Scribd
Importer
15 vues1 page

Propriétés des semi-conducteurs intrinseques

Le document présente un TD sur les semi-conducteurs intrinsèques, incluant des constantes physiques et des paramètres pour le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium. Il propose des exercices de calculs concernant le niveau de Fermi, les densités de porteurs intrinsèques et les énergies de la bande interdite à différentes températures. Les résultats des calculs sont attendus pour analyser les propriétés des matériaux semiconducteurs.

Transféré par

hamza
Copyright
© All Rights Reserved
Nous prenons très au sérieux les droits relatifs au contenu. Si vous pensez qu’il s’agit de votre contenu, signalez une atteinte au droit d’auteur ici.
Formats disponibles
Téléchargez aux formats PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd
15 vues1 page

Propriétés des semi-conducteurs intrinseques

Le document présente un TD sur les semi-conducteurs intrinsèques, incluant des constantes physiques et des paramètres pour le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium. Il propose des exercices de calculs concernant le niveau de Fermi, les densités de porteurs intrinsèques et les énergies de la bande interdite à différentes températures. Les résultats des calculs sont attendus pour analyser les propriétés des matériaux semiconducteurs.

Transféré par

hamza
Copyright
© All Rights Reserved
Nous prenons très au sérieux les droits relatifs au contenu. Si vous pensez qu’il s’agit de votre contenu, signalez une atteinte au droit d’auteur ici.
Formats disponibles
Téléchargez aux formats PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd

Electronique MASTER_PI_2023 Pr FARES

TD N°1 : SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES


Constantes Physiques :
Constante de Boltzmann: k = 1.38 x 10-23 J/K = 8.62 x 10-5 eV/K
Charge de l’électron: q = 1.602 x 10-19 Coulomb
Masse de l’électron libre: m0 = 9.11 x 10-31 kg = 5.69 x 10-16 eV s2 cm-2
Constante de Planck: h = 6.625 x 10-34 J.s = 4.134 x 10-15 eV.s
Densités de porteurs intrinsèques dans un semi-conducteur
Les paramètres Eg, me* et mh* pour le silicium, le germanium et l’arséniure de gallium sont donnés
dans le tableau suivant.
Paramètre Symbole Ge Si GaAs

Energie de bande interdite à 300 K Eg [eV] 0.66 1.12 1.43

Masses effectives des électrons me* / m0 0.55 1.08 0.067

Masses effectives des trous mh* / m0 0.37 0.81 0.45

La largeur de la bande interdite des trois matériaux semiconducteurs varie avec la température
suivant la loi de Varshni. Les paramètres sont donnés dans le tableau suivant :
Eg0 (à T=OK) A B
Si 1.166 4.73x10 -4
636
Ge 0.7437 4.77x10-4 235
GaAs 1.519 5.41x10-4 204

1- A 300K, calculez la position du niveau de Fermi intrinsèque Ei, dans le GaAs, le Si, et le Ge. On
note R, le rapport (en %) entre {Ei – [(Ec + Ev)/2]} et Eg pour les trois matériaux. Pour quel
matériaux cet écart relatif vis-à-vis du milieu du gap est-il le plus important ?
2- Calculez les valeurs de NC et NV pour Ge, Si et GaAs à 100 K, 200K, 300K, 500K et 1000 K.
3- Calculez les énergies de la bande interdite pour Ge, Si et GaAs à 100 K, 200K, 300K, 500K et
1000 K.
4- Calculez les densités de porteurs intrinsèques pour les 3 semi-conducteurs à ces mêmes
températures.
5- Représentez les caractéristiques Ln (ni/T1,5) en fonction de (1000/T) pour des températures
variant de 100 K à 1000 K. Calculez les pentes p de chaque courbe. Quel paramètre peut-on extraire
à partir des valeurs obtenues ?
Pour les questions 6 et 7 on néglige les variations de Eg avec la température.
6- Calculer les densités de porteurs intrinsèques pour le silicium à ces mêmes températures.
7- Représentez la caractéristique Ln (ni) en fonction de (1000/T) pour des températures variant de
100 K à 1000 K. Calculez la pente p’ de cette courbe et vérifiez si cette pentes permet d’extraire une
valeur approchée de Eg.

Vous aimerez peut-être aussi