République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Ecole Normale Supérieur Constantine – Assia Djebar –

Département de physique et de chimie

Module : chimie Analytique
Niveau : 4B5

Tp04 :
Spectroscopie UV Visible

Sous-groupe : 03
Présenté par :
❖ Gharbaoui Chaima
❖ Ghenou Imane
❖ Haddad Ouafa Insaf

Année Universitaire: 2024 / 2025

 Introduction :
La spectroscopie UV-Visible est une technique analytique qui étudie l’absorption de la
lumière par les molécules dans les domaines ultraviolet (200–400 nm) et visible (400–800 nm)
du spectre électromagnétique. Elle repose sur la transition électronique des électrons excités et
est largement utilisée pour identifier les composés chimiques et déterminer leurs
concentrations. Historiquement, les premières observations remontent au début du XIXe siècle
avec William Hyde Wollaston, puis Joseph von Fraunhofer, qui ont étudié les raies
d’absorption dans la lumière visible. L’essor réel de cette technique commence au XXe siècle
avec l’invention du spectrophotomètre, rendant l’analyse plus précise, rapide et accessible
dans de nombreux domaines scientifiques et industriels.
Ce rapport se concentre sur l’étude de deux matériaux semi-conducteurs : ZnO et TiO₂, en
utilisant la spectroscopie UV-Visible pour estimer leur énergie de gap.
 I. Le but de TP :
• Déterminer la valeur de la bande interdite (Eg) pour les composés ZnO et TiO₂.
• Se familiariser avec les différentes méthodes de calcul de la bande interdite (Eg) à
partir des données spectrales.
• Apprendre à utiliser la méthode optique pour déterminer précisément Eg.
• Utiliser la méthode de la dérivée de la transmittance pour analyser la bande
interdite.
II. Partie théorique :
1-Quelque définition :
• Spectroscopie : Branche de la chimie analytique qui étudie l’interaction du
rayonnement électromagnétique avec la matière, dans le but d’identifier et de
quantifier les substances.

• Spectre UV-Visible : Partie du spectre électromagnétique allant de 200 nm (UV) à

800 nm (visible), où de nombreuses molécules peuvent absorber l’énergie lumineuse
pour effectuer des transitions électroniques.
• Le spectromètre : ou un spectroscope, est un appareil qui permet d’effectuer une
mesure spectrométrique de l’absorbance d’une solution à une longueur d’onde
donnée ou sur une région donnée du spectre.
• Longueur d’onde maximale (λmax) : Longueur d’onde à laquelle l’absorbance d’une
substance est maximale. Elle est caractéristique d’un composé.
• Chromophore : Groupe fonctionnel d’une molécule responsable de l’absorption de la
lumière dans la région UV ou visible, comme les doubles liaisons conjuguées.
• Transitions électroniques : Déplacements d’électrons d’un niveau d’énergie inférieur
vers un niveau supérieur suite à l’absorption de lumière. Types communs.
• Cuve (Cuvette) : Petit récipient transparent utilisé pour contenir les échantillons lors
de l’analyse. Elle peut être en quartz, en plastique ou en verre.
• Analyse quantitative : Utilisation des données spectrales pour calculer la
concentration d’une substance inconnue en appliquant la loi de Beer-Lambert.
• Analyse qualitative : Utilisation de la position de λmax ou de la forme du spectre
pour identifier une substance.
• Semi-conducteur : Une matière dont les propriétés électriques sont intermédiaires
entre celles des conducteurs (comme les métaux) et des isolants. Elle peut conduire
 l’électricité sous certaines conditions (comme une température élevée ou la
présence d’impuretés).
• Électron libre : Électron ayant acquis assez d’énergie pour passer de la bande de
valence à la bande de conduction, contribuant ainsi à la conduction électrique.
• Trou (Lacune) : Espace vide dans la bande de valence laissé par un électron qui a été
excité vers la bande de conduction. Il est considéré comme un porteur de charge
positive.
• Diode : Composant électronique constitué d’une jonction entre un semi-conducteur
de type N et un de type P, permettant le passage du courant dans un seul sens.
2-Classification des solides selon leur conductivité électrique :
Les matériaux solides peuvent être classés en trois grandes catégories selon leur capacité à
conduire le courant électrique :
2-1-Les conducteurs :
Définition : Ce sont des matériaux qui permettent le passage du courant électrique
facilement grâce à la présence d’électrons libres en mouvement.
Exemples : Cuivre (Cu), fer (Fe), aluminium (Al).
Caractéristiques :
• Très bonne conductivité électrique.
• Excellente conductivité thermique.
• Les électrons de valence se déplacent librement dans le réseau cristallin (modèle du
gaz d’électrons libres).
2-2-Les isolants :
Définition : Ce sont des matériaux qui ne laissent pratiquement pas passer le courant
électrique, car ils ne possèdent pas d’électrons libres.
Exemples : Verre, plastique, céramique, bois sec.
Caractéristiques :
• Large bande interdite (généralement > 5 eV).
• Pas de transitions électroniques faciles.
• Utilisés comme matériaux isolants dans les appareils électriques.
2-3-Les semi-conducteurs :
Définition : Matériaux ayant une conductivité électrique intermédiaire entre celle des
conducteurs et des isolants. Leur conductivité augmente avec la température ou après
dopage.
Types de semi-conducteurs : Intrinsèques et Extrinsèques
Les semi-conducteurs peuvent être classés en deux grandes catégories selon leur
composition et leur comportement électrique : intrinsèques (purs) et extrinsèques (dopés).
1-Semi-conducteurs intrinsèques :
Définition : Les semi-conducteurs intrinsèques sont des matériaux purs, comme le silicium
(Si) ou le germanium (Ge), qui ne contiennent aucune impureté ajoutée. Leur conductivité
électrique dépend fortement de la température.
Caractéristiques :
• Conductivité : Très faible à température ambiante, mais augmente avec la
température à mesure que des électrons sont excités vers la bande de conduction.
• Porteurs de charge : Les électrons dans la bande de conduction et les trous dans la
bande de valence sont générés par l’agitation thermique.
• Conductivité thermique : Faible à basse température, mais augmente avec
l’élévation de la température.
Exemples : Silicium pur (Si) ; Germanium pur (Ge)
2-Semi-conducteurs extrinsèques :
Définition : Ce sont des semi-conducteurs dopés, c’est-à-dire qu’on leur ajoute
volontairement des impuretés spécifiques pour améliorer leur conductivité. Ce dopage crée
deux types : type N et type P.
➢ Semi-conducteurs de type N :
Dopage : Par des éléments de la colonne V (phosphore, arsenic, antimoine) possédant 5
électrons de valence.
Effet : Un électron en excès devient libre et contribue à la conduction.
Porteurs majoritaires : Électrons libres (négatifs).
Exemple : Silicium dopé au phosphore (Si-P)
 ➢ Semi-conducteurs de type P :
Dopage : Par des éléments de la colonne III (bore, aluminium, gallium) avec 3 électrons de
valence.
Effet : Création de trous (lacunes électroniques) dans la bande de valence.
Porteurs majoritaires : Trous (positifs).
Exemple : Silicium dopé au bore (Si-B)

3-L’énergie de Gap : (énergie de bande interdite)

Définition : L’énergie de gap est la différence d’énergie entre le sommet de la bande de
valence et le bas de la bande de conduction dans un solide (généralement un semi-
conducteur ou un isolant).
Elle représente l’énergie minimale nécessaire pour qu’un électron passe de la bande de
valence à la bande de conduction, devenant ainsi libre de conduire le courant électrique.
Si 𝐸𝑔 est faible : (ex. silicium =1.1 eV), le matériau est semi-conducteur.
Si 𝐸𝑔 est grande : (supérieure à 3 eV), le matériau est isolant.
Si𝐸𝑔 = 0 : le matériau est conducteur (métal).
Types d’énergie de gap :
1-Gap direct (Direct Band Gap):
• L’électron passe de la bande de valence à la bande de conduction sans changement
de moment (k).
• Le photon fournit directement l’énergie nécessaire.
• Ces matériaux sont utilisés dans les applications optoélectroniques (ex : LEDs, lasers).
Exemple : Arséniure de gallium (GaAs).

1-Gap indirect (Indirect Band Gap):

• L’électron subit un changement de moment, impliquant un photon et un phonon
(quantum de vibration).
• L’absorption optique est moins efficace.
• Utilisés généralement en électronique.
Exemple : Silicium (Si), Germanium (Ge).
Méthodes de détermination 𝐸𝑔 :
1. Méthode optique (spectroscopie UV-Vis ou infrarouge) :
Principe : On mesure l’absorption de la lumière par un matériau en fonction de l’énergie
(ou la longueur d’onde) de la lumière incidente.
Méthode de Tauc :
Est un graphique communément utilisé pour déterminer le band gap optique d'un matériau
- en général un semi-conducteur (αhʋ)1/2 = F (hʋ). La constante n dépend de la nature du
band gap, elle vaut 1/2 pour un band gap direct et 2 pour un band gap indirect.
La valeur du gap (l’énergie de gap Eg/ la bande interdite optique) est obtenue en
extrapolant la partie linéaire de la courbe, à l'intersection de cette droite avec l'axe des
abscisses.

2-La méthode de la dérivée première de la transmittance :

Est une technique simple et efficace pour déterminer l’énergie de gap Eg dans les
matériaux semi-conducteurs. Elle repose sur l’analyse des variations de la transmittance
optique T en fonction de l’énergie des photons E. Lorsqu’un photon possède une énergie
supérieure ou égale à celle de la bande interdite, il est absorbé, ce qui provoque une chute
rapide de la transmittance. Ce changement peut être détecté et analysé à l’aide de la
dérivée.
On commence par convertir les données de longueur d’onde en énergie à l’aide de la
relation, puis on trace la transmittance T en fonction de E. Ensuite, on calcule la dérivée
première de cette courbe, , afin de mieux visualiser les variations rapides. Le tracé de cette
dérivée montre généralement un pic net, qui correspond au début de l’absorption
photonique. L’énergie à laquelle apparaît ce pic donne une estimation de l’énergie de gap
Eg.
Cette méthode est largement utilisée car elle ne nécessite pas le calcul du coefficient
d’absorption et convient particulièrement aux couches minces. Toutefois, elle reste une
méthode approximative dont la précision dépend de la qualité des données
expérimentales.
3. Méthode électrique (conductivité en fonction de la température) :
Principe : La conductivité électrique d’un semi-conducteur augmente avec la température.
On utilise la relation :
−𝐸𝑔
𝜎(𝑇) = 𝜎0 𝑒 2𝐾𝑇
1 𝐸𝑔
En traçant 𝐿𝑛(𝜎) en fonction de , la pente donne une estimation de , permettant de
𝑇 2𝐾
calculer𝐸𝑔 .

4. Photoluminescence (PL) :
Principe : Le matériau est excité par une source lumineuse, puis réémet de la lumière.
L’énergie du photon émis correspond généralement à l’énergie de gap (ou légèrement
inférieure à cause de recombinaisons indirectes ou excitoniques).
5. Spectroscopie par absorption X (XAS) ou photoémission (XPS/UPS) :
• Utilisée pour des mesures très précises du niveau de la bande de valence et de
conduction.
• Plus complexe et coûteuse, mais très fiable.
4-Les matériaux utilisés dans ce TP :
1. Oxyde de zinc (ZnO) :
A-Spécifications chimiques et physiques :
• Formule chimique : ZnO
• Masse molaire : 81,38 g/mol
• Couleur : Blanche ou transparente
• Structure cristalline : Il cristallise dans le système hexagonal (Hexagonal), mais peut
également cristalliser dans le système cubique (Cubic).
• Température de fusion : Environ 1975°C
• Dureté : 4 sur l'échelle de Mohs
• Transparence : ZnO possède des propriétés semi-conductrices.
B-Propriétés électriques :
• Type de semi-conducteur : Semi-conducteur de type N (permet le passage des
électrons librement).
• Bande interdite (Band Gap) : Environ 3,37 eV à température ambiante, ce qui le rend
adapté aux applications dans l'ultraviolet (UV).
• Conductivité électrique : Dépend de la structure cristalline et du dopage.
C-Propriétés optiques :
• Absorption de la lumière : ZnO a une grande capacité à absorber la lumière, surtout
dans la région ultraviolette.
• Propriété photonique : ZnO est utilisé dans les systèmes photoniques tels que les
applications UV et les lasers.
• Transparence : ZnO possède une haute conductivité électrique tout en restant
transparent dans le spectre visible.
D-Applications :
• Électronique : Comme les diodes (Diodes), les transistors et les capteurs.
• Lumière : Utilisé dans l'éclairage ultraviolet, ainsi que dans les écrans tactiles.
• Matériaux antibactériens : En raison de ses propriétés antibactériennes, il est utilisé
dans les préparations médicales.
• Peintures : Utilisé dans la fabrication de peintures blanches, de pigments et d'additifs
pour plastiques.

2. Oxyde de titane (TiO₂) :

A-Spécifications chimiques et physiques :
• Formule chimique : TiO₂
• Masse molaire : 79,87 g/mol
• Couleur : Blanche
• Structure cristalline : Il cristallise sous différentes formes comme l'Anatase, le Rutile
et le Brookite.
• Température de fusion : Environ 1843°C
• Dureté : 6 à 7 sur l'échelle de Mohs
 • Transparence : TiO₂ possède des propriétés semi-conductrices.
B-Propriétés électriques :
• Type de semi-conducteur : Généralement considéré comme un semi-conducteur de
type N.
• Bande interdite (Band Gap) : Environ 3,2 eV.
• Conductivité électrique : Dépend de la structure cristalline.
C-Propriétés optiques :
• Propriétés photoniques : TiO₂ a d'excellentes propriétés d'absorption dans la région
ultraviolette, ce qui le rend idéal pour les applications nécessitant l'absorption des
UV.
• Transparence : Dans le spectre visible, TiO₂ est généralement opaque, mais dans
l'ultraviolet, il montre une forte capacité d'absorption.
• Couleur blanche : TiO₂ est principalement utilisé comme pigment blanc dans divers
produits comme les peintures et les plastiques.
D-Applications :
• Peintures : TiO₂ est utilisé comme pigment blanc dans la fabrication de peintures et
de revêtements.
• Filtres UV : TiO₂ est utilisé dans de nombreux filtres solaires en raison de sa capacité
élevée à absorber les rayons UV.
• Photocatalyse : TiO₂ est utilisé pour catalyser des réactions chimiques sous lumière
dans de nombreuses applications environnementales.
• Électronique : Utilisé dans des appareils électroniques et des applications solaires.

5-Spectrophotomètre UV-Vis (Ultraviolet-Visible) :

1. Principe de fonctionnement :
Le spectrophotomètre UV-Vis repose sur le principe d'absorption de la lumière dans les
plages de longueurs d'onde des ultraviolets (UV : 190-400 nm) et du visible (Vis : 400-800
nm). Lorsque la lumière traverse un échantillon, les molécules absorbent l'énergie
lumineuse à des longueurs d'onde spécifiques, provoquant des transitions électroniques
(passage d'un niveau d'énergie bas vers un niveau supérieur).
Loi de Beer-Lambert (base mathématique de la mesure d'absorption) :
𝐴 = 𝜀. 𝑙. 𝐶
Où :
A : Absorbance
𝜀: Coefficient d'extinction molaire
C : Concentration de l'échantillon (en mol/L)
l : Longueur du trajet optique (généralement 1 cm)

2. Les composants du spectrophotomètre UV-Vis :

1. Source de lumière (Source lumineuse) :
Fonction :
Générer une lumière couvrant la gamme spectrale souhaitée.
Types :
• Lampe au deutérium :
Utilisée pour la région UV (190–400 nm), elle émet une lumière continue dans cette
gamme.
• Lampe au tungstène :
Utilisée pour la région visible (400–800 nm).
Remarque : Les appareils modernes contiennent souvent les deux lampes.
2. Lentilles et miroirs (Lentilles et miroirs) :
Fonction :
Diriger et focaliser la lumière vers les différentes parties de l’appareil, tout en évitant la
dispersion.
3. Monochromateur :
Fonction :
Séparer la lumière blanche en différentes longueurs d’onde et sélectionner la longueur
d’onde désirée.
Composants internes :
• Fente d’entrée : Laisse passer un faisceau étroit.
• Prisme ou réseau de diffraction : Sépare les longueurs d’onde.
• Fente de sortie : Ne laisse passer que la longueur d’onde choisie.
4. Porte-échantillon (Cuvette) :
Fonction :
Contient l’échantillon à analyser.
Caractéristiques :
• Fabriquée en verre (pour la lumière visible) ou en quartz (pour les UV).
• Dimensions standards (généralement un trajet optique de 1 cm).
• Doit être propre et transparente.
5. Détecteur (Détecteur) :
Fonction :
Mesurer la quantité de lumière transmise par l’échantillon.
Types :
Cellule photoélectrique
Tube photomultiplicateur : Très sensible, utilisé dans les appareils avancés.
Principe de fonctionnement :
Convertit la lumière en un signal électrique proportionnel à son intensité.
6. Convertisseur de signal et processeur (Traitement du signal) :
Fonction :
Convertit le signal électrique en valeurs numériques et traite les données pour afficher les
résultats.
7. Écran d'affichage (Écran) :
Fonction :
Affiche les résultats tels que l’absorbance ou la transmittance.
Certains appareils affichent également le spectre d’absorption complet.
8. Interface logicielle / ordinateur (Interface utilisateur) :
Fonction :
Contrôler l’appareil.
Choisir les longueurs d’onde.
Enregistrer et analyser les données.
Tracer les courbes d’absorption.

3. Applications du spectrophotomètre UV-Vis :

• Chimie analytique : Dosage de médicaments, ions métalliques, composés organiques.
• Biologie : Analyse d'ADN/ARN, protéines, enzymes.
• Contrôle qualité : Industries pharmaceutique et agroalimentaire.
• Environnement : Mesure des polluants (nitrates, métaux lourds dans l'eau).
• Chimie organique : Identification de liaisons doubles ou de groupes fonctionnels.
III. Partie expérimentale :
Afin de déterminer les valeurs de Eg pour le ZnO et le Ti𝑂2 , nous avons adopté deux
méthodes expérimentales :
La première est une méthode optique basée sur la loi de Tauc, tandis que la seconde repose
𝑑𝑇
sur l’analyse de la dérivée .
𝑑𝐸

Ces méthodes ont été appliquées à partir des données obtenues par un
spectrophotomètre, lesquelles nous ont fourni un ensemble de longueurs d’onde (𝜆)
associées à des valeurs de transmittance (T).
1-Méthode optique :
1 100
D’après la loi de Tauc : 𝛼 = ln ( ) (d=0.003cm)
𝑑 𝑇

1-1-Nous tracerons (𝜶𝒉𝝂)𝟐 en fonction de 𝒉𝝂 :

Pour ZnO :

(alpha*hv)^(2)= F(hv)
(alpha*hv)^(2) en (ev/nm)

0,002

0,000

1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5

hv en (ev)

À partir de la courbe, nous avons tracé la tangente qui coupe l’axe des abscisses au point
représentant l’énergie de gap (Eg) : Eg=3.3 (ev)
Pour TiO2 :

0,015
(alpha*hv)^(2)= F(hv)

(alpha*hv)^2 en (ev/nm)
0,010

0,005

0,000

1 2 3 4
hv en (ev)

À partir de la courbe, nous avons tracé la tangente qui coupe l’axe des abscisses au point
représentant l’énergie de gap (Eg) : Eg=4.15(ev)
1-2-Nous tracerons (𝜶𝒉𝝂)𝟏/𝟐 en fonction de 𝒉𝝂 :
Pour ZnO :

0,20 (alpha*hv)^(1/2)=F(hv)
(alpha*hv)^(1/2) en (ev/nm)

0,15

0,10

0,05

0,00
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
hv en (ev)
À partir de la courbe, nous avons tracé la tangente qui coupe l’axe des abscisses au point
représentant l’énergie de gap (Eg) : Eg=3.325(ev)
Pour TiO2 :

0,35
(alpha*hv)^(1/2)= F(hv)
0,30
(alpha*hv)*(1/2) en (ev/nm)

0,25

0,20

0,15

0,10

0,05

0,00
1 2 3 4
hv en (ev)

À partir de la courbe, nous avons tracé la tangente qui coupe l’axe des abscisses au point
représentant l’énergie de gap (Eg) : Eg=3.75(ev)
𝒅𝑻
2-Méthode d’analyse de la dérivée :
𝒅𝑬
𝑑𝑇
Nous tracerons en fonction E.
𝑑𝐸
Pour ZnO :

On observe que la courbe de la dérivée présente un pic prononcé représentant le

changement rapide de la transmittance, ce qui indique le début de l’absorption
photonique. L’énergie correspondant à ce pic donne une estimation de l’énergie de gap Eg.
D’après le graphe, le pic de la dérivée se situe à :Eg=3.27(ev)
Pour TiO2 :

−500
demo dT/dE
d e m o = df(E)
emo demo

−400 demo demo demo demo

demo demo demo demo

−300 demo demo demo demo

dT/dE

demo demo demo demo

−200
demo demo demo demo

demo demo demo demo

−100
demo demo demo demo

demo demo demo demo

0
2 3 4

hv
On observe que la courbe de la dérivée présente un pic prononcé représentant le
changement rapide de la transmittance, ce qui indique le début de l’absorption
photonique. L’énergie correspondant à ce pic donne une estimation de l’énergie de gap Eg.
D’après le graphe, le pic de la dérivée se situe à :Eg=3.75(ev)
3- Comparaison entre les valeurs obtenues par les deux méthodes et les valeurs réelles de
l'énergie de gap :
Pour méthode optique :
Les Les courbe Les valeur Les valeur
matériaux expérimentales théorique
ZnO (ℎ𝜈𝛼)2 = 𝑓(ℎ𝜈) Eg=3.3 Eg=(3.2-3.4)
(ℎ𝜈𝛼)1/2 = 𝑓(ℎ𝜈) Eg=3.325
TiO2 (ℎ𝜈𝛼)2 = 𝑓(ℎ𝜈) Eg=4.15 Eg=(3-3.8)
(ℎ𝜈𝛼)1/2 = 𝑓(ℎ𝜈) Eg=3.75
La comparaison :
ZnO :
Les valeurs expérimentales (3,3 eV et 3,325 eV) sont en bon accord avec la valeur théorique
(3,2 – 3,4 eV), ce qui reflète une bonne précision des mesures et l'efficacité des deux
méthodes utilisées pour déterminer l’énergie de gap optique.
TiO₂ :
La valeur 3,75 eV est proche de la plage théorique (3 – 3,8 eV), tandis que la valeur 4,15 eV
est relativement élevée. Cet écart peut être dû à plusieurs facteurs :
• La phase cristalline de l’échantillon (mélange possible d’Anatase et Rutile ou phase
impure).
• Présence d’impuretés ou de défauts cristallins influençant l’absorption.
• Imprécision dans le choix du point d’intersection sur la courbe de Tauc.
𝑑𝑇
Pour la méthode de la dérivée première de la transmittance :( = 𝑓(𝐸))
𝑑𝐸

Les matériaux Les valeur expérimentales Les valeur théorique

ZnO Eg=3.27 Eg=(3.2-3.4)
TiO2 Eg=3.75 Eg=(3-3.8)
La comparaison :
ZnO :
La valeur expérimentale obtenue (Eg = 3,27 eV) est bien située dans la plage théorique
(3,2 – 3,4 eV), ce qui confirme la fiabilité de la méthode de la dérivée première de la
transmittance.
TiO₂ :
La valeur expérimentale (Eg = 3,75 eV) est également proche de la limite supérieure de la
plage théorique (3 – 3,8 eV), indiquant une bonne concordance. Toutefois, cette valeur
élevée peut être influencée par des facteurs comme la phase cristalline (anatase), la qualité
de l’échantillon ou des effets de taille dans le cas de nanomatériaux.
4- Comparaison entre la méthode de Tauc et la méthode de la dérivée de la transmittance
pour la détermination de l’énergie de gap Eg :
La première méthode, basée sur la loi de Tauc, consiste à tracer les courbes de type
(𝒉𝝂𝜶)𝒏 = 𝒇(𝒉𝝂) et à déterminer Eg à partir de l’intersection de l’extrapolation linéaire
avec l’axe de l’énergie.
𝒅𝑻
La seconde méthode repose sur la dérivée première de la transmittance = 𝒇(𝑬) ,
𝒅𝑬
permettant de localiser Eg au point de variation maximale de la transmittance en fonction
de l’énergie.
À partir des tableaux précédents, on peut observer ce qui suit :
• Pour le ZnO, les deux méthodes donnent des résultats très proches (3,3 et 3,325 eV
pour la méthode de Tauc, et 3,27 eV pour la méthode de dérivée), tous situés dans la
plage théorique (3,2 – 3,4 eV), ce qui confirme la fiabilité des deux approches pour ce
composé.
• Pour le TiO₂, les écarts sont plus notables : la méthode de Tauc donne une valeur
élevée (4,15 eV) et une autre plus proche de la plage (3,75 eV), tandis que la
méthode de dérivée donne une valeur unique (3,75 eV) qui reste dans la plage
théorique (3 – 3,8 eV).
Cela suggère que la méthode de dérivée est plus stable et moins sensible à des facteurs
comme le choix du point d’intersection ou la nature de la phase cristalline.
Conclusion :
Les deux méthodes sont efficaces pour estimer l’énergie de gap, mais la méthode de la
dérivée première semble plus précise et plus stable, notamment en présence d’échantillons
imparfaits ou multiphasés. La méthode de Tauc, en revanche, est plus sensible à la forme
du graphe et au choix de la tangente.
 Conclusion :
la spectroscopie UV-Visible est un outil efficace pour l’analyse des matériaux, en particulier
pour la détermination de la bande interdite (Eg), qui est une propriété essentielle pour
comprendre le comportement des matériaux semi-conducteurs. Parmi les méthodes les plus
utilisées pour calculer Eg, on trouve la méthode graphique basée sur l’équation de Tauc, qui
offre une grande précision en analysant la relation entre l’absorption et l’énergie des photons,
bien qu’elle nécessite un traitement rigoureux des données. Il existe également la méthode
directe par détermination du bord d’absorption, plus simple et rapide mais généralement
moins précise.
Ces calculs sont d’une grande importance dans les applications technologiques, notamment
dans la conception de cellules solaires, de matériaux optoélectroniques et de capteurs, où la
bande interdite permet d’évaluer l’efficacité d’un matériau à absorber la lumière et à la
convertir en énergie ou en signaux électriques. Ainsi, le choix de la méthode de calcul d’Eg
constitue une étape cruciale dans le développement de nouveaux matériaux performants pour
les technologies modernes.