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Exercice sur les transistors bipolaires

Le document présente des exercices sur les transistors bipolaires, incluant des calculs de courant et d'équivalents de Thévenin. Il aborde également l'étude statique et dynamique des montages, ainsi que des questions sur les gains en tension et les résistances d'entrée et de sortie. Les exercices sont destinés aux étudiants de l'Université 8 Mai 1945 Guelma dans le cadre d'un cours d'électronique fondamentale.

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Exercice sur les transistors bipolaires

Le document présente des exercices sur les transistors bipolaires, incluant des calculs de courant et d'équivalents de Thévenin. Il aborde également l'étude statique et dynamique des montages, ainsi que des questions sur les gains en tension et les résistances d'entrée et de sortie. Les exercices sont destinés aux étudiants de l'Université 8 Mai 1945 Guelma dans le cadre d'un cours d'électronique fondamentale.

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Electronique fondamentale1 : TD4 Transistors bipolaires

TD4 : Transistors bipolaires


Exercice 1 :
Soit les montages de polarisation d'un transistor représentés ci-dessous. On donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉,
𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉, 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω, 𝑅𝐵 = 220 𝑘Ω , 𝑅𝐸 = 110 Ω.

1. Pour chacun des trois montages, calculer le courant 𝐼𝐶 pour 𝛽 = 100 puis pour 𝛽 = 300.
2. Quel est le montage le moins sensible aux variations de 𝛽 ?

Exercice 2 :
La figure ci-dessous représente un circuit de polarisation du transistor NPN par deux résistances
de base. On donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉, 𝑅𝐵1 = 6.8 𝑘Ω , 𝑅𝐵2 = 2.2 𝑘Ω, 𝑅𝐶 = 3 𝑘Ω
et 𝑅𝐸 = 2 𝑘Ω.

1. Faire la transformation du circuit de polarisation vu de la base du transistor en son


équivalent de Thévenin et calculer 𝐸𝑡ℎ et 𝑅𝑡ℎ .
2. Calculer le courant 𝐼𝐶 pour 𝛽 = 100 et 𝛽 = 300. Conclure.

2ème ST (S3) Université 8 Mai 1945 Guelma Page 1


Electronique fondamentale1 : TD4 Transistors bipolaires

Exercice 3 :
Soit le montage ci-dessous. 𝑉𝐸 est un signal rectangulaire périodique d’amplitude 0/+5V. On
donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.6 𝑉, 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.1 𝑉, 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω , et 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 100.
1. Calculer la valeur maximale de 𝑅𝐵 (𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 ) qui permet de saturer le transistor lorsque
𝑉𝐸 = 5 𝑉.
2. Pour garantir la saturation du transistor, on applique à 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 un coefficient de
sursaturation 𝑘 = 2. En déduire la valeur de 𝑅𝐵 dans ce cas. Choisir une valeur
normalisée pour 𝑅𝐵 parmi les valeurs de la série 𝐸24.

IC

RC

RB C
IB B VCC

VE E

Exercice 4 :
On considère le montage ci-dessous : 𝜌 → ∞

I. Etude statique
1. Donner le schéma équivalent du montage en régime statique.
2. On néglige 𝐼𝐵 devant 𝐼𝐶 . Donner l’équation de la droite de charge statique. Tracer cette
droite.
II. Etude dynamique
1. De quel montage s’agit-il ? Justifier.
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Electronique fondamentale1 : TD4 Transistors bipolaires

2. Donner le schéma équivalent de ce montage dans le domaine des petits signaux aux
fréquences moyennes.
3. Déterminer l’expression du gain en tension (𝐴𝑣 ). En déduire l’expression du gain en
tension à vide (𝐴𝑣0 ).
4. Déterminer les expressions de la résistance d’entrée (𝑅𝑒 ) et la résistance de sortie (𝑅𝑠 ) du
montage.
5. Donner un schéma équivalent du montage comprenant 𝐴𝑣0 , 𝑅𝑒 , et 𝑅𝑠 .
6. En utilisant le schéma de la question 5 :
a) Déterminer l’expression de 𝑣𝑒 en fonction de 𝑒𝑔 , 𝑅𝑔 et 𝑅𝑒 . On cherche à minimiser
l’influence de 𝑅𝑔 sur 𝑣𝑠 , quelle condition doit satisfaire 𝑅𝑒 ?
b) Déterminer l’expression du gain en courant (𝐴𝑖 ) en fonction de 𝑅𝑒 , 𝑅𝐿 et 𝐴𝑣 .
7. On enlève le condensateur 𝐶𝐸 :
a) Donner le schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux
fréquences moyennes.
b) Déterminer le gain en tension 𝐴𝑣2 ainsi que les impédances d’entrée 𝑅𝑒2 et de sortie
𝑅𝑠2 .
c) Conclure.

Exercice 5 :
On considère l’amplificateur de la figure suivante. On donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.6 𝑉, et
𝛽 = 300.

I. Etude statique
On désire avoir un point de fonctionnement : (𝑉𝐶𝐸0 = 6 𝑉, 𝐼𝐶0 = 3 𝑚𝐴).
1. Donner le schéma équivalent du montage en régime statique.
2. Calculer les valeurs des résistances 𝑅𝐸 et 𝑅𝐵 .
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II. Etude dynamique


1. De quel montage s’agit-il ? Justifier.
2. Donner le schéma équivalent du montage dans le domaine des petits signaux aux
fréquences moyennes.
3. Déterminer l’expression du gain en tension 𝐴𝑣 .
4. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒 du montage vue par le générateur
(𝑒𝑔 , 𝑅𝑔 ).
5. Déterminer l’expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠 du montage vue par la résistance 𝑅𝐿 .

Exercice 6 :
Considérons le montage amplificateur suivant. Les condensateurs se comportent comme
des courts-circuits à la fréquence de travail considérée.

1. Dessiner le schéma équivalent aux petites variations du montage.


2. Donner l’expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒2 de l’étage T2 ainsi que son gain en
tension 𝐴𝑣2 .
3. Donner l’expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒1 de l’étage T1 ainsi que son gain en
tension 𝐴𝑣1 .
4. Donner l’expression de la résistance d’entrée 𝑅𝑒 du montage complet ainsi que son gain
en tension 𝐴𝑣 .
5. Donner l’expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠1 de l’étage T1.
6. Donner l’expression de la résistance de sortie 𝑅𝑠 du montage complet.

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