Année 2017-2018
Niveau : 3ème année
Durée : 1heure
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Test d’Electronique de Puissance
Exercice n°1 : Etude d’un pont redresseur monophasé simple alternance
Charge
iD(t) D Charge RLE
Soit le montage suivant : ic(t) Inductive
R=10 Ω
R=10 Ω
L=100 mH L=100 mH
E=120V
vD(t)
charge
vc(t) R R
ve(t) L
L
E
La tension ve(t) est sinusoïdale de la forme ve(t) = 220 2 sin (314t).
1. Cas d’une charge R-L
1.1 Ecrire l’équation différentielle qui régit le courant 𝑖𝑐 (𝑡) lorsque la diode D est conductrice.
1.2 Montrer que le courant dans la charge (solution de l’équation différentielle) a pour expression :
𝐿 𝐿𝑤
𝑖𝑐 (𝑡) = 9.441[0.953 𝑒𝑥𝑝 −𝑡/𝜏 + sin(𝜔𝑡 − 𝜑)] avec 𝜏 = 𝑒𝑡 𝜑 = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑎𝑛𝑔( )
𝑅 𝑅
1.3 Calculer l’instant de blocage de la diode 𝑡𝑏 (voir le document réponse de la page 2/2).
1.4 Tracer sur le document réponse (page2/2) les tensions vc (t), vD (t) (Fig1) et le courant iD(t) (Fig2).
1.5 Sur le même document réponse, indiquez les intervalles de conduction de la diode.
1.6 Calculer la valeur moyenne < vc > de la tension redressée vc (t).
1.7 Calculer la valeur efficace vceff de vc (t).
〈𝑣𝑐〉
1.8 Montrer que 〈𝑖𝑐〉 = .
𝑅
1.9 Calculer la valeur numérique de < ic >.
2. Cas d’une charge R-L-E
2.1 Tracer sur le document réponse (Fig3) (page 2/2) les tensions uc (t) et vD (t)
2.2 Sur le même document réponse, indiquez les intervalles de conduction de la diode D.
Exercice 2 : Etude d’un Redresseur en pont triphasé débitant sur une charge fortement inductive
i1
D1 V (t)
D1
v1(t) i2
D2
v2(t) ic(t)=-10A
On donne :
i3
D3 Charge 𝑣1 (𝑡) = 220. √2 . sin(100𝜋𝑡)
v3(t) uc(t) Fortement 2𝜋
inductive 𝑣2 (𝑡) = 220. √2 . sin(100𝜋𝑡 − )
3
4𝜋
𝑣3 (𝑡) = 220. √2 . sin(100𝜋𝑡 − )
3
1. Tracer sur le même document réponse (Fig4) les tensions uc(t) et vD1 (t).
2. Sur le même document réponse, indiquez les intervalles de conduction de chaque diode.
3. Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant 𝒊𝟏 (𝒕).
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Année 2017-2018
Niveau : 3ème année
Durée : 1heure
Nom : ………………………………… Prénom : ………………………………………………..
DOCUMENT REPONSE
400
𝒗𝒆 (𝒕) 𝒗𝒄 (𝒕)
300
200
100
(Fig1)
0
-100
-200
-300
-400
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05 0.055 0.06 0.065 0.07 0.075 0.08
Etat de D
temps en s
𝒊𝒄 (𝒕) 𝒊𝑫 (𝒕)
14
13
10.5 (Fig2)
8
5.5
0.5
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05 0.055 0.06 0.065 0.07 0.075 0.08
temps en s
𝒕𝒃
𝒗𝒆 (𝒕) 𝒊𝒄 (𝒕)
400
300
(Fig3)
200
100
𝐸
-100
-200
-300
-400
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05 0.055 0.06 0.065 0.07 0.075 0.08
temps en s
𝒗𝟏 (𝒕) 𝒗𝟐 (𝒕) 𝒗𝟑 (𝒕) (Fig4)
400
300
200
100
-100
-200
Diode conductrice
-300
-400
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
temps en s
2/2