1.

Questions composants :

1.1. Diode :
A/ Dessinez avec précision son symbole complet, sans oublier le nom de ses bornes.

B/ Dessinez avec précision ses caractéristiques statiques courant/tension idéale ET réelle.

1
2

2 1
3

C/ Quelles sont toutes les différences entre la caractéristique statique réelle et la

caractéristique statique idéale de ce composant ? Expliquez brièvement chaque différence et
indiquez-les aussi sur vos schémas.
1 La caractéristique quasi verticale n’est pas sur l’axe mais est décalée vers la droite du à la tension de
seuil. Il y a donc présence de tension de seuil dans la caractéristique réelle et pas dans l’idéale.

2 Ce n’est pas une verticale mais une diagonale qui est due à la résistance interne du composant
lorsque le composant est à l’état passant.

3 Présence de tension inverse maximale au-delà de laquelle on observe un effet d’avalanche ou de

claquage où la diode est complètement endommagée de manière irréversible.

4 L’horizontale est légèrement décalée par rapport à l’axe car on observe un léger courant de fuite
négligeable (quelques dizaines de mA).
D/ Quels sont ses différents états de fonctionnement ET où se situent-t-ils sur la
caractéristique réelle ?
1 Etat passant ou polarisation directe (ON).

2 Etat bloqué ou polarisation inverse (OFF).

Voir schéma Question B

E/ Ce composant est-il commandable ? Si oui, par quoi et comment ? Si non, comment le

faire passer d’un état à un autre ?
Non il n’est pas commandable. Il change tout seul d’état en fonction de la valeur de la tension la
traversant (négative ou positive).

F/ À l’aide du schéma de fonctionnement ci-contre, comment se comporte le composant

dynamiquement ? Que se passe-t-il dans ce composant exactement, dans le schéma ci-
dessous ?

Comme inscrit sur le schéma, on trouve la fermeture à gauche et l’ouverture à droite. Dans ce schéma,
nous pouvons premièrement observer deux temps de recouvrements. Le direct qui correspond au
temps (t1+t2) que met une diode pour passer de l’état bloqué à l’état passant (fermeture), et l’inverse
qui correspond au temps (t4+t5) que met une diode à passer de l’état passant à l’état bloqué
(ouverture). Ici, on remarque clairement que lorsque la diode se ferme, le courant passe d’une valeur
quasi nulle à une valeur importante alors que la tension, elle va au contraire passer de sa valeur
nominale à une valeur négligeable par rapport au reste du circuit. Il se passe exactement l’inverse pour
le courant et la tension lors de l’ouverture.

G/ Qu’est-ce qu’un temps de commutation ET, de manière idéale, comment devraient être
ces temps ?
Le temps de commutation correspond à la durée que met le composant pour passer de l’état ouvert à
l’état fermé et vis vers ça. De manière idéale, le temps de commutation doit être le plus court possible,
c’est-à-dire nul, pour être considéré comme instantané, et peu dissipateur.
H/ Comment calcule-t-on l’énergie dissipée lors de la fermeture ET lorsque l’interrupteur est
complètement fermé ? Quelle aurait été l’énergie dissipée dans le cas d’un interrupteur idéal
?
Energie dissipée lors de la fermeture :
𝟏
𝑾𝒄(𝒐𝒏) = 𝟐
(𝑽𝒅 𝑰𝟎 )𝒕𝒄(𝒐𝒏) [J]

L’aire d’un triangle = (hauteur)*base/2

Energie dissipée lorsque l’interrupteur est fermé :

𝑾𝒐𝒏 = (𝑽 𝑰𝟎 )𝒕𝒐𝒏 [J]

L’aire d’un rectangle = (hauteur)*base

Energie dissipée pour un interrupteur idéale :

Voici les caractéristiques principales d’un interrupteur commandable idéal :

-Lorsqu’il est ouvert : Bloque des tensions directes et inverses arbitrairement grandes à courant nul

-Lorsqu’il est fermé : Conduit des courants arbitrairement grands à tension nulle

-Commute instantanément lorsqu’il est commandé

-Ne nécessite qu’une puissance négligeable de la source de commande

On sait que la puissance dissipée totale d’un interrupteur vaut :

𝑷𝑻 = 𝑷𝑺 + 𝑷𝒐𝒏 [W]
Où Ps vaut la puissance dissipée durant les transitoires et Pon correspond à la puissance dissipée.

On peut conclure grâce à ces 4 caractéristiques que la puissance dissipée totale idéale a pour formule
(on néglige l’état fermé) :

𝑷𝑻 = 𝟎 [W]
Rappel :

𝑾=𝑷×𝑻=𝑷 𝒇 [J]

I/ Quels sont tous les avantages ET désavantages du composant A par rapport composant B
de puissance ?
Avantage :

-Composant simple.

-Peu couteux.

-Le plus fiable.

-Temps de commutation plus court que les thyristors et les transistors.

-Peu gérer des plus grandes valeurs de tensions et courants que les autres composants.

Désavantage :

-Pas commandable.
1.2 Thyristors :
A/ Dessinez avec précision son symbole complet, sans oublier le nom de ses bornes.

B/ Dessinez avec précision ses caractéristiques statiques courant/tension idéale ET réelle.

1
1 2

2 5
3
3

C/ Quelles sont toutes les différences entre la caractéristique statique réelle et la

caractéristique statique idéale de ce composant ? Expliquez brièvement chaque différence et
indiquez-les aussi sur vos schémas.
1 La caractéristique quasi verticale n’est pas sur l’axe mais est décalée vers la droite du à la tension de
seuil. Il y a donc présence de tension de seuil dans la caractéristique réelle et pas dans l’idéale.

2 Ce n’est pas une verticale mais une diagonale qui est due à la résistance interne du composant
lorsque le composant est à l’état passant.

3 Présence de tension inverse maximale au-delà de laquelle on observe un effet d’avalanche ou de

claquage où la diode est complètement endommagée de manière irréversible.

4 L’horizontale est légèrement décalée par rapport à l’axe car on observe un léger courant de fuite
négligeable (quelques dizaines de mA).

5 Apparition d’une tension de claquage directe au-delà de laquelle le composant est détérioré.
Remarque :

Cette caractéristique correspond à un zoom de la caractéristique réelle vue précédemment.

Enfaite, pour chaque thyristor il existe un point de retournement à partir duquel le composant va
automatiquement passé de l’état bloqué à l’état passant. Ce point de retournement correspond à un
courant de gâchette nul. Lorsqu’on introduit un courant de gâchette de plus en plus élevé, le point de
retournement devient lui de plus en plus faible (se trouve à une tension plus basse). Il est important de
noter aussi qu’il existe un courant de maintien (IH) qui est nécessaire pour conserver le thyristor dans
son état passant. Pour ouvrir le thyristor, il faudra forcer un courant inferieur au courant de maintien.

D/ Quels sont ses différents états de fonctionnement ET où se situent-t-ils sur la

caractéristique réelle ?
Il existe 3 états pour le thyristor :

1 Etat passant.

2 Etat bloqué.

3 Etat bloqué inverse.

Voir schéma Question B

E/ Ce composant est-il commandable ? Si oui, par quoi et comment ? Si non, comment le

faire passer d’un état à un autre ?
Oui. Il est commandable par un courant de gâchette IG uniquement à la fermeture. En introduisant un
courant de gâchette, le composant va passer de l’état bloqué à l’état passant.

F/ À l’aide du schéma de fonctionnement ci-contre, comment se comporte le composant

dynamiquement ? Que se passe-t-il dans ce composant exactement, dans le schéma ci-
dessous ?
IG est l’impulsion du courant de gâchette, IA est le courant à ses bornes, VAK correspond à la tension à
ses bornes, td correspond au temps de retard, tr au temps de montée trr au temps de recouvrement
inverse et tq au temps de blocage. On remarque bien qu’à la fermeture IA passe d’une valeur quasi nulle
à sa valeur nominale et que VAK passe d’une valeur nominale à sa tension de seuil qui est négligeable
par rapport aux ordres de grandeurs des tensions dans le circuit. Par contre, à l’ouverture, le courant
passe d’une valeur nominale à une valeur quasiment nulle tandis que la tension passe d’une tension
résiduelle (tension de seuil) à une tension d’une certaine valeur.

G/ Qu’est-ce qu’un temps de commutation ET, de manière idéale, comment devraient être
ces temps ?
Voir diode.

H/ Comment calcule-t-on l’énergie dissipée lors de la fermeture ET lorsque l’interrupteur est

complètement fermé ? Quelle aurait été l’énergie dissipée dans le cas d’un interrupteur idéal
?
Voir diode.

I/ Quels sont tous les avantages ET désavantages du composant A par rapport composant B
de puissance ?
Avantage :

-Composant semi-commandable (commandable à la fermeture).

- Composant le moins rapide (22-50 Hz).

-2ème après la diode pour la gestion des courants et tensions.

1.3 Triacs :
A/ Dessinez avec précision son symbole complet, sans oublier le nom de ses bornes.

Gâchette

Anode1 Anode2
B/ Dessinez avec précision ses caractéristiques statiques courant/tension idéale ET réelle.
Il y a seulement une caractéristique statique pour les triacs !

4
2

C/ Quelles sont toutes les différences entre la caractéristique statique réelle et la

caractéristique statique idéale de ce composant ? Expliquez brièvement chaque différence et
indiquez-les aussi sur vos schémas.
Il n’y en a pas car pas de caractéristiques statiques réelles et idéales.

D/ Quels sont ses différents états de fonctionnement ET où se situent-t-ils sur la

caractéristique réelle ?
Il existe 4 états pour le triac :

1 Etat passant.

2 Etat bloqué.

3 Etat passant inverse.

4 Etat bloqué inverse.

Voir schéma Question B

E/ Ce composant est-il commandable ? Si oui, par quoi et comment ? Si non, comment le

faire passer d’un état à un autre ?
Oui. Ce composant est semi-commandable (fermeture) et bidirectionnelle, c’est-à-dire qu’il peut laisser
passer le courant dans les 2 sens. Il est commandable grâce à l’introduction d’un courant de gâchette.

F/ À l’aide du schéma de fonctionnement ci-contre, comment se comporte le composant

dynamiquement ? Que se passe-t-il dans ce composant exactement, dans le schéma ci-
dessous ?
Il n’y en a pas.

G/ Qu’est-ce qu’un temps de commutation ET, de manière idéale, comment devraient être
ces temps ?
Voir diode.

H/ Comment calcule-t-on l’énergie dissipée lors de la fermeture ET lorsque l’interrupteur est

complètement fermé ? Quelle aurait été l’énergie dissipée dans le cas d’un interrupteur idéal
?
Voir diode.

I/ Quels sont tous les avantages ET désavantages du composant A par rapport composant B
de puissance ?
Avantage :

-il est bidirectionnel.

-il est semi-commandable (car construit à base de 2 thyristors placés en antiparallèle).

1.4 Thyristors GTO :

A/ Dessinez avec précision son symbole complet, sans oublier le nom de ses bornes.

B/ Dessinez avec précision ses caractéristiques statiques courant/tension idéale ET réelle.

1
1 2

3 2 5

3
C/ Quelles sont toutes les différences entre la caractéristique statique réelle et la
caractéristique statique idéale de ce composant ? Expliquez brièvement chaque différence et
indiquez-les aussi sur vos schémas.
1 La caractéristique quasi verticale n’est pas sur l’axe mais est décalée vers la droite du à la tension de
seuil. Il y a donc présence de tension de seuil dans la caractéristique réelle et pas dans l’idéale.

2 Ce n’est pas une verticale mais une diagonale qui est due à la résistance interne du composant
lorsque le composant est à l’état passant.

3 Présence de tension inverse maximale au-delà de laquelle on observe un effet d’avalanche ou de

claquage où la diode est complètement endommagée de manière irréversible.

4 L’horizontale est légèrement décalée par rapport à l’axe car on observe un léger courant de fuite
négligeable (quelques dizaines de mA).

5 Apparition d’une tension de claquage directe au-delà de laquelle le composant est détérioré.

D/ Quels sont ses différents états de fonctionnement ET où se situent-t-ils sur la

caractéristique réelle ?
Il existe 3 états pour le thyristor GTO :

1 Etat passant.

2 Etat bloqué.

3 Etat bloqué inverse.

Voir schéma Question B

E/ Ce composant est-il commandable ? Si oui, par quoi et comment ? Si non, comment le

faire passer d’un état à un autre ?
Oui. Il est commandable en courant à la fermeture et à l’ouverture grâce au courant de gâchette.

F/ À l’aide du schéma de fonctionnement ci-contre, comment se comporte le composant

dynamiquement ? Que se passe-t-il dans ce composant exactement, dans le schéma ci-
dessous.

Fermeture/Amorçage Ouverture
IG est le courant de gâchette, IA le courant traversant le composant, VAK la tension aux bornes du
composant et VGK la tension correspondant au courant de gâchette.

A la fermeture (OFF -> ON), il y a une impulsion positive du courant de gâchette qui va causer
l’augmentation de IA allant d’une valeur quasi nulle à sa valeur nominale et la diminution de VAK passant
de sa valeur nominale à une valeur négligeable (on passe bien d’un état ouvert à fermé). On rappelle
que le courant IG doit être appliqué pendant un temps suffisamment long pour s’assurer que le
composant à bien été fermé. Après cette impulsion suffisante, on remarque que ce courant IG va
diminuer jusqu’à une valeur minimum pour continuer à circuler et donc empêcher une extinction
indésirable (éviter un réamorçage intempestif).

A l’ouverture (ON -> OFF), il y a une impulsion négative du courant de gâchette qui va causer un effet
contraire qu’à la fermeture pour IA et VAK. Il est important de savoir ici que le composant nécessite un
grand courant négatif de gâchette pour s’éteindre.

G/ Qu’est-ce qu’un temps de commutation ET, de manière idéale, comment devraient être
ces temps ?
Voir diode.

H/ Comment calcule-t-on l’énergie dissipée lors de la fermeture ET lorsque l’interrupteur est

complètement fermé ? Quelle aurait été l’énergie dissipée dans le cas d’un interrupteur idéal
?
Voir diode.

I/ Quels sont tous les avantages ET désavantages du composant A par rapport au composant
B de puissance ?
Avantage :

-C’est un thyristor mais cette fois-ci, commandable à l’ouverture et à la fermeture grâce au courant de
gâchette.

-Différence avec le thyristor simple ? 2 flèches dans le symbole qui vont permettre d’insérer du courant
dans les 2 sens.

-commandable en courant.

-capable de bloquer les tensions négatives dont la grandeur dépend de la conception du GTO.

-Plus rapide que les thyristors simples (79-707 Hz).

Désavantage :

-Limite de performance en termes de vitesses de commutation. Les vitesses de croissance du courant

et de la tension en mise en conduction et en blocage en sont limitées.

-Limitation en fréquence de commutation du GTO (sinon blocage).

1.5 Transistors Bipolaires :
A/ Dessinez avec précision son symbole complet, sans oublier le nom de ses bornes.

2 types de transistors bipolaires existant : PNP, NPN

B/ Dessinez avec précision ses caractéristiques statiques courant/tension idéale ET réelle.

1
3
3 1

2
2

C/ Quelles sont toutes les différences entre la caractéristique statique réelle et la

caractéristique statique idéale de ce composant ? Expliquez brièvement chaque différence et
indiquez-les aussi sur vos schémas.
1 La caractéristique quasi verticale n’est pas sur l’axe mais est décalée vers la droite du à la tension à la
conduction de l’ordre de 1 à 2 volts. Il y a donc présence de tension de seuil dans la caractéristique
réelle et pas dans l’idéale.

2 Ce n’est pas une verticale mais une diagonale qui est due à la résistance interne du composant
lorsque le composant est à l’état passant.
3 les différentes lignes mauves représentent les différentes caractéristiques de ce composant selon la
valeur du courant de Base IB.

D/ Quels sont ses différents états de fonctionnement ET où se situent-t-ils sur la

caractéristique réelle ?
Il existe 4 états pour le transistor bipolaire :

1 Région active ou zone de conduction directe (pas utilisée en électronique de puissance car tension et
courant élevé).

2 Zone de blocage (c’est l’horizontale).

3 Zone de saturation (se comporte comme un interrupteur fermé).

4 Zone de conduction inverse (zone très rarement recherchée et pas utilisée en électronique de
puissance).

Remarque :

Dans le cadre de ce cours, nous allons donc considérer qu’il existe seulement 2 états de
fonctionnement. 2 autres n’étant jamais utilisés en électronique de puissance.

Voir schéma Question B

E/ Ce composant est-il commandable ? Si oui, par quoi et comment ? Si non, comment le

faire passer d’un état à un autre ?
Oui. Il est commandable en courant à la fermeture et à l’ouverture grâce au courant de base IB qui est le
courant de commande.

F/ À l’aide du schéma de fonctionnement ci-contre, comment se comporte le composant

dynamiquement ? Que se passe-t-il dans ce composant exactement, dans le schéma ci-
dessous ?
IB est le courant de base, IC le courant traversant le composant, VCE la tension aux bornes du composant,
VBE qui est la tension associé au courant de base, td(on) est le retard à l’enclenchement et tri est le temps
de montée du courant.

Pour la fermeture (OFF -> ON) du composant, on insère un courant de base d’une certaine valeur, et
on observe après un certain temps td(on) le courant IC augmenter pendant une durée tri et lorsque le
courant aura atteint sa valeur maximale, ce sera au tour de la tension de diminuer jusqu’à sa valeur de
saturation. Le composant se comporte donc bien comme un interrupteur se fermant.

A l’ouverture (ON -> OFF), le courant de base va diminuer pour que le transistor commence à s’ouvrir
et va causer la chute du courant et l’augmentation de la tension. Il faut rendre le courant de base
négatif pour avoir un effet plus rapide que si on l’avait simplement ramené à 0.

G/ Qu’est-ce qu’un temps de commutation ET, de manière idéale, comment devraient être
ces temps ?
Voir diode.

H/ Comment calcule-t-on l’énergie dissipée lors de la fermeture ET lorsque l’interrupteur est

complètement fermé ? Quelle aurait été l’énergie dissipée dans le cas d’un interrupteur idéal
?
Voir diode.

I/ Quels sont tous les avantages ET désavantages du composant A par rapport composant B
de puissance ?
Avantage :

-Il est commandable à l’ouverture et à la fermeture.

-Il est plus rapide que le GTO (316-5600 Hz)

Désavantage :

-Il est commandable en courant

1.6 Transistors MOSFET :

A/ Dessinez avec précision son symbole complet, sans oublier le nom de ses bornes.
2 types de transistors MOSFET existant : NMOS, PMOS

B/ Dessinez avec précision ses caractéristiques statiques courant/tension idéale ET réelle.

C/ Quelles sont toutes les différences entre la caractéristique statique réelle et la

caractéristique statique idéale de ce composant ? Expliquez brièvement chaque différence et
indiquez-les aussi sur vos schémas.
1 La caractéristique quasi verticale n’est pas sur l’axe mais est décalée vers la droite du à la tension à la
conduction de l’ordre de 1 à 2 volts. Il y a donc présence de tension de seuil dans la caractéristique
réelle et pas dans l’idéale.

2 Ce n’est pas une verticale mais une diagonale qui est due à la résistance interne du composant
lorsque le composant est à l’état passant.

3 les différentes lignes mauves représentent les différentes caractéristiques de ce composant selon la
valeur de la tension de grille source VGS.

D/ Quels sont ses différents états de fonctionnement ET où se situent-t-ils sur la

caractéristique réelle ?
Il existe 3 états pour le transistor MOSFET :

1 Mode résistif (transistor considéré comme un

interrupteur à l’état fermé).

2 Mode actif (mode jamais utilisé en

électronique de puissance).

3 Mode bloqué (se comporte comme un

interrupteur ouvert).

Remarque :

Dans le cadre de ce cours, nous allons donc

considérer qu’il existe seulement 2 états de
fonctionnement. L’autre n’étant jamais utilisé en électronique de puissance.

E/ Ce composant est-il commandable ? Si oui, par quoi et comment ? Si non, comment le

faire passer d’un état à un autre ?
Oui. Il est commandable en tension à l’ouverture et à la fermeture.

F/ À l’aide du schéma de fonctionnement ci-contre, comment se comporte le composant

dynamiquement ? Que se passe-t-il dans ce composant exactement, dans le schéma ci-
dessous ?

ID le courant traversant le composant, VDS la tension aux bornes du composant, td(on) est le retard à
l’enclenchement et tri est le temps de montée du courant.

Pour la fermeture (OFF -> ON) du composant, on insère une tension VGS d’une certaine valeur, et on
observe après un certain temps td(on) le courant ID augmenter pendant une durée tri et la tension VDS
diminuer pendant une durée tfv jusqu’à sa valeur de saturation. Le composant se comporte donc bien
comme un interrupteur se fermant.

A l’ouverture, il se passe exactement l’inverse lorsque la tension VGS diminue.

G/ Qu’est-ce qu’un temps de commutation ET, de manière idéale, comment devraient être
ces temps ?
Voir diode.

H/ Comment calcule-t-on l’énergie dissipée lors de la fermeture ET lorsque l’interrupteur est

complètement fermé ? Quelle aurait été l’énergie dissipée dans le cas d’un interrupteur idéal
?
Voir diode.
I/ Quels sont tous les avantages ET désavantages du composant A par rapport composant B
de puissance ?
Avantage :

-Il est commandable à l’ouverture et à la fermeture.

-Il est commandable en tension (consomme moins pour le circuit de commande).

-Plus rapide en termes de temps de commutation qu’un transistor bipolaire.

-Plus rapide que tous les composants (15,8-440 kHz).

Désavantage :

-Son comportement en tension et courant est le moins performant (même si c’est toujours bien).

1.7 IGBT :
IGBT = Insulated Gate Bipolar Transistor

A/ Dessinez avec précision son symbole complet, sans oublier le nom de ses bornes.

B/ Dessinez avec précision ses caractéristiques statiques courant/tension idéale ET réelle.

1 2
1

4
2
 3 3

Remarque : BVCES et VRM sont les tensions maximales d’avalanches avant que le composant ne
se détériore (BVCES est la tension maximale directe et VRM la tension maximale inverse).
C/ Quelles sont toutes les différences entre la caractéristique statique réelle et la
caractéristique statique idéale de ce composant ? Expliquez brièvement chaque différence et
indiquez-les aussi sur vos schémas.
1 La caractéristique quasi verticale n’est pas sur l’axe mais est décalée vers la droite du à la tension de
seuil. Il y a donc présence de tension de seuil dans la caractéristique réelle et pas dans l’idéale.

2 les différentes lignes vertes représentent les différentes caractéristiques de ce composant selon la
valeur de la tension de grille émetteur VGE.

3 Présence de tension inverse maximale au-delà de laquelle on observe un effet d’avalanche ou de

claquage où le composant est complètement endommagée de manière irréversible.

4 L’horizontale est légèrement décalée par rapport à l’axe car on observe un léger courant de fuite
négligeable (quelques dizaines de mA).

D/ Quels sont ses différents états de fonctionnement ET où se situent-t-ils sur la

caractéristique réelle ?
Il existe 3 états pour l’IGBT :

1 Etat passant.

2 Etat bloqué.

3 Etat bloqué inverse.

E/ Ce composant est-il commandable ? Si oui, par quoi et comment ? Si non, comment le

faire passer d’un état à un autre ?
Oui. Il est commandable en tension à l’ouverture et à la fermeture grâce à une tension de grille VGE.

F/ À l’aide du schéma de fonctionnement ci-contre, comment se comporte le composant

dynamiquement ? Que se passe-t-il dans ce composant exactement, dans le schéma ci-
dessous ?
ICE le courant traversant le composant, VCE la tension aux bornes du composant, td(on) est le retard à
l’enclenchement et tri est le temps de montée du courant.

Pour la fermeture (OFF -> ON) du composant, on insère une tension VGE d’une certaine valeur, et on
observe après un certain temps td(on) le courant ICE augmenter pendant une durée tri et lorsque le
courant aura atteint sa valeur maximale, ce sera au tour de la tension VCE de diminuer jusqu’à sa valeur
de saturation. Le composant se comporte donc bien comme un interrupteur se fermant.

A l’ouverture, il se passe exactement l’inverse lorsque la tension VGS diminue.

G/ Qu’est-ce qu’un temps de commutation ET, de manière idéale, comment devraient être
ces temps ?
Voir diode.

H/ Comment calcule-t-on l’énergie dissipée lors de la fermeture ET lorsque l’interrupteur est

complètement fermé ? Quelle aurait été l’énergie dissipée dans le cas d’un interrupteur idéal
?
Voir diode.

I/ Quels sont tous les avantages ET désavantages du composant A par rapport composant B
de puissance ?
Avantage :

-Transistor hybride (regroupe le MOSFET en entrée et le bipolaire en sortie : commandé par la tension
de grille UGE qui lui est appliquée, mais ses caractéristiques de conduction sont celles d’un bipolaire).

-Comme le MOSFET : simplicité de commande en termes de coût énergétique car il possède une grille à
haute impédance, qui ne nécessite que peu d’énergie pour activer (commander) le composant.

-Comme le bipolaire : il a une faible chute de tension à l’état passant donc il a des faibles pertes de
conduction.

-Comme le GTO : il peut être conçu pour bloquer des tensions négatives.

-Plus rapide que les bipolaires et moins rapide que les MOSFET (3,16-20 kHz).
2. Questions dispositifs :
A/ Combien de types de classes y a-t-il dans les dispositifs de puissance et quels sont ces
types ?
Il existe 4 types de classes :

-le redresseur (ACDC).

-l’onduleur (DCAC).

-le hacheur (DCDC).

-le gradateur ou cycloconvertisseur (ACAC).

D/ Existe-t-il des dispositifs qui peuvent être soit réversibles, soit non réversibles ? Si oui,
lesquels ?
Le redresseur non commandé

Oui, le hacheur peut être réversible ou non réversible.

2.1 Redresseurs :
B/ Quel est le convertisseur représenté ci-contre et quelle est sa fonction ?
2.1.1 Redresseurs non commandés :

Les redresseurs non commandés sont utilisés pour convertir une grandeur alternative en une grandeur
continue. Il fait redresser la tension.

2.1.1 Pont redresseurs monophasés à diodes :

2.1.1 Pont redresseurs triphasés :

C/ Pourrait-il être réversible ? Si oui, comment, sous quelles conditions et grâce à quoi ? Si
non, pourquoi ?
Le redresseur peut-être réversible à condition que l’on travaille uniquement avec des thyristors dans
notre circuit (redresseur contrôlés). Par contre, si on travaille seulement avec des diodes ou en mixte
(diodes+thyristors), le redresseur sera non réversible.

A) Simple circuit de redressement :