Fonctionnalisation et traitement de surface.
Par voie gazeuse
Angélique Bousquet
[Link]@[Link]
Pourquoi modifier les surfaces ?
Propriétés de surface
Miniaturiser la propriété
Depuis quand ?
Antiquité, - dorure par feuille d’or
- dépôt cuivre par électrolyse Quelques mm
19ème siècle, invention de la pile volta
Réelle maîtrise de l’électrolyse, galvanoplastie
1ère partie du 20ème siècle,
Élargissement du nombre de métaux déposés par galvanoplastie
Développement de la métallurgie et du traitement des métaux
2ème partie du 20ème siècle,
Chimie douce sol-gel
Procédé voie gaz ou voie plasma Quelques nm
De quoi va-t-on parler ?
Fonctionnalisation et traitement de surface
Voie liquide Voie gazeuse
Dépôt sol-gel
Dépôt électrolytique Dépôt par voie gazeuse
Revêtement polymère
Traitements thermochimiques des métaux
Qu’est ce qu’un procédé de dépôt de couche mince par voie
gazeuse ?
De quoi va-t-on parler ?
Qu’est ce qu’un procédé de dépôt de couche mince par voie
gazeuse ?
= procédé où les espèces formant le dépôt arrivent via une phase
gazeuse.
« matière première » Formation des Précurseurs
Croissance CM
précurseurs du
sur le substrat
dépôt Phase gazeuse
Apport d’énergie
De quoi va-t-on parler ?
Qu’est ce qu’un procédé de dépôt de couche mince par voie
gazeuse ?
= procédé où les espèces formant le dépôt arrivent via une phase
gazeuse.
« matière première » Formation des Précurseurs
Croissance CM
précurseurs du
sur le substrat
dépôt Phase gazeuse
Apport d’énergie
Beaucoup de procédés différents classification
De quoi va-t-on parler ?
« matière première » Formation des Précurseurs
Croissance CM
précurseurs du
sur le substrat
dépôt Phase gazeuse
Apport d’énergie
Beaucoup de procédés différents classification
Solide Gaz « matière première »
+ Faisceau
Thermique Evaporation CVD
de particules
Ablation laser ALD
Epitaxie, MBE
PVD PECVD
Plasma Torche Plasma
Apport d’énergie Lien très fort: procédé / matériau / propriétés
De quoi va-t-on parler ?
« matière première » Formation des Précurseurs
Croissance CM
précurseurs du
sur le substrat
dépôt Phase gazeuse
Apport d’énergie
Beaucoup de procédés différents classification
Solide Gaz « matière première »
+ Faisceau
Thermique Evaporation
Ablation laser
CVD
ALD 2 de particules
Epitaxie, MBE
PVD PECVD
Plasma Torche Plasma
3
Apport d’énergie Lien très fort: procédé / matériau / propriétés
De quoi va-t-on parler ?
Quel procédé pour quel matériau ?
Et quelle application ?
Etudes de cas par groupe sur chaque procédé.
Commencer à réfléchir à vos groupes de 3.
Partie 1
Principe généraux des différents
procédés
1. Chemical Vapor Deposition
2. Evaporation
3. Physical Vapour Deposition
[Link] Enhanced CVD
Partie 1
Principe généraux des différents
procédés
1. Chemical Vapor Deposition
2. Evaporation
3. Physical Vapour Deposition
[Link] Enhanced CVD
Chemical Vapor Deposition
Gaz
moléculaires Formation des Précurseur
Croissance CM
précurseurs du
sur le substrat
dépôt Phase gazeuse
E thermique
Processus en CVD
Gaz
Ts
1. Transport des réactants par convection forcée
2. Transport par diffusion des réactants vers la surface.
3. Adsorption des réactants sur la surface.
4. Processus de surface: décomposition et réaction chimique, migration de
surface, incorporation…
5. Désorption des produits de la surface.
6. Transport des produits vers le flux de gaz.
7. Transport des produits par convection forcée loin de la zone de dépôt.
Which pressure range ?
Which materials ?
Partie 1
Principe généraux des différents
procédés
1. Chemical Vapor Deposition
2. Evaporation
3. Physical Vapour Deposition
[Link] Enhanced CVD
Evaporation
Solide Formation des Précurseur
Croissance CM
précurseurs du
sur le substrat
dépôt Phase gazeuse
E thermique
Which pressure range ?
Which materials ?
Choix des matériaux
[Link]
Partie 1
Principe généraux des différents
procédés
1. Chemical Vapor Deposition
2. Evaporation
3. Physical Vapour Deposition
[Link] Enhanced CVD
Qu’est ce qu’un plasma ?
Plasma = gaz partiellement ionisé, mais qui
reste globalement neutre.
Plasma est composé de:
- Neutres (« gaz de départ»)
- Electrons,
- Ions positifs
Les plasmas sont partout !
Procédés plasma froid
Puissance Energie des Energie des
électrique électrons: Te autres espèces
Efficace Par des chocs inélastiques
(gaz, source plasma…) (dépend du nombre d’électrons)
Plasma est composé de:
- Electrons (énergétiques) = moteur des réactions.
- Neutres (« gaz de départ») chimie
- Ions positifs physique
Partie 1
Principe généraux des différents
procédés
1. Chemical Vapor Deposition
2. Evaporation
3. Physical Vapour Deposition
[Link] Enhanced CVD
Physical Vapour Deposition
= Sputtering
Ca ressemble au procédé d’évaporation
Solide Formation des Précurseur
Croissance CM
précurseurs du
sur le substrat
dépôt Phase gazeuse
Plasma
La pulvérisation cathodique
Cible solide Formation des Précurseurs
Croissance CM
précurseurs du
sur le substrat
dépôt Phase gazeuse
Plasma
Cible Tantale
IMN
(Nantes)
-
Ar+ Ta
Débit Ar
Ta
Cible élémentaire (métaux, Si…)
ou composé (ZnO, SiO2 …)
Enceinte
sous vide
Substrat
La pulvérisation réactive
Comment piloter la composition du dépôt ?
Cible Tantale
O2, N2, H2O…
Ar+ Ta
Débit Ar Nitrure Oxyde
Débit O2 O2 + e 2 O
TiO2
ZnO
Substrat
Oxynitrure
A partir d’une cible élémentaire, SiOxNy
composition de TaOx contrôlée par débit de O2 TaOxNy
…
Partie 1
Principe généraux des différents
procédés
1. Chemical Vapor Deposition
2. Evaporation
3. Physical Vapour Deposition
[Link] Enhanced CVD
Plasma Enhanced-CVD
Ca ressemble au procédé CVD
Gaz
moléculaires Formation des Radicaux
Croissance CM
précurseurs du
sur le substrat
dépôt Phase gazeuse
Plasma
Précurseur sous forme gazeuse PECVD
Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
Énergie Énergie Formation
électrique cinétique des des
Source plasma électrons choc inélastique précurseurs
avec les espèces
Basse pression
PECVD - Organosilisié
Atome, HMDSO
Précurseur dissocié
molécule
gaz HMDSO par le plasma
Radical ē
Electron SiCxHy SiOCxHy
Ion +
Ion –
Photon
Substrat
HMDSO
Fragments de HMDSO
2 147 HMDSO - 300 W
4
Intensity (a.u..)
10
26 28
16 73 148
3 133
10 15 18 59
58 119
2 162 221
10
0 50 100 150 200
Spectre en neutres par spectrométrie de masse m/z (u.m.a.)
Basse pression
PECVD - Organosilisié
Atome, HMDSO
molécule
gaz HMDSO
Radical ē
Electron SiCxHy SiOCxHy
Ion +
Fragments se déposent
Ion –
sur le substrat
Photon
Substrat
Fragments de HMDSO
2 147 HMDSO - 300 W
4
Intensity (a.u..)
10
26 28
16 73 148
3 133
10 15 18 59
58 119
2 162 221
10
0 50 100 150 200
Spectre en neutres par spectrométrie de masse m/z (u.m.a.)
Avez-vous vos groupes de 3
étudiants ?
Sujets de TD pour la prochaine fois
- Procédés thermiques -
Sujet 1: CVD pour la croissance de
diamant 28 septembre
Sujet 2: Evaporation de dépôt de films
CuInGaSe 30 septembre