MP1 Janson de Sailly DM n°6 Pour le vendredi 15 novembre 2024

Matériau semi-conducteur 3. En déduire l’expression du vecteur densité de courant électrique

→
− →
−
j en fonction de e, m, τ , ne et E . Donner alors l’expression de
→
− →
−
Aucune connaissance sur les matériaux semi-conducteurs n’est re- la conductivité électrique γ du matériau, définie par j = γ E
quise pour traiter ce problème. Les deux parties A. et B. sont indé- en fonction des paramètres précédents.
pendantes. 4. Dans le cas du cuivre, chaque atome libère un seul électron qui
kB = 1,38.10−23 J.K−1 représente la constante de Boltzmann, NA = participera à la conduction électrique. La masse molaire du cuivre
6,02.1023 mol−1 représente la constante d’Avogadro et e = 1,60.10−19 est MCu = 63,5 [Link]−1 , la densité du cuivre par rapport à l’eau
C représente la charge élémentaire. est d = 8,9 et la masse volumique de l’eau est µeau = 1,0.103
kg.m−3 .
A. Conductivité d’un matériau semi-conducteur Donner l’expression littérale du nombre d’électrons de conduc-
tion par unité de volume ne en fonction de d, MCu , µeau et de la
On considère un matériau conducteur dans lequel les électrons libres
constante d’Avogadro NA . Faire l’application numérique.
sont uniformément répartis dans le volume du matériau. On note ne le
nombre par unité de volume de ces électrons. Les interactions entre les Comparer avec la densité électronique du silicium, semi-
électrons sont négligées et celles entre les électrons et les ions du réseau conducteur très répandu, qui est de l’ordre de 1019 cm−3 à tem-
cristallin sont modélisées par une force de type frottement visqueux pérature ambiante.
subie par chaque électron de masse m selon la relation vectorielle
→
− m− 5. Un dispositif permet de faire varier la température du silicium.
f =− → v , où τ est une constante propre au matériau et où → −v est On mesure la conductivité γ du silicium entre 4,2 K (tempéra-
τ
la vitesse d’un électron dans le référentiel lié au matériau conducteur ture de liquéfaction de l’hélium) et 12 K. Le tableau de mesures
→
−
(supposé galiléen). Un champ électrique E uniforme et permanent est suivant a été relevé :
appliqué dans le matériau. On négligera le poids de l’électron devant
les autres forces.
T (K) 4,2 4,6 5,0 5,4 6,2
1. Quelle est l’unité de τ dans le Système International ? Justifier. γ (S.m−1 ) 1,7.10−6 1,7.10−5 1,1.10−4 5,7.10−4 8,0.10−3

2. En appliquant le principe fondamental de la dynamique à un T (K) 7,0 8,0 10,0 12,0

électron dans le référentiel lié au matériau, montrer que sa vitesse γ (S.m−1 ) 6,1.10−2 0,43 6,7 42
tend vers une valeur constante que l’on précisera en fonction de
→
−
E , m, τ et de la charge élémentaire e. Montrer à l’aide d’une représentation graphique ou d’une ré-
gression linéaire, que la conductivité suit une loi du type :
Comme τ est de l’orde de 10−12 s, le régime transitoire est très
court. On suppose donc que la vitesse limite est atteinte quasi- 
B

ment instantanément. γ(T ) = A exp −
T

1
MP1 Janson de Sailly DM n°6 Pour le vendredi 15 novembre 2024

où A et B sont deux constantes. Calculer les valeurs numériques

de A et B.
6. Évaluer la conductivité du silicium à 300 K. La comparer à celle
du cuivre qui est de l’ordre de γCu = 108 S.m−1 .
7. Montrer que la densité électronique ne des électrons de conduc-
tion dans le silicium
 suitune loi dite de Boltzmann, c’est-à-dire
Es
que ne = K exp − où K est une constante et où kB est
kB T
la constante de Boltzmann. On donnera la valeur numérique de
la grandeur Es en électron-volt.

B. Étude électrostatique d’une jonction NP à l’équilibre Figure 1 – Jonction NP

Considérons un matériau semi-conducteur formé de silicium. non nulle que l’on se propose d’étudier. Les propriétés qui en
Lorsque celui-ci est pur, il n’est formé que d’atomes de silicium. résultent sont à la base de la caractéristique des diodes, des tran-
Si on remplace une petite proportion de ces atomes par un autre sistors et de tous les circuits intégrés. Dans toute cette partie, les
type d’atomes et ce de manière uniforme dans tout le volume du charges électriques sont immobiles dans le référentiel du matériau
matériau, on parle de dopage. semi-conducteur.
En pratique, on utilise deux types de dopages : 8. On supposera que dans le silicium on peut appliquer les lois de
l’électrostatique à condition de remplacer ε0 par ε0 εr où εr est
• Un dopage au phosphore (symbole P) : ces atomes perdent la permittivité relative du silicium. On suppose que la densité
facilement un électron de valence et se transforment en ca- volumique de charge ρ autour de la jonction située dans le plan
tions P+ . On parle de dopage P (pour positif). x = 0 a l’allure suivante (Figure 2) :
• Un dopage au bore (symbole B) : ces atomes captent facile-
0 si

x < − L1
ment un électron de valence pour se transformer en anions


si − L1 6 x 6 0 avec ρ1 < 0

 ρ
B− . On parle de dopage N (pour négatif). ρ(x) = 1

 ρ2 si 0 6 x 6 L2 avec ρ2 > 0
0 si

Considérons deux cristaux de silicium, le premier dopé N (situé

x > L2
en x < 0) et le second dopé P (situé en x > 0), accolés l’un La jonction est suffisamment large pour supposer que la distri-
à l’autre dans le plan x = 0 : il s’agit d’une jonction NP (voir bution de charge est totalement invariante par toute translation
figure 1). parallèlement au plan (yOz).
Au voisinage de la jonction, dans une région dite "zone de charge Sachant que la distribution de charges est globalement neutre,
d’espace", le cristal acquiert une distribution de charge électrique établir la relation vérifiée par L1 , L2 , ρ1 et ρ2 .

2
MP1 Janson de Sailly DM n°6 Pour le vendredi 15 novembre 2024

charge d’espace en fonction de ρ1 , L1 , L2 et de ε.

La région (x > 0) a été dopée avec du phosphore à raison de N2
atomes P par m3 , tandis que la région (x < 0) a été dopée avec du
bore avec un nombre N1 d’atomes B par unité de volume. Dans
la zone de charge d’espace, chaque atome P est ionisé en P+ .
Les électrons qui ont été ainsi libérés ont traversé spontanément
le plan x = 0, et chaque atome B situé dans la zone de charge
d’espace a capté un électron se transformant ainsi en ion B− .

12. En déduire ρ1 et ρ2 en fonction de e (charge électrique élémen-

taire), N1 et N2 . En pratique N1  N2 . Comparer L1 et L2 et
en déduire l’expression de la largeur totale de la zone de charge
d’espace, que l’on appellera δ, en fonction de L2 .
Figure 2 – Profil de densité volumique de charge dans la jonction
NP 13. En déduire une expression approchée de la largeur δ de la zone
de charge d’espace en fonction de ε, U0 , e et L2 .
On admettra que, en dehors de la zone de charge d’espace, On donne : U0 = 0,30 V ; ε = 1,4.10−10 F.m−1 et N2 = 1,6.1021
le champ électrique est nul en tout point d’abscisse x telle que m−3 . Calculer la valeur numérique de δ.
x < − L1 et x > L2 .

9. Rappeler l’équation de Maxwell-Gauss où l’on remplacera ε0 par

ε = ε0 εr .
Déterminer alors le champ électrique en tout point M apparte-
nant à la zone de charge d’espace (− L1 6 x 6 L2 ). On distin-
guera entre les diverses régions de l’espace suivant les valeurs de
x. Représenter graphiquement l’allure de la composante selon − →
ux
du champ électrique en fonction de x.
10. En déduire l’expression du potentiel électrostatique V (x) dans les
différentes régions de l’espace. On choisira l’origine des potentiels
dans le plan x = 0. Représenter graphiquement V (x) en fonction
de x.
11. Donner l’expression de la différence de potentiel U0 = V (L2 ) −
V (− L1 ) entre deux points situés de part et d’autre de la zone de