INSTITUT SUPERIEUR DE GENIE ELECTRIQUE DU BURKINA FASO
RAPPORT DE TP 03 D’ELECTRONIQUE ANALOGIUE
MEMBRES DU GROUPE : MAGAGI DADA Nasser
KOUDOUGOU W. Hugues Richard
OUEDRAOGO P. Oumarou
PROF: Mr JOEL Séka
Mr Gado
1ATCFI-A 2016-2017
1
Titre de la manipulation : L’amplificateur à transistor bipolaire
Buts
Le but de la manipulation est de nous permettre de connaitre et d’avoir une certaine maitrise
sur les amplificateurs à transistor bipolaire.
1. Schéma de montage :
2. Etude théorique
Il s’agit d’un montage à émetteur-commun de classe A
Schéma équivalent du montage :
2
L’expression du gain Av :
Vs −h21 Req
Av= =
Ve h11+ ℜ(1+ h21)
Le déphasage ϕ entre le signal d’entré et le signal de sortie:
ℑ ( Av )
tanϕ= or Im(Av)=0
ℜ ( Av )
tanϕ=0
ϕ=0+kπ
Re<0→ϕ=π
3. Etude pratique
Les coordonnées du point de repos en statique:
Grace au voltmètre et à l’ampèremètre, nous avons noté :
Ic=0,676A et VCE=4,657 qui sont les coordonnées du point de repos en régime
statique.
Visualisation
Calibre :
Voie1 :
Vertical: 2V/div
Horizontal: 0,5s/div
Voie2:
Vertical: 0,2V/div
Horizontal: 0,5s/div
Le déphasage ϕ
ΔT
ϕ= ×360
T
1× 0 ,5 360
ϕ= ×360 =
1 2
ϕ=180°=π
La valeur de l’amplification en tension :
Vsmax 1,8 x2
Av= =
Vemax 2, 5 x 0 , 2
Av=7,2
3
Matériels utilisés
Nombres Désignations Référence Rôle
1 GBF Délivre des fréquences.
1 Générateur Langois Source de tension Vcc
1 OSCILLOSCOPE Visualisation de Ve et Vs
1 Ampèremètre Multimètre numérique Mesure du courant Ic
RMS
1 Voltmètre Multimètre numérique Mesure de la tension VCE
RMS
- Fils - Permet la connexion des différents
composants du circuit
Conclusion
Ce travail pratique était particulièrement intéressent, vu que nous eu beaucoup plus de connaissance
sur les amplificateurs à transistor bipolaire. Nous connaissons un peu plus leurs caractéristiques et
leur mode de fonctionnement. En plus nous remarquons que les valeurs que nous avons obtenues en
théorie tendent à égaler les valeurs obtenues en pratique.