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net/publication/301487491

Developpement des modeles mathematiques d'un generateur photovoltaque

defectueux

Thesis · June 2015

DOI: 10.13140/RG.2.1.2290.7287

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4 34,545

2 authors, including:

Djaber Berrian

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 République Algérienne Démocratique et Populaire
Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique
Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedien

´
Faculté Electronique et Informatique
´
Département Electrotechnique

Mémoire de Projet Fin d’Etude

De Master
Master: Energie Renouvelabe & Energie Solaire

Thème

Développement des modèles mathématiques d’un

générateur photovoltaı̈que défectueux

Présenté par:
M r BOUZAGHOU Sedik
M r BERRIAN Djaber

Soutenue le 14 juin 2015 devant les membres du jury :

Président :[Link] Professeur à USTHB

Promotrice : [Link] Maı̂tre assistante à USTHB
Examinateur: [Link] Maı̂tre de Conférence à USTHB

Année universitaire 2014/2015

Dédicace

À ma mère & mon père,

À mes frères, mes sœurs & mes beaux frères,
À mes neveux & nièces ainsi que toutes ma famille,
À mon binôme & ma promotrice,
...
À tous mes Amis, mes confrères & mes consœurs de la
´
promotion 2015 Energie ´
Renouvelable & Energie
Solaire,
...
À tous ceux qui m’ont aidés & m’ont soutenus pour
élaborer ce labeur.
...
À tous ceux qui ont sacrifié leur temps pour la science
& à tous ceux qui utilisent la science pour le bien & la
prospérité de l’humanité.
Sedik.
Remerciements

Nous commençons tout d’abord par remercier ALLAH tout-puissant pour l’accomplissement
de ce mémoire de Master.

Nous tenons à exprimer nos sincères reconnaissances et nos profondes gratitudes à

notre promotrice, Mme S. AREZKI, Maı̂tre assistante à l’Université des Sciences et de
la Technologie Houari Boumediene, d’avoir proposé un sujet de recherche très intéressant
d’actualité, pour sa confiance, sa patience et son soutien moral, ses remarques, ses encourage-
ments et sa disponibilité permanente.

Nous remercions également, monsieur le président de jury Mr. BOUDOUR Mo-

hamed, Professeur à l’Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumediene, qui
n’a jamais hésité à répondre présent à chaque fois que nous avons sollicité son aide.

Nous tenons naturellement à remercier monsieur l’examinateur Mr. MENAA Mo-

hamed, Maı̂tre de Conférence, à l’Université des Sciences et de la Technologie Houari
Boumediene, d’avoir accepté de juger ce travail.

Nous tenons également à remercier Mr. W. REZGUI et Mr. Y. AMRANE pour

leurs précieuses aides.

Plusieurs personnes ont contribué de près ou de loin à l’élaboration de ce travail, nous ne

saurons les nommer toutes, mais nous tiendrons à leur exprimer nous vifs remerciements.
Nomenclature

P V : Photo-Voltaı̈que;
ST C : Standard Test Conditions; Wc : Watt crête;
AM : Masse d’air;
´
Eg : Energie de gap;
Iph : Photo-courant;
Id : Courant de diode;
φref : Flux lumineux de référence 1000 [W/m2];
Tc : Température de la cellule [K];
µIcc : Coefficient de température de court-circuit de la cellule [A/K].
Noct : Condition de température nominale de fonctionnement de la cellule ;
Ta : Température ambiante;
Is : Courant de saturation de la diode[µA];
A: Facteur de qualité de la diode;
q : Charge de l’électron = 1,602.10−19 [Coulomb];
k : Constante de Boltzmann = 1,38. 10−23 [J/K];
Rs : Résistance série [ohm];
Rsh : Résistance shunt [ohm];
Icc : Courant de court-circuit [A];
Voc : Tension du circuit-ouvert [V];
F F : Facteur de forme;
η : Rendement;
β : Angle d’incidence entre le rayonnement direct du soleil et la normale au plan du capteur;
f1 : Fonction du nombre d’air-masse;
f2 : Fonction de l’angle d’incidence β du rayonnement sur le capteur PV;
ISCr : Courant de court-circuit de référence;
Vocr : Tension de circuit ouvert de référence;
VM Pr : Tension de point de puissance maximale de référence;
IM Pr : Courant de point de puissance maximale de référence;
µIsc : Coefficient de dépendance en température du courant de court circuit;
µVoc : Coefficient de dépendance en température du de la tension de circuit ouvert;
µVmp : Coefficient de dépendance en température de la tension de puissance maximale;
µImp : Coefficient de dépendance en température du courant de puissance maximale;
 Nomenclature

C0 , C1 , C2 , C3 : Coefficients déterminés expérimentalement;

P1 , P2 , P3 , P4 : Paramètres à déterminer expérimentalement;
kb : Coefficient de réglage de Bishop;
nb : Coefficient de réglage de Bishop;
Vb : Tension de claquage de diode (-10 V à -40 V);
nc : Nombre des cellules non défectueuse;
Vcb : Tension des cellules non défectueuse;
Icb : Courant des cellules non défectueuse;
ng : Nombre des groupes non défectueux;
nm : Nombre des modules non défectueux;
Nstb , ns : Nombre du strings non défectueux;
Nstd : Nombre du strings défectueux;
Ibypasse : Courant qui travers la diode by-pass;
IgroupeN D : Courant du groupe non défectueux;
IgroupeN D : Courant du groupe non défectueux;
Nstring : String PV avec au moins un groupe sain;
Nmd : Nombre du modules défectueux;
Ngd : Nombre du groupes défectueux;
Nst 0b : String contiennent au moins un groupe non défectueux;
Nst 0d : String ou tous ses groupes sont défectueux;
∆Pdccc : Perte de puissance due au défaut de court-circuit des cellules;
PGP Vdccc : Puissance résultante du générateur PV lors d’un défaut de court-circuit des cellules;
PGP Vsain : Puissance résultante du générateur PV pour un fonctionnement sain;
ncellulecc : Nombre d des cellules en court-circuit dans le générateur PV;
Pcellule : Puissance d’une seule cellule;
Ncellules : Nombre d des cellules dans le module;
Nstring−serie : Nombre d des modules en série dans un string;
Nstring−parallele
` : Nombre d des strings en parallèle;

Pmodule−sain : Puissance nominale du module;

∆Vcodccc : Perte du tension de circuit-ouvert due par le défaut de court-circuit des cellules.
VcoGP Vdccc : Tension de circuit-ouvert du générateur PV lors d’un défaut de court-circuit des
cellules.
VcoGP Vsain : Tension de circuit-ouvert du générateur PV en fonctionnement sain.
Vcomodule−sain : Tension du circuit ouvert du module dans les condition STC.
Vcocellules : Tension de circuit-ouvert d’une seule cellule.
ηGP Vdccc : Rendement du générateur PV en fonctionnement sain.
∆Pdccb : Perte de puissance due au défaut de court-circuit des diodes by-passes .
PGP Vdccb : Puissance résultante du générateur PV lors d’un défaut de court-circuit des diodes
by-passes.
 Nomenclature

ndbcc : Nombre d des diodes by-passes en court-circuit dans le générateur PV.

Pgroupe : Puissance d’une seule groupe.
IccGP Vsain : Courant de court-circuit du générateur photovoltaı̈que en fonctionnement sain.
IccGP Vdcoa : Courant de court-circuit du générateur photovoltaı̈que en présence de circuit-ouvert
de la diodes anti-retour.
∆Iccdcoa : Perte en courant de court-circuit due au défaut de circuit-ouvert des diodes
anti-retour.
Iccstring−sain : Courant de court-circuit du string photovoltaı̈que en fonctionnement sain.
Table des matières

Introduction générale 1

1 L’état de l’art de la production photovoltaïque 3

1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Ressource solaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2.1 Normalisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3 Cellules photovoltaïques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3.1 Effet photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3.2 Historique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3.3 Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque . . . . . . . . . 7
1.3.4 Technologie d’une cellule photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.4 Caractéristiques de la cellule photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.4.1 Puissance crête d’une cellule PV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.4.2 Courant de court-circuit, Icc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.4.3 Tension de circuit-ouvert, Voc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.4.4 Facteur de forme, FF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.4.5 Rendement de conversion, η . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.5 Module photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.5.1 Association en série . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.5.2 Association en parallèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.5.3 Association hybride en (série/parallèle) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.6 Modèle électrique d’un module photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.6.1 Modèle à une diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.6.2 Modèle à deux diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.7 Modèles mathématiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.7.1 Modèle de Sandia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.7.2 Modèle de Cenerg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.7.3 Modèle de Madison . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.7.4 Modèle de Bishop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.7.5 Sélection du modèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.7.6 Résolution du modèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.8 Systèmes PV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
 Table des matiéres

1.8.1 Composants d’un système PV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

1.8.2 Système de protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.9 Défauts dans les systèmes photovoltaïques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.10 Sélection des défauts étudié . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.11 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

2 Modélisation et simulation d’un GPV en fonctionnement sain et défaillant 25

2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2 Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain . . . . . 26
2.2.1 Module PV en fonctionnement sain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.2.2 Facteurs influençant sur le fonctionnement du module Heckert HS ML145 28
2.2.3 Modélisation d’un champ PV en fonctionnement sain . . . . . . . . . . . 31
2.2.4 Configuration & démarche retenue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.2.5 Établissement de la caractéristique I-V à partir de la démarche . . . . . . 33
2.2.6 Synthèse des résultats pour le fonctionnement sain . . . . . . . . . . . . . 33
2.3 Modélisation et simulation d’un GPV en fonctionnement défaillant . . . . . . . . 34
2.3.1 Classification des défauts pour la modélisation et la simulation d’un gé-
nérateur PV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
2.4 Défauts au niveau des cellules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.4.1 Défaut de court-circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.5 Défauts de la diode by-pass . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.5.1 Défaut de court-circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.5.2 Défaut de circuit-ouvert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.5.3 Effet de la diode by-pass en circuit-ouvert sur la caractéristique I-V du
champ en présence du mismatch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.6 Défauts de la diode anti-retour . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.6.1 Défaut de court-circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.6.2 Effet de la diode anti-retour en court-circuit sur la caractéristique I-V du
champ en cas de mismatch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.6.3 Défaut de circuit-ouvert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
2.7 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

3 Synthèse et validation des résultats 55

3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.2 Analyse pour validation du défaut de court-circuit & de circuit-ouvert . . . . . . 55
3.3 Analyse et validation du défaut de la diode by-pass en circuit-ouvert sous mismatch 56
3.4 Analyse et la validation du défaut de la diode anti-retour en court-circuit . . . . 56
3.5 Synthèse des résultats obtenus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.5.1 Défaut de court-circuit des cellules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.5.2 Défaut de court-circuit des diodes by-pass . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
3.5.3 Défaut de circuit-ouvert des diodes anti-retour . . . . . . . . . . . . . . . 62
Table des figures
Table des figures

1.1 Analyse spectrale du rayonnement solaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

1.2 Schéma d’une jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3 Annonce de la première cellule photovoltaïque produite par Bell lab sur le journal
"The New York Times", le 25 avril 1954 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4 Description d’une photopile ou cellule photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5 Cellule en silicium mono-cristallin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.6 Cellule en silicium Ploy-cristallin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.7 Cellule en silicium amorphe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.8 Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.9 Influence des résistances shunts et série s sur la caractéristique courant-tension
d’une cellule photovoltaïque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.10 Cellules identiques en série . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.11 Cellules identiques en parallèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.12 Caractéristique I-V résultante d’un groupement hybride de (np+ ns) cellules
identiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.13 Schéma équivalent d’une cellule PV modèle à une diode . . . . . . . . . . . . . . 16
1.14 Schéma équivalent d’une cellule PV modèle à deux diodes . . . . . . . . . . . . 16
1.15 Configuration interne du module . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.16 Composantes d’un champ de modules photovoltaïques . . . . . . . . . . . . . . 21
1.17 Composantes d’un système PV alimentant une charge . . . . . . . . . . . . . . 22

2.1 Synoptique du modèle d’un champ PV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

2.2 Module Heckert HS ML145 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.3 Schéma bloc du modèle Madison de la cellule PV sous Simulink . . . . . . . . . 26
2.4 Caractéristiques I-V et P-V du module Heckert HS ML145 sous les conditions
STC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.5 Caractéristique I-V du module Heckert HS ML145 pour différentes irradiations
solaires, T=25o C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.6 Caractéristique P-V du module Heckert HS ML145 pour différentes Irradiations
solaires, T=25o C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.7 Groupe de cellules sans diode by-pass dans les anciens modules PV . . . . . . . 29
2.8 Cellule déteruit par de phénomène de « hot-spot » . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
 Table des figures

2.9 Module PV équipé de diode by-pass . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

2.10 Diodes by-pass dans la boite de jonction du panneau PV . . . . . . . . . . . . . 29
2.11 Schéma bloc du module PV sous l’influence de l’ombrage . . . . . . . . . . . . . 30
2.12 Caractéristique I-V du module Heckert HS ML145 pour différentes % d’ombrages
solaires,T=25o C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.13 Caractéristique P-V du module Heckert HS ML145 pour différentes % d’om-
brages solaires, T=25o C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.14 Caractéristique I-V du module Heckert HS ML145 pour différentes température,
E=1000W/m2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.15 Caractéristique I-V du module Heckert HS ML145 pour différentes température,
E=1000W/m2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.16 Démarche de modélisation d’un champ PV en fonctionnement sain . . . . . . . 32
2.17 Établissement de la caractéristique I-V du champ à partir de celle de la cellule . 33
2.18 Caractéristiques P-V du champ à partir de celle de leurs cellules . . . . . . . . . 34
2.19 Démarche de la modélisation d’un champ PV en fonctionnement défaillant . . . 35
2.20 Court-circuit d’une cellule par le ruban d’interconnexion . . . . . . . . . . . . . 36
2.21 Influence des cellules en court-circuit sur les caractéristiques I-V et P-V du mo-
dule PV sous les conditions STC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.22 Influence des cellules en court-circuit sur les caractéristiques I-V et P-V d’un
string PV sous les conditions STC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.23 Influence des cellule en court- circuit sur la caractéristique I-V et P-V d’champ
PV sous les conditions STC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.24 Différentes situations de la diode by-pass défaillant . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.25 Influence de la diode by-pass court-circuitée sur les caractéristiques I-V & P-V
du module PV sous les conditions STC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.26 Influence de la diode by-pass court-circuitée sur les caractéristique I-V & P-V
du string PV sous les conditions STC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2.27 Influence des diodes by-pass court-circuitée sur les caractéristiques I-V & P-V
du champ PV sous les conditions STC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.28 Caractéristiques I-V & P-V du module PV en fonctionement sain sous les condi-
tions STC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.29 Caractéristiques I-V & P-V du module PV sous les conditions STC avec une
diode by-pass en circuit-ouvert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.30 Caractéristique I-V d’une cellule PV sous les conditions STC obtenu par le mo-
déle de Bishop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.31 Caractéristique I-V d’une cellule PV sous les conditions STC obtenu par le mo-
déle de Madison . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.32 Caractéristique I-V d’une cellule PV sous les conditions STC . . . . . . . . . . . 45
2.33 Caractéristique I-V d’une cellule PV 50% ombrée . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.34 Effet de la diode by-pass sur la caractéristique I-V du groupe ombré . . . . . . . 46
Liste des tableaux

1.1 Principaux défauts et anomalies rencontré dans un générateur PV . . . . . . . . . . . 23

2.1 Parametres du module pris de la fiche technique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

2.2 Configuration retenue pour la modelisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.3 Classification des défauts pour la modélisation et la simulation . . . . . . . . . . . . 35

3.1 Tableau récapitulatif des différents défauts étudiés et leurs effets . . . . . . . . . 64

 Table des figures

3.9 Influance du circuit-ouvert de la diode anti-retour sur la caractéristique P-t d’un

génerateur PV defecteux sous les conditions STC . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.10 Influance du circuit-ouvert de la diode anti-retour sur la caractéristique I-t d’un
génerateur PV defecteux sous les conditions STC . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
Liste des tableaux

1.1 Principaux défauts et anomalies rencontré dans un générateur PV . . . . . . . . . . . 23

2.1 Parametres du module pris de la fiche technique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

2.2 Configuration retenue pour la modelisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.3 Classification des défauts pour la modélisation et la simulation . . . . . . . . . . . . 35

3.1 Tableau récapitulatif des différents défauts étudiés et leurs effets . . . . . . . . . 64

Introduction générale

Au cours des dix dernières années, le marché du photovoltaïque a connu une croissance
très remarquable, surtout dans les quelques dernières années grâce aux différents facteurs sti-
mulants : réduction des coûts de production et politiques de soutien. Ces facteurs stimulants
rendent le retour sur l’investissement d’une installation photovoltaïque de plus en plus inté-
ressant. Or, comme tous les autres processus industriels, un système photovoltaïque peut être
soumis, au cours de son fonctionnement, à différents défauts et anomalies conduisant à une
baisse de la performance du système et voire à l’indisponibilité totale du système. Toutes ces
conséquences défavorables vont évidemment réduire la productivité de l’installation, et donc
réduire le profit de l’installation, sans compter le coût de maintenance pour remettre le système
en état normal.
A l’heure actuelle, il existe des systèmes de monitoring qui permettent de calculer la puis-
sance fournie par les panneaux et l’énergie associée par l’intermédiaire de capteurs de tension
et de courant. Il existe même des services qui permettent de faire la corrélation entre la produc-
tion d’une installation et les conditions météorologiques. Un satellite mesure l’ensoleillement
émis sur le site et compare avec la productivité du champ. Les informations sont mensuelles et
lorsqu’un écart important apparait, l’utilisateur est informé. Ce genre de service est une pre-
mière étape intéressante vers une supervision précise de l’installation mais montre des limites
car il ne permet pas de détecter et localiser dans un temps bref suite à l’apparition d’un défaut
quelconque[1].
L’étude bibliographique a montré que de nombreuses études ont portées sur l’évaluation de
l’impact des différents défauts par l’analyse de la caractéristique I-V (caractéristique statique)
résultante. Par contre, l’utilisation d’une telle caractéristique pour remonter à la nature des
défauts n’est pas largement répandue. Deux raisons principales peuvent être citées comme bar-
rière à l’application d’une telle méthode pour faire le diagnostic : la difficulté d’obtention de la
caractéristique complète I-V et le manque d’une base des données pertinente sur les causalités
entre défauts et modifications de la caractéristique I-V[1].
Ce travail de mémoire consiste à établir d’une manière pertinente une relation causale entre
les principaux défauts considérés et la caractéristique résultante et développé par la suite des
modèles mathématiques d’un générateur photovoltaïque défectueux. Cette objectif est structuré
en trois chapitres.
Le chapitre 1 a pour but de traiter l’état d’art de la production photovoltaïque, tout d’abord
nous présenterons un rappel et une description générale sur l’unité de production photovol-
taïques, les circuits équivalents électriques du générateur photovoltaïque, nous avons présentés
le modèle à une diode et le modèle à deux diodes. Des modèles mathématiques, associés aux
circuits équivalents, sont cités afin de sélectionné un modèle pour notre étude, les défaut qui

1
 Introduction générale

peut survenir dans les installation photovoltaïque.

Le chapitre 2 est consacré à la modélisation et la simulation d’un champ photovoltaïque dé-
faillant pour obtenir la caractéristique I-V pour un défaut quelconque et pour une configuration
quelconque du système PV (module, string ou champ). Dans ce chapitre, la nouvelle démarche
de modélisation et simulation développée dans le cadre de notre étude est détaillée. La modé-
lisation et simulation est faite tant en fonctionnement sain qu’en fonctionnement défaillant du
champ PV.
Le chapitre 3, a pour but de synthèse des résultats trouvés a été faite en développant des
équations afin d’estimer les pertes pour chaque défaut, pour une configuration de champ PV
quelconque. Un tableau récapitulatif est établi en fin de chapitre afin de résumer tous les dé-
fauts étudiés et leurs effets.
Ce mémoire est parachevée par une conclusion générale dans laquelle sont valorisés les dif-
férents travaux effectués. Des perspectives pour ce modeste travail sont également exposées.

2
 Chapitre
1
L’état de l’art de la production
photovoltaïque
1.1 Introduction
L’énergie photovoltaïque est l’un des enjeux de la politique énergétique du notre siècle, qui
résulte de la transformation directe de la lumière du soleil en énergie électrique, au moyen d’une
photopile.
Cette photopile, qu’on appelle aussi, cellule solaire ou cellule photovoltaïque, est fabriquée
à l’aide de matériaux semi-conducteurs, comme les transistors ou les puces dans un ordinateur.
Les cellules photovoltaïques sont fabriquées généralement à base de "silicium cristallin", qui
reste la filière la plus avancée sur le plan technologique et industriel, pour la raison que le
silicium est l’un des éléments les plus abondants sur la terre, sous forme de silice non toxique.
Nous allons consacrer ce chapitre à la description d’une unité de la production photovol-
taïque.

1.2 Ressource solaire

Le soleil émet un rayonnement électromagnétique, compris dans une bande de longueur
d’onde variant de 0,22 à 10 (µm). La figure 1.1 représente la variation de la répartition spectrale
énergétique. L’énergie associée à ce rayonnement solaire se décompose approximativement au :
– 9% dans la bande des ultraviolets (<0,4 µm),
– 47%dans la bande visible (0,4 à 0,8 µm),
– 44%dans la bande des infrarouges (>0,8 µm).
L’atmosphère terrestre reçoit ce rayonnement à une puissance moyenne de 1,37 kilowatt par
mètre carré (kW/m2 ), à plus ou moins 3 %, selon que la terre s’éloigne ou se rapproche du soleil
dans sa rotation autour de celui-ci. L’atmosphère absorbe toutefois une partie, de sorte que
la quantité d’énergie atteint la surface terrestre dépasse rarement 1,2 kW/m2 (1200 W/m2 ).
La rotation et l’inclinaison de la terre font également que l’énergie disponible en un point
donné, varie selon latitude, l’heure et la saison. Enfin, les nuages, le brouillard, les particules

3
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

atmosphériques et divers autres phénomènes météorologiques, causent des variations horaires

et quotidiennes qui tantôt augmentent, tantôt diminuent le rayonnement solaire et le rendent
diffus.

Figure 1.1: Analyse spectrale du rayonnement solaire[2]

L’utilisation du rayonnement solaire comme source d’énergie, pose donc un problème bien
particulier. En effet, le rayonnement solaire n’est pas toujours disponible, en outre, on ne peut
l’emmagasiner, ni le transporter. Le concepteur d’un système qui emploie le rayonnement solaire
comme source d’énergie, doit donc déterminer la quantité l’énergie solaire disponible à l’endroit
visé, et le moment où cette énergie est disponible[2].

1.2.1 Normalisation
Les conditions standards de qualification des modules photovoltaïques sont :
– Un spectre AM 1.5 ;
– Un éclairement de 1000W/m2 ;
– Une température de 25o C.
Les constructeurs des panneaux solaires spécifient les performances de leurs matériels dans
les conditions normalisées citées ci-dessus (S.T.C : Standard Test Conditions)[5].

1.3 Cellules photovoltaïques

Les cellules photovoltaïques (photon : grain de lumière et volt : unité de tension) conver-
tissent directement l’énergie lumineuse en électricité (courant continu basse tension). Comme
l’énergie lumineuse vient du soleil, on parle alors des cellules solaires[4].

4
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

1.3.1 L’effet photovoltaïque

L’effet photovoltaïque est un phénomène physique, qui convertit la lumière (photons) en
électricité grâce à l’utilisation d’un matériau semi-conducteur. Ce dernier possède des propriétés
électroniques particulières. Pour constituer une cellule photovoltaïque il faut, à partir de ce
matériau, constituer d’une jonction avec une couche supérieure présentant un excès d’électrons
(zone dopée n) et une couche inférieure comportant un déficit d’électrons (zone dopée p) ou
inversement, figure 1.2. L’exposition du semi-conducteur au rayonnement solaire, va créer un
excès de charges électriques dans les deux couches, et la mise en contact de deux matériaux de
propriété électronique différente, va provoquer un champ électrique[3].

Figure 1.2: Schéma d’une jonction PN

1.3.2 Historique
Les systèmes photovoltaïques sont utilisés depuis 40 ans. Les applications ont commencé
avec le programme spatial pour la transmission radio des satellites. Elles se sont poursuivies
par des balises en mer et l’équipement des sites isolés dans tout les pays du monde, en utilisant
les batteries pour stocker l’énergie électrique pendant les heures hors soleil[5].

Dates importantes dans l’histoire du photovoltaïque :

1839 : Le physicien français Edmond Becquerel découvre le processus de l’utilisation de l’en-

soleillement pour produire du courant électrique dans un matériau solide, c’est l’effet photovol-
taïque.
1875 : Wernju Von Siemens expose devant l’académie des sciences de Berlin un article sur
l’effet photovoltaïque dans les semi-conducteurs. Mais jusqu’à la seconde guerre mondiale, le

5
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

phénomène reste encore une curiosité de laboratoire.

1954 : Trois chercheurs américains, Chaplin, Pearson et Prince, mettent au point une cellule
photovoltaïque à haut rendement au moment où l’industrie spatiale naissante cherche des so-
lutions nouvelles pour alimenter ses satellites.
1958 : Une cellule avec un rendement de 9 % est mise au point. Les premiers satellites alimentés
par des cellules solaires sont envoyée dans l’espace.
1973 : La première maison alimentée par des cellules photovoltaïques est construite à l’Univer-
sité de Delaware.
1983 : La première voiture alimentée par énergie photovoltaïque parcourt une distance de 4000
km en Australie.

Figure 1.3: Annonce de la première cellule photovoltaïque produite par Bell lab sur le
journal "The New York Times", le 25 avril 1954

La première cellule photovoltaïque (ou photopile) a été développée aux Etats-Unis le 25

avril 1954 par les chercheurs des laboratoires Bell, qui ont découvert que la photosensibilité
du silicium pouvait être augmentée en ajoutant des "impuretés". C’est une technique appelée
le "dopage" qui est utilisée pour tous les semi-conducteur. Mais en dépit de l’intérêt des scien-
tifiques au cours des années, ce n’est que lors de la course vers l’espace que les cellules ont
quittées les laboratoires. En effet, les photopiles représentent la solution idéale pour satisfaire
les besoins en électrlcité à bord des satellites, ainsi que dans tout site isolé[4].

6
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

1.3.3 Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque

On peut représenter une cellule photovoltaïque, comme une diode plate sensible à la lumière,
quand un photon de lumière d’énergie suffisante, heurte un atome sur la partie négative de cette
diode, elle excite un électron et l’arraché de sa structure moléculaire, créant ainsi un électron
libre sur cette partie.
Une photopile est fabriquée de manière à ce que cet électron libre, ne puisse se recombiner
facilement avec un atome à charge positive, avant qu’il n’ait accompli un travail utile en passant
dans un circuit extérieur. Comme une pile chimique , la cellule photovoltaïque produira de
l’électricité à courant continu, mais son énergie produite sera principalement en fonction de la
lumière reçue par la photopile[2], comme montre la figure suivante :

Figure 1.4: Description d’une photopile ou cellule photovoltaïque

1.3.4 Technologie d’une cellule photovoltaïque

a) Silicium mono-cristallin

Les cellules en silicium mono-cristallin représentent la première génération des générateurs

photovoltaïques, figure 1.4.
Pour les fabriquer, on fait fondre la silice du silicium . Lors d’un refroidissement lent et
maîtrisé, le silicium(métallurgique MG-Si) se solidifie en ne formant qu’un seul cristal (silicium
solaire So-Si) de grande dimension (sous forme de barreau). On découpe ensuite le cristal en
fines tranches qui donneront les cellules. Ces dernières sont en général d’un bleu uniforme, leur
durée de vie est de 20 à 30 ans[6].
Son avantage :
– Bon rendement, de 12% à 18% ;
– Bon ratio Wc/m2 (environ 150 Wc/m2 ) ce qui permet un gain de place si nécessaire ;
– Nombre de fabricants élevé.

7
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

Son inconvénient :
– Coût élevé ;
– Rendement faible sous un faible éclairement[6].

Figure 1.5: Cellule en silicium mono-cristallin[6]

b) Silicium polycristallin (multicristallin)

Ce dernier est issu de l’étape de refroidissement du silicium dans une lingotière, d’où la
formation de plusieurs cristaux. Cette cellule photovoltaïque est d’aspect bleuté, mais pas uni-
forme, on distingue des motifs créés par les différents cristaux, figure 1.6.
Son avantage :
– Cellule carrée permettant un meilleur foisonnement dans un module ;
– Moins cher qu’une cellule mono-cristalline.
Son inconvénient :
– Un rendement moins bon qu’une cellule mono-cristalline : 11% à 15% ;
– Ratio Wc/m2 moins bon que pour le mono-cristallin (environ 100 Wc/m2 ) ;
– Rendement faible sous un faible éclairement.

Figure 1.6: Cellule en silicium Ploy-cristallin[6]

Ce sont les cellules les plus utilisées pour la production électrique (meilleur rapport qualité-
prix). Durée de vie de 20 à 30 ans [6].

8
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

c) Silicium amorphe

Le silicium lors de sa transformation, produit un gaz, qui est projeté sur une feuille de verre,
pour former une cellule grise très foncé, figure 1.7. Comme les cellules qui se trouvent dans les
calculatrices et les montres dites "solaires".
Son avantage :
– Fonctionne avec un éclairement faible ou diffus (même par temps couvert) ;
– Un peu moins chère que les autres technologies ;
– Intégration sur supports souples ou rigides.
Son inconvénient :
– Rendement faible en plein soleil, de 6% à 8% ;
– Nécessité de couvrir des surfaces plus importantes que lors de l’utilisation de silicium
cristallin (ratio Wc/m2 plus faible, environ 60 Wc/m2 ) ;
– Performances qui diminuent avec le temps (environ 7%)[6].

Figure 1.7: Cellule en silicium amorphe[6]

d) Couches minces

Les cellules en couches minces sont fabriquées en déposant une ou plusieurs couches semi-
conductrices ou photosensibles sur un support de verre, de plastique, d’acier...etc, Cette tech-
nologie permet de diminuer le coût de fabrication, mais son rendement est inférieur à celui des
cellules en silicium cristallin (il est de l’ordre de 5 à 13 %). Plusieurs technologies existent[7] :
– Le Tellurure de Cadmium (CdTe) ;
– Le Cuivre/Indium/Sélénium ou Cuivre/Indium/Gallium/Sélénium (CIS ou CIGS) Les
cellules à double (tandem) ou à triple jonction (3a-si) ;
– Les cellules à base d’oxyde de Titane ;
– Les cellules en couches minces les plus répandues sont en silicium amorphe.

e) Nouvelles technologies

On utilise de plus en plus de matériaux organiques dans le domaine de l’optoélectronique,

avec des perspectives d’électronique organique. Ainsi, bien que cette filière soit vraiment ré-
cente, les progrès annuels sont spectaculaires. Les matériaux organiques, moléculaires ou po-

9
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

lymériques, à base de carbone, d’hydrogène et d’azote, sont particulièrement intéressants en

termes d’abondance, de coût, de poids et de mise en œuvre[8].

1.4 Caractéristiques de la cellule photovoltaïque

Le schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque peuvent être schématisées ci-dessous :
Pour une cellule idéale l’équation de courant, est :

Iout (Vout ) = Iph (φ) − Id (V ) (1.1)

Ou :

Iout : Courant fournie par la cellule[A] ;

Vout : Tension aux bornes de la jonction[V] ;
Iph (φ) : Courant produit par la photopile, ce courant est proportionnel au flux lumineux (φ)[A].

Figure 1.8: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque

φ
Iph (φ) = Isc (µIcc ((Tc − Tr ef ) + 1)) (1.2)
φr ef
Où :

Isc : Courant de court-circuit mesuré aux conditions STC[A] ;

φr ef : Flux lumineux de référence 1000 [W/m2 ] ;
Tr ef : Température de référence 298.15[K] ;
Tc : Température de la cellule [K] ;
µIcc : Coefficient de température de court-circuit de la cellule [A/K].

10
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

La température de la cellule peut être calculée comme suit :

Noct − 20
 
Tc = Ta + φ (1.3)
800

Avec :

φ : Flux lumineux [W/m2 ] ;

Noct : Condition de température nominale de fonctionnement de la cellule donnée par le
constructeur [K] ;
Ta : Température ambiante [K].

Et :
qV
Id (V ) = Is (exp ( ) − 1) (1.4)
AkT
Ou :

Is : Courant de saturation de la diode[µA];

A : Facteur de qualité de la diode ;
−19
q : Charge de l’électron = 1,602. 10 [Coulomb] ;
−23
k : Constante de Boltzmann = 1,38. 10 [J/K] ;

Figure 1.9: Influence des résistances shunts et série s sur la caractéristique courant-tension
d’une cellule photovoltaïque

La figure 1.8 représente la caractéristique I(V) d’une photopile idéale. Cette dernier comporte
en réalité une résistance série (Rs) et une résistance de dérivation ou shunt (Rsh ). Ces résistances
auront une certaine influence sur la caractéristique I-V de la photopile, figure 1.9[2][5] :
• La résistance série : est la résistance interne de la cellule ; elle dépend principalement de
la résistance du semi-conducteur utilisé, de la résistance de contact des grilles collectrices
et de leurs résistivités ;

11
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

• La résistance shunt : est due à un courant de fuite au niveau de la jonction ; elle dépend
de la façon dont celle-ci a été réalisée.

1.4.1 Puissance crête d’une cellule PV

La puissance crête d’une photopile, notée Wc (Watt crête) ou Wp (Watt peak), c’est la puis-
sance mesuré dans les conditions de test standard "STC", tel que l’éclairement φ= 1000W/m2 ,
la température T= 25o C, avec une répartition spectrale du rayonnement dit AM 1,5[9].

1.4.2 Courant de court-circuit, Icc

Il s’agit du courant obtenu en court-circuitant les bornes de la cellule (en prenant V= 0 dans
le schéma équivalent). Il croît linéairement avec l’intensité d’illumination de la cellule et dépend
de la surface éclairée, de la longueur d’onde du rayonnement, de la mobilité des porteurs et de
la température[5].

1.4.3 Tension de circuit-ouvert, Voc

La tension à circuit-ouvert est obtenue quand le courant qui traverse la cellule est nul. Elle
dépend de la barrière d’énergie et de la résistance shunt. Elle décroît avec la température et
varie peu avec l’intensité lumineuse[5] :

KT Icc
 
Voc = ln +1 (1.5)
q Is

1.4.4 Facteur de forme, FF

On appelle facteur de forme FF (fill factor), le rapport entre la valeur maximale de la puis-
sance pouvant être extraite (Im ,Vm ) de la photopile sous les conditions de mesures standardisées,
et le produit (Icc ,Vco ) :
VM .IM
FF = (1.6)
Vco .Icc
Pour une cellule de fabrication industrielle, le facteur de forme est de l’ordre de 70% [11].

1.4.5 Rendement de conversion, η

Le rendement η des cellules PV, désigne le rendement de conversion en puissance. Il est
défini comme étant le rapport de la puissance maximale délivrée par la cellule et la puissance
lumineuse incidentePIN [9] :
F F .Vco .Icc
η= (1.7)
PI N
PIN : Puissance incidente [W] ;
PIN
A
: Densité de puissance incidente [W/m2 ] ;
A : Section de la cellule [cm2 ].

12
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

1.5 Module photovoltaïque

La cellule solaire de forme ronde ou carrée est l’élément de base d’un système photovoltaïque.
Un ensemble de cellules forme un module solaire, dans un module les cellules sont reliées
électriquement entre elles et encapsulées, donc protégées contre les agents extérieurs. Plusieurs
modules forment un string PV et plusieurs string PV forment un champ ou générateur PV 1 ,
auxquels viennent s’ajouter des protections, un régulateur, un système de stockage de l’énergie
(batterie), des appareils de contrôle et de mesure, un onduleur, etc[11].

1.5.1 Association en série

En additionnant des cellules ou des modules identiques en série, le courant de la branche

reste le même, mais la tension augmente proportionnellement au nombre des cellules /modules
en série, figure 1.10[11].
Voc N s = Ns × Voc (1.8)

Icc = Icc N s (1.9)

Avec :
Voc N s : Somme des tensions en circuit-ouvert en série ;
Icc N s : Courant de court-circuit des cellules en série ;
Ns : Nombre des cellules en série.

Figure 1.10: Cellules identiques en série[2]

1. Le terme générateur photovoltaïque "GPV" est utilisé pour désigner, selon l’application considérée, un
module ou un string . Toutefois, il peut faire allusion au champ photovoltaïque tout entier. Pour la suite de ce
mémoire , on utilisera le terme "GPV" pour désigner un champ photovoltaïque.

13
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

1.5.2 Association en parallèle

En additionnant des modules identiques en parallèle, la tension de la branche est égale à
la tension de chaque module, mais l’intensité du courant augmente proportionnellement au
nombre de modules en parallèle dans la branche, figure 1.11[11][5].

IccN p = Np × Icc (1.10)

Voc = Voc N p (1.11)

Avec :
IccN p : Sommes des courants en court-circuit en parallèle ;
Icc N s : Courant de court-circuit des cellules en série ;
Ns : Nombre des cellules en parallèle.

Figure 1.11: Cellules identiques en parallèle[2]

1.5.3 Association hybride en (série/parallèle)

Selon l’association série et/ou parallèle des cellules, les valeurs du courant de court-circuit
total et de la tension à vide totale, sont données par les relations suivantes[5] :

Ictc = np .Icc (1.12)

Votc = ns .Voc (1.13)

D’où :
Ictc : Sommes des courants en court-circuit en parallèle ;
Votc : Sommes des tensions en circuit-ouvert en série.

14
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

Selon l’association en série et/ou parallèle de ces cellules, les valeurs du courant de court-
circuit Icc , et de la tension à vide Voc , sont plus ou moins importantes. La caractéristique d’un
générateur PV est constituée de plusieurs cellules a une allure générale assimilable à celle d’une
cellule élémentaire, sous réserve qu’il n’y ait pas de déséquilibre entre les caractéristiques de
chaque cellule (irradiation et température uniformes), figure 1.12[10].

Figure 1.12: Caractéristique I-V résultante d’un groupement hybride de (np+ ns) cellules
identiques[5]

1.6 Modèle électrique d’un module photovoltaïque

Pour définir le modèle d’un module photovoltaïque, il faut tout d’abord présenter le circuit
électrique équivalent d’une cellule PV. De nombreux modèles électriques ont été développés pour
représenter leur comportement très fortement non linéaire qui résulte de celui des jonctions semi-
conductrices, qui sont à la base de leurs réalisations. On présentera deux modèles électriques
du module PV[12] :
– Modèle à une diode.
– Modèle à deux diodes.

1.6.1 Modèle à une diode

Le fonctionnement d’un module photovoltaïque décrit par le modèle "standard" à une diode,
établit par "Shokley" pour une seule cellule PV, est généralisé à un module PV, en le considérant
comme un ensemble de cellules identiques branchées en série ou en parallèle, figure 1.13[12].
Le courant fourni par la cellule est donné par la relation suivante :
" ! #
V − Rs I q(V − Rs I
I = −Iph + + Is exp −1 (1.14)
Rsh AkT

15
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

Figure 1.13: Schéma équivalent d’une cellule PV modèle à une diode

Il faut noter que ces deux résistances sont liées à la technologie d’élaboration des électrodes.
Il est nécessaire de minimiser Rs de telle sorte que Rsh soit d’une grandeur très importante. Le
courant de saturation de la diode est supposé variable avec la température selon l’expression
suivante : !3 " !#
Tc qEg 1 1

Is = Is r ef exp − (1.15)
Tref Ak Tref Tc
Où :

Isref : Courant de saturation référence[nA].

Le courant de saturation est souvent donné par le fabricant, il est en général positif mais très
faible.

1.6.2 Modèle à deux diodes

Nous avons cette fois-ci, deux diodes pour représenter les phénomènes de polarisation de
la jonction PN. Ces diodes symbolisent la recombinaison des porteurs minoritaires, d’une part
en surface du matériau et d’autre part dans le volume du matériau[12]. Le schéma suivant,
présente le modèle de la cellule photovoltaïque à deux diodes, figur1.14.

Figure 1.14: Schéma équivalent d’une cellule PV modèle à deux diodes

Le courant fourni par la cellule est donné par la relation suivante :

16
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

" ! # " ! #
V − Rs I q(V − RsI q(V − RsI
I = Iph − − Is1 exp − 1 − Is2 exp −1 (1.16)
Rsh A1 kT A2 kT

Avec :
A1 : Facteur d’idéalité de la première diode.
A2 : Facteur d’idéalité de la deuxième diode.

1.7 Modèles mathématiques

En ce qui concerne la modélisation des générateurs PV, l’étude bibliographique a fait ressor-
tir qu’il existe deux approches. La première nécessite d’effectuer des mesures sur le générateur
PV une fois installé. C’est le cas des modèles "Sandia" et "Cenerg". La deuxième approche
consiste à se baser uniquement sur les données fournies par les constructeurs, ce qui est le cas
du modèle "Madison".

1.7.1 Modèle de Sandia

Le Sandia National Laboratory (Albuquerque, USA) a élaboré un modèle de module PV,
permet à la fois de tester des modules, ainsi que d’estimer leur productivité[13][14]. Les princi-
paux avantages du modèle sont les suivants[15] :
– Il prend en charge, la variation du spectre solaire en fonction de la position du soleil dans
le ciel, et son influence sur le rendement photovoltaïque.
– Le modèle prend aussi en compte l’angle d’incidence du rayonnement direct sur le module
PV. La face avant du module PV étant en général composée d’une vitre, celle-ci ne laisse
pas passer le rayonnement de la même manière suivant l’angle d’incidence du rayonne-
ment. Ce phénomène apparaît dès que l’angle d’incidence (par rapport à la normale au
module PV) dépasse 60o [13].
– Le modèle peut s’appliquer à la caractérisation d’un module PV constitué de plusieurs
modules. Les équations déterminantes sont les suivantes[15] :
φ
IS C = f (AM )f2 (β)(IS C r + µI S C (Tc − Tref )) (1.17)
φr ef 1
IS C
IM P = C0 + (IM P r + µI M P (Tc − Tref )) (1.18)
IS C r
!
IS C
Voc = Vocr + C1 ln + µI S C (Tc − Tref ) (1.19)
IS C r
! " !#2
IS C IS C
VM P = VM P r + C2 ln + C3 ln (1.20)
IS C r IS C r
Avec :
φ : Rayonnement incident [W/m2 ] ;
Tc : Température de la cellule [K] ;
AM : Nombre d’air-masse ;

17
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

β : Angle d’incidence entre le rayonnement direct du soleil et la normale au plan du module

PV ;
φréf : Rayonnement de référence [W/m2 ] ;
Tref : Température de référence de la cellule[K] ;
f1 : Fonction du nombre d’air-masse ;
f2 : Fonction de l’angle d’incidence du rayonnement sur le module PV ;
IS C r : Courant de court-circuit de référence [A] ;
Voc r : Tension de circuit-ouvert de référence [V] ;
VM P r : Tension du point de puissance maximal de référence [V] ;
IM P r : Courant du point de puissance maximal de référence [A].
µI sc : Coefficient de dépendance en température du courant de court-circuit [A/K].
µV oc : Coefficient de dépendance en température du de la tension de circuit-ouvert [V/K].
µV mp : Coefficient de dépendance en température de la tension de puissance maximale [V/K].
µI mp : Coefficient de dépendance en température du courant de puissance maximal [A/K].
C0 , C1 , C2 , C3 : Coefficients déterminés expérimentalement.

1.7.2 Modèle de Cenerg

Le modèle développé par le centre énergétique (Cenreg 2 ) se base sur le modèle à une diode.
Un bilan électrique sur ce schéma permet d’établir une expression donnant le courant I en
fonction de la tension V disponible aux bornes du générateur PV :
h  i h   i
Eg q(V +Rs .I
I = P1 .G[1 + P2 (φ − φref ) + P3 (Tc − Tref )] − P4 .T c 3 exp − [Link]
exp − 1 − V +R
[Link]
Rsh
s .I

(1.21)
Les coefficients P1 , P2 , P3 , P4 , Rs , et Rsh sont déterminés expérimentalement. Le calcule de la
puissance électrique P disponible aux bornes du capteur se fait en multipliant la tension V et
l’intensité I calculé avec l’équation 1.21. Les paramètres expérimentaux permettent une carac-
térisation plus fiable du système PV, mais cela nécessite une phase des mesures relativement
lourde[15].

1.7.3 Modèle de Madison

Ce modèle a été développé par l’Université de Madison, pour la programmation d’un module
PV appelé ‘PHANTASM’ 3 [16] ; enchaîné au programme de simulation thermique de bâtiment
‘TRNSYS’ 4 [17]. Tout comme le modèle ‘Cenerg’ basé sur le modèle électrique des cellules
appelé "Modèle à une diode". Par contre, le modèle développé propose une méthode qui permet
de calculer les performances du module PV à partir des données fournies par les constructeurs.
L’équation qui donne l’intensité I en fonction de la tension V aux bornes du module est la

2. Laboratoire systèmes physiques de l’environnement (SPE), Université de Corse.

3. PHotovoltaic ANalysis and TrAnsient. Simulation Method.
4. TRaNsient SYstem Simulation Program.

18
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

suivante[5] : " ! #
q(V + Rs .I) V + Rs .I
I = Iph − Is exp −1 − (1.22)
[Link] Rsh

1.7.4 Modèle de Bishop

Le modèle de Madison de la cellule solaire n’est pas suffisant pour résoudre le problème de la
cellule photovoltaïque sous ombrage (cas d’une cellule réceptrice). Par contre le modèle de Bi-
shop nous permet d’obtenir une caractéristique complète de la cellule (réceptrice et génératrice),
l’équation de ce modèle est comme suit[18] :
 
" ! # −nb
q(V + Rs .I) V + Rs .I  V + Rs I

I = Iph − Is exp −1 − 1+k 1−  (1.23)
[Link] Rsh Vb

Ou :
k : Coefficient de réglage de Bishop (3.4 à 4).
nb : Coefficient de réglage de Bishop (0.1).
V b : Tension de claquage de la cellule (-10 V à -40 V).

1.7.5 Sélection du modèle

Les deux modèles "Sandia" et "Cenerg" offrent certainement une meilleure précision que le
modèle ‘Madison’. Cependant, ces deux modèles nécessitent soit d’effectuer des mesures sur site
en ce qui concerne le modèle ‘Sandia’, soit des mesures en plus de celles généralement effectuées
par les constructeurs en ce qui concerne le modèle ‘Cenerg’. Le modèle ‘Madison’ propose une
méthode de calcul des paramètres du modèle en fonction des données du constructeur. A cet
effet, nous avons choisis d’utiliser le modèle de ‘Madison’ dans notre étude, pour tous les cas
normaux, mais pour un cas particulier "cas de mismatch 6 " nous allons travailler avec le modèle
de Bishop.

1.7.6 Résolution du modèle

En effet, pour tracer la caractéristique I-V de la cellule, on doit résoudre l’équation de
Madison/ou Bishop, la méthode consiste à calculer la valeur d’une des inconnues (V ou I) en
fonction de l’autre en supposant que les paramètres de l’équation sont connus. Sachant que
les cellules sont généralement mises en série, il est préférable de calculer I à partir de V. La
caractéristique I-V d’une cellule peut être obtenue en calculant I pour plusieurs valeurs de V
sur une plage souhaitée.
L’équation de Madison/ou Bishop ne peut pas être résolue analytiquement. Elle peut être
mise sous la forme f (V, I) = 0.
6. Ce terme traduit toute divergence ou la non identité des caractéristiques I-V par rapport au fonctionnement
optimale.

19
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

La résolution de l’équation de cette forme peut être effectuée en utilisant la méthode de Newton-
Raphson classique :
Pour le modèle de Madison :
" ! #
q(V + Rs .I) V + Rs .I
f (I) = Iph − Is exp −1 − =0 (1.24)
[Link] Rsh

Pour le modèle de Bishop :

 
" ! # −nb
q(V + Rs .I) V + Rs .I  V + Rs I

f (I) = Iph − Is exp −1 − 1+k 1−  = 0 (1.25)
[Link] Rsh Vb

Pour chaque tension donnée V(k), on cherche à calculer le courant correspondant I(k) par
itérations :
f (I(k))
I(k + 1) = I(k) − 0 (1.26)
f (I(k))
Dans notre étude, on a choisi le module photovoltaïque "Heckert HS ML145 Si-mono". Le
module contenant 36 cellules inter-connectées en série. deux groupes de 18 cellules et chaque
groupe a une diode by-pass, comme montre la figure 1.15.

Figure 1.15: Configuration interne du module

1.8 Systèmes PV
Les cellules PV sont les éléments de base de tout système photovoltaïque. Ils peuvent être
branchés en série pour augmenter leur tension d’utilisation et en parallèle pour augmenter leur
courant l’ensemble est appelé le modules PV, l’association de plusieurs modules donne nais-
sance à un champ PV figure 1.16. L’énergie fournie par le champ peut être utilisée pour charger
des batteries qui fourniront l’électricité au moment voulu. Elle peut aussi être utilisée en reliant
directement les modules à la charge sans les batteries (ex. : pour une pompe solaire, l’eau sert
de stockage), ou en les branchant sur un réseau électrique.
Il est également possible de combiner la sortie du champ PV avec d’autres sources d’éner-
gie telles une génératrice ou une éolienne qui serviront d’appoint, si l’ensoleillement n’est pas
suffisant[5].

20
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

Figure 1.16: Composantes d’un champ de modules photovoltaïques

1.8.1 Composants d’un système PV

Le synoptique électrique d’un système PV alimentant une charge est illustré dans la Fi-
gure1.17. Nous le décrivons en considérant les différents composants suivants[1] :

- Générateur PV.
- Convertisseur.
- Câblage et boîte de jonction.
- Système de protection y compris la diode bypass, diode anti-retour et les autres dispositifs
de sectionnement.

1.8.2 Système de protection

Comme pour les autres centrales électriques, il existe plusieurs sortes de protection pour une
installation photovoltaïque ,protection des intervenants, protection contre la foudre, protection
du générateur PV[1]. Du fait que notre travail est porté uniquement sur des défauts conduisant à
une baisse de production, nous nous intéressons donc qu’aux composants servant à la protection
du générateur PV.

A) Diode by-pass

La diode by-pass est connectée en antiparallèle avec un groupe de cellules, à fin de protéger
les plus faibles entre eux contre la polarisation inverse.

B) Diode anti-retour

La tension produite par chaque string peut être différente. Lors de la mise en parallèle de
ces strings pour former un champ PV, le string avec la tension la plus faible peut absorber un
courant inverse provenant des autres strings. Cela conduit donc à une baisse de production,

21
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

les modules du string traversés par le courant inverse pourraient être également susceptibles
de la défaillance. Pour éviter ces courants inverses, une diode anti-retour est placée au bout de
chaque string, figure 1.17.
L’utilisation de la diode anti-retour introduit pourtant une perte dans la production du
fait de la chute de tension causée par cette diode pendant le fonctionnement normal du champ
PV. De plus, ces diodes peuvent se mettes en défaut et demandent par conséquent un contrôle
régulier, un fusible est parfois utilisé à la place de la diode anti-retour. Par contre, l’utilisation
du fusible ne permet pas de protéger le string contre le courant inverse.
Le fusible doit être dimensionné afin que les composants du string (module, câble, connec-
teur) puissent supporter l’intensité du courant inverse lorsque ce dernier existe. Le choix de
l’un des deux composants réside donc sur la tolérance entre la perte en fonctionnement normal
(pour le cas d’utilisation de la diode anti-retour) et la perte causée par le courant inverse (lors
de l’utilisation du fusible)[1].

Figure 1.17: Composantes d’un système PV alimentant une charge[1]

1.9 Défauts dans les systèmes photovoltaïques

Nous avons décrit dans la partie précédente les différents principaux constituant d’une
unité de production d’un système PV. Nous décrivons dans cette partie les différents défauts et
anomalies associés à ces composants. Au cours de son fonctionnement, une installation PV peut
être éventuellement soumise à différents défauts et conditions de fonctionnement anormales.
Les défauts et les anomalies apparus varient d’une installation à une autre en fonction de sa
conception, installation, opération et maintenance[1].

22
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

1.10 Sélection des défauts étudié

Dans ce travail, nous retenons que les défauts principaux. Le critère de sélection de ces
défauts repose sur le produit entre la criticité et l’occurrence. Suite au retour d’expérience de
"Transenergie 7 ", les défauts avec un score supérieur ou égal à 3 ont été retenus et sont listés
dans le tableau 1.1 [1].

Table 1.1: Principaux défauts et anomalies rencontré dans un générateur PV[1]

Éléments du GPV Origines des défauts et d’anomalies
Feuilles d’arbre, déjections, pollution, sable, neige etc.
Détérioration des cellules, fissure, échauffement des cellules
Pénétration de l’humidité, dégradation des interconnexions,
Corrosion des liaisons entre les cellules
Générateur PV
Modules de performances différentes
Module arraché ou cassé
Modules court-circuités, modules inversés
Rupture du circuit électrique
Court-circuit du circuit électrique
Boîte de jonction
Pénétration de l’humidité, dégradation des interconnexions,
Destruction de la liaison
Corrosion des connexions
Circuit ouvert.
Court-circuit
Câblage et connecteur Mauvais câblage (module inversé)
Corrosion des contacts
Rupture du circuit électrique
Destruction des diodes.
Diode de protection Absence ou non fonctionnement des diodes
Inversion de la polarité des diodes au montage, diode mal connectée

A l’heur actuel une simple liste de défauts issue du critère que nous avons retenu. Nous allons
étudié l’impacte des défauts suivants et leurs effet sur l’unité de la production PV :

a) Au niveau de la cellule

• Cellule court-circuitée

b) Au niveau du groupe

• Cellule(s) court-circuitée(s) .
• Diode by-pass c court-circuitée ;
• Diode by-pass e en circuit-ouvert.

c) Au niveau du module

• Cellule(s) court-circuitée(s) ;
7. Transenergie : Présente un groupe de chercheurs et développeur dans le domaine photovoltaïque en France.

23
 Chapitre 1 : L’état de l’art de la production photovoltaïque

• Diode(s) by-pass c court-circuitée(s) ;

• Diode(s) by-pass e en circuit-ouvert(s) .

d) Au niveau du string

• Cellule(s) court-circuitée(s) ;
• Diode(s) by-pass court-circuitée(s) ;
• Diode(s) by-pass en circuit-ouvert(s) ;
• Diode anti-retour court-circuitées ;
• Diode anti-retour en circuit-ouvert.

e) Au niveaux de Champ

• Cellule(s) court-circuitée(s) ;
• Diode(s) by-pass court-circuitée(s) ;
• Diode(s) by-passe en circuit-ouvert(s) ;
• Diode(s) anti-retour court-circuitée(s) ;
• Diode(s) anti-retour en circuit-ouvert(s).

1.11 Conclusion
Dans ce chapitre, un état de l’art sur la production photovoltaïque a été présenté. Tout
d’abord nous avons discuté sur les ressources solaires et la possibilité de convertir le rayonne-
ment solaire en électricité, grâce à l’effet photovoltaïque. Nous avons parlé aussi de l’évolution
de la photopile. Le principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque a été établi, ainsi
que ses différentes technologies. Les caractéristiques de la cellule et les différents paramétrés.
Dans la seconde partie, nous avons présentée le module photovoltaïque, l’assemblage des
cellules série et parallèle et nous avons discuté sur le modèle électrique d’un module, soit le
modèle à une diode ou un modèle à deux diodes, ainsi que les différents modèles mathéma-
tiques, Sandia, Cenerg, Madison, Bishop sont présenté. Parmi que les modèles mathématiques,
le modèle de "Madison" a été choisi pour la modélisation en fonctionnement sain et le modèle
de Bishop a été sélectionnée pour le fonctionnement défaillant.
Les principaux défauts dans la partie DC du générateur PV ont été retenus à partir d’une
liste des défauts les plus fréquents. Ces principaux défauts ont été classés selon les différents
composants du système PV. Parmi les défauts identifiés, seuls les principaux défauts seront
retenus (défauts dans le générateur PV, défauts dans le système de protection (diode by-pass,
diode anti-retour)) pour la suit de ce travail.

24
 Chapitre
2
Modélisation et simulation d’un GPV
en fonctionnement sain et défaillant
2.1 Introduction
Dans ce chapitre, l’étude sera consacrée au comportement d’un champ PV en fonctionnement
sain & défaillant. Le champ PV est subit au deux défauts « court-circuit» et «circuit-ouvert».
La méthode directe de création physique des défauts n’est pas économiquement faisable,
peu reproductible et exige beaucoup d’efforts et de matériels. Une solution alternative consiste
à avoir recours à un outil de simulation.
Dans ce mémoire, on procède comme l’indique la figure ci-dessous, à concevoir un champ PV
défaillant qui permet d’obtenir la caractéristique I-V à des conditions de fonctionnement don-
nées (ensoleillement, température) pour un défaut quelconque et une configuration quelconque
du générateurs PV (module, string, champ), dans un environnement MATLAB Simulink et
Simcape.

Figure 2.1: Synoptique du modèle d’un champ PV

25
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

2.2 Modélisation et simulation d’un générateur PV en

fonctionnement sain
2.2.1 Module PV en fonctionnement sain
Avant l’exécution du modèle mathématique, le choix du module PV est porté sur le module
"Heckert HS ML145" présenté sur la figure 2.2. Ce module est constitué de 36 cellules solaires
de silicium mono-cristallines, formé de deux groupes de 18 cellules connectées en série. Chaque
groupe a une diode by-pass. . Le module fournit une puissance nominale de 145Wc. Le tableau
2.1 résume les caractéristiques électriques du "Heckert HS ML 145".

Figure 2.2: Module Heckert HS ML145

Dans ce chapitre, on retient le modèle mathématique de Madison décrit dans le chapitre 1.

En effet, pour tracer la caractéristique I-V du module, on doit résoudre l’équation (1.22). Le
schéma bloc du modèle Madison de la cellule PV sous Simulink est présenté sur la figure 2.3.

Figure 2.3: Schéma bloc du modèle Madison de la cellule PV sous Simulink

26
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Table 2.1: Parametres du module pris de la fiche technique [19]

Paramétré de module Heckert HS ML145 Si-mono aux condition STC
Puissance nominale Pnom 145W
Point de puissance maximal Pmpp 145.1W
Tolérance de puissance ±3%
Courant de court-circuit Icc 8.25A
Courant maximal Impp 7.84A
Tension à circuit-ouvert Vco 22.7A
Tension de point maximale Vmpp 18.51V
Résistance série Rs 0.22Ω
Résistance shunt Rsh 120Ω
Courant de saturation de la diode Isat 0.03nA
Facteur d’idéalité de la diode A 1.04
Nombre des cellules en série ns 36
Nombre des groupes 2
Rendement η 14.64%
Nombre des diodes by-pass 2

La figure 2.4 illustre les caractéristiques P-V et I-V du module PV utilisée dans les condi-
tions standards . La courbe indique que la quantité d’énergie produite par le module PV varie
considérablement : la puissance est nulle en court-circuit et en circuit-ouvert, et passe par un
maximum quand on parcourt la caractéristique I-V.
Nous définissons par la suite quelques facteurs naturels pouvant diminuer la production du
module photovoltaïque lors de son fonctionnement sain.

Figure 2.4: Caractéristiques I-V et P-V du module Heckert HS ML145 sous les conditions
STC

27
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

2.2.2 Facteurs influençant sur le fonctionnement du module

Heckert HS ML145
a) Influence de l’éclairement

L’apport d’énergie permettant la séparation électron-trou étant assuré par l’énergie lumi-
neuse. Il est donc normal que l’augmentation de l’ensoleillement entraine automatiquement
l’augmentation des paires électron-trou séparées. L’équation(1.2), montre que le courant pro-
duit par la photopile (Iph ) est pratiquement proportionnel au flux lumineux (φ). Par contre,
la tension (V) aux bornes de la jonction varie peu, car elle est en fonction de la différence de
potentiel de la jonction PN du matériau lui-même (pour le silicium mono-cristallin, elle est de
590 mV pour Tc = 25o C)[2].

Figure 2.5: Caractéristique I-V du Figure 2.6: Caractéristique P-V du

module Heckert HS ML145 pour module Heckert HS ML145 pour
différentes irradiations solaires, T=25o C différentes Irradiations solaires, T=25o C

Les résultats de simulation des caractéristiques (I-V) et (P-V) du module PV sont repré-
sentés sur les figures 2.5 et 2.6 pour différentes valeurs d’éclairement (0.2,0.4,0.6,0.8,1 kW/m2 )
et une température ambiante de 25o C.
Les résultats présentés ci-dessus montrent que les caractéristiques (I-V) et (P-V) dépendent
de l’éclairement. Le courant délivré par le module PV augmente avec l’éclairement. Par consé-
quent, la puissance produite par le module PV augmente, la tension de circuit-ouvert diminue
que légèrement avec le flux lumineux. Ceci implique que :
• La puissance optimale de la cellule (PM ) est pratiquement proportionnelle à l’éclairement ;
• Les points de puissance maximale se situent à peu près à la même tension, figure 2.6.

b) Influence de l’ombrage

Dans un module photovoltaïque, les cellules sont reliées en série. Dans les anciens systèmes,
si l’une des cellules était ombragée, le courant ne pourrait plus circuler, figure 2.7. La cellule
accumule alors le courant produit en amont et se comporte comme un récepteur. Elle dissipe
une puissance sous forme de chaleur pouvant dépasser les 100o C, ce qui peut la faire griller,
figure 2.8. Il s’agit du phénomène de « hot spot »[20].

28
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Figure 2.8: Cellule déteruit par de

Figure 2.7: Groupe de cellules sans phénomène de « hot-spot »
diode by-pass dans les anciens modules
PV

Pour éviter ce phénomène, de hot spot, les constructeurs ont équipé leurs panneaux de
diode by-pass, figures 2.9 et 2.10. Ces diodes sont placées aux bornes d’un groupe de cellule
en série (1 à 2 diodes/panneau, selon les constructeurs). Elles permettent de limiter la tension
aux bornes du groupe.

Figure 2.10: Diodes by-pass dans la

Figure 2.9: Module PV équipé de diode boite de jonction du panneau PV
by-pass

Dans notre cas, le module Heckert HS ML145 est protégé à l’intérieure avec deux diodes
by-pass. Le modèle qui permet de tenir en compte de l’influence de l’ombrage a été implémenté
sous Matlab Simscape, figure 2.11
Une ombre forte sur une cellule peut réduire de 50% la production des panneaux photo-
voltaïques lorsqu’ils possèdent une diode by-pass e et de 33% pour ceux qui ont possède deux
diodes (notre cas). Cet effet peut s’illustrer sur les courbes courant-tension et puissance-tension
du panneau photovoltaïque, figures2.12 et 2.13.
La recherche du PP M devient problématique pour la MPPT avec la présence de deux points
d’inflexion sur le courbe P-V. Quelque soit le point qu’il identifiera, il ne correspondra pas au
point de puissance maximal réel du panneau non ombragé, ce qui diminuera inévitablement la
production globale du système.

29
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Figure 2.11: Schéma bloc du module PV sous l’influence de l’ombrage

Figure 2.12: Caractéristique I-V du Figure 2.13: Caractéristique P-V du

module Heckert HS ML145 pour module Heckert HS ML145 pour
différentes % d’ombrages solaires,T=25o C différentes % d’ombrages solaires, T=25o C

Les caractéristiques (I-V) et (P-V) ci-dessus obtenues par la simulation, représentent le

comportement d’un module PV protéger par deux diodes by-pass face à différents pourcentages
d’ombrage.
D’une façon générale, plus la cellule est ombragée (en pourcentage de sa surface) plus la
perte de puissance générée est importante. Les panneaux à cellules de grande taille sont donc
intrinsèquement moins sensibles aux ombrages.
En outre, l’effet relatif de l’ombrage est d’autant plus important quand l’ensoleillement est
fort.

c) Influence de la température

La température est un paramètre qui a une influence directe et non négligeable sur les
caractéristiques (I-V) et (P-V) du générateur PV. Les résultats de simulation sont présentés
sur les figures 2.14 et 2.15. Pour un semi-conducteur de silicium, lorsque la température aug-

30
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

mente, le courant augmente d’environ 0,025 mA/cm2 /o C, alors que la tension décroît de 2,2
mV /o C/cellule. Cela se traduit par une baisse de puissance d’environ 0,4%/o C. Cette influence
devra être prise en compte lors du dimensionnement du générateur photovoltaïque[2].

Figure 2.14: Caractéristique I-V du Figure 2.15: Caractéristique I-V du

module Heckert HS ML145 pour module Heckert HS ML145 pour
différentes température, E=1000W/m2 différentes température, E=1000W/m2

2.2.3 Modélisation d’un champ PV en fonctionnement sain

En fonctionnement sain, toutes les cellules du champ PV sont supposées identiques et sou-
mises au mêmes conditions de fonctionnement (ensoleillement et température). La démarche
présentée sur la figure 2.16, illustre les étapes de la modélisation. Les relations courant-tension
du champ PV sont :

Ichamp = Nstring × Icellule

(2.1)
Vchamp = Nmodule × Ngroupe × Ncellule × Vcellule

Où :
Ichamp : Courant du champ PV en fonctionnement sain ;
Vchamp : Tension du champ PV en fonctionnement sain ;
Nstring : Nombre des strings en parallèle ;
Nmodule : Nombre des modules en série dans un string :
Ngroupe : Nombre des groupes dans un module ;
Ncellule : Nombre des cellules en série dans un groupe de cellules.

2.2.4 Configuration & démarche retenue

Pour notre démarche, nous avons retenue la configuration du champ comme indiquer le
tableau 2.2.

31
Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Figure 2.16: Démarche de modélisation d’un champ PV en fonctionnement sain

Table 2.2: Configuration retenue pour la modelisation

32
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

2.2.5 Établissement de la caractéristique I-V à partir de la

démarche
Pour illustrer la démarche, considérons un champ PV constitué de 5 strings en parallèle,
chaque string est composé de 5 modules en série, chaque module contenant 2 groupes de cellules
en série dont chacun est formé par 18 cellules en série. La Figure 2.17, montre l’établissement
de la caractéristique I-V du champ considéré à partir de celle de la cellule. La diode by-pass est
bloquée car la somme des tensions des cellules est positive (Vdiode <0, absence de l’ombrage).
Le courant circule dans les cellules tant que la diode anti-retour est passante, car la tension
de tout les strings est identique. Les diodes laissent donc passer le courant produit par chaque
string. Pour les composants mis en série (cellules, groupes de cellules, modules), le courant qui
les traverse est identique. La tension d’un composant est la somme de la tension des composants
qui le constituent et pour les composants mis en parallèle (strings parallèle), la tension à leurs
bornes est identique tant que leurs courants s’ajoutent[1].

Figure 2.17: Établissement de la caractéristique I-V du champ à partir de celle de la cellule

2.2.6 Synthèse des résultats pour le fonctionnement sain

L’obtention de la caractéristique I-V d’un champ PV en fonctionnement sain, ne nécessite
pas le calcul de la caractéristique I-V de toutes les cellules figure 2.17. La multiplication de la
tension de cette dernière par le nombre de cellules en série dans un string (Nmodule × Ngroupe ×
Ncellule ) et le courant par le nombre de string, donne la caractéristique I-V du champ PV, par
conséquence sa caractéristique P-V, figure 2.18.
En fonctionnement sain, le comportement de toutes les cellules est identique, ce qui entraîne
le blocage de la diode by-pass et la conduction de la diode anti-retour. Nous verrons dans la
partie suivante que ceci n’est plus le cas pour un fonctionnement défaillant.

33
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Figure 2.18: Caractéristiques P-V du champ à partir de celle de leurs cellules

2.3 Modélisation et simulation d’un GPV en

fonctionnement défaillant
Nous avons vu dans la partie précédente, la démarche de la modélisation d’un champ PV
en fonctionnement sain en partant de la caractéristique I-V de la cellule PV jusqu’à la caracté-
ristique I-V du champ PV. Dans cette partie, on subit au générateur PV différentes situations
des défauts qui peuvent survenir sur les composantes de base (cellules PV) et les éléments de
protection (les diodes by-pass et les diodes anti-retour).
Nous présentons tout d’abord la démarche de la modélisation d’un champ PV en fonctionne-
ment défaillant, figure 2.19. Puis, l’identification des différentes classes des défauts intervenant
dans les différents composants du champ. Ensuite, nous détaillons la modélisation et la simu-
lation de ces défauts pour différentes situations.

2.3.1 Classification des défauts pour la modélisation et la

simulation d’un générateur PV
Les défauts présentés dans le tableau (1.1), ont été classés suivant l’emplacement de leur
apparition dans une installation PV : panneaux, connexion, câblage, système de protection.
Par contre, selon la démarche de la modélisation retenue, on cherche à classer les défauts selon
l’élément à lequel ils interviennent (cellules, groupe de cellules, modules, strings, champ).
En tenant compte de cette hiérarchie, la nouvelle classification de défauts est illustrée dans le
tableau(2.3).

34
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Figure 2.19: Démarche de la modélisation d’un champ PV en fonctionnement défaillant

Table 2.3: Classification des défauts pour la modélisation et la simulation

Élément défaut pour la modélisation Cause du défaut

Court-circuit Pénétration de l’humidité
Cellule
Corrosion des liaisons entre cellules
Court-circuit Pénétration de l’eau ou de l’humidité
Diode by-pass Circuit-ouvert Destruction des diodes
Absence des diodes
Court-circuit Pénétration de l’eau ou de l’humidité
Diode anti-retour Circuit-ouvert Destruction des diodes
Absence des diodes

2.4 Défauts au niveau des cellules

Un champ photovoltaïque est un assemblage de modules photovoltaïques, eux même com-
posés d’une série de cellules élémentaires. Lorsque ces cellules sont exposées aux rayonnements
du soleil, elle produisent de l’électricité. Une seule cellule défectueuse engendre donc, une perte
de rendement de tout le champ PV.

2.4.1 Défaut de court-circuit

Des courts-circuits peuvent se manifester au niveau des interconnexion comme l’illustre la
figure 2.20. Ce type de défaut est fréquent dans les cellules en couche minces car les électrodes
supérieures et inférieures sont beaucoup plus rapprochées et ont plus de chance de se retrouver

35
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

court-circuiter par un trou au travers de la cellule ou par du matériel corrosé ou endommagé[21].

Figure 2.20: Court-circuit d’une cellule par le ruban d’interconnexion

a) Au niveau de la cellule

La relation courant-tension d’une cellule en court-circuit est donnée par l’équation suivante :

Icellule = Icc
(2.2)
Vcellule = 0

b) Au niveau du groupe

La caractéristique I-V d’un groupe défectueux qui contenant des cellules en court-circuit,
elle dépend du nombre des cellules non défectueuses existantes dans le module PV. Pour un
groupe qui contenant au moins une seule cellule non défectueuse, l’équation 2.2 devient[22] :

Vgroupe = N
P
nc =1 Vc b
cellule

(2.3)
Igroupe = Ic b

Avec :
nc : Nombre des cellules non défectueuse.
Vc b : Tension des cellules non défectueuses.
Ic b : Courant des cellules non défectueuses.

Par coïncidence, si toutes les cellules du groupe sont en court-circuit :

Vgroupe = 0
(2.4)
Igroupe = Icc

c) Au niveau du module

La caractéristique I-V du module dépend du nombres de(s) cellule(s) non défectueuse(s)[22] :

PN Ncellule
Vmodule = nggroupe
P
=1 ( nc =1 Vc b )
(2.5)
Imodule = Igroupe = Ic b

36
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Avec :
ng : Nombre de groupes non défectueux.

Dans le cas ou toutes les cellules dans le module sont défectueuses on a :

Vmodule = 0
(2.6)
Imodule = Icc

Le défaut de court-circuit des cellules s’impose sur l’ensemble ou sur une partie du module
PV. La tension du module PV subit une dégradation importante et par conséquent une dimi-
nution de la puissance, figure 2.21.

Figure 2.21: Influence des cellules en court-circuit sur les caractéristiques I-V et P-V du
module PV sous les conditions STC

d) Au niveau du string PV

La différence entre le courant et la tension doit être remarquable, figure 2.22, car le courant
du string PV reste constant. Sa tension augmente en augmentant le nombre de ses cellules.
Ainsi, la caractéristique I-V d’un string défectueux contenant au moins une cellule saine[22] :
PN
Vstring = nNmmodule groupe Ncellule
P P
=1 ng =1 nc =1 (Vc b )
(2.7)
Istring = Imodule = Igroupe = Ic b

Avec :
nm : Nombre des modules non défectueux.

37
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Dans le cas contraire, toutes les cellules du string sont défectueuses :

Alors :

Vstring = 0
(2.8)
Istring = Icc

Figure 2.22: Influence des cellules en court-circuit sur les caractéristiques I-V et P-V d’un
string PV sous les conditions STC

e) Au niveau du champ PV

La tension du générateur PV dépend du nombre de modules dans un string PV. S’il y a

plusieurs string PV associés en parallèle, alors la tension du champ PV sera la tension la plus
minimale entre les strings PV. Par contre, le courant est multiplié par le nombre de string PV
en parallèle[22]. Mais s’il existe un défaut de court-circuit des cellules PV dans un champ PV,
les relations courant-tension seront comme suites[22] :

N
Vgpv = minnsstring
=1 (V )
h string
Nstring PNmodule PNgroupe PNcellule
i
Vgpv = minns =1 nm =1 ng =1 nc =1 (Vc b
) (2.9)
Igpv = (Nst b × Ic b ) + (Nst d × Icc )

Avec :
Vgpv : Tension du champ PV.
Igpv : Courant du champ PV.
Nst b , ns : Nombre de strings non défectueux.
Nst d : Nombre de strings défectueux.

La figure 2.23, montre que le défaut de court-circuit des cellules fait diminuer la ten-

38
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

sion du champ PV et par conséquent la puissance. Lorsque le champ PV subit un défaut de

court-circuit des cellules, il se comporte comme ci la température des cellules augmentées. Par
conséquent, ce défaut est plus grave si la température est plus élevée sachant qu’elle réduit la
tension de circuit-ouvert du champ PV .

Figure 2.23: Influence des cellule en court- circuit sur la caractéristique I-V et P-V d’champ
PV sous les conditions STC

2.5 Défauts de la diode by-pass

La diode by-pass comme on l’a définie dans le chapitre 1, est liée anti-parallèlement au
groupe de cellules. Dans son bon état, la diode by-pass est bloquée, elle devient passante si
la somme des tensions des cellules qu’elle protège est négative. Dans son état défaillant, ce
rôle (protection des cellules contres, le hot spot) n’est plus assurée[1]. Selon sa position, on
peut avoir trois types de défauts soit : de diode by-pass « court-circuit », « circuit-ouvert », «
impédance ». Dans notre étude, les deux premiers défauts sont retenu. Ces types de défauts sont
causés au cours d’assemblage des cellules pour construire un module, transport ou montage des
modules (installation), humidité. La figure 2.24, schématise les deux cas de la diode by-pass
défectueux.

Figure 2.24: Différentes situations de la diode by-pass défaillant

39
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

2.5.1 Défaut de court-circuit

a) Au niveau du groupe PV

L’influence de défaut de court-circuit de la diode by-pass sur la caractéristique I-V de la

cellule est nulle, mais il peut créer un court-circuit qui pourra annuler nettement la tension du
groupe. Les relations courant-tension de ce groupe sont données par l’équation suivante[1] :

Vgroupe = 0
(2.10)
Igroupe = Icellule + Iby−pass

b) Au niveau du module PV

La caractéristique I-V d’un module défectueux dépend du nombre de ses bons ou défectueux
groupes existant, alors s’il contient au moins un bon groupe, on aura :
PN Ncellule
Vmodule = nggroupe
P
=1 nc =1 Vc bg
(2.11)
Imodule = Igroupe = Ic bg

Sinon, si tous ses groupes sont défectueux, alors :

Vmodule = 0
(2.12)
Imodule = Ic bg + Iby−passe g d
Avec :
Vcbg : Tension de la cellule du groupe non défectueux.
Icbg : Courant de la cellule du groupe non défectueux.
nc : Nombre des cellules dans le groupe non défectueux.
ng : Nombre du groupe non défectueux.
Icgd : Courant de la cellule du groupe défectueux.
Iby−passegd : Courant traversant la diode by-pass du groupe défectueux.

La figure 2.25, présente les caractéristiques I-V & P-V du module en présence de la diode
by-pass court-circuitée. Le courant d’un module sain et défectueux est égale à celui de la cellule
mais la tension du circuit-ouvert du module sain est supérieur à la tension de circuit-ouvert du
module défectueux, ce qui influence sur la puissance du module (sain ou défectueux). Ceci est
due à la présence de la diode by-pass court-circuitée dans le module défectueux.

40
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Figure 2.25: Influence de la diode by-pass court-circuitée sur les caractéristiques I-V & P-V
du module PV sous les conditions STC

c) Au niveau du string PV

Les relations courant-tension du string, pour au moins un groupe non défectueux sont don-
nées par l’équation suivante[22][1] :
PN
Vstring = nNmmodule groupe Ncellule
P P
=1 ng =1 nc =1 (Vc b )
(2.13)
Istring = Imodule = Igroupe = Ic b

Sinon, si touts ces groupes sont défectueux, alors :

Vstring = 0
(2.14)
Istring = Icc

La figure 2.26, montre les caractéristiques I-V & P-V du string en présence de la diode
by-pass court-circuitée. Le courant d’un string sain et défectueux est égale à celle de la cellule,
mais la tension de circuit-ouvert du string sain est supérieur à la tension de circuit-ouvert du
string défectueux, ce qui influe sur la puissance du string (sain ou défectueux ). Ceci est due
à la présence de diode by-pass court-circuitée dans l’un des modules du string. La tension de
circuit-ouvert du string est proportionnellement inversée au nombre de diodes by-pass court-
circuitées.

41
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Figure 2.26: Influence de la diode by-pass court-circuitée sur les caractéristique I-V & P-V
du string PV sous les conditions STC

d) Au niveau du champ PV

Le défaut de "court-circuit de la diode by-pass" diminué la tension du string défectueux,

alors la tension du champ dépend de ses strings défectueux, mais le courant du champ dépend
des strings contenant au moins un groupe non défectueux, et des strings ou tout ses groupes
sont défectueux. Les relations courant-tension sont, données par[22] :

N
Vgpv = minnsstring
=1 (Vstring )
Nstring PNmodule PNgroupe PNcellule
Vgpv = minns =1 ( nm =1 ng =1 nc =1 (Vc b )) (2.15)
N Ngroupe
Igpv = [(Nst 0b × Ic b ) + (Nst 0d × (minnmmodule
=1 (minng =1 (Igd ))))]

Avec :
Nst 0b : String contenant au moins un groupe non défectueux.
Nst 0d : String ou toutes ces groupes sont défectueux.

La figure 2.27 représente les caractéristiques I-V et P-V du champ PV contenant des diodes
by-pass court-circuitées. Elle montre que le courant du champ PV est égale à la somme des
courants de chaque string PV. La puissance chute proportionnellement au nombres des diodes
by-pass défectueux, car ce défaut annule nettement la tension de groupe, mais le courant reste
inchangé, sauf si tout les groupes du string PV sont défectueux.

42
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Figure 2.27: Influence des diodes by-pass court-circuitée sur les caractéristiques I-V & P-V
du champ PV sous les conditions STC

2.5.2 Défaut de circuit-ouvert

Le défaut de circuit-ouvert de la diode by-pass n’a pas d’influence sur la caractéristique
I-V de la cellule PV, ni sur le groupe PV, ni sur le string PV et ni sur le champ PV tant qu’il n’y
a pas un mismatch, figures 2.28 & 2.29. Les relations courant-tension du module PV sont[1] :
PN PNcellule
Vmodule = nggroupe
=1 nc =1 (Vcellule )
(2.16)
Imodule = Icellule

Figure 2.28: Caractéristiques I-V & P-V Figure 2.29: Caractéristiques I-V & P-V
du module PV en fonctionement sain sous du module PV sous les conditions STC
les conditions STC avec une diode by-pass en circuit-ouvert

Les figures 2.28 & 2.29 montrent que l’effet de la diode by-pass en circuit-ouvert n’apparait
pas dans les caractéristiques I-V & P-V du module PV, ceci dû au manque des paramètres.

43
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Comme on l’a mentionné dans le paragraphe(2.5) (la diode by-pass sert a protéger les cellules
PV). Si la somme des tensions des cellules du groupe est négative la diode by-pass devienne
passante.
Alors pour illustrer l’effet de ce défaut, on a rajouté l’effet de l’ombrage (cas ou les cellules
PV deviennent réceptrices).
Dans le paragraphe "2.2.2" nous avons simulé l’effet d’ombrage a l’aide du modèle de
Madison, mais ce modèle ne tient pas en compte l’effet d’avalanche, contrairement au modèle
de Bishop, les figures 2.31 & 2.30, présentent la caractéristique I-V de la cellule PV du module
Heckert HS ML 145 obtenu par les deux modèles :

Figure 2.30: Caractéristique I-V d’une cellule Figure 2.31: Caractéristique I-V d’une
PV sous les conditions STC obtenu par le cellule PV sous les conditions STC obtenu
modéle de Bishop par le modéle de Madison

La figure 2.30 présente une caractéristique I-V complète qui tient en considération l’effet
d’avalanche (Partie III) et l’effet dissipatif (Partie I) de la cellule PV par contre la figure 2.31
présente la caractéristique I-V classique de la cellule obtenu par le modèle Madison dans son
état de fonctionnement comme un générateur (Partie II). Pour la suite de notre travail, nous
allons utilisé le modèle de Bishop pour établir les caractéristiques I-V et P-V.

2.5.3 Effet de la diode by-pass en circuit-ouvert sur la

caractéristique I-V du champ en présence du mismatch
a) Au niveau de la cellule

Dans le cas d’un défaut de mismatch, pour un courant donné, la tension produite par les
cellules n’est pas forcément identiques car leurs paramètres ne sont pas les mêmes. Dans le cas
d’ombrage le paramètre qui varie c’est le photo-courant « Iph » dans l’équation 1.23. Les deux
figures 2.32 & 2.33 présentent deux cellules une saine et l’autre sous l’ombrage.

44
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Figure 2.32: Caractéristique I-V d’une Figure 2.33: Caractéristique I-V d’une
cellule PV sous les conditions STC cellule PV 50% ombrée

b) Au niveau du groupe

En se basant sur la même démarche illustrée sur la figure 2.19, on déterminera la carac-
téristique I-V du groupe. La tension du groupe est la somme des tensions de chaque cellule
constituant le groupe, alors la tension du groupe peut être négative, ceci est dû à la présence
des cellules produisant des tensions négatives lorsqu’un courant supérieur à leurs courants de
court-circuit qui les traversant. Dans cette situation le rôle de la diode by-pass devient impor-
tant en protégeant les cellules contre l’effet d’avalanche. La diode by-pass devienne passante
si la somme totale de la tension des cellules devient négative, figure 2.34. Les relations qui
régissent la caractéristique I-V du groupe sont les suivantes[1] :

Igroupe = Icellule + Idiodeby−pass (2.17)

Si la diode by-pass est saine :

PNcellule PNcellule
Vgroupe = i=1 Vcellule,i si i=1 Vcellule,i > 0
PNcellule (2.18)
Vgroupe = 0 si i=1 Vcellule,i < 0
Si la diode by-pass est en circuit-ouvert :

PNcellule PNcellule
Vgroupe = i=1 Vcellule,i ∀ i=1 Vcellule,i (2.19)

45
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Figure 2.34: Effet de la diode by-pass sur la caractéristique I-V du groupe ombré

La figure 2.34 présente clairement l’effet de la diode by-pass, on remarque que si la

diode by-pass est en circuit-ouvert, la tension totale du groupe prend un chemin négative car
il existe des cellules ombrées produisant une tension négative, lorsque le courant lui traversent
est supérieur à leurs courants de court-circuit (Icc ). Ce qui risque de détruire les cellules en
atteignant leur tension d’avalanche. Mais pour une diode by-pass saine, la tension totale du
groupe est nulle tant que cette dernière est négative.

c)-1 Au niveau du module

Partant de la caractéristique I-V du groupe déjà établit. La formation de la caractéristique

I-V du module est basée sur les relations suivantes[1][23] :
PN groupe
Vmodule = i=1 Vgroupe,i
(2.20)
Imodule = Icellule

Les figures suivantes représentent les étapes de formation des caractéristiques I-V du mo-
dule sain et module contenant une cellule de 60% ombré, avec diode by-pass saine et avec diode
by-pass en circuit-ouvert, partant de la caractéristique I-V du groupe.

46
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Un groupe sain Un groupe sain Un module sain

Figure 2.35: Caractéristique I-V d’un module PV sain sous les conditions STC

Un groupe sain Un groupe avec une cellule Un module contenant une cellule
ombrée de 60% et ombrée avec des diodes
une diode by-pass saine by-pass saines
Figure 2.36: Caractéristique I-V d’un module PV avec une cellule ombragés et des diodes
by-pass saines

Un groupe sain Un groupe avec une cellule Un module contenant une cellule
ombrée de 60% et ombrée avec une diode
une diode by-pass en by-pass en circuit-ouvert
circuit-ouvert
Figure 2.37: Caractéristique I-V d’un module PV contenant une cellule ombragée et une
diode by-pass en circuit-ouvert

Les résultats obtenus, montrent que l’allure de la caractéristique I-V le module contenant
une cellule ombrée n’est plus la même que celui du module sain. Un module contenant une cellule
ombrée avec diodes by-pass saines présente une caractéristique mieux qu’un module contenant
une cellule ombrée avec une diode by-pass en circuit-ouvert, car la cellule ombragée présente un
caractère dissipative, due à la présence d’une partie de la caractéristique I-V dans le domaine
des tensions négatives. Ce qui signifie le fonctionnement récepteur du module contenant une

47
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

cellule ombrée avec diode by-pass en circuit-ouvert.

c)-2 Comparaison entre les différentes caractéristiques I-V du module sous

ombrage

Dans ce paragraphe, on souhaite comparer les différentes caractéristiques I-V du module

dans les trois cas suivants : le premier cas, on considère un fonctionnement sain du module
(sans ombrage et avec diodes by-pass saines). Le deuxième cas, on considère un module avec
diodes by-pass saines sous un ombrage de 50%. Le troisième cas, représente un module sous
un ombrage de 50% avec une diode by-pass en circuit-ouvert. On désigne par A1, A2, A3
respectivement l’air sous la courbe dans l’intervalle [0 Voc ] pour les trois cas précédents, figure
2.38.

Figure 2.39: Caractéristique I-V du

Figure 2.38: Caractéristique I-V du
module PV sans(a)/sous(b) ombrage,
module PV sous ombrage de 50%, pour
pour différentes situations de la diode
différentes situations de la diode by-pass
by-pass

D’après les allures de la figure 2.38, on remarque que l’aire A1 est supérieure à A2 et l’aire
A2 est supérieure à A3. En comparant A1 et A2, on constate que l’ombrage à un effet néfaste
sur la puissance délivrée par un module dans son bon état (diodes saines et sans ombrage) de
fonctionnement. En comparant entre A2 et A3 par rapport à A1, on constate que la puissance
délivrée par un module ombré avec diodes by-pass saines est mieux qu’un module ombré avec
une diode by-pass en circuit-ouvert, même si, les deux cas présentent une perte de puissance par
rapport au fonctionnement normal du module, qui est due à l’effet dissipatif de la cellule ombrée.
Le défaut de diode by-pass en circuit-ouvert influe négativement sur la puissance délivrée par
un module dans son bon état. La présence de diodes by-pass saines diminue l’effet de l’ombrage.
La figure 2.39, a) Sans ombrage : aucune perte de courant ou de tension n’est présente sur
le module. b) Avec ombrage : la perte en tension augmente en fonction de la croissance de
l’amplitude de l’ombrage car il n’y a plus de protection assurée par la diode by-pass.
Les courbes I-V sous ombrage ont une allure différente de celle de la courbe I-V saine (sans
ombrage), ansi la caractéristique I-V sous ombrage présente deux points d’inflexion au lieu
d’un, ce qui devient difficile pour déterminer le vrai point de la puissance maximale.

48
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

d)Au niveau du string

Le comportement d’un string PV de 5 modules en série en fonction du défaut de la diode

by-pass en circuit-ouvert et sous ombrage est montré sur les figures suivantes. Les relations
courant-tension du string PV sont données par l’équation suivante :

Vstring = N
P module
i=1 Vmodule,i
(2.21)
Istring = Icellule

4 modules sain Un module contenant une Un string PV contenant

cellule ombrée de 60% avec une cellule ombrée de 60 %
diodes by-pass saines avec diodes by-pass saines
Figure 2.40: Caractéristique I-V d’un string PV avec une cellule ombrée 60% et des diodes
by-pass saines

4 modules sain Un module contenant une Un string PV contenant

cellule ombrée de 60% avec une cellule ombrée de 60%
une diode by-pass avec une diode by-pass
en circuit-ouvert en circuit-ouvert
Figure 2.41: Caractéristique I-V d’un string PV avec une cellule ombrée 60% et une diode
by-pass en circuit-ouvert

La figure 2.40, montre que la caractéristique I-V d’un string PV avec un module qui
contient une cellule ombrée de 60%, la diode by-pass protège le module et le string PV contre
le fonctionnement récepteur de la cellule ombrée. dans le 2eme cas de la figure 2.41, on se trouve
dans un cas ou la diode by-pass est en circuit-ouvert, alors la cellule ombrée devient réceptrice.
Elle absorbe le courant produit par les autres cellules saines, ce (représenter par la partie en
rouge sur la courbe).

49
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

2.6 Défauts de la diode anti-retour

La diode anti-retour a pour avantage de protéger le string PV contre le courant inverse.
Le courant du string peut circuler dans les deux sens possible. Le sens du courant dépend de
la différence de la tension du string et celle du champ PV (imposée) . Dans le sens direct, le
string fourni le courant à la charge. Par contre, dans le sens inverse le string absorbe le courant
produit par les autres strings du champ. La figure 2.42, schématise les différentes situations de
la diode anti-retour[1], comme le cas de diode by-pass en court-circuit et en circuit-ouvert.

Figure 2.42: Différentes situations de la diode anti-retour

2.6.1 Défaut de court-circuit

Ce défaut n’a pas d’influence sur la caractéristique I-V du string, ni du champ PV, tant qu’il
n’y a pas de mismatch. Les relations courant-tension du champ PV sont données par l’équation
suivante[1] :
Ichamp = Nstring × Icellule
(2.22)
Vchamp = Vimpose

Figure 2.43: Caractéristiques I-V& P-V Figure 2.44: Influance du court-circuit

du champ PV en fonctionement sain et d’une diode anti-retour sur les
sous les conditions STC caractéristiques I-V & P-V du champ PV

En comparant les deux figures 2.43 et 2.44, on constate que ce défaut n’a pas d’influence

50
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

sur la caractéristique I-V du champ tant que le string connecté à la diode anti-retour est en
fonctionnement sain (sans mismatch).

2.6.2 Effet de la diode anti-retour en court-circuit sur la

caractéristique I-V du champ en cas de mismatch
Comme nous l’avons défini auparavant, la diode anti-retour se trouve au bout de chaque
string. Lors de la mise en parallèle des strings, la contrainte d’égalité de la tension à leurs bornes
s’applique. Dans cette situation, la diode anti-retour joue son rôle de protection, elle protège le
string contre le courant inverse circulant dans le string.
Pour une tension du champ imposée (tension de fonctionnement du champ PV), le courant
débité par chaque string constituant le champ n’est pas forcément le même. Ceci est dû au
défaut de mismatch (caractéristiques I-V non identiques) qui se présente sur l’un des strings.
Le string avec une tension plus faible que la tension du champ imposée devient forcément
récepteur au lieu d’être générateur car la tension appliquée à ses bornes est supérieur à sa
tension de circuit-ouvert (tension du string). Afin de visualiser l’effet de la diode anti-retour
court-circuitée sur la caractéristiques I-V, on a procédé à la mise en parallèle de quatre strings
de caractéristiques I-V identiques et un string de caractéristique I-V différente. La figure 2.45
illustre clairement cette démarche.
Les relations régissant la caractéristique I-V du champ sont données par les équations
suivantes[1] :
Vchamp = Vimposeé
PNstring (2.23)
Ichamp = i=1 Istring,i
Avec :
Istring,i = interpolation(Vchamp , Vstring,i , Istring,i ) (2.24)

Si la diode anti-retour est saine

Istring,i = 0 si Vstring > Vstringcircuit−ouvert (2.25)

Si la diode anti-retour est court-circuitée

Istring,i < 0 si Vstring > Vstringcircuit−ouvert (2.26)

D’après la figure 2.45, on remarque que pour une tension du champ imposée V", le cou-
rant (Istring−bon , Istring−déf ectueux ) débité par les quatre strings identiques et le string différent
respectivement ne sont pas égaux. Le courant du champ se calcule par une simple sommation
de deux courants précédents (Istring−bon , Istring−déf ectueux ) pour chaque tension donnée V.

51
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

Figure 2.45: Effet de la diode anti-retour en court-circuit sur la caractéristique I-V du

champ PV sous mismatch

Figure 2.45, montre que : pour une diode anti-retour saine, si la tension du champ est
supérieure à la tension de circuit-ouvert du string, la diode anti-retour devient bloquée, se qui
empêche le courant débite par les quatre bons strings de circuler dans le string défectueux
(string avec une tension faible). Mais si la diode anti-retour est court-circuitée, le string défec-
tueux devient récepteur donc, dissipateur au lieu de générateur. Ce qui va diminuer nettement
la puissance délivrée par le champ PV car le courant total du champ à diminué (courbe discon-
tinue).

Figure 2.46: Caractéristique I-V du champ PV pour une diode anti-retour court-circuitée et
sous mismatch de Tstring =30o C

La figure 2.46 montre le cas où la diode anti-retour est court-circuitée. Si la tension des
strings est équilibrée, le court-circuit de la diode anti-retour n’affectera pas le comportement

52
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

du champ. Et si un string produit moins de tension que l’autre, le champ produira plus de
courant (diode en bon état par rapport à une diode en court-circuit).

2.6.3 Défaut de circuit-ouvert

Dans ce cas, la totalité du courant produit par le string est nulle puisqu’il s’agit d’une
déconnexion de la diode anti-retour. Les relations courant-tension sont données par les équations
suivantes [1][22] :

Vstring = Nmodules × Ngroupes × Ncellules × Vcellulescircuit−ouvert

(2.27)
Istring = 0

Si le champ contenant au moins un string non défectueux alors :

Vchamp = Vimpose
PN (2.28)
Ichamp = nsstring
=1 Istrin,n

Avec :
Istring,n = Interpolation(Vchamp , Istring,n , Vstrin,n ) (2.29)

La figure 2.47, présente la caractéristique I-V et P-V du champ photovoltaïque contenant

une diode anti-retour en circuit-ouvert. La figure montre que ce défaut peut interrompre la
circulation du courant via le string défectueux mais sa tension passe à son maximum. Aussi,
il n’a pas d’influence sur la tension du champ qui contient au moins un string non défectueux
par contre, son courant est proportionnellement inversé au nombre de diode anti-retour en
circuit-ouvert (par conséquent diminution de la puissance).

Figure 2.47: Influence de la diode anti-retour en circuit-ouvert sur les caractéristiques I-V &
P-V du champ PV

53
 Chapitre 2 : Modélisation et simulation d’un générateur PV en fonctionnement sain et défaillant

2.7 Conclusion
L’analysé des résultats trouves dans ce chapitre à montrer qu’il y a des défauts qui ont le
même effet sur la caractéristique I-V et P-V, ce qui engendre une confusion d’identification
de ces défaut, et d’autre n’ayant pas d’influence sans la présence d’agents extérieur tel que le
mismatch et l’ombrage.
Ces résultats de simulation représente une base de connaissance pour les défauts de court-
circuit et de circuit-ouvert qui intervient sur les différents niveau du champ PV (cellule, module,
string, champ). Cette base de connaissance est utile pour le pronostic et le diagnostic de défaut
considéré. Pour la suite de notre travail, on passe à la validation des résultats de simulation
trouvés par rapport au travaux déjà réalisés dans ce genre de sujet. Par la suite de ce travail une
estimation des pertes en puissance, tension et courant sera faite pour chaque défaut considéré
et pour une configuration quelconque du générateur PV.

54
 Chapitre
3
Synthèse et validation des résultats
3.1 Introduction
Nous avons vu dans le chapitre précédent, que les défauts que l’on peut retrouver sur un
générateur photovoltaïque surviennent autant lors de la conception de l’installation, que lors
de l’exploitation. Ils sont alors responsables d’une baisse voir d’un arrêt total de la produc-
tion photovoltaïque. De ce fait, une bonne connaissance des différents défauts possibles permet
d’assurer une bonne maintenance et d’éviter la confusion entre les défauts qui ont les mêmes
symptômes sur un générateur photovoltaïque. Ce chapitre fera objet d’une synthèse de valida-
tion des résultats obtenus afin de concrétiser les effets des défauts considérés. Malgré le peu des
travaux de recherche trouvés, la validation se fera à base des travaux ultérieurs et à travers les
résultats obtenus par le logiciel PVsyst 6.0. Ce dernier permet d’analyser plusieurs cas de défaut
à savoir, le fonctionnement inverse de la cellule, l’effet du mismatch et d’ombrage, le défaut de
circuit-ouvert des diodes by-pass ainsi que le défaut de court-circuit des diodes anti-retour.

3.2 Analyse pour validation du défaut de court-circuit

& de circuit-ouvert
La mise en équation du défaut du court-circuit et du circuit-ouvert en introduisant la cellule,
groupe, string, puis un champ PV a été développer dans les références [1][22][23]. Les résultats
trouvés sont identiques au ceux trouvés en simulation.

a)-Défaut de cellules

Ce défaut a été développé dans la référence [22] par une méthode théorique. Les résultats
trouvés sont identiques, à ceux obtenus.

b)-Défaut de diodes by-pass, et de diodes anti-retour

Ces défauts ont été développés dans les références [1] [23], par une méthode directe en créant
le défaut directement sur le champ PV puis en analysant les résultats trouvés. Dans notre

55
 Chapitre 3 : Synthèse et validation des résultats

cas, nous n’avons pas utilisé la même méthode mais nos résultats sont identiques (méthode
développée en chapitre 2).

3.3 Analyse et validation du défaut de la diode by-pass

en circuit-ouvert sous mismatch
Les figures 3.1, 3.2, présentent les résultats obtenus pour un mismatch d’ombrage dans un
groupe protégé par une diode by-pass saine. On retrouve une différence remarquable entre les
résultats attendus (par PVsyst) et obtenus par simulation. Celle-ci est due à la diversité du
modèle mathématique utilisé par PVsyst 6.0 et en simulation (modèle Bishop). Le PVsyst 6
donne des résultats pratiques tandis que nos simulations donnent des résultats théoriques. On
remarque sur les figures ci-dessous que sur la caractéristique I-V totale du groupe protégé par
la diode by-pass saine Vtotale = 0, tandis que dans PVsyst 6 Vtotale 6= 0(dépend de la tension du
seuil de la diode by-pass).

Figure 3.1: Effet de la diode by-pass Figure 3.2: Effet de la diode by-pass
saine sur la caractéristique I-V du groupe saine sur la caractéristique I-V du groupe
ombré, T=25o C obtenu par Matlab ombré, T = 25o C obtenu par PVsyst 6.0

3.4 Analyse et la validation du défaut de la diode

anti-retour en court-circuit
Pour cet exemple, le champ PV est constitué de plusieurs strings en parallèle de caracté-
ristiques I-V différentes. La comparaison entre le comportement du champ PV pour une diode
anti-retour saine et diode anti-retour court-circuitée est présentée sur les figures 3.3 et 3.4. Les
résultats de simulation obtenus, par Matlab et par PVsyst, montrent que, pour une diode anti-
retour saine, le string avec une tension faible (Voc de string <Voc du champ) ne fonctionne pas
au-dessus de sa tension de circuit-ouvert car la diode anti-retour est bloquée (la diode bloque
le courant débité par les autres strings de circuler dans le string défectueux). Par contre dans

56
 Chapitre 3 : Synthèse et validation des résultats

le cas ou la diode anti-retour est en court-circuit, le string avec une tension faible absorbe le
courant débité par les autres strings (la courbe discontinue). Les résultats obtenus par PVsyst
6.0 et Matlab sont identiques.

Figure 3.3: Effet de la diode anti-retour Figure 3.4: Effet de la diode anti-retour
court-circuitée sur la caractéristique I-V court-circuitée sur la caractéristique I-V
du champ PV sous les conditions STC du champ PV sous les conditions STC
obtenu par Matlab obtenu par PVsyst 6

3.5 Synthèse des résultats obtenus

En comparant les caractéristiques I-V d’un générateur PV en fonctionnement sain et dé-
faillant pour les différents défauts considérés auparavant et en analysant la variation des gran-
deurs I, V et P dans le temps, on a retenu les effets suivants :
• Perte de puissance du champ PV.
• Perte de tension de circuit-ouvert du champ PV.
• Perte du courant de court-circuit du champ PV.
A cet effet, une estimation des pertes pour chaque défaut considéré, et pour une configuration
quelconque du champ PV, est développée.

3.5.1 Défaut de court-circuit des cellules

a)- Perte de puissance ∆Pdccc

L’effet du défaut de court-circuit des cellules en perte de puissance sur un générateur pho-
tovoltaïque est interprété par les équations suivantes :

PGP Vdccc = PGP Vsain − ncellulecc × Pcellules (3.1)

PGP Vsain = Nstring−serie × Nstring−parallèle × Pmodule−sain (3.2)

57
 Chapitre 3 : Synthèse et validation des résultats

Pmodule−sain
Pcellule = (3.3)
Ncellules
∆Pdccc = ncellulecc × Pcellule (3.4)

Avec :
∆Pdccc : Perte de puissance due au défaut de court-circuit des cellules.
PGP Vdccc : Puissance résultante du générateur PV lors d’un défaut de court-circuit des cellules.
PGP Vsain : Puissance résultante du générateur PV pour un fonctionnement sain.
ncellulecc : Nombre des cellules en court-circuit dans le générateur PV.
Pcellule : Puissance d’une seule cellule.
Ncellules : Nombre des cellules dans le module.
Nstring−serie : Nombre des modules en série dans un string.
Nstring−parallèle : Nombre des strings en parallèle.
Pmodule−sain : Puissance nominale du module.

b)- Perte du tension de circuit-ouvert ∆Vcodccc

L’estimation des pertes de tension du circuit-ouvert du générateur PV engendrée par le

défaut du court-circuit de la cellule est calculée par les équations suivantes :

VcoGP Vsain = Nstring−serie × Vcomodule−sain (3.5)

VcoGP Vdccc = VcoGP Vsain −ncellulecc × Vcocellules (3.6)

Vcomodule−sain
Vcocellules = (3.7)
Ncellules
∆Vcodccc = ncellulecc × Vcocellules (3.8)

Tel-que :
∆Vcodccc : Perte de tension de circuit-ouvert due au défaut de court-circuit des cellules.
VcoGP Vdccc : Tension de circuit-ouvert du générateur PV lors d’un défaut de court-circuit des
cellules.
VcoGP Vsain : Tension de circuit-ouvert du générateur PV en fonctionnement sain.
Vcomodule−sain : Tension du circuit-ouvert du module PV en fonctionnement sain.
Vcocellules : Tension de circuit-ouvert d’une seule cellule.

c)- Rendement du champ PV pour un défaut de court-circuit des cellules ηGP Vdccc

Le nouveau rendement du générateur PV en présence des cellules en court-circuit est donné

par l’équation suivante :
ηGP Vsain × PGP Vdccc
ηGP Vdccc = (3.9)
PGP Vsain
ηGP Vdccc :Rendement du générateur PV en court-circuit.
ηGP Vsain : Rendement du générateur PV en fonctionnement sain.

58
 Chapitre 3 : Synthèse et validation des résultats

d)- Estimation numérique des pertes et rendement pour notre exemple d’étude

Les équations précédentes sont obtenues par l’analyse des résultats de simulation des
caractéristiques I-V est P-V du chapitre 2. Les figures 3.5 et 3.6 mettent en valeur l’évolution
des grandeurs P, V, dans le temps.

Figure 3.6: Influnce du court-circuit des

Figure 3.5: Influnce du court-circuit des
cellules sur la caractéristique V-t d’un
cellules sur la caractéristique P-t d’un
génerateur sous les conditions STC
génerateur sous les conditions STC

Dans les Condition STC, et pour le cas de 18 cellules en court-circuit :

Pmodule−sain =Pnom =145 W

Pour 36 cellules en série d dans le module :

Pcellules = 145/36 = 4.03 W

Les pertes de puissance dues au défaut de court-circuit de 18 cellules :

∆Pdccc =4.03 × 18=72.5 W

La tension de circuit-ouvert du module dans les conditions STC :

Vcomodule−sain = 22.7 V

La tension du circuit-ouvert d’une seule cellule :

Vcocellules = 0.63 V

Perte de tension du circuit-ouvert due au défaut de court-circuit de 18 cellules :

∆Vcodccb = 0.63×18 = 11.5 V

La puissance du générateur PV contenant 5 modules en série et 5 strings PV parallèle, en

fonctionnement sain dans les condition STC :

PGP Vsain = 145 × 5 × 5 = 3625 W

59
 Chapitre 3 : Synthèse et validation des résultats

La puissance du générateur PV avec 18 cellules en court-circuit sous les condition STC :

PGP Vdccc = 3625 − 72.5= 3552.5 W

Le rendement du générateur PV en fonctionnement sain au condition STC est :

ηGP Vsain = 14.64%

Le rendement du générateur PV pour 18 cellules en court-circuit :

14.64% × 3552.5
ηGP Vdccc = = 14.34 %
3625

3.5.2 Défaut de court-circuit des diodes by-pass

a)- Perte de puissance ∆Pdccb

Les pertes de puissance pour ce défaut sont calculées par l’équation ci-dessous

PGP Vdccb = PGP Vsain − ndbcc × Pgroupe (3.10)

Pmodule−sain
Pgroupe = (3.11)
Ngroupes
∆Pdccb = ndbcc × Pgroupe (3.12)

Avec :
∆Pdccb : Perte de puissance due au défaut de court-circuit des diodes by-pass .
PGP Vdccb : Puissance résultante du générateur PV lors d’un défaut de court-circuit des diodes
by-pass.
ndbcc : Nombre des diodes by-pass en court-circuit dans le générateur PV.
Pgroupe : Puissance d’un seule groupe.
Ngroupes : Nombre des groupes dans le modules PV.

b)- Perte de tension de circuit-ouvert ∆Vcodccb

Le défaut de court-circuit de la diode by-pass diminue nettement la tension de circuit-ouvert.

L’estimation de cette perte est donnée par les équations suivantes :

VcoGP Vdccb = VcoGP Vsain −ndbcc × Vcogroupes (3.13)

Vcomodule−sain
Vcogroupes = (3.14)
Ngroupes
∆Vcodccc = ndbcc × Vcogroupe (3.15)

∆Vcodccb : Perte du tension de circuit-ouvert due au le défaut de court-circuit des diodes by-pass.
Vcogroupe : Tension du circuit-ouvert du groupe dans les conditions STC.

60
 Chapitre 3 : Synthèse et validation des résultats

c)- Rendement du générateur PV lors d’un défaut de court-circuit de la diode

by-pass ηGP Vdccb

Le rendement (ηGP Vdccb ) du générateur PV en présence des diodes by-pass en court-circuit

est donné par l’équation suivante :

ηGP Vsain × PGP Vdccb

ηGP Vdccb = (3.16)
PGP Vsain

d)- Estimation numérique des pertes et rendement de ce défaut pour notre

exemple d’étude

Prenons comme exemple, les données contenues dans les figures 3.7 & 3.8, pour le calcule
des différentes pertes.

Figure 3.7: Influance du court-circuit des Figure 3.8: Influance du court-circuit des
diodes by-pass sur la caractéristique P-t diodes by-pass sur la caractéristique V-t
d’un génerateur PV sous les conditions d’un génerateur PV sous les conditions
STC STC

Dans les conditions STC, pour un module contenant Ngroupes =2 groupes la puissance d’un seul
groupe est :

Pgroupe = 145/2 = 72.5 W

Et, pour deux diodes by-pass en court-circuit. Les pertes de puissance dues au défaut sont :

∆Pdccb = 2 × 72.5 = 145 W

La tension de circuit-ouvert du groupe :

Vcogroupes = 22.7/2 =11.35 V

La perte de tension de circuit-ouvert engendrée par le défaut de court-circuit des diodes by-pass
est :

∆Vcodccb = 2 × 11.35 =22.7 V

61
 Chapitre 3 : Synthèse et validation des résultats

La puissance du générateur PV en présence de court-circuit de 2 diodes by-pass est :

PGP Vdccb = 3625 − 145 =3480 W

Le rendement du champ PV avec ce défaut est :

14.64% × 3480
ηGP Vdccb = = 13.56 %
3625

3.5.3 Défaut de circuit-ouvert des diodes anti-retour

Ce défaut coupe directement le courant d’un string alors il en résulte deux symptômes :

a)- Perte de puissance ∆Pdcoa

L’estimation des pertes en puissance pour ce défaut est donnée par l’équation suivante :

PGP Vdcoa = PGP Vsain − ndaco × Pstring (3.17)

Pstring = Nstring−serie × Pmodule−sain (3.18)

∆Pdcoa = ndaco × Pstring (3.19)

Où :
∆Pdcoa : Perte en puissance due au défaut du circuit-ouvert de la diode anti-retour.
PGP Vdcoc : Puissance résultante du générateur PV lors d’un défaut de circuit-ouvert de la diode
anti-retour..
ndaco : Nombre des diodes anti-retour en circuit-ouvert dans le générateur PV.
Pstring : Puissance d’un seul string PV.

b)- Pertes du courant de court-circuit ∆Idcoa

Le courant du générateur photovoltaïque est calculé par l’équation suivante :

IccGP Vsain = Nstring−parallèle × Iccstring−sain (3.20)

Avec :
Iccstring−sain = Iccmodule−sain = Icccellule−sain (3.21)

Lorsque le générateur PV a des diodes anti-retour en circuit-ouvert l’équation, est :

IccGP Vdcoa = IccGP Vsain − ndaco × Iccstring−sain (3.22)

∆Iccdcoa = ndaco × Icstring−sain (3.23)

Avec :
IccGP Vsain : Courant de court-circuit du générateur photovoltaïque en fonctionnement sain..
IccGP Vdcoa : Courant de court-circuit du générateur photovoltaïque en présence de circuit-ouvert

62
 Chapitre 3 : Synthèse et validation des résultats

de la diode anti-retour.
∆Iccdcoa : Perte en courant de court-circuit due au défaut de circuit-ouvert de la diode anti-
retour.
Iccstring−sain : Courant de court-circuit du string photovoltaïque en fonctionnement sain.

c)- Le rendement du champ PV lors d’un défaut de circuit-ouvert de la diode

anti-retour ηGP Vdcoa

Le rendement (ηGP Vdcoc ) du générateur PV en présence d’un défaut de circuit-ouvert des

diodes anti-retour se calcule comme suit :

ηGP Vsain × PGP Vdcoa

ηGP Vdcoa = (3.24)
PGP Vsain

d)- Estimation numérique des pertes et rendement dans notre exemple d’étude

L’évolution des grandeurs P et I, pour un fonctionnement sain et défectueux de la diode

anti-retour, est illustrée sur les figures 3.9 et 3.10.

Figure 3.9: Influance du circuit-ouvert Figure 3.10: Influance du circuit-ouvert

de la diode anti-retour sur la de la diode anti-retour sur la
caractéristique P-t d’un génerateur PV caractéristique I-t d’un génerateur PV
defecteux sous les conditions STC defecteux sous les conditions STC

Dans les conditions STC, pour un string PV contenant 5 module en série, la puissance du string
PV est :

Pstring = 5 × 145= 725 W

Les pertes de puissance pour un défaut de circuit-ouvert d’une diode anti-retour est :

∆Pdcoa = 1 × 725= 725 W

Pour un champ PV de 5 strings en parallèle, le courant de court-circuit d’un seul string et du

champ PV sont :

63
 Chapitre 3 : Synthèse et validation des résultats

Iccstring−sain = 8.25 A
IccGP Vsain = 8.25 × 5= 41.25 A

Les pertes en courant de court-circuit du générateur photovoltaïque en présence du circuit-

ouvert d’une diode anti-retour :

∆Iccdcoa = 1 × 8.25A= 8.25 A

Le rendement du générateur PV en présence de circuit-ouvert d’une diode anti-retour.

14.64% × (3625 − 725)

ηGP Vdcoa = =11.71%
3625

3.5.4 Tableau récapitulatif des différents défauts étudiés

Les résultats précédents ont montré que le défaut de circuit-ouvert de la diode anti-retour
à causer des pertes très remarquables en puissance. Une seule diode anti-retour en circuit-ouvert
engendre une perte d’un string PV.
Le tableau ci dessous, résume les éléments défectueux étudiés (cellules, diodes by-pass,
diodes anti-retour ) et leurs effets sur le fonctionnement d’un générateur PV quelconque.

Table 3.1: Tableau récapitulatif des différents défauts étudiés et leurs effets

64
 Chapitre 3 : Synthèse et validation des résultats

On remarque que :

a) Dans les conditions STC

– Il ya dés défauts qui ont le même effet sur la caractéristique I-V du champ PV.
– La perte du PPM est présente sur tout les défauts considérés sauf le défaut de diode
by-pass en court-circuit et de la diode anti-retour en circuit-ouvert.
– Il y a dés défauts ou leurs effets n’apparait pas sur la caractéristique I-V du champ PV.

b) Avec mismatch

On remarque que dans le cas du mismatch dû à l’ombrage ou d’un module occulté, les défauts
de la diode by-pass en circuit-ouvert et de la diode anti-retour en court-circuit apparaissent sur
la caractéristique I-V du champ. On constate aussi que sous l’ombrage, la courbe I-V présente
plus d’un point d’inflexion. Ce qui rend la recherche du point PPM problématique pour la
MPPT. Donc, quelque soit le point qu’il identifiera, il ne correspondra pas au point PPM réel
du panneau non ombragé, ce qui diminuera inévitablement la production globale du système.

3.6 Conclusion
Dans la première partie de ce chapitre, les résultats de simulation du chapitre 2 ont été
validés. Et dans la seconde partie une synthèse des résultats trouvés a été faite en développant
des équations afin d’estimer les pertes pour chaque défaut, pour une configuration de champ
PV quelconque. Ceci a été fortifié par un exemple numérique. Un tableau récapitulatif est établi
a été établi en fin de chapitre afin de résumer tous les défauts étudiés et leurs effets.

65
Conclusion générale & perspectives
Dans ce travail de mémoire, nous avons développé des modèles mathématiques pour un
fonctionnement d’un générateur PV défaillant par l’emploi de la caractéristique I-V. Ainsi
que les équations pour l’estimation des pertes en puissance, en tension de circuit-ouvert et de
courant en court-circuit. Les défauts étudiés sont :
– Court-circuit (cellule, diode by-pass, diode anti-retour) ;
– Circuit ouvert (diode by-pass, diode anti-retour).
Cette nouvelle méthodologie entraîne une riche base de données contenant cinq types de
fonctionnement du générateur PV défectueux, à savoir :
– Défaut de court-circuit des cellules ;
– Défaut de court-circuit des diodes by-pass ;
– Défaut de circuit-ouvert des diodes by-pass en présence de l’ombrage
– Défaut de court-circuit des diodes anti-retour en présence de mismatch
– Défaut de circuit-ouvert des diodes anti-retour
En premier lieu, nous avons présenté le principe de fonctionnement d’un générateur photo-
voltaïque, les modèles électriques équivalents (modèle à une diode, modèle à deux diodes), ainsi
que les différents modèles mathématiques existants. Le modèle de Madison a été retenu pour
simuler le comportement de la cellule PV en fonctionnement sain, et défectueux sans mismatch,
et le modèle de Bishop pour simuler le comportement de la cellule PV en fonctionnement sain,
et défaillant en présence de mismatch. Nous avons aussi sélectionné les défauts qui seront rete-
nus pour la simulation.
En second lieu, on a procédé à la simulation du générateur PV, dans l’environnement Matlab,
Simulink, Simscape, en fonctionnement sain et défaillant. Les résultats obtenus pour le fonc-
tionnement sain du GPV vis-a-vis des variations d’éclairement et de température ont montrés
que le comportement de toutes les cellules est identique, ce qui entraine le blocage de la diode
by-pass et la conduction de la diode anti-retour.
Ceci n’est plus le cas dans le fonctionnement défaillant du générateur PV. A cet effet, on a
proposé une nouvelle démarche pour modéliser le champ PV en fonctionnement défaillant. La
méthode se base sur le principe d’addition de la caractéristique I-V obtenu pour une condition
de fonctionnement donnée (ensoleillement, température) et surtout pour un défaut quelconque
et une configuration quelconque du champ PV (module, string, champ), afin d’obtenir une
nouvelle base de connaissance des défauts considérés.
Cette base de connaissance peut être utilisée pour le pronostic et le diagnostic du défaut de
circuit-ouvert et du défaut de court-circuit. Pour valider les résultats trouvés par la méthode de
mise en équation de défaut, on a comparé les résultats obtenus au ceux trouvés par la méthode
direct (création de défaut physiquement, développée dans la référence [1]), et la méthode de
mise en équation de défaut développée dans la référence [22].

67
 Bibliographie

Le modèle établi dans ce mémoire est identique à celui de la référence [22] auquel on a rajouté
l’effet de l’ombrage (circuit-ouvert de la diode de by-pass) et l’effet de mismatch (modules PV
différents pour le court-circuit de la diode anti-retour). Ces résultats sont représentés dans un
tableau récapitulatif dans le chapitre 3.
De plus, les défauts étudiés ont montrés le problème de confusion entre les défauts qui font
apparaitre les mêmes symptômes telle que le court-circuit des diodes by-pass et les cellules série
e et le mismatch de température.
Ce travail de mémoire a ouvert de nombreuses perspectives et qui se résument ainsi :
• Étude du cas des défauts multiples.
• Diagnostic et la localisation des défauts.
• Prise en compte du paramètre temps par l’algorithme de diagnostic.
• Robustesse du système de diagnostic vis-à-vis de la variation des conditions de fonction-
nement.

68
Bibliographie
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Doctorat. Université de Grenoble, 2011.
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techniciens". Université d’Ottawa, 1998.
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de type n+p". Mémoire de Magister. Université de Tlemcen, 1998.
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Université de Bechar, 2009.
[6] [Link] et [Link]. "Commande d’un système photovoltaïque en mode isolé et en mode
Connecté au réseau". Mémoire de Master école nationale polytechnique, 2012.
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2010.
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pour les applications photovoltaïques". Université de Toulouse, 2009.
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versité –Toulous III, décembre 2003.
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tisseur MPPT pour une meilleur gestion énergétique". Mémoire de Magister. Université
Aboubaker Bel Kaid Telemcen 2011.
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69
 Bibliographie

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[20] Site web :http ://[Link]/fr/photovoltaique/aspects- techniques/perte - de - production-

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[22] [Link]."Electrical Faults Modeling of the Photovoltaic Generator", Revue "Proceedings

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emploi de caratéristique I-V". Mémoire de Magister. Université Sétif-1, 28 octobre 2014.

70
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