Chapitre 2

Etages amplificateurs
2.1. Introduction
2.1. Introduction

Xi(t)
A Xo(t)

X o t   AX i t    Po  Pi

(pour amplificateurs linéares)

2.1.1. Paramétres:

iO
vI Ai 
Zi  iI
iI
vO
Az 
vO iI
Zo 
iO
iO
AY 
vI
vO
Av 
vI PO
Ap 
PI
2.1.2. Amplificateurs idéales
Amplificateur de tension

vi avvi RL vO  av v I i I  0; Pi  0
vo
Ri  ; Ro  0

ii Amplificateur transimpédance
az ii RL vo vO  a z i I v I  0; Pi  0
Ri  0; Ro  0

ii io
Amplificateur de courant
iO  ai i I v I  0; Pi  0
ai ii RL
Ri  0; Ro  

io Amplificateur transadmitance
iO  a y v I i I  0; Pi  0
vi ayvi RL
Ri  ; Ro  
2.2. Le couplage des amplificateurs

V1 AV1 V2 AV2 V3 AV3 V4

V4
AV   AV 1 AV 2 AV 3
V1
AV dB   AV 1 dB   AV 2 dB   AV 3 dB 
2.3. Etages amplificateurs à un transistor
 2.3. Etages amplificateurs à un transistor
2.3.1. Montage émetteur commun

VCC

RB1 RC
CL
AV   gm  RC // RL 
CB
RL vo Ri  r // RB 1 // RB 2
Ro  RL // RC // ro
Rs
RB
RE CE
vi
 2.3.2. Montage collecteur commun

VCC

  1 RE // RL 
RB1 AV 
r    1 RE // RL 
CB Ri  RB 1 // RB 2 // r    1 RE // RL 
CL Ro  RE // RL // 1 / gm
Rs
RB2 RE RL vo
vi
2.3.3. Montage base commune

i
Ai  O  1
RL iI
iO
v
vO Av  o  gm RL
vi
iI=II+ii 1
Ri 
gm
vI
Ro  RL // ro
2.3.4. Montage émetteur dégéneré

v vO iC iB
Av  O 
vI iC iB vI
RL
Rs  RL
Q Av  
vO Rs  r  (   1) RE
vI=VI+vi
RE
Ri  Rs  r  (   1) RE

Ro  RL
2.3.5. Montage source commune

v  gm vGS ( RL // rds )
Av  O 
vI vGS
RL

Rs
vO Av   gm  RL // rds 
vI=VI+vi
Ri  

Ro  RL // rds
2.3.6. Montage drain commun

v gm vGS Rs
Av  O 
v I vGS  gm vGS Rs
Rs
gm Rs
Av  1
vI=VI+vi 1  gm Rs
RS vO
Ri  

1
Ro  // Rs
gm
2.3.7. Montage grille commune

RL v  gm vGS RL
Av  O 
iO vI  vGS

vO
Av  gm RL
iI=II+ii
1
Ri 
vI gm

Ro  RL // rds
2.3.8. Montage source dégéneré

v  gm vGS RL
Av  O 
v I vGS  gm vGS Rs
RL
Rs
g m RL
vO Av  
1  gm Rs
vI=VI+vi RS
Ri  

Ro  RL
2.4. Etages amplificateurs à deux transistors
2.4. Etages amplificateurs à deux transistors
2.4.1. Montage cascode

i Q2 i
vO
i’
vI Q1 R

v v i i' 1
AV  O  O   R   gm 1 R
vI i i' v I r 1
2.5. Etage amplificateur différentiel bipolaire
2.5. Etage amplificateur différentiel bipolaire
• sous-ensemble de base de la plupart des circuits intégrés analogiques
• les deux transistors doivent avoir des caractéristiques aussi identiques que
possible
• la résistance commune de l’émetteur REE peut être remplacée par une source de
courant, qui présente une résistance de sortie trés élevée

La sortie peut être prise:

• soit de façon symétrique:

RC 1  RC 2 vO  vO1  vO 2  A(v I 1  v I 2 )
• soit de façon asymétrique:
vO  vO1 ou vO 2   A(v I 1  v I 2 )
 VCC
VCC

RC1 RC2
RC1 RC2
vO1 vO2
vO1 vO2
iC1 iC2
vI1 iC1 iC2
Q1 Q2 vI2 vI1
Q1 Q2 vI2

REE IO
RO

-VEE
-VEE

(a) (b)
L’étage différentiel a des propriétés bien adaptées à l’intégration:
• fonctionnement en continu
• exigences d’appairement des transistors
• nécéssité d’une même température sur les transistors
2.5.1. Analyse en grand signal
 v BE 1 v BE 2 
 
IO  i E 1  i E 2 I O  I S  e Vth  e Vth 
 
i i  
IO  C 1 C 2 v BE 1  v BE 2  v BE 1
 
Vth  
I O  I S e 1 e
Vth

 
Mais comme:  
v BE 1
Vth
iC 1  I S e
v BE 2  v BE 1  v I 2  v I 1

Il est possible d’exprimer les courants collecteurs:

I O I O  vI1  vI 2 
iC 1    1  th 
v I 2 v I 1 2  2Vth 
Vth
1 e
I O I O  vI1  vI 2 
iC 2    1  th 
vI 1 vI 2 2  2Vth 
Vth
1 e
iC1 et iC2 peut être exprimer en série Taylor:

iC 1 ( x ) 1 1 x x3
     ... v  vI 2
IO 1 e  x 2 4 48 x  I1
Vth
iC 2 ( x ) 1 1 x x3  1
 x
    ...
IO 1 e 2 4 48

Donc, la tangente à la caractéristique iC1(x)/IO a l’équation suivante:

1 x
y 
Si: 2 4
y  0  x  2  v I 1  v I 2  2Vth  50 mV

Remarques:
• pour vI1 = vI2 (ou x = 0), iC1 = iC2 = IO/2
• pour un fonctionnement quasi-linéaire, l’excursion de la tension d’entrée doit
être inférieure à 2Vth (ou x =2), soit environ 50mV
 (iC1, iC2)/IO

1 =1

iC1

1/2

iC2 x = (vI1-vI2)/Vth

-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4

Caractéristiques statiques (iC1, iC2)/IO = f [(vI1-vI2)/Vth]

pour l’étage différentiel
La tension symétrique de sortie est:
 x x3 
vO  vO 1  vO 2  iC 2  iC 1 RC   
  ...  I O RC
 2 24 
 

vO1-vO2

IORC

x = (vI1-vI2)/Vth

-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4

-IORC

Caractéristique statique vO1-vO2 = f [(vI1-vI2)/Vth] pour l’étage différentiel

On peut augmenter la plage de tension d’entrée en amplification
linéaire par adjonction de résistances en série dans l’émetteur
(dégéneration d’émetteur)

vO1-vO2

(vI1-vI2)/Vth

-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
2.5.2. Analyse en petit signal
On distingue - le mode différentiel (vid, vod)
- le mode commun (vic, voc)

vi1  vi 2
v id  tension d’entrée différentielle
2
v  vo2
v od  o1 tension de sortie différentielle
2

vi1  vi 2 tension d’entrée en mode commun

v ic 
2
v  vo2
v oc  o1 tension de sortie en mode commun
2

 v i 1  v ic  v id ; v o1  v oc  v od
v i 2  v ic  v id ; v o 2  v oc  v od
avec les gains en tension:

vod
Add  gain différentiel
v id v  0
ic

v
Acc  oc gain en mode commun
v ic v  0
id
d’où:
vo1  vod  voc  Add vid  Acc vic
La Taux de Réjection du Mode Commun doit être aussi élevé que
possible:
A
TRMC  dd
Acc
Détermination des gains en petit signal: méthode du demi-circuit
Mode différentiel ( vid  0, vic = 0  vi1 = vid , vi2 = - vid )

VCC
RC RC
IC+ic Rl
IC-ic

vod -vod
vid
vid -vid RC//Rl/2
Q1 Q2 vod

REE

2IC
-VEE

(a) (b)
Gain différentiel en tension:
v  R 
Add  od   gm  RC // l 
vid  2 

- sortie symétrique:
2vod
A  Add
2v id
- sortie asymétrique:
v A
A  od  dd
2v id 2
Résistance différentiel d’entrée:

Rid  2 r
Mode commun ( vic  0, vid = 0  vi1 = vic , vi2 = - vic )
VCC VCC

RC RC RC RC
Rl Rl

voc voc voc voc

vic vic vic vic
Q1 Q2 Q1 Q2

REE 2REE 2REE

-VEE -VEE

(a) (b)
ic

iic=ib
vic
RC
voc

2REE

(c)
Gain de mode commun en tension:
v  0 RC R
Acc  oc    C
vic r  (  0  1)2 REE 2 REE
Résistance d’entrée en mode commun:
v
Ric  ic  r  (  0  1)2 REE
i ic
Par conséquent: Rl
// RC
I EE REE 2
TRMC 
Vth RC
Pour augmenter de TRMC, il faut donc augmenter la chute de tension dans REE, en
remplacent REE par une source de courant. Alors:
VCC
RC
Acc   RC RC
2 RO

Q1 Q2
où RO est la résistance
de sortie de Q3. RO

Q3

-VEE
Détermination de gamme de tension d'entrée de commun-mode

VCC

RC RC

vIC Q1 Q2

IO
Q3

-VEE

max IO
v IC  VCC  RC  VCE 1 sat  VBE 1
2

min
v IC  VEE  VCE 3 sat  VBE 1
2.5.3. La tension de décalage d’entrée
Si les deux transistors de l’étage différentiel ne sont pas identiques, il est necessaire
d’appliquer un tension d’entrée (nomée tension de décalage d’entrée vIO) pour
obtenir une tension de sortie de valeur nulle.

i I 
v IO  v BE 1  v BE 2  Vth ln  C 1 S 2 
 iC 2 I S 1 
Comme:
iC 1 RC 1  iC 2 RC 2
il résulte:
R I 
v IO  Vth ln C 2 S 2 
 RC 1 I S 1 
Définissant de nouveux paramètres pour décrire la disparité dans les composants
comme suit:
x  x2 x
x 1 x1  x 
2 2
x
x  x1  x 2 x2  x 
2
il résulte:
 RC I S   RC I S 
 CR  I    1  1  
S 2 RC 2IS 
v IO  Vth ln  2 2   Vth ln 
 R  RC I  I S  
1 
RC
1 
I S 
 C S
  2 I S 
2 2  2 RC
Pour:
RC  RC et I S  I S
x  RC / 2 RC ou x  I S / 2 I S
on peut écrire:
1 x
 1  x 1  x   1  2 x
1 x
Donc:
 R  I S    RC I S 
v IO  Vth ln  1  C  1     Vth   
 RC  I S   RC IS 

Cas habituel:
RC I S
 0.01;  0.05  v IO  1.5 mV
RC IS
2.5.4. Principe de la charge active
VCC

Q3 Q4

vo
Rl

vI/2
Q1 Q2 -vI/2

RO IO

-VEE
 v v 
vO   gm 1 I  gm 2 I  Rl // ro 2 // ro 4   gm 1v I  Rl // ro 2 // ro 4 
 2 2
Add  g m 1 Rl // ro 2 // ro 4 

g r I V V
Add R   gm 1 ro 2 // ro 4   m 1 o 2  C 1 A  A
l 2 2Vth I C 1 2Vth
2.5.5. Amplificateur différentiel cascode

VCC

RL R1 RL
vo1 vo2
Q3 Q4

R2
vi1 Q1 Q2 vi2
Re Re

R3

-VEE
 Mode différentiel Mode commun

Q3 Q3

vid Q1 vic Q1
vod voc
RL RL
Re Re+2R3 2(R1//R2)

Demi-circuit de mode différentiel Demi-circuit de mode commun

 RL  RL
Add   Acc  
r  (   1) RE r  (   1)( RE  2 R3 )
2.5.6. Amplificateur différentiel polarisé à une source double

VDD

R1 R2
vO

vI1 Q1 Q2 vI2
R5

R6 Q3
Q4

VZ R3 R4
-VDD
 Mode différentiel Mode commun

R1 R1
vO vO
vI T1 vI T1

(R5/2) // RO3 RO3

Demi-circuit de mode différentiel Demi-circuit de mode commun

 R1  R1 R
Add   Acc    1
 R5
r 1    1

// RO 3  r 1    1RO 3 RO 3
 2 

  R3 
RO 3  ro 3  1  
 r 3  R3  R6 // rZ 
2.5.7. Structure utilisant deux amplificateurs différentiels

VCC

R1 R2 R3 R4
vo1 vo2
vi2
vi1
R5 Q1 Q2 R6 Q3 Q4

Q5 Q6 Q7 Q8

-VCC
Mode différentiel Mode commun

R1//[r 4+(+1)2ro8]
R1//r 4 vO
vO vI Q1
vI Q1

2rO6

Demi-circuit de mode différentiel (1) Demi-circuit de mode commun (1)

R3
R3
vO
vO
vI Q4
vI Q4

2rO8

Demi-circuit de mode différentiel (2) Demi-circuit de mode commun (2)

Gain de mode différentiel (1) Gain de mode commun (1)

Add 1   gm 1  R1 // r 4  R1 // r 4    12 ro8 

Acc 1   
r 1    12 ro6

Gain de mode différentiel (2) Gain de mode commun (2)

R3
Add 2   gm 4 R3 Acc 2   
r 1    12 ro8
2.6. Etage amplificateur différentiel MOS
2.6. Etage amplificateur différentiel MOS

VDD
R1 R1
vO

vI1 T1 T2 vI2

IO RO
2.6.1. Analyse en grand signal
 2 i D1   2i D 2 
v I 1  v I 2  vGS 1  vGS 2   VT     VT   
2
 i D1  i D 2 
 K   K  K

i D1  i D 2  I O vI  vI 1  vI 2
2
2 1  Kv I2 
 i D1  IO i D1  I0  0
4  2  
Donc:
IO IO Kv I2 K 2 v I4 IO IO Kv I2 K 2 v I4
i D1    i D2   
2 2 IO 4 I O2 2 2 IO 4 I O2
2 IO
Pour v I  il résulte i D1  I O , i D 2  0 .
K
La tension symétrique de sortie est:
v O  R1 i D 2  i D1 

Kv I2 K 2 v I4 R1 v I
v O   I O R1   4 KI O  K 2 v I2
IO 2 2
4IO
L’expansion en série Taylor de la tension de sortie est:
3/ 2 5/2
K R K R1 5
v O (v I )   K 1 / 2 I O1 / 2 R1 v I  1 3
vI  v  ...
1/ 2 3/ 2 I
8IO 128 I O
v O (v I )  a 1 v I  a 3 v I3  a 5 v I5  ...
Le gain de mode différentiel a l’éxpression suivante:
Add  a1   R1 KI O

Caractéristiques i D1 , i D 2 v I 
Caractéristique vO v I 
 2.6.2. Analyse en petit signal
Mode différentiel

R1 Add   gm R1   R1 2 KI D1   R1 KI O
vO
Rid  
vI Q1

Demi-circuit de mode différentiel

Mode commun

R1
vO gm R1
Acc  
vI Q1 1  2 gm RO
2RO Ric  

Demi-circuit de mode commun

2.6.3. Domain maximal de la tension d’entrée en mode commun

VDD
R1 R1
vO

Q1 Q2

R2

VC vI IO R3 IO  Q3
R2

VC min  vGS 1  v DS 3 sat  vGS 1  vGS 3  VT  VT   2  1

IO
K

I O R1 I R
VC max  VDD   v DS 1 sat  vGS 1  VDD  O 1  VT
2 2
On peut augmenter la plage de tension d’entrée en amplification linéaire par
adjonction de résistances en série dans les sources (dégéneration de source).

VDD
R1 R1
vO

vI1 Q1 Q2
vI2

R2 R2

IO RO
 gm R1 gm R1
Add   Acc  
1  gm R2 1  gm ( R2  2 RO )

 vGS 1  vGS 3  VT  O 2  VT   2  1 O  O 2
I O R2 I R I I R
VC min  vGS 1  v DS 3 sat 
2 2 K 2
I O R1 I R
VC max  VDD   v DS 1 sat  vGS 1  VDD  O 1  VT
2 2

vO v I  caractéristiques pour multiples courants de polarisation

Caractéristiques i D1 , i D 2 v I 
2.6.4. La tension de décalage d’entrée
Si les deux transistors de l’étage différentiel ne sont pas identiques, il est necéssaire
d’appliquer un tension d’entrée (nomée tension de décalage d’entrée VIO) pour obtenir
une tension de sortie de valeur nulle.

 2i D1 2i D 2 
VIO  vGS 1  vGS 2  (VT 1  VT 2 )    

 K ' W / L1 K ' W / L2 

2 ( i D  i D / 2 ) 2 ( i D  i D / 2 )
VIO  VT  
K ' (W / L)   (W / L) / 2  K ' (W / L)   (W / L) / 2 

2i D  i D  (W / L) i D  (W / L) 
 VT  1   1 
K ' (W / L)  2 i D 2(W / L) 
VIO
2 i D 2(W / L)

Sembleble avec l’amplificateur différentiel bipolaire il résulte:

VGS  VT  i D  (W / L) 
VIO  VT   
2  iD (W / L) 
Mais:
 i  R   i D  R 
 i D  D  R     i D    R  
 2  2   2  2 
équivalent avec:

i D R

iD R
Il résulte:

V  VT  R  (W / L) 
VIO  VT  GS  
2  R (W / L) 
2.6.5. Principe de la charge active
VDD

Q3 Q4
gmvI/2 gmvI vO
gmvI/2
-gmvI/2 Rl
Q1 Q2
vI/2

-vI/2

IO RO

-VDD

Add  gm rds 2 // rds 4 // Rl 

r 1 K
Add R   gm rds 2 // rds 4   gm ds 
l 2 2 IO
2.6.6. Amplificateur différentiel avec la somme constante de
tension de porte-source

VDD
R1 R2
vO

Q1 Q2
V1 V2

vI
R3 R4
 K K
i D1  v GS 1  VT  2 i D2  v GS 2  VT  2
2 2
KR1
v O  R 1 i D 2  i D1   v GS 2  v GS 1 v GS 2  v GS 1  2VT 
2

v GS 1  v GS 2  2v I
v I  V1  v GS 2  v GS 1  V 2  
v GS 1  v GS 2  2V

v O  2 KR1 V  VT v I
 V1  V2  V
v
Add  O  2 KR 1 V  VT 
vI
Réalisation possible

VDD

I1 = IO I2 = IO

R1 R2
vO

Q1 Q2
Q3
Q4
R3
VC vI
R4

2IO
V1  V 2  VGS 3  VGS 4  VT   Add  2 R1 2 KI O
K