MASTER : MEA Module : Electrotechnique et Electronique

Département de Physique Appliquée Année Universitaire : 2022-2023

Enseignant responsable : A. EL HICHOU

Manip 1
1
MASTER : MEA Module : Electrotechnique et Electronique

MONTAGE A DIODE
REDRESSEMENT – FILTRAGE - STABILISATION

I – Objectifs

 Le redressement d’une tension alternative issue d’un générateur basses fréquences GBF
 Le filtrage de cette tension redressée
 La stabilisation de la tension filtrée à l’aide d’une diode Zener

II – Introduction

La diode fait partie des composants indispensables de l’électronique. Nous la retrouverons dans toutes
les applications mettant en œuvre :
 Une conversion alternative – continue – redresseur, détecteur crête, …..
 Les circuits d’aides à la commutation

Il existe deux grandes familles de diodes :

 La diode à jonction
 Les diodes Zener

Nous étudierons dans ce TP les deux familles de diodes.

A - DIODE A JONCTION

III Généralités

La diode à jonction est un dipôle représenté par une anode et une cathode, elle est symbolisée par :

N P

La diode est équivalente à une résistance très faible lorsque le courant la traverse de l’anode vers la
cathode, sens appelé direct ou passant. Pour un courant de sens contraire appelé sens inverse ou bloqué de la
cathode vers l’anode, la diode est équivalente à une résistance très forte.

Les diodes Zener sont des diodes à jonction, dont la résistance interne, lorsqu’elles sont polarisées en
inverse, s’effondre brusquement pour une valeur particulière de la tension appelée : tension de Zener. Elles sont
symbolisées par :

2
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1) Valeur moyenne et Valeur efficace

La valeur moyenne d’une fonction périodique V(t) de période T est définie par :

T
1
Vmoy =
T  V( t ).dt
0

La valeur moyenne d’une fonction sinusoïdale V(t)=[Link] (t) est : Vmoy = 0

Dans ce cas, en utilisant des diodes, on peut éliminer ou renverser la partie négative du signal alternatif.
La valeur moyenne devient alors positive et on peut parler d’un signal continu.

La valeur efficace d’une fonction périodique V(t) est définie par :

T
1
Veff = V ( t ).dt
2

T 0

Vm
Pour une fonction sinusoïdale V(t)=[Link] (t) : Veff =
2

2) Redressement mono alternance

Le montage redresseur le plus simple est représenté par le circuit de la figure 1.

V(t) Vs(t)
R

Figure 1

La diode est alimentée par une tension alternative, elle ne laisse passer le courant dans le sens direct
que lorsque la tension est positive, c'est-à-dire pendant une alternance sur deux. Donc la valeur efficace de la
tension de sortie est celle représentée ci-dessous (figure 2).

Figure 2

3
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a) Grandeurs caractéristiques
- La valeur moyenne

T /2
1 Vm
Vs moy =
T V
0
m sin( wt ).dt =


- La valeur efficace
T /2
1 Vm
Vs eff = V sin2 ( w ).dt =
2
m
T 0 2

On peut aussi calculer la valeur efficace du signal redressé grâce à la décomposition en série de Fourier de la
tension Vs(t).

Vs(t) = Vsmoy + Vac

Vac = ensemble des composants alternatives

D’où :
Vs eff
2
= Vsmoy
2
+ Vac2

Vmoy = mesurée avec un voltmètre numérique en position DC

Veff = mesurée avec un voltmètre en position AC

Cette formule est extrêmement utile sur le plan expérimental.

b) Facteur de forme et taux d’ondulation

- Facteur de forme
C’est le rapport de la valeur efficace du signal redressée à sa valeur moyenne :

Vs eff
F =
Vs moy
Application numérique :
Vm / 2
F = = /2 = 1,57 = 157 %
Vm / 
- Taux d’ondulation
C’est le rapport de la valeur efficace des termes d’ondulation Vac à la valeur moyenne :
Vac
 =
Vs moy
c) Filtrage
On désire diminuer les variations de la tension aux bornes de la charge. Dans ce but, on place en parallèle
avec celle-ci un condensateur (figure 3).

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Figure 3

Quand la tension d’entrée retombe en dessous de la valeur de crête, la polarisation du redresseur s’inverse
rapidement et il se bloque et le condensateur C se décharge dans R suivant une loi expérimentale
t − t1
−
Vs( t ) = Vs( t1 ).e 

Avec  = R.C est la constante de temps du circuit

A l’alternance suivante, quand la tension d’entrée dépasse celle qui reste aux bornes de C, la diode se
trouve dans le sens passant : le condensateur se charge à nouveau et le cycle recommence.

Pour obtenir une ondulation résiduelle faible, il faudra que  >> T

3) Redressement bi-alternance par pont

Le redressement bi-alternance conserve les alternances positives de la tension sinusoïdale et inverse
les alternances négatives. Ceci permet d’exploiter non plus une alternance mais deux alternances par période.
Il existe pour cela plusieurs possibilités mais seul le pont de GRAETZ est présenté ici (figure 4)

D4 D1

Ve
D3 D2
R Vs

Figure 4

La tension de sortie aux bornes de R a la forme suivante (figure 5) :

5
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Figure 5

- La valeur moyenne
T/2
1 [Link]
Vs moy =
T /2 
0
Vm sin( wt ).dt =


On remarque que la tension moyenne de sortie est deux fois plus élevée que pour le montage mono alternance.

- La valeur efficace
T /2
1 Vm
V  Vm2 sin( wt ).dt =
2
s eff =
T /2 0 2

- Facteur de forme
Vs ef f Vm / 2
F = =
Vs moy 2Vm / 
Soit F = 1.11 = 111 %

- Taux d’ondulation
Vac
 =
Vs moy

B - DIODE ZENER

IV Stabilisation de tension

Les montages précédents présentaient une ondulation résiduelle en sortie. L’utilisation d’une diode
Zener, permet d’éliminer cette ondulation et de stabiliser la tension de sortie. La qualité de cette stabilisation
est traduite par les facteurs de stabilisation amont et aval.

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Le montage de base est le suivant (figure 6) :

R=100

Vs
Ve R1=1k

Figure 6
1) Stabilisation amont
La tension aux bornes de la charge doit être stabilisée malgré une variation de la tension d’alimentation
Ve ou l’existence d’une ondulation.
On définit le facteur de stabilisation amant par :

Vs
Famont = à R1 = constante
Ve

Ve = R (I1 + Iz) + R1.I1

Vs = R1.I1

On désigne par Rz la résistance dynamique de la diode Zener d’ou :

Vs = [Link] + Vz
où Vz est la tension de Zener

En éliminant I1 et Iz des expressions précédentes, on obtient :

 R R R
Ve = Vs .1 + +  − .Vz
 Rz R1  Rz
Donc :
Vs 1
Famont = =
Ve R R
1+ +
R1 Rz

Famaont doit être le plus petit possible, ce qui nécessite l’emploi d’une diode Zener dont la résistance Rz soit
petite devant R

2) Stabilisation aval
La tension aux bornes de la charge R1 doit être stabilisée malgré une variation de l’intensité du courant
I1 qui la parcourt lorsque la valeur de R1 varie.
On définit alors le facteur de stabilisation aval par :

Vs
Faval = à Ve = constante
R1
Là encore, Faval doit être le plus petit possible, donc à nouveau avec Rz la plus petite possible.

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Manipulation

A – Partie théorique

1 – En général, la tension du secteur vaut 110 ou 220 V. S’agit-elle d’une tension moyenne, efficace ou de
crête ?

2 – Montrer que pour une tension périodique pouvant s’écrire sous la forme V (t)=Vmoy(t) + Vac(t) on a toujours :
Veff
2
= Vmoy
2
+ Vaceff
2

3 – En déduire que le facteur de forme peut ainsi s’écrire comme :

F = 1 + 2
Avec  = taux d’ondulation

Vers quelles valeurs doivent tendre F et  pour un redressement idéal ?

B – Partie expérimentale

I Diode à jonction

Dans toute la manipulation, on utilise à la place du transformateur, un générateur basse fréquence GBF
dont on fixera la fréquence à 1 kHz.

1 - Réaliser le montage de la figure 1, et fixer l’amplitude du signal d’entrée à 3 V et prendre R=1 k

Proposer un branchement de l’oscilloscope pour visualiser à la fois la tension d’entrée et celle aux bornes de R

2 - Relever sur un papier millimétré en respectant les échelles, les allures de chaque signal pour la position DC
et AC de l’oscilloscope.

En déduire les valeurs moyennes des deux signaux, les comparer aux valeurs théoriques. Expliquer la différence
observée.

- Expliquer le décalage entre l’amplitude maximale des deux signaux.

- Mesurer en utilisant le multimètre numérique Vmoy (position DC) et Vaceff (position AC).

- Déduire les valeurs de  et F les comparer aux valeurs théoriques

- Expliquer les différences observées.

3 - On place un condensateur C=2.2 F en parallèle avec R. Définissez le rôle de cette capacité ?

4 - Relever sur papier millimétré la tension de sortie

5 - Déterminer la valeur moyenne de ce signal et la comparer à la valeur trouvée sans capacité

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6 - Déterminer le taux d’ondulation pour R=1 k ; 10 k et C=2.2 F, 10 F et 470 F. Commenter les
résultats et conclure.

7 - Que se passe-t-il si vous enlevez la résistance du circuit ? Quelle peut-on alors être l’utilité du circuit.

- Relever Vs (t) (aux bornes de C) et Ve (t)

II Diode Zener : Stabilisation d’une tension

Réaliser le montage stabilisateur de la figure 6, en utilisant un voltmètre pour mesurer Vs et

l’oscilloscope pour mesurer Ve.

1) Régulation amont

1 - Prendre la résistance de charge R1=10 k et faites varier la tension d’entrée et mesurer les valeurs
correspondantes de la tension de sortie. Tracer la courbe Vs=f(Ve)

2 - Vérifier qu’il y a bien stabilisation de la tension de sortie pour Vs>Vz.

3 - Pour quelle plage de tension Ve la diode est elle stabilisatrice de tension ? Déterminer alors le taux se
stabilisation amont Famont.

4 - Comment peut-on remonter à partir de la courbe Vs=f(Ve) à la détermination de Rz et Vz.

5 - Comparer ce taux au taux de stabilisation théorique que l’on calculera à partir des valeurs des résistances
R, Rz et R1

2) Régulation aval

1 - Fixer Ve à une valeur voisine de 15 V de sorte que Vs>Vz. Varier la résistance de charge Rc de 0 à 2500 
et tracer la courbe Vs=f (Is) en maintenant bien Ve constante.
2 - Pour quelle plage de Is la diode est stabilisatrice de tension ?

3 - Autour de R1=2500 , déterminer le taux de stabilisation aval Faval et le comparer au taux de stabilisation
aval théorique.

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Manip 2
AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR BIPOLAIRE
EN EMETTEUR COMMUN

I Objectifs
Le but de cette manipulation est la détermination :

 Du point de fonctionnement au repos d’un amplificateur à transistor bipolaire, monté

en émetteur commun et avec une polarisation par pont de base
 Des principales caractéristiques dynamiques de l’amplificateur (Re, Rs, Av0, Bande
passante….)

II Généralités
Le transistor fait partie des composants que l’on retrouve sans exception dans toutes les applications
de l’électronique : amplification de tension, amplification de courant, convertisseurs, microprocesseurs, ……….

Le transistor a été élaboré pour la première fois en 1948. Il est composé de deux jonctions PN placées
en série, très proche l’une de l’autre et de polarité opposée. On distingue alors deux types de transistors : NPN
et PNP.

Nous intéressons ici plus particulièrement au transistor NPN dont les électrodes de connexions sont :

 Base : zone faiblement dopée et de taille très faible

 Emetteur : zone très dopée
 Collecteur : zone très dopée et d’une taille presque 1.5 fois plus grande que l’émetteur.

Boîtier du Transistor

Pour toute la suite, on utilisera le montage en émetteur commun (figure 1), appelé montage à charge
répartie avec découplage d’émetteur (charge répartie, car il y a une résistance dans le collecteur et dans
l’émetteur ; Découplage d’émetteur en rapport avec le condensateur en parallèle avec la résistance d’émetteur).

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Vcc

R1 RC
C2
C1

Vs
Ve R2 RE CE RU

Figure 1

Type de transistor : 2N2222

= C1=10 F
R1=10 k C2=10 F
R2=1.8 k CE=220 F
Ru=2.2 k Vcc=E=12 V
RE=560 
Rc=2.2 k

III Manipulation

1) Etude statique
Réaliser le montage de la figure 1

1 - Mesurer les tensions statiques VBE0 et VCE0.

2 - Mesurer aussi les courants IB0 et IC0

3 - En déduire 0 et h11

2) Etude dynamique

1 - Brancher le GBF en fixant sa fréquence à 10 kHz

2 - Faites varier l’amplitude de la tension d’entrée Ve jusqu'à apparition de la distorsion

3 - En déduire la limite supérieure de Ve en fonctionnement linéaire (sans distorsion)

4 - Visualiser Vs en fonction de Ve en utilisant le mode XY sur l’oscilloscope

5 - Représenter cette courbe sur papier millimétré. Interpréter et justifier son allure

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6 - Calculer la valeur de l’amplification en tension dans la partie linéaire et la dynamique de l’amplificateur

(entrée et sortie)

7 - En réglant l’amplitude de la tension d’entrée à une valeur permettant de se mettre dans la partie linéaire,
faites varier la fréquence et dresser un tableau de mesures permettant de représenter le diagramme de BODE
(module)

8 - Représenter le diagramme de BODE sur un papier semi-logarithmique. Justifier l’allure de la courbe obtenue

9 - En déduire les fréquences de coupures à -3dB et la bande passante à -3dB. Comparer les valeurs numériques
mesurées et calculées.

10 - Mesurer la résistance d’entrée. En déduire h11

- Mesurer la résistance de sortie. En déduire h22

Manip 3
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AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR BIPOLAIRE

EN MONTAGE COLLECTEUR COMMUN
AMPLIFICATEUR A DEUX ETAGES

I Objectifs

Le but de la manipulation est la détermination :

 Des principales caractéristiques dynamiques de l’amplificateur à collecteur commun

 Des caractéristiques dynamiques de l’amplificateur à deux étages.

II Montage

Le montage collecteur commun est utilisé pour ses facilités d’adaptation d’impédance. Il a une impédance
d’entrée relativement élevée (> à 10 k) et une impédance de sortie assez faible (< à 100).

Le gain en tension du montage (figure 1) est inférieur à l’unité, c’est un montage amplificateur de courant.

Vcc

R1

C1

C2
Rg
Ve
Eg R2 Ru Vs
RE

Figure 1

Type de transistor : 2N2222

 =  C1=1 F
R1=10 k C2=1 F
R2=10 k Vcc=12 V
RE=560  VBE0=0.65 V

Eg = générateur de tension sinusoïdale et Rg impédance interne du générateur

III Etude théorique

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En tenant compte de valeurs numériques données ci-dessus

1 - Calculer les coordonnées du point de fonctionnement au repos. En déduire h11

2 - Etablir le schéma équivalent du montage (figure 1) en régime dynamique.

3 - Calculer les grandeurs caractéristiques du montage : Av, Re et Rs en régime des petits signaux et en moyenne
fréquences.

4 - Déterminer les fréquences de coupure

IV Manipulation

1) Etude statique

1 - Réaliser le montage de la figure 1 en statique

2 - Mesurer les tensions statiques et les courants.

3 - En déduire 0 et h11. Les comparer aux valeurs théoriques

2) Etude dynamique

4 - Réaliser le montage de la figure 1

5 - Fixer Ve=10 V et la fréquence à 1 kHz. Mesurer le gain en tension

6 - Mesurer la bande passante

7 - Varier Ve jusqu’à l’écrêtage de Vs. Représenter la caractéristique de transfert Vs en fonction de Ve en

utilisant la position XY sur l’oscilloscope. En déduire la dynamique de l’amplificateur

8 - Mesurer la résistance d’entrée Re

3- Amplificateur à deux étages

9 - Réaliser le montage de la figure 2

10 - Mesurer la résistance d’entrée et la résistance de sortie. Mesurer le gain en tension

11 - Mesurer la bande passante

12 - Quel est l’intérêt d’une telle association

Conclusion

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Vcc

R1 Rc
C2 R3

C1
C2
Rg

Ve R2 R R4 RE Ru
eg VS

Figure 2

Manip 4
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AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL

I Objectifs

Le but de la manipulation est de calculer quelques caractéristiques importantes d’un amplificateur

différentiel :
 Le taux de rejection de mode commun
 Domaine de linéarité de l’amplificateur différentiel
 Le gain en mode commun et différence
 L’impédance d’entrée

II Généralités

1) Caractéristiques des amplificateurs

L’amplificateur différentiel est un dispositif électronique utilisé depuis longtemps dans l’électronique.
C’est donc un quadripôle qui a deux entrées (Ve1 et Ve2) et deux sorties (Vs1 et Vs2) (figure 1). Les deux entrées
et les deux sorties ont une borne commune à la masse.

Amplificateur Vsd
Ve1 Ved Vs2
Différentiel

Ve2 Vs1

Figure 1

Il est basé sur l’utilisation de deux composants actifs et ses performances dépendent
essentiellement de l’appariement de ces deux derniers.

On définit :
❖ Le mode différentiel au niveau des entrées et sorties comme les différences :

Ved = Ve1 – Ve2 et Vsd = Vs1 – Vs2

❖ Le mode commun comme la valeur moyenne ou la demi-somme

Vec = (Ve1 + Ve2) / 2 et Vsc = (Vs1 + Vs2) / 2

D’où:
❖ Gain différence Ad : Ad = Vs1 – Vs2 /Ve1 - Ve2 = Vsd/Ved
alors
Ad = Ad2 – Ad1
❖ Gain de mode commun Ac: Ac = (Vs1 + Vs2) / (Ve1 + Ve2)

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Ac = Ac2 – Ac1

L‘amplificateur différentiel n’amplifie malheureusement pas l’entrée différentiel Ved mais aussi la tension
en mode commun Vsec. Donc, pour obtenir un amplificateur aussi parfait que possible, il faut chercher à réduire
l’amplification Ac en mode commun. Pour cela, on définit le TMRC qui exprime la qualité d’un amplificateur
différentiel :

Ad
TMRC = 20. log( ) en dB
Ae

2) Montage différentiel

Le schéma de principe est présenté par la figure 2. Il est caractérisé par la symétrie des deux branches
constituées chacune d’un transistor et d’une résistance de collecteur.
Les transistors sont supposés rigoureusement identiques et soumis à la même température soit 300 K.
Les résistances de charge Rc sont aussi identiques.

VCC

Rc1 Rc2

Vs1
Vs2
Ve1 Ve2

RE

Figure 2

Ce montage est donc celui d’un circuit intégré qui est le seul capable de satisfaire à ces critères.

a) Etude statique
Les deux entrées sont nulles.
Puisque les deux transistors sont identiques et Rc1=Rc2=Rc ; alors le circuit est parfaitement symétrique.

On obtient donc :

Rc
Vs1 = Vs2 = Vcc + ( V − VCE )
2RE BE

b) Etude dynamique

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Les deux alimentations Vcc et –VEE sont mises à la masse. En faibles signaux on remplace le transistor
par le schéma équivalent suivant (figure 3) :

ib
B C

V Vce
E

E E

Figure 3

D’où le schéma de l’amplificateur différentiel (figure 4):

ib1 r ib2
r

ib1 ib2
e1 e2

RE

S2
S1 RC1 RC2

Figure 4
On montre facilement que :

 Rc  Rc
Ad1 = −Ad2 = − ➔ Ad =
2.r r

 Rc
Ac1 = Ac2 = ➔ Ac = 0
r + [Link] ( + 1)

Le TRMC est infini ➔ L’amplificateur différentiel est idéal, mais il ne faut pas oublier que la sortie est
flottante car aucune borne de la sortie différentielle S=S2 – S1 n’est reliée à la masse. Cette sortie est
vulnérable aux bruits.

c) Résistance d’entrée
❖ En mode différentiel :
ed
R1 = = 2.r
ib1
❖ En mode commun :

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Il faut attaquer les deux entrées par le même signal : e1 = e2 = ec

et
ib1 = ib2

On calcul facilement :
ec r
Rmc = = + ( + 1)RE
ib1 + ib2 2

ib1
e2

ec S2
ib2 S1
e1

III Etude théorique

Soit le montage suivant (figure 5) :

T1=T2=Transistor NPN
 =  = 
Rc1=Rc2=Rc=5,6 kΩ
RB1=RB2=RB=47 kΩ
R1=R2=330 Ω
RE=6.8 kΩ
C1=C2=C=1 F
CEE=10 F
Vcc=15 V
VEE=- 15 V

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Vcc

Rc1 Rc2

Vs1 Vs2

C1 C2
T1 T2

CEE

RB2
RB1 e2

e1 R2
R1

-VEE

Figure 5

1) Etude statique :

1 – Etablir l’expression du courant I

2 – Calculer les potentiels du collecteur (Vc1 et Vc2), base (Vb1 et Vb2) et émetteur VE de chaque transistor.

En déduire la tension d’offset Vb1 – Vb2

3 – Quel est le rôle des résistances R1 et R2

2) Etude dynamique

C1, C2 et CE présentent des impédances négligeables aux fréquences de travail

4 – Quel est le rôle de CEE

5 – Donner le schéma équivalent du montage (figure 5) en régime dynamique petits signaux

6 – Donner l’expression de VS1 (composante variable) en fonction de e1 et e2. Mettre cette expression sous la
forme :
e1 + e2
VS1 = Ad.( e1 − e2 ) + Ac.
2
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7 – Déduire l’expression du TRMC en dB.

IV Manipulation

1) Mesures statiques

1 – Prenons R1=R2=330 Ω.
Réaliser le montage de la figure 5.

Mesurer les potentiels des différentes électrodes de chaque transistor et comparer aux valeurs théoriques

En déduire les courants dans chaque branche. Comparer avec les résultats théoriques

2 – On remplace R1 ou R2 par une résistance variable. Régler cette résistance pour avoir S1=S2. Donner alors
les valeurs de R1 et R2

3 – Refaire les mêmes mesures qu’en 1

Conclure alors sur les changements intervenus dans les grandeurs de polarisation

4 – Reproduire le schéma équivalent avec les valeurs numériques de chaque élément

2) Etude dynamique

a) Etude en mode différentiel

5 – On charge chaque collecteur par une résistance Ru=100 kΩ

En attaquant l’entrée e1 par un signal sinusoïdal d’amplitude 10 mV et de fréquence 10 kHz (e2 étant mise à la
masse à travers C2), visualiser et représenter sur papier millimétré les signaux suivants :

 Signal collecteur de T1
 Signal collecteur de T2
 Signal émetteur

6 – Mesurer le gain Ad=S1/e1 pour différentes fréquences. Tracer la courbe Ad=h(f)

7 – Augmenter l’amplitude jusqu'à la saturation de S1. Relever la courbe de S1=f(e1) à 10 kHz.

En déduire le domaine de linéarité de l’amplificateur

8 – Mesurer la résistance d’entrée Rd et comparer avec la théorie

b) Etude en mode commun

9 – On relit les deux entrées entre elles et on attaque par un signal sinusoïdal d’amplitude 1.5 V et de fréquence
10 kHz.
Visualiser et représenter les signaux : S1, S2 et VE (sur l’émetteur)

10 – Mesurer le gain en mode commun Ac=S1/e

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11 - Relever la courbe S1=f(e).

En déduire le domaine de linéarité de l’amplificateur

12 – Calculer TRMC

13 – Mesurer l’impédance d’entrée Rmc. Comparer à la valeur théorique.

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ANNEXES

Annexe 1 :
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Mesure de la résistance d’entrée et de sortie

Mesure de la résistance d’entrée

On insère une résistance variable entre le générateur et le montage amplificateur comme le montre la
figure ci-dessous :

ie is
R Amplificateur

Ve Re V2
eg

Ve eg − Ve [Link]
Re = or ie = donc Re =
ie R eg −V e

On fait varier R jusqu'à ce que Ve soit égale à eg/2. La valeur de R correspondante est égale à Re

Mesure de la résistance de sortie

On mesure la tension de sortie à vide soit Vso, puis on insère une résistance variable en tant que charge
du montage amplificateur comme le montre la figure suivante :

ie is
Amplificateur

Rs
Ve Re Vs R
eg
Vso

On fait varier R jusqu’à ce que Vs soit égale à Vso/2, la valeur de R correspondante est égale à Rs

Annexe 2 :

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Méthode de mesure de la bande passante

ie is

Ve Vs
eg Amplificateur

Ve et Vs seront visualisées à ’oscilloscope.

➢ On repère la bande passante pour plusieurs décades du vernier de fréquence, l’amplitude du signal Ve
doit rester constante.

➢ Dans la bande passante, on fixe l’amplitude du signal Vs à une valeur pour laquelle le signal visualisé à
l’oscilloscope soit de 7 carreaux : Bien sur en agissant à la fois sur le niveau d’entrée sans distorde le signal de
sortie et le calibre de l’oscilloscope.

➢ On fait varier la fréquence jusqu’à ce que le signal prérégler à 7 carreaux (Vs) atteint la valeur de 5
carreaux. La variation de fréquences doit se faire dans les deux sens croissant et décroissant. Les deux
fréquences ainsi obtenues sont respectivement les valeurs de fréquence de coupure haute Fch et fréquence de
coupure basse Fcb. Les fréquences obtenues correspondent à un affaiblissement de 3 dB

La bande passante est : B.P.=Fch – Fcb

N.B. :
a) il faut contrôler que l’amplitude du signal d’entrée Ve reste constante depuis la fréquence de
coupure basse Fcb jusqu’à la fréquence de coupure Fch

b) Il est à noter que l’affaiblissement de 3 dB ce n’est autre que [Link] (7/5)

Annexe 3 :
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Représentation semi logarithmique d'une fonction

Il est souvent intéressant en physique d'utiliser cette représentation qui peut rendre évidente une
propriété difficilement identifiable lorsque l'on utilise une représentation linéaire par exemple y = ex ou y =
10x sont des fonctions faciles à identifier en coordonnées semi-logarithmiques, car elles deviennent des
fonctions linéaires. L'utilisation d'une coordonnée logarithmique présente également un intérêt lorsque l'on doit
représenter y = f(x) avec x variant dans un large domaine de valeurs. C’est ainsi qu'en Electronique lors de
l'étude de la réponse d'un circuit en fonction de la fréquence, on est amené à balayer un large domaine de
fréquence (de qq Hz à qq dizaines de kHz par exemple), ce qui amènerait, dans une représentation linéaire, à
"écraser" le phénomène aux basses fréquences (qq Hz) de façon a pouvoir représenter ce qui se passe aux
fréquences plus élevées (10 kHz par exemple). Cette représentation donne la même importance à "chaque
puissance de l0" et donc une précision relative semblable dans chaque domaine de fréquence.

Utilisation de cette représentation en Electronique

Le papier semi logarithmique possède une échelle logarithmique en abscisse et une représentation
linéaire en ordonnée. Nous porterons la fréquence en abscisse, c’est à dire que l'abscisse c’est une
représentation de log (f) où f est la fréquence. On notera que représenter log(w) revient à faire une simple
translation puisque w = 2 π f entraîne log w = log 2 π + log f. Le papier utilisé pour représenter log f
est gradué directement en f. Il n'y a donc pas besoin de calculer le logarithme.

D'autre part, cette échelle est divisée en modules, chacun représentant "une puissance de 10". C’est
ainsi que l'on trouvera les graduations 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 qui deviennent dans le "module" suivant 10, 20, 30,
40, ...., puis 100, 200, 300, 400...etc,

Le Décibel (dB)

Cette unité a été introduite initialement en acoustique et permet de mesurer un rapport de puissance.
Donc si P1 et P2, sont deux puissances acoustiques, on dira que le gain de puissance, en décibel, est défini par :

P2
HdB = 10 log( )
P1

Pour transposer en électricité on remarquera que dans cette discipline une puissance est définie par
P=RI ou P=U2/R. Donc, si l'on peut comparer deux tensions il suffit de comparer la puissance dissipée par ces
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signaux dans une résistance donnée.

U22
U2 U
HdB = 10 log( R2 ) = 10 log( 22 ) = 20 log( 2 )
U1 U1 U1
R

On convient donc d'utiliser te décibel pour représenter un gain, en tension ou en courant, à partir des
expressions :

U2 I2
HdB = 20 log( ) ou HdB = 20 log( )
U1 I1
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MASTER : MEA Module : Electrotechnique et Electronique

Conclusion :

Dans la représentation semi logarithmique du gain en fonction de la fréquence on portera donc :

 En abscisse la fréquence (ou la pulsation) sur une échelle logarithmique.
 En ordonnée le gain exprimé en dB sur une échelle linéaire.

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