Chapitre III

Technologies des composants Semi-conducteurs

 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

III.1. Introduction

Après avoir regroupé les différentes techniques de dépôts dans le chapitre précédent,
une collection des processus de fabrication des composants Semi-conducteurs utilisés dans
l`industrie de la microélectronique, de l'optoélectronique et du magnétisme seront arborés
dans ce troisième chapitre.

III.2. Processus de fabrications des composants électroniques

La maitrise de l'ensemble de ces processus de fabrication avec un savoir-faire acquis

permettant la fabrication de ces dispositifs fonctionnels. Je m`intéressai essentiellement à la
présentation des processus de : L`Oxydation, la Diffusion, l`Implantation ionique,
Lithographie et la Gravure. Toutes ces techniques de procédés technologiques présentent peu
d'intérêt si elles ne se réalisent que pleine plaque. Il faut pouvoir oxyder, doper, métalliser
localement suivant des motifs très bien définis et sur des surfaces de plus en plus faibles afin
de créer et d'interconnecter des dispositifs élémentaires entre eux.

III.3. Oxydation du Silicium

L'oxydation est une étape très importante dans la réalisation des circuits intégrés au
silicium, puisque c'est grâce à cette propriété spécifique le silicium est devenu le matériau le
plus utilisé en microélectronique, en effet, l'oxyde peut servir comme :

Masque d'implantation ou de diffusion de dopants et de couche passivante à la surface

du silicium.

de zones d'isolation entre différents composants d'une structure intégrée et de couche

active dans les transistors « MOS: pour Metal Oxyde Semiconducteur »

Isolation électrique entre les différents niveaux de métallisation ou de couches

conductrices en silicium polycristallin fortement dopé.

Les semi-conducteurs peuvent être oxydés par diverses méthodes :

L’oxydation thermique en présence d'oxygène, dite oxydation sèche, ou l'oxydation

thermique par voie humide en présence de vapeur d'eau,

L'oxydation anodique, obtenue par voie électrochimique.

L'oxydation plasma, réalisée à l'aide d'un plasma d'oxygène.

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Parmi ces méthodes, l'oxydation thermique est de loin la plus importante pour les dispositifs
de base à silicium [45].

III.3.1. Principe de l'oxydation

L'opération d'oxydation consiste donc à oxyder le silicium depuis la surface du

substrat dans un réacteur à oxydation. La configuration de base de l'oxydation thermique est
illustrée sur la [Link].1.

Le réacteur se compose d'un four chauffé par résistance, un tube cylindrique en quartz
fondu contenant les plaquettes de silicium maintenues verticalement dans une nacelle en
quartz fendu, et une source d'oxygène (soit de l'oxygène sec, soit de la vapeur d'eau pure). La
température d'oxydation est généralement dans la plage de 900 à 1200°C et le débit de gaz
typique est d'environ 1 litre/min.

Résistance chauffante Air filtré

Support en
céramique
plaquette de
Silicium
O2, ou
H2O + Fente
porteur de gaz Embout

Tube de four
Porte de plaquette en quartz
en quartz

Echappement

Figure III.1. Coupe transversale d'un four d'oxydation chauffé par résistance [45- 11].

En général, la croissance de l'oxyde avec l'oxygène se développe suivant les deux

réactions chimiques :

Si (s) + O2 → SiO2 (s) (3. 1)

Si (s) + 2H2O → SiO2 (s) + 2H2 (3. 2)

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Pour obtenir un oxyde de qualité électronique (peu de défauts électriquement actifs),

on préfère l'oxydation lente avec l'oxygène pur, tandis que la réaction avec de l'eau donne une
croissance plus rapide mais plus de défauts électriques. Cette méthode sera donc préférée pour
réaliser des oxydes épais (quelques milliers d'Angström) de masquage ou d'isolation.

Par ailleurs, le silicium s'oxyde à température ambiante en présence de l'atmosphère (qui

contient de l'oxygène); mais dès que la couche d'oxyde atteint 2 ou 3 couches atomiques, le
phénomène d'oxydation se bloque.

On dit que la couche est passivante. Pour obtenir une oxydation sur une grande épaisseur, il
faudra activer le phénomène par une augmentation de température.

Exemple III.1 :

1° Si une couche d'oxyde de silicium d'épaisseur x est développée par oxydation thermique,
quelle est l'épaisseur du silicium étant consommé?

La masse moléculaire de Si est de 28,9 g/mol et la densité de Si est de 2,33 g/cm3. Les valeurs
correspondantes pour SiO2 sont 60,08 g/mol et 2,21 g / cm3.

Réponse : Le volume de 1 mole de silicium est

Le volume de 1 mole de dioxyde de silicium est :

Puisque 1 mole de silicium est convertie en 1 mole de dioxyde de silicium :

Épaisseur de silicium = 0,44 (épaisseur de SiO2). Par exemple, pour faire croître une couche
de dioxyde de silicium de 100 nm, une couche de 44 nm de silicium est consommée.

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La couche de silicium initiale réagit avec l'élément oxydant pour former le « SiO2 ».
On va ainsi consommer du silicium.

L'interface Si/SiO2 va donc se retrouver "au- dessous" de la surface initiale. Un calcul

simple montre que la fraction d'épaisseur située "au-dessous" de la surface initiale représente
46% de l'épaisseur totale de l'oxyde; la fraction "au-dessus" représente donc 54%
([Link].2).

Figure III.2. Croissance du dioxyde de silicium par oxydation thermique [45-11].

L'unité de base du dioxyde de silicium thermiquement développé est un atome de

silicium entouré tétraédralement par quatre atomes d'oxygène, comme illustré sur la
[Link].3a).

La distance intermoléculaire silicium-oxygène est de 1,6 Å et la distance intermoléculaire

oxygène-oxygène est de 2,27 Å [45].

Si

Figure III.3. Unité de base du dioxyde de silicium (a). (b) Représentation bidimensionnelle d'un
réseau cristallin de quartz [46-11].

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Ces tétraèdres sont réunis à leurs coins par des ponts d`oxygène de diverses manières
pour former les différentes phases ou structures du dioxyde de silicium (également appelé
silice).

La silice a plusieurs structures cristallines (par exemple, le quartz) et une structure

amorphe. Lorsque le silicium est oxydé thermiquement, la structure du dioxyde de silicium est
amorphe. La silice généralement amorphe a une densité de 2,21 g/cm3 contre 2,65 g/cm3 pour
le quartz.

III.3.2. Cinétique d'oxydation

La cinétique d'oxydation thermique du silicium peut être étudiée à l'aide du modèle

simple illustré sur la figure III.4. Le silicium entre en contact avec les espèces oxydantes
(oxygène ou vapeur d'eau), résultant en une concentration superficielle C0 molécules/cm3
pour ces espèces. La magnitude de C0 est égale à la concentration apparente à l'équilibre de
l'espèce à la température d'oxydation.

La concentration à l'équilibre est généralement proportionnelle à la pression partielle

de l'oxydant au voisinage de la surface de l'oxyde.

À la température 1000°C et à une pression atmosphérique de 1 atm, la concentration

C0 est de 5,2.1016 molécules/cm3 pour l'oxygène sec et de 3.1019 molécules/cm3 pour la
vapeur d'eau.

Oxydan
Oxyde Semi-Conducteur
t

Figure III.4. Modèle de base pour l'oxydation thermique du silicium [45-11].

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L'espèce oxydante diffuse à travers la couche de dioxyde de silicium, entraînant une

concentration Cs à la surface du silicium.

Le flux F1 peut s'écrire :

Où D est le coefficient de diffusion de l'espèce oxydante et x est l'épaisseur de la

couche d'oxyde déjà présente.

À la surface du silicium, l'espèce oxydante réagit chimiquement avec le silicium.

En supposant que la vitesse de réaction est proportionnelle à la concentration de

l'espèce à la surface du silicium,

Le flux F2 est donné par :

Où κ est la constante de vitesse de réaction de surface pour l'oxydation.

À d'équilibre : F1 = F2 = F.

La combinaison des équations. (3. 3) et (3. 4) donne :

La réaction de l'espèce oxydante avec le silicium forme du dioxyde de silicium.

Soit C1 le nombre de molécules de l'espèce oxydante dans une unité de volume de

l'oxyde. Il y a 2,2.1022 molécules/cm3de dioxyde de silicium dans l'oxyde, et si on ajoute une
molécule d'oxygène (O2) à chaque molécule de dioxyde de silicium, alors nous ajoutons deux
molécules d'eau (H2O) à chaque molécule de dioxyde de silicium.

Par conséquent, C1 pour l'oxydation dans l'oxygène sec, est de : 2,2.1022 cm-3, et pour
l'oxydation dans la vapeur d'eau, c`est le double de ce nombre (4,4 1022 cm-3). Ainsi, le taux
de croissance de l'épaisseur de la couche d'oxyde est donnée par :

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On peut résoudre cette équation différentielle à la condition initiale : x (0) = d0, Où

d0 : est l`épaisseur de l'oxyde initial.

L`épaisseur; d0 peut également être considéré comme l'épaisseur de la couche d'oxyde

développée lors d'une étape d'oxydation antérieure.

La résolution de l'équation (3. 6) donne la relation générale pour l'oxydation du silicium:

Où τ, qui représente un décalage de coordonnées temporelles pour prendre en compte

la couche d'oxyde initiale d0.

L'épaisseur d'oxyde après un temps d'oxydation t est donnée par :

Pour les petites valeurs de t, l`équation (3. 9) se réduite à :

Et pour des valeurs plus grandes de t, l`équation (3. 9) se réduite à :

Au cours des premières étapes de la croissance de l'oxyde.

Lorsque la réaction de surface est le facteur limitant la vitesse, l'épaisseur de l'oxyde

varie linéairement avec le temps.

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Lorsque la couche d'oxyde devient plus épaisse, l'oxydant doit diffuser à travers la
couche d'oxyde pour réagir à l'interface silicium-dioxyde de silicium et la réaction devient
limitée en diffusion.

La croissance de l'oxyde devient alors proportionnelle à la racine carrée du temps d'oxydation,

ce qui se traduit par un taux de croissance parabolique.

L'équation (3. 7) est souvent, écrite sous une forme plus compacte:

Où :

A = 2D/κ, B = 2DC0/C1 et B/A = κC0/C1

En utilisant ceci, les équations (3. 10) et (3. 11) peuvent être écrits respectivement comme :

Pour la région linéaire,

Pour la région parabolique,

Pour cette raison, le terme B/A est appelé constante de vitesse linéaire, et B comme
constante de vitesse parabolique.

Comme il est indiqué sur la figure III.5, la variation d'épaisseur d0 en fonction du

temps d'oxydation et de la température est pratiquement linéaire pour les faibles temps
d'oxydation.

La réaction d'oxydation à l'interface tient compte du nombre d'atomes disponibles pour

la réaction chimique. Lorsque les plans sont plus denses, la vitesse d'oxydation est légèrement
supérieure. C'est le cas de l'oxydation d'un substrat orienté (111) comparé à celui orienté
(100).

Par ailleurs, pour des oxydations de faibles épaisseurs, on doit tenir compte de la présence de
l'oxyde natif [46].

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Sèche Humide
d0 (μm)

d0 (μm)
Temps d`oxydation (h) Temps d`oxydation (h)

Figure III.5. Résultats expérimentaux : Epaisseur d'oxyde (SiO2) obtenu par oxydation sèche et
humide à différent température et en fonction du temps de réaction pour deux orientations de
substrat <111> et <100> [46-11].

III.4. Le dopage

Le dopage aux impuretés est l'introduction de quantités contrôlées de dopants

d'impureté dans les matériaux semi-conducteurs. L'utilisation pratique du dopage par
impuretés consiste principalement à modifier les propriétés électriques des semi-conducteurs.

La diffusion et l'implantation ionique sont les deux principales méthodes de dopage

par impuretés. Ceci, peuvent être introduits lors de la phase de fabrication des plaquettes ou
dans les différentes étapes de fabrication du composant.

III.4.1. La diffusion

Le phénomène de diffusion est un phénomène très général dans la nature, qui

correspond à la tendance à l'étalement d'espèces, particules, atomes ou molécules grâce à une
excitation énergétique apportée par la chaleur. Suivant le milieu dans lequel se déplacent ces
espèces, l'étalement sera plus ou moins grand. À la température ambiante le phénomène de
diffusion sera très important dans un milieu gazeux, plus faible dans un milieu liquide et
pratiquement nul dans un milieu solide.

Pour obtenir un phénomène de diffusion dans un solide ou un cristal, il faudra chauffer

le matériau à des températures généralement élevées (voisines de 1200°C pour le Si) [47].

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III.4.1.1. Processus de diffusion

La diffusion des impuretés se fait généralement en plaçant des plaquettes semi-

conductrices dans une température du four à tubes de quartz et faire passer un mélange gazeux
contenant le dopant souhaité.

La température varie généralement entre 800 et 1200 °C pour le silicium et 600 et

1000°C pour l'arséniure de gallium. Le nombre d'atomes dopants qui diffusent dans le semi-
conducteur est lié à la pression partielle de l'impureté dopante dans le mélange gazeux.

Pour la diffusion dans le silicium, le bore est le dopant le plus populaire pour
introduire une impureté de type p , tandis que l'arsenic et le phosphore sont largement
utilisés comme dopants de type n . Ces trois éléments sont très solubles dans le silicium, car
ils ont des solubilités supérieures à 5 1020 cm-3 dans la plage de température de diffusion [47].

Ces dopants peuvent être introduits de plusieurs manières, y compris des sources solides (par
exemple, BN pour le bore, As2O3 pour l'arsenic et P2O5 pour le phosphore), des sources
liquides (BBr3 AsCl3 et POCl3) et des sources gazeuses (B2H6, AsH3 et PH3). Cependant, les
sources liquides sont les plus couramment utilisées.

La figure III.6, représente le schéma typique d'un système de diffusion « four et une
source de liquide d'écoulement de gaz ».

Four électrique

tube en quartz
fente

Four électrique
Source des
impuretés
liquides

Figure III.6. Schéma d'un système typique de diffusion à tube ouvert [47-11].

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Un exemple de réaction chimique pour le phosphore, la diffusion à l'aide d'une source

liquide est :

4POCl3 + 3O2 → 2P2O5 + 6Cl2↑ (3. 15).

Le P2O5 forme un verre sur une plaquette de silicium puis est réduit en phosphore par du
silicium,

2P2O5 + 5Si → 4P + 5SiO2 (3. 16).

Le phosphore est libéré et diffusé dans le silicium, alors que le « Cl2 » est évacué.

III.4.1.2. Mécanisme de diffusion

La diffusion dans un semi-conducteur peut être visualisée comme un mouvement

atomique du diffusant (atomes dopants) dans le réseau cristallin par des lacunes ou des
interstitiels.

La figure. III.7, montre les deux modèles de base de diffusion atomique dans un
solide. À des températures élevées, les atomes du réseau vibrent autour de la position
d'équilibre. Il y a une probabilité finie qu'un atome hôte acquiert suffisamment d'énergie pour
quitter le site du réseau et devenir un atome interstitiel, créant ainsi une lacune. Lorsqu'un
atome d'impureté voisin migre vers le site vacant comme illustré sur la figure. III.7a, le
mécanisme est appelé mécanisme lacunaire. Si un atome interstitiel se déplace d'un endroit à
un autre sans occuper un site de réseau, voire la figure. III. 7b, le mécanisme est la diffusion
interstitielle [48].

Figure III.7. Mécanismes de diffusion atomique pour un réseau bidimensionnel.

(a) Mécanisme lacunaire; (b) Mécanisme interstitiel [48-11].

Un atome plus petit que l'atome hôte se déplace souvent de manière interstitielle.

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Le mécanisme lacunaire, correspondant à l'occupation d'une lacune laissée par un

atome du réseau cristallin qui peut, lui aussi se mouvoir en laissant des lacunes.
Le mécanisme interstitiel, correspondant au déplacement des atomes entre les sites
cristallins. Ce mécanisme sera prépondérant pour les petits atomes.

III.4.1.3. Équations de diffusion

La première loi de Fick traduit la tendance à l'étalement; le flux d'atomes est

proportionnel au gradient de concentration de ces atomes et s'exprime par l`équation (3. 17) :

Dans laquelle D est le coefficient de diffusion qui dépend fortement de la

température.

Notez que la force motrice de base du processus de diffusion est le gradient de

concentration ∂C/∂x.

Le flux est proportionnel au gradient de concentration et les atomes de dopant se

déplaceront (diffuseront) d'une région à haute concentration vers la région à faible
concentration.

La deuxième loi à prendre en compte est l'équation de continuité. Dans un élément de

volume donné, d'épaisseur « ∂x », si le flux entrant est supérieur au flux sortant, la
concentration de l'espèce considérée augmente.

L’équation (3. 18) est aussi utilisée pour les porteurs électrons et trous dans un semi-
conducteur mais dans le cas des atomes il n'y a ni génération, ni recombinaison [47-48].

La combinaison des deux équations précédentes (3. 17) et (3. 18) permet d'aboutir à la
deuxième loi de Fick:

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Pour intégrer cette équation différentielle qui comporte une dérivation par rapport au
temps et une double dérivation par rapport à l'espace, il faut déterminer 3 conditions
particulières (ou conditions aux limites).

La figure III.8, montre les coefficients de diffusion mesurés pour de faibles

concentrations de diverses impuretés dopantes dans le silicium.

Le logarithme du coefficient de diffusion tracé par rapport à l'inverse de la température

absolue donne une ligne droite dans la plupart des cas. Cela implique que sur la plage de
température, les coefficients de diffusions peuvent être exprimés comme :

Où D0 est le coefficient de diffusion en « cm2/s » extrapolé à la température infinie et

Ea est l'énergie d'activation en « eV°».

Figure III.8. Coefficient de diffusion (également appelé diffusivité) en fonction de l'inverse de

température pour le silicium [47-11].

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Dans cette sous-section nous considérons deux cas importants, à savoir la diffusion à
concentration constante en surface « constant-surface-concentration diffusion » et la diffusion
totale constante de dopant « constant-total-dopant diffusion. ».

Dans le premier cas, les atomes d'impuretés sont transportés d'une source de vapeur
sur la surface du semi-conducteur et diffusent dans les plaquettes semi-conductrices.
La source de vapeur maintient un niveau constant de concentration de surface pendant
toute la période de diffusion.

Dans le second cas, une quantité fixe de dopant est déposée sur la surface semi-
conductrice et est ensuite diffusée dans les plaquettes.

III.[Link]. diffusion à concentration constante en surface

Dans le cas des sources gazeuses, la concentration en surface dans le milieu ambiant
est constante ce qui signifie qu'en phase solide, en surface la concentration, Cs est aussi
constante.

La condition limite s'écrira donc :

C (0, t) = Cs (quel que soit le temps en x = 0 ).

La deuxième condition est une condition initiale, qui suppose que la concentration de
l'espèce à diffuser est initialement nulle (ou négligeable) dans le substrat. Cette
condition s'écrit donc :
C (x, 0) = 0 (quel que soit x à t = 0 ).

La dernière condition, postule qu'à une distance infinie, la concentration est nulle quel
que soit le temps. Cela se conçoit bien si l'on se rappelle que pour que la diffusion se
produise, il faut un gradient non nul de concentration :

C (∞, t) = 0 (quel que soit le temps t ).

À partir de ces conditions aux limites, la résolution de l'équation différentielle (2ème loi de
Fick) donne :

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

Où :

erfc est la fonction complémentaire d'erreur et Dt1/2 est la profondeur de diffusion.

Une représentation graphique de ce profil de diffusion est illustrée sur la figure III.9.
Les courbes sont généralement tracées en échelle logarithmique afin de bien apprécier
le domaine de variation de concentration. Celle-là est normalisée en fonction de la profondeur
pour trois valeurs de la longueur de diffusion Dt correspondant à trois temps de diffusion
consécutifs et un D fixe pour une température de diffusion donnée.
Notez qu'au fur et à mesure que le temps avance, le dopant pénètre plus profondément
dans le semi-conducteur.

Profondeur de diffusion x (μm)

Profondeur de diffusion x (μm)

Figure III.9. Fonction d'erreur complémentaire normalisée en fonction de la distance

pour des temps de diffusion successifs : Profils de diffusion échelle linéaire (à gauche) échelle
semi-logarithmique (à droite) [47-11].

Le nombre total d'atomes de dopant par unité de surface du semi-conducteur est donné
par l`équation (3. 22):

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

On substituant l`équation. (3. 21) dans l'équation. (3. 22), on trouve :

Cette expression peut être interprétée comme suit. La quantité Q(t) représente l'aire
sous l'un des profils de diffusion du graphique linéaire de la figure III.9.

III.[Link]. diffusion à concentration totale de dopant constante

Dans ce cas, une quantité fixe (ou constante) de dopant est déposée sur la surface du
semi-conducteur en couche mince et le dopant se diffuse ensuite dans le semi-conducteur.
C'est aussi le cas lorsque le dopant a été introduit en surface par implantation ionique. La
quantité totale (ou dose) est constante.

La condition initiale est la même (en cas précédent) :

C (x, 0) = 0. (S : dose totale constante)

Et les conditions aux limites sont :

Où « S » est la quantité totale de dopant par unité de surface.

Et C (∞, t) = 0

L'intégration de l'équation différentielle donne :

La forme du profil obtenu est gaussienne comme représentée sur la figure III.10.

Pour une distribution gaussienne où nous traçons la concentration normalisée C/S en

fonction de la distance pour trois longueurs (profondeurs) de diffusion croissantes.

Comme la dose totale est constante, lorsqu'il y a un étalement, la concentration maximale

diminue. C'est bien le cas, puisque la concentration en surface est donnée par équation (3. 25).

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

Avec x = 0:

Evolution du profil de dopage en fonction du temps pour une diffusion à partir d'une
dose en surface. Les profils sont gaussiens. L'intégrale sous la courbe (en échelle linéaire) est
constante.

Profondeur de diffusion x (μm)

Profondeur de diffusion x (μm)

Figure III.10. Fonction gaussienne normalisée en fonction de la distance [47.11].

III.4.2. L'implantation ionique

Cette opération consiste à introduire des atomes ionisés projectiles avec suffisamment
d'énergie pour pénétrer dans l'échantillon cible (en général une plaquette). Cette pénétration
ne s'effectue que dans des régions de surface.

Cette opération est essentiellement utilisée pour doper le semi-conducteur durant la

fabrication des dispositifs (création de zones de source ou de drain d'un transistor MOS, d'une
base et d'un émetteur dans un transistor bipolaire, etc.). Les atomes dopants sont en général :
B, P, As, In, etc. Les énergies des atomes ionisés peuvent être dans la gamme 300 eV à 5
MeV, en fonction de la nature du matériau implanté, de l'énergie d'accélération, de la nature

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

de l'ion accéléré.

La profondeur moyenne de pénétration peut aller de 100Å à 1 µm.

III.4.2.1. L'implanteur ionique

L'implanteur est en pratique un accélérateur d'ions. Il est composé des parties

suivantes visibles sur la figure III.11.

Génération des ions à partir d'une source solide, liquide ou gazeuse dans un plasma
excité à 40kV, sélection des ions par champ magnétique effectuant le tri par le rapport masse
sur charge, accélération des ions à l'énergie d'implantation souhaitée, mise en forme du
faisceau d'ions par des lentilles électrostatiques, déviation du faisceau pour éliminer les ions
neutralisés sur le parcours et qui ne pourraient être dénombrés, dispositif de balayage en x et
y, afin d'implanter de façon uniforme les plaquettes.

Lentilles Système de déviation du faisceau pour

Dispositif de électrostatique éliminer les ions neutralisés
résolution s

Tube
accélératio
n Chambre
Dispositif de balayage d'implantation
Source
d`ions en x et y
Masse

Figure III.11. Schéma simplifié d'un implanteur ionique [48-11].

III.4.2.2. Intérêt de cette technique

Elle permet un contrôle précis de la quantité totale d'atomes implantés (dose

d'implantation) et du profil de concentration du dopant. Cette précision permet en particulier
l'ajustement de la valeur du gain en courant d'un transistor bipolaire ou l'ajustement de la

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

tension de seuil d'un transistor MOS (choix de la nature d'un transistor - à enrichissement ou à
appauvrissement). Notons que ce procédé s'effectue sous vide et donc en atmosphère sèche.

III.4.2.3. Inconvénients

Le bombardement d'un monocristal par des atomes crée des dommages dans la
structure cristalline implantée. Il y a donc nécessité de restituer la cristallinité du matériau,
ceci est réalisé par un recuit thermique. Ce recuit thermique permet aussi une redistribution
des atomes dopants et donc une modification du profil de dopage par phénomène de diffusion.
Notons que ce recuit peut aussi permettre l'activation du dopant implanté (passage en site
substitutionnel). Cristal avant implantation et cristal après implantation.

III.4.2.4. Distribution d'ions

La distance totale parcourue par un ion pour s'immobiliser est appelée sa plage R
comme est illustrée sur la figure III. 12a. La projection de cette distance le long de l'axe
d'incidence est appelée distance projetée RP. Parce que le nombre des collisions par unité de
distance et l'énergie perdue par collision sont des variables aléatoires, il y aura une
distribution d'ions ayant la même masse et la même énergie initiale.

La fluctuation statistique de la projection est appelés déplacement projeté « σp -projected

straggle». Il y a aussi une fluctuation statistique le long d'un axe perpendiculaire à l'axe
d'incidence, appelée déplacement latéral « σ⊥ --lateral straggle».

Où :

S est la dose d'ions par unité de surface.

Il faut noter que cette équation est similaire à l`équation (3. 25) pour diffusion à
dopant total constant, sauf que la quantité 4Dt est remplacée par 2σp2, et la distribution est

décalée le long de l'axe des « x » par Rp [49].

La figure III. 12b montre la distribution des ions. Le long de l'axe d'incidence, le profil
d'impureté implantée peut être approché par une fonction de distribution gaussienne:

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

(Concentration d`ion)

Vide Semi-conducteur

faisceau
Ionique

faisceau
Ionique

Figure III.12. (a) Schéma de la plage ionique R et de la plage projetée σp. (b) Distribution
bidimensionnelle des ions implantés [48-49, 11].

Les ions incidents vont perdre leur énergie par chocs successifs avec les atomes du
réseau cristallin, ceci explique d'une part la dispersion des trajectoires et d'autre part, que l'on
définisse statistiquement une profondeur moyenne de pénétration. La statistique qui convient
assez bien est gaussienne. Ainsi, pour la diffusion, la concentration maximale est à x = 0,
tandis que pour l'implantation ionique, la concentration maximale est dans la gamme projetée
Rp. Le long de l'axe perpendiculaire à l'axe d'incidence, la distribution est également une
fonction gaussienne de la forme expo (- y2/2σ⊥2). En raison de cette distribution, il y aura une
certaine implantation latérale. Cependant, la pénétration latérale à partir du bord du masque
(de l'ordre de σ⊥ ) est considérablement plus petite que celle du processus de diffusion
thermique [49].

III.5. Photolithogravure

La lithographie est le processus de transfert de motifs de formes géométriques sur un

masque de fine couche de matériau sensible au rayonnement « appelé résine » recouvrant la
surface d'une plaquette de semi-conducteur. Ces motifs définissent les différentes types de
régions dans un circuit intégré telles que : les régions d'implantation, les fenêtres de contact et
les zones de connexions.

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

À noter, tous les processus lithographiques doivent être effectués dans un

environnement ultra-propre en salle blanche.

III.5.1. Équipement d'exposition

Le processus de transfert de motif est réalisé en utilisant un équipement d'exposition

lithographique. Les performances de l'équipement d'exposition sont déterminées par trois
paramètres: la résolution, l'enregistrement et le débit.

Résolution : est la dimension de caractéristique minimale qui peut être transférée sur la
plaquette semi-conductrice.

L'enregistrement : est la précision avec laquelle des motifs sur des masques successifs
peuvent être alignés (ou superposés) sur des motifs préalablement définis sur la
plaquette.

Débit : est le nombre de plaquettes pouvant être exposées par heure pour un niveau de
masque donné.

Il existe essentiellement deux méthodes d'exposition optique: l'impression en contact

(ou d'ombre) et l'impression par projection.

Contacte Proximité

Source de lumière (Hg

Lampe à arc)

Lentille

Masque
photosensible
Substrat

Figure III.13. Schéma des techniques d'impression par ombre optique: (a) impression par
contact, (b) impression par proximité [49-11].

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

La figure. III. 13a, montre une configuration de base pour l'impression par contact où
une plaquette recouverte de la résine est mise en contact physique avec un masque, et la résine
photosensible est exposée à un faisceau de lumière ultraviolet à travers l'arrière du masque
pendant un temps fixe. Le contact intime entre la résine et le masque fournit une résolution de
l’ordre de 1μm.

De même, la figure. III. 13b, montre la configuration de base de l`impression par

projection. Elle est similaire à la méthode d'impression par contact, sauf qu'il existe un petit
espace 10 à 50 μm entre la plaquette et le masque pendant l'exposition.

III.5.2. Masques

Classiquement, le masque est constitué d'un substrat de silice fondue recouvert d'une
couche de chrome. Le motif du circuit est d'abord transféré à la couche sensible aux électrons,
qui est à nouveau transféré dans la couche de chrome sous-jacente pour le masque final. En
général, 15 à 20 niveaux de masque différents sont nécessaires pour un cycle de processus
complet de circuit intégré CI [50].

La taille standard du masque est une plaque de silice fondue d’une surface de 15 cm2 et
0,6 cm d'épaisseur. Cette taille est nécessaire pour s'adapter aux tailles de champ de lentille
pour un équipement d'exposition optique, tandis que l'épaisseur est nécessaire pour minimiser
les erreurs de placement du motif due à la distorsion du substrat. Le choix de la plaque de
silice fondue est basé sur:

Son faible coefficient de dilatation thermique,

Sa transmission élevée à des longueurs d'onde plus courtes et à sa résistance

mécanique.

III.5.3. Résine photosensible

Le photosensible « photoresist » est un composé sensible aux radiations. Les résines

photosensibles sont classées comme positifs et négatifs, selon la façon dont ils réagissent au
rayonnement.

Pour la résine positive, les régions exposées deviennent plus solubles et donc plus
facilement à éliminées dans le processus de développement. Les motifs formés
(également appelés images) sont les mêmes que ceux du masque.

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

Pour la résine négative, les régions exposées deviennent moins solubles et les motifs
formés sont l'inverse des motifs de masque.

III.5.4. Transfert de modèle « motif »

III.5.4.1. Motifs d'un masque

La figure. III.14, illustre les étapes de transfert de motifs de circuits intégrés d'un
masque à une plaquette de Si qui a une couche isolante de SiO2 sur sa surface. La plaquette
est placée dans une salle blanche qui est généralement éclairée par une lumière jaune, car les
photosensibles ne sont pas sensibles aux longueurs d'onde supérieures à 0,5 µm.

Pour assurer une adhérence satisfaisante de la résine, la surface doit être changée d'hydrophile
en hydrophobe. Ce changement peut être effectué par l'application d'un additif d'adhérence,
qui peut fournir une surface chimiquement compatible pour la résine. L`additif d'adhérence le
plus couramment utilisé pour les circuits intégrés « CI » de silicium est l'hexa-méthylènedi-
siloxane (HMDS).

Après l'application de cette couche d'adhérence, la résine est déposée sur la surface de la
plaquette installée sur un support rotatif.

La vitesse de rotation constante est maintenue pendant environ 30 secondes. La vitesse

de rotation est généralement dans la plage de 1000 à 10000 tr/min (2000 à 5000 tr/min est
courant) pour couvrir un film uniforme d'environ 0,5 à 1 μm d'épaisseur, comme le montre la
figure III.14a.

Après cette étape de dépôt, la plaquette subit un traitement thermique doux

(typiquement à 90°-120°C pendant 60-120 secondes) pour éliminer le solvant du film
photosensible et augmenter l'adhérence de la résine à la plaquette (figure. III.14b).

Si une résine photosensible positive est utilisée, la résine exposée est dissoute dans le
révélateur, comme indiqué sur le côté gauche de figure. III.14c. Le développement de
photosensible est généralement effectué en inondant la plaquette dans la solution de
développement. La plaquette est ensuite rincée et séchée.

Après le développement, un traitement thermique à (~ 100° -180°C) peut être nécessaire pour
augmenter l'adhérence de la résine au substrat. Ensuite, la plaquette est placée dans une
ambiance qui attaque « par le processus de gravure » la couche d'isolation exposée mais

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

n'attaque pas la résine, comme le montre la figure III.14d. Enfin, la résine est décapée (par
exemple, en utilisant un solvant ou une oxydation au plasma), laissant derrière elle une image
du motif isolant de SiO2 qui est la même que l'image opaque sur le masque (côté gauche de
la figure III.14e).

Photosensible
SiO2

Substrat de Si

Masque
photographique

Résine positive Résine négative

Figure III.14. Détails du processus de transfert de motif lithographique optique :

(a) Application de résine. (b) Résister à l'exposition à travers le masque. (c) Développement de
résine. (d) Gravure de SiO2. (e) Enlèvement du résine [50-11].

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

Pour la résine négative, les procédures décrites sont également applicables, sauf que
les zones non exposées sont supprimées. L'image finale motif isolant de SiO2 (côté droit de
la figure III.14e) est l'inverse de l'image opaque sur le masque [50-51].

III.5.4.2. Technique de décollage

Un autre processus semblable de transfert de motif est la technique de décollage

«liftoff-technique », représentée sur la figure III.15. Une résine positive est utilisée pour
former le motif sur le substrat (figures III.15a et 15b). Le film (par exemple, aluminium) est
déposé à la fois sur la résine et le substrat (figure III.15c); l'épaisseur du film doit être
inférieure à celle de la résine [52].

Masque Résine

Résine

Substrat Substrat

Dépôt

Substrat Substrat

Figure III.15. Processus de décollage pour le transfert de motif. (a) Résistez à l'exposition à
travers le masque. (b) Résister. (c) Dépôt de film. (d) Décollage [52-11].

Ces parties (ou portions) du film sur la résine sont éliminées en dissolvant
sélectivement la couche de la résine avec un agent de gravure liquide approprié de sorte que le
film sus-jacent soit soulevé et retiré (figure III.15d).

III.6. Gravure

Le deuxième principal procédé de transfert de motifs est la gravure, c`est la technique

qui couramment utilisée avant l'oxydation thermique ou la croissance épitaxiale, les plaquettes

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

semi-conductrices doit être nettoyées pour éliminer la contamination qui résulte de la

manipulation et du stockage [53]. Deux techniques sont couramment utilisées:

La gravure par voie humide,

La gravure sèche.

Ces deux types de gravure interviennent de nombreuses fois au cours des procédés modernes.
Elles permettent de graver de façon sélective, des couches ou des films afin de créer des
motifs (zone actives de dispositifs, grille de transistors, pistes d'interconnexion, etc.).

III.6.1. Gravure par voie humide

Les mécanismes de gravure chimique par voie humide comportent trois étapes
essentielles: Les réactifs sont transportés par diffusion vers la surface de réaction, des
réactions chimiques se produisent à la surface et les produits de la surface sont éliminés par
diffusion. La plupart des gravures par voie humide se déroulent en immergeant les plaquettes
dans une solution chimique ou par pulvérisation en utilisant la technique « Spray » [53-54].

L'agitation et la température de la solution de gravure influenceront la vitesse de

gravure, qui est la quantité de film enlevée par unité de temps.

L'uniformité de taux de gravure est donnée par l`équation (3. 28):

III.6.1.2. Gravure de silicium

Pour le silicium Si, les décapants les plus couramment utilisés sont des mélanges
d'acide nitrique HNO3 et d'acide fluorhydrique HF dans l'eau ou l'acide acétique CH3COOH.
L'acide nitrique oxyde le silicium pour former une couche de SiO2 suivant la réaction
d'oxydation (3. 29):

Si + 4HNO3 → SiO2 + 2H2O + 4NO2 (3. 29)

Tandis que, l'acide fluorhydrique « HF » est utilisé pour dissoudre la couche de SiO2, comme
est indiqué dans la réaction (3. 30):

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O. (3. 30)

III.6.1.3. Gravure de dioxyde de silicium

La gravure humide du dioxyde de silicium SiO2 est couramment réalisée dans une
solution diluée de HF avec ou sans addition de fluorure d'ammonium NH4F. L'ajout de
NH4F est appelé solution HF tamponnée « Buffered HF -BHF », également appelée gravure
à l'oxyde tamponné « Buffered-Oxide-Etch -BOE » [55].

L'ajout de NH4F à HF contrôle la valeur du pH et reconstitue les ions fluorure appauvris,

maintenant ainsi des performances de gravure stables. La réaction globale pour la gravure de
SiO2 est la même que celle de la réaction (3. 30).

Tableau III.1. Regroupe quelques exemples des solutions utilisées en fonction de la nature des
couches à graver [11].

Matériau à gravé solution de gravure

Tranchée profonde en Si HBr/NF3/O2/SF6
Si peu profond HBr/Cl2/O2
Si -Poly HBr/Cl2/O2, HBr/O2, BCl3/Cl2, SF6
Si- mono Hydrazine N2H4 (65%) + H2O (35%)
Al BCl3/Cl2, SiCl4/Cl2, HBr/Cl2
AlSiCu BCl3 /Cl2/N2
SiO2 CF4/CHF3/Ar, C2F6, C3F8, C4F8/CO,C5F8, CH2F
Si3N4 CHF3/O2 , CH2F2 , CH2CHF2 , SF6/He

III.6.1.4. Avantages et inconvénients

En général, par voie humide, la couche est attaquée de façon équivalente suivant toutes
les directions de l'espace. On dit que la gravure est isotropique. Dans de très nombreuses
filières technologiques, la gravure humide est utilisée majoritairement car elle est relativement
simple à mettre en œuvre et que dans des grands bacs, un lot complet pouvant contenir jusqu'à
200 plaquettes peut être traité en une seule opération.

La gravure humide présente également des inconvénients, à savoir :

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

La gravure est isotropique (toutes les directions de l'espace) ce qui crée des attaques
latérales notamment dans les zones protégées par la résine,
La vitesse de gravure dépend de la concentration et du type d'impureté que contient le
film à graver. Cette vitesse de gravure dépend de la quantité des substrats traités,
L'efficacité d'attaque diminuant après plusieurs lots. Le point de fin de gravure est
difficilement contrôlé. Cela peut entraîner une sur gravure latérale ou verticale.

III.6.2. Gravure sèche

La gravure sèche est synonyme de gravure assistée par plasma, qui désigne plusieurs
techniques utilisant du plasma sous forme de décharges à basse pression. Les méthodes de
gravure sèche comprennent la gravure au plasma, la gravure ionique réactive « reactive ion
etching –RIE », la gravure par pulvérisation cathodique, la gravure RIE magnétiquement
améliorée « sputter etching, magnetically enhanced RIE –MERIE », la gravure par faisceau
d'ions réactifs et la gravure au plasma haute densité « high-density plasma –HDP ». La plupart
des procédés de gravure au plasma reposent principalement sur la gravure ionique réactive
pour l'élimination de matière.

III.6.3. Comparaison de transfert de motif

Dans les opérations de transfert de motif, un motif de résine est défini par un processus
lithographique pour servir de masque pour la gravure de sa couche sous-jacente ([Link].16a).
La plupart des matériaux de couche (par exemple, SiO2, Si3N4 et métaux déposés) sont des
films minces amorphes ou polycristallins [54-55].

S'ils sont gravés dans un agent de gravure humide, la vitesse de gravure est
généralement isotrope (c'est-à-dire que les vitesses de gravure latérale et verticale sont les
mêmes), comme illustré sur la figureIII.16b. Si hf est l'épaisseur du matériau de la couche et
l, la distance latérale gravée sous le masque de la résine, on peut définir le degré
d'anisotropie Af par la relation (3. 31) :

Où :

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 Chapitre III : Technologies des composants-Semi-conducteurs

t est le temps et Rl et Rυ sont les vitesses de gravure latérale et verticale,

respectivement. Pour la gravure isotrope, Rl = Rυ et Af = 0 [53].

Résine
(masque)

Couche
isolante
Semi-conducteur

Figure III.16. (a) formation de motifs à résine. Comparaison de (b) gravure chimique humide et
(c) gravure sèche pour le transfert de motif. [55-11].

L'inconvénient majeur de la gravure par voie humide pour le transfert de motif est le
dégagement de la couche sous le masque, entraînant une perte de résolution dans le motif
gravé. En pratique, pour la gravure isotrope, l'épaisseur du film doit être d'environ un tiers ou
moins de la résolution requise.

Si des motifs sont nécessaires avec des résolutions beaucoup plus petites que
l'épaisseur du film, une gravure anisotrope (c'est-à-dire 1 ≥ Af > 0) doit être utilisée. En
pratique, la valeur de Af est choisie proche de l'unité. La figure 16c montre le cas limite où
Af = 1, correspondant à l = 0 (ou Rl = 0) [54-55].

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