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Caractérisation et applications des diodes

Le document présente un TP sur l'étude des diodes, notamment la caractéristique d'une diode réelle et son utilisation dans des applications avec des signaux variables. Les étudiants doivent préparer et réaliser des manipulations pour mesurer des valeurs de tension et courant, tracer des courbes et déterminer des paramètres tels que la tension seuil et la résistance dynamique. Les résultats des expériences doivent être consignés dans un compte rendu à remettre à la fin de la séance.

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Le document présente un TP sur l'étude des diodes, notamment la caractéristique d'une diode réelle et son utilisation dans des applications avec des signaux variables. Les étudiants doivent préparer et réaliser des manipulations pour mesurer des valeurs de tension et courant, tracer des courbes et déterminer des paramètres tels que la tension seuil et la résistance dynamique. Les résultats des expériences doivent être consignés dans un compte rendu à remettre à la fin de la séance.

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Travaux pratiques d’Énergie – Électronique IUT de Cergy-Pontoise

Département GEII Neuville

La diode

Objectifs :
• Étudier la caractéristique d’une diode réelle.
• Ètudier l’utilisation d’une diode dans une application comportant un signal variable.
Préparation (6 points) : Obligatoire.
Compte rendu (14 points) : À remettre à la fin de la séance de TP.

1 Préparation
On s’intéresse à un montage similaire à celui vu en cours pour étudier la droite de charge de la diode. Pour
ce montage UE = 10 V, Rvar est une résistance variable et R est une résistance fixe.

UD
1. Rappeler l’expression de la résistance
Rvar
ID
dynamique RD .
A K
2. Donner les expressions du UD et ID
D
pour tel montage (cas diode bloquée et
UE R UR passante).
3. Tracer la droite de charge lorsque
Rvar = 0 et R = 100 Ω.

2 Manipulations
2.1 Caractéristique de la diode
Pour les manipulations on prend D = 1N4148. On câble le montage proposé dans la partie préparation.
1. Faire varier Rvar et mesurer au moins 10 couples de valeurs UD et UR . En déduire ID pour chaque mesure.
2. Tracer la caractéristique ID = f (UD ) sur une feuille de papier millimétrée.
3. En déduire la tension seuil VF de votre diode.
4. En déduire la valeur de la résistance dynamique RD .

2.2 Redresseur élémentaire


On a le montage suivant :

D
i(t)

vE (t) GBF R vS (t)

Pour les manipulations on prend : R = 10 kΩ et D = 1N4148. La tension vE (t) est une tension sinusoïdale de
valeur efficace VEef f , inférieure à 10 V et de fréquence f = 100 Hz.
1. Relever les oscillogrammes de vS (t) et vE (t) pour VEef f = 1 V puis VEef f = 7 V.
2. Effectuer quelques mesures permettant de tracer la courbe VSmoy = f (VEef f ), (échelle 1 V ↔ 1 cm).
Justifier le choix des appareils de mesure.
3. Quelle est la valeur approchée du coefficient directeur de la courbe tracée ?

1/ 1 Conception : A. Arciniegas

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