7)1) Occupation des niveaux d’énergie
- Pour , si et si
.
- Pour , si et si
Pour ,
Pour ,
Pour ,
Les électrons remplissent les niveaux d’énergie à partir de
Pour , aucun électron ne peut être à une énergie supérieure à celle de Fermi.
Pour , quelques électrons peuvent être à une énergie supérieure à celle de Fermi.
Conducteurs : l’énergie de Fermi se trouve à l’intérieur d’une bande de conduction (bande
d’énergie permise non complètement remplie d’électrons)
Isolants et semi-conducteurs : l’énergie de Fermi se trouve entre la fin d’une bande de
valence (bande d’énergie permise " remplie " d’électrons et le début d’une bande de
conduction " vide " d’électrons.
Pour un isolant, à , la différence d’énergie entre la fin d’une bande de valence et le
début d’une bande de conduction est important : aucun électron ne peut par énergie thermique
passer dans la bande de conduction.
Pour un semi-conducteur, à , la différence d’énergie entre la fin d’une bande de
valence et le début d’une bande de conduction est faible : quelques électrons peuvent par
énergie thermique passer dans la bande de conduction.
7)2) Gaz d’électrons
7)2)a) Estimation de l’énergie de Fermi
Si est le nombre d’électrons libres dans le réseau solide de volume , alors
A , où on a
utilisé l’expression habituelle de pour le mouvement de translation de particules dans
un puits de potentiel tridimensionnel.
Ainsi,
Pour ,
L’intégration ne pose pas de difficulté.
En faisant un développement limité pour justifié par la valeur trouvée pour , on
obtient :
soit
Cette expression montre la faible dépendance de avec la température et justifie de prendre,
en première approximation, indépendant de la température.
dans la statistique de Maxwell-Boltzmann
La statistique de Fermi-Dirac tend vers celle de Maxwell-Boltzmann si .
Même à des températures élevées (1000 K), cette condition est très loin d’être vérifiée.
Pour le cuivre à 1000 K,
Les effets quantiques sont donc très sensibles dans l’étude des " gaz d’électrons ".
7)2) Gaz d’électrons
7)2)a) Estimation de l’énergie de Fermi
Si est le nombre d’électrons libres dans le réseau solide de volume , alors
A , où on a utilisé
l’expression habituelle de pour le mouvement de translation de particules dans un
puits de potentiel tridimensionnel.
Ainsi,
Pour ,
L’intégration ne pose pas de difficulté.
En faisant un développement limité pour justifié par la valeur trouvée pour , on
obtient :
Soit
Cette expression montre la faible dépendance de avec la température et justifie de prendre,
en première approximation, indépendant de la température.
Dans la statistique de Maxwell-Boltzmann
La statistique de Fermi-Dirac tend vers celle de Maxwell-Boltzmann si .
Même à des températures élevées (1000 K), cette condition est très loin d’être vérifiée.
Pour le cuivre à 1000 K,
Les effets quantiques sont donc très sensibles dans l’étude des " gaz d’électrons ".
7)2)b) Calculer l’énergie interne et la capacité calorifique à volume constant du " gaz
d’électrons " [on limitera le calcul à l’expression linéarisée de ]
Un calcul plus exact conduit à :
7)3) Etude des propriétés des semi-conducteurs
7)3)a) Bandes permises intervenant
car
Soit
De même,
Soit
: on peut considérer qu’il n’y a aucun électron
dans la deuxième bande de conduction.
De même, on démontre que
: on peut considérer qu’il n’y a aucun trou dans
la deuxième bande de valence.
Dans la mesure où , les calculs peuvent être limités à la première bande de
conduction ( ) et à la première bande de valence ( ).
7)3) Etude des propriétés des semi-conducteurs
7)3)a) Bandes permises intervenant
Car
Soit
De même,
Soit
: on peut considérer qu’il n’y a aucun électron
dans la deuxième bande de conduction.
De même, on démontre que
: on peut considérer qu’il n’y a aucun trou dans
la deuxième bande de valence.
Dans la mesure où , les calculs peuvent être limités à la première bande de
conduction ( ) et à la première bande de valence ( ).
7)3)b) Fonctionnement d’un semi-conducteur non dopé
Une bonne approximation du nombre par unité de volume d’états possibles est
l’approximation parabolique au voisinage de et de .
Et
En utilisant le résultat :
Donc, où
Le calcul de la concentration de trous est analogue, où
La neutralité électrique impose :
Soit et
7)3) Etude des propriétés des semi-conducteurs
7)3)a) Bandes permises intervenant
car
Soit
De même,
Soit
: on peut considérer qu’il n’y a aucun électron
dans la deuxième bande de conduction.
De même, on démontre que
: on peut considérer qu’il n’y a aucun trou dans
la deuxième bande de valence.
Dans la mesure où , les calculs peuvent être limités à la première bande de
conduction ( ) et à la première bande de valence ( ).
7)3)b) Fonctionnement d’un semi-conducteur non dopé
Une bonne approximation du nombre par unité de volume d’états possibles est
l’approximation parabolique au voisinage de et de .
et
En utilisant le résultat :
Donc, où
Le calcul de la concentration de trous est analogue, où
La neutralité électrique impose :
Soit et
7)3)c) Fonctionnement d’un semi-conducteur dopé
7)3)C))
- Un atome donneur d’un électron est ionisé positivement (cation) alors qu’un atome
accepteur d’un électron est ionisé négatif (anion)
L’équation de neutralité électrique permet d’écrire que :
- Pour un dopage de type n totalement ionisé,
Puisque
Par suite, et
- Pour un dopage de type p totalement ionisé,
Puisque
Par suite, et
- Nombre d’atomes de Si par unité de volume : -; un nombre infime
d’impuretés a des conséquences énormes.
7)3) Etude des propriétés des semi-conducteurs
7)3)a) Bandes permises intervenant
car
Soit
De même,
Soit
: on peut considérer qu’il n’y a aucun électron
dans la deuxième bande de conduction.
De même, on démontre que
: on peut considérer qu’il n’y a aucun trou dans
la deuxième bande de valence.
Dans la mesure où , les calculs peuvent être limités à la première bande de
conduction ( ) et à la première bande de valence ( ).
7)3)b) Fonctionnement d’un semi-conducteur non dopé
Une bonne approximation du nombre par unité de volume d’états possibles est
l’approximation parabolique au voisinage de et de .
et
en utilisant le résultat :
Donc, où
Le calcul de la concentration de trous est analogue, où
La neutralité électrique impose :
Soit et
7)3)c) Fonctionnement d’un semi-conducteur dopé
7)3)c))
- Un atome donneur d’un électron est ionisé positivement (cation) alors qu’un atome
accepteur d’un électron est ionisé négatif (anion)
L’équation de neutralité électrique permet d’écrire que :
- Pour un dopage de type n totalement ionisé,
puisque
Par suite, et
- Pour un dopage de type p totalement ionisé,
puisque
Par suite, et
- Nombre d’atomes de Si par unité de volume : ; un nombre infime
d’impuretés a des conséquences énormes.
7)3)c))
-
-
Cette équation permet de déterminer puis .
Pour un semi-conducteur intrinsèque,
On peut écrire le semi-conducteur dopé à partir du semi-conducteur intrinsèque,
et
Dans la cas d’un dopage donneur (type n),
Le dopage donneur a pour effet d’augmenter l’énergie de Fermi.
Ainsi, sauf à des températures très élevées, p reste très inférieur à n.
Soit
Ce comportement du semi-conducteur dopé est analogue à celui du semi-conducteur non dopé
en remplaçant et