ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE ET DE
MANAGEMENT (ESTM)
Licence 2 Télécoms Réseaux
Les semi-conducteurs
Dr. Mansour KHOUMA
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01/11/2022 M. Mansour KHOUMA 1
Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
I. Généralités
• La plupart des composants électroniques sont fabriqués à base de matériaux semi-
conducteurs (diodes, transistor etc.). Pour comprendre ce qui confère à un matériau
sa propriété de conducteur, semi-conducteur ou isolant, il faut comprendre la
structure quantique de l’atome car tout matériau est constitué d’atomes.
• En effet, ces atomes contribuent aux propriétés électriques d’un matériau surtout par
son habileté à conduire le courant électrique. Cette dernière fait appel à
l’électrostatique à la charge élémentaire électrique noté e. Sa valeur est de
𝟏, 𝟔 𝟏𝟎−𝟏𝟗 𝑪.
molécules atomes
a. cellule b. molécule c. atome
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
I. Généralités
• Un atome est la plus petite particule élémentaire possédant les caractéristiques
uniques de l’élément; chaque élément présente une structure atomique unique. Selon
la théorie classique de Bohr, les atomes possèdent une organisation de type
planétaire avec un noyau au centre et des électrons en orbite autour de lui.
• Le noyau est constitué de particules chargées positivement, qu’on appelle protons
et de particules non chargées appelées neutrons.
• Les particules élémentaires gravitant tout autour portant la charge négative sont
appelées électrons. Orbitales
• Les électrons se situent à des atomiques
distances du noyau qui
correspondent à des niveaux
d’énergie bien déterminés.
• Le niveau d’énergie augmente
au fur et à mesure qu’on
s’éloigne du noyau de l’atome.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
I. Généralités
1. Les conducteurs
• Un conducteur est un matériau qui conduit aisément le courant électrique. En
d’autre terme, c’est un matériau ayant une faible résistance, donc une faible
résistivité (propriété a avoir des électrons libres dans sa bande de valence).
• Les meilleurs conducteurs sont des matériaux constitués d’un seul élément
caractérisé par des atomes ayant un seul électron de valence faiblement lié à l’atome
comme le cuivre, l’argent, l’or et l’aluminium etc.
• Un matériau conducteur possède beaucoup d’électrons libres qui, lorsqu’ils se
déplacent tous dans la même direction, engendrent le courant.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
I. Généralités
2. Les isolants
• Un isolant est un matériau qui ne conduit pas le courant électrique sous des
conditions normales. Il présente une très grande résistance, donc une grande
résistivité.
• La plupart des bons isolants sont des matériaux composés de plusieurs éléments,
contrairement aux conducteurs.
Exemples : le bois, le papier, le verre, le tissu, l’air etc.
• Les électrons de valence sont solidement rattachés aux atomes, laissant très peu
d’électrons libres de se déplacer dans un isolant.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
I. Généralités
3. Les semi-conducteurs
• Par son habilité à conduire le courant, un semi-conducteur est un matériau se
situant entre le conducteur et l’isolant. Un semi-conducteur à l’état pur (intrinsèque)
n’est pas un bon conducteur ni un bon isolant.
• Les semi-conducteurs présentent une résistance plus grande que celle des
conducteurs et plus faible que celle des isolants.
• Les éléments uniques les plus utilisés pour les semi-
conducteurs sont le silicium, le germanium et le
carbone. Des éléments composés tels l’arséniure de
gallium sont aussi couramment utilisés pour les semi-
conducteurs.
• Les semi-conducteurs à élément unique se
caractérisent par des atomes à quatre électrons de
valence.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
I. Généralités
4. Analogie avec les niveaux d’énergies
• Rappelons-nous que la couche de valence ou bande de valence d’un atome
représente une bande d’un certain niveau énergétique et que les électrons de valence
sont confinés à cette bande. Lorsqu’un électron acquiert assez d’énergie
additionnelle d’une source externe, il peut quitter la couche de valence, devenir un
électron libre et exister dans ce que l’on désigne comme étant la bande de
conduction.
• En terme d’énergie, la différence entre la bande de valence et la bande de
conduction est appelée un écart énergétique. Il s’agit en fait de la quantité
d’énergie que doit avoir un électron pour sauter de la bande de valence vers la bande
de conduction. Une fois dans la bande de conduction, l’électron est libre de se
déplacer à travers le matériau et n’est plus lié à aucun atome particulier.
• La figure suivante montre les diagrammes d’énergie pour un isolant, un semi-
conducteur et un conducteur.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
I. Généralités
4. Analogie avec les niveaux d’énergies
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
II. Semi-conducteurs
1. Techniques de Dopage
Dans le monde industriel, le Silicium (Si, 14) est le semi-conducteur le plus utilisé du
fait de son abondance dans la nature, de sa facilité de traitement, de son faible coût et de
ses caractéristiques. Le Silicium appartient à la colonne IV du tableau de classification
périodique et contient 4 électrons dans sa couche de valence comme le Germanium
(Ge, 32).
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
II. Semi-conducteurs
1. Techniques de Dopage
• Compte tenu du caractéristique de conductibilité recherché en électronique, le
Silicium n’est pas utilisé seul (semi conducteur intrinsèque) mais avec d’autres. On
parle de dopage.
• Doper un matériau, c’est lui rajouter des impuretés dans sa structure cristalline. Ces
impuretés utilisées sont souvent des valence électronique de 5 ou de 3; c’est-à-dire
qu’elles ont sur leur dernière couche de valence 5 ou 3 électrons. Il en résulte qu’un
semi-conducteur dopé a soit un excès d’électrons (type N) ou un manque
d’électrons (type P) dans sa structure cristalline.
• Le dopage a pour but alors d’introduire des charges libres pouvant se déplacer sous
l’effet d’une tension.
• Les matériaux utilisés pour faire le dopage s’appellent dopants. On peut les classer
en dopants donneur (type N) et donnant accepteur (type P).
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
II. Semi-conducteurs
1. Techniques de Dopage
Cette figure montre la structure cristalline du
Germanium (Ge) par exemple. Chaque atome de
Germanium possède 4 electrons de valence. Ces
derniers forment séparément avec les autres electrons
de valence des autres atomes de la molécule des
doublets. Ce qui lui confère son caractère stable
comme pour tout semi-conducteur.
Dopage de type N
Le principe consiste a associer un semi-conducteur
ayant 4 electrons de valence a un atome ayant 5
electrons de valence. C’est l’exemple du Silicium
(Si) et du Phosphore (P). Quand leurs electrons de
valence entrent en contact et partagent des pairs, un
électron dopant est orphelin et est libre et capable de
conduire le courant
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
II. Semi-conducteurs
1. Techniques de Dopage
Dopage de type P
Le principe consiste a associer un semi-conducteur ayant 4
electrons de valence a un atome ayant 3 electrons de valence.
C’est l’exemple du Silicium (Si) et du Bore (B). Quand leurs
electrons de valence entrent en contact et partagent des pairs,
il va exister un trou capable de contenir un électron pour se
stabiliser. Ce trou n’est rien d’autre qu’une charge positif
apportée capable de se déplacer et de conduire donc le
courant.
Généralités sur les dopages
Dans un dopage de type N, les charges majoritaires sont electrons. Alors que dans un dopage
de type P, les trous faisant allusions a des charges positives sont les charges majoritaires.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
II. Semi-conducteurs
2. Jonction PN
La jonction PN est l’opération de mise en contact de matériaux dopés différemment.
Lorsque le matériau dopé P est mis en contact avec le matériau dopé N, les charges
excédentaires (électrons pour le type N et trous pour le type P) migrent de part et
d’autres des 2 matériaux. Il se crée alors entre les deux matériaux une zone appelée
zone de déplétion ou zone de charge d’espace. A l’équilibre apparait une différence de
potentiel appelé potentiel de jonction (0,6 pour le Si).
Une jonction PN est alors une
région de faible épaisseur (de
l’ordre de 2µm) dans laquelle
la conductivité passe
progressivement du type P au
type N.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
II. Semi-conducteurs
2. Jonction PN
Polarisation de la jonction PN
Polariser une jonction PN revient à lui associer un générateur de tension. Il existe deux
types de polarisation :
La polarisation directe : elle consiste à associer la borne (+) du générateur de
tension à la partie dopé P du matériau et la borne (–) du générateur reliée à la partie
dopé N. Dans ce cas, la jonction permet le passage du courant.
La polarisation inverse : elle correspond au cas où la borne (+) du générateur de
tension est reliée à la partie dopé N du matériau et la borne (–) du générateur à la
partie dopé P. Dans ce cas, la jonction permet guère le passage du courant.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
II. Semi-conducteurs
2. Jonction PN
Polarisation de la jonction PN
Polarisation directe Polarisation inverse
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
• Une diode est une jonction PN accessible par deux bornes A et K. Les 2 bornes sont
repérées anode « A » et cathode « K ».
• La diode est le composant semi-conducteur de base. La diode est un dipôle non-
linéaire et polarisé (ou non-symétrique).
• Son fonctionnement est assimilable à celui d’un interrupteur qui ne laisse passer le
courant que dans un seul sens. C’est un élément ayant la propriété d’être conducteur
pour un certain sens du courant et non conducteur pour l’autre sens.
• Si une diode a une polarisation directe, on dit qu’elle est passante et favorise le
passage du courant.
• Si au contraire elle est polarisée en sens inverse, on dit qu’elle est bloquée et ne
favorise guère le passage du courant.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
1. La diode à jonction
L’image ci-dessous relate le symbole de la diode avec l’anode (+) et la cathode (-).
Caractéristique de la diode a jonction
• En polarisation directe, une diode est caractérisée par sa tension seuil noté Vs. C’est
la tension minimale qu’il faut appliquer aux bornes d’une diode pour qu’elle soit
passante.
• En polarisation inverse, on a un courant de fuite et une tension dite de claquage pour
laquelle la diode se détériore.
• La diode est toujours insérée dans un circuit extérieur charger de fixer les valeurs de
l’intensité du courant (𝐼𝐷 ) et de la tension (𝑈𝐷 ) a ses bornes. Ce circuit est appelé
circuit de polarisation.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
1. La diode à jonction
Caractéristique de la diode à jonction
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
1. La diode à jonction
Caractéristique de la diode à jonction
Le schéma du fonctionnement caractéristique de la diode est le suivant.
Si la tension inverse (-𝑼𝑫 ) aux
bornes de la diode devient trop
importante, il y a un risque de
destruction de la diode par
échauffement de la jonction PN. Les
constructeurs précisent la tension de
claquage inverse; elle correspond à
la tension maximale que peut
supporter une diode en polarisation
inverse et est généralement appelée
Breakdown Voltage (𝑽𝑩𝑹 ).
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
1. La diode à jonction
Caractéristique de la diode à jonction
• La droite de charge statique de la diode correspond à l’équation qui donne
l’intensité 𝑰𝑫 en fonction de la tension 𝑼𝑫 .
𝑰𝑫 = 𝑓(𝑼𝑫 )
• Le point de fonctionnement d’une diode représente l’intersection entre la droite de
charge statique et la courbe d’évolution du courant 𝑰𝑫 . Il a pour coordonnées
(𝑰𝑫𝟎 , 𝑼𝑫𝟎 ) (diode réelle).
𝑬 −𝑼𝑫
• La droite de charge est alors donnée par la relation suivante 𝑰𝑫 =
𝑹
𝑬
𝑰𝑫
𝑹 Courbe d’évolution 𝑰𝑫 𝑬
• Si 𝑼𝑫 = 𝟎, alors 𝑰𝑫 =
𝑹
𝑰𝑫𝟎 Point de fonctionnement
• Si 𝑰𝑫 = 𝟎, alors 𝑼𝑫 = 𝑬
Droite de charge statique
𝑼𝑫
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
1. La diode à jonction
Caractéristique de la diode a jonction
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
1. La diode à jonction
Exercice d’application 1
1. Cas 1 : Dire l’état de la diode (si elle est passante ou bloquée) pour E = 10.3V,
I = 10mA et R = 1KΩ.
2. Cas 2 : Calculer la tension E minimale pour faire passer la diode avec une I =
10mA et R = 1KΩ.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
1. La diode à jonction
Exercice d’application 2
1. Vérifier si la diode est passante.
2. Calculer le courant qui circule aux bornes de diode.
3. Calculer la tension aux bornes de R1.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
2. La diode Zener
L’image relate le symbole de la
diode avec l’anode (+) et la cathode
(-).
La diode Zener a la particularité d’être passante en polarisation inverse lorsqu’une
tension supérieure à sa tension de claquage lui est appliquée a ses bornes.
En polarisation directe, elle se comporte comme une diode à jonction PN et présente
les mêmes caractéristiques.
En polarisation inverse, c’est sa zone de claquage qui est utilisée pour lui permettre
d’acter comme une diode a jonction.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
2. La diode Zener
L’image relate le symbole de la
diode avec l’anode (+) et la cathode
(-).
La diode de Zener est très utilisée dans les circuits de régulation de tension :
- référence de tension,
- écrêtage d’une tension,
- alimentation continue de petite puissance.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
2. La diode de Zener
Caractéristique de la diode Zener
Le schéma du fonctionnement caractéristique de la diode zener est le suivant.
• Le principe reste le même qu’une diode
a jonction en polarisation directe. Elle
devient passante lorsqu’une tension
supérieure à sa tension seuil lui est
appliquée.
• Elle reste passante en polarisation
inverse lorsqu’une tension supérieure à
sa tension de zener Vz lui est appliquée.
• Pour une tension entre Vz et Vs, elle
devient bloquée.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
2. La diode de Zener
Exercices d’application
Déterminer l’état de la diode.
Cas 1 Cas 2
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
3. La diode varicap
• La diode varicap polarisée en inverse se comporte comme un condensateur de très
faible valeur, dont la capacité est variable selon la tension inverse appliquée à ses
bornes.
• Les diodes varicap sont utilisées dans les circuits comme des récepteurs permettant
de faire varier la fréquence de résonance du circuit par changement la tension de
commande appliquée sur la diode.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
4. La diode de Schottky
• Une diode Schottky est une diode qui a une tension seuil très basse et un
temps de commutation très rapide. Elle est utilisée dans les circuits logiques
rapides et pour détecter des signaux HF et hyperfréquences faibles.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
5. La diode électroluminescente ou LED (Light Emitting Diode)
Cette diode est un composant optoélectronique capable d’émettre de la lumière
de couleur précise ( rouge, vert, jaune, … ) lorsqu’il est parcouru par un courant
électrique (lorsque la diode est polarisée en directe). Elle est très utilisée pour
l'éclairage des habitations, dans les écrans plats et comme voyants lumineux
dans les appareils électroniques.
• La tension de seuil dépend de la couleur.
• La luminosité est proportionnelle au courant.
• La tension inverse de claquage est très faible.
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Chapitre 2 : Les semi-conducteurs
III. Diodes
6. La photodiode
• Une photodiode est un composant capable de détecter un rayonnement du domaine
optique et de le transformer en signal électrique. La diode est alors polarisée en
inverse.
• Les modèles sensibles aux infra-rouges sont utilisés par exemple pour les
communications sans fil (pour les télécommandes notamment). Les photodiodes
sont également utilisées pour le photovoltaïque (conversion du rayonnement
lumineux issu du Soleil en signal électrique).
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