Transducteurs mono-éléments pour l’imagerie

ultrasonore haute résolution : modélisation, réalisation

et caractérisation
Pierre Marechal

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Pierre Marechal. Transducteurs mono-éléments pour l’imagerie ultrasonore haute résolution : mod-
élisation, réalisation et caractérisation. Acoustique [[Link]-ph]. Université François Rabelais,
2004. Français. �NNT : �. �tel-00010031v2�

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Submitted on 14 Feb 2007

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 UNIVERSITÉ FRANÇOIS RABELAIS – TOURS

Ecole Doctorale Santé, Sciences, Technologies

Année Universitaire 2003/2004

THESE POUR L’OBTENTION DU TITRE DE

DOCTEUR DE L’UNIVERSITE DE TOURS

en : Sciences de l’ingénieur

Spécialité : Ultrasons

Présentée et Soutenue publiquement par

Pierre MARÉCHAL
le 17 décembre 2004

TRANSDUCTEURS MONO-É LEMENTS

POUR L’I MAGERIE ULTRASONORE HAUTE RESOLUTION :
MODELISATION, R EALISATION ET C ARACTERISATION

Directeur de Thèse : Marc LETHIECQ

JURY :

Frédéric COHEN-TENOUDJI Professeur des Universités Rapporteur Université de Paris 7

Dragan DAMJANOVIC Maître d’Enseignement Examinateur École Polytechnique
et de Recherche Fédérale de Lausanne
Bertrand DUBUS Directeur de Recherches Rapporteur CNRS (IEMN, Lille)
Marc LETHIECQ Professeur des Universités Directeur de thèse Université de Tours
Franck LEVASSORT Maître de Conférences Co-directeur Université de Tours
Louis Pascal TRAN-HUU-HUE Professeur des Universités Examinateur Université de Tours
 Remerciements

REMERCIEMENTS

Ce travail de thèse a été effectué au sein du LUSSI / GIP ULTRASONS dans les locaux de l’EIVL
à Blois et de la faculté de médecine à Tours. Tout d’abord je remercie messieurs Léandre Pourcelot
et Frédéric Patat de m’avoir accueilli et accordé leur confiance.
J’exprime mes remerciements à monsieur Marc Lethiecq pour la direction qu’il a donné à
mes recherches et à messieurs Louis-Pascal Tran-Huu-Hue et Franck Levassort qui m’ont encadré
pendant ces 3 années. Leur bonne humeur communicative et leur disponibilité ont été un réel plaisir
et m’ont permis d’aborder mon travail de recherche de façon ludique. J’ai pu découvrir le monde de
Matlab, les pays merveilleux de KLM et ATILA pour la modélisation et l’optimisation de
transducteurs focalisés.
Je remercie particulièrement pour toute leur attention messieurs Bertrand Dubus et Frédéric
Cohen-Tenoudji pour avoir accepté d’évaluer ce travail, monsieur Dragan Damjanovic pour avoir
accepté d’examiner mon rapport, pour les échanges électroniques, téléphoniques et leurs conseils.
J’exprime ma reconnaissance à Marion Bailly et Danny Carre pour les réalisations d’outils
et de transducteurs, à Jean-Marc Grégoire (à quand la triple impulsion ?) et Frédéric Ossant (je sais
ce que tu fais avec les lapins !) pour leur disponibilité et leurs contributions dans ma formation dans
le domaine de l’imagerie ultrasonore.
Mes remerciements vont à tous les membres du laboratoire que j’ai pu côtoyer quasi
quotidiennement à Blois (bien que pas toujours très réveillé) : mon recruteur en DEA Serge Dos
Santos (d’un enthousiasme débordant) et mes co-encadrants de l’époque Jean-Marc Girault (qui a
traité le signal de bien des noms) et François Vander Meulen (à nos conversations lynchiennes) qui
m’ont donné envie de continuer dans la recherche ; les thésards d’alors Jérôme Guyonvarch et
Michel Vila et leurs échanges amicalement belliqueux ; mes co-thésards Bachar Kanj et Vincent
Loyau pour leur funky spirit ; Catherine Chenu (à ton super bouquin de matériaux), Lionel
Haumesser (si Fourier savait ça !), Emmanuel Le Clézio pour les parties de ping-pong et Mickael
Lemâtre avec qui je pratique parfois la course aux trains ; Olivier Bou-Matar pour son appétit et son
engouement pour la recherche (et ses cours pratiques de dynamique des groupes) ; Guy Feuillard
pour ses cours d’acoustique et modélisation de transducteur (funky Guy speaking) ; Didier
Constantin pour sa compréhension devant mon nombrilisme informatique aggravé des 8 derniers
mois ; les nouveaux thésards (bon courage !) Thomas Goursolle (c’est réconfortant de voir arriver
Remerciements

un autre euivélien au labo), Thomas Delaunay (merci monsieur calembour), Jérôme Fortineau (à
notre circuit de visite de Blois by night et aux sangliers volants).
Merci à ceux que j’ai pu voir plus épisodiquement à Tours à tous les niveaux : Stéphanie
Lepaire pour nos discussions musicales et cinématographiques ; Isabelle Bronchard pour le jour
heureux où elle m’a annoncé qu’il me restait plus de 30 jours de congés ; mes co-thésards
tourangeaux Matthieu Biard, Yassine Mofid, Mohamad Nasser-Eddin pour les bons moments
passés ensemble ; les jeunes thésards Mélouka Elkateb, Guillaume Férin, Rachel Libgot,
Emmanuelle Mandard, Denis Rouvre, Catherine Roux, Grégory Souchon ; les jeunes docteurs et
leur bonne humeur expansive Alain Boucaud, Matthias Lebertre, Samuel Callé (Wampas forever) ;
les docteurs un peu moins jeunes pour leurs conseils avisés et leur humour bigarré ou un peu british
Dominique Certon, Jean-Paul Chemla, Marielle Defontaine, Denis Kouamé, Jean-Pierre
Remenieras, Franck Teston et les autres cités précédemment qui se reconnaîtront ; Anton
Sebastiampillai et Frédéric Védrenne pour leur patience lors de mes mesures désordonnées.
J’adresse ma gratitude à tous les partenaires du projet européen PIRAMID qui m’ont permis de
découvrir les matériaux piézo-électriques depuis leur fabrication jusqu’à leurs applications. En
particulier je remercie Ferroperm Piezoceramics au Danemark (merci à Erling Ringgaard pour les
échantillons et nouvelles compositions), l’Institut Jozef Stefan en Slovénie (merci à Janez Holc pour
les nombreux essais et échantillons réalisés), le Laboratoire de Céramiques de l’EPFL en Suisse
(merci à Sandrine Gentil pour son accueil lors de mon stage) et Vermon à Tours (merci à Nicolas
Félix pour les échanges et les réalisations de transducteurs).
Merci aux enseignants et personnels de l’EIVL qui ont essayé de faire de moi un ingénieur,
qui m’ont soutenu pour mon parcours en 3ème cycle et accueilli dans leurs locaux. Merci aux
enseignants de l’IUT de Blois qui m’ont accordé leur confiance et permis d’enseigner à mon tour.
Merci enfin à Joseph Fourier et Claude Elwood Shannon sans qui je n’aurais pas fait ce
travail, à Isaac Asimov qui m’a permis de m’évader, aux inventeurs du télégraphe et du transistor et
à tous ceux qui s’en sont inspiré.
Merci enfin à tous mes amis anciens euivéliens ou d’ailleurs pour les moments de détente,
ma famille pour ses encouragements et à Céline pour son soutien et sa patience.
Sommaire Transducteurs mono-éléments pour l’imagerie ultrasonore haute résolution

SOMMAIRE

INTRODUCTION……………..…………………………………………………………………………………..…..1
CHAPITRE I : MATERIAUX POUR LA HAUTE FREQUENCE……………..…………………….. …..5
I MATÉRIAUX PIÉZO -ÉLECTRIQUES ..................................................................................................................................................5

I.1 SPÉCIFICATIONS GÉNÉRALES ..................................................................................................................................................... 5

I.2 CARACTÉRISATION...................................................................................................................................................................... 7
I.2.1 Résonateur libre.................................................................................................................................................................9
I.2.2 Résonateur chargé...........................................................................................................................................................10
I.3 POLYMÈRES ET COPOLYMÈRES................................................................................................................................................ 10
I.4 FILM CÉRAMIQUE ÉPAIS............................................................................................................................................................ 12
I.4.1 Film seul ............................................................................................................................................................................12
I.4.2 Film sur substrat ..............................................................................................................................................................13
I.5 COMPOSITES............................................................................................................................................................................... 14
I.1.1 Composite 1-3 ...................................................................................................................................................................16
I.1.2 Composite 2-2 ...................................................................................................................................................................17
I.1.3 Collage interdigital..........................................................................................................................................................17
I.1.4 Composite 0-3 ...................................................................................................................................................................18
I.6 SPHÈRE CREUSE ......................................................................................................................................................................... 18

II FABRICATION DE TRANSDUCTEURS HAUTE FRÉQUENCE........................................................................................................19

II.1 TRANSDUCTEURS À FOCALISATION SPHÉRIQUE .................................................................................................................. 19

II.2 SCHÉMA EN COUPE .................................................................................................................................................................. 20
II.3 INFLUENCE ET CARACTÉRISTIQUES DU CÂBLE .................................................................................................................... 20
II.4 SYNTHÈSE DES RÉSULTATS PUBLIÉS...................................................................................................................................... 24

III P ERFORMANCE..............................................................................................................................................................................26

III.1 M ODÉLISATION....................................................................................................................................................................... 26
III.2 OPTIMISATION ......................................................................................................................................................................... 27
III.3 RÉSULTATS ET COMPARAISON.............................................................................................................................................. 28

IV CARACTÉRISATION DU TRANSDUCTEUR...................................................................................................................................30

IV.1 M ATÉRIAUX PASSIFS .............................................................................................................................................................. 30

IV.2 M ESURES ÉLECTRO-ACOUSTIQUES ...................................................................................................................................... 32
IV.3 M ESURE DU CHAMP DE PRESSION ........................................................................................................................................ 32

V CONCLUSION ET PERSPECTIVES ..................................................................................................................................................34

i
Transducteurs mono-éléments pour l’imagerie ultrasonore haute résolution Sommaire

BIBLIOGRAPHIE ...................................................................................................................................................................................35

CHAPITRE II : MODELISATION TRIDIMENSIONNELLE D'UN TRANSDUCTEUR

ULTRASONORE MONO -ELEMENT FOCALISE………………………………………………………......43

I MODÉLISATION PAR ÉLÉMENTS FINIS .........................................................................................................................................43

I.1 EQUATIONS DE RÉSOLUTION PAR ÉLÉMENTS FINIS............................................................................................................... 43

I.1.1 Principe – Equation.........................................................................................................................................................43
I.1.2 Prise en compte des pertes..............................................................................................................................................44
I.1.3 Ecriture généralisée de la matrice de rigidité ............................................................................................................45
I.2 M ÉTHODES DE RÉSOLUTION .................................................................................................................................................... 46
I.2.1 Méthode des différences finies .......................................................................................................................................47
I.2.2 Développement en série de Taylor................................................................................................................................48
I.3 OPTIMISATION DU MAILLAGE .................................................................................................................................................. 50
I.3.1 Analyse modale – Densité du maillage ........................................................................................................................50
I.3.2 Analyse en régime harmonique – Impédance .............................................................................................................53
I.3.3 Analyse en régime transitoire – Ajustement du maillage..........................................................................................53
I.3.4 Maillage optimal – Synthèse..........................................................................................................................................56
I.4 LIMITES DE LA MODÉLISATION................................................................................................................................................ 57
I.4.1 Limitations en nombre de pas de temps et nombre de nœuds..................................................................................57
I.4.2 Pas de temps et condition de convergence..................................................................................................................58

II FORMULATION ANALYTIQUE DE LA PROPAGATION ................................................................................................................59

II.1 SPÉCIFICATIONS DE RAYONNEMENT ..................................................................................................................................... 60

II.1.1 Equation de Helmholtz-Kirchhoff ................................................................................................................................60
II.1.2 Conditions aux limites – Hypothèses ..........................................................................................................................61
II.1.3 Réponse impulsionnelle en diffraction........................................................................................................................63
II.2 INTÉGRALE DE RAYLEIGH ....................................................................................................................................................... 64
II.2.1 Formulation générale....................................................................................................................................................64
II.2.2 Formulation axisymétrique...........................................................................................................................................65
II.3 EXPRESSION DE LA VITESSE NORMALE ................................................................................................................................. 68
II.3.1 Expression générale de la vitesse normale................................................................................................................68
II.3.2 Onde plane.......................................................................................................................................................................68
II.3.3 Profil circulaire ..............................................................................................................................................................69
II.3.4 Profil quelconque ...........................................................................................................................................................69

III RÉSOLUTION NUMÉRIQUE DE L’INTÉGRALE DE RAYLEIGH ................................................................................................70

III.1 FORMULATION FRÉQUENTIELLE........................................................................................................................................... 70

III.1.1 Décomposition en ondes planes dans un repère cartésien – Transformée de Fourier bidimensionnelle .....71

ii
Sommaire Transducteurs mono-éléments pour l’imagerie ultrasonore haute résolution

III.1.2 Décomposition en ondes planes dans un repère cylindrique – Transformée de Hankel..................................72

III.2 FORMULATION SPATIALE ...................................................................................................................................................... 75
III.2.1 Discrétisation dans un repère cartésien ...................................................................................................................75
III.2.2 Discrétisation dans un repère cylindrique ...............................................................................................................77

IV CONCLUSION ..................................................................................................................................................................................78

IV.1 TABLEAU RÉCAPITULATIF..................................................................................................................................................... 78

IV.2 SCHÉMA DE PRINCIPE – UTILISATION ................................................................................................................................. 80

BIBLIOGRAPHIE :.................................................................................................................................................................................80

CHAPITRE III : INFLUENCE D’UNE LENTILLE DE FOCALISATION ACOUSTIQUE SUR LA

REPONSE ELECTRO-ACOUSTIQUE……………..………………………………………………………... ...87

I CARACTÉRISATION DE LA RÉPONSE ÉLECTRO -ACOUSTIQUE .................................................................................................87

I.1 SENSIBILITÉ................................................................................................................................................................................ 88
I.1.1 Focalisation ......................................................................................................................................................................88
I.1.2 Excitation électrique........................................................................................................................................................89
I.1.3 Généralisation..................................................................................................................................................................89
I.2 DURÉE D’UNE EXCITATION GAUSSIENNE ............................................................................................................................... 90
I.2.1 Expression temporelle.....................................................................................................................................................91
I.2.2 Expression spectrale........................................................................................................................................................91
I.2.3 Relations et valeurs typiques..........................................................................................................................................92
I.3 INDICE DE PERFORMANCE ........................................................................................................................................................ 93
I.4 OPTIMISATION ........................................................................................................................................................................... 94

II INFLUENCE D’UNE LENTILLE ACOUSTIQUE...............................................................................................................................96

II.1 CONFIGURATIONS .................................................................................................................................................................... 96

II.1.1 Initialisation ....................................................................................................................................................................96
II.1.2 Transducteurs avec et sans lame adaptatrice............................................................................................................97
II.2 PROPRIÉTÉS DE LA LENTILLE ................................................................................................................................................101
II.2.1 Focalisation optique ................................................................................................................................................... 102
II.2.2 Propriétés géométriques et acoustiques.................................................................................................................. 104
II.2.3 Focalisation effective.................................................................................................................................................. 105
II.3 SIMULATIONS..........................................................................................................................................................................106
II.3.1 Méthode des éléments finis......................................................................................................................................... 106
II.3.2 Modélisation KLM étendue à l’axisymétrie............................................................................................................ 113

III RÉSULTATS .................................................................................................................................................................................. 124

[Link] RAYONNÉ PAR LA SOURCE .....................................................................................................................................125

iii
Transducteurs mono-éléments pour l’imagerie ultrasonore haute résolution Sommaire

III.1 CHAMP DANS L’AXE.............................................................................................................................................................126

III.2.1 Comparaison des différents modèles ...................................................................................................................... 126
III.2.2 Influence de l’impédance acoustique de la lentille.............................................................................................. 127
III.3 CHAMP DANS LE PLAN FOCAL .............................................................................................................................................130
III.3.1 Comparaison des différents modèles ...................................................................................................................... 131
III.3.2 Influence de l’impédance acoustique de la lentille.............................................................................................. 132
III.4 RÉPONSE ÉLECTRO-ACOUSTIQUE AU POINT FOCAL .........................................................................................................134
III.4.1 Comparaison des différents modèles ...................................................................................................................... 134
III.4.2 Influence de l’impédance acoustique de la lentille.............................................................................................. 135
III.5 RÉSULTATS EXPÉRIMENTAUX .............................................................................................................................................137
III.5.1 Propriétés piézo-électriques..................................................................................................................................... 137
III.5.2 Configurations de transducteurs............................................................................................................................. 138
III.5.3 Comparaison entre les modèles............................................................................................................................... 139
III.5.4 Comparaison entre expérience et modèle.............................................................................................................. 141
III.6 PERSPECTIVES .......................................................................................................................................................................142

IV CONCLUSION ............................................................................................................................................................................... 143

BIBLIOGRAPHIE :.............................................................................................................................................................................. 144

CHAPITRE IV : DEVELOPPEMENT ET CARACTERISATION DE FILMS EPAIS POUR

TRANSDUCTEUR MONO -ELEMENT……………..……………………………………………………….. .147

I FABRICATION ET OPTIMISATION DES PROPRIÉTÉS DE PMN-PT PAR COULAGE EN BANDE OU "TAPE CASTING"... 147

I.1 PROCÉDÉ DE FABRICATION ....................................................................................................................................................148

I.1.1 Composition................................................................................................................................................................... 148
I.1.2 Formulation du mélange.............................................................................................................................................. 148
I.1.3 Homogénéisation du mélange..................................................................................................................................... 149
I.1.4 Filtrage du mélange ..................................................................................................................................................... 149
I.1.5 Dégazage ........................................................................................................................................................................ 149
I.1.6 Coulage........................................................................................................................................................................... 150
I.1.7 Séchage........................................................................................................................................................................... 150
I.1.8 Mise en forme ................................................................................................................................................................. 150
I.1.9 Déliantage et frittage ................................................................................................................................................... 151
I.1.10 Dépôt d’électrodes...................................................................................................................................................... 152
I.1.11 Polarisation ................................................................................................................................................................. 152
I.2 CARACTÉRISATION..................................................................................................................................................................153
I.2.1 Permittivité diélectrique .............................................................................................................................................. 153
I.2.2 Caractéristiques électro-mécaniques ........................................................................................................................ 154

iv
Sommaire Transducteurs mono-éléments pour l’imagerie ultrasonore haute résolution

II FABRICATION D’UNE STRUCTURE INTÉGRANT UN FILM ÉPAIS PZT/PGO PAR SÉRIGRAPHIE OU "SCREEN
PRINTING".......................................................................................................................................................................................... 156

II.1 PROCÉDÉ DE FABRICATION...................................................................................................................................................157

II.1.1 Film piézo-électrique – Compositions..................................................................................................................... 157
II.1.2 Electrode arrière.......................................................................................................................................................... 158
II.1.3 Substrat.......................................................................................................................................................................... 159
II.1.4 Couche de protection.................................................................................................................................................. 162
II.2 CARACTÉRISATION ET GÉOMÉTRIE .....................................................................................................................................162
II.2.1 Caractérisation des structures multicouches réalisées......................................................................................... 162
II.2.2 Géométrie des structures multi-couches retenues ................................................................................................. 164

III CARACTÉRISATION DES ÉCHANTILLONS – COMPARAISON .............................................................................................. 165

III.1.1 Echantillon PMN-PT 65/35 (coulage en bande) .................................................................................................. 165

III.1.2 Structure PZT-PGO/Or/PZT poreux (sérigraphie).............................................................................................. 167
III.1.3 Echantillon de polymère PVDF ............................................................................................................................... 169
III.1.4 Echantillon de titanate de plomb PT....................................................................................................................... 170
III.1.5 Synthèse des résultats................................................................................................................................................ 172

IV CONCLUSION ............................................................................................................................................................................... 173

BIBLIOGRAPHIE :.............................................................................................................................................................................. 173

CHAPITRE V : REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSDUCTEURS HAUTE

FREQUENCE……………..……………………………………………………………………………………….. .177

I CARACTÉRISATION DU PARYLÈNE EN HAUTE FRÉQUENCE.................................................................................................. 177

I.1 FABRICATION DES ÉCHANTILLONS........................................................................................................................................178

I.1.1 Film épais ....................................................................................................................................................................... 178
I.1.2 Substrat........................................................................................................................................................................... 178
I.1.3 Dépôt de parylène......................................................................................................................................................... 179
I.2 CARACTÉRISATION FONCTIONNELLE ...................................................................................................................................180
I.3 RÉSULTATS...............................................................................................................................................................................181

II CONCEPTION ET FABRICATION DES TRANSDUCTEURS HF.................................................................................................. 183

II.1 M ILIEU ARRIÈRE (BACKING) UTILISÉ ..................................................................................................................................183

II.2 LENTILLE .................................................................................................................................................................................184
II.3 A SSEMBLAGE ET FABRICATION ............................................................................................................................................184

III CARACTÉRISATION DES TRANSDUCTEURS ........................................................................................................................... 186

III.1 CARACTÉRISTIQUES EN ÉMISSION-RÉCEPTION.................................................................................................................186

v
Transducteurs mono-éléments pour l’imagerie ultrasonore haute résolution Sommaire

III.1.1 Dans l’axe.................................................................................................................................................................... 186

III.1.2 Dans le plan focal ...................................................................................................................................................... 188
III.1.3 Vitesse longitudinale effective dans la lentille...................................................................................................... 189
III.2 RÉPONSE ÉLECTRO-ACOUSTIQUE AU POINT FOCAL .........................................................................................................191
III.3 COMPARAISON SIMULATION / EXPÉRIENCE ......................................................................................................................193
III.3.1 Rayonnement dans l’axe et dans le plan focal...................................................................................................... 193
III.3.2 Réponse au point focal.............................................................................................................................................. 194

IV TESTS DANS UN ÉCHOGRAPHE (IMAGES )............................................................................................................................... 195

IV.1 M ISE EN PLACE DANS UN ÉCHOGRAPHE............................................................................................................................195

IV.2 IMAGE DE LA PEAU D’UN AVANT -BRAS.............................................................................................................................197
IV.3 IMAGE D’UN POUCE ..............................................................................................................................................................199

V CONCLUSION................................................................................................................................................................................. 199

BIBLIOGRAPHIE :.............................................................................................................................................................................. 200

CONCLUSION ……………..……………………………………………………………………………………... .201

ANNEXE 1 : PIEZO -ELECTRICITE ET NOTATIONS……………..……………………………….... .205

A1.1 RAPPELS SUR L’ÉLASTICITÉ DES MILIEUX CONTINUS .................................................................................................... 205

A1.1.1 NOTIONS DE CRISTALLOGRAPHIE ..................................................................................................................................205

A1.1.2 TENSEUR DES CONTRAINTES...........................................................................................................................................206
A1.1.3 TENSEUR DE DÉFORMATIONS .........................................................................................................................................207
A1.1.4 LOI DE HOOKE ..................................................................................................................................................................208

A1.2 PROPRIÉTÉS ÉLECTRIQUES .................................................................................................................................................. 209

A1.3 EQUATIONS CONSTITUTIVES DE LA PIÉZO -ÉLECTRICITÉ............................................................................................... 209

A1.3.1 EQUATIONS ET GRANDEURS CONSTITUTIVES ...............................................................................................................210

A1.3.2 DÉFINITION DES PERTES MÉCANIQUES, PIÉZO-ÉLECTRIQUES ET DIÉLECTRIQUES...................................................211
A1.3.3 RÉDUCTION DU NOMBRE DE COEFFICIENTS DE PERTES...............................................................................................212

A1.4 COUPLAGE ÉLECTRO -MÉCANIQUE ..................................................................................................................................... 213

A1.4.1 COEFFICIENTS DE COUPLAGE .........................................................................................................................................213

A1.4.2 COUPLAGE ÉPAISSEUR .....................................................................................................................................................214

BIBLIOGRAPHIE :.............................................................................................................................................................................. 215

vi
Sommaire Transducteurs mono-éléments pour l’imagerie ultrasonore haute résolution

ANNEXE 2 : PROPRIETES DES TRANSDUCTEURS ULTRASONORES……………..…………...217

A2.1 S PÉCIFICATIONS ÉLECTRO -ACOUSTIQUES ....................................................................................................................... 217

A2.1.1 SENSIBILITÉ – PERTES D’INSERTION .............................................................................................................................217

A2.1.2 INTENSITÉ ACOUSTIQUE – NORME ................................................................................................................................218
A2.1.3 RÉSOLUTION AXIALE – BANDE PASSANTE...................................................................................................................219
A2.1.4 CONTRASTE.......................................................................................................................................................................219
A2.1.5 CRITÈRES DE CARACTÉRISATION – INDICES DE PERFORMANCE ................................................................................219

A2.2 CARACTÉRISATION DU CHAMP DE PRESSION RAYONNÉ................................................................................................. 220

A2.2.1 RÉSOLUTION LATÉRALE ..................................................................................................................................................221

A2.2.2 PROFONDEUR DE CHAMP .................................................................................................................................................221

BIBLIOGRAPHIE :.............................................................................................................................................................................. 221

ANNEXE 3 : MODELISATION ET OPTIMISATION DE TRANSDUCTEUR……………..…….. .223

A3.1 MODÉLISATION DE LA TRANSDUCTION............................................................................................................................. 223

A3.1.1 M ODÉLISATION UNIDIMENSIONNELLE ..........................................................................................................................223

A3.1.2 SCHÉMA ÉLECTRIQUE ÉQUIVALENT KLM ....................................................................................................................224
A3.1.3 STRUCTURE MULTICOUCHE – NOTATION MATRICIELLE ............................................................................................225

A3.2 OPTIMISATION D ’UN TRANSDUCTEUR ................................................................................................................................ 227

A3.2.1 A DAPTATION ACOUSTIQUE .............................................................................................................................................228

A3.2.1.1 Milieu arrière.......................................................................................................................................................... 229
A3.2.1.2 Milieu avant ............................................................................................................................................................ 229
A3.2.1.3 Approche analytique harmonique ....................................................................................................................... 229
A3.2.1.4 Approche analytique impulsionnelle .................................................................................................................. 231
A3.2.2 A DAPTATION ÉLECTRIQUE..............................................................................................................................................232
A3.2.2.1 Régime harmonique............................................................................................................................................... 232
A3.2.2.2 Régime impulsionnel.............................................................................................................................................. 232
A3.2.3 A DAPTATION GLOBALE ...................................................................................................................................................233

BIBLIOGRAPHIE :.............................................................................................................................................................................. 233

ANNEXE 4 : CARACTERISATION DE LIGNE DE PROPAGATION……………..………………...235

A4.1 S CHÉMA ÉLECTRIQUE ÉQUIVALENT................................................................................................................................... 235

A4.2 LIGNE SANS PERTES ............................................................................................................................................................... 236

vii
Transducteurs mono-éléments pour l’imagerie ultrasonore haute résolution Sommaire

A4.3 LIGNE AVEC PERTES .............................................................................................................................................................. 237

A4.3.1 EXPRESSIONS FACTORISÉES............................................................................................................................................237

A4.3.2 FAIBLES PERTES................................................................................................................................................................237

A4.4 ANALOGIE ÉLECTRO -ACOUSTIQUE .................................................................................................................................... 238

A4.4.1 EXPRESSIONS GÉNÉRALES...............................................................................................................................................238

BIBLIOGRAPHIE :.............................................................................................................................................................................. 240

ANNEXE 5 : FOCALISATION ACOUSTIQUE……………..…………………………………………… .241

A5.1 FOCALISATION........................................................................................................................................................................ 241

A5.1.1 LENTILLE ACOUSTIQUE ...................................................................................................................................................241

A5.2 FONCTION DE TRANSFERT.................................................................................................................................................... 243

A5.2.1 FOCALISATION GÉOMÉTRIQUE .......................................................................................................................................243

A5.2.1.1 Intégrale de Rayleigh ............................................................................................................................................ 244
A5.2.1.2 Développement limité du terme de distance...................................................................................................... 244
A5.2.1.3 Développement limité du terme de déphasage.................................................................................................. 245
A5.2.2 FOCALISATION ACOUSTIQUE ..........................................................................................................................................247
A5.2.2.1 Identification du terme de déphasage................................................................................................................. 247
A5.2.2.2 Comparaison des expressions typiques.............................................................................................................. 249

BIBLIOGRAPHIE :.............................................................................................................................................................................. 250

ANNEXE 6 : PIEZO -ELECTRICITE ET DIAGRAMMES DE PHASE……………..……………… .251

A6.1 S TRUCTURE CRISTALLINE..................................................................................................................................................... 251

A6.2 DIAGRAMMES DE PHASE....................................................................................................................................................... 252

BIBLIOGRAPHIE :.............................................................................................................................................................................. 254

viii
 Introduction

INTRODUCTION

Les techniques d’imagerie médicale et de contrôle non destructif ultrasonores ont connu un
développement important ces dernières décennies. Les nombreuses publications et innovations sur
ces sujets attestent que ce domaine a engendré un grand intérêt aussi bien en recherche que pour le
développement de produits commerciaux. Les transducteurs électro-acoustiques sont au cœur de ces
innovations et leurs performances sont régulièrement améliorées afin d’obtenir des images ou des
contrôles de meilleure qualité. L’aptitude d’un transducteur ultrasonore à satisfaire les exigences de
l’application envisagée est conditionnée en grande partie par les performances électro-acoustiques
de sa partie active. Cette fonction de conversion étant généralement réalisée par un matériau piézo-
électrique, dont les performances intrinsèques doivent être choisies en fonction de l’application.

Les développements récents dans le domaine des matériaux piézo-électriques tels que les
mono-cristaux, composites, structures intégrées et aussi les nouvelles compositions de céramiques
offrent de nombreuses perspectives. En particulier, les applications ultrasonores en haute fréquence
(à partir de 20 MHz) sont en plein développement. L’imagerie intravasculaire, de la peau ou de
l’œil autour de 20 à 30 MHz est maintenant régulièrement utilisée pour le diagnostic médical. Les
résolutions spatiales pour une image ou la précision des contrôles sont directement reliées à la
bande de fréquence de fonctionnement et à la géométrie du transducteur. Cependant, l’augmentation
de la fréquence implique une miniaturisation des éléments constituant le transducteur, en particulier
pour le matériau piézo-électrique. L’enjeu est alors de développer de nouvelles technologies de
mise en œuvre telles que la sérigraphie ou le coulage en bande pour obtenir des films piézo-
électriques de quelques dizaines de micromètres d’épaisseur, tout en gardant des propriétés électro-
mécaniques équivalentes à celles obtenues par les procédés classiques.
L’objectif de cette thèse s’intègre dans cette perspective dont le but est de concevoir et
réaliser des transducteurs mono-éléments pour une application en imagerie médicale haute
résolution. Pour cela, une partie importante de modélisation a également été développée pour un
transducteur mono-élément muni d’une lentille acoustique. Les principales étapes suivies peuvent
être détaillées de la façon suivante : caractérisation de matériaux piézo-électriques pour la
fabrication de transducteurs haute fréquence ; étude et optimisation d’une focalisation acoustique ;
caractérisation des performances électro-acoustiques et du rayonnement ; réalisation de
transducteurs pour l’imagerie avec des nouvelles compositions et techniques de fabrication.

1
Introduction

La présentation de ce travail a été décomposée en cinq chapitres :

Dans le premier chapitre, un bilan est fait sur les matériaux piézo-électriques actuellement
disponibles et la technologie des transducteurs pour les applications haute fréquence. Puis, à l’aide
d’outils de modélisation qui sont rappelés, les différents matériaux piézo-électriques existants sont
étudiés dans un assemblage de type transducteur mono-élément dont les performances sont alors
optimisées. De cette façon, les matériaux permettant de fabriquer les meilleurs transducteurs sont
identifiés. Enfin, les méthodes de caractérisation (réponse électro-acoustique et champ de
rayonnement) des transducteurs sont décrites et les particularités dues aux applications haute
fréquence sont précisées le cas échéant.
Au cours du deuxième chapitre, la modélisation du comportement d’un transducteur est
développée. Grâce à la méthode des éléments finis, qui permet de prendre en compte et de
quantifier les contributions radiales, les champs de déplacements et de pression générés à la surface
d’un transducteur mono-élément axisymétrique sont déterminés. Cette méthode est décrite dans son
principe, et les méthodes utilisées pour la résolution numérique sont détaillées. Différents
paramètres tels que le maillage de la structure multicouche ont été optimisés en comparant plusieurs
configurations. Ces premiers résultats sont ensuite propagés dans un milieu fluide homogène à
partir de la formulation intégrale de Rayleigh. La résolution numérique de cette intégrale est
effectuée en prenant en compte la géométrie axisymétrique de la source. Les différentes méthodes
de résolution sont finalement comparées en fonction du type de résultat recherché, de sa précision et
du temps de calcul.
A l’aide des outils développés dans le chapitre II, dans le troisième chapitre on s’attache en
premier lieu à caractériser la réponse électro-acoustique obtenue au point focal. Ainsi, elle est
évaluée au moyen d’estimateurs de la sensibilité et de durées caractéristiques de la réponse
impulsionnelle. Deux configurations typiques de transducteurs haute fréquence focalisés avec une
lentille sont étudiées. L’influence de l’impédance acoustique de cette lentille sur la réponse électro-
acoustique à la distance focale est évaluée pour une distance focale constante. Une modélisation
unidimensionnelle basée sur le schéma KLM est introduite comme une méthode alternative à la
modélisation par éléments finis. Les résultats en terme de champ rayonné et de réponse électro-
acoustique sont comparés pour ces deux modèles appliqués aux deux configurations choisies. Pour
finir, des résultats expérimentaux sont obtenus afin de valider et comparer les deux modèles
développés.

2
 Introduction

Les deux derniers chapitres concernent la réalisation des transducteurs haute fréquence.
Dans le quatrième, l’élaboration de matériaux piézo-électriques pour la haute fréquence est décrite.
A cet effet, en collaboration avec d’autres laboratoires dans le cadre d’un projet européen, des
technologies de films épais (de quelques dizaines de micromètres) ont été développées par coulage
en bande et par sérigraphie. Pour la première technique, des compositions de type PMN-PT ont été
élaborées. Les conditions de synthèse des échantillons sont détaillées et la composition chimique
optimale est déterminée. Puis, pour la seconde technique, des structures intégrées multicouches à
base de PZT/PGO sont réalisées par sérigraphie. Ces technologies sont décrites puis les meilleurs
échantillons obtenus par ces deux méthodes sont caractérisés de façon fonctionnelle. Les propriétés
électro-mécaniques et la fréquence de résonance obtenues sont comparées avec celles d’échantillons
de référence réalisés par des procédés de fabrication classiques ainsi qu’avec celles d’un film
polymère (PVDF) et d’un disque de titanate de plomb (PT).
L’objectif du cinquième et dernier chapitre est de concevoir des transducteurs intégrant les
matériaux et structures piézo-électriques décrits dans le chapitre précédent, puis d’en évaluer les
performances. Les propriétés des différents éléments passifs qui constituent les transducteurs ainsi
que les méthodes d’assemblage sont spécifiées. Les caractérisations des transducteurs en émission-
réception dans l’axe, dans le plan focal et au point focal permettent de comparer leurs
performances. Pour l’un des transducteurs, théorie (modèle KLM étendu) et résultats expérimentaux
sont comparés. Ils sont finalement testés dans un échographe haute fréquence développé au
laboratoire, puis les images obtenues sont comparées et discutées.

3
Introduction

4
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

Equation Section (Next)

CHAPITRE I : MATERIAUX POUR LA HAUTE FREQUENCE

Le but de ce premier chapitre est double. Il s’agit dans un premier temps de faire un état de
l’art sur la technologie des matériaux et transducteurs pour les applications haute fréquence (au-delà
de 20 MHz). La configuration principale retenue pour cette étude est un transducteur mono-élément
pour des applications en imagerie médicale. D’un point de vue théorique, les différents matériaux
piézo-électriques existants ont été intégrés dans une telle configuration pour comparer les
performances obtenues. Au cours de ce chapitre, différents rappels et explications sont donnés
concernant la modélisation et la caractérisation des transducteurs en précisant si nécessaire les
spécificités dues aux applications haute fréquence [1-4].

I Matériaux piézo-électriques
Après quelques explications générales concernant les matériaux piézo-électriques disponibles pour
la transduction ultrasonore (propriétés principales, caractérisation électromécaniques, résonateur
libre ou chargé), un état de l’art concernant les matériaux piézo-électriques dédiés pour les
applications haute fréquence est décrit.

I.1 Spécifications générales

Pour les matériaux piézo-électriques, en particulier pour les applications médicales, deux des
propriétés les plus importantes sont le coefficient de couplage effectif du principal mode de
vibration utilisé k eff et l’impédance acoustique Z.
Le coefficient de couplage k eff représente l’activité piézo-électrique du matériau pour le mode de
vibration considéré, en d’autres termes, la capacité du matériau à convertir l’énergie électrique en
énergie acoustique (et réciproquement). Ce facteur de couplage dépend non seulement des
propriétés du matériau actif, mais aussi de sa géométrie. Pour les applications d’imagerie médicale,
les modes de vibrations utiles sont longitudinaux, c’est-à-dire le long de la direction de polarisation,
selon laquelle sont définies les épaisseurs (Tableau A1.5, Annexe 1). Lorsque les dimensions
latérales de l’élément actif sont grandes devant l’épaisseur, le coefficient de couplage en mode
épaisseur k t est utilisé [5]. La valeur de la permittivité diélectrique est aussi un paramètre de
première importance pour ce qui est de l’adaptation électrique (Annexe 3).

5
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

La Figure I.1 donne les valeurs du coefficient de couplage en épaisseur k t en fonction de

l’impédance acoustique Z pour une large gamme de matériaux piézo-électriques disponibles et
utilisés pour la fabrication de transducteurs. Le Tableau I.1 donne les définitions des abréviations
utilisées. On peut observer qu’aucun des matériaux n’offre des caractéristiques idéales, à savoir un
coefficient de couplage important et une impédance acoustique faible. La zone correspondante est
délimitée par le carré rouge sur la Figure I.1 (a). Le meilleur compromis doit donc être trouvé
parmi ces matériaux. Pour la plupart des applications médicales, les céramiques PZT sont utilisées
pour leur coefficient de couplage élevé, même si leur impédance acoustique est importante,
puisqu’elle peut être adaptée à l’aide de lames intermédiaires entre l’élément actif et le milieu de
propagation (Annexe 3). Pour une application donnée, les propriétés telles que la permittivité
diélectrique et la taille de grain permettent de choisir un matériau spécifique. Une large plage de
propriétés peuvent être trouvées avec des constantes diélectriques relatives faibles (quelques
centaines) à très importantes (plusieurs milliers), avec des tailles de grain de l’ordre du micromètre.
Pour un transducteur mono-élément, une permittivité diélectrique moyenne (zone en bas à gauche)
permet une bonne adaptation d’impédance électrique au système d’émission-réception (typiquement
50 Ω), alors que les éléments de barrette nécessitent une permittivité diélectrique plus importante
(Figure I.1 (b), en haut à gauche).

kt (%) ε 33
S
,r
100 2500
90 2250
80 2000
70 1750
Composites PZT 1- 3 PSC PZT/ternaire
60 1500
50 PZT/ternaire 1250
LN
40 PN 1000
PT
30 BIT 750 PSC
1- 3
PZT
20 P(VDF-TrFE) 500 posites
PVDF Com
10 250 PN PT
BIT
P(VDF-TrFE) LN
0 0 PVDF
5 10 15 20 25 30 35 5 10 15 20 25 30 35
Z (MRa) Z (MRa)
(a) (b)
Figure I.1 : (a) Coefficient de couplage électro-mécanique en mode épaisseur k t.
(b) Permittivité diélectrique relative à déformation constante ε 33,rS , en fonction de l’impédance
acoustique Z pour une large gamme de matériaux piézo-électriques disponibles.

6
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

PZT Zirconate Titanate PT Titanate de Plomb PSC (PMN-PT Mono-cristaux à

de Plomb et PZN-PT) base de Plomb
LN Niobate de Lithium PN Niobate de Plomb Composites Composites PZT
PZT 1-3 et polymère
BIT Titanate de Bismuth PVDF Polymère P(VDF-TrFE) Copolymère

Tableau I.1 : Abréviations utilisées.

I.2 Caractérisation
La mesure de l’impédance électrique complexe en fonction de la fréquence est réalisée sur un
échantillon piézo-électrique vibrant selon un mode dominant (Annexe 1). Cette mesure, grâce à un
schéma électrique équivalent, permet d’obtenir les propriétés diélectriques, mécaniques et piézo-
électriques par ajustements successifs. Dans certains cas, le standard de la piézo-électricité [5] peut
être utilisé, et les courbes expérimentales sont ensuite exploitées directement en utilisant ces
formules simples. L’équipement standard est constitué d’un analyseur de réseaux, avec un kit
d’impédance qui comprend un ressort pour réaliser les contacts électriques avec le matériau piézo-
électrique. La qualité du contact électrique est de grande importance, en particulier pour les mesures
en haute fréquence, notamment pour éviter une impédance de contact trop élevée, tout en évitant de
perturber la résonance du mode caractérisé.
La Figure I.2 (b) montre la résonance typique d’un disque piézo-électrique fabriqué par coulage en
bande (tape-casting), avec une fréquence d’anti-résonance autour de 50 MHz. Pour la haute
fréquence, le procédé de fabrication consiste souvent à déposer l’élément piézo-électrique sur un
substrat (Figure I.2 (a)), qui en amortit la résonance observée sur l’impédance électrique. Avec un
schéma électrique équivalent, tel que le schéma KLM [6] (Annexe 3) adapté aux structures multi-
couches (substrat, électrodes et élément piézo-électrique), les différentes propriétés acoustiques sont
paramètrées. Connaissant les propriétés acoustiques des électrodes et du substrat, la procédure
d’ajustement permet d’obtenir les propriétés de la couche piézo-électrique (Figure I.2 (c)) [7, 8]
comme le décrit l’équation (I.6).

7
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

Analyseur de réseaux / impédance Résonateur libre

Sur substrat
60 25

Re(Z)
40
théorique théorique
theoretical
20
20 fa expérimental expérimental
experimental

Re(Z)
15
40 45 50 55 60
Fréquence (MHz) 10
20
5
0

Im(Z)
Echantillon -20 0
Kit d ’impédance S
d métallisé 1 21 41 61
-40

Substrat 40 45 50 55 60 Fréquence (MHz)

Fréquence (MHz)

(a) (b) (c)

Figure I.2 : (a) Protocole expérimental pour la mesure d’impédance électrique. (b) Impédances
complexes expérimentale et théorique (ajustée) typique d’un disque piézo-électrique en condition de
résonateur libre. (c) Partie réelle de l’impédance expérimentale et théorique (ajustée) d’un film
épais haute fréquence sur substrat d’alumine.

Les paramètres typiques caractérisés sont les suivants :

Ø Les fréquences d’anti-résonance f a et de résonance f r qui correspondent respectivement
au maximum de la partie réelle de l’impédance et de l’admittance.
Ø Le coefficient de couplage en épaisseur correspondant à la vibration selon le premier

π fr  π fr 
mode épaisseur peut être calculé avec k t = cotan  .
2 fa  2 fa 
Ø La vitesse longitudinale est donnée par : cl = 2e p f a , avec ep l’épaisseur de l’élément

piézo-électrique.
εSS
Ø La permittivité diélectrique est obtenue à partir de la capacité bloquée C0 = , avec S
ep
la surface active délimitée par les électrodes.
∆f
Ø Les pertes mécaniques sont données par δ m = , avec ∆f la largeur à mi-hauteur du pic
fa
d’anti-résonance sur le spectre.
Ø Les pertes diélectriques δ e apparaissent sous forme d’un décalage sur les courbes de
résistance, et la mesure peut en être faite à deux fois la fréquence d’anti-résonance.

Les pertes (δm,S , δ p,d, et δ e,ε) respectivement mécaniques, piézo-électriques et diélectriques pour les
matériaux piézo-électriques [9] ont été définies sur les paramètres (sE, d, et ε T). Celle retenue ne
prend en compte que les pertes mécaniques et diélectriques sur les paramètres (cE et ε S ), afin de
minimiser les redondances d’influence de paramètres (Annexe 1).

8
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

L’expression complexe de la vitesse longitudinale est donnée en première approximation par les
relations (A1.30) et (A1.31). :

 δ
cl ; cl '  1 + j  (I.1)
 2
La partie réelle de la vitesse est donnée en fonction du coefficient élastique à déplacement constant
selon la direction 3 et de la masse volumique, alors que les pertes globales δ sont fonction de la
partie réelle du coefficient de couplage k t2 ’ et des pertes mécaniques δm et diélectriques δ e :

c33D '
avec : cl ' ; (I.2)
ρ

et δ = (1 − kt2 ') δm + kt2 'δ e (I.3)

I.2.1 Résonateur libre

La résonance en mode épaisseur pour un échantillon de dimensions latérales importantes au regard
de l’épaisseur est déduite de la modélisation par un schéma électrique équivalent. Par exemple,
celui décrit par [6] (Annexe 3) donne l’expression complexe de l’impédance électrique d’un élément
piézo-électrique en résonateur libre :
  e π f 
 tan  p 
1   cl  
Ze ( f ) = 1 − kt2
(I.4)
j 2π fC0  e pπ f 
 
 cl 
Par la suite, on note θp le demi déphasage de propagation dans la couche :
ke p epπ f
θp = = (I.5)
2 cl
Cette expression de l’impédance électrique mesurée aux bornes de l’élément piézo-électrique n’est
valable que pour les conditions de mesures standard [5], c’est-à-dire en résonateur libre, avec des
milieux avant et arrière d’impédance nulle. L’influence possible des électrodes n’est pas prise en
compte.

9
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

I.2.2 Résonateur chargé

Dans le cas de milieux avant et arrière d’impédance acoustique non nulle, Zhang et al. [10] et Naik
et al. [11] ont développé l’expression de l’impédance mesurée aux bornes de l’élément piézo-
électrique Ze. Cette dernière se trouve modifiée par la prise en compte des impédances ramenées à
l’avant et à l’arrière :

1  tan (θ p ) ( z av + zar ) cos 2 θ p + j sin ( 2θ p ) 

Ze ( f ) =  1 − kt
2

j 2π fC0  θ p ( z av + zar ) cos ( 2θ p ) + j ( 1+ zav zar ) sin ( 2θ p ) 

avec : (I.6)
Z av Zar
z av = et z ar = , les impédances ramenées à l’avant et l’arrière normalisées
Zp Zp

par l’impédance acoustique l’élément piézo-électrique Zp ,

Z L + Z nth ( jθ n )
Ze, n = Z n , l’impédance ramenée à l’entrée de la couche n (avant ou arrière)
Zn + Z L th ( jθ n )

d’impédance caractéristique Zn et de charge ZL,

et θ n = ken , le déphasage induit par la propagation longitudinale dans la couche n.
Plusieurs auteurs ont proposé des méthodes de mesure spécifiques pour obtenir les propriétés haute
fréquence des matériaux piézo-électriques [12-15].

I.3 Polymères et copolymères

Les polymères piézo-électriques tels que le PVDF [16] ou ses copolymères [17, 18] sont
disponibles en films avec des épaisseurs de plusieurs micromètres. Grâce à ces faibles épaisseurs,
ils peuvent être directement utilisés pour des applications haute fréquence. Leur coefficient de
couplage est relativement faible (de 15 à 30 %), ainsi que leur permittivité diélectrique relative
(autour de 5). Ces deux dernières propriétés ont tendance à donner une sensibilité relativement
faible, et rendent l’adaptation électrique difficile. Cependant, leur impédance acoustique (entre 4 et
5 MRa) est relativement proche de celle des tissus (1,5 MRa). L’adaptation d’impédance acoustique
n’est pas indispensable car le gain obtenu (en terme de sensibilité et de bande passante) peut être
relativement faible pour des difficultés technologiques importantes correspondant à l’ajout d’une
lame adaptatrice de très faible épaisseur. Le Tableau I.2 résume les principales propriétés électro-
mécaniques de ces matériaux relevées dans différentes publications.

10
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

Matériau ε33,rS cl (m/s) k t (%) δ e (%) δm (%) Z (MRa) Réf.

PVDF 6,0 2200 15 à 20 − 10,0 3,9 [17]
P(VDF-TrFE) 5,0 2400 30 − 4,0 4,5 [17]
PVDF 5,0 2200 15 25 7,7 3,9 [18]
P(VDF-TeFE) 5,5 2200 21 19 6,0 4,2 [18]
P(VDF-TrFE) 4,0 2400 30 12 4,0 4,5 [18]
P(VDF-TrFE) 4,1 2380 29 6,9 4,0 4,6 [19]
ε33,rS : permittivité diélectrique relative à déformation constante; cl : vitesse longitudinale;
k t: coefficient de couplage en mode épaisseur; δ e: pertes diélectriques; δ m : pertes mécaniques;
Z: impédance acoustique.

Tableau I.2 : Propriétés principales de films copolymères P(VDF-TeFE) et P(VDF-TrFE).

Le second avantage de ces polymères est leur facilité de mise en forme due à leur flexibilité (Figure
I.3 (a)), ce qui permet de réaliser une focalisation géométrique de l’élément piézo-électrique assez
facilement, et évite ainsi l’addition d’une lentille de focalisation (Figure I.3 (b)).

3 mm

3 mm

(a) (b)
Figure I.3 : (a) Film copolymère P(VDF-TrFE). (b) Transducteur haute fréquence basé sur ce film.

Bien que le coefficient de couplage en mode épaisseur k t soit relativement faible, le transfert
d’énergie mécanique en énergie acoustique reste relativement efficace grâce à une impédance
acoustique relativement proche de celle des tissus à caractériser. Ainsi, ces polymères sont toujours
couramment utilisés pour la fabrication de transducteurs haute fréquence dans la gamme de 20 à
100 MHz.

11
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

I.4 Film céramique épais

De nombreux procédés sont possibles et ont été développés [20] tels que la sérigraphie (screen-
printing) [21], le coulage en bande (tape casting) [22, 23], le recouvrement par rotation ou trempage
(spin or dip coating) [24, 25], ou les techniques de dépôt par pulvérisation (spray) [26] pour
fabriquer des films épais de céramiques piézo-électriques (de quelques dizaines de micromètres).
Les trois premières techniques sont largement utilisées, en particulier pour les applications
d’imagerie. Dans chaque cas, ces échantillons (généralement de forme circulaire) sont fabriqués
directement dans leur forme finale, évitant ainsi les délicates opérations d’usinage qui peuvent être
critiques avec l’apparition de fissures ou cassures. Ces bandes peuvent d’ailleurs être utilisées pour
fabriquer des échantillons de géométrie quelconque pour de nombreuses applications.

I.4.1 Film seul

Différents échantillons ont été réalisés par coulage en bande (Figure I.4) et leurs propriétés ont été
caractérisées en vue d’une comparaison avec celles obtenues pour les céramiques massives.

Pz21
Pz27
Pz21
5 mm 1 mm

(a) (b) (c)

Figure I.4 : Photographies d’échantillons réalisés par (a) et (b) Ferroperm Piezoceramics
(Danemark), et par le (c) Laboratoire de Céramique (EPFL, Suisse).

Le Tableau I.3 résume plusieurs caractéristiques représentatives d’échantillons réalisés par coulage
en bande, dont le coefficient de couplage en mode épaisseur k t est légèrement plus faible que celui
des céramiques massives, mais leurs performances finales permettent tout de même de les intégrer
dans la fabrication de transducteurs haute fréquence délivrant des performances satisfaisantes.

12
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

Matériau ε33,rS k t (%) f a (MHz) ρ (kg/m3 ) δm (%) Réf.

PNNZT (PZ21) 1920 43 33,9 7420 4,7 [27]
PZT (PZ29) 1035 35,5 34,1 6900 6,0 [27]
PZT 675 43 46 - 3,6 [21]
ε33,rS : permittivité diélectrique relative à déformation constante; k t: coefficient de couplage en mode
épaisseur; f a : fréquence d’anti-résonance; ρ: masse volumique; δ m: pertes mécaniques.
Tableau I.3 : Propriétés d’échantillons réalisés par coulage en bande.

I.4.2 Film sur substrat

Les substrats pour le dépôt de film épais par sérigraphie peuvent être utilisés de deux façons. La
première consiste à choisir le substrat de façon à ce qu’il satisfasse directement la fonction de
milieu arrière pour le transducteur [28]. De nombreuses conditions sont nécessaires en terme
d’impédance acoustique relative à celle du transducteur et de température de frittage pour le film
épais (généralement au-delà de 900°C) tout en évitant la détérioration du substrat. Le PZT poreux
peut être un bon choix (Figure I.5 (a)). Cette méthode conduit à un transducteur intégré. La seconde
peut être de choisir un matériau intermédiaire tel qu’un substrat en alumine (Al2 O3 ) schématisé sur
la Figure I.5 (b) [29]. Le futur milieu arrière constitué de résine époxy chargée avec de la poudre
d’argent est collé sur l’autre face de l’élément piézo-électrique (Figure I.5 (b)). En effet, la fraction
volumique de poudre d’argent permet d’ajuster l’impédance acoustique désirée du milieu arrière.
Finalement, le substrat en aluminium est usiné et/ou attaqué chimiquement, et une nouvelle
électrode est déposée sur la face avant du film épais. Cette méthode permet d’optimiser le choix de
ces deux matériaux et d’optimiser les performances du futur transducteur.

Film épais en PZT

Milieu arrière en
époxy chargé à la
poudre d’argent

Substrat en alumine

(a) Substrat en PZT poreux (b) Substrat intermédiaire

Figure I.5 : (a) Photographie d’une section en coupe d’un film épais sérigraphié sur un substrat
PZT poreux. (b) Schéma du procédé de sérigraphie avec un substrat intermédiaire.
13
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

Dans ces deux cas, les propriétés des films piézo-électriques épais sont données dans le Tableau I.4,
où les performances obtenues sont relativement bonnes mais la reproductibilité reste un problème
important à résoudre. De plus, le choix du matériau et de l’épaisseur de l’électrode arrière peuvent
influencer les propriétés de façon importante.

Matériau Procédé Substrat e (µm) ε33,rS cl (m/s) k t (%) δ e (%) δm (%) Z (MRa) Réf.

PZT/PGO Screen PZT 35,5 334 3240 47 4,7 4,8 - [28]

printing
PZT/PGO Screen Al2 O3 39 342 3940 39,7 2,0 1,5 - [28]
printing
PZT Spin Al 20 220 3950 24,4 - - 21,8 [29]
coating
e : épaisseur du film ; ε 33S : permittivité diélectrique relative à déformation constante; cl : vitesse
longitudinale ; k t: coefficient de couplage en mode épaisseur ; δ e : pertes diélectriques ;
δ m: pertes mécaniques ; Z: impédance acoustique.
Tableau I.4 : Propriétés d’échantillons sérigraphiés sur différents substrats.

I.5 Composites
En combinant une phase piézo-électrique (céramique de type PZT) et un polymère d’impédance
acoustique faible, il est possible d’obtenir simultanément pour un même matériau les deux
spécificités recherchées décrites dans le paragraphe 0 (impédance acoustique faible et coefficient de
couplage élevé). Différents arrangements spatiaux définis par les connectivités entre les deux
phases sont possibles (Figure I.6) [30]. Ils définissent et influencent directement les performances
du matériau homogénéisé. Pour les applications haute fréquence, les piézo-composites de
connectivités 1-3, 2-2 et 0-3 ont été principalement étudiés.

14
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

Figure I.6 : Schémas de différents composites réalisés et les connectivités correspondantes [31].

La connectivité 1-3 est d’un grand intérêt car elle permet d’obtenir de très bonnes performances
électro-mécaniques (Figure I.7 (a)). Cette connectivité correspond à des barreaux de céramique
(Figure I.7 (b)) noyés dans une matrice polymère. Par exemple, pour une fraction volumique de
céramique autour de 40 %, la valeur obtenue pour le k t est plus importante que celle de la céramique
seule (Figure I.7 (c)).

1
Barreau de céramique
0.8

0.6
kt

0.4

0.2

Polymère 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Vf
(a) (b) (c)
Figure I.7 : (a) Représentation schématique et (b) photographie d’un échantillon de composite 1-3.
(c) Variation typique du facteur de couplage en mode épaisseur kt pour un piézo-composite 1-3 en
fonction de la fraction volumique de céramique Vf [32] .

15
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

I.1.1 Composite 1-3

Le procédé le plus commun pour la fabrication de piézo-composite 1-3 est la technique de
découpage matriciel de l’élément piézo-électrique et le remplissage par une matrice passive
polymère (dice and fill) qui est apparue au milieu des années 80 [33]. Cette méthode consiste à
découper l’élément actif sur 80 % de son épaisseur, avec un pas suffisamment faible pour éviter les
modes de résonance indésirables tels que les couplages inter-éléments et lobes de rayonnement
latéraux. Le remplissage par le polymère effectué (Figure I.7 (a)), la face inférieure est alors usinée
et des électrodes sont déposées en face arrière et avant.
D’autres méthodes telles que le moule perdu (lost mould), le dépôt en fusion (fused deposition), ou
les techniques d’injection / moulage ont été largement utilisées [34-36].
En haute fréquence, la périodicité engendrée par la méthode de fabrication (c’est-à-dire l’échelle
spatiale) limite la vibration en mode épaisseur pur généralement autour de 25 MHz. Une méthode
alternative consiste à développer des fibres de céramique (de faibles diamètres) qui sont alignées de
façon aléatoire en vue de palier aux effets néfastes induits par la périodicité spatiale. De la même
façon que pour les composites 1-3, elles sont entourées d’une matrice polymère [37, 38]. Le
Tableau I.5 résume quelques résultats de propriétés de fibres et de composites. Des fractions
volumiques de fibre relativement importantes sont nécessaires pour obtenir un mode de vibration en
épaisseur correct [39]. Les performances obtenues (telles que le k t) pour les piézo-composites sont
légèrement plus importantes que celles des céramiques massives, grâce à une impédance acoustique
plus faible.

Composite Vf (%) φ (µm) k t (%) ε33,rS ρ (kg/m3 ) cl (m/s) δ e (%) δm (%) e (µm) Réf.

PZT 45 17 60 201 3300 3943 0,1 1 32 [39]

PSMT 68 35 51 120 5480 3390 − 34 31 [40]
PLZT 66 25 55 930 − 2900 − 50 35 [41]
Vf : fraction volumique de fibre; φ : diamètre de fibre; k t : coefficient de couplage en mode
épaisseur; ε 33,rS : permittivité diélectrique à déformation constante; ρ : masse volumique; cl : vitesse
longitudinale; δ e : pertes diélectriques; δ m : pertes mécaniques; e : épaisseur du composite.

Tableau I.5 : Propriétés des piézo-composites 1-3 intégrant de la fibre de céramique.

16
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

I.1.2 Composite 2-2

Les piézo-composites de connectivité 2-2 (Figure I.8 (a)) correspondant à l’alternance de couches
de céramique piézo-électrique et de polymère ont aussi été développés pour les applications haute
fréquence, en particulier pour les barrettes linéaires. Pour cela, l’épaisseur de chaque couche doit
être très faible. Pour fabriquer une barrette linéaire à 30 MHz, une première étape de la fabrication a
été décrite par Ritter et al. [42] : des éléments de céramique polie (d’épaisseur proche de 30 µm) ont
été collés avec de la résine époxy contenant des micro-sphères de polystyrène (de diamètre
d’environ 6 µm) pour réguler l’épaisseur de la couche de polymère. Afin de diminuer encore les
épaisseurs, la technologie de coulage par bande pour déposer des films épais alternés avec une fine
couche de carbone sacrificielle a été développée récemment [23]. Avec un chauffage progressif, la
couche de carbone est éliminée, puis le composite est fritté. Enfin, l’espace entre chaque couche de
céramique est rempli par de la résine époxy sous vide (Figure I.8 (b)). Avec de tels matériaux, des
barrettes linéaires avec une fréquence centrale au-delà de 35 MHz sont envisageables.

I.1.3 Collage interdigital

Une autre méthode consiste en un collage interdigital (interdigital pair bonding) [43]. Ce procédé
consiste à découper deux céramiques en composites 2-2, avec une largeur de découpe légèrement
plus importante que l’épaisseur d’une couche de céramique (Figure I.8 (a)). Les deux parties du
composite 2-2 sont ainsi obtenues. L’une des deux est remplie de polymère, puis la seconde est
insérée en quinconce comme décrit sur la Figure I.8 (b). L’étape finale consiste à découper les
parties supérieure et inférieure de l’assemblage ainsi réalisé (entre les pointillés, Figure I.8.(c)). Les
épaisseurs respectives obtenues de céramique et de polymère sont de 36 et 4 µm, donnant une
fraction volumique de céramique importante. Ce procédé peut aussi être répété dans les directions
perpendiculaires pour donner des piézo-composites 1-3 pour des applications haute fréquence.

Céramique

22 µm
∼5 µm

Epoxy
(a) (b) (c)
Figure I.8 : (a) Schéma d’un échantillon de piézo-composite 2-2. (b) Section vue de dessus et
(c) section vue de côté d’un échantillon de piézo-composite 2-2 réalisé par collage interdigital.

17
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

I.1.4 Composite 0-3

Les composites de connectivité 0-3 correspondent à des particules de céramiques noyées dans une
matrice polymère (Figure I.9). Des couches fines peuvent être obtenues par des procédés de coulage
en bande (tape-casting) ou sérigraphie (screen-printing). De plus, comme pour les matériaux piézo-
électriques polymères, la mise en forme est facilitée par la matrice polymère. Les propriétés
effectives correspondant à cette connectivité sont relativement faibles. En effet, pour obtenir des
performances électro-mécaniques intéressantes, une fraction volumique importante est nécessaire
(plus de 60%) [44, 45], ce qui conduit à un mélange de connectivités 0-3 et 3-3 et limite la
flexibilité.

Céramique

Polymère

Figure I.9 : Représentation schématique d’un échantillon piézo-composite 0-3.

I.6 Sphère creuse

Des sphères creuses en titanate de plomb (quelques millimètres de diamètre) [36] sont fabriquées en
utilisant des billes sacrificielles de polystyrène qui sont roulées dans une poudre de céramique dont
elles se recouvrent. L’épaisseur déposée peut-être contrôlée (Figure I.10 (a)). Après le déliantage et
le frittage (sintering), la sphère creuse en titanate de plomb est immergée partiellement dans une
pâte qui peut être facilement éliminée (Figure I.10 (b)). L’épaisseur usinée et polie de cette pâte
permet d’ajuster le diamètre de l’échantillon (Figure I.10 (c)). Les variations d’épaisseur de la
sphère sont relativement faibles (environ 10 %). Pour terminer, la calotte sphérique est retirée
(Figure I.10 (d)), les électrodes sont déposées et l’échantillon est polarisé (Figure I.10 (e)).
Les caractéristiques d’un échantillon réalisé en utilisant cette méthode d’élaboration ont été
évaluées par Meyer et al. [36] (Tableau I.6).

18
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

Ligne d ’usinage
Pâte

20 à 120 µm

Support en acier
2 à 7 mm (a) (b)

Faible variation d’épaisseur ~10% Dépôt d'électrode (en or sur ~30nm)

Prélèvement

Support en acier
Polarisation (140°C; 6,5 kV/mm)
(c) (d) (e)

Figure I.10 : Etapes de fabrication d’une calotte sphérique à partir d’une sphère creuse.

Matériau ε33S /ε0 f a (MHz) k t (%) d33 (pC/N) δ e (%) δm (%) Réf.

PT 280 ~50 48 à 52 68 <2 12 à 17 [36]

ε33,rS : permittivité diélectrique relative à déformation constante; f a : fréquence d’anti-résonance ;
k t : coefficient de couplage en mode épaisseur; d33 : coefficient piézo-électrique;
δ e : pertes diélectriques; δm : pertes mécaniques.
Tableau I.6 : Propriétés piézo-électriques des calottes sphériques.

II Fabrication de transducteurs haute fréquence

Dans ce paragraphe, les différentes méthodes utilisées pour la fabrication de transducteurs haute
fréquence sont décrites. L’importance des propriétés du câble coaxial en haute fréquence est mise
en évidence. Enfin, une synthèse des propriétés de transducteurs haute fréquence fabriqués et
publiés sera faite.

II.1 Transducteurs à focalisation sphérique

Le procédé de mise en forme de céramiques et mono-cristaux qui suit, a été précisément décrit par
Lockwood et al. [46] et a permis d’augmenter significativement la sensibilité des transducteurs
focalisés, en comparaison aux plus classiques piézo-polymères. En premier lieu, la céramique
massive est collée sur un substrat malléable, typiquement une couche époxy conductrice. Le
composite bi-couche est alors chauffé et pressé sur un support de forme sphérique dont le rayon de
courbure est la distance focale. Le bi-couche est ensuite refroidi et retiré du support et enfin collé

19
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

sur un milieu arrière atténuant. Depuis ce procédé de fabrication développé il y a une dizaine
d’années, plusieurs variantes ont été utilisées et ont fait l’objet de publications. L’étape de mise en
forme pour la focalisation par pressage avec une bille métallique reste l’étape primordiale pour
incurver une fine couche de matériau piézo-électrique, que ce soit un cristal, une céramique ou un
film polymère.

II.2 Schéma en coupe

La focalisation d’un transducteur mono-élément peut s’opérer par focalisation de l’élément actif
(Figure I.11 (a)) comme décrit dans le paragraphe précédent, ou par ajout d’une lentille acoustique
(Figure I.11 (b)) [47]. Dans le cas d’une focalisation avec une lentille, une lame adaptatrice plane
peut être collée en premier lieu sur un élément piézo-électrique plat, puis la lentille est ajoutée par
moulage (Figure I.11 (b)). Pour un transducteur pressé focalisé, l’addition d’une lame adaptatrice
d’épaisseur constante est plus délicate : elle est déposée par rotation (spin coating) pour une résine
époxy chargée, ou par évaporation pour une couche de parylène (Chapitre 5). Les contacts
électriques sont repris sur l’électrode de la face arrière de l’élément piézo-électrique, ou bien
directement sur le milieu arrière si ce dernier est conducteur, et sur l’électrode en face avant. Un
câble coaxial est finalement ajouté. Les propriétés et l’optimisation des performances d’un
transducteur de ce type sont rappelées en Annexe 3.

Seconde lame
adaptatrice Lentille Lame adaptatrice
Première lame
(Parylène )
adaptatrice

Elément Elément
piézo-électrique piézo-électrique
Housse isolante Housse isolante

Milieu arrière Milieu arrière

Bague conductrice Bague conductrice

Câble coaxial Câble coaxial

(a) (b)
Figure I.11 : Transducteurs focalisés par (a) mise en forme ou (b) ajout d’une lentille sphérique.

II.3 Influence et caractéristiques du câble

Le câble reliant le transducteur au système d’émission-réception a une influence sur la transmission
de puissance et celle-ci devient critique en haute fréquence. En effet, dès lors que la fréquence de

20
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

travail s’approche du premier mode de résonance du câble (obtenu pour une longueur de câble égale
à une demie longueur d’onde), l’adaptation d’impédance ne va plus de soit : il faut considérer
l’impédance ramenée à l’entrée du câble donnée par l’équation (I.7). Les propriétés du câble choisi
(impédance caractéristique, constante de propagation et longueur) doivent être prises en compte lors
de la procédure d’optimisation [48, 49]. Sur la Figure I.12, les réponses électro-acoustiques
temporelles et spectrales d’un transducteur mono-élément sont superposées pour des longueurs de
câble de 0, 1 et 2 m.

Eau Réponse impulsionnelle Réponse spectrale

2 -20

Amplitude (dB)
Amplitude (u.a.)

Câble: Zc = 50 Ω
Longueur: l (m)
0
-40

Longueur du câble 50 Ω : -2
-60
Ligne continue (rouge): l =0m 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
20 40 60 80 100
Fréquence (MHz)
Ligne mixte (bleu): l =1m Temps (µs)

Ligne pointillés (vert): l =2m

(a) (b) (c)

Figure I.12 : (a) Transducteur câblé (b) Réponses électro-acoustiques temporelles et (c) spectrales.

Pour une vitesse de propagation typique v = 2.108 m/s, et une fréquence centrale f 0 = 50 MHz, les
longueurs de 0, 1 et 2 m (Figure I.12 (a)) correspondent respectivement à zéro, un quart et une
demie longueur d’onde. On observe bien la dégradation de la réponse impulsionnelle (Figure I.12
(b)) et son spectre (Figure I.12 (c)). Le câble a donc une influence sur la sensibilité et la bande
passante, et sa longueur (pour une impédance caractéristique donnée) est un paramètre à prendre en
compte lors de la réalisation d’un transducteur haute fréquence. Ainsi, l’impédance ramenée du
transducteur à l’entrée du câble Ze (équation (I.7)) doit être prise en compte. Comme illustré en
pointillés sur la Figure I.13, elle dépend de la charge en bout de ligne Zr vue à travers le câble de
longueur l et de paramètres secondaires (Zc, γ), où Zc et γ sont respectivement l’impédance et la
constante de propagation caractéristiques de la ligne.
La charge électrique vue par le générateur ("ramenée à ses bornes") est donnée par l’impédance
d’entrée de la ligne de transmission Ze, qui elle même dépend de celle de la charge Zr.
Z r + Z c th ( γ l )
Ze = Zc (I.7)
Z c + Z r th ( γ l )

21
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

Zg i

Ug ~ Ze Ue (Zc, γ) Zr

Générateur Ligne de propagation Charge

Intensité : Tension en sortie de générateur : Puissance transmise :
Ug Ue Ze Ze
i= = Ue = Ug Pt = U g2
Zg + Ze (Z + Ze )
2
Z g + Ze Ze g

Figure I.13 : Schéma d’adaptation d’impédance électrique entre le générateur et le transducteur.

Dans le cas de l’illustration de la Figure I.13, le transducteur est connecté en bout de ligne de
propagation. L’impédance de charge est alors celle ramenée à l’entrée du transducteur (I.4), lui-
même chargé en face avant et en face arrière (I.6).
Connaissant la longueur de la ligne, deux mesures en régime harmonique permettent de caractériser
complètement la ligne, avec les paramètres secondaires (Zc, γ) de cette ligne :
En court-circuit : Zr = 0 donne Ze ,0 = Z cth ( γ l ) (I.8)

Zc
En circuit ouvert : Zr →+∞ donne Ze ,∞ = (I.9)
th ( γ l )
Les paramètres du câble sont alors donnés par :

Zc = Z e ,0 Ze , ∞ (I.10)

Ze ,0
et th ( γ l ) = (I.11)
Ze ,∞

1  Z e,0 
d’où γ = Arcth  , avec γ = α + jk (I.12)
l  Z e, ∞
 
Les parties réelle et imaginaire de la constante de propagation γ donnent respectivement
l’atténuation α (en Np/m) et le nombre d’onde k (en rad/m). Ce dernier permet de remonter à la
vitesse de l’onde électro-magnétique v (en m/s) dans la ligne.

22
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

Ces caractéristiques connues, on peut alors déterminer la longueur de câble optimale pour réaliser
une adaptation d’impédance électrique optimale. On montre que la puissance transmise est
maximale lorsque Ze = Zg * , et l’adaptation est donc réalisable en régime harmonique.
Ce formalisme d’impédance ramenée est aussi utilisé pour les lignes de propagations acoustiques
qui font l’objet d’un schéma électrique équivalent (Annexe 4) au même titre que le schéma KLM
pour l’élément piézo-électrique (A nnexe 3). Cependant, l’impédance d’entrée est une fonction
complexe de la fréquence. En effet, elle dépend de celle à l’entrée du multi-couche à base de
l’élément piézo-électrique (I.6) et des caractéristiques de la ligne de propagation électrique (I.7).
Pour l’imagerie haute fréquence, l’adaptation d’impédance réalisée est donc nécessairement le
résultat d’un compromis large bande.

75 0

70 -5
Re(Zc) (Ω)

Im(Zc) (Ω)

-10
65
-15
60
-20

55 -25
20 40 60 80 100 20 40 60 80 100
Fréquence (MHz) Fréquence (MHz)
8
x 10
1.7 0.14
Atténuation (Np/m)

0.12
Vitesse (m/s)

1.6 0.1
0.08
0.06
1.5
0.04
0.02
1.4 0
20 40 60 80 100 20 40 60 80 100
Fréquence (MHz) Fréquence (MHz)

Ajustements linéaires dans la bande de fréquence de 20 à 100 MHz:

Re ( Zc ) = 60 – 4,7.10–8 .f (Ω) Im ( Zc ) = –3,5 + 2,4.10–8 .f (Ω)
v = 1,6.108 + 4,7.10–2 .f (m/s) α = 3,6.10–2 + 8,2.10–10 .f (Np/m)

Figure I.14 : Paramètres secondaires du "câble 50 Ω" utilisé pour les transducteurs haute
fréquence, caractérisés en fonction de la fréquence de 1 à 100 MHz (trait plein bleu) puis ajustés
linéairement de 20 à 100 MHz (trait pointillés rouges).

23
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

Le câble utilisé pour la fabrication de transducteurs est donc caractérisé de 1 à 100 MHz (Figure
I.14) et possède des caractéristiques secondaires qui ont été identifiées en fonction de la fréquence.
L’intérêt d’une telle caractérisation est de montrer que les paramètres secondaires identifiés sont le
plus souvent des paramètres moyens sur une bande de fréquence donnée, et au mieux régis par un
ajustement linéaire ou quadratique. Ainsi, dans la bande de fréquence utile pour les transducteurs
haute fréquence, c’est-à-dire de 20 à 100 MHz, la partie réelle de l’impédance caractéristique varie
de manière linéaire décroissante, de Re ( Zc ) = 60 à 56 Ω. La partie imaginaire de l’impédance
caractéristique évolue de Im ( Zc ) = –3,5 à –1,5 Ω et peut être négligée. La vitesse de propagation
est déterminée autour de v = 1,6.108 m/s. L’atténuation suit une loi d’évolution affine avec la
fréquence de α = 0,048 à 0,116 Np/m.
Ce câble possède donc une impédance caractéristique Zc réelle (la partie imaginaire est négligée)
proche à 10 ou 20 % près de celle typique de 50 Ω recherchée et est décroissante avec la fréquence.
De plus, l’atténuation évolue linéairement avec la fréquence. Ces différences significatives entre les
caractéristiques escomptées et celles effectives doivent être prises en compte pour la réalisation
d’une ligne de transmission adaptée à la charge sur une large bande de fréquence qu’est le
transducteur haute fréquence.

II.4 Synthèse des résultats publiés

Dans les Tableau I.7 et Tableau I.8 qui suivent, sont synthétisés des résultats publiés sur les
transducteurs haute fréquence utilisant les matériaux et/ou les procédés décrits dans les sections
précédentes. Le Tableau I.7 spécifie essentiellement les caractéristiques (procédé de fabrication,
dimensions et matériau utilisé), tandis que le Tableau I.8 donne les performances correspondantes
(de ces mêmes transducteurs) telles que la bande passante et la sensibilité [50, 51]. Concernant la
sensibilité, la comparaison entre les valeurs n’est pas toujours possible puisque la définition varie
selon les méthodes de mesures utilisées.
Sur ces neuf transducteurs haute fréquence, une large gamme de fréquences centrales est
représentée (de 31 à 200 MHz). La majorité des transducteurs ont été conçus pour avoir un f number
compris entre 2 et 3 (Annexe 2). Une résine époxy chargée à l’argent a été utilisée la plupart du
temps pour le milieu arrière. Le parylène, dont le dépôt est homogène, d’épaisseur uniforme et
reproductible, est souvent utilisé pour la lame adaptatrice en face avant.

24
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

e fc Mise en f number / Zar Zav1 Zav2

Matériau Réf.
(µm) (MHz) forme F (mm) (MRa) (MRa) (MRa)

P(VDF-TrFE) 17 34 pressé 2,7/6 15 (Ag epoxy) non non [19]

PVDF 9 48,1 pressé 2-3/- 3,15 (epoxy pur) non non [39]

Cristal LN − 78 pressé 2/- 5,9 (Ag epoxy) 7,3 (Ag epoxy) 2,6 [50]
(Parylène)
Cristal LN 60 44,5 lentille 2-3/- 5,9 (Ag epoxy) 7,3 (Ag epoxy) non [39]

Cristal LN − 200 pressé 1,15/0,8 4,3 (Ag epoxy) non non [51]

Céramique PT 32 45,1 pressé 2-3/- 5,9 (Ag epoxy) 3 (Parylène) non [39]

Fibre composite 32 31 pressé -/17,5 Polymère poreux non non [40]

Sphère creuse PT 70-90 39,8 − -/1.43 6 (Ag epoxy) Parylene non [36]

Film épais PZT − 72 pressé -/2.8 Ag epoxy non non [29]

e : épaisseur du matériau piézo-électrique; f c ; fréquence centrale du transducteur; f number : rapport

distance focale / diamètre; F : distance focale; Zar : impédance acoustique du milieu arrière; Zav1 et
Zav2 : impédances acoustiques des première et seconde lames adaptatrices.

Tableau I.7 : Synthèse des résultats publiés sur les transducteurs haute fréquence – Géométrie et
propriétés.

Matériau D (mm) Adaptation BP (%) ∆z (µm) ∆r (µm) IL (dB) Réf.

P(VDF-TrFE) 2,2 non 70 51 − − [19]

PVDF 3 non 118 − − −45,6 [39]

Cristal LN 3 oui 73 − − −13,5 [50]

Cristal LN 3 oui 74 − − −21,3 [39]

Cristal LN 0,7 − 22 12 14 −18 [51]

Céramique PT 3 oui 47 - - −23,7 [39]

Fibre composite 5 non 118 - - −29,3 [40]

Sphère creuse PT 2 non 33 - - −20,1 [36]

Film épais PZT 1 non 52 20 295 −46 [29]

D: diamètre; Adaptation : ajout d’une inductance et un transformateur; BP: bande passante (–6 dB);
∆z: résolution axiale; ∆r: résolution radiale; IL: pertes d’insertion.

Tableau I.8 : Synthèse des résultats publiés sur les transducteurs haute fréquence – Performances.

25
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

En accord avec les propriétés synthétisées sur la Figure I.1 pour les matériaux piézo-électriques, les
transducteurs mono-éléments intégrant du niobate de lithium LN ou du titanate de plomb PT
donnent actuellement les meilleures performances pour l’imagerie médicale. Le procédé de
focalisation de l’élément actif semble donner de meilleures performances que celui de focalisation
par ajout d’une lentille acoustique [50]. En effet, l’atténuation due à la variation d’épaisseur de la
lentille diminue la sensibilité de plusieurs décibels (–6 dB selon Cannata et al. [50]). De plus, le
cristal de niobate de lithium LN semble être un bon candidat pour l’usinage, car il n’est pas limité
par la taille de grain. Enfin, au regard des performances relevées, le transducteur fabriqué avec du
niobate de lithium LN et doté de deux lames adaptatrices est le plus performant, et permet
d’atteindre des fréquences élevée (autour de 80 MHz).

III Performance
Au cours de cette partie, un processus d’optimisation basé sur la minimisation d’un indice de
performance est détaillé après une brève explication des principales étapes de modélisation d’un
transducteur de configuration simple. Les différents modèles utilisés sont détaillés dans l’Annexe 3
et dans les deux chapitres qui suivent. Cette procédure donne les propriétés de chaque élément
constitutif du transducteur (excepté celles du matériau piézo-électrique) permettant d’obtenir un
compromis satisfaisant pour un transducteur (en imagerie) en terme de sensibilité et de résolution
axiale. Enfin, ces explications préliminaires permettent avant tout, dans le cadre de ce premier
chapitre, de comparer théoriquement les meilleures performances possibles de transducteurs mono-
éléments haute fréquence intégrant les principaux matériaux piézo-électriques disponibles, en
particulier les mono-cristaux piézo-électriques.

III.1 Modélisation
Le comportement électro-acoustique d’un transducteur inclut l’impédance d’entrée électrique (qui
conditionne le transfert d’énergie entre le système d’émission-réception et le transducteur), la
réponse temporelle (dont l’amplitude est liée à la sensibilité et la durée à la résolution axiale et au
contraste axial), et la réponse spectrale (qui définit la fréquence centrale et la bande passante) en
émission-réception. Ces réponses peuvent être données en faisant l’hypothèse d’une vibration uni-
axiale et en utilisant des circuits électriques équivalents tels que KLM [6, 52] (Annexe 3) ou autre
[53]. Toutes les couches du transducteur sont prises en compte, depuis l’excitation électrique
jusqu’au milieu de propagation. La méthode des éléments finis permet aussi de répondre à ce

26
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

besoin, en particulier pour des géométries de dimensions supérieures, comme nous le détaillerons
dans le chapitre suivant.
Le champ de pression rayonné (Annexe 2) permet de définir la résolution latérale, inversement
proportionnelle à la taille de la source, et le contraste latéral, inversement proportionnel à la
résolution à –n dB (le niveau de pression exprimé en dB, en référence à la pression dans l’axe).
L’apparition de lobes secondaires, ou de recouvrement, ont tendance à diminuer le contraste.
Le calcul de champ de pression peut être effectué en appliquant le principe de Huygens, c’est-à-dire
que la surface source est supposée être la somme des contributions ponctuelles pour chaque élément
de surface [54]. Pour une géométrie simple (circulaire, annulaire ou rectangulaire), les résultats
analytiques sont connus et permettent d’obtenir des résultats rapidement [55, 56], aussi bien en
terme de sensibilité que de résolution à –6 dB ou de contraste à –20, –30, ou –40 dB [57]. Au cours
des chapitres 2 et 3, les différentes étapes de la modélisation seront détaillées.

III.2 Optimisation
Des méthodes basées sur la minimisation d’un indice de performance ont été développées [58, 59],
en addition aux résultats analytiques [60, 61] détaillés dans les Annexes 2 et 3. La difficulté
principale est en premier lieu le choix des paramètres pertinents, et en second lieu le poids accordé à
chacun d’entre eux. Ces paramètres sont choisis en fonction de l’application et indépendants de la
configuration du transducteur. De plus, leur calcul ne requiert que la réponse électro-acoustique du
transducteur. Pour l’imagerie médicale, le meilleur compromis entre une haute sensibilité et une
bonne résolution latérale doit être déterminé. Pour quantifier ces propriétés, comme décrit sur la
Figure I.15, les trois paramètres suivants sont définis sur la réponse électro-acoustique : d6
(résolution axiale), d30 (niveau de contraste axial) et amp (sensibilité).

Réponse impulsionnelle

amp
4 Amplitude d6 4Durée à −6dB
de l’enveloppe
d 30 4Durée à − 30dB

Temps (s)

Figure I.15 : Paramètres utilisés pour le calcul d’un indice de performance à partir de la réponse
électro-acoustique d’un transducteur en émission-réception.
27
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

Les poids des paramètres notés (α, β, γ) sont appliqués à (d6 , d30 , amp). Différents essais sur des
configurations test ont montré que le triplet (α, β, γ) = (8, 8, 3) donne un indice de performance
adapté aux contraintes de l’imagerie médicale. L’indice de performance est ainsi défini :
d6 d
IP = α + β 30 − γ ampT0 (I.13)
T0 T0
où T0 est la période correspondant à l’inverse de la fréquence centrale du transducteur. D’autres
indices de performance peuvent être définis [58, 62]. A partir de la configuration initiale du
transducteur, la réponse électro-acoustique puis l’indice de performance IP résultant sont calculés
en utilisant par exemple le modèle KLM (Annexe 3). Avec une méthode de minimisation, telle que
la méthode du simplex, les caractéristiques du transducteur sont modifiées par itération de façon à
obtenir la configuration optimisée selon l’indice de performance IP (I.13).

III.3 Résultats et comparaison

Les principaux matériaux piézo-électriques utilisés pour la fabrication de transducteur mono-
élément sont comparés : le copolymère P(VDF-TrFE), le mono-cristal LiNbO3 (LN), la céramique
au titanate de plomb PbTiO 3 (PT), la céramique Pb(Zr0,47Ti0,53)O3 (PZT), et un mono-cristal
0,67Pb(Mg(1/3)Nb(2/3))O 3 −0,33PbTiO 3 (PMN-33%PT).
Pour toutes ces simulations de transducteurs mono-élément haute fréquence, trois paramètres ont
été fixés : la fréquence centrale du transducteur (f 0 = 50 MHz), la surface active de l’élément piézo-
électrique (D = 3 mm, soit une surface S = 7 mm2 ), et la longueur du câble coaxial (L = 1,5 m).
L’épaisseur du matériau actif est ajustée pour atteindre la fréquence centrale recherchée, et une
lame adaptatrice est considérée pour toutes ces optimisations. Une inductance et un transformateur
sont aussi pris en compte (Figure I.16) dans le processus d’optimisation. Le Tableau I.9 donne tous
les paramètres extraits de la littérature des matériaux piézo-électriques pour les simulations.

Adaptation
3 mm
Eau électrique

1,5 m

Figure I.16 : Schéma d’un transducteur mono-élément simulé.

28
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

Matériau ε33,rS k t (%) ρ (kg/m3 ) cl (m/s) δ e (%) δm (%) Z (MRa) Réf.

P(VDF-TrFE) 4,1 33 1932 2380 6,9 4,0 4,6 [19]
LN 28 49 4640 7340 0,1 0,01 34,1 [39]
PT 200 49 6900 5200 0,9 0,83 35,9 [39]
PZT 800 50 7900 4390 2,5 2,7 34,7 [63]
PMN-33%PT 712 62 8060 4645 − − 37,4 [64]
ε33,rS : permittivité diélectrique relative à déformation constante; k t : coefficient de couplage en
mode épaisseur; ρ : masse volumique ; cl : vitesse longitudinale; δ e : pertes diélectriques; δ m : pertes
mécaniques ; Z : impédance acoustique.
Tableau I.9 : Caractéristiques des matériaux piézo-électriques utilisés pour les simulations de
transducteurs mono-éléments haute fréquence.

L’optimisation des performances pour chaque transducteur permet de déterminer les

caractéristiques de la lame adaptatrice (impédance acoustique et épaisseur), du milieu arrière
(impédance acoustique seulement, car ce milieu est considéré semi-infini), la valeur de l’inductance
et le rapport de transformation. Ces résultats sont résumés dans le Tableau I.10, avec les valeurs des
pertes d’insertion (calculées comme étant le rapport entre les puissances reçue et émise par le
générateur en émission-réception), et une bande passante relative à –6 dB.
Ces simulations ne prennent pas en compte les possibilités de focalisation avec l’addition d’une
lentille. Ces résultats permettent, pour une configuration identique, de quantifier le gain et de
comparer les matériaux piézo-électriques comme l’illustrent les réponses impulsionnelles
présentées sur la Figure I.17. Compte tenu d’un k t relativement faible, les transducteurs à base de
P(VDF-TrFE) ont une sensibilité relativement faible en comparaison avec les autres simulations.
Les résultats pour le PT et le PZT sont similaires. L’adaptation électrique permet de compenser les
différences de constantes diélectriques. Le transducteur simulé à partir du mono-cristal LN donne
une bande passante semblable, mais une sensibilité plus faible car sa permittivité diélectrique est
faible. Pour finir, celui à base du cristal PMN-PT permet d’obtenir un meilleur compromis en terme
de sensibilité et de bande passante.

29
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

Matériau e (µm) Zar (MRa) Zav1 (MRa) eav1 (λ/4) Adaptation BP (%) IL (dB)
P(VDF-TrFE) 22,4 1,2 2 1,5 oui 71 26
LN 69,6 4,5 4 1,2 oui 70 23,4
PT 51,0 4,3 4,3 1,2 oui 53 19,7
PZT 43,1 4 4,2 1,2 oui 54 20,6
PMN-33%PT 44,3 2,7 4 1,0 oui 68 22
e : épaisseur du matériau piézo-électrique; Zar et Zav1 : impédances acoustiques du milieu arrière et
de la lame adaptatrice ; eav1 : épaisseur de la lame adaptatrice exprimée en quart d’onde;
BP : bande passante relative à –6 dB; IL : pertes d’insertion.
Tableau I.10 : Dimensions et paramètres acoustiques des transducteurs mono-éléments haute
fréquence.

2 LiNbO 3
LN PT PZTsoft
PZT PMN-33%PT

P(VDF- TrFE)
Amplitude (V)

-1

-2

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

Temps (µs)

Figure I.17 : Réponses électro-acoustiques des transducteurs mono-éléments simulés.

IV Caractérisation du transducteur
Dans cette dernière partie, les méthodes existantes de caractérisation de matériaux passifs et de
transducteurs spécifiques à la haute fréquence sont rappelées. Les définitions standard des
caractéristiques des réponses électro-acoustiques et du diagramme de rayonnement sont rappelées
dans l’Annexe 2.

IV.1 Matériaux passifs

La spectroscopie acoustique est généralement utilisée pour mesurer les propriétés haute fréquence
des matériaux passifs. Une mesure en émission réception, décrite par Selfridge permet d’obtenir les

30
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

propriétés approximatives des matériaux [65]. Une autre méthode décrite par Wang et al. [66, 67]
consiste à effectuer une mesure en transmission. Ces mesures, en émission-réception ou en
transmission permettent de déterminer la vitesse longitudinale et l’atténuation, ainsi que la vitesse
transverse pour la seconde méthode. Le dispositif expérimental pour la mesure en transmission est
présenté sur la Figure I.18. Une attention particulière doit être apportée à l’atténuation dans l’eau
qui ne peut pas être négligée en haute fréquence :
α eau = 2,4.10–3 dB/mm/(MHz) 2

Générateur/Amplificateur

Oscilloscope
x
0
z
y

Transducteur HF (E) Transducteur HF (R)

Eau Matériau passif

Figure I.18 : Dispositif de mesure de la vitesse longitudinale et de l’atténuation par transmission.

Plus récemment, une méthode alternative pour caractériser les couches passives fines a été publiée
par Wang et al. [68]. Cette méthode est bien adaptée à la caractérisation de lames adaptatrices
(épaisseur d’une dizaine de micromètres) pour les applications haute fréquence. Le principe
consiste à déposer une couche (à peu près quart d’onde) sur un substrat parfaitement connu
(propriétés acoustiques et dimensions). Ensuite, le signal transmis est utilisé dans son intégralité
(somme des échos de transmission et réflexions multiples ui en sortie de la couche analysée) pour
obtenir la vitesse de phase et l’atténuation comme illustré sur la Figure I.19 :

u3
u2
u u1

eau substrat couche eau

Figure I.19 : Dispositif expérimental pour la caractérisation de couche fine par transmission [68].

31
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

IV.2 Mesures électro-acoustiques

L’impédance électrique d’entrée peut être mesurée directement en utilisant un analyseur de réseaux
ou d’impédance, la face avant du transducteur étant en contact avec un milieu d’impédance proche
de celle de tissus biologiques ou de l’eau. Les plages de fréquences utilisées vont typiquement d’un
dixième de la fréquence de résonance de l’élément piézo-électrique, jusqu’à deux fois cette même
fréquence.
La mesure de l’écho obtenu en réponse à une excitation est obtenue en excitant le transducteur avec
une impulsion de fréquence au moins double de celle de résonance de l’élément actif, et en
mesurant l’écho réfléchi sur un miroir acoustique (impédance grande devant celle du milieu de
propagation) immergé dans l’eau. L’écho reçu est caractérisé : la durée à –6 dB de l’enveloppe, le
spectre et la bande passante à –6 dB sont calculés. Si un train d’onde est émis à la place d’une
impulsion, la sensibilité peut aussi être déterminée, comme décrit sur la Figure I.20, avec le rapport
des amplitudes de l’écho et du train d’onde pour une fréquence donnée. Cette caractérisation n’a
rien de spécifique aux mesures en haute fréquence. Bien qu’elle ne soit pas spécifique au domaine
de la haute fréquence, la mesure de la résolution axiale et de la sensibilité permet d’évaluer la
performance du transducteur.

V Résolution axiale
Sensibilité S = 20 log (Aécho /Aémis)
V
Aémis
Excitation t Aécho
V
A Enveloppe de l’écho
t
A/2
t Train d’onde émis Echo
∆ t-6dB

(a) (b)
Figure I.20 : Mesures de (a) résolution axiale et de (b) sensibilité

IV.3 Mesure du champ de pression

Le champ rayonné peut être mesuré en transmission à l’aide d’un hydrophone en réception qui
balaye un demi plan contenant l’axe de symétrie du transducteur. Pour chaque point balayé,
l’amplitude de l’écho reçu est enregistrée. Le diamètre effectif de l’hydrophone doit être le plus
faible possible : plus faible que la largeur du faisceau et plus faible que la longueur d’onde dans
l’eau, de façon à éviter les effets de diffraction. Ces conditions deviennent difficilement applicables

32
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

pour la caractérisation de transducteurs haute fréquence (au-delà de 20 MHz). Dans le cas d’une
mesure en émission-réception, la cible utilisée doit aussi être de petites dimensions ; typique ment,
on prend une pointe d’aiguille ou une bille de très faible diamètre. De plus, elle ne doit pas être
source d’écho parasite. La résolution radiale et la profondeur de champ sont mesurées comme
spécifié sur les illustrations Figure I.21.

V V

Résolution latérale Profondeur de champ

A max
A max DOF
R lat (-6dB) Amax /2
A max /2

x ou y Distance focale z

(a) (b)
Figure I.21 : Mesure du champ rayonné : (a) résolution radiale et (b) profondeur de champ.

Spécifiquement pour les transducteurs haute fréquence, une méthode alternative consiste à utiliser
des fantômes incluant des fils de tungstène de quelques micromètres de diamètre avec différents
espacements axiaux et radiaux connus (typiquement de 30 à 500 µm) dans un gel. Les images
obtenues permettent d’évaluer les résolutions effectives avec le transducteur intégré dans un
dispositif d’imagerie.
Par ailleurs, un émetteur laser peut être utilisé pour mesurer par interférométrie les déplacements

d’ondes acoustiques. Avec cette méthode, la sensibilité atteint jusqu’à 1 pm / Hz [69] et permet
d’obtenir une excellente résolution spatiale pour des applications haute fréquence (typiquement 10
nm à 100 MHz). La variation de phase entre le rayon optique réfléchi sur le miroir et celui de
référence correspond à un déplacement. Pour un transducteur focalisé, une membrane métallisée
très fine peut être disposée perpendiculairement à l’axe de propagation du transducteur. Pour
chaque valeur, le déplacement est mesuré sur la membrane et le champ rayonné est reconstruit [70].
Une autre possibilité est d’utiliser le dispositif expérimental décrit sur la Figure I.22, où le faisceau
optique et le miroir sont perpendiculaires à l’axe de symétrie du transducteur [71]. Dans ce cas, la
variation de phase est seulement due à la variation de l’indice optique induit par la source de
pression acoustique. Il s’agit d’une méthode de mesure intégrale : les données sont collectées pour
plusieurs positions radiales dans le plan normal à l’axe de symétrie, et une reconstruction
tomographique permet d’obtenir le champ de pression.

33
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

y Miroir
x

y z
Transducteur z

Laser

Figure I.22 : Dispositif expérimental pour la mesure de pression acoustique par méthode optique.

Ce processus de mesure peut être répété à différentes profondeurs pour obtenir le champ rayonné
dans un espace (r, z) défini [72, 73]. En utilisant cette technique, des mesures ont été effectuées
(Figure I.23) sur un transducteur mono-élément avec une fréquence centrale de 20 MHz [67].

Figure I.23 : Evolution du faisceau acoustique (transducteur à 20 MHz) de 7 à 19 mm.

V Conclusion et perspectives
Les transducteurs mono-éléments ont été le sujet d’intérêt de nombreux projets de recherche dans
les années passées, et plusieurs technologies de fabrication ont été développées, dont un certain
nombre sont maintenant industrialisées. Les dimensions typiques à retenir sont données pour une
fréquence centrale f 0 autour de 50 MHz, un f number de 2,5, une distance focale F de 7,5 mm, et une
bande passante relative de 60 %. Ainsi, on obtient un rayon du disque piézo-électrique a de 1,5 mm
et une épaisseur de cet élément actif e de 45 µm. Les résolutions axiale ∆z et radiale ∆r
correspondantes sont respectivement de 30 et 75 µm, et la profondeur de champ DOF est d’environ
1,3 mm. Les transducteurs haute fréquence produits en premier lieu étaient à base de polymère,
mais plus récemment, ceux fabriqués à base de céramique ou de mono-cristal ont montré de
meilleures performances. Actuellement, l’utilisation de niobate de lithium directement pressé pour
la focalisation équipé de deux lames adaptatrices donne de très bons résultats, avec une fréquence

34
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

de résonance atteignant les 80 MHz comme l’a publié Cannata et al. [50]. Cependant, d’un point de
vue purement théorique, les cristaux de types PMN-PT délivrent les meilleurs résultats en terme de
compromis entre la sensibilité et la résolution axiale.

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39
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

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40
Chapitre I Matériaux pour la haute fréquence

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41
Matériaux pour la haute fréquence Chapitre I

42
Chapitre II Modélisation et rayonnement

Equation Section (Next)

CHAPITRE II : MODELISATION TRIDIMENSIONNELLE D’ UN

TRANSDUCTEUR ULTRASONORE MONO - ELEMENT FOCALISE

Dans ce chapitre, nous allons mettre en œuvre les moyens de modélisation du diagramme de
rayonnement d’un transducteur ultrasonore focalisé afin d’améliorer à la fois la sensibilité et la
résolution latérale au point focal. L’objet de la modélisation est un transducteur circulaire plan
focalisé au moyen d’une lentille acoustique concave. La prise en compte de cette lentille nécessite
l’utilisation de modèles 3D tels que la modélisation par éléments finis. Celle-ci permet de prendre
en compte la géométrie axisymétrique et les vibrations radiales induites lors de la transduction qui
viennent s’ajouter au premier mode de vibration longitudinale recherché. Si les éléments finis
permettent de modéliser la transduction dans une structure mécanique de géométrie quelconque, ils
sont peu performants pour ce qui est de la propagation dans un milieu fluide homogène. Nous avons
donc développé et implémenté sous différentes formes que nous comparerons un code de
propagation basé sur l’intégrale de Rayleigh.

I Modélisation par éléments finis

La modélisation par éléments finis consiste à résoudre l’équation de la dynamique sur de petits
éléments, de faibles dimensions devant la longueur d’onde d’intérêt. Le découpage usuellement
adopté est basé sur des éléments quart d’onde, et doit être adapté et optimisé à la configuration
géométrique et à la méthode de résolution. Nous avons utilisé le logiciel ATILA développé par
l’ISEN de Lille et commercialisé par la société CEDRAT TECHNOLOGIES qui permet d’intégrer la
piézo-électricité ainsi que les pertes électriques ou mécaniques dans les matériaux [1]. Dans un
premier temps, nous avons ainsi calculé la pression générée à la surface du transducteur ou après
propagation sur quelques longueurs d’onde dans le milieu de propagation.

I.1 Equations de résolution par éléments finis

I.1.1 Principe – Equation
La résolution par éléments finis consiste à résoudre l’équation de la dynamique pour des volumes
élémentaires élastiques sur lesquels des forces sont appliquées. Ainsi, l’équation de la dynamique se
note de façon générale :

43
Modélisation et rayonnement Chapitre II

•• •
[ M ][U ]+ [ C ][U ]+ [ K '][U ] = [ F ] (II.1)

où [M ] la matrice de masse généralisée,

[C ] la matrice d’amortissement généralisée,

[ K '] la matrice de rigidité généralisée,

• ••
[U ] , [U ], [U ] le vecteur déplacement, ses dérivées temporelles première et seconde,

[F] le vecteur de forces généralisées.

La résolution de l’équation (II.1) sans second membre ([F] = [0]) et sans amortissement ([C] = [0])
permet de déterminer les modes propres de la structure modélisée.

I.1.2 Prise en compte des pertes

La matrice de rigidité pour un matériau piézo-électrique (Equation A1.7) est constituée de la
matrice de rigidité mécanique sE, la matrice piézo-électrique d, et la matrice diélectrique ε T :

 s E = sE '− js E " δ m = −s E "/ s E '

 
 d = d '− jd " ⇒  δ p = −d "/ d ' (II.2)
ε T = ε T '− jε T "  δ = −ε T "/ ε T '
  e

I.1.2.1 Pertes constantes

Pour la résolution en régime harmonique, l’amortissement est inclus dans la composante imaginaire
du terme de rigidité [K] sous forme d’une fonction linéaire avec la fréquence f :

Im ([ K ]) = ω [C ] = 2π f [C ]

et induit des pertes indépendantes de la fréquence :

δ = δ0

I.1.2.2 Pertes dispersives

Pour la résolution en régime transitoire, l’amortissement est inclus dans la composante imaginaire
du terme de rigidité [K] sous forme d’une constante :

Im ([ K ]) = ω 0 [ C ] = 2π f 0 [ C ]

et induit des pertes directement linéairement dépendantes de la fréquence :

44
Chapitre II Modélisation et rayonnement

f
δ = δ0 (II.3)
f0
Ces pertes se retrouvent incluses dans le terme de rigidité sous forme de composante imaginaire :

[ K ] = [ K '] + j [ K "] = [ K ']. (1 + jω [ K '] [ C]) = [ K '] .(1 + jδ )

−1
(II.4)

I.1.3 Ecriture généralisée de la matrice de rigidité

L’équation de la dynamique se résume alors à l’équation matricielle qui suit :
•• •
[ M ][U ]+ [ C ][U ]+ [ K '][U ] = [ F ] (II.5)

⇔ −ω 2 [ M ][U ] + jω [ C ][U ] + [ K '][U ] = [ F ]

⇔ ( [ K ] − ω [ M ] ) [U ] = [F ]
2
avec [ K ] = [ K '] + jω [C ]

[ Kuu ] − ω 2 [ M s ] [ KuΦ ]  Kuφ  [ KuI ] − [L ] 

  U   F 
 [ KuΦ ] [ KΦΦ ] [ 0] [0] [ ]   
t
0 
   Φ   −q 
 [0 ] [0]  φ =  − f 
t
⇔  Kuφ   Kφφ   Kφ I 
    
  I   − fb 
[ KuI ] [0 ] [ II ] [ ] 
t
 Kφ I 
t
K 0
   P   ρc 2ψ 
 − ρ 2 c 2ω 2 [ L]t    
 [0 ] [0 ] [0 ] [ H ] − ω  M f  
2

avec les scalaires :

ρ la masse volumique du fluide (kg/m3 ),

c la vitesse dans le fluide (m/s),

ω la pulsation (rad/s),
les vecteurs des valeurs nodales :
U de déplacement,
Φ de potentiel électrique,
φ de potentiel magnétique,
I de courant d’excitation,
P de pression,
F de forces appliquées,
q de charges électriques,
f du flux magnétique réduit au travers des limites du domaine magnétique,

fb du flux magnétique réduit vu pour le courant induit,

45
Modélisation et rayonnement Chapitre II

ψ de dérivée normale de la pression à la surface de la structure,

et les matrices :
[ Kuu ] de rigidité,

[ Ku Φ ] de couplage piézo-électrique,

 Kuφ  de couplage piézo-magnétique,

[ KuI ] de couplage source-structure,

[ KΦΦ ] diélectrique,

 Kφ I  de couplage de source magnétique,

 Kφφ  de (pseudo-)rigidité magnétique,

[ K II ] d’inductance dans le vide,

[Ms ] de masse consistante de la structure,

[H] de (pseudo-)rigidité du fluide,

 M f  de (pseudo-)masse consistante du fluide,

[ L] de couplage à l’interface solide-fluide (matrice de connectivité).

I.2 Méthodes de résolution

La résolution de l’équation de la dynamique (II.5) pour la configuration choisie peut se faire soit par
une méthode de résolution en régime harmonique, soit par une méthode de résolution en régime
transitoire. Dans notre cas, la propagation dans un milieu fluide ne peut se faire en régime
harmonique qu’à la condition de disposer des éléments absorbants en champ lointain, ce qui
nécessite un maillage très important du milieu fluide. Une résolution en régime transitoire est
préférée, ne nécessitant un maillage que sur une distance plus courte, permettant d’éviter les
perturbations d’un écho sur le fond du maillage fluide. Le schéma de résolution général reste
toujours le même [1, 2], basé soit sur une écriture en différences finies, soit développé en série de
Taylor. Ces formalismes de résolution sont basés sur l’hypothèse que la solution exacte et ses
dérivées sont continues. Comme l’illustre le schéma Figure II.1, la méthode de résolution itérative
pour déterminer la solution [U] de l’équation de la dynamique (II.5) est paramétrée en temps par les
indices (k, q) et ses dérivées temporelles d’ordre (m, p) en exposant :

46
Chapitre II Modélisation et rayonnement

[ F ]n+k [U ]n , [U ]n ,[U ]n ( ,[U ]n−1 ) [U ]n+ k [U ]n+ q [U ]n +q

(2) (1) ( m) ( p) ( p −1)

Figure II.1 : Schéma général de résolution en régime transitoire.

Ainsi, le vecteur de force (excitation) [F]n+k permet, au moyen de l’équation de la dynamique (II.5),
de déterminer successivement les vecteurs (réponses) [U]n+k(m), [U]n+q(p) , et [U]n+q(p-1) . Ces derniers
sont respectivement un déplacement, une vitesse ou une accélération selon que les nombres de
dérivées temporelles (m, p et p–1) valent 0, 1 ou 2.

I.2.1 Méthode des différences finies

I.2.1.1 Ecriture générale
Les méthodes de résolution en régime transitoire sont basées sur une même écriture itérative de
l’équation de la dynamique. La plus connue pour sa simplicité est la méthode des différences finies,
et consiste en une écriture discrète de la dérivation relativement au temps :

∂u • u ( t + dt ) − u ( t )
= u (1) ( t ) = u ( t ) = lim (II.6)
∂t dt → 0 dt
devient selon le schéma de résolution considéré :
• u ( t n + ∆t ) − u ( t n ) • u ( t n ) − u ( t n − ∆t )
u (t n ) = ou u (t n ) =
∆t ∆t
• u ( t n + ∆t ) − u ( tn − ∆t )
ou u (t n ) = .
2∆t
Le pas de temps est noté ∆t et l’instant considéré n∆t est noté t n . La dernière méthode, moyenne des
deux expressions précédentes, est appelée différence centrale. La même démarche est utilisée pour
les dérivées d’ordre supérieur, et l’équation (II.5) devient :
k a ,max kb ,max

∑ a [U ] k n− k + 2 ∑ b [U ] k n− k + 2
[M ] k =1
+ [C ] k =1
+ [ K '][U ]n = [ F ]n+1
( ∆t ) ∆t
2

Les paramètres ak et bk dépendent de la méthode choisie, et k a,max et k b,max sont le nombre de

coefficients pris en compte.

47
Modélisation et rayonnement Chapitre II

I.2.1.2 Différence centrale

La méthode des différences finies repose sur ce type de formalisme, et la méthode de la différence
centrale en est une des variantes. La somme des coefficients ai et bi reste nulle, privilégiant soit
l’instantanéité et la simplicité (parfois instable), soit la stabilité (avec un effet mémoire, conditionné
par le nombre de termes entrant en compte, ici limité à 3) et la complexité de la formulation :
•
[U ]n+1 − [U ]n −1
[U ]n = d’où ka,max = 3 et (a1 , a2 , a3 ) = (1/2, 0, −1/2)
2∆ t
••
[U ]n+1 − 2 [U ]n + [U ]n−1
et [U ]n = d’où kb,max = 3 et (b1 , b2 , b3 ) = (1, −2, 1)
( ∆t )
2

Cette méthode tient son nom de l’expression de la dérivée au premier ordre qui est donnée par la
moyenne des dérivées numériques locales exprimées pour deux indices consécutifs. La condition de
convergence est satisfaite si πf max ∆t < 1.
Le schéma de résolution consiste à exprimer pour chaque itération n, la grandeur [U]n+1 en fonction
de l’excitation [F]n+1 , de [U]n–1 , de [U]n et ses dérivées première et seconde relativement au temps.
Les paramètres correspondants au schéma de résolution (Figure II.1) sont identifiés : les indices
sont obtenus pour (k, q) = (1, 0) et les dérivées d’ordre (m, p) = (0, 2).

I.2.2 Développement en série de Taylor

Il existe d’autres méthodes basées sur un développement en série de Taylor, auquel cas l’écriture de
la méthode de résolution peut s’écrire de façon générale. La condition de convergence de ces
méthodes est déterminée par le nombre de termes pris en compte lors du développement en série.
Encore une fois, plus le développement est long (plus la méthode de résolution est complexe),
meilleures sont la convergence et la précision du résultat numérique :

( ∆t )
k max k

[U ]n+1 = ∑ [U ]n
( m) ( m)

k=0 k!
et les dérivées d’ordre m supérieur à 2 déterminées par différences finies avec k termes coefficients :
ktermes

[U ]n = ∑ a [U ]
( m) (2)
k n+ k
avec m > 2, et k termes ≥ m–1
k =0

48
Chapitre II Modélisation et rayonnement

I.2.2.1 Méthode de Newmark

La méthode de Newmark de paramètres (β, γ) consiste à utiliser un développement de Taylor pour
déterminer la grandeur dérivée à l’ordre m pour l’incrément de temps n+1, en fonction de
l’incrément n et des dérivées d’ordre supérieur ou égal à m (avec m ≤ 2) :
•• ••
( ∆t ) ( ∆t ) [U ]n+1 − [U ]n
2 3
• ••
[U ]n+1 = [U ]n + ∆t [U ]n + [U ]n + ( 6 β ) (II.7)
2 6 ∆t
•• ••
( ∆t ) [U ]n+1 − [U ]n
2
• • ••
et [U ]n+1 = [U ] n+ ∆t [U ] n + ( 2γ ) (II.8)
2 ∆t
A partir de l’expression de [U] et de ses dérivées par rapport au temps à l’instant n+1, l’équation de

la dynamique est résolue par itérations successives. Pour chaque itération n, la grandeur [U ]n+1 est
(2)

calculée en fonction de l’excitation [F]n+1 , de [U]n et ses dérivées première et seconde relativement
au temps. Les paramètres correspondants au schéma de résolution (Figure II.1) sont identifiés : les
indices sont obtenus pour (k, q) = (1, 1) et les dérivées d’ordre (m, p) = (2, 1). La convergence est
obtenue à la condition où γ ≥ ½ ≥ β s’écrit πfmax ∆t < 1/(2γ–4β)2 . Cependant, des valeurs γ > ½,
induisent un amortissement numérique qui se traduit par un filtrage passe-bas et donc une
modification du spectre. La formulation de Newmark paramétrée par (β, γ) permet de retrouver les
formulations connues sous le nom de méthode de la différence centrale (0, ½), méthode de
l’accélération moyenne (¼, ½) ou méthode de l’accélération linéaire (1 /6 , ½).

I.2.2.2 Méthode de Wilson-θ

L’introduction du paramètre θ a pour but de palier aux oscillations observées autour de la solution
exacte. Elle consiste donc à prendre des incréments de temps non entiers afin de moyenner les
perturbations. Ainsi, le développement en série de Taylor est écrit pour le pas de temps modifié θ∆t,
pondéré avec 1 ≤ θ ≤ 2. En effet, pour toute fonction dérivable, le critère de convergence est
fonction du pas de temps et de l’ordre du développement en série de Taylor. Pour un ordre fixé, ce
qui est le cas pour la méthode de Wilson- θ, le critère de convergence se limite donc au pas de
temps :

[U ] n+θ + (θ − 1) [U ]n [U ] n+θ − [U ]n
(m ) ( m) (m ) ( m)

[U ]n +1 = = [U ]n
( m) ( m +1)
⇔
θ θ∆t
En particulier pour m = 2, un développement en série de Taylor pour l’indice n+θ donne :

49
Modélisation et rayonnement Chapitre II

•• ••
(θ∆t ) (θ∆t ) [U ]n+θ − [U ]n
2 3
• ••
[U ]n +θ = [U ]n + θ∆t [U ] n + [U ]n + (II.9)
2 6 θ ∆t
•• ••
(θ∆t ) [U ]n +θ − [U ]n
2
• • ••
et [U ]n +θ = [U ]n + θ∆t [U ]n + (II.10)
2 θ∆t
La stabilité de cette méthode est difficile à démontrer, mais est prouvée pour des valeurs de θ

supérieures à 1,366. Pour chaque itération n, la grandeur [U ]n+θ est calculée en fonction de
(2)

l’excitation [F]n+θ, de [U]n et ses dérivées première et seconde relativement au temps. Les
paramètres correspondants au schéma de résolution (Figure II.1) sont identifiés : les indices sont
obtenus pour (k, q) = (θ, θ) et les dérivées d’ordre (m, p) = (2, 1).

I.3 Optimisation du maillage

Afin de déterminer les maillages radial et longitudinal optimaux, nous avons effectué des
modélisations par éléments finis de configurations comparables avec différents modèles mono-
modaux. Nous avons ainsi étudié par une analyse modale les modes propres de vibration de
structures cylindriques sans pertes. De même, l’impédance d’un disque piézo-électrique avec pertes
en résonateur libre a été calculée par une résolution harmonique dans le vide, et comparée avec
celle établie par le standard IEEE [3] (Equation A2.19). Enfin, le déplacement à la surface d’un
transducteur axisymétrique multicouche mono-élément a été calculé par une résolution transitoire et
a été comparé à celui obtenu par une modélisation avec le schéma KLM (Figure A2.4).

I.3.1 Analyse modale – Densité du maillage

Une analyse modale a été réalisée sur chacune des couches constituant le transducteur mono-
élément étudié, respectivement le milieu arrière, le disque piézo-électrique, la lame adaptatrice, et la
lentille acoustique (Annexe 5). Les fréquences des modes propres de vibration relevés ont été
comparées à celles données par le standard IEEE [3], Brissaud [4-6] et Lunde et Vestrheim [7].

I.3.1.1 Modes épaisseurs

Afin de satisfaire l’hypothèse de vibration unidimensionnelle, les fréquences des modes
longitudinaux (selon l’épaisseur) ont été déterminées suite à une analyse modale réalisée avec les
déplacements radiaux bloqués et comparées avec la formule classique :
cl
f nlongitudinal
, =n (II.11)
2e
50
Chapitre II Modélisation et rayonnement

où f n,longitudinal est la fréquence du nième mode longitudinal, cl la vitesse longitudinale et e l’épaisseur.

I.3.1.2 Modes radiaux

Les résultats obtenus pour les fréquences des modes radiaux ont été comparés aux formulations
théoriques (II.12) et (II.13) données respectivement par Brissaud [4-6] et Lunde et Vestrheim [7].
La formulation usuelle (II.12) est approchée, tandis que la formulation (II.13) est plus précise et
inclut un terme correctif du second ordre :
θ nc p
f nradiale = (II.12)
2π a
,

θ nc p 1c θ e
et f nradiale = . 1−  p n  (II.13)
2π a
,
3  cl 2a 

où :
a est le rayon du disque,
θ n est la nème solution de : θ J 0 (θ ) − (1 −ν ) J 1(θ )= 0 , et Jn est la nième fonction de Bessel,

E
cp = ,
ρ (1 − ν 2 )

c33D
et cl = ,
ρ

avec E le module d’Young, ν le coefficient de Poisson, ρ la masse volumique et c33D le coefficient

d’élasticité à induction électrique constante selon la direction épaisseur.

I.3.1.3 Résultats
La condition d’échantillonnage de Shannon a été appliquée pour une bande passante allant de 0 à
f max = 2f 0 , où fmax est la fréquence maximale définie comme le double de celle de la fréquence
d’anti-résonance fondamentale f 0 . Le maillage basique de longueur quart d’onde a donc été affiné
par le coefficient K jusqu’à obtenir une convergence numérique des résultats obtenus :
λ0 cl
emaille,min ≤ K et λ0 = (II.14)
4 f0

où K est le coefficient d’ajustement du maillage de base quart d’onde (0 < K ≤ 1), cl la vitesse
longitudinale et f 0 la fréquence de la fréquence traitée.

51
Modélisation et rayonnement Chapitre II

Les résultats calculés ont été limités au premier harmonique, et le maillage a été optimisé pour une
telle configuration. En effet, par la suite, la modélisation effectuée se restreindra à la bande de
fréquence d’intérêt utile, de 0 à 2f 0 , où f 0 est la fréquence du premier mode épaisseur (Tableau II.1).
La densité de maillage du milieu arrière absorbant n’a pas été accrue car l’information propagée
doit être atténuée. Cependant, pour l’élément actif et ceux situés en face avant, la densité du
maillage est renforcée de façon à permettre la non altération du spectre utile.

Matériau Milieu arrière Disque piézo-électrique Lame adaptatrice Unité

Maillage pour le λ0
0,8 0,4 0,5
mode épaisseur 4
Mode épaisseur
2,178 43,48 88,462 MHz
(IEEE [3])
Mode épaisseur
2,178 43,661 88,483 MHz
(Eléments finis)
Maillage pour le λ0
0,2 0,2 0,2
mode radial 4
Mode radial
0,456 1,070 0,535 MHz
([4])
Mode radial
0,448 1,070 0,535 MHz
([7])
Mode radial
0,444 1,230 0,535 MHz
(Eléments finis)

Tableau II.1 : Comparaison des fréquences propres calculées par ATILA et par les modèles [3-7].

Des méthodes de mesure optique ou d’impédancemétrie permettent de vérifier expérimentalement

les résultats obtenus ci-dessus. Les fluctuations d’amplitude par interférométrie (amplitude-
fluctuation electronic speckle pattern interferometry, AF-ESPI) et la vibrométrie laser par effet
Doppler (laser Doppler vibrometer, LDV) décrites et utilisées par Huang et al. [8] permettent de
retrouver ces résultats avec une très bonne précision.

52
Chapitre II Modélisation et rayonnement

I.3.2 Analyse en régime harmonique – Impédance

Un transducteur composé seulement d’un milieu arrière absorbant et d’un disque piézo-électrique
est analysé en régime harmonique dans le vide. Après ajustement du maillage du disque piézo-
électrique, puis du milieu arrière, le résultat obtenu est comparé par superposition à celui calculé par
le modèle unidimensionnel KLM. Les paramètres de densité de maillage (II.14) pour le milieu
arrière et pour l’élément piézo-électrique Kmar = 0,8 et Kp = 0,25 sont suffisant pour obtenir une
excellente convergence. Les courbes d’impédance obtenues (Figure II.2) témoignent d’un
ajustement parfait entre ces deux résultats.

Figure II.2 : Superposition des parties réelle et imaginaire des impédance et admittance calculées
avec ATILA (bleu) et KLM (rouge) pour un transducteur constitué d’un milieu arrière, et d’un
disque piézo-électrique, dans le vide.

De façon similaire, les maillages des lames adaptatrices ajoutées en face avant sont ajustés jusqu’à
observer la convergence sur le spectre d’impédance calculé par le modèle KLM.

I.3.3 Analyse en régime transitoire – Ajustement du maillage

Le déplacement impulsionnel est calculé à la surface du transducteur par une analyse en régime
transitoire, et le résultat obtenu est comparé à celui donné par un modèle unidimensionnel KLM
53
Modélisation et rayonnement Chapitre II

(Annexe 3). Après plusieurs tests, la méthode de résolution de Wilson– θ est choisie avec le
paramètre θ = 2. Elle est la seule méthode de résolution qui converge (avec θ = 2) vers la solution
exacte pour les matériaux piézo-électriques avec pertes ([1], Chapitre I.2, p.16). Le maillage est
alors ajusté avec le paramètre densité du maillage (II.14) couche par couche, depuis l’élément actif,
jusqu’au milieu de propagation fluide.

I.3.3.1 Dans le vide

Afin d’ajuster le paramètre de densité du maillage (II.14) du disque piézo-électrique Kp , une analyse
en régime transitoire a été effectuée. Un disque piézo-électrique dans le vide, avec des pertes
dispersives, est excité avec une demie arche de sinus de fréquence f exc (impulsion très large bande :
f exc > 20f0 ). Le paramètre de densité de maillage (II.14) est accru Kp = 0,25 de façon à limiter le
déphasage observé après quelques périodes (Figure II.3 (a)). La réponse temporelle résultante a une
enveloppe en exponentielle décroissante, et un spectre faisant ressortir principalement la
composante fondamentale et le troisième harmonique (Figure II.3 (b)).

-10
x 10
Spectre du déplacement (µm.s)

0.015 8

0.01

6
Déplacement (µm)

0.005

0 4

-0.005

-0.01

-0.015 0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

Temps (µs) Fréquence (MHz)

(a) K = 0,25 (b) K = 0,25

Figure II.3 : Comparaison (a) des déplacements et (b) spectres correspondants calculés avec les
modèles ATILA (bleu, Kp = 0,25) et KLM (rouge) à la surface du disque piézo-électrique dans l’air.

De la même manière, les maillages des milieux passifs avant et arrière sont ajustés jusqu’à observer
la convergence sur le fondamental du spectre donné par le modèle KLM.

I.3.3.2 Dans l’eau

Enfin, le maillage est ajusté pour le milieu fluide de propagation étudié : l’eau. Le déplacement
temporel et son spectre (Figure II.4 (a) et (b)) montrent un bon accord entre les résultats ATILA et

54
Chapitre II Modélisation et rayonnement

KLM avec une densité de maillage (II.14) du milieu fluide ajustée à Keau = 0,8. L’allure est
relativement fidèle pour le fondamental, malgré un léger décalage, mais le troisième harmonique est
déjà complètement atténué. En effet, le coefficient d’ajustement de densité du maillage Keau n’est
pas suffisant pour le troisième harmonique, ni pour les harmoniques d’ordre supérieur. Leur calcul
précis nécessiterait une densité de maillage Keau,n, < Keau /n propre à l’harmonique n traité.

-10
x 10
0.02 3.5

Spectre du déplacement (µm.s)

0.015 3

0.01
Déplacement (µm)

2.5

0.005
2

0
1.5
-0.005
1
-0.01

0.5
-0.015

0
-0.02
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500

Temps (µs) Fréquence (MHz)

(a) Keau = 0,8 (b) Keau = 0,8
-10
x 10
0.02 3.5
Spectre du déplacement (µm.s)

0.015 3

0.01
Déplacement (µm)

2.5

0.005
2

0
1.5

-0.005
1
-0.01
0.5
-0.015

0
-0.02
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4

Temps (µs) Fréquence (MHz)

(c) Keau = 0,4 (d) Keau = 0,4

Figure II.4 : Comparaison (a), (c) des déplacements et (b), (d) spectres correspondants calculés
dans l’eau avec les modèles ATILA (bleu) et KLM (rouge) pour des coefficients de densité de
maillage (a), (b) Keau = 0,8 et (c), (d) Keau = 0,4 à la surface d’un transducteur constitué d’un
milieu arrière, d’un disque piézo-électrique, et de 2 lames adaptatrices.

Avec une densité de maillage (II.14) du milieu fluide ajustée à Keau = 0,4, le déplacement temporel
et son spectre (Figure II.4 (c) et (d)) montrent un accord parfait pour le fondamental. L’allure du
troisième harmonique est correcte, mais le cinquième est très atténué. En conséquence, cette densité
de maillage sera celle retenue pour le fluide. On retiendra de façon générale pour la résolution en

55
Modélisation et rayonnement Chapitre II

régime transitoire qu’une densité du maillage fluide Keau = 0,4 (soit une maille de longueur emaille =
λ/10) permet d’obtenir le fondamental de façon précise [9].

I.3.4 Maillage optimal – Synthèse

La densité de maillage a été exprimée à partir du critère d’échantillonnage de Shannon, en fonction
de la fréquence maximale de travail, soit f max = 2f0 . Le maillage quart d’onde résultant de cette
condition d’échantillonnage minimal (II.14) a été ajusté en fonction de l’analyse effectuée.

Milieu Disque Lame adaptatrice Milieu avant

Analyse Unité
arrière piézo-électrique et lentille fluide: Eau
λ0
Modale 0,8 0,4 0,5 et 0,3 –
4
λ0
Harmonique 0,8 0,25 0,25 –
4
λ0
Transitoire 0,8 0,25 0,25 0,4
4
Optimal pour tout λ0 λ0 λ0 λ0
m
type d’analyse 5 16 16 10

Tableau II.2 : Paramètre K de densité de maillage longitudinal (II.14), selon le type d’analyse et le
type de matériau.

Les critères de convergence sont variables selon le type d’analyse : une analyse modale converge
dès lors que la fréquence de résonance étudiée est stable, tandis que pour une analyse harmonique
ou transitoire, c’est la convergence du spectre qui est recherchée, en f = 0 à 2f 0 . De plus, les
méthodes de résolution ne sont pas sujettes aux mêmes critères de convergence. Ces différences de
critères de convergence et de méthodes de résolution expliquent notamment la raison pour laquelle
la densité de maillage est moins importante (K plus élevé) pour une analyse modale. En conclusion
de cette sous-partie, on peut remarquer que les densités de maillage varient peu selon le type
d’analyse (Tableau II.2). On retiendra donc le maillage le plus contraignant des trois types
d’analyses possibles, soit l’analyse transitoire : un maillage en λ0 /5 pour le milieu arrière absorbant,
λ0 /16 pour l’élément piézo-électrique et les lames adaptatrices, et λ0 /10 pour le milieu avant fluide.
Pour ce qui est du maillage radial, on retiendra un maillage en λradial/20 (Tableau II.1) par rapport

56
Chapitre II Modélisation et rayonnement

au premier mode radial, permettant de représenter de façon satisfaisante l’évolution du déplacement

à la surface en fonction de la position radiale. La Figure II.5 (a) illustre le déplacement obtenu à la
surface du transducteur (Figure II.6 (a)), constitué de : • une onde plane, perturbée par ‚ une onde
de bord émise par le côté du disque qui se propage ƒ jusque dans l’axe du transducteur. Le spectre
résultant (Figure II.5 (b)) comporte différentes composantes : „ la principale centrée autour de la
fréquence centrale du transducteur f 0 est perturbé par des composantes très basse fréquence,
notamment … en r = 0 et † en r = a, où a est le rayon du transducteur.

‚ † „

• ƒ …
(a) (b)

Figure II.5 : (a) Déplacement et (b) spectre correspondant dans l’eau calculé avec ATILA à la
surface du transducteur constitué d’un milieu arrière, d’un disque piézo-électrique, et de deux
lames adaptatrices en fonction de la position radiale r.

I.4 Limites de la modélisation

I.4.1 Limitations en nombre de pas de temps et nombre de nœuds
La résolution en régime transitoire permet d’obtenir le résultat escompté, mais une bonne précision
nécessite un maillage dans les directions radiale et longitudinale relativement dense. Le maillage
défini avec des éléments quadrilatères décrits par 8 nœuds engendre donc un nombre de nœuds
fonction des nombres de mailles dans les directions radiale nradial et longitudinale nlongitudinal. Le
nombre de nœuds du maillage est réduit à 105 nœuds, limitant la géométrie du transducteur
modélisé. Par densification du maillage, on observe que le temps de calcul est quasiment
proportionnel au nombre de mailles dans les directions radiale nradial et longitudinale nlongitudinal.

57
Modélisation et rayonnement Chapitre II

Par ailleurs, le temps de propagation est limité à 2000 pas de temps [1], soit un temps maximal égal
à tmax = 2000.∆t, ce qui limite la valeur du pas de temps ∆t du signal de durée donnée t signal < tmax.
La méthode de résolution utilisée étant itérative, le temps de calcul t calcul est quasiment
proportionnel à l’encombrement mémoire Emémoire. Ce dernier est lui-même proportionnel au
nombre de pas temporels ntemporel, et dépend des nombres de mailles dans les directions radiale nradial
et longitudinale nlongitudinal. Des essais successifs ont permis de réaliser un ajustement en loi de
puissance 1,2 et 2,6 respectivement pour les nombres de mailles nradial et nlongitudinal. :

t calcul : Emémoire : ntemporel ( nradial ) (n )

1,2 1,26
longitudinal (II.15)

Afin de repousser la fréquence de coupure f c et de préserver la bande spectrale utile de la réponse du

modèle de 0 à f max , le pas de temps est réduit de façon à ce que les 2000 pas de temps disponibles
soient utilisés. D’autre part, si l’encombrement mémoire Emémoire dépasse la capacité de mémoire
vive disponible Cmémoire, le temps de calcul est très fortement accru. Il reste donc à ajuster le nombre
de points du maillage de façon à ne pas dépasser la capacité de mémoire vive disponible Emémoire <
Cmémoire, le tout en obtenant au moins la fréquence de coupure désirée f c > fmax, pour la dimension
temporelle, comme pour les dimensions spatiales.

I.4.2 Pas de temps et condition de convergence

Les méthodes de résolution utilisées en régime transitoire nécessitent un échantillonnage
temporel donné par le pas de temps ∆t = 1/f e suffisamment faible de façon à satisfaire la condition
d’échantillonnage de Shannon :
1 1
f max ≤ f e ⇔ ∆t ≤ (II.16)
2 2 f max

avec f e et f max respectivement les fréquences d’échantillonnage et maximale et ∆t le pas de temps.

D’autre part, des phénomènes d’atténuation numérique sont observés lors de la propagation sur
plusieurs longueurs d’onde, en particulier dans un milieu fluide. La Figure II.6 illustre l’évolution
de la fréquence de coupure à –6 dB f c pour un pas de temps ∆t donné par l’équation (II.16), en
fonction de la distance ∆z parcourue. A partir de 400 µm de propagation, soit 12λ, la fréquence de
coupure f c devient inférieure à la fréquence d’anti-résonance du disque piézo-électrique f 0 . On
observe alors un filtrage du spectre utile de f = 0 à la fréquence de coupure f c < fmax , avec
initialement f max = 2f 0 . La tendance observée en fonction du pas de temps ∆t est similaire.

58
Chapitre II Modélisation et rayonnement

Disque Lames 60

piézo-électrique adaptatrices 55

50

fc (MHz)
45
f0
Milieu arrière Eau 40

35

30
∆z 0 200 400 600 800 1000
∆ z (µm)
0
(a) (b)

Figure II.6 : (a) Transducteur constitué d’un milieu arrière (orange), d’un disque piézo-électrique
(bleu), et de deux lames adaptatrices (rouge et verte) avec de l’eau en face avant (bleu clair).
(b) Fréquence de coupure f c relevée sur la fonction de transfert en fonction de la distance de
propagation ∆z pour un pas de temps ∆t = 1 ns, soit f e = 1 GHz pour f 0 = 43,5 MHz.

Ce dernier est donc réduit par des essais successifs, et ce jusqu’à obtenir une réponse électro-
acoustique stable pour le premier harmonique sur tout le spectre utile (de 0 à f max = 2f0 ) à la surface
du transducteur. La fréquence de coupure f c peut ainsi être décrite par une fonction puissance de la
distance parcourue et du pas de temps ∆t :

f c = ( ∆z ) ( ∆t )
−a −b
(II.17)

où f c est la fréquence de coupure à –6 dB, ∆z la distance parcourue, ∆t le pas de temps, et a et b des

paramètres réels positifs décrivant l’évolution décroissante caractéristique en x –n respectivement
pour la distance parcourue ∆z et le pas de temps ∆t. En conséquence de ces observations, la
propagation en milieu fluide est réduite à zéro, et la pression ou le déplacement sont relevés
directement à l’interface solide/fluide. La fréquence de coupure f c dépend alors essentiellement du
pas de temps ∆t choisi pour la résolution.

II Formulation analytique de la propagation

Les limitations de la modélisation par éléments finis au niveau du maillage du milieu fluide
conduisent à envisager une solution annexe pour le calcul de la propagation du champ de pression
généré par le transducteur. Chacun des points relevés à la surface du transducteur est considéré
comme un point source rayonnant dans un milieu semi-infini. La propagation est considérée dans le
59
Modélisation et rayonnement Chapitre II

cadre du développement linéaire des équations de l’acoustique, dans un milieu fluide homogène non
dispersif, non atténuant. L’atténuation peut cependant être aisément prise en compte par l’ajout
d’une composante imaginaire au terme de vitesse longitudinale (Annexe 1). Les hypothèses et la
formulation de cette approche de la propagation sont ici décrites de façon analytique.

II.1 Spécifications de rayonnement

II.1.1 Equation de Helmholtz-Kirchhoff
La résolution de la propagation dans un milieu fluide (selon la théorie de l’acoustique linéaire) est
basée sur l’équation de Helmholtz inhomogène qui régit la propagation de l’onde de pression p
générée par une force f:

1 ∂2 p
∆p − = −F ⇔ ∆p + k 2 p = −F (II.18)
c 2 ∂t 2
où p est la pression, c la célérité, t le temps et F la fonction source.

L’écriture de cette équation dans un milieu fermé donne la formulation intégrale de Helmholtz-
Kirchhoff faisant intervenir la fonction de Green g:

 ∂g ∂p 
p = ∫∫  ps − g s dS (II.19)
S 
∂n ∂n 

où ps est la pression sur la surface source, g est la fonction de Green, n la direction normale à la
surface et S = Sr∪π∪Ss la surface fermée d’intégration.

(Sr)

R
(Ss)
π π

Figure II.7 : Source (S s) rayonnant dans un espace fermé délimité par le plan (π) environnant la
source et la surface (Sr ) située à la distance R en champ lointain [10].

La relation d’Euler donne:

∂ ps ∂v
= − ρ n = − jωρ vn = − jkZ 0vn (II.20)
∂n ∂t
60
Chapitre II Modélisation et rayonnement

II.1.2 Conditions aux limites – Hypothèses

II.1.2.1 Condition de Sommerfeld
La condition de rayonnement de Sommerfeld (II.21) permet de faire l’hypothèse d’une contribution
nulle de la surface située en champ lointain (Sr ). Ainsi, l’intégration de Helmholtz-Kirchhoff (II.19)
sur une surface fermée (S) est réduite à une intégration sur la surface source (Ss ) et le plan radial
environnant (π). Cette nouvelle surface d’intégration est notée S' :
 ∂p 
Ø Condition de divergence : lim R  − ikp  = 0 (II.21)
R →+∞
 ∂R 
Ø Pression nulle en champ lointain : lim Rp = 0 (II.22)
R →+∞

d’où une surface d’intégration donnée par S ' = π ∪ S s .

II.1.2.2 Condition de baffle

Les conditions aux limites, dites conditions de baffle, permettent d’aboutir à différentes
formulations de l’intégrale de Helmholtz-Kirchhoff au moyen de l’expression de la fonction de
Green g0 . Ces fonctions de Green sont basées sur l’hypothèse du rayonnement direct de points
sources. Cette approche, si elle est valide pour une source plane, n’est qu’approchée dans le cas
d’une source focalisée. En effet, les réflexions multiples de la source sur elle-même ne sont pas
prises en compte. Cathignol et Sapozhnikov [11] ont développé une fonction de Green intégrant les
réflexions primaires sur la source pour une configuration fortement focalisée ; cette approche ne
sera cependant pas développée dans ce chapitre.
Les différentes conditions de baffle ont été explicitées avec la fonction de Green g0 , solution de
l’équation de Helmholtz (II.18), en fonction du rapport des impédances acoustiques de la source Zs
et du milieu de propagation Z0 :
Ø Baffle rigide (rigid baffle surface): Z s >> Z 0 Condition de Neumann homogène
∂g
= 0 et g = 2 g 0 (II.23)
∂n
Ø Baffle adapté (pressure release surface): Z s = Z0 Condition mixte

∂g 0 ∂g ∂R  1  e− jkR e − jkR
= =  + jk  cos θ et g 0 = (II.24)
∂n ∂R ∂n  R  4π R 4π R

Ø Baffle mou (unbaffled surface): Z s << Z 0 Condition de Dirichlet homogène

∂g ∂g
= 2 0 et g = 0 (II.25)
∂n ∂n

61
Modélisation et rayonnement Chapitre II

II.1.2.3 Généralisation
De façon plus générale, le champ de pression est défini par :

jkZ0  β ( θ )  e − jkR
p=
2π ∫∫S  α (θ ) + jkR  R vndS (II.26)

où k est le nombre d’onde (rad/m), Z0 = ρ0 c0 l’impédance acoustique (MRa) du milieu de

propagation, R la distance (m) entre la source et le point considéré, et les coefficients α et β sont
imposés par les conditions aux limites, dépendant du rapport des impédances acoustiques de la
surface Zs et du milieu de propagation Z0 . Les coefficients α et β décrivent la fonction de Green
propre à la configuration étudiée [12, 13] et peuvent être définis de façon généralisée [10, 14, 15] en
fonction du coefficient de réflexion Γ :
Z s − Z0
Γ=
Z s + Z0
1+ Γ cos θ cos θ
d’où α (θ ) = + (1 − Γ) et β (θ ) = (1 − Γ)
2 2 2
Il en résulte l’expression généralisée de l’intégrale de Helmholtz-Kirchhoff en fonction du
coefficient de réflexion à la surface du transducteur [16] :

jkZ0  (1 − Γ)cos θ  e − jkR

p= ∫∫S  (1 + Γ + (1 − Γ )cos θ ) +  vndS (II.27)
4π jkR  R

Baffle Γ(Ζ0 ) Condition Intégrale α(θ) β(θ)

Rigide +1 Z s >> Z 0 Rayleigh 1 0

1 + cos θ cos θ
Adapté 0 Z s = Z0 Kirchhoff
2 2
Mou −1 Z s << Z 0 Sommerfeld cosθ cosθ
Tableau II.3 : Valeurs des coefficients α et β en fonction du rapport entre Zs et Z0 .

Cette expression généralisée, qui satisfait les trois conditions aux limites et les rapports
d’impédance associés (Tableau II.3), peut aussi s’écrire directement en fonction des impédances
acoustiques de la surface Zs et du milieu de propagation Z0 :
 1 
Z s + Z 0 cos θ  1 +
jkZ0  jkR  e− jkR
2π ∫∫
p= vn dS (II.28)
S
Z s + Z 0 R

62
Chapitre II Modélisation et rayonnement

Une hypothèse simplificatrice couramment utilisée consiste à négliger la contribution apportée par
le terme β(θ). Cette approximation est valide si kR>>1. On obtient alors l’expression du champ de
pression (II.26) directement en fonction du facteur d’obliquité α(θ).
jkZ0 e − jkR
p=
2π ∫∫ α (θ )
S
R
vn dS (II.29)

La plupart du temps, la formulation de l’intégrale de Helmholtz-Kirchhoff considérée est l’intégrale

de Rayleigh. Cette hypothèse de baffle rigide valable pour Zs >> Z0 impose une propagation
unidirectionnelle. De plus, la plupart des résultats expérimentaux sont en très bon accord avec cette
formulation.

jkZ0 e − jkR
p=
2π ∫∫S R vndS (II.30)

La résolution de l’intégrale de Rayleigh peut se faire de façon analytique, sous certaines conditions.
La première est de donner une expression correcte de la vitesse normale v n à la surface du
transducteur. La seconde condition concerne les possibilités d’intégration analytiques qui ne sont
connues que pour des configurations géométriques bien précises, telles qu’une source plane
axisymétrique, ou dans le cadre d’approximations, typiquement l’approximation de champ lointain.

II.1.3 Réponse impulsionnelle en diffraction

L’approche de la réponse impulsionnelle en diffraction est largement utilisée pour l’analyse des
champs acoustiques transitoires. Cette approche consiste à exprimer l’intégrale de Helmholtz-
Kirchhoff (II.19) dans le domaine temporel sous forme d’un double produit de convolution entre la
fonction de Green g propre aux conditions aux limites et la vitesse normale v n à la source étudiée :
 1 ∂g 
p = jkZ 0 ∫∫  g +  vn dS
S 
jk ∂n 

 1 ∂g 
⇔ p = jkZ 0  g +  ∗∗∗ vn (II.31)
 jk ∂n  x y t
La fonction de Green et sa dérivée normale exprimées dans le domaine temporel s’écrivent :
1  R
g0 = δ t −  (II.32)
4π R  c 

∂g 0 1   R ∂  1   R  1 ∂R 
et = δ t −    − δ '  t −   (II.33)
∂n 4π   c  ∂n  R   c  cR ∂n 

63
Modélisation et rayonnement Chapitre II

avec δ la fonction Dirac, δ’ sa dérivée et R la distance entre le point source et celui d’intérêt :

R= ( x − xs )2 + ( y − ys )2 + ( z − zs )2 (II.34)

Les dérivées normales ∂/∂n de la distance R, et de son inverse 1/R sont données par :
∂R ∂R z s − z
= = = − cos θ
∂n ∂z s R

∂  1  ∂  1  z − z s cos θ
= = = 2
∂n  R  ∂z s  R  R3 R
L’expression (II.31) devient :

jkZ0   R  β (θ )   R  R cos θ  R   
p=  α (θ )δ  t −  +  δ  t −  cos θ + δ '  t −    ∗∗∗ vn (II.35)
2π R   c  jkR   c  c  c   x y t
Cette formulation générale de la réponse impulsionnelle de diffraction est équivalente à celle
développée dans le cadre de l’approche harmonique. Ce formalisme a été développé par Guyomar
et Powers pour les différentes conditions aux limites [17], et pour une source plane [18] ou
focalisée [19]. De la même façon que précédemment, un développement couramment utilisé
consiste à ne prendre en compte que la contribution du facteur d’obliquité α(θ). Dans l’hypothèse
où l’approximation kR>>1 est valide, l’équation (II.35) devient :
jkZ0  R
p= α (θ ) δ  t −  ∗∗∗ vn (II.36)
2π R  c x y t
L’expression obtenue ici a été largement développée et étudiée par Stepanishen [20-25] et Harris
[26, 27], notamment avec les hypothèses de distribution de vitesse normale uniforme sur la surface
source, dans un repère cartésien ou cylindrique, avec une source plane ou focalisée.

II.2 Intégrale de Rayleigh

II.2.1 Formulation générale
L’intégrale de Rayleigh (II.30) peut être développée dans le cas d’une formulation dans un repère
cartésien, auquel cas elle devient :
jkZ0 e − jkR
p=
2π ∫∫
xs ,ys
R
vn dxs dys (II.37)

Dans le cadre d’un développement limité basé sur l’hypothèse de champ lointain (II.38), le terme de
distance R est exprimé en fonction de la distance RM, pour une source de dimensions x m par ym :
xm , x << R et ym , y << R (II.38)

64
Chapitre II Modélisation et rayonnement

Les positions des points sources (x s, ys, zs) sont définies respectivement sur [0, x m ], [0, ym ] et [0, zm ].
L’expression (II.34) donnant la distance R entre le point source et le point considéré se développe
en factorisant par RM :

R = RM2 − 2 xxs − 2 yys + x2s + ys2 avec RM = x 2 + y 2 + ( z − z s )

2

xxs yys x2 y2
R ; RM − − + s + s
RM RM 2 RM 2 RM
Dans l’hypothèse où les termes du second ordre sont négligeables, soit :
xm , ym << 2 λ RM
L’équation (II.37) devient alors :

jkZ0 e − jkRM  kxxm   kyym 

p (x , y, z ) = vnsinc   sinc   xm y m (II.39)
2π RM  2 RM   2 RM 
Le fenêtrage rectangulaire spatial de la source fait apparaître les fonctions sinus cardinal selon les
axes x et y. Ces fonctions dépendent de la taille de la source (x m , ym ) et sont caractérisées par une
largeur de lobe principal et un niveau relatif des lobes secondaires. Par ailleurs, la largeur du lobe
principal et la hauteur relative des lobes secondaires peuvent être optimisées par un fenêtrage
adéquat. En effet, le compromis entre le niveau des lobes secondaires et la résolution peut être
modifié en imposant un profil de vitesse v n apodisé [27-29].
De manière plus générale, la pression rayonnée décrite par l’intégrale de Rayleigh (II.37) s’écrit
aussi sous la forme d’un produit de convolution (II.36), équivalent à un produit de la fonction de
Green g et de la vitesse normale v n exprimées dans le domaine de Fourier. Soit, dans le cadre de
l’approximation de Fresnel, en fonction du profil s(x, y) de la source en vitesse (ouverture) :
 jkZ0 − jkRM 
p ( x , y , z ) = TFx, y  e  TFx , y {vn} = Z0 e TFx , y {s}
− jkz
(II.40)
 2π RM 
avec p0 = Z 0v0 et vn = s ( x , y ) v0 , où p0 est la pression de référence, Z0 l’impédance
acoustique du milieu de propagation, et v 0 la vitesse de référence.

II.2.2 Formulation axisymétrique

Dans un repère cylindrique, le changement de variable (x, y, z) en (r, θ, z) pour une source de rayon
a permet d’effectuer un développement en fonction de Bessel :
jkZ0 e− jkR
p=
2π ∫∫ R vnrs d rs dθs
rs ,θ s
(II.41)

65
Modélisation et rayonnement Chapitre II

Le terme de distance est donné par :

R = ( z − z s ) 2 + r 2 + rs2 − 2 rrs cos (ψ −ψ s ) (II.42)

où (rs, ψ s, zs) et (r, ψ, z) sont les coordonnées cylindriques du point source et du point image.
La formulation axisymétrique de l’intégrale de Rayleigh a été largement discutée [30, 31] et
comparée à des travaux antérieurs pour une source plane [22] ou focalisée [32-34]. Les analogies et
conditions de validité des différents modèles ont été établies et sont limitées à des sources
faiblement focalisées F << a et/ou de rayon grand devant la longueur d’onde ka >> 1. L’approche
qui suit consiste donc à établir une formulation approchée uniquement basée sur l’hypothèse de
champ lointain, sans autre restriction.

II.2.2.1 Source plane

Un développement limité de (II.42), avec zs = 0 et basé sur l’hypothèse de champ lointain [35]
permet d’intégrer la dépendance angulaire sur ψ s de [0, 2π] :

r 2 + rs2 rrs
R=z+ − cos (ψ −ψ s ) (II.43)
2z z
L’intégrale (II.41) incluant une fonction de Bessel est déduite du développement (II.43) :
 r2  2
− jk  z +  a
 krr  rs
krs
−j
p ( r , z ) = jkZ 0e  2z
∫e 2z
J0  s  vn R drs (II.44)
0  z 
Un autre développement, basé sur une approche angulaire donne :

R = Robs
2
+ rs2 − 2rrs cos (ψ −ψ s ) 2
avec Robs = z 2 + r 2 et r = Robs sin θ

d’où R = Robs − rs sin θ cos (ψ −ψ s ) (II.45)

Le rayonnement angulaire au point de coordonnées polaires (Robs, θ) devient donc :

e − jkRobs
a
p ( Robs , θ ) = jkZ 0 ∫ J ( kr sin θ ) v r dr
0 s n s s (II.46)
Robs 0

Ce résultat peut s’écrire sous la forme d’une transformée de Hankel (notée TH) du profil radial de
vitesse normale v n (r) :

e − jkRobs TH { vn}
p ( Robs , θ ) = jkZ0 (II.47)
Robs ( sin θ ) 2

Plus particulièrement, dans le cas d’un profil de vitesse homogène sur la surface source (v n = v0 ) :

e− jkRobs
p ( Robs , θ ) = p0 jka 2 J1 c ( ka sinθ ) (II.48)
Robs
66
Chapitre II Modélisation et rayonnement

II.2.2.2 Source focalisée

L’expression axisymétrique obtenue dans un repère cylindrique peut être étendue au cas d’une
source focalisée avec un retard pur ϕs et la fonction de transfert correspondante incluse dans
l’intégrale (II.44) :
 r2  2
− jk  z +  a
 krr  r
krs
−j
p ( r , z ) = jkZ 0e ∫e
 2z − jϕ s
e 2z
J 0  s  vn s drs (II.49)
0  z  R
Typiquement, pour une source focalisée sphérique de distance focale F, ce retard s’écrit :

z s = F − F 2 − rs2 (II.50)

Cette expression peut être étendue au cas d’une source focalisée géométriquement avec zd = z− zs la
distance modifiée entre les points sources et le point cible :
 r 2 + rs2 
a − jk  z d +
2 z d 

 krr  rs
p ( r , z ) = jkZ0 ∫ e 
J0 s  vn ( rs ) drs (II.51)
0  zd  Rd

Dans le cadre d’une focalisation par une source circulaire et d’une approximation de champ lointain
et/ou de source faiblement focalisée zd << z, les deux formulations conduisent à la même formule
approchée :
1 1 1 1
; et ; ,
Rd R zd z

En faisant un développement limité sur le terme de retard de focalisation, on obtient :

rs2
z s = F − F 2 − rs2 ;
2F
 r2  krs2  1 1 
− jk  z +  a −j  −   krr  r
d’où : p ( r , z ) = jkZ 0e  2z
∫e 2 z F
J 0  s  vn ( rs ) s drs (II.52)
0  z  R

Avec l’hypothèse d’une vitesse constante sur toute la surface d’intégration de la source v 0 = vn (rs),
on retrouve la formulation donnée par Lucas et Muir [34], et plus particulièrement, l’expression de
la pression dans l’axe se résume à :

F 
ka2  1 1  
j  − 
p ( 0, z ) = p0  1 − e 2  z F   e− jkz (II.53)
F − z 
 
Par ailleurs, des formulations plus précises de la pression dans l’axe, dérivées des formulations de
[32, 33] ont été spécifiées et comparées [36, 37]. La formulation simplifiée de Lucas et Muir (II.53)

67
Modélisation et rayonnement Chapitre II

permet d’obtenir une très bonne approximation du champ de pression dans l’axe et de retrouver la
distance focale effective et le gain de focalisation correspondant.

II.3 Expression de la vitesse normale

Les résultats de propagation sont obtenus à partir de sources calculées en déplacement u ou en
pression p. Dans les deux cas, nous avons développé les expressions de la vitesse normale à la
surface pour pouvoir utiliser l’intégrale de Rayleigh (II.30).

II.3.1 Expression générale de la vitesse normale

Les sinus et cosinus des angles définissant la normale à la surface dépendent du profil de la source
sont notés respectivement sin θn et cos θn .
Ø Dans le premier cas (source en déplacement selon r et z), la vitesse normale est obtenue à partir
de la dérivée par rapport au temps de la reconstitution du déplacement normal à la surface à partir
des projections selon r et z:
∂u
vn = jω = j ω ( u z cos θ n + ur sinθ n ) (II.54)
∂n
Ø Dans le second cas (source en pression), le système d’équation d’Euler incompressible donne la
relation entre vitesse et pression pour un fluide :
∂p ∂v
= − ρ0 n ⇔ − jk n p = − jωρ0 vn (II.55)
∂n ∂t
Il en résulte une relation entre la dérivée de la pression par rapport à la normale et l’accélération
normale à la surface. La vitesse normale est alors calculée en utilisant la projection de la pression
sur la normale à la surface:
p kn p
vn = = cos (θ n − θ k ) (II.56)
Z 0 k Z0

II.3.2 Onde plane

Pour un profil plan, les sinus et cosinus des angles définissant la normale à la surface, selon z sont
exprimés par :
sin θ n = 0 et cos θ n = 1 (II.57)
Ø Dans le cas d’une source en déplacement selon r et z, la vitesse normale v n est obtenue à partir de
la dérivée par rapport au temps du déplacement normal à la surface uz :
vn = jω u z (II.58)
68
Chapitre II Modélisation et rayonnement

Ø Dans le cas d’une source en pression, la vitesse normale v n est calculée en utilisant la projection
de la pression sur la normale à la surface :
2
p kz p k 
vn = = 1−  r  (II.59)
Z0 k Z0 k

II.3.3 Profil circulaire

Dans le cas d’un profil circulaire décrit par P( r ) = Rc − Rc2 − r 2 , les sinus et cosinus des angles

définissant la normale à la surface sont déterminés de façon directe en fonction de la position

radiale r et du rayon de courbure Rc :
2
r  r 
sin θ n = et cos θ n = 1 −   (II.60)
Rc  Rc 

II.3.4 Profil quelconque

Dans le cas général d’une fonction quelconque décrivant le profil donnant les positions des points
sources P(r), les sinus et cosinus de l’angle par rapport à la normale sont donnés par :
P '(r ) 1
sin θ n = et cos θ n = (II.61)
( P '(r ) ) 2
+1 ( P '(r ) ) 2
+1

Plus particulièrement dans le cas d’un profil polynomial d’ordre m, noté Pm (r) :
m
Pm ( r ) = ∑ ak r
k

k =0

dPm (r ) m
= ∑ kak r
k −1
Pm ( r ) =
'
d’où (II.62)
dr k =1

Les formulations de la vitesse normale v n en fonction du déplacement u ou de la pression p s’en

trouvent modifiées en conséquence. Cependant, ces formulations généralisées restent valables avec
un profil quelconque analytique P(r) ou ajusté par un polynôme d’ordre m noté Pm (r).
Ø Dans le premier cas (source en déplacement selon r et z), la vitesse normale est obtenue à partir
de la dérivée par rapport au temps de la reconstitution du déplacement normal à la surface à partir
des projections selon r et z.
∂u u + P '( r )ur
vn = jω = jω z (II.63)
∂n ( P '(r ) ) 2 + 1

69
Modélisation et rayonnement Chapitre II

Ø Dans le second cas (source en pression), la vitesse normale est calculée en utilisant la projection
de la pression sur la normale à la surface:
2

1 −  r  + P '(r ) r
kz kr k k
+ P '( r )
p kn p p k k = p k  k
vn = = cos (θ n − θk ) = (II.64)
Z 0 k Z0 Z 0 ( P '(r ) ) 2 + 1 Z 0 ( P '(r ) )2 + 1
Ces formulations permettent de retrouver le rayonnement propre à la source géométrique simulée
avec ATILA . Les coordonnées des points source doivent être prises en compte par le terme de
distance R (II.42), mais aussi au niveau de la dérivation par rapport à la normale de la surface
source comme défini ci-dessus pour une source en déplacement (u r, uz) ou en pression p.
Le calcul de la vitesse normale repose sur la précision de celui du vecteur d’onde radial k r. Ce
dernier est déterminé par transformée de Fourier bidimensionnelle ou par transformée de Fourier-
Bessel, appelée aussi transformée de Hankel.

III Résolution numérique de l’intégrale de Rayleigh

Les différentes formulations de l’intégrale de Rayleigh présentées par la suite ont été développées
pour des configurations géométriques particulières : source rectangulaire ou axisymétrique, plane
ou focalisée. Pour plus de commodité et pour alléger les notations, le terme de déphasage ejωt de
pulsation harmonique ω sera sous-entendu, et le terme de pression p décrit seulement en fonction
des trois dimensions spatiales (x, y, z).

III.1 Formulation fréquentielle

La résolution de l’intégrale de Rayleigh nécessite la connaissance de la fonction de répartition de la
vitesse normale à la surface du transducteur. En pratique, elle est souvent considérée constante, car
seule sa valeur moyenne sur la surface de réception est évaluée. Il existe cependant des moyens de
mesure, telle que l’interférométrie laser, permettant d’établir une cartographie de la vitesse normale
vn . Plus particulièrement, pour un configuration axisymétrique une reconstruction tomographique
permet de retrouver le profil radial de la vitesse normale v n .
Par ailleurs, l’échantillonnage fréquentiel et la bande passante de l’excitation doivent satisfaire la
condition d’échantillonnage de Shannon (Equation (II.16)) :
1
∆x ≤ (II.65)
2 f x,max

70
Chapitre II Modélisation et rayonnement

III.1.1 Décomposition en ondes planes dans un repère cartésien – Transformée de

Fourier bidimensionnelle
La formulation intégrale de Rayleigh peut aussi être écrite sous la forme d’un produit de
convolution :

e− jkR
p ( x , y , z ) = jωρ ∗ vn ( x , y , z s ) (II.66)
2π R

avec: R = ( x − xs ) 2 + ( y − ys )2 + ( z − zs )2
Ce produit de convolution dans le domaine spatial bidimensionnel s’écrit sous la forme d’un produit
dans le domaine des fréquences spatiales comme décrit par [38-42]. Il se fait par transformée de
Fourier, et son calcul numérique avec la FFT (Fast Fourier Transform). La fonction de Green g et
la vitesse normale v n sont décomposées en ondes planes :

 e − jkR  e − jk z (z −z s )
TFx , y {g ( x , y )} = g ( kx , ky ) ⇔ TFx , y   = − j
 2π R  kz

TFx , y {vn ( x , y , z s )} = vn ( kx , ky , zs )

La propagation dans la direction z se fait par application de l’opérateur de propagation :

 e − jkz (z −z s ) 
p ( kx , ky , z ) = jωρ  − j  vn (kx , ky , zs ) (II.67)
 kz 

p ( kx , ky , z ) = Z 0 vn ( kx , ky , zs ) e z ( s )
k − jk z − z
soit
kz
On retrouve l’équation (II.59) qui donne la relation entre vitesse normale et pression :

p ( kx , ky , z ) = p ( k x , ky , zs ) e
− jk z (z −z s )
(II.68)

avec:

e − jk z (z − zs ) = e − jk z ∆z l’opérateur de propagation, (II.69)

et k z = k 2 − kx2 − k y2 le nombre d’onde selon la direction z. (II.70)

L’algorithme de propagation se résume en trois étapes: le passage du domaine spatial à celui des
nombres d’ondes, l’application de l’opérateur de propagation, puis le retour du domaine des
pulsations spatiales à celui de l’espace.

{
p ( x , y , z + ∆z ) = TFk−x 1,ky ,ω TFx, y ,t { p ( x , y , z )} e − jkz ∆z } (II.71)

L’algorithme, s’il est relativement simple dans sa formulation analytique, pose de nombreux
problèmes dans son implémentation numérique : l’échantillonnage de la source, la décomposition

71
Modélisation et rayonnement Chapitre II

en ondes planes de la fonction de Green g entraîne des singularités autour de ses pôles [41]. Le pas
d’échantillonnage (spatial et temporel) doit être suffisamment fin pour limiter le repliement
spectral. La taille de la source (y compris les contributions nulles) doit être suffisante pour
permettre la distinction des différentes contributions dans le domaine des fréquences. Ces
contraintes et leurs optimisations ont été largement étudiées dans les années 1990 notamment par
Orofino [43-47], et Wu [48-52]. Une alternative à la décomposition en ondes planes avec la FFT qui
consiste à exprimer analytiquement la fonction de Green g dans un repère cylindrique est proposée
et décrite par Christopher [53].

III.1.2 Décomposition en ondes planes dans un repère cylindrique – Transformée de

Hankel
La transformée de Fourier bidimensionnelle est donnée par :
+∞+∞
( )
p ( kx , ky , z ,ω ) = ∫ ∫ p ( x , y, z, ω ) e
− j kx x+ k y y
dxdy (II.72)
−∞−∞

La transformée de Fourier-Bessel ou de Hankel est obtenue par une expression en coordonnées

cylindriques du nombre d’onde :

 k = k 2+k 2
 r x y
 k x = kr cos φ
  k y  ⇔  k = k cos φ
φ = Arctan    y r
  x
k

et de la position radiale, soit :

 r = x2 + y2
  x = r cos θ
  y  ⇔  y = r sin θ
θ = Arctan   
 x
On obtient alors:
+∞
 2π − jk r cos θ −φ 
p ( kr , z , ω ) = ∫ p ( r , z , ω )  ∫ e r ( ) dθ  rdr
0 0 
+∞
soit: p ( kr , z , ω ) = ∫ p ( r , z ,ω ) J ( k r) rdr = TH { p (r , z , ω )}
0
0 r (II.73)

72
Chapitre II Modélisation et rayonnement

III.1.2.1 Propagation par produit d’opérateur échantillonné en fréquence (FSC)

De la même façon que dans un repère cartésien, l’opérateur de propagation [54] est donné par :

e− jz k 2 − kr
2
, kr ≤ k

H (k r , z ) = e− jk z z = (II.74)
 e − z k r −k
2 2
, kr > k

L’application de cet opérateur de propagation est appelé algorithme FSC (Frequency Sampled
Convolution), ou de convolution avec échantillonnage fréquentiel, et permet un calcul rapide de la
source propagée.
Une extension de cette écriture consiste à réduire le domaine des nombres d’ondes à celui "utile"
pour la propagation, en éliminant les ondes évanescentes, atténuées après propagation sur seulement
quelques longueurs d’onde. Plus particulièrement, l’angle d’ouverture est limité par une
approximation géométrique issue de la théorie des rayons, et son implémentation permet un calcul
très rapide, au prix d’une détérioration de la précision.

III.1.2.2 Propagation par produit d’opérateur échantillonné dans l’espace (SSC)

L'opérateur de propagation défini par l’algorithme SSC (Spacially Sampled Convolution), ou de
convolution avec échantillonnage spatial [55], permet un calcul certes moins rapide, mais avec une
précision bien meilleure :

jk  z z  e− jkd
h(r , z) =  −  où d = r2 + z2 (II.75)
2π  d jkd 2  d
De plus, ce formalisme permet d’appliquer la fonction identité résultante au calcul de la transformée
de Hankel discrète (Discrete Hankel Transform, DHT) puis de sa réciproque (Inverse Discrete
Hankel Transform, IDHT) à la source convoluée avec son opérateur de propagation. En effet, tout
comme pour la FFT dont le domaine de passage est pseudo fréquentiel, mais dont la réciproque
résulte bien en une fonction identité, la DHT permet de passer dans un domaine de pseudo nombre
d’onde, d’y effectuer l’opération de propagation et de revenir dans le domaine spatial "identité", à la
propagation près.

73
Modélisation et rayonnement Chapitre II

III.1.2.3 Implémentation de la transformée de Hankel discrète (DHT)

Semblable à la transformée de Fourier rapide (FFT), un algorithme de calcul rapide de transformée
de Hankel discrète (DHT) a été développé par Johnson en 1988 [56], et implémenté par Christopher
en 1991 [54]. Cet algorithme intègre sur une section de façon analogue le fenêtrage rectangulaire de
la source, cependant sans périodiser la source, évitant ainsi les problèmes de repliement spatial
inhérents à la FFT.

Ø L’implémentation de la DHT se fait en 3 étapes :

• Un rééchantillonnage de la source sur les zéros de la fonction J0 de Bessel, noté j n , pour les
indices de 1 à N, et regroupés dans un vecteur [j 0 ].

 a   a 
[ f ] = f  [ j0 ]  ou f ( n) = f  j0, n 
 j0,N   j0, N 
‚ Le calcul des coefficients Y(n,m) de la matrice passage dans le domaine des nombres d’onde k r.

 [ j0 ][ j 0 ]t  2 J 0 ( j0, m j0, n / j0, N )

(
 J1 ([ j0 ]) )
−1
[ Y ] = 2 J 0  ou Y (m, n ) = 2
 j0, N

 J12 ( j0, n )

ƒ La source dans le domaine des nombres d’onde k r est donné par le produit de la matrice de
passage normalisée:

2π a 2 2π a 2 N −1
[F] = [ Y ][ f ] ou F ( m) = ∑ Y ( m, n) f( n)
j N2 j N2 n =1

Ø Réciproquement, l’implémentation de l’IDHT se fait en 3 étapes :

• Un rééchantillonnage de la source sur les zéros de la fonction J0 de Bessel, noté j n , pour les
indices de 1 à N, et regroupés dans un vecteur [j 0 ].
 [ j0 ]   j 
[ F] = F   ou F (m) = F  m 
 2π a   2π a 
‚ Le calcul des coefficients Y(n,m) de la matrice passage dans le domaine des nombres d’onde k r.

 [ j0 ][ j 0 ]t  2 J 0 ( j 0, n j0, m / j0,N )
(
 J1 ([ j0 ]) )
−1
[ Y ] = 2 J 0  ou Y (n , m ) = 2
 j0, N

 J12 ( j0, m )

ƒ La source dans le domaine des nombres d’onde k r est donné par le produit de la matrice de
passage normalisée:
1 1 N −1
[ f]= 2 [ ][ ]
Y F ou f (n ) = ∑ Y (n, m) F( m)
2π a 2π a 2 m=1
74
Chapitre II Modélisation et rayonnement

III.2 Formulation spatiale

III.2.1 Discrétisation dans un repère cartésien
Cette formulation discrète a l’avantage de pouvoir s’appliquer à n’importe quel type de surface, et
repose sur l’hypothèse de champ lointain, dont la formulation simplifiée est connue sous le nom
d’approximation de Fresnel. La méthode consiste à découper la source en petits éléments devant la
distance de champ lointain [57, 58] :

Figure II.8 : Découpage de la source en éléments de petites dimensions [57].

L’approximation de Fresnel s’écrit :

a2
z >> Lcp où Lcp = pour une source circulaire de rayon a.
λ
Le découpage en éléments discrets de la surface dans les directions x et y est donnée par :

λz
∆xm =
M

λz
et ∆yn = où M et N sont les multiplicateurs de la distance de champ proche.
N

III.2.1.1 Source rectangulaire

La fonction d’ouverture rectangulaire sƒ,m,n pour chaque élément de surface est donnée par :
+ ∆xm / 2 + ∆yn /2
sW , m, n ( x, y ) = ∏ (x) ∏ ( y)
− ∆xm / 2 − ∆yn /2
(II.76)

75
Modélisation et rayonnement Chapitre II

∆x / 2
 1 si x ∈ [ −∆ x/2, +∆ x / 2 ]
avec ∏ ( x ) = 0 sinon
−∆x / 2 
L’élément de surface intégré est noté Im,n :
e − jkR
I m, n = ∫∫ sW, m, ndS (II.77)
S
R

L’expression de l’intégrale de Rayleigh discrétisée s’écrit alors :

M N
jkZ0
p (x , y , z ) =
2π
∑∑ v I
⊥ , m ,n m , n (II.78)
m =1 n =1

Après intégration sur l’élément de surface considéré, la pression est alors donnée par la double
somme selon les directions x et y [57]:

jkZ0 M N
e
− jkRm , n
 kx ' ∆x   ky ' ∆y 
p (x , y, z ) =
2π
∑∑ v⊥, m, nsinc  m m  sinc  n n  ∆xm∆yn (II.79)
m =1 n =1 Rm, n  2 Rm ,n   2 Rm, n 
où x 'm = x − xm , y 'n = y − yn et z 'm, n = z − zm, n sont les distances selon les directions x, y et z entre

le point d’observation (x, y, z) et le centre de l’élément d’intégration (x m , yn , zm,n), et

Rm, n = x 'm + y ' n + z ' m, n est le module de cette distance.

2 2 2

III.2.1.2 Source circulaire plane

Ce formalisme est étendu à une géométrie circulaire plane, puis focalisée [58] avec l’expression de
l’opérateur de rotation :

 sin ϕ m cos ϕ m 0
M ϕm =  − cos ϕm sin ϕm 0 
 0 0 1 
Ainsi, pour une source circulaire, on obtient :
(ϕ m +∆ ϕ ) ( rn +∆r )
e − jkRd ,m, n
I m, n = ∫ ∫ Rd,m,n Mϕm {sW ,m,n} rdrdϕ
(ϕ m −∆ϕ ) ( rn −∆r )

avec Rd ,m ,n = z 2 + r 2 + rn2 − 2rrn cos ( ϕ − ϕm ) la distance entre le point source et le point

image pour une source circulaire, et ϕm = xm /rn = (m+0,5)∆x/rn est la position angulaire
correspondant au centre de l’élément source situé en (rn , ϕm ).

76
Chapitre II Modélisation et rayonnement

III.2.1.3 Source circulaire focalisée

Pour une source circulaire focalisée sphérique de rayon de courbure Rc, l’élément d’intégration Im,n
devient :
(ϕ m +∆ ϕ ) ( rn +∆r )
e − jkR(,m ,n
I m, n = ∫ ∫ R(,m,n Mϕm {sW,m,n } rdrd ϕ
(ϕ m −∆ϕ ) ( rn −∆r )

où R(, m, n = ( z − zn )2 + r 2 + rn2 − 2rrn cos ( ϕ − ϕm ) est la distance pour une source incurvée

entre le point source (rn , ϕm , zn ) et le point image (r, ϕ, z), et z n = Rc − Rc2 − rn2 la position selon z

d’un point source situé à la position radiale rn .

III.2.2 Discrétisation dans un repère cylindrique

III.2.2.1 Source plane
La formulation intégrale de (II.44) développée pour une source plane discrète échantillonnée sur N
points de cordonnées cylindriques (rn , 0) est intégrée sur la source axisymétrique selon ϕ, puis
exprimée en fonction de la vitesse normale discrétisée v⊥ ,n :
 r2 
− jk  z +  N krn2
−j  krr  r
p ( r , z ) = jkZ 0e  2z
∑e
n =1
2z
J 0  n  v⊥ ,n n ∆rn
 z  Rn
(II.80)

L’expression (II.80) se simplifie dans le cas où le découpage de la source est suffisamment fin
(hypothèse de champ lointain satisfaite) :

π a2
Si N >> ,
λz
 r2 
− jk  z +  N krn2
−j rn
alors p ( r , z ) = jkZ0e  2z
∑e
n =1
2z
v⊥ , n ∆r .
Rn n

III.2.2.2Source focalisée
L’écriture discrétisée de la formulation intégrale (II.49) d’une source focalisée par un retard pur ϕn
est donnée par :
 r2 
− jk  z +  N krn2
−j  krr  r
p ( r , z ) = jkZ 0e  2z
∑e
n =1
+ jϕ n
e 2z
J 0  n v ⊥ , n n ∆rn
 z  Rn
(II.81)

Cette expression est étendue au cas d’une source sphérique focalisée géométriquement (II.51) par le
déphasage induit par la distance modifiée entre les points sources (rn , zn ) et le point cible (r, z) :

77
Modélisation et rayonnement Chapitre II

 r 2 + rn2 
N − jk  (z − z n )+ 
z − zn )   krrn 
p ( r , z ) = jkZ0 ∑ e
rn

∆rn
2(
J0   v⊥ ,n (II.82)
n =1  z − zn  Rn

IV Conclusion
L’objectif visé au cours de ce chapitre a été d’établir une modélisation axisymétrique d’un
transducteur mono-élément focalisé. Dans cette optique, un outil de modélisation hybride éléments
finis / code de propagation a été développé. Les différents codes de propagation utilisés tirent
avantages de la géométrie du transducteur, et du résultat recherché, plan ou ponctuel. Il en résulte
un outil de modélisation de la transduction et du rayonnement d’un transducteur focalisé permettant
de déterminer la réponse électro-acoustique du transducteur.

IV.1 Tableau récapitulatif

Les différentes méthodes abordées pour la résolution numérique de l’intégrale de Rayleigh
(paragraphe 0) sont synthétisées dans le Tableau II.4 qui suit :

Source Temps de
Formulation Géométrie Résultat Précision
focalisée calcul
Transformée de Fourier
discrète 2D dans un repère Quelconque Non Plan − +
cartésien (FFT 2D)
Transformée de Hankel
discrète dans un repère Axisymétrique Oui Plan radial ++ ++
cylindrique (DHT-SSC)
Intégration numérique
dans un repère cartésien Quelconque Oui Point ++ −
(NIM)
Intégration numérique
dans un repère cylindrique Axisymétrique Oui Point ++ +++
(NIM axisymétrique)

Tableau II.4 : Récapitulatif des codes de propagation : Appréciation précision/temps de calcul.

78
Chapitre II Modélisation et rayonnement

Les méthodes de propagation utilisées sont basées sur l’intégrale de Rayleigh (II.30). Chacune des
formulations développées, selon que le résultat recherché en plan ou ponctuel, permet d’obtenir un
certain compromis entre précision et temps de calcul (Tableau II.4).
Les formulations dans le domaine spectral (FFT 2D et DHT) permettent de propager un plan à
chaque pas de calcul. Ainsi, dans le cas où le résultat recherché est un plan, ces méthodes sont
performantes en terme de temps de calcul. Plus particulièrement, la méthode basée sur la FFT 2D
permet de traiter une géométrie plane quelconque, mais nécessite une capacité mémoire et une
puissance de calcul importantes. De plus, des problèmes de repliement spectral viennent s’ajouter si
la source n’est pas entourée d’une "zone tampon" suffisamment importante, qui nécessite elle aussi
des capacités mémoire. Pour une configuration axisymétrique, on préférera utiliser la méthode
basée sur la DHT, permettant une économie importante des capacités mémoires et contournant le
problème du repliement avec un algorithme prenant en compte implicitement une source finie
entourée d’une "zone tampon". La formulation SSC de la DHT a été retenue pour son meilleur
compromis précision/temps de calcul, bien que la DHT-FSC donne des résultats acceptables [59].
L’approche de la formulation dans le domaine spatial, plus classique consiste à procéder à une
intégration numérique d’une multitude de contributions en champ lointain, aisées à calculer. La
NIM s’adapte à toute sorte de géométrie plane ou non, du moment que les contributions secondaires
de la source peuvent être négligées. Elle permet de calculer un point image à la fois, et comporte
l’avantage d’être très performante en terme de temps de calcul, pour un encombrement mémoire
minime. La précision peut être poussée à la limite de celle du logiciel utilisé pour peu que l’on
découpe la source plus finement au prix d’un temps de calcul augmenté en conséquence. Ici encore,
pour une configuration de source axisymétrique, la NIM est formulée dans un repère cylindrique et
permet de réaliser une seule intégration, l’intégration angulaire étant formulée implicitement. Il en
résulte un temps de calcul encore réduit, et une meilleure précision pour ce type de géométrie.
Le sujet de l’étude étant un transducteur circulaire mono-élément focalisé, on utilisera donc par la
suite les formulations axisymétriques spectrale (DHT) ou spatiale (NIM axisymétrique) de
l’intégrale de Rayleigh. La première sera préférée à la seconde, pour le calcul d’un plan radial car
plus rapide. La seconde est, quant à elle, mieux adaptée pour le calcul du champ dans l’axe du
transducteur.

79
Modélisation et rayonnement Chapitre II

IV.2 Schéma de principe – Utilisation

Les moyens de modélisation traditionnellement utilisés se limitent à une hypothèse de vibration
unidimensionnelle. Pour pallier à cette restriction, une modélisation par éléments finis a été mise en
place ; son principe de résolution, et une optimisation du maillage ont été détaillés en première
partie. La réponse obtenue a été comparée et vérifiée à la surface du transducteur, mais un filtrage
de l’excitation est constaté au cours de la propagation dans le fluide. En conséquence, un code de
propagation linéaire dans un milieu fluide homogène a été développé pour relayer la résolution par
éléments finis de la transduction dans le solide (Figure II.9). La réponse électro-acoustique en
émission peut alors être déterminée en n’importe quel point de l’espace. Typiquement, le champ de
pression est calculé dans l’axe et autour du point focal. En particulier, la réponse électro-acoustique
est caractérisée au point focal et ce en fonction de différentes configurations.

Modélisation par Code de propagation Réponse électro-acoustique

éléments finis (diagramme de (fonction de transfert en émission
(calcul de la source) rayonnement) ou en émission-réception)

Figure II.9 : Schéma de principe de la modélisation du rayonnement d’un transducteur.

Les performances du transducteur seront alors évaluées et comparées pour des configurations
géométriques et acoustiques de la lentille de focalisation variables en vue de déterminer celle
optimale pour une application donnée (l’imagerie médicale). C’est l’objet du chapitre qui suit.

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Chapitre II Modélisation et rayonnement

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85
Modélisation et rayonnement Chapitre II

86
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

Equation Section (Next)

CHAPITRE III : I NFLUENCE D’ UNE LENTILLE DE FOCALISATION

ACOUSTIQUE SUR LA REPONSE ELECTRO-ACOUSTIQUE

La focalisation d’une source ultrasonore permet d’améliorer localement la sensibilité et la

résolution latérale et donc la qualité d’image dans une zone définie. L’amélioration des
performances sera ici évaluée sur la réponse électro-acoustique au travers de la sensibilité, la
résolution et le contraste. Un indice établissant la pondération des grandeurs évaluées permet de
déterminer le compromis optimal pour l’imagerie. Dans un deuxième temps, des configurations sont
établies afin de déterminer l’influence d’une focalisation acoustique au moyen d’une lentille. La
modélisation du transducteur et les propriétés des couches le constituant sont alors détaillées. En
particulier, la lentille est caractérisée par ses paramètres géométriques et acoustiques. Dans un
troisième temps, les champs de pression rayonnés et la réponse électro-acoustique au point focal
sont comparés en fonction du modèle et de l’impédance acoustique de la lentille, pour une distance
focale F et un rayon de source a constants. Les résultats de simulation sont alors confrontés aux
résultats expérimentaux. Enfin, les perspectives des modèles développés sont envisagées.

I Caractérisation de la réponse électro-acoustique

La qualité de l’image obtenue avec un transducteur ultrasonore intégré dans un système d’imagerie
dépend des caractéristiques de la réponse électro-acoustique. Pour cela, des paramètres de
sensibilité, résolution axiale et contraste axial évalués sur la réponse électro-acoustique doivent être
pris en compte pour élaborer un transducteur adapté à l’imagerie haute résolution. Ces paramètres
dépendent de la chaîne de transmission constituée par les différentes couches fonctionnelles du
transducteur : les caractéristiques géométriques et propriétés acoustiques doivent être optimisées.
Des corrélations entre ces paramètres peuvent être établies dans des cas simples, et permettent
d’établir les tendances observées la plupart du temps. L’énergie acoustique délivrée par le
transducteur étant finie, la résolution axiale et le contraste axial peuvent être améliorés au détriment
de la sensibilité. Ce compromis est établi par la pondération des paramètres mentionnés
précédemment en minimisant un indice de performance (Equation I.6, Chapitre I). La minimisation
de cet indice de performance est effectuée au moyen d’une optimisation itérative.

87
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

I.1 Sensibilité
La sensibilité amp est déterminée à partir de la fonction de transfert Ht (f) du transducteur :

( (
amp = max env TF −1 {H t ( f )}) ) (III.1)

où env ( x ( t ) ) = THilbert ( x (t ) ) est l’enveloppe du signal réel x (t) définie par le module de sa

transformée de Hilbert.
La fonction de transfert du transducteur Ht (f) est une fonction qui s’étend de part et d’autre de la
fréquence centrale f 0 du transducteur. Afin de s’affranchir de la dépendance fréquentielle de la
sensibilité amp (III.1), l’évaluation de la sensibilité est normalisée par f 0 :
amp
ampn = (III.2)
f0
Pour des configurations spécifiques, la réponse électro-acoustique peut aussi être évaluée de façon à
prendre en compte des fonctions de transfert amont (excitation électrique) et/ou aval (focalisation)
du transducteur [1].

I.1.1 Focalisation
Dans le cas d’une évaluation de la réponse impulsionnelle résultant d’une source focalisée, la
fonction de transfert de propagation Hp (f) jusqu’au point focal doit être prise en compte :

( (
amp p = max env TF −1 {Ht ( f ) H p ( f )} )) (III.3)

La fonction de transfert de propagation Hp (f) est évaluée grâce au code de propagation basé sur
l’intégrale de Rayleigh (Chapitre II), et dépend essentiellement de la géométrie de la source et de la
fréquence centrale f 0 . Ainsi, pour une source focalisée, la normalisation n’est plus effective, puisque
le gain de focalisation G dépend de la fréquence centrale f 0 et de la géométrie du transducteur.
Comme l’ont montré Lucas et Muir [2], la formule approchée du gain de focalisation G dépend de
la longueur d’onde λ (donc de la fréquence centrale f 0 ), de la surface S de la source de rayon a et de
la distance focale F :

ka 2 S Sf
G; = = 0 ,
2F λ F Fc0

avec S = π a2 , la surface de la source et λ = c0 / f 0 la longueur d’onde.

88
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

La sensibilité (III.3) pour une source focalisée dépend donc de la fréquence centrale f 0 . Pour obtenir
une évaluation de la sensibilité indépendante de la fréquence, la sensibilité doit être normalisée par
la fréquence centrale f 0 2 :
amp p Gamp Sampn
amp p, n = 2
; = (III.4)
f 0 f 02 Fc0
Ainsi, l’évaluation de la sensibilité avec ampp,n (III.4) est indépendante de la fréquence centrale f 0
du transducteur. Seule intervient la géométrie de la source, avec sa surface active S et sa distance
focale F.

I.1.2 Excitation électrique

Afin d’optimiser la réponse électro-acoustique du transducteur pour une excitation électrique
donnée de spectre He (f), celle-ci peut être prise en compte au niveau de la fonction de transfert en
émission. Par définition, la réponse impulsionnelle est h (t) = TF–1 {H (f)}, autrement dit elle est la
réponse à une impulsion de Dirac δ (t). La réponse à une excitation quelconque Ve (t) résulte donc
du produit de convolution de cette excitation par la réponse impulsionnelle h (t) :
he ( t ) ∗ h ( t ) ⇔ H e ( f ) .Ht ( f )

On définit alors la sensibilité résultant de l’excitation électrique U(t) :

( (
ampe = max env TF −1 {He ( f ) H t ( f )} )) (III.5)

Dans ce cas, la sensibilité n’est plus fonction de la fréquence centrale f 0 , et la normalisation de la

sensibilité par f 0 (III.2) n’est plus nécessaire :
ampe, n = ampe (III.6)

I.1.3 Généralisation
De façon plus générale, la sensibilité peut intégrer les fonctions de transfert inhérentes aux
protocoles de simulation ou de mesure. Ainsi, par la suite, la sensibilité prise en compte pour les
configurations focalisées intègre le spectre de l’excitation électrique He (f) (très large bande) et la
fonction de transfert de propagation Hp (f), propre à la source focalisée :

( (
ampep = max env TF −1 {H e ( f ) H t ( f ) H p ( f )} )) (III.7)

La sensibilité étant ici fonction de la fréquence centrale f 0 , son évaluation est normalisée par f 0 :
amp pe
ampe p, n = (III.8)
f0

89
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

La sensibilité définie précédemment (III.1) peut aussi être évaluée avec des fonctions de transfert
amont et aval, induisant ou non une dépendance de la fréquence centrale f 0 . Cependant, l’évaluation
de la sensibilité peut être adaptée et normalisée selon que la sensibilité est évaluée sur la réponse
impulsionnelle d’un transducteur plan (III.1), sur la réponse impulsionnelle d’un transducteur
focalisé (III.3), sur la réponse à une excitation d’un transducteur plan (III.5), ou sur la réponse à une
excitation d’un transducteur focalisé (III.7). On peut donc proposer une évaluation de la sensibilité
normalisée généralisée, selon la fonction de transfert envisagée (Tableau III.1).

Transducteur plan Transducteur focalisé

Réponse impulsionnelle f0 (III.1) et (III.2) f 02 (III.3) et (III.4)
Réponse à une excitation 1 (III.5) et (III.6) f0 (III.7) et (III.8)

Tableau III.1 : Facteur de normalisation de la sensibilité selon la fonction de transfert.

La sensibilité normalisée ampx,n peut ainsi s’écrire en fonction puissance p de la fréquence centrale,
où le facteur puissance p est adapté selon la configuration envisagée dans le Tableau III.1 :
amp x
ampx , n = p
(III.9)
f0

I.2 Durée d’une excitation gaussienne

D’une façon générale, les propriétés temporelle (durée) et spectrale (bande passante) d’un signal
quelconque sont reliées. Ces liens sont ici rappelés pour le cas d’un signal dit gaussien, c’est-à-dire
avec une enveloppe gaussienne. Le spectre d’une excitation gaussienne centrée en f = f 0 et sa
formulation temporelle centrée en t = t 0 sont liés par la transformée de Fourier :
2
1 f − f0 
−  
( )
2
2  σ f  −2 σ f π (t −t 0 ) j 2π f 0 (t −t 0 )
u( f ) = e e j 2π f0 t0 ⇔ u (t ) = 2πσ f e e
2
1  t − t0 
−  
1 2 σ j 2 π f (t −t )
⇔ u (t ) = e  te 0 0 (III.10)
2π σ t

Les écritures spectrale ou temporelle (III.10) d’un signal gaussien sont liées par la correspondance
entre les écart-types temporel σt et spectral σf :
1
σt = (III.11)
2πσ f

90
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

Ainsi, la durée et la bande passante peuvent être évaluées indifféremment avec les expressions
temporelle ou spectrale du signal gaussien.

I.2.1 Expression temporelle

La durée relative (ou normalisée) à la période T0 du signal à –n dB est notée dn,r et s’écrit
directement en fonction de l’écart-type temporel σt :

dn  d  n ln(10) σ t
d n, r = =  =2 (III.12)
T0  T0 − n d B 10 T0

Ainsi, à –6 et –30 dB, l’expression (III.12) donne :

d6 2 2ln ( 2 )σ t d30 2 3ln (10 )σ t

= et = (III.13)
T0 T0 T0 T0

I.2.2 Expression spectrale

De même, la bande passante relative (ou normalisée) à –n dB est notée ∆f n,r et s’écrit :

∆f n  ∆f  n ln(10) σ f
∆f n ,r = =  =2 (III.14)
f 0  f 0  − ndB 10 f0

A partir des expressions de la durée normalisée (III.12), de la bande passante normalisée (III.14) et
du lien entre les écarts-types temporel et spectral (III.11), on déduit la correspondance entre la
bande passante ∆f n et la durée de l’excitation dn :
n ln (10)
dn = (III.15)
5π∆f n

Ainsi, à –6 dB, on retrouve bien la relation entre la durée d6 et la bande passante à mi-hauteur ∆f 6
utilisée pour caractériser la résolution axiale (paragraphe A2.1.3, Annexe 2) :

4ln ( 2 ) 0,88 6ln (10 ) 4,4

d6 = ; et d 30 = ; (III.16)
π∆f 6 ∆f 6 π∆f 30 ∆f 30
Pour un signal gaussien, on retrouve bien la dualité temps-fréquence formalisée par la relation
(III.11). Plus concrètement, elle est illustrée par la relation entre durée et bande passante à –n dB
(III.15) : plus la durée de l’excitation est courte, plus la bande passante est importante et
réciproquement.

91
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

I.2.3 Relations et valeurs typiques

I.2.3.1 Facteur de forme
Pour une excitation gaussienne, les durées dn et d6 ou les bandes passantes ∆f n et ∆f 6 sont
proportionnelles (III.17), de façon identique :

dn ∆f n n ln (10 )
= = (III.17)
d6 ∆f 6 20ln ( 2)

La valeur du rapport (III.17) est simplement proportionnelle à la racine carrée de n. Ce rapport

constitue un facteur de forme et permet de déterminer si la réponse caractérisée est proche d’une
gaussienne. Ainsi, pour n = –30 dB on obtient d30 / d6 = 2,23.

I.2.3.2 Durée et bande passante relative

La durée dn (III.16) normalisée par T0 est exprimée en fonction de la bande passante ∆f 6,r = ∆f 6 / f0 :

dn 2 5n ln (10 ) ln ( 2 ) f 0 0,36 n
= ; (III.18)
T0 5π ∆f 6 ∆f 6,r

L’expression (III.18) permet de déterminer la durée à –n dB (pour une réponse proche d’une
gaussienne) en fonction de la bande passante relative à –6 dB (Figure III.1 (a)).
Ainsi, pour n = –6 et –30 dB on obtient respectivement (Figure III.1 (b)) :
d6 0,88 d30 1,97
; et ; (III.19)
T0 ∆f6, r T0 ∆f6, r

10 10
6

9 (a) 9 (b)
30

25
8 8
Durée normalisée d n/T0

Durée normalisée d n/T0

7 7
25
6 6
6

30

5 5
25
50
4 4
50
3 75 3 30
6
50 75
2 2 30
100
25

75
100 6
1 1 6
50

00
751
0 10 20 30 40 0 20 40 60 80 100
n (dB) Bande passante relative ∆ fn,r (%)

Figure III.1 : (a) Durée normalisée en fonction du seuil à –n dB pour une bande passante relative à
–6 dB de 25, 50, 75 et 100 % ; (b) Durée normalisée en fonction de la bande passante relative à
–n dB pour des seuils à –6 et –30 dB.

92
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

I.3 Indice de performance

La mise en place d’un indice de performance a pour objectif de caractériser la réponse électro-
acoustique d’un transducteur. L’indice de performance (I.13) basé sur une évaluation de la
résolution axiale (d6 ), du contraste axial (d30 ) et de la sensibilité (amp) a été généralisé de façon à
prendre en compte les fonctions de transfert données par le Tableau III.1. Ces paramètres ont été
pondérés par 3 coefficients (α, β, γ) = (8, 8, 3) et évalués relativement à la fréquence centrale f 0 =
1/T0 avec le facteur puissance p adéquat pour la fonction de transfert prise en compte :
amp x
IP = α d6 f 0 + βd30 f 0 − γ p
(III.20)
f0
Ainsi, la réponse électro-acoustique d’un transducteur peut être évaluée avec un schéma équivalent.
Plus particulièrement, le schéma KLM (Annexe 3) permet de prendre en compte le spectre de
l’excitation He (f) et de modéliser la fonction de transfert Ht (f). Le code de propagation développé
au cours du Chapitre 2 permet quant à lui de calculer la fonction de transfert de propagation Hp (f).
Ainsi, la sensibilité ampx de la réponse électro-acoustique peut être évaluée selon la fonction de
transfert H (f) étudiée. Pour plus de stabilité durant l’optimisation, les durées d6 et d30 sont évaluées
par rapport à celles d’une gaussienne équivalente, avec respectivement 76,1 et 99,1 % de la surface
de l’enveloppe [1, 3].
L’indice de performance normalisé pour les différentes fonctions de transfert (III.20) peut alors être
développé indifféremment avec les expressions temporelle ou spectrale du signal gaussien :

(
IP = 2α 2ln ( 2 ) + 2β 3ln (10 ) ) σT
0
t
− γ a m px T0p (III.21)

α 2ln ( 2 ) + β 3ln (10 ) f 0 ampx

ou IP = −γ (III.22)
π σf f 0p
Comme l’illustrent les relations (III.21) ou (III.22), l’indice de performance appliqué à un signal
gaussien permet d’évaluer l’écart-type temporel σt ou spectral σf et la sensibilité ampx normalisée
par f 0 p . Cependant, pour un signal quelconque, le rapport entre l’écart-type et la durée n’est pas
connu, d’où la nécessité d’un tel indice de performance qui différencie la durée à –6 et à –30 dB.

93
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

I.4 Optimisation
A partir des formulations équivalentes (III.21) et (III.22), l’optimisation de la réponse électro-
acoustique peut s’opérer aussi bien sur la réponse temporelle que sur le spectre. L’influence de la
durée de la réponse est donc prépondérante (paramètres α et β). La sensibilité est évaluée avec le
troisième terme (paramètre γ) qui prend en compte la sensibilité intrinsèque basée sur la réponse
impulsionnelle du transducteur (résultante de la transduction et de l’adaptation d’impédance,
Annexe 3). Par ailleurs, comme l’illustre la Figure III.2 la prise en compte de l’excitation électrique
(fonction de transfert He) et/ou d’une focalisation (fonction de transfert Hp ) peut venir pondérer la
réponse impulsionnelle (fonction de transfert Ht). L’évaluation de la sensibilité peut alors être
adaptée (III.9) à la configuration étudiée. Les variations de l’indice de performance sont
relativement complexes car les grandeurs évaluées sont très souvent corrélées, et l’optimal
recherché est le résultat d’un compromis.

δ (t)

Fonction de transfert
He (t)
de
l’excitation électrique
Ve (t)

Fonction de transfert Ht (t, rs, P(rs ))

de
transduction ps (t, rs, P(rs))

IP
Fonction de transfert Hp (t, rs, P(rs), r, z)

de
propagation p (t, r, z)

Figure III.2 : Procédure incrémentale d’optimisation des propriétés du transducteur en émission

avec les fonctions de transfert optionnelles d’excitation électrique et/ou de propagation.

94
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

Ainsi, concernant la sensibilité, l’efficacité de l’élément piézo-électrique à la source de l’excitation

est décrite par le coefficient de couplage en épaisseur k t. Ses propriétés diélectriques, son k t, et les
impédances ramenées des charges acoustiques en faces arrière et avant décrivent son impédance
électrique Ze (I.4) qui intervient au niveau du rendement électrique à l’émission (Figure I.13). Son
impédance acoustique est un élément important pour l’adaptation d’impédance des milieux arrière
et avant, et pour l’optimisation du rendement acoustique à l’émission et à la réception.
Par ailleurs, les adaptations d’impédances électrique et acoustique exercent une influence sur la
durée de l’excitation. L’optimisation du coefficient de réflexion à chaque interface permet d’éviter
les perturbations sur l’impulsion (milieu arrière absorbant) d’émission et d’augmenter la bande
passante (lames adaptatrices en face avant). Le milieu arrière, dès lors qu’il est suffisamment
atténuant et long, permet d’éviter le retour de l’impulsion absorbée. Les épaisseurs des lames avant
d’adaptation et des collages (non négligeables en haute fréquence) permettent d’ajuster le
compromis sensibilité/bande passante selon l’indice de performance envisagé.
Enfin, et c’est l’objet du paragraphe suivant, le résultat global de la transduction est focalisé afin
d’améliorer la sensibilité. Comme décrit précédemment (Figure I.11, Chapitre I), deux types de
focalisation sont envisagées : par mise en forme de l’élément actif (que l’on nommera focalisation
géométrique) ou par ajout d’une lentille sur un élément piézo-électrique plan (que l’on nommera
focalisation acoustique).
Si l’optimisation selon le critère de performance IP (I.6) est aisée pour une configuration plane
unidimensionnelle avec le schéma KLM (Annexe 3), elle ne va pas de soi pour une configuration
focalisée : une modélisation axisymétrique est nécessaire.

95
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

II Influence d’une lentille acoustique

La modélisation de la géométrie axisymétrique du transducteur mono-élément est requise pour
déterminer le profil source à la surface de la lentille (Chapitre II). Pour cela, une modélisation par
éléments finis avec le logiciel ATILA a été choisie et développée. L’inconvénient majeur d’une telle
méthode de modélisation réside dans le temps de calcul, et la difficulté de la mise en place d’une
procédure itérative d’optimisation. Une méthode alternative basée sur le modèle KLM a également
été développée et modifiée par approches successives, de façon à prendre en compte la fonction de
transfert due à la lentille acoustique.
L’objectif de ces modélisations est de déterminer l’influence d’une lentille acoustique pour deux
types de configuration : la première est basée sur un élément piézo-électrique avec un milieu arrière
absorbant et un milieu avant permettant de réaliser l’adaptation d’impédance et de focaliser. La
seconde configuration comporte en plus une lame adaptatrice entre l’élément piézo-électrique et la
lentille de focalisation acoustique, en vue d’améliorer la sensibilité et la résolution axiale.
L’influence des propriétés acoustiques de la lentille est étudiée à distance focale F constante et un
rayon de source a constant.

II.1 Configurations
II.1.1 Initialisation
Les configurations étudiées sont basées sur une céramique piézo-électrique en titanate de plomb
(Pz34 de Ferroperm Piezoceramics), choisie pour ses propriétés diélectriques bien adaptées aux
transducteurs mono-éléments, en haute fréquence (Tableau III.2). En effet, la constante diélectrique
à déformation constante dans la direction de l’épaisseur (ε 33,rs = 154) permet généralement de
réaliser une bonne adaptation électrique autour de la résonance avec le générateur (50 Ω). Pour cela,
le rayon du disque piézo-électrique a été fixé à a = 1,125 mm, et son épaisseur à ep = 50 µm. Le
premier mode épaisseur donne une fréquence de résonance à f 0 = 43 MHz. Par contre l’impédance
acoustique de la céramique élevée doit être adaptée en face arrière pour l’absorption, et en face
avant pour la transmission. Des itérations successives à l’aide du modèle unidimensionnel KLM
(Annexe 3) et de l’indice de performance (III.9) permettent une optimisation des couches avant et
arrière pour une application en imagerie médicale haute résolution. Cette optimisation conduit à une
impédance du milieu arrière Zar = 3,8 MRa, Zlame1 = 6,8 MRa, et Zlame2 = 2,2 MRa. Le compromis
sensibilité / bande passante est déterminé par l’indice de performance modulable choisi.

96
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

ρ c11E c12E c13E c33E c44E e13 e15 e33

ε11S ,r ε33S ,r
(kg/m ) 3
(GPa) (GPa) (GPa) (GPa) (GPa) (C/m2 ) (C/m2 ) (C/m2 )
7550 188,4 80,2 82,3 127,2 58,9 3,81 2,31 6,87 181 154
ρ : masse volumique ; cijE : tenseur d’élasticité à champ électrique constant ; eij : tenseur
de piézo-électricité ; ε iiS ,r : permittivité diélectrique relative à déformation constante.

Tableau III.2 : Propriétés du disque piézo-électrique en Pz34 utilisé pour les simulations

II.1.2 Transducteurs avec et sans lame adaptatrice

La configuration initiale (milieu arrière et élément piézo-électrique) ainsi établie sert de base à
l’étude de l’influence des paramètres acoustiques et géométriques de la lentille. Les propriétés de la
lame adaptatrice sont optimisées dans le cadre de la configuration initiale équipée en face avant de
deux lames adaptatrices. Les caractéristiques acoustiques résultantes pour les deux lames
adaptatrices (d’épaisseur quart d’onde) sont synthétisées dans le Tableau III.3. L’optimisation de la
configuration initiale a permis de définir les impédances acoustiques des différents éléments
constitutifs. La densité de maillage longitudinal a été optimisée pour un calcul en régime transitoire
et pour chacune des couches constituant le transducteur (Chapitre II). Par la suite, la densité de
maillage longitudinal pour la lentille a été ajustée par rapport à celle de la seconde lame adaptatrice.
Elle a été réévaluée pour l’épaisseur maximale, et la valeur indiquée (16 mailles par longueur
d’onde) dans le Tableau III.3 a été réduite à la valeur minimale de 9 mailles par longueur d’onde.

Disque Première lame Seconde lame

Matériau Milieu arrière Milieu avant
piézo-électrique adaptatrice adaptatrice
Z (MRa) 3,8 35 6,8 2,2 1,5
ρ (kg/m3 ) 1815 7550 3930 1035 1000
cl (m/s) 2120 4630 1725 2100 1490
ct (m/s) 1005 2675 850 1060 −
ll /λ (u.a.) 9 1/2 1/4 l/4 −
n l / λ (mailles) 5 16 16 16 8
Z : impédance acoustique ; ρ : masse volumique ; cl :vitesse longitudinale ; ct : vitesse transverse ;
ll / λ : épaisseur normalisée par la longueur d’onde ; n l / λ : nombre de mailles par longueur d’onde.

Tableau III.3 : Propriétés acoustiques, épaisseur et densité du maillage des éléments constitutifs du
transducteur mono-élément.
97
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

Le découpage radial de la source a été affiné jusqu’à obtenir la convergence du champ de

déplacement relevé à la surface de la lentille, soit un échantillonnage de 3 mailles par longueur
d’onde. Seules les caractéristiques de la première lame adaptatrice seront retenues pour la
configuration avec lame et lentille en face avant (Figure III.3 (b)). On retiendra que pour une
seconde lame adaptatrice, l’impédance acoustique optimisée se situe à Z2 = 2,2 MRa [4]. Deux
configurations de transducteurs ont donc été étudiées : la première est constituée d’un milieu
arrière, d’un élément piézo-électrique, et d’une lentille acoustique (Figure III.3 (a)) ; la seconde est
constituée d’un milieu arrière, d’un élément piézo-électrique, d’une lame adaptatrice et d’une
lentille acoustique (Figure III.3 (b)).

Milieu Disque Milieu Disque piézo-électrique Lame

arrière piézo-électrique arrière adaptatrice

2250 2250
BP
Lentille Lentille
acoustique acoustique

450 50 10 450 50 8 10

(a) (b)

Figure III.3 : Configurations face avant étudiées (a) lentille seule et (b) lame adaptatrice et lentille.

Les courbes d’impédance préliminaires sont calculées dans l’air pour un milieu avant semi-infini
(Figure III.4 (a)). On peut observer le mode de résonance du disque piézo-électrique amorti par le
milieu arrière (résonateur simple amorti : un seul mode résonance). La présence de lames
adaptatrices en face avant vient ajouter des modes de résonance et modifie le mode initial du
résonateur amorti. Ainsi, l’ajout d’une première lame adaptatrice à la structure fait apparaître deux
modes de résonance, puis avec l’ajout d’une seconde lame en fait apparaître un troisième.
Ces résonances bien distinctes dans l’air (dont l’impédance acoustique est très faible) sont lissées
dès lors qu’une charge d’impédance proche de celle de l’eau est disposée en milieu avant
(Figure III.4 (b)). Les courbes d’impédance obtenues pour la configuration avec la lame adaptatrice
et la lentille (dont les propriétés acoustiques sont celles de la deuxième lame adaptatrice) sont à mi-
chemin entre celles obtenues pour les configurations avec une et deux lames adaptatrices.

98
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

70 50
60
50
0
Re(Z) (Ω )

Im(Z) (Ω )
40
30
-50
20
10
0 -100
20 40 60 80 20 40 60 80
Fréquence (MHz) Fréquence (MHz)
(a)
0.1
0.1

0.08
Re(Y) (S)

Im(Y) (S)
0.05
0.06
0.04

0.02 0
0
20 40 60 80 20 40 60 80
Fréquence (MHz) Fréquence (MHz)

40 0

-10
30
Re(Z) (Ω )

Im(Z) (Ω )

-20
20
-30
10
-40

0 -50
20 40 60 80 20 40 60 80
Fréquence (MHz) Fréquence (MHz)
(b)
0.08 0.08

0.06 0.06
Re(Y) (S)

Im(Y) (S)

0.04 0.04

0.02 0.02

0 0
20 40 60 80 20 40 60 80
Fréquence (MHz) Fréquence (MHz)

Figure III.4 : Courbes d’impédance pour le milieu arrière et l’élément piézo-électrique seuls (noir),
avec la première lame adaptatrice (orange), avec les deux lames adaptatrices (rouge), avec la
première lame adaptatrice et la lentille acoustique avec un rayon de courbure Rc = 2 mm (vert)
(a) dans l’air, (b) dans l’eau.

99
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

Afin d’illustrer l’amélioration de la réponse électro-acoustique en pression, celle-ci a été simulée au

moyen du modèle unidimensionnel KLM à l’interface entre la face avant et le milieu de
propagation. On peut ainsi observer l’amélioration notable de la réponse électro-acoustique (Figure
III.5 (a)) : d’amplitude plus importante et de durée plus courte à mesure que la première puis la
seconde lame adaptatrice sont ajoutées en face avant. Dans le même temps, le spectre subit aussi
des modifications (Figure III.5 (b)) : l’ajout d’une première lame adaptatrice permet un
élargissement du spectre, au prix d’une dissociation en pics de part et d’autre de la fréquence
centrale de l’élément piézo-électrique amorti par le milieu arrière. L’ajout d’une seconde lame
adaptatrice permet de retrouver la forme du spectre recherchée, tout aussi large à mi-hauteur, avec
un seul pic centré sur la fréquence de résonance légèrement décalé vers les basses fréquences.

1500

1000

500
Pression (Pa)

(a) 0

-500

-1000

-1500
0 0.025 0.05 0.075 0.1 0.125 0.15
Temps (µs)
-5
x 10
2.5

2
Pression (Pa.s)

1.5

(b)
1

0.5

0
0 20 40 60 80 100
Fréquence (MHz)

Figure III.5 : Réponses en pression dans l’eau pour le milieu arrière et l’élément piézo-électrique
seuls (noir), avec la première lame adaptatrice (orange), avec les deux lames adaptatrices (rouge).

100
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

L’ajout de lames adaptatrices en face avant permet donc d’améliorer le compromis entre sensibilité
et bande passante. Cet effet a été largement étudié et a été l’objet de nombreux travaux (Annexe 3).
Le fait d’ajouter une lentille acoustique en face avant, outre qu’il permet d’améliorer la sensibilité et
la résolution radiale n’a pas été (à notre connaissance) étudié au sens d’une valeur d’impédance
acoustique optimale comme l’ont été les lames adaptatrices d’épaisseur quart d’onde.
En effet, le problème alors posé consiste en une optimisation des caractéristiques acoustiques de la
lentille, mais aussi géométriques. Ainsi, l’influence des propriétés géométriques d’une lentille
acoustique sphérique est rappelée (A nnexe 5), et les propriétés acoustiques sont déduites afin
d’étudier le paramètre qui fait l’objet de ce chapitre : l’étude de l’influence de l’impédance
acoustique de la lentille à distance focale constante.

II.2 Propriétés de la lentille

Les lentilles sont réalisées à partir d’une matrice en résine de type époxy et de diverses charges
telles que l’air (époxy poreux) ou l’argent [5-7] sous forme de particules. Ainsi, l’impédance
acoustique de la lentille Zl est modifiée tout en conservant une distance focale F constante. Pour
cela, la géométrie de la lentille a été ajustée et ses propriétés ont été déterminées à partir de modèles
d’homogénéisation pour des matériaux passifs. Les propriétés homogénéisées (ρ, cl) servent alors
de base au calcul du rayon de courbure Rc de la lentille, de manière à garder la distance focale
optique F constante (Annexe 5).
La focalisation d’une source acoustique est décrite de façon a déterminer dans un premier temps la
distance focale (sous-entendue géométrique). Dans un second temps, la focale effective est déduite
comme la résultante de ce premier calcul (focalisation géométrique) et de la distance de champ
proche (focalisation naturelle).

101
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

II.2.1 Focalisation optique

Le formalisme employé pour décrire la focalisation par une lentille acoustique a été emprunté à
celui utilisé en optique [8]. La mise en place d’une lentille d’indice de réfraction n1 entre la source
et son image acoustique vient interférer dans la transmission entre les milieux amont et aval
respectivement d’indices de réfraction n0 et n2 .

r
R01

Source n0 n1 n2 z

Image

R12

d2

d0 d1

Figure III.6 : Lentille acoustique de focalisation biconvexe en fonction des indices de réfraction des
milieux amont (c0 ), aval (c2 ), et dans la lentille (c1 ).

On cherche à déterminer la distance focale image. Pour cela on exprime les relations aux interfaces
entre le milieu amont (n0 ) et la lentille (n1 ), puis entre la lentille (n1 ) et le milieu aval (n2 ) :
n1 n0 n1 − n0
+ = (III.23)
d1 d0 R01

n2 n 1 n 2 − n 1
et − = (III.24)
d2 d1 R12
De (III.23) et (III.24), on déduit la relation générale :
n0 n2 n1 − n0 n2 − n1
+ = + (III.25)
d0 d2 R01 R12

102
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

De façon plus particulière, pour une lentille (n1 ) immergée dans un même milieu de propagation
amont et aval d’indice de réfraction n0 = n2 :

1 1  n1  1 1 
+ =  − 1  − 
d0 d 2  n0  R01 R12 
Si on renomme F = – d2 la distance focale aval, R1 = R01 et R2 = R12 , les rayons de courbure
algébriques amont et aval, n = n1 / n0 , le rapport des indices de réfraction de la lentille et du milieu
de propagation, on obtient la relation :
1
F= (III.26)
1 1  1
(1 − n )  −  +
 R1 R2  d 0
Avec l’hypothèse d’une source d’onde plane, soit une source positionnée à l’infini (d0 → +∝), on
retrouve les expressions approchées développées dans l’Annexe 5 (Tableau A5.1). Dans le cas plus
particulier d’un rayon de courbure amont infini (R1 → +∝), on retrouve l’expression approchée
usuelle pour une lentille simplement focalisée :
R2
F= (III.27)
n −1
où le rayon de courbure aval (R2 > 0 pour une lentille convexe et R2 < 0 pour une lentille concave),
et n = n1 / n0 = c0 / cl. est le rapport des indices de réfraction du milieu de propagation (n0 , c0 ) et de
la lentille (n1 , c1 ). Dans la configuration étudiée, n0 = 1, et n = n1 , c’est pourquoi on appelle n
l’indice de réfraction de la lentille. Pour des configurations de lentille standard, cette expression
permet d’établir la correspondance entre le rayon de courbure aval R2 et l’indice de réfraction n.
Pour des configurations fortement focalisées, la taille de la source doit être prise en compte (Annexe
5). Il existe par ailleurs d’autres approches géométriques, basées sur la théorie des rayons [9, 10] ou
la détermination des caustiques [11].
Le degré de focalisation est défini comme l’inverse du f number. Il permet de définir un compromis
entre résolution radiale ∆r et profondeur de champ ∆p (paragraphe A2.2, Annexe 2) :
 ∆r 
  = 6,89 f number (III.28)
 ∆p −3dB
Ainsi pour les applications en imagerie médicale, on se fixe un f number compris entre 2 et 3 :
2 ≤ f number ≤ 3 , soit 4 a ≤ F ≤ 6a (III.29)
Ici, afin d’obtenir une profondeur d’exploration de 5 à 10 mm, la distance focale F est maximisée
dans le cadre de l’équation (III.29). Une distance focale F = 6,5 mm est donc choisie.

103
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

II.2.2 Propriétés géométriques et acoustiques

Les matériaux composites choisis pour fabriquer la lentille sont élaborés à partir d’une matrice en
résine époxy et chargés avec de la poudre d’argent ou de l’air (matériau poreux). Ensuite, un
modèle d’homogénéisation (ATA : Average T-matrix Approximation) permet de déterminer les
vitesses longitudinales et transverses pour des matériaux polymères chargés [5-7]. La masse
volumique du matériau homogénéisé est déduite de la fraction volumique de charge. Ainsi, les
propriétés acoustiques de lentille (ρ, cl) ont été déduites (Figure III.7 (a)) de celles des matériaux
constituants par homogénéisation avec le modèle ATA. Les vitesses longitudinales cl ainsi obtenues
sont celles utilisées pour le calcul approché de la distance focale F.

2800 2800

6.5
2

9
6

11

7
4

13

5
2600 2600
10
3

7.5
8

5.5
7

12

Epoxy 8

4.5

6
2400 2400 8.5
6.5 7
c (m/s)
cl (m/s)

7.5
11
9

5
5.5
5

2200
2

2200 8
4

10

6 8.5
8

l
3

4.5 6.5 7
7

2000 Composite Epoxy/Argent 2000 7.5

5 .5 8 .5
5 8
Composite Epoxy/Air 6 7
9

1800 1800 7.5

1

88.5
5

8
2

4
3

1600 1600
1000 2000 3000 3 4000 5000 1 1.5 2 2.5 3
ρ (kg/m ) Rc/a

(a) (b)

Figure III.7 : (a) Impédance acoustique (Zl = 1 à 13 MRa) en fonction la masse volumique (ρ) et de
la vitesse longitudinale (cl) de la lentille. La courbe noire représente les propriétés obtenues pour
les composites 0–3 homogénéisés. (b) Distance focale approchée (F = 4,5 à 8,5 mm) en fonction du
rayon de courbure (Rc) et de la vitesse longitudinale (cl) de la lentille.

Dans une première approche (III.27), tous les couples de propriétés géométrique (Rc) et acoustique
(cl) de lentille permettant d’obtenir une telle distance focale F = 6,5 mm choisie ont été déterminés
(Figure III.7 (b)). Pour les configurations fortement focalisées, il existe des formulations plus
précises (Annexe 5) faisant intervenir le rayon de la source a.
A titre d’exemple (Figure III.7 (a)) pour la vitesse longitudinale cl = 2100 m/s, la ligne en pointillés
et les ronds donnent l’impédance acoustique de la lentille selon le composite choisi. Les valeurs
relevées à Zl = 2,2 MRa et 3,9 MRa sont respectivement celles retenues pour les configurations avec
lame adaptatrice et lentille (Figure III.3 (b)) et avec lentille seule (Figure III.3 (a)).
104
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

II.2.3 Focalisation effective

Une fois la focale F déterminée, il reste a évaluer la focale effective z0 . Cette dernière dépend du
rapport F / Lcp entre la focale F et la focale naturelle appelée aussi longueur de champ proche Lcp
[12]. Sa position peut être déterminée en utilisant la formulation de Lucas et Muir [2] (A4.10).
Lorsque F / Lcp < 0,2 (en pointillés sur la Figure III.8 (b)), la relation F = z0 est effective à 4 % près.
Pour un rapport F / Lcp < 2, une formulation approchée de type (III.30) a été ajustée à 2 % près
(III.31). Elle permet d’exprimer simplement la correspondance entre la focale effective z0 , la focale
optique F et la longueur de champ proche Lcp :
F
z0 = 2− b
, (III.30)
 F 
1+a 
L
 cp 
où les coefficients a et b sont déterminés de façon à donner une erreur relative moyenne minimale
pour 0 < F / Lcp < 2, comme l’illustre la Figure III.8 (a) qui suit :

1
6
7

0.9
190

6
5

9
10

1
4
7 8

0.8
5
3
Coefficient puissance b

0.7 0.8
4
2
6

0.6 0.6
cp
3

z /L

0.5
5
190

0.4
9
10
4
7 8

0.4
5
8

0.2
0.3

0.2 0
6

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2

7

0.1 F/L
10
9

cp
9
10

0 8
8

0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

Coefficient multiplicateur a

(a) (b)

Figure III.8 : (a) Erreur relative (%) de l’expression de la distance focale effective z0 en fonction
des coefficients multiplicateur a et puissance b (III.30) par rapport à celle donnée par Lucas et
Muir [2]. (b) Focale effective normalisée par la distance de champ proche z0 / Lcp en fonction de la
focale optique normalisée par la distance de champ proche F / Lcp, calculée à partir de la formule
de Lucas et Muir [2] (bleu), celle du CAST [13] (III.32) (verte) et ajustée (III.31) (rouge).
105
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

Ainsi, l’optimum recherché est déterminé pour des valeurs proches de a = b = 2/3. On retiendra
donc cette expression pour la correspondance entre la focale effective z0 , la focale optique F et la
longueur de champ proche Lcp :
F
z0 = 4
(III.31)
2 F  3
1 +  
3  Lcp 

L’expression (III.31) résultant de l’ajustement est comparée à celle donnée par Lucas et Muir
(Figure III.8). On y observe bien la zone quasiment linéaire pour F / Lcp < 0,2 utilisée
habituellement, et la bonne concordance (à 2 % près) de l’expression (III.31) pour les valeurs 0,2 <
F / Lcp < 2. Cette formulation approchée de la correspondance entre focale optique F et focale
effective z0 est en adéquation avec celle approchée donnée par le CAST [13] (à 4 % près) :
2
 F 
1+ 4  −1
 L 
 cp 
z0 = (III.32)
F
2 2
Lcp

II.3 Simulations
La méthode des éléments finis permet de décrire des géométries complexes et d’en modéliser les
modes de vibrations quels qu’ils soient. Une configuration axisymétrique permet d’étudier
l’influence de la focalisation par une lentille acoustique sur le transducteur mono-élément étudié.
De plus, les contributions des vibrations radiales vont être déterminées et quantifiées relativement
aux vibrations longitudinales usuellement les seules prises en compte. Enfin, dans l’hypothèse de
contributions radiales négligeables, une modélisation alternative basée sur le schéma
unidimensionnel KLM (Annexe 3) permet de modéliser le comportement de la lentille acoustique.

II.3.1 Méthode des éléments finis

La méthode de résolution par éléments finis a été détaillée dans le Chapitre II. Le maillage optimal
déterminé (Tableau II.2) est utilisé sur les configurations décrites : la première avec un milieu
arrière, un élément piézo-électrique et en face avant une lentille seule (Figure III.3 (a)) ; la seconde
avec une lame adaptatrice interposée entre l’élément piézo-électrique et la lentille (Figure III.3 (b)).
Dans cette partie, la géométrie de la lentille (de rayon a et de distance focale F) a été fixée afin
d’étudier l’influence de l’impédance acoustique de la lentille Zl. Pour illustration, on choisit une

106
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

lentille avec Rc = 2 mm et cl = 2100 m/s (Figure III.7 (b)) et on obtient Zl = 3,9 MRa et 2,2 MRa
(Figure III.7 (a)) respectivement pour les configurations avec lentille seule (Figure III.3 (a)) et avec
lame adaptatrice et lentille (Figure III.3 (b)). Ces valeurs d’impédance sont proches de celles
données par la formulation empirique pour l’imagerie de Desilets, soit respectivement Zl = 4,3 MRa
et 2,4 MRa pour l’ultime lame adaptatrice (paragraphe A3.2.1, Annexe 3). Le calcul de la
transduction dépend de la bande passante de l’excitation électrique aux bornes de l’élément piézo-
électrique ; le résultat peut être exprimé en déplacement ou en pression à la surface de la lentille.
Deux conditions aux limites ont été imposées : la première consiste à laisser le déplacement radial
libre (cas réel), et la seconde consiste à bloquer le déplacement radial (hypothèse simplificatrice).

II.3.1.1 Excitation électrique

L’excitation électrique appliquée est très large bande de façon à exciter l’élément piézo-électrique
sur le plus grand nombre possible de modes de vibrations. De plus, la méthode de résolution en
transitoire nécessite un pas de temps suffisamment faible devant la période fondamentale de
vibration de l’élément piézo-électrique. Ce pas de temps a été diminué jusqu’à obtenir une
convergence du résultat obtenu par éléments finis dans une configuration avec les déplacements
radiaux bloqués avec celui donné par le modèle unidimensionnel KLM. Ainsi, pour une période
fondamentale T0 = 1/f 0 = 20 ns, le pas de temps adéquat a été déterminé pour dt = 250 ps. De plus,
la forme de l’excitation a été choisie de façon à obtenir la plus large bande possible, soit une demie
arche de sinus à la fréquence : f exc = f e / 4 = 1 GHz. L’excitation obtenue produit bien le spectre
recherché, uniformément plat sur une plage de fréquence bien plus large que celle du transducteur.

-10
x 10
3
1
2.5
0.8
2
Tension (V.s)
Tension (V)

0.6
1.5
0.4
1
0.2
0.5
0
0
0 1 2 3 4 5 0 500 1000 1500 2000
Temps (ns) Fréquence (MHz)

(a) (b)

Figure III.9 : Excitation électrique appliquée aux bornes de l’élément piézo-électrique.

107
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

II.3.1.2 Déplacement radial libre

Le résultat du calcul avec déplacement radial ur libre par éléments finis est exprimé en déplacement
(Figure III.10) puis en pression (Figure III.11) à la surface de la lentille pour les deux
configurations choisies en face avant : avec une lentille seule (Figure III.10 et 11 (a) et (c)) ou bien
avec une lame adaptatrice interposée entre l’élément piézo-électrique et la lentille (Figure III.10 et
11 (b) et (d)), et pour les deux types de représentations temporelle (Figure III.10 et 11 (a) et (b)) et
spectrale (Figure III.10 et 11 (c) et (d)). Les échelles ont été ajustées de façon à être identiques pour
les deux configurations afin de permettre une comparaison plus aisée.

(a) (b)

(c) (d)

Figure III.10 : (a), (b) Déplacement (m) en fonction du temps t et de la position radiale r et
(c), (d) Spectre du déplacement (m.s) en fonction de la fréquence f et de la position radiale r pour
les configurations en face avant (a) (c) avec lentille seule ou (b) (d) avec lame adaptatrice et
lentille.
108
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

L’onde obtenue pour la configuration avec lentille seule (Figure III.11 (a)) dure plus longtemps que
celle avec lame adaptatrice interposée (Figure III.11 (b)). Ce résultat est remarquable aussi au
niveau de la bande passante observée sur le spectre (Figure III.11 (c) et (d)). Ainsi, on relève une
bande passante relative moyenne à –6 dB, notée BP6 , de l’ordre de 40 % pour la première
configuration (Figure III.11 (c)), tandis qu’elle est d’environ 60 % pour la seconde configuration
(Figure III.11 (d)). Cette estimation permet d’évaluer l’ordre de grandeur de la durée (III.19)
respectivement à 2,2 et 1,5 périodes, en accord avec la représentation (Figure III.11 (a) et (b)). Par
ailleurs, on distingue une pondération du spectre centré à f 0 = 50 MHz par un coefficient de
transmission que l’on devine avec une décroissance en 1/f (en pointillés sur la Figure III.11 (c)).

(a) (b)
BP6 BP6

(c) (d)

Figure III.11 : (a), (b) Pression (Pa) en fonction du temps t et de la position radiale r et
(c), (d) Spectre de la pression (Pa.s) en fonction de la fréquence f et de la position radiale r pour les
configurations en face avant (a) (c) avec lentille seule ou (b) (d) avec lame adaptatrice et lentille.
109
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

La Figure III.12 reprend le déplacement obtenu par la configuration avec lame adaptatrice et lentille
(Figure III.10 (b) et (d)) en échelle logarithmique (dB). Sur la représentation temporelle (Figure
III.12 (a)), on peut observer différents phénomènes : • l’écho de bord commençant au temps t =
180 ns, en r = a ; ‚ l’écho de double réflexion dans l’épaisseur de la lentille, avec un retard double
de celui de l’onde principale ; ƒ la superposition entre ces deux échos située au temps t = 290 ns,
en r = 800 à 850 µm ; „ l’écho de retour du milieu arrière, après une atténuation d’aller-retour (–20
dB) commençant au temps t = 460 ns, en r = 0. Sur la représentation spectrale de l’onde relevée à la
surface de la lentille (Figure III.12 (b)), on observe un mélange des contributions longitudinales
pures et des réflexions multiples (loi de réfraction de Snell-Descartes) à l’intérieur de la lentille.
Plus particulièrement, on remarque sur le spectre centré à f 0 = 50 MHz est perturbé par une famille
d’onde généré par les échos parasites •, ‚ et ƒ pour les positions radiales r > 800 µm. Par
ailleurs, on observe un étalement du spectre vers les basses fréquence (de 0 à 20 MHz) dû aux échos
parasites mentionnés sur la représentation temporelle. Cependant, la bande passante observée sur le
spectre en fonction de la position radiale reste relativement constante.

• ƒ ‚

„
(a) (b)

Figure III.12 : (a) Déplacement (t,r) Figure III.10 (b) en échelle dB ; (b) Spectre du déplacement
(f, r) Figure III.10 (d) en échelle dB, sur une dynamique de 40 dB.

Afin de mieux identifier la composante source de cette allure du contour du spectre (que l’on
suppose longitudinale), un calcul avec le déplacement radial bloqué est effectué. Le résultat obtenu
est alors comparé avec celui obtenu pour un déplacement radial libre.

110
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

II.3.1.3 Déplacement radial bloqué

Sur ces résultats avec déplacement radial bloqué, on observe plus distinctement les phénomènes dus
aux contributions longitudinales, aussi bien sur la représentation temporelle que sur le spectre
(Figure III.13 et 14). Les cartographies obtenues sont relativement semblables à celles des
configurations avec déplacement radial libre (Figure III.10 et 11). Sur la représentation temporelle
(Figure III.13 et 14 (a) et (b)), on observe toujours les échos parasites •, ‚, ƒ et „ mentionnés
sur la Figure III.12. Le front d’onde principal correspond bien au retard induit par le rayon de
courbure de la lentille.

(a) (b)

(c) (d)

Figure III.13 : (a), (b) Déplacement (m) en fonction du temps t et de la position radiale r et
(c), (d) Spectre du déplacement (m.s) en fonction de la fréquence f et de la position radiale r pour
les configurations en face avant (a) (c) avec lentille seule ou (b) (d) avec lame adaptatrice et
lentille.
111
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

(a) (b)

(c) (d)

Figure III.14 : (a), (b) Pression (Pa) en fonction du temps t et de la position radiale r et
(c), (d) Spectre de la pression (Pa.s) en fonction de la fréquence f et de la position radiale r pour les
configurations en face avant (a) (c) avec lentille seule ou (b) (d) avec lame adaptatrice et lentille.

Sur la représentation spectrale (Figure III.13 et 14 (c) et (d)) de l’onde relevée à la surface de la
lentille, on observe les contributions longitudinales résultantes des réflexions multiples aux
interfaces de la lentille avec le milieu amont (l’élément piézo-électrique ou la lame adaptatrice) et le
milieu aval (l’eau). Le phénomène d’interférence entre les réflexions multiples aux interfaces des
ondes longitudinales peut être modélisé de façon simplifiée par la transmission résultant du passage
d’une onde dans une lentille. Cette modélisation fait l’objet d’une étude plus détaillée basée sur le
modèle KLM (Annexe 3).

112
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

II.3.2 Modélisation KLM étendue à l’axisymétrie

Le résultat illustré sur la Figure III.4 suggère que la charge acoustique vue par le transducteur
équipé d’une lame adaptatrice et d’une lentille acoustique en face avant est à mi-chemin entre celles
obtenues pour les configurations avec une et deux lames adaptatrices. Ceci nous permet de poser
raisonnablement l’hypothèse suivante : le transducteur équipé d’une lentille acoustique se comporte,
du point de vue de son impédance électrique, comme un transducteur chargé en face avant avec un
milieu Zm de propagation d’impédance acoustique égale à celle de la lentille Zlentille (Figure III.15).
Afin de vérifier cette hypothèse, les courbes d’impédance obtenues pour une configuration avec
lame adaptatrice et lentille dans l’eau en face avant sont superposées et comparées avec celles d’une
configuration avec lame adaptatrice dans un milieu d’impédance acoustique égale à celle de la
lentille (Figure III.16).

(a) Avec lentille et Zm = Zeau. (b) Sans lentille et Zm = Zlentille.

Figure III.15 : (a) Transducteur focalisé constitué d’un milieu arrière, d’un élément piézo-
électrique, d’une lame adaptatrice puis d’une lentille acoustique rayonnant dans l’eau.
(b) Transducteur plan constitué d’un milieu arrière, d’un élément piézo-électrique et d’une lame
adaptatrice rayonnant dans un milieu d’impédance acoustique égale à celle de la lentille.

L’hypothèse faite est empirique et a été validée dans de nombreuses configurations avec lentille. La
réponse obtenue à la surface de la lentille (retard mis à part) est modélisée et vérifiée
expérimentalement en procédant avec un milieu équivalent (Figure III.6). Une approche plus
théorique va être développée afin de montrer la cohérence de cette hypothèse, et éventuellement
pour y apporter des corrections induites par la géométrie de la lentille, comme l’ont illustré les
résultats des calculs par éléments finis (Figure III.10 à Figure III.14). Afin de vérifier la pertinence
de l’hypothèse posée, des calculs préliminaires d’impédance électrique sont donc effectués.

113
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

Comme l’illustrent les courbes de la Figure III.16, l’impédance électrique d’un transducteur
focalisé par une lentille acoustique (Figure III.15 (a)) est modélisée par l’intermédiaire d’un
transducteur plan de charge électriquement équivalente en face avant (Figure III.15 (b)).

40 0

-10
30 (a)
Re(Z) (Ω )

Im(Z) (Ω )
-20
20
-30
(b)
10
-40

0 -50
0 20 40 60 80 0 20 40 60 80
Fréquence (MHz) Fréquence (MHz)
0.08 0.08

0.06 0.06
Re(Y) (S)

Im(Y) (S)

0.04 0.04

0.02 0.02

0 0
0 20 40 60 80 0 20 40 60 80
Fréquence (MHz) Fréquence (MHz)

Figure III.16 : Courbes d’impédance pour les configurations (a) avec lentille seule dans l’eau
(traits continus) ; (b) avec lame adaptatrice et lentille (traits pointillés) immergées en face avant
dans l’eau (vert) ou bien dans un milieu semi-infini d’impédance égale à celle de la lentille (bleu).

Ce résultat s’explique par le fait que la lentille ne possède pas de faces parallèles entre lesquelles
l’onde peut entrer en résonance, et est vue par le transducteur comme un milieu semi-infini.
D’ailleurs dans le cas d’une modélisation d’un transducteur focalisé par une lentille acoustique, on a
vérifié que le milieu semi-infini disposé après la lentille a très peu d’influence sur les courbes
d’impédance relevées. Cependant, afin d’obtenir la réponse à la surface de la lentille il est
nécessaire de pondérer la réponse du transducteur plan électriquement équivalent par la fonction de
transfert de la lentille vers le milieu de propagation. Ainsi, les formulations classiques du coefficient
de transmission en incidence normale et oblique sont rappelées. Elles sont alors adaptées au cas de
l’interface entre la lentille et le milieu de propagation, l’eau.

114
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

II.3.2.1 Coefficient de transmission – Puissance transmise – Adaptation d’impédance

La transmission d’énergie à l’interface entre les deux milieux que sont le transducteur et le milieu
de propagation dépend de l’adaptation acoustique entre le transducteur et le milieu de propagation.
Le Tableau A2.1 décrit la pression, la vitesse et l’intensité acoustique comme les analogues des
tension, intensité et puissance électriques :
2Z 2
p2 = p1 (III.33)
Z1 + Z2
2Z1
et v2 = v1 (III.34)
Z1 + Z 2

4Z1Z 2
soit I 2 = I1 (III.35)
( Z1 + Z 2 )
2

θ1
θ1 θ2

Figure III.17 : Coefficient de transmission en pression en régime harmonique [14].

De manière plus générale, le coefficient de transmission en pression est défini en prenant en compte
la loi de réfraction de Snell-Descartes :
sin θ1 sin θ 2
= (III.36)
c1 c2
Les coefficients de transmission et réflexion en pression en incidence oblique entre deux milieux
semi-infinis deviennent alors :
2Z 2 '
T1→2 =
Z 2 '+ Z1 ' Zi
avec Zi ' = (III.37)
Z 2 '− Z1 ' cos θ i
R1→ 2 =
Z 2 '+ Z1 '

Les approches du coefficient de transmission envisagé entre la lentille indexée l et le milieu de

propagation indexé m sont schématisées sur la Figure III.18 : (a) la transmission directe (approche
moyenne classique) et (b) la transmission globale (approche locale).

115
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

(p) (l) (m)

(p) (l) (m)

(a) Transmission directe (b) Transmission globale : réflexions multiples

Figure III.18 : Modélisation des transmissions (a) directe et (b) globale.

II.3.2.2 Transmission directe

Le coefficient de transmission direct (Figure III.18 (a)), depuis la couche indexée l jusqu’au milieu
de propagation indexé m, est donné par:
2Z m − jϕl
Tmdirect = e (III.38)
Zm + Zl
,

où Zm et Zl sont les impédances acoustiques du milieu de propagation et de la lentille, et le terme de

retard est décrit par ϕl = k lP(r). Ce déphasage de propagation dans l’épaisseur de la lentille ϕl
dépend de la position radiale r. Il est fonction de k l = ω / cl le nombre d’onde longitudinal, (ω la
pulsation et cl la vitesse longitudinale dans la lentille, complexe dans le cas d’une lentille
atténuante) et de P(r) le profil radial d’épaisseur de la lentille.

II.3.2.3 Transmission globale

La seconde approche consiste à prendre en compte la formulation globale [15] du coefficient de
transmission. Ce dernier est déterminé par la somme de toutes les contributions en transmission à
l’interface (Figure III.18 (b)). Chacune de ces contributions est déphasée par un multiple impair du
déphasage induit par l’épaisseur de la lentille ϕl , résultant en :
+∞

( )
Tmdirect
∑ RmR pe − j2ϕl
n
Tm , global = Tmdirect = ,
(III.39)
1 − Rm R p e− j 2ϕl
,
n =0

Z m − Zl Z − Zl
où Rm = et Rp = p sont respectivement les coefficients de réflexion normale à
Z m + Zl Z p + Zl

l’interface de la lentille d’impédance acoustique Zl avec le milieu de propagation d’impédance

acoustique Zm et avec l’élément piézo-électrique d’impédance acoustique Zp .

116
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

II.3.2.4 Comparaison
Le coefficient de transmission à travers une couche d’épaisseur variable subit un déphasage dû à la
propagation (transmission directe, (III.38)), mais résulte aussi des superpositions des réflexions
multiples à ses interfaces (transmission globale, (III.39)). La lentille acoustique modélisée possède
une épaisseur variable selon la position radiale r et dépend de son épaisseur au centre el, et son
profil radial d’épaisseur P(r). Dans le cas d’une lentille sphérique, ce dernier est décrit par le rayon
de courbure Rc :

P ( r ) = el + Rc − Rc2 − r 2 (III.40)

La configuration en face avant du transducteur simulé est décrite pour des caractéristiques typiques
regroupées dans le Tableau III.4 suivant :

Zp (MRa) Zl (MRa) Zm (MRa) a (µm) f 0 (MHz) el (µm) Rc (µm) cl (m/s)

35 5 1,5 1125 50 10 2000 2100
Zp , Zl, Zm , : impédances acoustiques du disque piézo-électrique, de la lentille, du
milieu de propagation ; a : rayon du disque piézo-électrique ; f 0 : fréquence centrale ;
el, Rc, cl : épaisseur au centre, rayon de courbure, et vitesse longitudinale de la lentille.

Tableau III.4 : Valeurs numériques de la configuration de transducteur simulé.

Les variations (a) des modules et (b) des phases des coefficients de transmission sont illustrées sur
la Figure III.19 en fonction de la position radiale r et selon l’approche considérée. Ainsi, le module
du coefficient de transmission direct |Tm,direct| est constant sur le rayon de la source, tandis que le
module du coefficient de transmission global |Tm,g | suit des variations induites par la phase ϕl.

1000 1000
Position radiale (µm)

Position radiale (µm)

800 800

600 600

400 400

200 200

0 0
0 20 40 60 80 100 -200 -100 0 100 200
Coefficient de transmission (%) Déphasage (°)

(a) Module (b) Phase

Figure III.19 : Coefficients de transmission direct (noir) et global (vert) à la fréquence centrale f 0.
117
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

Selon que la phase, résultant des réflexions aux interfaces, au dénominateur (III.39) est en phase ou
en opposition de phase avec celle au numérateur (III.38), le module du coefficient de transmission
global |Tm,g | oscille autour de la valeur moyenne donnée par le coefficient de transmission direct
|Tm,direct|. Plus précisément, une écriture de (III.39) sous forme module/phase permet de mieux
comprendre ces variations :
  Rm R p s i n( 2ϕ l )  
Tmdirect − j  ϕl + Arctan 
  1− Rm R p cos ( 2ϕ l )  
Tm , global = = Tm, g e jϕ
,   
e (III.41)
1 + ( Rm R p ) − 2 Rm R p cos ( 2ϕl )
2

Le module du coefficient de transmission global |Tm | (III.41) varie avec la fonction cos(2ϕl), et les
variations de phase ϕ (III.41) permettent de déterminer les phases des extrema. La représentation
complexe du coefficient de transmission (Figure III.20) fait apparaître plus nettement le rôle de la
phase ϕ sur l’amplitude du module |Tm,g |. Ainsi, les sauts de phase ϕ = –nπ ( n ∈ ¥* ) correspondent
à des minima et les phases ϕ = π/2 – nπ ( n ∈ ¥* ) correspondent à des maxima. En ces points, les
phases de (III.38) et (III.41) illustrées Figure III.19 (b) sont égales car la valeur sin(2ϕl) s’annule.

1 1

0.5 0.5
ϕ
Partie imaginaire

Partie imaginaire

0 0

-0.5 -0.5

-1 -1
-1 -0.5 0 0.5 1 -1 -0.5 0 0.5 1
Partie réelle Partie réelle

(a) (b)

Figure III.20 : Représentation complexe du coefficient de transmission direct (noir) et global (vert)
à la fréquence centrale f 0 avec un échantillonnage radial (a) sur 100 points et (b) sur 1000 points.

La position radiale correspondant aux positions des minima et maxima (Figure III.20 (b)) peut alors
être déduite à partir de l’équation du profil d’épaisseur (III.40). Ainsi les minima sont obtenus pour
P(r) = nλl/2 et les maxima pour P(r) = λl/4 + nλl/2 avec n ∈ ¥ . On retrouve bien le résultat
classique d’une épaisseur multiple impair d’un quart d’onde pour une transmission optimale.

118
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

Le module du coefficient de transmission global varie avec la phase ϕl, elle-même fonction de la
fréquence de l’excitation f. En conséquence, le coefficient de transmission global Tm,g doit donc être
déterminé sur la bande passante du transducteur. La Figure III.21 illustre ses variations sur une
plage de fréquence allant de 0 à 2f 0 = 100 MHz.

9
11
1
1000 19

17
5
7
15
13

Position radiale (µm)

800
9 11 17 19
1

3
600
7 135 17 19

1
5
11 15
9 13
7 9
400 3 5
7
5
1 3
200

1
0
0 20 40 60 80 100
Fréquence (MHz)

(a) (b)

Figure III.21 : (a) Coefficient de transmission global (%) et (b) position des 10 premiers maxima
correspondants aux épaisseurs multiples impairs d’un quart d’onde, en fonction de la fréquence f
et de la position radiale r.

Ce résultat de transmission globale permet de retrouver l’allure du spectre de la pression relevée à la

surface de la lentille pour des configurations de lentille et une fréquence centrale similaires
(Tableau III.4, modifié avec Zl = 3,9 MRa). En effet, sur le spectre reconstitué à partir du
coefficient de transmission (Figure III.22 (d)), on retrouve bien les 17 modes de transmission
relevés sur le spectre simulé à la fréquence centrale f 0 = 50 MHz, (Figure III.19 (a)). Les
différences relevées s’expliquent par le fait que le coefficient de transmission calculé est pondéré
par les fonctions de transfert des couches en amont.
Par ailleurs, sur la représentation temporelle (Figure III.22 (a) et (b)), on peut observer l’onde émise
par le transducteur (source de pression) calculée avec le modèle KLM, dans un milieu de
propagation d’impédance acoustique égale à celle de la lentille : Zm = Zl. Ce résultat préliminaire est
simplement pondéré en amplitude et retardé par le coefficient de transmission direct (III.38) de la
lentille (Figure III.22 (a)). La pondération par le coefficient de transmission global (III.39) de la
lentille (Figure III.22 (b)) fait apparaître l’écho d’aller-retour dans l’épaisseur de la lentille.

119
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

Sur la représentation spectrale (Figure III.22 (c) et (d)) de l’onde relevée à la surface de la lentille,
on observe l’influence des perturbations longitudinales générées par le coefficient de transmission
global. En effet, on distingue nettement les effets additifs et soustractifs de l’onde principale avec
l’écho d’aller-retour aux interfaces de la lentille (Figure III.22 (d)). Ces effets dépendent du profil
épaisseur de la lentille P(r) et de la fréquence f, comme illustré Figure III.21, et viennent modifier
l’allure uniforme du spectre selon la position radiale, déterminé avec un coefficient de transmission
direct (Figure III.22 (c)). Ce résultat permet ainsi de modéliser avec une bonne précision les
variations observées sur les spectres de pression source calculés par éléments finis (Figure III.14).

(a) (b)

(c) (d)

Figure III.22 : (a), (b) Pression (Pa) en fonction du temps t et de la position radiale r et
(c), (d) Spectre de la pression (Pa.s) en fonction de la fréquence f et de la position radiale r
pondéré par (a), (c) le coefficient de transmission direct (III.38), et (b), (d) le coefficient de
transmission global (III.39).
120
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

En effet, l’ordre de grandeur du spectre de pression obtenu avec la fonction de transfert globale
(Figure III.22 (d)) est en bon accord avec celui calculé par le modèle éléments finis (Figure III.14),
mais une approche plus globale du transducteur multi-couches est nécessaire pour parvenir à
modéliser de façon plus juste le spectre de pression obtenu à la surface de la lentille.
Un calcul adéquat de la réponse électro-acoustique d’un transducteur multi-couches équipé d’une
lentille en face avant nécessite cependant l’utilisation d’un modèle global prenant en compte les
réflexions multiples aux interfaces. Pour cela, le modèle KLM (Annexe 3) a été étendu à
l’axisymétrie en décomposant le transducteur en de multiples éléments annulaires avec des
épaisseurs de lentille variables en fonction de la position radiale.

II.3.2.5 Extension à l’axisymétrie

L’extension du modèle KLM à une source axisymétrique s’effectue en déterminant la surface de
l’élément annulaire correspondant à une position radiale donnée. A partir de l’expression du profil
de la lentille P(r) (III.40), la surface de l’élément annulaire est déterminée :

S =π (( r + dr ) 2
)
− r 2 = π ( 2r + dr ) dr (III.42)

De plus, la loi de réfraction de Snell-Descartes est prise en compte à la surface de la lentille. Ainsi,
le formalisme du Chapitre II est repris avec les équations (II.59) et (II.60) pour déterminer l’angle
d’incidence et de transmission à la surface de la lentille en fonction du profil P(r) :
1 P '(r )
cos θ l = et sin θ l = (III.43)
( P '(r ) ) 2 + 1 ( P '(r ) ) 2 + 1
dP( r )
où P '( r ) = est la dérivée du profil P(r) par rapport à la position radiale r.
dr
La loi de réfraction de Snell-Descartes est ensuite intégrée dans l’expression de l’impédance
acoustique de la couche concernée. Ainsi, les impédances acoustiques d’incidence Zl’ et de
transmission Z0 ’ sont modifiées comme étant le rapport de l’impédance acoustique Z et du cosinus
de l’angle cosθ :

Zl Z0
Zl ' = et Z0 ' = (III.44)
cos θ l cosθ 0

où θl et θ0 sont respectivement les angles d’incidence et de transmission liés aux vitesses

longitudinales cl et c0 par la loi de réfraction de Snell-Descartes.

121
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

Le cosinus de l’angle de transmission est défini réel pour un angle d’incidence inférieur à l’angle
d’incidence critique θl,c et nul dans le cas contraire :
Si θ l < θ l ,c = Arc sin ( cl / c0 ) ,

Z0
cos θ 0 = 1 − ( c0 sin θ l / cl ) , et Z0 ' =
2
alors
1 − ( c0 sin θ l / cl )
2

sinon cos θ0 = 0 et Z0 ' →+∞ .

Dans le cas où l’angle d’incidence critique θl,c est dépassé, l’impédance du milieu de propagation
Z0 ’ est alors infinie, et la transmission impossible. L’écriture générale développée des angles (III.43)
et des impédances acoustiques modifiées (III.44) d’incidence et de transmission est ensuite détaillée
pour des profils typiques polynomial ou circulaire.

II.[Link] Profil polynomial

Dans le cas général d’une expression polynomiale d’ordre m de la fonction profil Pm (r), celle-ci et
sa dérivée première P 'm (r) par rapport à la position radiale r s’expriment par :
m
dPm (r ) m
Pm ( r ) = ∑ ak r = ∑ kak r
k −1
P 'm ( r ) =
k
et (III.45)
k =0 dr k =1

L’avantage d’une expression polynomiale de la fonction profil est sa capacité à s’ajuster à toute
forme de profil de lentille. En effet, l’ajustement est d’autant meilleur que le polynôme est d’ordre
m élevé. De plus, sa dérivation par rapport à la position radiale se calcule de façon simple, et les
expressions des angles d’incidence θl et de transmission θ0 qui en découlent (III.43) sont faciles à
déterminer. Les impédances acoustiques modifiées résultantes (III.44) sont alors déduites.

II.[Link] Profil circulaire

Selon les expressions analytiques (III.43), les cosinus et sinus de l’angle d’incidence d’une fonction
de profil circulaire (III.40) sont simplement données par :

cos θ l = 1 − ( r / Rc ) sin θ l = r / Rc
2
et (III.46)

Les impédances modifiées deviennent :

Zl Z0
Zl ' = et Z0 ' = (III.47)
1 − ( r / Rc ) 1 − ( c0 / cl ) ( r / Rc )
2 2 2

122
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

La position radiale r et la fonction profil épaisseur de la lentille P(r) permettent donc d’exprimer la
surface active de la contribution annulaire (III.42), ainsi que la loi de réfraction de Snell-Descartes
(III.43) et les impédances acoustiques résultantes modifiées (III.44). Ces différents éléments ont été
intégrés afin de constituer le modèle KLM étendu à l’axisymétrie [16], illustré Figure III.23.

Élément piézo-électrique Lentille

r

Milieu de z

propagation

Milieu arrière Lame adaptatrice

Figure III.23 : Modèle KLM multi-couche étendu à l’axisymétrie par un découpage en
contributions annulaires incluant la dépendance radiale de l’épaisseur de la lentille ainsi que la loi
de réfraction de Snell-Descartes.

Le résultat obtenu (Figure III.24) avec le modèle KLM étendu à l’axisymétrie est comparé à celui
obtenu par éléments finis avec déplacement radial bloqué (Figure III.14 (a) et (c)). Le découpage
radial de r = 0 à a sur 101 points (soit un pas d’échantillonnage ∆r = λ/3) est identique à celui pris
pour les modèles par éléments finis. Les différences observées entre les deux résultats s’expliquent
par un découplage complet (déplacement radial et contrainte radiale nuls) entre les différentes
contributions radiales pour le modèle KLM étendu, tandis que ce découplage imposé pour la
modélisation par éléments finis n’est que partiel (déplacement radial nul). La comparaison de ces
deux résultats permet tout de même de valider ce modèle de substitution à un calcul par éléments
finis avec déplacement radial bloqué. De plus, une comparaison des résultats obtenus avec un calcul
par éléments finis avec déplacement radial libre (Figure III.11 (a) et (c)) et déplacement radial
bloqué (Figure III.14 (a) et (c)) montre des cartographies de pression relativement semblables.
Ce premier résultat obtenu avec le modèle KLM étendu à l’axisymétrie semble donc bien concorder
avec les résultats obtenus avec les modélisations par éléments finis avec déplacement radial libre ou
avec déplacement radial bloqué.

123
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

(a) (b)

Figure III.24 : Pression (Pa) à la surface de la lentille calculée avec le modèle KLM étendu à
l’axisymétrie pour la même configuration que les Figure III.14 et III.22, en fonction de la position
radiale et (a) du temps, (b) de la fréquence.

Cette approche théorique permet donc, moyennant quelques adaptations, de modéliser la fonction
de transfert du multi-couche qu’est le transducteur par une décomposition en anneaux du profil
d’épaisseur de la lentille acoustique. La principale hypothèse d’une telle approche consiste à
considérer chacune des positions radiales comme une ligne de transmission (hypothèse de vibration
exclusivement longitudinale). Ce dernier modèle basé sur le schéma KLM multi-couche étendu à
l’axisymétrie sera celui retenu parmi ceux testés pour prendre en compte la fonction de transfert de
la lentille et son incidence sur les milieux amont et aval.

III Résultats
Les configurations (Figure III.3) et les différents modèles de sources (ATILA et KLM étendu à
l’axisymétrie) décrits dans la partie précédente sont calculés et propagés. Les résultats obtenus pour
différentes impédances acoustiques de lentille sont ensuite comparés : en premier lieu, les champs
de pressions sont comparés dans l’axe du transducteur ; en deuxième lieu, les champs de pressions
sont comparés dans le plan focal ; en troisième lieu, les réponses électro-acoustiques en pression
obtenues au point focal sont caractérisées, analysées et comparées. Enfin, les résultats obtenus avec
le modèle KLM étendu à l’axisymétrie sont comparés à ceux obtenus expérimentalement.

124
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

[Link] rayonné par la source

La propagation des sources calculées par des modélisations axisymétriques de transducteurs équipés
de lentilles est effectuée au moyen de la formulation axisymétrique discrétisée de l’intégrale de
Rayleigh (II.80) développée dans le Chapitre II. Le champ de pression rayonné obtenu après
propagation est déterminé pour les deux configurations avec et sans lame adaptatrice (Figure III.3
et Tableau III.3). Une cartographie complète du champ de pression est établie dans un premier
temps, puis le champ est caractérisé plus particulièrement dans l’axe et dans le plan focal.
Pour illustration, le champ de pression rayonné a été calculé afin d’étudier l’influence de
l’impédance acoustique de la lentille pour les deux configurations étudiées dans le paragraphe
précédent avec un rayon de courbure Rc = 2 mm et une vitesse longitudinale cl = 2100 m/s. Ces
caractéristiques géométriques (Figure III.7) donnent respectivement une impédance acoustique de
la lentille Zl = 3,9 MRa et 2,2 MRa pour les configurations avec lentille seule (Figure III.3 (a)) et
avec lame adaptatrice et lentille (Figure III.3 (b)).
A échelle de pression équivalente, on peut observer que la configuration avec une lame adaptatrice
(Figure III.25 (b)) permet d’obtenir une tache focale plus étendue que celle sans lame adaptatrice
(Figure III.25 (a)). Ce résultat permet de mettre en évidence une amélioration du transfert d’énergie
acoustique vers le milieu de propagation par la présence de la lame adaptatrice.

(a) (b)

Figure III.25 : Champ de pression (Pa) propagé en fonction de la position radiale r et de la

position axiale z, pour les deux configurations de transducteurs (Figure III.3) avec (a) lentille seule
et (b) lame adaptatrice et lentille, de rayon de courbure Rc = 2 mm et de vitesse longitudinale
cl = 2100 m/s, calculé pour une source ATILA avec déplacement radial libre.

125
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

Les résultats obtenus avec des sources différentes sont en première approche très semblables. Afin
de déterminer de façon plus précise l’influence des contributions radiales, et la pertinence du
modèle KLM étendu à l’axisymétrie, il est nécessaire de comparer ces résultats et de les quantifier.
Par la suite, les performances obtenues sont donc comparées dans l’axe, puis dans le plan focal pour
les différents modèles de sources, et ce pour les deux configurations de transducteur choisies
(Figure III.3) et pour différentes valeurs d’impédance acoustique de lentille Zl (Figure III.7).

III.1 Champ dans l’axe

Les champs de pression obtenus dans l’axe sont comparés pour les configurations et les différents
modèles de sources. Ensuite, l’influence de l’impédance acoustique de la lentille est étudiée et
confrontée selon la configuration et le modèle utilisé.

III.2.1 Comparaison des différents modèles

La comparaison des champs de pression dans l’axe est représentée sur la Figure III.26 pour les
différentes sources calculées par le modèle éléments finis (ATILA ) avec déplacement radial libre,
puis bloqué, et enfin par le modèle KLM étendu à l’axisymétrie.

4 4
x 10 x 10
5 5

4 4
Pression (Pa)

Pression (Pa)

3 3

2 2

1 1

0 0
2 4 6 8 10 12 14 2 4 6 8 10 12 14
Position axiale (mm) Position axiale (mm)

(a) (b)

Figure III.26 : Champ de pression propagé dans l’axe pour les deux configurations de
transducteurs (Figure III.3) avec (a) lentille seule ; (b) lame adaptatrice et lentille, de rayon de
courbure Rc = 2 mm et de vitesse longitudinale cl = 2100 m/s. Les sources ont été modélisées par
ATILA avec déplacement radial libre (vert), ATILA avec déplacement radial bloqué (rouge),
KLM étendu à l’axisymétrie (bleu).

126
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

Les résultats obtenus sont proches, et l’écart relatif maximum observé (10 %) se situe au point
focal. Ces trois modèles permettent d’observer de nouveau l’influence notable de la lame
adaptatrice sur la transmission d’énergie acoustique vers le milieu de propagation : la pression au
point focal y est accrue de 40 % environ pour cette configuration de lentille.
Les caractéristiques du champ de pression propagé dans l’axe sont relevées et quantifiées pour
chacun des modèles, et pour les deux configurations sans et avec lame adaptatrice. Dans le Tableau
III.5, on peut constater qu’hormis la pression obtenue au point focal, les caractéristiques obtenues,
c’est-à-dire la distance focale F et les profondeurs de champ DOF à –3 et –6 dB sont quasiment
identiques. Cette première synthèse de résultats doit également être vérifiée pour d’autres valeurs
d’impédance acoustique de la lentille.

Modèle Lame adaptatrice pmax (kPa) G F (mm) DOF3 (mm) DOF6 (mm)
ATILA avec (a) non 30,8 19,2 6,5 1,60 2,28
ur libre (b) oui 47,2 18,9 6,6 1,58 2,25
ATILA avec ur (a) non 30,8 18,8 6,6 1,50 2,12
bloqué (b) oui 44,2 18,4 6,6 1,46 2,08
KLM étendu à (a) non 33,9 19,7 6,5 1,52 2,13
l’axisymétrie (b) oui 48,2 18,9 6,5 1,49 2,07
pmax : pression au point focal ; G : gain de focalisation ; F : distance focale ; DOF3 : profondeur de
champ à –3 dB ; DOF 6 : profondeur de champ à –6 dB.

Tableau III.5 : Caractérisation du champ de pression dans l’axe pour les configurations de
transducteurs (Figure III.3) avec (a) lentille seule ; (b) lame adaptatrice et lentille, de rayon de
courbure Rc = 2 mm et de vitesse longitudinale cl = 2100 m/s.

III.2.2 Influence de l’impédance acoustique de la lentille

Les caractéristiques des champs de pressions obtenus dans l’axe sont maintenant comparées et
analysées pour les différents modèles, en fonction de l’impédance acoustique de la lentille Zl.
Ainsi, la distance focale et le gain obtenus par les différents modèles concordent bien, et les
tendances observées sont identiques (Figure III.27).

127
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

8.5 7

8 6.8

7.5 6.6
F (mm)

F (mm)
7 6.4

6.5 6.2

6 6
3 4 5 6 7 8 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Zl (MRa) Zl (MRa)

(a) (b)

20
20
19
18
18
G

16
17
14
16
12
15
3 4 5 6 7 8 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Zl (MRa) Zl (MRa)

(c) (d)

Figure III.27 : (a), (b) Distance focale et (c), (d) gain au point focal, en fonction de l’impédance
acoustique de la lentille pour les configurations de transducteurs (Figure III.3) avec
(a), (c) lentille seule ; (b), (d) lame adaptatrice et lentille, déterminées avec les modèles éléments
finis ATILA avec déplacement radial libre (vert), déplacement radial bloqué (rouge) et
KLM étendu à l’axisymétrie (bleu).

On observe une variation significative de la distance focale F selon la valeur de l’impédance

acoustique de la lentille Zl (Figure III.27 (a)). Cependant, la distance focale constante F = 6,5 mm a
été choisie (III.27) avec une vitesse longitudinale cl adaptée (Figure III.7 (b)) en accord avec
l’impédance acoustique de la lentille Zl (Figure III.7 (a)). Il en résulte un rapport entre rayon de
courbure et rayon de la source Rc/a (Figure III.7 (b)) très proche de 1 pour des valeurs d’impédance
acoustique de la lentille Zl > 5 MRa. Ces résultats montrent que la validité de la formulation
classique (III.27) de correspondance entre le rayon de courbure Rc et la vitesse longitudinale cl est
128
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

limitée par le rapport Rc /a. Dans le même temps, on observe une très légère diminution du gain de
focalisation G (Figure III.27 (c) et (d)), qui est proportionnel à l’inverse de la distance focale F
(paragraphe 0). Par ailleurs, les modélisations par éléments finis avec ATILA (Figure III.27 (a) et
(c)) n’ont pas donné de résultats convergeants pour les configurations avec un rapport Rc/a faible
(Figure III.28 (b)). En effet, les valeurs des impédances acoustiques de lentille sont respectivement
limitées à Zl < 4,1 MRa pour une modélisation avec déplacement radial libre et à Zl < 7 MRa avec
déplacement radial bloqué. Seule la modélisation avec KLM étendu à l’axisymétrie permet
d’évaluer les résultats obtenus, dont les premières valeurs (Zl < 7 MRa, soit Rc/a > 1,09) sont en
bonne adéquation avec celles obtenues avec la modélisation par éléments finis avec ATILA avec
déplacement radial bloqué.

800 800
700 700

600 600
Position axiale z (µm)

Position axiale z (µm)

Rc = 1225 µm
500 500

400 400
300 300
Rc = 2560 µm
200 200
100 100

0 0

0 200 400 600 800 1000 0 200 400 600 800 1000
Position radiale r (µm) Position radiale r (µm)

(a) (b)

Figure III.28 : Profil radial P(r) de la lentille (III.40) en fonction de son impédance acoustique Zl
donnée par la Figure III.7, avec un rapport entre le rayon de courbure Rc et le rayon de la source a
(a) Rc /a = 2,28 pour Zl = 3 MRa, et (b) Rc /a = 1,09 pour Zl = 7 MRa.

Comme l’illustre la Figure III.29 (a) et (c), la profondeur de champ à –3 ou –6 dB suit la même
évolution que la distance focale (Figure III.27). Ce résultat est expliqué par la formule approchée
(A2.10) de la profondeur de champ à –3 dB en émission. Ainsi, pour une longueur d’onde λ et un
rayon de source a donnés, la profondeur de champ DOF évolue avec le carré de la distance focale
F2 . Par ailleurs, les profondeurs de champ obtenues pour les modèles éléments finis avec
déplacement radial libre et bloqué sont relativement en bon accord, avec un écart constant d’environ
10 %. L’écart relatif entre les modèles éléments finis avec déplacement radial bloqué et KLM
étendu à l’axisymétrie est bien plus faible encore.
129
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

4 1.8

1.75
3.5
1.7
3
1.65

DOF 3 (mm)
DOF3 (mm)

2.5 1.6

1.55
2
1.5
1.5
1.45

1 1.4
3 4 5 6 7 8 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Zl (MRa) Zl (MRa)

(a) (b)

6 2.8

5.5 2.7

5 2.6
DOF 6 (mm)

DOF 6 (mm)

4.5 2.5

4 2.4

3.5 2.3

3 2.2

2.5 2.1

2 2
3 4 5 6 7 8 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Zl (MRa) Zl (MRa)

(c) (d)

Figure III.29 : Profondeurs de champ à (a), (b) –3 dB, (c), (d) –6 dB du champ de pression dans
l’axe, en fonction de l’impédance acoustique de la lentille pour les configurations de transducteurs
(Figure III.3) avec (a), (c) lentille seule ; (b), (d) lame adaptatrice et lentille, déterminées avec les
modèles éléments finis ATILA avec déplacement radial libre (vert), déplacement radial bloqué
(rouge) et KLM étendu à l’axisymétrie (bleu).

III.3 Champ dans le plan focal

Une fois déterminée la distance focale F, le champ de pression dans le plan focal est calculé afin de
déterminer les dimensions radiales de la tache focale obtenues pour différents seuils. De façon
analogue à la caractérisation du champ de pression dans l’axe, les résultats de propagation des trois
modèles de source sont comparés.

130
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

III.3.1 Comparaison des différents modèles

Les champs de pression relevés dans le plan focal sont comparés pour une configuration de lentille
fixée. L’amélioration apportée par la lame adaptatrice (+40 %) est nette, et l’écart relatif maximum
observé entre les différents modèles est le même (10 %), comme l’illustre la Figure III.30.

4 4
x 10 x 10
5 5

4 4
Pression (Pa)

Pression (Pa)
3 3

2 2

1 1

0 0
-500 -250 0 250 500 -500 -250 0 250 500
Position radiale (µm) Position radiale (µm)

(a) (b)

Figure III.30 : Champ de pression calculé dans le plan radial à la distance focale pour les deux
configurations de transducteurs (Figure III.3) avec (a) lentille seule ; (b) lame adaptatrice et
lentille, de rayon de courbure Rc = 2 mm et de vitesse longitudinale cl = 2100 m/s. Les sources ont
été modélisées par ATILA avec déplacement radial libre (vert), ATILA avec déplacement radial
bloqué (rouge), KLM étendu à l’axisymétrie (bleu).

Les caractéristiques du champ de pression relevé dans le plan focal sont quantifiées pour chacun des
modèles et configurations (Figure III.3). La lame adaptatrice (Figure III.30) ne semble pas jouer de
rôle au niveau de la dimension radiale de la tache focale pour un seuil donné. Les résultats
synthétisés dans le Tableau III.6 montrent l’absence d’effet de la lame adaptatrice : les largeurs
obtenues à –3, –6, et –15 dB sont très semblables. Ce n’est qu’à partir de –30 dB que les différences
observées deviennent significatives (> 10 %). Ce premier résultat est appelé à être vérifié sur ceux
obtenus avec d’autres valeurs d’impédance acoustique de lentille.
Encore une fois, on peut constater que les résultats obtenus sont très semblables pour les trois types
de modélisations envisagées : ATILA avec ou sans déplacement radial ou bien KLM étendu à
l’axisymétrie.

131
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

Modèle Lame adaptatrice ∆r3 (µm) ∆r6 (µm) ∆r15 (µm) ∆r30 (µm)

ATILA avec (a) non 81 114 279 520

ur libre (b) oui 80 113 251 458
ATILA avec ur (a) non 80 113 227 486
bloqué (b) oui 79 111 234 424
KLM étendu à (a) non 78 110 257 500
l’axisymétrie (b) oui 78 109 253 449

∆r3 , ∆r6 , ∆r15 , ∆r30 : largeur de la tache focale respectivement à –3, –6, –15 et –30 dB.

Tableau III.6 : Caractérisation du champ de pression dans le plan focal pour les configurations de
transducteurs (Figure III.3) avec (a) lentille seule ; (b) lame adaptatrice et lentille, de rayon de
courbure Rc = 2 mm et de vitesse longitudinale cl = 2100 m/s.

III.3.2 Influence de l’impédance acoustique de la lentille

Les caractéristiques du champ de pression obtenu dans le plan focal sont comparées en fonction de
l’impédance acoustique de la lentille Zl. Les résultats donnés par les différents modèles sont
comparés (Figure III.31) et montrent une bonne cohérence pour les valeurs de –3 à –6 dB. Au-delà,
les valeurs relevées sont perturbées par les rebonds non désirés (Figure III.12). Ce résultat permet
donc de visualiser les limites des modèles et de leur cohérence. Par ailleurs, la largeur ∆r (Figure
III.31) évolue avec la distance focale F (Figure III.27). Ce résultat est expliqué par la formule
(A2.9) de la largeur à –3 dB (il existe d’autres formules à –6, –15 et –30 dB) en émission.

115 88

110
86
105
84
100
∆r (µm)

∆r (µm)

95 82
3

90
80
85
78
80

75 76
3 4 5 6 7 8 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Zl (MRa) Zl (MRa)

(a) (b)

132
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

170 122

160 120

150 118
∆r (µm)

∆r (µm)
140 116
6

6
130 114

120 112

110 110

100 108
3 4 5 6 7 8 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Zl (MRa) Zl (MRa)

(c) (d)
450 340

320
400

300
350
(µm)

(µm)

280
15

15
∆r

∆r

300
260

250
240

200 220
3 4 5 6 7 8 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Zl (MRa) Zl (MRa)

(e) (f)
1300 650
1200

1100 600

1000
550
∆r30 (µm)

(µm)

900
30

800
∆r

500
700
600 450
500
400 400
3 4 5 6 7 8 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Zl (MRa) Zl (MRa)

(g) (h)
Figure III.31 : Largeurs de la tache focale à (a), (b) –3 dB, (c), (d) –6 dB, (e), (f) –15 dB et (g), (h)
–30 dB, en fonction de l’impédance acoustique de la lentille pour les configurations de
transducteurs (Figure III.3) avec (a), (c), (e), (g) lentille seule ; (b), (d), (f) (h) lame adaptatrice et
lentille, déterminées avec les modèles éléments finis ATILA avec déplacement radial libre (vert),
déplacement radial bloqué (rouge) et KLM étendu à l’axisymétrie (bleu).

133
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

III.4 Réponse électro-acoustique au point focal

Le champ de pression ayant été caractérisé et la distance focale F déterminée, les réponses électro-
acoustiques sont calculées afin de déterminer les durées normalisées par rapport à la période
centrale obtenues pour différents seuils. Comme précédemment, les résultats de propagation des
trois modèles de source sont comparés. L’écart relatif maximum observé entre les différents
modèles est d’environ 10 % jusqu’à un certain seuil de précision du calcul par éléments finis.

III.4.1 Comparaison des différents modèles

Une géométrie de lentille a été choisie (celle définie dans le paragraphe II.3.1) pour effectuer une
comparaison des résultats obtenus pour les différents modèles. La réponse électro-acoustique est
calculée au point focal pour chacun des modèles, et pour les deux configurations sans et avec lame
adaptatrice (Figure III.32). Ainsi, les trois modèles donnent une réponse électro-acoustique très
semblable, mis à part que le calcul par éléments finis ATILA avec déplacement radial libre produit
un écho résiduel à partir de t = 1,45 µs. D’autre part, on peut noter que la lame adaptatrice permet
d’obtenir une nette amélioration de la sensibilité et des durées à –3 et –6 dB.

4 4
x 10 x 10
3 3

2 2

1 1
Pression (Pa)

Pression (Pa)

0 0

-1 -1

-2 -2

-3 -3
1.25 1.3 1.35 1.4 1.45 1.5 1.55 1.25 1.3 1.35 1.4 1.45 1.5 1.55
Temps (µs) Temps (µs)

(a) (b)

Figure III.32 : Réponses électro-acoustiques en pression obtenues au point focal pour les deux
configurations (Figure III.3) avec (a) lentille seule ; (b) lame adaptatrice et lentille, de rayon de
courbure Rc = 2 mm et de vitesse longitudinale cl = 2100 m/s, déterminées avec les modèles
éléments finis ATILA avec déplacement radial libre (vert), déplacement radial bloqué (rouge) et
KLM étendu à l’axisymétrie (bleu).

134
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

Les caractéristiques sont quantifiées et synthétisées dans le Tableau III.7 en terme de sensibilité et
de durée normalisée. La lame adaptatrice permet effectivement une amélioration d’environ 50 % de
la sensibilité et des durées normalisées à –3 et –6 dB. Au-delà, les contributions calculées par les
deux modèles éléments finis viennent fortement nuancer cette amélioration qui n’excède pas 30 % à
–15 dB. La dégradation de la durée normalisée à –30 dB permet d’affirmer que la précision du
calcul par éléments finis est comprise entre –15 et –30 dB. Par contre, le modèle KLM étendu à
l’axisymétrie fait apparaître une amélioration de l’ordre de 30 % de la durée normalisée à –30 dB.

Modèle Lame adaptatrice amp (kPa) d3 / T0 d6 / T0 d15 / T0 d30 / T0

ATILA avec (a) non 16,7 2,18 3,63 10,92 23,19

ur libre (b) oui 24,6 1,40 2,20 9,66 24,53
ATILA avec ur (a) non 16,7 2,03 3,26 7,36 22,24
bloqué (b) oui 27,7 1,32 1,97 5,19 24,12
KLM étendu à (a) non 18,7 1,95 3,09 6,34 18,91
l’axisymétrie (b) oui 26,3 1,31 1,95 4,71 14,42
amp : amplitude de l’enveloppe de la réponse électro-acoustique ; dn /T0 : durée gaussienne
équivalente à –n dB normalisée par rapport à la période de la réponse électro-acoustique.

Tableau III.7 : Caractérisation de la réponse électro-acoustique au point focal pour les

configurations de transducteurs (Figure III.3) avec (a) lentille seule ; (b) lame adaptatrice et
lentille, de rayon de courbure Rc = 2 mm et de vitesse longitudinale cl = 2100 m/s.

III.4.2 Influence de l’impédance acoustique de la lentille

L’influence de la valeur de l’impédance acoustique de la lentille sur les durées gaussiennes
(paragraphe 0) est évaluées sur la réponse électro-acoustique au point focal (Figure III.33). Les
courbes illustrant les résultats donnés par les différents modèles ne sont exploitables que pour un
seuil n’excédant pas –15 dB ; au-delà la courbe ne fait plus ressortir de tendance particulière. Pour
la configuration sans lame adaptatrice (Figure III.33 (a), (c), (e)), la modélisation par éléments finis
avec déplacement radial bloqué donne un optimum autour de Zl = 5,5 MRa. Le calcul par éléments
finis avec déplacement radial libre est divergeant pour Zl > 4 MRa, d’où l’absence de résultats. Le
modèle KLM étendu à l’axisymétrie ne donne pas d’optimum, mais la tendance indique un éventuel
optimum au-delà de la zone d’investigation (Zl > 8 MRa).

135
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

2.4 1.7

2.2 1.6

2 1.5
d3 / T0

d3 / T0
1.8 1.4

1.6 1.3

1.4 1.2
3 4 5 6 7 8 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Zl (MRa) Zl (MRa)

(a) (b)
3.8 3

3.6
2.8
3.4
2.6
3.2
d6 / T 0

d6 / T0

3 2.4

2.8
2.2
2.6
2
2.4

2.2 1.8
3 4 5 6 7 8 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Zl (MRa) Zl (MRa)

(c) (d)
12 12

11
10
10

9 8
d 15 / T0

d 15 / T0

7 6

6
4
5

4 2
3 4 5 6 7 8 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Zl (MRa) Zl (MRa)

(e) (f)
Figure III.33 : Durées normalisées par rapport à la période de la réponse électro-acoustique à
(a), (b) –3 dB, (c), (d) –6 dB et (e), (f) –15 dB en fonction de l’impédance acoustique de la lentille
pour les configurations de transducteurs (Figure III.3) avec (a), (c), (e) lentille seule ; (b), (d), (f)
lame adaptatrice et lentille, déterminées avec les modèles éléments finis ATILA avec déplacement
radial libre (vert), déplacement radial bloqué (rouge) et KLM étendu à l’axisymétrie (bleu).

136
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

Concernant la configuration avec lame adaptatrice (Figure III.33 (b), (d), (f)), les modélisations par
éléments finis donnent un optimum pour les durées normalisées à –3 et –6 dB à Zl = 3 MRa avec
déplacement radial bloqué et Zl = 3,5 MRa avec déplacement radial libre. Les durées évaluées à –3
et –6 dB pour les modélisations avec déplacement radial libre sont supérieures de 10 à 15 % à celles
avec déplacement radial bloqué. Quant à la durée à –15 dB, elle est supérieure de 50 % environ. Ces
résultats de modélisation par éléments finis avec déplacement radial libre vont dans le sens logique
d’une dégradation des durées dès lors que les contributions radiales non maîtrisées sont prises en
compte. Pour ce qui est de la modélisation avec KLM étendu à l’axisymétrie, l’optimum se situe à
Zl = 3 MRa pour les durées à –3 et –6 dB et à Zl = 3,7 MRa pour la durée à –15 dB.

III.5 Résultats expérimentaux

Des transducteurs ont été réalisés en coopération avec la société VERMON afin de tenter de valider
l’approche développée dans la partie précédente. Pour cela, des céramiques piézo-électriques
(titanate de plomb) ont été assemblées avec un milieu arrière atténuant et en face avant avec une
lame adaptatrice et une lentille pour améliorer la sensibilité et la résolution axiale.

III.5.1 Propriétés piézo-électriques

Des mesures d’impédance effectuées avec l’analyseur de spectre HP4395 (Chapitre 1, Figure I.2)
ont permis de caractériser une série de 8 échantillons de disques piézo-électriques de titanate de
plomb (Pz34 de Ferroperm Piezoceramics). Les caractéristiques identifiées ont été moyennées et
les écarts à la moyenne quantifiés dans le Tableau III.8. Les pertes sont très faibles, et l’écart relatif
élevé est dû à la difficulté à ajuster des valeurs aussi faibles. Les autres valeurs sont statistiquement
proches, et l’écart relatif n’excède pas 6,3 %.

Z (MRa) ρ (kg/m3 ) cl (m/s) S (mm2 ) e (µm) f a (MHz) k t (%) ε33,rS δm (%) δ e (%)
36,4 7520 4840 27,1 229 10,5 38,7 205 0,36 0,35
±0,4 − ±40 ±1,7 ±5 ±0,3 ±1,2 ±13 ±0,25 ±0,18
Z: impédance acoustique; ρ: masse volumique; cl : vitesse longitudinale; S: surface; e: épaisseur;
f a : fréquence d’anti-résonance; k t : coefficient de couplage du mode épaisseur; ε 33,rS : permittivité
diélectrique relative à déformation constante; δm : pertes mécaniques; δ e: pertes diélectriques.

Tableau III.8 : Propriétés électro-acoustiques des échantillons de céramique en titanate de plomb

(Pz34 de Ferroperm Piezoceramics) utilisés pour la fabrication de transducteurs.

137
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

III.5.2 Configurations de transducteurs

Les propriétés du milieu arrière correspondent à une impédance acoustique Zar = 3,3 MRa et une
atténuation α = 0,3 dB/mm/MHz. Ces caractéristiques ont été choisies en adéquation avec les
propriétés de l’élément piézo-électrique pour des applications en imagerie haute résolution. Pour un
disque piézo-électrique avec une fréquence d’anti-résonance à f a = 10,5 MHz, et un rayon de source
a =2,95 mm, la distance focale a été fixée à F = 16 mm. Cette distance focale permet d’obtenir un
f number compris entre 2 et 3 adapté pour l’imagerie médicale (III.29). La lame adaptatrice a été
dimensionnée avec une épaisseur quart d’onde λ/4 = 40 µm et une impédance acoustique Zlame = 5
MRa (paragraphe A3.2.1.4, Annexe 3).
La lentille a alors été fabriquée en accord avec la formulation donnant la distance focale approchée
F (III.27). Le moulage de la lentille concave focalisée sphérique a été réalisé avec la bille disponible
de rayon le plus proche de la valeur calculée. Deux matériaux (polymères purs) ont été utilisés pour
la fabrication de la lentille, respectivement avec des impédances acoustiques Zl = 2 et 3 MRa.
L’épaisseur de la lentille au centre a été testée en λ/4 = 40 µm et en 5λ/4 = 200 µm, permettant
normalement de maximiser le coefficient de transmission au centre de la lentille (Figure III.21).
Trois transducteurs ont ainsi été fabriqués et caractérisés, et deux d’entre eux sont illustrés par la
Figure III.34. Les résultats expérimentaux obtenus ont été comparés à ceux obtenus par simulation.
Toutes ces caractéristiques des lentilles sont résumées dans le Tableau III.9 suivant :

Transducteur el (µm) Rc (mm) F (mm) f number Zl (MRa)

1 40 6,7 16,0 2,7 3
2 200 6,7 16,0 2,7 3
3 40 4,0 16,8 2,8 2
el : épaisseur au centre de la lentille ; Rc : rayon de courbure de la lentille ; F : distance focale ;
f number : rapport F/(2a) ; Zl : impédance acoustique de la lentille.

Tableau III.9 : Caractéristiques et propriétés des lentilles.

138
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

(a) (b)

Figure III.34 : Transducteurs à base de titanate de plomb focalisés avec une lentille de rayon de
courbure (a) Rc = 6,7 mm pour le transducteur 1 et (b) Rc = 4 mm le transducteur 3.

III.5.3 Comparaison entre les modèles

Les résultats obtenus pour les deux modèles ATILA avec déplacement radial libre et KLM étendu à
l’axisymétrie sont en bon accord, excepté l’écho résiduel observé (Figure III.35 (a)) dans le cas de
la source calculée par la méthode des éléments finis avec ATILA pour un déplacement radial libre.
Cet écho est à l’origine des perturbations observées sur le spectre (Figure III.35 (b)).

3 40

35
2
30
Pression (kPa)

1
Pression (kPa)

25

0 20

15
-1
10
-2
5

-3 0
0 0.5 1 1.5 2 0 5 10 15 20
Temps (µs) Fréquence (MHz)

(a) (b)

Figure III.35 : (a) Réponses électro-acoustiques en pression et (b) spectres simulés au point focal
pour le transducteur 3 (Tableau III.9) obtenus avec les modèles ATILA avec déplacement radial
libre (vert) et KLM étendu à l’axisymétrie (bleu).

139
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

Les caractéristiques de focalisation obtenues sont alors comparées pour les deux modèles de source
utilisés (Tableau III.10) et pour les trois transducteurs simulés (Tableau III.9).

Transducteur Méthode G F (mm) DOF3 (mm) ∆r3 (µm) ∆z3 (µm) ∆z15 (µm)
(a) KLM étendu 11,1 15,2 6,30 372 87 250
1
(b) MEF ATILA 10,7 15,1 6,69 385 89 249
(a) KLM étendu 11,1 15,2 6,32 373 88 248
2
(b) MEF ATILA 10,8 15,1 6,64 383 83 316
(a) KLM étendu 10,0 16,3 6,74 399 92 233
3
(b) MEF ATILA 9,8 16,2 7,68 421 97 229
G : gain de focalisation ; F : distance focale ; DOF3 : profondeur de champ à –3 dB ;
∆r3 : résolution radiale ; ∆z3 : résolution axiale ; ∆z15 : contraste axial à –15 dB.

Tableau III.10 : Caractéristiques de la focalisation en émission des transducteurs 1 à 3

(Tableau III.9), déterminées avec les modèles (a) KLM étendu à l’axisymétrie et
(b) éléments finis ATILA avec déplacement radial libre.

Ces résultats montrent ainsi que la modélisation par éléments finis de tous les modes de vibration
n’est pas nécessaire pour les configurations choisies ici. Le modèle KLM étendu à l’axisymétrie est
donc un outil de modélisation alternatif aux éléments finis satisfaisant, même pour des
configurations fortement incurvées. Ainsi, le rapport Rc/a (paragraphe 0) est traduit en terme de
courbure de la lentille concave, et décrit par l’angle d’ouverture θmax :
 a 
θ max = Arc sin   (III.48)
 Rc 
Cet angle atteint les valeurs relativement importantes de 26 (échantillons 1 et 2) et 48 degrés
(échantillon 3). Malgré cela, le modèle de type KLM étendu à l’axisymétrie permet de décrire de
façon satisfaisante l’effet produit par la lentille, essentiellement longitudinal.

140
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

III.5.4 Comparaison entre expérience et modèle

Il reste maintenant à vérifier la cohérence des résultats donnés par les modèles avec les résultats
expérimentaux. Ainsi, les résultats expérimentaux relevés en émission-réception pour les
transducteurs 1 à 3 sont comparés avec ceux donnés par le modèle KLM étendu à l’axisymétrie.
Comme l’illustre la Figure III.36, les réponses électro-acoustiques expérimentales et simulées en
émission-réception à la distance focale sur une cible plane sont similaires.

1 1.2
Tension reçue normalisée (u.a.)

Tension reçue normalisée (u.a.)

1
0.5
0.8

0 0.6

0.4
-0.5
0.2

-1 0
0 0.5 1 1.5 0 5 10 15 20
Temps (µs) Fréquence (MHz)

(a) (b)

Figure III.36 : (a) Réponses électro-acoustiques en émission-réception et (b) spectres

correspondants pour le transducteur 3 (Tableau III.9) simulés avec le modèle KLM étendu à
l’axisymétrie (bleu), et comparés avec les résultats expérimentaux (noir).

Les caractéristiques expérimentales obtenues en émission-réception sont comparées avec celles

simulées pour les trois échantillons (Tableau III.11). Les erreurs relatives maximales relevées sont
de 22 % pour la résolution axiale, 15 % pour le contraste axial. Pour la bande passante relative à –6
et –30 dB, les erreurs relatives maximales sont respectivement de 13 et 30 %. L’épaisseur au centre
de la lentille qui varie d’une longueur d’onde pour les échantillons 1 et 2, avec respectivement el =
λ/4 et 5λ/4 (Tableau III.9) ne semble pas être un paramètre critique. Cependant, l’atténuation dans
la lentille dépendant de la fréquence centrale et de la distance parcourue, l’épaisseur minimale de la
lentille (au centre) peut influer sur la sensibilité.

141
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

Echantillon Méthode F (mm) ∆z6 (µm) ∆z30 (µm) ∆f 6,r (%) ∆f 30,r (%)
(a) KLM étendu 15,1 251 653 26 81
1
(b) Expérimentale 15,9 205 566 30 115
(a) KLM étendu 15,1 248 640 26 82
2
(b) Expérimentale 15,9 213 574 28 109
(a) KLM étendu 16,2 219 600 34 83
3
(b) Expérimentale 16,2 197 567 33 110
F : distance focale ; ∆z6 : résolution axiale ; ∆z30 : contraste axial à –30 dB ; ∆f 6,r : bande passante
relative à –6 dB ; ∆f 30,r : bande passante relative à –30 dB.

Tableau III.11 : Caractéristiques en émission-réception des échantillons 1 à 3 (Tableau III.9),

déterminées avec le modèle (a) KLM étendu à l’axisymétrie et (b) expérimentalement.

Les valeurs relevées expérimentalement correspondent bien à celles indiquées par les relations entre
durée et bande passante à –n dB (III.19). Ainsi, pour une excitation gaussienne, une bande passante
relative ∆f 6,r = 26 %, et une fréquence centrale f 0 = 10,5 MHz donnent une résolution axiale de ∆z6
= 242 µm et un contraste axial ∆z30 = 541 µm, ce qui permet d’obtenir une bonne approximation
des valeurs effectivement relevées (bien que sous évaluées de 5 à 15 %). Le rapport entre les
valeurs obtenues pour une gaussienne et celles obtenues expérimentalement donnent une estimation
du facteur de forme de l’excitation, respectivement 95 % à –6 dB et 85 % à –30 dB (le 100 %
correspondant à une gaussienne).

III.6 Perspectives
L’étude réalisée dans cette partie a consisté à optimiser les propriétés acoustiques de la lentille pour
une géométrie donnée. Réciproquement, une autre problématique pourrait être une optimisation de
la géométrie de la lentille en fonction de ses propriétés acoustiques. En effet, l’atténuation dans la
lentille dépendant de la distance parcourue, un compromis reste donc à déterminer en fonction de
l’atténuation et de l’amélioration du compromis sensibilité/bande passante sur tout le profil de la
surface de la lentille (Figure III.21).
L’épaisseur de la lentille au centre el peut être optimisée en fonction de l’atténuation α dans la
lentille et du coefficient de transmission global Tg en terme de compromis entre la sensibilité amp,
la résolution axiale d6 et le contraste axial d30 .

142
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

La procédure d’optimisation consiste à faire varier le paramètre étudié (l’impédance acoustique Zl,
l’atténuation α, l’épaisseur au centre el) par itérations successives, et à calculer l’indice de
performance IP (I.6) comme spécifié par le schéma Figure III.2.
D’autre part, des profils autres que le profil sphérique P(r) peuvent faire l’objet d’une optimisation.
Ainsi, le modèle de transduction KLM étendu à l’axisymétrie permet de prendre en compte un
profil quelconque (sous condition de dérivabilité : en général ajusté par un polynôme), par ailleurs
utilisé pour calculer la fonction de transfert en émission (Chapitre 2). En effet, ce profil P(r) joue le
rôle d’une interface entre le solide et le liquide, modélisés respectivement par KLM étendu à
l’axisymétrie puis par le code de propagation. Il agit donc sur la fonction de transfert lors de la
transduction, mais aussi sur la géométrie de la source propagée.

IV Conclusion
Au cours de ce chapitre, un indice de performance a d’abord été défini en vue de caractériser la
réponse électro-acoustique émise par le transducteur. Cet indice modulable permet de déterminer un
compromis entre sensibilité, résolution et contraste. Il a été étudié dans le cas d’une excitation
gaussienne, pour laquelle les durées et bandes passantes sont corrélées. Les relations et ordres de
grandeur obtenus sont néanmoins ceux relevés sur les réponses électro-acoustiques classiques et
permettent de qualifier la forme de la réponse obtenue.
Ensuite, des configurations typiques de transducteur mono-élément haute fréquence équipé d’une
lentille en face avant ont été décrites, et la lentille a été dimensionnée de façon à donner la distance
focale voulue. Le champ de déplacement ou de pression délivré à la surface du transducteur a alors
été modélisé au moyen d’un logiciel de calcul par éléments finis avec deux conditions aux limites.
Des méthodes de modélisation approchées alternatives sont testées, et un modèle KLM étendu à
l’axisymétrie a été mis en place. Le résultat obtenu avec ce modèle a été comparé de façon très
satisfaisante à celui obtenu avec une modélisation par éléments finis. En effet, seulement une très
légère différence a été observée entre les résultats obtenus avec une modélisation par éléments finis
avec ou sans le déplacement radial. Ce résultat a permis de quantifier les effets des modes radiaux
sur le champ rayonné et sur la réponse électro-acoustique.
Enfin, les sources de pression calculées à la surface de la lentille ont été propagées au moyen
d’outils développés dans le chapitre précédent. Les champs de pression rayonnés par les différents
modèles de source ont été comparés, en particulier dans l’axe, puis dans le plan focal. Les
caractéristiques obtenues ont été décrites en fonction de l’impédance acoustique de la lentille pour
une distance focale donnée. Les réponses électro-acoustiques au point focal ont alors été comparées
143
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

en fonction de l’impédance acoustique de la lentille, au moyen de caractéristiques dont certaines ont

ensuite été regroupées dans l’indice de performance. Pour finir, des résultats expérimentaux ont été
comparés à ceux simulés avec le modèle KLM étendu à l’axisymétrie. L’adéquation entre les
résultats expérimentaux et simulés permet de valider le modèle KLM étendu à l’axisymétrie qui
comporte deux avantages majeurs : il permet de réaliser un calcul de transduction de façon très
satisfaisante, et ce plus de 100 fois plus rapidement qu’un modèle par éléments finis. De plus, il se
prête bien à une utilisation itérative, utile pour une optimisation des propriétés de la lentille ou de
tout autre couche constituant le transducteur.

Bibliographie :
1. Desmare R., Optimisation de transducteurs ultrasonores à structure multicouche. Thèse de
doctorat en Acoustique. Université du Maine. Académie de Nantes, 1999.
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8. Tannaka Y., Koshikawa T., Solid-liquid compound hydroacoustic lens of low aberration.
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9. Fink K., Computer simulation of pressure fields generated by acoustic lens beamformers.
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10. Hughes W.J., Craig J.R., The focusing properties of an acoustic thin lens and zone plate.
Applied Research Laboratory. Pennsylvania State University, 1996. TR96(3): p. 1-33.

144
Chapitre III Influence d’une lentille acoustique

11. Cornelius T.A., Williams K.L., Note on the calculation of the spherically aberrated field of
an acoustic lens. Applied Physics Laboratory. University of Washington, 1992. TM92(7): p.
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12. Kossof G., Analysis of focusing action of spherically curved transducers. Ultrasound in
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13. Baboux J.C., Brissaud M., Charreaux C., Descombes M., Jayet Y., Laracine M., Louail G.,
Rocher A., Vincent A., Contrôle non destructif par ultrasons. Centre d'Actualisation
Scientifique et Technique, 1987. Niveau II(Tome I).
14. Royer D., Dieulesaint E., Ondes élastiques dans les solides. Tome 1: Propagation libre et
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15. Wang H., Cao W., Characterizing ultra-thin matching layers of high-frequency ultrasonic
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16. Marechal P., Levassort F., Tran-Huu-Hue L.P., Félix N., Lethiecq M., Effect of acoustical
properties of a lens on the pulse-echo response of a single element transducer. IEEE
Proceedings of the Ultrasonics Symposium, 2004.

145
Influence d’une lentille acoustique Chapitre III

146
Chapitre IV Développement de films épais

Equation Section (Next)

CHAPITRE IV : DEVELOPPEMENT ET CARACTERISATION DE FILMS

EPAIS POUR TRANSDUCTEUR MONO - ELEMENT

Ce chapitre est consacré à la description du procédé de fabrication et à la caractérisation de

films épais piézo-électriques intégrables dans la fabrication de transducteurs mono-éléments haute
fréquence. Ces films épais ont des épaisseurs de quelques dizaines de microns. Deux méthodes de
fabrication de film épais seront plus particulièrement étudiées : le coulage en bande (tape casting) et
la sérigraphie (screen printing). Des échantillons ont été réalisés par ces méthodes en coopération
avec des partenaires du projet européen PIRAMID. Dans la dernière partie de ce chapitre, les
meilleurs échantillons seront décrits et caractérisés et leurs performances comparées.

I Fabrication et optimisation des propriétés de PMN-PT par

coulage en bande ou "tape casting"
La fabrication de films épais par coulage en bande [1, 2] a été largement explorée au cours des
dernières années [3]. L’industrialisation des procédés de fabrication a conduit à l’élaboration de
nouveaux matériaux combinant des mailles cristallines piézo-électriques de natures différentes.
Certaines de ces combinaisons permettent d’obtenir des propriétés spécifiques telles qu’un fort
coefficient de couplage en mode épaisseur k t et une permittivité diélectrique selon l’épaisseur ε 33,rS
élevée. Ainsi, des matériaux piézo-électriques relaxeurs tels que Pb(Mg1/3 Nb2/3 )O 3 ,
Pb(Fe1/3Nb2/3 )O3 ou Pb(Sc1/3 Nb2/3 )O 3 (notés respectivement PMN, PFN et PSN), sont associés aux
compositions plus classiques Pb(Zr(x)Ti(1-x) )O 3 ou PbTiO 3 (respectivement PZT et PT) [4, 5]. Dans
cette partie, nous nous intéresserons plus particulièrement à l’association (1–x)PMN-xPT [6-10].
Ces compositions prometteuses ont fait l’objet d’études plus approfondies au Laboratoire de
Céramique de l’Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (LC-EPFL). Plusieurs compositions ont
été développées et des films épais par coulage en bande ont été réalisés et caractérisés en partie au
cours d’un séjour que j’ai effectué dans ce Laboratoire.

147
Développement de films épais Chapitre IV

I.1 Procédé de fabrication

Le procédé de fabrication par coulage en bande se déroule en plusieurs étapes : la première étape
consiste à disperser les composants oxydés dans une solution visqueuse constituée d’adjuvants, de
solvants et de composants organiques. Ensuite, le mélange obtenu est étalé au moyen d’une racle à
l’épaisseur désirée, puis séché à température ambiante ou thermostatée. La pâte ainsi obtenue
(green tape) peut alors être découpée et mise en forme aux dimensions désirées en prenant en
compte un retrait d’environ 20 % lors des étapes de cuisson. Vient alors une première étape de
cuisson, le déliantage (burning out), pour débarrasser la pâte de ses constituants organiques. La
seconde étape de cuisson, le frittage (sintering) permet le développement et l’agglomération
granulaire et donne la microstructure finale. Des électrodes sont alors déposées (electroding) et
l’échantillon est polarisé (poling). Les différentes étapes de fabrication décrites ci-dessus sont
détaillées dans les paragraphes suivants.

I.1.1 Composition
Une série de céramiques à base de PMN-PT est élaborée à partir de la composition générale notée
(1–x)PMN-xPT, en fonction de la fraction molaire x de PT qui a pris successivement pour valeurs
30, 35, 40, 50 et 60 % dans le cadre de notre étude. Ces céramiques combinent deux types de
matériaux : l’un est de type ferroélectrique (PT), l’autre de type relaxeur (PMN). La combinaison de
ces deux types de propriétés permet d’obtenir une constante diélectrique beaucoup plus importante
que celle du PZT classique, tout en conservant des propriétés piézo-électriques comparables voire
supérieures. Chacune de ces compositions a donné lieu à la fabrication d’un ou plusieurs
échantillons mis en forme puis testés.

I.1.2 Formulation du mélange

La barbotine élaborée avant la mise en forme est constituée d’un mélange à base de poudre de
céramique, de solvants, de polymère et de plastifiants décrit par le Tableau IV.1. En pratique, ces
constituants sont ajoutés au fur et à mesure de l’élaboration du mélange final de façon à en assurer
l’homogénéité pour le coulage en bande.

148
Chapitre IV Développement de films épais

Constituant Type Fraction massique (%)

Poudre de PMN et de PT Céramique 75
Méthyl éthyl kétone (MEK) Solvant 12
Ethanol (EtOH) Solvant 6
Polymère "B-79" (PVB) Polymère 3,9
Polyéthylène glycol (PEG) Plastifiant 1,5
Dibutyl phthalate (DBP) Plastifiant 1,5
Emphos PS-21A Dispersant 0,1

Tableau IV.1 : Formulation de la solution visqueuse pour le coulage en bande.

I.1.3 Homogénéisation du mélange

Les différents constituants sont ajoutés dans un contenant, en volume égal avec des billes de
zirconium afin de faciliter le mélange. Les billes sont introduites en premier lieu, puis la poudre de
céramique est ajoutée. Viennent ensuite les solvants puis les dispersants. Ce mélange est agité
pendant 5 à 10 minutes (mixing). Les plastifiants sont alors ajoutés ainsi que la première moitié
seulement du polymère afin de mieux solubiliser le polymère dans le mélange solvants/plastifiants
et de limiter la viscosité du mélange. L’étape suivante consiste à effectuer un mélange pour
permettre une bonne homogénéisation pendant 16 heures à une vitesse constante de 1 tour/s
(milling) [11, 12]. La seconde moitié du polymère est ensuite ajoutée, puis l’homogénéisation finale
du mélange est effectuée à nouveau pendant 3 heures.

I.1.4 Filtrage du mélange

Une fois le mélange et l’homogénéisation effectués, la solution visqueuse obtenue peut être retirée
du contenant. Pour cela, il est chauffé à 70°C afin de fluidifier la solution qui peut alors être
extraite. Il faut noter qu’environ 75 % en masse du mélange initial est récupéré, 25 % restant à la
surface des billes de zirconium et du contenant.

I.1.5 Dégazage
Le mélange récupéré est ensuite placé sous vide pendant quelques minutes afin d’évacuer les gaz
dissous lors des étapes de mélange. De retour à pression ambiante, le mélange est prêt pour le
coulage en bande.

149
Développement de films épais Chapitre IV

I.1.6 Coulage
Le coulage en bande est un procédé utilisé pour la fabrication de films épais (de 50 à 1500 µm) sur
une surface plane [13]. Il faut cependant prendre en compte le retrait observé lors du séchage
(environ 30 %). Cette méthode possède l’avantage d’être simple et facile d’utilisation pour cette
gamme d’épaisseurs. La largeur et l’épaisseur de la bande coulée sont déterminées par la position de
la racle (blade). Un film de polyester revêtu d’une fine couche de silicium est choisi comme surface
pour le coulage de la bande. L’épaisseur de la bande après séchage dépend non seulement de
l’épaisseur fixée par la racle, mais aussi de la vitesse de son passage et de la viscosité du mélange.

Réservoir

Hauteur
Sens du
ajustable
déplacement

Film Bande coulée (vitesse

Racle Mélange
polyester de céramique ajustable)

Figure IV.1 : Schéma du dispositif de coulage en bande.

I.1.7 Séchage
Une fois la bande coulée sur le film polyester, elle est laissée à température ambiante pendant
environ une heure, puis séchée à 90°C en environnement thermostaté de nouveau pendant une
heure, de façon à faire évaporer les solvants résiduels. Cette procédure de séchage en deux temps
permet d’éviter une évaporation trop brutale des solvants et l’apparition de craquelures sur la bande.

I.1.8 Mise en forme

Le futur élément piézo-électrique est découpé dans la géométrie voulue, sous forme de disque.
Plusieurs disques de la même taille peuvent être empilés par la suite de façon à donner l’épaisseur
désirée à l’échantillon final. L’empilement ainsi réalisé est ensuite pressé à chaud (hot pressing)
pour prendre la forme d’un disque plat ou incurvé [14]. Les principaux paramètres pour le pressage

150
Chapitre IV Développement de films épais

à chaud sont : la contrainte appliquée σ (MPa), la température T (°C) et le temps d’application t (s).
Pour la mise en forme de nos échantillons, nous avons appliqué une contrainte de σ = 20 MPa à une
température T = 70°C pendant un temps t = 15 s.

I.1.9 Déliantage et frittage

Pour l’étape de déliantage, l’échantillon réalisé est alors passé au four dans une atmosphère saturée
en oxyde de plomb (PbO), de façon à le débarrasser de ses constituants organiques tout en évitant
l’évaporation des oxydes solides. La Figure IV.2 (a) décrit la progression en température adaptée.
L’augmentation progressive de la température permet l’évaporation des solvants et de l’humidité
résiduels, ainsi que l’élimination progressive des constituants organiques : polymères et plastifiants.
L’échantillon mis en forme est ainsi disposé dans un moule en alumine. Ce support entraîne
généralement la déformation des échantillons de faible épaisseur par diffusion de l’oxyde de plomb.
Le support et l’environnement proche sont donc saupoudrés d’oxyde de plomb afin de les saturer en
plomb. D’autres types de supports sont envisageables, mais leur coût est plus important.

1000 1500
1250°C
1180°C 40 min
800 785°C 40 min
0,5h
1°C/min
Température (°C)

Température (°C)

1°C/min 1000 800°C

600 1h
720°C
3h -2°C/min
400 1°C/min -2°C/min
500 1°C/min
220°C
200 6h
1°C/min
0 0
0 5 10 15 20 25 30 0 5 10 15 20 25 30 35
Temps (h) Temps (h)

(a) (b)

Figure IV.2 : Courbes de montée, stagnation et descente en température en fonction du temps pour
(a) la première étape : déliantage (élimination des solvants résiduels et constituants organiques) et
(b) la seconde étape : frittage (formation, croissance et agglomération de grains) au LC-EPFL.

151
Développement de films épais Chapitre IV

La seconde étape de cuisson, le frittage (sintering) permet la croissance des grains et leur
densification (Figure IV.2 (b)). La modification de la température maximale, de la durée du palier,
et l’ajout de poudre d’oxyde de magnésium MgO et/ou de plomb PbO permettent d’obtenir des
tailles de grains et microstructure différentes [15, 16]. Ainsi, pour les compositions avec une
fraction molaire x < 50 % de PT, l’ultime palier se situe à T = 1250°C, et pour x > 50 % de PT, il se
situe à T = 1180°C. Ce cycle de chauffage a donc une durée totale de 33 et 31 heures
respectivement pour les fractions molaires de PT inférieure et supérieure à 50 %. La structure
granulaire obtenue suite aux cycles de cuisson mentionnés est relativement homogène (Figure IV.3
(a)) et permet d’obtenir des tailles de grain de 3 à 4 µm de diamètre en moyenne (Figure IV.3 (b)).

(a) (b)

Figure IV.3 : Structure granulaire à la surface de l’échantillon 0,7PMN-0,3PT grossie (a) 70 fois et
(b) 1400 fois observée au microscope électronique à balayage (LC-EPFL).

I.1.10 Dépôt d’électrodes

Suite à ces différents traitements thermiques, des électrodes en or sont déposées par pulvérisation
sur chaque face du disque. Le temps de dépôt par évaporation (sputtering) sous vide partiel à p =
0,05 mbar a été fixé à t = 10 minutes, ce qui correspond à une épaisseur de eor = 600 nm.

I.1.11 Polarisation
Une fois le dépôt des électrodes effectué, le disque est alors polarisé. La polarisation dépend
principalement du champ électrique appliqué E (V/mm), de la température T (°C) et du temps
d’application du champ t (s). Plusieurs essais on montré qu’un champ électrique E = 1 kV/mm,
appliqué à température ambiante pendant 5 minutes permet d’obtenir une polarisation optimale.

152
Chapitre IV Développement de films épais

I.2 Caractérisation
Les échantillons fabriqués par le procédé décrit précédemment sont alors caractérisés et comparés
en fonction des fractions molaires de PT et du nombre d’épaisseurs empilées pour la formation des
disques finaux. Après une mesure préliminaire des caractéristiques géométriques des échantillons,
les propriétés diélectriques et acoustiques des échantillons sont déduites des mesures effectuées et
présentées ci-après. La permittivité diélectrique relative à contrainte constante ε 33,rT est évaluée en
fonction de la température afin de déterminer la température de Curie Tc. Au-delà de cette
température critique, la polarisation n’est plus effective et le matériau perd ses propriétés piézo-
électriques. Les propriétés acoustiques sont ensuite déduites des mesures d’impédance électrique et
ajustées à partir des caractéristiques géométriques de l’échantillon.

I.2.1 Permittivité diélectrique

L’évolution de la permittivité diélectrique relative à contrainte constante ε 33,rT est relevée en
fonction de la température. Lorsque la constante diélectrique est maximale, la température de Curie
Tc est obtenue (Figure IV.4). Bien qu’elle possède une forte constante diélectrique, la composition
PMN-PT 90/10 n’est pas ferroélectrique.

ε33,rT
4.104 90/10

3.104 70/30
65/35

2.104
40/60
1.104

T (°C)
0 25
50 100 200 300
40°C Tt 130°C 165°C 285°C
Figure IV.4 : Evolution de la constante diélectrique relative à contrainte constante ε33,rT en fonction
de la température et de la composition du PMN-PT. La température à laquelle la constante
diélectrique est maximale est nommée la température de Curie Tc (excepté la composition 90/10),
et celle à laquelle on distingue une double inflexion est la température de transition de phase Tt.

153
Développement de films épais Chapitre IV

La caractérisation des échantillons sera donc limitée aux compositions PMN-PT 70/30, 65/35, et
40/60. Par ailleurs, pour la composition 0,7PMN-0,3PT (70/30) on observe une double inflexion de
la courbe à la température Tt. Elle correspond à la transition de phase rhomboédrique vers la phase
tétraédrique (Annexe 6). On peut constater que la température de Curie Tc croit avec la fraction
molaire de PT relativement à celle de PMN tandis que la constante diélectrique relative ε 33,rT décroît
comme l’ont montré Alguero et al. [17] de l’Institut des Sciences et Matériaux de Madrid (ICMM).
Pour une composition donnée, une loi empirique d’évolution de la constante diélectrique relative
ε33,rS peut être ajustée en fonction de la température T et de la fréquence f [10, 18].

I.2.2 Caractéristiques électro-mécaniques

La caractérisation par mesure d’impédance décrite au cours du Chapitre I permet, connaissant les
dimensions, de remonter aux caractéristiques géométriques, diélectrique et électro-mécaniques du
matériau. Elles sont résumées dans le Tableau IV.2 suivant :

xPT e S ρ fa δm δe
Couches ε33,rS cl (m/s) k t (%)
(%) (µm) (mm2 ) (kg/m3 ) (MHz) (%) (%)
60 4 360 47,6 570 6360 5050 31,0 7,00 2,7 1,6
35 4 390 52,0 1660 7200 4580 45,8 5,88 3,5 4,1
35 6 380 28,2 1750 6920 4715 42,5 6,29 9,0 4,3
30 4 430 47,3 1830 7000 4660 32,1 5,44 3,5 10,8
30 6 455 51,1 1200 7700 4440 40,3 4,85 3,2 5,4
30 8 695 31,7 1400 7530 4485 36,0 3,23 2,5 6,2
e : épaisseur totale; S : surface; ε 33,rS : constante diélectrique relative à déformation constante;
ρ : masse volumique ; cl : vitesse longitudinale; k t : coefficient de couplage en mode épaisseur;
f a : fréquence d’anti-résonance; δ m : pertes mécaniques; δ e: pertes diélectriques.

Tableau IV.2 : Caractéristiques géométriques, diélectrique et électro-mécaniques des échantillons

de (1-x)PMN-xPT en fonction de la fraction molaire x de PT.

Les mesures effectuées sur les échantillons montrent nettement que la composition PMN-PT 65/35
donne les meilleures performances en terme de coefficient de couplage en épaisseur k t. Ce résultat
est en accord avec les travaux de Kelly et al. [19, 20] qui ont réalisé un dépôt par la méthode sol-
gel. Les autres caractéristiques telles que la constante diélectrique ε 33,rS , la vitesse longitudinale cl et
154
Chapitre IV Développement de films épais

la masse volumique ρ varient légèrement selon le nombre de couches empilées. Les caractéristiques
obtenues sont comparables à celles obtenues par frittage. Ainsi, la composition 65/35 délivre un
coefficient de couplage en épaisseur maximal k t = 44 %. Ses propriétés moyennes relevées sont
ε33,rS = 1700, cl = 4650 m/s et ρ = 7000 kg/m3 . Pour les trois échantillons PMN-PT 70/30 avec 4, 6
ou 8 couches, on observe une grande variation de la permittivité (Figure IV.5). Elle est plus faible
pour 6 et 8 couches malgré une masse volumique plus élevée ; la porosité n’est donc pas la cause
principale de cette variation. La qualité des électrodes et/ou la variation d’épaisseur des échantillons
qui ne sont pas prises en compte sont très probablement en cause pour ces résultats. Pour les deux
échantillons PMN-PT 65/35 (4 et 6 couches, Figure IV.5), les résultats sont comparables et le
procédé semble donc reproductible.
Enfin, en comparant les trois échantillons à 4 couches pour les trois compositions (Figure IV.5), on
vérifie bien que la constante diélectrique augmente lorsque le taux de titanate de plomb diminue.

50 2000

48 4 1800
6
4
46 4 1600

44 8 1400

6
42 6 1200
k (%)

6
εs33,r
40 1000
t

38 800

36 8 4 600

34 400

32 4 200
4
30 0
25 30 35 40 45 50 55 60 65
Taux de titanate de plomb (%)

Figure IV.5 : Coefficient de couplage en mode épaisseur k t (×) et constante diélectrique

ε33,rs (o) en fonction de la fraction molaire x de PT.

155
Développement de films épais Chapitre IV

II Fabrication d’une structure intégrant un film épais PZT/PGO

par sérigraphie ou "screen printing"
Le développement de films épais piézo-électriques a été étudié dans un second temps avec une
méthode de dépôt par sérigraphie (screen-printing). Ce sujet a été une nouvelle fois développé dans
le cadre du projet européen PIRAMID, en coopération avec l’Institut Jozef Stefan (IJS, Ljubljana,
Slovénie). La fabrication des structures a été réalisée dans ce laboratoire mais des échanges
permanents ont été entretenus avec notre groupe dans le but d’optimiser les propriétés de ces films
piézo-électriques (géométrie, caractéristiques électro-mécaniques, structure multicouche). La
fabrication de ces film déposés par sérigraphie nécessite un support ; l’idée principale de ce procédé
est d’utiliser directement ce substrat comme milieu arrière. Le principe de fabrication de cette
structure est schématisé sur la Figure IV.6.

Poudre piézo-électrique Matière organique

Mélange

Pâte conductrice Pâte piézo-électrique

Sérigraphie et séchage Sérigraphie et séchage

de l’électrode du film piézo-électrique

Déliantage et frittage Déliantage et frittage

de l’électrode du film piézo-électrique

Electrode déposée Film et électrode déposés

Substrat sur le substrat sur le substrat

Figure IV.6 : Principe de la fabrication d’une structure intégrée par sérigraphie.

156
Chapitre IV Développement de films épais

Le point délicat d’une telle fabrication réside dans les étapes de déliantage et frittage qui nécessitent
une montée en température à plus de 800°C, favorisant dans le même temps des phénomènes de
diffusion indésirables de l’électrode vers les couches contiguës.
La Figure IV.7 précise la structure multicouche obtenue et l’ordre de grandeur des différentes
épaisseurs de chacun des éléments. Les caractéristiques et le choix des compositions des trois
premières couches essentielles (le film épais piézo-électrique, l’électrode arrière et le substrat)
seront successivement décrites dans les paragraphes suivants. On verra également que l’ajout d’une
couche protectrice intermédiaire entre le substrat et l’électrode arrière sera nécessaire pour
améliorer les propriétés recherchées.

Electrode avant (~0,5 µm)

Film piézo-électrique (~50 µm)
Electrode arrière (~5 µm)

Substrat (1 à 10 mm)

Figure IV.7 : Structure multi-couche élaborée par sérigraphie.

II.1 Procédé de fabrication

II.1.1 Film piézo-électrique – Compositions
Plusieurs films avec des compositions PZT/PGO [21], PNN-PZT (Pz21 de Ferroperm
Piezoceramics) [22] et PZT/PGO (Pz29 de Ferroperm Piezoceramics) ont donc été déposés sur
différents substrats (alumine, silicium ou PZT). Ces essais ont permis de déterminer l’incidence des
températures et du temps de frittage sur la structure multicouche. Comme indiqué dans le Tableau
IV.3 qui suit, la densité du film reste bonne tant que la température de frittage n’excède pas 850°C.
Le choix d’un dépôt de PZT/PGO permet d’abaisser la température de frittage à 800°C et de
contourner ainsi les problèmes de diffusion de l’électrode vers le milieu arrière ou le film PZT.
En effet, l’ajout d’oxydes dopants tels que le germanate de plomb Pb5 Ge3 O11 (PGO) permet de
favoriser l’agglomération et la croissance des grains de PbZr0,53Ti0,47O3 (PZT) lors de l’étape de
frittage [23, 24]. Dans cette partie, nous allons donc nous intéresser en particulier au dépôt d’un
film PZT dopé au germanate de plomb (PGO) sur substrat PZT poreux.

157
Développement de films épais Chapitre IV

Structure du dépôt Frittage du film Microstructure

Substrat / Electrode
Température / Temps Influence
Film épais
Al2 O3 / Au
750 à 850°C / 8 h Densité élevée du film
PZT dopé PGO
PZT / Au
800°C / 8 h Densité élevée du film
PZT dopé PGO
PZT / Au 1100°C / 2 h Densité moyenne du film
PNN-PZT (Pz21) 1200°C / 2 h Diffusion de l’électrode
(Si/SiO 2 ) / (Pt/Au)
850°C / 8 h Diffusion de l’électrode
PZT(Pz29) dopé PGO
(Si/SiO 2 ) / (Ti/Pt)
850°C / 8 h Electrode uniforme
PZT(Pz29) dopé PGO

Tableau IV.3 : Essais de structures (substrats / électrode / film), température et temps de frittage.

II.1.2 Electrode arrière

L’électrode arrière est confrontée à des problèmes de diffusion lors de l’étape de frittage du film
piézo-électrique déposé, ce qui dégrade les performances électro-mécaniques de ce film. Ainsi,
différents dépôts d’électrodes ont été expérimentés et les coupes réalisées ont permis d’en vérifier
l’homogénéité et la continuité. Le dépôt de l’électrode se fait par sérigraphie, déliantage et frittage
de pâtes d’or (Au), platine (Pt), d’alliages platine/or (Pt/Au) ou titane/platine (Ti/Pt). Suite au dépôt
d’électrode, la pâte piézo-électrique est déposée en plusieurs étapes par sérigraphie et séchage
jusqu’à l’obtention de l’épaisseur voulue, au maximum 50 µm dans notre cas.
En effet, son impédance acoustique est toujours bien supérieure à celle du film piézo-électrique et
du substrat. L’épaisseur optimale (afin de limiter la diffusion) de l’électrode en or est d’environ 10
µm, soit environ 1/5ème de l’épaisseur du film épais déposé par la suite. Avec une telle épaisseur,
l’électrode permet d’obtenir de bons contacts électriques et quelques irrégularités peuvent
apparaître au cours du frittage sans pour autant nuire à cette fonction essentielle.

158
Chapitre IV Développement de films épais

II.1.3 Substrat
Le substrat doit, par sa fonction de support, rester neutre lors de l’étape de frittage, et doit aussi
servir de milieu arrière au futur transducteur intégré. L’objectif du substrat qui sert de milieu arrière
est donc aussi d’absorber l’énergie qu’il reçoit (paragraphe A3.2.1.1, Annexe 3,). Différents
substrats dont les propriétés acoustiques sont plus ou moins en adéquation avec celles du film
déposé sont testés (Tableau IV.3). Le dépôt sur un substrat en silicium/silice Si/SiO 2 (ZSi = 10,3
MRa et ZSiO2 = 7,6 MRa) ou en alumine Al2 O3 (ZAl2 O3 = 41 MRa) [24] permet aussi d’obtenir des
conditions de frittage intéressantes, mais ne seront pas étudiées dans cette partie. On s’intéresse ici
au substrat PZT (ZPZT = 34 MRa) dont les propriétés acoustiques sont quasiment identiques à celles
du film déposé. Pour une utilisation comme milieu arrière, on cherche à en diminuer l’impédance
acoustique Z (par rapport au film épais) et augmenter les pertes δ m . Les propriétés du substrat en
terme de masse volumique ρ et d’atténuation α ont alors été modifiées en accord avec celles du film
épais en PZT/PGO. Ainsi, un substrat PZT poreux (Figure IV.8 (a)) a été élaboré à partir d’un
mélange PZT broyé avec des adjuvants organiques formateurs de pores tels que le polyéthylène
glycol (PEG), le saccharose (C 12 H22O11 ) ou l’oxalate d’ammonium ((NH4 )2 C2 O4 ).

100
15 %
20 %
Densité relative (%)

95
PZT / PGO
90
Au
85
PZT poreux
80

75
Oxalate PEG Saccharose
d’ammonium

(a) (b)

Figure IV.8 : (a) Couche active de PZT dopé au PGO sur substrat PZT poreux [25] et (b) influence
des formateurs de pores et de leur taux sur la densité du substrat [26, 27].

Pour tester ces différents adjuvants organiques, des poudres avec différentes fractions volumiques
(15 et 20 % en volume) de formateurs de pores ont été mélangées à la poudre de PZT, pressées pour
la mise en forme puis frittées pour la densification pendant 2 heures à 1200°C. Les valeurs des
densités relatives (rapport entre la masse volumique du PZT poreux et du PZT dense) sont précisées
sur la Figure IV.8 (b).
159
Développement de films épais Chapitre IV

20 µm 20 µm 20 µm

(a) (b) (c)

Figure IV.9 : Microstructure des milieux arrières en PZT poreux dont les porosités ont été formées
avec (a) de l’oxalate d’ammonium, (b) du polyéthylène glycol et (c) du saccharose [26].

Les taux de porosité des substrats réalisés ont été évalués à partir de la microstructure (Figure IV.9)
et à partir de la densité (Tableau IV.4). Malgré la dispersion des résultats donnés par les deux
méthodes d’évaluation de porosité, on peut conclure que l’adjuvant le plus adapté pour la formation
de pores dans le substrat est l’oxalate d’ammonium. Il donne respectivement un taux de porosité de
11,9 et 14,7 % pour 15 % de fraction volumique initiale.

Formateur de pores Mesure de la densité Analyse de la microstructure

Fraction volumique à 15 % Porosité (%) Porosité (%)
– 3 2,9
Oxalate d’ammonium 11,9 14,7
PEG 6,8 4,1
Saccharose 9,9 6,4

Tableau IV.4 : Taux de porosité évalués par analyse de la microstructure et par mesure de la
densité [26].

L’oxalate d’ammonium permet donc de remplir la fonction recherchée, c’est-à-dire d’obtenir un

taux de porosité relativement important et une répartition uniforme dans le substrat PZT. Par
ailleurs, il reste à évaluer l’effet d’une étape supplémentaire de frittage du film piézo-électrique
déposé par sérigraphie. Une analyse de la microstructure du substrat après une seconde étape de
frittage permet de conclure que ce cycle de frittage supplémentaire n’a pas entraîné de modification
de la microstructure du substrat.

160
Chapitre IV Développement de films épais

4000

Vitesse longitudinale (m/s)

3500

3000

2500

2000
0 10 20 30 40 50 60 70
Fraction volumique d'air dans le PZT non polarisé (%)

(a) (b)

Figure IV.10 : (a) Vue en coupe du substrat en PZT poreux élaboré à partir de poudre de PZT et
d’oxalate d’ammonium avec un frittage à 1200°C pendant 2 h [26] ; (b) Modélisation de la vitesse
longitudinale dans un substrat de PZT non polarisé poreux en fonction de la fraction volumique
d’air pour une connectivité 3–0.

Les propriétés du substrat poreux sont déterminées avec des modèles d’homogénéisation [28] pour
un matériau composite PZT/air de connectivité 3-0 (pores fermés visibles sur la Figure IV.10 (a)).
Pour cela, on évalue le taux de porosité sur plusieurs échantillons (Figure IV.10 (b)) à 14 % en
moyenne et on en déduit une masse volumique ρ = 6660 kg/m3 . A partir de la vitesse longitudinale
cl = 2730 m/s, on en déduit une impédance acoustique effective ZPZT poreux = 18,2 MRa.
Les caractéristiques homogénéisées du substrat sont celles utilisées pour les caractérisations par
impédancemétrie du film déposé sur ce substrat. Ce type de substrat poreux élaboré à partir de
poudre de PZT et d’oxalate d’ammonium est prometteur pour la réalisation d’un milieu arrière pour
le futur transducteur. Afin de pallier au problème de la diffusion rencontré lors de la sérigraphie de
l’électrode, la mise en place d’une couche de protection (barrier layer) entre le milieu arrière et
l’électrode arrière est envisagée.

161
Développement de films épais Chapitre IV

II.1.4 Couche de protection

La diffusion de la couche conductrice vers le substrat poreux (électrode arrière) lors du frittage pose
problème au niveau de l’homogénéité de l’électrode arrière et de sa conduction électrique sur toute
la surface active. L’ajout d’une couche de protection intermédiaire (barrier layer) s’est révélé
judicieux (Figure IV.12). De plus, elle permet de constituer une surface plus plane propice à une
sérigraphie de qualité de l’électrode arrière. Cette couche possède des propriétés acoustiques très
proches de celle du substrat. Elle a la même composition que le futur film épais piézo-électrique,
mais n’est pas polarisée.

Electrode avant (~0,5 µm)

Film piézo-électrique (~50 µm)
Electrode arrière (~5-10 µm)
Couche de protection (~10 µm)
Substrat (1 à 10 mm)

Figure IV.11 : Structure multi-couche élaborée par sérigraphie sur un substrat poreux avec une
couche de protection pour éviter la diffusion de l’électrode arrière.

La dernière étape est la polarisation des films épais. Pour les films de composition PZT/PGO, elle a
été réalisée dans un bain d’huile chauffé à 150°C avec un champ électrique de 12kV/mm (ce qui
correspond à une différence de potentiel d’environ 500 V pour nos films).

II.2 Caractérisation et géométrie

Les structures obtenues ont été caractérisées par mesure d’impédance électrique et les performances
électro-acoustiques de différents films déposés sur substrats ont été évaluées et comparées. Enfin, la
géométrie des échantillons des structures définitives est décrite.

II.2.1 Caractérisation des structures multicouches réalisées

Plusieurs films piézo-électriques (PZT/PGO, PNN-PZT) ont été déposés par sérigraphie sur des
substrats divers à base de PZT (Al2 O3 , PZT, PZT poreux) comme décrit dans les paragraphes
précédents. Le substrat joue le rôle très important de milieu arrière : à cet effet, son impédance
acoustique doit être adaptée à celle du substrat tout en ayant une vitesse de propagation la plus
faible possible (Annexe 3). Ainsi, le substrat en alumine Al2 O3 est inerte durant l’étape de frittage

162
Chapitre IV Développement de films épais

mais possède une atténuation trop faible et une vitesse trop élevée pour permettre de réaliser un
milieu arrière aux caractéristiques optimales. Par contre, un substrat à base de PZT possède une
vitesse longitudinale plus faible et une atténuation pouvant être accrue par l’augmentation du taux
de porosité, source de diffusion et donc d’atténuation. Les structures réalisées sur les bases de tels
substrats ont été caractérisées et les performances obtenues comparées (Tableau IV.5).

Substrat / Electrode f struct

e (µm) D (mm) ε33,rS cl (m/s) k t (%) f a (MHz) δm
Film (MHz)
Al2 O3 / Au
43 – 365 4200 42 49 25 3
PZT/PGO [24]
PZT / Au
35,5 3,1 330 3250 51 45 25 5
PZT/PGO
PZT / Au
45 2,5 325 2985 32 31,1 18 1,4
PZT/PGO
PZT poreux / Pt
51 1 2250 3580 30 41 30 10
PNN-PZT (Pz21)
PZT poreux / Au
50 1,77 466 2605 25 26 18 –
PZT/PGO
PZT poreux / Au
50 1,78 480 2745 28 27 19 –
PZT/PGO
PZT poreux / Au
55 1,77 377 3335 27 30 22 –
PZT/PGO
PZT poreux / Au
80 1,75 820 4400 20 27 18 6
PZT/PGO
e : épaisseur ; D : diamètre actif ; ε 33,rS : permittivité diélectrique relative à déformation constante ;
cl : vitesse longitudinale ; k t : coefficient de couplage du mode épaisseur ; f a : fréquence d’anti-
résonance du film piézo-électrique ; f struct : fréquence de résonance de la structure intégrée ;
δm : pertes mécaniques.

Tableau IV.5 : Caractéristiques des structures intégrées fabriquées par sérigraphie.

163
Développement de films épais Chapitre IV

La dispersion des caractéristiques électro-acoustiques est relativement importante sur les

échantillons réalisés. La valeur obtenue pour le coefficient de couplage en mode épaisseur k t
dépend fortement de l’homogénéité, du succès de l’étape de frittage et de la densification
granulaire. Outre la condition de température de frittage, la constante diélectrique ε 33,rS , le
coefficient de couplage en mode épaisseur k t et l’impédance acoustique du film Zfilm sont des
critères de choix du matériau piézo-électrique utilisé pour le dépôt en sérigraphie.
Il apparaît nettement que le film piézo-électrique déposé en PZT/PGO permet d’obtenir une
constante diélectrique faible (ε 33,rS autour de 400) bien adaptée pour les transducteurs mono-
éléments haute fréquence tandis que celui en PNN-PZT permet d’atteindre une constante
diélectrique ε 33,rS aux alentours de 2200 (mieux adaptée à de plus petites surfaces). De plus, les
meilleurs coefficients de couplage sont aussi obtenus (~50 %) pour les films en PZT/PGO. C’est
donc cette dernière composition qui a été retenue pour la fabrication de transducteurs.

II.2.2 Géométrie des structures multi-couches retenues

Le substrat choisi en PZT poreux a été fabriqué à base de poudre de PZT et d’oxalate d’ammonium,
puis fritté à 1200°C pendant 2 h. Il possède une forme cylindrique avec un diamètre de 5 mm et une
longueur de 10 mm. Ces dimensions devraient permettre à ce milieu arrière d’être considéré comme
un milieu semi-infini (paragraphe A3.2.1.1, Annexe 3). Une électrode arrière en or d’environ 10 µm
d’épaisseur doit ensuite être déposée sur ce substrat pour assurer la mise sous tension et une reprise
de contact électrique sur la face. De plus, une couche de protection intermédiaire a été ajoutée entre
le substrat et l’électrode arrière (~10 µm) pour éviter la diffusion du film piézo-électrique vers le
substrat lors de l’étape de frittage. Cette couche de protection en PZT a été sérigraphiée en 2 passes
puis frittée à 900°C pendant 1 h. Par la suite, c’est l’électrode arrière en or qui a été déposée par
sérigraphie en 1 passe puis frittée à 900°C pendant 1 h. Enfin, le film piézo-électrique PZT/PGO a
été sérigraphié en 6 passes avant son frittage à 800°C pendant 8 h. Pour finir, une électrode en or a
été déposée en face avant par évaporation (sputtering) sur une fine épaisseur (< 0,5 µm). Le film
épais sérigraphié a ensuite été polarisé comme décrit dans le paragraphe II.1.4. Enfin, une reprise de
contact (petite électrode en prolongement de l’électrode supérieure) a été ajoutée pour simplifier la
fabrication des futurs transducteurs (Figure IV.12).

164
Chapitre IV Développement de films épais

Electrode avant (<0,5 µm) Electrode avant

Film épais en PZT/PGO (~35µm) et reprise de contact

Film épais en
Electrode arrière (~10µm)
PZT/PGO
et reprise de contact
Electrode
et reprisearrière
de
Couche de protection (~10µm)
1,8 mm et reprise de contact
en PZT
3 mm
Milieu arrière (~10 mm) en
PZT poreux non polarisé 5 mm

(a) (b)

Figure IV.12 : Structure fabriquée par sérigraphie finalisé vu (a) en coupe et (b) de dessus.

A partir des propriétés homogénéisées du substrat en PZT poreux, de celle des électrodes en or et de
la connaissance précise des épaisseurs de chacune des couches, l’ajustement d’une mesure
d’impédance permet de déduire les propriétés acoustiques du film piézo-électrique seul.

III Caractérisation des échantillons – Comparaison

Dans ce dernier paragraphe du chapitre, les meilleurs échantillons (meilleures performances électro-
mécaniques et résonance à haute fréquence) réalisés par les méthodes de mise en œuvre
développées précédemment (par coulage en bande et par sérigraphie) ainsi que deux échantillons de
référence seront caractérisés. Le premier échantillon de référence est un film polymère en PVDF
fourni par Solvay, et le second est un disque de titanate de plomb PT en céramique massive fabriqué
par la méthode classique de pressage/frittage par (Pz34 Ferroperm Piezoceramics).

III.1.1 Echantillon PMN-PT 65/35 (coulage en bande)

Un échantillon fabriqué à partir d’une composition de PMN-PT 65/35 (celle délivrant les meilleures
caractéristiques électro-acoustiques) par coulage en bande est retenu pour la future fabrication d’un
transducteur. Cet échantillon possède une épaisseur de ep = 75 µm, un diamètre actif D = 1,5 mm,
soit une surface active A = 7,1 mm2 (Figure IV.13).

165
Développement de films épais Chapitre IV

1 mm

Figure IV.13 : Disque de PMN-PT 65/35 pour les applications haute fréquence.

La caractérisation électro-mécanique par impédancemétrie (paragraphe I.2, Chapitre I) permet

d’identifier les caractéristiques électro-acoustiques de ce disque (Figure IV.14). Elles sont les
suivantes : une impédance acoustique Zp = 34,7 MRa, une vitesse longitudinale cl = 3890 m/s, un
coefficient de couplage en mode épaisseur k t = 42,7 %, une permittivité diélectrique relative à
déformation constante ε 33,rS = 730, et des pertes diélectriques δ e = 4,7 % et mécaniques δm = 6,6 %.

20 0
Re(Z) (Ω )

Im(Z) (Ω )

15 -5

10 -10

5 -15

15 20 25 30 35 15 20 25 30 35
Fréquence(MHz) Fréquence(MHz)

0.25 0.2
0.2 0.15
Re(Y) (S)

Im(Y) (S)

0.15 0.1

0.1 0.05
0
0.05
-0.05
15 20 25 30 35 15 20 25 30 35
Fréquence(MHz) Fréquence(MHz)

Figure IV.14 : Courbes d’impédance mesurées (trait plein bleu) et ajustées (trait pointillés rouges)
de l’échantillon à base de PMN-PT 65/35.
166
Chapitre IV Développement de films épais

III.1.2 Structure PZT-PGO/Or/PZT poreux (sérigraphie)

La caractérisation par impédancemétrie de la structure finale permet de remonter à ses propriétés
électro-acoustiques (Figure IV.16). L’épaisseur du film PZT/PGO est évaluée à ep = 36 µm, et la
surface active est A = 2,5 mm2 , ce qui correspond à un diamètre actif D = 1,8 mm.

Film piézo-électrique PZT/PGO

Electrode arrière en or

Couche de protection en PZT

Substrat en PZT poreux

(a) (b)

Figure IV.15 : (a) Face supérieure et (b) coupe de la structure multicouche à base de PZT-PGO.

Par ailleurs, ses propriétés électro-acoustiques sont caractérisées par un coefficient de couplage en
mode épaisseur k t = 44,0 %, une permittivité diélectrique relative à déformation constante ε 33,rS =
425, et des pertes diélectriques δ e = 0,05 % et mécaniques δ m = 9,9 %.

167
Développement de films épais Chapitre IV

20 0

-100
15
Re(Z) (Ω )

Im(Z) (Ω )
-200
10
-300
5
-400

0 -500
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
Fréquence(MHz) Fréquence(MHz)
0.04 0.15

0.03
0.1
Re(Y) (S)

Im(Y) (S)
0.02
0.05
0.01

0 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
Fréquence(MHz) Fréquence(MHz)

Figure IV.16 : Courbes d’impédance mesurées (trait plein bleu) et ajustées (trait pointillés rouges)
de l’échantillon à base de PZT-PGO.

Ainsi, les propriétés géométriques et acoustiques des différentes couches que constituent le substrat
en PZT poreux, la couche de protection et les électrodes arrière et avant en or sont synthétisées dans
le Tableau IV.6 qui suit :

Couche Matériau e (µm) Z (MRa) cl (m/s) ρ (kg/m3 ) α (dB/mm/MHz)

Electrode avant Au 0,5 63,8 3240 19700 0,01
Film piézo-électrique PZT/PGO 36,3 15,6 2880 5425 –
Electrode arrière Au 9 63,8 3240 19700 0,01
Couche de protection PZT 10 14 2600 5385 0,01
Substrat PZT poreux 10000 18,2 2730 6660 0,28

Tableau IV.6 : Caractéristiques acoustiques ajustées sur les courbes d’impédance du multicouche
décrit dans la Figure IV.12 fabriqué par sérigraphie.

168
Chapitre IV Développement de films épais

Ici, l’impédance acoustique du film piézo-électrique reste inférieure à celle de l’électrode arrière et
du substrat poreux. La porosité (fraction volumique) dans le film piézo-électrique a été estimée à
30%. Ceci implique que le film résonne à une fréquence correspondant à un quart de longueur
d’onde et non une demi-longueur d’onde (comme un disque en résonateur libre). Ainsi, malgré une
épaisseur faible du film piézo-électrique, la résonance de la structure est autour de 20 MHz. Par
contre, le coefficient de couplage en mode épaisseur est de 44%, ce qui est comparable aux valeurs
de céramiques massives. Les résultats complets sont synthétisés dans le paragraphe III.1.5.

III.1.3 Echantillon de polymère PVDF

De la même façon que pour le disque de PMN-PT, un échantillon de polymère piézo-électrique
(PVDF) a été caractérisé. Ce film possède une fréquence de résonance légèrement supérieure à
celles des autres échantillons (au-delà de 40 MHz).
Ce type de matériau polymère possède des caractéristiques variables avec la fréquence, en
particulier ses propriétés diélectriques. Des lois d’évolution en fonction de la fréquence permettent
de décrire les phénomènes de relaxation [29] et d’ajuster les propriétés diélectriques et piézo-
électriques du film PVDF plus précisément. Une relaxation diélectrique de type Debye modifiée
pour une distribution gaussienne (de paramètre α) pour un seul temps de relaxation τ donne une
description satisfaisante l’évolution de la permittivité diélectrique complexe à déformation
constante ε 33S :

ε 33,
S
∞ − ε 33,0
S
ε 33S = ε 33S∞ − (IV.1)
1 + ( jωτ )
(1−α )

où ε 33,∞S et ε33,0S sont respectivement les permittivités diélectriques à déformation constante lorsque
la pulsation ω tend vers l’infini et vers 0, τ est le temps de relaxation et α est lié à la largeur de la
distribution (0 < α < 1). Pour α = 0, on retrouve une relaxation de type Debye simple, et pour α = 1,
on retrouve l’hypothèse classique où la constante diélectrique à déformation constante ε 33S n’est
plus fonction de la fréquence.
Les valeurs obtenues avec une modélisation sans loi de relaxation permettent cependant d’obtenir
une assez bonne approximation des propriétés du film PVDF, hormis pour les pertes diélectriques δ e
(Figure IV.17). Ainsi, l’échantillon caractérisé possède une épaisseur de ep = 28 µm et une surface
active A = 9,6 mm2 , ce qui correspond à un diamètre actif D = 3,5 mm. Les caractéristiques électro-
acoustiques sont les suivantes : une impédance acoustique Zp = 3,9 MRa, une vitesse longitudinale
cl = 2440 m/s, un coefficient de couplage en mode épaisseur k t = 17,5 %, une permittivité

169
Développement de films épais Chapitre IV

diélectrique relative à déformation constante ε 33,rS = 7, des pertes diélectriques δ e = 6,7 % et

mécaniques δm = 8,6 % relativement importantes.

110
-160
100
Re(Z) (Ω )

-170

Im(Z) (Ω )
90
-180
80
-190
70
-200

35 40 45 50 35 40 45 50
-3
Fréquence(MHz) -3
Fréquence(MHz)
x 10 x 10
3
5
2.5
Re(Y) (S)

Im(Y) (S)

4.5
2

1.5
4
35 40 45 50 35 40 45 50
Fréquence(MHz) Fréquence(MHz)

Figure IV.17 : Courbes d’impédance mesurées (trait plein bleu) et ajustées (trait pointillés rouges)
du film PVDF.

III.1.4 Echantillon de titanate de plomb PT

Le second échantillon de référence a été fabriqué avec un procédé standard de céramique massive
(Figure IV.18). L’épaisseur finale obtenue est faible et correspond à une limite inférieure de cette
technique.
La caractérisation par impédancemétrie du transducteur finalisé permet de remonter aux
caractéristiques électro-acoustiques du transducteur (Figure IV.19).

170
Chapitre IV Développement de films épais

1 mm

Figure IV.18 : Disque de titanate de plomb PT (Pz34 Ferroperm Piezoceramics).

Une nouvelle fois, c’est un disque en résonance libre qui a été caractérisé par impédancemétrie
(Figure IV.19). Le coefficient de couplage en mode épaisseur est un peu inférieur (k t = 37%) à celui
d’une céramique massive plus épaisse. Ceci pourrait s’expliquer par une dépolarisation partielle de
l’échantillon lors de son usinage. Toutes les caractéristiques sont résumées dans le Tableau IV.7.

600 200
500
Re(Z) (Ω )

Im(Z) (Ω )

400 0
300
200 -200
100
-400
17 18 19 20 21 22 17 18 19 20 21 22
Fréquence (MHz) Fréquence (MHz)

0.8 0.4
0.2
Re(Y) (S)

Im(Y) (S)

0.6
0
0.4
-0.2
0.2 -0.4
-0.6
17 18 19 20 21 22 17 18 19 20 21 22
Fréquence (MHz) Fréquence (MHz)

Figure IV.19 : Courbes d’impédance mesurées (trait plein bleu) et ajustées (trait pointillés rouges)
de la céramique PT.

171
Développement de films épais Chapitre IV

III.1.5 Synthèse des résultats

Les épaisseurs et performances électro-acoustiques des différents éléments piézo-électriques
correspondant chacun à un procédé de fabrication différent sont synthétisées dans le Tableau IV.7
suivant :

e cl fa f struct δe δm Z
Matériau Procédé Substrat ε33,rS k t (%)
(µm) (m/s) (MHz) (MHz) (%) (%) (MRa)

PMN-PT Coulage en – 75 3890 25,9 25,9 730 42,7 4,7 6,6 34,7
bande
PZT/PGO Sérigraphie PZT 36,3 2880 40,0 24,7 425 44,0 0,05 9,9 15,6

PVDF Film – 28 2440 43,0 43,0 7 17,5 6,7 8,6 3,9

polymère
PT (Pz34) Pressage – 121 4860 20,1 19,7 195 37,2 0,8 0,6 37,5
/frittage
e : épaisseur du film ; cl : vitesse longitudinale ; f a : fréquence d’anti-résonance du film seul ;
f struct : fréquence de résonance de la structure intégrée ; ε 33,rS : permittivité diélectrique relative à
déformation constante ; k t : coefficient de couplage en mode épaisseur ; δ e : pertes diélectriques ;
δ m : pertes mécaniques ; Z : impédance acoustique.

Tableau IV.7 : Synthèse des propriétés caractéristiques des échantillons retenus pour la fabrication
de transducteurs haute fréquence.

Les performances électro-acoustiques évaluées des différents échantillons piézo-électriques

permettent d’obtenir une fréquence de résonance théorique de 20 à 42 MHz. La permittivité
diélectrique relative à déformation constante ε 33,rS varie de 7 pour le film polymère à 730 pour le
film PMN-PT fabriqué par coulage en bande. Cette caractéristique joue un rôle important dans
l’adaptation électrique du transducteur avec l’émetteur et le récepteur.
L’impédance acoustique Zl de ces matériaux varie de 3,9 MRa pour le film polymère (PVDF) à 37,5
MRa pour le film en titanate de plomb (Pz34 Ferroperm Piezoceramics) fabriqué par des méthodes
traditionnelles. Elle est à la source d’une désadaptation avec le milieu de propagation (Zm = 1,5
MRa) et nécessite la plupart du temps l’ajout de lames adaptatrices en face avant. Cependant, dans
le cas du film PVDF, cette adaptation acoustique n’est pas nécessaire.

172
Chapitre IV Développement de films épais

IV Conclusion
Pour la structure obtenue par sérigraphie PZT/PGO, la fréquence d’anti-résonance f struct est bien
plus basse que la fréquence d’anti-résonance du film épais piézo-électrique seul f a . Ceci s’explique
par le fait que les impédances acoustiques de l’électrode et du milieu arrière sont supérieures à
celles du film. Pour le disque en titanate de plomb PT, on observe une légère différence entre f struct
et f a car des électrodes de 1 µm d’épaisseur ont été prises en compte.
Les techniques de mise en œuvre telles que le coulage en bande et la sérigraphie ont été décrites,
puis les caractéristiques acoustiques des structures réalisées ont été évaluées par impédancemétrie.
Enfin, elles ont été comparées et les points forts de chacun des matériaux mis en œuvre ont été
discutés. Il reste maintenant à évaluer les performances des transducteurs réalisés en terme de
réponse électro-acoustique dans le chapitre suivant.

Bibliographie :
1. Jantunen H., Hu T., Uusimäki A., Leppävuori S., Tape casting of ferroelectric, dielectric,
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Développement de films épais Chapitre IV

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Chapitre IV Développement de films épais

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175
Développement de films épais Chapitre IV

176
Chapitre V Réalisation de transducteurs haute fréquence

Equation Section (Next)

CHAPITRE V : REALISATION ET CARACTERISATION DE

TRANSDUCTEURS HAUTE FREQUENCE

Dans ce dernier chapitre, les caractéristiques des matériaux et structures piézo-électriques

(Tableau IV.7) sont utilisées pour la fabrication de transducteurs haute fréquence (de 20 à 30 MHz).
Pour cela, une méthode de caractérisation de lames d’adaptation d’impédance acoustique est
développée. Cette méthode permet d’obtenir les paramètres acoustiques en situation réelle de
fonctionnement d’une couche de polymère de quelques dizaines de micromètres d’épaisseur. Puis,
l’assemblage et le choix des différents éléments constituant les transducteurs sont précisés (milieu
arrière, lame adaptatrice et lentille). Les transducteurs fabriqués sont ensuite caractérisés
(diagramme de rayonnement et réponse électro-acoustique au point focal). Ces résultats
expérimentaux sont comparés entre eux et avec ceux de la modélisation développée dans le
Chapitre III pour l’un des cas. Enfin, ces transducteurs sont intégrés dans un échographe développé
au laboratoire pour comparer qualitativement leurs performances en situation réelle d’imagerie.

I Caractérisation du parylène en haute fréquence

L’utilisation d’une (ou plusieurs) lame(s) adaptatrice(s) permet d’améliorer la réponse électro-
acoustique du transducteur en terme d’amplitude et de durée. Dans notre cas (autour de 30 MHz), la
lame adaptatrice quart d’onde fait seulement une dizaine de micromètres d’épaisseur, ce qui rend
les propriétés acoustiques difficiles à mesurer avec précision. Le parylène est un bon candidat pour
la fabrication de lames adaptatrices en terme de propriétés acoustiques, vieillissement et précision
sur l’épaisseur du dépôt. Des méthodes acoustiques ou électriques permettent de déterminer les
propriétés du parylène [1-3]. Dans le paragraphe qui suit, la méthode de caractérisation du parylène
est basée sur la mesure de l’impédance électrique d’une structure multicouche constituée d’un
substrat en résine époxy, d’une couche piézo-électrique avec des électrodes et du film parylène en
face avant. Une caractérisation préalable de chaque constituant permet d’identifier précisément les
propriétés de chacune des couches (disque piézo-électrique et substrat). Les propriétés de la couche
de parylène déposée peuvent alors être déduites au moyen d’un ajustement effectué avec le modèle
KLM (Annexe 3). Cette méthode de caractérisation est analogue à celle utilisée pour les matériaux
piézo-électriques.

177
Réalisation de transducteurs haute fréquence Chapitre V

I.1 Fabrication des échantillons

La structure multicouche complète est constituée d’un substrat en résine époxy connu sur lequel un
film épais en PZT a été collé. Après avoir caractérisé l’ensemble et optimisé l’épaisseur d’une lame
parylène, le dépôt est réalisé. Le film épais résonne à une fréquence proche de 30 MHz, ce qui
permet de caractériser les propriétés du parylène en condition réelle de fonctionnement en haute
fréquence.

I.1.1 Film épais

Le film épais a été fabriqué en PZT (Pz29, Ferroperm Piezoceramics) par coulage en bande avec
une épaisseur de 65 à 70 µm et des électrodes en platine de 2 µm déposées par sérigraphie. La
polarisation du film a été effectuée dans un bain d’huile pendant 2 minutes à 130°C avec un champ
électrique de 2 kV/mm.

I.1.2 Substrat
Le substrat en résine époxy, dont les propriétés acoustiques sont connues, est fabriqué avec un
diamètre de 12 mm et une longueur de 20 mm. Les propriétés acoustiques du substrat ont été
déterminées au préalable. Ainsi, la vitesse longitudinale a été déterminée à partir de la mesure du
temps de vol dans le milieu de propagation de référence (l’eau) et dans le milieu à caractériser (le
substrat en résine époxy). La mesure d’atténuation effectuée de 3 à 23 MHz montre qu’elle évolue
quasi linéairement. Le même comportement est extrapolé jusqu’à 35 MHz. Ces propriétés
acoustiques sont données dans le Tableau V.1 suivant :

Substrat cl (m/s) ρ (kg/m3 ) Zar (MRa) α (dB/mm/MHz)

Résine époxy 2650 1170 3,10 0,56
cl : vitesse longitudinale ; ρ : masse volumique ; Zar : impédance acoustique ; α : atténuation.

Tableau V.1 : Caractéristiques acoustiques du substrat en résine époxy.

Une fine couche d’or d’environ 200 nm a été déposée par vaporisation sur la face supérieure du
substrat. Le film PZT a ensuite été collé et pressé en utilisant la même résine époxy que pour la
fabrication du substrat.

178
Chapitre V Réalisation de transducteurs haute fréquence

I.1.3 Dépôt de parylène

Après nettoyage de la face supérieure du disque piézo-électrique, le film de parylène C a été déposé
sur toute la surface supérieure de la structure (Figure V.1 (b)). Deux portions de la surface active
sont protégées lors du dépôt afin de récupérer les contacts électriques en face avant du disque de
PZT et du substrat (Figure V.1).

Lame adaptatrice Contacts électriques

en parylène en face avant
et face arrière

Film PZT

Substrat en
résine époxy

5 mm

(a) (b)

Figure V.1 : Structure multicouche avec une lame adaptatrice en parylène (a) schématisé en coupe
et (b) photographié en vue de face.

Afin de déterminer les épaisseurs effectives, une coupe a été réalisée sur l’un des échantillons et des
mesures précises ont alors pu être effectuées au microscope électronique à balayage (Figure V.2).
On peut y distinguer nettement les trois principaux éléments : le substrat, le film en PZT et la lame
en parylène. Par ailleurs, on observe aussi les électrodes avant et arrière en platine, la couche
adhésive en résine époxy, et l’électrode déposée sur le substrat. Ainsi, l’épaisseur très irrégulière de
la couche adhésive a été mesurée en moyenne à 7 µm, avec localement des épaisseurs nulles
permettant la réalisation du contact électrique entre l’électrode en platine de la face arrière du film
PZT et celle en face avant du substrat en or.

179
Réalisation de transducteurs haute fréquence Chapitre V

Electrodes en platine

Couche adhésive
en résine époxy
Lame adaptatrice
en parylene Electrode vaporisée
en or

Substrat en
Film épais en PZT résine époxy

Figure V.2 : Vue en coupe au microscope électronique à balayage de l’un des échantillons
fabriqués.

I.2 Caractérisation fonctionnelle

En premier lieu, les propriétés électro-mécaniques des disques de PZT ont été évaluées en condition
de résonateur libre. Les dimensions de l’échantillon piézo-électrique (épaisseur faible devant les
dimensions latérales) permettent le découplage du mode épaisseur de tout autre mode de résonance.
L’utilisation d’un modèle unidimensionnel tel que le schéma électrique équivalent KLM (Annexe 3)
est valide. La mesure d’impédance effectuée (expérimentale) et l’ajustement résultant (théorique)
sont représentées sur la Figure V.3 pour un disque en résonateur libre, puis sur substrat :

(a) (b)

Figure V.3 : Parties (a) réelle et (b) imaginaire des courbes d’impédance expérimentale (trait
pointillés rouges) et théorique (trait plein bleu) d’un disque en PZT en résonateur libre, puis sur
substrat en résine époxy.

180
Chapitre V Réalisation de transducteurs haute fréquence

Les caractéristiques du substrat en résine époxy et du film piézo-électrique en PZT ayant été
ajustées de façon satisfaisante, les résultats d’ajustement sont regroupés pour cinq échantillons dans
le Tableau V.2.

Echantillon ep (µm) ρ (kg/m3 ) cl (m/s) f a (MHz) k t (%) ε33,rS δm (%) δ e (%)

1 67 6810 4960 37,0 40,7 1075 8,4 3,8
2 68 6810 5005 36,8 45,2 1245 9,7 3,7
3 70 6810 5270 37,6 42,8 1240 16,4 3,7
4 66 6810 5015 38,0 44,6 1250 8,9 5,2
5 65 6810 5025 38,7 43,2 1055 10,2 2,2
ep : épaisseur du film piézo-électrique ; ρ : masse volumique ; cl : vitesse longitudinale ;
f a : fréquence d’anti-résonance ; k t : coefficient de couplage du mode épaisseur ; ε 33,rS : permittivité
diélectrique relative à déformation constante ; δm : pertes mécaniques ; δ e : pertes diélectriques.

Tableau V.2 : Caractéristiques électro-mécaniques des films piézo-électriques en PZT.

I.3 Résultats
Les vitesses longitudinales de couches de parylène sont évaluées sur cinq échantillons multicouches
intégrant les cinq disques de PZT caractérisés (Tableau V.2), avec différentes épaisseurs déposées
de 10, 20 et 30 µm. Une fois effectuées les mesures d’impédance, les couches de parylène déposées
sont volontairement décollées et leur épaisseur est mesurée plus précisément avec un micromètre.
Les mesures et marges d’erreur sur les épaisseurs déposées sont résumées dans le Tableau V.3 :

Echantillon eav1,min (µm) eav1,max (µm) cl,min (m/s) cl,max (m/s)

1 12 13 2110 2280
2 20 22 2046 2252
3 21 23 1945 2129
4 29 31 1974 2216
5 29 31 2080 2222
eav1,min , eav1,max : épaisseurs minimale et maximale mesurées ;
cl,min , cl,max : vitesses longitudinales minimale et maximale déduites.

Tableau V.3 : Caractéristiques mesurées et déduites du dépôt en parylène.

181
Réalisation de transducteurs haute fréquence Chapitre V

Les vitesses longitudinales cl déduites à partir des épaisseurs de parylène eav1 déposées puis
mesurées (Tableau V.3) sont illustrées par la Figure V.4 suivante :

(a) (b)

(c) (d)

(e) (f)

Figure V.4 : Parties (a), (c), (e) réelle et (b), (d), (f) imaginaire de l’impédance expérimentale (trait
pointillés rouges) et théorique (trait plein bleu) d’un multicouche constitué d’un substrat, d’un
disque en PZT (Pz29), avec en face avant un dépôt de parylène d’épaisseur minimale
(a), (b) 12 µm ; (c), (d) 20 µm ; (e), (f) 29 µm.

182
Chapitre V Réalisation de transducteurs haute fréquence

En résumé, les caractéristiques moyennes du dépôt de parylène sont données par une vitesse
longitudinale cl = 2135 ± 85 m/s, une masse volumique ρ = 1289 kg/m3 , soit une impédance
acoustique Z=2,75 ± 0,1 MRa. L’atténuation a été évaluée avec une incertitude relativement
importante : α l = 0,56 ± 0,25 dB/mm/MHz [4]. Les valeurs obtenues pour la vitesse longitudinale cl
sont cohérentes avec celles de la littérature [1, 2] et celles délivrées par les fabricants (Comelec [5],
et Onda Corporation [6]).
Les propriétés acoustiques du parylène sont compatibles avec les exigences des applications en
imagerie médicale. L’épaisseur du dépôt pouvant être contrôlée avec une précision de l’ordre du
micromètre (Tableau V.3), ce matériau est particulièrement bien adapté aux dispositifs haute
fréquence.

II Conception et fabrication des transducteurs HF

Avec les matériaux piézo-électriques caractérisés dans le Chapitre IV (Tableau IV.7), des
transducteurs haute fréquence sont fabriqués et caractérisés. Six transducteurs sont réalisés : l’un à
partir d’un film de polymère piézo-électrique PVDF ; un autre avec le film en PMN-PT obtenu par
coulage en bande ; deux sont fabriqués en PZT/PGO déposé par sérigraphie ; enfin, deux sont
élaborés avec des disques en titanate de plomb PT. Le choix et les caractéristiques des éléments à
ajouter pour la fabrication des transducteurs sont tout d’abord donnés (milieu arrière, lame
adaptatrice si besoin, lentille). L’assemblage de ces éléments est ensuite brièvement décrit.

II.1 Milieu arrière (backing) utilisé

Le milieu arrière a été choisi en adéquation avec les caractéristiques acoustiques du matériau piézo-
électrique (Tableau IV.7, Chapitre IV), mais aussi en fonction des contraintes de la fabrication et
des matériaux disponibles.
Ainsi, pour le transducteur à base de PVDF d’impédance acoustique Zp = 3,9 MRa un milieu arrière
"léger" a été choisi en vue d’optimiser la résolution axiale. Il a été réalisé à partir d’une résine
époxy pure d’impédance acoustique Z = 3,1 MRa. Les contacts électriques ont été repris
directement sur le film PVDF métallisé.

183
Réalisation de transducteurs haute fréquence Chapitre V

Les céramiques de PMN-PT et de PT possèdent une impédance acoustique relativement élevée avec
respectivement pour valeurs Z = 34,7 et 37,5 MRa. Afin de conserver une bonne résolution axiale,
un milieu arrière est choisi avec une impédance acoustique plus élevée que celle utilisée pour le
film PVDF. De plus, pour répondre aux contraintes de fabrication, un milieu arrière conducteur est
recherché. Il est réalisé à partir d’une résine époxy chargée de poudre d’argent, permettant dans le
même temps d’obtenir une conduction électrique et d’augmenter son impédance acoustique, pour
atteindre Z = 6,5 MRa.
Enfin, la structure à base de PZT/PGO possède déjà un milieu arrière (qui a servi de substrat) en
PZT poreux, avec une impédance acoustique Z = 18 MRa.

II.2 Lentille
Une lentille acoustique a été ajoutée en face avant afin d’obtenir des performances accrues pour
l’imagerie. Les propriétés de la résine de polyuréthanne (UR 3430 de Axson) utilisée ont été
déterminées par mesure du temps de vol à deux fréquences différentes.
Cette méthode de caractérisation consiste à évaluer le temps de vol sur des échantillons d’épaisseurs
de quelques millimètres, à une fréquence donnée, si possible proche des conditions expérimentales.
Ainsi, avec une fréquence centrale de transducteur f = 3,5 MHz, la vitesse longitudinale cl a été
évaluée à cl = 2455 ± 30 m/s en 6 points de mesure sur des échantillons de 2 à 3 mm d’épaisseur.
Cette même méthode utilisée sur les mêmes échantillons, avec maintenant une fréquence centrale de
transducteur f = 15 MHz donne une vitesse longitudinale cl = 2535 ± 90 m/s en 5 points de mesure.
On constate que la vitesse longitudinale suit une évolution croissante avec la fréquence. Par
extrapolation linéaire de ces résultats à des fréquences f = 20 à 25 MHz, on peut très
vraisemblablement supposer que la vitesse longitudinale s’approche de cl = 2550 m/s. Par ailleurs,
une masse volumique moyenne mesurée ρ = 1040 kg/m3 permet de déduire l’impédance acoustique
de la lentille Z = 2,65 MRa.

II.3 Assemblage et fabrication

La focalisation est effectuée par mise en forme (transducteur à base de PVDF) ou moulage d’une
lentille en polyuréthanne (transducteurs à base de PT, PMN-PT et PZT/PGO). Les schémas
d’assemblage sont ceux décrits sur la Figure I.11 du Chapitre I. Les caractéristiques acoustiques
relatives au milieu arrière, à l’élément piézo-électrique et le cas échéant à la lame adaptatrice sont
synthétisées dans le Tableau V.4 pour chacun des transducteurs fabriqués :

184
Chapitre V Réalisation de transducteurs haute fréquence

Milieu arrière Elément piézo-électrique Lame adaptatrice

Propriété ρ cl Z ρ cl Z ρ cl Z
acoustique (kg/m3 ) (m/s) (MRa) (kg/m3 ) (m/s) (MRa) (kg/m3 ) (m/s) (MRa)
PMN-PT 2550 2550 6,5 8920 3890 34,7 1290 2135 2,75
PZT/PGO n°1 6660 2730 18,2 5420 2880 15,6 1290 2135 2,75
PZT/PGO n°2 6660 2730 18,2 5420 2880 15,6 − − −
PVDF 1170 2650 3,1 1600 2440 3,9 − − −
PT n°1 2550 2550 6,5 7720 4860 37,5 1290 2135 2,75
PT n°2 2550 2550 6,5 7720 4860 37,5 − − −
ρ : masse volumique (kg/m3 ) ; cl : vitesse longitudinale (m/s) ; Z : impédance acoustique (MRa).

Tableau V.4 : Caractéristiques acoustiques des éléments constituant les transducteurs.

De plus, pour les transducteurs à base de PZT/PGO, il faut rappeler qu’une couche de protection en
PZT poreux et une électrode arrière en or relativement épaisse (paragraphe II.1.4, Chapitre IV) ont
été sérigraphiées entre l’élément piézo-électrique et le milieu arrière. Enfin, on note que les couches
de parylène déposées ont des épaisseurs comprises entre 21 et 29 µm.
La Figure V.5 (a) représente une étape intermédiaire de la fabrication du transducteur intégrant la
structure PZT/PGO avec la reprise de contacts électriques. Ensuite, une lame adaptatrice en
parylène est éventuellement déposée, puis le transducteur est focalisé avec une lentille en
polyuréthanne. Le choix du rayon de courbure Rc a été fait sur la base de la vitesse moyenne
évaluée par temps de vol sur des échantillons (paragraphe II.2). La lentille en polyuréthanne (en
noir) est réalisée par moulage et le transducteur est finalisé par mise en place de la housse de
protection (Figure V.5 (b)).

(a) (b)

Figure V.5 : Transducteurs assemblés (a) PZT/PGO avant et (b) PZT/PGO après l’ajout de la lame
adaptatrice et de la lentille.
185
Réalisation de transducteurs haute fréquence Chapitre V

Les transducteurs à base de PT et PMN-PT ont le même aspect extérieur que celui illustré en
PZT/PGO. Seul le transducteur à base d’un film PVDF possède une focalisation géométrique et une
face avant métallisée.

III Caractérisation des transducteurs

Dans cette partie, on s’attache à caractériser les performances des transducteurs en émission-
réception avec un générateur fabriqué au laboratoire. Ainsi, les échos obtenus en émission-réception
sont mesurés pour tous les transducteurs réalisés à base de PMN-PT (par coulage en bande, LC-
EPFL), PZT/PGO (par sérigraphie, IJS), PVDF (film polymère, Solvay) et PT (par frittage, Pz34 de
Ferroperm Piezoceramics). Les performances obtenues en terme de sensibilité et de résolution sont
comparées, dans les mêmes conditions expérimentales, entre ces différents transducteurs avec les
paramètres définis dans le Chapitre III.

III.1 Caractéristiques en émission-réception

III.1.1 Dans l’axe
La tension reçue en émission-réception est mesurée après réflexion sur une cible plane
perpendiculaire à l’axe de propagation afin d’évaluer la sensibilité au point focal (le coefficient de
réflexion eau-cible est très proche de 1) ainsi que la profondeur de champ pour des seuils typiques à
–3 et –6 dB. Ces résultats de la caractérisation du champ dans l’axe du transducteur en émission-
réception par réflexion sur une cible plane (Figure V.6 (a)) sont comparés à ceux en réflexion sur
une bille (Figure V.6 (b)). La bille est considérée comme étant quasi-ponctuelle [7] (Figure V.6 (b))
dans la mesure où son diamètre D = 400 µm n’excède pas 5 à 10λ (avec ici λ ≥ 50 µm). Le résultat
en émission-réception diffère légèrement de celui obtenu sur une cible plane (Figure V.6 (a)), pour
laquelle la tension reçue résulte de l’intégration des contributions sur la cible plane. On retiendra ici
principalement le résultat sur la bille, ce qui se rapproche des conditions de l’imagerie : la
caractérisation de structures de petite taille. Les résultats de caractérisation des transducteurs en
émission réception sont synthétisés dans le Tableau V.5. Comme l’illustre la Figure V.6, la
sensibilité est la plus élevée pour les transducteurs à base de PZT/PGO, ceci malgré un degré de
focalisation plus faible (inverse du f number) que ceux des autres transducteurs.

186
Chapitre V Réalisation de transducteurs haute fréquence

2 1
PMN-PT PMN-PT
PZT/PGO n°1 PZT/PGO n°1
PZT/PGO n°2 0.8 PZT/PGO n°2
1.5 PT n°1
Tension reçue U (V)

Tension reçue U (V)

PT n°1
PT n°2 PT n°2
0.6
1
0.4

0.5
0.2

0 0
0 5 10 15 20 0 5 10 15 20
Position dans l'axe z (mm) Position dans l'axe z (mm)

(a) (b)

Figure V.6 : Champ dans l’axe en émission-réception (a) sur une cible plane et
(b) sur une bille de 400 µm de diamètre.

Transducteur Un (dB) z0 (mm) f number DOF3 (mm) DOF6 (mm)

PVDF −43 6 2 − −
PMN-PT −12 6,7 2,3 1,49 2,16
PZT/PGO n°1 −6 4,6 2,9 1,61 2,38
PZT/PGO n°2 0 4,9 3,1 1,77 2,66
PT n°1 −13 11 2,5 2,26 3,32
PT n°2 −7 11 2,5 2,72 4,31
Un : tension au point focal normalisée par rapport à la meilleure ; z0 : distance focale effective ;
f number : rapport entre la distance focale F et le diamètre de la source 2a ; DOF 3 : profo ndeur de
champ à –3 dB ; DOF 6 : profondeur de champ à –6 dB.

Tableau V.5 : Caractéristiques du champ dans l’axe en émission-réception

sur une bille de 400 µm de diamètre.

Ces mesures donnent un premier aperçu des caractéristiques de rayonnement des transducteurs.
Cependant, d’autres caractéristiques doivent être prises en compte telles que les caractéristiques de
rayonnement latéral et les caractéristiques de la réponse électro-acoustique.

187
Réalisation de transducteurs haute fréquence Chapitre V

III.1.2 Dans le plan focal

Le champ est mesuré en émission-réception dans le plan focal (Figure V.7), la cible étant la bille de
400 µm de diamètre, afin d’évaluer les largeurs de la tache focale pour des seuils typiques à –6, –
12, –15 et –30 dB (Tableau V.6). La résolution latérale dans le plan focal ∆r6 est la meilleure pour
le transducteur à base de PMN-PT, suivi du transducteur PZT/PGO n°2. Les estimateurs de
contraste latéral à –12, –15 et –30 dB vont dans le même sens.

1
PMN-PT
0.8 PZT/PGO n°1
PZT/PGO n°2
Tension reçue U (V)

PT n°1
0.6 PT n°2

0.4

0.2

0
-0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6
Position radiale r (mm)

Figure V.7 : Champ dans le plan focal en émission-réception sur une bille de 400 µm de diamètre.

Transducteur ∆r6 (µm) ∆r12 (µm) ∆r15 (µm) ∆r30 (µm)

PMN-PT 157 225 256 822
PZT/PGO n°1 319 465 536 1077
PZT/PGO n°2 195 271 305 772
PT n°1 230 331 373 836
PT n°2 238 328 369 661
∆r6 , ∆r12 , ∆r15 , ∆r30 : largeur radiale de la tache focale à –6, –12, –15 et –30 dB.

Tableau V.6 : Caractéristiques du champ dans le plan focal en émission-réception

sur une bille de 400 µm de diamètre.

Ces résultats sont en parfait accord avec les valeurs de f number données dans le Tableau V.5. De plus,
on peut remarquer que la sensibilité obtenue pour les différents transducteurs est directement reliée
188
Chapitre V Réalisation de transducteurs haute fréquence

au coefficient de couplage en épaisseur k t du matériau piézo-électrique (Tableau IV.7). En effet, les

transducteurs intégrant un film sérigraphié en PZT/PGO présentant la meilleure sensibilité et le plus
fort k t. A partir de ces premières caractéristiques, on remarque que la présence de la lame
adaptatrice en parylène sur les transducteurs PT n°1 et PZT/PGO n°1 dégrade les performances en
terme de sensibilité relativement à ceux qui n’en ont pas (PT n°2 et PZT/PGO n°2). Cet effet,
contraire à celui recherché, peut s’expliquer par le fait que l’impédance acoustique du milieu de
propagation vu à travers la lentille est du même ordre de grandeur que celle du parylène. Pour que
la lame joue sont rôle, il faudrait que son impédance acoustique soit bien plus élevée.

III.1.3 Vitesse longitudinale effective dans la lentille

III.1.3.1 Déduction à partir de la distance focale
Dans un premier temps, à l’aide de la mesure de la distance focale effective z0 , on remonte à la
distance focale dite optique F (paragraphe II.2.3, Chapitre III), et enfin à la vitesse longitudinale cl
dans la lentille (Tableau V.7). Les valeurs obtenues pour chacun des transducteurs sont comparées à
celles obtenues à partir du temps de vol (paragraphe II.2).

Transducteur PMN-PT PZT/PGO n°1 PZT/PGO n°2 PT n°1 PT n°2

z0 (mm) 6,7 4,6 4,9 11 11
f 0 (MHz) 25,2 24,4 23,5 19,4 18,9
a (mm) 1,5 0,9 0,9 2,26 2,26
Lcp (mm) 39,1 13,4 13,4 67,9 67,9
z0 / Lcp 0,17 0,34 0,36 0,16 0,16
F (mm) 6,9 5,2 5,6 11,3 11,3
Rc (mm) 3,5 2,38 2,38 5,56 5,56
cl (m/s) avec 3020 2740 2570 2930 2930
Fapprochée
cl (m/s) avec 2910 2670 2520 2840 2840
Fintégrée
cl (m/s) avec 2980 2720 2550 2900 2900
Frayon
z0 : distance focale effective ; f 0 : fréquence centrale ; a : rayon de la source (électrode supérieure) ;
Lcp : distance de limite de champ proche ; z0 / Lcp : rapport entre distance focale effective et distance
de champ proche ; F : distance focale ; Rc : rayon de courbure ; cl : vitesse longitudinale.

Tableau V.7 : Correspondance entre distance focale effective z0 et vitesse longitudinale dans la
lentille selon les formulations développées dans le Tableau A5.1 de l’Annexe 5.
189
Réalisation de transducteurs haute fréquence Chapitre V

Les résultats obtenus à partir de la distance focale effective z0 montrent une grande dispersion en
fonction des transducteurs et de la formulation employée (Annexe 5). Plusieurs explications à cela
sont envisageables : le mélange et le dégazage de la résine pour la lentille ont été réalisés de façon
indépendante pour chacun des types de transducteur (PT, PMN-PT et PZT/PGO), d’où une possible
variation des propriétés d’un d’échantillon à l’autre ; la résine peut avoir subi un léger retrait lors du
séchage et modifier la courbure de la lentille, ce qui expliquerait l’écart entre la distance focale
attendue et celle observée.
Par contre, dans tous les cas, la vitesse longitudinale dans la lentille cl est supérieure à celle mesurée
par temps de vol. En effet, la vitesse longitudinale moyenne déduite (Tableau V.7) est évaluée
autour de cl = 2800 m/s (Tableau A5.1, Annexe 5). Cette valeur permet d’en déduire l’impédance
acoustique de la lentille proche de Z = 2,9 MRa. Dans ce cadre, la lame de parylène (Z = 2,75 MRa)
ne joue pas un rôle d’adaptation, et peut avoir un effet néfaste sur la sensibilité dû à son atténuation
(diminution de 6 dB) comme on l’observe sur les résultats expérimentaux.

III.1.3.2 Modélisation
Dans un second temps, la tension en émission-réception est simulée à l’aide du modèle KLM étendu
à l’axisymétrie. Le paramètre de vitesse longitudinale de la lentille varie sur une plage de cl = 2200
à 3400 m/s, pour les caractéristiques acoustiques et géométriques du transducteur fabriqué en PMN-
PT (Tableau V.4 et V.7). La distance focale effective z0 et les profondeurs de champ à –3 et –6 dB
sont alors comparées à celle obtenue expérimentalement (en pointillés, Figure V.8) :
Profondeur de champ DOF 3 et DOF 6 (mm)

0.8 5
c l = 2200 m/s
0.7 c l = 2400 m/s 4.5
cl = 2600 m/s
0.6 c l = 2800 m/s 4
c l = 3000 m/s
Tension (V)

0.5 c l = 3200 m/s 3.5

c l = 3400 m/s
0.4 3

0.3 2.5

0.2 2

0.1 1.5

0 1
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 2200 2400 2600 2800 3000 3200 3400
Position axiale z (mm) Vitesse longitudinale dans la lentille cl (m/s)
(a) (b)

Figure V.8 : Simulation avec le modèle KLM étendu à l’axisymétrie du transducteur PMN-PT :
(a) tension en émission-réception en fonction de la distance dans l’axe et (b) profondeur de champ.

190
Chapitre V Réalisation de transducteurs haute fréquence

Ainsi, on relève la courbe de tension qui donne une distance focale effective proche de celle
escomptée à z0 = 6,7 mm, et des profondeurs de champ à –3 et –6 dB proches de celles mesurées
respectivement à 1,49 et 2,16 mm. La vitesse longitudinale dans la lentille qui satisfait ces deux
critères (vitesse effective) se situe autour de cl = 3000 m/s, comme l’a montré la méthode
précédente (Tableau V.7).

III.2 Réponse électro-acoustique au point focal

La réponse électro-acoustique en émission-réception au point focal permet d’évaluer la résolution
axiale ∆z6 , mais aussi les niveaux de contraste axial pour des seuils typiques à –12, –15 et –30 dB.
Le transducteur PVDF présente de très bonnes caractéristiques dans l’axe (Figure V.9 (a)), avec une
résolution axiale ∆z6 = 18,3 µm, et des estimateurs de contraste ∆z12 = 25,4 µm, ∆z15 = 28,3 µm, et
∆z30 = 80,3 µm. Cependant, la sensibilité obtenue est très faible relativement aux autres
transducteurs (Tableau V.5). Son spectre montre une très large bande passante (Figure V.9 (b)),
avec des largeurs relatives à –6 et –30 dB respectivement égales à 134 % et 193 %.

8 10

6
0
Amplitude normalisée (dB)

4
-10
Tension (mV)

0 -20

-2
-30
-4
-40
-6

-8 -50
0.95 1 1.05 1.1 1.15 0 10 20 30 40 50 60 70
Temps (µs) Fréquence (MHz)

(a) (b)

Figure V.9 : Réponse électro-acoustique au point focal en émission-réception sur une cible plane.

En ce qui concerne les transducteurs équipés d’une lentille, la résolution axiale au point focal ∆z6
est la meilleure pour le transducteur PZT/PGO n°2 suivi du transducteur PZT/PGO n°1. Les
estimateurs de contraste axial à –12, –15 et –30 dB évoluent dans le même sens (Figure V.10).

191
Réalisation de transducteurs haute fréquence Chapitre V

1
PZT/PGO n°2

0.5 PZT/PGO n°1

Tension reçue U (V)

PT n°2
PMN-PT PT n°1

-0.5

-1
0 0.5 1 1.5 2 2.5
Temps t (µs)

Figure V.10 : Réponse électro-acoustique au point focal en émission-réception

sur une bille de 400 µm de diamètre.

Transducteur ∆z6 (µm) ∆z12 (µm) ∆z15 (µm) ∆z30 (µm) f 0 (MHz) BP6,r (%) IP
PVDF 18,3 25,4 28,3 80,3 30,8 134 –
PMN-PT 77,1 116,0 133,9 205,5 25,2 31 92
PZT/PGO n°1 49,7 74,8 84,8 129,3 24,4 48 36
PZT/PGO n°2 43,0 70,9 78,0 119,8 23,5 54 34
PT n°1 135,1 190,3 212,1 292,8 19,4 25 36
PT n°2 121,4 173,3 194,9 271,7 18,9 28 33
∆z6 , ∆z12 , ∆z15 , ∆z30 : longueur de la réponse électro-acoustique au point focal à –6, –12, –15 et –
30 dB ; f 0 : fréquence centrale à –6 dB ; BP6,r : bande passante relative à –6 dB ;
IP : indice de performance.

Tableau V.8 : Caractéristiques de la réponse électro-acoustique au point focal

en émission-réception sur une bille de 400 µm de diamètre.

La meilleure bande passante relative à –6 dB notée BP6,r est obtenue avec le transducteur à base de
PVDF, et la moins bonne est donnée par un transducteur à base de PT. Il faut également noter que
les transducteurs utilisant les films épais de composition PZT/PGO délivrent de bonnes
caractéristiques spectrales. Les indices de performance IP (compromis sensibilité / résolution
axiale) obtenus pour les transducteurs à base de PZT/PGO et de PT sont comparables.
192
Chapitre V Réalisation de transducteurs haute fréquence

III.3 Comparaison simulation / expérience

Pour illustration, une comparaison est effectuée en émission-réception sur une cible ponctuelle entre
le résultat obtenu par simulation avec le modèle KLM étendu à l’axisymétrie et une mesure.
Comme le montre la Figure V.8, la vitesse longitudinale effective dans la lentille qui présente le
meilleur ajustement se situe à cl = 3000 m/s, ce qui correspond à une impédance acoustique
effective Z = 3,1 MRa. Le rayon de courbure de la lentille Rc = 3,5 mm est resté inchangé. La lame
adaptatrice de parylène a été modélisée avec les valeurs ajustées précédemment (paragraphe I.3).
Les caractéristiques prises en compte sont celles du Tableau V.4 pour le milieu arrière, et celles du
Tableau IV.7 pour le disque piézo-électrique.
Les illustrations du champ rayonné (Figure V.11) et de la réponse électroacoustique (Figure V.12)
montrent la cohérence entre la modélisation et l’expérience, et les caractéristiques évaluées sont
comparées (Tableau V.9 et V.10).

III.3.1 Rayonnement dans l’axe et dans le plan focal

L’illustration du champ rayonné (Figure V.11) et sa caractérisation (Tableau V.9) montrent la
cohérence et les limites du modèle.

1.2 1.2
Simulation Simulation
1 Expérience 1 Expérience
Tension normalisée

Tension normalisée

0.8 0.8

0.6 0.6

0.4 0.4

0.2 0.2

0 0
2 4 6 8 10 12 14 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6
Position axiale z (mm) Position radiale r (mm)

(a) (b)

Figure V.11 : Comparaison de la tension normalisée en émission-réception du transducteur

PMN-PT obtenue expérimentalement et avec le modèle KLM étendu à l’axisymétrie :
(a) dans l’axe, (b) dans le plan radial et (c) au point focal.

193
Réalisation de transducteurs haute fréquence Chapitre V

La distance focale obtenue z0 et les profondeurs de champ à –3 et –6 dB notées DOF 3 et DOF6

concordent parfaitement étant donné que la vitesse longitudinale dans la lentille cl a été ajustée sur
ces critères. On devine que le modèle et l’expérience vont donner des résultats similaires jusqu’à un
seuil de –12 dB (ligne en pointillés, Figure V.11 (a)). Les résultats de largeur de la tache focale
concordent avec une erreur de 10% au maximum jusqu’à –15 dB (Tableau V.9). En dessous d’un
seuil de –20 dB (ligne en pointillés, Figure V.11 (b)), on observe un élargissement expérimental
plus important qu’en théorie.

z0 (mm) DOF3 (mm) DOF6 (mm) ∆r6 (µm) ∆r12 (µm) ∆r15 (µm) ∆r30 (µm)
KLM étendu 6,7 1,49 2,12 149 207 231 330
Expérience 6,7 1,49 2,16 157 225 256 822
z0 : distance focale effective ; DOF3 et DOF 6 : profondeurs de champ à –3 et –6 dB ;
∆r6 , ∆r12 , ∆r15 , ∆r30 : largeur radiale de la tache focale à –6, –12, –15 et –30 dB.

Tableau V.9 : Comparaison du champ en émission-réception du transducteur PMN-PT obtenue

expérimentalement et avec le modèle KLM étendu à l’axisymétrie.

III.3.2 Réponse au point focal

La réponse électro-acoustique mesurée au point focal est comparée à la simulation (Figure V.12) et
les courbes sont caractérisées (Tableau V.10) :

1.5
Simulation
1 Expérience
Tension normalisée

0.5

-0.5

-1

-1.5
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
Temps t (µs)

Figure V.12 : Comparaison de la réponse électro-acoustique en émission-réception du transducteur

PMN-PT obtenue expérimentalement et avec le modèle KLM étendu à l’axisymétrie au point focal.

194
Chapitre V Réalisation de transducteurs haute fréquence

∆z6 (µm) ∆z12 (µm) ∆z15 (µm) ∆z30 (µm) f 0 (MHz) BP6,r (%)
KLM étendu 97,7 145,1 166,2 264,0 24,3 25
Expérience 77,1 116,0 133,9 205,5 25,2 31
∆z6 , ∆z12 , ∆z15 , ∆z30 : longueur de la réponse électro-acoustique au point focal à –6, –12, –15,
et –30 dB ; f 0 : fréquence centrale à –6 dB ; BP6,r : bande passante relative à –6 dB.

Tableau V.10 : Comparaison de la réponse électro-acoustique en émission-réception du

transducteur PMN-PT obtenue expérimentalement et avec le modèle KLM étendu à l’axisymétrie

On peut observer sur la réponse électro-acoustique (Figure V.12 (a)) une bonne correspondance
entre le modèle et l’expérience. On distingue un décalage qui s’accroît au cours de l’amortissement
de l’écho, qui est dû à un léger décalage de la fréquence centrale. D’autre part, le spectre
expérimental est plus large, ce qui est cohérent avec l’amortissement légèrement plus important
observé sur la réponse temporelle expérimentale. Ces observations expliquent que la modélisation
conduise à une surévaluation systématique des longueurs de l’écho (Tableau V.10).

IV Tests dans un échographe (images)

Tous les transducteurs fabriqués (excepté celui intégrant le PVDF qui possède une sensibilité trop
faible) ont été intégrés dans un système d’imagerie (20 à 50 MHz). Ils possèdent tous un f number
compris entre 2 et 3 adapté à l’imagerie médicale [8]. Ce compromis conditionne le rapport entre
résolution axiale et latérale (Annexe 2).

IV.1 Mise en place dans un échographe

Les transducteurs réalisés ont été testés avec un échographe haute résolution (Figure V.13)
développé au laboratoire [9]. Ce système d’imagerie a été développé en vue d’examens cliniques
pour l’aide au diagnostic des tissus superficiels tels que la peau [10]. La qualité des images
obtenues va permettre d’évaluer les transducteurs et leur technique de fabrication décrite dans ces
deux derniers chapitres.

195
Réalisation de transducteurs haute fréquence Chapitre V

(a)

Nez de sonde

Transducteur

Membrane

(b) (c)

Figure V.13 : (a) Mise en place du transducteur dans la sonde ; (b) Sonde pour balayage
mécanique prête à l’utilisation ; (c) Système d’imagerie développé au laboratoire [9].

Les transducteurs sont placés dans la tête de la sonde qui effectue un balayage linéaire de la zone à
imager (Figure V.13 (a)). L’image est constituée à partir des échos recueillis au cours du balayage
du transducteur, avec une fréquence de rafraîchissement de 10 images par seconde. Le transducteur
est immergé dans une eau aseptisée, mis en position par rapport au nez de sonde, et confiné par une
membrane qui permet d’assurer l’isolation et l’étanchéité de la tête de sonde (Figure V.13 (b)). Le
positionnement du transducteur est ajusté en fonction de sa distance focale, de façon à obtenir le
maximum de sensibilité dans la zone d’intérêt.

196
Chapitre V Réalisation de transducteurs haute fréquence

IV.2 Image de la peau d’un avant-bras

La Figure V.14 permet de comparer les images réalisées sur un avant-bras à un emplacement
identique. Sur chacune d’entre elles, on distingue l’écho de la membrane derrière laquelle se trouve
le transducteur (Figure V.13 (a)). On remarque que les zones les plus échogènes sont saturées sur
l’image avec une coloration rouge (Figure V.14 (b) et (c)).
L’image réalisée avec le transducteur PT n°2 (Figure V.14 (e)) correspond à un bon compromis
entre résolutions latérale et axiale, avec de plus une bonne sensibilité. On y distingue clairement les
différentes couches constituant la peau comme spécifié sur cette figure. Le transducteur PT n°1
(Figure V.14 (d)) donne une qualité d’image comparable, mais avec une sensibilité un peu moins
bonne. Pour l’image réalisée avec le transducteur PMN-PT (Figure V.14 (a)), les résolutions
semblent comparables mais la sensibilité est plus faible. Enfin, les images obtenues avec les
transducteurs PZT/PGO n°1 et n°2 (Figure V.14 (b) et (c)) ont une bien meilleure résolution axiale
et une bonne sensibilité. Cette résolution axiale se voit nettement au niveau de l’épiderme qui est
très échogène et qui apparaît plus finement sur l’image. Par contre, un écho de fond du milieu
arrière vient dégrader la qualité de l’image et la résolution latérale est très largement insuffisante.
La suppression de l’écho de fond du milieu arrière est envisageable par usinage de sa face arrière et
ajout d’une résine chargée très atténuante. La faible résolution latérale est simplement la
conséquence d’un trop faible diamètre actif de l’élément piézo-électrique, ce qui devrait être
modifié sur les prochains échantillons. Dans l’hypothèse où ces deux modifications donneraient
satisfaction, la technologie des films sérigraphiés en PZT/PGO serait la plus performante.
La sensibilité du transducteur dépend non seulement de ses caractéristiques électro-mécaniques,
mais aussi de l’adaptation électrique avec le générateur et le récepteur. L’adaptation électrique a été
évoquée succinctement, notamment en ce qui concerne le câble de liaison entre le transducteur et le
système électronique d’émission-réception (paragraphe II.3, Chapitre I). Une amélioration notable
serait certainement apportée à ce niveau avec la mise en place d’une compensation de la partie
imaginaire de l’impédance électrique du transducteur autour de la résonance avec une inductance
adéquate. De plus, l’ajout d’un transformateur électrique permettrait d’appliquer un facteur
multiplicateur au module de l’impédance du transducteur pour l’adapter à celui du générateur. Ces
deux éléments sont souvent utilisés une fois le transducteur finalisé et mis en place dans un système
d’imagerie donné. Ils améliorent sensiblement les caractéristiques de la réponse électro-acoustique.

197
Réalisation de transducteurs haute fréquence Chapitre V

6 mm

Echo de membrane
5 mm

Echo de fond du milieu arrière

(a) (b)

Echo de fond du milieu arrière

(c) (d)

Epiderme
Derme
Vaisseau
Hypoderme

(e)

Figure V.14 : Image 6×5 mm d’un avant-bras avec une veine dans le derme réalisée avec les
transducteurs (a) PMN-PT, (b) PZT/PGO n°1, (c) PZT/PGO n°2, (d) PT n°1 et (e) PT n°2.

198
Chapitre V Réalisation de transducteurs haute fréquence

IV.3 Image d’un pouce

Pour terminer, des images d’un pouce ont aussi été effectuées avec les deux transducteurs PMN-PT
et PT n°2, c’est-à-dire ceux donnant les meilleurs compromis sensibilité/résolution axiale/résolution
latérale (Figure V.15). Le transducteur PT n°2 possède une profondeur de champ à –6 dB de 4,3
mm contre 2,16 mm pour le PMN-PT, ce qui explique les différences sur le bas de l’image (Figure
V.15 (a)). Sur l’image réalisée avec le transducteur PT n°2 (Figure V.15 (b)), on peut facilement
repérer le prolongement de l’ongle sous la peau.

6 mm

Echo de membrane
Peau
5 mm

Ongle
Ongle

(a) (b)

Figure V.15 : Image 6×5 mm d’un ongle réalisée avec les transducteurs (a) PMN-PT et (b) PT n°2.

V Conclusion
Six transducteurs haute fréquence ont été réalisés, caractérisés et utilisés dans un échographe haute
fréquence. En ce qui concerne le choix des différents éléments passifs constituant ces transducteurs,
le parylène ne s’est pas révélé très avantageux pour nos conceptions. En haute fréquence, ce choix
est fortement lié à un compromis entre les propriétés et la possibilités de mise en œuvre des
matériaux. Toutefois, les propriétés de ce matériau en couche fine ont été évaluées et le parylène
reste un candidat de premier choix pour sa facilité de mise en œuvre et la précision sur l’épaisseur
déposée. Ce matériau est particulièrement approprié à l’adaptation acoustique de transducteurs ne
nécessitant pas l’ajout d’une lentille, tels que ceux dont l’élément piézo-électrique est focalisé par
mise en forme.
La comparaison des performances en imagerie ses différents transducteurs réalisés montre que ceux
intégrant les disques de titanate de plomb, considérés comme référence, délivrent un bon

199
Réalisation de transducteurs haute fréquence Chapitre V

compromis entre les résolutions axiales et latérales, avec une sensibilité satisfaisante. Pour les
technologies de films épais, les résultats sont très encourageants en particulier pour la structure
intégrée et le film épais sérigraphié. En effet, la sensibilité et la résolution axiale obtenues sont
meilleures que celles des transducteurs de référence. Les défauts observés, tels que les échos de
fond de milieu arrière et la faible résolution latérale sont liés à des considérations essentiellement
géométriques qui sont en cours de modification. Cette technologie de film épais s’avère donc la plus
prometteuse et de nouveaux essais sont en cours afin de le confirmer.

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10. Lebertre M., Echographie quantitative haute fréquence : Propriétés du derme humain et
potentiel diagnostique. Thèse de doctorat en Science de la Vie et de la Santé. Université
François Rabelais. Académie d’Orléans-Tours, 2001.

200
 Conclusion

CONCLUSION

Le travail réalisé a été effectué dans le cadre d’un projet européen dont l’objectif majeur
était le développement de nouvelles technologies de fabrication de matériaux piézo-électriques en
film épais pour diverses applications. Dans ce cadre, les deux contributions essentielles de cette
thèse ont porté d’une part sur la mise en place d’outils de modélisation du comportement de
transducteurs mono-éléments haute fréquence munis d’une lentille acoustique (depuis la vibration
de la structure jusqu’au diagramme de rayonnement) ; puis, d’autre part, sur la caractérisation
électro-mécanique de ces nouveaux matériaux ou nouvelles structures et le développement et la
fabrication de transducteurs pour l’imagerie haute résolution, avec des fréquences centrales de à 20
à 30 MHz.

Pour la première contribution, une modélisation globale du transducteur a été développée en

prenant en compte les aspects techniques les plus importants de sa fabrication. Pour cela, deux
outils numériques ont dans un premier temps été mis en place : la modélisation par éléments finis
(ATILA ) du transducteur (de forme axisymétrique) dans son environnement électro-acoustique, puis
la propagation dans un milieu fluide homogène à l’aide de l’intégrale de Rayleigh. Ces outils ont été
validés pour différents cas particuliers. L’utilisation des éléments finis a ainsi permis de prendre en
compte toutes les contributions modales, en particulier le mode radial de la structure. Ces
contributions ont pu être quantifiées en comparant, pour une même configuration ces résultats avec
ceux obtenus en imposant une vibration unidimensionnelle.
Le champ de déplacement (ou de pression) à la surface du transducteur muni d’une lentille concave
a ensuite été utilisé comme source pour être propagé et ainsi obtenir le diagramme de rayonnement
dans l’eau. Pour cela, l’intégrale de Rayleigh a été résolue par plusieurs méthodes et une synthèse
de ces résultats a été effectuée en terme de compromis entre la précision et le lieu (axe, plan
focal…) de l’information, le temps de calcul et la géométrie considérée (axisymétrique ou
quelconque). Une attention particulière a été portée à la modélisation d’une structure axisymétrique
en utilisant la transformée de Hankel.
Dans l’objectif de calculer les déplacements à la surface du transducteur de façon beaucoup
plus rapide qu’avec les éléments finis, une modélisation alternative a été développée sur la base de
l’approche multicouche matricielle du schéma unidimensionnel KLM. En effet, avec l’hypothèse de
contributions des modes latéraux négligeables, la géométrie sphérique de la lentille a été découpée
201
Conclusion

en une multitude d’anneaux élémentaires. Cette modélisation permet de simplifier la méthode

d’évaluation des caractéristiques de la réponse électro-acoustique au point focal. Elle a été utilisée
dans le cas d’un transducteur mono-élément de géométrie axisymétrique et ses résultats ont été
comparés avec ceux donnés par une modélisation avec les éléments finis de façon probante.
Ces différents modèles ont été utilisés pour étudier l’influence des propriétés d’une lentille
acoustique (notamment son impédance acoustique) sur les performances d’un transducteur haute
fréquence, en particulier sur sa réponse électro-acoustique au point focal. Cette étude théorique a été
réalisée sur deux configurations données (avec ou sans lame d’adaptation intermédiaire entre la
lentille et le matériau piézo-électrique) où seuls deux paramètres ont varié : l’impédance acoustique
et le rayon de courbure de la lentille, afin de maintenir une distance focale constante. Les résultats
ont montré que l’impédance acoustique du milieu de propagation vu à travers la lentille est
pratiquement égale à celle du matériau de la lentille. Ainsi, une éventuelle lame adaptatrice doit
tenir compte de ce fait.
La réalisation de transducteurs focalisés de fréquence centrale proche de 10 MHz a permis
d’effectuer une validation expérimentale de ces méthodes de simulation. Ils ont montré que le
modèle basé sur le schéma unidimensionnel KLM constitue un bon outil de prédiction des
propriétés des transducteurs mono-éléments focalisés.

Pour la deuxième partie, regroupant le travail plus expérimental de fabrication de

transducteurs haute fréquence, un état de l’art a d’abord été effectué. Un bilan des matériaux actifs
ou passifs disponibles et utilisés, ainsi que les différentes techniques de fabrication ont été décrits.
Puis pour notre étude, les matériaux piézo-électriques choisis (films épais) et leurs méthodes de
fabrication pour la haute fréquence ont été présentés, en particulier par coulage en bande et par
sérigraphie. Ainsi, la composition optimale de PMN-PT 65/35 a été identifiée pour une fabrication
par coulage en bande. Par ailleurs, une structure multicouche optimisée à base de PZT/PGO a été
mise au point par sérigraphie. Des coefficients de couplage en mode épaisseur de plus de 40 % ont
été obtenus, résultats proche de ceux obtenus avec des méthodes de fabrication classiques par
pressage/frittage. Les échantillons réalisés ayant les meilleures caractéristiques (en terme de
fréquence de résonance et coefficient de couplage en épaisseur) ont permis la fabrication de
transducteurs qui ont été comparés avec d’autres intégrant des échantillons piézo-électrique de
référence (film polymère piézo-électrique PVDF et disque de titanate de plomb PT fabriqué de
façon standard par pressage/frittage). La conception et le choix des différents éléments passifs pour
la fabrication des transducteurs ont été expliqués et justifiés. Les propriétés de ces éléments ont été

202
 Conclusion

mesurées, en particulier celles de lames d’adaptation en parylène obtenues en haute fréquence

(autour de 30 MHz) pour des épaisseurs entre 10 et 30 micromètres en utilisant une technique
d’impédancemétrie électrique. Six transducteurs ont ensuite été fabriqués pour des applications
d’imagerie médicale haute résolution et ont été caractérisés.
Enfin, des tests d’imagerie avec un échographe haute résolution développé au laboratoire ont été
réalisés. Le transducteur à base de PMN-PT offre un bon compromis entre résolution axiale et
latérale, tandis que ceux à base de PZT/PGO donnent une très bonne sensibilité et une très bonne
résolution axiale, alors que leur résolution latérale qui reste à améliorer. Ces résultats sont
encourageants notamment ceux concernant la structure multicouche intégrée à base de PZT/PGO
(milieu arrière, film épais piézo-électrique et électrodes). L’amélioration des propriétés de ce
transducteur devrait pouvoir se faire assez facilement (résolution latérale, écho de fond de milieu
arrière) grâce à la modification du diamètre des électrodes et du milieu arrière.

Les perspectives de ce travail sont prometteuses tant au niveau de l’outil de modélisation

mis en place qu’à celui de la réalisation de transducteurs pour la haute fréquence. En effet, la
modélisation KLM étendue à l’axisymétrie couplée avec le code de propagation permet d’obtenir
un résultat avec une très bonne précision en quelques minutes. La rapidité de cette simulation et la
possibilité de son utilisation de manière itérative en font un outil de choix pour une aide au
dimensionnement et à l’optimisation des propriétés acoustiques et géométriques de la structure du
transducteur. De plus, ce modèle pourra être étendu à des structures axisymétriques plus complexes
comme les réseaux annulaires en combinant des retards géométriques et électroniques. Les
technologies des films épais (coulage en bande et sérigraphie) qui ont été utilisées dans cette étude
ont permis d’obtenir des couches avec de bonnes propriétés électro-mécaniques dont les épaisseurs
faibles correspondent à des fréquences de résonance de 25 à 50 MHz. Pour la technologie de films
sérigraphiés, un substrat de plus faible impédance acoustique reste à trouver, permettant à la couche
piézo-électrique de résonner en demi-longueur d’onde et non en quart de longueur d’onde, ce qui
permettrait de doubler la fréquence de fonctionnement. Enfin, ces technologies qui ont permis de
développer des films épais plans pourraient être adaptées pour obtenir des films de forme
quelconque, en particulier des coupelles qui éviteront l’ajout de lentille acoustique. Ces méthodes
pourront également être comparées à d’autres techniques telles que les dépôts sol-gel.

203
Conclusion

204
Annexe 1 Piézo-électricité et notations

ANNEXE 1 : PIEZO- ELECTRICITE ET NOTATIONS

Cette première annexe est consacrée à l’introduction des différentes grandeurs (élastiques, et
électrique) et leurs notations qui seront régulièrement utilisées dans le document. A travers le
couplage entre ces deux types de grandeurs, la piézo-électricité et les relations correspondantes sont
également introduites. Enfin, on définira de façon détaillée les différents couplages
électromécaniques [1] en particulier celui lié au mode épaisseur.

A1.1 Rappels sur l’élasticité des milieux continus

A1.1.1 Notions de cristallographie
Il existe 7 systèmes cristallins résultant du classement des réseaux suivant leur symétrie
(monoclinique, triclinique, orthorhombique, trigonal, tétragonal, hexagonal et cubique). De ces
différents systèmes cristallins résultent 32 classes de symétrie ponctuelle des cristaux. Des tenseurs
vont être définis en vue d’établir la loi d’élasticité linéaire (hypothèse de petites déformations) de la
mécanique du solide appelée loi de Hooke, ainsi que les équations constitutives de la piézo-
électricité linéaire. La première loi établit une relation de proportionnalité directe entre contrainte et
déformation, tandis que la seconde établit les liens entre les grandeurs mécaniques et électriques.
Ces équations font intervenir les tenseurs d’élasticité et de piézo-électricité, dont le nombre de
coefficients indépendants dépend de la classe de symétrie du matériau.
Le nombre de constantes de rigidité impliquées dans la loi de Hooke dépend de la classe de
symétrie du matériau. Comme illustré par le Tableau A1.1, plus le nombre de symétries est
important plus il existe de liens entre les différentes constantes, simplifiant ainsi l’écriture
tensorielle. Il en est de même pour le nombre de constantes piézo-électriques indépendantes,
comme le décrit la norme IEEE [1].

205
Piézo-électricité et notations Annexe 1

Tableau A1.1 : Systèmes cristallins et classes de symétrie [2].

A1.1.2 Tenseur des contraintes

Considérant un cube de volume élémentaire appartenant à un solide déformable infini et un repère
ur uur uur
orthonormé ( x1 , x2 , x3 ) , les composantes du tenseur des contraintes sont représentées sur ses

différentes faces. L’équilibre établi entre le milieu extérieur et l’élément de volume considéré se
traduit par des efforts exercés sur chacune des faces. Ces efforts, ramenés par unité de surface sont
appelés contraintes.
Chacune des composantes Tij du tenseur de contrainte T est la contrainte exercée parallèlement à
ur uur
l’axe xi sur la surface normale à l’axe x j (Figure A1.1). Ces neuf composantes (i , j ) ∈ §1;3¨
2

constituent le tenseur des contraintes (de rang 2). La tension mécanique exercée sur une surface de
r j =3
normale n s’écrit Ti = ∑ Tij n j = Tij n j , si la sommation implicite des indices répétés est utilisée
j =1

(notation d’Einstein).

206
Annexe 1 Piézo-électricité et notations

Le tenseur des contraintes est symétrique, Tij = T ji (les rotations ne sont pas prises en compte). Nous

avons alors 6 composantes indépendantes, réparties pour moitié entre les composantes normales
Tii et tangentielles Tij .

T33

T23
T13
T32
T31 T22 2
T21
T12
T11
1

Figure A1.1 : Notation des contraintes sur un volume élémentaire.

A1.1.3 Tenseur de déformations

Considérant un solide de forme quelconque au repos, et M et N deux points de ce solide infiniment
uuuur
proches l’un de l’autre. La position du point M est donnée par le vecteur OM , où O est l’origine du
ur uur uur
repère ( x1 , x2 , x3 ) . Dès lors qu’une contrainte est appliquée au solide, le segment MN subit une

élongation, mais aussi une rotation. Après déformation, le point M est déplacé en M’, repéré par le
uuuur uuuur uuuur uuuur uuur
vecteur OM ' = OM + MM ' , où MM ' traduit le déplacement de M. Si on note également NN ' le
déplacement de N après déformation, on peut écrire :
r
uuur uuuur r r ∂u
NN ' = MM '+ d u avec d u = dxi pour de petites déformations.
∂xi
Pour chacune des composantes, on peut aussi écrire la relation suivante :
∂u j
du j = dxi (A1.1)
∂xi

∂u j
La dérivée partielle est appelée gradient des déplacements. Ce tenseur de rang 2 peut être
∂xi
décomposé en une partie antisymétrique notée Ω ij et une partie symétrique noté Sij telles que :
207
Piézo-électricité et notations Annexe 1

1  ∂u ∂u j  1  ∂u ∂u j 
Ω ij =  i −  et Sij =  i +  (A1.2)
2  ∂x j ∂xi  2  ∂x j ∂xi 
La partie antisymétrique Ω ij représente la rotation et la partie symétrique la déformation pure. En
effet, elle est nulle pour tout mouvement d’ensemble, de translation ou de rotation. La partie
symétrique Sij est le tenseur des déformations, symétrique, et de rang 2. De même que pour le
tenseur des contraintes, le nombre de composantes indépendantes est réduit à 6. Les déformations
sont de 2 types : les composantes diagonales (S11 , S22 , S33 ) qui décrivent un allongement dans
chacune des directions des axes principaux, et les composantes non diagonales (S12 , S13 , S23 ) qui
décrivent un mouvement de cisaillement.

A1.1.4 Loi de Hooke

En régime élastique, le milieu satisfait la loi de Hooke qui exprime la proportionnalité entre
contrainte et déformation, d’où la formulation :
Tij = cijkl Skl (A1.3)

La loi de Hooke (A1.3), établie dans le cadre des équations de la mécanique linéaire, résulte d’un
développement de Taylor de l’expression de la contrainte en fonction de la déformation au premier
ordre, valide pour des petites déformations.
Le tenseur de rigidité élastique cijkl qui relie celui des contraintes Tij à celui des déformations Sij est
de rang 4. Compte tenu des relations de symétrie des tenseurs Tij et Skl, le tenseur de rigidité
élastique peut être décrit par 36 composantes indépendantes. Pour simplifier l’écriture, une notation
contractée des indices est adoptée :
ij ou kl p ou q
11 1
22 2
33 3
23 ou 32 4
13 ou 31 5
12 ou 21 6

Tableau A1.2 : Notation matricielle.

Les notations tensorielles sont réduites à une notation matricielle pour cijkl qui devient cpq et
vectorielle pour Tij et Skl qui deviennent Tp et Sq (Sq = Skl si k = l et Sq = 2Skl si k ≠ l).
208
Annexe 1 Piézo-électricité et notations

L’écriture de la loi de Hooke se résume alors à un produit matriciel :

[ T ] = [ c][ S ] ⇔ [ S ] = [ s ][T ] (A1.4)

La matrice des rigidités est symétrique par rapport à la diagonale principale, ce qui porte à 21 le
nombre de composantes indépendantes. Selon la classe de symétrie, ce nombre de coefficients peut
être encore réduit. Pour un solide isotrope, la matrice de rigidité est entièrement décrite par un
couple de constantes : le module d’Young et le coefficient de Poisson (E, ν) ou bien les coefficients
de Lamé (λ, µ) selon l’écriture considérée (A1.4) pour la loi de Hooke [2].

A1.2 Propriétés électriques

De façon similaire aux grandeurs mécaniques, le déplacement électrique Di et le champ électrique
Ej sont reliés par le tenseur de permittivité ε ij.

[ D] = [ε ][ E ] (A1.5)

Ce tenseur de rang 2 est symétrique, et comporte donc 6 composantes indépendantes. En prenant en

compte la classe de symétrie du matériau, ce nombre de constantes peut-être réduit ; dans le cas
d’un solide isotrope, une seule constante suffit.

A1.3 Equations constitutives de la piézo-électricité

En prenant le cas d’une maille cristalline piézo-électrique, l’équilibre électrostatique est observé au
repos, car les positions des barycentres des charges positives et négatives coïncident. Dès lors
qu’une force est appliquée sur l’une des faces de la maille, l’équilibre électrostatique est perturbé, et
un dipôle électrique est induit par la non coïncidence des barycentres des charges positives et
négatives. La polarisation ainsi générée est l’effet piézo-électrique direct. Réciproquement pour
l’effet indirect, l’application d’un potentiel fait apparaître une contrainte interne, entraînant une
déformation régie par la loi de Hooke (A1.4).
Découvert en 1880 par Pierre et Jacques Curie, l’effet piézo-électrique est décrit par un système
d’équations liant les grandeurs mécaniques (contraintes et déformations) et les grandeurs électriques
(déplacement et champ électrique). L’analogie entre les grandeurs mécaniques et électriques
(Tableau A1.3) permet de les regrouper dans une même écriture matricielle, avec les coefficients
adéquats.

209
Piézo-électricité et notations Annexe 1

Mécanique Electrique
Force F φ Potentiel
Déplacement u q Charge
Contrainte T E Champ électrique
Déformation S D Déplacement électrique
Tableau A1.3 : Analogie électro-mécanique.

A1.3.1 Equations et grandeurs constitutives

Les relations élastique (A1.4) et électrique (A1.5) définies précédemment sont liées par l’effet
piézo-électrique, défini par des contantes du même nom. Suivant les variables indépendantes
choisies, 4 systèmes d’équations peuvent être établis :

 T  c E −et   S   S  sE d t  T 
D  =    (A1.6) D  =    (A1.7)
  e ε S   E   d ε T  E 

T   c D −ht   S   S   sD g t  T 
E  =  S  
(A1.8) E  =    (A1.9)
   −h β   D    − g β T   D
avec :

[ T ] = [T11 , T22, T33, T23, T13, T12 ] , le vecteur contrainte,

t

[ S ] = [ S11, S22 , S 33 , 2S 23 , 2S13 , 2 S12 ] , le vecteur déformation,

t

[ E ] = [ E1 , E2 , E3 ] , le vecteur champ électrique,

t

[ D] = [ D1, D2 , D3 ] , le vecteur déplacement électrique,

t

[c] et [ s ] , les matrices de coefficients élastiques,

[ε ] et [ β ] , les matrices de coefficients diélectriques,

[ d ] , [ e ] , [ g ] et [ h] , les matrices de coefficients piézo-électriques.

Les exposants E, D, T et S accolés aux termes dans la matrice indiquent la grandeur considérée
constante pour la détermination de cette variable.
A l’aide de considérations thermodynamiques, les relations permettant d’établir la correspondance
entre les différentes contantes considérées (Tableau A1.4) sont établies [2].

210
Annexe 1 Piézo-électricité et notations

Constantes élastiques et diélectriques

c E   s E  = c D   s D  = I 6 (A1.10)

 β S  ε S  = β T  ε T  = I 3 (A1.11)

Constantes élastiques et diélectriques modifiées Constantes piézo-électriques

c D  = c E  + [ e ] [ h] [ e ] = [ d ]  c E 
t
(A1.12) (A1.16)

 s D  =  s E  − [ d ] [ g ]
t
(A1.13) [ d ] = ε T  [ g ] (A1.17)

ε T  = ε S  + [ d ] [ e]
t
(A1.14) [ g ] = [ h]  s D  (A1.18)

 β S  = β T  − [ g ] [ h]
t
(A1.15) [ h] =  β S  [ e ] (A1.19)

Tableau A1.4 : Correspondance entre les différentes constantes [2].

A1.3.2 Définition des pertes mécaniques, piézo-électriques et diélectriques

Les notations matricielles des différents tenseurs ont été décrites pour des matériaux sans pertes.
Ces dernières ont été introduites sous la forme d’un angle de perte sur les constantes mécaniques
(A1.20), piézo-électriques et diélectriques (A1.21).
Ainsi, pour les contantes élastiques à champ électrique constant :
jϕ
sE = sE e m , sE
= s E '− jsE " = sE '(1 − jδ m , sE ) (A1.20)

sE "
avec tan ϕm, sE = = δ m, sE
sE '
Holland [3], et plus récemment Mezheritsky [4], ont défini et énoncé les conditions de satisfaction
des lois de la thermodynamique, pour les pertes sur le second système d’équations (A1.7) :

 s E = sE '− js E "  s = s '(1 − δ m, sE )

E E
δ m, S E = s E "/ s E '
  
 d = d '− jd " ⇔  d = d '(1 − δ p ,d ) ou  δ p, d = d "/ d ' (A1.21)
ε T = ε T '− jε T " ε T = ε T '(1 − δ T )  δ T = ε T "/ ε T '
  e ,ε  e ,ε
Par commodité, la correspondance entre les pertes définies par (A1.21) et celles utilisées par
Lethiecq et al. [5] pour le premier système d’équations (A1.6) est établie :
Ø Pour les contantes élastiques :

1 1 s E '+ js E "
cE = = = = c E '(1 + jδ m,c E )
s '− js "
E E E E
s s

211
Piézo-électricité et notations Annexe 1

sE "
avec δ m,c E = = δ m, sE = δ m (A1.22)
sE '
Ø Pour les contantes piézo-électriques :
e = dc E = d ' c E '(1 − jδ p, d )(1 + jδ m ) = e '(1 + jδ p,e )

δ m − δ p, d
avec δ p,e =
1 + δ mδ p, d

et réciproquement :
δ m − δ p ,e
δ p, d = (A1.23)
1 + δ mδ p ,e

Ø Pour les contantes diélectriques :

ε S = ε T − d t dc E = ε T '(1 − jδ e ,ε T ) − d 't d ' c E '(1 − jδ p, d ) 2 (1 + jδ m) = ε S '(1 − jδ e, ε S )

ε T ' δ e, ε T − d 't d ' c E '(2δ p, d − δm (1 + δ p2, d ))

avec δ e, ε S =
ε T '− d 't d ' c E '(1 + δ 2p, d + 2δ p, d δ m )

et réciproquement :

d 't d 'c E '

δ e, ε T = δ e ,ε S + (2δ p, d − δm (1 +δ p2, d ) − δ e, ε S (1 + δ p2,d + 2δ p, dδ m )) (A1.24)
εT '

A1.3.3 Réduction du nombre de coefficients de pertes

En pratique, l’identification des termes de pertes se fait sur le système d’équation (A1.6) et se limite
aux constantes mécaniques et diélectriques : on considère δ p,e = 0 [6, 7]. La correspondance des
termes de pertes entre les systèmes d’équations (A1.6) et (A1.7) se réduit donc :
δ p, d = δ m

ε T ' δ e, ε T − d 't d ' c E '(δ m − δ m3 ) ε T 'δ e ,ε T − d 't d ' c E '(δ m − δ m3 )

δ e, ε S = = = δe (A1.25)
ε T '− d 't d ' c E '(1 + 3δ m2 ) εS '
Le coefficient de pertes sur les constantes élastiques à déplacement électrique constant cD est donné
par δ :

e te e t ' e '(1 + jδ e )
cD = cE + = c E
'(1 + jδ ) + = c D '(1 + jδ )
ε ε '(1 + δ e )
S m S 2

et ' e 'δ e )
cE 'δm +
ε S '(1 + δ e2 )
δ = D
(A1.26)
c '

212
Annexe 1 Piézo-électricité et notations

A1.4 Couplage électro-mécanique

Un matériau piézo-électrique est caractérisé dynamiquement par son coefficient de couplage, c’est-
à-dire son aptitude à transformer l’énergie électrique en énergie mécanique et réciproquement [8].
Em
k=
Ee E d

où Em , Ee et Ed représentent respectivement les énergies mutuelle d’interaction élastique-électrique,

élastique et diélectrique.

A1.4.1 Coefficients de couplage

Différents coefficients de couplage sont privilégiés ou non selon la polarisation et la configuration
géométrique. Les principaux cas pratiques sont décrits dans le Tableau A1.5 qui suit, avec une
direction de polarisation toujours selon l’axe 3 :

Forme de l’échantillon Mode de résonance Direction de vibration Coefficient de couplage

3 d 33
1
2 Barreau k 33 =
ε 33T s33E

3 d31
1
2 Transverse k 31 =
ε 33
T E
s11

3
Radial 2
1
2
k p = k31
1 −ν p

3 e33
1
2 Epaisseur kt =
c33D ε 33S

ν p = − s12E / s11E est le coefficient de Poisson plan ([1], p.35)

Tableau A1.5 : Couplages électro-mécaniques en fonction de la forme de l’échantillon.

213
Piézo-électricité et notations Annexe 1

A1.4.2 Couplage épaisseur

Si on considère un échantillon de dimensions latérales grandes devant l’épaisseur, la plaque vibre
selon l’axe de l’épaisseur, usuellement noté axe 3. Le champ électrique E3 appliqué dans cette
direction entraîne une vibration longitudinale, et une vitesse particulaire selon cette même direction.
L’hypothèse d’une vibration unidimensionnelle est vérifiée dans le cadre des spécifications du
standard IEEE sur la piézo-électricité [1].
Dans ce cas, on définit les grandeurs utiles à la caractérisation du mode épaisseur : coefficient de
couplage, pertes et vitesse longitudinale notamment.
Ø Par définition, le coefficient de couplage selon le mode épaisseur est donné par :
e33
kt = (A1.27)
c33D ε 33S

e332
avec E
c33 = c33D − = c33E '(1 + jδ m )
ε 33
S

Par identification des parties réelles, on détermine :

c33E ' = c33D '(1 − kt2 ') (A1.28)

e332 ' 1
avec k t2 ' =
c33 ' ε 33 ' 1 + δ e2
D S

Ø Par identification des parties imaginaires, on en déduit l’expression des pertes sur le coefficient
élastique à déplacement constant selon la direction 3 :
2
e33
avec D
c33 = c33E + = c33
D
'(1 + jδ )
ε 33
S

δ = (1 − kt2 ') δm + kt2 'δ e (A1.29)

Ø La vitesse des ondes longitudinales et les pertes relatives sont données par :

c33D
cl = = cl '(1 + jδ c )
ρ
Par identification des parties réelle et imaginaire, on détermine la partie réelle et les pertes sur la
vitesse des ondes longitudinales ainsi que leur expression usuelle au premier ordre [1] :

c33D ' D
1 + δ 2 + 1 ; c33 '
cl ' = (A1.30)
ρ 2 ρ

1+ δ 2 −1 δ
et δc = ; (A1.31)
1+ δ +1 2 2

214
Annexe 1 Piézo-électricité et notations

Bibliographie :
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Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, 1996. 43(5): p. 1-55.
2. Royer D., Dieulesaint E., Ondes élastiques dans les solides. Tome 1: Propagation libre et
guidée. Masson ed. 1996.
3. Holland R., Representation of dielectric, elastic, and piezoelectric losses by complex
coefficients. IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics, 1967. 14(1): p. 18-20.
4. Mezheritsky A.V., Elastic, dielectric, and piezoelectric losses in piezoceramics: How it
works together. IEEE Transactions on Ultrasonics Ferroelectrics and Frequency Control,
2004. 51(6): p. 695-707.
5. Lethiecq M., Tran-Huu-Hue L.P., Patat F., Pourcelot L., Measurement of losses in five
piezoelectric ceramics between 2 and 50 MHz. IEEE Transactions on Ultrasonics,
Ferroelectrics and Frequency Control, 1993. 40(3): p. 232-237.
6. Audrain P., Etude des pertes dans les matériaux piézoélectriques. Mémoire de diplôme
d'études approfondies en Acoustique Appliquée. Université du Maine. Académie de Nantes,
1997.
7. Tran-Huu-Hue L.P., Audrain P., Levassort F., Lethiecq M., Influence of the different loss
parameters on piezoelectric material performances. Ferroelectrics Proceedings of the fourth
ECAPD, 1999. 224(1-4): p. 177-184.
8. Berlincourt D.A., Curran D.R., Jaffe H., Piezoelectric and piezomagnetic materials and
their function in transducers. New-York Academic Press ed. Physical Acoustics, ed. W.P.
Masson. Vol. 1A. 1964.

215
Piézo-électricité et notations Annexe 1

216
Annexe 2 Propriétés des transducteurs ultrasonores

Equation Section (Next)

ANNEXE 2 : PROPRIETES DES TRANSDUCTEURS ULTRASONORES

Dans cette annexe, les différentes grandeurs et caractéristiques liées à la réponse électro-
acoustique et au champ de pression émis par un transducteur focalisé sont rappelées.

A2.1 Spécifications électro-acoustiques

Par une analogie électro-acoustique (Tableau A2.1), dans le cadre de l’hypothèse d’onde plane, et
pour une section de surface constante, les expressions des grandeurs acoustiques sont identifiées à
des variables électriques.

Électrique Acoustique
Tension U p Pression
Intensité I v Vitesse
Impédance électrique Z Z Impédance acoustique
Puissance électrique P I Intensité acoustique

Tableau A2.1 : Analogie électro-acoustique.

En vue du dimensionnement et de l’optimisation des différents couches constituant le transducteur

(Annexe 3), différents critères d’évaluation sont définis. La réponse électro-acoustique délivrée par
le transducteur est qualifiée pour une excitation électrique donnée.

A2.1.1 Sensibilité – Pertes d’insertion

La sensibilité ampij est définie par une fonction de transfert, c’est-à-dire par le rapport d’amplitude
d’une grandeur physique i résultante de la transduction ultrasonore relativement à une grandeur
génératrice j. Elle peut s’exprimer par le rapport d’un déplacement u0 , d’une vitesse v 0 , d’une
pression p0 ou d’une intensité acoustique I0 sur la tension d’émission Ue. Dans le cadre des
hypothèses d’onde plane et d’excitation harmonique à la pulsation ω, il existe des correspondances
simples entre ces différentes grandeurs à la surface du transducteur :
Ø Sensibilité en pression (Pa/V) :
p0
amp p0 ,Ue = (A2.1)
Ue
217
Propriétés des transducteurs ultrasonores Annexe 2

Ø Sensibilité en vitesse (m/s/V) :

v0 p
ampv0 ,U e = = 0 (A2.2)
U e Z 0Ue
Ø Sensibilité en déplacement (m/V) :
u0 p0
ampu0 ,Ue = = (A2.3)
U e ω Z0U e
Ø Sensibilité en intensité acoustique (W/m 2 /V)

I0 p02
ampI 0 ,U e = = (A2.4)
U e 2Z 0Ue
La sensibilité en émission-réception, est évaluée au travers de la perte d’insertion notée IL et
exprimée en dB. Elle décrit le rapport entre la tension d’émission Ue et celle reçue après réflexion
Uer sur une cible parfaitement réfléchissante, et doit prendre en compte les effets de la diffraction
lorsqu’ils sont significatifs :
U 
IL = 20log  er  (A2.5)
 Ue 
Le rapport entre la tension Ug délivrée par le générateur d’impédance Zg (en général 50 Ω) et celle
en entrée de ligne Ue (d’impédance Ze) est décrite par un pont diviseur de tension :
Zg
Ue = Ug (A2.6)
Zg + Ze

Un rapport similaire peut être établi entre le récepteur (Ur, Zr) et le transducteur en mode de
réception (Uer, Ze).

A2.1.2 Intensité acoustique – Norme

L'intensité de l’impulsion (W/cm²), moyennée sur sa durée ISPTA (sound pressure time averaged
intensity) est un des paramètres d'exposition les plus utilisés. Aux Etats-Unis, la norme en vigueur
pour les instruments de diagnostic fixe la valeur maximale autorisée pour l'intensité moyenne
d'impulsion à 100 mW/cm2 .
T
1
I SPTA =
T ∫ pvdt
0

En régime harmonique, avec l’hypothèse d’onde plane, selon [1] on obtient :

p2
I SPTA =
2 Z0

218
Annexe 2 Propriétés des transducteurs ultrasonores

Cette norme (bien que peu restrictive en terme de forme d’impulsion) est largement utilisée pour
toutes les applications d’imagerie médicale.

A2.1.3 Résolution axiale – Bande passante

La réponse d’un transducteur dépend de l’excitation électrique qui lui a été envoyée, et la résolution
axiale dépend donc directement de ce paramètre. Pour s’en affranchir, cette dernière est évaluée sur
la réponse impulsionnelle à –3 dB en émission, ou bien à –6 dB (mi-hauteur) en émission-réception.
Traditionnellement, elle est mesurée sur la réponse impulsionnelle à la surface du transducteur,
évitant ainsi les problèmes de diffraction [2]. Une autre approche plus réaliste, incluant les effets de
diffraction, consiste à évaluer celle résolution axiale au point focal (point focal naturel si le
transducteur est plan, ou au point focal géométrique si celui-ci est focalisé), en considérant en ce
dernier point une cible ponctuelle parfaitement réfléchissante.
Le spectre déterminé par transformée de Fourier de cette réponse impulsionnelle permet également
de déterminer la fréquence de fonctionnement f 0 du transducteur (maximum du module du spectre)
et sa bande passante ∆f, typiquement à –6 dB en émission-réception.
La résolution axiale en émission-réception (∆z)–6dB s’exprime à partir de la durée de l’écho à –6 dB
notée (∆t)–6dB et de la vitesse de l’onde dans le milieu de propagation c0 (Figure A2.1). De plus, il
existe une correspondance approchée valable pour une excitation quasi-gaussienne avec la bande
passante relative (∆f/f 0 )–6dB :

c0 ( ∆t )−6 dB 0,88λ
( ∆z ) −6dB = ; (A2.7)
2 2 ( ∆f / f 0 ) −6dB

A2.1.4 Contraste
La qualité d’une image, liée entre autres à celle de la réponse impulsionnelle du transducteur, est
conditionnée par sa "compacité spatiale" ou bien son contraste. De la même façon que la résolution
axiale, cette qualité se traduit par une condition de minimisation de la durée à –n dB (avec n > 6).
Traditionnellement, la durée de la traîne est évaluée à –20, –30 ou –40 dB.

A2.1.5 Critères de caractérisation – Indices de performance

La qualité d’une image échographique est liée à celle de la réponse du transducteur. Si l’on ne
s’intéresse qu’à la réponse électro-acoustique, celle-ci est évaluée en terme de sensibilité,
résolution, et traîne, qui conditionne en grande partie le contraste, la définition, et la netteté de

219
Propriétés des transducteurs ultrasonores Annexe 2

l’image. Il s’agit alors de choisir différents estimateurs (décorrelés) correspondant à chacune des
contraintes énoncées. Plusieurs indices de performance ont été définis à cet effet [2-4], et leur
utilisation demande a être adaptée pour chaque type d’application envisagée.

A2.2 Caractérisation du champ de pression rayonné

Le champ de pression obtenu est caractérisé en émission par la fonction de transfert entre source et
un point de l’espace. En acoustique linéaire, la caractérisation en émission-réception est obtenue en
prenant le carré de la fonction de transfert considérée, autrement dit le double du seuil en émission
sur une échelle en Décibels. Ainsi, les résolutions et profondeurs de champ sont relevées à −3 dB en
émission ou à −6 dB en émission-réception. Les expressions approchées de la résolution latérale et
de la profondeur de champ sont directement proportionnelles à la longueur d’onde et ont été
vérifiées expérimentalement [5-7]. La résolution et la profondeur de champ peuvent changer de
plusieurs ordres de grandeur selon la fréquence. Les émissions en haute fréquence permettent ainsi
d’obtenir de meilleures résolutions, au détriment de la profondeur de champ, et au prix d’une
atténuation accrue dans le milieu de propagation. La profondeur d’exploration est donc réduite en
conséquence.

( ∆p ) −3dB

2a ( ∆r ) −3dB
( ∆z ) −3dB
F
Source focalisée Tache focale

Figure A2.1 : Caractéristiques de la tache focale en émission.

En première approximation pour un fonctionnement en émission, les dimensions de la tache focale

de forme ellipsoïdale pour une source axisymétrique sont déterminées par les paramètres (∆r)–3dB et
(∆p)–3dB eux-mêmes liés à la longueur d’onde λ et au degré de focalisation 1/f number. Par commodité,
son inverse est défini comme le rapport entre la distance focale F et le diamètre de la source 2a :
F
f number = (A2.8)
2a

220
Annexe 2 Propriétés des transducteurs ultrasonores

Une attention particulière doit être portée aux caractéristiques géométriques, acoustiques et
électriques lors du dimensionnement du transducteur, ce qui permet d’améliorer très sensiblement
les performances pour l’imagerie.

A2.2.1 Résolution latérale

La résolution latérale est liée à la largeur du faisceau acoustique, et est optimale à la distance focale.
Elle est déterminée à la suite d’approximations généralement vérifiées pour les sources focalisées
(Annexe 5). Elle dépend de la longueur d’onde λ et du f number (équation (A2.8)) :

( ∆r ) −3dB ; 1,028λ fnumber (A2.9)

A2.2.2 Profondeur de champ

La profondeur de champ ∆p dépend elle aussi des paramètres longueur d’onde λ et f number (équation
(A2.8)) :

( ∆p )−3dB ; 7,08λ f number

2
(A2.10)

Comme l’illustrent les relations (A2.9) et (A2.10), le rapport entre la résolution latérale (∆r)–3dB et
la profondeur de champ (∆p)–3dB est lié au f number ou son inverse, le degré de focalisation.

Bibliographie :
1. Royer D., Dieulesaint E., Ondes élastiques dans les solides. Tome 1: Propagation libre et
guidée. Masson ed. 1996.
2. Desmare R., Optimisation de transducteurs ultrasonores à structure multicouche. Thèse de
doctorat en Acoustique. Université du Maine. Académie de Nantes, 1999.
3. Thijssen J.M., Verhoef W.A., Cloostermans M.J., Optimisation of ultrasonic transducers.
Ultrasonics, 1985: p. 41-46.
4. Tran-Huu-Hue L.P., Desmare R., Levassort F., Lethiecq M., A KLM circuit based method
for modeling multilayer piezoelectric structures. IEEE Proceedings of the Ultrasonics
Symposium, 1997: p. 995-998.
5. Raum K., O'Brien [Link]., Pulse-echo field distribution measurement technique for high-
frequency ultrasound sources. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and
Frequency Control, 1997. 44(4): p. 810-815.

221
Propriétés des transducteurs ultrasonores Annexe 2

6. Passman C., Ermert H., A 100-MHz ultrasound imaging system for dermatologic and
ophthalmologic diagnostics. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and
Frequency Control, 1996. 43(4): p. 545-552.
7. Grégoire J.M., Echographie haute-résolution : technologie et applications en dermatologie
et ophtalmologie. Thèse de doctorat en Science de la Vie et de la Santé. Université François
Rabelais. Académie d’Orléans-Tours, 2002.

222
Annexe 3 Modélisation et optimisation de transducteur

Equation Section (Next)

ANNEXE 3 : MODELISATION ET OPTIMISATION DE TRANSDUCTEUR

Les matériaux piézo-électriques pour la transduction dans le domaine des applications

d’imagerie médicale ou de contrôle non destructif sont le plus souvent utilisés selon le mode de
vibration en épaisseur. Moyennant des conditions de dimensionnement [1], la modélisation du
transducteur pour ce type d’applications peut donc se limiter aux paramètres entrant en compte pour
ce mode de vibration uniquement. Une fois un modèle simple établi, des critères et procédures
d’optimisation sont également décrits.

A3.1 Modélisation de la transduction

La source émise a été caractérisée en terme de réponse électro-acoustique et de rayonnement
(Annexe 2), il reste à définir un modèle permettant de calculer cette réponse pour une configuration
donnée. Pour cela, une analogie électro-mécanique, basée sur l’hypothèse d’onde plane et de
vibration mono-modale permet de définir un schéma électrique équivalent. Une relation directe est
établie entre l’excitation électrique à l’émission et la réponse à la surface du transducteur. Une
notation matricielle permet alors d’effectuer de façon concise ce calcul, pour une implémentation
numérique.

A3.1.1 Modélisation unidimensionnelle

Soit une plaque piézo-électrique mince de surface A et d’épaisseur ep , polarisée suivant l’axe 3
correspondant à l’épaisseur (Annexe 1). Soit Ue la tension appliquée aux borne des électrodes, v ar et
vav sont les vitesses de déplacement, et Far et Fav les forces exercées sur les deux faces arrière et
avant de la plaque piézo-électrique.
Considérant des dimensions latérales grandes relativement à l’épaisseur, la plaque est considérée
comme vibrant selon un mode épaisseur. Cette hypothèse suppose que le champ électrique E3
entraîne une vibration longitudinale. Autrement dit, le champ électrique et la vitesse de déplacement
sont selon l’axe 3, et dans ce cas, le système d’équations constitutives (A1.6) se réduit à :
 T3 = c33
E
S3 − e33 E3
 (A3.1)
 D3 = e33S3 + ε 33E3
S

223
Modélisation et optimisation de transducteur Annexe 3

A3.1.2 Schéma électrique équivalent KLM

La vibration longitudinale décrite par le système d’équations (A3.1), peut être modélisée par un
schéma électrique équivalent. Des schémas basés sur cette hypothèse ont été proposés par Redwood
(schéma de Mason-Redwood) [2], et Krimholtz, Leeddom et Matthei (schéma KLM) [3]. Si ces
schémas sont équivalents [4], l’un ou l’autre se prête mieux à certaines études.
Le dernier a été retenu pour sa simplicité d’implémentation. L’élément piézo-électrique est ainsi
décrit comme un hexapôle, constitué de 2 ports acoustiques et d’un port électrique. Cet élément est
donc considéré comme une ligne de propagation de caractéristiques (Z0 , γ), reliant les ports
acoustiques des faces arrière et avant (Annexe 4). En son centre, un transformateur électro-
mécanique de rapport Φ avec deux condensateurs en série C0 (capacité statique) et C’ (capacité
dynamique) est relié au port électrique (Figure A3.2).

ε 33S A
C0 =
ep
ep /2 ep /2
var vav −C0
C' =
k sinc (θ p )
t
2

Far (Zp , γ) F0 (Zp , γ) Fav

ke p ω ep
θp = =
2 2cl
I
2sin (θ p )
C’ C0 Φ=
ΦF0 Ue ω C 0Z p

I I
1:Φ Ue = + + ΦF0
jωC0 jωC '

Figure A3.2 : Schéma KLM [3].

Si le matériau piézo-électrique est dans l’air, les impédances de rayonnement en face arrière
et en face avant Zar et Zav peuvent être négligées, les forces aux bornes des ports acoustiques sont
alors nulles, et l’impédance électrique du résonateur piézo-électrique libre s’écrit :

Ue 1  tan (θ p ) 
Ze = = 1 − kt2  (A3.2)
I jω C0  θ 
 p 
L’effet capacitif décrit par le premier facteur de l’équation (A3.2) est plus visible sur l’admittance
donnée par Y = 1/Ze.
224
Annexe 3 Modélisation et optimisation de transducteur

La Figure A3.3 montre les variations du module de l’admittance Y en fonction de la fréquence :

Figure A3.3 : Module de l’admittance pour un élément piézo-électrique en résonateur libre [5].

A3.1.3 Structure multicouche – Notation matricielle

Dans le cas d’un élément piézo-électrique chargé, l’expression obtenue pour l’impédance électrique
Ze se trouve modifiée par les impédances en face arrière et en face avant. A partir du schéma KLM,
une notation matricielle [6-8] a été développée afin de faciliter le calcul des fonctions de transfert
des différentes couches. Chacun des éléments constituant la chaîne de transmission est alors
considéré comme un quadripôle caractérisé par sa matrice chaîne. Grâce à cette écriture, la
représentation en hexapôle est ramenée à un quadripôle.

var vav
(Zar, γar) (Zp , γp ) (Zp , γp ) (Zav, γav)
Far ear ep /2 Nr ep /2 eav Fav

NΦ

NC

I
Ue

Figure A3.4 : Notation matricielle du modèle KLM.

225
Modélisation et optimisation de transducteur Annexe 3

Sur le port électrique, le transformateur de rapport Φ est représenté par la matrice notée NΦ et les
condensateurs en série C0 et C’ par NC. Sur les ports acoustiques, chacune des couches de
propagation est représentée par une ligne de propagation de paramètres secondaires (Z, γ), de
longueur e (Annexe 4). Les expressions des matrices de transfert sont détaillées par Oakley [9] ou
Desmare [10].
La matrice globale M de transfert entre le port d’émission (le port électrique) et celui de réception
(le port acoustique en face avant) est déterminée en ramenant la matrice de transfert de la face
arrière notée Nr. Pour déterminer la matrice globale M, il suffit de faire le produit des matrices
chaînes :
M = NC N ΦN r N p Nav (A3.3)

Cette matrice M permet de positionner le transducteur dans le schéma électrique équivalent suivant
(Figure A3.5), et de relier (Ug , I) et (F0 , v 0 ) en émission, et réciproquement (F0 , v 0 ) et (Ur, I) en
réception. En émission, on établit les relations entre le générateur de tension Ug d’impédance
interne Zg , délivrant une tension d’excitation Ue, et le port acoustique générant une force F0 aux

bornes d’une impédance mécanique Zm :

Fav F0
Zm = = = AZ m (A3.4)
vav v0
où A est la surface et Zm l’impédance acoustique du milieu de propagation semi-infini.

I v0 v0 I
Zg M Zm M-1

Zm Zr
Ug Ue F0 2F0 Fr Ur

Figure A3.5 : Système en émission-réception.

La matrice de transfert globale est alors déterminée entre le port d’émission et celui de réception :

 F0  U e 
v  = [ M ]  I  (A3.5)
 0  e

226
Annexe 3 Modélisation et optimisation de transducteur

A partir des schémas équivalents établis en émission et en réception, les fonctions de transfert en
émission, réception et émission-réception sont déterminées :
Ø PTE : pression sur tension d’excitation
p0 F Zm
PTE = = 0 = (A3.6)
U e AU e A ( m22 Zm − m12 )
Ø PTG : pression sur tension de gé nérateur
p0 F Zm
PTG = = 0 = (A3.7)
(
U g AU g A m11Z g − m12 − ( m21Z g − m22 ) Z m )
Ø TPR : tension sur pression en réception
U r AUr 2 AZ r
TPR = = = (A3.8)
p0 F0 m11Zr − m12 − ( m21Zr − m22 ) Zm
Ø TRTE : tension de réception sur tension d’excitation
Ur 2Z r Zm
TRTE = = (A3.9)
Ue ( m11Z r − m12 − ( m21Z r − m22 ) Zm ) ( m22Zm − m12 )

Ø TRTG : tension de réception sur tension du générateur

Ur 2Z r Zm
TRTG = = (A3.10)
(
U g ( m11Z r − m12 − ( m21Z r − m22 ) Zm ) m11Z g − m12 − ( m21Z g − m22 ) Zm )
Les réponses impulsionnelles en émission et en émission-réception sont calculées respectivement
par les transformées de Fourier inverses des fonctions PTG et TRTG.

A3.2 Optimisation d’un transducteur

Les matériaux traditionnellement utilisés pour la transduction ultrasonore ont une impédance
acoustique relativement importante comparée à celle du milieu de propagation (tissus biologiques).
En conséquence, des couches passives sont ajoutées à la couche active pour réaliser une adaptation
d’impédance.
Premièrement, une couche épaisse et atténuante est accolée en face arrière [11]. Cette dernière
(backing) sert de support mécanique pour l’élément actif et absorbe également une partie de
l’énergie. Plus son impédance acoustique Zar est proche de celle de la couche active Zp , plus la
quantité d’énergie absorbée est élevée (équation (III.28), Chapitre III). Il en résulte une meilleure
résolution axiale, au prix d’une dégradation de la sensibilité. D’autre part, le produit de l’épaisseur
par l’atténuation linéique α permet de s’assurer que l’écho de fond (parasite) de ce milieu arrière ne
revient pas en face avant.

227
Modélisation et optimisation de transducteur Annexe 3

Deuxièmement, en face avant, une adaptation d’impédance est réalisée avec une ou plusieurs lames
adaptatrices. Le dimensionnement de ces lames est optimisé en vue de faciliter le transfert d’énergie
depuis l’élément actif jusqu’au milieu de propagation. L’épaisseur de ces lames adaptatrices est
proche d’un quart d’onde à la fréquence de résonance, et leurs impédances acoustiques sont
comprises entre celle de la céramique et celle du milieu de propagation. L’utilisation de lames
adaptatrices permet bien d’améliorer la sensibilité du transducteur, mais aussi de diminuer la durée
de la résonance, améliorant ainsi la résolution axiale.
Des formules d’adaptation ont été développées sous certaines hypothèses [12-15] et des
optimisations développées pour satisfaire des critères propres aux applications [16-19].
L’influence de ces deux éléments avant et arrière sur la réponse impulsionnelle est représentée en
fonction du temps et de la fréquence (Figure A3.6). Un compromis doit être trouvé pour chaque
type d’application, en fonction des compatibilités et des propriétés des matériaux, ainsi que des
possibilités de mise en œuvre.

Electrodes Réponse spectrale Réponse impulsionnelle

1.5
-20 Amplitude (u.a.)
Amplitude (dB)

-30 0.5
Eau
0
-40
-0.5
-50 -1
Lame adaptatrice Elément Milieu
-1.5
en λ/4 piézo-électrique arrière -60
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
20 40 60 80 100
Fréquence (MHz) Temps (µs)

(a) (b) (c)

Figure A3.6 : (a) Transducteur mono-élément multi-couche ; (b) Réponse fréquentielle (c) Réponse
temporelle : Elément piézo-électrique seul (rouge) ; milieu arrière et élément piézo-électrique
(bleu) ; milieu arrière, élément piézo-électrique et lame adaptatrice (vert).

A3.2.1 Adaptation acoustique

Dans cette partie, la configuration d’un transducteur multicouche est optimisée pour un type
d’application donnée. Dans un premiers temps, les fonctions des milieux arrière et avant sont
décrites. Ensuite, des approches analytiques sont présentées pour des excitations harmonique et
impulsionnelle. En dernier lieu, une approche d’optimisation itérative basée sur un critère propre
aux contraintes de l’application est présentée : elle nécessite le calcul de la réponse impulsionnelle,
et permet une optimisation des paramètres géométrique et acoustiques propres à chaque couche.

228
Annexe 3 Modélisation et optimisation de transducteur

A3.2.1.1 Milieu arrière

Le dimensionnement du milieu arrière résulte d’un compromis entre l’absorption de l’énergie
envoyée en face arrière (A3.11) et la perte de sensibilité qui en résulte. Cet élément devant respecter
un critère d’atténuation, la condition suivante doit être satisfaite :
2α ear f ≥ Seuil (A3.11)

où α est l’atténuation ramenée par unité de longueur et de fréquence (dB/mm/MHz)

4π .104
α= δc (A3.12)
cl ln10

où cl est la vitesse longitudinale (A1.30) et δ c est l’atténuation relative à la vitesse (A1.31)

Différents milieux arrières ont été testés par Kossof [11] et les performances résultantes évaluées.
Ainsi, le choix de l’impédance du milieu arrière Zar découle d’un compromis : une valeur élevée
résulte en une forte absorption et une impulsion courte, tandis qu’une valeur relativement faible
donne une absorption moindre, mais une impulsion plus longue.

A3.2.1.2 Milieu avant

Une ou plusieurs lames d’adaptation sont ajoutées et dimensionnées de façon à favoriser le transfert
d’énergie envoyée en face avant vers le milieu de propagation et à améliorer la résolution axiale.
Des formulations analytiques de l’optimisation multicouche en face avant ont été développées pour
des configurations données [12-15]. En pratique, l’optimisation d’un critère de performance figé
n’assure pas des performances optimales pour une application donnée. En effet, le compromis entre
sensibilité et résolution axiale est différent selon l’application envisagée et le critère de performance
doit être adapté [16-19].

A3.2.1.3 Approche analytique harmonique

Le transducteur est considéré comme une ligne de propagation constituée de plusieurs segments
comme décrit par le modèle KLM. En régime harmonique [20], l’optimisation du coefficient de
transmission entre deux milieux semi-infinis donne le résultat classique connu :

Zi = Zi−1Zi+1 (A3.13)
La valeur optimale de l’impédance de la couche intermédiaire Zi est la moyenne quadratique des
impédances des couches amont Zi−1 et aval Zi+1 .

229
Modélisation et optimisation de transducteur Annexe 3

Une approche matricielle permet d’obtenir les résultats d’optimisation pour n couches d’adaptation
comprises entre Zp et Zm . L’équation (A3.13) est appliquée en cascade sur chacune des couches, et il
en résulte un système de n équations à n inconnues, résolu par linéarisation logarithmique :
Zi−1 "− 2Z i "+ Z i+1 " = 0 avec Zi " = ln Z i (A3.14)
Une écriture matricielle (A3.15) permet un calcul global :

2 −1 0L L L 0   Z1  Z p 
 −1 2 −1O M   Z 2  0 
  
0 O O O O M  M  M 
    
M O −12 −1 O M   Z k  = M  (A3.15)
M OO O O 0  M  M 
    
M O −1 2 −1  Z n−1  0 
0 L L L 0 −1 2   Z n  Z 
  m

L’inversion de la matrice, puis le retour en écriture en puissance par délinéarisation exponentielle

permet d’obtenir les expressions des coefficients de pondération en puissance sur Zp et Zm .
Les résultats sont synthétisées dans le Tableau A3.2 :

Z1 Z2 Z3 Z4

1 couche Z 1/2
p Zm
1/2

2 couches Z 2/3
p Zm
1/3
Z 1/3
p Zm
2/3

3 couches Z 3/4
p Zm
1/4
Z 1/2
p Zm
1/2
Z 1/4
p Zm
3/4

4 couches Z 4/5
p Zm
1/5
Z 3/5
p Zm
2/5
Z 2/5
p Zm
3/5
Z 1/5
p Zm
4/5

Tableau A3.2 : Impédances acoustiques optimales en milieux semi-infinis en transmission.

On démontre ainsi que l’impédance acoustique de la lame considérée Zn est directement fonction de
celle de l’élément piézo-électrique Zp et de celle du milieu de propagation Zm :
N +1− n
Zn = ( Zp ) ( Zm )
P 1− P
avec P = (A3.16)
N +1
où N est le nombre de lames adaptatrices, et n le numéro de la lame considérée ( 1 ≤ n ≤ N ).

230
Annexe 3 Modélisation et optimisation de transducteur

A3.2.1.4 Approche analytique impulsionnelle

Pour une optimisation large bande, une condition de bande passante calquée sur le transformateur
de Tchebycheff a été adoptée [12]. Les résultats obtenus sont synthétisés dans le Tableau A3.3 qui
suit :

Z1 Z2 Z3 Z4

1 couche Z 1/2
p Zm
1/2

2 couches Z 3/4
p Zm
1/4
Z 1/4
p Zm
3/4

3 couches Z 7/10
p Z m3/10 Z 1/2
p Zm
1/2
Z 3/10
p Zm
7/10

4 couches Z 47/50
p Z m3/50 Z 7/10
p Z m3/10 Z 3/10
p Zm
7/10
Z 3/50
p Z m47/50

Tableau A3.3 : Impédances acoustiques optimales pour le transformateur de Tchebycheff.

Une autre approche, décrite par Desilets [13], consiste réaliser une adaptation d’impédance basée
sur le transformateur binomial. L’impédance ramenée au centre de la ligne de transmission du
modèle KLM est considérée constante quel que soit le nombre de lames adaptatrices. Les autres
hypothèses sont un milieu arrière d’impédance nulle et une désadaptation d’impédance faible :
0,5Z p ≤ Z m ≤ 2Z p

A partir de la formule du transformateur binomial ([13], équation 15), on démontre que l’impédance
acoustique de la lame considérée Zn est directement fonction de celle de l’élément piézo-électrique
Zp et de celle du milieu de propagation Zm :

2N +1− n − 1
Zn = ( Zp ) ( Zm )
P 1− P
avec P = (A3.17)
2 N +1 − 1
où N est le nombre de lames adaptatrices, et n le numéro de la lame considérée ( 1 ≤ n ≤ N ).

Z1 Z2 Z3 Z4

1 couche Z 1/3
p Zm
2/3

2 couches Z 3p / 7Z m4 / 7 Z 1/7
p Zm
6/7

3 couches Z 7/15
p Zm8/15 Z 1/5
p Zm
4/5
Z 1/15
p Zm
14/15

4 couches Z 15/31
p Z m16/31 Z 7/31
p Zm24/31 Z 3/31
p Zm
28/31
Z 1/31
p Zm
30/31

Tableau A3.4 : Impédances acoustiques optimales pour le transformateur binomial.

231
Modélisation et optimisation de transducteur Annexe 3

La démarche matricielle employée dans le paragraphe 0 donne aussi les résultats synthétisés dans le
Tableau A3.4 avec les coefficients initiaux de Desilets (−1 ; 3 ; −2) pour la configuration avec une
lame adaptatrice, en lieu et place des coefficients pour le régime harmonique (−1 ; 2 ; −1).

A3.2.2 Adaptation électrique

L’adaptation électrique est réalisée pour améliorer le transfert d’énergie depuis le générateur
d’impédance Zg jusqu’au transducteur d’impédance d’entrée Ze ; il en est de même en réception
entre le transducteur et le récepteur d’impédance Zr. La réalisation d’une adaptation électrique est
aisée lorsqu’il s’agit d’une excitation harmonique, mais elle demande a être étudiée de façon plus
attentive lorsqu’il s’agit d’une excitation impulsionnelle. De la même façon que pour l’adaptation
de la ligne de transmission acoustique, elle résulte d’un compromis entre sensibilité et bande
passante.

A3.2.2.1 Régime harmonique

On montre qu’en régime harmonique la puissance transmise est optimale lorsque Zg = Ze* . Il est
fréquent qu’une inductance soit ajoutée en série afin de compenser la partie imaginaire négative due
à l’effet capacitif de l’élément piézo-électrique.
Cependant, l’impédance d’entrée est une fonction complexe de la fréquence et dépend de
l’environnement acoustique et électrique de l’élément piézo-électrique. Pour l’imagerie haute
fréquence, l’adaptation d’impédance réalisée est donc nécessairement le résultat d’un compromis
large bande.

A3.2.2.2 Régime impulsionnel

L’optimisation de l’adaptation d’impédance en régime impulsionnel se fait par le choix d’un
compromis d’adaptation d’impédance sur la bande passante du transducteur. Dans ce cas le circuit
d’adaptation d’impédance ne se limite pas à une simple inductance de compensation, mais est
complexifié afin de satisfaire au mieux l’adaptation d’impédance sur bande passante du
transducteur.

232
Annexe 3 Modélisation et optimisation de transducteur

A3.2.3 Adaptation globale

L’adaptation globale d’impédance est réalisée au cours de la réalisation du transducteur. En premier
lieu, le matériau piézo-électrique est choisi, puis des couches d’adaptation sont ajoutées en face
arrière pour amortir, et en face avant pour réaliser l’adaptation d’impédance acoustique avec le
milieu de propagation. Le compromis entre sensibilité (A3.6) et résolution axiale recherché,
donnant la réponse impulsionnelle optimale, est ainsi approché. Ensuite, l’adaptation d’impédance
électrique est réalisée sur toute la bande passante entre le système d’émission-réception et le
transducteur. Ainsi, l’impédance de sortie du générateur Zg et celle d’entrée du récepteur Zr sont
adaptées à celle du transducteur multicouches d’impédance d’entrée complexe Ze.
La chaîne de transmission est ainsi optimisée, depuis le générateur d’impulsion électrique jusqu’au
récepteur de l’écho réfléchi du milieu insonifié.
La mise en place d’une modélisation unidimensionnelle sous forme matricielle (Figure A3.4)
permet d’ajuster chacun des paramètres de cette chaîne de transmission, et de mesurer les bénéfices
apportés par chacun des éléments ajoutés pour améliorer la réponse électro-acoustique étudiée.

Bibliographie :
1. IEEE Std., Standard on Piezoelectricity ANSI/IEEE Std. 176-1987. IEEE Transactions on
Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, 1996. 43(5): p. 1-55.
2. Redwood M., Transient performance of a piezoelectric transducer. Journal of the Acoustical
Society of America, 1961. 33(4): p. 527-536.
3. Krimholtz R., Leeddom D.A., Matthei G.L., New equivalent circuit for elementary
piezoelectric transducers. Electronic letters, 1970. 6: p. 398-399.
4. Sherrit S., Leary S.P., Dolgin B.P., Bar-Cohen Y., Comparison of the Mason and KLM
equivalent circuits for piezoelectric resonators in the thickness mode. IEEE Proceedings of
the Ultrasonics Symposium, 1999: p. 921-926.
5. Royer D., Dieulesaint E., Ondes élastiques dans les solides. Tome 2: Génération, interaction
acousto-optique, applications. Masson ed. 1996.
6. Van Kervel S.J.H., Thijssen J.M., A calculation scheme for the optimum design of ultrasonic
transducers. Ultrasonics, 1983. 21: p. 134-140.
7. Tran-Huu-Hue L.P., Desmare R., Levassort F., Lethiecq M., A KLM circuit based method
for modeling multilayer piezoelectric structures. IEEE Proceedings of the Ultrasonics
Symposium, 1997: p. 995-998.
233
Modélisation et optimisation de transducteur Annexe 3

8. Desmare R., Tran-Huu-Hue L.P., Levassort F., Lethiecq M., Modeling of multilayer
piezoelectic structures. Ferroelectrics, 1999. 224: p. 623-630.
9. Oakley C.G., Calculation of ultrasonic transducer Signal-to-Noise Ratios using the KLM
model. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, 1997.
44(5): p. 1018-1026.
10. Desmare R., Optimisation de transducteurs ultrasonores à structure multicouche. Thèse de
doctorat en Acoustique. Université du Maine. Académie de Nantes, 1999.
11. Kossof G., The effects of backing and matching on the performance of piezoelectric ceramic
transducers. IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics, 1966. 13(1): p. 20-30.
12. Collin R.E., Theory and design of wide-band multisection quarter-wave transformers. IRE
Proceedings, 1955: p. 179-185.
13. Desilets C.S., Fraser J.D., Kino G.S., The design of efficient broadband piezoelectric
transducers. IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics, 1978. 25: p. 115-125.
14. Desilets C.S., Transducers arrays suitable for acoustic imaging. Ph.D. Thesis, Stanford
Univerity, Stanford, 1978.
15. Souquet J., Defranould P., Desbois J., Design of low-loss wide-band ultrasonic transducers
for noninvasive medical application. IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics, 1979.
26(2): p. 75-81.
16. Inoue T., Ohta M., Takahashi S., Design of ultrasonic transducers with multiple acoustic
matching layers for medical application. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics
and Frequency Control, 1987. 34(1): p. 8-16.
17. Rhyne T.L., Computer optimization of transducer transfer functions using constraints on
bandwidth, ripple and loss. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency
Control, 1996. 43(6): p. 1136-1149.
18. Mc Keighen R.E., Optimization of broadband transducer designs by use of statistical design
of experiments. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control,
1996. 43(1): p. 63-70.
19. Desmare R., Tran-Huu-Hue L.P., Levassort F., Lethiecq M., Optimisation method for
ultrasonic transducers used in medical imaging. Journal Revista de Acustica, 2003. 33.
20. Mc Keighen R.E., Design guidelines for medical ultrasonic arrays. SPIE Proceeding of the
Ultrasonic Transducer Engineering Conference, 1998. 3341: p. 2-18.

234
Annexe 4 Caractérisation de ligne de propagation

Equation Section (Next)

ANNEXE 4 : C ARACTERISATION DE LIGNE DE PROPAGATION

La transmission d’un signal nécessite un support physique. Ce support physique est

caractérisé par des propriétés telles que son impédance caractéristique et sa constante de
propagation. La ligne de transmission ainsi décrite est modélisé par un schéma électrique
équivalent. Une cellule élémentaire décrit ainsi les propriétés de la ligne de transmission par unité
de longueur.

A4.1 Schéma électrique équivalent

La ligne de transmission est modélisée par un quadripôle, avec une tension et un courant d’entrée et
de sortie. Ce quadripôle (Figure A4.1 (a)) est lui-même constitué de plusieurs dipôles passifs
(Figure A4.1 (b)) appelés paramètres de ligne primaires : R0 , L0 , C0 , G0 , respectivement la résistance
(Ω/m), l’inductance (H/m), la capacité (F/m) et la conductance (S/m) exprimés par longueur
élémentaire dx.

I(x) I(x+dx) I(x) R0 L0 I(x+dx)

U(x) (Zp , γ) U(x+dx) U(x) C0 G0 U(x+dx)

dx dx

(a) Quadripôle élémentaire (b) Décomposition en association de dipôles

Figure A4.1 : Schéma électrique équivalent d’une ligne de propagation.

Les paramètres secondaires (Zp , γ), sont exprimés en fonction des paramètres primaires de la ligne
(R0 , L0 , C0 , G0 ). Ainsi, l’impédance caractéristique et la constante de propagation sont
respectivement données par :

R0 + jω L0
Zp = (A4.1)
G0 + jωC0

et γ= ( R0 + jω L0 )( G0 + jωC0 ) (A4.2)

235
Caractérisation de ligne de propagation Annexe 4

De manière pratique, les parties réelle et imaginaire de la constante de propagation sont identifiées :

α = ℜe ( γ ) =
2
2
(R G
0 0 − ω 2 L0C0 ) + (R 2
0 + ω 2 L20 )( G02 + ω 2C02 ) (A4.3)

− ( R0G0 − ω 2 L0C0 ) + (R + ω 2 L20 )( G02 + ω 2C02 )

2
et k = ℑm ( γ ) = 2
0 (A4.4)
2
Plus particulièrement, la vitesse de propagation v (m/s) dans la ligne de transmission est exprimée
par la relation suivante :

ω 2
v= = (A4.5)
k  2 R  2 G 
 R0G0  2 2

 L0C0 − ω 2  +  L0 + ω   C0 + ω 
0 0

 
2 2
  
Les paramètres secondaires (Zp , γ) sont exprimés en fonction des paramètres primaires R0 , L0 , C0 ,
G0 , et leur dépendance fréquentielle est mise en évidence. Ce phénomène est à l’origine de
distorsions sur le signal après sa propagation dans une ligne de transmission. En particulier,
l’atténuation et la vitesse de propagation sont différentes pour chacune des composantes
fréquentielles du signal.

A4.2 Ligne sans pertes

Les expressions générales des paramètres secondaires (A4.1) et (A4.2) sont simplifiées dans le cas
ou les termes dissipatifs des paramètres primaires sont négligeables (R0 = G0 = 0) :

L0
Zp = (A4.6)
C0

et γ = jω L0 C0 (A4.7)

soit α =0

et k = ω L0 C0 (A4.8)
L’expression de la vitesse de propagation pour une ligne sans pertes s’écrit simplement :
1
v= (A4.9)
L0 C0

236
Annexe 4 Caractérisation de ligne de propagation

A4.3 Ligne avec pertes

A4.3.1 Expressions factorisées
Afin de mieux identifier les influences des paramètres dissipatifs , les expressions générales des
paramètres secondaires (A4.1) et (A4.2) sont factorisées par celles sans pertes (A4.6) et (A4.7) :

R0
1+
L0 jω L0
Zp = (A4.10)
C0 G0
1+
jωC0

 R  G0 
et γ = jω L0 C0 1 + 0  1 +  (A4.11)
 jω L0   jω C0 

Ainsi les parties réelle (A4.3) et imaginaire (A4.4) s’écrivent sous la forme suivante :

2  R0G0    R  2    G 2 
α = ω L0 C0  −1 + 2 +  1 +  0   1 +  0   (A4.12)
2  ω L0C0    ω L0     ω C0  
  

R0G0    R0     G0  
2 2
2 
et k = ω L0 C0 1 −  + 1+    1+    (A4.13)
2  ω 2 L0C0    ω L0     ωC0  

L’expression de la vitesse de propagation (A4.5) devient :

1 2
v= (A4.14)
L0 C0   R  2
  G   2
 R0G0 
1− 2 + 1+  0 
  ω L0 
 1 +  0  
   ω C0  
 ω L0C0    
Les expressions générales sont factorisées par celles sans pertes, faisant ainsi ressortir le facteur de
pertes induit par les paramètres primaires dissipatifs R0 et G0 .

A4.3.2 Faibles pertes

Dans le cas d’une ligne avec des pertes vérifiant R0 << ωL0 et G0 << ωC0 , les expressions
factorisées (A4.10) à (A4.14) peuvent faire l’objet d’un développement limité. Pour une ligne de
transmission avec de faibles pertes, l’approximation consiste à ne retenir que le terme dissipatif G0
(R0 = 0). Les paramètres secondaires (A4.10) et (A4.11) sont alors approximés par :

L0  G0  L0 G L0
Zp ; 1− = +j 0 (A4.15)
C0  2 jωC0  C0 2ω C0 C0

237
Caractérisation de ligne de propagation Annexe 4

 G0 
et γ ; jω L0C0  1 +  (A4.16)
 2 jωC0 
L’identification de la partie réelle de la constante de propagation développée au premier ordre
(A4.16) donne l’expression développée au premier ordre de l’atténuation (A4.12) :

L0 G0
α; (A4.17)
C0 2

La partie imaginaire de la constante de propagation développée au premier ordre est l’expression du

nombre d’onde obtenue pour une ligne sans pertes (A4.8). Il en est de même pour la vitesse (A4.9).
Cependant, l’hypothèse de résistance nulle (R0 = 0) permet d’obtenir une expression de la vitesse
faisant clairement apparaître la dépendance fréquentielle :

1 2
v= (A4.18)
L0 C0   G 2 
1 + 1 +  0  
  ωC 0  
 

Un double développement limité au premier ordre de l’expression de la vitesse (A4.18) met en

évidence le phénomène de distorsion :

1  1  G 2 
v; 1 −  0   (A4.19)
L0C0  2  ωC0  
 

A4.4 Analogie électro-acoustique

A4.4.1 Expressions générales
Une ligne de transmission acoustique est caractérisée en première approche de façon similaire à une
ligne de transmission électrique. Une analogie électro-acoustique (Tableau A4.1) établit une
correspondance entre une ligne de transmission électrique et une transmission d’onde plane
acoustique sans pertes. La correspondance entre les paramètres primaires (L0 , C0 ) et secondaires (Zp ,
v) pour une ligne sans perte permet ainsi de modéliser simplement le comportement d’une ligne de
transmission.

238
Annexe 4 Caractérisation de ligne de propagation

Électrique Acoustique
Impédance L0 Impédance
Zp = Za = ρ c33D
caractéristique C0 acoustique

c33D
Vitesse v = L0 C0 cl = Vitesse
ρ

Zp Za
Inductance L0 = ρ= Masse volumique
v cl
1 Constante
Capacité C0 = c33D = Z acl
Z pv élastique

ℑm ( Z 2p )
Pertes électriques G0 = ω C0 G0 = ω c33
D
δm Pertes électriques
ℜe ( Z 2p )

G ℑm ( Za2 )
Pertes mécaniques δm = 0 δm = Pertes mécaniques
ω C0 ℜe ( Z a2 )

Première v cl Première
f = f =
résonance 2l 2e résonance

Tableau A4.1 : Analogie électro-acoustique

Le développement au premier ordre de l’expression des pertes mécaniques δm montre qu’elles

décroissent avec la fréquence (Tableau A4.1), alors qu’expérimentalement elles sont mesurées à une
fréquence donnée et décrites par une fonction puissance de la fréquence :
n
ω 
δ m = δ m (ω 0 ) .  
 ω0 
Le coefficient n décrivant l’évolution des pertes avec la fréquence vaut typiquement 0 à 1 pour les
solides et 1 à 2 pour les fluides. Par commodité, les valeurs du coefficient n sont généralement
fixées à n = 0 pour les solides et n = 1 pour les fluides.
Il convient donc de prendre en compte cette dépendance fréquentielle au niveau du paramètre
primaire de pertes considéré :
n
ω
G0 = ω G0 '.  
 ω0 

239
Caractérisation de ligne de propagation Annexe 4

Dans le cas des solides (n = 0), la conductance G0 ' doit donc être pondérée par la pulsation ω afin

de prendre en compte le fait que les pertes mécaniques δm considérées sont indépendantes de la
fréquence. Il en résulte un paramètre primaire G0 qui est une fonction linéairement croissante avec
la fréquence. Ainsi, de façon similaire à un circuit électrique, les couches passives constituant le
transducteur sont optimisées pour l’application voulue. Le transducteur peut alors être modélisé
dans sa globalité par un schéma électrique équivalent : l’élément piézo-électrique est décrit par un
hexapôle avec un schéma de type Mason-Redwood [1] ou KLM [2] (Annexe 2, Figure A2.4) ; les
éléments passifs sont décrits par un quadripôle avec une ligne de transmission [3] comme représenté
sur la Figure A4.1 avec les constantes données dans le Tableau A4.1.
Ces différents modèles ont été implémentés sous PSPICE [4-7], mais souffrent de distorsion dues
notamment à l’expression exacte des grandeurs (impédance caractéristique Za , vitesse de
propagation cl et pertes mécaniques δm ) faisant apparaître une dispersion fréquentielle.

Bibliographie :
1. Redwood M., Transient performance of a piezoelectric transducer. Journal of the Acoustical
Society of America, 1961. 33(4): p. 527-536.
2. Krimholtz R., Leeddom D.A., Matthei G.L., New equivalent circuit for elementary
piezoelectric transducers. Electronic letters, 1970. 6: p. 398-399.
3. Royer D., Dieulesaint E., Ondes élastiques dans les solides. Tome 2: Génération, interaction
acousto-optique, applications. Masson ed. 1996.
4. Morris S.A., Hutchens C.G., Implementation of Mason's model on circuit analysis
programs. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, 1986.
33(3): p. 295-298.
5. Leach [Link]., Controlled source analogous circuits and SPICE models for piezoelectric
transducers. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, 1994.
41(1): p. 60-66.
6. Puttmer A., Hauptmann P., Lucklum R., Krause O., and Henning B., SPICE model for lossy
piezoceramic transducers. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency
Control, 1997. 44(1): p. 60-66.
7. Grégoire J.M., Echographie haute résolution: Technologie et applications en dermatologie
et ophtalmologie. Thèse de doctorat en Science de la Vie et de la Santé. Université François
Rabelais. Académie d’Orléans-Tours, 2002.
240
Annexe 5 Focalisation acoustique

Equation Section (Next)

ANNEXE 5 : FOCALISATION ACOUSTIQUE

Une source acoustique peut être focalisée par différents moyens : par focalisation
électronique pour une source multi-éléments, par focalisation géométrique pour une source
incurvée, ou par focalisation acoustique avec une lentille acoustique. C’est cette dernière méthode
qui nous intéresse ici, et on cherche à établir une correspondance entre une focalisation géométrique
(par mise en forme) et une focalisation acoustique (par lentille).

A5.1 Focalisation
On distingue deux types de focalisation illustrées par la Figure A4.1 dans le cas d’une source
concave : l’une est (a) géométrique, l’autre est (b) acoustique. La première donne une distance
focale algébrique F égale au rayon de courbure algébrique de la source Rc, tandis que la seconde
nécessite un calcul intermédiaire prenant en compte les propriétés acoustiques de la lentille et du
milieu de propagation.

Rc = F Rc ≠ F

2a 2a

(a) Focalisation géométrique (b) Focalisation acoustique

Figure A5.1 : Source acoustique (a) focalisée géométriquement ou (b) avec une lentille acoustique
de rayon a et de rayon de courbure Rc.

A5.1.1 Lentille acoustique

La lentille acoustique produit une focalisation par déphasage des points sources d’un plan
initialement en phase. Ce déphasage est induit par la différence de vitesse de propagation entre le

241
Focalisation acoustique Annexe 5

milieu environnant de vitesse c0 et la lentille de vitesse longitudinale cl. Il en résulte une focalisation
équivalente à celle générée par une source focalisée géométriquement. Pour cela, la fonction de
transfert de la lentille acoustique est déterminée en fonction de la position radiale r (Figure A5.2).

r
R2

c0 cl c0
z

O1 C2 C1 O2

R1

Figure A5.2 : Lentille acoustique de focalisation biconvexe de vitesse longitudinale cl et de rayons

de courbure algébriques amont et aval R1 et R2 .

Afin de déterminer le déphasage ∆ϕ produit par la propagation dans la lentille, une position radiale
r est considérée. L’expression de ∆ϕ est développée en fonction des paramètres acoustiques et
géométriques de la lentille (k l, el) et du milieu de propagation (k 0 , e0 ) :
∆ϕ = ϕl − ϕ0 = kl el + k0 ( e0 − el ) − k0e0 = ( kl −k 0 )el (A5.1)

avec k l et k0 respectivement les nombres d’onde dans la lentille et dans le milieu de propagation,
el = z1z 2 = O1O2 − O1z1 + O2 z 2 l’épaisseur de la lentille à une position radiale donnée r,

et e0 = O1O2 l’épaisseur au centre de la lentille (r = 0),

L’épaisseur el de la lentille dépend des rayons de courbure algébriques amont R1 et aval R2 :
R1 = O1C1 et R2 = O2C 2

avec R1 > 0 et R2 < 0 dans le cas d’une lentille biconvexe illustrée par la Figure A5.2.
En notant z1 et z2 les abscisses amont et aval de surface de lentille pour une position radiale r
donnée, et O1 et O2 celles au centre (r = 0), les distances algébriques relatives sont données par :

O1z1 = O1C1 + C1 z1 = R1 − R1 1 − ( r / R1 ) 2

et O2 z 2 = O2C2 + C2 z 2 = R2 − R2 1 − ( r / R2 ) 2

242
Annexe 5 Focalisation acoustique

L’expression du déphasage induit par la lentille acoustique peut alors se développer en fonction des
nombres d’onde dans la lentille k l et dans le milieu de propagation k 0 , de l’épaisseur au centre de la
lentille e0 , des rayons de courbure algébriques amont R1 et aval R2 :

(
∆ϕ = ( kl − k0 ) el = ( kl − k0 ) O1O2 − O1z1 + O2 z 2 )
⇔ (( )(
∆ϕ = ( k l −k 0 ) e0 − ( kl − k 0 ) R1 − R1 1 − ( r / R1) 2 − R2 − R2 1 − ( r / R2 ) 2 )) (A5.2)

Il est intéressant alors de distinguer le terme invariant du déphasage ∆ϕ0 du terme dépendant de la
position radiale ∆ϕr :
∆ϕ = ∆ ϕ0 + ∆ ϕr avec ∆ϕ0 = ( kl −k 0 ) e0 ,

et (
∆ϕ r = ( k0 − k l ) R1 − R1 1 − ( r / R1 ) 2 − R2 + R2 1 − ( r / R2 ) 2 , ) (A5.3)

Le terme de variation de phase relativement à la référence située sur l’axe (en r = 0) est donné par
l’expression de ∆ϕr.

A5.2 Fonction de transfert

La correspondance entre les fonctions de transfert de focalisation géométrique Hg et acoustique Ha
permet d’établir une correspondance entre les deux méthodes. L’expression de la fonction de
transfert de focalisation permet sa prise en compte dans la formulation intégrale de Rayleigh
(Chapitre II) utilisée pour la propagation d’une source focalisée. Par commodité, le nombre d’onde
du milieu de propagation est dorénavant noté k au lieu de k 0 .

jkZ 0 e− jkR
p (r , z , k ) = ∫∫S R vn dS
2π

A5.2.1 Focalisation géométrique

Afin de caractériser l’effet d’une focalisation acoustique, la fonction de transfert résultant d’une
focalisation géométrique Hg est rappelée pour un rayon de courbure algébrique Rc. Dans ce cas, la
fonction de transfert s’exprime par un déphasage pur, et le rayon de courbure algébrique Rc doit
coïncider avec la distance focale F :
H g ( r ) = e + j ∆ϕ = e + jkz s (A5.4)

où (
z s = Rc 1 − 1 − ( r / Rc ) 2 )
et Rc = F
243
Focalisation acoustique Annexe 5

Ce type de focalisation a fait l’objet de nombreuses études dans le cadre du développement de

l’intégrale de Rayleigh [1-3].

A5.2.1.1 Intégrale de Rayleigh

La formulation axisymétrique de l’intégrale de Rayleigh permet de développer une expression pour
les géométries focalisées (concave ou convexe):
2π a
jkZ 0 e− jkR
soit p (r , z , k ) = ∫0 ∫0 R vnrs d rs dψ s pour une source axisymétrique (A5.5)
2π
avec Z0 l’impédance acoustique du milieu de propagation,
vn la vitesse normale à la surface de la source,

R= ( z − zs ) + r 2 + rs2 − 2rrs cos (ψ − ψ s ) la distance entre le point source et le point image,

2

respectivement de coordonnées cylindriques (rs, ψ s, zs) et (r, ψ, z).

Son développement avec les approximations usuelles de champ lointain et de source faiblement
focalisée permettent d’isoler le terme de déphasage induit par la focalisation.
Une formulation sans approximation de l’expression (A5.5) pour la pression dans l’axe, est :
a
− jk (z − z s ) + rs2 rs
p ( 0, z , k ) = jkZ 0 ∫ e
2

vn drs (A5.6)
0 ( z − z s ) 2 + rs2

A5.2.1.2 Développement limité du terme de distance

Dans le cadre de l’approximation de champ lointain, un développement limité au premier ordre
selon l’axe z (z – zs >> r et z – zs >> a), permet de décomposer l’écriture du terme de propagation en
plusieurs contributions :
r 2 + rs2 rr
R = z − zs + − s cos (ψ −ψ s )
2 ( z − z s ) z − zs

 r 2 + rs2 
2π − jk  (z −z s )+ 
2 ( z − z s )   krrs 
∫e
− jkR
soit dψ = 2π e 
J0  
0  z − zs 
Le terme de déphasage reste invariant lors de l’intégration angulaire, puisqu’il dépend uniquement
de la position radiale dans le cas d’une configuration axisymétrique. Ainsi, on obtient :
r 2 + rs2
a − jk  krrs  + jkz s rs
p ( r , z , k ) = jkZ0 e− jkz ∫ e
2( z − z s )
J0  e vn drs
0  z − zs  R

244
Annexe 5 Focalisation acoustique

Or, pour une focalisation géométrique, le déphasage induit (A5.4) s’exprime en fonction de la
position radiale r et de la distance focale F :

H g (r, k ) = e
+ j ∆ϕ r , g
=e + jkz s
=e
(
+ jkF 1− 1− (r /F )
2
)

 krrs  + jk ( F− )v
r 2 + rs2
a − jk F 2 − rs2 rs
p ( r , z , k ) = jkZ0e
2 ( z − zs )
∫e
− jkz
d’où J0  e dr . (A5.7)
 z − zs 
n
0
R s

Cette formulation approchée reste valable lorsque z – zs >> (r + a)/2, soit z – z s >> a/2 dans l’axe.
Dans le cas de la pression dans l’axe, l’expression (A5.7) obtenue est :

( )v
krs2
a −j
2 ( z − zs ) + jk F− F − rs rs
2 2

p ( 0, z , k ) = jkZ 0e− jkz ∫ e e n dr (A5.8)

0
R s

A5.2.1.3 Développement limité du terme de déphasage

Ø A partir de l’approximation de champ lointain (A5.8) :
En général, l’approximation d’une focale grande devant le rayon d’intégration est faite avec F >> rs,
ce qui permet d’effectuer l’approximation parabolique usuelle, simplifiant l’expression du terme de
déphasage :

rs2
z s = F − F 2 − rs2 ; (A5.9)
2F

( ) = e+ j kr2 F .
2
2 2
+ jk F− F − rs s

d’où Hl ( r , k ) = e

De plus, la contribution –z s au terme de distance selon z devient négligeable, et (A5.8) devient :

a krs2  1 1 
−j  −  rs
p ( 0, z , k ) = jkZ 0e − jkz
∫e
2 z F
vn drs .
0
R

Cette formulation a l’avantage d’être intégrable :

 − j krs  1 − 1  
2 2 2

∂ k 2rs F − z − j 2s  z − F  F − z − j 2s  z − F 

kr 1 1 kr 1 1

e 2  z F  = − j e = − jk e rs
∂rs   2 zF zF
 
En supposant alors v n indépendant de la position radiale et R > z on obtient :
a
 − j krs  1 − 1  
2

zF vn
p ( 0, z , k ) = jkZ 0e − jkz e 2  z F  
− jk ( F − z ) z   0

F  
ka2  1 1 
−j  − 
⇔ p ( 0, z , k ) = p0e − jkz
1− e 2 z F
 (A5.10)
F −z  
 

245
Focalisation acoustique Annexe 5

L’expression de la pression dans l’axe obtenue ici est la même que celle donnée par Lucas [2]. En
reprenant l’expression ci-dessus, et en notant de nouveau le terme de déphasage ∆ϕr (A5.3), on
montre que le terme de focalisation est donné par :
a a
F  − j kr2sz + j kr2 Fs  F  − j kr2sz + j ∆ϕr (rs ) 
2 2 2

p ( 0, z , k ) = − p0e − jkz
 e e  = − p e − jkz
e e 
F − z  F − z 
0
 0
 0

or ∆ϕ r ( 0 ) = 0 ,

F  
ka2
−j
p ( 0, z , k ) = p0 e 1 − e 2 z e r ( ) 
− jkz + j ∆ϕ a
d’où (A5.11)
F −z  

Ø A partir de l’expression exacte (A5.6) :

Un développement limité (z >> zs/2 et z2 >> a2 ) au numérateur :

( z − z s ) 2 + rs2 = z 2 + rs2 − zs ,

et au dénominateur :

( z − z s ) 2 + rs2 = z 2 + rs2

permettent d’effectuer une intégration par parties :

a a
  ∂∆ϕr , g  ∂vn  + j ∆ϕr ,g
p ( 0, z , k ) = −Z 0 e  − Z e − jk
0∫
− jk z2 + rs2 + j ∆ϕ r , g z2 + rs2
vne  j   vn + e drs (A5.12)
  0
0   ∂rs  ∂rs 

Cette formulation est intéressante car elle fait ressortir un second membre qui fait apparaître la
contribution du terme de déphasage dérivé par rapport à r, à la source du facteur de gain de
focalisation. Le second terme du second membre de (A5.12) fait ressortir l’influence d’un élément
d’intégration du second ordre (vitesse normale v n dérivée par rapport à r), généralement négligé
(hypothèse de vitesse normale v n constante) :

 − jk ( )v − jk ( ) ∂vn dr
a
F z 2 + rs2 − z s  a
z2 + rs2 − zs
p ( 0, z , k ) = −Z 0 e n − Z 0∫e (A5.13)
F −z ∂rs
s
 0 0

En effet, dans les conditions d’approximations décrites par Lucas [2], on retrouve bien le résultat
(A5.10) :

F  
2
ka2 a − j krs  1 − 1 
−j   ∂v
p ( 0, z , k ) = Z 0e − jkz
 vn (0) − e 2 z + j ∆ϕ r ( a )
e vn ( a)  − Z0 e ∫ e 2  z F  n drs (A5.14)
− jkz

F −z  ∂rs
 0

246
Annexe 5 Focalisation acoustique

La contribution du profil de la dérivée par rapport à r de la vitesse normale v n pour une source
focalisée a été isolée dans le membre de droite, et permet, le cas échéant de corriger la formulation
de Lucas pour un profil de vitesse normale variable selon la position radiale r.

A5.2.2 Focalisation acoustique

Pour ce qui est de la focalisation acoustique, de la même façon que pour une focalisation
géométrique, la fonction de transfert s’exprime par un déphasage. Cependant, le déphasage dépend
ici des propriétés acoustiques et géométriques de la lentille (A5.2) :
H a ( r ) = e+ j ∆ϕr

Cette fonction de transfert est intégrée sur la surface active du transducteur r ∈ [0, a] pour aboutir à
une correspondance entre la distance focale F et les paramètres acoustiques et géométriques de la
lentille (k l, el) et du milieu de propagation (k ), mais aussi en fonction des rayons (a, R1 , R2 ),
respectivement les rayons de la source, de courbure algébrique amont, et aval.
Par identification des termes de déphasage géométrique ∆ϕr,g et acoustique ∆ϕr après intégration
(A5.11), on trouve l’expression reliant la distance focale F pour une focalisation avec une lentille
acoustique de rayons de courbure amont et aval R1 et R2 :

(
∆ϕ r, g ( a ) = k F − F 1 − (a /F )2 ) (A5.15)

et (
∆ϕ r ( a ) = ( k − kl ) R1 − R1 1 − ( a / R1) 2 − R2 + R2 1 − ( a / R2 ) 2 ) (A5.16)

A5.2.2.1 Identification du terme de déphasage

Ø Formulation de la théorie des rayons :
Par une méthode de détermination du point d’équiphase au point focal de la lentille, la distance
focale Frayon est obtenue [4-6] :

2 R − ean 2
Frayon = (A5.17)
2 (1 − n )

avec R = 1/ (1/ R1 − 1/ R2 ) le rayon équivalent,

ea = R1 − R1 1 − ( a / R1 ) 2 − R2 + R2 1 − ( a / R2 ) 2 l’épaisseur de la lentille en r = a,

c0
et n= .
cl

247
Focalisation acoustique Annexe 5

Ø Formulation intégrée :
Par égalisation des termes de déphasage (A5.15) et (A5.16), la distance focale Fintégrée est obtenue :

( (1 − n ) e )
2
+ a2
=
a
Fintégrée (A5.18)
2 (1 − n ) ea

Ø Approximations :
Pour un rayon de courbure grand devant celui de la source Rc >> a, les approximations suivantes
peuvent être faites au niveau des numérateurs de (A5.17) et de (A5.18) :
2 R − ea n2 ; 2 R (A5.19)

( (1 − n ) e ) + a2 ; a 2
2
et a (A5.20)

De la même manière, un développement limité du retard de propagation za à la position radiale r = a

en fonction du rayon de courbure géométrique Rc au dénominateur de (A5.18) donne :
2
 a
Soit z a = R c − Rc 1 −   , (A5.21)
 Rc 

a2
d’où za = au premier ordre.
2 Rc
Les approximations (A5.20) et (A5.21) permettent d’écrire la formulation approchée :
R
Fapprochée = (A5.22)
1− n
Cette formulation approchée (A5.22) donne une très bonne estimation de la distance focale F pour
les configurations usuelles, pour lesquelles Rc/a > 2 (lignes en pointillés, Figure A5.3). Par contre,
pour les configurations fortement focalisées, la différence peut devenir significative. Les variations
des écarts de Fapprochée relativement aux formulations intégrée Fintégrée (Figure A5.3 (a)) et de la
théorie des rayons Frayon (Figure A5.3 (b)) sont du même ordre de grandeur.

248
Annexe 5 Focalisation acoustique

intégrée approchée rayon approchée

0.5 40 0.5 40
30
25
0.45 20 0.45
35

15

10

5
35 35

10
0.4 0.4
40

30 30

5
0.35 0.35

0.3 0.3
25 25
20
30
25

20
|1-n|

|1-n|

15
0.25 0.25
15

5
35

10

10
25
20 20
0.2 0.2

5
40

0.15 15 0.15 15

0.1 0.1

3035 40

20
30
25
20

10 10

15
0.05 0.05
5

10
15

10
35

25

5
5 5
1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8
R /a R /a
c c

(a) (b)

Figure A5.3 : Ecart relatif entre (a) la formulation intégrée Fintégrée et (b) celle de la théorie des
rayons Frayon avec celle approchée Fapprochée de la distance focale, en fonction de l’écart relatif des
vitesses |1−n| et du rapport entre le rayon de courbure et celui de la source Rc/a.

A5.2.2.2 Comparaison des expressions typiques

Les expressions de la théorie des rayons (A5.17), intégrée (A5.18),et approchée (A5.22) établissant
la correspondance entre rayon de courbure Rc et distance focale F pour des configurations typiques
de lentille sont synthétisées dans le Tableau A5.1 suivant :

Lentille R1 R2 Frayon Fintégrée Fapprochée

(( n − 1) z )
2
2 Rc − za n
2
a + a2 Rc
Biconvexe –Rc Rc 2 ( n −1)
4 ( n − 1) 4 ( n − 1) z a

2Rc − za n 2 ((1 − n ) z )
2
a + a2 Rc
Biconcave Rc –Rc 2 (1 − n )
4 (1 − n ) 4 (1 − n ) z a

2Rc − za n 2 (( n − 1) z )
2
a + a2 Rc
Convexe +∝ Rc 2 ( n − 1) 2 ( n − 1) z a n −1

2Rc − za n 2 ((1 − n ) z )
2
a + a2 Rc
Concave +∝ –Rc 2 (1 − n ) 2 (1 − n ) z a 1− n

Tableau A5.1 : Expressions exactes et approchées de la distance focale en fonction de la forme de

la lentille.

249
Focalisation acoustique Annexe 5

Bibliographie :
1. O'Neil H.T., Theory of focusing radiators. Journal of the Acoustical Society of America,
1949. 21(5): p. 516-526.
2. Lucas B.G., Muir T.G., The field of a focusing source. Journal of the Acoustical Society of
America, 1982. 72(4): p. 1289-1296.
3. Cathignol D., Sapozhnikov O.A., Zhang J., Lamb waves in piezoelectric radiator as a
reason for discrepancy between O'Neil's formula and experiment. Journal of the Acoustical
Society of America, 1997. 101(3): p. 1286-1297.
4. Golis M.J., An analysis of the ultrasonic zone lens. IEEE Transactions on Sonics and
Ultrasonics, 1968. 15(2): p. 105-110.
5. Yoon Y.J., Barthe P.G., Benkeser P.J., Variable-focus lens for ultrasound hyperthermia
applications. IEEE Proceedings of the Ultrasonics Symposium, 1990: p. 1661-1664.
6. Yoon Y.J., Benkeser P.J., Sound field calculations for an ultrasonic linear phased array
with a spherical liquid lens. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency
Control, 1992. 39(2): p. 268-272.

250
Annexe 6 Piézo-électricité et diagrammes de phase

ANNEXE 6 : PIEZO- ELECTRICITE ET DIAGRAMMES DE PHASE

Cette annexe a pour objectif de rappeler très brièvement d’une part les correspondances
entre les classes de symétrie et les structures cristallines. D’autre part, des diagrammes de phases
binaires et ternaires permettent de situer les structures cristallines pour des compositions typiques.

A6.1 Structure cristalline

Les matériaux sont regroupés selon leurs classe de symétrie (Annexe 1), elles-mêmes subdivisées en
sous-catégories décrivant la maille élémentaire :

32 classes de symétrie

21 non centro-symétriques 11 centro-symétriques

20 Piézo-électriques
Polarisés sous contraintes

10 Pyro-électriques
Polarisés spontanément

Ferro-électriques
Polarisation réversible

AB3 O6 ABO3 A4 B3 O12

Perovskite
Figure A6.1 : Relations entre les classes de symétrie et les sous-groupes piézo-électriques,
pyro-électriques, ferro-électriques, et structures cristallines [1].
251
Piézo-électricité et diagrammes de phase Annexe 6

Les différents sous-groupes imbriqués sont décrits (Figure A6.1), en passant par les matériaux
piézo-électriques, pyro-électriques et ferro-électriques, jusqu’aux structures cristallines existantes.
Ces structures cristallines permettent d’obtenir des propriétés piézo-électriques variables, et leur
combinaison permet de maximiser certaines caractéristiques. En particulier, la structure cristalline
perovskite ABO 3 possède de très bonnes propriétés piézo-électriques, d’autant plus qu’elle est en
limite de structure cristalline pyrochlore A2 B2 O7 :

(a) (b)

Figure A6.2 : Illustration des mailles élémentaires pour les structures cristallines de type
(a) perovskite cubique ABO3 et (b) pyrochlore A2 B2 O7 .

A6.2 Diagrammes de phase

La combinaison de plusieurs mailles élémentaires différentes permet d’obtenir des propriétés piézo-
électriques accrues et une permittivité diélectrique élevée. En particulier, la combinaison d’un
matériau relaxeur de type Pb(Zn1/3 Nb2/3 )O3 (PZN) ou Pb(Mg1/3 Nb2/3 )O 3 (PMN) avec une céramique
polycristalline de type PbTiO 3 (PT) ou PbZrO3 permet d’obtenir des coefficients de couplage
électro-mécanique élevés [2, 3]. Ces caractéristiques font de ces matériaux de bons candidats pour
les transducteurs destinés aux applications médicales.

252
Annexe 6 Piézo-électricité et diagrammes de phase

(a) Shrout [2] (b) Park [3]

Figure A6.3 : Diagramme de phase typique pour un système (a) binaire relaxeur-PT [2]
(b) ternaire relaxeur-PZ-PT [3].

La structure cristalline de la composition obtenue dépend directement de la fraction volumique de

relaxeur, de la température et éventuellement des autres constituants en présence. Cette structure
conditionne les performances du matériau piézo-électrique finalement polarisé. Ainsi, les
performances piézo-électriques optimales se situent à la limite entre deux phases, appelée limite de
phase morphotropique (morphotropic boundary, MPB). Cette dernière est déterminée par l’étude
des diagrammes de phase binaires, qui peuvent être complexifiés à souhait avec l’ajout d’autres
constituants. Pour illustration, les diagrammes de phase du PZT (Figure A6.4 (a)), du PMN-PT
(Figure A6.4 (b)) et du PZN-PT (Figure A6.4 (c)) ont été extraits des travaux de La-Orauttapong et
al. [4] et Noheda et al. [5].

(a) La-Orauttapong et al. [4] (b) La-Orauttapong et al. [4] (c) Noheda et al. [5]

Figure A6.4 : Diagrammes de phase binaires du (a) PZT [4], (b) PMN-PT [4], (c) PZN-PT [5].

253
Piézo-électricité et diagrammes de phase Annexe 6

Comme l’illustrent les diagrammes de phases (Figure A6.4), les phases cubique (C), rhomboédrique
(R), et tétragonale (T) obtenues sont bien réparties comme le décrit la Figure A6.3 (a). Par ailleurs,
entre les phases R et T, on observe une phase dite monoclinique de transition, notée MA pour le
PZT, MC pour le PMN-PT, et O pour le PZN-PT [5]. Les réorganisations cristallines et
réorientations de direction de polarisation qui résultent de ces phases monocliniques sont décrites
par Shirane et Gehring [6]. Les propriétés piézo-électriques sont optimisées au sens de la
conversion électro-mécanique (Annexe 1). Elles dépendent de la direction de polarisation choisie et
de sa stabilité dans le temps. Les phases monocliniques sont obtenues à température ambiante
(Figure A6.4, autour de T = 300°K) avec 46 à 48 % de PT pour le PZT, 31 à 33 % de PT pour le
PMN-PT, et 9 à 10 % de PT pour le PZN-PT.

Bibliographie :
1. Gu H., Processing of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 by a novel coating approach. Ph.D.
Thesis, Drexel Univerity, Drexel, 2003: p. 1-153.
2. Shrout T.R., Eitel R., Zhang S., Randall C., Alberta E., Rehrig P., Recent developments in
transition temperature (Tc) perovskite crystals. IEEE Proceedings of the Ultrasonics
Symposium, 2003: p. 774-777.
3. Park S.E., Shrout T.R., Characteristics of relaxor-based piezoelectric single crystals for
ultrasonic transducers. IEEE Transactions on Ultrasonics Ferroelectrics and Frequency
Control, 1997. 44(5): p. 1140-1147.
4. La-Orauttapong D., Noheda B., Ye Z.G., Gehring P.M., Toulouse J., Cox D.E., Shirane G.,
Phase diagram of the ferroelectric-relaxor (1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3. Physical
Review B, 2002. 65: p. 1-7.
5. Noheda B., Cox D.E., Shirane G., Gao J., Ye Z.G., Phase diagram of the ferroelectric-
relaxor (1-x)PbMg1/3Nb2/3O3-xPbTiO3. Physical Review B, 2002. 66(5): p. 1-10.
6. Shirane G., Gehring P.M., Structure and dynamics of the ferroelectric relaxors
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 and Pb(Zn1/3Nb2/3)O3. Journal of the American Ceramic Society,
2002: p. 1-19.

254