TP 3 : Diode à jonction et transistor bipolaire

Filière :Génie info(TC1)

Objectifs
Les objectifs de ce TP sont :
— Relever la caratéristique de la diode à l’oscilloscope.
— Réaliser le redressemnt mono-alternance d’une tension par une diode.
— Mesurer les caractéristiques statique d’un transistor émetteur commun.
— Mesurer les caractéristiques dynamiques d’un étage amplificateur transistor émetteur
commun.
— Tracer le diagramme de Bode en gain de l’étage amplificateur transistor émetteur com-
mun.

1 Partie théorique
1.1 Les diodes
1.1.1 Définition
La jonction PN est l’élément fondamental de nombreux composants électroniques : diodes,
transistors. Une diode est un dipôle non linéaire et non symétrique réalisée à base de semi-
conducteur (Silicium ou Germanium) par la juxtaposition de deux zones dopées avec des
porteurs de signes opposés (PN). Il existe 2 grande familles de diodes :les diodes à jonction et
les diodes Zener.

F IGURE 1 – Jonction PN (a), Symbole électrique d’une diode (b) et le composant physique
d’une Diode (d).

F IGURE 2 – Symbole électrique d’une diode Zener.

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1.1.2 Étude de fonctionnement d’une diode à jonction PN
Pour étudier le comportement électronique on est conduit dans un but de simplification
à linéariser la fonction I = f (VAK ) en direct. En fonction du problème à traiter différentes
hypothèses peuvent être envisagées :

— Modèle d’une diode idéale

Si VAK < 0 alors le courant I = 0 : on dit que la diode est bloquée.
Si I > 0 alors la tension VAK = 0 : on dit que la diode est passante.

— Modèle d’une diode parfaite : Si VAK < Vs alors le courant I = 0 : le diode est bloquée.
Si I > 0 alors la tension VAK = Vs : la diode est équivalente à une source de tension
parfaite de f.é.m Vs appelée tension de seuil. Pour une diode au silicium Vs = 0, 7V et
Vs = 0, 3V pour une diode au germanium.

— Modèle réelle :
Si VAK < Vs alors le courant I=0 : la diode et bloquée.
Si I > 0 alors la tension VAK = Vs : La diode est équivalente à une source de tension de
f.é.m Vs et de résistance interne rD = ∆V∆IAK :

On conclut que la diode ne laisse pas passer le courant que dans un seul sens : celui de
A vers K (de la région P vers la région N).

1.1.3 Étude de fonctionnement d’une diode Zener

La diode Zener est une diode à jonction PN qui laisse passe le courant dans le sens
inverse : L’effet d’avalanche est le mode de claquage le plus courant dans les diodes.

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 — La caractéristique directe est identique à celle de la diode de redressement.

— La diode Zener devient conducteur en inverse à partir d’une tension, dite Zener VZ .
La zone de fonctionnement utile en inverse de la diode Zener est limitée, au delà la
diode est détruite. Dans cette zone utile, le modèle linéaire est donnée par l’équation
suivante : VKA = VZ + rZ .I, où rZ est la résistance dynamique de la diode Zener.

La caractéristique inverse est pratiquement rectiligne donc rZ est pratiquement très

faible.
VKA = VZ ∀I Imin < I < Imax
La diode Zener en polarisation inverse maintient la tension entre ses bornes
connstante VZ : elle est utilisée comme stabilisateur de tension.

1.2 Transistors
1.2.1 Présentation du transistor bipolaire
Un transistor bipolaire est constitué de la juxtaposition de deux jonctions PN. Il est en
résulte deux types de transistor : transistor NPN et transistor PNP.

La région centrale est appelée base (B). Les deux régions de même type sont appelées émet-
teur (E) et collecteur (C). Ces deux régions ne sont pas identiques : (E) est plus dopé que le
collecteur, la surface de la jonction collecteur-base est plus grande que celle dee la jonction
é[Link] reconnaissance de ces trois bornes est donnée sur la figure suivante :

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Il existe trois types de montage fondamentaux possibles à transistor :

Notations et conventions

IE = IB + IC , VCE = VCB + VBE

1.2.2 Polarisation
Le but de la polarisation d’un transistor est d’établir et de maintenir des conditions de
fonctionnement stables afin que le transistor puisse amplifier un signal. La polarisation ga-
rantit que le transistor fonctionne dans la région souhaitée de sa courbe de transfert (géné-
ralement la région linéaire pour l’amplification).
Le point de fonctionnement corespond aux grandeurs IC0 , VBE0 et VCE0 . Parmi les schémas de
polarisation d’un transistor, la polarisation par pont de résistance voir la figure suivante :

1.2.3 Paramètres hybridess dynamiques

Pour des raisons liées à la mesure, le quadripôle est décrit en utilisant les paramètres
hybrides. Soit le schéma équivalent du transistor émetteur commun

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Les paramètres de la matrice hybride sont

vBE = h11 iB + h12 vCE

iC = h21 iB + h22 vCE

1.2.4 Paramètres caractéristiques du montage à étudier

Cas à étudier :Le montage émetteur commun à étudier est donnée à la figure 3.
Les capacités de liaison C1 et C2 permettent de séparer la polarisation continue du transistor

F IGURE 3 – Montage amplificateur émetteur commun.

des autres parties du circuit (par exemple, la source du signal d’entrée ou la charge de
sortie). La capacité de découplage CE courcircuite la résistance RE et la résistance RE permet
la stabilité en température pour le point de fonctionnement. On utilse le schéma équivalent
en petit signaux du transistor h12 = h22 = 0 et on pose β = h21 avec

IC0
β=
IB0
Le schéma équivalent du montage émetteur commun est donnée à la figure 4 :
Travail à faire :
1. Montrer que le gain en courant Ai = β
2. Montrer que l’amplification en tension Av = − βR
h11
C

3. Montrer que l’impédance d’entrée : Ze = RB ∥ h11 , avec RB = R1 ∥ R2

4. Montrer que l’impédance de sortie : Zs = RC

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 F IGURE 4 – Schéma équivalent d’un amplificateur transiteur émetteur commun.

2 Partie pratique : Manipulation

2.1 Diode de redressement
2.1.1 Relevé de la caractéristique de la diode à l’oscilloscope
Réaliser le montage suivant :

1. Quelle tension relève t-on sur la voie X de l’oscilloscope ?

2. Quelle tension relève t-on sur la voie Y de l’oscilloscope ?
3. Expliquer le rôle de la résistance R dans le montage
4. Passer en Mode XY et déterminer la tension seuil Vs et la résistance dynamique rD de
la diode.

2.1.2 Redressement mono-alternance

Réaliser le montage suivant :

1. Relier la tension vs à la voie X d’oecillloscope et la tension vR aux bornes de la résistance

R.

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 F IGURE 5 – Montage de l’étude statique du transistor émetteur commun

2. Visualiser les deux tensions sur l’oscilloscope, qu’appelle t-on redressement mono-
alternance ?
3. on remarque un retard du courant dans la diode, expliquer à quoi est dû ce retard.

2.2 Transistor
2.2.1 Étude statique
En régime continu (statique) les capacités sont équivalentes à un interrupteur ouvert. Le
schéma équivalent du montage est donné à la figure 5. Réaliser le montage de la figure 5
avec VCC = 15V , R1 = 11kΩ,R2 = 12kΩ , RE = 680Ω et RC = 500Ω.
1. Mesurer les valeurs expérimentales du point de fonctionnement

IB0 = IC0 = VBE0 = IC0 = et VCE0 =

2. Déterminer le gain en courant statique β

IC0
β=
IB0
En déduire la valeur du paramètre h11 donnée par la formule suivante

26β
h11 = = .....................
IE (mA)

2.2.2 Étude dynamique

Réaliser le montage de la figure 3 avec C1 = 10µF ,C2 = 10µF et CE = 470µF
— Laisser la polarisation (Vcc = +15V ). Attaquer l’entrée par un signal sinusoidal de fré-
quence f = 1kHz fourni par GBF.
— Mesurer la tension d’entrée ve qui produit une distorsion de la tension de sortie vs (on
note cette valeur vemax ).
1. Prendre un signal d’entrée tel que ve < vemax .

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 — Mesurer le gain en tension :
vs
Av = = ............................
ve
— Comparer à la valeur théorique et interpréter.
2. Mesure de l’impédance d’entrée.
— On place une résistance R = 500Ω entre le générateur et l’entrée de l’étage on mesure
v1 et v2 puis on déduit la valeur de Ze .

— Mesurer les tensions : v1 = ......... et v2 = ........

— Déterminer Zs
Ze v2
v2 = .v1 =⇒ Ze = R. = .......................
Ze + R v2 − v1
— Comparer à la valeur théorique et interpréter.
3. Mesure de l’impédance de sortie
— La sortie de l’amplificateur est équivalent à une source de tension vs0 en série avec
l’impédance de sortie Zs

— Choisir Ru = 500Ω
— Décoonecte Ru et mesurer la tension vs0 = vAB = ........
— Coonecter Ru et mesurer la tension vs = vAB = ........
— Déterminer Zs
Ru vs0 − vs
vs = vs0 =⇒ Zs = Ru . = .....................
Ru + Zs vs
— Comparer à la valeur théorique et interpréter.
4. Diagramme de Bode en gain de l’amplificateur transistor émetteur commun
Le gain en dB de l’amplificateur est par définition
vs
GdB = 20 log( )
ve
— Mesurer pour chaque fréquence de GBF le gain GdB .

fréquence (kHz)
GdB
— Tracer le courbe de réponse en gain.
— Donner les fréquences de coupure à -3dB. En déduire la bande passante.

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