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1 PRÉSENTATION Dans la suite du cours, on s'intéressera uniquement au fonctionnement en commutation.

La chaîne d'action, constituée par un microcontrôleur ou des circuits logiques, produit des ordres à Il existe deux grandes familles de transistors caractérisés par un type de commande distinct :
destination de la chaîne d'énergie mais elle ne peut délivrer une tension et un courant suffisant pour - Les transistors à effet de champ commandés en tension,
alimenter directement une partie opérative (moteur électrique par exemple). Il est nécessaire d'utiliser - Les transistors bipolaires commandés en courant.
un préactionneur qui joue le rôle d’interface de puissance entre la partie commande et la partie
opérative. Le préactionneur pourra être commandé en entrée par un courant ou une tension faible et
commutera en sortie une puissance électrique (Pa) adaptée à la charge. 3.1 TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP : FET (FIELD EFFECT
TRANSISTOR)

2 IDENTIFICATION DE LA FONCTION TECHNIQUE RÉALISÉE 3.1.1 PRÉSENTATION

Grandeurs
physiques à Les transistors à effet de champ sont dotés de trois broches appelées : Grille (G), Drain (D) et
acquérir Chaîne d'information Source (S). Ils sont dotés d'un canal N ou P par lequel est assuré le passage du courant entre Drain et
Source. La conduction est commandée par un champ électrique produit par une tension appliquée sur
ACQUERIR TRAITER COMMUNIQUER la grille.

Consignes
3.1.2 SYMBOLE DES TRANSISTORS MOSFET A ENRICHISSEMENT
Ordres
CANAL N CANAL P
ALIMENTER DISTRIBUER CONVERTIR TRANSMETTRE ACTION D VGS S
ID
Energie
d'entrée Chaîne d'énergie G
VDS VDS
Puissance Puissance G
électrique électrique modulée ID
VGS S D
Divers composants permettent de réaliser la fonction DISTRIBUER (la puissance électrique) :
- Les transistors pour commuter des tensions/courants continus, VGS et VDS 0 VGS et VDS 0
- Les relais (commute du continu ou de l’alternatif en réalisant une isolation électrique).

3 LES TRANSISTORS 3.1.3 DÉFINITION DES GRANDEURS CARACTÉRISTIQUES

La commande du transistor est réalisée par la tension VGS. La valeur de la tension VGS qui
assure le blocage du transistor est appelée VGSth ou VT.
A l'état saturé, le transistor se comporte comme une résistance entre Drain et Source. Cette
résistance est nommée RDSon et présente généralement une très faible valeur.

Les transistors sont des semi-conducteurs dotés d'une entrée de commande. Ils permettent deux 3.1.4 TRANSISTOR MOS CANAL N EN COMMUTATION
types de fonctionnement :
- en régime linéaire (amplificateur), Le transistor se comporte comme un interrupteur (entre D et S) commandé par la tension VGS
- en régime de commutation (bloqué / saturé). positive ou nulle.
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[Link] Transistor bloqué : interrupteur ouvert 3.3 TRANSISTOR BIPOLAIRE

3.3.1 PRÉSENTATION
Le transistor est bloqué si : VGS < VGS th ⇒ I = 0
D
Le transistor est doté de trois broches repérées B, C et E et appelées respectivement : Base,
Collecteur et Emetteur. Il existe deux types de transistors bipolaires : les NPN et les PNP.
En général, on prendra VGS = 0V ID = 0
D 3.3.2 SYMBOLE
Le transistor est équivalent à : G
NPN PNP
S
Ic Ie
Veb
[Link] Transistor saturé : interrupteur fermé Ib B C E
B
Vce Vec
Ib
I D sat E C
Le transistor est saturé si : VGS > VGS th + Vbe Ie Ic
gm

Où gm désigne la transconductance; exprimée en Siemens (S).

3.3.3 DÉFINITION DES GRANDEURS CARACTÉRISTIQUES
En général, on prendra VGS = + Vcc - Ib : courant de base.
- Ic : courant de collecteur.
Le transistor est équivalent à : - Ie : courant d'emetteur.
ID = I D sat - VCE : tension Collecteur Emetteur (VEC pour le transistor PNP).
VDS = VDS sat = 0V (transistor parfait) D - VBE : tension Base Emetteur (VEB pour le transistor PNP).
= RDSon . ID sat (en réalité) Les tensions et courants repérés sont positifs pour les deux types de transistor.
G VDS
ID = ID sat
S
3.3.4 FONCTIONNEMENT EN RÉGIME LINÉAIRE

Le transistor réalise une amplification du courant d'entrée Ib :

3.2 TRANSISTOR MOS CANAL P

La tension de commande VGS est négative ou nulle. Ic = β . Ib

Le transistor est bloqué si : VGS > VGS th on prendra VGS = 0V
Où β désigne l' amplification en courant du transistor (aussi appelée h21 ou hFE).

I D max Aucun transistor ne dispose du même β, il se situe dans une plage garantie par le constructeur et
Le transistor est saturé si : VGS < VGS th - on prendra VGS = - Vcc est compris entre deux valeurs limites : βmin. ≤ β ≤ βmax.
gm
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3.3.5 FONCTIONNEMENT EN COMMUTATION 4 LES RELAIS ÉLECTROMÉCANIQUES

Le transistor se comporte comme un interrupteur (entre C et E) commandé par le courant de base.

[Link] Transistor bloqué : interrupteur ouvert

Le transistor est bloqué si : Ib est nul ⇒ Ic = 0

Ic = 0 4.1 PRÉSENTATION
Le transistor est équivalent à : C
Ib = 0 Un relais est généralement constitué de deux parties isolées électriquement :
B
- une bobine de commande,
- un ou plusieurs interrupteurs commandés.
E
Lorsque la bobine est alimentée, elle crée un champ magnétique qui entraîne le basculement de la
lame : le contact passe de la position repos à la position travail. Lorsque la bobine n’est plus
alimentée, la lame reprend sa position initiale grâce à un ressort de rappel.
[Link] Transistor saturé : interrupteur fermé
4.2 SYMBOLE D'UN RELAIS AVEC CONTACT INVERSEUR (RT)
Le transistor est saturé si : Ib > Ic sat
β min (R) (T)
Ic
C
Le transistor est équivalent à : Ib
B
VCE
Ib > Ibsat min VBE
E Bobine de Contacts représentés en
commande position Repos (R)
VCE = VCE sat = 0 V (transistor parfait)
de 0.1 V à 1 V en réalité.
4.3 DESCRIPTION DES GRANDEURS CARACTÉRISTIQUES

La bobine est caractérisée principalement par :

Ic = Ic sat - Sa tension d'alimentation (continue ou alternative).
- Sa résistance (qui permet de calculer le courant dans la bobine).
La valeur minimale de Ib qui garantit la saturation est appelée Ibsat min. Les contacts sont caractérisés par :
- Leur type et leur nombre (contact à fermeture / travail, contact à ouverture / repos, contact
Pour obtenir la meilleure saturation possible du transistor, c'est-à-dire pour obtenir une tension inverseur).
VCEsat qui soit la plus proche de 0, on choisit généralement pour Ib une valeur telle que : - La tension et le courant que les contacts peuvent commuter.
- Le nombre maximal de manoeuvrs possibles.
Ib = K . Ibsat min avec K : coef. de sursaturation (habituellement choisi entre 2 et 5) - La fréquence maximale de commutation.
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5 EXERCICES D'APPLICATION ? Repérer sur le schéma structurel du montage 2 les broches G, S et D. Flécher les tensions VDS
et VGS. Indiquer le type du transistor utilisé :
5.1 TRANSISTOR MOSFET: COMMANDE D'UN MOTEUR
Transistor MOS canal N à enrichissement.
On veut alimenter un petit moteur (φ 63 mm) à courant continu par un signal issu de la sortie S
d'une porte logique : 5.1.1 Vo = 0 V
- Lorsque S est au niveau '1', le moteur doit tourner.
- Lorsque S est à '0', le moteur doit être à l'arrêt (Im = 0).
? Que vaut VGS ? Quel est l'état du transistor ?
On donne les caractéristiques des éléments du montage : VGS = 0 car VGS = Vo
- Moteur : Tension d'alimentation : 12 V
Résistance : 1 Ω Le transistor est bloqué car VGS < VGS th
Vitesse de rotation : 1500 tr/min
Courant à vide : 0,4 A
? Que valent ID et VDS :
- Porte logique : Tension de sortie à l'état '1', VOH = 12V ID = 0
Courant de sortie à l'état '1' : IOH = 5 mA
VDS = Vcc - Vmot = 12 - 0 = +12V
- MOS IRF 540 : 2 V <VGS th < 4 V
RDSon max = 0,052 Ω
gm = 11 S ? Quel est l'état du moteur : Le moteur est à l'arrêt

On propose deux montages d'alimentation :

5.1.2 Vo = 12 V
MONTAGE 1 MONTAGE 2 Vcc = +12V
? En supposant le transistor saturé, calculer le courant traversant le moteur au démarrage :
U=R.I I= U Im = Vcc = 12 = 11,4 A
O
M R Rm + R DS 1 + 0,052
Porte
logique
ID
? Calculer la valeur minimale que devra prendre VGS pour assurer la saturation du transistor dans
M Porte O ce cas :
VO
logique Le transistor est saturé si : VGS > VGS th + I Dmax
VO gm
VGS min = 4 + 11,4 = 5 V
11

? Indiquer, en justifiant votre réponse, pourquoi le montage 1 ne peut pas être utilisé pour cette
application : ? Le transistor est-il effectivement saturé ? Justifer votre réponse :

La porte logique ne fournit pas un courant suffisant : VGS = Vo = +12V VGS > VGS th + I Dgmax
m

5 mA maximum alors que le moteur a au moins besoin de 0,1 A. 12 > +5 V ; donc le transistor est saturé
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5.2 PONT EN H 5.2.2 CAS N°1 : VE1 = VE2 = 0V

On se propose d'étudier le montage PONT en H qui permet de commander la rotation du moteur à ? Calculer les valeurs de VGS1 et VGS2 :
courant continu dans les deux sens :
VGS1 = Ve1 = 0V; VGS2 = Ve1 - Vcc = 0 - 12 = -12V
Vcc = 12V
VGS2 VGS4
S2 S4
? En déduire le mode de fonctionnement de T1 et T2 (bloqué ou saturé) :
G2 G4
T2 T4 VGS1 = 0V Le transistor est bloqué car VGS < VGS th
D2 Im D4
M VGS2 = -12V Le transistor est saturé car VGS > VGS th (I D n'est pas connu)
D1 D3
T1 T3
Ve1 G1
S1
Um
S3
G3
Ve2 ? Calculer les valeurs de VGS3 et VGS4 :

VGS1 VGS3 VGS3 = Ve2 = 0V; VGS4 = Ve2 - Vcc = 0 - 12 = -12V

On donne les caractéristiques des transistors : ? En déduire le mode de fonctionnement de T3 et T4 (bloqué ou saturé) :
- Pour les transistors canal N : VGS th = 2 V VGS3 = 0V Le transistor est bloqué car VGS < VGS th
- Pour les transistors canal P : VGS th = -2 V
VGS4 = -12V Le transistor est saturé car VGS > VGS th (I D n'est pas connu)
5.2.1 ANALYSE PRÉPARATOIRE

? Repérer sur le schéma structurel les broches G, S et D des transistors T1, T2, T3 et T4. Flêcher ? Donner le schéma équivalent au montage (remplacer T1, T2, T3 et T4 par des interrupteurs) :
les tensions VGS1, VGS2, VGS3, VGS4.
Vcc = 12V Vcc = 12V
? Indiquer le type des transistors T1 et T3 :

MOS canal N à enrichissement. T2 T4

Im
? Indiquer le type des transistors T2 et T4 : M
MOS CANAL P à enrichissement. T1 T3
Um

? Exprimer les tensions VGS1 et VGS2 en fonction de Vcc et Ve1 :

VGS1 = Ve1
VGS2 = Ve1 - Vcc ? En déduire la valeur de Um et de Im :
Um = 0V, Im = 0A
? Exprimer les tensions VGS3 et VGS4 en fonction de Vcc et Ve2 :
VGS3 = Ve2 ? Préciser l'état du moteur :

VGS4 = Ve2 - Vcc Le moteur est à l'arrêt.

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5.2.3 CAS N°2 : VE1 = 12V, VE2 = 0V 5.2.4 CAS N°3 : VE1 = 12V, VE2 = 12V

? Calculer les valeurs de VGS1 et VGS2 : ? Calculer les valeurs de VGS1 et VGS2 :

VGS1 = Ve1 = +12V; VGS2 = Ve1 - Vcc = 12 - 12 = 0 V VGS1 = Ve1 = +12V; VGS2 = Ve1 - Vcc = 12 - 12 = 0 V

? En déduire le mode de fonctionnement de T1 et T2 (bloqué ou saturé) : ? En déduire le mode de fonctionnement de T1 et T2 (bloqué ou saturé) :
VGS1 = +12V Le transistor est saturé car VGS > VGS th (I D n'est pas connu). VGS1 = +12V Le transistor est saturé car VGS > VGS th (I D n'est pas connu).
VGS2 = 0 Le transistor est bloqué car VGS > VGS th VGS2 = 0 Le transistor est bloqué car VGS > VGS th

? Calculer les valeurs de VGS3 et VGS4 : ? Calculer les valeurs de VGS3 et VGS4 :
VGS3 = Ve2 = 0V; VGS4 = Ve2 - Vcc = 0 - 12 = -12V VGS3 = Ve2 = +12V; VGS4 = Ve2 - Vcc = 12 - 12 = 0 V

? En déduire le mode de fonctionnement de T3 et T4 (bloqué ou saturé) : ? En déduire le mode de fonctionnement de T3 et T4 (bloqué ou saturé) :
VGS3 = 0V Le transistor est bloqué car VGS < VGS th (I D n'est pas connu). VGS3 = +12V Le transistor est saturé car VGS > VGS th (I D n'est pas connu).
VGS4 = -12V Le transistor est saturé car VGS > VGS th VGS4 = 0 Le transistor est bloqué car VGS < VGS th

? Donner le schéma équivalent au montage (remplacer T1, T2, T3 et T4 par des interrupteurs) : ? Donner le schéma équivalent au montage (remplacer T1, T2, T3 et T4 par des interrupteurs) :

Vcc = 12V Vcc = 12V Vcc = 12V Vcc = 12V

T2 T4 T2 T4
Im Im
M M
M

T1 T3 T1 T3
Um Um

? En déduire la valeur de Um : ? En déduire la valeur de Um :

Um = -12V Um = 0V, Im = 0A

? Préciser l'état du moteur : ? Préciser l'état du moteur :

Le moteur toune dans un sens Le moteur est à l'arrêt.
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5.2.5 CAS N°4 : VE1 = 0V, VE2 = 12V 5.3 TRANSISTOR BIPOLAIRE : COMMANDE D'UN RELAIS

? Calculer les valeurs de VGS1 et VGS2 : On donne un exemple de schéma de commande d'un relais (pour une sortie TOR d'un automate
par exemple).
VGS1 = Ve1 = 0V; VGS2 = Ve1 - Vcc = 0 - 12 = -12V
La tension Ve provient de la sortie d'un circuit de technologie TTL (alimenté sous 5V). Elle ne
peut donc prendre que deux valeurs (0 ou +5V). Le transistor T2 fonctionnera donc normalement en
? En déduire le mode de fonctionnement de T1 et T2 (bloqué ou saturé) : régime de commutation (bloqué / saturé).
VGS1 = 0V Le transistor est bloqué car VGS < VGS th (I D n'est pas connu).
VCC = +24V
VGS2 = -12V Le transistor est saturé car VGS > VGS th
Rb KM
? Calculer les valeurs de VGS3 et VGS4 :

VGS3 = Ve2 = +12V; VGS4 = Ve2 - Vcc = 12 - 12 = 0 V Ic

T2
R3
Ib
? En déduire le mode de fonctionnement de T3 et T4 (bloqué ou saturé) :
Vs Vce
VGS3 = +12V Le transistor est saturé car VGS > VGS th (I D n'est pas connu). 1k Ω
Ve
Vbe
VGS4 = 0 Le transistor est bloqué car VGS > VGS th

? Donner le schéma équivalent au montage (remplacer T1, T2, T3 et T4 par des interrupteurs) :

Vcc = 12V Vcc = 12V

Caractéristiques du relais : Caractéristiques du transistor :

Rb = 120 Ω (résistance de la bobine) Vce sat = 0,1V.

T2 T4 Vbe sat = 0,8V.
Im 100 < β < 200.
M
5.3.1 ANALYSE QUALITATIVE
T1 T3
Um Flécher sur le schéma les courants Ib et Ic ainsi que les tensions Vbe et Vce.

Compléter le tableau suivant en indiquant l'état du transistor T2 et du contact KM du relais pour

chacune des valeurs de Ve :

? En déduire la valeur de Um : Ve (V) état de T2 Valeur de Vs position du contact

Um = +12V (bloqué / saturé) (ouverte / fermée )

0 bloqué +24 V ouvert

? Préciser l'état du moteur :
Le moteur toune dans l'autre sens 5 saturé +0,1 V fermé
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5.3.2 VÉRIFICATION DE LA SATURATION DU TRANSISTOR ? Calculer la valeur de Ib réel :

Cette analyse a pour but de vérifier que le transistor fonctionne effectivement en régime de Ib = Ve - Vbe sat = 5 - 0,8 = 4,2 mA
commmutation. R3 1000
? Etablir l'expression de Ic en fonction des éléments du montage :
Ic = Vcc - Vce ? Vérifier que la condition de saturation du transistor est réalisée :
Rb Ib reel = 4,2 mA Ibsat min = 2 mA
Ib reel > Ibsat min donc le transistor est saturé.

? Calculer Ic sat (en supposant que le transistor est saturé) :

Ic = Vcc - Vce sat = 24 - 0,1 = 199 mA
Rb 120

? Rappeler la condition de saturation du transistor :

Ic sat
Ib >
β min

? Calculer Ib sat min (valeur minimale du courant de base assurant la saturation du transistor) :

Ibsat min = Ic sat = 199 = 1,99 mA

β min 100

? Etablir l'expression de Ib en fonction des éléments du montage :

Ib = VR3
R3

VR3 = Ve- Vbe

Ib = Ve - Vbe
R3