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Comprendre les diodes et leur fonctionnement

Le document traite des semi-conducteurs, en expliquant le dopage qui permet de créer des semi-conducteurs extrinsèques de type N et P. Il décrit également la jonction PN, les caractéristiques de la diode, notamment la polarisation directe et inverse, ainsi que les limites de tension et de puissance à ne pas dépasser. Enfin, il mentionne des approximations liées à ces concepts.

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Le document traite des semi-conducteurs, en expliquant le dopage qui permet de créer des semi-conducteurs extrinsèques de type N et P. Il décrit également la jonction PN, les caractéristiques de la diode, notamment la polarisation directe et inverse, ainsi que les limites de tension et de puissance à ne pas dépasser. Enfin, il mentionne des approximations liées à ces concepts.

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Les diodes

I.1. Semi-conducteurs
I.2. Dopage

 Semi-conducteur intrinsèque :
cristal de silicium pur
 Dopage : ajout d ’atomes d
’impuretés pour augmenter le
nombre de charges à semi-
conducteur extrinsèque
 a. Type N
 ajout d ’atomes à 5 électrons sur la
couche périphérique à électrons
porteurs majoritaires
 Arsenic (As), Antimoine (Sb),
Phosphore (P)
 b. Type P
 ajout d ’atomes à 3 électrons sur la
couche périphérique à trous porteurs
majoritaires
 Aluminium (Al), Bore (B), Gallium (Ga)
I.3. Jonction PN - Diode
I.3. Jonction PN - Diode
I.3. Jonction PN - Diode
I.4. Caractéristiques
I.4. Caractéristique
I.4. Caractéristique

 Polarisation directe :
 la diode ne conduit pas tant qu ’on
n ’a pas surmonté la barrière de
potentiel
 Au-delà de Vd = 0,7 V, une petite
augmentation de tension implique
une forte augmentation de courant
 Polarisation inverse : on obtient
un courant extrêmement petit
 diode : conducteur à sens
unique
 Ne pas dépasser la tension de
claquageet la puissance limite
I.5. Droite de charge
I.5. Droite de charge
I.6. Approximations
I.6. Approximations

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