Le descriptif du module est le suivant :
Chapitre 1 : Electrocinétique
1. Généralité
2. Composants électriques et dipôles
3. Théorèmes généraux
4. Réseaux électriques en régime continu
5. Etude des réseaux en régime alternatif et sinusoïdal
6. Puissance et énergie électriques
Chapitre 2 : Quadripôles
1. Introduction
2. Représentation matricielle d’un quadripôle
3. Association de quadripôles
4. Quadripôle en charge (impédance d’entrée, impédance de sortie, gains en tension et
en courant)
5. Quadripôles particuliers.
Chapitre 3 : Filtres passifs
1. Filtres RC, RL et LC premier ordre et deuxième ordre
2. Diagramme de Bode
Chapitre 4 : Composants électroniques de base
1. Diodes
2. Transistor bipolaire.
Travaux pratiques :
TP1 : Théorèmes généraux des réseaux électriques.
TP2 : Quadripôles électriques.
TP3 : Caractéristiques de la diode à jonction et du transistor bipolaire et leurs applications.
Tu dois préparer un polycopie pour les travaux pratiques. Tu donnes une proposition très
détaillée.
TP1 : Théorèmes généraux des réseaux électriques
Objectif :
Appliquer les théorèmes généraux de superposition, de Thévenin, de Norton et de Millman
pour analyser les circuits en courant continu.
1. Matériel requis :
Générateur de tension continue
Résistances (1kΩ, 2kΩ, 4kΩ, 10kΩ)
Multimètres numériques
Breadboard et fils de connexion
2. Expériences et Schémas :
Expérience 1 : Théorème de superposition
Schéma de circuit :
Le circuit comprend deux sources de tension continue V1V_1V1 et V2V_2V2 (5V et 10V) et
trois résistances R1=1kΩR_1 = 1k\OmegaR1=1kΩ, R2=2kΩR_2 = 2k\OmegaR2=2kΩ,
R3=4kΩR_3 = 4k\OmegaR3=4kΩ, connectées en série-parallèle.
Étape 1 : Relevez les tensions et les courants en utilisant uniquement la source
V1V_1V1 (en court-circuitant V2V_2V2).
Étape 2 : Relevez les mêmes valeurs en utilisant uniquement V2V_2V2 (en court-
circuitant V1V_1V1).
Étape 3 : Additionnez les valeurs pour chaque point de mesure, en respectant le
principe de superposition.
VABV_{AB}VAB IR1I_{R_1}IR1 IR2I_{R_2}IR2 IR3I_{R_3}IR3
Source activée
mesurée (V) (mA) (mA) (mA)
V1V_1V1
seule
V2V_2V2
seule
Total par
superposition
Expérience 2 : Théorème de Thévenin
Schéma de circuit :
Circuit avec une source de tension V=10VV = 10VV=10V, et deux résistances R1=2kΩR_1 =
2k\OmegaR1=2kΩ et R2=4kΩR_2 = 4k\OmegaR2=4kΩ.
Étape 1 : Calculez la résistance équivalente de Thévenin RThR_{Th}RTh et la
tension de Thévenin VThV_{Th}VTh en remplaçant le circuit extérieur par son
équivalent.
Étape 2 : Mesurez VThV_{Th}VTh et RThR_{Th}RTh expérimentalement.
Paramètre Valeur calculée Valeur mesurée
VThV_{Th}VTh
RThR_{Th}RTh
Expérience 3 : Théorème de Norton
Reprenez le même circuit que pour le théorème de Thévenin.
Étape 1 : Remplacez VVV par sa source équivalente de Norton (court-circuiter pour
déterminer le courant INI_NIN et la résistance RNR_NRN).
Étape 2 : Mesurez le courant Norton INI_NIN et la résistance RNR_NRN.
Paramètre Valeur calculée Valeur mesurée
INI_NIN
RNR_NRN
Expérience 4 : Théorème de Millman
Utilisez un circuit en étoile avec V1=5V,R1=1kΩV_1 = 5V, R_1 = 1k\OmegaV1=5V,R1
=1kΩ, V2=10V,R2=2kΩV_2 = 10V, R_2 = 2k\OmegaV2=10V,R2=2kΩ, et
V3=15V,R3=4kΩV_3 = 15V, R_3 = 4k\OmegaV3=15V,R3=4kΩ.
Étape 1 : Calculez la tension selon le théorème de Millman.
Étape 2 : Comparez la valeur calculée avec la mesure expérimentale.
Tension Valeur calculée (V) Valeur mesurée (V)
VMillmanV_{Millman}VMillman
TP2 : Quadripôles électriques
Objectif :
Étudier les caractéristiques de base des quadripôles, telles que l’impédance d’entrée,
l’impédance de sortie, le gain en tension et en courant.
1. Matériel requis :
Générateur de signal
Oscilloscope
Résistances (1kΩ, 2kΩ, 10kΩ)
Breadboard et fils de connexion
2. Expériences et Schémas :
Expérience 1 : Détermination de la matrice de transfert
Schéma de circuit :
Montage d'un quadripôle avec deux résistances en série R1=1kΩR_1 = 1k\OmegaR1=1kΩ et
R2=2kΩR_2 = 2k\OmegaR2=2kΩ.
Étape 1 : Injectez un signal de 1V crête à crête en entrée et mesurez la tension de
sortie.
Étape 2 : Calculez l’impédance d’entrée et de sortie du quadripôle.
Paramètre Valeur mesurée
Impédance d’entrée ZinZ_{in}Zin
Impédance de sortie ZoutZ_{out}Zout
Expérience 2 : Association de quadripôles
Réalisez l’association de deux quadripôles (le montage précédent et un autre quadripôle
similaire) en cascade.
Étape 1 : Mesurez le gain global en tension.
Gain global en tension Valeur théorique Valeur expérimentale
TP3 : Caractéristiques de la diode à jonction et du transistor bipolaire
Objectif :
Caractériser la diode et le transistor bipolaire et explorer leurs applications dans les circuits de
redressement et d’amplification.
1. Matériel requis :
Générateur de signal et alimentation DC
Diode (type 1N4007)
Transistor bipolaire NPN (type 2N2222)
Oscilloscope
Breadboard et fils de connexion
2. Expériences et Schémas :
Expérience 1 : Caractérisation de la diode
Schéma de circuit :
Circuit simple avec une diode en série avec une résistance R=1kΩR = 1k\OmegaR=1kΩ.
Étape 1 : Variez la tension d’entrée et notez la tension et le courant de la diode.
Étape 2 : Tracez la courbe I-V de la diode.
Tension (V) Courant (mA)
Tension (V) Courant (mA)
Expérience 2 : Circuit de redressement demi-onde et pont
Schéma de circuit :
Réalisez un redresseur demi-onde et un pont redresseur avec quatre diodes.
Étape 1 : Mesurez la tension redressée.
Étape 2 : Notez la tension de crête et le facteur d’ondulation.
Type de redressement Tension de sortie (V) Ondulation (V)
Demi-onde
Pont
Expérience 3 : Caractérisation du transistor
Schéma de circuit :
Utilisez un montage de transistor en mode amplificateur commun.
Étape 1 : Mesurez le courant de base IBI_BIB, le courant collecteur ICI_CIC, et la
tension collecteur-émetteur VCEV_{CE}VCE.
Étape 2 : Tracez la courbe d’amplification en fonction de la fréquence.
Paramètre Valeur
IBI_BIB
ICI_CIC
VCEV_{CE}VCE
Cette structure permet de couvrir les concepts et de faciliter la prise de mesure, l'analyse et la
compréhension des phénomènes.
TP1 : Théorèmes généraux des réseaux électriques
Objectif :
Appliquer les théorèmes généraux pour analyser les circuits en courant continu.
1. Matériel requis :
Générateur de tension continue
Résistances (1kΩ, 2kΩ, 4kΩ, 10kΩ)
Multimètres numériques
Breadboard et fils de connexion
2. Expériences et Schémas :
Expérience 1 : Théorème de superposition
Schéma de circuit :
Circuit avec deux sources de tension continue V1=5V et V2=10V, trois reˊsistances R1=1kΩ,
R2=2kΩ, et R3=4kΩ.\text{Circuit avec deux sources de tension continue \( V_1 = 5V \) et \(
V_2 = 10V \), trois résistances \( R_1 = 1k\Omega \), \( R_2 = 2k\Omega \), et \( R_3 =
4k\Omega \).}Circuit avec deux sources de tension continue V1=5V et V2
=10V, trois reˊsistances R1=1kΩ, R2=2kΩ, et R3=4kΩ. Eˊtapes :\text{Étapes :}Eˊtapes :
1. Court-circuiter V2V_2V2, puis relever les valeurs de VABV_{AB}VAB et des
courants dans chaque résistance.
2. Court-circuiter V1V_1V1, puis faire de même.
3. Compléter le tableau de mesure en additionnant les contributions de chaque source.
VABV_{AB}VAB IR1I_{R_1}IR1 IR2I_{R_2}IR2 IR3I_{R_3}IR3
Source activée
mesurée (V) (mA) (mA) (mA)
V1V_1V1 seule
V2V_2V2 seule
Total
(superposition)
Expérience 2 : Théorème de Thévenin
Schéma de circuit :
Circuit avec source de tension V=10V, reˊsistances R1=2kΩ et R2=4kΩ.\text{Circuit avec
source de tension \( V = 10V \), résistances \( R_1 = 2k\Omega \) et \( R_2 = 4k\Omega
\).}Circuit avec source de tension V=10V, reˊsistances R1=2kΩ et R2=4kΩ.
Eˊtapes :\text{Étapes :}Eˊtapes :
1. Calculer VThV_{Th}VTh et RThR_{Th}RTh.
2. Comparer avec les valeurs mesurées expérimentalement.
Paramètre Valeur calculée Valeur mesurée
VThV_{Th}VTh
RThR_{Th}RTh
Expérience 3 : Théorème de Norton
Même circuit que pour Thévenin, mais en remplaçant par l’équivalent Norton pour vérifier
INI_NIN et RNR_NRN.
Paramètre Valeur calculée Valeur mesurée
INI_NIN
RNR_NRN
TP2 : Quadripôles électriques
Objectif :
Étudier les caractéristiques des quadripôles : impédance d’entrée, impédance de sortie, gain
en tension et en courant.
1. Matériel requis :
Générateur de signal
Oscilloscope
Résistances (1kΩ, 2kΩ, 10kΩ)
Breadboard et fils de connexion
2. Expériences et Schémas :
Expérience 1 : Détermination de la matrice de transfert
Schéma de circuit :
Montage en seˊrie avec deux reˊsistances R1=1kΩ et R2=2kΩ.\text{Montage en série avec
deux résistances \( R_1 = 1k\Omega \) et \( R_2 = 2k\Omega
\).}Montage en seˊrie avec deux reˊsistances R1=1kΩ et R2=2kΩ. Eˊtapes :\text{Étapes
:}Eˊtapes :
1. Injecter un signal de 1V.
2. Mesurer et remplir le tableau des paramètres d’entrée/sortie.
Paramètre Valeur mesurée
Impédance d’entrée ZinZ_{in}Zin
Paramètre Valeur mesurée
Impédance de sortie ZoutZ_{out}Zout
Expérience 2 : Association de quadripôles
Associer deux quadripôles en cascade et mesurer le gain global en tension.
Gain global en tension Valeur théorique Valeur expérimentale
TP3 : Caractéristiques de la diode à jonction et du transistor bipolaire
Objectif :
Caractériser la diode et le transistor bipolaire et explorer leurs applications dans les circuits de
redressement et d’amplification.
1. Matériel requis :
Générateur de signal et alimentation DC
Diode (1N4007)
Transistor bipolaire NPN (2N2222)
Oscilloscope
Breadboard et fils de connexion
2. Expériences et Schémas :
Expérience 1 : Caractérisation de la diode
Schéma de circuit :
Diode en seˊrie avec reˊsistance R=1kΩ.\text{Diode en série avec résistance \( R = 1k\Omega
\).}Diode en seˊrie avec reˊsistance R=1kΩ. Eˊtapes :\text{Étapes :}Eˊtapes :
1. Faire varier la tension d’entrée.
2. Remplir le tableau pour obtenir la courbe I−VI-VI−V de la diode.
Tension (V) Courant (mA)
Expérience 2 : Circuit de redressement demi-onde et pont
Schéma de circuit :
Montages pour redressement demi-onde et pont redresseur avec quatre diodes.\text{Montages
pour redressement demi-onde et pont redresseur avec quatre
diodes.}Montages pour redressement demi-onde et pont redresseur avec quatre diodes.
Type de redressement Tension de sortie (V) Ondulation (V)
Demi-onde
Pont
Expérience 3 : Caractérisation du transistor
Schéma de circuit :
Montage du transistor en amplificateur commun.\text{Montage du transistor en amplificateur
commun.}Montage du transistor en amplificateur commun.
Paramètre Valeur
IBI_BIB
ICI_CIC
VCEV_{CE}VCE
Cette version du polycopié inclut les circuits prêts pour impression. Je peux également fournir
les diagrammes et illustrations des circuits à insérer directement si nécessaire.