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Polarisation d'un Transistor NPN

L'exercice consiste à calculer les résistances nécessaires pour polariser un transistor NPN en silicium dans deux montages différents. Les paramètres fournis incluent un gain β de 100, une tension d'alimentation Vcc de 10V, ainsi qu'un point de repos fixé à VCE0 de 5V, IC0 de 1mA et VBE0 de 0.7V. Les calculs doivent tenir compte de ces valeurs pour déterminer les résistances appropriées.

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Mehoua Daniel Palenfo
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L'exercice consiste à calculer les résistances nécessaires pour polariser un transistor NPN en silicium dans deux montages différents. Les paramètres fournis incluent un gain β de 100, une tension d'alimentation Vcc de 10V, ainsi qu'un point de repos fixé à VCE0 de 5V, IC0 de 1mA et VBE0 de 0.7V. Les calculs doivent tenir compte de ces valeurs pour déterminer les résistances appropriées.

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Exercice d’application

Calculer les résistances nécessaires à la polarisation d’un transistor NPN au silicium


dans chacun des deux montages suivants. On donne ß = 100 et Vcc = 10V on désire
que le point de repos soit fixé à VCE0 = 5V, IC0 = 1mA et VBE0 = 0.7V.

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