chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

CHAPITRE IV

SIMULATION DES EFFETS DES IRRADIATIONS PAR ELECTRONS A L’AIDE

DU SIMULATEUR DE DISPOSITIFS ATLAS

1. Introduction
Nous proposons ici une méthode de simulation des effets induits par irradiations aux
électrons sur l’IGBT en utilisant le simulateur de dispositif 2D ATLAS II (version PISCES de
SILVACO). Les effets de l’irradiation sont modèlisés par l’introduction de défauts dans
toutes les couches de la structure simulée en précisant leurs niveaux d’énergie, leurs densités
et leurs sections efficaces de capture. La validation de la méthode est vérifiée par comparaison
des résultats obtenus par simulation avec ceux obtenus expérimentalement.
Dans un premier temps nous donnerons une description du logiciel de simulation et de son
environnement de travail, ensuite nous exposerons la méthodologie mise en oeuvre c’est à
dire les différentes étapes nécessaires pour réaliser la structure à simuler et pour effectuer le
choix des modèles physiques et la calibration des paramètres des modèles choisis. L’approche
permettant de simuler les effets d’irradiation ainsi que la méthode d’optimisation des
performances de l’IGBT sera enfin développée en tenant compte des évolutions antagonistes
des différents paramètres obligeant à un compromis.

2. Présentation du logiciel PISCES

PISCES est un programme de modélisation 2-D simulant le fonctionnement interne de
tous les dispositifs semiconducteurs à base de silicium, MOSFETs, SOI-MOSFETs, BJT,
diodes, thyristors, IGBTs, CCDs etc.... Il calcule les distributions internes des paramètres

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 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

physiques et prédit le comportement électrique des dispositifs en régime permanent ou

transitoire. PISCES peut donc :

- simuler la distribution des potentiels, des champs électriques, des porteurs et des
courants;

- modéliser les courbes I-V et C-V, les réponses en alternatif et les caractéristiques en
régime transitoire;

- optimiser les paramètres électriques du dispositif en ajustant les paramètres process;

- extraire les paramètres SPICE du dispositif.

La structure du dispositif à simuler peut être complètement arbitraire. Une fois celle-ci
réalisée, elle est découpée en éléments finis, non forcément uniformes, formant ainsi ce qu’on
appelle un maillage. Le potentiel électrostatique et les concentrations de porteurs en fonction
de l’espace et du temps sont alors calculés à chaque noeud du maillage à partir des équations
de Poisson (IV 1) et de continuité (IV 2) et (IV 3).

r q
div ( grad ψ ) = − p − n + N D+ − N A− (IV 1)
ε sc

∂p 1 r
= divJ p + G p − R p (IV 2)
∂t q

∂n 1 r
= divJ n + Gn − Rn (IV 3)
∂t q

r r
où n et p sont les concentrations d’électrons et de trous, Jn et J p sont les densités de courant
des électrons et des trous, Gn et Gp les taux de génération pour les électrons et les trous, Rn et
Rp les taux de recombinaisons pour les électrons et les trous et q la charge d’un électron.
Ces trois équations forment ainsi un système couplé. Le potentiel et les concentrations n et p
sont alors déterminés par des méthodes de calculs numériques tels que les algorithmes de
Newton ou de Gummel. Le choix de l’algorithme de calcul est à spécifier suivant l'étude à
réaliser.
Les profils de dopage du dispositif peuvent être obtenus en utilisant des fonctions
analytiques, des résultats expérimentaux stockés dans des bases de données ou des logiciels
de simulation de procédé de fabrication, type SUPREM.

95
 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

Nos travaux ont été réalisés sur ATLAS II version PISCES de SILVACO. Cette
version, qui inclut toutes les possibilités de la version de base de " Standford Electronics
Laboratories" [[Link] 84], peut fonctionner soit indépendamment soit comme partie
intégrante d’un ensemble de logiciels et utilitaires SILVACO, ce qui permet une grande
souplesse de fonctionnement. Ces logiciels couvrent toutes les étapes de la conception d'un
dispositif électronique depuis sa fabrication jusqu'à la détermination de ses performances dans
un circuit électrique.
L’ensemble du logiciel se décompose en deux types d’outils, interactifs et de
simulations.

Les outils interactifs

DevEdit : éditeur de structure et outil de maillage permettant de générer ou de modifier la

structure du dispositif à simuler. DevEdit peut être contrôlé par des lignes de commande ou
par un écran graphique interactif.
DeckBuild : environnement de développement et d’exécution pour tous les simulateurs
SILVACO. DeckBuild offre une aide et une prise en charge qui permet d’éviter
l’apprentissage d’une syntaxe de commande généralement très complexe. Il permet aussi une
exécution automatique et très pratique des programmes et des sauvegardes systématiques des
étapes intermédiaires d’exécution.
TonyPlot : outil de visualisation de structures et de caractéristiques offrant toutes les
fonctionnalités des outils scientifiques.
Optimizer : outil d'optimisation pour la calibration des simulateurs de process et dispositifs.
Cet outil permet un ajustage automatique des paramètres électriques ou process en jouant sur
un ou plusieurs paramètres d'entrée.

Les outils de simulation

Les outils de simulation proprement dits sont regroupés en quatre niveaux:

ATHENA : Simulation des procédés technologiques de fabrication (process).
ATLAS : Simulation du comportement électrique du dispositif (device).
UTMOST: Extraction de paramètres à partir des caractéristiques électriques, mesurées ou
simulées, pour SPICE.
SMART-SPICE : Simulation de circuit électrique (SPICE).
Les noms commerciaux SILVACO de ces logiciels et les liens reliant les uns aux autres sont
précisés dans la figure IV 1.

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 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

Outils
Interactifs Tonyplot DevEdit DeckBuild Optimizer

Outils de
simulation A
T
H
Cahier de
charges
E
Simulation N
Masques de process A

A
Conditions de T
Polarisation Simulation L
Description de de composants A
la structure S

Caractéristiques Extraction
électriques de paramètres UTMOST

Paramètres Simulation de SMART-

du modèle
circuits SPICE

Performances du circuit

Figure IV 1: Différents niveaux et outils de simulation

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 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

3. Modélisation de l’IGBT
La méthodologie utilisée pour mener à bien la modélisation à partir du code de la
simulation, comporte quatre étapes principales:
- construction de la structure (régions et dopages);

- maillage;

- choix des modèles physiques à prendre en compte pour effectuer la simulation;

- calibration des paramètres des modèles physiques choisis afin d’ajuster les paramètres
des modèles pris en compte.

3.1 Construction de la structure IGBT

Il s’agit de définir la structure la plus réaliste permettant de simuler le mieux possible
l’IGBT étudié. Ne disposant pas de logiciel de simulation de procédé de fabrication pendant
cette étude, nous avons donc introduit les profils de dopages dans le logiciel sous forme de
fonctions gaussiennes. La construction de la structure consiste en trois étapes: définition des
régions, définition des électrodes et définition des dopages.

REGIONS

Figure IV 2: Régions définissant la structure.

Vue la symétrie des cellules de l’IGBT, la structure simulée sera celle d’une demi-
cellule. Nous remonterons aux caractéristiques de l’IGBT complet par la multiplication des
grandeurs simulées par un facteur de surface préalablement déterminé ou en utilisant l’option

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 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

de symétrie cylindrique disponible dans le simulateur ATLAS. Cette option permet une très
bonne simulation des structures disposant d’une symétrie cylindrique. Dans notre étude nous
approximerons la structure hexagonale de l’IGBT par une structure cylindrique. Dans ce cas
de symétrie, il suffit de multiplier les grandeurs simulées par le nombre de cellules constituant
l'IGBT.
Dans un premier temps nous définissons des régions rectangulaires: la région n° 1 est définie
comme un matériau de type silicium et la région n° 2 comme de l’oxyde (SiO2). Dans la
figure IV 2, les différentes dimensions sont définies en micromètre.

ELECTRODES
La définition des électrodes permet de réaliser les contacts Grille, Anode et Cathode.
Seules ces électrodes peuvent être polarisées. La grille de 6.5µm de largeur est placée au
dessus de l'oxyde, c'est à dire pour y=-0.08µm. La cathode est insérée entre l'oxyde et le
semiconducteur avec x compris entre 0 et 3.4µm. Ceci permettra de court-circuiter le caisson
n++ et le puits P (source et substrat du MOSFET). L’Anode, quant à elle, s’étend sur toute la
surface inférieure en contact avec la couche P+ (fig. IV 3).

Grille

Cathde

Anode

Figure IV 3: Définition des électrodes.

Dopage
La région 1, correspondant à la couche épitaxiée N-, est dopée en phosphore avec une
concentration uniforme de 1,5.1014cm-3. La couche P+ correspondant à l’anode est obtenue
par un dopage uniforme en bore avec une concentration de 1019cm-3 sur une distance y
comprise entre 48.4 et 60µm. De la même façon on dope la couche tampon N+ avec un

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 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

dopage uniforme en phosphore de 1017cm-3 sur une distance y allant de 40 à 48.4µm. Nous
réalisons ensuite le puits P en utilisant une distribution gaussienne avec un maximum à
1.45x1017cm-3 et une profondeur de jonction (puits P+ /couche N-) imposée à 5.8µm de la
surface oxyde-semiconducteur. Enfin nous réalisons le caisson n++ en utilisant toujours un
profil gaussien dont le maximum est de 9.3x1019cm-3 avec une profondeur de jonction de
0.4µm et une largeur de 3.3µm. Les concentrations de dopage sont déterminées à partir des
données de la littérature et des mesures expérimentales. L’ajustement entre les
caractéristiques simulées et celles mesurées a été ensuite réalisé afin de valider ces données.
Le profil de dopage net selon l’axe y pris pour x = 4µm est donné figure IV 4-a. Un
agrandissement donnant le dopage en bore, en phosphore et les dopages nets au niveau du
caisson n++ et du puits P sont donnés figure IV 4-b. Les profils gaussiens des différentes
couches sont mieux visibles sur cette dernière courbe..

Fig. IV 4-a: 0<y<60µm Fig. IV 4-b: 0<y<12µm

Figure IV 4: Profil de dopage pour x=4µm

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 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

3.2 Définition du maillage

La précision des résultats obtenus avec les simulations est fonction du nombre et de la
distribution des noeuds dans la maille. En contre partie, le temps de calcul des solutions est
d’autant plus important que le maillage possède de noeuds. Le maillage doit donc être fait de
façon à avoir une distribution de noeuds plus abondante dans les régions de fortes variations
de profils de dopages et moins importante dans les régions où le dopage est uniforme. Ceci
permet d’atteindre un compromis entre le temps de calcul et la précision de la simulation. Un
outil de maillage, Meshbuild, incorporé dans le logiciel DevEdit permet, après initialisation
de quelques paramètres, de réaliser de manière automatique un maillage variable s’adaptant à
la structure et au dopage du dispositif.
Pour que le maillage soit optimum, il faut que le nombre de noeuds soit augmenté
jusqu’au moment où les solutions calculées ne dépendent plus du maillage. Cependant, il est
clair que pour les simulations préliminaires, dont le but est de déterminer les paramètres des
modèles utilisés, un maillage grossier suffit et permet par conséquent un gain considérable en
temps de calcul.

Fig. IV 5-a Fig. IV 5-b

Figure IV 5:Maillage de la structure simulée

101
 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

Dans notre cas le maillage adopté pour simuler l’IGBT est celui de la figure IV 5-a. On y
remarque une forte concentration de noeuds au niveau des jonctions et un relâchement dans
les zones uniformes. Un agrandissement au niveau du canal, la zone la plus dense en noeuds,
est donné figure IV 5-b.
Le profil de dopage de la structure complète est représenté figure IV 6. Le plan XY
correspond au maillage de la structure et la troisième dimension donne le niveau de dopage
net de chaque noeud de la maille en fonction de ses coordonnées (x,y).

x
y
Figure IV 6: Profil de dopage en fonction des coordonnées (x,y) des noeuds.

4. Phase d’apprentissage
Afin d'explorer toutes les possibilités du logiciel, une phase d'apprentissage fut
indispensable. Nous avons donc commencé par étudier l’influence des paramètres physiques
et technologiques (process) sur les paramètres électriques de l'IGBT. Cette étude s’avérera
très utile pour la suite de nos travaux, surtout pour l'ajustement et la calibration des modèles
physiques utilisés.

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 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

Les paramètres électriques tels que la tension de seuil pour le MOSFET (Vth) et le gain en
courant pour le transistor bipolaire (β) sont importants pour effectuer une bonne simulation de
l’IGBT. Le réglage de ces deux paramètres est donc très critique pour réaliser une bonne
simulation.
Le réglage de la tension de seuil peut se faire en jouant sur plusieurs paramètres process:
1- le profil de dopage dans le canal.

2- les états d'interfaces (contrôlés par le paramètre QF).

3- l'épaisseur de l'oxyde

4- le profil de dopage du drain pour les MOSFET à canal court.

Plus il y a de paramètres indéterminés à faire varier, plus l’ajustement est complexe. Il faut
donc fixer le maximum de paramètres possibles afin d’alléger cette tâche. Le troisième peut
être déterminé par mesures C-V dans le cas d'un MOSFET à canal long, le quatrième
paramètre est éliminé. Dans ce cas là, il en reste deux à ajuster.
Comme attendu, une augmentation du niveau de dopage du puits P s'accompagne par
une augmentation de la tension de seuil Vth et inversement l'augmentation du facteur QF
relatif aux états d'interfaces s'accompagne d'une diminutaion de Vth. On remarque également
que le niveau de dopage de la couche épitaxiée N- influe sur la tension de seuil [[Link] 95].

Concernant le gain β, une multitude de paramètres peuvent l'affecter. Les plus influants sont:
1- le profil de dopage;

2- le choix du modèle physique;

3- les paramètres des équations de génération-recombinaison.

Les modèles physiques utilisés pour le silicium et leurs paramètres sont connus et définis dans
la littérature. On a donc retenu les paramètres définis par défaut dans le logiciel. En revanche,
les durées de vie des porteurs sont relativement mal connues puisqu'elles dépendent entre
autres du procédé de fabrication, ces paramètres sont donc à ajuster pour obtenir la bonne
valeur de β. Leur ajustement permet également de régler les temps de commutation du
transistor.

Le but de cette étude étant de simuler les effets induits par l'irradiation aux électrons
sur l'IGBT. Cette technique permet d’optimiser les performances de l'IGBT. Le modèle de

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 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

génération-recombinaison que nous utilisons est celui de Shokley-Read-Hall (SRH). La

vitesse de recombinaison RSRH est donnée par [SILA 95]:

pn − ni2 (IV 4)
RSRH =
  E − Ei    E − Et 
τ p n + ni exp t  + τ n  p + ni exp i 
  kT    kT 

où Et est le niveau d’énergie du piège et τn et τp la durée de vie des électrons et des trous. Ces
durées de vie dépendent des concentrations suivant les relations empiriques [SIL.A 95]:

τ no τ po
τn = (IV 5) et
τp = (IV 6)
N N
1+ 1+
N SRHn N SRHp

où N est la concentration totale des impuretés et NSRHn, NSRHp, τno et τpo sont des constantes à
spécifier.

La conséquence principale de l'IE est la réduction de la durée de vie des porteurs

minoritaires qui entraine une augmentation de la tension de déchet (cf Chap II para [Link]).
Certains auteurs [[Link] 96] proposent de simuler les effets de l'irradiation par le réglage
des paramètres τno et τpo des équations IV 5 et IV 6. Cette approche peut donner des résultats
satisfaisants mais ne reflète cependant pas la réalité des mecamismes physiques se produisant
dans la structure.
Dans cette étude, nous considérons que la diminution de la durée de vie n'est que la
conséquence de l'introduction de centres recombinants dans la structure. En effet la durée de
vie effective des porteurs est la durée de vie moyenne associée aux centres recombinants
introduits par irradiation et aux centres déjà existant, principalement les impuretés de dopage.

La couche épitaxiée N- est, relativement, la couche la plus sensible aux effets induits
par irradiation, or l’IE introduit dans cette couche des centres susceptibles de capter des
électrons et par conséquent d’augmenter indirectement son niveau de dopage. En utilisant les
équations IV 5 et IV 6, ceci se traduit par une diminution de la durée de vie. Nous avons donc
supposé que l’ajout de charges négatives dans la structure permettait de modéliser les effets
de l’IE sur les IGBTs en respectant au mieux la réalité physique des phénomènes qui se
produisent. La concentration effective utilisée pour la simulation sera donc prise comme la

104
 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

somme de la concentration de porteurs (ou d'impuretés) initiale et de la concentration de

défauts introduits par l’irradiation.
L’étude précédente, bien que qualitative, montre que les paramètres simulés évoluent
bien dans le sens des hypothèses avancées. En effet l'augmentation du niveau de dopage dans
la couche épitaxiée N- a pour conséquence de diminuer le temps de commutation de l'IGBT et
d'augmenter sa tension de déchet [[Link] 95].

5. Simulation des effets dus à l’irradiation par électrons

5.1 Introduction de défauts dans la modélisation à l’aide d’ATLAS

Le simulateur ATLAS permet d’introduire des densités de défauts dans la structure
simulée. Ces défauts sont définis par leur type n ou p, leurs niveaux d’énergie, leurs facteurs
de dégénérescence (γ), leurs sections efficaces de capture (ou leurs durées de vie) et par leurs
densités [SIL.A 95]. De leur introduction résulte une charge supplémentaire
ρt = q( pt − nt ) ajoutant un terme à l’équation de Poisson.

n t = ∑α =1 n αt p t = ∑β=1 pβt
k l
avec : et

où k est le nombre de défauts de type accepteur et l le nombre de défauts de type donneur.

Knα + G pα
n =N
α α (IV 7)
G +G + K + K
α α α α
t ta
p n p n

K pβ + Gnβ
p =N
β β (IV 8)
G +G + K + K
β β β β
t td
p n p n

K p = σ pV p p , Kn = σ nVnn (IV 9)

1  E − Et 
G p = σ pV p nie exp i  (IV 10)
γ  kT 

 E − Ei 
Gn = γσ nVn nie exp ti  (IV 11)
 kT 

σn et σp sont les sections efficaces de capture.

105
 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

Le terme de recombinaison RSRH modifié est noté R avec:

k l
R = ∑ Rα + ∑ Rβ (IV 12)
α =1 β =1

où

pn − ni2 (IV 13)

Rα , β =
  E α ,β − E i   1  E − E tα , β 
τ p n + nie γ α , β exp t  + τ n  p + nie
 exp i 

  kT   γ α ,β  kT 

Les durées de vies des électrons et des trous τn et τp sont reliées aux sections efficaces de
capture σn et σp par:

1 1
τn = et τp = (IV 14)
σ nVn N t σ pVp N t

5.2 Application à l’IGBT

5.2.1 Introduction
Pour simuler les effets de l’irradiation par électrons sur le fonctionnement de l’IGBT,
le modèle de simulation de densité de défauts disponible dans ATLAS II a été utilisé
[[Link]]. Des défauts ayant les mêmes caractéristiques que ceux créés par IE ont été
introduits dans toutes les couches de la structure IGBT. Les niveaux d'énergie et les sections
efficaces de capture sont extraits de la littérature [BAL.K 77], [WER 58]. En effet l'IE
provoque l'introduction dans le silicium d'un niveau accepteur à 0.27eV au-dessus de la bande
de valence, dont les sections de capture sont égales à σn=8x10-13cm-2 et σp=9.5x10-15 cm-2
respectivement pour les électrons et pour les trous, et d’un niveau donneur à 0.16 eV au-
dessous de la bande de conduction avec σn= σp=2x10-15cm-2. Les densités de défaut
correspondantes à chaque dose ont été déterminées par un processus itératif où les
caractéristiques simulées sont ajustées avec celles obtenues expérimentalement. La démarche
suivie est la suivante:
D'abord les paramètres des modèles physiques choisis sont calibrés afin d'ajuster les
caractéristiques simulées avec celles mesurées, pour l’IGBT non irradié, en statique et en
dynamique. Ensuite les densités de défauts sont ajustées pour obtenir les mêmes

106
 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

caractéristiques statiques mesurées, que les IGBTs irradiés. Les caractéristiques dynamiques
servent de critères de validation.
Une fois la méthode de simulation validée, les évolutions des deux paramètres les
plus critiques dans le choix d’un IGBT, à savoir la tension de déchet (paramètre statique) et le
temps de fermeture (paramètre dynamique), en fonction de la dose d’irradiation sont
analysées. Cette procédure permet d’effectuer le choix de la dose donnant le meilleur
compromis entre ces deux grandeurs variant de façon antagoniste et par conséquent
d’optimiser les performances de l’IGBT.
Enfin la simulation a permis d’étudier les effets de l’irradiation sur le latchup et de donner des
informations non accessibles expérimentalement. Le latchup étant un phénomène pouvant
provoquer la destruction du composant. Une étude expérimentale est donc très délicate et
coûteuse.

5.2.2 Calibrage
L’IGBT étudié est de la série IRGBC20S de chez International rectifier, dont les
cellules sont de forme hexagonale. La symétrie cylindrique, option disponible dans ATLAS
II, est utilisée afin de permettre une meilleure simulation. Les résultats de simulation
correspondent donc à ceux d’une structure cylindrique d’axe de révolution x=0, ce qui permet
d’avoir une simulation pseudo 3D pour une cellule unique de l’IGBT. Pour remonter aux
grandeurs réelles de l’IGBT complet, il suffit de tenir compte d’un facteur multiplicatif égal
au nombre de cellules constituant le composant (≅5500 dans notre cas).
Une fois le maillage de la structure effectué, une première analyse en statique est
nécessaire afin de régler les principaux paramètres tels que: la tension de seuil du transistor
MOSFET, la conductivité, la durée de vie des porteurs minoritaires, les temps de
commutation et le gain en courant du transistor PNP etc..... Une confrontation systématique
des résultats simulés avec ceux mesurés permet de valider ce premier calibrage.
Les listings des programmes définissant la structure de l’IGBT et les différentes simulations
effectuées sont donnés en annexe I.

5.2.3 Etude statique

Comme on l’a vu au chapitre II, l’IE a pour effet d’augmenter la tension de déchet de
l’IGBT. Nous définissons la tension de déchet ici comme la tension appliquée sur l’anode
pour assurer un courant de 0.1A avec la grille polarisée à 8V. Elle sera donc le paramètre
électrique test utilisé pour comparer les résultats de la simulation et des mesures effectuées en
régime statique. Pour l’IGBT non irradié, la caractéristique IAK=f(VAK) a été préalablement

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 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

ajustée pendant le calibrage des modèles physiques. De ce fait la tension de déchet simulée est
la même que celle mesurée, soit 0.83V.
En conservant la même structure et les mêmes paramètres, nous avons introduit des densités
de défauts avec les niveaux d’énergie et les sections efficaces de captures définis au
paragraphe 5.2.1.

Après ajustement, une densité de défauts de 4x1013cm-3 a été retenue pour simuler une
dose de 1Mrad(Si). Les autres doses sont obtenues par extrapolation linéaire. Les
caractéristiques IAK=f(VAK) mesurées et simulées sont données sur les figures IV 7-a et IV 7-b
pour l’IGBT non irradié et pour les trois doses d’irradiation: 1 Mrad(Si), 4 Mrad(Si) et
8Mrad(Si). Les tensions de déchet mesurées et simulées sont données dans le tableau IV 1.
Un parfait accord est obtenu pour les différentes doses.

Non irradié 1 Mrad(Si) 4 Mrad(Si) 8 Mrad(Si)

Mesures 0.83 0.88 0.97 1.04
Simulation 0.83 0.875 0.96 1.04

Tableau IV 1: Tensions de déchet en Volts mesurées et simulées pour l’IGBT non irradié et pour
trois doses d’irradiation.

Une série de simulation a été réalisée pour permettre de tracer la courbe complète
donnant l’évolution de la tension de déchet en fonction de la dose d’irradiation (figure IV 8).
Comme prévu, la tension de déchet augmente avec la dose, ce qui correspond donc à une
dégradation. Une évolution presque linéaire est observée à partir de 2Mrad(Si). Des points
correspondant aux résultats expérimentaux sont superposés à la courbe simulée.

108
 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

0.10
0Mrad(Si)
0.08 1Mrad(Si)

0.06 4Mrad(Si)
IAK (A)

8Mrad(Si)
0.04

0.02

0.00

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

VAk (V)

Figure IV 7-a: Caractéristiques IAK=f(VAK) mesurées pour l’IGBT non irradié et pour 3 doses
d’irradiations.

20

NR Nt=0
15 Nt= 4x1013cm-3
Nt=16x1013cm-3
10 Nt=32x1013cm-3
IAK (uA)

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0

VAK (V)

Figure IV 7-b: Caractéristiques IAK=f(VAK) simulées pour l’IGBT non irradié et pour 3 doses
d’irradiations.

109
 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

1,20

1,15
Tension de déchet (V)

1,10

1,05

1,00

0,95

0,90
Simulation
0,85 Mesures

0,80
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Dose d’irradiation (Mrad)

Fig IV 8: Variation de la tension de déchet de l’IGBT, simulée et mesurée, en fonction de la dose

d’irradiation

5.2.4 Etude dynamique

Le module d’ATLAS II utilisé est le simulateur de dispositif PISCES. Celui-ci ne

permet pas d’étudier le comportement du composant dans un circuit électrique complexe.
Seules des résistances, des capacités et/ou des inductances peuvent être ajoutées au niveau des
électrodes. Il ne nous a donc pas été possible de réaliser le même circuit que celui utilisé pour
les mesures expérimentales des temps de commutation (Chap. II para. 3.2.4). Néanmoins, les
tensions de polarisation ont été choisies pour avoir un courant commuté voisin de celui
imposé pendant les mesures (IAK=4A). Le temps de commutation dépend du courant commuté
(Chap. II para. 2.2.2). Il est nécessaire d’avoir les mêmes conditions en mesure et en
simulation.

La réponse du courant à une impulsion de tension de grille (0/15V) simulée pour les
différentes doses d’irradiation est donnée figure IV 9. Les valeurs des durées de vie (τ) et des
temps de fermeture (tf) mesurées et simulées sont données dans le tableau IV 2. Le temps de
fermeture est le temps nécessaire pour que le courant passe de 90% de sa valeur continue

110
 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

avant la fermeture à 10% de celle-ci. La durée de vie est obtenue à partir de la traînée (Chap. I
para. 5.2).

1,5
NR
1Mrad(Si)
1,0 4Mrad(Si)
IAK (mA)

8Mrad(Si)

0,5

0,0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0

Temps (µs)

Figure IV 9: Réponse du courant à une impulsion de tension de grille pour les 3 doses
d’irradiation et pour l’IGBT non irradié

Temps de fermeture tf (ns) Durée de vie (ns)

Mesures Simulation Mesures Simulation
Non irradié 1750 1740 900 825
1 Mrad(Si) 820 800 412 380
4 Mrad(Si) 260 312 170 149
8 Mrad(Si) 140 160 X 79

Tableau IV 2: Temps de fermeture et durées de vie des porteurs minoritaires obtenus par mesures et
par simulation.

111
 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

Les évolutions de tf et de τ en fonction de la dose obtenues pour une série de

simulation sont données dans la figure IV 10. Un début de saturation est observé pour les
fortes doses (≥ 5 Mrad(Si)). Pour les faibles doses on observe une décroissance synonyme
d’une amélioration de la vitesse de commutation de l’IGBT. La dose optimum est donc à
chercher aux environs de 5 Mrad(Si).

tf simulée
1,5
τ mesurée
tf simulée
τ mesurée
1,0
tf (µ s)

0,5

0,0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Dose d'irradiation (Mrad)

Figure IV 10: Evolution du temps de fermeture en fonction de la dose d’irradiation.

1 1
Afin de vérifier la validité de la relation empirique = + K ⋅ Φ, une
τf τi

représentation en échelle logarithmique de tf en fonction de la dose est donnée sur la figure IV

11. Les résultats obtenus par simulation, par mesures, et en utilisant la relation théorique sont
en parfait accord. Le facteur de dégradation Ktf relatif au temps de fermeture obtenu est de
-8 2
1.72x10 cm /s. Cette valeur est en conformité avec celles données dans la littérature
-8 2
[[Link] 77][ROB 87]. Pour la durée de vie τ, ce facteur Kτ est obtenu égal à 3.2x10 cm /s.

Ktf et Kτ ne sont pas obligatoirement les mêmes [[Link] 77].

112
 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

temps de fermeture tf(s)

1E-6

Simulé
Calculé
Mesuré
1E-7
1011 1012 1013 1014

densité of defects Nt (cm-3)

Figure IV 11: Temps de fermeture en fonction de la dose obtenus par mesures, par simulation et en
1 1
utilisant la relation = + K ⋅ Φ.
τf τi

L’optimisation des performances de l’IGBT par irradiation aux électrons se fait par le
choix de la dose qui permet le meilleur compromis entre le temps de commutation et la
tension de déchet. Ce compromis étant bien entendu fonction de l’application envisagée. La
méthode de simulation proposée, qui à partir d’une dose d’irradiation donnée peut prévoir les
paramètres électriques du composant, permettra donc de faciliter le choix de la dose optimum.
Cette simulation se présente comme un outil économique en terme de temps et de coûts car
les tests expérimentaux font appel à des irradiations.
Pour rendre l’optimisation plus aisée, nous avons tracé, pour une série de doses
simulées, la courbe donnant l’évolution du temps de fermeture en fonction de la tension de
déchet (figure IV 12). Pour des applications mettant en jeu des hautes fréquences il faudra
privilégier le temps de fermeture, par contre pour celles mettant en jeu des hautes tensions et
des basses fréquences c’est la valeur de la tension de déchet qui sera privilégiée. Le choix du
point optimum pourra être effectué sur cette courbe.

113
 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

2,0

0 Mrad
0.125
Temps de fermeture (µ s)

1,5
0.25
0.5
1,0
1
2
0,5 3
4 6 8 16 Mrad
0,0

0,85 0,90 0,95 1,00 1,05 1,10 1,15 1,20

Tension de déchet (V)

Figure IV 12: Variation du temps de fermeture en fonction de la tension de déchet pour différentes
doses d’irradiation.

5.2.5 Tenue de l’IGBT au latchup

Le déclenchement du latchup a lieu quand le transistor parasite NPN est polarisé en
direct, soit RpIc ≥ Vbe(NPN), où Ic est le courant collecteur du transistor PNP. En utilisant le
gain en courant β et le courant total de l’IGBT, IAK=Ib+Ic, la condition du déclenchement du
latchup devient:
1 R
I AK ≥ ( 1 + ) p (IV 15)
β Vbe
L’IE augmente la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires dans la couche
N-. Elle réduit donc l’amplitude de la traînée (fig. IV 9) et par conséquent réduit le gain β
[[Link] 86]. β s’obtient à partir de la forme d’onde du courant IAK en fermeture (Chap. I
para. 5.2). La variation de l’inverse de β en fonction de la dose d’irradiation obtenue pour une
série de simulations est donnée figure IV 13. Une étude faite par C. J. Dale et al. [[Link]
88] sur des transistors bipolaires soumis à des doses d’irradiation aux électrons d’une énergie
allant de 4 à 53 MeV a montrée que le gain en courant d’un transistor irradié peut s’écrire en

114
 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

fonction de la dose ou de la fluence d’irradiation φ, du gain initial βo et d’un facteur

multiplicatif déterminé experimentalement K.

1 1
= + Kφ (IV 16)
β( φ ) β o

L’évolution de β en fonction de la dose obtenue ici par simulation est conforme aux résultats
obtenus par Dale et al.

3,5

3,0
Inverse du gain (1/ β)

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
Dose (Mrad(Si)

Figure IV 13: Variation de l’inverse du gain en courant β en fonction de la dose d’irradiation aux
électrons obtenue par simulation

D’autre part l’IE augmente la résistance Rp par l’introduction de défauts dans la couche P+
[[Link] 86]. La séparation des effets antagonistes de ces deux paramètres (Rp et β) n’étant
pas possible, une étude analytique de la variation du courant latchup en fonction de la dose ne
peut donc pas se faire. La simulation numérique 2D constitue un moyen efficace pour
déterminer quantitativement l’évolution du latchup avec la dose d’irradiation [[Link] 96],
[[Link] 97] et pour localiser les zones sensibles dans la structure provoquant le
déclenchement.
Les caractéristiques I-V montrant le début du déclenchement du latchup pour
différentes doses sont données figure IV 14. La saturation observée pour les fortes doses fait

115
 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

suite à une amélioration de la tenue de la structure au latchup. Cette tenue atteint sa valeur
optimum lorsque la dose atteint 6Mrad(Si).

3,5
3,0
2,5 16Mrad
12Mrad
2,0 11Mrad
IAK (mA)

10Mrad
1,5 09Mrad
08Mrad
1,0 06Mrad
04Mrad
0,5 02Mrad
01Mrad
0,0 Non Irradié

0 2 4 6 8 10
VAK(V)

Figure IV 14: Caractéristiques I-V obtenues par simulation et limitées par le latchup pour l'IGBT
non irradié et des IGBTs soumis à différentes doses.

Afin de pouvoir localiser l’endroit où le déclenchement va se produire dans la

structure IGBT, le flux de courant en 2D est représenté juste avant le déclenchement du
latchup (fig. IV 15-a avant irradiation et [Link] 15-b après irradiation) et au début de celui-ci
(fig. IV 16-a avant irradiation et fig. IV 16-b après irradiation). Pour cette exemple, la dose
d’irradiation étudiée est de 8Mrad(Si).

Les lignes de courant des figures IV 15-a et IV 15-b sont obtenues pour une
polarisation des IGBTs les situant à la limite de l'apparition du latchup. Ces lignes
correspondent donc au chemin naturellement emprunté par le courant dans le cas d'un
fonctionnement normal. Une partie du courant (Ib) passe par le canal se formant en surface de
la zone P sous la grille. L'autre partie (Ic) circule directement entre l’anode et la cathode.
Nous remarquons que pour l'IGBT irradié la proportion du courant passant par le canal est
plus importante comparée à celle de l'IGBT non irradié. Ceci illustre bien la diminution du
gain β en fonction de la dose.

116
 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

(a) IGBT non irradié (b) IGIB irradié à 8Mrad(Si)

Figure IV 15: Flux de courant montrant le chemin naturel du courant dans l’IGBT avant le déclenchement du latchup

(a) IGBT non irradié (b) IGIB irradié à 8Mrad(Si)

Figure IV 16: Flux de courant obtenu par simulation après le déclenchement du latchup.

Le flux de courant après le déclenchement du latchup qui pour l’IGBT non irradié,
présente une zone de surintensité (SI) en courant apparaît dans la structure le long de la

117
 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

jonction PN-. Cette zone correspond à la mise en conduction du transistor NPN et à l’injection
d’électrons dans sa base. Le rapport des densités de courant, aux environs de la jonction PN-,
après et avant le latchup, est d’un facteur 2500. Ce facteur n’est que de 5 pour l’IGBT irradié.

6. Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons présenté les différents logiciels utilisés pour réussir la
simulation électrique à partir de la structure physique du composant étudié. L’aspect
apprentissage est relativement développé. Il représente une étape incontournable pour le
développement d’applications. Une synthèse de ce travail consistant à donner la méthodologie
utilisée pour mener à bien une simulation depuis la réalisation de la structure jusqu’à
l’obtention des caractéristiques électriques a été également détaillée.

Par la suite une méthode permettant de simuler les effets de l’irradiation aux électrons
sur le fonctionnement de l’IGBT a été proposée. Une confrontation de ses résultats avec ceux
obtenus par mesures expérimentales en statique et en dynamique, sur une série d’IGBT
irradiés à différentes doses, a permis la validation de la méthode. Celle-ci consiste à introduire
des densités de défauts dans toutes les couches de la structure de l’IGBT. Ces défauts ont les
mêmes caractéristiques, sections efficaces de capture et niveau d’énergie dans le gap, que
ceux introduits réellement par l’irradiation.

Une fois cette méthode validée, son utilisation a été étendue à l’étude de l’évolution du
courant de latchup en fonction de la dose d’irradiation, le déclenchement du latchup pouvant
provoquer la destruction du composant. La méthode proposée permet donc de minimiser le
nombre de cycles fabrication-irradiation-test et ainsi d’économiser les coûts d’étude et de
caractérisation relatifs à l’irradiation.

118
 Chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons.

Bibliographie
[BAL.K 77] B. J. Baliga and S. Krishna "Optimization of Recombination Levels and their
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pp. 225-232, 1977.

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ED-24, No.8 August 1977.

[[Link] 93] J-P Charles, O. Elmazria et B. Lepley ‘‘Etude du fonctionnement des

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‘‘High Energy Electron induced Displacement Damage in Silicon’’, IEEE Trans. on Nuclear
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[[Link] 96] O. Elmazria, A. Hoffmann et J-P Charles ‘‘Simulation des Effets

d’Irradiation par Electrons sur les Preformances de l’IGBT’’ Journées Nationales d’Etude de
l’Association RADECS, Nîmes 1996.

[[Link] 97] ] O. Elmazria, A. Hoffmann et J-P Charles ‘‘ Simulation des Effets de

l’Irradiation sur la Tenue de l’IGBT au Latchup‘‘ Revue de l’Electricité et de l’Electronique
(REE), à paraître en janvier 1997.

[[Link]] O. Elmazria, A. Hoffmann, B. Lepley, J-P Charles and L.

Adams‘‘Simulation of Electrons Irradiation Damages to Optimize the Performance of IGBT’’
soumis à IEEE Trans. on Nuclear Science, révisé en Sept 1996.

[[Link] 86] A. R. Hefner and D. L. Blackburn, and K. F. Galloway ‘‘ The Effect of

Neutrons on the Characteristics of the IGBT’’, IEEE Trans. on Nuclear Science, Vol. NS-33,
No. 6, pp 1428-1434, Dec 1986.

[HOL.A 94] A. Holmes-Siedle and L. Adam’s ‘‘Handbook of Radiation Effects’’, Oxford

Science Publications, 1994.

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Systems’’, New York: Van Nostrand Reinholds Company Inc, 1986.

[[Link] 84] M. R. Pinto, C. S. Rafferty, and R. W. Dutton ‘‘PISCES II, User’s Manual’’,
The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University, Copyright 1984.

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 chap IV: Simulation des Effets des Irradiations par Electrons

[ROB 87] P. Robinson et al. ‘‘Packaging, Testing, and Hardness Assurance’’, IEEE
Nuclaer and Space Radiation Effects Conference Short Course, Colorado, July 1987.

[SIL.A 95] SILVACO International, ATLAS II, 2D Device Simulation Framework, User
Manual, Santa Clara, July 1995.

[WER 58] G. K. Wertheim "Electron-Bombardment Domage in Silicon" Physical Review,

Vol 110, No 6, pp 1272-1279, 1958.

120