MODULE 3 : LES RESISTORS, LES DIODES, LES TRANSISTORS ET PORTES LOGIQUES Compétences:-Représenter symboliquement un transistor bipolaire

Leçon 3 : LES TRANSISTORS -Lire et utiliser le réseau de caractéristiques d’un transistor bipolaire
Prérequis : Notion de circuit électrique ; les diodes. -Réaliser des montages utiles mettant en jeu un transistor.
Grain pédagogique : Le transistor, principe de base.
Questions sur la vidéo :Quelle est la configuration électronique du lithium?Du fluor?Comment se répartissent les charges lorsqu’il est bloqué?

Compétences Contenu Activités Evaluation

de base Enseignement / Apprentissage
Professeur Elève
Séance 1 : LES TYPES DE TRANSISTOR : DESCRIPTION ET SYMBOLE NORMALISES
1- DEFINITION ET FONCTION Questions
Le transistor est un composant électronique à semi-conducteur qui ne laisse passer Action mené par Réponse de posées par
un courant entre l’émetteur et le collecteur que lorsque la base est soumise à un l’enseignant l’élève à la l’enseignant
courant. Il remplit deux fonctions fondamentales en électronique ; celle
Représenter pour éclaircir question sur les pré
d’amplificateur de courant et de commutateur (interrupteur). Les transistors
symboliquem chaque posée acquis du
peuvent être aux siliciums ou au germanium.
ent un 2- LES TYPES DE TRANSISTORS paragraphe du grain
transistor On distingue deux grandes familles de transistor : les transistors bipolaires et résumé pédagogique
bipolaire les transistors à effet de champ.
*Le transistor bipolaire Exercices
Il est constitué de deux jonctions, une P et l’autre N ; très proche l’une de l’autre. Ils Solution de d’application
sont dits bipolaire parce qu’ils emploient deux types de charges : négative (les l’exercice à résoudre
électrons) et positive (les trous). d’application par l’élève
Le transistor bipolaire possède trois zone N-P-N ou P-N-P et chaque zone est reliée à résolu par
une électrode (base B, émetteur E, collecteur C). Des trois électrodes, la base est la l’élève
plus mince. Le transistor bipolaire est commandé à partir de sa base par un courant.
Reference du
Illustration PNP :
devoir à faire
à la maison
Lire et utiliser
On peut aussi disposer de deux zones N et une zone P à la base. On obtient alors NPN.
le réseau de
Schéma normalisé.
caractéristiqu
es d’un
transistor
bipolaire

Représentation des courants et tension pour un NPN (le plus répandu)

Ic – courant du collecteur
Ib – courant de base
Ie – courant à l’émetteur
Loi des nœuds : Ie = Ib + Ic
Loi d’additivité des tensions VCE = VCB + VBE

Remarque : Pour le symbole ; la différence entre les NPN et le PNP est qu’avec le
NPN, la flèche du courant à la base est entrant et celui de PNP est sortant à la base.
De plus les tensions et courant sont positifs dans les transistors NPN et négatif dans
les transistors PNP
*Les transistors à effet de champ (TEC)
Le transistor à effet de champ (TEC) ou FET (Fiel Effet Transistor en anglais) est un
composant à semi-conducteur qui utilise sur la borne d’entrée, afin de contrôler le
courant qui le traverse. Le transistor à effet de champ est donc commandé en tension.
Dans sa disposition on a trois bornes de connexion. (Électrode) selon une
terminologie qui lui est propre.
-La source qui est une électrode qui injecte les porteurs dans la structure.
-Le drain (Drain en anglais) qui recueille les porteurs
-La grille (Gate en anglais) où est appliquée la tension de commande.
 En plus des trois électrodes, on a le canal (N ou P) qui est un barreau semi-
conducteur ; on a alors les :
-Transistor à effet de champ à canal N (N – channel FET) et
-Transistor à effet de champ à canal P (P – channel FET).
Le transistor à effet de champ est un dispositif unipolaire qui dépend uniquement de
la conduction des électrons ou des trous. Les deux principaux FET sont :
-Le JFET (Junction Field Effet Transistor)
Réaliser des -Le MOSFET (Metal Oxyde Semi-conductor Field Effet Transistor)
montages
utiles
mettant en
jeu un
transistor.
Photos images des transistors bipolaire et FET
*Le JFET
Schéma de principe

Le canal peut être de nature N ou P

A canal N, il est dopé par les donneurs et la conduction est donnée par le flux de
porteurs majoritaires ; soient les électrons.
A canal P, il est dopé par les accepteurs et la conduction se fait par les trous
Symbole des JFET à canal N et P
*Le MOSFET
Il diffère du JFET par l’absence d’une jonction entre la grille et le canal semi-
conducteur. En effet, une couche mince de métal + oxyde isole la grille du canal.
Deux structures sont possibles suivant le type de substrat. On distingue :
-NMOSFET ou MOS à canal N ou NMOS, ou une substrat P, de source et de drain N
-PMOSFET ou MOS à canal P ou PMOS pour une substrat N, de source et drain de type
P.
Illustration des deux structures MOSFET

On classe les PMOS et NMOS en trois selon le fonctionnement de canal.

-Canal à déplétion ou à appauvrissement
-Canal à enrichissement sous l’effet de la tension.
-Canal combiné (enrichissement et appauvrissement)
Symbole de deux configurations du MOSFET

Transistor à effet de champ à appauvrissement

 Transistor à effet de champ MOS à enrichissement
Séance 2 : CARACTERISTIQUE D’UN TRANSISTOR BIPOLAIRE
1- PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
Considérons le montage suivant

Initialement, EB est polarisé en direct donc est passant, mais BC en inverse donc
bloqué. Le courant circule de E – B à travers D1 appelé Ib.
Lorsqu’un transistor bipolaire de type NPN reçoit un courant Ib par sa base, la
jonction NP devient passante et PN bloqué. Ainsi le potentiel VBE devient quasi nulle.
Selon la loi d’additivité des tensions
VCE = VCB + VBE comme VBE ≈ 0 on a :
VCE = VCB. Les électrons au niveau de l’émetteur seront fortement attirés par le
collecteur, ce qui va entrainer un important courant au niveau du collecteur : c’est ce
qu’on appelle effet transistor.
La tension UCE va donc diminuer pour devenir très faible. Ainsi la jonction BC
cessera d’être polariser en inverse et l’effet transistor décroît rapidement. On parle
dans ce cas de la saturation du transistor et VCE ≈ VCEsat. Le transistor se comporte
alors comme un contact (interrupteur) qui s’ouvrira à l’annulation du courant dans la
base.
2- CARACTERISTIQUE D’UN TRANSISTOR
Les caractéristiques statiques d’un transistor bipolaire sont :
*La caractéristique d’entrée.
UBE = f(IB) tracer avec UCE constante.
*La caractéristique de sortie.
IC = f(IB) tracée à tension UCE constante.
*La caractéristique de sortie
IC = f(UCE) tracée à l’intensité IB constante.
Pour un transistor on a 4 grandeurs caractéristiques :
-Deux d’entrées IB et UBE
-Deux de sorties IC et UCE
NB : les fonctions sont très sensibles à la température. Ainsi pour soutenir les
caractéristiques à température constante, il faut des intensités et des tensions très
faibles.
Allure des caractéristiques

Analyse des caractéristiques

-Entrée : IB = f(UBE), lorsque UBE est inférieur à une valeur 𝑼𝑩𝑬𝟎 , le transistor est
bloqué et se comporte comme un interrupteur ouvert (pour les diodes au
silicium𝑼𝑩𝑬𝟎 = 𝟎. 𝟔𝑽 et pour les diodes au germanium 𝑼𝑩𝑬𝟎 = 𝟎. 𝟐𝑽)
-Caractéristique de transfert : est linéaire donc IC est proportionnelle à IB. Le
coefficient de proportionnalité est noté β et est appelé coefficient d’amplification
statique en courant ou gain en courant du transistor.
On a la relation IC = β.IB
Dans le catalogue des constructeurs, on le note 𝑯𝒇𝒆.
La valeur de β varie de 30 à 300
*Pour 100 < β < 300 : le transistor est dit petits signaux
*Pour 30 < β < 100 : le transistor est dit de puissance.
-Caractéristique de sortie : IC = f(UCE) ; IB = constante. En pratique pour chaque valeur
de IB on a une caractéristique.
*Pour IB = 0 on a une région de coupure ;
*Pour IB ≠ 0 mais constante, on a la région de saturation ;
*Lorsque UCE dépasse quelques dixièmes de volt, IC devient mois important, c’est la
zone active
*Vers 40V le transistor sera détruit par échauffement : c’est la zone de claquage
Lorsqu’on représente les 3 caractéristiques sur un graphique à 4 quadrants :
on parle de réseau de caractéristique du transistor.
Remarque :
-La pente de IB = f(UBE) est appelé résistance différentielle de la diode d’entrée.
-La pente de IC = f(IB) est le gain de courant.
-La pente de IC = f(UCE) est l’admittance.
-La puissance d’un transistor est donnée par P = [Link], sa valeur ne doit pas déborder
la puissance maximale selon la caractéristique.
Séance 3 : UTILISATION DU TRANSISTOR
1-UN TRANSISTOR EN COMMUTATION
Il est utilisé afin d’ouvrir ou de fermer un circuit. Il peut être utilisé pour commander
une LED, un moteur. Le transistor est dans ce cas un interrupteur commandé soit par
un courant (transistor bipolaire) soit par une tension (transistor à effet de champ).
Le montage du transistor est alors décomposé en deux circuits : le circuit de
commande ou circuit d’entrée et le circuit commute ou de sortie ou commandé.
Le transistor à deux états possibles :
*Bloqué lorsque IC = 0 ; UBE < UBE0

*Saturé IB ≠ 0 ; UBE > UBE0

Exemple de commande d’une LED par un transistor

On donne
RC = 50Ω
VCC = 9V
VCEsat = 0.2V
VBE = 0.7V
UOH = 3.5V
200 < β < 300

Déterminer RB pour protéger la base du

transistor lors de la saturation. On rappelle
𝐼
que 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 = 𝛽 𝐶 . On suppose la LED idéale.
𝑚𝑖𝑛

Solution :
Au circuit de sortie, on a :
VCC = VCEsat + ULED + URC Or ULED ≈ 0 en conduction si LED idéale
On a VCC = VCEsat + URC or URC = RCIC selon loi d’ohm
𝑉 −𝑉
On a : VCC = VCEsat + RCIC ⟹RCIC = VCC – VCEsat ⟹ 𝐼𝐶 = 𝐶𝐶 𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
𝑅𝐶
9−0.2
On a : 𝐼𝐶 = 50
= 0.176𝐴 ≈ 0.18𝐴. IC = 0.18A
Calculons IBsat
𝐼 0.18
On a : 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 = 𝐶 ; βmin = 200 ⟹ 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 = = 0.0009𝐴 ; IBsat = 0.0009A
𝛽𝑚𝑖𝑛 200
Au circuit d’entrée on a :
UOH = URB + VBE or URB = [Link] ⟹UOH = [Link] + VBE ⟹[Link] = UOH – VBE
𝑈 −𝑉 3.5−0.7
⟹ 𝑅𝐵 = 𝑂𝐻 𝐵𝐸 ⟹ 𝑅𝐵 = ; RB = 3100Ω ; RB = 3.1kΩ
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 0.0009
2-TRANSISTOR EN AMPLIFICATEUR DE COURANT
𝑰𝑬 = 𝑰𝑩 + 𝑰𝑪
Des relations {
𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩
On a : 𝑰𝑬 = 𝑰𝑩 + 𝑰𝑪 = 𝑰𝑩 (𝜷 + 𝟏)
Comme β est très grand devant la valeur 1, on a : 𝑰𝑬 = 𝜷𝑰𝑩
Donc à travers un courant faible, on peut alimenter un dispositif qui demande un
courant plus important en branchant à l’émetteur de ce dernier.