Séquence 4 : Les Diodes Grain 4.
1 : Introduction aux semi-conducteurs
et Jonction PN
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I. Les semi-conducteurs
Nature des matériaux : Lorsqu’on applique une tension aux bornes d’un corps celui-ci se
comporte de différentes façons : Il peut être :
➢ Conducteur : c’est un matériau à travers lequel le courant peut circuler librement
(Métaux…)
➢ Isolant : Un matériau à travers lequel le courant ne peut circuler (Bois…)
➢ Semi-conducteur : Cas intermédiaire, entre conducteur et isolant, suivant la
température peut être conducteur ou isolant. On peut réaliser plusieurs sortes de semi-
conducteurs dont la combinaison permettra la fabrication de dispositifs à semi-
conducteurs tels que diode, transistor bipolaire et à effet de champ, ect…
A titre indicatif ci-dessous la valeur de la résistivité selon le type de matériau considéré:
➢ Métal : 10−6 Ω. 𝑐𝑚
➢ Semi-conducteur dopé : 10−3 à 10−4 Ω. 𝑐𝑚
➢ Isolant : 10+8 Ω. 𝑐𝑚
I.1. Semi-conducteur intrinsèque
Définition : Un semi-conducteur est dit intrinsèque, s’il ne contient pas d’impureté ni défaut.
Dans un semi-conducteur intrinsèque, quand un électron est muni d'une énergie suffisante à
l'extraire de la structure cristalline, il devient un "porteur libre" qui peut être mis en
mouvement en présence d'un champ électrique. Il laisse ainsi derrière lui un ion représentant
une charge positive que l'on appelle un "trou". Si un électron voisin se libère et vient se
recombiner avec le trou, il laisse derrière lui une nouvelle charge positive. On peut ainsi
considérer que le trou s'est déplacé par combinaisons d'électrons.
Les électrons libres et les trous d’un matériau semi-conducteur intrinsèque ne produisent pas
un courant assez fort car le nombre est faible.
➢ La structure cristalline du Silicium pur est la suivante :
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et Jonction PN
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Remarque
Si le semi-conducteur est intrinsèque, le nombre de trous libres est égal au nombre d’électrons
libres.
Le courant global = Courant dû aux électrons+ Courant dû aux trous
J Couranttherm ique = JTrous + J electrons
Ce courant thermique est très faible vue le faible nombre d’électrons libres dans la bande de
conduction, pour faire augmenter le courant, il faut augmenter :
➢ Le nombre d’électrons dans la bande de conduction
➢ Le nombre d’électrons dans la bande de valence
I.2 Semi-conducteur extrinsèque
Un matériau semi-conducteur homogène extrinsèque est un matériau dopé avec des
impuretés uniformément diffusées dans le cristal.
Le dopage se fait par l’insertion dans la structure cristalline des atomes ayant soit 3 soit 5
électrons de valence.
Si on dope avec des atomes ‘’donneurs ‘’ d’électrons on parle de dopage de type N, Si on
dope avec des atomes ‘’accepteurs’’ d’électrons on parle de dopage de type P
I.2.1 Semi-conducteur dopé N
Pour obtenir des électrons supplémentaires dans la bande de conduction, il suffit d’injecter un
corps pentavalent (Arsenic,phosphore, antimoine) qui possèdent 5 électrons de valence
L’arsenic forme quatre liaisons avec les quatre voisins Silicium, le cinquième électron passe
facilement à la bande de conduction et l’atome d’arsenic devient chargé positivement (+) :
c’est une charge fixe.
On dit que l’arsenic est un atome donneur. Dans ce cas le semi-conducteur extrinsèque est de
type N.
Conclusion
Le dopage N produit une grande quantité d’électrons dans la bande de conduction, ce
nombre est très supérieur au nombre dû à la température.
Le nombre de trous ne varient pas
Donc on peut conclure que les électrons sont majoritaires et les trous sont minoritaires.
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I.2.2 Semi-conducteur dopé P
Pour augmenter le nombre de trous, on dope le semi-conducteur par une impureté trivalente
(Bore, Indium, Gallium, Aluminium) .
.
Un trou reste libre entre le dopant et les quatre Si voisins, ce trou possède une énergie
légèrement supérieure à la bande de valence, un électron de la BV passe facilement au niveau
de ce trou. Le dopant se charge négativement, c’est un ion fixe.
➢ Le nombre de trous augmente par contre le nombre d’électrons restent le même.
➢ Donc on peut conclure que les trous sont majoritaires et les électrons sont minoritaires..
II. Jonction PN
On peut fabriquer un cristal moitié de type P et moitié de type N. La zone de rencontre des
deux régions s’appelle une jonction. Le composant ainsi formé est appelé un cristal PN ou une
diode à jonction.
Par conduction électronique, les électrons excédentaires du SC N vont aller combler les trous
du SC P. Le départ d’un électron de la région N, crée un ion positif dans cette région.
L’électron libre pénètre dans la région P et tombe dans un trou, le trou disparait, d’où création
d’un ion négatif.
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A mesure que le nombre d’ions augmente, la région voisine de la jonction s’appauvrit en
électrons libres et en trous. Cette couche s’appelle zone de déplétion.
Cette zone de transition est constituée d’ions fixes résultant du départ des porteurs mobiles
(trous et électrons). Du fait de cette absence de charge, cette partie se comporte en isolant, son
épaisseur est limitée car un équilibre s’établit. Cette barrière apparait sous la forme d’un
champ électrique qui s’oppose à la diffusion des charges libres éloignées de la jonction.
Conclusion :
A l’équilibre lorsqu’on réalise une jonction PN, il y a formation d’une zone de déplétion
causant un champ électrique intérieure qui s’oppose au déplacement des porteurs majoritaires.
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III. Diode polarisée
Lorsqu’on applique une différence de potentiel aux bornes de la jonction PN, un courant
traverse la jonction.
III.1 Polarisation en direct
On dit qu’une diode est polarisée en direct, si on applique la borne (+) à la zone P et la borne
(-) à la zone N. Autrement dit une polarisation est directe si elle favorise le déplacement des
majoritaires. La hauteur de la barrière de potentiel diminue.
Eext : champ électrique extérieur du au générateur
Eint : champ électrique intérieur de la jonction
Dans cette situation le champ externe créé par le générateur s’oppose au champ interne. Dès
que le champ externe dépasse le champ interne, un courant des majoritaires s’établit à travers
la jonction. Il existe pour une jonction P-N une tension de seuil qui est caractéristique du
matériau : Si : 𝑉𝑠 ≃ 𝑂, 7𝑉, Ge : 𝑉𝑠 ≃ 𝑂, 3𝑉
III.2 Polarisation en inverse
On dit qu’une diode est polarisée en inverse, si on applique la borne (-) à la zone P et la borne
(+) à la zone N. Autrement dit une polarisation est inversée si elle défavorise le déplacement
des majoritaires. La hauteur de la barrière de potentiel augmente. Seul un courant Is (qui
dépend de la température) très faible peut apparaitre et qui est dû au déplacement des porteurs
minoritaires.
Tension de claquage : Si l’on augmente la tension inverse, on atteint un point de claquage
appelé tension de claquage. C’est un phénomène dû aux électrons minoritaires de P qui
ionisent par choc les atomes de la zone de transition. Il y a échauffement de la diode, le
courant inverse augmente, la diode est hors d’usage.
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III.3 Fonctionnement de la diode
III.3.1- Caractéristique de la diode
Pour faire fonctionner la diode, il faut la polariser en l’insérant en série dans un montage
comportant un générateur de tension et une résistance.
La polarisation directe crée un courant d’électrons de N vers P donc un courant conventionnel
de P vers N. En faisant varier la tension de source, on mesure le courant de diode et la tension
de diode. On obtient ainsi la caractéristique directe (régime de fonctionnement directe iD et vD
positifs). Pour obtenir la caractéristique inverse (régime de fonctionnement inverse iD et vD
négatifs), il suffit d’inverser la tension de source.
La caractéristique est donnée par la courbe ci-dessous :
La diode est un dispositif non linéaire, le courant n’est pas proportionnel à la tension.
Symbole :
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III.3.2- Approximation de la diode
a) première approximation : diode idéale
Dans ce cas, on néglige la tension de seuil et la résistance interne de la diode.
b) deuxième approximation : diode avec seuil
On peut continuer à négliger la résistance interne, mais tenir compte du seuil de la diode.
c) troisième approximation : Diode avec seuil et résistance.
Ici, on prend en compte la résistance de la diode. Ceci peut être utile si on utilise la diode en
petits signaux alternatifs et qu'on a besoin de sa résistance dynamique.
Au-dessus de la tension de seuil, iD croit rapidement. La diode se comporte comme une faible
résistance. Cette résistance est linéaire.
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III.3.3- Droite de charge et point de fonctionnement :
Soit le circuit suivant :
• Le point de fonctionnement, P, de la diode est défini par l’intersection de la
caractéristique directe et de la droite de charge statique d’équation :
E uD
E = R iD + u D iD = −
R R
C’est une droite de pente -1/R. Pour la tracer, il suffit de connaître deux points :
E
i D = 0 E = u D et u D = 0 i D =
R
Les coordonnées du point P déterminent le courant et la tension pour E donnée.
La caractéristique obéit à la loi suivante :
𝑞𝑢𝐷
𝑖𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒𝑥𝑝 ( ) − 1)
𝐾𝐵 𝑇
Is : Courant de saturation
KB : Constante de Boltzman
T : Température de la diode
• Résistance statique et résistance dynamique :
On peut définir en chaque point P une résistance statique Rs=Vp/Ip (Rs dépend de la position
de P et donc de la droite de charge ou encore de E et R) et une résistance dynamique Rd. En
régime dynamique, le point de fonctionnement subit des variations et Rd = Δu/Δi (c’est
l’inverse de la tangente à la caractéristique au point P.
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III.3.4- Exemple d’application:
Dans un circuit comprenant une diode, il est nécessaire de remplacer la diode par son schéma
électrique équivalent. Suivant les données, on choisit l’une des 3 approximations de la diode
1ère approximation :Diode idéale Vs=0 et rd=0
2ème approximation : Vs=0,7V(si diode au silicium) et rd=0
3ème approximation : Diode réelle Vs=0,7V(si diode au silicium) et 𝑟𝑑 ≠ 0 (en général
quelques ohms)
Soit le circuit suivant : Calculer i et V
E=±5V , R=100, V =0,7V, r =1
d d
Lorsque E = + 5 V, la diode est polarisée dans le sens direct. On peut donc la remplacer par
un générateur de tension Vd en série avec la résistance interne r .
d
L’équation de la maille s’écrit : 𝐸 − (𝑅 + 𝑟𝑑 ) 𝑖 − 𝑉𝑑 = 0
𝐸−𝑉
D’où 𝑖 = 𝑅+𝑟 𝑑 = 42,6 𝑚𝐴 et 𝑉 = 𝑉𝑑 + 𝑟𝑑 𝑖 ≃ 0,74 𝑉
𝑑
,
Pour E = -5 V, la diode est polarisée en inverse on peut la
remplacer par un circuit ouvert et i= 0A et V=-5V
IV. Application des diodes
Les diodes sont principalement utilisées dans les circuits selon trois groupes de fonction
différents:
Les circuits de redressement : qui permettent la conversion d'une tension alternative en une
tension continue.
Les circuits d'écrêtage,ou circuits de limitation : qui permettent d'empêcher un signal de
dépasser une valeur (amplitude) choisie.
Les circuits de commutation : qui permettent la commande ou le changement de normes, ou
encore pour circuits logiques.
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IV.1. Diodes de redressement
Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative du
secteur pour faire des générateurs de tension continue destinés à alimenter les montages
électroniques (entre autres).
.
Les diodes de redressement ont des tensions VR comprises entre 50 et 1000V environ, et les
courants vont de 1A à plusieurs centaines d'ampères.
Avant le système de redressement, on a presque toujours un transformateur qui sert à abaisser
la tension secteur (les montages électroniques fonctionnent souvent sous des tensions de
polarisation allant de quelques volts à quelques dizaines de volts), et qui sert aussi à isoler les
montages du secteur .
a) Le redressement simple alternance :
C'est le redressement le plus simple (et le plus économique), mais le moins performant: on ne
redresse qu'une alternance sur deux. .
Si l’on fait passer dans la diode un signal sinusoïdal, la diode ne laissera passer que la partie
positive. On dit que la diode redresse une alternance sur deux. La tension aux bornes de la
charge R est alors égale à la tension aux bornes du transformateur moins la tension directe Vd
de la diode, soit en moyenne 0,7 V.
Le redresseur convertit une tension alternative en une tension continue pulsatoire (le courant a
toujours le même sens).Le courant qui traverse la diode ID= VR/R doit être inférieur au
courant limite de la diode.
Le montage précédent délivre des tensions redressées mais non continues. Pour obtenir une
tension (quasi) continue, il suffit de mettre un gros condensateur en parallèle avec la charge
(filtrage).
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Le fonctionnement est simple : pendant l’alternance positive, le condensateur se charge ;
quand la tension aux bornes du générateur e(t) est supérieure à la tension aux bornes du
condensateur additionnée de la tension directe de la diode, la diode conduit. Le générateur
doit alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le courant de recharge du
condensateur.
Quand la tension du générateur devient inférieure à celle du condensateur plus la tension de
coude de la diode, la diode se bloque. L'ensemble condensateur / charge forme alors une
boucle isolée du transformateur.
Le condensateur se comporte comme un générateur de tension, et il restitue l'énergie
accumulée dans la phase précédente. Le condensateur se décharge avec un temps τ = RC. Plus
C est grande et plus le temps de décharge est long.
b) Le redressement double alternance :
Le redresseur double alternance ou redresseur en pont, utilise quatre diodes comme indiquées
sur la figure ci-dessous :
Pendant l’alternance positive, les diodes D2 et D3 conduisent et pendant l’alternance négative
D1 et D4 conduisent. Les deux alternances positive et négative sont transmises. Le courant
circule dans le même sens quelques que soient les diodes en conduction.
Si on met un condensateur en parallèle avec la résistance R, le signal redressé et filtré est
représenté sur la figure suivante :
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ΔV est appelé taux d’ondulation. Ce taux définit la qualité de la conversion alternatif- continu
(on cherche ΔV faible).
IV.2 Circuits d’écrêtage à diodes
Les circuits d'écrêtage, ou circuits de limitation permettent d'empêcher un signal de dépasser
une valeur (amplitude) choisie. Ils servent à sélectionner la partie à transmettre d’un signal situé
au-dessus ou au-dessous d’un niveau de référence donnée.
Ce dispositif est utile pour conformer un signal et aussi pour protéger les dispositifs qui
reçoivent le signal.
a) Ecrêteur haut : (limiteur positif)
Ce circuit supprime les parties positives d’un signal. Durant les alternances positives, la diode
conduit, idéalement la tension de sortie Vs= 0V ; mais en réalité elle est d’environ 0.7V.
Durant les alternances négatives, la diode est polarisée en inverse et est équivalente à un circuit
RL
ouvert et on a un diviseur de tension : VS = e (proportionnelle à e(t))
RL +R
L’écrêteur polarisé représenté sur la figure ci-dessous translate le niveau d’écrêtage à
(E+0.7)V
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b) Ecrêteur bas : (limiteur négatif)
Cet écrêteur est basé sur le même principe que celui de l’écrêteur positif. Pour transformer un
écrêteur positif, en écrêteur négatif, il suffit d'inverser le sens de branchement de la diode.
b) Combinaison d’écrêteurs haut et bas :
De t1 à t2, les deux diodes sont bloquées et la tension de sortie prend la forme de e(t)(diviseur
de tension).
De t2 à t3, La diode D1 est conductrice, le potentiel + (E1+0.7)V apparaît aux bornes de la
résistance R.
De t3 à t5, les deux diodes sont à nouveau bloquées et la tension Vs prend la forme de e(t).
De t5 à t6, la diode D2 est conductrice et le potentiel – (E2+0.7)V apparaît en sortie.
De t6 à t7, les deux diodes sont bloquées et la tension de sortie passe à la valeur – (E2+0.7)V à
la valeur 0, suivant une portion de sinusoïde. On obtient en sortie une tension sensiblement
rectangulaire.
Pour obtenir des fronts raides (presque verticaux), il faut que la tension sinusoïdale d'entrée, ait
une amplitude de très forte valeur par rapport aux tensions de polarisation + E1 et – E2.
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