Les Semi-Conducteurs

Exo 1: On considère l’élément de semi-conducteur suivant, réalisé à partir d’une plaquette de

13 −3
silicium dopée avec une concentration d’atomes accepteurs N A =10 cm .

15 −3
Par des diffusions successives d’impuretés, dans la plaquette primitive, N D=10 cm atomes
17 −3
donneurs dans la zone 2 et N A =10 cm atomes accepteurs dans les zones 3 et 4.

9 −3
On donne : T =300 K ; ni=8.3 × 10 cm

a. De quel type sont les différentes zones ?

b. Etablir l’équation qui traduit l’équilibre des porteurs et celle qui traduit leur neutralité.
c. Calculer la concentration des trous et des électrons dans chacune des zones.

Rep: c)- Zone 1 :

13 −3 6 −3
p=10 cm ; n=6.910 cm

Zone 2 : n=1015 cm−3 ; p=6.910 4 cm−3

Zone 3 et 4 :
17 −3 2 −3
p=10 cm ; n=6.9 10 cm

Exo 2: Dans une jonction P-N polarisée en directe puis en inverse, montrer que :
VD

a) Le courant directe qui circule de P vers N a pour expression : I D =(I S e ¿¿ e VKT −1)≈ I S ee ¿;
D KT

V inv
e KT
b) Le courant inverse qui circule de N vers P a pour expression : I inv=(1−I S e )≈ I S

Exo 3: Dans une jonction P-N polarisée en inverse ; le courant inverse vaut 90% du courant de
saturation.

KT
Montrer que : V inv = ln 10
e
Les Diodes
Exo1 : Soit le schéma de la figure suivante :

a. Orienter sur le schéma dans le sens positif les

tensions V e ; V D 1 et V R 1, ensuite exprimer l’équation de la maille du circuit.
b. Sachant que V D 1 seuil =0.7,quelle est la valeur de V S si la diode est bloquée.
c. Pour V e qui prend les valeurs de −5 V et 3 V , calculer les valeurs du courant et de la tension
dans la charge pour chaque cas pour V D 1=0.7 V .

Rep: c. 2 .3 mA et 2 .3 V

Exo 2 : Soit le schéma de la figure suivante :

Calculer la tension aux bornes de la charge R2 pourV E=5 V . Quel est l’état de la diode pourV E=−3
.Quelle sera la tension aux bornes de la charge R2et l’état de la diode.

On donne R1=R 2=1 K

Rep : 2.5 V ;−0.7V

Exo 3 : Soit le montage de la figure suivante :

Calculer les tensions dans chaque cas et donner l’état des diodes
 Rep: a. 4 .5 V ; b . V =−2 V

Exo 4: Soit le schéma de la figure suivante :

a. Représenter les tensions V R 1 V R 2 V D 1 sur la figure.

b. A quelle valeur de V E la diode est- elle passante.
c. Déterminer les valeurs de V R 1 , V R 2 , V D 1 , I R 1 , I R 2 et I D 1 pour V E=5

Rep:b . 1V ; c . 4 . 3 V ; 23 mA ; 0 .7 V ; 1 .25 mA ; 0.7 V ; 21.75 mA

Exo 5: Dans le montage de la figure

suivante, les diodes sont supposées parfaites (tensions de seuil et résistances dynamiques
négligeables).

a. Montrer qu’une seule parmi les trois diodes est passante et préciser laquelle. Justifier.
b. Déterminer les tensions U D 1 ; U D 2 ; U D 3 aux bornes des diodes.
c. Calculer alors la DDP aux bornes de R ainsi que le courant qui la traverse.
On donne E=200V, R1=100

Rep: b .−40 V ;−20 V ; 0 . 7 V ; c . 140 V ; 1 . 4 A

Exo 6 : La tension aux bornes du primaire d’un transformateur est :

e ( t )=120 √ 2 sinωt

La fréquence du secteur qui alimente ce transfo est égale à 50HZ et le rapport de transformation
K=1/4.
a)- Calculer la tension continue aux bornes d’une charge de 10 Ohm. On négligera la tension et la

résistance dynamique aux bornes de diode en série avec la charge.

b)- Calculer la puissance utile et la puissance délivrée à l’entrée du redresseur.

c)- Calculer le rendement du redresseur.

NB : On utilisera un redresseur mono-alternance.

Rep: a) 13.5V; b) 18.225W,45.556; c) 40%

Exo 7 : On veut construire un redresseur double alternance utilisant un transfo à prise médiane et
deux diodes. Ce redresseur doit fournir une tension moyenne de 24V aux bornes d’une résistance de
80Ω, à partir d’une source de tension alternative de 110V et60HZ. La résistance directe des diodes et
la résistance de l’enroulement secondaire du transfo sont considérées comme négligeables.

Calculer :

a)-La valeur maximale de la tension redressée ;

b)-La valeur efficace de tension au secondaire du transfo ;

c)- La TiC supportée par chacune des diodes.

d)-La valeur maximale du courant circulant à travers la charge ; à travers l’enroulement secondaire et à
travers chacune des diodes ;

e)-La valeur moyenne du courant circulant à travers la charge, dans chacune des diodes ;

f)-La puissance redressée en courant continu dissipée dans la charge, la puissance à l’entrée du
redresseur et le rendement du redresseur.

Rep: a) 37.73V; b) 2x26.68V (ou 53.36V CT: Center Tap= Prise-mediane);

c) 75.46V; d) 0.471A e) 0.3A; 0.15A ; f) 7.2W ; 8.88W ; 81%

Exo 8 : Soit le montage de la figure suivante :

a. Orienter les tensions et les courants

b. Calculer I Z 1 et I Z 2 ainsi que la puissance dissipée par chacune des diodes.

On donne : E=35 V ; R1 =750; R 2=1 K ; V Z1 =20V ; V Z 2=10V ; R L =2 K

Rep: 10 mA , 200 mW et 5 mA , 50 mW

Les transistors bipolaires.

Exo 1: Soit le montage de la figure suivante:

Montrer que la tension de sortie est constante tant que I Zmin ≤ I Z ≤ I Zmax et déterminer sa valeur.

Rep : 11.3V

Exo2 : Soit le montage de la suivante :

a. Calculer les courants I B ; I C ; I E ainsi que les tensions U E ; U C

b. Quel est le régime de fonctionnement du transistor ?

On donne : V CC =10 V ; V BE=0.7 V ; U =3.4 V ; R 1=4.7 K ; R2 =2.7 K ; β=200

Rep: I B=4 . 97 μA ; I C =0 . 99 mA

I E =1 mA ; V E =2.7 V ; V C =5.3 V

Exo 3 : soit le montage de la figure suivante.

Calculer I B ; I C ainsi queU B ; U C. Quel est l’état du transistor.

On prendra les mêmes valeurs numériques que dans l’exo 2

Rep: I B=1mA ; I C =2 .12 mA ; V B=0 . 7 V ;U CSAT =0 . 2V

Exo 5 : Soit le circuit de la figure suivante. Afin de faire fonctionnement le transistor en

amplification, on désire que le point de repos soit : VCE=8V ; Ic=2mA. On donne :

V CC =16 V ; R E =1 K ; I 2=5 I B ; β=50

a. Calculer les résistances R1 , R 2 et RC ;

b. Etablir l’équation de la droite de charge statique du circuit. Tracer cette droite et y placer le
point de repos.

c. Quelle est l’amplification maximale du circuit.

Rep:a 55 K ; 14 K ; 2.7 K ; Amax=3

Exo 6 : Soit le montage de la figure suivante. β=100.

a. On veut avoir un courant dans la charge R L de100 mA . Quelle valeur de R B faut-il choisir.
b. Si on fait varier R B alors I B et I C varieront. Quelle est donc la variation maximale de I C
(Transistor saturé).
c. Quelle est la valeur minimale de R B pour saturer le transistor.

Rep: a. 11.3 K ;b.200 mA ; c.5.65 K

Exo 7: Soit l’amplificateur de la figure suivante. Les capacités des condos sont infinies.

On donne :
V CC =15 V , R1 =33 K , R2=10 K ; RC =3 K ; R E 1=220 Ω ; R E 2=750 Ω ; RL =3 K ; β=160 ; h11 =10 K

a. Calculer le point de fonctionnementV CEQ , I CQ.

b. A travers la droite de charge statique, déterminer le régime de fonctionnement du transistor.
c. Calculer I BQ V BQ ; V CQ ;V EQ .
d. Dessiner le schéma équivalent du montage en régime dynamique. Quel est le type de
montage réalisé.
e. Déterminer les impédances d’entrée et de sortie de l’amplificateur.
f. Déterminer le gain en tension à vide et en charge ainsi que le gain en courant de
l’amplificateur.
g. Calculer l’amplitude de V s si l’amplitude de V e =1 mV
h. On veut faire passer les basses fréquences supérieures à 20KHZ. Quelle est la capacité
minimale de CB.

Rep: a.2.8 mA , 4.12 V ; c.18 μA , 3.5 V ,6.6 V , 2.6 V ; e.10 K ,3 K ; f.48 ; 25 , 6 ; 160, g.0.025 V ;h.
5 nF

Transistors à effet de champ.

Exo1 : Soit le montage de la figure suivante.
2
V GS
On admettra que I D =I DSS (1− )
V GS 0
Déterminer le point de fonctionnement du transistor I D ; V GS ; V DS ainsi que les potentiels
V G ; V D ;V S.

On donne : I DSS=4 mA ; RG =5 M ; R D=4.7 K ; RS =1 K ; V GS 0=2V ; E=−10V .

Rep: 1 mA ; 1V ;−4 . 3 V ; 0 V ;−5 . 3V ;−1V

Exo2: Soit le montage de la figure suivante.

Sachant que I DSS =5 mA et V GSO =−2V ; déterminer le point de fonctionnement I D et V GS si :

a. R S=100 Ω;
b. R S=1 K ;
c. Déterminer V GS et R S pour avoir I D =2 mA

Rep : a. 3 . 45 mA ;−0 .35 V ;b. 1 . 07 mA ;−1 V ; c.−0 . 73 V ; 365 Ω

Les amplificateurs opérationnels.

Exo1: Soit le montage de la figure suivante. La R0 compense l’effet des courants de fuite à
l’entrée.

a. Calculer le gain A et la tension de sortie V S de l’amplificateur.

b. Quelle est la tension maximale à l’entrée pour éviter l’écrêtage du signal.

On donne :V e =500 mV ;V CC=± 15 V ; R 1=1 K ; R2 =10 R 1

Rep: a.11; 5 .5 V ;b.V e <1 .36 V

Exo2: A présent, on prend le montage de la figure suivante; pour les mêmes données dans
l’exo 1, calculer Aet V S .

Rep : −10 ;−5V

Exo3 : Soit le montage de la figure suivante. On donne :

V 1=1 V ; V 2=−2 V ; V 3=0.3 V ; R 1=R3=R 0=10 K ; R 2=47 K .

Calculer le courant et la tension de sortie

 Rep :1 mA ;−10 V

Exo 4 : Soit le montage de la figure suivante. On prendra R1=R 2=10 K ; V 1 =5V ; V 2=10 V

a. Calculer la tension de sortie V S .

−¿¿

b. Calculer les potentiels V +¿ et V ¿

Rep : a.5 V ; 5V ; 5 V

Exo 5: Dans le montage de la figure suivante, Exprimer la tension de sortie en fonction des
tensions E1 , E2 , E 3. Calculer sa valeur pour E1=4 V , E2=8 V , E3=2 V

Rep : 10 V

Exo 6 : Soit le schéma de la figure suivante :

'
On prendra V 1=5 V ; V 2=3 V ; V n=2 V ; R=R =1 K
a. Exprimer le courant I en fonction des tensions d’entrée.
b. En déduire les expressions de V S 1 , V S 2

Rep: a.10 mA ; b.−10 V ; 10V

Exo 7 : Soient les montages de la figure suivante. On donne :

V CC =V SAT =15 V ; R1=R2 =1 K ; V 0=0

Calculer les seuils de basculement.

Rep: V ↑=−7 . 5 V ; V ↓=−V ↑=7 .5 V

Exo 8 : On reprend le montage de la figure suivante dans lequelV ref =0. Calculer les seuils de
basculement pour R1=1 K ; R2=2 R1.

Rep:V ↑=7 . 5 V ; V ↓=−V ↑=−7 .5 V