Electronique fondamentale 2 3 ème Année Licence MI
SERIE 02
Exercice 1
Pour le JFET a canal-n de la figure 1.1, V DD = 18 V, V GS off = - 4V, IDSS = 12 mA,
RG=1kΩ, RD=1.5 kΩ, Rs=2.2 kΩ. .
1. Ecrire l’équation de la droite d'attaque du transistor 𝑰𝑫 = f(𝑽GS).
2. Déterminez la valeur du courant drain ID0.
3. Donner les valeurs de VGS0 et VDS0
4. Ecrire l’équation de la droite de charge statique du transistor 𝑰𝑫 = (𝑽𝑫𝑺).
5. Tracer la courbe de caractéristique de transfère, droite d'attaque et de charge
statique du circuit
Exercice 3
Pour le JFET de la figure 2.1, V GS off = - 4V, IDSS = 12 mA et RG = 560Ω.
1. Quel est le type du transistor utilisé dans le montage de la figure1
2. Donner la valeur du courant drain ID0.
3. Déterminer la valeur minimale de pour faire fonctionner
le transistor dans la région de saturation (à courant constant).
4. Quelle est la valeur du courant ID0 drain si VDD> 15V.
Donner la valeur de la tension si VDD=15V.
Exercice 3
Pour le JFET de la figure 3.1, V GS off = - 3V, IDSS = 12 mA et VDD = 560Ω.
1. Quel est le type de la polarisation utilisée ? justifier.
2. Quelle est la valeur de IG et pourquoi?
3. Pour une polarisation médiane, donner les valeurs de :
ID0, VDS0 et VGS0
4. Quelles sont les valeurs des résistances RD et Rs?
Exercice 4
Le schéma ci-dessous représente un montage à transistor 𝐽𝐹𝐸𝑇 et
son réseau de caractéristiques de transfert. On donne VDD=12V.
1. On veut le polariser avec 𝑽G𝑺0 =-0.4V et 𝑽D𝑺0 =3 V. Calculer RD
et Rs sachant que RG = 5MΩ. On utilisera la méthode graphique.
TD 1 (caractéristiques de sortie et caractéristiques de transfert d'un JFET). 1
Electronique fondamentale 2 3 ème Année Licence MI
SERIE 03
Exercice 1
Pour le JFET a canal-n de la figure 2.1, V DD = 16 V, V GS off = - 4V, IDSS = 8 mA,
R1=2.1MΩ, R2=270 KΩ, RD=2.4 kΩ, Rs=1.5 kΩ.
1. Déterminez la valeur de la tension à la grille VG.
2. Ecrire l’équation de la droite d'attaque du transistor 𝑰𝑫 = f(𝑽GS).
3. Déterminez la valeur du courant drain ID0.
4. Donner les valeurs de VGS0 et VDS0
5. Ecrire l’équation de la droite de charge statique du transistor 𝑰𝑫 = (𝑽𝑫𝑺).
Tracer la courbe de caractéristique de transfère, droite d'attaque et de charge statique
du circuit
Exercice 1
On polarise un transistor à effet de champ au moyen de trois résistances R1, R2 et RL (Figure 1.a). Le réseau de
caractéristiques du transistor est donné en (Figure 1.b).
1. Ecrire l’équation de la droite de charge du transistor ID = f(VDS).
2. Tracer la droite de charge passant par le point IDS0 = 4 mA, VDS0 = 0 V. Choisir le point de
fonctionnement au milieu de la zone utilisable. En déduire la valeur de la tension VGS.
3. En déduire la valeur de RL.
4. Déterminer le rapport x = R1 / R2 des résistances de polarisation. Calculer R1 en sachant que R2 = 120 kΩ
Figure : 1.1
Figure : 1.1
TD 1 (caractéristiques de sortie et caractéristiques de transfert d'un JFET). 2