A B C D E
Q1) L’étage A ou la réception est constituée :
• Des condensateurs C1 et C2, d’une résistance R1 est d’une diode réceptrice,
sensible au rayon infrarouge.
L’étage B ou (étage d’amplification par FET) est constitué :
• D’un FET (transistor à effet de champs) TF1, des résistances R2, R3 et R5,
des condensateurs C3, C5 et C6
• Il est aussi composé d’une circuit d’accord dont un condensateur C4, une
résistance R4 et une self JAF1
L’étage C ou (étage d’amplification par Transistor NPN) est constitué :
• D’un Transistor NPN, des résistances R6, R7, d’un condensateur C7 et d’un
circuit d’accord composé d’un condensateur C8, d’une résistance R8 et d’une
self JAF2
L’étage D ou étage de décodage de fréquence qui est constitué :
• D’un circuit intégré IC1, des condensateurs C10, C11, C12, C13, C14, C15, des
résistances R13, R12, R11, R10 d’une diode DZ1 et d’une diode LED pour la
signalisation.
L’étage E ou l’alimentation est constitué :
• D’une alimentation 15V DC et d’une diode DS1 pour protégé le circuit en cas de
changement de polarité.
Q2) Sur le plan pratique d’un schéma électronique il se lit de la gauche vers la droite
Q3)
Q4) - BC 238 : Transistor bipolaire NPN utilisé pour l’amplification de signal en
basse fréquence dans des applications telles que les amplificateurs audio ou les
oscillateurs.
- BF 245 : Transistor à effet de champ de type N utilisé pour des
applications à basse fréquence et à faible bruit.