TD N°1 : INTRODUCTION AUX MATERIAUX SEMICONDUCTEURS ET DIODES

- PREPARATION DU TP N°1

Une diode est formée de matériaux semiconducteurs. Elle est formée par la juxtaposition de
deux morceaux de semiconducteurs dopés N et P.

1) Citez des matériaux semiconducteurs à l’aide de l’annexe 1 et localiser ces matériaux

dans le tableau périodique (annexe 2).
2) Qu’est-ce que la largeur de bande interdite ou « gap » des matériaux semiconducteurs ?
Donner le diagramme de bande d’un semiconducteur intrinsèque. Trouver le « gap » ou
« energy bandgap » de différents éléments sur l’annexe 3.
3) Quels sont les particularités des matériaux semiconducteurs ?
4) Quelle est la différence entre le dopage de type N et celui de type P ?
5) Donne le diagramme de bande d’un semiconducteur dopé P et d’un semiconducteur N.

Un schéma d’une jonction PN (Figure 1.a) accompagné de son diagramme de bande à

l’équilibre thermodynamique (Figure 2.b) associé est montré sur la Figure 1.
a) b)
E
type P Ec
type N
qVbi

EF
Ev

P N x
x

Figure 1. a) schéma de la jonction PN. b) Diagramme énergétique de la jonction à l’équilibre

thermodynamique.

Le niveau de Fermi restant constant dans le matériau, il apparaît alors une barrière de potentiel
(Vbi) empêchant les électrons majoritaires de la zone dopée N de diffuser vers la zone P et
inversement. Cette barrière de potentielle peut s’exprimer alors sous la forme :

𝑘𝑇 𝑁𝐷 𝑁𝐴
𝑉𝑏𝑖 = 𝑙𝑛 ( ) équation 1
𝑞 𝑛𝑖 2

où k est la constante de Boltzmann (1,381.10-23 J/K) T la température (K), q la charge

élémentaire de l’électron (1,602.10-19C), ND le dopage de la zone N (en cm-3), NA le dopage de
la zone P (en cm-3). ni est la concentration de porteurs intrinsèques (en cm-3) du semiconducteur.
ni dépendra donc du matériau utilisé.

6) Calculer l’énergie thermique kT pour T = 300°K en eV. Que vaut alors la tension
thermiques kT/q ?
7) Trouver la concentration de porteurs intrinsèques pour le Ge, GaAs et silicium dans
l’annexe.
8) Que vaut Vbi pour ces trois semi-conducteurs si NA = ND = 1016 /cm3 ?
9) Que vaut Vbi pour ces trois semi-conducteurs si NA = 1016 /cm3 et ND = 1018 /cm3 ?
10) Conclure quant à l’influence du dopage sur cette tension.
 11) Calculer Vbi pour ces différents matériaux

Données à températures Ambiantes

Matériau Gap ni (cm-3)  (cm-3) ND (cm-3) Vbi (V)
(eV)
Diode 1 In0.3Ga0.7N 2,4 1.10-3 1.1018 1.1017
Diode 2 Silicium 1.12 1.1010 1.1018 1.1017
Diode 3 In0.15Ga0.85N 2,8 2,4.10-6 1.1017 1.1017
Diode 4 Silicium 1.12 1.1010 1.1017 1.1016
Diode 5 AlGaAs 2 1,5.102 1.1017 1.1017

12) Pour les LEDs, la relation entre la longueur d’onde émise et le Gap du matériau est :
EG = h.c/ où h est la constante de planck, c la vitesse de la lumière et  la longueur
d’onde. On peut aussi écrire EG = 1240 / où  sera la longueur d’onde en nm. Calculer
pour les matériaux associés aux LEDs (Diodes 1, 3 et 5) la longueur d’onde émise et en
déduire la couleur associée à la LED.

Pour former une diode à partir d’une jonction PN, deux contacts métalliques sont rajoutés de
part et d’autre de la jonction (Figure 2.a). En appliquant une tension aux bornes de la diode et
en mesurant le courant résultant, on obtient alors la caractéristique Id-Vd de la diode dont l’allure
générale est donnée sur la Figure 2.b.

a) b)

type P type N Id
140
Métal
Métal

100

60

20

Vd
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 Vd
Id

Anode Cathode

Figure 2 a) Schéma d’une diode. b) Caractéristique générale courant /tension classique d’une
diode.

On voit d’après ce graphique que la diode est un composant asymétrique et qu’il ne va laisser
passer le courant que dans un sens, et donc permettre des fonctions comme le redressement de
tension par exemple.

Sur la caractéristique (Figure 3), on peut observer différentes zones :

 Id
140

100 Zone linéaire

60

20

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1

Vd

Courant de saturation inverse: Zone de coude

Courant très failble et ~constant (augmentation
exponentielle
du courant)

Figure 3. Caractéristique Id-Vd d’une diode

a) La zone dite « de coude » : on retrouve dans cette partie la variation du courant dans la
jonction PN en fonction de la tension. Cette variation est exponentielle et peut
s’exprimer sous la forme :

𝑉
𝐼𝑑 = 𝐼𝑠 [𝑒𝑥𝑝 (𝜂𝑉𝑑 ) − 1] équation 2
𝑇

Où IS est le courant de saturation inverse (très faible). VT = kT/q = 0,025V à 20° C et

 est un facteur d’idéalité, généralement compris entre 1 et 2.

Dans cette zone, Is étant très faible, on peut faire l’approximation que :
𝑉
𝐼𝑑 = 𝐼𝑠 . 𝑒𝑥𝑝 (𝜂𝑉𝑑 ) équation 3
𝑇

b) La zone linéaire : la tension augmente et le courant devient fort. La résistance interne

(semiconducteur / contacts) de la diode devient prépondérante. Le comportement est
alors linéaire de la forme :

Vd = V0 + Rd. Id. équation 4

V0 est alors définie comme la tension de seuil ( en Volt) de la diode et Rd, sa résistance
interne (en ).

La puissance dans la diode ne doit alors pas dépasser la valeur maximale

Pmax= Vd,[Link],max autorisée par le constructeur.

c) La zone inverse : La formule du 1) est toujours valable. La tension étant négative, le

terme dans l’exponentielle devient négligeable et on a alors Id ~ -IS.
Même s’il est faible, le courant de saturation est un terme très important pour les diodes
et il peut s’exprimer de la manière suivante :
𝑛𝑖2 𝑛𝑖2
𝐼𝑆 = 𝐴. + 𝐵. équation 5
𝑁𝐴 𝑁𝐷
 Où A et B sont des paramètres liés au matériau.

Si la tension diminue à des valeurs importantes, le courant en inverse peut alors prendre
des valeurs importantes, soit par effet avalanche (destruction de la diode / claquage),
soit par un effet contrôlé et réversible appelé effet Zener.

Sur l’annexe 5, la caractéristique mesurée d’une diode électroluminescente verte est donnée

13) Identifier la partie linéaire, et la zone de coude.

14) Déduire de la partie linéaire :
a. V0, la tension de seuil, et
b. Rd, la résistance interne de la diode.
15) Déduire de la zone de coude :
a. Le courant de saturation IS
b. Le facteur d’idéalité de la diode.
 Annexe 1 :

Qu’est-ce qu’un semiconducteur ?

Si fortement dopé
Si non dopé
*

| Isolant →| Semiconducteur → |  conducteur |

* Résistivité = 1/conductivité
Annexe 2 :
Annexe 3
Annexe 4 :

Quelques constants physiques

Constante de Planck h = 6.63 × 10-34J s
Vitesse de la lumière c = 3 × 108 m/s
Constante de Boltzmann k = 8.617 × 10-5 eV/K
Masse de l’électron m0 = 9.11 × 10-31 kg
Charge de l’électron q = 1.60 × 10-19 C
Permittivité du vide ε0 = 8.85 × 10-12 F/m
Nombre d’Avogadro NA=6,02*1023 [Link]-1

Quelques formules utiles:

Énergie = hν = hc/λ
où ν est la fréquence (s-1) et λ est la longueur d’onde (m).
Energie cinétique E = (1/2) m v2 où v est la vitesse (m.s-1).

1 C × 1 V = 1 J (Note: L’énergie acquise par un électron passant une différence de potentiel de 1 V est
égale à 1.6 × 10-19 J. Cette quantité d’énergie est équivalente à 1 eV).
Annexe 5 : Exemple de courbe I-V d’une LED verte

Id en fonction de Vd
14

12

10
Id (mA)

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
Vd(V)

Id - Vd
14

12

10

8
Id(mA)

0
2,65 2,7 2,75 2,8 2,85 2,9 2,95
Vd (V)

Id - Vd (échelle log)
1
1,95 2 2,05 2,1 2,15 2,2 2,25 2,3

0,1

0,01

0,001

0,0001