RECHERCHE

SiC pour l’électronique

de puissance du futur
par Franck NALLET*

Le carbure de silicium peut induire un renouveau de l’électronique de puissance

en autorisant des composants performants pouvant supplanter leurs homologues
de la filière silicium, capables de remplir de nouvelles fonctions jusque-là inaccessibles.

1. Le carbure de silicium * Docteur en génie

électrique de l’INSA
de Lyon
■ Aspects cristallographiques
Une des particularités du carbure de silicium (SiC)
est la multiplicité de ses formes cristallographiques,
appelée polytypisme. Il existe environ
170 polytypes répertoriés de SiC, tous ne sont pas
utilisés pour des applications électroniques. Les plus
utilisés sont le 6H, le 4H (H pour hexagonal), le 3C (C
pour cubique) et le 15R (R pour rhomboédrique).
Cette nomenclature proposée par Ramsdell identifie
chaque polytype en juxtaposant le nombre de plans
cristallins compacts contenus dans une séquence et
le type cristallographique. Le polytypisme du SiC a analogie sphère-liaison Si-C

résulte alors d’un double choix d’empilement des

sphères (une sphère est la représentation simplifiée
d’une liaison Si-C) d’un plan compact à l’autre. Trois
positionnements relatifs des plans entre eux sont
possibles et sont référencés arbitrairement par A, B
et C (figure 1). A
Nota : la distance entre deux plans est de 2,52 Å. Si
B
Exemple : dans le cas du polytype 6H, la suc- C a
cession de plans peut être schématisée par C

ABCACB/ABCACB/... . Pour le SiC-3C, on a ainsi b positions relatives des plans de sphère

Si
Si

ABC/ABC/... . Si

La découpe du matériau se fait au niveau de la Figure 1 – Empilement des plans de sphères

liaison Si-C d’une sphère ; il en résulte deux faces Arrangement
de liaison Si-C tétraédrique entre
dont les surfaces sont composées soit d’atomes de un atome de carbone
silicium, soit d’atomes de carbone. On parle de face et quatre atomes
Si ou de face C. de silicium
Le seul polytype cubique répertorié est le SiC-3C
(figure 2), appelé aussi β-SiC. Les directions cristal-
lographiques sont, dans ce cas, repérées dans le <111> <110>
référentiel classique (trois axes). Dans le cas du 3C, 15,12
Axe c (Å)

la direction suivant l’axe c — celui de la liaison Si-C — C

est <111>. 12,60
B
Un changement de référentiel est commodément
10,08
utilisé pour les autres types cristalographiques, c
A
génériquement appelés α-SiC, et se compose de 7,56
quatre axes : trois axes coplanaires (dans un plan de C
sphère) et un axe orthogonal, l’axe c. La notation 5,04
classique de Miller à trois indices, hk , gagne une B a3
composante et on note les directions par <a1a2a4a3> 2,52
avec a 4 = – ( a 1 + a 2 + a 3 ) . Cette notation à quatre A a1
indices sert essentiellement à éviter de confondre le 0
repère cubique et le repère hexagonal et est majori- a2
tairement utilisée dans la littérature relative aux SiC-
4H (figure 3) ou SiC-6H (figure 4). Figure 2 – Polytype SiC-3C suivant <1 1 0> Référentiel hexagonal

4 - 2002 © Techniques de l’Ingénieur RE 3 - 1

 RECHERCHE

(de même structure que le germe). Cette méthode,

<0001> <1120> dite méthode de Lely modifiée (figure 5), est large-
ment adoptée et permet d’obtenir des substrats de
20,16 diamètres plus importants que ceux obtenus par la

Axe c (Å)
B
17,64 méthode Lely originelle. Le seul inconvénient – de
C taille – de la méthode de Lely modifiée est la pré-
15,12
B sence de défauts structuraux dans le monocristal.
12,60 Certains, appelés micropores, se caractérisent par
A
10,08 des microtubes (absence de matière) traversant de
B part en part le substrat. On les surnomme « tueurs
7,56
C de composant » car ils empêchent tout fonctionne-
5,04 ment de ceux-ci. Les accompagne tout un cortège
2,52
B d’autres dislocations, cependant moins réd-
A hibitoires que les micropores.
0

Figure 3 – Polytype SiC-4H suivant <11 2 0> Données économiques

La réalisation de monocristaux de SiC à moin-
dre coût est la préoccupation majeure de la filière
SiC. Les substrats commercialement disponibles
sont principalement vendus par la société améri-
<0001> <1120> caine Cree Research Inc. (figure 6). Les autres
20,16 producteurs de substrats consacrent leur produc-

Axe c (Å)
B tion à un usage « personnel ». Les pays s’inves-
17,64 tissant dans la synthèse de SiC et le
A développement d’une véritable filière SiC sont
15,12
B naturellement les pays les plus avancés technolo-
12,60 giquement et économiquement : les États-Unis
C avec la NASA, l’armée appuyés par Cree
10,08
A Research, Northrop Grumman et les universités
7,56 de Pittsburgh et de Caroline du Nord ; l’Allema-
C gne avec Daimler-Benz, Siemens et l’université
5,04 de Erlangen-Nünberg ; la Suède avec ABB et
B
2,52 l’université de Linköping ; la France avec Thom-
A son-LCR, le LETI-CEA. Le diamètre maximal des
0 substrats commercialement disponibles est de
75 mm (3 pouces) chez Cree Research et Sterling
Figure 4 – Polytype SiC-6H suivant <11 2 0> Semiconductor.

■ Homoépitaxie
Les différentes structures cristallographiques con-
duisent à des propriétés mécaniques semblables, le La technique de dépôt chimique en phase
distinguo apparaît clairement lorsque l’on aborde les vapeur (CVD) est la plus utilisée pour l’homoépitaxie
propriétés électriques des différents polytypes : pour sur SiC (figure 7), en utilisant une méthode de crois-
la réalisation de composants de puissance en SiC, la sance par avancée de marches (step-controlled epi-
tendance actuelle dégage en priorité les polytypes taxy) initiée par Kuroda et Matsunami en 1987 [4]
hexagonaux, avec une nette préférence pour le SiC- (figure 8). L’enceinte est constituée d’un tube en
4H. quartz entouré de spires inductives dans lequel est
CVD : chemical vapor disposée la plaquette à épitaxier, placée sur un sus-
deposition
HTCVD : high tempe-
■ Technologies de cristallogenèse cepteur. Le carbone et le silicium sont introduits, via
rature chemical vapor un flux d’hydrogène (gaz porteur), sous forme de
deposition Pour synthétiser du SiC monocristallin, il faut du SiH4, C3H8 ou CH4. La croissance s’effectue à une
carbone, du silicium et une température élevée. Le température de 1 400 ûC à 1 600 ûC.
tirage de lingots de SiC n’est pas envisageable à par-
tir d’une phase liquide (méthode de la filière sili- La technique de croissance par marches permet un
cium), cette phase nécessitant des température et bon contrôle du type de plan (A, B ou C) déposé et
pression prohibitives pour une fabrication indus- d’obtenir une couche épitaxiée sans inclusions de
trielle. La méthode de cristallogenèse utilisée actuel- polytypes parasites. La vitesse de croissance est de 2
lement a été initiée par les travaux de Lely [1] avec à 5 µm/h. Une désorientation du cristal (par rapport
la première synthèse de cristaux de SiC-6H de à <0001>) est recommandée pour obtenir une cou-
grande pureté. La méthode de croissance des mono- che de bonne qualité cristalline [5] et une vitesse de
cristaux repose sur la sublimation de poudre de croissance importante. Les angles utilisés sont 8û
SiC portée à 2 300 ûC. Les espèces chimiques alors pour le 4H et 3,5û pour le 6H. De nouvelles avancées
produites sont Si, C, Si2C et SiC2 et forment le maté- technologiques utilisant des architectures verticales
riau SiC monocristallin en se condensant sur les à parois chaudes permettent d’atteindre des vitesses
parois du réacteur. Cette méthode a été améliorée de croissance d’environ 50 µm/h. La méthode de
par Tairov et Tsvetkov [2] en proposant l’introduc- dépôt chimique en phase vapeur à haute tem-
tion, dans le réacteur, d’un germe (morceau de SiC pérature (HTCVD) semble la meilleure pour obtenir
monocristallin) à partir duquel croît la boule de SiC des épitaxies épaisses, avec des vitesses de crois-

RE 3 - 2 © Techniques de l’Ingénieur 4 - 2002

 RECHERCHE

Dans les Techniques

Cristal de l’Ingénieur :
Matériaux semi-conduc-
Couvercle teurs à grand gap : SiC
Isolation Germe de SiC [E 1 990] de
monocristallin J. Camassel, S. Contreras
(Lely) et J.-L. Robert.

T1

Transport Dépôt Induction à

Graphite

radiofréquences
T2 > T 1

Si2C Si
SiC2 Poudre de SiC
T2
Sublimation
Creuset

Source

Figure 5 – Principe de la méthode Lely modifiée et architecture du réacteur associé

125 1 000
Diamètre de micropore (mm)

Densité de micropores (cm–2)

100
Production
100 25 mm
100 50 mm
75
35 mm
75
10
50 30 mm
R&D
50 35 mm
35 1
30
25
25
0,1
1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000

Figure 6 – Production R & D et commerciale de substrats SiC par Cree (d’après [3])

Induction RF Unique possibilité

au niveau Deux positions
SiH4 <0001> de la marche possibles

C C B
C
Surface
H2 A
C
B
A
Epigress
CH4 C 3H 8 Tube en Suscepteur [Link]
quartz et substrat Purdue Wide Band
Figure 8 – Technique de croissance par avancée Gap Research
Figure 7 – Homoépitaxie CVD de marches [Link]
[Link]/WBG
Université
de Linköping (Suède)
sance élevées (500 µm/h) et de qualité comparable substrats de 3C, difficiles à obtenir par croissance [Link]
Matephys
aux couches obtenues par la technique CVD [6]. classique. La différence de paramètre de maille
Université de Kyoto
(20 %) et de coefficient de dilatation (8 %) font de (Japon)
■ Hétéroépitaxie l’interface SiC-3C/Si un lieu propice au développe- [Link]
La croissance de SiC-3C sur Si a été initiée par ment de défauts structuraux. [Link]/~syu-naka/
Matsunami en 1980 [7] et permet de bénéficier de English/[Link]

4 - 2002 © Techniques de l’Ingénieur RE 3 - 3

 RECHERCHE

D’autres hétérostructures émergent, constituées Pour obtenir une profondeur d’implantation d’alu-
Dans les Techniques d’un empilement SiC/SiO2/Si appelé SICOI™ [8] ou
de l’Ingénieur : minium de 1 µm, il faut une énergie d’implantation
Technologie silicium sur SIMOX [9]. Leur intérêt premier est l’obtention de de l’ordre de 1 MeV. Par conséquent, il est difficile
isolant : SOI [E 2 380] plaquettes de grande taille à moindre coût, éventuel- techniquement d’obtenir des jonctions profondes
de S. Cristoloveanu lement exploitables par une filière circuit intégré
et F. Balestra (> 1 µm) avec les implanteurs « classiques » utilisés
CMOS. Leur utilisation pour des composants discrets par la filière silicium (typiquement, l’énergie maxi-
de puissance reste à prouver et serait une alternative
male disponible est de 200 keV). La profondeur de
intéressante pour l’obtention d’un matériau de base à
pénétration est directement liée à la masse du pro-
moindre coût pour des substrats de large diamètre.
jectile (l’impureté) et à la masse volumique du maté-
CMOS : complemen- riau cible (pour le SiC, ρ = 3,21 g · cm−3).
tary metal oxide
semiconductor 2. Technologie L’atome de bore, plus petit que celui d’aluminium,
des composants pénètre environ à 2 nm/keV, l’azote à quelque
1,5 nm/keV. Pour implanter profondément, il faut
■ Dopage soit implanter à haute énergie, soit « tirer » inten-
tionnellement selon une direction cristallographique
● Dopage in situ privilégiée suivant laquelle la disposition les atomes
de silicium et de carbone crée des « canaux » [10].
L’incorporation de dopants tels que l’azote, l’alumi-
nium ou le bore est possible durant la phase d’élabo- Un autre inconvénient est l’endommagement du
ration du matériau (croissance du substrat et des
matériau par l’implantation se traduisant par des
épitaxies). Elle permet d’obtenir une couche dopée
d’épaisseur et de niveau de dopage maintenant fia- modifications locales de la stœchiométrie du SiC et
bles. Le contrôle du type et du niveau de dopage l’altération de sa structure cristalline. Une étape de
dans la couche épitaxiée se fait en ajoutant l’impu- recuit à haute température est alors nécessaire pour
reté dopante sous forme de gaz dans l’enceinte pen- recristalliser le mieux possible le matériau et permet-
dant la croissance. L’apport d’azote (N2) permet tre aux impuretés implantées de migrer vers un site
d’obtenir le type N ; le type P est obtenu avec le bore cristallin adéquat pour devenir véritablement des
(B2H6) ou l’aluminium (Al(C2H5)3). Le niveau d’incor- dopants.
poration des impuretés au cristal est contrôlé par le
rapport Si/C de croissance, physiquement expliqué ● Niveaux donneurs et accepteurs
par compétition de site. L’aluminium s’intègre à la
matrice en remplaçant le silicium. L’azote, lui, se Les impuretés azote et phosphore ont un niveau
sMOSFET : metal oxide semiconductor field effect donneur proche de la bande de conduction et per-
transistorubstitue principalement à l’atome de car- mettent d’obtenir une concentration d’électrons à
bone. Le niveau de dopage résiduel (généralement 300 K s’élevant à environ 50 % du niveau de dopage,
de type P) est d’environ 1013 à 1014 cm−3, la concen- ND. Pour le type P, les niveaux sont relativement pro-
tration contrôlée est de 1015 à 1019 cm −3. fonds (~200 meV pour Al et ~300 meV pour B) et
sont responsables d’une concentration de trous à
MOSFET : metal oxide ● Dopage localisé par implantation ionique
semiconductor field
300 K d’environ 5 % du niveau de dopage, NA. Les
effect transistor
L’obtention de couches dopées par diffusion est valeurs des niveaux d’énergie dépendent du site,
très difficile dans SiC. Les coefficients de diffusion cubique ou hexagonal, occupé par l’impureté. L’alu-
des impuretés dopantes sont très faibles et requiè- minium et le bore donnent des niveaux plus profonds
rent des températures et des durées dissuasives. respectivement dans le SiC-4H et le SiC-6H. L’alumi-
L’utilisation de l’implantation ionique est alors indis- nium est responsable d’un niveau profond situé à
pensable. 570 meV (par rapport au niveau d’énergie de la
bande de valence Ev), attribué à un centre I, dans le
L’implantation ionique est la technique choisie pour SiC-4H. Le bore introduit un niveau d’énergie attri-
l’obtention de dopages localisés. Les impuretés les bué à un complexe, dit centre D, de 580 meV (par
plus utilisées sont l’aluminium et le bore pour obtenir rapport à Ev) dans le SiC-6H.
le type P, l’azote et récemment le phosphore pour le
type N. Le principal inconvénient est, faute de diffu-
sion possible, le domaine réduit des profondeurs ■ Oxydes et isolants
de dopage possibles. En effet, l’ordre de grandeur
de la pénétration d’atomes d’aluminium dans SiC est Un des atouts majeurs de la filière silicium est
1 nm/keV : l’oxyde de silicium SiO2. Il est relativement facile à
faire croître et présente de bonnes propriétés électri-
δ = R p /E ques (champ électrique de claquage ~13 MV · cm−1
pour un oxyde thermique). Cet avantage existe aussi
pour la technologie du SiC mais le « mariage » SiC/
avec δ (nm/keV)la pénétration d’atomes,
SiO2 n’est pour l’instant pas acquis, peut-être per-
Rp (nm) la position du maximum de la turbé par le carbone. L’obtention d’une bonne inter-
distribution d’atomes dans SiC, face SiC/SiO2 ouvre la voie à la technologie MOSFET
et est également indispensable à la passivation de
E (keV) l’énergie d’implantation. tout composant de puissance.

RE 3 - 4 © Techniques de l’Ingénieur 4 - 2002

 RECHERCHE

(0)
Tableau 1 – Caractéristiques d’isolants
Ebr (V · cm−1) : champ
Isolants 4H/6H 3C SiO2 AlN Al2O3 Si3N4 Ta2O5 TiO2 de claquage
Ebr (MV · cm−1) 2,2/2,5 2,0 10 à 13 6 à 15 5 5 à 10 3,5 1 Eg (eV) : gap, bande
d’énergies interdites
εr 10 9,7 3,9 8,5 10 7,5 22 à 27 15 à 40
Eg (eV) 3,2/3,0 2,3 9,0 6,2 7à8 5 4,4 3,2

influe directement sur la mobilité des couches

SiO2 SiC
d’inversion dans les structures MOSFET à canal N.
Piège près de l'interface

E
Les polytypes 6H et 15R sont de bons candidats pour Ev (eV) : niveau
Ec les MOSFET, les mobilités effectives µeff des électrons d’énergie
4H dans le canal obtenues expérimentalement sont res- de la bande de valence
pectivement environ 40 et 60 cm2 · V−1 · s−1. Le 4H
Accepteur

Ec (eV) : niveau
6H Oxydation est le « mauvais élève » et n’obtient qu’environ d’énergie
humide
5 cm2 · V−1 · s−1 [14]. Cette différence peut être de la bande
15R de conduction
attribuée à la distribution des états d’interface, Dit,
Oxydation
sèche
proposée sur la figure 9. D’autres phénomènes alté-
reraient le transport des électrons dans le canal
Donneur

d’inversion des N-MOSFET, certains prônent des dis-

continuités de la couche d’inversion dues à des fluc-
tuations de potentiel [15] [16], d’autres cherchent
Ev
de nouvelles orientations cristallines. Des investiga-
1012 1013 Dit (eV–1 · cm–2) tions sur le plan (11-20) ont conduit à une améliora-
tion spectaculaire de la mobilité du canal sur le 4H et
Figure 9 – Distribution de la densité de charge le 6H [17] (µeff = 30 cm2 · V−1 · s−1 pour le 4H et
à l’interface SiC/SiO2 sur type P (d’après [14]) µeff = 70 cm2 · V−1 · s−1 pour le 6H). Les améliora-
tions de l’interface SiO2/SiC à travers une optimisa-
tion des conditions d’oxydation sont les clés des
structures MOS sur SiC.
● Oxydes thermiques
● Autres isolants
L’oxydation de SiC résulte d’une réaction avec
l’oxygène sous la forme O2 (oxydation sèche) ou H2O La recherche d’isolants adaptés au SiC autres que
(oxydation humide). L’épaisseur de SiC consommée SiO2 est en cours, que ce soit pour des isolants de
par oxydation est 45 % de l’épaisseur de SiO2 obte- grille ou de passivation (tableau 1).
nue [11]. La cinétique de croissance diffère suivant le Outre SiO2, AlN présente des caractéristiques inté-
type d’oxydation. Elle est d’environ 5 nm/h à quelque ressantes avec un champ de claquage Ebr de 6 à
1 000 ûC en oxydation humide et de 15 nm/h en 15 MV · cm−1 et surtout une permittivité diélectrique
oxydation sèche. La vitesse de croissance varie éga- du même ordre que celle de SiC. Dans le silicium, le
lement suivant la face (Si ou C) et suivant le plan champ de claquage est d’environ 0,2 MV · cm−1, SiO2
cristallin de surface de SiC. L’application à la crois- est soumis au maximum à environ 0,2 × 12/
sance d’oxyde de passivation n’est pas envisageable 4 = 0,6 MV · cm−1 avec la loi de passage à
compte tenu des performances affichées, une solu- l’interface :
tion à travers des oxydes déposés est alors préféra-
ble. Le champ électrique de claquage des oxydes ε1E1 = ε2E2
thermiques sur SiC est d’environ 10 MV · cm−1 à
300 K et 6 MV · cm−1 à 600 K [12]. avec
L’« espérance de vie » d’un oxyde soumis à E la composante du champ électrique
5 MV · cm−1 est de 10 ans à 25 ûC, elle passe à perpendiculaire à l’interface des
1 000 s à 350 ûC [13], ce qui peut être handicapant matériaux 1 et 2.
pour des applications à haute température et haute Le champ de claquage de SiC est d’environ
tension. 2 MV · cm−1, soit un champ électrique dans l’oxyde
Les oxydes obtenus sur SiC sont actuellement d’environ 5 MV · cm−1, créant ainsi un stress impor-
source de charge fixe importante : la charge fixe glo- tant des oxydes de grille des MOSFET de puissance.
bale Qeff (cm−2), et à l’interface SiO2/SiC, la densité AlN semble ainsi bien placé (εr = 8,5) pour se substi-
de charge Dit (eV−1 · cm−2). tuer à SiO2 [18] et présente également un faible
désaccord de maille (1 %) avec SiC.
Le type de conductivité du substrat (N ou P) intro-
duit des différences notables. Les oxydes réalisés sur ■ Métallisation et contacts
type N présentent de faibles densités de charge à
● Contacts ohmiques
l’interface, de l’ordre de 1011 à 1012 eV−1 · cm−2 ;
sur le type P, on obtient généralement 1012 à Les métaux les plus utilisés sont le nickel sur SiC
1013 eV−1 · cm−2. Les valeurs obtenues pour Qeff et de type N, l’aluminium et le titane sur type P. Les
Dit sont souvent du même ordre de grandeur. La résistances spécifiques de contact obtenues sont
charge fixe globale, Qeff, est généralement négative d’environ 10−6 à 10−5 Ω · cm2 avec le nickel sur SiC-
sur type N et positive sur type P. L’interface SiO2/SiC 6H de type N [19]. Pour le type P, on obtient 10−5 à

4 - 2002 © Techniques de l’Ingénieur RE 3 - 5

 RECHERCHE

10−4 Ω · cm2 avec l’aluminium ou le titane [20]. La 3. Composants de puissance

température de recuit du contact est d’environ
1 000 ûC pendant 1 à 2 min. réalisés
● Contacts Schottky La qualité du matériau s’améliorant et le diamètre
des plaquettes vendues augmentant, le nombre de
IGBT : insulated gate
bipolar transistor La réalisation de contacts Schottky sur SiC requiert composants de puissance réalisés sur carbure de sili-
JBS : junction barrier les mêmes métaux que pour les contacts ohmiques, cium par diverses équipes augmente, ainsi que la
Schottky diversité des composants. On note ainsi dans la lit-
la seule différence est le niveau de dopage de surface
MESFET : metal semi-
conductor field effect requis, beaucoup plus bas (< 1017 cm−3). Le nickel térature [23] des caractérisations de diodes pn,
transistor et le titane [21] semblent adaptés à la réalisation de Schottky, JBS (hybride pn/Schottky) et Zener, de
contacts Schottky sur type N, leur hauteur de MOSFET de puissance, de MESFET, de thyristors et
barrière par rapport au SiC-4H est respectivement d’IGBT. L’arrivée sur le marché (avril 2001) de diodes
1,6 eV et 1 eV ; cela permet de bonnes caractéristi- Schottky SiC (300 V/10 A et 600 V/4-6 A), par la
ques électriques du contact redresseur. société Infineon, annonce un essor industriel impor-
tant de la filière SiC.
■ Gravure ■ Potentialités du SiC
La gravure du SiC est actuellement indispensable En quoi le SiC est-il intéressant par rapport au
pour la réalisation de MESFET, de thyristor ou de silicium ? On peut se demander comment un maté-
MOSFET « en tranchée ». La gravure du SiC est riau délicat à maîtriser peut obtenir une maturité suf-
généralement faite par réaction du SiC avec un fisante pour inquiéter la filière silicium.
plasma. Cette réaction est à la fois physique et Le tableau 2 résume les principales propriétés
chimique : un gaz d’une espèce choisie est excité électriques de quelques matériaux semi-conducteurs
jusqu’à formation d’un plasma (ensemble de particu- à 300 K et pour un dopage de 1015 à 1016 cm−3. Pour
les chargées), une polarisation adéquate permet des applications de puissance, les propriétés deman-
d’accélérer les particules chargées vers la cible. dées sont liées aux aspects de température, tenue en
Dans les Techniques
de l’Ingénieur : tension et faible résistivité, et requièrent ainsi des
Il y a deux actions possibles : soit arrachage phy- matériaux à large bande interdite (> 3 eV, donc fai-
Électronique de
puissance : introduction sique de particules de la cible dû à des chocs avec ble densité de porteurs intrinsèques à haute tempé-
[E 3 958] et Compo- des ions accélérés du plasma, soit réaction chimique rature), à bonne conductivité thermique, fort champ
sants pour l’électroni- entre les espèces du gaz et le matériau à attaquer.
que de puissance électrique de claquage et bonne mobilité des por-
[E 3 960] de F. Bernot C’est l’effet utilisé pour la gravure du SiC. Le gaz uti- teurs.
lisé pour former le plasma est alors composé de SF6
et de O2. SF6 réagit avec Si et O2 réagit avec C [22]. Différents auteurs ont proposé des facteurs de
On utilise aussi le couple NF3, CHF3. La vitesse de mérite pour pouvoir classer les matériaux suivant le
gravure obtenue dans un réacteur de type RIE est type de performance souhaitée (fréquence, tempéra-
d’environ 100 nm/min. La gravure localisée nécessite ture, puissance). Les quatre facteurs les plus utilisés
un masquage des zones à épargner à l’aide d’un en électronique de puissance sont regroupés dans le
matériau de sélectivité ad hoc (VgravureSiC/Vgravure- tableau 3. La figure 10 montre leur utilisation pour
comparer différents semi-conducteurs.
masque).

Tableau 2 – Propriétés électriques de semi-conducteurs à 300 K (1)

Eg ni µn Ebr νsat λ Gap
Matériau εr
(eV) (cm−3) (cm2 · V−1 · s−1) (MV/cm) (107 cm · s−1) (W · cm−1 · K−1) (2)
Si 1,1 1,5 × 1010 11,8 1 350 0,2 1,0 1,5 I
Ge 0,66 2,4 × 1013 16,0 3 900 0,1 0,5 0,6 I
GaAs 1,4 1,8 × 106 12,8 8 500 0,4 2,0 0,5 D
GaN 2,3 7,7 × 10−1 11,1 350 1,3 1,4 0,8 I
GaN-3C 3,27 8 × 10−9 9,9 1 000 1 2,5 1,3 D
GaN-2H 3,39 1,9 × 10− 9,0 900 3,3 2,5 1,3 D
10
ni (cm−3) : concentra- SiC-3C 2,2 6,9 9,6 900 1,2 2,0 4,5 I
tion de porteurs (élec-
trons) intrinsèques dans SiC-4H 3,26 8,2 × 10−9 10 600 (⊥c) 2,0 2,0 4,5 I
le semi-conducteur à 750 (||c)
une température don-
née SiC-6H 3,0 2,3 × 10−6 9,7 370 (⊥c) 2,4 2,0 4,5 I
µn (cm2 · V−1 · s−1) : 50 (||c)
mobilité des porteurs Diamant 5,45 1,6 × 10− 5,5 1 900 5,6 2,7 20 I
(électrons) 27
νsat (cm · s−1) : vitesse
de saturation des élec- BN 6,0 1,5 × 10− 7,1 5 10 1,0 13 I
31
trons accélérés par
champ électrique dans AlN 6,1 ~10−31 8,7 1 100 11,7 1,8 2,5 D
un semi-conducteur
λ (W · cm−1 · K−1) : (1) Dopage de 1015 à 1016 cm−3
conductivité thermique (2) D : direct ; I : indirect

RE 3 - 6 © Techniques de l’Ingénieur 4 - 2002

 RECHERCHE

Tableau 3 – Facteurs de mérite

Facteurs de mérite Aptitudes Applications Réf.
E C ν sat 2 Johnson factor of merit Haute fréquence Interrupteur [24]
JFM =  ----------------- Puissance moyenne puissance
 2π 

c ν sat Keyes factor of merit Thermique Circuits intégrés [25]

KFM = λ ------------- Haute fréquence
4π ε r

BFM = ε r µ E G
3 Baliga factor of merit Minimisation des pertes Interrupteur de [26]
en conduction puissance haute
Baliga high frequencies factor Minimisation des pertes tension (FET de [27]
BHFFM = µ E C2 puissance)
of merit en commutation

sur le marché de diodes Schottky en SiC par Infineon

ou Microsemi montre la maturité de cette filière et
son intérêt réel pour l’électronique de puissance
puisque les calibres en courant et tension proposés
104 s’inscrivent dans le domaine de la moyenne tension
(300 V et 600 V pour respectivement 10 A et 3 A :
103 prix ≡ 1 $ l’ampère) pour la conversion d’énergie.
Elles sont sans conteste meilleures que leurs équiva-
102 lents en technologie bipolaire silicium car elles ne
présentent pas de surcourant inverse à la commuta-
10 tion passante/bloquée et diminuent ainsi les pertes
GaN-2H
GaN-3C

par effet Joule globales du système où elles opèrent.

Diamant

SiC-3C
SiC-6H
SiC-4H

1
AIN

GaAs
GaP
Gap

■ Diode bipolaire
BN

104
Ge

103 Les diodes bipolaires sur SiC ont l’inconvénient

Si

102 d’avoir un seuil de conduction (Vb ≈ 2 V) important,

JFM 10 10–1
1 1 dû à la largeur élevée de la bande interdite. Elles
10–1 10 KFM sont, de ce point de vue, moins performantes en
direct que les diodes silicium (à tenue en tension
BFM BHFFM identique). Cette différence n’existe plus lorsque la
densité de courant direct augmente, les deux types
Figure 10 – Valeurs de facteurs de mérite JFM, KFM, de redresseurs sont alors tout à fait comparables. La
BFM et BHFFM pour différents matériaux, relativement durée de vie des porteurs minoritaires étant faible, la
au silicium modulation de la couche résistive n’est importante
que dans le silicium. Cependant, cet inconvénient
(50 ns en régime de forte injection) se traduit par
SiC (sous la forme de 4H et de 6H) devance aisé- d’excellentes performances en commutation des dio-
ment SiC-3C, GaP, GaAs, Si et Ge. Son concurrent des pn SiC : temps de recouvrement inverse, tπ, de
direct est GaN (2H et 3C) qui est cependant pénalisé l’ordre de 30 ns pour une diode 4 500 V [29] lors
par sa conductivité thermique plus faible. Les d’une commutation sous 17 A (800 A · cm−2)/
meilleurs candidats sont le diamant, le nitrure de 1 000 V à di /dt = 500 A/µs. Le domaine de prédilec-
bore (BN) et le nitrure d’aluminium (AlN), qui ont tion de la diode pn SiC est la très haute tension et sa
cependant le handicap majeur d’être difficiles à syn- capacité à travailler à haute température. Cree
thétiser. L’obtention de composants de puissance sur Research annonce en 2001 la réalisation expérimen-
ces matériaux reste pour l’instant de la science-fic- tale d’une diode pn tenant 19 kV ! L’avenir de la
tion. SiC est, dans l’état de l’art actuel (démon-stra- diode pn SiC se situe dans des cahiers des charges
teurs réalisés et substrats disponibles très exigeants dans le domaine des très hautes ten-
commercialement), le matériau le mieux placé pour sions (> 10 à 20 kV) et forts courants (de l’ordre du
l’électronique de puissance. kiloampère) des applications de traction ferroviaire
ou de conversion d’énergie.
■ Diode Schottky
■ Diode JBS
La diode Schottky est un bon démonstrateur de la
qualité des couches épitaxiées en terme de tenue en La diode JBS est un composant hybride issu d’un
tension et de résistance série spécifique. Les tenues croisement entre une diode pn et une diode Schottky.
en tension atteintes (~4 000 V [28]) de diodes L’intérêt d’une telle structure est d’obtenir une chute Infincon Technologies
Schottky sur SiC (essentiellement 4H type N ; de tension directe plus faible qu’une diode bipolaire, [Link]
Microsemi Corporation
métallisation : nickel) sont sans équivalent dans la tout en ayant un courant de fuite inverse plus faible [Link]
technologie Schottky sur silicium (200 V maximum). qu’une diode Schottky [30]. Dans le cas du SiC, ce [Link]
Les courants de fuite et les résistances série sont fai- type de composant redresseur est peut-être l’issue Cree Research Inc.
[Link]
bles (~1 à 10 µA · cm−2 et 5 à 30 mΩ · cm2). La mise majeure pour obtenir un véritable rival face aux dio-

4 - 2002 © Techniques de l’Ingénieur RE 3 - 7

 RECHERCHE

des pn silicium. La même métallisation sert pour le L’évaluation de LDMOS montre à nouveau l’insuffi-
contact Schottky et pour le contact sur le P+ ; il faut sante mobilité du canal, mais les progrès obtenus sur
nécessairement un compromis pour la température les MOSFET plans peuvent, dans cette structure, être
de recuit du métal (Ti ou Ni), les impératifs liés au appliqués sans modification.
contact ohmique sur P+ (~1 000 à 1 100 ûC) et au
contact Schottky sur N (~500 à 800 ûC) étant diffé- ■ MOSFET à accumulation
rents. Un moyen d’éviter les problèmes de mobilité faible
du canal d’inversion est de créer au préalable le canal
■ MESFET et SIT par implantation ou épitaxie. Cette méthode donne
Des démonstrateurs de composants à base de SiC naissance à une autre gamme d’interrupteurs MOS-
DIMOS : MOSFET
pour des applications à haute fréquence ont été FET dits Accu-MOSFET (MOSFET à accumulation).
double implanté
fabriqués. Les structures classiquement utilisées sont Dans ce type de composants, il n’est plus question
GTO : gate turn off
JFET : junction field des composants de type MESFET ou SIT. Ce sont des d’inversion sur type P mais de contrôler la résistivité
effect transistor interrupteurs unipolaires dont la commande de grille d’une zone de type N avec une commande par grille
LDMOS : MOSFET
est un contact Schottky utilisé en polarisation MOS. Suivant l’épaisseur et le dopage du canal, le
latéral diffusé
inverse. La technologie employée est essentiellement composant est normalement passant ou bloqué.
SIT : static inductor
transistor à base de gravure, de contact Schottky et de contact Les résultats obtenus montrent une nette amélio-
UHF : ultrahaute
fréquence ohmique le moins résistif possible. Le substrat de ration des performances des composants (résistance
UMOS : MOSFET départ est soit semi-isolant, soit conducteur, formé en série RON = 16 mΩ · cm2 pour une tension de cla-
en tranchée alors d’une succession de quatre couches : N/P+/N/ quage Vbr = 1 400 V [34]). Une application
N++. particulière du domaine de la protection électrique a
été proposée et a abouti à la réalisation d’un compo-
Les deux contacts source et drain sur N++ sont
sant limiteur de courant basé sur une structure Accu-
séparés par une gravure totale de la couche N++
MOSFET (canal préformé) tenant 600 V avec une
pour rejoindre la couche N ; la grille est placée dans
densité de courant de saturation de 900 A/cm2 et
le fond de gravure sur la couche N. Le dimensionne-
une résistance série spécifique de 12 mW · cm2 [35].
ment de cette couche (~1017 cm−3) ainsi que la lon-
gueur de la grille (~0,5 µm) sont les paramètres ■ JFET
principaux régissant les performances d’un MESFET.
Ces composants sont évalués en terme de fréquence Dans la continuité des MOSFET à accumulation, les
et de puissance. On relève une aptitude du SiC-4H composants dits JFET permettent d’obtenir des
pour des composants fonctionnant à 3,3 W/mm à résistances série faibles (RON = 14 mΩ · cm2 pour
10 GHz, voire même à 4,6 W/mm à 3,5 GHz [3]. À VBR = 1 800 V [36]).
de telles fréquences, la qualité des contacts est Le composant étudié par Friedrichs (Siemens) [36]
importante (capacités parasites) et le composant présente des caractéristiques intéressantes et est le
fonctionne en régime de vitesse de saturation des meilleur interrupteur unipolaire obtenu sur SiC. Il
porteurs. pourrait être l’un des premiers interrupteurs haute
tension industriels en SiC.
Des problèmes de perte de gain à haute tempéra-
ture (300 à 600 ûC) ainsi que de stabilité ont été ■ Thyristor (GTO)
constatés sur les substrats semi-isolants [31]. Un
Les thyristors GTO ont été parmi les premiers
module à base de SIT destiné à des applications UHF
interrupteurs obtenus sur SiC [37]. Ils sont réalisés à
(télévision) a été réalisé [32].
partir de quatre couches épitaxiées (N/P/N/P) et
■ MOSFET de puissance nécessitent une gravure locale pour atteindre la cou-
che (P) correspondant à la gâchette. Les performan-
Les MOSFET de puissance réalisés rencontrent les ces des composants obtenus montrent une tenue en
mêmes problèmes que les MOSFET plans basse ten- tension de 2 600 V pour une résistance série spécifi-
sion, c’est-à-dire une mobilité des électrons très fai- que de 3,3 mΩ · cm2 [38]. Les densités de courant
ble dans le canal d’inversion et une mauvaise qualité atteintes sont élevées, de l’ordre de 4 000 A · cm−2.
de l’interface SiO2/SiC. Ces préoccupations font que La durée de vie ambipolaire (τe + τh) estimée dans le
le SiC-4H n’est pas le meilleur candidat pour le MOS- thyristor GTO 2 600 V [38] est de 0,6 à 3,6 µs ; dans
FET de puissance en raison de sa mauvaise mobilité les autres thyristors, elle est de 50 à 300 ns. Contrai-
dans le canal. Les meilleurs composants (ayant une rement à la technologie silicium, la couche tenant la
bonne mobilité des électrons dans le canal d’inver- tension est de type P (type N en silicium), choix
sion) ont été réalisés sur 6H ou prospectés sur 15R résultant de la forte résistivité des substrats SiC de
[33]. type P qui oblige à ne pas utiliser une couche de type
N. Elle serait peut être mieux adaptée pour la tenue
Le MOSFET plan n’est pas forcément une première
en tension (plus faible coefficient d’ionisation par
étape vers le MOSFET de puissance, la réalisation de
avalanche des électrons par rapport aux trous de
la couche P+ est très différente dans une configura-
SiC ; c’est l’inverse pour le silicium).
tion de puissance. Les premiers transistors MOS de
puissance ont d’ailleurs été des UMOS où la couche ■ Perspectives
P+ est épitaxiée et le canal « porté » par le flanc de
gravure entre la source et le drain. La réalisation de Les courbes représentées sur les figures 11 à 14
cette couche par implantation pour la réalisation de synthétisent les résultats obtenus sur les démonstra-
DIMOS introduit une inconnue non négligeable qui teurs de composants de puissance haute tension en
est la qualité de l’interface SiO2/SiC d’une zone SiC.
PWM : pulse wave
modulation implantée/recuite, aspect peu étudié de ce compo- Le principal handicap des diodes bipolaires SiC est
sant. leur seuil de tension élevé en direct par rapport

RE 3 - 8 © Techniques de l’Ingénieur 4 - 2002

 RECHERCHE

VF (V) :
chute de tension
10 104 Vbr (V) :

RON-SPE (mΩ · cm2)

VF (V) à 100 A/cm2

pn SiC-4H tension de claquage

pn SiC-6H Si
8 103

6 102

4 10

SiC-6H
2 1
SiC-4H

0 10–1
102 103 104 102 103 104
Vbr (V) Vbr (V)

MOSFET JFET Power MOSFET Si

Figure 11 – Diodes pn SiC Accu-MOSFET IGBT 6H CoolMOS Si

Figure 14 – Interrupteurs unipolaires MOSFET,

Accu-MOSFET, JFET en SiC ainsi que des MOSFET
de puissance Si et des CoolMOS™ Si. Limites
10 théoriques de Si, SiC-6H et SiC-4H
VF (V) à 1 000 A/cm2

8
aux diodes silicium (différence qui semble s’atténuer
6 expérimentalement avec l’augmentation du calibre
tension/courant considéré). Elles sont cependant très
performantes en commutation grâce à des durées
4
de vie des minoritaires faibles. Des tests comparatifs
de diodes pn SiC placées dans un contexte système
2 ont été effectués [39]. Dans le cas d’un module
IGBT-Si/diode-pn-Si, le remplacement de la diode pn
0
Si par une diode pn SiC induit une réduction des per-
102 103 104 tes totales de 95 % (module 2 500 V, test sous 150 A
Vbr (V)
et 400 A, la surface de la diode SiC est de 40 mm2).
La diode SiC fut fabriquée sur une plaquette où une
cartographie des micropores « tueurs de
composants » [40] avait été dressée au préalable.
Figure 12 – Thyristors GTO (SiC-4H)
Les diodes Schottky SiC sont plus à même de concur-
rencer les diodes pn silicium pour des tensions infé-
rieures à 1 000 V. Le remplacement d’une diode Si
par une diode Schottky SiC-4H dans un module IGBT-
Si/diode-pn-Si (module 600 V/50 A, surface de la
diode SiC de 16 mm2) a conduit à une réduction de
102
70 % des pertes du module. Pour ce qui est des
RDYN-SPE (mΩ · cm2)

interrupteurs, les thyristors présentent des temps de

commutation faibles et ont été évalués au sein d’un
système [41] composé entièrement de composants
10
SiC (quatre GTO, trente-six JFET et six diodes, pour
Si
un circuit PWM dissipant 0,45 W à 100 kHz à l’ouver-
ture). Les composants MOSFET en SiC sont directe-
SiC - 6 H
1
ment concurrencés par les MOSFET de puissance
SB 4H silicium et surtout par la dernière génération à
SiC-4H
JBS 4H « superjoction », composants dits CoolMOS™ [42]
qui permettent, non pas de repousser les limites du
JBS 6H
10–1 silicium, mais de l’utiliser au mieux. L’évaluation des
102 103 104 performances de tels composants en SiC annonce
Vbr (V) peut-être l’arrivée de MOSFET SiC exceptionnels. En
attendant, la tendance est plutôt à l’Accu-MOSFET ou
au JFET, actuellement très performants. L’association RDYN-SPE : résistance
optimale interrupteur/redresseur disponible sur le dynamique spécifique
RON-SPE : résistance
Figure 13 – Diodes Schottky (SB) et JBS. Limites marché est un CoolMOS-Si avec une diode Schottky
série spécifique
théoriques de Si, SiC-6H et SiC-4H SiC-4H (Infineon, avril 2001).

4 - 2002 © Techniques de l’Ingénieur RE 3 - 9

 RECHERCHE

Bibliographie [18] ZETTERLING (C.M.), ÖSTLING (M.), HARRIS (C.I.),

NORDELL (N.), WONGCHOTIGUL (K.) et SPENCER
(M.G.). – Comparison of SiO2 and AlN as Gate Dielec-
tric for SiC MOS Structures. Materials Science Forum.,
Références 264-268, 1998, 877-880.
[1] LELY (U.A.). – Darstellung von Einkristallen von Sili- [19] CROFTON (J.), McMULLIN (P.G.), WILLIAMS (J.W.) et
zium Karbid und Beherrschung von Art und Menge der BOZACK (M.J.). – High-temperature ohmic contact to
Eingebauten Verunreingungen. Ber. Deut. Keram. Ges., n-type 6H-SiC using nickel. J. Appl. Phys., 77, 3, 1995,
32, 1955, 229-236. 1317-1319.
[2] TAIROV (Y.M.) et TSVETKOV (V.F.). – Investigation of [20] CROFTON (J.), PORTER (L.M.) et WILLIAMS (J.R.). –
growth processes of ingots of silicon carbide single The Physics of Ohmic Contacts to SiC. Phys. Stat. Sol.,
crystal. J. Crystal Growth, 43, 1978, 209-212. 202 b, 1997, 581-603.
[3] CARTER Jr. (C.H.), GLASS (R.), BRADY (M.), MALTA [21] ITOH (A.) et MATSUNAMI (H.). – Analysis of Schottky
(D.), HENSHALL (D.), MÜLLER (S.), TSVETKOV (V.), Barrier Heights of Metal/SiC Contacts and Its Possible
HOBGOOD (D.) et POWELL (A.). – Large Diameter, Low Application to High-Voltage Rectifying Devices. Phys.
Defect Silicon Carbide Boule Growth. Materials Science Stat. Sol., 162 a, 1997, 389-408.
Forum, 353-356, 2001, 3-6.
[22] LANOIS (F.). – Étude de la gravure du carbure de sili-
[4] KURODA (N.), SHIBAHARA (K.), YOO (W.S.), NISHINO cium – Application à la réalisation de composants de
(S.) et MATSUNAMI (H.). – Step-controlled VPE growth puissance. Thèse de doctorat, INSA de Lyon, 1997.
of SiC single crystals at low temperatures. 19th Conf.
On Solid State Devices and Mater., Bus. Center Acad. [23] WEITZEL (C.E.), PALMOUR (J.W.), CARTER Jr. (C.H.),
Soc. Japan, Tokio, 1987, 227-230. MOORE (K.), NORDQUIST (K.J.), ALLEN (S.), THERO
(C.) et BHATNAGAR (M.). – Silicon Carbide High-Power
[5] KIMOTO (T.), ITOH (A.) et MATSUNAMI (H.). – Step-
Devices. IEEE Trans. On Elect. Devices, 43, 10, 1996,
Controlled Epitaxial Growth of High-Quality SiC Layers.
1732-1741.
Phys. Stat. Sol., 202 b, 1997, 247-262.
[6] KORDINA (O.), HALLIN (C.), HENRY (A.), BERGMANN [24] JOHNSON (E.O.). – Physical Limitations on Frequency
(J.P.), IVANOV (I.), ELLISON (A.), SON (N.T.) et JAN- and Power Parameters of Transistors. RCA Rev., 26,
ZEN (E.). – Growth of SiC by « Hot-Wall » CVD and 1963, 163-177.
HTCVD. Phys. Stat. Sol., 202 b, 1997, 321-334. [25] KEYES (R.W.). – Figure of Merit for Semiconductors for
[7] NISHINO (S.), HAZUKI (Y.), MATSUNAMI (H.) et High-Speed Switches. Proc. IEEE, 60, 1972, 225-232.
TANAKA (T.). – Chemical vapor deposition of single [26] BALIGA (B.J.). – Semiconductors for High-Voltage,
crystalline beta-SiC films on silicon substrate with spu- Vertical Channel FETs. J. Appl. Phys., 53, 3, 1982,
ttered SiC intermediate layer. Journal of the Electro- 1759-1764.
chemical Society, 127, 1980, 2674-2680.
[27] BALIGA (B.J.). – Power Semiconductor Device Figure of
[8] DI CIOCCIO (L.), LE TIEC (Y.), JAUSSAUD (C.), Merit for High-Frequency Applications. IEEE Electron
HUGONNARD-BRUYÈRE (E.) et BRUEL (M.). – Silicon Device Letters, 10, 1989, 455-457.
Carbide on Insulator Formation by the Smart CUT Pro-
cess. Materials Science Forum, 264-268, 1998, 765- [28] WAHAB (Q.), ELLISON (A.), ZHANG (J.), FORSBERG
770. (U.), DURANOVA (E.), HENRY (A.), MADSEN (L.D.) et
[9] HARA (S.), ARITA (M.), IKOMA (Y.) et MOTOOKA (T.). – JANZEN (E.). – Designing Physical Simulation and
Carbonization of SIMOX Substrates for Fabrication of Fabrication of High-Voltage (3,85 kV) 4H-SiC Schottky
Single-Crystal SiC-on-Insulator. Materials Science Rectifiers Processed on hot-Wall and Chimney CVD
Forum, 338-342, 2000, 297-300. Films. Materials Science Forum, 338-342, 2000, 1171-
1174.
[10] MORVAN (E.). – Modélisation de l’implantation ionique
dans alpha-SiC et application à la conception de com- [29] PETERS (D.), FRIEDRICHS (P.), MITLEHNER (H.),
posants de puissance. Thèse de doctorat, INSA de SCHOENER (R.), WEINERT (U.), WEIS (B.) et STE-
Lyon, 1999. PHANI (D.). – Characterization of fast 4,5 kV SiC pn
diodes. Proc. 12th Int. Symp. On Power Semi. Dev. &
[11] RAYNAUD (C.). – Silica films on silicon carbide : a
ICs, IEEE, Toulouse, 2000, 241-244.
review of electrical properties and device applications.
Journal of Non-Crystalline Solids, 280, 2001, 1-31. [30] DAHLQUIST (F.), LENENMANN (H.) et ÖSTLING (M.). –
[12] ANTHONY (C.J.), JONES (A.J.) et UREN (M.J.). – Qua- A High Performance JBS Rectifier – Design Considera-
lity and reliability of wet and dry oxides on n-type 4H- tions. Materials Science Forum, 353-356, 2001, 683-
SiC. Materials Science and Engineering, B 61-62, 1999, 686.
460-463. [31] NOBLANC (O.), ARNODO (C.), DUA (C.), CHARTIER
[13] LIPKIN (L.A.) et PALMOUR (J.W.). – SiC Devices with (E.) et BRYLINSKI (C.). – Power Density Comparison
ONO Stacked Dielectrics. Materials Science Forum, between Microwave Power MESFET’s Processed on
338-342, 2000, 1093-1096. Conductive and Semi-Insulating Wafer. Materials
Science Forum, 338-342, 2000, 1247-1250.
[14] YANO (H.), KIMOTO (T.), MATSUNAMI (H.), BASSLER
(M.) et PENSL (G.). – MOSFET Performance of 4H-, 6H, [32] SIERGIEJ (R.R.), CLARKE (R.C.), SRIRAM (S.),
and 15R-SiC Processed by Dry and Wet Oxidation. AGARWAL (A.K.), BOJKO (R.J.), MORSE (A.W.),
Materials Science Forum, 338-342, 2000, 1109-1112. BALAKRISHNA (V.), McMILLAN (M.F.), BURK Jr. (A.A.)
[15] OUISSE (T.). – Electron Transport at the SiO2/SiC et BRANDT (C.D.). – Advances in SiC materials and
Interface. Phys. Stat. Sol., 162 a, 1997, 339-368. devices : an industrial point of view. Materials Science
and Engineering, B 61-62, 1999, 9-17.
[16] BANO (E.). – Étude de dispositifs MOS fabriqués en
Carbure de Silicium pour la microélectronique haute [33] SCHÖNER (R.), FRIEDRICHS (P.), PETERS (D.) et STE-
température. Thèse de doctorat, Institut national poly- PHANI (D.). – Significantly improved performance of
technique de Grenoble, 1997. MOSFETs on silicon carbide using the 15R-SiC poly-
[17] YANO (H.), HIRAO (T.), KIMOTO (T.), MATSUNAMI (H.),
type. IEEE Electron Device Letters, 20, 5, 1999, 241-
244.
ASANO (K.) et SUGAWARA (Y.). – Anisotropy of Inver-
sion Channel Mobility in 4H- and 6H-SiC MOSFETs on [34] TAN (J.), COOPER Jr. (J.A.) et MELLOCH (M.R.). – High-
(11-20) Face. Materials Science Forum, 338-342, voltage accumulation-layer UMOSFET’s in 4H-SiC. IEEE
2000, 1105-1108. Electron Device Letters., 19, 12, 1998, 487-489.

RE 3 - 10 © Techniques de l’Ingénieur 4 - 2002

 RECHERCHE

[35] NALLET (F.). – Conception, Réalisation et Caractérisa- [42] LORENZ (L.), DEBOY (G.), KNAPP (A.) et MARZ (M.). –
tion d’un composant limiteur de courant en carbure de COOLMOS™ – a new milestone in high voltage power
silicium. Thèse de doctorat, INSA de Lyon, 2001. MOS. 11th International Symposium on Power Semi-
[36] FRIEDRICHS (P.), MITLEHNER (H.), DOHNKE (K.O.), conductor Devices and ICs. ISPSD’99 Proceedings
PETERS (D.), SCHÖNER (R.), WEINERT (U.), BAUDE- IEEE, Toronto, 1999, 3-10.
LOT (E.) et STEPHANI (D.). – SiC Power Devices with
Low On-Resistance for Fast Switching Applications.
Proc. 12th Int. Symp. On Power Semi. Dev. & ICs, IEEE, Dans les Techniques de l’Ingénieur
Toulouse, 2000, 213-216.
[37] PALMOUR (J.W.), ALLEN (S.T.), SINGH (R.), LIPKIN CAMASSEL (J.), CONTRERAS (S.) et ROBERT (J.L.). – Maté-
(L.A.) et WALTZ (D.G.). – 4H-Silicon Carbide Power riaux semi-conducteurs à grand gap : SiC. [E 1 990],
Switching Devices. Silicon Carbide and Related Mate- traité Électronique, 1998.
rials, 1995, Proceedings of the 6th International Confe- CRISTOLOVEANU (S.) et BALESTRA (F.). – Technologie sili-
rence, Kyoto, Institute of Physics conference series, cium sur isolant : SOI. [E 2 380], traité Électronique,
142, 1996, 813-816. 2002.
[38] AGARWAL (A.K.), RYU (S.H.), SINGH (R.), KORDINA BERNOT (F.). – Électronique de puissance : introduction.
(O.) et PALMOUR (J.W.). – 2 600V, 12A, 4H-SiC, Asym- [E 3 958], traité Électronique, 2000.
metrical Gate Turn Off (GTO) Thyristor Development. BERNOT (F.). – Composants de l’électronique de puissance.
Materials Science Forum, 338-342, 2000, 1387-1390. [E 3 960], traité Électronique, 2000.
[39] LENDENMANN (H.), DAHIQUIST (F.), JOHANSSON (N.),
SÖDERHOLM (R.), NILSSON (P.A.), BERGMAN (J.P.) et
SKYTT (P.). – Long Term Operation of 4,5 kV PiN and
2,5 kV JBS Diodes. Materials Science Forum, 353-356,
2001, 727-730. Fabricants
[40] NEUDECK (P.G.) et POWELL (J.A.). – Performance Limi-
ting Micropipe Defects in Silicon Carbide Wafers. IEEE
Electron Device Letters, 15, 2, 1994, 63-65. Infineon Technologies (diodes de puissance)
[Link]
[41] SESHADRI (S.), HALL (W.B.), KOTVAS (J.C.) et SAN-
GER (P.A.). – 100kHz Operation of SiC Junction Con- Microsemi Corporation (diodes de puissance)
trolled Thyristor (JCT) Switches used in an All-SiC PWM [Link]
Inverter. Materials Science Forum, 2000, 338-342, Cree Research Inc. (diodes électroluminescentes bleues)
1403-1406. [Link]

4 - 2002 © Techniques de l’Ingénieur RE 3 - 11