Microélectronique.
MICROELECTRONIQUE & C.A.O.
Dispositifs à Transfert de Charges (CCD)
Prof. A. TOUHAMI 1
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Dispositif à transfert de charge (DTC – CCD)
Prof. A. TOUHAMI 2
Prof. A. TOUHAMI 1
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Dispositif à transfert de charge à trois phases VOUT
VD RS
Conversion et D
Injection du signal
dans le registre
De G1 G2 f1 f2 f3 f1 f2 f3 GS fR VR
N+ N+ N+
Etage d’entrée Zone de stockage et de transfert Etage de sortie
Détection et lecture
des charges à la
sortie du registre
Prof. A. TOUHAMI 3
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Description et organisation du CCD
CCD est un dispositif intégré qui doit réaliser les fonctions
suivantes:
• Création d’un paquet de charges proportionnel au signal à
traiter,
• Stockage de ces charges dans une capacité MOS,
• Transfert de ces charges d’une capacité à la capacité
adjacente,
• Détection des charges à la sortie du registre,
• Restitution d’un signal proportionnel à la densité de charge.
Prof. A. TOUHAMI 4
Prof. A. TOUHAMI 2
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Déplétion profonde
EC
EI EC
EV EI
EV
Vg Vg
VS Puits de
Puits de potentiel
VS
potentiel rempli
vide QS
2
1
N B .q. si 2.Cox2 Q (t ) 2
VS (t ) . 1 VG S 1
[Link] q.N B . si
Cox
Prof. A. TOUHAMI 5
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Zone de stockage
f3
f2
f1
f1
V1
V0
x
EC
x
-eV0
-eV1
Prof. A. TOUHAMI 6
Prof. A. TOUHAMI 3
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Mécanisme de transfert
Prof. A. TOUHAMI 7
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
f1
f2
f3
t0 t1 t2 t3 t4 t
EC
t0 < t < t1 x
EC
t1 < t < t2 x
EC
t2 < t < t3 x
EC
t3 < t < t4 x
Prof. A. TOUHAMI 8
Prof. A. TOUHAMI 4
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Injection dynamique en courant
De
G1 G2 f1 f2
N+
f1
VG2
Prof. A. TOUHAMI 9
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
De G1 G2 f1 f2
VS
VS
VS
Prof. A. TOUHAMI 10
Prof. A. TOUHAMI 5
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Méthode d’équilibrage des potentiels
• Pour réaliser cette injection, il faut appliquer une impulsion à De et un
niveau continu à G1.
VDe t De G1 G2 f1
x
t1 t2 t
t < t1
VS
Prof. A. TOUHAMI 11
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
VDe t
De G1 G2 f1
x
t1 t2 t
t < t1
VS
t1 < t < t 2
VS
t2 < t
VS
Prof. A. TOUHAMI 12
Prof. A. TOUHAMI 6
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
VD
Circuit de sortie D
DS T2
f1 f2 f3 GS fR VR
VOUT
N+ T1 N+
CS RS
• Son rôle est de fournir sous basse impédance un signal proportionnel au paquet
de charges transférées depuis la dernière grille f3 dans une jonction Ds.
• La grille Gs isole la diode Ds des impulsions d’horloge appliquée à f3.
• L’impulsion d’horloge fR fixe le potentiel de Ds à VR.
• Quand T1 est bloqué, le potentiel de Ds se retrouve sur la grille du T2.
• la variation de potentiel de la grille du T2 se traduit par une variation de la
tension de sortie VOUT.
Prof. A. TOUHAMI 13
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Structure d’un CCD diphasé
f2
f1
Dissymétrie par différence d’épaisseur d’oxyde
f2
f1
Dissymétrie par implantation ionique
Prof. A. TOUHAMI 14
Prof. A. TOUHAMI 7
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Inefficacité de transfert
x
n(0) t=0
x
t=T
n(T)
Inefficacité de transfert est influencée par:
n(0) n(T ) • température
• configuration des dispositifs CCD
n ( 0) • défauts dans l’oxyde
• états d’interface
Prof. A. TOUHAMI 15
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Etude mathématique du transfert
• la concentration des charges sous la grille n’est pas uniforme, ce
gradient de concentration entraîne l’existence d’un champ self induit ES.
VS ( x, t ) q n( x, t )
E S ( x, t ) .
x Cox x
• le déplacement des charges a lieu aussi en présence des forces de
diffusion
n ( x , t ) 2 n ( x, t )
Dn
t x 2
• le potentiel des grilles adjacent a une grande influence sur le transfert
des charges
4
d ox 5.W L
E ff 6.5 .V
L2 5.W L 1
Prof. A. TOUHAMI 16
Prof. A. TOUHAMI 8
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Modèle du transfert
• la densité du courant associée au déplacement des charges d’un puits à
un autre est donnée par:
n ( x , t )
J ( x, t ) .q.n( x, t ).E S ( x, t ) .q.n( x, t ).E ff [Link]
x
• En négligeant les phénomènes de génération et recombinaison,
l’équation de continuité s’écrit:
n ( x , t ) 1 J ( x , t )
.
t q x
• le modèle de transfert des charges est décrit par l’équation
différentielle non linéaire suivante:
n( x, t ) .q 2 n( x, t ) .q n( x, t ) n( x, t )
.n( x, t ) Dn . . .E ff .
t Cox x
2
Cox x x
Prof. A. TOUHAMI 17
Microélectronique Dispositif à transfert de charges
Conclusion
• CCD est un circuit intégré réalisé en technologie MOS
• Son fonctionnement est fondé sur le stockage et le transfert des
charges d’une capacité MOS à l’autre.
• Transfert de charge s’effectue au voisinage de l’interface (SCCD)
ou en profondeur (BCCD)
• On distingue deux types de CCD: diphasé et triphasé
• Domaine d’application: imagerie et traitement de signal
Prof. A. TOUHAMI 18
Prof. A. TOUHAMI 9