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TABLE DES MATIERES

NOTES INTRODUCTIVES....................................................................................................................... 8
OBJECTIF DE L’UNITE D’ENSEIGNEMENT ............................................................................................ 9
APPROCHE PEDAGOGIQUE.................................................................................................................. 9
LE PLAN DE L’UNITE D’ENSEIGNEMENT ............................................................................................ 10
TRAVAUX PRATIQUES ........................................................................................................................ 11
HORAIRE DU CMI ............................................................................................................................... 11
EVALUATIONS ET AUTRES MODALITES ............................................................................................. 11
TEXTES ET REFERENCES ..................................................................................................................... 12
Chapitre I: LES GENERALITES ............................................................................................ 13
I.1. DEFINITION DE L’ELECTRONIQUE ................................................................................................ 13
I.2. QUELQUES DOMAINES OU BRANCHES DE L’ELECTRONIQUE ..................................................... 14
I.2.1. L’Electronique analogique ........................................................................................................ 14
I.2.2. L’Electronique Numérique ....................................................................................................... 15
I.2.3. L’Electronique RF ...................................................................................................................... 15
I.3. NOTIONS DE CIRCUITS ELECTRIQUES .......................................................................................... 15
I.3.1. Principes fondamentaux....................................................................................................... 16
I.3.2. La notion du courant électrique ........................................................................................... 16
I.3.2.1. Générateur de courant parfait .......................................................................................... 17
I.3.2.2. Le générateur du courant réel........................................................................................... 17
I.3.3. La notion de la tension ou Différence de potentiel (d.d.p.) ................................................. 17
I.3.3.1. Source de tension parfaite ................................................................................................ 18
I.3.3.2. Sources réelles................................................................................................................... 19
I.4. LA CONVENTION DE SIGNE .......................................................................................................... 19
I.4.1. Convention pour le courant ................................................................................................. 19
I.4.2. Convention pour la tension .................................................................................................. 20
I.5. LES DIPOLES ................................................................................................................................. 20
I.5.1. Dipôle passif ......................................................................................................................... 20
I.5.2. Dipôle actif............................................................................................................................ 20
I.6. QUELQUES LOIS ET THEOREMES USUELS EN ELECTRONIQUE .................................................... 21
I.6.1. Loi d’Ohm ............................................................................................................................. 21
I.6.2. Lois de Kirchhoff ................................................................................................................... 22
I.8. AUTRES FORMULES D’ELECTRICITE ET D’ELECTRONIQUE UTILES ............................................... 24
I.9. LE SYSTEME INTERNATIONAL D’UNITES (SI) ................................................................................ 26
I.10. LES CONSTANTES ....................................................................................................................... 27
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I.11. SYMBOLISATION AUX NORMES C. 03 DE L’UTE ........................................................................ 27

Chapitre II : THEORIE SIMPLIFIEE DES SEMI-CONDUCTEURS ................................... 29
II.1. STRUCTURE DE LA MATIERE ....................................................................................................... 29
II.1.1. Description simplifiée de la structure des atomes. ............................................................. 29
II.1.2. Les liaisons interatomiques ................................................................................................. 30
II.2. LA CONDUCTION ELECTRIQUE.................................................................................................... 31
II.2.1. Les isolants .......................................................................................................................... 31
II.2.2. Les conducteurs ................................................................................................................... 32
II.2.3. Interprétation de la loi d'Ohm ............................................................................................. 32
II.3. INFLUENCE DE LA TEMPERATURE .............................................................................................. 34
II.4. LES SEMI-CONDUCTEURS ........................................................................................................... 34
II.4.1. Semi-conducteurs intrinsèques ........................................................................................... 34
III.2.2. Semi-conducteurs intrinsèques .......................................................................................... 38
II.4.2. Semi-conducteurs extrinsèques .......................................................................................... 40
II.4.3. Conduction. ......................................................................................................................... 43
II.4.4. Production du silicium ......................................................................................................... 44
Chapitre III : LES COMPOSANTS PASSIFS ........................................................................ 45
III.1. INTRODUCTION ......................................................................................................................... 45
III.2. LES RESISTANCES ....................................................................................................................... 45
III.2.1. PRESENTATION ................................................................................................................... 45
III.2.2. SYMBOLES .......................................................................................................................... 46
III.2.3. PRINCIPES ET PROPRIETES .................................................................................................. 46
III.2.4. CARACTERISTIQUES PRINCIPALES DES RESISTANCES : ....................................................... 47
III.2.5. La technologie .................................................................................................................... 49
III.2.6. LES RESISTANCES VARIABLES.............................................................................................. 57
III.2.7. Les résistances ajustables .................................................................................................. 62
III.2.8. LES RESISTANCES SPECIALES .............................................................................................. 62
III.2.9. MARQUAGE DES RESISTANCES PAR CODES DE COULEURS................................................ 63
III.2.10. COUPLAGE (ASSOCIATION) DES RESISTANCES ................................................................. 66
III.3. LES CONDENSATEURS ............................................................................................................... 67
III.3.1. Présentation ....................................................................................................................... 67
III.3.2. Symbole .............................................................................................................................. 68
III.3.3. Caractéristiques .................................................................................................................. 68
IIi.3.4. Quantité de charge et énergie stockée par un condensateur parfait ................................ 69
IIi.3.5. Fonctionnement ................................................................................................................. 70
III.3.6. Charge de condensateur .................................................................................................... 71
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III.3.7. Décharge du condensateur ................................................................................................ 72

II.3.8. Applications d’un condensateur.......................................................................................... 72
III.3.9. LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES TECHNOLOGIQUES D’UN CONDENSATEUR ........... 73
III.3.10. Les technologies ............................................................................................................... 74
III.3.11. Les condensateurs électrolytiques ................................................................................... 74
III.3.12. Valeurs usuelles des capacités et tensions de services : .................................................. 74
III.3.14. MARQUAGE DES VALEURS DES CONDENSATEURS .......................................................... 77
III.3.15. COUPLAGE OU ASSOCIATIONS DES CONDENSATEURS .................................................... 79
III.3.16. CHOIX DU CONDENSATEUR .............................................................................................. 80
III.4. LES BOBINES ............................................................................................................................. 80
III.4.1. DEFINITION DE L’INDUCTANCE .......................................................................................... 81
III.4.2. MODELE D’UNE BOBINE PARFAITE..................................................................................... 82
III.4.3. Types de bobines ................................................................................................................ 84
III.4.4. Marquage des bobines ....................................................................................................... 85
III.5. LES TRANSFORMATEURS ........................................................................................................... 87
III.5.1. Définition et Constitution : ................................................................................................. 87
III.5.2. Transformateur idéal .......................................................................................................... 87
III.5.3. Le transformateur avec fuites et pertes ............................................................................. 88
III.5.4. Les Transformateurs réels .................................................................................................. 88
III.5.5. Transformateurs à noyaux feuilletés. ................................................................................. 89
III.5.6. Transformateurs à noyau en C ........................................................................................... 90
III.5.7. Transformateur d’alimentation .......................................................................................... 90
III.5.8. Calcul simplifié d’un transformateur d’alimentation ......................................................... 91
Chapitre IV: LES DIODES ...................................................................................................... 93
IV.1. INTRODUCTION ......................................................................................................................... 93
IV.2. PRINCIPE D’UNE JONCTION PN ................................................................................................. 93
IV.2.1. Propriétés de la jonction PN .............................................................................................. 94
IV.2.2. Potentiel dans la jonction PN ............................................................................................. 95
IV.2.3. Courants dans une jonction PN .......................................................................................... 95
IV.3. POLARISATION DE LA JONCTION PN ......................................................................................... 97
IV.3.1. Polarisation en sens direct ................................................................................................. 97
IV.3.2. Polarisation en sens inverse ............................................................................................... 98
IV.3.3. Claquage d’une jonction PN ............................................................................................... 98
IV.4. LA DIODE A JONCTION .............................................................................................................. 99
IV.4.1. Généralités ......................................................................................................................... 99
IV.4.2. Polarisation de la diode .................................................................................................... 101
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IV.3.3. Diodes de redressement .................................................................................................. 106

IV.3.4. Diode ZENER ..................................................................................................................... 106
IV.3.6.1. Présentation .................................................................................................................. 111
IV.3.7. PHOTODIODE ................................................................................................................... 113
IV.3.8. Diodes VARICAP ............................................................................................................... 114
IV.3.9. Photopiles......................................................................................................................... 114
IV.4. LES ALIMENTATIONS STABILISEES ET REGULEES..................................................................... 116
IV.4.1. ETUDE ANALYTIQUE D’UNE ALIMENTATION STABILISEE ................................................. 116
Chapitre V : LES TRANSISTORS ........................................................................................................ 141
V.1. INTRODUCTION : ...................................................................................................................... 141
V.2. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE ....................................................................................................... 141
V.2.1. Présentation ...................................................................................................................... 141
V.4.2. Constitution ....................................................................................................................... 142
V.4.3. Effet transistor................................................................................................................... 143
V.4.4. Symboles, tensions et courants ........................................................................................ 145
V.4.5. Fonctionnement ................................................................................................................ 146
V.4.6. Test statique d'un transistor ............................................................................................. 153
V.5. PHOTOTRANSISTOR.................................................................................................................. 155
V.6. LE TRANSISTOR UNIPOLAIRE (TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP) ............................................ 156
V.6.1. Présentation ...................................................................................................................... 156
V.6.2. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION (JFET) .................................................. 157
V.6.3. LE TRANSISTOR A GRILLE ISOLEE OU LE MOSFET .............................................................. 166
V.7. LES CODES POUR LES SEMI- CONDUCTEURS............................................................................ 173
V.7.1. Le code Européen : ............................................................................................................ 173
V.7.2. Le code Américain : ........................................................................................................... 174
V.7.3. Le code Japonais :.............................................................................................................. 174
Chapitre VI : LES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES ............................................. 175
VI.1. NOTIONS D’INTEGRATION....................................................................................................... 175
[Link] ............................................................................................................................. 175
VI.1.2. Loi de MOORE .................................................................................................................. 175
VI.1.3. Avantages de l’intégration ............................................................................................... 175
VI.1.4. Inconvénients de l’intégration ......................................................................................... 176
VI.1.5. Degré d’intégration .......................................................................................................... 176
VI.1.6. Taille des puces ............................................................................................................... 176
VI.1.7. Finesse du trait ................................................................................................................ 176
VI.2. FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES ................................................................................... 177
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VI.3. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ............................................................................................ 177

VI.3.1. Amplificateur différentiel ................................................................................................. 177
VI.3.2. Montage de l’amplificateur différentiel ........................................................................... 178
VI.3.3. Amplification en tension à sortie flottante et à sortie référencée .................................. 178
VI.4. Amplificateur opérationnel (AO)............................................................................................. 178
VI.4.1. Définition.......................................................................................................................... 178
VI.4.2. Description ....................................................................................................................... 179
VI.4.3. Caractéristiques de l’amplificateur opérationnel ............................................................ 179
VI.4.4. Concepts boucle ouverte et boucle fermée ..................................................................... 180
VI.4.5. Fonctionnement des amplificateurs opérationnels (réaction-négative) ......................... 180
VI.4.6. Montages amplificateurs de base .................................................................................... 180
VI.4.7. Récapitulatif de Quelques montages de base utilisant l’ALI en régime linéaire.............. 186
VI.4.8. L’ALI en comparateur ....................................................................................................... 187
Chapitre VII : LES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES ET SPECIAUX ............... 188
[Link] .......................................................................................................................... 188
[Link]...................................................................................................................... 188
VII.1.2. Fonctionnement .............................................................................................................. 188
VII.1.3. Caractéristique ................................................................................................................ 189
VII.2. Phototransistor ...................................................................................................................... 189
VII.3. DIODES ELECTROLUMINESCENTES (LED) ............................................................................... 190
VII.3.1 Fonctionnement ............................................................................................................... 190
VII.3.2. Applications ..................................................................................................................... 190
VII.4 PHOTOPILES ............................................................................................................................ 190
VII.4.1. Constitution ..................................................................................................................... 190
VII.4.2 Applications .......................................................................................................................... 191
VII.4.3 Mise en œuvre : station solaire ....................................................................................... 191
VII.4.4 Limitations ........................................................................................................................ 191
VII.5 EMPLOI DES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES ........................................................... 192
VII.5.1 Photodiode et phototransistor ........................................................................................ 192
VII.5.3 Transmission de l’information ......................................................................................... 192
VII.5.4 Affichage numérique ........................................................................................................ 192
VII.6. LE THYRISTOR ......................................................................................................................... 193
VII.6.1. Principe - Analogie à «2 transistors » de la structure PNPN ........................................... 193
VII.6.2. Amorçage du SCR ............................................................................................................ 195
VII.6.3. Amorçage par courant de gâchette ................................................................................ 195
VII.6.4. Méthodes d’amorçage .................................................................................................... 196
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VII.6.5. Rôle de la résistance gâchette-cathode .......................................................................... 196

VII.6.6. Amorçage par tension d’avalanche ................................................................................. 196
VII.6.7. Amorçage par augmentation de tension du/dt .............................................................. 196
VII.6.8. Amorçage par température ............................................................................................ 197
VII.6.9. Amorçage par énergie lumineuse ................................................................................... 197
VII.6.10. Blocage du SCR .............................................................................................................. 197
VII.6.11. Courbe caractéristique IA-UA et symbole du SCR .......................................................... 197
VII.6.12. Vérification d’un SCR à l’Ohmmètre ............................................................................. 198
VII.7. LE TRIAC.................................................................................................................................. 199
VII.7.1 Symbole, structure et courbe caractéristique I-U ............................................................ 199
VII.7.2. Les modes d’amorçage.................................................................................................... 200
VII.8. LE DIAC ................................................................................................................................... 200
VII.8.1. Symbole : ......................................................................................................................... 200
VII.9. NOTIONS DE THERMIQUES APPLIQUEES AUX COMPOSANTS ELECTRONIQUES ................... 201
VII.9.1. BUT DU REFROIDISSEMENT............................................................................................. 201
VII.9.2. ROLE DU BOITIER DU SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ............................................. 201
VII.9.3. ENVIRONNEMENT D’UN SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ........................................ 202
VII.9.4. ISOLEMENT ELECTRIQUE ................................................................................................. 202
VII.9.5. CABLAGE.......................................................................................................................... 203
VII.9.6. RADIATEURS .................................................................................................................... 203
Chapitre VIII : LES EQUIPEMENTS ET OUTILLAGES DU LABO ELECTRONIQUE . 207
VIII.1. INTRODUCTION ..................................................................................................................... 207
VIII.2. SOURCE D’ALIMENTATION CC............................................................................................... 207
VIII.3. MULTIMETRE DIGITAL ........................................................................................................... 208
VIII.4. MULTIMETRE ANALOGIQUE.................................................................................................. 208
VIII.5. OSCILLOSCOPE ET GENERATEUR DE FONCTIONS ................................................................. 209
VIII.5. PLAQUETTE DE PROTOTYPAGE ............................................................................................. 209
VIII.6. FER A SOUDER, SUPPORT ET PLOMB ETAIN.......................................................................... 210
VIII.7. LES OUTILS............................................................................................................................. 211
VIII.7.1. Tournevis ........................................................................................................................ 211
VIII.7.2. Tournevis ........................................................................................................................ 211
VIII.7.3. Pinces ............................................................................................................................. 211
Chapitre IX : TRAVAUX PRATIQUES : GUIDE PRATIQUE DE LA SOUDURE A
L’ETAIN AU PLOMB .......................................................................................................... 213
IX.1. INTRODUCTION : ..................................................................................................................... 213
IX.2. PREREQUIS ET GUIDE .............................................................................................................. 213
IX.2.1. Principe : ........................................................................................................................... 213
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IX.2.2. Soudage au fer.................................................................................................................. 213

IX.3. LE MATERIEL ............................................................................................................................ 214
IX.3.1. Fers à souder .................................................................................................................... 214
IX.3.3. Le décapant (flux) ............................................................................................................. 216
IX.3.4. Les outils utilisés lors de soudage .................................................................................... 216
IX.4. LA PROCEDURE DE SOUDURE AU PLOMB ETAIN .................................................................... 216
IX.5. LA PROCEDURE DE DESSOUDAGE ........................................................................................... 217
IX.5.1. Avec une pompe à dessouder .......................................................................................... 217
IX.5.2. avec une tresse à dessouder (braid wick) ........................................................................ 217
IX.5.3. Les techniques de prévention de destruction des composants par décharge
électrostatique ............................................................................................................................ 217
IX.6. TECHNIQUES DE SOUDAGE ET DE DESSOUDAGE DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES......... 218
IX.6.1. Introduction :.................................................................................................................... 218
IX.6.2. Comment utiliser un fer à souder ?.................................................................................. 218
IX.6.3. Les accessoires utiles dans le processus de soudage ....................................................... 219
IX.6.4. Comment souder avec le fer à souder ? .......................................................................... 220
VIII.7. DESSOUDAGE DES ELEMENTS ELECTRONIQUES ................................................................... 224
VIII.7.1. Comment dessouder avec la pompe à dessouder ? ...................................................... 224
VIII.7.2. Comment dessouder avec la tresse à dessouder ? ........................................................ 224
VIII.7.3. Je veux faire une soudure sans lire tout ce document .................................................. 225
VIII.7.4. Je veux faire un dessoudage sans lire tout ce document .............................................. 226
IX.8. TEST DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES .............................................................................. 226
IX.8.1. Objectif ............................................................................................................................. 226
IX.8.2. Test des diodes ................................................................................................................. 226
IX.8.3. Test d'un pont de diodes .................................................................................................. 229
IX.8.4. Test des transistors :......................................................................................................... 230
IX.8.5. Les transistors "Darlington". ............................................................................................ 233
IX.8.6. Test des transistors à effet de champ .............................................................................. 235
BIBLIOGRAPHIE ................................................................................................................. 237
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INTRODUCTION GENERALE
1. NOTES INTRODUCTIVES

Ce cours est dédié aux étudiants d’Informatique, d’Electronique inscrits en

Première année de licence (système LMD) en sciences informatiques.

L’Electronique se subdivise en deux grandes familles distinctes qui sont :

l’Electronique analogique (linéaire ou non) et l’Electronique numérique.
Etant la base des systèmes informatiques, les composants électroniques
constituent un domaine de prédilection qui fait évoluer les technologies tant
analogiques et numériques.

Etant donné les domaines de l’Electronique, le présent support se

consacrera essentiellement sur l’Electronique analogique notamment
l’histoire de son évolution, à savoir les composants passifs (résistances,
condensateurs, bobines) et actifs (transistors, diodes, amplificateurs
opérationnels…) les plus utilisés.

L’objectif poursuivi est de faire acquérir aux étudiants en informatique les

notions théoriques et pratiques sur l’électronique fondamentale, gage des
principaux équipements informatiques actuels. Sur ce, les notions abordées
dans ce support seront orientées sur les aspects pratiques pouvant
permettre aux étudiants d’être aptes à aborder la réalisation des
applications de la robotique, domotique, automatique… et bien entendu
celles qui font fonctionner les équipements informatiques telles que : les
alimentations stabilisées et régulées, les alimentations sans coupure, les
portes logiques, les circuits numériques, les comparateurs, les oscillateurs…

En ce qui nous concerne, seuls les composants de base ainsi que leurs
principales applications feront l’objet de ce support. Au-delà d’être
simplement un support regroupant les notions théoriques, il sera également
question d’aborder les notions pratiques dont notamment les mesures
électriques et électroniques basées sur l’utilisation pratique des appareils
de mesure spécialisés tels que les multimètres, en plus des équipements
d’atelier électronique en l’occurrence : le fer à souder, la pompe à
dessouder…

C’est dans cette optique que l’apprenant sera appelé à s’approprié des
connaissances d’Electronique afin de maitriser les aspects matériels
(hardware). Outre cela, les aspects mathématiques ne seront pas oubliés.
C’est pourquoi, les sciences ci-après seront de strict prérequis pour la bonne
compréhension et la maitrise de ce domaine. Il s’agit de l’Electricité, la
Physique, la chimie, l’analyse des circuits électriques, les notions des
mesures électriques et électroniques…
 9

2. OBJECTIF DE L’UNITE D’ENSEIGNEMENT

L’étude d’une matière est une occasion pour un étudiant d’enrichir sa

culture, d’élaborer sa formation et de pousser son entraînement afin de
développer des attributs, des habiletés et des comportements qui seront
appréciés au cours de sa pratique éventuelle de la profession et de la filière
en apprentissage.

Le titre d’ingénieur (Informaticien, Electronicien, …) ouvre une fenêtre sur

un vaste choix de carrières. Il implique généralement ce dernier dans
diverses responsabilités de gestion, de développement, de recherche et
autres. Dans l’ensemble de ses fonctions, l’ingénieur est un agent de
progrès qui influence de façon significative l’évolution et la qualité de vie de
son entourage. Ses actions et ses décisions risquent d’avoir un impact sur
tout un éventail de domaines, dont : l’innovation et le progrès technique ;
l’évolution compétitive des méthodes industrielles ; la santé économique
des entreprises ; la gestion efficace des ressources ; la protection des
personnes et de l’environnement.

L’unité d’enseignement d’Electronique est une branche de nature à aborder

les notions basiques de l’Electronique de semi-conducteur. Elle apporte des
connaissances nouvelles, exige un comportement méthodique et propose
des projets qui en font une contribution enrichissante dans la poursuite des
objectifs énumérés.

Sur le plan académique, cette unité d’enseignement se veut être la

fondation sur le principe de fonctionnement des équipements électroniques
et informatiques. Un objectif immédiat du cours vise à développer l’habileté
à:

 percevoir le sens des définitions et concepts de l’Electronique

analogique ;
 exploiter les méthodes d’analyse des circuits afin d’étudier
mathématiquement les circuits électriques faisant appel aux
composants électroniques ;
 Etudier le fonctionnement et l’utilisation des composants
électroniques actifs et passifs couramment utilisables ;
 effectuer les mesures électriques de courant et tension électrique ;
 étudier les méthodes de mesures et test des composants
électroniques ;
 effectuer le choix des composants pour la réalisation de certains
montages d’usage courant.

3. APPROCHE PEDAGOGIQUE

Cette unité d’enseignement comprend trois (3) crédits. Lesquels sont

repartis de la manière suivante :
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 Une partie (45 heures) consacre les théoriques réservées aux CMI et
aux travaux pratiques, travaux dirigés, Interrogations ;
 Et la dernière (30 heures) sera complétée par les travaux personnels
de l’Etudiant.

4. LE PLAN DE L’UNITE D’ENSEIGNEMENT

 Le chapitre I : GENERALITES, décrit les notions de base en

Electricité, gages de la fondation de tous systèmes électroniques ;

 Le chapitre II : NOTIONS DES SEMI-CONDUCTEURS, décrit les

technologies à la base de la fabrication et du fonctionnement des
composants électroniques actuels ;

 Le chapitre III : COMPOSANTS PASSIFS, présente les notions

trois principaux composants passifs dont : les résistances,
condensateurs et bobines ainsi que les conditions de leur utilisation ;

 Le chapitre IV : DIODES ET LEURS APPLICATIONS, il sera

question de présenter les différents types de diodes, leur principe de
fonctionnement, méthodes de polarisation ainsi que leurs
applications ;

 Le chapitre V : TRANSISTORS ET LEURS APPLICATIONS, il

s’agira de passer en revue deux transistors (BJT et MOSFET) les plus
en vue ainsi que les principales applications notamment :
l’amplification et la commutation.

 Le chapitre VI : AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS, décrit les

applications des circuits intégrés analogiques (fonctions
arithmétiques, logarithmiques, sinusoïdaux…) ;

 Le chapitre VII : COMPOSANTS OPTIQUES ET SPECIAUX, décrit

certains composants ayant des applications spécifiques en
électronique.
 Le chapitre VIII : EQUIPEMENTS DE LABORATOIRE, décrit les
équipements de laboratoire, leurs modes d’emploi ainsi que la façon
de les utiliser ;
 Le chapitre IX : QUELQUES APPLICATIONS, il s’agira de procéder
à la réalisation pratique de quelques circuits montages électroniques.
 11

5. TRAVAUX PRATIQUES

Outre les Travaux Dirigés et théoriques, l’étudiant sera amené à réaliser

des projets réels dont les exercices seront mis à leur disposition au fur et à
mesure de l’évolution du cours.

 L’étudiant doit donc posséder un kit de matériels composé d’un fer à

souder avec étain, un fer à dessouder ainsi qu’un multimètre ;
 quelques composants électroniques actifs et passifs (résistances,
condensateurs, transistors, diodes, circuits intégrés…) ;
 chaque étudiant doit posséder un PC pour la simulation ;
 Le projet à réaliser est obligatoire et en groupe
 Certains travaux de laboratoire seront effectués à l’aide des
simulateurs (logiciels de simulation) à notre disposition.

6. HORAIRE DU CMI
Cours Moyens d’enseignement Jour et Salle
heures

Electronique  Usage du tableau Une fois par Salle de L1

analogique  Usage du vidéoprojecteur semaine FASI
(ou  Usage des matériels pendant 3
générale) didactiques heures
 Projection des vidéos
interactives et du cours
 Des simulations

7. EVALUATIONS ET AUTRES MODALITES

 Les apprentissages et le travail des étudiants seront évalués par un

contrôle périodique, un examen final, et des travaux pratiques et
dirigés ;
 Le contrôle périodique d’une durée de 1 heure et 30 minutes
(minimum) et l’examen final d’une durée de 2 heures 00 minute sont
des évaluations individuelles ;
 Le support de cours à disposition pourra constituer d’aide-mémoire et
pourra être autorisé (au besoin) pour le contrôle périodique et pour
l’examen final.
 Le contrôle périodique interviendra une fois par mois.

Tout étudiant(e) dont l’absence au contrôle périodique ou à l’examen final

n’est pas motivée sera sanctionné (e) par une côte nulle. Tandis que celui
dont les absences sont évaluées à 75% ou plus du nombre de séances
prévues, ne sera pas admissible pour passer l’évaluation quelle qu’elle soit.
 12

8. TEXTES ET REFERENCES

 Ouvrages de référence
 Notes de cours (syllabus) obligatoire
 Un cahier de prise de notes obligatoire
 Un PC pour les simulations
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CHAPITRE I :

LES GENERALITES
I.1. DEFINITION DE L’ELECTRONIQUE

Voici quelques définitions sélectionnées dans le jargon technique :

1. La commission de l'électrotechnique internationale (CEI) définit
l'électronique comme : La partie de la science et de la technique qui étudie
les phénomènes de conduction dans le vide, dans les gaz ou dans les semi-
conducteurs et qui utilise les dispositifs basés sur ces phénomènes.

2. Par extension, nous pouvons dire que l'électronique est l'ensemble des
techniques qui utilisent des signaux électriques pour capter, transmettre et
exploiter une information.

Ici on entend par information, une grandeur électrique (courant ou tension)

transportant un flux d’énergie continue ou discret, codé ou non et susceptible
d’être traité et interprété par un circuit électronique spécial.

3. L’Electronique est une partie de la Physique qui étudie la production des

électrons, leur comportement dans le vide, dans les gaz et dans les semi-
conducteurs, ... ainsi que les applications techniques de ces phénomènes.
L’adjectif « Electronique » désigne également ce qui est relatif à l’électron.

4. En d’autres termes, l’Electronique est une science technique, ou science de

l’ingénieur, constituant l’une des branches les plus importantes de la physique,
qui étudie et conçoit les structures effectuant des traitements des signaux
électriques, c’est-à-dire des courants ou des tensions électriques, porteurs
d’informations ou d’énergie. En outre, elle constitue une base solide pour tout
technicien en quête des connaissances dans la manipulation de la particule «
électron ». L’électron a permis le développement des appareils et des
équipements utilisant les grandeurs physiques telles que : le courant, la
tension, la température, etc.

En raison du succès des appareils fonctionnant grâce à l’Electronique et de leur

impact sur la vie courante, son apport a contribué à l’essor de plusieurs domaines
tels que : l’Informatique, les télécommunications, la cybernétique, etc. La
croissance de l’Electronique s’est faite par 2 apports simultanés, à savoir :

 La réduction de la taille des composants élémentaires mis en œuvre

(transistors et autres structures semblables) permettant une intégration de
plus en plus efficace, ce qui a considérablement augmenté la puissance et
le champ d’action des fonctions réalisées ;

 La sophistication progressive des méthodes et principes employés

(traitement des signaux, d’abord essentiellement analogique, puis
numérique, voire sous forme de logiciel intégré dans le composant).
 14

Les conséquences pratiques ont été notamment l’intégration des fonctions

électroniques de plus en plus complexes et performantes dans la majeure partie
des domaines techniques (industriels, scientifiques, …) et des objets de la vie
courante.
On date généralement les débuts des applications de l’Electronique à l’invention
du tube électronique en 1904, l’ancêtre du transistor. Ce dernier compose
actuellement l’essentiel des processus grand public.

I.2. QUELQUES DOMAINES OU BRANCHES DE

L’ELECTRONIQUE

Suivant la façon dont on considère le signal et l’usage que l’on souhaite en faire, il
existe trois grandes branches de l’Electronique, entre autres :
 L’Electronique analogique ;
 L’Electronique numérique ;
 L’Electronique RF.

Dont les deux premières branches constituent l’Electronique commutée.

I.2.1. L’Electronique analogique

Est une discipline qui s’intéresse au traitement continu des signaux analogiques,
c’est-à-dire ceux évoluant d’une façon continue dans le temps et considérés
comme tels. Ils peuvent donc prendre des valeurs appartenant à un espace de
valeurs continues (ou par intervalles) comme illustré par le graphique ci-dessous :

Figure I.1 : Illustration de la forme d’un signal analogique

En tenant compte des signaux, l’Electronique Analogique comporte deux

domaines, à savoir : l’Electronique faibles signaux (Electronique de commande,
l’Electronique de signal, ...) et l’Electronique des courants forts ou l’Electronique
de Puissance. Les deux domaines utilisent les composants discrets et intégrés tels
que : la résistance, le condensateur, l’inductance, la diode, le transistor, …

Notons que l’Electronique de puissance est l’ensemble des techniques qui

s’intéressent à l’énergie contenue dans les signaux électriques, contrairement aux
autres disciplines électroniques qui, elles, s’intéressent principalement à
l’information contenue dans ces signaux. L’objectif est le contrôle ou la
transformation de l’énergie électrique. La gamme de puissance traitée en
Electronique de puissance varie de quelques Microwatts à plusieurs Mégawatts.
 15

Cette Electronique repose sur des dispositifs permettant de changer la forme de

l’énergie électrique (les convertisseurs) et des dispositifs transducteurs.

I.2.2. L’Electronique Numérique

Par opposition aux signaux discrétisés ou numérisés pour lesquels on ne prend en

compte qu’un nombre fini d’états, elle comporte : la logique combinatoire et la
logique séquentielle qui utilisent des systèmes microprogrammés tels que : les
microprocesseurs, les microcontrôleurs, … ici les signaux ne peuvent prendre que
deux états ou deux valeurs notamment l’état 1 et l’état 0. C’est la forme la plus
simplifiée et la plus avantageuse de représenter une information. C’est celle dont
la forme est illustrée ci-dessous :

Figure I.2 : La forme du signal numérique

Les différents domaines de l’Electronique numérique sont : les Circuits logiques

(Electronique numérique), l’Informatique (les composants : microprocesseur,
microcontrôleur, mémoires, … ainsi que les techniques de transmission de
données), les automatismes, …

I.2.3. L’Electronique RF

C’est le domaine de l’Electronique Haute Fréquence/Radiofréquence (hertzienne)

modulant le flux des ondes électromagnétiques. Elle regroupe : l’Electronique RF
passive, l’Electronique RF active ainsi que les antennes et la propagation guidée.
C’est ici où l’on retrouve les domaines tels que : les Télécommunications, les
Hyperfréquences, l’Electromagnétisme, la radiodiffusion, les transmissions avec ou
sans fil, … L’Electronique RF utilise les composants discrets et intégrés du domaine
de haute fréquence.

I.3. NOTIONS DE CIRCUITS ELECTRIQUES

Un circuit électrique est un ensemble de composants électriques interconnectés

d’une manière quelconque par des conducteurs. Lequel est constitué d’un matériau
transportant bien le courant électrique. En général, un circuit électrique est
composé de :  Un générateur ;
 Un récepteur ou une charge
 Un dispositif de connexion : conducteur
 16

Pour des raisons physiques, un bon conducteur électrique

est également un bon conducteur thermique. On en trouve
ainsi réalisé en métal, et surtout en cuivre. Mais il est
également possible d’utiliser un liquide conducteur, appelé
électrolyte : l’exemple le plus classique est l’eau salée.

Figure I.3 : Schéma d’un Circuit électrique

I.3.1. Principes fondamentaux

D’une manière générale, tout circuit électrique peut se représenter sous la forme
d’un générateur d’énergie alimentant un récepteur chargé de transformer l’énergie
électrique reçue en une autre forme exploitable, les deux dispositifs étant reliés
par des conducteurs. Tout circuit électrique est le siège d’un transfert de charge
entre ces deux éléments. Il est couramment admis de représenter ce transfert par
un flux d’électrons que l’on modélise par un courant électrique traversant les
conducteurs.

Notons que dans ce circuit, il existe des grandeurs physiques permettant qu’il y ait
conduction entre le générateur et la charge telles que : le courant et la tension.

I.3.2. La notion du courant électrique

Un courant électrique est un déplacement d’ensemble ordonné de charges

électriques dans un conducteur. On le caractérise par une grandeur, l’intensité,
définie comme étant le débit de charges électriques dans le conducteur. Cette
grandeur est souvent notée I. Quand, pendant un temps 𝑑𝑡, il passe 𝑑𝑞 Coulombs,
l’intensité vaut :

I = 𝒅𝒒/𝒅𝒕 (I.1)

Ce courant électrique (exprimé en Ampères) représente la quantité de charges q

(en Coulomb) traversant une section donnée du conducteur par unité de temps.
Les électrons possédant une charge négative, la logique veut que le courant i soit
représenté en sens contraire du flux d’électrons. Dans un circuit composé d’une
seule boucle, le même courant circule à chaque instant dans tout le circuit.

En d’autres termes, l’unité légale dans laquelle s’exprime l’intensité du courant

électrique est l’ampère (symbole A). Le courant dans le schéma d’un circuit
électrique est représenté par une flèche. Il est à noter que du fait de la définition
de l’intensité (cfr la flèche ci – dessous) et de la charge de l’électron (charge
négative), le sens de déplacement effectif des électrons est l’opposé du sens positif
du courant. On représente un courant électrique par une flèche sur un conducteur,
indiquant le sens positif de l’intensité :

Cette flèche indique que si les électrons passent

de droite à gauche, on comptera une intensité
Figure I.4 : La représentation du sens positive; négative s’ils vont de gauche à droite.
du courant électrique
 17

I.3.2.1. Générateur de courant parfait

Une source de courant est un dipôle actif ; elle peut être continue ou alternative.
La source de courant débite le même courant quel que soit la tension présente à
ses bornes. Un générateur de courant parfait délivre un courant qui ne dépend
pas du reste de circuit. Dans ce cas, un circuit, outre le générateur de tension,
peut être alimenté par un générateur de courant (figure I.5). Ce dernier impose
un courant I au dipôle récepteur. La
tension qui apparaît alors aux bornes du
dipôle récepteur dépend de I et de la nature
du récepteur. Les générateurs de courant
sont en général des dispositifs complexes
utilisés dans des cas bien particuliers.

Figure I.5 : Générateur de courant parfait alimentant un circuit

I.3.2.2. Le générateur du courant réel

De la même manière, un générateur de courant réel sera modélisé par la mise en

parallèle d’un générateur de courant parfait et d’une résistance dite interne (figure
I.6). Dans ce cas, le courant qui alimente le récepteur est plus faible que le courant
délivré par le générateur parfait er dépend de la tension qui s’installe aux bornes
du récepteur.

Figure I.6 : Source de courant réel

I.3.3. La notion de la tension ou Différence de potentiel (d.d.p.)

Au repos, les charges électriques d’un conducteur sont en mouvement continuel

sous l’effet de l’agitation thermique. Cependant, ce mouvement, à une vitesse non
nulle, ne se traduit pas par un déplacement global susceptible de se traduire en
courant électrique.

Pour mettre en mouvement ces charges dans une direction donnée, il est
nécessaire d’appliquer un champ électrique aux bornes du conducteur. En
appliquant le potentiel électrique V1 et le potentiel V2 à ces deux bornes, on crée
 18

une différence de potentiel qui met les électrons en mouvement. La valeur de la

différence de potentiel est appelée la tension, et son unité est le Volt (symbole V).
On représente une différence de potentiel par une flèche à côté du composant,
comme sur le schéma suivant:

Figure I.7 : La représentation d’une différence de potentiel

I.3.3.1. Source de tension parfaite

Une source de tension est un dipôle actif; elle peut être continue ou alternative.
Dans tous les cas, un dipôle est une source de tension s'il maintient la même
tension entre ses bornes, et ce quel que soit le courant qu'il débite ou qu'il absorbe
; c'est une source de tension continue si cette tension est fixe dans le temps, et
une source de tension alternative si la tension varie dans le temps de façon
périodique. Sa représentation est la suivante :

Figure I.8 : Sources de tension parfaites

En d’autres termes, le dipôle actif le plus simple est le générateur de tension

continue parfait qui délivre une tension E constante (en Volts) et l’impose au dipôle
récepteur qui présente donc à ses bornes la même tension E. le courant qui
apparaît alors dans le circuit dépend de E et de la nature du récepteur. Cette
tension E est la différence de potentiel VA-VB. La flèche symbolisant cette différence
potentiel est dirigée vers le potentiel le plus élevé.
Comme les électrons sont attirés par le point A
correspondant au potentiel le plus élevé, le courant
sera naturellement orienté, au sortir du générateur,
par une flèche dirigée dans l’autre sens. Pour un
circuit alimenté par un générateur de tension, on
considère en général que sa borne B constitue la
référence de tension pour l’ensemble du circuit et se
trouve donc au potentiel 0V (on dit aussi à la masse).
Sa borne A se trouve donc au potentiel VA-E. on
Figure I.9 : générateur assimile donc toute différence de potentiel entre un
de tension parfait point X quelconque et cette référence au potentiel X.
 19

I.3.3.2. Sources réelles

Une source de tension réelle aura en réalité une impédance série non nulle, et une
source de courant réelle une impédance parallèle non nulle. Les schémas
deviennent :

Figure I.10 : Sources de tension et courant réelles

Les générateurs de tension sont dits parfaits au sens où la tension délivrée par un
générateur de tension parfait ne dépend pas du reste du circuit. Dans la réalité,
un générateur de tension n’est jamais parfait. La tension qu’il délivre diminue plus
ou moins selon l’intensité qu’on lui soutire. Ce phénomène est dû à la superposition
de diverses chutes de potentiel internes qui ne peuvent plus être négligées lorsque
le générateur est parcouru par un courant intense.

On considère alors qu’un modèle plus proche de la réalité consiste à associer une
résistance en série avec un générateur de tension parfait, ou une résistance en
parallèle avec un générateur de courant parfait. Ces résistances sont appelées
résistances internes des générateurs. Ce principe est illustré par la figure ci-
dessus.

Si I est le courant qui circule dans le circuit, on a VA – VB = E- r.I

I.4. LA CONVENTION DE SIGNE

Les conventions de signe communément admises pour représenter la tension aux
bornes d'un dipôle et le courant y circulant font la différence entre générateurs et
récepteurs. Il faut noter ici que le sens du courant ainsi défini est totalement
arbitraire dans l'absolu, et ne représente qu'une convention.

En pratique, physiquement, c'est la circulation des électrons qui forme le courant,

et celle-ci se fait dans le sens opposé au sens de circulation conventionnel du
courant. Lorsqu'on calcule les éléments d'un circuit électrique, on peut se fixer une
convention différente, mais il faut garder la même pour tout le circuit électrique
étudié.

Figure I.11 : La convention de signe pour le générateur

I.4.1. Convention pour le courant

On sait que le sens conventionnel adopté par les électriciens pour le courant
électrique est l’inverse du sens réel du déplacement des électrons. Une flèche dans
 20

une branche d’un schéma tel que l’indique la figure I.11, chaque fois qu’il sera dit
que le courant va de A vers B, il faudra comprendre qu’il s’agit du sens
conventionnel. D’où, par convention :

 Si le courant va dans le sens de la flèche, I est compté positivement ;

 Si le courant va en sens contraire, I est compté négativement.

I.4.2. Convention pour la tension

On convient de dire que la tension entre A et B, notée UAB, est positive lorsqu’on
branche le voltmètre de manière à ce que :

 Sa borne positive soit en A ;

 Sa borne négative soit en B

C’est alors qu’il dévie dans le bon sens ; elle est négative dans le cas contraire.

I.5. LES DIPOLES

Un composant électrique est dans le cas le plus simple un élément à deux bornes
(on dit aussi un dipôle), que l’on représente sous la forme suivante:

Figure I.12 : Le Dipôle

Les bornes a et b servent à la connexion avec d’autres composants. Dans cette

catégorie, on trouve par exemple les résistors, les condensateurs, les bobines, les
piles, etc.); dans certains cas, un élément à plus de deux bornes. Par exemple, un
transformateur peut en avoir 4 voire 6. Un composant à quatre bornes est appelé
quadripôle.

I.5.1. Dipôle passif

Si on branche ensemble deux dipôles identiques et qu'aucun courant permanent

ne passe entre les deux dipôles quel que soit le sens du branchement, ces dipôles
sont passifs. Ex : résistances, thermistances, selfs, condensateurs.

Il va circuler du courant dans un dipôle passif si on applique une différence de

potentiel entre ses bornes. Réciproquement, si on fait circuler un courant dans ce
dipôle, il va apparaître une tension à ses bornes.

I.5.2. Dipôle actif

Si on branche un dipôle sur une résistance et qu'un courant permanent circule,

alors ce dipôle est actif. ex : pile, accumulateur, alternateur qui sont valables en
Electrotechnique. Tandis qu’en Electronique, il s’agit : des alimentations stabilisées
de laboratoires, le générateurs des signaux (sinusoïdaux ou non) de laboratoire,
les têtes de lecture d’électrophone ou de magnétophone, les microphones, les
antennes radio, etc.
 21

On appelle alors dipôle actif tout dipôle pouvant fournir de la puissance électrique ;
c’est-à-dire capable de débiter un courant dans une charge branchée à ses bornes.

Bien qu'ils ne répondent pas intrinsèquement à la définition ci-dessus, on classera

également dans cette catégorie les semi-conducteurs et circuits intégrés ayant des
caractéristiques de générateurs : diodes zener, transistors.

I.5.3. Dipôle linéaire

Un dipôle est linéaire si la relation entre la tension à ses bornes et le courant qui
y circule est linéaire. Ex : résistance.

I.6. QUELQUES LOIS ET THEOREMES USUELS EN

ELECTRONIQUE
Cette partie, constituée de lois, relations, formules, et autres notions importantes
doit vous permettre l’acquisition des « savoirs » indispensables à l’analyse de
l’électronique. Vous êtes bien sûr invités à le compléter de manière à ce qu’elle
devienne votre mine personnelle d’informations.

I.6.1. Loi d’Ohm

Cette loi exprime que certains matériaux ont une réponse linéaire en courant à
une différence de potentiel imposée. Si l’on considère un tel dipôle, noté D aux
bornes duquel on impose la différence de potentiel U, et traversé par le courant i.
Ce dipôle est un résistor.

A
I

Uab R

B
Figure I.13 : La d.d.p. aux bornes d’un dipôle

Soit :
- les potentiels VA et VB (VA>VB) des points A et B,
- la tension U (en volt) et l’intensité du courant I (en ampère),
- la résistance R (en Ohm),
On note Uab la tension entre les points A et B : Uab = VA – VB.

Pour un dipôle récepteur (lampe, résistance, …), le courant I va du potentiel le plus

élevé (A) au potentiel le plus bas (B). La relation qui lie R, U et I est la loi d’Ohm :
U=RxI (I.2)
(I et U en sens opposé).
 22

Quel que soit l’instant t, U et i vérifient la relation de proportionnalité où R est

appelée résistance du résistor, et s’exprime en Ohms, en abrégé Ω. L’inverse de
la résistance est la conductance, souvent notée G, et s’exprime en Siemens
(abréviation S): G =1/R.

I.6.2. Lois de Kirchhoff

Les lois de Kirchhoff sont les lois fondamentales qui régissent le fonctionnement
de tout circuit électrique. A noter qu'on a besoin des lois de Kirchhoff pour
démontrer ces théorèmes.

I.6.2.1. Loi des mailles

Une maille est une boucle fermée composée d'éléments réels ou virtuels
(immatériels) présentant une différence de potentiel entre leurs bornes. La somme
des tensions rencontrées lorsqu'on parcourt une boucle fermée est nulle. Cette loi
est en quelque sorte la relation de Chasles de l'électricité.

Pratiquement, on impose d'abord le sens des courants dans chaque élément de la

maille. Ensuite, on représente les tensions par des flèches en respectant les règles
suivantes :

 convention récepteur pour les dipôles passifs avec le sens du courant qu'on
a imposé.
 respect de la polarité des générateurs (flèche au pôle positif). Attention :
cette règle est absolue, même si le générateur est utilisé comme récepteur
(Exception notable : les fcém).
 une tension rencontrée sur la boucle peut correspondre à un élément
immatériel (qui n'est ni un générateur, ni un composant passif : cas de la
tension U dans l'exemple ci-dessous). Cette astuce permet de casser une
boucle trop grande et de simplifier les calculs.

Le sens et le début du parcours n'importent pas. On met un signe positif à toute

tension rencontrée en direct (la flèche la représentant est orientée dans le sens de
parcours de la boucle), sinon, le signe est négatif.

V1

I R1

E + R2 V2

Figure I.14 : Le parcours de la boucle

 23

E, V1 et V2, les tensions des éléments de la maille, ont été choisis arbitrairement.
On décrit la maille dans le sens choisi et on écrit que la somme algébrique des
tensions rencontrées est nulle.
 tension opposée au sens : signe –
 tension dans le même sens : signe +
Dans l’exemple ci-contre :

E – V1 –V2 = 0

Pour résoudre totalement le problème d'électricité posé, il va falloir déterminer

autant d'équations indépendantes qu'on a d'inconnues (tensions et courants). La
loi des mailles ne sera d'ailleurs pas suffisante pour définir toutes les équations
nécessaires, il faudra aussi utiliser la loi des nœuds.

Quand on a autant d'équations que d'inconnues, on peut résoudre le système. Il

se peut alors qu'on obtienne des courants négatifs. Si le circuit ne comporte aucun
élément appelé force contre électromotrice (f.c.é.m.) en électricité, le courant
circule en fait dans le sens opposé à celui défini arbitrairement. Ceci ne remet pas
en cause les résultats obtenus. Par contre, si le circuit contient des f.c.é.m., et que
des courants négatifs apparaissent dans la solution, il faut impérativement
retraiter tout le problème en modifiant le sens arbitraire des courants, et ceci
jusqu'à ce que tous les courants soient positifs.

En pratique, dans les problèmes d'électronique abordés dans le cadre de ce cours,

il n'y aura jamais d'ambiguïtés : on n'aura que des composants passifs simples, et
des sources de tension utilisées soit comme générateurs, soit comme récepteurs,
mais dans tous les cas, leur polarité ne dépendra pas du sens du passage du
courant. Par contre, la polarité des f.c.é.m. dépend du sens du courant les
traversant, ce qui fait que si on inverse celui-ci, le problème d'électricité à résoudre
est différent. En électronique, on fera essentiellement attention aux inductances,
qui ont un comportement de f.c.é.m.

I.6.2.2. Loi des nœuds

Cette loi se déduit facilement de la notion de courant électrique. Supposons que

l’on ait un flux io = dq/dt d’électrons dans un conducteur arrivant à un
(embranchement) d’un circuit électrique:

I3
I2

I1 A I4
I5

Figure I.15 : Nœud de courant

Soit :
- le point de connexion ou nœud A,
 24

- les courants I1, I2, I3, I4 et I5.

La somme des courants arrivant à un nœud est égale à la somme des courants
sortants de ce nœud. Les électrons venant de la gauche partiront soit dans la
première, soit dans la deuxième branche. Mais le nombre total d’électrons par
seconde restera le même que celui qui arrive en permanence par la gauche, et
donc I1 + I2 + I4 = I3 + I5 (avec les sens des courants définis suivant la figure
précédente).

Dans la théorie des réseaux de Kirchhoff, un nœud est un point de convergence

de plusieurs conducteurs. Plus généralement, si on considère n conducteurs
arrivant au même point O, avec les sens positifs des courants In définis comme
suit, vers O...

I.8. AUTRES FORMULES D’ELECTRICITE ET

D’ELECTRONIQUE UTILES

Charge Capacité Tension

Charge d’un
Q = C U
condensateur
Coulomb Farad Volt
Capacité Surface /
Capacité d’un distance
condensateur C = o r S/d
Farad Mètre² / mètre

Couplage de
1/C = 1 + 1 + 1
condensateur en série
Farad-1 C1 C2 C3

Couplage de
C = C1 + C2 + C3
condensateur en
parallèle Farad

Intensité
Intensité du courant I = Q charges (coulomb)
Ampère T temps (seconde)
Puissance Tension Intensité
Puissance absorbée par
P = U I
un récepteur
Watt Volt Ampère
Résistance Résistivité Longueur/surface
Résistance R =  L/S
Ohm Ohm-mètre Mètre/mètre²
Tension f.é.m. résistance intensité
U = E – r
Générateur
I
Volt Volt ohm ampère
Tension f.c.é.m. résistance
Récepteur
intensité
 25

U = E’ + r
I
Volt Volt ohm
ampère
Energie Résistance Intensité
temps
W = R I² t
Joule Ohm Ampère²
seconde
Effet Joule Puissance Résistance Intensité
P = R I²
Watt Ohm Ampère²
Puissance Tension Résistance
P = U² / R
Watt Volt² Ohm
Const. De temps Résistance Capacitance
Charge d’un
 = R C
condensateur
Seconde Ohm Farad
Energie Capacité Tension
Energie du champ
W = ½ C U²
électrique
Joule Farad Volt²
Pulsation Fréquence
Pulsation  = 2  F
Rad/s Hertz
Fréquence
F = 1
Fréquence
Hertz T Période
(Seconde)
Puissance Tension Intensité
Puissance apparente
S = U I
monophasée
[Link]ère Volt Ampère

 = Th Temps à l’état
Rapport cyclique
haut
T Période
Valeur efficace Valeur max.
Valeur efficace Veff = Vmax / 2
Volt Volt
Conductance Résistance
Conductance G = 1 / R
Siemens Ohm
Résistance équivalente
de 2 résistances en Réq = R1 x R2
dérivation Ohm R1 + R2
 26

I.9. LE SYSTEME INTERNATIONAL D’UNITES (SI)

Le système international d’unités, appelé encore SI est un système cohérent
d’unités adopté par la 11ème conférence générale des poids et mesures (CGPM) en
1960. Le SI comprend :

 des unités de base,

 des unités dérivées, y compris les unités supplémentaires.

L’utilisation de ce système est obligatoire.

Le SI comporte sept unités de base correspondant aux sept grandeurs de base :

Grandeur Nom de l’unité de base Symbole de l’unité

Longueur Mètre M
Masse Kilogramme Kg
Temps Seconde S
Intensité du courant Ampère A
Température Kelvin K
thermodynamique
Quantité de matière Mole Mol
Intensité lumineuse Candela Cd

Et quelques unités dérivées dont les suivantes :

Grandeurs Dénomination Symbole Expression

Fréquence Hertz Hz 1Hz = 1 s-1
Force Newton N 1N = 1kgm/s-2
Energie Joule J 1J = 1 Nm
Puissance Watt W 1W = 1 J/s
Charge électrique Coulomb C 1C = 1 As
Potentiel électrique Volt V 1V = 1 J/C
Capacité électrique Farad F 1F = 1 C/V
Résistance électrique Ohm  1 = 1 V/A
Conductance Siemens S 1S = 1 -1
Flux magnétique Weber Wb 1Wb = 1Vs
Inductance Henry H 1H = 1 Wb/A

Les multiples et les sous-multiples des unités SI sont formés au moyen des préfixes
suivants :

Facteur Préfixe Symbole Facteur Préfixe Symbole

1024
Yotta Y 10-1
Déci d
1021 Zetta Z 10-2 Centi c
 27

1018 Exa E 10-3 Milli m

1015 Peta P 10-6 Micro 
1012 Téra T 10-9 Nano n
109 Giga G 10-12 Pico p
106 Méga M 10-15 Femto F
103 Kilo K 10-18 Atto A
102 Hecto H 10-21 Zepto Z
10 Déca Da 10-24 Yocto Y

I.10. LES CONSTANTES

C Vitesse de propagation des ondes électromagnétiques 2,997108 ms-1

dans le vide
G Accélération conventionnelle due à la pesanteur 9,806 ms-2
E Charge électronique élémentaire 1,610-19 C
E Base des logarithmes népériens 2,718
 Rapport de la circonférence au diamètre d’un cercle 3,14159
J Unité imaginaire j2 = -1
H Constante de PLANCK 6,62510-34 Js
K Constante de BOLTZMANN 1,3810-23 JK-1
0 Permittivité du vide 8,8510-12 F-1
 Perméabilité du vide 410-7 Hm-1
M Masse au repos de l’électron 0,9110-30 kg
mp Masse au repos du proton ou du neutron 1,6710-27 kg
N Nombre d ’ AVOGADRO 6,0221023 mol-1

I.11. SYMBOLISATION AUX NORMES C. 03 DE L’UTE

Symbole Légende Symbole Légende Symbole Légende

Courant Courant Tension
AC
continu alternatif alternative
Source
Tension
DC Conducteur idéale de
continue
courant
Source
Polarité Polarité
idéale de + -
positive négative
tension
Elément de Contact à
Fusible
pile fermeture
Contact à
N Neutre P Phase
ouverture
Symbole Légende Symbole Légende Symbole Légende
 28

Photo Cellule
Photodiode
Résistance photovoltaïque

Diode
Phototransistor électro- Diode
luminescente
Diode
Diode Zener Thyristor
tunnel
Transistor Transistor
bipolaire bipolaire Triac
NPN PNP
Transistor à
Résistance Résistance
effet de
(ou résistor) variable
champ

Potentiomètr Condensate
Condensateur +
e ur polarisé
Cristal
Condensate
inductance piézoélectriq
ur variable
ue(quartz)
Thermistanc
Haut- Transformateu
e CTN ou
parleur r
- °C CTP
+V
Potentiel Terre Masse
 29

Chapitre II :

THEORIE SIMPLIFIEE DES SEMI-

CONDUCTEURS
II.1. STRUCTURE DE LA MATIERE

Ce paragraphe a pour seul but de permettre la compréhension des principaux

phénomènes de conduction qui se produisent dans les semi-conducteurs, afin de
pouvoir interpréter leur comportement. Il ne sera donc ni exhaustif, ni rigoureux.

A noter que des connaissances approfondies en cristallographie ne sont

indispensables que pour l'électronicien désireux de se spécialiser en micro-
électronique (conception de circuits intégrés). On peut donc parfaitement s'en
passer si on se contente d'assembler des composants discrets.

Tout le secret de l'électricité réside dans la capacité de la matière à laisser circuler

plus ou moins bien des charges électriques en son sein sous l'influence d'un champ
électrique externe. Les composants électroniques obéissent aux lois générales de
l'électricité. La différence avec les composants électriques traditionnels se situe
dans le matériau conducteur utilisé, qui va autoriser un meilleur contrôle de la
conduction électrique, et donc des fonctionnalités nouvelles. L'électronique va
alors se distinguer de l'électricité par des composants dont on pourra moduler la
conduction à l'aide de signaux électriques, chose impossible avec les composants
simples de l'électricité. Il est par conséquent utile de rappeler en introduction que
tout ce qu'on voit en électronique est totalement dépendant de la physique des
solides, et qu'un aperçu de cette dernière est indispensable pour comprendre le
fonctionnement des composants électriques et électroniques.

II.1.1. Description simplifiée de la structure des atomes.

L’atome est constitué d’un noyau entouré d’électrons. Le noyau contient deux
types de particules :

- Les neutrons qui ne sont pas chargés ;

- Les protons qui portent une charge électrique + q = 1.6 10-19 coulombs. Le
noyau est entouré d’électrons qui portent une charge électrique -q. L’atome
étant électriquement neutre, le nombre de protons est égal au nombre
d’électrons qui sont répartis en couches successives. On distingue :
- Les électrons internes qui occupent les couches internes et qui sont très
fortement liés au noyau,
- Les électrons périphériques qui occupent la couche la plus externe et qui
sont peu liés au noyau.

Tous les atomes tendent à avoir huit électrons sur leur couche externe.
 30

Les orbites des électrons ont des dimensions très grandes vis à vis de celle du
noyau, et l'ensemble de l'atome est électriquement neutre, car il comprend autant
de protons que d'électrons. Les électrons se répartissent sur des orbites différentes
qui forment des couches. Les couches sont remplies par les électrons dans un ordre
bien déterminé. Dans la mesure du possible, ceux-ci s'assemblent par paires.
Quand ce n'est pas possible, ils restent célibataires. Quand l'atome possède
plusieurs couches d'électrons, les couches profondes contiennent un nombre
d'électrons indépendant de l'atome considéré. C'est la couche périphérique qui fait
la différence.

Figure II.1 : Structure d’un atome tétravalent.

II.1.2. Les liaisons interatomiques

Dans la matière, les atomes la constituant se combinent entre eux de manière à
lui donner une certaine cohésion. Macroscopiquement, ces liaisons donnent la
consistance du matériau : gaz, liquide, solide plus ou moins dur, structure
cristalline. Pour la suite, nous n’allons décrire seulement que deux types de liaison,
dont :

a) Les liaisons covalentes. Les atomes se lient entre eux en mettant en

commun des électrons célibataires de la couche périphérique (électrons de
valence). Ces électrons s'associent en paires et appartiennent en commun
aux deux atomes participant à la liaison. De ce fait, les liaisons obtenues
sont très robustes : il faut leur fournir une énergie importante pour les
casser. Dans ce type de liaison, les électrons mis en commun restent très
liés aux atomes qui les fournissent. Ils ne peuvent pas circuler facilement
dans la matière ;

b) Les liaisons métalliques. Dans ce cas de liaison, ce ne sont pas deux

atomes qui mettent en commun un ou plusieurs électrons pour se lier ; un
grand nombre d'atomes mettent en commun des électrons célibataires. Les
atomes ainsi dépouillés de leur(s) électrons(s) deviennent des particules
non neutres du point de vue charge électrique (des ions). Ils forment un
réseau cristallin et baignent dans un nuage d'électrons très mobiles appelés
électrons libres.
 31

II.2. LA CONDUCTION ELECTRIQUE

Lorsqu'on applique un champ électrique extérieur sur un matériau, il y a

conduction s’il y a circulation d'un courant électrique dans le matériau. Ce courant
est dû au déplacement des charges électriques dans le matériau.

Si on applique une différence de potentiel UAB entre deux points A et B d'un

matériau distants d'une longueur L, on créé un champ électrique E dans le
matériau :

(II.1)

Ce champ va exercer des forces sur les charges électriques présentes dans le
matériau :

𝐹⃗ = 𝑞𝐸⃗⃗ (II.2)
Si la charge q est positive, la force et le champ sont de même sens, si elle est
négative, ils sont de sens opposés. Pour que des charges se déplacent dans un
champ électrique, encore faut-il que ces charges mobiles existent. Les paragraphes
qui suivent vont faire le lien avec les types de liaisons atomiques vues
précédemment.

Figure II.2. Force exercée par un champ électrique sur une charge électrique

II.2.1. Les isolants

Dans le cas des matériaux isolants, on a affaire à des liaisons de type covalente :
les électrons célibataires de la couche périphérique forment tous des liaisons avec
leurs homologues issus d'autres atomes adjacents. Les liaisons sont robustes, et
les charges potentiellement mobiles (les électrons) restent liées aux atomes
auxquelles elles appartiennent. On a beau appliquer un champ électrique sur ces
matériaux, aucun courant électrique ne circule, car il n'y a pas de charges mobiles.

Il faut noter que les isolants sont aussi importants que les conducteurs en
électricité et en électronique, car ce sont eux qui permettent de canaliser les
courants électriques là où on le désire. Ils vont s'intercaler entre les conducteurs,
et aussi assurer la protection des usagers (gaines isolantes, enrobages de câbles).
 32

II.2.2. Les conducteurs

Les liaisons des atomes composant les matériaux conducteurs sont de type
métallique. Nous avons vu précédemment que dans ce type de liaisons, chaque
atome libère un électron qui peut circuler librement dans le cristal.

En l'absence de champ électrique extérieur, ces électrons se déplacent dans un

mouvement désordonné, et, statistiquement, la somme de tous les déplacements
est nulle : il n'y a pas de courant électrique généré spontanément (ce qui serait
l'équivalent du mouvement perpétuel en mécanique). Par contre, dès qu'on
applique un champ électrique extérieur au matériau conducteur, les électrons vont
circuler dans un sens bien déterminé par le sens du champ électrique, créant ainsi
un courant.

II.2.3. Interprétation de la loi d'Ohm

La loi d’Ohm s’écrivant sous la forme :
U = R.I
Est interprétable au niveau atomique. Nous allons en donner les principales
formulations ci-dessous. Certaines équations sont bien entendues parachutées,
notamment celle qui paraît la plus simple, à savoir la mobilité des charges. Elle
découle de la théorie du modèle boules de billard, qui assimile les particules en
mouvement à des boules de billard qui se déplacent aléatoirement et qui
s'entrechoquent. Nous n'entrerons pas dans cette théorie.

II.2.3.1. Mobilité des charges

L’un des principaux paramètres qui décrit l'aptitude d'un matériau à conduire le
courant électrique est la mobilité des charges électriques présentes dans ce
matériau. On le définit dans la relation suivante :

𝑣 = 𝜇𝐸⃗⃗ (II.3)

μ est la mobilité des charges exprimée en m2/Vs dont v la vitesse de déplacement

de ces charges dans la matière, et E l'intensité du champ électrique appliqué sur
le matériau (exprimé en V/m).

II.2.3.2. Courant

Le courant électrique est le débit de charges électriques circulant dans le

conducteur d'une section S donnée, autrement dit c’est la quantité de charges
électriques qui traversent une section par unité de temps.

𝐼 = 𝑛𝑒𝑣𝑆 (II.4)
 33

Où n est le nombre de charges traversant la section S de conducteur à la vitesse

v. Chaque particule est chargée à la valeur élémentaire e = 1,6.10-19C. Cette
définition est tout à fait assimilable au débit d'eau dans une conduite.

On voit ici que le courant dépend de la section du conducteur. Pour caractériser le

matériau, on va utiliser une définition faisant abstraction de cette section : c'est la
densité de courant.

II.2.3.3. Densité de courant

La densité de courant J est tout simplement le rapport de l'intensité à la section,

soit :

(II.5)

La densité est proportionnelle à la mobilité des charges, à leur nombre, et au

champ électrique appliqué.

II.2.3.4. Conductivité et résistivité

Des relations :

; 𝑣 = 𝜇𝐸⃗⃗ ; 𝐼 = 𝑛𝑒𝑣𝑆

On tire :

(II.6)

C'est la loi d'Ohm. La résistance R du tronçon de matériau de section S et de

longueur L est égale à :

(II.7)

Par définition, on appelle la conductivité, la valeur :

𝜎 = 𝑛𝑒𝜇 (II.8)

La résistivité est l'inverse de la conductivité, à savoir :

(II.9)

Une autre forme de la loi d'Ohm est dans ce cas :

𝐽 = 𝜎𝐸⃗⃗ (II.10)

Exemples de valeurs de résistivité :

 ρ = 1012Ωm pour le diamant (isolant).
 34

 ρ = 1,7.10-8Ωm pour le cuivre (conducteur).

II.3. INFLUENCE DE LA TEMPERATURE

La température, en augmentant, va accroître l'agitation des particules dans la

matière, et ainsi gêner leur déplacement lors de l'application d'un champ électrique
externe. La résistivité du matériau va augmenter. Cette augmentation de la
résistivité avec la température est une loi linéaire, et peut se mettre sous la forme
:

ρ= ρ0(1+aΔT) (II.11)

a : est le coefficient de température du matériau, ρ0 la résistivité à To et ρ la

résistivité à la température T.

a vaut 4.10-3K-1 pour le cuivre. Cela signifie que la résistance d'un conducteur de
cuivre va varier de 1% tous les 2,5°C.

II.4. LES SEMI-CONDUCTEURS

Nous venons de voir que les charges électriques sont plus ou moins libres de
circuler dans la matière sous l'influence d'un champ électrique externe. Cette
propriété nous a permis de distinguer les isolants (liaisons très robustes, charges
électriques très peu mobiles) des conducteurs (liaisons fragiles, charges très
mobiles).

Les semi-conducteurs se situent entre ces deux extrêmes (d'où leur nom !). On va
aussi pouvoir obtenir les caractéristiques désirées en appliquant les
transformations physicochimiques adéquates. Il en résultera plusieurs sortes de
semi-conducteurs que l'on pourra combiner pour obtenir des fonctionnements bien
déterminés.

Les semi-conducteurs sont des matériaux solides utilises pour la fabrication des
composants électroniques. Le matériau semi-conducteur le plus utilisé est le
silicium (Si). Autres matériaux semi-conducteurs : germanium(Ge), arséniure de
gallium (Ga As), phosphure d’indium (InP)...

Ils sont caractérisés par leur résistivité qui peut varier de 10−4Ω.m à 102Ω.m en
fonction de la température (ρ diminue lorsque T augmente) : ils se situent donc
entre les conducteurs et les isolants.
Les semi-conducteurs ont été découverts au XIXème siècle mais leurs applications
pratiques ont commencé en 1947 avec la découverte du transistor qui a remplacé
les tubes à vide, encombrants, peu fiables et grands consommateurs d’énergie.

II.4.1. Semi-conducteurs intrinsèques

Un semi-conducteur est constitué par un réseau cristallin de matériau très pur. On
utilise soit des éléments du tableau périodique possédant chacun 4 électrons de
valence, soit des combinaisons de matériaux qui possèdent 3 et 5 électrons de
valence. Les atomes sont liés entre eux par des liaisons covalentes. Ces liaisons
 35

sont robustes, ce qui fait que pour arracher des électrons des atomes, il faut fournir
une énergie assez importante (environ 1eV, contre 0,1 eV pour les conducteurs et
5eV pour les isolants).

Tableau II.3. Tableau périodique des éléments chimiques.

Les semi-conducteurs purs sont des solides cristallisés : les atomes sont
régulièrement disposés dans l’espace, ils forment un cristal. Dans le cas du
silicium, chaque atome possède quatre électrons périphériques qu’il met en
commun avec les quatre atomes voisins pour former des liaisons entre atomes, et
assurant la rigidité du cristal.

Figure II.4 : (a) la structure cristalline des semi-conducteurs purs (b) formation
du trou due au départ d’un électron
 36

Sous l’effet de la température ambiante, certains électrons peuvent acquérir une

énergie suffisante pour quitter une liaison entre deux atomes ce qui implique alors
la création d’une paire électron/trou.

Figure II.5 : création d’une paire d’électron/trou.

L’atome de silicium correspondant devient alors un ion positif.

Bandes énergétiques

La conduction électrique peut aussi être interprétée comme un déplacement

de trous que comme un déplacement d’électrons. Les électrons libres sont
appelés porteurs de charge négatifs. Les trous sont les porteurs de
charge positifs. On modélise la faculté des électrons à se mobiliser pour
participer à un phénomène de conduction par des bandes d’énergies :

Figure II.6 : Représentation des bandes d'énergie

- Bande de valence (BV) : l’électron qui se trouve dans cette bande,

participe à une liaison covalente au sein du cristal ;

- Bande de conduction (BC) : un électron ayant acquis suffisamment

d’énergie peut se trouver dans cette bande ; il est alors mobile et
peut participer à un phénomène de conduction ;

- Bande interdite (BI) : la mécanique quantique a montré que les

électrons ne peuvent pas prendre des niveaux d’énergie quelconques,
mais que ceux-ci sont quantifiés ; entre la bande de valence et la
bande de conduction peut donc exister une bande interdite. Pour
rendre un électron mobile, il faut donc apporter de l’énergie en
quantité suffisante pour franchir ce gap.
 37

En fonction de la disposition de ces bandes, et surtout de la largeur de la

bande interdite, les matériaux peuvent être isolants, conducteurs ou semi-
conducteurs :

- Un conducteur : la bande de conduction est partiellement remplie.

Le solide contient donc des électrons mobiles susceptibles de
participer aux phénomènes de conduction sans fournir d’énergie.

- Un isolant : la bande de conduction est vide et le gap est grand (ex

: de l'ordre de 10 eV). Le solide ne contient alors aucun électron
capable de participer à la conduction ;

- Un semi-conducteur : la bande de conduction est vide mais le gap

est plus faible (de l'ordre de 1 à 2 eV). Le solide est donc isolant à
température nulle (T=0K), mais une élévation de température
permet de faire passer des électrons de la bande de valence à la
bande de conduction. La conductivité augmente avec la température.

De plus, les atomes du silicium purifié s'organisent entre eux de manière

très régulière, suite aux traitements subis, ce qui nous amène à parler d'un
cristal semi-conducteur, ou d'une structure cristalline du silicium. Cette
organisation atomique donne des propriétés électriques particulières au
silicium électronique. Grâce à l'organisation cristalline, chaque atome est
entouré de quatre atomes voisins qui vont combiner ensemble leurs
électrons de valence de fait que chaque atome se trouve entourer de huit
électrons périphériques.

Ce qui donne la propriété d'un isolant parfait: A TRES BASSE

TEMPERATURE, AU VOISINAGE DU ZERO ABSOLU (0 KELVIN) LE SILICIUM
PUR EST UN ISOLANT PARFAIT.

Dès que la température augmente, l'agitation des atomes entre eux va

bousculer cet ordre établi et des électrons périphériques peuvent se
retrouver arrachés à la liaison cristalline des atomes. Ces électrons se
retrouvent à une distance des noyaux qui leur permet de se déplacer dans
la plaquette de silicium.
Les électrons ainsi libérés ont chacun rompu une liaison cristalline du
silicium. Ils ont donc laissé derrière eux un emplacement vide, nous parlons
 38

d'un "trou". Ces électrons vont se déplacer librement dans la plaquette

jusqu'au moment où ils rencontrent un "trou" et se fixer à nouveau dans le
réseau.

Ce déplacement aléatoire d'électrons (dans n'importe quel sens) correspond

à un courant électrique aléatoire qui représente ce que nous appelons du
souffle électronique. Toutefois, ce courant est très, très faible et nous
parlons de conduction intrinsèque. Cette conduction intrinsèque est
pratiquement non mesurable pour un technicien de maintenance. Ces
courants, souvent indésirables, sont de l'ordre du nano-ampère et appelés
courants de fuites. Même non mesurable, ces courants de fuites existent
néanmoins et deviennent trop important si la température n'est pas
contrôlée.

UN SEMI-CONDUCTEUR EST DONC TRES SENSIBLE A LA TEMPERATURE ET

NECESSITERA DES MOYENS EXTERNES DE STABILISATION. SANS QUOI UN
EMBALLEMENT THERMIQUE ENTRAÎNE TRES VITE LA DESTRUCTION DU
SEMI-CONDUCTEUR.

Quant aux semi-conducteurs, on en distingue deux types, à savoir :

- les semi-conducteurs intrinsèques (purs, naturels, non dopés)
- les semi-conducteurs extrinsèques (impurs, dopés)

III.2.2. Semi-conducteurs intrinsèques

Lorsqu’un semi-conducteur est pur, on dit qu’il est intrinsèque. Il existe

autant d’électrons libres que de trous : soit n et p les nombres respectifs
de porteurs négatifs (électrons) de la bande de conduction et de porteurs
positifs (trous) de la bande de valence par unité de volume
(concentrations) ; on montre que :
𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖
−∆𝐸𝑖
𝑛 . 𝑝 = 𝑛𝑖 2 = 𝐴𝑇 3 𝑒 𝑘𝑇
avec :
- A : constante dépendant du matériau,
- T : température absolue en kelvins,
- ΔEi : largeur de la bande interdite en eV (électron-volt),
- k= 1.38 × 10-23 JK-1 : constante de Boltzmann

Ces concentrations n et p sont appelées concentrations en porteurs

intrinsèques. Pour le silicium qui est le semi-conducteur le plus utilisé on
a : Ei=1.2eV ; ni=1.5x1010 cm-3 à T=300K.

- A température ambiante, kT est de l'ordre de 0,025 eV. La densité

d'électrons est alors très faible, et la conductivité intrinsèque est
faible pour la plupart des semi-conducteurs.
- Les principales familles de semi-conducteurs sont les suivantes :
 39

Tableau II.2 : Les familles des semi-conducteurs

Composés Composés binaires Composés ternaires

primaires Groupe III-V Groupe II-VI Groupe III-V Groupe II-VI
Si GaAs ZnSe GaxAl1xAs CdxMn1xTe
Ge AlAs CdTe
GaP

Nature de la conduction dans un semi-conducteur pur

Le courant électrique dans un semi-conducteur pur est constitué:

- D’électrons libres qui se déplacent entre les atomes de silicium;

- D’électrons liés qui peuvent se déplacer de trou en trou : équivalent au
déplacement d’un trou. Un trou est donc équivalent à une charge +e
sautant d’atome en atome.

Figure II.7 : conduction d’électron/trou dans le semi-conducteur au silicium

Dans un semi-conducteur pur, chaque électron libéré crée un trou ce qui fait que
la concentration de trous (p) est égale à la concentration d’électrons libres
(n ≈ 109𝑒̅/cm3 pour le silicium à 25◦C). Plus la température augmente, plus il y a
création de paires électron/trou ce qui cause l’augmentation de la conductivité d’un
semi-conducteur avec la température.

Les principaux semi-conducteurs utilisés en électronique sont :

1. Le silicium (Si) : c'est le matériau le plus utilisé actuellement pour la

fabrication des composants électroniques.
2. Le germanium (Ge) : il est délaissé (trop sensible en température : courants
de fuite importants, température de fonctionnement limitée) ;
3. L'Arséniure de Gallium (GaAs) : il est très utilisé dans la fabrication de
composants optoélectroniques, et permet aussi de fabriquer des
composants plus rapides que ceux en silicium ; ses applications sont
cependant relativement rares.
4. phosphure d’indium (InP)...

Les semi-conducteurs ont une résistivité électrique intermédiaire entre les isolants
(1014 à 1022Ωcm) et les bons conducteurs (10-6 Ωcm) : elle est comprise entre 102
et 109 Ωcm. L'agitation thermique fait que certains électrons quittent leur liaison
et deviennent des électrons libres. Ils créent alors un trou qui ne demande qu'à
être rebouché par un autre électron libre, surtout si on applique un champ
 40

électrique sur le cristal : électrons et trous se déplacent en sens inverse,

engendrant ainsi un courant électrique.

Contrairement à ce qui se passe dans les conducteurs, la résistivité des semi-

conducteurs diminue quand la température augmente : en effet, plus la
température est élevée, plus le nombre de trous et d'électrons libres augmente,
et plus le courant produit est intense quand on branche un générateur sur le cristal.

II.4.2. Semi-conducteurs extrinsèques

Les semi-conducteurs intrinsèques n'ont pas une grande utilité en tant que tels ;
ils servent de composants de base pour les semi-conducteurs dopés : on y rajoute
des impuretés pour modifier leur comportement. Il existe deux types de semi-
conducteurs extrinsèques.

Dans un cristal de semi-conducteur pur, on ajoute des impuretés (atomes

étrangers) possédant 5 électrons périphériques, ex : arsenic, phosphore,
antimoine. C’est le dopage avec des atomes donneurs (éléments de la famille 5)

Parmi ces 5 électrons périphériques, 4 forment des liaisons avec des atomes de
silicium, le cinquième devient un électron libre. Les atomes d’impuretés sont
appelés donneurs (d’électrons). Ils deviennent des ions positifs fixes par rapport
au cristal.

Figure II.8 : structures cristallines de semi-conducteurs dopés respectivement

d’atomes trivalent(a) et pentavalent(b)

Le nombre d’électrons libres augmente dans le cristal, et la concentration

d’électrons libres (n) est supérieure à la concentration de trous (p). Les électrons
sont majoritaires et les trous sont minoritaires, le semi-conducteur est de type N.

De même, si on ajoute à un cristal de semi-conducteur pur des atomes d’impuretés

possédant 3 électrons périphériques, il manque un électron pour assurer une
liaison, alors il y aura création d’un trou qui peut accepter un électron : les
impuretés sont des accepteurs (d’électrons), ex : bore, gallium, aluminium,
indium. Ils deviennent des ions négatifs fixes par rapport au cristal. Le nombre de
trous augmente d’où la concentration de trous(p) est supérieure à la concentration
d’électrons libres(n). Les trous sont majoritaires et les électrons minoritaires. Le
semi-conducteur est de type P.
 41

II.4.2.1. Le semi-conducteur de type P

On dope le cristal intrinsèque avec un élément possédant un nombre inférieur

d'électrons de valence : on peut doper du silicium (4 électrons de valence) avec
du Bore, de l'indium, du Gallium ou de l'Aluminium qui possèdent 3 électrons de
valence (atome accepteur). Ces atomes vont prendre la place d'atomes de silicium
dans le cristal. Comme ils possèdent 1 électron de valence en moins, il va se créer
des trous dans le semi-conducteur. Les trous deviennent porteurs de charges
mobiles majoritaires : le semi-conducteur est de type P. Il subsistera quelques
électrons libres dans le cristal (porteurs minoritaires).

Les trous ainsi créés vont être susceptibles d'être bouchés par des électrons
présents dans le cristal (par exemple, des électrons issus de paires électron-trou
générés par l'agitation thermique).

Fig.2.5. Figure II.9cristallin

Réseau : Réseau d’un cristallin
semi - conducteur de
d’un semi-conducteur dutype
typeP. P

II.4.2.2. Le semi-conducteur de type N

Le principe est le même que pour le semi-conducteur de type P, sauf qu'on dope
le cristal avec des éléments ayant un électron de valence de plus (atomes
donneurs) : le phosphore, l'arsenic et l'antimoine, qui possèdent 5 électrons de
valence pourront doper le silicium par exemple. 4 électrons vont faire des liaisons
covalentes avec les atomes de silicium environnants, et le 5ème sera un électron
libre ; tous ces électrons libres seront les porteurs majoritaires. Il existera encore
quelques trous, mais en très faible quantité.

Les électrons libres seront pratiquement aussi mobiles que dans le cas des
conducteurs (liaisons métalliques). A noter que dans ce cas, l'atome donneur
devient ion positif, mais ceci ne créé pas un porteur trou comme dans le cas du
silicium P, car cette charge positive ne peut pas se déplacer dans le cristal.

A noter que dans les deux cas (types N et P), le cristal reste globalement
électriquement neutre, car le noyau des atomes donneurs comporte un proton de
 42

plus que l'atome du cristal intrinsèque, et un de moins dans le cas des atomes
accepteurs. Le dopage permet d'avoir beaucoup plus de porteurs d'une espèce
donnée que de l'autre, et il a apporté une fragilité supplémentaire dans les liaisons
atomiques : l'énergie nécessaire pour arracher un porteur majoritaire d'un atome
est d'environ 0,1eV: il y aura plus de charges participant à la circulation du courant
que dans un cristal intrinsèque.

Figure II.10 : Réseau

Fig.2.6. cristallin
Réseau cristallin d’un
d’un semisemi-conducteur duN.
- conducteur de type type N
EN BREF ET A RETENIR :

Si on remplace dans un cristal pur, certains atomes par des atomes d’un
autre corps simple, on dit que l’on dope le cristal avec des impuretés.

Exemple : le silicium (Si) est un matériau tétravalent (colonne IV), on peut

effectuer le dopage avec des atomes :

- trivalents (Bore (B), Aluminium (Al) ou le Gallium (Ga) de la colonne

III ). Dans ce cas on créera un apport de trous. On dit que le semi-
conducteur est dopé P et que les impuretés introduites sont
acceptrices d’électrons.
 43

Silicium dopé au Bore ; (a) T=0K, (b) T≠0K

- pentavalents (Phosphore (P), Arsenic (As) ou Antimoine (Sb) de la
colonne V). On crée alors un apport d’électrons supplémentaires. Le
semi-conducteur est dopé N et les impuretés sont dites donneuses
d’électrons.

Silicium dopé au Phosphore ; (a) T=0K, (b) T≠0K

La concentration en impureté dopante reste toujours très faible quel que

soit le cas : de l’ordre de 1 atome d’impureté pour 107 atomes de silicium.
Si le semi-conducteur est dopé N, il y a beaucoup plus d’électrons libres
que de trous. On dit que les électrons sont les porteurs de charge
majoritaires. Dans le cas d’un dopage P, ce sont les trous qui sont les
porteurs majoritaires. Dans les deux cas on a: n≠p. En revanche, on
a toujours :
𝑛. 𝑝 = 𝑛𝑖 2

- Pour un semi-conducteur dopé N, soit ND la concentration en impureté

donneuses d’électrons. On a alors :
𝑛 ≈ 𝑁𝐷 𝑒𝑡 𝑝 ≈ 0 à 𝑇 = 300𝐾
- Pour un semi-conducteur dopé P, soit NA la concentration en impureté
accepteuses d’électrons. On a alors :
𝑝 ≈ 𝑁𝐴 𝑒𝑡 𝑛 ≈ 0 à 𝑇 = 300𝐾

La conduction dans ces matériaux est dite extrinsèque.

II.4.3. Conduction.
En pratique, seuls les électrons se déplacent. Au niveau mobilité des charges, on
voit que pour le silicium N, les charges mobiles sont les électrons libres, dont
l'énergie de liaison se situe dans la bande de conduction (il faut très peu d'énergie
pour les arracher de leur atome donneur) : ils vont donc être très mobiles.

Pour le silicium P, le déplacement de trous se fera en fait par déplacement

d'électrons qui seront obligés de venir des autres liaisons covalentes (génération
de paires électron-trou), donc de la bande de valence (il faut fournir une énergie
relativement élevée pour créer ces paires de porteurs) : ils vont être beaucoup
 44

moins mobiles que les électrons libres du silicium N, ce qui explique que la
conductivité du silicium P soit plus faible que celle du N.

La conduction est le résultat de trois termes :

1. Conduction par champ électrique : un champ externe va fournir
suffisamment d'énergie aux électrons libres (N) ou aux trous (P) pour qu'ils
se déplacent. On a une conduction dans un barreau de silicium monocristal
(N ou P).

2. Conduction par diffusion des porteurs : qui n'existe pas dans un cristal
homogène. Ce phénomène est dû à l'hétérogénéité du matériau (jonction,
dopage non homogène) : il y a un gradient de concentration des charges
qui se déplacent pour se répartir de façon homogène dans le cristal à la
manière des gaz.
3. Conduction par création/recombinaison de charges : ceci concerne les
charges libres minoritaires, qui peuvent être créées de diverses manières :
émission photonique, avalanche, passage de la barrière de potentiel d'une
jonction. Ces charges en excès se recombinent avec les porteurs
majoritaires selon une loi exponentielle de constante de temps égale à la
durée de vie des porteurs.

II.4.4. Production du silicium

Le silicium est obtenu à partir du sable (silice SiO2) par des traitements chimiques
et physiques complexes. Ce silicium n’est pas directement utilisable car il n’est pas
sous forme de cristal : les atomes ne sont pas rangés régulièrement dans l’espace
(silicium polycristallin).

Pour obtenir le silicium monocristallin, le silicium polycristallin est fondu dans un

creuset puis les impuretés (matériau dopant) sont ajoutées.

Il y a trois types de dopage :

 N− ou P− → dopage faible : 1014 atomes/cm3;

 N ou P → dopage normal : 1016 atomes/cm3;
 N+ ou P+ → dopage fort : 1020 atomes/cm3.

Un lingot de silicium monocristallin est obtenu par tirage à partir d’un germe
convenablement orienté. Diamètre normalisé des lingots : 150 mm, 200 mm et
300mm.
Les lingots sont ensuite découpés en plaquettes circulaires, appelées wafer, au
moyen d’une scie diamantée. Epaisseur des plaquettes après rodage : entre 350
et 650 µm. Elles ne doivent présenter aucun défaut et être parfaitement planes.

Toutes ces opérations se font dans des salles hermétiques pour empêcher la
contamination du silicium par d’autres impuretés que celles nécessaires au
dopage.
 45

Chapitre III :
LES COMPOSANTS PASSIFS

III.1. INTRODUCTION
Dans l’étude des lois générales de l’électricité et les cours théoriques
d’électronique, on considère les composants passifs comme étant des éléments
idéaux.
Un composant est dit passif lorsqu'il ne permet pas d'augmenter la puissance d'un
signal (dans certains cas, il s'agit même de réduire la puissance, souvent par effet
Joule). En d’autres termes, ils ne modifient pas la forme du signal mais quand ils
sont parcourus par un courant électrique, ils sont à la base de certains effets.
Dans cette partie du cours, on va découvrir comment sont réalisés les composants
réels qu’on utilise dans les circuits, quelles sont leurs propriétés et leurs
caractéristiques, et on étudie leur technologie. Et ces composants sont les
suivants : les résistances, les condensateurs, et les bobines.

III.2. LES RESISTANCES

III.2.1. PRESENTATION

Une résistance est un composant électronique ou électrique dont la

principale caractéristique est d'opposer une plus ou moins grande résistance
(mesurée en ohms) à la circulation du courant électrique. La résistance
(Résistor) est l'élément le plus simple, très utilisé en électronique. Il conduit
l'électricité avec un effet résistif. Il est bidirectionnel, il n'y a pas de sens
obligatoire du passage du courant.

La résistance est le pouvoir qu’à un corps de s’opposer plus au passage du

courant électrique. Ce pouvoir est matérialisé par un composant appelé
"resistor".

La résistance est la caractéristique d'un composant à s'opposer au

passage du courant (flux d'électrons) et s’accompagne d’une dissipation
d’énergie dans le composant par effet joule. Cette dissipation est à
prendre en compte dans le choix du composant.

L'unité de la résistance est le « Ohm » dont le symbole est la lettre Oméga

(Ω).
Le composant dont la caractéristique principale est la résistance
s'appelle résistance (en anglais « résistor » qui utilise 2 mots différents
pour désigner le phénomène physique et le composant).
 46

La résistance est un composant passif non polarisé (indépendant du

sens du courant qui la traverse, ce qui n'est pas le cas des diodes et de
certains condensateurs). La gamme des résistances produites par l'industrie
s'étend de quelques dizaines de milli ohms (mΩ=1x10 -3Ω) à quelques
dizaines de Mégohms (MΩ = 1x106 Ω) et ont des valeurs normalisées
sauf commande spéciale (en grande quantité). La valeur est indiquée à
25°C avec une tolérance (précision de 10%, 5%, 2%, 1%, 0,5%, 0,1%) ;
soit par un marquage direct soit par un code de couleurs et avec
parfois un coefficient de température indiqué en parties par million
par degré (ppm/°) (variation de la valeur de la résistance en fonction
de la température).

III.2.2. SYMBOLES

Les figures illustrent l’image d’un résistor (d’une résistance) :

Figure III.1 : symbole d’une résistance

Notons que le deuxième symbole est le plus ancien tandis que le premier
est considéré comme étant l’actuel.

III.2.3. PRINCIPES ET PROPRIETES

III.2.3.1. Loi d'ohm

La loi d'Ohm se traduit par la relation :
𝑈 = 𝑅 .𝐼
𝑅 = 𝑈/𝐼 (III.1)
Avec:

 R étant la résistance exprimée en ohms qui caractérise ce conducteur,

et certains matériaux qui ont un comportement linéaire.
 I(t) : courant traversant la résistance (en ampère : A)
 U(t)=Ri(t)

U(t) : tension aux bornes de la résistance (en volt : V)

Le comportement linéaire de la résistance peut être traduit à la figure
suivante :

𝑈(𝑡)

𝑖(𝑡)

Figure III.2 : caractéristique de transfert résistance linéaire

 47

III.2.3.2. Résistivité

La résistance dépend à la fois de dimensions du conducteur et de sa nature.

Par exemple, la résistance d’un fil R est proportionnelle à sa longueur l et
inversement proportionnelle à sa section S. Cela se traduit par la loi de
Pouillet suivante :
𝜌.𝐿
R= 𝑆 (III.2)

Le coefficient ρ est la caractéristique d’un matériau donné et se nomme

résistivité. L’unité de résistivité est l’ohm-mètre (Ωm).

III.2.3.3. Effet Joule

Une résistance parcourue par un courant électrique consomme une énergie
électrique et la transforme en chaleur. La puissance correspondante (qui
correspond à un débit d’énergie) s’exprime par l’une des trois formules,
équivalentes grâce à la loi d’Ohm :
𝑼𝟐
𝑃 = 𝑈. 𝐼 = R.I2 = (III.3)
𝑹

III.2.4. CARACTERISTIQUES PRINCIPALES DES RESISTANCES :

Les résistances sont caractérisées par :

- La précision de leurs valeurs nominales ;

- Leurs puissances maximales admissibles;
- Leurs tensions de bruit ;
- Leurs diverses technologies.

III.2.4.1. La précision de leurs valeurs nominales :

On appelle valeur nominale d’un élément, la valeur indiquée par le

constructeur ; Elle est caractérisée par :

a) La tolérance de fabrication : aucune valeur indiquée par le

constructeur ne peut être exacte, il existe toujours une fourchette
sous forme d’un pourcentage nous permettant de déterminer la valeur
réelle de la résistance par défaut ou par excès selon le pourcentage
de la tolérance.
Par exemple, un élément résistif est marqué : 10KΩ±5% ; cela
signifie l’écart maximum par rapport à 10KΩ doit être :
10x103x5/100=500Ω. C’est-à-dire que la valeur réelle de l’élément
peut être comprise entre 9500Ω à 10500Ω.

b) Echelles de valeurs normalisées : on distingue les séries suivantes des

valeurs normalisées : E192 ; E96 ; E48 ; E24 ; E12 ; E6 ; E3 ;
correspondant respectivement aux tolérances : 0.5% ; 1% ; 2.5% ;
 48

5% ; 10% ; 20% ; et 40%. Mais de toutes ces séries, la série E24 est
la plus couramment utilisée, ces valeurs sont les suivantes :
10 ;11 ;12 ;13 ;15 ;16 ;18 ;20 ;22 ; 24 ; 27; 30,1; 33 ; 36 ;
39 ;43 ;47 ;51 ;56 ;62 ;68 ; 75 ;82 ;91.
c) Marquage de la valeur nominale : lorsque la valeur nominale et la
tolérance d’une résistance sont parfois inscrites sur le corps du
composant, on dit que c’est le marquage en clair (marquage direct),
dans le cas contraire, c’est-à-dire le marquage par le code des
couleurs que l’on doit décrire sans la moindre hésitation.

d) Influence de la température : la température influe sur la valeur d’une

résistance. C’est pourquoi il convient de connaitre véritablement la
puissance maximale dissipable par une résistance.

III.2.4.2. La puissance maximale admissible

Si on demande à une résistance de dissiper une puissance trop importante,

elle peut :

- Soit brûler ;
- Soit, plus insidieusement, changer fortement de valeur sans
modification de son aspect externe.
Il importe donc de savoir calculer la puissance dissipée par une résistance
dans un montage.

Exemple : quelle est la puissance dissipée par une résistance de 560Ω

soumise à une tension de 30V ?

III.2.4.3. La tension de bruit

Il s’agit de la tension parasite variable aléatoirement aux bornes de la

résistance. Si la résistance est montée en début d’une chaîne
d’amplification, ses tensions de bruit sont amplifiées au même titre que le
signal utile. Cela se traduit par une perturbation du signal final :

- Bruits parasites dans le cas d’une chaîne d’amplification

audiofréquences;
- Neige sur l’image d’un téléviseur ;
- Déviation intempestives de l’aiguille d’un voltmètre à amplificateur
électronique ; etc.
Le bruit d’une résistance a deux origines :

- Le bruit thermique ;
- Le bruit de courant
 49

Le bruit thermique

Le bruit thermique est un bruit qui ne dépend pas du courant que l’on fait
passer dans la résistance, ni aussi de la technologie de construction de celle-
ci. Le bruit thermique a pour expression :

e= √4𝐾. 𝑇. 𝑅. 𝐵 (III.4)
Où :
e= tension efficace de bruit en volts ;
K= constante de Boltzmann (1,38.10-23J/°C) ;
T= t+273°, t étant la température de la résistance évaluée en degrés
Celsius ;
R= valeur de la résistance en ohms ;
B= bande passante de l’amplificateur évaluée en hertz.

Exemple : calculer la tension efficace de bruit thermique d’une résistance

de 100KΩ à la température de 20°C suivie d’un amplificateur ayant une
bande passante de 20KHz.

Le bruit de courant

Le passage du courant dans une résistance s’accompagne de l’apparition

d’un bruit supplémentaire nettement plus fort que le bruit thermique. Le
bruit de courant dépend de l’intensité qui traverse l’élément résistif donc de
la tension à ses bornes. On l’évalue en µV efficaces par volt appliquée à la
résistance.

III.2.5. La technologie

Du point de vue technologique et utilisation, retenons qu’il existe deux types

de résistances, à savoir :

- Les résistances fixes (dont la valeur ohmique n’est guère être

modifiée) ;
- Les résistances variables (dont la valeur ohmique peut être facilement
variable).
- Les résistances spéciales

S’agissant des résistances fixes, on en distingue plusieurs, et leurs

nominations dépendent de leurs technologies de fabrication. Nous pouvons
citer :

- Les résistances au carbone aggloméré ;

 50

- Les résistances à couche de carbone ;

- Les résistances à couche métallique ;
- Les résistances bobinées.

III.2.5.1. Les résistances au carbone aggloméré

Moulage d'un mélange de silice, Bakélite et carbone comprimés dans un

tube de Bakélite. Ces résistances sont de moins en moins utilisées à cause
de leur stabilité médiocre, tension de bruit importante. On les trouve encore
pour des valeurs très élevées de 1 MΩ à 100 MΩ.

Les résistances agglomérées sont les plus anciennes. Elles sont fabriquées
à partir de poudre de carbone mélangée à un isolant et à un liant et entouré
d’un enrobage. Leurs tolérances sont de 20% (sans anneau de
tolérance) ou de 10% (Anneau argent). Elles sont non inductives mais
assez bruyantes. Elles existent en différentes puissances.

Figure III.3 : Photo de la résistance à couche de carbone

Caractéristiques :

Ces résistances ont comme caractéristiques :

- faible coût ;
- grande tension de bruit ;
- la construction presque abandonnée.

III.2.5.2. Les résistances à couche de carbone

On dépose une couche mince de carbone et de résine sur un bâtonnet

isolant de céramique ou de verre. On trace ensuite une hélice au faisceau
laser qui enlève le carbone sur une très faible largeur. La piste de carbone
résistante est alors semblable au fil d'une résistance bobinée. On place
ensuite les capsules de sertissage avec les fils de raccordement aux deux
extrémités puis on fait l'enrobage de protection et le marquage de couleur.

Les résistances à couche de carbone sont constituées d’une très fine

couche de carbone déposée sur un barreau isolant en céramique et
recouverte d’une couche de vernis. La valeur est ajustée en creusant
la couche de carbone en forme hélicoïdale. Elles existent soit avec
deux bagues de connexion fixées aux extrémités soit sans bagues de
 51

connexion, les connexions étant soudées directement aux extrémités

(plus fiable mais plus fragile).
De par leurs conceptions, elles possèdent en plus une certaine self-
induction (bobine). Elles sont moins bruyantes et plus stables que les
résistances agglomérées. Ce sont les plus courantes et les moins chères des
résistances.

Figure III.4 : La photo de la résistance à couche de carbone

a) Caractéristiques :

Ces résistances ont comme caractéristiques :

- faible coût ;
- bruit plus faible que les résistances au carbone aggloméré ;
- une stabilité et précision moyennes ;
- et une puissance qui varie de 1/2W à 2W selon leurs dimensions.

Puissance
Sur les petites résistances, aucun marquage ne donne une indication de
puissance, seules les dimensions permettent de savoir quelle puissance
maximum peut dissiper une résistance.

Figure III.5 : Les différentes puissances des résistances à couche de

carbone

Il existe d'autres valeurs (1/8 W, 1 W) moins courantes pour lesquelles on

se réfère aux indications du fournisseur.
 52

ATTENTION : Ces puissances limites d'utilisation ne sont valables que

jusqu'à 25°C (température ambiante). Au-delà de cette température, il faut
se baser sur les courbes de réduction de puissance des fabricants. La plupart
des résistances sont utilisables jusqu'à 120°C.
Exemple : Résistance de 2W

Figure III.6 : La courbe de la relation Puissance –température d’une

résistance
Supposons que la température ambiante atteigne 80°C.

- Par lecture graphique : la résistance ne peut plus dissiper 2W, mais

seulement 0,85 W ;
- Par calcul : on a 2 triangles rectangles semblables :
er
Le 1 a pour côtés de l'angle droit

 En vertical de 0 à 2 W
 En horizontal de 25 à 120°C = 95°C

Le 2ème a pour côtés de l'angle droit

 En vertical, la valeur cherchée x

 En horizontal de 80 à 120°C = 40°C

Il y a proportionnalité de telle façon que :

2𝑊 95°𝐶 2.40
= →𝑋= = 0.84 𝑊
𝑋 40°𝐶 95

X=0.84 W

Autres résistances à couche de carbone de puissance sont des dimensions

:
- 1/4W = 2,5mm x7mm,
 53

- 1/2W = 8mm x 10,3mm,

- 1W = 5mm x 10,5mm
- 2W = 5mm x 15 mm

Figure III.7. Photo des résistances à couche de carbone de puissance.

III.2.5.3. Les résistances à couche métallique

Procédé de fabrication identique aux résistances à couche de carbone à
l'exception du dépôt qui est à base d'oxydes métalliques ou de métaux
précieux ou d'alliage Nickel-Chrome.
Les résistances à couche métallique ou à film métallique sont constituées,
en général, d’un film métallique déposé sous vide sur un barreau isolant
en céramique. La valeur est ajustée en creusant la couche de métal
en forme hélicoïdale (voir la figure ci-dessous). Elles existent soit avec
deux bagues de connexion fixées aux extrémités (voir la 1 ère résistance)
soit sans bagues de connexion, les connexions étant soudées
directement aux extrémités (plus fiable mais plus fragile) (voir la 4 ème
résistance).
De par leurs conceptions, elles possèdent en plus une certaine self-
induction (bobine). Elles sont moins bruyantes que les résistances
agglomérées et celles à couche de carbone. Elles sont, en général,
plus précises et ont un coefficient de température moindre mais elles sont
plus chères.

Figure III.8 : Photo des résistances à couche métallique

 54

III.2.5.4. Les résistances bobinées

Les résistances bobinées sont des résistances de puissance, en
général, constituées d’un support cylindrique en céramique (ou autre)
sur lequel a été bobiné en spires non jointives un fil résistant. De
par leurs constructions, ce type de résistances sont dotées d’une
caractéristique inductive importante ce qui ne les prédestinent qu’à une
utilisation aux basses fréquences.
Bobinées en boîtier dissipateur de type RH (Marque Dale, Vishay, Sfernice,
….)

Bobinées vitrifiées de type RB (Fabricants : Vishay, Sfernice, Welwyn,….)

Le fil métallique en Nickel-Chrome (en général) est bobiné sur un
support cylindrique en céramique, le tout est recouvert d’une couche de
verre (= vitrifiée).
 55

Les résistances bobinées cémentées avec une puissance de 5W ; 7W ; 11W ;

de la série E12.

Figure III.9 : Photo de résistances bobinées cémentées.

Résistance bobinée de puissance ajustable avec une bague de réglage
(point de contact en dessous) pour l’obtention d’une valeur intermédiaire.
Ici une résistance de 10Ω.

Figure III.10 : Photo de la résistance bobinée de puissance ajustable.

 56

III.2.5.5. Les résistances SMD ou CMS (Composants Montés en Surface)

Cette nouvelle technologie utilise des composants très petits permettant un

gain de place important et un encombrement réduit des circuits. Il n'y a
plus de fils pour le soudage mais les extrémités des composants permettent
le soudage direct sur le cuivre du circuit imprimé.

Figure III.11 : Montage des CMS sur une face du circuit imprimé et soudure par
refusions

Les circuits électroniques utilisent aussi des Résistances CMS (Composant

miniature de surface); pour des puissances de 1/2 W voir maintenant pour
les plus petites 0,25 W. Le code des couleurs indique leurs valeurs mais quand
cela devient trop petit la valeur se trouve inscrite en chiffres.

III.2.5.6. Les résistances de puissance

On trouve ces résistances dans les valeurs de puissance allant de 4 W à

2500 W. Elles supportent des températures de service allant jusqu'à 350 °
C. Elles sont soumises aux lois de réduction de puissance entre 25 ° C et
par exemple 350 ° C. Elles sont réalisées en fil bobiné (généralement alliage
Fer-Nickel).
 57

Figure III.12 : Quelques résistances de puissance

Attention : Ces résistances atteignent des températures dépassant le point

de fusion de la soudure à l'étain (environ 180 ° C). Dans les cas où la
résistance est fortement sollicitée, les connexions se feront sans soudure à
l'étain (vissées, par fiche AMP, etc.).
Les résistances vitrifiées avec intérieur creux auront une meilleure
évacuation thermique si elles sont montées verticalement avec tube
intérieur libre pour le passage de l'air (effet de cheminée).

III.2.6. LES RESISTANCES VARIABLES

Les résistances variables sont des résistances dont la valeur ohmique peut
être modifiée par l’utilisateur. La position du curseur détermine la fonction
de la résistance prélevée sur la valeur totale de celle-ci.

Figure III.13 : Symbole de la résistance variable

On distingue les résistances variables suivantes :

 58

- Les résistances réglables ;

- Les résistances ajustables ;
- Les potentiomètres.

III.2.6.1. Les résistances réglables

Il est souvent nécessaire de permettre à l’usager d’un appareil de contrôler

extérieurement et manuellement la valeur d’une résistance. On fait appel
alors à un élément résistif variable enfermé dans une enveloppe protectrice,
d’où sort une tige robuste reliée intérieurement au curseur et qui peut
recevoir un bouton isolant de réglage à son extrémité livre.
Exemple : réglage du volume d’un poste récepteur radio.
R1

Ve
VS
R2

Figure III.14 : Photo (à gauche et symbole d’un pont diviseur-

potentiomètre) d’une résistance réglable
Le potentiomètre : C’est une résistance variable montée en parallèle dans
un circuit électronique pour varier la tension dans la charge.

L’expression de Vs est donnée par la relation :

𝐑𝟐
𝐕𝐬 = 𝐕𝐞 𝐑𝟏+𝐑𝟐 (III.6)

Lorsqu'il est nécessaire de faire varier la valeur de la résistance, on utilise

un système à curseur qui frotte sur celle-ci, faisant intervenir ainsi dans le
circuit une portion variable de la résistance totale ; on réalise de la sorte un
potentiomètre.

III.2.6.2. Quelques potentiomètres

Les potentiomètres sont des résistances variables avec trois broches : A,

B, et le curseur C, utilisées pour modifier ou régler la tension dans un circuit
donné.
Il existe plusieurs types de potentiomètres ; à savoir :

- Les potentiomètres à piste ;

- Les potentiomètres bobinés ;
- Les potentiomètres multi tours ;
- Les potentiomètres à glissière.
 59

Les potentiomètres à piste

Cette piste peut être :

- Soit plane comme dans les ajustables ;

- Soit cylindrique et disposée sur la face interne de l’enveloppe
protectrice.

Figure III.15 : Photo de différents potentiomètres à piste

Les potentiomètres bobinés

Ils sont analogues mais la piste est remplacée par un enroulement de fil
résistif. Ces genres de potentiomètres supportent des puissances plus
élevées.

Figure III.15 : Photo du potentiomètre bobiné

Les potentiomètres multi tours

Pour des montages professionnels nécessitant une grande précision de

réglage (contrôle d’une température ou d’une vitesse sur une large gamme
de valeur) on a conçu des potentiomètres multi tours. Ce sont des
potentiomètres bobinés où le curseur se déplace à l’aide d’une vis à faible
pas contrôlée par l’axe. Pour ces potentiomètres, on a développé des
 60

boutons permettant de repérer la position de l’axe en nombre de tours grâce

à un totalisateur et en fractions de tours grâce à un vernier.

Figure III.16 : La structure interne et externe du potentiomètre multi

tours.

Les potentiomètres à glissière

Lorsqu’on veut repérer à vue l’état d’un potentiomètre sans avoir recours à
un mécanisme aussi précis et coûteux que le précédent, on peut utiliser des
potentiomètres à glissière. Leur piste résistive est rectiligne et leur curseur
se déplace en translation. Il trouve une application particulièrement
indiquée dans les tables de mixage des studios d’enregistrement.

Figure III.17 : Le potentiomètre à glissière

III.2.6.3. Les lois de variation

La variation de la résistance R est fonction de l’angle Ø de rotation du

curseur R=f(Ø) ; on distingue alors :

Les potentiomètres linéaires :

La plupart sont à variation linéaire, c'est-à-dire que la variation de

résistance est proportionnelle à l'angle de rotation. L'indication suivante
est portée sur le potentiomètre, par exemple pour 10 kΩ 10 k LIN ou 10
KA. La rotation se fait sur 270° (potentiomètre à butée min-max), sur 360
° (potentiomètre sans butée) ou sur plusieurs tours (système en hélice 10
tours ou 15 tours). La résistance R varie linéairement en fonction de Ø.
Symbolisé par la lettre A
 61

Figure III.18 : La variation linéaire Ø

d’un potentiomètre

Les potentiomètres logarithmiques :

La résistance R varie logarithmiquement en fonction de Ø. Généralement

c’est pour des usagers spéciaux, tels que les potentiomètres de volume
sonore des équipements électroacoustiques où les propriétés de l’oreille
humaine jouent un rôle important, on a développé ces potentiomètres non
linéaires. Symbolisé par la lettre B.

Figure III.19 : La variation logarithmique d’un potentiomètre

Les potentiomètres logarithmiques inverses :

La résistance R varie exponentiellement en fonction de Ø. Symbolisé par la

lettre C
R

Ø
Figure III.20 : La variation anti-logarithmique d’un potentiomètre

N.B : toutes ces lois sont obtenues en donnant aux pistes des largeurs ou
des épaisseurs variables. Dans le cas des potentiomètres bobinés, on peut
rapprocher plus ou moins les spires.
 62

III.2.7. Les résistances ajustables

On trouve les mêmes modèles que précédemment, mais leur réglage

nécessite l'usage d'un outil. Dans un appareil, ces potentiomètres, aussi
appelés "trimmers", sont prévus pour des ajustages ou réglages par des
professionnels.

Certaines résistances doivent pouvoir être ajustées après construction du

montage dont elles font partie, lors de son réglage final. On fabrique de
telles résistances en couchant une piste de carbone conducteur de forme
circulaire sur un support en bakélite ou en céramique.

Le rhéostat : c’est une résistance variable lorsqu’elle est montée en série

dans un circuit électronique ou électrique pour varier l’intensité du courant
électrique dans la charge

Figure III.21 : Représentation symbolique d’un rhéostat.

Le curseur métallique peut entrer en contact avec un point quelconque de
la piste conductrice lorsqu’on le fait tourner manuellement autour de son
axe à l’aide d’un tournevis isolant.

Figure III.22 : Photo de la structure interne d’une résistance ajustable

III.2.8. LES RESISTANCES SPECIALES

Pour certaines résistances variables, leur valeur intrinsèque peut varier

dans de très fortes proportions sous l’action d’un facteur physique tel que :
- La température de l’élément : thermistance ;
- La valeur de la tension à ses bornes : varistance ;
- La valeur du champ magnétique : magnétorésistance ;
- L’éclairement (lumière) : photorésistance ;
- Les contraintes mécaniques : piézorésistance
 63

Ce sont des résistances dont la valeur ohmique varie en fonction d’un

paramètre extérieur qui peut être :

III.2.8.1. Une thermistance

Ou Coefficient à Température Positif ou Négatif (C.T.P ou C.T.N).

t0
Figure III.23 : Symbole d’une thermistance.

III.2.8.2. La varistance
C’est une résistance dont la valeur ohmique varie en fonction de la tension
appliquée à ses bornes.

U
Figure III.24 : Symbole d’une varistance.

III.2.8.3. La Photorésistance (Light Depending Resistor : LDR) :

C’est une résistance dont sa valeur ohmique varie en fonction de la quantité
de lumière reçue.

Figure III.25 : Symbole d’une photorésistance.

III.2.9. MARQUAGE DES RESISTANCES PAR CODES DE COULEURS

Les résistances fixes sont marquées en claire (marquage direct) soit en code
de couleurs. Ces résistances sont en général identifiées par différents
anneaux de couleur tracés sur le corps du composant qui indiquent la valeur
nominale et la tolérance. Les éléments ordinaires Comportent quatre
anneaux tandis que les éléments de précision (1 % ou 2 %) en ont cinq.

III.2.9.1. Les différentes modalités de marquage de couleurs de résistances

Il existe deux manières de lire les valeurs sur les résistors selon qu’il s’agit
d’une résistance à couche de carbone ou une résistance bobinée. Il s’agit
du marquage direct et du marquage indirect. Ce dernier utilise la méthode
dite de « code de couleur » dont le tableau représentatif est repris ci-
dessous :
 64

Tableau III.1 : Tableau de correspondance des couleurs ainsi que

leurs tolérances

Code des couleurs pour les résistances

1er 2e 3e Dernier
Anneau Anneau
anneau anneau anneau anneau Abrév.
droite suppl.
gauche gauche gauche* gauche
Coefficient.
Couleur 1er chiffre 2e chiffre 3e chiffre Multiplicateur Tolérance Alpha.
température.
noir 0 0 0 100=1 ± 20 % 200 ppm BK
marron 1 1 1 101 ±1% 100 ppm BN
rouge 2 2 2 102 ±2% 50 ppm RD
orange 3 3 3 103 15 ppm OG
jaune 4 4 4 104 25 ppm YW
vert 5 5 5 105 ± 0,5 % GN
bleu 6 6 6 106 ± 0,25 % BU
violet 7 7 7 107 ± 0,10 % VT
gris 8 8 8 108 ± 0,05 % GY
blanc 9 9 9 109 WT

or 0,1 ±5% GD
argent 0,01 ± 10 % SR
(absent) ± 20 %

III.2.9.2. Méthode pour déchiffrer

Il faut tout d'abord placer la résistance dans le bon sens. En général, la

résistance possède un anneau doré ou argenté, qu'il faut placer à droite.
Dans d'autres cas, c'est l'anneau le plus large qu'il faut placer à droite.
Il existe trois types de résistances : les résistances à 4, 5 et 6 anneaux.

Résistances à 4 anneaux :

 Les deux premiers anneaux donnent les chiffres significatifs (le

premier donne la dizaine et le second l'unité).
 Le troisième donne le multiplicateur (la puissance de 10 qu'il faut
multiplier avec les chiffres significatifs).
 Le quatrième la tolérance (les incertitudes sur la valeur réelle de la
résistance donnée par le constructeur).
 65

A titre illustratif :

1er chiffre 2ème chiffre Multiplicateur Tolérance

0 0 1 10%
1 1 10
2 2 100 5%
3 3 1k
4 4 10k
5 5 100k
6 6 1M
7 7 10M
8 8
9 9

Exemple :

J V O OR

Figure III.26 : Représentation d’une Résistance à quatre anneaux.

Donc la valeur de cette résistance est : 45 x 103Ω à 5 % soit 45kΩ ±5 %.

Résistances à 5 anneaux

 Les trois premiers anneaux donnent les chiffres significatifs.

 Le quatrième donne le multiplicateur (la puissance de 10 qu'il faut
multiplier avec les chiffres significatifs).
 Le cinquième la tolérance (les incertitudes sur la valeur réelle de la
résistance donnée par le constructeur).

J V O M OR

Figure III.27 : Représentation d’une résistance à cinq anneaux

Donc la valeur de cette résistance est : 453 x 10Ω à 5% soit 4530Ω ±5%
 66

Résistances à 6 anneaux

 Les quatre premiers anneaux ont la même signification que les

résistances à 5 anneaux (voir ci-dessus).
 Le sixième est un coefficient de température (variation de la
conductivité électrique avec la température).

O V M R OR J

Figure III.28 : Représentation d’une résistance à six anneaux

Donc la valeur de cette résistance est : 453 x 102 Ω à 5% soit 45,3kΩ±5%
à 25°C

III.2.9.3. Influence de la température

La température influe sur la valeur d’une résistance. C’est pourquoi il

convient de connaitre la puissance maximale dissipatifs par une résistance.
III.2.10. COUPLAGE (ASSOCIATION) DES RESISTANCES

De manière générale, il existe 3 types de couplages de résistances, à

savoir :
- Le couplage en série ;
- Le couplage en parallèle
- Le couplage série-parallèle ou mixte

III.2.10.1. Association des résistances en série

R1 R2 Rn La résistance équivalente de
A résistances
B branchées en série
équivaut à la somme de ces
résistances.
Rab
Rab = R1 + R2 + …Rn
 67

III.2.10.2. Association des résistances en parallèle

A La résistance équivalente de résistances

branchées en parallèle est définie par la
relation suivante :

R1 R2 Rn Rab 1 = 1 + 1 + ….. 1
Rab R1 R2 Rn

Attention, la résistance obtenue est

l’inverse de celle désirée !
B
III.2.10.3. UTILISATION
Les résistances sont utilisées dans de nombreuses applications :
 Elles permettent d’adapter le courant dans un circuit ;
 Limiter le courant dans un circuit.
 etc.

On mesure la valeur de la résistance à l’aide d’un multimètre par la fonction

ohmmètre. Toute mesure de résistance se fait hors tension et si la
résistance se trouve sur un circuit, il faut dessouder une patte pour la
mesurer.

III.3. LES CONDENSATEURS

III.3.1. Présentation
Deux conducteurs, séparés par un isolant, constituent un condensateur.
Tout conducteur isolé possède une capacité par rapport aux autres
conducteurs.
Donc, on forme un condensateur en rapprochant deux conducteurs appelés
armatures. Si les deux armatures sont planes, on obtient un condensateur
plan ; voir (figure II.29) ci-dessous. Pour les condensateurs, on appelle
l’isolant un diélectrique.

La capacité du condensateur va dépendre alors de la matière utilisée pour

le diélectrique et de la surface en vis à vis.

Figure III.29 : Représentation d’un condensateur plan.

 68

Le condensateur est un composant électronique ou électrique élémentaire,

constitué de deux armatures conductrices (appelées « électrodes ») en
influence totale et séparées par un isolant polarisable (ou « diélectrique »).
Sa propriété principale est de pouvoir stocker des charges électriques
opposées sur ses armatures. La valeur absolue de ces charges est
proportionnelle à la valeur absolue de la
tension
Un qui lui estest
condensateur appliquée.
constitué de deux plaques
conductrices (étain, cuivre, aluminium...)
appelées armatures, placées en regard l’une
de l’autre, et séparées par un isolant
d’épaisseur variable appelé diélectrique. Les
diélectriques les plus utilisés sont l’air, le mica,
le papier, le mylar, le plastique, le verre, etc.

Figure III.30 : Présentation structurelle d’un condensateur

III.3.2. Symbole
Le symbole utilisé pour représenter un condensateur parfait dans les
schémas de circuit est illustré à la figure suivante :
C
C
I
OU

+ -
V
Figure III.31 : symbole graphique d’un condensateur

III.3.3. Caractéristiques
Il se caractérise par sa capacité C qui est la constante de proportionnalité
entre la charge (ou quantité d’électricité) qu’il acquiert et la tension U
appliquée à ses bornes. Lorsqu’on applique entre les armatures d’un
condensateur une tension U elles accumulent deux charges opposées +Q et
–Q évaluées en coulomb (C).
Le condensateur est caractérisé par le coefficient de proportionnalité entre
charge et tension appelé capacité électrique et exprimée en farads (F). La
relation caractéristique d'un condensateur idéal est :

𝑑𝑢
𝑖 = 𝐶 𝑑𝑡 (III.9)
Où :
 i : est l'intensité du courant qui traverse le composant, exprimée en
ampères (symbole : A) ;
 u : est la tension aux bornes du composant, exprimée en volts
(symbole : V) ;
 69

 C : est la capacité électrique du condensateur, exprimée en farads

(symbole : F) ;
du
 dt est la dérivée de la tension par rapport au temps.

La valeur de cette capacité est:

C=8,85x10-12ε0 (III.10)
Avec
 S : Surface des conducteurs traversés par le champ et placés en face
[en m2] ;
 e : Épaisseur du diélectrique qui sépare les deux conducteurs [en m]
 ε0 : Constante diélectrique ou permittivité relative du diélectrique par
rapport au vide (dans le vide ε0 = 1)

En se référant à la figure suivante, la Capacité C du condensateur est

donnée par :

Figure III.32 : Géométrie et forme d’un condensateur

D’où,
𝑆
𝐶 = 𝜀𝑜 𝜀𝑟 𝑒 (III.11)

10−9 𝐴.𝑆
 Ɛo est la permittivité du vide : 𝜀𝑜 = = 0,885. 10-11 (en )
36.𝜋 𝑉.𝑚
 Ɛr : est la permittivité relative du diélectrique, c’est-à-dire de la
matière se trouvant entre les armatures ; on l’appelle encore
constante diélectrique.

Cette capacité s’exprime en Farad. Ce dernier étant une unité beaucoup

trop grande pour les applications pratiques, on utilise couramment les
unités suivantes :

 Le micro farad (uf) = 10-6 F

 Le Nano farad (nf) = 10-9 F
 Le pico farad (pf) = 10-12 F
II.3.4. Quantité de charge et énergie stockée par un condensateur parfait

La quantité de charge électrique emmagasinée par un condensateur est:

 70

𝑄 = 𝐶𝑉 = 𝐼. 𝑡 (III.12)
Où :
 Q : Charge électrique en coulomb [C]
 C : Capacité en farad [F]
 V : Tension en volt [V]

Dans tout condensateur, le rapport V/Q est constant quelle que soit V et
quelle que soit Q. Ce rapport C= Q/V s’appelle « la capacité » du
condensateur.

La quantité d’énergie emmagasinée par un condensateur dépend

directement de la tension à ses bornes et de la valeur de la capacitance. La
tension est limitée par la nature et par l’épaisseur du diélectrique.
Lorsqu’elle dépasse une certaine valeur, un arc prend naissance entre les
armatures et détruit l’isolant. D’où, l’énergie électrique emmagasinée par
le condensateur est donnée par la relation :

𝑄𝑉 𝐶𝑉²
W= = (III.13)
2 2
 W : énergie en joule [J]
 C : capacité en farad [F]
 V : tension en volt [V]

Il est à noter que la tension aux bornes du condensateur ne peut varier

brusquement. Le graphique suivant donne la forme de ladite variation :

Figure III.33 : Forme de la courbe reflétant la variation de la tension aux

bornes du condensateur
II.3.5. Fonctionnement

Lorsque le condensateur est relié à un générateur, il va emmagasiner une

certaine quantité de charges en fonction de sa capacité : il va se charger.
Lorsqu’un condensateur chargé est relié par un conducteur, il va libérer les
charges emmagasinées : il se décharge.

++++++ A ++++++ A
E Uab _______ Uab
______
B électrons B
électrons
 71

 E 
0V

Figure III.34 :
Modèle équivalent d’un condensateur (b) Modèle équivalent condensateur
déchargé chargé

Figure III.35 : Modèle réel d’un condensateur

Avec :
- RP : Résistance qui va provoquer la décharge du condensateur
d’autant plus vite que Rp est petite. RP supérieure à 1Mohms.
- RS : Résistance en série due aux contacts, quelques dixièmes d’ohms.

Lorsque le condensateur se charge et se décharge avec un courant élevé,

celui-ci dégage de la chaleur.
- LS : Aux hautes fréquences apparaît une inductance en série, elle
dépend de la technologie de fabrication.

Un condensateur ne garde jamais indéfiniment sa charge à cause du courant

de fuite (dû à Rp). Suivant le type de condensateur, la décharge peut aller
de quelques secondes à quelques jours.

III.3.6. Charge de condensateur

Le temps de charge d’un condensateur dépend de la constante de temps τ

du circuit RC suivant :
Dans le circuit RC série
Le temps de charge ci-contre, la tension
d’un condensateur aux bornes du
dépend de la condensateur varie
constance de temps selon les deux lois ci-
τ = R.C. dessous.
 72

Figure III.36 : Le circuit RC

Après un temps de 1 τ la tension aux bornes de C est de 63% de la tension

d’entrée E et après 5 τ le condensateur peut être considéré comme chargé.
La courbe de charge du condensateur est une fonction exponentielle
représentée comme suit :

Figure III.37 : Courbe de charge d’un condensateur

III.3.7. Décharge du condensateur

Si l’on applique une tension nulle entre les points a et b le condensateur est
complètement déchargé après 5 τ.

Figure III.38 : Courbe de décharge d’un condensateur

II.3.8. Applications d’un condensateur

Le condensateur en tant que composant électronique est utilisé pour des

fonctions suivantes qu’il peut jouer dans un circuit ; nous pouvons citer :

- Le réservoir : pour accumuler les charges électriques et les restituer

par une décharge dans une charge (résistance électrique par
exemple);
- Le filtrage : utilisé dans le circuit d’alimentation pour réduire les
ondulations afin d’obtenir une tension ou un courant presque continu ;
- Couplage B.F (la liaison) : pour relier deux étages (amplificateur par
exemple) d’un montage afin de bloquer le continu et laisser passer
l’alternatif ;
 73

- Le découplage : pour relier en alternatif à la masse par exemple une

des électrodes d’un transistor ;
- L’accord : pour réaliser un circuit oscillant LC ou RC ;
- Protection contre les surtensions sur les composants travaillant en
commutation ;
- Circuits oscillants ;
- Bascule monostable ;
- Intégrateur, dérivateur.

III.3.9. LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES TECHNOLOGIQUES D’UN CONDENSATEUR

Les caractéristiques essentielles d’un condensateur dépendent de sa

technologie. Et le choix d’un type de condensateur se fait en fonction de
son utilisation. Les caractéristiques d’un condensateur sont les suivantes :

- La capacité (valeur nominale) : c’est la propriété caractéristique d’un

condensateur, elle est évaluée en farad (pF, nF, et µF qui sont ses
sous multiples) ; ou encore Capacité pour laquelle est prévu le
condensateur, noté par le code des couleurs ou directement en clair
sur le condensateur.

- La Tension de service (ou tension nominale) : qui est la tension

maximale à ne pas dépasser qu’il faut soumettre les armatures d’un
condensateur afin d’éviter le court-circuit ou faire percer une étincelle
dans le diélectrique qui rendra hors-service le composant ; ou encore
Tension notée sur le condensateur. Si le signal est continu, c’est la
tension à ne pas dépasser. Si le signal est alternatif, c’est la tension
crête à ne pas dépasser.

Uc Uc Un
Un
t t

- La tolérance : la valeur de la capacité fixée par le constructeur ne

pas toujours exacte, alors il ya une fourchette sous forme d’un
pourcentage nous permettant de déterminer la valeur réelle de la
capacité du condensateur par défaut ou par excès selon le
pourcentage de la tolérance ;
- Le coefficient de température : tout comme une résistance, la
capacité d’un condensateur dépend de la température par la relation
C= Co (1+𝛼t) ;
 74

- La polarité éventuelle : selon les différentes technologies utilisées

pour la fabrication de condensateur, il existe des condensateurs
polarisés et non polarisés ;
- Le type de diélectrique : c’est généralement cette caractéristique qui
définit le nom du condensateur. Nous avons des diélectriques liquides
et solides.
- Résistance d’isolement (ou de fuite) : C’est la valeur de la résistance
mesurée entre les bornes du condensateur sous une tension continue.
Cela représente la valeur de la résistance Rp. Elle engendre la
présence de courant de fuite.

III.3.10. Les technologies

S’agissant de la technologie, nous distinguons plusieurs types de

condensateurs, et leurs nominations dépendent de diélectriques utilisés.
Nous pouvons citer :
- Les condensateurs enroulés ;
- Les condensateurs électrolytiques ;
- Les condensateurs au film plastique ;
- Les condensateurs au céramique ou mica ;
- Les condensateurs variables et ajustables.

III.3.11. Les condensateurs électrolytiques

Ce sont des condensateurs polarisés et qui ont une forte capacité.

L’électrolyte utilisée comme diélectrique peut être liquide, gélifié, ou solide.
Les armatures sont en aluminium ou au tantale. Leurs symboles sont :

Figure III.39 : Les symboles graphiques des condensateurs électrolytiques

III.3.12. Valeurs usuelles des capacités et tensions de services :

 Capacité en µF : 0,22 ;
0,33 ;1 ;2,2 ;3,3 ;10 ;22 ;33 ;47 ;100 ;220 ;330 ;470 ;
 75

500 ; 660 ; 1000 ; 2200 ; 3300 ;

6600 ;… ; 100 000.
 Tension en volt :

6 ;10 ;16 ;25 ;35 ;50 ;63 ;100 ;160 ;200 ;250 ;350 ;385 ;400 ;
500.
Il faut faire très attention à la polarité sous risque de destruction.

Condensateur aluminium à électrolyte liquide.

Le diélectrique est composé d’alumine, plongé dans de l’acide borique.
L’électrode et la cathode sont composées d’aluminium.
- Valeur nominale : de 1µF à 150000µF ;
- Tolérance : de 10 à 20 ;
- Tension de service : - miniature de 2,5V à 63V,
- ordinaire de 150V à 550V.
- Courant de fuite : de quelques microampères ;
- Limite en fréquence : inférieure à 10kHz ;
- Utilisation : - Filtrage, découplage en Basse fréquence, résistance
série très bonne ;
- Avantage : Faible volume pour une grande capacité.

Condensateur tantale à électrolyte gélifié.

L’anode est une pastille de poudre de tantale pressée et frittée. La cathode
est composée du boîtier en argent. L’électrolyte est à base d’acide
sulfurique :
- Valeur nominale : de 1µF à 1000µF ;
- Tolérance : de 10 à 20 ;
- Tension de service : - 6V à 150V ;
- Courant de fuite : de 1 microampère ;
- Limite en fréquence : inférieure à 10kHz ;
- Utilisation : - Filtrage, découplage en Basse fréquence ;
- Inconvénient : Utilisés que pour de faible valeur de tension de service.

Le type tantale est une amélioration : plus faible encombrement, tolérance

rigoureuse, mais une tension de service inférieure (150V). Cela reste un
composant basse fréquence. Néanmoins, certains types peuvent être
exploités jusqu'à quelques centaines de kHz.

En très basse tension (5 V), il existe des condensateurs de 1F. Ces

condensateurs ont plus d’application dans les alimentations électroniques.
 76

Figure III.40 : Le condensateur électrolytique au tantale.

III.3.13. Les condensateurs réglables

Ils permettent le réglage de la capacité par un curseur. Le diélectrique qui
les compose est à air ou à diélectrique plastique.

Figure III.41 : Les différents condensateurs réglables

Principe : On déplace une des armatures du condensateur par rapport à
l’autre. La distance entre les deux armatures est donc modifiée, la capacité

Figure III.42 : Quelques différents condensateurs réglables

 77

aussi (voir la formule du condensateur plan). Ce type de condensateur est

utilisé pour les circuits d’accord AM, FM.

III.3.14. MARQUAGE DES VALEURS DES CONDENSATEURS

Le tableau ci-dessous nous montre les différents condensateurs dont le

marquage de la valeur de leur capacité est indirect ; c’est-à-dire par le code
de couleur :
1, 2, 3, 8, 10, 11, et 12 : condensateur céramique ; 4 et 5 : céramique
monolithique ; 8 : condensateurs au film plastique ; 6 et 9 : condensateur
au mica.
 78

Tableau pour le code de couleurs des condensateurs

Méthode de décodage des couleurs

20%
10%

1er chiffre 2ème chiffre Multiplicateur. Isolation (VDC)

0 0 1
1 1 10 100
2 2 100 250
3 3 1k
4 4 10k 400
5 5 100k
6 6 630
7 7
8 8
9 9
 79

Tableau des valeurs normalisées

La série définit le nombre des premiers chiffres significatifs auxquels on

applique un coefficient multiplicateur puissance de 10 (de 10-2 à 105). C’est
la tolérance qui définit la série.

E24 E12 E6 E3
10 10 10 10
11
12 12
13
15 15 15
16
18 18
20
22 22 22 22
24
27 27
30
33 33 33
36
39 39
43
47 47 47 47
51
56 56
62
68 68 68
75
82 82
91

III.3.15. COUPLAGE OU ASSOCIATIONS DES CONDENSATEURS

Comme dans le cas de la diode, il existe 3 modes de couplages des

condensateurs, à savoir :

- Le couplage en parallèle
- Le couplage en série
- Le couplage en mixte ou série-parallèle

Association des condensateurs en parallèle

La capacité équivalente de n condensateurs montés en parallèle vaut la

somme des capacités de tous les condensateurs :
 80

Céq. = C1 + C2 +C3

Mise en série des condensateurs

L’inverse de la capacité équivalente de condensateurs montés en série vaut

la somme de tous les inverses des capacités.

1 1 1 1
= + +
𝐶é𝑞 𝐶1 𝐶2 𝐶3

III.3.16. CHOIX DU CONDENSATEUR

Le choix d’un condensateur dépend des critères suivants:

- Capacité nominale
- Tension de service
- Type du diélectrique
- Encombrement
- Prix

Le choix du diélectrique est à faire selon l’application.

III.4. LES BOBINES

Les composants inductifs sont souvent mal connus et peu appréciés par les
électroniciens. En effet, en basse fréquence, les bobinages sont lourds et
encombrants et on ne les utilise que lorsque c’est vraiment nécessaire. Par
contre, en haute fréquence, les bobines sont de petite taille et leur emploi
est plus intéressant.
 81

III.4.1. DEFINITION DE L’INDUCTANCE

Une bobine solénoïde est constituée de SPIRES dont la longueur est

inférieure au diamètre. Lorsqu’on fait circuler un courant d’intensité I dans
les spires de la bobine, il s’y crée un champ électrique qui embrasse toute
la bobine.

Le champ électrique dépend aussi de la matière formant le noyau de la

bobine et représenté par la perméabilité magnétique notée µ. D’où,
l’induction électromagnétique produite est donnée par la formule :
𝒏
β= 𝝁. 𝒍 .I (III.15)

Avec β : induction électromagnétique ;

µ : perméabilité magnétique ;
n : nombre de spires ;
l : longueur de la bobine ;
I : intensité du courant qui traverse la bobine.

l
I
I Sortie
Entrée

Figure III.43 : Le symbole graphique d’une self induction

Le passage d’un courant électrique i dans une bobine crée un flux

magnétique Φ. La loi de Lenz montre que la tension aux bornes de la bobine
impose les variations du flux et vice versa1.
Le flux magnétique n’étant pas une variable de circuit électrique facile à
manipuler, les concepteurs de circuits ont défini une relation pour
caractériser les bobines, en faisant apparaître un coefficient de
proportionnalité entre le flux et le courant. Ce coefficient de proportionnalité
s’appelle l’inductance (ou l’inductance propre) de la bobine. L’inductance
s’exprime en henry [H].2
Φ = Li (III.16)
 Φ : Flux en weber [Wb]
 i : Courant en ampère [A]
 L : Inductance en henry [H]

1 Hppt://[Link]:
2 Hppt://[Link]
 82

La relation ci-dessus suppose que le coefficient de proportionnalité (ou

inductance) est constant quelle que soit l’intensité du courant (bobine
idéale). En fait, ce n’est pas le cas en pratique sauf si la bobine n’a pas de
noyau (bobine en l’air). Dans le cas des bobines avec noyau en fer, il
apparaît un phénomène de saturation magnétique lorsque l’intensité du
courant est élevée. Le flux n’augmente plus aussi rapidement et par
conséquent la valeur de l’inductance diminue avec la saturation.
L’inductance d’une bobine dépend donc de l’intensité du courant.

III.4.2. MODELE D’UNE BOBINE PARFAITE

III.4.2.1. Symbole

Le symbole utilisé pour représenter une bobine parfaite dans les schémas
de circuit est montré dans Figure ci-dessous. Une bobine est un élément de
stockage d’énergie (elle peut absorber ou fournir de la puissance). On utilise
généralement une convention réceptrice pour caractériser une bobine (le
courant va dans le sens des potentiels décroissants comme indiqué sur la
figure ci-dessous). Avec cette convention, la puissance absorbée a une
valeur positive.

Figure III.44 : Symboles graphiques d’une bobine d’induction

Ces Symboles sont normalisés pour une bobine (les deux représentations à
droite (haut et bas) sont employées s’il y a un noyau ferromagnétique).

III.4.2.2. Principe et propriétés de l’Inductance

Une bobine est formée d’un fil enroulé soit dans l’air, soit sur un noyau
magnétique :

Figure III.45 : Bobine enroulée sur un noyau ferromagnétique.

Un conducteur parcouru par un courant crée un champ magnétique (comme
un aimant). La présence d’un noyau ayant des propriétés ferromagnétiques
augmente considérablement le champ magnétique obtenu. Si une bobine
 83

de N spires de section S est soumise à un champ magnétique B, on appelle

flux la quantité :

Φ = NBS (III.17)

Le flux Φ s’exprime en webers (symbole Wb). Si le champ magnétique a été

créé par l’enroulement lui-même, on parle de flux propre. Tant que le
courant I n’est pas trop élevé, le flux Φ est proportionnel au courant qui l’a
engendré : Φ = LI.

Le coefficient L est l’inductance (ou auto-inductance) de la bobine. La

traduction anglaise est self-inductance, ce qui explique que l’on parle
souvent dans le langage courant de self pour désigner une bobine. L’unité
d’inductance est le henry (symbole H), du nom du physicien américain J.
Henry connu pour ses études sur le phénomène d’auto-induction. On utilise
les sous-multiples : le millihenry (mH) et le microhenry (μH).
III.4.2.3. Relation tension et courant pour une bobine parfaite

Cette relation est déduite de la loi de Lenz et de la relation de

proportionnalité entre le flux et le courant. En convention récepteur (le
courant va dans le sens des potentiels décroissants), on a la relation
suivante:
𝑑∅ 𝑑𝑖
V= 𝑑𝑡 = 𝐿 𝑑𝑡 (III.18)

 V : Tension en volt [V]

 ∅: Flux en weber [Wb]
 i : Courant en ampère [A]
 L : Inductance en Henry [H]

III.4.2.4. Bobine en alternatif

Pour une bobine idéale (résistance négligeable), la tension et le courant

sont en quadrature, mais, contrairement à ce qui se passe pour un
condensateur, c’est le courant qui est en retard sur la tension

Figure III.46 : Tension et courant en quadrature

 84

L’impédance augmente avec la fréquence f et s’exprime par la formule :

𝑍 = 2𝜋𝑓𝐿 (III.19)

Cette variation de l’impédance, opposée à celle qui est observée pour un

condensateur, est également utilisée dans certains filtres.

III.4.2.5. Perméabilité d’un noyau ferromagnétique

Si on plonge un noyau ferromagnétique à l’intérieur du bobinage

l’induction est multipliée par un coefficient µr appelé perméabilité du
noyau. µr dépendant :

- De la matière du noyau ;
- De sa forme ;
- De sa position par rapport au bobinage (voir la figure ci-dessous) :

Figure III.47 : Quelques modèles des feuilles magnétiques

Dans le cas du solénoïde avec noyau :

𝑁.𝑖
µ.µ0 = B (III.20)
𝑙

III.4.3. Types de bobines

III.4.3.1. Bobines fixes

Bobines fixes Ancien symbole Nouveau symbole

Sans noyau

A noyau de fer doux

 85

A noyau de fer laminé

III.4.3.2. Bobines variables

a) Réglages :

b) Ajustables :

Figure III.48 : Quelques symboles des bobines variables

III.4.4. Marquage des bobines

De nombreuses présentations différentes existent pour les bobinages sur

ferrites. Pour les faibles courants (fil fin), on a souvent recours à un «pot»
formé de deux coupelles maintenues par un étrier.
L’enroulement est bobiné sur un petit support plastique placé à l’intérieur
des coupelles. Pour des courants plus élevés, on choisit des noyaux du
genre EI ou des tores. On rencontre aussi des bobines miniatures de forme
et de dimensions comparables à celles d’une résistance. On dispose
d’inductances pouvant aller de 0,1 μH à 10 mH. Certains modèles sont
marqués en clair, d’autres suivant un code des couleurs (figure ci-
dessous :).

Figure III.49 : Marquage d’une bobine miniature par codes de couleur

 86

Le tableau ci-dessous donne la signification des couleurs. Un cas particulier

apparaît lorsque l’inductance est inférieure à 10 μH : il n’y a pas de bande
de multiplicateur, mais la virgule décimale est indiquée par un anneau de
couleur or.

Signification du code des couleurs pour le marquage des bobines

miniatures.

Ces éléments se présentent en général dans des boîtiers plastiques de

petites dimensions dont les picots se connectent directement sur les circuits
imprimés. Le rapport de transformation est souvent de 1 et de nombreux
modèles possèdent plusieurs enroulements secondaires indépendants
permettant un isolement sur plusieurs voies.

Figure III.49 : Cas particulier du marquage des inductances inférieures à

10µH.
 87

III.5. LES TRANSFORMATEURS

III.5.1. Définition et Constitution :

Un transformateur est un dispositif électrique qui sert à :

 Abaisser la tension alternative (transformateur abaisseur) ;

 Elever la tension alternative (transformateur élévateur) ;
 Isoler deux parties d’un circuit électrique (transformateur
d’isolement).

Un transformateur est constitué de deux groupes de bobines, contenant

respectivement de N1 et N2 spires, disposés à l’entrée et à la sortie du
dispositif.

III.5.2. Transformateur idéal

Soient deux enroulements E1 et E2 placés de telle manière que :

- Le même flux traverse chacune de leurs spires ;
- Les résistances des enroulements soient négligeables.

Figure III.50 : Symbole et constitution d’un Transformateur

Alimentons E1 par un générateur sinusoïdal et branchons une charge R sur

E2. (E1 est alors le primaire et E2 le secondaire). D’après la figure ci-dessus,
les tensions apparaissant au primaire et au secondaire sont :

(III.21)

Le rapport des tensions des enroulements ne dépend que du rapport du

nombre de spires (appelé rapport de transformation).

Si aucune perte ne se produit, la puissance P1 = U1x I1 qu’absorbe le

primaire est égale à la puissance P2 = U2x I2 fournie par le secondaire ;
alors :
 88

III.5.3. Le transformateur avec fuites et pertes

En réalité, tout le flux produit par le primaire n’arrive pas au secondaire : il

y a des fuites. De plus, des pertes de puissance se produisent :

- Pertes joule dans les enroulements qui sont résistifs ;

- Pertes fer qui résultent de l’échauffement par les courants de
Foucault des circuits ferromagnétiques destinés à canaliser le
maximum de flux du primaire au secondaire.

III.5.4. Les Transformateurs réels

III.5.4.1. Usages

En électronique on a très souvent recours aux transformateurs suivants :

- Transformateurs d’alimentation : pour produire les diverses

tensions d’alimentation requises par les montages ;
- Transformateurs d’adaptation d’impédance : pour améliorer la
transmission de puissance entre deux étages ;
- Transformateurs d’isolement : pour transmettre des signaux
variables sans leur valeur moyenne quand celles-ci est trop élevée ou
nuisible ;
- Transformateurs d’impulsions : pour produire des fortes tensions
ou de forts courants de pointe (amorçage de tubes à éclats ou
thyristors).

III.5.4.2. Impératifs de construction

Dans la conception technologique d’un transformateur il faut veiller à :

- Minimiser les fuites de flux du primaire au secondaire.

Pour cela on bobine le secondaire sur le primaire et on réalise des noyaux

ferromagnétiques compacts et qui enveloppent bien les bobinages.

- Minimiser les pertes :

 En réalisant les bobinages en cuivre ;
 En employant, pour les noyaux des matériaux ferromagnétiques de
faibles pertes ;
 En contrariant le passage des courants de Foucault (toujours
transversaux) par l’utilisation de noyaux magnétiques feuilletés.
 89

Figure III.51 : Symbole de feuille magnétique (forme E et I)

III.5.5. Transformateurs à noyaux feuilletés.

Obtenus par un empilement de tôles formes E et I que l’on place

alternativement dans le bobinage. Le plus souvent, les E ne sont pas tous
introduits du même côté. On préfère alterner les positions respectives de E
et des I pour donner plus de rigidité à l’ensemble.

Figure III.52 : Symbole de feuilles magnétiques (forme E et I) placées

dans un noyau

La figure ci-après nous montre l’aspect d’un transformateur à noyau

feuilleté :

Figure III.53 : Symbole d’un transformateur à noyau feuilleté

Il existe aussi un autre type de tôle employé appelée « cuirassé » comme

le montre la figure ci-dessous :
 90

Figure III.54 : Symbole d’une tôle cuirassée

III.5.6. Transformateurs à noyau en C

Réalisés en circuit roulés magnétiques et maintenus fortement ensemble

par une bande métallique comme le montre la figure ci-dessous. Ils
permettent de réaliser à puissance égale des transformateurs :

- Plus petits ;
- 50% plus légers ;
- Avec moins de fuites (moins de perturbations des circuits
environnants).

Figure III.55 : Quelques transformateurs à noyau en C

III.5.7. Transformateur d’alimentation

Le transformateur d’alimentation est généralement un transformateur

abaisseur de tension qui est caractérisé par sa tension de sortie (tension au
secondaire) et sa puissance apparente (en VA).
 91

III.5.8. Calcul simplifié d’un transformateur d’alimentation

Détermination de la section du fil « S »

La section du fil de bobinage est donnée par l’expression ci-après :

𝐼
S=𝐷 (III.22)
avec :
- S : section en mm2
- I : intensité en ampères traversant chaque enroulement
- D : densité de courant en A/mm2

La densité de courant adoptée sera comprise entre 2A/mm2 et 4A/mm2. Elle

sera choisie autant plus faible que la puissance est plus grande
(refroidissement plus difficile) et que les conditions de travail du
transformateur seront plus dures (service continu, service intermittent).

Puissance Densité de courant en A/mm2 (50Hz)

Grand public (1,3T) Professionnel (0,8T)

Service intermittent Service continu
Jusqu’à 50VA 4 3,5

De 50 à 100VA 4 3

De 100 à 200VA 3,5 2,5

De 200 à 500VA 3,5 2,5

Rapport de transformation

Le rapport de transformation k est donné par l’expression suivante :

𝑈𝑝 𝑁𝑝 𝐼 𝑅𝑝
K= = = 𝐼𝑠 = √ 𝑅
𝑈𝑠 𝑁𝑠 𝑝 𝑠

(IV.10)
Si :
- k> 1 : transformateur abaisseur (pour les alimentations
électroniques) ;
- k< 1 : transformateur élévateur ;
- k= 1 : transformateur d’isolement ou séparateur.

Section du noyau

Calculer la puissance nécessaire au secondaire P2 en faisant la somme des

puissances calculées pour chacun des enroulements secondaires en partant
des tensions utilisées et des intensités consommées :
 92

P2 = ΣU2I2 (VA) (IV.11)

Dans le cas d’un secondaire haute tension à point milieu, prendre la moitié
de la tension, car les demi-secondaires débitent chacun à leur tour.
Admettre un rendement moyen de 80% et calculer la puissance absorbée
au primaire ; soit :

P1= 1,25 P2 (VA)

La section effective du noyau pour des transformateurs ordinaires (pertes
3,6W/Kg) est donnée par la formule suivante :

Se = 1,2√𝑃1 (cm2) (III.23)

On prendra Se = √𝑃1 pour des tôles à faibles pertes (1,1à 1,6W/Kg) et Se

= 0,9√𝑃1 pour des à grains orientés. Pour tenir compte du foisonnement,
on augmente de 10% environ la section effective pour obtenir la section
réelle Sr du noyau.

Sr = 1,3√𝑃1 (cm2)

Et à partir de cette section, on définit les deux côtés du noyau de

transformateur.
Le nombre de tôles est donné par le rapport Se/2côté du transfo.e, (e
étant l’épaisseur d’une tôle).
 93

Chapitre IV :
LES DIODES
IV.1. INTRODUCTION

Une diode est un dipôle dont le rôle, dans la plupart des montages, est de ne
laisser passer le courant électrique que dans un seul sens. Cela semble bien limiter
et cependant l’ingéniosité des techniciens en a fait un élément essentiel dont les
usages sont à la fois très nombreux et très divers.
Il est rare qu’un montage ne comporte pas une ou plusieurs diodes ; c’est-à-dire
l’importance que nous attachons à leur étude.
Avant tout, nous commencerons cette étude par le rappel des notions sur la
jonction PN, élément essentiel pour la construction de la plupart des composants
électroniques actifs.

IV.2. PRINCIPE D’UNE JONCTION PN

Soit une plaquette de silicium extrinsèque dopée N une goutte d’indium en fusion.
Après refroidissement il se forme (voir figure ci-dessous) :
- Une région extrinsèque type P au voisinage immédiat de la goutte (ne pas
oublier que l’indium est un dopant type P) ;
- Une région intermédiaire entre la région précédente et le reste du cristal.
Dans cette région on passe progressivement du semi-conducteur type P au type
N. C’est précisément cette zone qu’on nomme jonction PN.

In Ge

Bulle d’Indium

Zone semi-conductrice type P

Zone intermédiaire
Figure IV.1 : Création d’une jonction PN
Germanium dopé N
Fils de connexion de la diode
La jonction PN est un dispositif de base. Son fonctionnement est décrit en détail
dans de nombreux ouvrages et dans ce paragraphe nous ne ferons que donner les
éléments les plus importants. On suppose donc que deux blocs de semi-
conducteurs sont mis en contact, le premier de type p et le second de type n. Ce
contact doit être pris au sens métallurgique du terme et n’est pas un simple contact
physique. Le semi-conducteur de type p peut être considéré comme un ensemble
d’atomes neutres de silicium comportant en plus quelques dopants accepteurs. Ils
sont considérés comme des ions fixes chargés négativement et sont associés à des
trous non localisés et mobiles dans le solide.
 94

Le semi-conducteur de type n est formé d’atomes neutres et comporte quelques

ions donneurs considérés comme des charges positives fixes associées à des
électrons non localisés et mobiles. La figure IV.2 illustre les deux cas. Par souci de
clarté, on représente uniquement les dopants mais il y a beaucoup plus d’atomes
de silicium. Que se passe-t-il donc quand les deux blocs sont mis en contact ?

Figure IV.2 : Création d’une jonction PN

IV.2.1. Propriétés de la jonction PN

Soit un cristal de semi-conducteur de type N d’un côté d’une frontière et

de type P de l’autre côté. La surface de séparation entre les deux régions
est appelée jonction PN.
La jonction PN est la frontière entre les régions P et N dont la conductibilité passe
graduellement du type P au type N.

Figure IV.3 : La jonction PN à l’état initial

Autour de la jonction PN, les électrons libres qui ont une concentration très élevée
dans la région N diffusent vers la région P où ils ont une concentration très faible.
De ce phénomène de diffusion, il résulte la création, autour de la jonction PN, d’une
zone dans laquelle il n’y a plus de porteurs de charges mobiles. Il ne reste plus
que les ions fixes, positifs du côté N, négatifs du côté P. Cette zone est appelée
zone de transition, ou zone de déplétion, ou charge d’espace ou encore région
d’appauvrissement.
 95

Figure IV.4 : La jonction PN avec la zone de transition

Les ions fixes de la zone de charge d’espace créent un champ électrique ⃗⃗⃗⃗
𝐸⃗⃗𝐷 , appelé
champ de diffusion, dirigé de la région N vers la région P (des charges positives
vers les charges négatives, comme dans un condensateur).

IV.2.2. Potentiel dans la jonction PN

Le champ ⃗⃗⃗⃗ 𝐸⃗⃗𝐷 entraîne l’existence d’une différence de potentiel VD appelée tension
de diffusion, entre les frontières de la zone de transition. Cette barrière de potentiel
existe en l’absence de générateur externe (built-in voltage). Pour le silicium, VD ≈
0, 7V.

Figure IV.5 : la caractéristique tension-distance de la jonction PN

IV.2.3. Courants dans une jonction PN

Courant de diffusion

Figure IV.6 : le déplacement électron-trou dans la jonction PN sous la force

électrostatique F.
 96

Les électrons libres de la région N qui abordent la zone de transition sont soumis
à une force 𝐹⃗ = −𝑒𝐸⃗⃗⃗𝐷 due au champ de diffusion qui règne dans cette zone. Deux
cas se présentent :

 la majorité d’entre eux, dont l’énergie E est inférieure à eVD, ne peuvent pas
vaincre cette force d’où ils sont repoussés vers la zone N ;
 certains d’entre eux peuvent acquérir une énergie E ≥ eVD sous l’éffet de la
température ambiante (agitation thermique) alors ils peuvent traverser la
zone de transition et passer dans la région P.
Les trous de la région P ont un comportement semblable : la majorité d’entre eux
reste dans la région P tandis que certains peuvent passer dans la région N. La
jonction PN est donc traversée par un double déplacement d’ensemble de porteurs
majoritaires :

Figure IV.7 : courant de diffusion ID dans la jonction PN

Il en résulte un courant ID appelé courant de diffusion, dirigé de P vers N : c’est

un courant de majoritaires.

Courant de saturation

Les porteurs minoritaires d’une région qui abordent la zone de transition sont
accélérés par le champ 𝐸⃗⃗⃗𝐷 vers l’autre région :

Figure IV.8 : Accélération des porteurs minoritaires de la zone de transition par

le champ électrostatique E

La jonction est alors traversée par un double déplacement de porteurs minoritaires

:

Figure IV.9 : Déplacement du courant de la saturation IS dans la jonction PN

 97

Il en résulte un courant IS appelé courant de saturation dirigé de N vers P : c’est

un courant de minoritaires. Le courant de saturation IS ne dépend que du
nombre de minoritaires, alors il augmente avec la température ; il est très faible
(≈ 1 µA). La relation entre le courant de saturation IS et le courant de diffusion ID
à l’extérieur du cristal est nul (circuit ouvert) → IS = ID :

Figure IV.10 : Déplacement opposé de deux courants IS et ID dans la jonction PN

IV.3. POLARISATION DE LA JONCTION PN

IV.3.1. Polarisation en sens direct

Figure IV.11 : caractéristique tension-distance d’une jonction polarisée en direct

Le générateur de tension V augmente le potentiel de la région P, d’où la barrière

de potentiel devient V’D = VD−V<VD et un plus grand nombre de majoritaires est
capable de traverser la zone de transition : il leur suffit d’une énergie plus faible
ε≥ e(VD −V) au lieu de eVD.

Le courant de diffusion ID augmente et devient très supérieur au courant de

saturation IS. On montre que la relation entre ID et IS est :

(IV.3)

Avec :
- e =1, 6.10−19C;
- k =1, 38.10−23J/K (constante de Boltzmann) ;
- T : température absolue (en K).
Le courant direct IF = ID − IS devient :

(IV.4)

Il augmente avec la tension V → la jonction PN conduit en sens direct.

 98

IV.3.2. Polarisation en sens inverse

Le générateur entraîne une diminution du potentiel de la région P et la barrière de

potentiel devient V’D = VD + V>VD, d’où les majoritaires ne peuvent plus franchir
la zone de transition car il leur faut une énergie trop importante ε≥ e (V + VD),
alors ID ≈ 0 et IR = IS − ID ≈ IS et la jonction PN ne conduit pas en sens inverse
car IS est très faible (≈ 1 µA). On en déduit la caractéristique courant/tension de
la jonction PN:

Figure IV.12 : caractéristique tension-distance d’une jonction polarisée en inverse

Figure IV.13 : caractéristique complète de la jonction PN

IV.3.3. Claquage d’une jonction PN

Lorsque la jonction est polarisée en inverse et que la tension atteint une valeur
V<−VRM (tension inverse maximale), le courant augmente rapidement : c’est le
claquage. Il existe trois types de claquage :

Claquage par effet thermique

La dissipation de chaleur importante entraîne la destruction de la jonction par
surcharge en puissance.

Claquage par avalanche

Lorsque le champ électrique dans la jonction dépasse 5.105V/cm et que celle-ci est
faiblement dopée, les atomes du cristal sont ionisés par choc d’électrons.
 99

Claquage par effet de champ (effet Zener)

Lorsque le champ électrique dans la jonction dépasse 106V/cm dans une jonction
fortement dopée, les électrons de liaisons sont arrachés et provoquent l’avalanche.

IV.4. LA DIODE A JONCTION

IV.4.1. Généralités

La fonction "générique" d'une diode est d'une part, elle laisse passer le
courant dans un sens, nous disons qu'elle est conductrice (dans le sens
passant ou sens direct) et d'autre part, elle bloque le courant dans l'autre
sens. Nous disons alors qu'elle est bloquée (dans le sens bloquant ou
inverse).
En dopant respectivement N et P deux parties d’un même cristal semi-
conducteur, on forme un dipôle appelé « diode à jonction ». La jonction
est la surface de contact située entre les deux parties du cristal dopées
différemment.
En d’autres termes, une « jonction PN » est la frontière entre les régions P
et N, dont la conductibilité passe graduellement du type P au type N. Les
figures ci-dessous illustrent une jonction PN ainsi que son symbole :

Figure IV.14 : Symbole d’une diode à jonction PN

Bien qu’au départ chacune des deux zones soit électriquement neutre, la
mise en contact des deux parties induit un phénomène de migration de
porteurs majoritaires de part et d’autre de la jonction : certains trous de la
zone P se déplacent vers la zone N, tandis que certains électrons de la zone
N migrent vers la zone P.
Actuellement, pratiquement toutes les diodes sont réalisées à l'aide de
silicium. Leur aspect diffère essentiellement en fonction des limites qu'elles
peuvent supporter, à savoir le courant direct maximal et la tension inverse
maximale.

De la jonction PN à la diode

Une diode est un élément en silicium formé de deux régions de dopage

différent, à savoir dopage P et dopage N. La réunion des deux zones de
dopage, sur une même plaquette de silicium, s'appelle une jonction PN.
 100

A la jonction (réunion) des deux zones P et N, les porteurs de charges

mobiles se combinent et il apparaît une zone d'espace vide de porteurs de
charges mobiles, donc isolante. Les propriétés physiques qui résultent de
cet espace donnent naissance aux phénomènes de conduction électrique
particulière, comme la conduction dans un seul sens du courant électrique.

Figure IV.15 : jonction PN

Une forte majorité d'éléments électroniques, du transistor aux circuits

intégrés, sont composés de jonctions PN. Pour cette raison qu'il est utile de
comprendre le mécanisme physique qui se déroule dans une jonction PN.
.

Figure IV.16 : Diffusion des porteurs dans une jonction PN

Un équilibre s’installe autour de la jonction, créant ainsi un champ électrique

interne⃗⃗⃗⃗⃗
𝐸⃗⃗𝑖. La zone située autour de la jonction correspondant à ce champ
électrique est appelée zone de déplétion. La présence de ce champ
électrique se traduit également par la présence d’une différence de
potentiel. Cette d.d.p. Vd est appelée barrière de potentiel (de l’ordre de
0.7 V). La zone de déplétion se comporte comme un isolant et il devient
très difficile pour un électron libre, de franchir cette zone.
 101

Caractéristiques d'une diode

Le comportement d'une diode peut se déduire de sa caractéristique courant-

tension : ID = f (UD). La courbe obtenue n'étant pas une droite, nous
parlons d'un élément non-linéaire. Ce qui signifie que le courant qui circule
dans l'élément n'est pas proportionnel à la tension appliquée, donc ne
dépend pas uniquement de la loi d'Ohm. Dans le sens direct, la tension de
seuil est la tension nécessaire à appliquer à la diode pour qu'elle devienne
conductrice. USEUIL ≅ 0,6V pour le Si (0,3V pour le Ge).

Au-delà de la tension de seuil, le courant ne dépend pratiquement plus que

de la résistance totale du circuit. La tension aux bornes de la diode est
comprise entre 0,6V et 0,8V. Le courant inverse est très faible (de l'ordre
du nano-ampère). Il augmente très fortement au-delà d'une certaine
tension inverse, appelée tension de claquage. La tension inverse de
claquage varie entre 10 et 1000 Volts suivant le type de diode. Dans la
plupart des cas, l'emballement thermique entraîné par la tension de
claquage détruit la diode.

Les caractéristiques varient considérablement avec la température et les

concepteurs de circuits doivent en tenir compte. Nous n'entrerons pas ici
dans plus de précisions concernant ces caractéristiques, car pour le
dépanneur, de plus amples détails sont fournis dans les livres de
correspondances (data-book) auxquels nous pouvons ici qu’encourager la
lecture. Par contre, et avant d'analyser les divers circuits d'utilisations des
diodes, voici quelques grandeurs que nous pouvons considérer comme
importantes et qu'il faut garder en mémoire :

- Courant direct maximum : IF

- Courant direct maximum de crête : IFM
- Tension inverse maximum : UR
- Tension inverse maximum de crête : URM

IV.4.2. Polarisation de la diode

Il existe deux types de polarisation de la jonction PN (la diode) :

- La polarisation directe
- La polarisation inverse (indirecte)

Principe

L’application d’une tension V dirigée comme indiquée sur la figure suivante

(P→N) (polarisation inverse), crée un champ électrique qui s’ajoute au
champ électrique interne poussant ainsi les électrons de la zone N et les
trous de la zone P a s’éloigner de la jonction : la zone de déplétion s’élargit
 102

; la jonction devient pratiquement isolante. On dit que la diode est

bloquée.

Figure IV.17 : comportement des porteurs pour une diode en Polarisation

directe

La circulation des électrons au travers de la jonction s’effectue de la zone N

vers la zone P (de la cathode vers l’anode), c’est la polarisation en direct
de la diode. Soit V la tension aux bornes de la diode et I le courant qui la
traverse. Comme le courant circule de l’anode vers la cathode (sens inverse
des électrons), on représentera tension et courant comme indiqué sur la
figure suivante :
Si V est positif, on dit que la diode est polarisée en sens direct. Un
courant I peut circuler dans la diode. Si V est négatif, la diode est polarisée
en sens inverse et aucun courant ne peut y circuler. La caractéristique I=f
(V) d’une diode est représentée sur la figure suivante :

Figure IV.18 : Courbe caractéristique d’une diode

𝑒𝑉 𝑉
𝐼 = 𝐼𝑠𝑒 𝑘𝑇 = 𝐼𝑠𝑒 𝑉𝑜

Avec :
- e = 1.6 x 10-19C : est la charge élémentaire de l’électron
- k : 1.38 x 10-23 J.K-1 est la constante de Boltzmann
- T : est la température absolue en Kelvin
- Is est l’intensité de saturation de l’ordre de 10-12 A
𝑘𝑇
- 𝑉𝑜 = 𝑒 = 25 𝑚𝑉 à 𝑡𝑒𝑚𝑝é𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑒 𝑎𝑚𝑏𝑖𝑎𝑛𝑡𝑒
𝑉
En sens direct : si V> 0 𝑒𝑡 𝑠𝑖 𝑉 ≫ 𝑉𝑜 (𝑝𝑎𝑟 𝑒𝑥𝑒𝑚𝑝𝑙𝑒 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑉 > 0.1𝑉)𝑎𝑙𝑜𝑟𝑠 𝐼 = 𝐼𝑠𝑒 𝑉𝑜
 103

Le courant croit exponentiellement. On dit que la diode est passante ou

polarisée en direct. Pour des valeurs importantes de I, la tension V varie
peu et est de l’ordre de 0.6 à 0.7 V pour des diodes au silicium (0,2 V pour
une diode au germanium). Cette tension est appelée tension seuil et se
note VS.

En sens inverse : Si V< 0 𝑒𝑡 𝑠𝑖 𝑉 ≫ 𝑉𝑜, 𝑎𝑙𝑜𝑟𝑠 𝐼 ≈ −𝐼𝑠

On dit que dans ce cas la diode est polarisée en inverse. Pour des tensions
inverses importantes (quelques dizaines de volts), on observe un effet de
conduction forcé au travers de la jonction (effet avalanche) qui est en
général destructeur. En général, on admet le fonctionnement suivant de la
diode :
- diode polarisée en sens direct : V=0.7V, ∀ 𝐼 ; la diode est dite
passante ;
- diode polarisée en sens inverse : I=0, ∀V ; la diode est dite
bloquée.
Ce modèle de diode dite parfaite est représenté sur la figure (a) :

- Si on considère que la tension de 0,7 V est négligeable devant les

autres tensions du circuit, on obtient alors le modèle de la diode dite
idéale, dont la caractéristique est schématisée sur la figure (b).

- Si on souhaite un modèle plus proche de la caractéristique de la diode

réelle, on peut adopter le modèle dit modèle dynamique représenté
sur la figure (c) : on considère que cette caractéristique est formée
de deux segments de droite :

V < 0,7 volt ↔ I= 0 (diode bloquée)

𝑉−0.7
V > 0,7 volt ↔ I= 𝑅𝑑 avec Rd : Résistance dynamique de la diode passante

Mécanisme de conduction d’une diode

Lorsque l'on alimente une diode, donc une jonction PN, l'effet change selon
la polarité de la tension appliquée. Une diode ne laisse passer le courant
que dans un seul sens.

Essayons de comprendre ce phénomène particulier :

 104

La borne plus (+) à la zone P Le plus (+) à la zone N

Ui=0,6 – 0,7V Uj=Ug

Nous constatons qu'un courant électrique Nous constatons que la zone vide de
circule. La jonction est conductrice en porteurs de charges s'élargit. La jonction
présentant une différence de potentiel de est isolante. La diode est bloquée et nous
0,6 - 0,7 volts à ses bornes. pouvons représenter cet état par un
interrupteur ouvert.
La diode conduit et nous pouvons idéaliser Nous parlons ici de: polarisation dans le
ce fonctionnement en la remplaçant par un sens bloquant, ou dans le sens inverse;
générateur DC (0,6 - 0,7V) et un en anglais "reverse"
interrupteur fermé.

Approximation d'une diode

En technique de maintenance, si nous désirons comprendre le

fonctionnement d'un montage comprenant des diodes, il est souvent plus
simple de considérer la diode de manière approximative. Pour illustrer ces
approximations, nous utilisons une technique dite de schémas équivalents.
Selon le besoin, nous pouvons avoir en tête, l'un ou l'autre des schémas
équivalents ci-dessous.
Le choix de l'approximation dépend de la valeur des tensions présentes dans
le circuit, de l'utilité du circuit à diode (développé dans les pages suivantes)
ou encore des courants circulant dans le montage.
 105

Utilisation :

- Petits signaux : Commutations de commandes, petites protections,

limitation, démodulation.
- Grands signaux : Redressements, protections d'électroaimants.
Les diodes sont utilisées principalement dans les circuits selon trois groupes
de fonction différents:

Les circuits de redressementqui permettent la conversion d'une

tension alternative en une tension
continue.
Les circuits d'écrêtage, ou qui permettent d'empêcher un
circuits de limitation signal dépasser une valeur
(amplitude) choisie.
Les circuits de commutation qui permettent la commande ou le
changement de normes, ou encore
pour circuits logiques
 106

IV.3.3. Diodes de redressement

Une des principales applications de la diode est le redressement de la

tension alternative pour faire des générateurs de tension continue destinés
à alimenter les montages électroniques.

Figure IV.19 : Montage redresseur simple alternance et le signal redressé

D’autres détails sur cette application seront vues dans les lignes qui suivent.

IV.3.4. Diode ZENER

De la diode conventionnelle à la diode Zener

Plus fortement dopée que les diodes conventionnelles, un champ électrique

relativement faible devient déjà suffisamment intense pour que les liaisons
de covalence s'affaiblissent et se rompent. Les porteurs de charges (des
éléments de dopage) ainsi libérés sont assez nombreux pour que le courant
augmente brutalement et que la tension aux bornes de la diode ne varie
pratiquement plus. C’est ce qui est appelé l’effet Zener.
 107

Pour d’autres diodes Zener, il est

possible que sous l'action du champ
électrique interne, les porteurs de
charges
minoritaires (du silicium) de la zone
isolante acquièrent une énergie
suffisante pour qu'il puisse y avoir
ionisation par choc, et, par effet
d'avalanche, le courant croît
extrêmement vite. La tension aux
bornes de la diode ne varie
pratiquement plus. C’est ce qui est
appelé effet d’avalanche.
La caractéristique tension – courant
d’une diode Zener montre ces
phénomènes.
IZ = f (UZ)

Dans le sens direct :

La diode Zener se comporte comme une diode conventionnelle. UZ ≅ 0,6V

et le courant maximum direct dépend du circuit externe à la diode.

Dans le sens inverse :

La diode présente une résistance très petite dès que la tension de claquage,
ou tension Zener, est atteinte. La diode est dans ce cas en conduction
inverse, et il est impératif de limiter le courant dans celle-ci, avec une
résistance en série, par exemple.

Dans ce cas, UZ ≅ UZ NOM (si IZMIN < IZ < IZMAX). Nous pouvons
également établir la valeur de la résistance interne que la diode présente
au circuit. Nous parlons de résistance interne dynamique, qui se calcule
selon la formule :

Si la tension inverse redescend en dessous de la valeur Zener, la diode se

bloque à nouveau.
Valeurs pratiques des tensions Zener

En pratique seul l'effet d'avalanche est possible pour les diodes dont la
tension Zener dépasse 10V. Ce qui a deux conséquences, la caractéristique
de la diode est moins franche (la pente est plus grande) d'une part et le
coefficient de température est positif d'autre part.
 108

Les diodes dont la tension Zener est inférieure à 5V ont une jonction très
mince et seul l'effet Zener peut avoir lieu, ce qui entraîne que la
caractéristique de la diode est plus raide et, de plus, ces diodes ont un
coefficient de température négatif.

Figure IV.20 : caractéristique inverse d’une diode (Zener)

Entre 5V et 10V, les deux effets se combinent. La caractéristique est la plus

raide ainsi que le coefficient de température qui peut être proche de zéro.
Les diodes Zener sont particulièrement indiquées pour les circuits dont la
tension doit être très stable en température (Vréf. par exemple).

Principales caractéristiques d’une diode Zener

Nous pouvons repérer le fonctionnement

de la diode Zener, avec ses limites, sur la
courbe caractéristique IZ=f(UZ) de la
diode Zener. Nous avons vu que la valeur
Zener nominale UZNOM est donnée pour un
courant Zener nominal IZNOM. .
La diode Zener présente une valeur de
résistance interne dynamique très faible
dans la zone de fonctionnement. En
d'autres termes, pour une petite variation
de la tension UZ(=ΔUZ,) la diode modifie
fortement le courant IZ(=ΔIZ.)

Enfin, en connaissant la puissance maximale que peut dissiper la diode,

nous pouvons calculer le courant Zener maximal qui peut traverser la diode.
 109

De la puissance maximale PZMAX. nous tirons le courant Zener maximum

IZMAX.

Enfin, en connaissant la puissance maximale que peut dissiper la diode,

nous pouvons calculer le courant Zener maximal qui peut traverser la diode.

De plus, il est possible de déterminer, comme pour les diodes

conventionnelles, une valeur de résistance interne de la diode, soit de
manière statique RIZ_STAT, soit de manière dynamique RIZ_DYN., en fonction
des besoins. Ce dernier point nous amène à considérer la diode Zener selon
la même technique d'approximation utilisée pour les diodes
conventionnelles.

Lors du dépannage, il peut être suffisant de considérer la diode Zener dans

un circuit comme une diode Zener idéale. Par contre, dans la conception et
le calcul de circuits électroniques, il est souvent nécessaire de prendre en
compte la valeur de la résistance interne RIZ.

Fonctionnement

La fonction principale d'une diode Zener est de maintenir une tension

constante à ses bornes. Ce sont des diodes stabilisatrices de tension.

Lorsque la diode est "polarisée en sens inverse" et la tension à ses bornes

est trop forte on assiste au phénomène d’avalanche. Le courant inverse qui
traverse la diode augmente subitement. On parle d’effet Zener et de telles
diodes sont appelées diodes Zener dont le symbole est présenté ci-
dessous :

Figure IV.21 : Symbole graphique d’une diode Zener

Quel que soit le courant qui la traverse, la diode Zener présente à ses
bornes, une tension quasiment constante appelée tension Zener et notée
Vz (Vz=qq V à qq 0,1 kV). Cette propriété est très utilisée dans les montages
régulateurs de tension (protection des montages).
 110

Toutes les diodes Zener sont réalisées à l'aide de silicium. Les Zener les
plus courantes ont une PZ NOM. = 450mW.
Ohmiquement, on mesure uniquement l'état de la jonction PN (ouvert ou
court-circuit). Pour mesurer les valeurs de sa caractéristique tension -
courant, il faut veiller à limiter le courant maximal admissible.

Stabilisation de tension :

De par leurs caractéristiques, les diodes Zener sont idéales pour stabiliser
des tensions continues ayant une ondulation résiduelle non négligeable (cas
des tensions redressées filtrées). Le montage de la figure ci-dessous est un
stabilisateur de tension. Il permet de maintenir la tension U, aux bornes de
la charge Ru, sensiblement constante lorsque le courant IU, varie entre 0 et
IUmax et/ou lorsque la tension d'entrée (non régulée) Vc varie entre VCmin et
VCmax, c'est le cas des tensions redressées filtrées.

Pour que la diode Zener fonctionne et assure son rôle de stabilisateur, il

faut qu'un courant Iz non nul circule en permanence dans ce composant, et
ce quelles que soient les variations de la tension d’entrée Vc et de la charge
RU.

Spécifications/Types :

- Puissance nominale PZ NOM. [W],

- Tension inverse (ou Zener) nominale UZ [V] et
- Courant Zener maximal IZ MAX. [A].

Utilisation :

Les diodes Zener sont utilisées pour leur propriété de maintenir une tension
constante à leurs bornes : Les circuits de stabilisation de tension ou
"régulateur Zener" ou les circuits générateurs de tension de référence. Le
schéma est toujours semblable et consiste à relier une résistance en série
avec la Zener et de se connecter aux bornes de celle-ci pour obtenir une
tension fixe.
 111

La grosse majorité des diodes Zener sont utilisées dans des circuits de
commande faible consommation. Egalement comme circuit de limitation ou
écrêtage.

IV.3.5. Diodes Schottky

Les diodes Schottky, à jonction métal / semi-conducteur; elle est très

rapide. Elle est très utilisée dans les circuits logiques rapides (TU Schottky).

Figure IV.22 : Symbole graphique d’une diode Schottky

La diode Schottky est utilisée en haute fréquence. Elle est constituée par
une zone métallique (or, argent ou platine) et une zone N. Les électrons
libres sont les seuls porteurs majoritaires dans la jonction PN. Cette jonction
hétérogène est très utilisée dans les circuits logiques rapides.

IV.3.6. Diodes électroluminescentes (LED)

IV.3.6.1. Présentation

Ces diodes spécifiques à base d'arséniure de gallium ont la propriété

d'émettre de la lumière dans une bande de fréquence déterminée par les
caractéristiques du matériau employé quand elles sont traversées par un
courant direct.
La LED (Light Emitting Diode), également appelée diode
électroluminescente, est une diode prévue pour fonctionner en polarisation
directe, afin d’émettre des radiations lumineuses invisibles (infrarouge) ou
visibles (rouge, orange, jaune, vert ou bleu).

Figure IV.23 : Polarisation en direct et Photo d’une LED

Il en existe de diverses couleurs (jaune, orange, rose, rouge, vert,
infrarouges). Leur rendement lumineux est assez faible. On les utilise avec
un courant direct d'environ 10 à 20 mA. La tension de coude de ces
composants est plus élevée que pour les diodes standard, et elle dépend de
la couleur.
 112

IV.3.6.2. Fonctionnement

Une LED est une diode à jonction PN qui émet un rayonnement lorsqu’elle
est polarisée en sens direct. Le rayonnement provient de l’émission d’un
photon lors de la recombinaison électron/trou :

Figure IV.24 : Constitution interne et symbole d’une LED

L’intensité du rayonnement émis augmente lorsque le courant i augmente.

Sa couleur dépend de la nature du semi-conducteur. Ex. : Arsénio-
phosphure de gallium (Ga P As)→ rouge.

Les électrons libres traversant la jonction se recombinent avec des trous.

Lors de cette recombinaison, ils perdent de l'énergie. Dans les autres diodes
cette énergie est dissipée en chaleur, mais dans les diodes les électrons
libres traversant la jonction se recombinent avec des trous. Les
électroluminescentes (DEL, LED) elle est transformée en radiation
lumineuse.
LED Rouge VF ≥ 1,6 V pour IF = 20mA
LED Verte VF ≥ 2 V pour IF = 20mA
LED Jaune VF ≥ 2,2V pour IF = 20mA

Ces composants ont des caractéristiques intéressantes comme une durée

de vie quasi illimitée (100000 heures) et une petite taille. On les rencontre
partout : feux tricolores de circulation, panneaux d'affichage électroniques
(heure, température...). Les diodes à infrarouges servent beaucoup dans
les télécommandes d'appareils TV …

IV.3.6.3. Applications

Les utilisations des LED sont de plus en plus nombreuses, car ces
composants sont plus fiables que des lampes à incandescence, et leur
rendement est un peu meilleur. On les rencontre partout où on a besoin de
témoins lumineux, et de plus en plus, associées en matrices pour remplacer
des grosses lampes (feux tricolores de circulation par exemple), ou pour
faire des panneaux d'affichage électroniques (heure, température,
publicités diverses ). On les utilise généralement comme :
 113

- Source de lumière dans les montages photo-électriques (LED +

phototransistor) ;
- voyants;
- affichage numérique.
- Les diodes à infrarouges servent beaucoup dans les télécommandes
d'appareils TV / HIFI. On les utilise alors avec des forts courants
pulsés.

IV.3.7. PHOTODIODE

[Link]

Réalisation par la technologie PLANAR : sur un substrat de silicium P, on

diffuse une mince couche N.

IV.3.7.2. Fonctionnement

Une diode à jonction polarisée en sens inverse est parcourue par un courant
très faible dû aux porteurs minoritaires des régions P et N : courant de
saturation IS ≈ 1 µA.

Figure IV.25 : Constitution interne et symbole d’une photodiode

Si le cristal est éclairé du côté N et si les photons ont une énergie suffisante,
ils peuvent arracher des électrons aux atomes → création d’électrons libres
et de trous supplémentaires= porteurs majoritaires (électrons) et
minoritaires (trous).
Les majoritaires ne peuvent pas franchir la jonction, puisqu’elle est
polarisée en sens inverse. Les minoritaires peuvent traverser la jonction →
augmentation du courant inverse, d’autant plus important que l’éclairement
du cristal est grand.
 114

IV.3.7.3. Caractéristique

Figure III.26 : Caractéristique (inverse) d’une photodiode

Dans le domaine des radiations visibles, la sensibilité est de ≈ 1 µA/ (W/m2).

Le courant i suit facilement des variations brusques d’éclairement →
utilisation aux hautes fréquences (> 1MHz).

IV.3.8. Diodes VARICAP

On utilise la variation de la capacité de jonction avec la polarisation inverse

dans des oscillateurs ou des circuits d'accord. On fait alors facilement varier
la tension d'oscillation ou d'accord en modifiant la tension de polarisation.
On obtient un condensateur dont la capacité est fonction de la tension
inverse appliquée selon une loi du type :

Son symbole :

Figure IV.26 : Symbole d’une diode VARICAP

Une diode possède une capacité (très faible). La capacité d'une diode
polarisée en inverse diminue quand la tension inverse augmente. Ainsi on
a un condensateur variable qui est commandé par une tension.
IV.3.9. Photopiles

IV.3.9.1. Présentation

Photopile = groupement de cellules photovoltaïques = diodes à jonction PN

placées dans un boîtier dont une face est transparente.
 115

Figure IV.27 : Schéma de principe d’une photopile

Pour obtenir un courant et une puissance suffisants, on réalise des jonctions
de surface importante (plusieurs cm2). La couche N doit être très mince (<1
µm) pour éviter l’absorption de la lumière. Elle doit être fortement dopée →
diminution de la résistance interne de la photopile.

IV.3.9.2. Applications

- circuits sans générateurs ;

- alimentation en électricité de zones inaccessibles pour les lignes de
transport, satellites, stations de télécommunications.
IV.3.9.3. Mise en œuvre : station solaire

Figure IV.28 : Mise en œuvre de la photopile dans une cellule

photovoltaïque

Module (ou panneau solaire) = plusieurs dizaines de cellules placées sur un

circuit imprimé, monté dans un cadre en aluminium, avec une face avant
en verre spécial. Sa face arrière reçoit un enrobage de résine époxy.
L’ensemble doit être parfaitement étanche.

IV.3.9.4. Limitations

- prix élevé;
- surface importante (1 m2 → 60 W) ;
- faible rendement : ≈ 10 %.
 116

Une diode est une simple jonction PN enfermée dans un boîtier protecteur. Les
présentations externes sont diverses comme en témoigne le figure ci-après :

Figure IV.29 : Différentes formes de boîtiers de Diodes de redressement au silicium

IV.4. LES ALIMENTATIONS STABILISEES ET REGULEES

Tous les équipements et appareils électroniques ont besoin de l’énergie électrique

pour pouvoir fonctionner. Cette énergie leur est fournie sous forme de courant
continu.

On peut obtenir le courant continu à l’aide des générateurs tels que : pile, batteries
d’accumulateurs, dynamos, panneau solaire, etc. Le générateur de courant continu
tel que les piles et les batteries d’accumulateurs s’épuisent après un certain temps
de fonctionnement, il faudrait alors les remplacer ou les recharger.

Il existe cependant le courant alternatif disponible sur le réseau de distribution

électrique mais qui n’est pas adapté au fonctionnement des appareils et
équipements électroniques.

A cet effet, une alimentation stabilisée ou régulée a pour but de fournir un courant
continu aux appareils électroniques à partir du courant alternatif du secteur ou
réseau électrique. Ce montage permet de fournir non seulement un courant ou
une tension continue aux appareils électroniques, mais qui soit également stable,
c’est-à-dire des valeurs constantes quelles que soient les fluctuations de la tension
alternative du réseau électrique ou de la charge.

IV.4.1. ETUDE ANALYTIQUE D’UNE ALIMENTATION STABILISEE

Un circuit d’alimentation stabilisée comprend les étages ou blocs suivants :

- La transformation ;
- Le redressement ;
- Le filtrage ;
- La stabilisation, etc.

Secteur Transformation Redressem Filtrage Stabilisat

ent Vs
220V/50Hz ion

Figure IV.30 : Schéma bloc d’une alimentation stabilisée et régulée

 117

IV.4.1.1. L’étage de transformation :

Il existe des alimentations stabilisées qui fonctionnent sans étage de

transformation où l’on redresse directement la tension de 220V/50Hz alternative
du secteur. Cependant, la plupart des alimentations stabilisées possèdent un étage
de transformation dont le rôle est de réduire la tension alternative de 220V/50Hz
du secteur à une valeur plus faible adaptée à l’utilisation ou la charge.

Pour ce faire, on utilise un dispositif appelé transformateur abaisseur de tension.

Les valeurs normalisées des transformateurs sont : 3volts ; 4,5volts ; 6volts ;
9volts ; 12volts ; 15volts ; 18volts ; 24volts ; 30volts ; 35volts ; 40volts ; et
50volts.

Un transformateur est constitué de deux enroulements (bobines) primaire et

secondaire.

On distingue :

- Le transformateur ordinaire ;
- Le transformateur à prise médiane ou à point milieu.

a) Le transformateur ordinaire

Ve
VS

t
t

Figure IV.31 : Transformateur ordinaire

b) Le transformateur à prise médiane ou à point milieu

Ve VS
Ns1
t
Prise médiane
t Np
Ns2
t
VS
Figure IV.32 : Transformateur à prise médiane

N.B : Avec le transformateur à prise médiane, on a :

- Ns1= Ns2=Ns/2 : nombre de spires
- Les tensions secondaires vs1 et vs2 sont en opposition de phase ; c’est-à-dire
qu’elles sont déphasées de 180°

c) Transformateur idéal

- Puissance : Pp= Ps
 118

- Tension : Up>US
- Courant : IP˂ IS
- Section fil : SP<SS
- Résistance : RP>RS

IV.4.1.2. Le Circuit de redressement :

La tension obtenue à la sortie du transformateur abaisseur de tension est

alternative ; c’est-à-dire qu’elle possède une alternance positive et une alternative
négative. En courant continu (DC), on ne peut pas avoir les deux alternances
positive et négative simultanément ; d’où, on doit éliminer soit l’alternance
négative ; soit l’alternance positive selon que l’on voudrait avoir une tension de
sortie positive ou négative.

L’élément utilisé comme redresseur est la diode qui est unidirectionnelle c’est-à-
dire qu’elle conduit que dans un seul sens. On distingue :

- Le redressement mono alternance ;

- Le redressement double alternance.

IV.[Link]. Le redressement mono alternance

Dans ce type de redressement, sur les deux alternances de la tension alternative,

on récupère une seule alternance et on élimine une autre.

a) Tension de sortie positive

- Montage série :
Ve D
V

t t

-
Figure IV.33 : montage série du redressement mono alternance (tension positive)
-
- Montage parallèle :

Ve V

t Vs t

Avec Vs= -0,7V=0V (négligeable)

Figure IV.34: Montage parallèle mono alternance (tension positive)
 119

b) Tension de sortie négative

- Montage sérieD:
Ve Vs

t t

Figure IV.35 : Montage série du redressement mono alternance (tension

négative)

- Montage parallèle :
Ve Vs
Vs
t t

Avec Vs= +0,7V=0V (négligeable)

Figure IV.36 : Montage parallèle mono alternance (tension positive)

c) Evaluation de la tension Vs de sortie

Lorsque vous avez une fonction variable telle que : y = f(x) définie dans un
intervalle [a, b], sa valeur moyenne est donnée par la relation suivante :

x
a b
Intervalle

1 𝑏
Vmoy=𝑏−𝑎 ∫𝑎 𝑓(𝑥)𝑑𝑥

Figure IV.37 : Evaluation de la tension moyenne de sortie

Dans le cas du redressement de la tension alternative, nous avons la fonction

suivante :
v(t) = Vmax. Sin𝜔𝑡 avec Vmax = Constante
VS
Vmax

Vmoy + +
𝜔t
0 π 2π

Période= Intervalle

Figure IV.39 : Forme de signal redressé (mono-alternance)

 120

C’est-à-dire que a=0 et b= 2π alors :

1 2𝜋
Vmoy= ∫0
Vmaxred. Sin𝜔𝑡𝑑(𝜔𝑡) = 0,318Vmax
2𝜋−0

Exemple : Soit un transformateur de 220V/50Hz alimentant un redresseur mono

alternance. Déterminer la tension positive Vs obtenue à la sortie du redresseur.
Remarque :
- Le montage redresseur mono alternance est très économique et simple à
réaliser ;
- Ce montage présente l’inconvénient d’avoir un rendement médiocre, car la
tension moyenne de sortie est très inférieure à la tension efficace d’entrée.
(Vmoy < 50% Veff.);
- Si on soustrait les pertes occasionnées par la diode redresseuse d’environ
0,7V ; on obtient une tension de sortie VS = Vmoy – 0,7V ⇒VS = 5,34-
0,7=4,64V.

IV.[Link]. Le redressement double alternance

Pour améliorer le redressement mono alternance, c’est-à-dire son rendement qui

est médiocre, on va récupérer à la sortie toutes les deux alternances (positives et
négatives) de la tension alternative d’entrée.
On distingue alors deux montages :
- Le montage va et vient ;
- Le montage à pont de Graëtz.

Le montage va et vient

On utilise un transformateur à prise médiane et deux diodes de redressement telles

que présentées dans la figure ci-dessous :
D1
I1

Ve t Vmoy
t Prise médiane

t
D2
I2

Figure IV.40 : le montage redresseur double alternance va et vient

VS
Vmax D1 D2 D1 D2

Vmoy + + + +
𝜔t
0 π
Période= Intervalle
Figure IV.41 : Forme d’onde du signal redressé double alternance va et vient
 121

C’est-à-dire que a=0 et b=π, alors :

1 𝜋
Vmoy= ∫ Vmaxred. sin𝜔𝑡𝑑(𝜔𝑡) = 0,636Vmax
𝜋−0 0

Fonctionnement du montage :
- Pendant la première alternance positive, D1 conduit et donne le courant I1,
tandis que D2 est bloquée ;
- Pendant la deuxième alternance positive, D1 est bloquée, tandis que D2
conduit et donne le courant I2 ; le courant total de sortie est alors égal à IS
= I1+I2.

Exemple : Soit un transformateur de 220V/2X12V/50Hz avec un redressement

double alternance va et vient. Calculez la tension moyenne de sortie ?

Remarque :

Le montage double alternance produit un rendement meilleur que le montage

mono alternance. Cependant, il nécessite l’utilisation d’un transformateur à prise
médiane et deux diodes de redressement.

Le montage à pont de Graëtz

Ce montage utilise un transformateur ordinaire et quatre diodes montées en pont

appelé « pont de Graëtz ». Les cathodes de D1 et D2 réunies, donnent le positif ;
tandis que les anodes de D3 et D4 réunies donnent le négatif.

Figure IV.42 : Montage redresseur double alternance à pont de diodes

Figure IV.43 : Forme des signaux au secondaire du transformateur et à la charge

 122

Fonctionnement du montage :

Durant la première alternance positive, D1 et D3 conduisent ; tandis que D2 et D4

sont bloquées ; pendant la deuxième alternance négative, c’est l’inverse. Quelle
que soit l’alternance de la tension d’entrée plus ou moins, le courant I qui circule
dans la charge est unidirectionnel ; c’est-à-dire qu’il circule toujours dans le même
sens, on obtient donc un courant continu au niveau de la charge.

Remarque :

- La tension moyenne obtenue à la sortie du redresseur à pont de Graëtz est

exactement la même que celle obtenue avec le montage va et vient.

2𝑉𝑚𝑎𝑥𝑟𝑒𝑑
Vmoy = = 0,636Vmaxred
𝜋

- Il existe sur le marché des ponts moulés qui contiennent dans un seul bloc
toutes les quatre diodes redresseuses constituant le pont de Graëtz.

Figure IV.44 : Forme physique des ponts moulés

- Les résistances inverses ainsi que le temps de recouvrement des diodes

redresseuses peuvent être différents ; il est donc nécessaire ou
recommandé de les shunter par un pont à résistance ou à condensateur afin
de répartir équitablement les chutes de tension.

Exemple du montage va et vient avec condensateurs de compensation :

.

Figure IV.45 : Redresseur double alternance va et vient avec

condensateurs en parallèle
- Avec le montage à pont de Graëtz, la tension maximale redressée est
calculée en retranchant de 1,4V de la tension maximale du secondaire de
transformateur car ici deux diodes conduisent au même moment et deux
autres sont bloquées, et ainsi de suite.
Vmaxred=Vmax – 1,4
 123

Détermination de courant max et moyen de sortie

Le courant max de sortie
𝑉𝑚𝑎𝑥𝑟𝑒𝑑
Imax= ∑𝑅

1. Montage mono-alternance
𝑉 𝐼
Imax= 𝑅𝑑+𝑅𝑐ℎ
𝑚𝑎𝑥𝑟𝑒𝑑
, Imoy= 𝑚𝑎𝑥
𝜋
= 0,318 Imax

2. Montage va et vient
𝑉 2𝐼𝑚𝑎𝑥
Imax= 𝑅𝑑+𝑅𝑐ℎ
𝑚𝑎𝑥𝑟𝑒𝑑
, Imoy= 𝜋
= 0,636 𝐼𝑚𝑎𝑥

3. Montage à pont de Graëtz

𝑉 2𝐼𝑚𝑎𝑥
Imax=2𝑅𝑑+𝑅𝑐ℎ
𝑚𝑎𝑥𝑟𝑒𝑑
, Imoy= 𝜋
= 0,636𝐼𝑚𝑎𝑥

Avec

- Rd : résistance interne de la diode conductrice (Rd=500Ω)

- Rch: résistance de la charge.

Remarque :

Le courant maximal de sortie délivré à la charge sera plus élevé pour le montage
va et vient par rapport au montage à pont de Graëtz. Par conséquent, la puissance
de sortie sera :
1 𝑇
Pmoy=𝑇 ∫0 𝑢(𝑡). 𝑖(𝑡)𝑑𝑡 = U.I

et sera plus grande au montage va et vient qu’au montage à pont de Graëtz.

EXERCICE D’EXEMPLE

On voudrait réaliser deux alimentations ; l’une à montage va et vient, et l’autre à

montage à pont de Graëtz. Si le transformateur utilisé est de 15V au secondaire
et la résistance de charge est de 1KΩ ; on vous demande de déterminer pour
chacun de cas des éléments suivants : [Link] de sortie, b. Imoy de sortie, c. Pmoy
délivrée à la charge?

BREVES NOTIONS SUR LE CODE DES ELEMENTS ACTIFS

1. Code Européen

1ère lettre 2ème lettre N° de série

Le matériau utilisé La fonction de l’élément caractéristiquesː U, I,
fréquence, t°
1èrelettre+chiffre=type
professionnel.
Le chiffre
seulement=type de
courant.
1ère lettre 2ème lettre
Aː Germanium Aː diode de détection ou de commutation
 124

Bː Silicium Bː diode varicap

Cː transistor AF de faible puissance
Dː transistor AF de puissance
E ː diode tunnel
Fː transistor RF de faible puissance
Lː transistor RF de puissance
Rː thyristor de commutation de faible puissance
Sː transistor de commutation de faible puissance
Tː thyristor de commutation de puissance
Uː transistor de commutation de puissance
Xː multiplicateur de fréquence
Yː diode de redressement
Zː diode Zener.

Exempleː

1) AY 123 : diode de redressement au Germanium à usage courant

2) BD 400 : transistor AF de puissance au silicium à usage de courant
3) BUT11 : transistor de commutation de puissance au silicium à usage
professionnel

2. Code Américain

IN…….. Ou 1N…: diode

IIN……. Ou 2N…: transistor
Exemple :

1) 1N4004ː diode de redressement de 1A/400V (Pour le détail, il faut consulter

le lexique ou Data book).
2) 2N3055ː transistor AF de puissance

3. Code Japonais

1S…….→ diode
2S……→ Transistor
2SA→transistor RF du type PNP
2SB→transistor AF du type PNP
2SC→transistor RF du type NPN
2SD→transistor AF du type NPN
Remarqueː

Pour simplifier l’écriture dans le Code Japonais, le préfixe 2S est omis ou supprimé,
mais demeure sous-entendu.

Exempleː

- 2SC418→ C418
 125

- 2SD400→ D400
- 2SA223→ A223

IV.4.1.3. Le Filtrage
La tension obtenue après redressement étant pulsée (ondulée), on utilise un circuit
de filtrage permettant de réduire les ondulations afin d’obtenir une tension ou un
courant presque continu.

IV.[Link]. Le filtrage avec condensateur d’entrée

On dispose un condensateur entre le redresseur et la charge qui se comporte
comme un réservoir qui accumule la tension en présence de l’alternance redressée
et, qui se décharge dans la résistance de charge lorsque l’alternance redressée
disparait.

a) Redressement mono alternance

D

220V/50Hz C Vc RL

Figure IV.46 : Montage mono alternance avec filtre à condensateur d’entrée

Figure IV.47 : Allure de tension Vc du condensateur de filtrage

∆UR= URmax – URmin : variation de la tension Vc du condensateur

∆𝑈𝑅
La tension d’ondulation UR= Vond= 2
(en valeur éfficace)
La tension moyenne de sortie sera donnée par :

∆𝑈𝑅 ∆𝑈𝑅
Vmoy= URmax- √2. 2
ou Vmoy= URmax + √2. 2
D’où : Vmoy= URmax- √2. Vond
𝑘.𝐼
Et la tension d’ondulation est donnée pour ce cas ci par : Vond = 𝐶
avec C : la
capacité du condensateur de filtrage et I le courant moyen de sortie.

Si C↑ 𝑒𝑡 𝑉𝑜𝑛𝑑 ↓ et si C↓ 𝑒𝑡 𝑉𝑜𝑛𝑑 ↑
 126

N.B. : si la tension d’ondulation diminue, la capacité C du condensateur de filtrage

augmente et vice-versa.
En pratique, on utilisera une capacité forte qui permettra de réduire la valeur de
la tension d’ondulation afin d’obtenir une tension et un courant presque continus.
- Cː La capacité du condensateur de filtrage est exprimée en 𝜇𝐹⃗ ;
- I ː Le courant qui circule dans la charge est exprimé en mA ;
- K= 4,5 une constante.

Remarque :

- A l’absence de la charge RL, la tension filtrée Vc =Vmax

- Le filtrage améliore la tension redressée et fait croitre sa valeur.

EXERCICE D’EXEMPLE

Soit une alimentation en DC constituée d’un transformateur abaisseur

220V/9V/50Hz, d’un circuit redresseur mono alternance, et d’un condensateur de
filtrage de 1000𝜇F. Si la résistance de la charge est de 1KΩ, on demande de
déterminer la tension fournie à cette chargeː

- Sans condensateur de filtrage ?

- Avec condensateur de filtrage?

Redressement double alternance

Le schéma de la figure ci-dessous représente le montage redresseur à pont de
diodes avec le circuit de filtrage à condensateur d’entrée avec une résistance de
charge:

Figure IV.48 : Montage double alternance avec filtre à condensateur d’entrée

Figure IV.49 : Allure de tension Vc du condensateur de filtrage

𝑘×𝐼
Vmoy = Vmaxred - √2 . 𝑉𝑜𝑛𝑑 avec Vond = 𝐶
avec : K= 1,7 ; I en mA ; C en 𝜇F ; et
Vond en V.
 127

N.B ː la variante de la formule de Vmoy est ː

𝐼
Vmoy = Vmaxred - 4𝑓𝐶

Avec : I en A ; C en 𝜇F ; Vmoy et Vmax en

S’agissant de la fréquence du signal redressé à la sortie, elle est la même pour les
mono et double alternance de celui du signal à redresser pour la double alternance.

EXERCICE D’EXEMPLE

Soit une alimentation stabilisée en montage double alternance avec un

transformateur de 220V/9V/50Hz, et un montage à pont de Graëtz avec un
condensateur de filtrage de la capacité C=100𝜇F. Si la résistance de la charge
RL=1KΩ, on vous demande de déterminer la tension fournie à cette charge ː

- Sans capacité de filtrage?

- Avec capacité de filtrage?

IV.[Link]. Filtrage par cellule LC et RC

Pour des appareils électroniques qui exigent une grande stabilité dans leur
fonctionnement (calculateur électronique par exemple), il faut utiliser un filtrage
plus efficace afin de réduire considérablement la tension d’ondulation. Pour ce
faire, on utilise une cellule de filtrage à bobine et condensateur LC ou à résistance
et condensateur RC.

Filtrage par cellule LC

On utilise un filtre en 𝜋 constitué de deux condensateurs et d’une bobine de lissage.
L

Entrée C1 Vond1 C2 Vond2 Sortie

Figure IV.49 : Circuit de filtrage LC en pi (π)

Le condensateur C1 d’entrée effectue un 1er filtrage, la bobine L oppose une forte

inductance au courant d’ondulation, tandis qu’elle laisse passer facilement le
continu. Le 2ème condensateur C2 est utilisé pour réduire davantage l’ondulation
de la tension qu’on peut obtenir à la sortie.
 128

Procèdé de calcul

La tension d’ondulation Vond1 étant déjà évaluée dans la section précédente, on

voit alors déterminer Iond et Vond2.

Iond
L
Vond1 Z
C2
Vond2

Figure IV.50 : Equivalence du circuit de filtrage LC en pi (π)

On sait que : Z= L et C2 en série ; d’où :

𝑉𝑜𝑛𝑑1
𝐼𝑜𝑛𝑑 = 𝑍
et Vond2= [Link]

Si la résistance interne de L est négligeable, on obtient :

1
𝑍 = 𝐿𝜔 −
𝐶2 𝜔
Avec ː

𝜔=2𝜋𝑓 et f : fréquence d’ondulation.

NB :
- En mono alternance f = 50Hz ;
- En double alternance, f=100Hz.
𝑉𝑜𝑛𝑑1
𝐿𝜔 − 1
𝑉𝑜𝑛𝑑1 1
→ Iond = or Vond2= [Link]= .𝐼 ; d’où Vond2= 𝐶2𝜔
𝐿𝜔 −
1
𝐶2𝜔 𝑜𝑛𝑑 𝐶2𝜔
𝐶2𝜔

𝑉𝑜𝑛𝑑1 𝑉𝑜𝑛𝑑2 1
→ Vond2= 1 or = =
𝐶2×𝑤(𝐿×𝑊 − ) 𝑉𝑜𝑛𝑑1 𝐿×𝐶2𝑊−1
𝐶2

𝑉𝑜𝑛𝑑1
Avec Ƞ=𝑉𝑜𝑛𝑑2 : le coefficient d’efficacité du filtre
1
Ƞ=𝐿𝐶 2 −1
2𝜔

Remarque

1) Le coefficient d’efficacité Ƞ est donné pour chaque type d’appareil, tel que:
l’amplificateur, l’oscillateur, le modulateur, le mélangeur, etc. A titre
d’exemple, on propose les valeurs de Ƞ :
- Alimentation de l’amplificateur RF non modulé : Ƞ˂5%
- Alimentation d’amplificateur RF modulé : Ƞ˂2%
- Alimentation du récepteur radio ou l’amplificateur AF de puissance : Ƞ˂0,5%
- Alimentation de l’étage oscillateur : Ƞ˂1%
- Alimentation de l’étage préamplificateur ou d’un circuit correcteur AF :
Ƞ˂0,1%
 129

2) Si C2, Ƞ, 𝑒𝑡 𝜔 sont connus, on peut tirer la valeur de l’inductance L à partir

1 1+Ƞ
dela formule:Ƞ=𝐶2𝑥𝐿𝑥𝜔² −1 → L=𝐶 2 avec C2 : en Farad (F) ; L: en henry
2𝜔 Ƞ
(H) ; et 𝜔: rad/sec

Dans le cas du redressement double alternance, la fréquence d’ondulation f=

100Hz, ω2 est à peu près égale à 0,4.106. Si on exprime C2 en µF, la formule
donnant L peut être simplifiée et on obtient alors :
1+Ƞ
L=
0,4.𝐶2 .Ƞ
EXERCICE D’EXEMPLE

Soit un amplificateur AF de puissance qui consomme un courant de 1A et on

voudrait l’alimenter par un circuit d’alimentation comprenant un transformateur
de 220V/18V/50Hz. Un montage redresseur double alternance en pont de Graëtz
et une cellule de filtrage en π tels que : C1=C2=220µF. On demande de
dimensionner ce circuit d’alimentation ?

Remarque :
Si la résistance RL de la bobine de lissage n’est pas négligeable par rapport à ωL,
on calcul Iond en remplaçant Z par son expression complète. On a :

1 2
𝑍 = √𝑅 2 + (𝜔𝐿 − Cω
)

Filtrage par cellule RC

Lorsque le courant à débiter dans la charge est très faible, on remplace la bobine
L par une résistance R.
R

Entrée C1 Vond1 C2 Vond2 Sortie

Figure IV.51 : Circuit de filtrage RC en pi (π)

Procédé de calcul

De même comme le point précédent, la tension d’ondulation Vond1 étant déjà

évaluée dans la section précédente, on voit alors déterminer Iond et Vond2 pour
ce deuxième cas :
 130

Iond
R
Vond1 Z
C2
Vond2

Figure IV.52 : Equivalence du circuit de filtrage RC en pi (π)

On obtient :

1
𝑍 = √𝑅 2 + ( )2
𝐶 2𝜔

1 2
Or, Vond 1= 𝑍. 𝐼𝑜𝑛𝑑 = ( √𝑅 2 + ( c2w ) ) . 𝐼𝑜𝑛𝑑

1 𝐼
𝑉𝑜𝑛𝑑2 = 𝑋𝐶2 . 𝐼𝑜𝑛𝑑 = 𝜔.𝐶 . 𝐼𝑜𝑛𝑑 = 𝜔.𝐶2
𝑜𝑛𝑑
2

Or, le coefficient d’efficacité Ƞ, est donné par :

𝐼𝑜𝑛𝑑
𝑉𝑜𝑛𝑑2 𝜔𝐶2 1
Ƞ= = =
𝑉𝑜𝑛𝑑1
1 2 1 2
( √𝑅 2 + ( ω𝐶 ) ) . 𝐼𝑜𝑛𝑑 ( √𝑅 2 + ( ω𝐶 ) )
2 2

1
D’où : Ƞ=
√(𝜔.𝐶2 )2 .𝑅2 +1

Si C2, et ω sont connus, on peut tirer la valeur de la résistance par R :

√1−Ƞ2
R= Ƞ.𝜔.𝐶2

Avec : C2 en farad ; R en ohm ; et ω en rad/sec

EXERCICE D’EXEMPLE

On voudrait une alimentation en DC destinée à alimenter un étage oscillateur. Si

le transformateur est de 220V~/12V~ , le redressement est à port de Graetz ;
tandis que la cellule de filtrage comprend deux condensateurs de 1000𝜇𝐹⃗ et une
résistance R. On vous demande d’évoluer la valeur de cette résistance ?

VALEURS NORMALISEES DES CONDENSATEURS ELECTROLYTIQUES DE

FILTRAGE

1. Capacité en 𝝁𝑭
0,1 4,7 47 1000
0,22 6,8 50 2200
0,33 8 68
0,47 10 100
1 16 150
 131

1,5 22 220
2,2 33 330
3,3 470
680

2. Tension de service en volts

6,3 100
10 150
16 160
20 200
25 250
35 300
40 350
50 400
63 500

IV.4.1.4. La stabilisation de la tension

La stabilisation de la tension de sortie, appelée aussi filtrage dynamique, permet
de maintenir constante la tension continue Vs fournie à la charge quelles que soient
les fluctuations de la tension du réseau électrique ou celle provenant de la charge.

On distingue deux types de circuits stabilisateurs de tensions :

- Le stabilisateur de tension à diode Zener ;

- Le stabilisateur de tension à transistor.

IV.[Link]. La stabilisation de tension à diode ZENER

1. Principe

Les diodes Zener sont fréquemment utilisées pour réguler la tension dans un
circuit. Lorsqu'on la connecte en inverse en parallèle avec une source de tension
variable, une diode Zener devient conductrice lorsque la tension atteint la tension
d'avalanche de la diode. Elle maintient ensuite la tension à cette valeur.

Lorsqu’on soumet à une diode Zener une tension en polarisation inverse dépassant
sa tension Zener Vz, la diode Zener se met à conduire et maintien la tension sortie
constante au niveau de Vz.

Une diode Zener est un régulateur shunt (shunt désigne la connexion en parallèle).
En effet, une partie du courant qui traverse la résistance est déviée dans la diode
Zener, et le reste traverse la charge. Ainsi on contrôle la tension que voit la charge
en faisant passer une partie du courant issu de la source dans la diode au lieu de
la charge.

2. Circuit équivalent

Nous savons que toute diode Zener est assimilable à un générateur de tension en
série avec une résistance :
 132

Symbole circuit équivalent

Avec :

Rz : la régulation interne de
la diode zener
Vz : la tension zener
Vz : Cste

Pratiquement, on place à la suite du circuit de filtrage une diode Zener (montée

en sens inverse) en parallèle avec la charge. De ce fait, la diode Zener limite la
tension de sortie Vs à la valeur de Vz en écrêtant toutes les valeurs de la tension
supérieure à Vz. En outre, on associe à la diode Zener une résistance de
protection Rp.

Figure IV.53 : Limitation du courant Zener par la résistance

Dans ce circuit, la résistance R est responsable de la chute de tension entre UIN

et UOUT. La valeur de R doit satisfaire deux conditions :

- R doit être suffisamment petite pour que le courant qui passe dans D la
maintienne en mode d'avalanche. La valeur de ce courant est donné dans
la data sheet de D. Par exemple, la diode Zener classique BZX79C5V6 (5,6 V
/ 0,5 W) possède un courant inverse recommandé de 5 mA. Si le courant
qui traverse D n'est pas suffisant, alors UOUT n'est pas régulé, et vaut moins
que la tension d'avalanche. Lors du calcul de R, on doit tenir compte du
courant qui circule dans la charge externe connectée sur UOUT.

- R doit être assez grande pour que le courant qui traverse D ne la détruise
pas. En notant ID le courant dans D, la tension d'avalanche VB et la puissance
absorbable maximum PMAX, alors on doit avoir IDVB < PMAX.
La diode Zener est faite pour fonctionner en régime de claquage inverse
On constate que la tension inverse aux bornes de la diode, dans la zone de
claquage, varie peu (Vz≈Vmax≈Vmin)
Imin est l'intensité au-dessous de laquelle la tension n'est plus stabilisée
Imax est l'intensité au-dessus de laquelle, la puissance :

P = [Link] dissipée dans la diode devient destructrice

 133

3. Résistance différentielle

Elle est en relation avec l'inclinaison de la caractéristique dans la région de

claquage. Le rôle stabilisateur de la diode est d'autant mieux rempli que cette
résistance est faible

Par exemple rz = 20 pour la diode BZX 55 - C12

4. Source de tension constante

En se référant à la figure X.25, pour que la stabilisation soit effective, il faut que
Iz soit toujours compris dans les limites Imin < Iz < Imax. En connaissant U et
Uz, ainsi que Imin et Imax, on détermine Rp.

5. Fonctionnement en charge

Figure IV.54 : Fonctionnement d’une diode Zener en charge protégée

I = Iz + Ir par Rp

si R , Ir=0 et I=Iz, c'est le fonctionnement à vide

si R=0, Uz=0, Iz=0, I=Ir=U/Rp, la stabilisation a disparu
Limite de la stabilisation: la stabilisation disparaît lorsque Iz devient inférieur à
Imin.

Exercice :

Réaliser une alimentation stabilisée 12v - 30mA, à partir d'une source de tension
constante 24v

On choisit une diode Zener BZX 55 - C12, dont les caractéristiques techniques
sont: Vz=12V, Pz=500mW, Izmaxi=32mA. On suppose Izmini=0 (diode parfaite)

1/ Calculer la valeur de la résistance de protection (pour R )

on prend: Rp = 390
 134

2/ Calculer, dans ces conditions, la puissance dissipée dans cette résistance

on prend: P = 0,5W

3/ Quel est le courant que peut débiter l'alimentation (avec stabilisation) ?

4/ Quel est le courant maximal qui peut traverser Rp ?

5/ Calculer alors la puissance dissipée dans Rp

on prend 2W

6. Application de Dz dans les montages

a) MONTAGE MONO-ALTERNANCE

 Vi=Vin (entrée)
 Vo=Vout (sortie)

Redressement filtrage

stabilisation

b) MONTAGE DOUBLE-ALTERNANCE
 135

Redressement filtrage

stabilisation

c) PROCEDE DE CALCUL D’UN CIRCUIT STABILISATEUR DE TENSION

PAR DIODE ZENER

Pour dimensionner un montage stabilisateur de tension par diode Zener, on suit

les 4 étapes suivantes ;

1ère étape :

Consulter dans le databook (lexique) pour rechercher les valeurs de Vz de la diode

Zener à utiliser qui soit la plus proche de la tension Vs que l’on voudrait obtenir.

9.8V
1. Exemple : Vs= 10V Vz : 9.7V
10.5V
11V
2ième étape :

Déterminer la puissance de la diode Zener

Pz= Vz(ILmax-ILmin)1,2

Ilmax et Ilmin : ce sont les valeurs maximales et minimales du courant absorbé par
la charge. Si on donne une seule valeur du courant pour une charge donnée, on
considère que cette valeur du courant correspond à Ilmax tandis que Ilmin= 0

3ième étape :

Détermination de la valeur de la maximale du courant Zener Izmax

𝑃𝑧
Izmax = 0,9
𝑉𝑧

4ième étape : détermination de la valeur de la résistance de protection Rp

Vi − Vo Avec : Vi=
Vc et Vo= Vs=Vz
𝑅𝑝 =
Irp
(Capa de filtrage) (Tension de
sortie)

IRp=Iz+IL
 136

EXERCICE

On voudrait réaliser une alimentation stabilisée par une diode Zener dont la tension
de sortie Vs= 9V, et un courant de 80mA est fourni à la charge. Si le
transformateur est de 220V/9V, le redressement est à pont de Graêtz et un
condensateur de filtrage C=2200µF, on vous demande de dimensionner cette
alimentation ?

REMARQUE :

 Le stabilisateur de tension à diode est utilisé pour des charges qui ne

consomment pas un grand courant ou une grande puissance, sinon la chute
de tension dans la résistance de protection Rp sera excessive,
 Le stabilisateur de tension à diode zener ne doit jamais fonctionner à vide
(sans charge) car tout le courant IRp fourni va traverser la diode Zener et
entraîner sa destruction.

IV.[Link]. La stabilisation de tension à transistor

Pour obtenir un courant de sortie plus élevé, on associe à la diode zener un
transistor amplificateur qui, grâce à son gain, fournira à la charge un courant plus
important. On distingue deux types de montages :

- Le montage parallèle
- Le montage série.

a) La stabilisation de tension à transistor parallèle

Le transistor stabilisateur de tension est monté en parallèle avec la charge.

Montage à transistor PNP

 137

Montage à transistor NPN

Fonctionnement

La tension aux bornes du collecteur et la base du transistor stabilisateur est

maintenue constante par la diode zener Dz et fixée à la valeur de référence Vz=VCB.
Toutes variations de la tension d’entrée Vin (augmentation ou diminution)
affectent ou modifient uniquement la base VBE comprise entre la base et l’émetteur
de transistor.

L’équation de la maile d’entrée donné :

Vc=RIR+R1IR1+VZ (1)

Or R1IR1=VBE (2) D’où VC=RIR+VBE+VZ

VBE=VC-(RIR+VZ) (3)

De même, on aura : Vc=RIR+VS

VS=VC-RIR (4)

Si IL=0 I=IE≈IC IR=IRL+IC (5)

Et

IC=βIB (6)

Alors VR=RIR (7)

𝐕𝐛𝐞
On sait que : Ib = 𝐑𝐛𝐞 (8)

1èr cas : Augmentation de Vc

Si Vc Vbe selon (3) Ib selon (8) et Ic selon (6) ; Ir

selon (5)

Vr selon (7) ; et Vs selon (4)

Remarque : toute augmentation de Vc entraine une augmentation de Vr de

sorte que leur différence rende Vs constante.

2ième cas : diminution de Vc

 138

si Vc Vbe selon (3) Ib selon (8) et Ic selon (6) ; Ir selon (5), Vr

selon (7) ; Vs

selon (7) ; Vs selon (4).

Il y a donc stabilisaion grace à la compensation réalisée par le transistor

stabilisateur de tension.

Variante : lorsqu’on veut avoir un courant de sortie plus grand, on peut utiliser
deux transistors placés en montage DARLINGTON dont le gain est le produit des
gains de deux transistors.

Or IC ≈ IE1=β1.β2
Or IE1=IB2
D’où IC2=β2.IB2=β2.IE1
IC2=β2.β1.IB1
Ic2
Donc β= =β1.β2
𝐼𝑏1
͢͢͢͢ β= β1. Β2

𝐈𝐜𝟐
Gain total: β=
𝐈𝑏1

Exemple de schéma en montage Darlington

15Ω Dz
Dz

Vin=20à25V Vo=12V

320Ω

Stabilisation de la tension par transistor série

C’est le montage le plus simple et le plus utilisé en pratique dans la plupart
de système d’alimentation en DC.

Le transistor stabilisateur de tension est montée en série avec la charge tel

que présenté dans la figure suivante :
 139

 La maille d’entrée donne :

Vc=[Link]+Vz [Link]=Vc-Vz
𝑽𝒄−𝑽𝒛
D’où 𝑹𝒑 = 𝑰.𝑹𝒑
(1) avec [Link]=Iz+Ib

On sait que Iz est de l’ordre de mA ; tandis que IB est de l’ordre de µA, d’où
IZ>>>IB .

[Link]≈IZ (2) la valeur de IB est négligeable devant IZ

 La maille de sortie donne :

VZ-VBE-VS=0 Vs=Vz-VBE (3) avec VBE≈0,7V

EXERCICE

Soit un circuit stabilisateur de tension composé d’un transistor 2SD400,

d’une diode Zener BZX12 et d’une résistance RP. Si Vin=15V ; IZ=20mA ; et
IB=50µA. on vous demande d’evaluer VS=Vout et RP ?

Alimentation Régulée (Asservissement)

BUT :

Les fluctuations de la tension peuvent provenir aussi bien du réseau électrique que
de la charge.

Dans les montages vus précédemment, pour la stabilisation de la tension, on avait

tenu compte seulement des fluctuations de la tension provenant du réseau
électrique ; mais, dans l’alimentation régulée, on va introduire une boucle de
réaction (boucle d’asservissement) qui permettra de contrôler les fluctuations de
la tension provenant de la charge.

PRINCIPE :

Ce montage repose sur le principe d’asservissement de la tension par contre-

réaction ; c’est-à-dire qu’une partie des tensions de sortie est ramenée vers un
comparateur qui reçoit également une tension de référence provenant d’une diode
Zener , tel que le comparateur fournit une tension d’erreur proportionnelle à
l’écart entre la tension de référence et la fraction de la tension de sortie. Cette
tension d’erreur commande un amplificateur appelé ballast qui agit comme un
potentiomètre dont la commande permet d’ajuster la tension de sortie.
 140

Le pont diviseur de tension à résistance constitué par R1, R2, et le potentiomètre

(pot), permet de recueillir une fraction Vs’ de la tension de sortie Vs’. Le
potentiomètre contenu dans le pont diviseur à résistance sert à ajuster la valeur
de Vs’.

Le générateur de la tension de référence à diode Zener fournit une tension Vréf

qui sera comparée à Vs par le comparateur à transistor. Lorsqu’il y a pas décalage
entre Vréf et Vs’ (Vréf=Vs’) la tension d’erreur exprimée par la relation :

ἐ=Vréf-Vs’

Est nulle (ἐ=0), c’est-à-dire que le comparateur fournit une tension ἐ qui n’a
aucune réaction sur l’ampli ballast, d’où la tension de sortie Vs est maintenue. En
cas de décalage entre Vréf et Vs’ (Vs’>Vréf) ou (Vs<Vréf). Le comparateur fournit
une tension d’erreur ἐ proportionnelle à ce décalage de façon à commander l’ampli
ballast (qui fonctionne comme un potentiomètre) de façon à corriger la tension Vs
de sortie.

Exemple des montages pratique

Tr
220V/12V 250mA
R1
R3620Ω
1K2
R2

Pot 200Ω

Vz=Vréf
1KΩ
R4

C1 C2

 Taux de régulation : 0,5%

 Tension d’alimentation : 5mV crête à crête à pleine charge

VS=VC-VCE Si ἐ↗IB↗IC↗VCE↗VS↘
Si ἐ↘IB↘IC↘VCE↘VS↗
 141

Chapitre V :

LES TRANSISTORS
V.1. INTRODUCTION :

Les transistors sont des composants électroniques qui ont trois électrodes (pattes)
contrairement aux diodes qui en ont deux. La troisième électrode permet de
commander le transistor soit en tension soit en courant.
En conséquence, il existe plusieurs sortes de transistors, dans notre cas, nous
allons en citer deux, à savoir : les transistors bipolaires qui sont commandés en
courant, et les transistors unipolaires qui sont commandés en tension.

V.2. LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

Les transistors sont des composants électroniques qui ont trois électrodes
(pattes) contrairement aux diodes qui en ont deux. La troisième électrode
permet de commander le transistor soit en tension soit en courant.
En conséquence, il existe plusieurs sortes de transistors, dans notre cas,
nous allons en citer deux, à savoir : les transistors bipolaires qui sont
commandés en courant, et les transistors unipolaires qui sont commandés
en tension.

V.2.1. Présentation

Avant 1945, tout équipement électronique comportait des tubes à vide. Ces
"lampes" luminescentes, dont le filament à lui seul consommait déjà
quelques watts, nécessitaient une alimentation volumineuse et un dispositif
de circulation d'air afin de dissiper la chaleur émise. Effectuant des
recherches depuis 1947 aux Bells Telephone Laboratories, trois chercheurs
mirent au point, vers 1948, un dispositif à semi-conducteur à deux jonctions
appelé transistor (de l'expression anglaise TRANSfer resISTOR). Ces trois
physiciens et techniciens américains, JOHN BARDEEN, WALTER BRATTAIN
et WILLIAM SCHOCKLEY obtinrent d'ailleurs le prix Nobel de physique en
1956 pour leur invention.

L'impact de cette découverte sur l'électronique fut considérable et donna

naissance à toute une industrie ainsi qu'au développement de composants
électroniques allant jusqu'au microprocesseur actuel présent dans tout
micro-ordinateur.

Un transistor est réalisé à partir d'une plaquette semi-conductrice,

germanium ou silicium, dans laquelle trois zones de dopage P ou N, telles
que nous l'avons déjà décrit pour les diodes, sont créées, ce qui représente
la réalisation de deux jonctions P-N.
 142

Il est donc possible d'obtenir des transistors PNP ou NPN qui sont
complémentaires. Les courants et les tensions d'un transistor PNP sont
opposés aux courants et tensions d'un transistor NPN, mais le principe de
fonctionnement est exactement le même pour les deux types. Vu à l'aide
d'un microscope, l'intérieur d'un transistor peut se visualiser (en simplifié,
bien sûr) selon le dessin ci-dessous :

Symbole électrique :

Figure V.1 : Structure interne et symboles graphiques du transistor (NPN,

PNP)

V.4.2. Constitution
Le transistor bipolaire est réalisé dans un monocristal comportant trois
zones de dopage différentes. On reconnaît deux jonctions PN que l'on peut
considérer comme deux diodes lorsque le transistor n'est pas polarisé.

Figure V.2 : Circuit équivalent d’un transistor bipolaire

Le transistor ressemble donc à deux diodes, l'une pouvant être appelée

diode collecteur pour la jonction base-collecteur, et l'autre diode émetteur
pour la jonction base-émetteur. Le transistor peut se comparer au schéma
de deux diodes dont soit les anodes (cas du NPN) ou les cathodes (cas du
PNP) sont reliées et symbolisent la base.

Figure V.3 : les trois régions d’un transistor bipolaire

 143

Ce schéma équivalent des deux diodes représente bien ce que nous pouvons
mesurer à l'aide d'un ohmmètre, mais la comparaison s'arrête là car pour
que l'effet transistor existe, il faut bien que la base soit très mince et
faiblement dopée, le tout sur la même plaquette semi-conductrice. Il est
utile de savoir que la zone d'émetteur est fortement dopée, la zone de base
est très étroite (de l'ordre du μm) et faiblement dopée, alors que la zone
collecteur, dopée moyennement, est par contre la plus large des trois zones
et dissipe le plus de chaleur.

V.4.3. Effet transistor

Pour polariser correctement un transistor, il faut que : la jonction entre B

et E soit polarisée dans le sens direct, la jonction entre C et B soit polarisée
dans le sens inverse.

Figure V.4 : Polarisation de deux jonctions d’un transistor bipolaire

V.4.3.1. du microscope à l'ampèremètre

Si nous alimentons le transistor de telle manière à polariser les diodes

collecteur et émetteur dans le sens direct, nous constatons un grand
courant du aux porteurs de charges majoritaires amenés par les atomes du
dopage.

Figure V.5 : Polarisation en direct de deux jonctions (JBC et JBE) d’un

transistor bipolaire
 144

Si au contraire nous alimentons le transistor de manière à polariser les

diodes collecteur et émetteur dans le sens inverse, nous constaterons un
très faible courant, dû aux porteurs de charges minoritaires amenés par
l'agitation thermique. Ce courant est souvent négligeable, mais il existe
néanmoins.

Figure V.6 : Polarisation en inverse de deux jonctions (JBC et JBE) d’un

transistor bipolaire

Chacun des courants ci-dessus est dépendant de la température et

augmente avec celle-ci. En effet, la résistivité des semi-conducteurs
diminue avec l'augmentation de la température (le coefficient α est
négatif). Cette dépendance physique sera lourde de conséquence lorsqu'il
faudra obtenir des montages électroniques stables quelle que soit la
température de fonctionnement.

V.4.3.2. du microscope à l'effet transistor

Rien d'inhabituel ne s'est produit lors de la polarisation directe ou inverse

des deux jonctions. Ce que nous pouvons appeler l'effet transistor se
produit lorsque le transistor est alimenté de manière à polariser la diode
émetteur dans le sens direct et la diode collecteur dans le sens inverse:

Figure V.7 : Polarisation en direct de la jonction B-E et de la polarisation

inverse de la jonction B-C d’un transistor bipolaire

Nous pouvons nous attendre à un courant d'émetteur provenant de la base,

puisque la jonction base-émetteur est polarisée dans le sens direct, et à
aucun courant de collecteur, car la jonction base-collecteur est polarisée en
inverse. Mais ce serait oublier que la base est très mince et faiblement
dopée. L'effet transistor peut se résumer (et se simplifier) de la manière
suivante: les électrons venant de l'émetteur (cas du NPN) arrivent
dans la région de la base. Deux trajets sont offerts, l'un vers la zone
de la base, et l'autre à travers la jonction collecteur et ensuite dans
la région du collecteur.

La base étant très mince et remplie d'électrons provenant de l'alimentation

de l'émetteur, ceux-ci provoquent un champ électrique sur la jonction
collecteur, renforcé par la polarisation inverse de l'alimentation de
 145

collecteur, qui entraîne une conduction par effet d'avalanche, à l'image

d'une diode Zener.
En fait, dans la plupart des transistors, plus du 95% des électrons vont dans
la région du collecteur, et moins de 5% des électrons vont dans la région
de la base et passent au conducteur externe de la base.

L'effet transistor n'existe donc que si la diode émetteur est polarisée dans
le sens direct et la diode collecteur dans le sens inverse. Si ces conditions
sont remplies, nous constatons deux évènements essentiels pour
l'utilisation du transistor, à savoir :

- Le courant de collecteur est à peu près égal au courant d'émetteur.

(IE = IC à 5% près) ;
- Le courant de collecteur n'est existant que si la jonction base-
émetteur est polarisée dans le sens direct (UBE = 0,6V) ce qui implique
un courant de base IB.

En résumé, pour que l'effet transistor existe, il faut que la diode collecteur
soit polarisée en inverse et que la diode émetteur soit polarisée dans le sens
direct. Et seulement dans ce cas que le transistor devient une source de
courant commandée : le faible courant de base commande un fort courant
d'émetteur (et donc de collecteur), le transistor peut se représenter à l'aide
d'un schéma équivalent composé d'une source de courant (commandée) et
d'une diode.

Figure V.8 : La loi de Kirchhoff appliquée au transistor bipolaire :

IE = IC + IB (V.1)

V.4.4. Symboles, tensions et courants

Le transistor bipolaire est un composant électronique discret constitué de
trois électrodes représentant la succession de trois semi-conducteurs,
respectivement de type P-N-P ou N-P-N. dans les figures ci-dessous, il
s'agit, dans le premier cas, d'un transistor NPN, et dans le deuxième cas,
d'un transistor PNP. Par construction, les jonctions base - émetteur et base
- collecteur ne sont pas identiques. Le transistor ne fonctionne pas de
manière symétrique :
- Le collecteur et l'émetteur ont des dopages très différents.
- L'émetteur est beaucoup plus dopé que la base
- La base est plus mince.
 146

La flèche qui repère l'émetteur indique le sens passant de la jonction base

– émetteur, le type du transistor ainsi que le sens de parcours du courant.

Figure V.9 : Symboles des transistors bipolaires NPN et PNP

V.4.5. Fonctionnement

V.4.5.1. Les montages fondamentaux

Le transistor ayant trois électrodes, l'une d'elles sera commune à l'entrée

et à la sortie. Il en résulte trois montages principaux. Les montages
correspondant à une permutation entrée sortie sont sans intérêt car ils ne
permettent pas de gain.

On considère le transistor comme un quadripôle dont une électrode est

commune à l'entrée et la sortie. Trois montages sont donc à envisager :
- base commune utilisé en haute fréquence,
- collecteur commun utilisé en adaptation d'impédance,
- émetteur commun utilisé en amplification et le plus commun.

Montage entrée sortie

Emetteur-commun (EC) base collecteur
Collecteur-commun (CC) base Emetteur
Base-commune (BC) Emetteur Collecteur

Ces 3 montages sont présentés ci-dessous :

Figure V.10 : Les trois (3) montages fondamentaux du transistor bipolaire

 147

V.4.5.2. Fonctionnement en courant de base nul

Alimentons un transistor NPN comme indiqué à la figure ci-dessous. Le

courant IC est le courant inverse de la jonction base - collecteur, de l'ordre
du nA et indépendant de VCB, nous le noterons ICOB.

Figure V.10 : Fonctionnement en IB=0

V.4.5.3. Fonctionnement à collecteur ouvert

Figure V.11 : Fonctionnement en IC=0

Alimentons un transistor NPN comme indiqué à la figure ci-dessus, la
jonction base - émetteur est polarisée en direct, VBE =0,7V (pour le
silicium) Le courant de base est donné par :

Ce courant ne dépend que des éléments extérieurs et est indépendant du

transistor. La caractéristique IB=f(VBE) est celle d'une diode polarisée en
direct. Le courant de collecteur est nul IC=0.

V.4.5.4. Fonctionnement à collecteur fermé :

Considérons le schéma de la figure ci-dessous :

Figure V.12 : Fonctionnement avec collecteur en court-circuit

 148

La jonction base - émetteur est polarisée en direct. Des trous sont injectés
de la base vers l'émetteur alors que des électrons passent de l'émetteur
vers la base. Cette diffusion donne naissance à un courant IE.

Ce courant est essentiellement dû aux électrons injectés de l'émetteur (plus

dopé que la base). D'autre part, on a :

VCB =VCC −VBE ≈VCC est positive,

Donc, la jonction base - collecteur est polarisée en inverse. Par construction,

le collecteur capte un nombre d'électrons (courant IC) beaucoup plus
important que la base. Le courant de base,

𝐸𝐵
IB=𝑅𝐵 est indépendant du transistor.

Il est nécessaire pour maintenir la concentration de trous dans la base.

L'effet transistor consiste à contrôler, à l'aide du courant de base IB,
relativement faible, un courant de collecteur IC, beaucoup plus important.

V.4.5.5. Mise en équation :

Considérons le schéma de la figure ci-dessous. La jonction base-collecteur

est polarisée en inverse. La jonction base-émetteur est polarisée en direct.

Le courant IC résulte :
- du courant de fuite en base commune ICBO qui intervient sur le schéma
de la figure (fonctionnement en courant de base nul).
- du courant ∝IE provenant des électrons injectés par l'émetteur, 0,9<
𝛼 <0,995.

Soit :
𝐼𝑐 = 𝛼𝐼𝐸⃗⃗ + 𝐼𝐶𝐵0
Et 𝐼𝐸⃗⃗ = 𝐼𝑐 + 𝐼𝐵

𝛼 𝐼𝐶𝐵0
De ces deux équations, on tire : 𝐼𝑐 = 𝐼𝐵 +
1−𝛼 1−𝛼

Que l’on écrit sous la forme : 𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵 + 𝐼𝐶𝐵0

Avec :
𝛼
β = 1−𝛼 : c’est le gain en courant en Emetteur-commun
𝐼𝐶𝐵0
𝐼𝐶𝐸⃗⃗0 = : C’est le courant de fuite en Emetteur-commun
1−∝
 149

V.4.5.6. Réseau de caractéristiques (montage EC)

Pour caractériser complètement le fonctionnement d'un transistor, il faut

déterminer six grandeurs : IC, IB, IC, VCE, VBE et VCB. Pour procéder au relevé
des caractéristiques on utilise le montage ci-dessous. Les paramètres
d'entrée IB et VBE sont maintenus constants et on mesure IC lorsque VCE
varie.

Figure V.12 : Mesures des tensions et courants d’un transistor bipolaire

On étudie un transistor au silicium de faible puissance. Pour les transistors

au silicium la tension de seuil de la jonction base-émetteur est voisine de
0,7V.

Réseau de sortie : C'est le réseau IC = f(VCE) à IB=Ct. Dans ce réseau on

distingue trois zones, à savoir :

- VCE: faible (inférieure à 0,7V), la jonction base - collecteur est

polarisée en directe. Le courant IC varie linéairement avec VCE.
- VCE : grand, il y a claquage inverse de la jonction et croissance du
courant par avalanche.

Selon les transistors, la tension de claquage varie de 30V à 250V.

- VCE intermédiaires, le courant collecteur est donné par la relation :

Ic=βIB + ICB0+kVCE

Il y a une légère croissance de IC avec VCE. En pratique on utilise la relation

simplifiée :
Ic=βIB

Où β est le gain en courant du transistor. Suivant le type des transistors et

les conditions de fabrication, sa valeur varie entre 20 et 200. Le gain varie
avec le courant collecteur, la tension VCE, et la température (terme ICEO).
IB, étant β fois plus faible que Ic, On peut considérer que la puissance
dissipée dans le transistor est :

P = [Link]
 150

Réseau de transfert en courant :

C'est le réseau IC=f(IB) 0 à VCE=Cte. La courbe est linéaire et passe par le

point IB =0 et ICEO. C'est la courbe représentative de l'équation :

Ic=βIB + ICE0
Réseau d'entrée :

C'est le réseau IB=f(VBE) à VCE=Cte. Dès que VCE0,7V , toutes les courbes
sont pratiquement confondues. La courbe est identique à la caractéristique
d'une diode (jonction base-émetteur).
Pour un transistor au silicium VBE varie très peu et reste voisin de la tension
seuil de la jonction base-émetteur, soit 0,7V.

Réseau de transfert en tension :

C'est le réseau VBE=f(VCE) à IB=Cte. On constate que les variations de la

tension de sortie sont sans effet sur la tension d'entrée.

Figure V.13 : Réseau de caractéristiques (montage EC)

V.4.5.7. Régimes de fonctionnement du transistor :

Considérons le schéma de la figure suivante :

 151

Nous allons chercher à déterminer la valeur du courant IC et de la tension

VCE en fonction des éléments du montage. Nous disposons de deux
équations :
- l’une provenant du transistor, donnée par le réseau de
caractéristiques IC=f(VCE) à IB=Cte ;
- l’autre résultant de la loi des mailles :

E = [Link] +VCE

La droite représentative de cette équation est appelée droite de charge

statique. Traçons cette droite dans le système d'axes IC=f(VCE ). Figure ci-
dessous :

Les valeurs de IC et de VCE sont les coordonnées du point d'intersection de

la droite de charge statique et de la caractéristique IC=f(VCE) correspondant
à la valeur de IB imposée par le réseau d'entrée.

Nous distinguons trois positions remarquables correspondant à trois

fonctionnement particulier du transistor :
- le point A dans la partie linéaire et horizontale des caractéristiques.
Ce point correspond à un fonctionnement linéaire en amplification.

- Le point S dans la partie montante des caractéristiques. Le transistor

est saturé. VCE0 ≈ (quelques dixièmes de volt). Toute augmentation
de IB est pratiquement sans effet sur la valeur de IC.
 152

Le transistor se comporte, entre collecteur et émetteur, comme un

interrupteur fermé. On note : VCE ≈VCEsat.

- Le point B pratiquement sur l'axe des [Link] est très faible. Le

transistor est bloqué. II se comporte, entre collecteur et émetteur,
comme un interrupteur ouvert.

Détermination de la condition de saturation :

Idéalisons la caractéristique IC=f(VCE), correspondant à un courant IB

comme indiqué à la figure suivante. Le courant de base est fixé par le réseau
d'entrée.

Pour que le transistor soit saturé (point de fonctionnement en S), il faut que
son courant de collecteur IC soit inférieur à βIB, soit :
Ic< 𝛽𝐼𝐵
Exemple :

Calculons les éléments du dispositif de la figure ci-dessus afin d'obtenir la

saturation du transistor. Nous supposons que la tension d'alimentation est
très supérieure à 0,6volt, c'est très grand par rapport à VBESat et VCESat. A
partir des équations :
𝐸⃗⃗ − 𝑉𝐵𝐸⃗⃗𝑠𝑎𝑡 𝐸⃗⃗
𝐼𝐵 = =
𝑅𝐵 𝑅𝐵

𝐸⃗⃗ − 𝑉𝐶𝐸⃗⃗𝑠𝑎𝑡 𝐸⃗⃗

𝐼𝑐 = =
𝑅𝐶 𝑅𝐶
La condition de saturation s’écrit :
𝐸⃗⃗ 𝐸⃗⃗
𝛽>
𝑅𝐵 𝑅𝑐
 153

Soit :

𝑅𝐵 < 𝛽𝑅𝑐

V.4.6. Test statique d'un transistor

Le test peut se faire à l'aide d'un ohmmètre ou mieux avec un vibreur

électronique ou la position "test diode" d'un multimètre numérique. Le
courant délivré par l'appareil ne doit pas dépasser quelques dizaines de
microampères.

V.4.6.1. Test du transistor NPN :

Figure V.14 : Test d’un transistor du type NPN à l’aide d’un vibreur.

V.4.6.2. Test du transistor PNP :

Figure V.15 : Test d’un transistor du type NPN à l’aide d’un vibreur.

V.4.6.3. Identification des bornes :

Le montage dans un circuit ou le test du transistor ne peut se faire si l'on
ne peut identifier les bornes de base, collectrice et émettrice. Le meilleur
moyen d'identifier un transistor est de disposer du livre de données
techniques d'un fabricant ou d'un lexique international.
Les boîtiers les plus courants sont présentés ci-dessous :
 154

Les boîtiers métalliques :

Figure V.16 : Différents boitiers métalliques des transistors bipolaires.

 155

Les boîtiers plastiques :

Figure V.17 : Différents boitiers plastiques des transistors bipolaires.

V.5. PHOTOTRANSISTOR

Le phototransistor ressemble au transistor bipolaire sauf que la base est

éclairée par un rayonnement au lieu d’être traversée par un courant de base
→ création de porteurs minoritaires dans la base et circulation d’un courant
entre collecteur et émetteur. Sensibilité ≈ 100 à 200 µA/ (W/m2).
 156

Figure V.18 : Constitution interne et symbole d’un phototransistor

Figure V.19 : Caractéristique (directe) d’un phototransistor

On augmente cette sensibilité en diffusant dans le même cristal un second

transistor qui amplifie le courant de collecteur du phototransistor (montage
Darlington).

Figure V.20: Symbole d’un phototransistor monté en Darlington

V.6. LE TRANSISTOR UNIPOLAIRE (TRANSISTOR A EFFET DE

CHAMP)

V.6.1. Présentation
Le Transistor à Effet de Champ (TEC) est un transistor dont le principe de
fonctionnement est basé sur l’action d’un champ électrique E sur les
porteurs de charge qui sont les électrons (les porteurs de charge négative)
ou les trous (les porteurs de charge positive). Lorsqu’ils sont soumis à un
champ électrique, les électrons se déplacent dans le sens inverse du champ
 157

électrique alors que les trous quant à eux se déplacent dans le même sens
que le champ électrique.
Le Transistor à Effet de Champ (TEC) en français, ou Field Effet Transistor
(FET) en anglais, est un transistor unipolaire d’autant plus que le sens de
conduction électrique n’est assuré que par un seul type de porteur de charge
(électrons ou trous).
Suivant l’aspect technologique, on distingue deux types de TEC, à savoir :
 Le TEC à jonction ou Junction FET (JFET) ;
 Le TEC à grille isolée (avec MOS : Metal Oxyde Semi-conducteur),
TEC-MOS ou MOSFET.

Dans la suite, il se conviendra que le régime de ces deux types de

fonctionnement sera soit à appauvrissement, soit à enrichissement.
Les transistors à effet de champ sont des transistors utilisés pour réaliser
des amplificateurs à grandes résistances d’entrée, des sources de courant
ou des résistances variables commandées en tensions. Comme le transistor
bipolaire, le transistor à effet de champ comporte trois (3) électrodes, à
savoir :
 La grille ou gate
 La source
 Le drain

Tenant compte du régime de fonctionnement, les différents symboles de

MOSFET seront représentant en se basant soit en régime
d’appauvrissement ou en régime d’enrichissement. Dans les lignes qui
suivent, nous étudierons chacun de ces deux types de transistors à effet de
champ.

V.6.2. LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION (JFET)

V.6.2.1. Structure :

Contrairement aux transistors bipolaires dont le fonctionnement repose sur

deux types de porteurs les trous et les électrons, les transistors unipolaires
fonctionnent avec un seul type de charges, les trous ou les électrons. Le
transistor à effet de champ à jonction est un premier exemple de transistor
unipolaire.

Sur un substrat (P+) très fortement dopé, on diffuse une zone dopée N : le
canal. Au centre du dispositif, on diffuse une grille nommée aussi porte ou
gate, dopée P+ reliée au substrat et de part et d'autre de cette grille, deux
îlots très fortement dopées N+ : la source (zone d’entrée des électrons
dans le dispositif) et le drain (zone de sortie des charges). Il existe aussi
des JFET (acronyme pour Junction Field Effect Transistor) ayant un canal P
 158

qui sont complémentaires des transistors canal N. Pour ces transistors canal
P, toutes les tensions et les courants sont à inverser.

Figure V.21 : Structure interne d’un JFET

Sur un substrat (P+) très fortement dopé, on diffuse une zone dopée N : le
canal. Au centre du dispositif, on diffuse une grille nommée aussi porte ou
gate, dopée P+ reliée au substrat et de part et d'autre de cette grille, deux
îlots très fortement dopées N+ : la source (zone d’entrée des électrons
dans le dispositif) et le drain (zone de sortie des charges). Il existe aussi
des JFET (acronyme pour Junction Field Effect Transistor) ayant un canal P
qui sont complémentaires des transistors canal N. Pour ces transistors canal
P, toutes les tensions et les courants sont à inverser. (Figure ci-dessus).

Le symbole utilisé pour les représenter est donné ci-dessous. Le trait qui
correspond au canal est continu. La grille et le canal forment une jonction
PN ; la flèche correspondante est orientée dans le sens passant de cette
jonction (Figures suivantes). Sur les schémas, elle est parfois décalée du
côté de la source.

Figure V.22 : configuration interne et symbole d’un JFET

V.6.2.2. Fonctionnement

Etude expérimentale

On procède au relevé des caractéristiques en utilisant le montage ci-après.

En fonctionnement normal la jonction grille canal est polarisée en inverse :
le courant d’entrée IG est très faible et les courants drain et source sont
identiques.
 159

Dans le réseau des caractéristiques de sortie ID= f(VDS), on observe quatre

zones différentes. Une zone linéaire dite résistive, un coude, une zone de
saturation (ID≈constant) et une zone d’avalanche. La figure ci-dessous
illustre ce principe :

Figure V.23 : Mesures des tensions et courants, courbe caractéristique

d’un JFET

Interprétation du fonctionnement

Zone résistive :

Dans une jonction polarisée en inverse existe une zone isolante (sans
porteurs libres) dont l'épaisseur e est fonction de la tension inverse
(e≈k√𝑉𝐺𝑆). Cette zone isolante qui correspond aux jonctions grille canal et
substrat-canal diminue la largeur effective du canal (Figure ci-dessous).

Figure V.24 : Principe de fonctionnement d’un JFET dans la zone résistive

Pour les tensions VDS faibles, le canal se comporte comme une résistance
ohmique dont la valeur est fonction de sa section et donc de la tension
inverse entre la grille et la source. Le JFET est alors équivalent à une
résistance commandée par une tension. Pour une valeur VP suffisamment
négative de VGS, la conduction s’annule. On dit que le canal est « pincé »
et que VP est la tension de pincement.

Zone du coude :

La largeur de la zone isolante est également influencée par la tension

entre le drain et la source.
 160

- Du côté de la source sa largeur est : e1= k√𝑉𝐺𝑆).

- Du côté du drain, elle est : e2= k√𝑉𝐺𝐷).

Dans la figure ci-dessous, quand VDS augmente, la valeur du courant drain

résulte de deux phénomènes compétitifs : une croissance liée au caractère
ohmique du canal et une diminution liée au pincement progressif de ce
canal.

Figure V.25 : Principe de fonctionnement d’un JFET dans la zone du coude

Zone de saturation :

Dans cette zone tout accroissement de VDS qui augmenterait le courant ID

augmente aussi le pincement. Quand le canal se pince, la densité du courant
augmente jusqu'à ce que les porteurs atteignent leur vitesse limite : le
courant drain reste constant et le transistor est dit saturé. La valeur
maximum de ID pour VGS=0, qui correspond au pincement du canal est
notée IDSS.

Zone d'avalanche :

Elle résulte d'un claquage inverse de la jonction drain-grille. Ce claquage

est destructeur du dispositif si rien ne limite le courant drain.

Influence de la température

La largeur de la zone de déplétion diminue avec la température ce qui induit

une croissance du courant drain. Mais la mobilité des porteurs diminue avec
la température. C’est le second effet qui est prépondérant pour les courants
drain élevés et il n’y a pas de risque d’emballement thermique avec les
transistors à effet de champ.

V.6.2.3. Réseaux de caractéristiques

Réseau d'entrée

Les transistors JFET doivent uniquement être utilisés avec des tensions VGS
négatives et inférieures à la tension de claquage inverse. La caractéristique
 161

d’entrée est celle d’une diode polarisée en inverse. On a donc toujours :

IG=0.

Réseau de sortie

C’est le réseau des courbes ID= f(VDS) avec VGS= Constante. Ce réseau
est caractérisé par trois régions utiles : la région ohmique, la zone de coude,
la zone de saturation. Dans cette zone, on note une légère croissance de ID
avec VDS car la longueur effective du canal diminue.

Réseau de transfert ou de transconductance

Ce réseau correspond aux courbes ID= f(VGS) pour VDS= Constante. Les
caractéristiques sont des droites pour la partie ohmique. Dans la zone de
saturation pour les valeurs supérieures de VDS, la caractéristique est
parabolique et on peut écrire en première approximation que :

𝑽𝑮𝑺
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 − )²
𝑽𝑷

Les JFET sont caractérisés par une grande dispersion des valeurs des
paramètres. Pour un même type, le courant drain maximum IDSS et la
tension VGS de pincement VP peuvent varier d’un facteur 4 à 5. Ainsi pour
un 2N 5459, note-t-on les valeurs suivantes : 4 mA < IDSS< 16 mA et – 2
V > VP> – 8 V.
V.6.2.4. Polarisation des transistors à effet de champ
A cause de cette dispersion des paramètres, il est impossible de régler le
point de fonctionnement en imposant le potentiel de grille car ID peut varier
de manière trop importante pour un VGS donné.
 162

Polarisation automatique
La grille est reliée à la masse par une résistance RG de forte valeur. Comme
le courant grille est nul, le potentiel de grille est nul.

Figure V.26 : Polarisation automatique d’un JFET

Le courant drain produit dans la résistance de source une chute de tension

égale à :
[Link].
La tension grille-source vaut donc :

VGS= VGM– VSM= –[Link].

La grille est bien négative par rapport à la source. L’équation de la droite
d’attaque est :
VGS= – [Link]

et celle de la droite de charge est :

VDS= E-(RS+RD).ID

L'intersection de ID=–VGS/RS avec la caractéristique de transfert définit la

tension VGS et la valeur de ID. L’intersection de la droite de charge et de
la caractéristique qui correspond à VGS donne la valeur de VDS.

Si le courant drain augmente, la chute de tension dans la résistance de

source augmente ce qui diminue la conduction du canal et donc le courant
drain. Il y a une contre-réaction qui stabilise le point de fonctionnement.

Polarisation par pont diviseur

On utilise comme pour les transistors bipolaires une polarisation par pont
de base et résistance de source. Le potentiel appliqué à la grille est :
VGM=R2/(R1+ R2) Le potentiel de la source est :

VSM= [Link]
 163

Comme VSM= VGM–VGS,

La valeur du courant drain est donc :

ID= (VGM– VGS)/RS.

Si l’on prend VGM beaucoup plus grand que VGS, la stabilisation sera
assurée. Si l’on souhaite une stabilisation parfaite, il est possible d’utiliser
un transistor bipolaire monté en source de courant constant dont la charge
sera constituée par le transistor à effet de champ.

Figure V.27 : Polarisation par pont diviseur de tension d’un JFET

V.6.2.5. Schéma équivalent en petits signaux

L’examen des caractéristiques d’un JFET polarisé dans la zone de saturation

montre que les équations qui régissent le fonctionnement sont :
- En entrée : iG= 0
- En sortie : iD= [Link]+ 1/ρ.vDS. (ci-dessous)

On définit la pente ou transconductance par :

∆𝐼𝐷 𝑖𝐷
𝑠= =( ) à 𝑉𝐷𝑆 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒.
∆𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆

et la résistance interne par :

∆𝑉𝐷𝑆 𝑉𝐷𝑆
𝜌= =( ) à 𝑉𝐺𝑆 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒
∆𝐼𝐷 𝑖𝐷
𝑽𝑮𝑺
En utilisant la relation 𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 − 𝑽𝑷 ) ², on obtient l’expression
suivante pour la valeur de la pente :
𝑉𝐺𝑆 −1
𝑠 = 2𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) (𝑉𝑃)
𝑉𝑃

Pour les transistors petits signaux, les valeurs typiques de la pente et de la

𝑚
résistance interne sont : s≈ 𝑞𝑢𝑒𝑙𝑞𝑢𝑒𝑠 𝐴𝑉 ; 𝜌 ≈ 10𝑘Ω à 100𝑘Ω.
 164

Figure V.28 : Schéma équivalent d’un JFET en alternatif

En entrée, on applique une tension VGS et le courant consommé est nul.

En sortie le FET se comporte comme un générateur de courant d’intensité
[Link] en parallèle avec une résistance ρ. Ce schéma simplifié permet
d’interpréter le fonctionnement des JFET montés en amplificateur.

La caractéristique de transconductance étant parabolique les FET déforment

les signaux de grande amplitude. Il faut satisfaire la condition iD<< ID pour
limiter la distorsion du signal. On prend souvent iD≈ID /10.
Comme pour les transistors bipolaires trois montages peuvent être
envisagés. Le montage grille commune ne sera pas étudié car il n’est
pratiquement pas utilisé.

V.6.2.6. Montage source commune

Avec une polarisation automatique ou par pont de grille, il faut introduire

une résistance de source dont la présence diminue le gain de l’étage. Il est
possible de placer en parallèle sur la résistance RS un condensateur de
découplage. Pour les signaux variables la source est alors au potentiel de la
masse.

Figure V.29 : Montage d’un JFET en source-commune

Le schéma équivalent du montage est alors le même que celui du transistor.

La résistance de sortie est :

ROUT= ρDS//RD//RU ;

La tension d’entrée est VE=VGS

Le gain en tension est donc :

VS= – [Link]= –[Link]

 165

AV= – [Link]

Ce montage est donc caractérisé par une très grande impédance d’entrée,
une impédance de sortie moyenne et un gain en tension moyen et négatif
: il existe un déphasage de 180° entre l’entrée et la sortie.

MONTAGE NON DECOUPLE :

Soit rS la partie non découplée de la résistance de source (RS= R’S+ rS).

La tension d’entrée est alors :

VE= [Link]+ [Link]= [Link]+ rS. [Link]= VGS(1 + [Link]).

Le gain en tension devient :

AV= – [Link]/(1 + [Link]) ≈– RD/rS

L’utilisation de la notion de transconductance ou pente permet de mettre

en évidence l’analogie qui existe entre les montages source commune et les
montages émetteur commun.

V.6.2.7. Montage drain commun

Le signal de sortie est prélevé aux bornes de la résistance de source.

L’impédance de sortie est :

ρS= RS// ρDS//RU

La tension de sortie est :

VS= [Link]

En entrée, on a :
VGS= VGM– VSM= VE– VS

VS= S.ρS(VE–VS) ⇒VS(1 + S.ρS) = S.ρ[Link]

Figure V.30 : Montage d’un JFET en Drain-commun

 166

La valeur du gain en tension est donc :

𝑆. 𝜌𝑠
𝐴𝑉 = <1
(1 + 𝑆. 𝜌𝑠)

L’impédance d'entrée est : ZE= RG

Le calcul de l’impédance de sortie est un peu plus délicat. Par définition,

celle-ci est égale au quotient de la tension de sortie à vide par le courant
de court-circuit.

𝑍𝑠 = 𝑉𝑠/𝑖𝑐𝑐 = (𝐴𝑣. 𝑉𝑒)/𝑖𝑐𝑐 𝑒𝑡 𝑖𝑐𝑐 = 𝑆. 𝑉𝐺𝑆 = 𝑆(𝑉𝑒 − 𝑉𝑠)

Si la sortie est en court-circuit, la tension de sortie est nulle et donc icc=

[Link] d’où :

𝑆. 𝜌𝑠
1 + 𝑆. 𝜌𝑠 𝑉𝑒 𝜌𝑠
𝑍𝑠 = = < 𝜌𝑠
𝑆. 𝑉𝑒 1 + 𝑆. 𝜌𝑠

Ce montage est caractérisé par un gain en tension légèrement inférieur à

l’unité, une très grande impédance d’entrée et une impédance de sortie
faible. C’est un montage adaptateur d'impédance.

V.6.2.7. Applications spécifiques des FET

On considère un FET dont la source est à la masse. Pour une tension VGS
nulle, le transistor étant saturé présente une résistance RDS faible (≈100
Ω). Si par contre VGS est très négatif il est bloqué et la résistance RDS est
très grande. Cette propriété est très utilisée dans les interrupteurs
analogiques qui permettent la commutation de signaux alternatifs. On
utilise soit la connexion « shunt » soit la connexion « série ». Dans les deux
cas l’interrupteur n’est pas parfait et présente une résistance RDS.

V.6.3. LE TRANSISTOR A GRILLE ISOLEE OU LE MOSFET

Les MOS-FET fonctionnent suivant un principe basé sur un effet de champ.

Ils ont des caractéristiques qui, à part le signe de la tension de commande,
ressemblent beaucoup à celles des JFET. Le drain et la source sont reliés à
des régions N disposées aux extrémités d’un barreau de semi-conducteur P
 167

appelé substrat. La grille est isolée du substrat par une couche de silice.
Cette structure est présentée par la figure suivante :

Figure V.31 : Structure d’un MOS-FET

Le MOSFET diffère du JFET parce qu’il ne possède pas de structure de
jonction PN mais la grille du MOSFET est plutôt isolée du canal par une
couche de dioxyde ou bioxyde de silicium (SiO2). Il existe 2 types
fondamentaux de MOSFET, à savoir :

 Le MOSFET à appauvrissement
 Le MOSFET à enrichissement

V.6.3.1. Le MOSFET à enrichissement ou E-MOSFET (Enhacement MOSFET)

Constitution et fonctionnement

Pour un MOS-FET à enrichissement, la couche de silice est directement en

contact avec le substrat. On relie le substrat à la source. Si la grille est aussi
reliée à la source, (VGS = 0) et si la tension VDS est positive, la jonction
PN drain-substrat est polarisée en inverse et aucun courant ne passe.
Portons la grille à une tension positive par rapport à la source.

Sa conception diffère du D-MOSFET puisqu’il ne possède pas un canal

structural. Pour un composant à canal N, une tension de grille positive au-
dessus de la valeur de seuil introduit un canal attrayant une couche de
charge négative dans la région du substrat contigüe à la couche de SiO2.
La conductibilité du canal est enrichie en augmentant la tension entre la
grille et la source pour ainsi attirer plus d’électrons vers le canal pour toute
tension de grille située au-dessus du niveau de seuil, il n’y a pas création
du canal.

Le champ créé par la grille positive repousse les porteurs majoritaires (trous
+) de la zone P du substrat, et les éloigne de la couche de silice. Il reste au
contact de cette couche un étroit canal N c’est-à-dire une zone de passage
que peuvent emprunter les électrons. Le canal est plus large du côté de la
source que du côté du drain car : VGS > VGD (VGD < 0 si VDS >VGS).
 168

Pour qu’un canal soit ainsi induit par la tension grille, il faut que VGS soit
au moins égal à une tension seuil Vth. Le canal est alors tout juste formé du
côté drain (VGS = VDS = Vth , VGD = 0). À cet endroit, le canal présente
l’équivalent de la zone de pincement des J−FET. De la même manière, la
tension VGS module la largeur du canal et le courant ID.

a) Symboles

E-MOSFET à
canal P
E-MOSFET à
canal N
Figure V.32 : Symboles d’un E-MOSFET
Les lignes brisées symbolisent l’absence d’un canal physique comme nous
allons le voir avec le D-MOSFET. Certains composants présentent une borne
séparée pour brancher le substrat.

Contrairement au D-MOSFET, le E-MOSFET ne fonctionne qu’en régime

d’enrichissement et ne possède pas la possibilité de fonctionnement en
régime d’appauvrissement.

La tension VGS est toujours positive, ce qui est la caractéristique d’un MOS
à enrichissement. La tension de seuil est de 1,4 V pour le transistor étudié,
le constructeur donne la valeur minimale : 0,8 V et la valeur typique : 1,7
V.
L’ordre de grandeur du courant ID est 10 fois plus élevé que le courant d’un
JFET, non parce que c’est un transistor MOS mais parce que c’est un
transistor de puissance. Un VMOS peut dissiper 12 watts à 25° avec un
radiateur approprié, soit 2A sous 6 V ou 300 mA sous 40 V, si l’on considère
le courant ou la tension max. admissibles). La caractéristique ID = f (VGS)
n’a une allure parabolique que pour des courants inférieurs à 400 mA
environ, ensuite, elle est linéaire.

V.6.3.2. Caractéristique du E-MOSFET

Le E-MOSFET utilise seulement l’enrichissement du canal ; ainsi, un
composant à canal N nécessite une tension positive entre la grille et la
source, tandis que le composant à canal P, nécessite une tension négative
entre la grille et la source.
 169

Comme on peut le voir dans la figure ci-dessous, il n’y a aucun courant de

drain lorsque VGS=0V.

ID
ID

+VGS
0
0
VGS(th) -VGS VGS (th)
E-MOSFET à canal N E-MOSFET à canal P
Figure V.33 : Caractéristiques d’un transistor

Vu ce qui précède, le E-MOSFET n’a pas un paramètre IDSS significatif

comme c’était le cas pour le JFET. Il n’existe donc pas un courant de drain
ID tant que VGS n’atteint pas une certaine valeur non nulle appelée tension
de seuil (threshold) ou VGS (th). D’où, l’équation pour la courbe
caractéristique du E-MOSFET diffère de celle du JFET. Elle débute à VGS
(th) plutôt qu’à VGS (off) sur l’axe horizontal et ne croise jamais l’axe
vertical. Cette équation est donnée par la formule :

ID=K(VGS – VGS(th))2

avec K= constante qui dépend du E-MOSFET spécifique pouvant être

déterminée par la fiche technique.

Pour les transistors MOS à enrichissement-appauvrissement, qui ont un

canal initial déjà formé par une mince couche N sous la couche de silice en
l’absence de polarisation, les caractéristiques ont encore même allure mais
VGS prend des valeurs positives et négatives. On retrouve les paramètres
spécifiques à l’effet de champ :
𝑉𝐺𝑆 √𝑰𝑫
gm = gmo (1 - ) =gmo
𝑉𝑃 √𝑰𝑫𝑺𝒔

rDS est quasi-infinie et la conductance drain-source rds est nulle. C’est à

peu près le cas pour le transistor étudié, mais pas pour l’ensemble des MOS.
La résistance d’entrée est infinie car le courant d’entrée est de l’ordre du
nanoampère.

V.6.3.3. Le MOSFET à appauvrissement (D-MOSFET)

Constitution et fonctionnement

D : comme déplétion, le drain et la source sont coulés dans un matériau

substrat et ensuite connectés à la grille isolée par un canal contigu. La figure
 170

ci-dessous illustre le D-MOSFET. Le D-MOSFET à canal P opère de la même

façon que le D-MOSFET à canal N à l’exception des polarités de tension qui
sont contraires.

Figure V.34 : Structure MOS à appauvrissement

Le MOSFET à appauvrissement peut fonctionner sous deux régimes :
appauvrissement et enrichissement contrairement au E-MOSFET. C’est pour
cette raison qu’il est appelé MOSFET
d’appauvrissement/enrichissement.

Vu que la grille est isolée du canal, une tension de grille positive ou négative
peut être appliquée. Ainsi, le D-MOSFET à canal N fonctionne en régime
d’appauvrissement avec une tension appliquée entre la grille et la source,
et en régime d’enrichissement lorsqu’on applique une tension positive entre
la grille et la source.
Symboles et structure interne

D-MOSFET à D-MOSFET à
canal N canal P

Figure V.35 : Symboles de D-MOSFET

La flèche du D-MOSFET indique le substrat qui est normalement branché de

façon interne à la source. Quelques fois, on retrouve une borne séparée
pour le substrat, la flèche du substrat pointant vers l’intérieur indique le D-
MOSFET à canal N et une flèche pointant vers l’extérieur indique un D-
MOSFET à canal P.

Considérons la grille comme étant l’une des plaques d’un condensateur et

le canal comme étant l’autre plaque. La couche isolante du dioxyde de
 171

silicium SiO2 est le matériau diélectrique avec une tension de grille négative.
Les charges négatives de la grille repoussent les électrons de conduction du
canal laissant les ions positifs à leur place de cette façon le canal est
appauvri de quelques électrons diminuant ainsi la conductibilité du canal.

Plus la tension est négative sur la grille plus on intensifie l’appauvrissement

du canal N en électrons. Dès que l’on atteint une tension négative entre la
grille et la source, le canal est totalement appauvri et le courant de drain
devient nul. Le D-MOSFET à canal N conduit le courant du drain pour les
tensions entre la grille et la source située entre VGS (off) et 0V de plus. Il
conduit pour des valeurs VGS inférieures à 0V.
Régime d’enrichissement
Avec une tension de grille positive, il y a plus grand nombre d’électrons de
conduction qui sont attirés vers le canal. Ce qui augmente sa conductibilité.

RD

VDD

VGG

Figure V.36 : D-MOSFET en régime d’enrichissement

Caractéristique du D-MOSFET
Nous savons que le D-MOSFET peut fonctionner autant avec des tensions
positives ou négatives. Cela est illustré à la figure suivante. Sur la courbe
de ladite figure, le point où VGS=0V correspond à IDSS. Le point où I D=0
correspond à VGS (off). Comme dans le cas du JFET, VGS (off), la loi des
carrés exprimée sur la courbe de JFET s’applique également à la courbe du
D-MOSFET.

ID ID
IDSS
IDSS

-VGS VGS (off)

+VGS

VGS (off) 0 0

Figure V.37 : Courbes caractéristiques du D-MOSFET (a) canal N (b)

canal P
 172

Polarisation du D-MOSFET
Sachant que le D-MOSFET peut fonctionner avec des tensions positives ou
négatives de VGS. La méthode la plus simple de polarisation est d’ajuster
VGS à 0V pour qu’un signal alternatif appliqué à la grille puisse varier la
tension entre la grille et la source au-dessus ou en dessous du point de
polarisation. Cette méthode est appelée : Méthode de polarisation nulle.
Puisque VGS=0, ID=IDSS.
VDS = VDD – RD . IDSS
Ici, le rôle de RG est d’isoler le signal alternatif à l’entrée de la masse.
VDD

RD

Cl

VGS

AC

RG

Figure V.38 : Méthode de polarisation nulle du D-MOSFET

V.7. LES CODES POUR LES SEMI- CONDUCTEURS
173
V.7.1. Le code Européen :

En guise d’illustration :

Exemples :

1) AY 123 : diode de redressement au Germanium à usage courant

 174

2) BD 400 : transistor AF de puissance au silicium à usage de courant

3) BUT11 : transistor de commutation de puissance au silicium à usage
professionnel

V.7.2. Le code Américain :

IN…….. Ou 1N…: diode

IIN……. Ou 2N…: transistor

Exemples :

1) 1N4004ː diode de redressement de 1A/400V (Pour le détail, il faut

consulter le lexique ou Data book).
2) 2N3055ː transistor AF de puissance.

V.7.3. Le code Japonais :

1) 1S…: diode
2) 2S…… : Transistor
3) 2SA transistor RF du type PNP
4) 2SB transistor AF du type PNP
5) 2SC transistor RF du type NPN
6) 2SD transistor AF du type NPN

Remarqueː

Pour simplifier l’écriture dans le Code Japonais, le préfixe 2S est omis ou

supprimé, mais demeure sous-entendu.

Exemplesː

1) 2SC418 :C418
2) 2SD400 :D400
3) 2SA223 :A223
 175

Chapitre VI :
LES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES
VI.1. NOTIONS D’INTEGRATION
[Link]

Un circuit intégré regroupe, sur un même substrat (puce, chip), l’ensemble des
composants électroniques nécessaires pour réaliser une fonction donnée (logique
ou analogique). Il est constitué de:

- composants actifs : transistors bipolaires ou unipolaires ;

- composants passifs : diodes, résistances, condensateurs, ... ;
- connexions entre composants.

Ces éléments sont diffusés sur le substrat.

Donc, un circuit intégré est un circuit électronique miniaturisé, principalement
constitué de transistors.

VI.1.2. Loi de MOORE

« Le nombre de composants par circuit intégré double tous les deux ans ». cela se
traduit par le graphique ci-dessous :

Figure VI.1 : Loi de MOORE

VI.1.3. Avantages de l’intégration

- fabrication de circuits intégrés en grande quantité → réduction du coût ;

- fiabilité excellente (réduction du nombre de composants discrets) ;
- consommation de plus en plus réduite ;
 176

- possibilité de réaliser des circuits très complexes avec un encombrement

très réduit.

VI.1.4. Inconvénients de l’intégration

- certains composants sont difficilement intégrables : inductances et

capacités de fortes valeurs, transistors de puissance ;
- un circuit intégré remplit une fonction bien déterminée → il ne peut pas être
modifié par l’utilisateur (pour les cas des circuits intégrés câblés) ;
- la conception d’un nouveau circuit intégré nécessite un investissement
économique important.

Cependant, il existe des circuits intégrés contenant des composants électroniques

non interconnectés : les connexions peuvent être réalisées à la demande de
l’utilisateur → personnalisation de circuits intégrés (ASIC: Application Specific
Integrated Circuits).

VI.1.5. Degré d’intégration

Le degré (ou taux) d’intégration est le nombre de transistors (composants)

intégrés sur un même substrat. Selon le besoin, l’intégration a évolué suivant le
degré d’intégration ci-après :
- SSI (Small Scale Integration) : de 1 à 102 transistors (1960) ;
- MSI (Medium Scale Integration) : de 102 à 103 transistors (1966) ;
- LSI (Large Scale Integration) : de 103 à 105 transistors (1970) ;
- VLSI (Very Large Scale Integration) : de 105 à 107 transistors (1986) ;
- ULSI (Ultra Large Scale Integration) : > 107 transistors (actuellement).

VI.1.6. Taille des puces

- 1,4mm de coté en 1960 ;

- 8mm de coté en 1980 ;
- quelques centimètres de côté en 1990.

VI.1.7. Finesse du trait

Finesse du trait : largeur des connexions entre les éléments d’une puce. C’est un
facteur important : plus cette largeur est faible, plus le nombre de composants
intégrés peut être important. Les premiers circuits intégrés (vers 1960) avaient
une finesse de trait ≈ 10 µm.
Actuellement :

- 0, 35 µm en 1996 ;
- 0, 25 µm en 1999 ;
- 0, 18 µm en 2002 ;
- 0, 13 µm en 2005.
 177

VI.2. FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES

La technologie de fabrication des circuits intégrés est dérivée du procédé dit

PLANAR (diffusions successives à travers des masques). Plus le circuit intégré est
complexe, plus le nombre de masques à réaliser est important : jusqu’à 10
masques qui doivent être superposés avec une précision < 1 µm → la fabrication
des masques nécessite l’utilisation de méthodes de CAO (Conception Assistée par
Ordinateur) microélectronique.

Figure VI.2 : Synoptique des étapes de fabrication d’un circuit intégré

VI.3. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL

Avant de traiter l’amplificateur opérationnel, on va étudier brièvement

l’amplificateur différentiel qui constitue un de ses éléments fondamentaux.

VI.3.1. Amplificateur différentiel

L’amplificateur différentiel est utilisé pour amplifier la différence entre deux
signaux V1 et V2. Il consiste à une paire symétrique de deux transistors
identiques couplé par les émetteurs. Son signal de sortie peut être considéré
comme la somme de deux tensions dont l’une est effectivement proportionnelle
à la différence (V1-V2) et l’autre proportionnelle à la moyenne des signaux
d’entrée :
(𝑉1 + 𝑉2)
2
Dont la tension de sortie vaut :

(VI.1)
Les facteurs Ad et Ac sont appelés respectivement amplification différentielle du
montage et amplification en mode commun.

Le rapport entre le gain en mode différentiel et le mode commun est appelé : Taux
de Réjection en Mode Commun (Common mode rejection rate : CMRR) :

(VI.2)
Il informe sur l’imperfection de l’amplificateur différentiel, ce dernier est
amélioré quand le taux CMRR prend des valeurs élevées.
 178

VI.3.2. Montage de l’amplificateur différentiel

Le schéma simplifié de l’amplificateur différentiel est
donné par la figure VI.1, il est constitué de :

- Deux transistors identiques ;

- Deux résistances de collecteurs identiques ;

- Un générateur de courant.

Figure VI.3 : Montage amplificateur différentiel.

VI.3.3. Amplification en tension à sortie flottante et à sortie référencée

Quand la sortie est prise entre deux collecteurs C1 et C2 des transistors, la sortie
est appelée flottante ou symétrique et égale à :

(VIII.3)
Et quand la tension de sortie est prise entre un collecteur et la masse et
généralement c’est le collecteur C2 qui est choisi, la sortie est dite à référence de
potentiel ou sortie référencée.

VI.4. Amplificateur opérationnel (AO)

VI.4.1. Définition

L’amplificateur opérationnel ayant une très grande importance pratique, utilisé

surtout dans les calculateurs analogiques. C’est un circuit intégré sous forme
d’un boîtier qui contient plus d’un amplificateur opérationnel, comme le fameux
amplificateur opérationnel du type µA741.

L’amplificateur opérationnel dispose de deux entrées : l’une dite inverseuse,

notée E-, lorsque on applique une tension à cette entrée, la sortie obtenue est
de signe opposé ; et l’autre dite non inverseuse, notée E+, la tension appliquée
à cette entrée fournit une tension de sortie de même signe.

Le symbole le plus utilisé pour la représentation de l’AO est donné par la figure ci-
dessous :
+ V CC

E+
+ S
E- -
- V CC
Figure VI.4 : Représentation conventionnelle d’un amplificateur opérationnel.
L’amplificateur opérationnel possède deux alimentations continues nécessaires
pour la polarisation de tous les éléments actifs existants dans le boitier.
 179

VI.4.2. Description
L’amplificateur opérationnel AO est formé de trois circuits :

- Circuit d’entrée : constitué d’un amplificateur différentiel ;

- Circuit intermédiaire : composé d’un amplificateur de tension monté en
émetteur commun ;
- Circuit de sortie : représenté par un amplificateur de puissance caractérisé
par une faible impédance de sortie.

Figure VI.5 : Schéma de principe interne de l’AO.

Donc l'ampli op est constitué généralement de trois étages :

- Un étage d'entrée différentiel (T1 et T2), avec sa charge d'émetteurs

(source de courant I1) et ses charges de collecteurs (miroir de courant T3
et T4).
- Un étage de gain formé de T5 et de sa charge active I2.
- Un étage de sortie push pull constitué par les transistors T6 et T7 polarisés
par les diodes D1 et D2.

VI.4.3. Caractéristiques de l’amplificateur opérationnel

Idéal : L’AO idéal est caractérisé par :

- Une grande impédance d’entrée Ze≅∞;

- Une impédance de sortie nulle Zs≅0;
- Une très grande amplification Av≅∞.

Quelques résultats sont obtenus de ces caractéristiques sont tels que :

• La tension de sortie étant finie, la tension d’entrée e doit être nulle.

• Les courants d’entrée sont nuls.
• La tension de sortie est indépendante de la charge.

𝐸⃗⃗+ − 𝐸⃗⃗− = 𝑒 = 0 (𝑉I. 4)

 180

𝐼+ − 𝐼− = 0 (𝑉I. 5)

VI.4.4. Concepts boucle ouverte et boucle fermée

VI.4.4.1. Sans réaction :

Lorsque l’amplificateur opérationnel est utilisé seul n’est pas relié à aucun
composant, on dit que le système est en boucle ouverte, c’est la chaine directe,
son gain tend vers l’infini, la moindre fluctuation est amplifiée et peut saturer
l’amplificateur et ne sera plus en régime linéaire. C’est pour cela qu’il est
nécessaire de boucler le système en appliquant une contre réaction.

VI.4.4.2. Réaction positive et réaction négative

On dit qu’il y a réaction positive quand la sortie est reliée à l’entrée non
inverseuse. Tandis qu’on dit qu’il y a contre-réaction (ou réaction négative) quand
la sortie est reliée à l’entrée inverseuse.

VI.4.5. Fonctionnement des amplificateurs opérationnels (réaction-négative)

En effet si le gain de la chaine directe tend vers l’infini, le gain du système bouclé
ne dépend que de celui de la chaine de retour comme il est montré par le montage
de la figure suivante :

Figure VI.6 : Montage avec rétroaction négative (contre-réaction)

En supposant que l’AO fonctionne dans sa zone linéaire, on a e = 0,

soit : et , d’où le gain en tension du montage :

(VI.6)

Donc c’est le rapport de la boucle de retour qui fixe le gain d’un montage à AO.

VI.4.6. Montages amplificateurs de base

VI.4.6.1. Amplificateur inverseur

Le montage est celui de la figure VI.6. Nous avons obtenu :

 181

(VI.7)

Si R2>R1, le gain en tension AV est supérieur à 1, on a un fonctionnement en

amplificateur. Dans le cas contraire on a un atténuateur. L’amplificateur est dit «
inverseur » car le gain en tension AV est négatif.

VI.4.6.2. Montage non inverseur :

Soit le montage de la figure ci-dessous :

Figure VI.7 : Montage non inverseur

En supposant que l’AO fonctionne dans sa zone linéaire, on a e= 0, soit,

et , d’où le gain en tension du montage :

(VI.8)

Dans ce cas, le gain en tension est toujours supérieur à 1. L’amplificateur est dit
« non inverseur » parce que le gain en tension AV est positif.

VI.4.6.3. Montage suiveur

Ce montage est utilisé pour l’adaptation de l’impédance. L’AO idéal ⇒les
tensions d’entrée négative et positive sont égales.

-
+
e
VS
Ve

Figure VI.8 : Montage suiveur

Par suite : (VI.9)

 182

VI.4.6.4. Montage sommateur-inverseur

En appliquant la loi des nœuds à l’entrée inverseuse de l’AO :

(VI.10)

Figure VI.9 : Montage Sommateur-inverseur

VI.4.6.5. Montage soustracteur

On considère le montage de la figure VI.9 où R1 et R2 sont parcourues par un
même courant puisque il n’y a pas de courant prélevé par l’entrée non inverseuse,
son expression est :
 183

En remplaçant par l’expression de I :

De même on a :

, alors :

Figure VI.10 : soustracteur

Si on choisit :

Le montage amplifie alors la différence de deux tensions d’entrée.

VI.4.6.6. Montage intégrateur

Puisque V-=v+=0, on obtient 𝑉𝑒 = 𝑅. 𝑖, le courant dans le condensateur est :

Par intégration, on tire :

Figure VI.11 Montage intégrateur

En pratique on ajoute une résistance en parallèle avec le condensateur pour

obtenir une intégration satisfaisante. En effet dans le montage de la figure ci-
dessus, il existe déjà un faible courant de l’amplificateur, résultant une chute de
tension aux bornes de R qui va être également intégré, par suite la sortie de
l’amplificateur se sature puisque le condensateur reste chargé. La résistance
déposée en parallèle permet la décharge du condensateur. Cette résistance doit
être assez grande (R’≈10R) pour ne pas perturber l’intégrateur.
 184

VI.4.6.7. Montage dérivateur

Le montage dérivateur est le même que celui du précédent sauf que l’emplacement
de la résistance est inversé par le condensateur. Le courant dans le condensateur
est :

Fig . V III.10 Montage dérivateur.

En haute fréquence la sortie du montage ne sera pas stable, il y aura des

oscillations. Pour résoudre ce problème, on ajoute une résistance en série avec
le condensateur, en pratique sa valeur doit être inférieure à R/10 qui limitera
le gain aux fréquences élevées ainsi que les possibilités d’oscillation.

VI.4.6.8. Montage convertisseur courant-tension

Souvent dans le traitement des signaux analogiques

(courants et tensions) obtenus d’une chaine d’acquisition
ou de mesure on a la tendance de manipuler les tensions
plus que les courants. C’est pour cela qu’on a besoin de
convertir le courant en

Figure VI.12 : Convertisseur courant-tension.

L’AO le fait facilement en reliant un générateur de courant à l’entrée inverseuse :

On a donc :
Le montage se comporte en générateur de tension commandé par un courant.

VI.4.6.9. Montage logarithmique

La tension d’entrée est égale à :

(VD=VBE est la tension de seuil de la Jonction base-émetteur), le courant de la

jonction BE s’écrit :
 185

Ve

Figure VI.11 : Montage logarithmique

D’où :

(VI.27)

Remarque : En inversant l’emplacement de la résistance et le transistor, on

obtient un amplificateur exponentiel.

On peut changer le transistor par une diode dans les deux cas, on obtient les
mêmes résultats.

VI.4.6.10. Montage d’un filtre passe bas

La figure VIII.13 représente un montage d’un filtre passe

Bas du premier ordre utilisant un AO :

La fonction de transfert ou le gain :

Remarque : En inversant l’emplacement de la résistance et du condensateur, on

obtient un filtre passe-haut du premier ordre.
 186

VI.4.7. Récapitulatif de Quelques montages de base utilisant l’ALI en régime linéaire

 187

VI.4.8. L’ALI en comparateur

VI.4.9. Quelques montages de base utilisant l’ALI en régime saturé

 188

Chapitre VII :
LES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES ET SPECIAUX
L’optoélectronique étudie des dispositifs électroniques dont le fonctionnement fait
intervenir un faisceau lumineux. Pour ce faire, on distingue des composants
électroniques :
- La photodiode
- La diode Electroluminescente
- Le phototransistor
- La photopile
- Etc.

[Link]

[Link]

Réalisation par la technologie PLANAR : sur un substrat de silicium P, on diffuse

une mince couche N.

VII.1.2. Fonctionnement

Une diode à jonction polarisée en sens inverse est parcourue par un courant très
faible dû aux porteurs minoritaires des régions P et N : courant de saturation
IS ≈ 1 µA.

Figure VII.1 : Constitution interne et symbole d’une photodiode

Si le cristal est éclairé du côté N et si les photons ont une énergie suffisante, ils
peuvent arracher des électrons aux atomes → création d’électrons libres et de
trous supplémentaires= porteurs majoritaires (électrons) et minoritaires (trous).
Les majoritaires ne peuvent pas franchir la jonction, puisqu’elle est polarisée en
sens inverse. Les minoritaires peuvent traverser la jonction → augmentation du
courant inverse, d’autant plus important que l’éclairement du cristal est grand.
 189

VII.1.3. Caractéristique

Figure VII.2 : Caractéristique (inverse) d’une photodiode

Dans le domaine des radiations visibles, la sensibilité est de ≈ 1 µA/ (W/m2). Le

courant i suit facilement des variations brusques d’éclairement → utilisation aux
hautes fréquences (> 1MHz).

VII.2. Phototransistor

Figure VII.3 : Constitution interne et symbole d’un phototransistor

Le phototransistor ressemble au transistor bipolaire sauf que la base est éclairée
par un rayonnement au lieu d’être traversée par un courant de base → création de
porteurs minoritaires dans la base et circulation d’un courant entre collecteur et
émetteur. Sensibilité ≈ 100 à 200 µA/ (W/m2).

Figure VII.4 : Caractéristique (directe) d’un phototransistor

 190

On augmente cette sensibilité en diffusant dans le même cristal un second

transistor qui amplifie le courant de collecteur du phototransistor (montage
Darlington).

Figure VII.5 : Symbole d’un phototransistor monté en Darlington

VII.3. DIODES ELECTROLUMINESCENTES (LED)

VII.3.1 Fonctionnement

Une LED est une diode à jonction PN qui émet un rayonnement lorsqu’elle est
polarisée en sens direct. Le rayonnement provient de l’émission d’un photon lors
de la recombinaison électron/trou :

Figure VII.6 : Constitution interne et symbole d’un phototransistor

L’intensité du rayonnement émis augmente lorsque le courant i augmente. Sa

couleur dépend de la nature du semi-conducteur. Ex. : Arsénio-phosphure de
gallium (Ga P As)→ rouge.

VII.3.2. Applications

- Source de lumière dans les montages photo-électriques (LED +

phototransistor) ;
- voyants;
- affichage numérique.

VII.4 PHOTOPILES
VII.4.1. Constitution

Photopile = groupement de cellules photovoltaïques = diodes à jonction PN placées

dans un boîtier dont une face est transparente.
 191

Figure VII.7 : Schéma de principe d’une photopile

Pour obtenir un courant et une puissance suffisants, on réalise des jonctions de
surface importante (plusieurs cm2). La couche N doit être très mince (<1 µm) pour
éviter l’absorption de la lumière. Elle doit être fortement dopée → diminution de la
résistance interne de la photopile.

VII.4.2 Applications

- circuits sans générateurs ;

- alimentation en électricité de zones inaccessibles pour les lignes de
transport, satellites, stations de télécommunications.

VII.4.3 Mise en œuvre : station solaire

Figure VII.8 : Mise en œuvre de la photopile dans une cellule photovoltaïque

Module (ou panneau solaire) = plusieurs dizaines de cellules placées sur un circuit
imprimé, monté dans un cadre en aluminium, avec une face avant en verre spécial.
Sa face arrière reçoit un enrobage de résine époxy. L’ensemble doit être
parfaitement étanche.

VII.4.4 Limitations
- prix élevé;
- surface importante (1 m2 → 60 W) ;
- faible rendement : ≈ 10 %.
 192

VII.5 EMPLOI DES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES

VII.5.1 Photodiode et phototransistor

Capteur d’une information contenue dans un rayonnement :

Tout ou rien :
- coupure d’un faisceau lumineux : comptage d’objets, lecture de cartes ou
de bandes perforées, ouverture et fermeture automatique de portes, mise
en marche d’un escalier roulant, protection du personnel travaillant sur des
machines dangereuses.
- variation d’éclairement : éclairage automatique, détection de flammes ou
de fumée.

Analogique :

- reproduction du son au cinéma (lecture de la piste sonore) ;

- appareils de mesure et d’analyse de l’éclairement.

VII.5.2 Photo-coupleurs

LED + phototransistor dans un même boîtier : Relais, isolement galvanique.

Figure VII.9 : Cellule optoélectronique

VII.5.3 Transmission de l’information

LED + phototransistor reliés par une fibre optique → transmission de la lumière à

grande distance. Lumière = porteuse pour les signaux vidéo, numériques, ...

VII.5.4 Affichage numérique

Ensemble de LEDs constituant les segments d’un afficheur (7, 14 ou 16 segments),

à anodes ou cathodes communes.
 193

Figure VII.9 : Mise en œuvre de la photopile dans une cellule photovoltaïque

VII.6. LE THYRISTOR

VII.6.1. Principe - Analogie à «2 transistors » de la structure PNPN

Les structures PN des diodes et NPN ou PNP des transistors bipolaires nous
sont déjà familières. Il existe toutefois des éléments semi-conducteurs à
structure PNPN, qu’on appelle thyristors. Le plus connu de ceux-ci est le SCR,
Silicon Controled Rectifier, dont la configuration apparaît à la Figure VII.10
a).
Pour en comprendre le fonctionnement, on brise symboliquement le cristal
semi-conducteurs tel que le schéma équivalent à 2 transistors (Figure VII.10
c).

Figure VII.10 : Analogie de deux transistors au thyristor.

À la Figure VII.11, on rappelle les équations du transistor bipolaire en tenant

compte du ICBO. On note aussi la présence de la capacité de jonction CCBO
dont on verra l’importance un peu plus loin.
 194

Figure VII.11: Transistor NPN

IE = (β + 1) (IB + ICBO) (VII.1)

IC = βIB + (β + 1) ICBO (VII.2)
IB = IE − IC (VII.3)

Pour trouver le courant d’anode du SCR équivalent de la Figure VII.11, il

suffit d’effectuer la somme des courants suivants :
IA = IC1+ IB1 (VII.4)
D’après la Figure VII.12, on note que :
IB1 = IC2
IB2 = IG + IC1 (VII.5)

Figure VII.12 : Courant dans un SCR.

À l’aide des équations précédentes, on effectue les substitutions appropriées

pour obtenir l’expression du courant d’anode.

(VII.6)
 195

VII.6.2. Amorçage du SCR

Supposons initialement un courant de gâchette IG=0 et appliquons une

tension d’anode UA positive. Le courant de base des deux transistors est la
somme des courants de fuite ICBO1+ICBO2.
La courbe typique β vs IC de la Figure VII.12 montre que si IC est très faible,
β peut être plus petit que 1, c’est ce qui se produit à température ambiante
lorsque le courant de base n’est constitué que des courants de fuite.
L’équation pour IA devient donc: IA ICBo1 + ICBo2
Le SCR est dans un état non-conducteur, même en polarisation directe.

Figure VII.13 : β= f(IC) pour un transistor bipolaire

VII.6.3. Amorçage par courant de gâchette

Si on fournit un courant de gâchette au SCR, c’est-à-dire un courant de base

au transistor Q2, ce dernier l’amplifie. IC2 ayant augmenté, β2 augmente
aussi. Ce courant de collecteur sert de courant de base pour Q1, qui à son
tour l’amplifie tout en voyant son β1 augmenter. Le courant de collecteur de
Q1 est retourné à la base de Q2 pour être amplifié de nouveau. Nous sommes
donc en présence d’une boucle de contre-réaction positive car le phénomène
qui vient d’être décrit est cumulatif et une fois amorcé, il peut s’entretenir
de lui-même. Le gain de la boucle est β1β2 et apparaît au dénominateur de
l’équation sur IA. Si sa valeur approche de 1, le courant d’anode à tendance
à augmenter considérablement.

Le SCR devient donc conducteur. On dit qu’il a été amorcé. Si une résistance
de charge externe ne vient pas limiter son courant d’anode, il pourra être
détruit. Cette façon d’amorcer le SCR est la bonne car nous avons le contrôle
de IG.
 196

VII.6.4. Méthodes d’amorçage

D’une façon générale, la méthode d’amorçage des SCR et TRIAC consiste à

faire en sorte que le courant de gâchette IG devienne supérieur au IGT, le
courant d’amorçage garanti. On peut y arriver par:

- un courant continu de gâchette,

- une impulsion de courant de gâchette,
- un train d’impulsions de courant de gâchette.
VII.6.5. Rôle de la résistance gâchette-cathode

Les manufacturiers recommandent presque toujours de placer une résistance

RGK, entre la gâchette et la cathode, pour simuler la résistance R S des SCR
«Shorted Emitter».
Le rôle de cette résistance est de désensibiliser le SCR en dérivant une partie
du courant du collecteur du PNP interne autour de la jonction base-émetteur
du NPN.

Figure VII.14 : Résistance RGK.

VII.6.6. Amorçage par tension d’avalanche

Une deuxième façon de faire conduire un SCR est d’augmenter sa tension

d’anode UA jusqu’à ce qu’un des deux transistors entre en avalanche. Le
courant résultant sera suffisant pour que β1β2 tendent vers 1 et que l’effet
cumulatif d’amplification se réalise. Cette technique est indésirable car il existe
des tolérances incontrôlables pour les tensions d’avalanche des SCR d’une
même famille.

VII.6.7. Amorçage par augmentation de tension du/dt

Si UA augmente rapidement, la capacité totale CCBO1 + CCBO2 peut agir comme

un court-circuit entre les deux bases pour fournir un chemin de conduction
facile à travers les jonctions base-émetteur des deux transistors.
Le courant de base à l’origine du phénomène régénératif d’amorçage du SCR
est:
 197

(VII.7)
En pratique, ce type d’amorçage, appelé « amorçage par du / dt », se produit
au moment où on commande au SCR de bloquer. À cet instant, IA s’annule de
même que la tension de la charge RL et UA augmente rapidement à la valeur
de la tension d’alimentation. On verra plus loin une méthode pour réduire le
du/dt et empêcher cet amorçage indésirable.

VII.6.8. Amorçage par température

Une élévation de la température du SCR fait augmenter ICBO1 et ICBO2 Il est

possible que la somme de ces deux courants soit suffisant pour que débute
le phénomène de contre-réaction positive. Le SCR amorce donc sans que
nous en ayons le contrôle.

VII.6.9. Amorçage par énergie lumineuse

Il existe sur le marché un photo-thyristor appelé LASCR (Light Activated

SCR) qui s’amorce par un flux lumineux dirigé vers sa région de gâchette
(base de Q2) à travers une fenêtre incorporée au boîtier.
L’énergie des photons est convertie en paires électron-trou qui servent de
courant de gâchette.

VII.6.10. Blocage du SCR

Un SCR cesse de conduire si son courant d’anode est réduit à une valeur
inférieure à son « courant de maintien IH » (Holding Current). Dans cette
condition, le gain de la boucle β1β2 devient inférieur à 1 et le SCR retourne à
l’état bloqué en polarisation directe. On peut aussi polariser momentanément
en inverse le SCR pour que IA devienne plus petit que IH. Lorsqu’on le
répolarise en direct, il bloque le courant.

VII.6.11. Courbe caractéristique IA-UA et symbole du SCR

À la Figure VII.15, on trouve le symbole ainsi que la courbe IA-UA d’un SCR. De
plus, les caractéristiques pertinentes du C106 sont fournies. Avec un courant
de gâchette nul, le SCR peut bloquer une tension aussi élevée que le UBo. Passé
ce point, l’amorçage par tension se produit et le SCR passe à l’état de
conduction. Son courant devient élevé et sa tension devient faible car il sature.
Si IA devient inférieur à IH, le SCR retourne à l’état bloqué.
En inverse, le SCR peut bloquer une tension aussi élevée que le U(BR) R puis
entre en avalanche comme une diode de redressement.
 198

En fait, le synonyme de SCR est « redresseur commandé » car, plus le courant

de gâchette augmente, plus le UBo diminue jusqu’à devenir, à toutes fins
pratique, nul. C’est de cette façon que se réalise l’amorçage par la gâchette.

Figure VII.15 : Courbe IA-UA du thyristor C106

VII.6.12. Vérification d’un SCR à l’Ohmmètre

Il est possible de tester à l’ohmmètre les SCRs de faible puissance. Ceux-ci

nécessitent, pour amorcer, des IGT de l’ordre de quelques centaines de
microampères au maximum. La Figure VII.16a) montre que la résistance
anode-cathode d’un SCR bloqué est très élevée. Par contre, à la Figure
 199

VII.16b), on court-circuite momentanément la gâchette et l’anode du SCR.

Si l’ohmmètre est capable de fournir un IG > IGT et un UG > UGT, alors le SCR
amorce et la résistance anode-cathode devient très faible. En débranchant la
gâchette, le SCR restera amorcé si le courant IA fourni par l’appareil est
supérieur au courant de maintien IH. Sinon, le SCR reprendra son état bloqué.
On a donc intérêt à travailler avec les basses échelles.
Comme on peut le constater, ce test n’est pas toujours concluant si le SCR
n’amorce pas. Il est donc recommandé dans ce cas d’essayer le SCR dans un
circuit d’application simple avant de conclure qu’il n’est pas bon.

Figure VII.16. Vérification d’un SCR à l’ohmmètre

VII.7. LE TRIAC
VII.7.1 Symbole, structure et courbe caractéristique I-U

Nous voulons contrôler les deux alternances de la source d’une façon

symétrique avec un seul composant, il faut utiliser un TRIAC. Il est
équivalent de deux thyristors montés en parallèle inverse, chacun pour
contrôler une alternance.

Figure VII.17 : Symbole du TRIAC a) et son circuit équivalent avec les

SCRs b).
 200

VII.7.2. Les modes d’amorçage

Le TRIAC peut être amorcé de quatre façons différentes:

• Quadrant I + : MT2(A2) positif par rapport à MT1(A1) ; IG positif

• Quadrant I - : MT2(A2) positif par rapport à MT1(A1) ; IG négatif
• Quadrant III + : MT2(A2) négatif par rapport à MT1(A1) ; IG positif
• Quadrant III - : MT2(A2) négatif par rapport à MT1(A1) ; IG négatif

La sensibilité des TRIACs actuellement sur le marché est la suivante:

excellente pour I + et III- ; moyenne pour I - ; et pauvre pour III +.

Figure VII.18 : Les différents modes d’amorçage.

VII.8. LE DIAC
Il existe un triac sans gâchette : le Diac, amorçable uniquement par
dépassement de ±VBO ≈ ±30V.

VII.8.1. Symbole :

Figure VII.19 : Symbole d’un Diac.

 201

Il est utilisé pour le déclenchement des triacs dans les variateurs de

puissance.

VII.8.1.2. L’amorçage des TRIACs avec un DIAC

Le circuit ci-dessous présente l’emploie d’un composant bidirectionnel

symétrique à seuil de déclenchement – DIAC, pour produire les impulsions
de courant de décharge du condensateur destinées à amorcer le TRIAC. Le
moment d’apparition d’impulsions, donc l’angle de conduction est contrôlé
par la constante de temps R1C1.

ou
FigureFig.
VII.19
IX.12 :Circuit
Circuit d’amorçage
d’amorçage d’un
d’un TRIAC avecTRIAC avec le DIAC ST2
le DIAC ST2.

VII.9. NOTIONS DE THERMIQUES APPLIQUEES AUX

COMPOSANTS ELECTRONIQUES

VII.9.1. BUT DU REFROIDISSEMENT

- Augmenter le rendement des composants électroniques ;

- Maintenir la fiabilité des composants :
- Assurer la stabilité thermique ;
- Augmenter la durée de vie des composants électroniques.

VII.9.2. ROLE DU BOITIER DU SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE

 protection de la partie active (puce) contre les agressions mécaniques et

chimiques ;
 échange d’énergie : évacuation de la chaleur vers l’extérieur ;
 assemblage mécanique : insertion dans un équipement, montage et
raccordement.
 202

VII.9.3. ENVIRONNEMENT D’UN SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE

- tensions → plusieurs kilovolts ;

- courants → plusieurs centaines d’ampères ;
- puissances dissipées →≈ centaine de kilowatts ;
- commutations rapides→ phénomènes électromagnétiques : rayonnements
perturbateurs.
⇒ nécessité d’une isolation électrique, de refroidisseurs, de filtres antiparasites
et/ou de blindage.

VII.9.4. ISOLEMENT ELECTRIQUE

Hautes tensions → isolement entre les parties actives et la masse, conservant

une chaîne thermique continue entre la puce et l’atmosphère extérieure. Trois
types d’isolement électrique :
 isolement interne entre la puce et le boîtier :

Figure VII.20 : Isolation électrique d’une puce conductrice

→ Solution performante et économique : nombre de pièces de montage réduit.

 isolement entre boîtier et radiateur :

Figure VII.21 : Moyens et équipements pour l’isolation électrique d’une puce

conductrice

→ Problèmes :
 203

- augmentation de la résistance thermique ;

- capacité parasite importante ;
- coût plus élevé (nombre de pièces de montage).
 isolement entre radiateur et châssis (masse) de l’équipement → nécessite
autant de radiateurs que de potentiels différents.

VII.9.5. CABLAGE

Courants intenses → conducteurs présentant une section suffisante pour limiter

les échauffements.
Câblage → introduction d’inductances parasites →
 dissipation de l’énergie stockée dans ces inductances lors de l’ouverture
d’interrupteurs ;
 surtensions.
⇒ réduire au maximum les câblages, toutes les connexions doivent être ramenées
sur la même face du composant de puissance → câblage compact.
Utilisation de montages simples et rapides par barres et circuits imprimés
préfabriqués :

Figure VII.22: Raccordement du composant avec isolant

VII.9.6. RADIATEURS

Evacuation de la puissance dissipée → circulation d’un fluide caloporteur qui joue

le rôle d’échangeur thermique : air ou liquide avec, éventuellement, circulation
forcée.

VII.9.6.1. Notions de résistance thermique

Figure VII.23 : Transfert d’énergie thermique

 204

Loi d’Ohm thermique :

T2 – T1 = RTh.P (VII.7)

Où RTh est la résistance thermique (en ◦C/W).

Résistance thermique équivalente :

VII.9.6.2. Applications aux radiateurs

Figure VII.24 : Différentes étapes de transfert d’énergie thermique

Trois résistances thermiques :
 RThj−c : résistance thermique jonction-boîtier → ne dépend que du composant
;
 RThc−r : résistance thermique boîtier-radiateur → dépend de la qualité du
contact boîtier-radiateur, amélioré avec de la graisse de silicone ;
 RThr−a : résistance thermique radiateur-air ambiant → dépend de la surface
du radiateur et du coefficient de transfert de chaleur en convection.
 205

La température Tj ne doit pas dépasser Tjmax (spécifiée par le constructeur) →

détermination d’un radiateur permettant de vérifier cette condition.
Méthode de calcul :

VII.9.6.3. Réalisation des radiateurs

Profilés d’aluminium ou tôles pliées et peintes en noir (rayonnement maximal).

Profils aux formes variées → transfert thermique maximal dans le minimum de
volume :
 206

Figure VII.25 : Différentes formes de radiateurs

VII.9.6.4. Différents types de boîtiers

Normalisation des boîtiers :
 faibles et moyennes puissances :
- boîtiers plastiques moulés ;
- bornes de sorties à raccordement par vis ou par fils ;
- boîtiers métalliques à fils ou, à vis.
 fortes et très fortes puissances : boîtiers « press-pack » à refroidissement
double face, résistent à des forces d’arrachement de plusieurs kN.

Figure VII.26 : Différentes formes de boîtiers à montés sur radiateurs

 207

Chapitre VIII :
LES EQUIPEMENTS ET OUTILLAGES DU LABO ELECTRONIQUE
VIII.1. INTRODUCTION
Les appareillages que vous trouverez dans un laboratoire d’électronique sont des
catégories diverses ; en commençant par les plus simples jusqu’aux plus
complexes.

L’appareil d’électronique le plus utilisé est l’oscilloscope. Il en existe de deux

modèles ; l’analogique et le numérique.

Les multimètres digitaux et analogiques font aussi partie des appareils de mesure
qui vous tiendront compagnie le long de votre carrière.

Les outils utilisés pour les travaux mécaniques sont variés. Certains de ces outils
font partie d’outils à main que vous utiliserez régulièrement. Quelques-uns de ces
outils, étant des outils spéciaux, ne feront pas l’objet dans cette étude.

Pendant votre carrière, vous verrez toute une gamme d’appareils et outils à main.
Certains sont à usage général et d’autres sont prévus pour exécuter des tâches
spécifiques et ne sont pas souvent utilisés.

Indépendamment de la fonction d’un appareil et d’un outil, il doit toujours être

utilisé correctement.

Ci-dessous les appareillages que vous utiliserez pour vos expérimentations au

laboratoire :

VIII.2. SOURCE D’ALIMENTATION CC

En général, une source de tension continue (Alimentation stabilisée) peut
comprendre des éléments ci-après :

a. Un interrupteur
b. Une diode LED de signalisation
c. La borne jaune = +12V
d. La borne bleu = -12V
e. La borne noire = 0V
f. La borne rouge = +5V
 208

Figure VII.1 : Source d’alimentation

VIII.3. MULTIMETRE DIGITAL

La mesure est une fonction essentielle pour tous
les techniciens que ce soit pour la prévention, la
vérification et le dépannage. Pour le travail
quotidien d’un électronicien, le multimètre digital
est un instrument de choix. Le multimètre digital
regroupe le plus souvent un voltmètre, un
ampèremètre et un ohmmètre plus d'autres
fonctions selon le type, la qualité et le prix. Le
multimètre digital que vous allez utiliser vient
avec un manuel d’instruction. Gardez toujours ce
manuel en place parce que vous pourriez en avoir
besoin un jour. La photo d’à côté illustre cet
appareil, néanmoins plusieurs modèles peuvent
être présentés mais le plus souvent sa
présentation générale est celle-là.
Figure VIII.2 : Multimètre digital

VIII.4. MULTIMETRE ANALOGIQUE

Les appareils analogiques sont de plus en

plus délaissés au profit des appareils
numériques. Les appareils analogiques qui
servent d’un ampèremètre à courant continu
et alternatif, d’un voltmètre à courant
continu et alternatif, d’un ohmmètre sont
souvent combinés dans un seul appareil
connu sous le nom d’un multimètre,
puisqu’ils font appel au même équipage
mobile. Le multimètre peut mesurer des
tensions allant de 2,5V à 500V, des courants
continus compris entre 1 mA et 500 mA ainsi
que des résistances de 0 Ω à la gamme à
Figure VIII.3 : Multimètre analogique l’infini.
 209

Les échelles sur un multimètre analogique sont conçues de manière à permettre à

l'utilisateur de déterminer les valeurs indiquées à un coup d'œil. Chaque échelle
dans les sections CC1 et CA2 corresponde directement à l'une des gammes ou un
multiple ou sous-multiple de la gamme choisie. En outre, la valeur de chaque
subdivision sur l'échelle est une fraction décimale étant indiquée par le premier
chiffre à gauche (ou à droite) de zéro

VIII.5. OSCILLOSCOPE ET GENERATEUR DE FONCTIONS

L’évolution de la technologie a cependant changé
profondément la nature et l’utilisation de
l’oscilloscope. D’un appareil purement analogique
basé sur la déviation d’un faisceau d’électrons à
l’intérieur d’un tube à rayons cathodiques face à
l’oscilloscope à stockage et affichage numérique.

Le Syscomp Circuit Gear CGR – 101 est une

combinaison de trois instruments électroniques :
• Oscilloscope numérique à deux canaux
• Un générateur de forme d’onde
• Un port d’entrée et sortie numériques
Le logiciel hôte peut aussi faire fonctionner
l’appareil comme un analyseur de spectre et un
analyseur vectoriel de réseau (traceur de Bode).

Figure VIII.4 : Oscilloscope numérique et générateur de fonctions

CGR – 101 fait partie d’une série d’instruments de Syscomp Electronic Design.

VIII.5. PLAQUETTE DE PROTOTYPAGE

Chaque projet, quelle que soit sa simplicité lors de sa conception, doit être analysé
et testé. Lorsque les circuits à concevoir subissent des changements, un système
rapide et facile d’assemblage de circuits est nécessaire. Le système rapide et facile
en question est le système de plaquette de montage sans soudure.

La plaquette de montage sans soudure est constituée d’un bloc de plastique avec
un réseau de trous espacés de 0,10 pouce (2.5 mm) d’intervalle. Les conducteurs
électriques interconnectent les rangées ou les colonnes adjacentes de trous. La
plaquette à montage sans soudure accepte les pattes de circuits intégrés et les
pattes d’autres composants électroniques.

Avec la plaquette de montage, un électronicien peut construire un circuit avec des

connexions fiables, sans avoir à recourir au soudage ou au raccordement du fil.
 210

Figure VIII.5 : Plaquette de prototypage

VIII.6. FER A SOUDER, SUPPORT ET PLOMB ETAIN

La soudure au plomb étain est un procédé d'assemblage permanent de 2 ou
plusieurs pièces par fusion localisée du métal (mécaniquement et électriquement).

Figure VIII.6 : Support, Fer à souder et rouleau d’étain

Ce procédé de soudage est employé majoritairement en électronique. La technique

de soudage au plomb est l’une des habilités la plus importante que tout
électronicien est sensé de maîtriser. En tant qu’électronicien vous aurez à souder
et dessouder des composants sur les circuits imprimés ou à relier des câbles aux
connecteurs, alors prenez soins de bien assimiler ce projet.

Il est conseillé d’avoir un poste de travail dégagé de tout encombrement et stable.

Une table avec assez d’espace sur laquelle se trouveront un fer à souder, un
support de circuit imprimé, un support de fer à souder muni d’une éponge mouillée
et de la soudure.
Le circuit imprimé ou la pièce à souder sur lequel vous travaillez doit se trouver
entre le support du fer et vous, de telle sorte qu’en retirant le fer de son support
et en le ramenant vers le circuit imprimé qu’il y ait un chemin libre afin d’éviter
que le fer vous brûle.
 211

Dans le cas des supports combinés, le support de fer à souder, celui du circuit
imprimé et la loupe sont sur un seul bloc comme vous le voyez dans la photo ci-
dessous.

Figure VIII.7 : Ensemble : Support, et loupe

VIII.7. LES OUTILS

VIII.7.1. Tournevis
Le tournevis Philips vous aidera à serrer et desserrer les vis. Il y a plusieurs
dimensions de tournevis et ils sont munis de têtes pointues qui s’adaptent bien à
chaque type de tête de vis.

Figure VIII.8 : Tournevis à tête pointue (à gauche) et à tête plate (à droite)

VIII.7.2. Tournevis

Un autre tournevis utile mais qui ne fait pas partie des outils à avoir à chaque
poste de travail, est le tournevis à tête plate. Ce tournevis est utilisé pour diverses
tâches qui n'ont parfois rien à voir avec les vis... C’est très utile pour délicatement
soulever une puce pour la faire sortir de son support par exemple. En cas de
besoin empruntez ce genre de tournevis chez les chargés de laboratoire.

N.B :

1. Utilisez la bonne taille et le bon type de tournevis pour la tâche à accomplir.

2. Aligner correctement la tête du tournevis dans le trou de la vis
3. Appliquer une pression suffisante pour empêcher la tête de tournevis de
sortir du trou de la vis.

VIII.7.3. Pinces

Il existe plusieurs types de pinces :

- La pince à dénuder
- La pince universelle
 212

- La pince coupante
- La pince à bec long
- Etc.

Pince à dénuder
Elle est utile pour :

- Retirer une gaine de plastique d’un fil afin de conserver uniquement le ou

les brins de métal pour ainsi permettre de raccorder le conducteur à une
connexion quelconque ;

- Couper le fil à une longueur voulue pour une installation spécifique.

Pour le dénudement du fil, une vis d’ajustement permet de limiter la fermeture

des pinces. Le trou qui se forme au bout des mâchoires lorsque les pinces sont
refermées devrait avoir à peu près le diamètre du ou des brins de métal pour ainsi
permettre de limiter la coupe uniquement à la gaine de plastique.

La coupe de gaine de plastique peut se faire aussi en tournant la pince d’un quart
de tour autour du fil lorsqu ‘elle est refermée sur la gaine de plastique et d’un
mouvement rapide, retirez la partie à éliminer du reste de fil en les éloignant l’un
de l’autre.

Figure VIII.9 : Pince à dénuder (à gauche) et Pince à bec long (à droite)

Pince à bec long

Les principales tâches pour lesquelles vous utiliserez votre pince à bec long sont :

- Plier de petit fil et des composants électroniques

- Saisir ou tenir des petits composants pendant que vous préparez le fil pour
l’utiliser dans les circuits électroniques
- Etc.
Vous pouvez utiliser votre pince à long bec comme un étau en miniature en plaçant
une bande élastique autour des poignées.

N.B : Ne jamais utiliser la pince à bec long pour serrer ou desserrer un écrou.
Utiliser dans ce cas des pinces appropriées.
 213

Chapitre IX :
TRAVAUX PRATIQUES : GUIDE PRATIQUE DE LA
SOUDURE A L’ETAIN AU PLOMB

IX.1. INTRODUCTION :
L’objectif de ce chapitre est de vous présenter à la technique de base de soudure
au plomb étain et ses applications en électronique.

La soudure au plomb étain est un procédé d'assemblage permanent de 2 ou

plusieurs pièces par fusion localisée du métal (mécaniquement et électriquement).
Ce procédé de soudage est employé majoritairement en électronique.

La technique de soudage au plomb est l’une des habilités la plus importante que
tout électronicien est sensé maîtriser.

IX.2. PREREQUIS ET GUIDE

IX.2.1. Principe :

On utilise un fer à résistance qui produit la chaleur nécessaire à la fusion du métal

d’apport. Le métal d’apport est en étain.

Pièce 1

Source Chaleur Métal

FUSION
d'énergie d'apport

Pièce 2

Figure IX.1 : Bloc synoptique de pratique de la soudure

IX.2.2. Soudage au fer

Figure IX.2 : Pratique de la soudure d’un composant électronique

 214

IX.2.3. Où s’applique cette soudure ?

Elle s’applique principalement à la soudure de composants électroniques ainsi qu’à

la soudure de câbles sur les connecteurs tels que les câbles électriques simples,
câbles blindés, sur interrupteurs, prises jack, etc.

IX.3. LE MATERIEL
IX.3.1. Fers à souder
La source de chaleur consiste d’une pointe en cuivre recouverte de fer. La pointe
est fixée dans l’axe qui est connecté à une résistance chauffante se trouvant dans
la manche et au bout de laquelle une corde électrique est reliée.

Figure IX.3 : Différentes parties d’un fer à souder

Un bon fer à souder a les caractéristiques suivantes :

- Une puissance importante (20, 30 à 60W)
- Un contrôle de température
- Un stylet léger et mince
- Une pointe à cotés plats (tournevis)
- Un fer antistatique

La pointe du fer

La pointe du fer à souder doit être suffisamment grosse. Une pointe de fer trop
petite ou trop pointue ne transmettra pas la chaleur efficacement. La plupart des
fers à souder de qualité sont équipés, à l’achat, d’une pointe optimale pour une
soudure standard. (Pattes de « chip», résistances, condensateurs, …).

Si vous avez à choisir une pointe de fer vous devez tenir compte de la dimension
de l’élément à souder. Il est recommandé d’utiliser une pointe avec 2 côtés plats
qui fournit une meilleure surface de contact et un meilleur transfert de chaleur.
Évitez, si possible, les pointes longues et pointues.

La pointe est faite de cuivre recouvert de fer. Le fer évite que le cuivre soit attaqué
par le décapant (flux). Si la pointe est trop bien nettoyée il se peut que le fer
s’oxyde. Elle devient alors brun foncé. Il est très difficile de faire adhérer le plomb
sur la surface oxydée. Pour éviter de brûler la pointe, il faut toujours garder la
pointe bien étamée surtout lors de l’arrêt du fer.
 215

Les pointes de fer ont une durée de vie limitée. A la longue le décapant attaque le
matériel de la pointe.

Voici une liste de conseils pour une bonne conservation des pointes de fer
longtemps :

- Gardez la pointe étamée. Nettoyer seulement au moment de souder.

- N’utilisez pas de décapant acide.
- Ne pas limer ou sabler la pointe du fer. Plusieurs couches anticorrosives sont
appliquées sur la pointe. Pour un nettoyage en profondeur, utiliser une
brosse en laiton.
- Avant de couper l’alimentation, laisser une bonne boule de plomb sur le bout
du fer pour éviter l’oxydation.

Remarque :

La pointe s'use plus vite quand on utilise de la soudure sans plomb, qui est
justement celle que l'on doit désormais utiliser. Cela est lié au fait que la soudure
sans plomb est plus corrosive (teneur en étain plus importante), et que la
température de la panne doit être plus élevée.

A retenir :

Un fer dont la température de chauffe est variable permet de s'adapter à plusieurs

types de soudures. Je vous recommande ce type de fer si vous êtes amené à
souder de façon régulière des composants électroniques et des câbles sur des
connecteurs.

Le support de fer

Le support de fer comporte un spiral d’acier fixé sur la base d’un côté et au bout
de l’autre extrémité servant de la partie d’insertion du fer. Le bout d’entrée peut
être muni d’un anneau en plastique. La base est munie d’un réceptacle avec une
éponge. L’éponge sert à nettoyer la pointe du fer : en enlevant l’excès de plomb
et en enlevant le décapant brûlé.

Garder l’éponge humectée. Ne pas utiliser l’éponge sans eau car elle brûlera. Pas
trop d’eau car la pointe refroidira.

IX.3.2. Le matériel d’apport (le fil de soudure ou le fil de plomb étain)

Le matériel d’apport est un alliage à bas point de fusion, non ferreux de 60% étain
et 40% plomb (60/40) ou 63% étain et 37% plomb (63/37). La deuxième
proportion est considérée comme celle de meilleure qualité. Le 63/37 permet la
soudure de passer directement de l’état liquide à l’état solide plus rapidement que
le 60/40.

Nouveaux alliages : Etain – Cuivre, Etain – Argent, Etain - Argent - Cuivre sont les
plus couramment utilisés pour les applications non industrielles. Ces alliages
contiennent en général plus de flux de soudure que les anciens (ou un flux
différent), ce qui implique des précautions supplémentaires à prendre.
 216

IX.3.3. Le décapant (flux)

Le décapant est une substance qui prépare les surfaces à accepter le métal
d’apport. Il élimine l’oxydation en surface et réduit la tension de surface. Voici les
deux variétés du décapant et leurs caractéristiques :
 Résine (rosin) RA Action nettoyante puissante pour surface oxydée.
 Résine (rosin) RMA Action nettoyante moins puissante, moins corrosive. (la
plus courante).

IX.3.4. Les outils utilisés lors de soudage

Selon les experts, les outils qui sont utilisés lors du processus de soudage et
dessoudage garantissent la qualité et la rapidité du travail de soudage au plomb.
De façon générale on peut avoir :

- 1 pince coupante 4 1/2"

- 1 pince à long nez 4 1/2"
- 1 pince à dénuder
Complément :
- 1 pince coupante « Nip » ou « shear » (Pratique pour les coupes de précision
et les endroits difficiles),
- pince Hémostatique (genre médical) avec 3 crans. (Peut servir de 3ème
main)
- brucelles (Tweezers). (Pour manipuler les petites pièces)
 Assistant de pliage
 Nettoyant de pointe de fer (après soudure)
 Etc.

IX.4. LA PROCEDURE DE SOUDURE AU PLOMB ETAIN

Voici les étapes pour souder :
- Identifiez les pièces à souder (un fil et connecteur, un composant et circuit
imprimé, etc.),
- Si vous soudez sur votre circuit, coupez toute alimentation sur votre circuit
(car la pointe du fer est reliée à la masse),
- Stabilisez le circuit imprimé et la pièce à souder,
- Assurez-vous que le fer est chaud,
- Nettoyez le fer sur l’éponge humide ;
- Appliquez une petite goutte de plomb sur la pointe du fer,
- Approchez le fer et le fil de plomb de la pièce à souder,
- Chauffez la tige ou la patte en premier (2mm au-dessus du circuit imprimé
pendant une à deux secondes) ;
- Abaissez le fer sur le beigne de cuivre du circuit imprimé ;
- Appliquez le matériel d’apport à la jonction de la tige et du beigne du côté
opposé à la position du fer jusqu’à l’obtention de la soudure parfaite ;
- Retirez le matériel d’apport et ensuite le fer ;
- Laissez refroidir à la température ambiante. Ne pas souffler ;
- Coupez les fils ou pattes qui dépassent ;
- Appliquer du plomb sur le fer avant d’éteindre l’alimentation.
 217

Observations :
 Entre l’étape 7 et l’étape 11, il est toujours recommandé que le temps soit très
court. Selon l’expérience de certains électroniciens ce temps varie de 2 à 5
secondes. Pour les grosses pièces à souder, 8 secondes sont acceptables.
 Faites attention à ne pas surchauffer les composants.
 Cette technique ne s’applique pas à la soudure des composants en surface
(SMT)

IX.5. LA PROCEDURE DE DESSOUDAGE

IX.5.1. Avec une pompe à dessouder
1. Assurez-vous que le fer est chaud.
2. Assurez-vous que la pointe du fer est bien étamée. Ajoutez du plomb au besoin.
4. Approchez le fer et la pompe à dessouder de la jonction.
5. Chauffez la soudure environ 3 secondes pour que la soudure soit bien liquide.
6. Appuyez sur le bouton de la pompe.
7. Retirez rapidement le fer et la pompe.
8. Pour un nettoyage complet utiliser la tresse à dessouder.

IX.5.2. avec une tresse à dessouder (braid wick)

1. Assurez-vous que le fer est chaud.

2. Assurez-vous que la pointe du fer est bien étamée.
3. Placez la tresse sur la soudure.
4. Placez le fer sur la tresse au-dessus de l’endroit à dessouder.
5. Exercez une légère pression sur le fer, NE PAS DÉPLACER LA TRESSE.
6. Maintenez en place jusqu'à ce que le plomb imbibe la tresse.
7. Soulevez le fer et la tresse rapidement (si la tresse reste en place trop
longtemps elle restera soudée.
8. Recommencez avec une autre partie de la tresse.

Astuce :
Si la tresse n’absorbe pas bien le plomb ou que le transfert de chaleur ne se fait
pas bien ajoutez du décapant sur la tresse.

IX.5.3. Les techniques de prévention de destruction des composants par décharge électrostatique
 Utilisez un fer à souder dont la pointe est reliée à la masse.
 Contrôlez l’humidité relative entre 50% et 65%.
 Utilisez un bracelet, chaussures ou talons conducteurs.
 Utilisez une surface de travail conductrice.
 Retirez tout vêtement en tissu synthétique et/ou portez un sarrau conducteur.
 Utilisez une chaise conductrice.
 Utilisez une cire conductrice sur les planchers.
 Éliminez tout élément fait de plastique non conducteur de votre environnement.
 Ionisez l’air.

Le choix de techniques de prévention dépend du niveau de tension maximum

acceptable ou encore la classe de protection nécessaire. Alors, rassurez-vous que
 218

vous avez déterminé d’abord le niveau de tension maximum acceptable et puis

faire le choix de protection.
Les techniques couramment utilisées afin de réduire les risques de décharge
électrostatique sont celles du fer à souder relié à la masse, le contrôle de taux
d’humidité et le port d’un bracelet antistatique.

IX.6. TECHNIQUES DE SOUDAGE ET DE DESSOUDAGE DES

COMPOSANTS ELECTRONIQUES
IX.6.1. Introduction :
Quel que soit l’appareil électronique que vous voulez réaliser, vous devrez toujours
souder sur le circuit imprimé tous les composants nécessaires à son
fonctionnement, c'est-à-dire les transistors, les condensateurs, les résistances, les
diodes, etc.
Par conséquent, si vous n’apprenez pas à souder correctement, vous n’arriverez
pas à faire fonctionner le plus élémentaire circuit électronique. Comme vous le
savez probablement déjà, la soudure sert à réunir deux ou plusieurs conducteurs
à l’aide d’une fine couche de métal, qui n’est autre que l’étain du fil à souder
(soudure). La soudure, portée par le fer à souder à température de fusion, permet
d’obtenir une fois refroidie, une jonction capable de laisser passer même le courant
électrique le plus faible.
Pour souder n’importe quel composant électronique sur le circuit imprimé, le fer à
souder d’une puissance de 15 à 25 watts suffit. Voici quelques différentes formes
de pannes :

Figure IX.4 : Différents fers à souder avec différentes pannes.

IX.6.2. Comment utiliser un fer à souder ?

Avant d’utiliser un nouveau fer à souder, vous devez le mettre sous tension,
attendre que sa panne chauffe et faire fondre sur toute sa surface un peu de
soudure de type 60/40. Le désoxydant qu’elle contient permettra de nettoyer la
panne en éliminant toute trace d’oxyde.

Figure IX.5 : Nettoyage de la panne avec la soudure du type 60/40.

 219

Après avoir déposé l’étain sur la panne, vous devez éliminer l’excédent en la
frottant sur un feutre ou une éponge humide. Lorsque vous souderez, veillez à ce
que la panne soit toujours parfaitement propre.

Figure IX.6 : Frottement sur feutre ou éponge de la panne pour la laisser propre.

Pour poser le fer à souder lorsqu’on ne l’utilise plus, il est utile de disposer d’une
boîte métallique sur laquelle vous pouvez pratiquer une encoche afin d’assurer une
pose stable. Vous pouvez aussi placer à l’intérieur de cette boîte, un morceau de
feutre ou d’éponge humide pour nettoyer la panne chaque fois que nécessaire. On
peut également poser le fer sur un support spiral en acier fixé sur la base.

Figure IX.7 : les différentes manières de poser un fer après son utilisation

IX.6.3. Les accessoires utiles dans le processus de soudage

En plus du fer à souder et de la soudure, ces quelques accessoires sont très utiles :

- Des limes à ongles « carton », qui vous serviront pour retirer des fils des
cuivre émaillé de leur verni isolant ;
- Une petite boîte en métal, très utile pour poser le fer à souder entre deux
soudures et pour recueillir des éventuelles gouttes de soudure fondue qui,
autrement pourraient tomber sur votre plan de travail et l’endommager ;
- Un morceau de feutre ou d’éponge, qui, humecté au préalable avec de l’eau,
vous permettra d’y frotter la panne pour la débarrasser des surplus de
soudure ou des résidus de décapant brûlé ;
- Une pince coupante spéciale électronique, outil indispensable pour couper
les pattes des composants dépassant la surface du circuit imprimé.
 220

IX.6.4. Comment souder avec le fer à souder ?

Pour souder n’importe quelle patte de n’importe quel composant électronique, vous
devrez toujours procéder comme suit :

- Appuyer la panne parfaitement propre du fer à souder, c'est-à-dire sans

soudure, sur la piste du circuit imprimé ainsi que sur la patte devant être
soudée de façon à les chauffer ;
- Après quelques secondes, approchez la soudure de la piste du circuit
imprimé et faites en fondre une toute petite quantité, pas plus de 2 ou 3mm
environ. Sinon, vous risqueriez tout simplement de gâcher de la soudure
inutilement en faisant un pâté ;
- Maintenez le fer à souder pendant environ 5 à 6 secondes à l’endroit où vous
avez fondu la soudure, pour permettre au désoxydant de brûler tous les
oxydes présents sur les surfaces ;
- Pendant ces quelques secondes vous verrez s’échapper un mince filet de
fumée, produit par les oxydes qui se volatilisent, mais à éviter de respirer ;
- Après la soudure, une parfaite soudure brillera en belle couleur d’argent,
mais mauvaise sera grise opaque, ça peut être due soit à la mauvaise qualité
de soudure qui est soit 50/50, ou encore soit le processus de soudage n’était
pas bon.

Préparer la panne du fer à souder

Avant d’utiliser un nouveau fer à souder, vous devrez déposer sur toute la surface
de la panne prévue pour souder une fine couche de soudure. On dit « étamer la
panne ». Dès que votre fer à souder tout neuf aura atteint sa température de
travail, appuyer la soudure sur la panne et laisser fondre copieusement mais sans
excès. Attendez que le désoxydant brûle la couche d’oxyde présente sur la surface
de la panne. Quand l’oxyde se sera complètement brûlé, vous verrez la soudure
se propager sur toute la surface de la panne. Secouez alors d’un coup sec le fer à
souder au-dessus de votre boîte en tôle pour faire tomber la goutte de soudure.

Soudage de différents éléments électroniques

Nous allons voir dans ce point comment se fait le soudage de différents
composants électroniques (condensateur, résistance, diode DEL, transistor, etc.)
sur un circuit imprimé.

Comment souder les condensateurs ?

Pour souder les pattes des condensateurs polyesters, céramiques ou
électrolytiques sur un circuit imprimé, il suffit de les insérer dans les deux trous
prévus à cet effet, en appuyant leur corps sur la surface du circuit imprimé afin
d’obtenir une meilleure présentation esthétique du montage. Pour que ces
composants ne se déboîtent quand vous retournez le circuit imprimé pour le
souder, il vous suffit d’écarter légèrement leurs pattes, comme indiqué à gauche
de la figure ci-dessous :
 221

Figure IX.8: Configuration des condensateurs sur le circuit imprimé

Et également pour les condensateurs électrolytiques, ils doivent toujours être

appuyés sur le circuit imprimé. N’oubliez pas que les pattes de ces condensateurs
sont polarisées.

Figure IX.9 : Configuration des condensateurs électrolytiques sur le circuit

imprimé.

Comment souder les résistances ?

Avant de souder une résistance sur un circuit imprimé, vous devez replier les deux
pattes en U, en essayant de maintenir le corps parfaitement au centre, par souci
d’esthétique. Après avoir replié les pattes à l’aide d’une petite pince, insérez-les
dans leur logement, en veillant à ce que le corps de la résistance appuie bien sûr
la surface du circuit imprimé.

Figure IX.10 : configuration des résistances sur le circuit imprimé.

Comment souder les diodes ?

Pour souder les diodes de redressement et les diodes zener, on utilise la même
technique que pour les résistances, tout en respectant la polarité de leurs broches
en les insérant dans le circuit imprimé. Comme nous l’avons déjà vu, si on inverse
l’anode et la cathode, le circuit ne pourra jamais fonctionner. La position de l’une
et de l’autre devrait, normalement, toujours être indiquée sur le circuit imprimé.

Comment souder les diodes LED ?

Pour souder les diodes LED, il faut également veiller à leur polarité. Le corps de
ces diodes ne doit jamais s’appuyer sur le circuit imprimé, mais doit toujours être
maintenu à une distance d’environ 5mm ou plus. Les 5mm de pattes ainsi laissés
entre le corps et le circuit imprimé éviteront que la chaleur de la soudure n’atteigne
et ne détruise la minuscule puce placée à l’intérieur de la diode LED.
 222

Figure IX.11 : Configuration des diodes LED sur le circuit imprimé.

Comment souder les transistors ?

Les trois pattes des transistors : l’émetteur, la base, et le collecteur, sont insérés
sur le circuit imprimé dans leurs trous respectifs, en faisant bien attention à leurs
dispositions. En général, on trouve sur tous les circuits imprimés les lettres E, B,
et C indiquant le trou correspondant, ou bien alors le dessin de la forme demi-
circulaire du corps, afin d’éviter toute erreur possible. Le corps plastique des
transistors de basse puissance doit être maintenu à une distance d’environ 8 ou
10mm de la surface du circuit imprimé, c’est pourquoi vous ne devrez jamais en
raccourcir les pattes. Ainsi, la chaleur de la soudure ne pourra pas atteindre la
puce microscopique contenue à l’intérieur du transistor, ni risquer de
l’endommager. Grâce à ce 8 ou 10mm, on pourra donc, sans crainte, maintenir le
fer à souder plus longtemps à l’endroit de la soudure. Pour des raisons
d’esthétique, il faut positionner le transistor verticalement et non en position
inclinée.

Figure IX.12 : Configuration des transistors sur le circuit imprimé

Comment souder les ponts redresseurs ?

Vous devez insérer les quatre pattes du pont redresseur sur le circuit imprimé,
dans leurs trous respectifs, en faisant bien attention à insérer les deux pattes
marquées d’un S (symbole de la tension alternative), dans les deux trous
correspondant à cette même tension, et la broche du positif dans le trou marqué
« + ». Il faut éviter de laisser le corps appuyé sur le circuit imprimé car il a
tendance à chauffer. Un espace de 5mm environ sera parfait.

Figure VIII.14 : Configuration des ponts redresseurs sur le circuit imprimé.

 223

Comment souder un fil de cuivre émaillé ?

Il est nécessaire, avant de souder un fil de cuivre émaillé sur le circuit imprimé,
de la préparer en retirant de sa surface la couche isolante qui le recouvre et qui
est souvent confondue, par le néophyte, avec le fil lui-même, car de couleur
pratiquement identique. Pour cela, grattez l’extrémité devant être soudée à l’aide
de la lime à ongles. Après avoir retiré cette couche de vernis, nous vous conseillons
de déposer une fine couche de soudure sur l’extrémité du cuivre dénudé (on dit
également « étamer » le fil).

Figure IX.15 : Préparation du fil de cuivre émaillé avant le soudage.

Mais, pour les fils souples très fins des câbles recouverts de plastique, vous devez
toujours les torsader pour éviter qu’ils ne s’effilochent.

Figure IX.16 : Préparation du fil souple très fin pour le soudage.

Et en fin, on reconnait une soudure à la couleur argent de l’étain uniformément

rependu comme le montre la figure ci-après :

Figure IX.17 : Présentation d’une bonne soudure sur la résistance.

Mais les soudures ci-après montrées dans ces différentes figures, sont des
mauvaises qualités :

Figure IX.18 : Les soudures des mauvaises qualités effectuées sur la résistance.
 224

VIII.7. DESSOUDAGE DES ELEMENTS ELECTRONIQUES

Le dessoudage en électronique, est une opération qui consiste à enlever la soudure
reliant deux pièces en vue de leur séparer à l’aide d’un dispositif de dessoudage
qui peut être, soit une pompe à dessouder avec le fer à souder, soit une tresse à
dessouder avec le fer à souder.

VIII.7.1. Comment dessouder avec la pompe à dessouder ?

Tout d’abord une pompe à dessouder est une petite pompe pourvue d’un piston
qui sert à aspirer l’étain fondu quand on actionne le bouton de verrouillage du
ressort de rappel.

Figure IX.19 : Représentation des pompes à dessouder.

Pour dessouder avec une pompe à dessouder, on commence par appuyer l’embout
de la pompe sur l’étain liquide qui a été fondu par le fer à souder, et actionnez le
poussoir de verrouillage du ressort pour que le piston aspire toute la soudure.

Figure IX.20 : Dessoudage d’un composant avec la pompe à dessouder.

VIII.7.2. Comment dessouder avec la tresse à dessouder ?

Pour dessouder un composant avec la tresse, il faut au préalable appliquer un
morceau de tresse sur la soudure, appuyez la panne bien chaude du fer à souder
sur ce morceau de tresse jusqu’à tel point que la soudure sera fondue et absorbée
entièrement par la tresse, puis retirez un peu rapidement ce morceau de tresse
pour éviter qu’il ait encore une soudure restante.
 225

Figure IX.21 : Dessoudage d’un composant avec la tresse et le fer à souder.

VIII.7.3. Je veux faire une soudure sans lire tout ce document

Voici les étapes pour souder :

- Couper toute alimentation sur votre circuit (car la pointe du fer est reliée à la
masse) ;
- Stabiliser le circuit imprimé et la pièce à souder ;
- S’assurer que le fer est chaud ;
- Nettoyer le fer sur l’éponge humide ;
- Appliquer une petite goutte de plomb sur la pointe du fer ;
- Pour les droitiers, tenir le fer de la main droite et le métal d’apport de la main
gauche ;
- Approcher le fer et le fil de plomb de la pièce à souder ;
- Chauffer la tige ou la patte en premier (2mm au-dessus du circuit imprimé)
(1-2sec) ;
- Abaisser le fer sur le beigne de cuivre sur le circuit imprimé ;
- Appliquer le matériel d’apport à la jonction de la tige et du beigne du côté
opposé à la position du fer jusqu’à l’obtention de la soudure parfaite ;
- Retirer le matériel d’apport et ensuite le fer ;
- Laisser refroidir à la température ambiante, ne pas souffler ;
- Refaire les étapes 7 à 12 pour chaque soudure ;
- Couper les fils ou pattes qui dépassent ;
- Appliquer du plomb sur le fer avant d’éteindre l’alimentation.

Figure IX.22 : Procédures avant et après soudage des composants.

 226

VIII.7.4. Je veux faire un dessoudage sans lire tout ce document

Voici les étapes pour dessouder avec une pompe à dessouder.

1. S’assurer que le fer est chaud.

2. S’assurer que la pointe du fer est bien étamée. Ajoutez du plomb au besoin.
3. Pour les droitiers, tenir le fer de la main droite et la pompe à dessouder de
la main gauche.
4. Approcher le fer et la pompe à dessouder de la jonction.
5. Chauffer la soudure environ 3 secondes pour que la soudure soit bien
liquide.
6. Appuyer sur le bouton de la pompe.
7. Retirer rapidement le fer et la pompe.
8. Pour un nettoyage complet utiliser la tresse à dessouder.

Voici les étapes pour dessouder avec une tresse à dessouder.

1. S’assurer que le fer est chaud.

2. S’assurer que la pointe du fer est bien étamée.
3. Placer la tresse sur la soudure.
4. Placer le fer sur la tresse au-dessus de l’endroit à dessouder.
5. Exercer une légère pression sur le fer, NE PAS DÉPLACER LA TRESSE.
6. Maintenir en place jusqu'à ce que le plomb imbibe la tresse.
7. Soulever le fer et la tresse rapidement (si la tresse reste en place trop
longtemps elle restera soudée.
8. Recommencer avec une autre partie de la tresse.

Si la tresse n’absorbe pas bien le plomb ou que le transfert de chaleur ne se fait

pas bien, ajoutez du décapant sur la tresse.

IX.8. TEST DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES

Le test en électronique est un moyen qui nous permet de connaître l’état d’un
composant s’il est bon ou défectueux. Le test peut être statique (c'est-à-dire se
faisant au moyen d’un multimètre sur le calibre en ohmmètre), ou dynamique
(c'est-à-dire en faisant intervenir l’énergie électrique).
Mais dans la suite de ce chapitre nous allons présenter le test statique c'est-à-dire
celui qui se fait au moyen d’un multimètre.

IX.8.1. Objectif
L’objectif est de donner des pistes pour vérifier le bon état de quelques composants
électroniques courants (l’usage d'un multimètre est bien souvent requis). En cas
de doute quant à la mesure d'un composant, faire la même mesure, sans rien
changer de la configuration du multimètre, avec un composant dont on est sûr de
l’état.

IX.8.2. Test des diodes

C'est le plus simple, une diode "laisse passer" le courant dans un seul sens : Si la
diode est en parallèle sur une bobine, il faut la dessouder au moins d'un côté. Pour
faire la mesure, utiliser la position "diode" de votre multimètre.
 227

Figure IX.23 : Placement des bornes et test d’une diode par un multimètre

Une diode laisse passer le courant dans un seul sens : de l'anode vers la cathode.
Sur le composant, la cathode est repérée par un trait de peinture:

CATHODE ANODE

Figure IX.24 : Mesure de la diode dans le sens direct (passant)

La valeur lue varie suivant le composant et l'appareil de mesure mais est souvent
aux alentours de 0,6 (0,560 dans notre cas). Remarquez que l'appareil n'affiche
pas le zéro, mais seulement ".560"
Cette valeur aux alentours de 0,6 est pour une diode silicium au (1N4004 par
exemple), pour une diode au germanium (1N270 sur la matrice des contacts des
anciens Gottliebs par exemple) cette valeur est de l'ordre de 0,2.
 228

Figure IX.25 : Mesure de la diode dans le sens indirect (inverse)

Quand le courant ne passe pas, le multimètre indique "0L" (c'est le cas de celui-
ci-dessous, à gauche), mais sur certains modèles (tout dépend de la marque),
l'indication peut être différente, exemple : "--" (deux tirets) ou bien encore "1 " (1
suivi de deux espaces), dans tous les cas cet affichage correspond au
"dépassement de capacité", c'est-à-dire que la valeur à mesurer est plus grande
que la valeur maximale du calibre (de la gamme de mesure) en cours d'utilisation.

Figure IX.26 : Différents affichages possibles quand le courant ne passe pas en

position "diode".

Pour ceux qui possèdent des anciens appareils de mesure à aiguille, et qui tiennent
à s'en servir (bien que leur précision ne soit pas aussi bonne que les modèles
digitaux). Les appareils de mesure à aiguille ne comportent pas de position "diode",
car la tension aux bornes des pointes de mesures est suffisante en position "Ohm-
mètre" (position " Ω ") pour franchir le seuil de conduction des jonctions des semi-
conducteurs (transistors et diodes). Donc la mesure se fera en position Ohms sur
le calibre le plus bas (Ω X1 avec l’appareil ci-dessous par exemple) les valeurs lues
seront à apprécier en fonction de l'appareil utilisé (le mieux étant de faire quelques
mesures sur des composants neufs pour se faire une idée).

Pour utiliser un "Ohm-mètre" à aiguille, il faut d’abord le calibrer en court-circuitant

les deux pointes de mesure et tourner le potentiomètre de gauche pour avoir une
déviation maximale, ce réglage permet de compenser l’affaiblissement des piles et
les pertes dues aux mauvais contacts dans les cordons de mesure.
Attention, sur bon nombre d'appareils à aiguille, les polarités présentes sur les
pointes de touche en position Ohm-mètre sont inversées par rapport aux appareils
numériques plus récents. C'est-à-dire que le fil rouge est le moins et le fil noir le
plus. Donc attention, si vous utilisez ce genre d'appareil pour identifier un
transistor (savoir si c'est un NPN ou un PNP par exemple).
 229

Figure IX.27 : Appareil à affichage analogique

IX.8.3. Test d'un pont de diodes

Sur beaucoup d'appareils on trouve des ponts redresseurs (pour transformer le

courant alternatif issu du transformateur en courant unidirectionnel). Ces ponts
redresseurs sont constitués de 4 diodes incorporées dans le même boitier. Ces
ponts de diodes sont assez exposés et donc sont la cause de pannes fréquentes
(court-circuit et fusibles qui sautent).

Figure IX.27 : Différentes présentations d’un pont de diodes (pont Moulé)

Les entrées marquées AC sont l'arrivée du courant alternatif et les sorties + et -
sont les sorties du courant unidirectionnel. Pont de diodes à cosses "Faston" que
l'on trouve sur les Gottlieb et sur les Data East.
Remarquez que la cosse de sortie "+" est tournée de 90° pour être repérée
facilement. Pont de diodes à fils que l'on trouve sur les flippers Bally/Williams.
Cette version est prévue pour être soudée directement sur le circuit imprimé.
Remarquez que le fil de sortie "+" est décalé par rapport aux autres pour être
repéré facilement.

Sur les ponts de diodes, les sorties sont repérées par des "sérigraphies" ou des
indications moulées en relief sur le corps du pont de diodes. Le pont se teste hors
tension comme quatre diodes indépendantes, on fait la mesure entre deux
connexions consécutives (+ et AC, AC et -, - et AC et enfin AC et +). Souvent, on
va trouver une diode coupée ou en court-circuit. Ces ponts redresseurs sont
souvent montés juste derrière un transformateur et sont en principe protégés par
un fusible. Il faut toujours enlever le fusible pour que la présence de l'enroulement
du transformateur ne perturbe la mesure. D'une façon générale, il est préférable
de déconnecter / dessouder (si vous savez le faire) le pont pour faire les mesures
(attention à ne pas abimer le circuit imprimé en dessoudant pour les ponts montés
sur circuit imprimé, ça se fait très souvent).
 230

IX.8.4. Test des transistors :

Pour le test avec un multimètre simple, on peut comparer un transistor ordinaire

à deux diodes reliées ensemble. Il suffit de positionner un des fils du multimètre
sur la base du transistor, et ensuite de mesurer avec les deux autres électrodes
(émetteur et collecteur). Si le transistor est du type NPN, le courant va passer
quand le fil rouge du multimètre est sur la base, et que le fil noir est en contact
avec l'émetteur et ensuite le collecteur. Si le transistor est du type PNP, ce sera
l'inverse (fil rouge inversé avec le fil noir). Une dernière mesure entre collecteur
et émetteur (dans les deux sens) devra monter un courant nul dans les deux sens.
On peut remarquer une légère fuite entre collecteur et émetteur sur les vieux
transistors de puissance au germanium.
Il y a deux grandes familles de transistors : PNP et NPN

Figure IX.28 : Présentations des transistors NPN et PNP

Sur un schéma, la différence entre un transistor PNP et un NPN ne se voit qu'avec

le sens de la flèche de l'émetteur. Sur un PNP, la flèche est entrante, sur un NPN,
elle est sortante. Il existe toutes sortes de boitiers différents pour les transistors,
suivant son emploi et la puissance qu'il devra dissiper.

Boitier TO3 utilisé pour les transistors de puissance

 231

Figure IX.29 : Différents boîtiers de transistors

Ensuite, il faut connaitre la disposition des différentes électrodes du transistor que

vous souhaitez tester, cette disposition s'appelle le brochage. Ce brochage peut
être très différent d'un modèle à l'autre même entre deux transistors
apparemment semblables (même boitier). Donc ne vous fiez pas aux apparences
ni aux affirmations de certains vendeurs de composants, mais aux "datasheets",
ce sont les feuilles des caractéristiques (en anglais) des composants électroniques.
Faites une recherche sur Internet avec "datasheet 2N3904" (par exemple) et vous
trouverez sans peine (pour les composants courants) des documents (chaque
fabricant en produit un) sur ce transistor.

Attention au marquage des transistors, par exemple un transistor marqué

C3039 est en fait un transistor japonais de référence 2SC3039 (c'est courant avec
les transistors japonais). Dans tous les cas, soyez vigilants et vérifiez bien que le
composant que vous tentez de mesurer est bien un transistor et pas autre chose.
Ci-dessous la partie qui nous intéresse, le brochage du 2N3904.

Figure IX.30 : Brochage de transistors

La deuxième difficulté vient du fait que le transistor que vous souhaitez vérifier est
soudé sur le circuit imprimé et que les autres composants qui y sont reliés
(résistances, transformateurs, diodes, autres transistors, relais etc.) vont
modifier/perturber les mesures.
En pratique, pour les transistors de petite puissance, dans la plupart des cas, on
arrive assez bien à vérifier un transistor sans avoir besoin de le dessouder, pour
les transistors de puissance, on est très souvent obligé de le dessouder ou de
 232

déconnecter/isoler (si possible) la partie commandée par ce transistor de

puissance.

Mesure :

Dans tous les cas, la mesure se fait hors tension, c'est-à-dire que l'appareil doit
être débranché. Et le circuit imprimé posé sur la table devant vous. On fera les
mesures comme suit, le multimètre toujours sur la position diode.

Transistor PNP :

Transistor NPN :

Quand on mesure un transistor soudé sur la carte électronique, il est possible de

trouver des valeurs légèrement différentes du tableau, c'est normal ! Avec
l'habitude vous arriverez à deviner du premier coup si votre mesure est
vraisemblable ou si quelque chose n'est pas normal. Pensez toujours à comparer
avec les autres transistors identiques alentours.
 233

Cas particuliers :

IX.8.5. Les transistors "Darlington".

Figure IX.31 : Brochage du transistor Darlington

Comme vous pouvez le voir sur le dessin ci-dessus, un transistor "Darlington"

comporte deux transistors dans le même boitier et quelque fois des composants
supplémentaires (c'est le cas dans notre exemple, un transistor Darlington NPN,
le TIP122).
La présence de ces deux transistors, de la diode et des résistances va modifier les
résultats des mesures faites avec le multimètre. Entre la (B)ase et l'(E)metteur
nous allons mesurer l'équivalent de deux diodes en série (enfin presque … Car R2
qui est de valeur assez faible va diminuer la valeur mesurée dans le sens
"passant") et dans le sens inverse, nous trouverons la valeur des deux résistances
R1 + R2 soit 8,12 KOhms.
Entre l'(E) metteur et le (C) ollecteur nous allons "voir" la présence de la diode.

TIP122 (DARLINGTON NPN)

Toutes ces mesures ont étés réalisées sur un transistor neuf non soudé. On
remarque bien à la dernière ligne du tableau la valeur de 0,453 qui représente la
diode (dans le sens "passant" entre émetteur et collecteur. Cette valeur serait
infinie si la diode était absente.

On remarque aussi la valeur de 1,660 entre base et émetteur (2) due à la présence
des deux résistances R1 et R2. Cette valeur peut être infinie si les résistances
étaient absentes ou en faisant la mesure avec certains appareils.
Un autre transistor Darlington bien connu dans les anciens flippers Gottlieb, le
MPSU45.
 234

On voit ci-dessous que le transistor Darlington MPSU45 ne comprends que deux

transistors dans le même boitier sans résistances ni diode supplémentaire. Cette
disposition modifie légèrement la mesure au multimètre : dans le sens "passant"
entre la base et l'émetteur, vous ne lirez pas 0,6 mais 1,2 soit le double (il y a
deux jonctions en série).

ATTENTION aux transistors de puissance possédant une semelle métallique, cette

partie est souvent reliée au collecteur et doit être isolée quand le transistor est
fixé sur un support métallique pour son refroidissement. D'une façon générale,
tous les transistors dont le corps est métallique ne doivent pas toucher autre chose
lorsqu'ils sont en place, ou s'ils sont fixés sur une partie métallique pour améliorer
le refroidissement, ils doivent souvent être isolés par une feuille de matériau
isolant. Faites très attention au démontage de ne pas perdre ou abimer cette fine
feuille isolante. Et une fois remontés en place, de vérifier que la semelle métallique
est bien isolée du support.

Quelques brochages de transistors courants dans les jeux :

 235

IX.8.6. Test des transistors à effet de champ

Première chose, si ce transistor est sur la

plaquette électronique, enlevez le car vous
ne pouvez pas le tester directement sur le
circuit. Utilisez votre fer à souder.
Assurez-vous que la pointe est propre, et
que le fer est à la bonne température
avant de commencer. Utiliser une mèche
ou tresse à dessouder.
 236

Test numéro 1 :

Une fois que le transistor est enlevé, il est temps de le

tester. Sortez votre multimètre numérique et sélectionner
le mode diode test/continuité. C'est celui qui sonne lorsque
les deux pointes se touchent.
Placer la pointe noire du multimètre sur le pin central
(drain) et la pointe rouge sur le pin de gauche. Vous
devriez avoir aucun signal (trait ouvert à l'affichage).

Test numéro 2 :

Maintenant, il est temps de tester la capacité du

transistor à laisser passer le courant. Avec la pointe
noire du multimètre sur le Drain (pin central), mettre
la pointe rouge sur le pin source (pin de droite). Vous
devriez avoir une très faible valeur, ou un circuit
fermé (le multimètre bipera). Cfr. photo ci-contre

Test numéro 3 :

Maintenant, tester la capacité du transistor à bloquer

le courant. Pour cela, il vous faut toucher les 3 pattes
du bout du doigt comme indiqué sur la photo.

Test numéro 4 :

Sonder le Drain (sonde noire du multimètre sur le

pin central) avec la source (sonde rouge du
multimètre sur le pin de gauche du transistor). Le
multimètre doit afficher une grande valeur. Cf.
photo-contre

Liste des états du transistor : Comment savoir s'il est défaillant ?

Un transistor défaillant aura les conditions suivantes

suivant ces cas.

Montre une continuité, faible valeur à l'affichage, ou

provoque un bip du multimètre.

Montre un circuit ouvert, grande valeur à l'affichage,

ou une alerte de circuit ouvert sur le multimètre.

Montre la même lecture qu'à l'étape 3, ou montre un

circuit fermé (le multimètre bip) ou il y a continuité
 237

BIBLIOGRAPHIE

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Paris 2003.
2. Ludovic Barrandon, Electronique, Dunod, Paris, 2010
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Paris, 2000
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Electronique, 5è édition, Dunod, Paris, 2008
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édition
8. Christian JUTTEN, Conception de systèmes électroniques
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