Influence d'un tampon sur amplificateur CE
Influence d'un tampon sur amplificateur CE
ÉLECTRONIQUE DE BASE 2
Par :
NIM 18033079
DÉPARTEMENT DE PHYSIQUE
2020
Influence de l'ajout d'un tampon derrière un amplificateur en émetteur commun
PENGUAT CE AMPLIFICATEUR CC
Vi
NON VOE KVE VCI VOC KVC
(mV) (Mv) (kali) (mV) (mV) (kali)
1 20 mV 2,4 V 120 kali 19 mV 19 mV 1 kali
2 17 mV 2,1 V 124 kali 16 mV 16 mV 1 kali
3 15 mV 1,7 V 113 kali 14 mV 14 mV 1 kali
4 13 mV 1,5 V 115 kali 12 mV 12 mV 1 kali
5 11 mV 1,3 V 118 kali 10 mV 10 mV 1 kali
Tableau 2. Données des mesures de résistance à la charge, d'intensité du courant et de tension de sortie de
RENFORCEUR CE PENGUAT CC
N RL
VOBE JeLE ∆VOE VOC JeLC ∆VOE
O (kΩ) (Mv) (mA) (mV) (mV) (mA) (mV)
1 100 kΩ1,1 x 0,5 0,5 mA 0,1 Mv 1,05 x 0,5 0,6 mA 0,1 mV
2 8,2 kΩ 0,9 x 0,5 0,04mA 0,2mV 0,85 x 0,5 0 mA 0,2 mV
3 3 kΩ 1,2 x 0,5 0,08mA 0,2mV 1,1 x 0,5 0,84mA 0,2mV
4 6,8 kΩ 1,1 x 0,5 0,06 mA 0,1mV 1 x 0,5 0,06 mA 0,1mV
5 2,5 kΩ 1 x 0,5 0,07mA 0,3mV 0,9 x 0,5 0,05 mA 0,3mV
Tableau 4. Données des mesures de la résistance de charge, de l'intensité du courant et de la tension de sortie de
RC = 3,3 kΩ RL = 3 kΩ
RBC1= 1 M REC= 1 kΏ
RBD1= 1μ
RBD2= 390 kΩ
Vcc−VCE
IE =
ℜ+ RCE
( 8,4−4,2)V
=
( 680+3300Ώ )
= 1,050m A
25
salut = (1+ß)
IE(mA)
25
=(1+373)
1 050 mA
= 8904,76Ώ
−ß . R c
KVH=
salut
−337.3300
= 8904,76Ώ
= 138,22
= 138 kali
Émetteur commun
V
o2400mV
1. Kvu = =
Vi 20mV
= 120 kali
VoH = KVH. Vi
= 138 . 20
= 2760 mV
= 2,76 V
[ ]
138−120
% Kv = 138
x 100%
= 13,04 %
V
o2100mV
2. Kvu = V1i 7mV
=
= 124 fois
VoH =[Link]
= 138. 17
= 2346 mv
= 2,346 V
[ ]
138−124
% Kv 138
x 100%
= 10,14 %
V
o1700mV
3. Kvu = V1i 5mV
=
= 113,3 fois
= 13 fois
[ ]
138−113
% Kv = 138
x 100%
= 18,11 %
V
o1500mV
4. Kvu = Vi = 13mV = 115 kali
VoH =[Link]
= 138. 13
= 1794 mv
= 1,794 V
[ ] x 100%
138−115
% 138
16,7 %
V
o1300mV
5. Kvu = Vi = 11mV = 118 fois
VoH = [Link]
= 138. 11
= 1518 mv
= 1,518 V
[ ] x 100%
138−118
% Kv 138
= 14,5 %
Collecteur commun
V
o19mV
1. Kvu = =V1i 9mV = 1 fois
Vo = Kv . Vic
= 1. 19
= 19 mv
[ ]
19−19
% Vo = 19
x 100%
=0%
V
o16mV
2. Kvu = =V1i 6mV = 1 fois
Vo = [Link]
= 1. 16
= 16 mV
[ ]
16−16
% Vo = 16
x 100%
=0%
V
o14mV
3. Kvu = =V1i 4mV = 1 fois
Vo = [Link]
= 1 . 14
= 14 mV
[ ] x 100 %
14−14
Vo 14
=0%
V
o1 2mV
4. Kvu = =V1i 2mV = 1 fois
Kv . Vic
= 1 . 12
= 12 mV
[ ]
12−Douze
% Vo = 12
x 100%
=0%
V
o10mV
5. Kvu = =V1i 0mV = 1 fois
Vo = [Link]
= 1. 10
= 10 mV
[ ]
dix−10
% Vo = 10
x 100%
=0%
Table 2
Émetteur Commun
∆Vou= 1- 0,5
0,5 V
RL
VoÊTRE= RL+RCE
. VOE
1000k Ώ
= 1000+3,3k Ω 0,7
= 0,63
VoBE 0,6
JeLH = RL+ RC1000+3.3
=
= 0,5 mA
RL
2) VoÊTRE= RL+RCE . VOE
8,2
= 8,2+3,3 0,7
= 0,5 V
∆VoE= Vo - VoE
= 0,7 – 0,5
= 0,2 V
Vo
JeLH = RL+ RC
0,5
= 8,2+3.3
0,04 mA
RL 3
3) VoÊTRE= RL+RCE . VOE= 3+3,3 . 0,7 = 0,5 V
∆VoE= Vo - VoE
= 0,7 – 0,5
= 0,2 V
Vo
JeLH = RL+ RC
0,5
= 3+3.3
= 0,08 mA
RL 6,8
4) VoÊTRE= RL+RCE . VOE= 6,8+2,3 0,7 = 0,6 V
∆VoE= Vo - VoE
= 0,7 – 0,6
= 0,1 V
Vo
JeLH = RL+ RC
0,6
= 6,8+3.3
= 0,06 mA
RL 2,5
5) VoSOIS= RL+RCE . VOE= 2,5+2,3 0,7 = 0,4 V
∆VoE= Vo - VoE
= 0,7 – 0,4
= 0,3 V
Vo
JeLH = RL+ RC
0,4
= 2,5+3.3
0,07 mA
Collecteur commun
1. Voav. J.-C.= RL 1000
. VO= 1000+3,3 0,7 = 0,63 V
RL+RCE
VoBC
JeLH = RL+ RC
0,63
= 1000+3.3
= 0,6 mA
RL 8,2
2. VoBC= RL+RCE . VO= 8,2+3,3 0,7 = 0,7 V
∆Voc = Voc - VoBC
= 0,7 – 0,7
= 0, V
VoBC
JeLH = RL+ RC
0
= 8,2+3.3
= 0 mA
RL 3
3. Voav. J.-[Link]+RCE
= . VO= 3+3,3 . 0,7 = 0,3 V
VoBC
JeLH = RL+ RC
0,3
= 3+3.3
= 0,84 mA
RL 6,8
VoBC RL+ RCE
. VO=
6,8+3,3
0,7 = 0,6 V
= 0,06 mA
RL 2,5
5. VoBC= RL+RCE . VO= 2,5+3,3 . 0,7 = 0,3 V
VoBC
JeLH = RL+ RC
0,6
= 6,8+3.3
= 0,06 mA
C. DISCUSSION
émetteur) et la deuxième étape (circuit tampon, c'est-à-dire un amplificateur de collecteur commun et connexion
émetteur commun.
assembler le circuit selon le module. Le circuit est monté soigneusement pour faciliter
obtenir des données. De nos résultats d'expérimentation, nous avons acquis un renforcement de 120 fois, 124 fois,
16 % et 14 %.
Lors de la deuxième expérience, à savoir la mesure de la résistance de charge, de l'intensité du courant et de la tension.
la sortie du transistor à émetteur commun et à collecteur commun. Les variations de résistance que nous
utiliser 100kΩ, 8,2kΩ, 6,8kΩ, 2,5kΩ. Dans ces deux amplificateurs, amplificateur commun
l'émetteur de tension de sortie devient de plus en plus grand alors que le courant devient de plus en plus faible. Et entre
le renforcement d'émetteur commun et le renforcement de collecteur commun produisent un courant qui n'est pas trop
très différent.
Lors de la troisième et quatrième expérience, nous n'avons pas pu les réaliser en raison de
car nous avons trop tardé à assembler le circuit et à mesurer la moitié de Vcc,
Les composants utilisés ne sont plus bons, comme les pattes de résistance, la plaque de projet, et aussi
D. CONCLUSION
premier et deuxième niveau (tampon) qui sont proportionnels. Où plus la tension est grande
1. Selon les données du tableau 1, tracez l'influence de la valeur de résistance de charge sur
peut aussi être grand et vice versa, ce qui donne son graphique
émetteur pour chaque valeur de résistance. Tracez l'influence de la valeur de résistance de la charge sur
calcul
où plus la taille de Vobe mesurée est grande, plus elle devient également
3. En se basant sur les données de mesure dans le tableau 2, tracez la relation entre la tension
sortie avec une tension d'entrée du amplificateur émetteur commun. En plus de cela
collecteur commun sur un autre graphique. Dans ce cas, la tension de sortie dans
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
24 mV 28 mV 44 mV
calcul
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
1 kΩ 2 Kohm 3,3Kohm
5. À travers les données du tableau 3, tracez l'influence de la valeur de la résistance de charge sur la tension.
tracée de la tension sur un amplificateur à collecteur commun dans un graphique. Tracez également
Tim Enseignant Électronique de Base. 2020. Module de Pratique Électronique de Base 2. Padang : UNP