapteur et des capteur physique
(capteur de pression).
Pour toutes les applications que nous avons choisies de la très vaste littérature du
domaine, nous avons donnés, leurs structures, leurs principes de détection et/ou de mesure et
enfin leurs caractéristiques (sensibilité, transmission, facteur de qualité….).

43
 CHAPITRE IV

Conception d’un capteur de pression par

cristaux photoniques
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

IV-1- Introduction
Apres le tour d’horizon que nous avons fait au chapitre précédent sur l’emploi des
structures à cristaux photonique dans le domaine des capteurs, dans le présent chapitre nous
allons focaliser notre étude sur leurs utilisations pour la réalisation de capteur de pression.
Les simulations effectuée dans ce chapitre ont étés réalisé grâce au logiciel professionnel RSoft
de Rsoft photonique, ce dernier est un logiciel spécialisé dans le design et la caractérisation des
structures à cristaux photonique.
IV-2- Structure de base du capteur :
IV-2-1- Structure Originale :
La structure que nous allons proposer par la suite est inspirée de celle proposée par
[3] ; cette dernière étant représentée en figure IV-1. Dans sa structure, [3] a considérée une
matrice de trous d’air creusés dans une couche active de silicium de période a de de 0.351 µm et
de rayon des trous est de 0.3a. La cavité originale est formée de 28 trous de rayon Rc= 0.45a
située aux alentours du trou centrale (le nombre 28 et le rayon Rc, étant tous les deux obtenus par
[3] suite à un processus d’optimisation qu’il a effectué). On trouve aussi deux portions de guide
d’onde situés à gauche et à droite des trous limitant la cavité. Dans sa structure [3] a trouvé une
sensibilité RI maximale de 363.7 nm/URI, nous, en se basant sur son travail nous avons proposés
une structure améliorée.

Figure IV-1: Structure originale de Zhan [3]

IV-2-2- Structure proposé :

Dans la structure que nous avons proposés, nous avons considérés une matrice initiale
21×23 de trous d’air creusées dans une couche active en silicium (ayant un indice de réfraction
de 3.48) avec une période a de 0.351 µm et un rayon de trous r = 0.3a semblables à ceux de la
structure originale (voire figure IV-2-a). Le diagramme de bande interdite de cette structure est
représenté en figure IV-2-b, de cette figure on constate l’existence de deux bande interdite

44
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

optique seulement pour le mode de propagation TM (Transverse magnétique) et entre ces deux
bandes, c’est la plus grande qui sera exploité. De la figure IV-2-b, on peut aisément voire que le
plus grand gap optique est situé entre 0.20647 a/ et 0.27374 a/, ca qui fourni une bande
interdite optique pour les longueurs d’ondes situées entre 1.2818µm et 1.70016µm. le calcul des
bandes interdite est réalisé par le module BandSolve de l’environnement RSoft.

Figure IV-2-a : la matrice de trous Figure IV-2-b : Diagramme de dispersion

d’air dans le substrat du des bandes interdites du
silicium proposée mode TM

La structuré que nous avons proposé est représentée en figure IV-3. En effet, nous
avons déplacé les guides d’onde dans les positions L3, gardés le nombre 28 des trous de la
cavité, le trou central étant resté intacte (sans changement).

Figure IV-3-a : La première Figure IV-3-b : La seconde structure

structure considérée considérée

45
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

IV-3- Optimisation des paramètres de la structure :

IV-3-1- Optimisation de la structure en fonction de Rc :

Le changement que nous avons fait sur la structure originale exige un nouveau
processus d’optimisation. En effet, faire varié l’emplacement de l’excitation et le moniteur influe
sans aucun doute sur les positions des longueurs d’onde de résonances et sur la transmission du
signal reçu à cause du faible couplage probable entre le guide d’onde d’entré et celui de la sortie.
Par conséquent nous allons dans ce qui suit ré-optimisé le rayon Rc des trous de la cavité de
façon à avoir les mêmes performances (sensibilité, facteur de qualité..etc) que ceux obtenues par
[3] voire même mieux.

Dans les deux guides d’onde considérées, nous avons en premier lieu laissés trois trous de
part et d’autre de la ligne verticale centrale (les trous jaune-vert et violets), mais cette forme ne
nous a donné aucun résultat au niveau du récepteur (figure IV-3-a). Alors nous avons enlevée un
trou pour ne garder que deux trous (voir figure IV-3-b) et cette dernière structure a fournie de
bons résultats comme nous verrons à la suite. En suite nous avons fait varier le rayon des trous
de la cavité Rc entre 0.35a et 0.48a avec un pas de 0.01a pour deux différentes valeurs de
l’indice de réfraction n = 3.48 et n = 3.51985, et nous avons tracés, la sensibilité, le facteur de
qualité et la transmission ; dans le but de trouver un optimum de Rc garantissant un bon
compromis entre ces différents paramètres. La simulation étant réalisée par le module Full Wave
de l’environnement RSoft et comme excitation nous avons choisi une longueur d’onde d’entrée
de 1.55 µm du faite qu’elle est très utilisé dans ce domaine. Les résultats que nous avons obtenus
sont représentés dans la partie qui suit.

IV-3-2- Résultats de l’optimisation :

a- Réponse de la structure en fonction de Rc :

Sur les figures IV-4-a,b sont représentées les transmissions des signaux obtenus au
niveau du moniteur en fonction de Rc pour n = 3.48 et n = 3.51985 respectivement. De ces
figures on voie clairement que les amplitudes des signaux croient avec l’accroissement Rc (et
vice versa) en démarrant de 0.07733 pour Rc = 0.35a à 0.6031 pour Rc = 0.42a cela pour n =
3.48 et de 0,06937 pour Rc = 0.35a à 0,54297 pour Rc = 0.42a et cela pour n = 3.51985.

46
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

Figure IV-4-b : Réponse en fonction de

Figure IV-4-a : Réponse en fonction de Rc
Rc pour n= 3.51985
pour n= 3.48

En ce qui concerne les longueurs d’ondes de résonance c’est tout à fait le contraire, en
effet à partir des ces deux mêmes figures on constate que ces longueurs d’ondes de résonances
(les abscisses les peaks des signaux sur l’axe des longueurs d’ondes) décroisent avec
l’augmentation de Rc pour les deux indices de réfraction considérés (voir figure IV-4-a,b).

Il est à noter ici qu’au-delà de 0.42a, la réponse de la structure est nulle et

complètement inutilisable pour n1 et aussi pour n2.

Les résultats numériques que nous avons obtenus sont regroupés dans les tableaux IV-
1-a et IV-1-b, le premier tableau étant calculer pour n = 3.48 et le second pour n = 3.51985.

Rc 0.35a 0.36a 0.37a 0.38a 0.39a 0.40a 0.41a 0.42a

T 0.07733 0.07955 0.077907 0.083045 0.10244 0.14858 0.2609 0.6031

(µm) 1.4376 1.4337 1.4291 1.4242 1.4186 1.4126 1.4054 1.3966

Q 804.24 582.24 433.03 352.63 273.85 226.01 187.51 158.20

Tableau IV-1-a : Caractéristiques principales de la structure en fonction de Rc pour n = 3.48

47
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

Rc 0.35a 0.36a 0.37a 0.38a 0.39a 0.40a 0.41a 0.42a

T 0.06937 0.070566 0.069103 0.074154 0.090773 0.1327 0.23304 0.54297

(µm) 1.4531 1.4491 1.4445 1.4395 1.4339 1.4278 1.4205 1.4115

Q 820.90 589.82 441.21 343.57 275.17 229.78 192.50 289.59

Tableau IV-1-b : Caractéristiques principales de la structure en fonction de Rc pour n =

3.51985
La figure IV-4-c présente la combinaison des deux figures précédentes. Nous avons tracé cette
figure pour regrouper d’une part les résultats précédents et aussi pour monter un autre résultat
très important qui est la différence entre les longueurs d’ondes de résonance pour une même
valeur de Rc mais pour les deux indices de réfraction considérés. De cette figure on peut
remarquer que le décalage des longueurs d’ondes de résonances correspondant à n1 et n2 pour
chaque valeur de Rc est assez important ce qui donnera certainement naissance à de fortes
sensibilités comme nous montrerons plus loin. La figure IV-4-d, représente un cas isolé de la
figure IV-4-c correspondant à Rc = 0.35a.

Figure IV-4-c : Réponse de la structure en Figure IV-4-d : Réponse de la structure pour

fonction de Rc pour les indices de réfraction Rc = 0.35a et pour les indices de réfraction
n1 et n2 considérés n1 et n2 considérés

48
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

b- Optimisation de la valeur de Rc :

Dans cette étape nous allons tenté de chercher une valeur de Rc réalisant un bon compromis
entre les caractéristiques importantes des capteurs qui sont, la sensibilité, le facteur de qualité et
la transmission.

 Tracé du facteur de qualité et de la sensibilité

Les figures IV-5-a et b donnent les résultats que nous avons obtenus.

900
Facteur de qualité pour n = 3.48 15.5
800 la sensibilté en nm/GPa
15.4
700

Sensibilité (nm/GPa)
15.3
Facteur de qualité

600

500 15.2

400 15.1

300
15.0

200
14.9
100
0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.40 0.41 0.42

Rc/a

Figure IV-5-a : Tracé de la sensibilité en pression et du facteur de qualité en

fonction de Rc pour n = 3.48

900
Facteur de qualité pour n = 3.5195 15.5
800 Sensibilité en nm/GPa
15.4
700
Sensibilité (nm/GPa)

15.3
Facteur de qualité

600

500 15.2

400 15.1

300
15.0

200
14.9
100
0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.40 0.41 0.42

Rc/a

Figure IV-5-b: Tracé de la sensibilité en pression et du

facteur de qualité en fonction de Rc pour n = 3.51985

49
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

De ces deux figures on constate que pour n1 et n2 la sensibilité et le facteur de qualité

décroisent tous les deux d’une valeur maximale vers un minimum. Il est à noté ici que la courbes
de sensibilité dans les deux figures IV-5-a,b est la même du faite qu’elle est calculée à partir des
deux valeurs de n1 et n2 au même temps ce qui n’est pas le cas du facteur de qualité.

 Tracé de la transmission et de la sensibilité

Pour ce qui est de la transmission, elle aussi est un paramètre très important (car elle
caractérise le rendement du circuit) qui influe considérablement aussi sur le chois de l’optimum
de Rc, cette dernière est tracé sur les figures IV-6 a et b (pour n1 et n2 respectivement) avec le
facteur de qualité Q.
900

0.8 Transmision pour n = 3.48 800

Facteur de qualité pour n = 3.48
700

0.6

Facteur de qualite
600
Transmision

500
0.4
400

300
0.2

200

0.0 100
0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.40 0.41 0.42

Rc/a

Figure IV-6-a : Tracé de la sensibilité en pression et de la

Transmission en fonction de Rc pour n = 3.48
900

0.6 Transmision pour n = 3.5195

facetru de qualité pour n = 3.5195 800

0.5
700
Facteur de qualité

0.4 600
Transmission

500
0.3

400
0.2
300

0.1
200

0.0 100
0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.40 0.41 0.42

Rc/a

Figure IV-6-b : Tracé de la sensibilité en pression et de la

Transmission en fonction de Rc pour n = 3.51985

50
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

De ces deux figures on peut clairement voire que les transmissions pour les deux cas
croissent à partir d’un minimum correspondant à Rc = 0.35a vers un maximum qui correspond à
Rc = 0.42a. Aussi on remarque que la transmission T évolue d’une façon inverse en la comparant
par rapport à la sensibilité et au facteur de qualité.
 Structure finale du capteur de pression :

En comparant les résultats obtenus plus haut, on peut aisément constater que Rc = 0.36a est
la valeur optimale cherchée puisqu’elle correspond à une sensibilité élevée de 15.4, un bon
facteur de qualité de 582.24 pour n1, 589.82 pour n2 et une transmission acceptable de 0.07955
pour n1 et de 0.070566 pour n2.
Cette valeur sera utilisée dans la seconde partie du travail, pour déterminer la réponse
proprement dite du capteur de pression. Dans la suite du travail nous allons considérer la
structure finale représentée en figure IV-7.

Cette structure est caractérisée par les paramètres suivant :

 Une matrice de 21×23 trous d’air dans le substrat de silicium.

 Une période de 0.351 µm
 Un rayon r de 0.3a
 Un rayon de cavité de 0.36a.

Figure IV-7 : Structure finale du capteur de pression adoptée

51
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

IV-4- Etude de la réponse de la structure optimisée pour différentes pression :

Une fois la structures est optimisée l’étape prochaine dans notre étude est son emploi
dans la mesure de pression hydrostatique.

Une pression hydrostatique est caractérisée par son caractère à influer sur la surface
sensible sur laquelle elle appliquée de la même façon dans toutes les directions. Le capteur que
nous avons conçus est destiné à mesuré les pressions d’ordre du giga pascal (GPa).

Dans notre travail nous avons considéré un intervalle de pression de 0 à 7 Gpa. Les
limites de cet intervalle sont imposées par le model fournissant les indices de réfractions du
silicium.

On sait que selon [ 3 ,33], l’indice de réfraction du silicium varie linéairement par pas
de 0.0385 pour chaque 1GPa. Le tableau IV-2, donne les valeurs de l’indice de réfraction n du
silicium en fonction de la pression P (en GPa)

P(GPa) 0 1 2 3 4 5 6 7

n (UIR) 2,8 2,8398 2,8797 2,9195 2,9594 2,9993 3,0391 3,0789

Tableau IV-2 : Indice de réfraction du silicium en fonction de la pression.

C’est même valeur sont représentés en figure IV-8

3,80

Indice de réfraction du silicium

3,75
Indice de réfraction (URI)

3,70

3,65

3,60

3,55

3,50

3,45
0 1 2 3 4 5 6 7
Pressure (GPa)

Figure IV-8 : Indice de réfraction du silicium en fonction de la pression.

52
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

Les réponses du capteur pour les différentes pressions sont données en figure IV-9
0,225

Reponses du capteur en fonction de la pression

0,200

0,175

0,150
Transmission

0 GPa 1 GPa 2 GPa 3 GPa 4 GPa 5 GPa 6 GPa 7 GPa

0,125

0,100

0,075

0,050

0,025

0,000
1,41 1,42 1,43 1,44 1,45 1,46 1,47 1,48 1,49 1,50 1,51 1,52 1,53 1,54 1,55 1,56

Resonance (m)
Figure IV-9 : Réponse finales du capteur pour des pressions situées

entre 0 GPa et 7 GPa

et le tableau IV-3 résume ces résultats.

0 1 2 3 4 5 6 7

Indice (UIR) 3,48 3,51985 3,5597 3,59955 3,6394 3,67925 3,7191 3,75895

résonance(µm) 1,4337 1,4493 1,4648 1,4804 1,496 1,5116 1,5272 1,5429

Transmission 0,20107 0,19874 0,19627 0,19428 0,19216 0,18999 0,18779 0,18581

600,16 600,97 602,25 602.92 673,6 604,58 605,03 605,54

Facteur de qualité Q

Tableau IV-3 : Grandeurs caractérisant la réponse du

capteur en fonction de la pression

53
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

IV-4-1- Tracé de la longueur d’onde de résonance en fonction de la pression :

A partir du tableau IV-3 on trace la variation des longueurs d’onde de résonance en

fonction de la pression. La figure IV-10 présente cette variation.

1,56
Longueur d'onde de Resonance en (m)

1,54

1,52

1,50

1,48

1,46

1,44

1,42
0 1 2 3 4 5 6 7

Pressure (GPa)

Figure IV-10 : Longueurs d’onde de résonances correspondantes aux

pressions situées entre 0 GPa et 7 GPa

Cette figure montre que des longueurs d’ondes de résonance du capteur varient
linéairement avec la pression hydrostatique appliquée. Cette forme de variation offre un grand
atout en ce qui concerne la prédiction du comportement du capteur (par le calcul des longueurs
d’ondes de résonance) pour des pressions autres que ceux du tableau IV-3.

IV-4-2- Tracé des facteurs de qualités des réponses du capteur :

Le facteur de qualité est un paramètre très important dans la conception et le design

des capteurs, car il représente leurs caractères à minimiser le chevauchement des peaks de leurs
réponses en fonction de la pression. En effet, un faible facteur de qualité implique une forme
étalé des impulsions décrivant les réponses du capteur ce qui mène par fois à leurs
chevauchements. Dans le cas contraire et pours des forts facteurs de qualités, les impulsions de
sortie seront naturellement séparée et bien distincte les unes des autres ce qui minimise la
probabilité de leurs chevauchements et ainsi l’erronément des mesures.

54
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

Dans notre cas nous avons trouvés des facteurs pouvant atteindre le 673.6 pour une
pression de 4GPa et varie entre 600 et 605 pour les autres pressions. C’est valeurs sont très
bonnes et elles sont compétitives avec la littérature du domaine.

680

660

640
Facteur de qualité

620

600

580

560 Le Facteur de qualité Q

540

520

500
0 1 2 3 4 5 6 7
Pressure (GPa)

Figure IV-11 : Facteurs de qualités des peaks de résonances correspondants

aux pressions situées entre 0 GPa et 7 GPa

IV-4-3- Calcul des sensibilités du capteur :

La sensibilité peut être définie comme étant le caractère du capteur à détecter et

mesuré avec précision les pressions hydrostatiques qui lui sont appliquées. Les mesures sont de
plus en plus proches de la réalité, si la sensibilité du capteur est bonne et/ou excellente et aussi
constante. On peut dire alors que la sensibilité est un paramètre décisif quant au design des
structures de capteurs. On trouve deux types de sensibilité relative aux structures à cristaux
photoniques :
a- La sensibilité à la variation de l’indice de réfraction :
Noté SRI, cette sensibilité exprime le caractère du capteur à modifier la longueur d’onde
du flux de lumière entrant à sa sortie (le décalage de la longueur d’onde de résonance)
pour chaque changement d’indice de réfraction (le changement d’indice de réfraction
dans ce cas de sensibilité peut être issu de différent facteur entre autre, a cause de facteurs
biologique (come sang et ADN), présence de gaz, présence de substance chimique, effort
mécanique comme la pression, le déplacement..etc).

55
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

Cette sensibilité est calculée à partir de la relation :

, en nm/URI…………………………IV-1

De cette expression on conclut que SRI est de plus en plus importante quand le décalage
sera important pour les faibles changements d’indice de réfractions.
b- La sensibilité à la variation de pression hydrostatique :
Noté SP, elle est définie comme étant la capacité du capteur à modifier (à décaler) la
longueur d’onde de résonance du flux de lumière entrant à sa sortie suite à l’application
d’un seul facteur qui est la pression mécanique. Cette sensibilité est calculée à partir de
la relation :

……………………………IV-2

Sp

, en nm/GPa………...IV-3

On peut dire que la sensibilité est d’autant plus élevée que le capteur présente un grand décalage
pour un léger changement de pression .

Le tableau IV-4, donne les sensibilités SRI et SP calculer à partir des données du tableau IV-3 et
des relations données plus haut.

Pression
0 1 2 3 4 5 6 7
(GPa)

Indice (UIR) 3,48 3,51985 3,5597 3,59955 3,6394 3,67925 3,7191 3,75895

393,977415
SRI 391,46800 388,95859 391,46800 391,46800 391,468005 391,468005
3

S 15,6 15,5 15,6 15,6 15,6 15,6 15,7

Tableau IV-4 : Sensibilité SRI et SP calculée pour ce capteur

La figure IV-12 donne un exemple de deux signaux isolés de l’ensemble des courbes de
réponses du capteur de la figure IV-9. Cette figure correspond aux pressions 0GPa et 1GPa et

56
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

elle montre le décalage en longueur d’onde entre les deux peak ( ), dans ce cas qui vaut
0.0156 µm. Ce décalage est dû à la variation de l’indice de réfraction n du silicium qui passe à
3.51985 pour une pression appliquée de 1GPa (0GPa correspond à l’état de repos du capteur et à
un indice n de 3.48).

0,225
0 GPa 1 GPa
0,200

0,175
= 0,0156
0,150
Transmission

0,125

0,100

0,075

0,050

0,025

0,000
1,420 1,425 1,430 1,435 1,440 1,445 1,450 1,455 1,460
Resonance (m)

Figure IV-12 : Figure montrant le décalage des pics pour deux

valeurs successives de la pression 0GPa et 1GPa

c-Tracé des sensibilités du capteur :

A partir du tableau 3-5 on trace les sensibilités SRI et SP, les sensibilités à l’indice de
réfraction

et à la pression respectivement sur la même figure mais avec deux axes d’ordonnées différents
en fonction de la pression hydrostatique appliquée (voir figure IV-13).

57
Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

400 16,0

15,7
395 15,6 15,6 15,6 15,6 15,6
15,5
15,5
393,97742
390
391,46801 391,46801 391,46801 391,46801 391,46801
Sensibilité RI (nm/URI)

388,95859
385
Sensitivity SRI 15,0
Sensitivity SP

Sp (nm/GPa)
380

375 14,5

370

14,0
365

360
13,5

355

350 13,0
1 2 3 4 5 6 7

Pressure (GPa)

Figure IV-13 : Les sensibilités SRI et SP du capteur finale

tracées pour les pressions considérés.

De cette figure on peut constater aisément que :

c- La sensibilité SRI atteint une valeur maximale de 393,977 nm/URI pour des
pression au voisinage de 7 GPa et une valeurs minimale de 388.958 nm/Uri pour
les pressions voisines de 2GPa et reste constante à un niveau de 391,468 nm/URI
au voisinage de 1 GPa et aussi pour une large gamme de pression de 3 à 6 GPa.
Ces résultat sont très bons et constituent une vrais amélioration de la sensibilité du
design originale de [3 ] qui été de 363,7.
d- Maintenant pour la sensibilité à la pression, on peut dire que notre design travail
avec une haute sensibilité qui atteint 15.7 nm/GPa au voisinage de 7 GPa et
produit une sensibilité stable de 15.6 nm/GPa dans la gamme de pression de 0 à
6GPa ce résultats étant très bon et même excellent.

58
 Chapitre IV Conception d’un capteur de pression par cristaux photoniques

IV-5- Conclusion

Dans ce chapitre nous avons proposé une structure de capteur RI qui représente une
version amélioré d’une structure existante en littérature. Pour cette structure et après sa
réalisation et son optimisation, nous avons constaté qu’elle a pu faire grimpé la sensibilité RI de
363.7 nm/URI à 393.7 nm/URI, ce qui la rond un très bon support pour la réalisation d’un
capteur à pression. En effet avec ce design, nous avons réalisé un capteur de pression de
sensibilité pouvant atteindre 15.7 nm/GPa. Cette sensibilité est très importante et en la
comparant avec la littérature du domaine on a constaté qu’elle présente une valeur très compétitif
(une sensibilité de 13.7 nm/GPa a été obtenu par [ 33]).

59
CONCLUSION GENERALE
 Conclusion général

Conclusion général et perspective:

Au début de ce travail nous avons fixés un but qui été la réalisation d’un capteur de
pression à base de structure à cristaux photonique ayant une haute sensibilité. Et pour aboutir
à ce but nous avons suivies les étapes suivantes :

 La première étape été de faire une étude des caractéristiques générales et des principes
de fonctionnement de différents type de capteur. Puis on s’est focalisés sur l’étude des
capteurs de pressions.
 Dans une seconde étape, nous avons parlés des cristaux photoniques en temps que
théorie et concept, puis on s’est penchés sur l’utilisation de telles structures pour la fabrication
de détecteur et de capteurs de différents types couvrants ainsi, presque la totalité des besoins
industriels en capteurs de hautes performances.
 La dernière étape de notre travail été de proposer une structure, de définir ses
caractéristiques (période a , rayon de trous r, forme de la cavité et des formes des guides
d’ondes inclus) et son GAP optique à fin de définir la plage de longueur d’onde dans laquelle
elle doit être exploité. En suite cette structure est optimisée afin d’obtenir une sensibilité
maximale et de bon facteurs de qualité.

En effet, les résultats que nous avons obtenus avec notre structure sont très satisfaisants du
faite qu’ils montrent une grande amélioration de la sensibilité par rapport à celle trouvé par
[33] avec sa structure originale. De nos résultats on peut constater que la sensibilité RI a
grimpé de 363.7nm/URI à 393.7 nm/URI, ce qui la rendue un très bon support pour la
réalisation de notre capteur à pression.

Avec le design que nous avons proposé, nous avons pus obtenir une sensibilité en
pression pouvant atteindre 15.8 nm/GPa. Cette sensibilité est très importante et en la
comparant avec la littérature du domaine on a constatés qu’elle présente une valeur très
compétitive.

En perspective, nous incitons les PFEs des promotions à venir, à effectuer d’autre
types d’optimisation de cette structure comme par exemple optimiser les dispositions et les
longueurs des guides d’ondes d’entré et de sortie, afin de garantir un meilleur couplage entre
la source et la cavité, cela d’une part. D’autre part, tenter d’améliorer le rendement de capture
de la cavité résonante que nous avons utilisés (amélioré son facteur de qualité et de sa
sensibilité).

06
 Bibliographie

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Technology (IRJET) e-ISSN: 2395-0056 Volume: 02 Issue: 03, June-2015
[32] S. Olyaee and A. Asghar Dehghani, « High Resolution and Wide Dynamic
Range Pressure Sensor Based on Two-Dimensional Photonic Crystal »,Photonic
Sensors Vol. 2, No. 1, 92–96, 2012.
[33] [Link],[Link], [Link], [Link] and [Link]. « A high sensitivity pressure sensor
based on tow-dimentional photonic crystal. Photonic sensor», vol.6, No.2, 137-142,
2016 .
[34] Mezhoud Mouad,‹‹ Etude théorique de l’influence des paramètres de fabrication
sur la biréfringence dans les guides d’ondes magnéto-optique››,mémoire magister,
Université de M’sila 2010.

63
Annexe

Présentation de l’environnement de simulation RSoft

RSoft CAD est un logiciel de base qui permet aux chercheurs de visualiser les
différents phénomènes mis en cause dans l’optique intégrée et de créer des systèmes pour la
conception des dispositifs de guide d'onde, des circuits optiques et d'autres dispositifs
photoniques par l’application des méthodes numériques. Ce logiciel possède plusieurs
modules de simulation qui sont autorisés séparément de RSoft. Ces modules de simulation,
avec des applications typiques, sont : BeamPROP, BandSOLVE, FullWAVE, GratingMOD et
DiffractMOD [34] et chaque module est conçu pour une tache bien définie.
Parmi ces modules de simulation, nous présentons le BandSOLVE et FullWAVE.

1- Simulateur Bandsolve :
«Bandsolve » est un logiciel de simulation qui permet de générer et d’analyser les
diagrammes de bandes photoniques. Le calcul des diagrammes est basé sur une méthode de
décomposition des champs électromagnétiques en ondes planes pour les structures
périodiques. Les structures dont nous voulons calculer les diagrammes de bandes sont toutes
des structures qui se répètent périodiquement. [5]

2- Présentation de FullWave:
Ce logiciel peut simuler des structures (limitées, infinies ou périodiques), formées par
différents matériaux qui peuvent être métalliques ou diélectriques. L’utilisation de Fullwave
nécessite de définir les matériaux qui composent la structure à l’aide de la permittivité
électrique. Il faut aussi définir l’environnement de la structure et donc les conditions aux
limites. Pour cela il faut disposer de conditions absorbantes aux abords du domaine de
discrétisation (calcul) qui permet d’éviter les réflexions parasites engendrées aux bords de la
fenêtre du calcul FDTD afin de simuler un milieu ouvert [5].

3- Signification des icônes de l’interface graphique du logiciel RSoft :

New Circuit : Cette option crée un nouveau circuit

Open Circuit : Cette option ouvre un circuit existant.

 Save Circuit : Cette option sauvegarde le circuit courant.

Edit Global Settings : Cette option ouvre la zone de dialogue d'arrangements globale
par défaut. Elle est équivalente à la nouvelle zone de dialogue de circuit.

Edit Symbol Table : Cette option ouvre la table des symboles où l'utilisateur crée de
nouvelles variables pour modifier des variables existantes.

Edit Launch Field : Cette option ouvre la zone de dialogue pour le lancement des
paramètres où l'utilisateur peut spécifier le champ initial pour une simulation.

Perform Simulation : Cette option ouvre la zone de dialogue de paramètres de

simulation où l'utilisateur peut spécifier ces paramètres pour effectuer une simulation.

Compute Index Profile : Cette option ouvre la zone de dialogue de profil d'indice de
calcul où l'utilisateur peut calculer un profil d'indice du circuit.
4-Les étapes de simulation :

La fenêtre de programme de Rsoft CAD comporte une barre de menus en haut de la fenêtre,
une barre des outils qui porte plusieurs icônes et la ligne d’état

Barre de
menus

Barre des
outils

barre d’état

Figure 1 : Fenêtre principale de RSoft CAD

Figure 1: Fenêtre principale du programme CAD

4-1-Créer un nouveau circuit :

Pour créer un nouveau circuit on va cliquer sur l’icon dans la barre d’outils superieur
,ou nous allons choisir File / new de la barre du menu. Le dialogue de démarrage de la
figure 2 va apparaître.

Figure 2 : Fenêtre de démarrage

4-2- Générer la structure de réseau :

Dans cette partie on va montrer comment créer un réseau en cristaux photoniques dans
l'interface de CAD. Généralement, il existe plusieurs manières pour créer une structure de
réseau dans l'interface de CAD. Le manier qui nous avons utilisée est le suivante :

nous allons choisir Utility / Array Layout. Le dialogue de démarrage de la figure 3 va

apparaître.
 Figure 3: Arrangements de disposition de la rangée XZ

Après l’introduction des différentes données (type de réseau, forme de motif, le nombre de
rangés et le nom du circuit) on clique sur le bouton OK pour obtenir la structure du cristal
photonique qui apparaît sur la figure 4.

Figure 4:Disposition de rangée dans la fenêtre de CAD.

Résumé :

Les cristaux photoniques sont des structures présentant une modulation périodique de leurs
indices de réfractions. Cette modulation d’indice conduit à l’apparition d’une bande interdite
photonique (GAP) empêchant les longueurs d’onde situées entre ses limites à se propagé au sein de
ces structure. Ces structures ont eux un grand intérêt dans la recherche scientifique ce qui a mené à
une multiplication très rapide de leurs domaines d’applications, en entres autres ; la mesure des
grandeurs physiques et les capteurs. En effet, de nos jours les cristaux photoniques sont à base de la
réalisation d’une vaste gamme de capteurs, balayant presque toutes les grandeurs physiques
mesurables et en particulier la pression, notre travail entre dans ce cadre,

En effet, dans ce travail nous avons proposés une structure de capteur de pression opérant à
des pressions de l’ordre du giga pascal, réalisée dans une structure à cristaux photonique à 2D.
Ensuite une optimisation de cette structure est faite dans le but d’avoir une meilleure sensibilité et
facteur de qualité possible.

Mots clés : Cristaux photoniques 2D, GAP photonique, capteur de pression, optimisation,
sensibilité RI, sensibilité à la pression, facteur de qualité.

Abstract:

The photonic crystals are structures exhibiting a periodic modulation of their refractive
indices. This modulation of the index leads to the appearance of a photonic band gap (GAP)
preventing the wavelengths situated between its limits from propagating within these structures.
These structures have a great interest in scientific research which has led to a very rapid
multiplication of their fields of application, among others; The measurement of physical quantities
and sensors. Indeed, nowadays photonic crystals are based on the realization of a wide range of
sensors, sweeping almost all the measurable physical magnitudes and in particular the pressure, our
work enters into this framework
Indeed, in this work we proposed a pressure sensor structure operating at pressures of the order of
the pascal giga, made in a structure with 2D photonic crystals. Then an optimization of this
structure is done in order to have a better sensitivity and quality factor possible.

Keywords:2D photonic crystals, photonic GAP, pressure sensor, optimization, RI

sensitivity, pressure sensitivity, quality factor.

: ‫الملخص‬

ٍ‫ هذا انخعذَم ف‬.‫انبهىراث انفىحىنُت هٍ عبارة عن بنُاث دورَت انهذف ينها هى نخعذَم يؤشزاث االنكسارنهضىء فُها‬
‫( يًنىعت حًنع انًىجاث انىاقعت بُن حذودها ين االنخشار و انعبىر داخم هذة‬GAP) ‫انًؤشز َؤدٌ إنً ظهىر عصبت ضىئُت‬
‫ ين بُن األيىر‬، ‫ واالهخًاو انكبُز بهذه انبنُاث فٍ يجال انبحث انعهًٍ أدي إنً انزَادة انسزَعت جذا ين يجال حطبُقها‬.‫انبنُت‬
‫ حسخخذو انبهىراث انفىحىنُت فٍ انىقج انحاضز فٍ يجًىعت‬،‫فٍ انىاقع‬. ‫األخزي قُاس انًقادَز انفُزَائُت وأجهزة االسخشعار‬
‫واسعت ين أجهزة االسخشعار انخٍ حجخاح حقزَبا كم انًُادَن و انًقادَز انفُزَائُت انخٍ ًَكن قُاسها وال سًُا انضغظ و َذخم عًهنا‬
.‫فٍ هذا اإلطار‬

‫ ثى‬2D ‫ حُث اسخعًهنا انبهىراث انفىحىنُت ثنائُت انبعذ‬،) ‫فٍ هذا انعًم اقخزحنا بنُت نقُاس انضغظ انعانٍ ( جُجا باسكال‬
.‫قًنا بئجزاء ححسُن فٍ انبنُت ين أجم انحصىل عهً أفضم حساسُت وعايم جىدة يًكنت‬
، RI‫انحساسُت‬، ‫ انخحسُن‬، ‫ اسخشعار انضغظ‬، )GAP( ‫انعصبت انضىئُت انًًنىعت‬، 2D ‫ انبهىراث انفىحىنُت‬: ‫الكلمات المفتاحية‬
.‫عايم انجىدة‬، ‫حساسُت انضغظ‬