Electronique de base

CHAPITRE 1 LES SEMI-CONDUCTEURS.

1.1 INTRODUCTION.
Les charges électriques sont plus ou moins libres de circuler dans la matière sous l'influence d'un
champ électrique externe. Cette propriété nous a permis de distinguer les isolants (liaisons très
robustes, charges électriques très peu mobiles) des conducteurs (liaisons fragiles, charges très
mobiles).

Les semi-conducteurs se situent entre ces deux extrêmes (d'où leur nom !). On va aussi pouvoir
obtenir les caractéristiques désirées en appliquant les transformations physico-chimiques adéquates.
Il en résultera plusieurs sortes de semi-conducteurs que l'on pourra combiner pour obtenir des
fonctionnements bien déterminés.

1.2 GÉNÉRALITÉS SUR LES SEMI-CONDUCTEURS.

1.2.1 Semi-conducteurs intrinsèques.

Un semi-conducteur est constitué par un réseau cristallin de matériau très pur. On utilise soit des
éléments du tableau périodique possédant chacun 4 électrons de valence, soit des combinaisons de
matériaux qui possèdent 3 et 5 électrons de valence. Les atomes sont liés entre eux par des liaisons
covalentes. Ces liaisons sont robustes, ce qui fait que pour arracher des électrons des atomes, il faut
fournir une énergie assez importante (environ 1eV, contre 0,1 eV pour les conducteurs et 5eV pour
les isolants).

Fig. 3. liaisons dans un cristal de silicium.

Les trois principaux semi-conducteurs utilisés en électronique sont :

- le silicium (Si) : c'est le matériau le plus utilisé actuellement pour la fabrication des composants
électroniques.

- le germanium (Ge) : il est délaissé (trop sensible en température : courants de fuite importants,
température de fonctionnement limitée).

- l'arseniure de gallium (AsGa) : il est très utilisé dans la fabrication de composants opto
électroniques, et permet aussi de fabriquer des composants plus rapides que ceux en silicium ; ces
applications sont cependant relativement rares.

Les semi conducteurs ont une résistivité électrique intermédiaire entre les isolants (1E14 à 1E22
cm) et les bons conducteurs (1E-6 cm) : elle est comprise entre 1E2 et 1E9

L'agitation thermique fait que certains électrons quittent leur liaison et deviennent des électrons
libres. Ils créent alors un trou qui ne demande qu'à être rebouché par un autre électron libre, surtout
si on applique un champ électrique sur le cristal : électrons et trous se déplacent en sens inverse,
 engendrant ainsi un courant électrique.

Contrairement à ce qui se passe dans les conducteurs, la résistivité des semi conducteurs diminue
quand la température augmente : en effet, plus la température est élevée, plus le nombre de trous et
d'électrons libres augmente, et plus le courant produit est intense quand on branche un générateur
sur le cristal.

1.2.2 Semi conducteurs extrinsèques.

Les semi conducteurs intrinsèques n'ont pas une grande utilité en tant que tels ; ils servent de base
aux semi conducteurs dopés : on y rajoute des impuretés pour modifier leur comportement. Il existe
deux types de semi conducteurs extrinsèques :

1.2.3 Le semi conducteur de type P.

On dope le cristal intrinsèque avec un élément possédant un nombre inférieur d'électrons de valence
: on peut doper du silicium (4 électrons de valence) avec du Bore, de l'indium, du Gallium ou de
l'Aluminium qui possèdent 3 électrons de valence (atome accepteur).

Ces atomes vont prendre la place d'atomes de silicium dans le cristal. Comme ils possèdent 1
électron de valence en moins, il va se créer des trous dans le semi-conducteur. Les trous deviennent
porteurs de charges mobiles majoritaires : le semi conducteur est de type P. Il subsistera quelques
électrons libres dans le cristal (porteurs minoritaires).

Les trous ainsi créés vont être susceptibles d'être bouchés par des électrons présents dans le cristal
(par exemple, des électrons issus de paires électron-trou générés par l'agitation thermique).
1.2.4 Le semi conducteur de type N.
Le principe est le même que pour le semi conducteur de type P, sauf qu'on dope le cristal avec des
éléments ayant un électron de valence de plus (atomes donneurs) : le phosphore, l'arsenic et
l'antimoine, qui possèdent 5 électrons de valence pourront doper le silicium par exemple. 4
électrons vont faire des liaisons covalentes avec les atomes de silicium environnants, et le 5ème sera
un électron libre ; tous ces électrons libres seront les porteurs majoritaires. Il existera encore
quelques trous, mais en très faible quantité.

Les électrons libres seront pratiquement aussi mobiles que dans le cas des conducteurs (liaisons
métalliques).

A noter que dans ce cas, l'atome donneur devient ion positif, mais ceci ne créé pas un porteur trou
comme dans le cas du silicium P, car cette charge positive ne peut pas se déplacer dans le cristal.

A noter que dans les deux cas (types N et P), le cristal reste globalement électriquement neutre ,
car le noyau des atomes donneurs comporte un proton de plus que l'atome du cristal intrinsèque, et
un de moins dans le cas des atomes accepteurs. Le dopage permet d'avoir beaucoup plus de porteurs
d'une espèce donnée que de l'autre, et il a apporté une fragilité supplémentaire dans les liaisons
atomiques : l'énergie nécessaire pour arracher un porteur majoritaire d'un atome est d'environ
0,1eV: il y aura plus de charges participant à la circulation du courant que dans un cristal
intrinsèque.
1.3 Conduction
En pratique, seuls les électrons se déplacent. Au niveau mobilité des charges, on voit que pour le
silicium N, les charges mobiles sont les électrons libres , dont l'énergie de liaison se situe dans la
bande de conduction (il faut très peu d'énergie pour les arracher de leur atome donneur) : ils vont donc
être très mobiles.

Pour le silicium P, le déplacement de trous se fera en fait par déplacement d'électrons qui seront
obligés de venir des autres liaisons covalentes (génération de paires électron-trou), donc de la bande
de valence (il faut fournir une énergie relativement élevée pour créer ces paires de porteurs) : ils
vont être beaucoup moins mobiles que les électrons libres du silicium N, ce qui explique que la
conductivité du silicium P soit plus faible que celle du N.

La conduction est le résultat de trois termes :

- Conduction par champ électrique : un champ externe va fournir suffisamment d'énergie aux
électrons libres (N) ou au trous (P) : en fait, les électrons de valence voisins du trou) pour qu'ils se
déplacent. On a une conduction dans un barreau de silicium monocristal (N ou P). La conduction est
meilleure dans le N à cause de ce qui a été dit précédemment.

- Conduction par diffusion des porteurs : n'existe pas dans un cristal homogène. Ce phénomène est
dû à l'hétérogénéité du matériau (jonction, dopage non homogène ) : il y a un gradient de
concentration des charges qui se déplacent pour se répartir de façon homogène dans le cristal à la
manière des gaz.

- Conduction par création/recombinaison de charges : ceci concerne les charges libres minoritaires,
qui peuvent être créées de diverses manières : émission photonique, avalanche, passage de la
barrière de potentiel d'une jonction Ces charges en excès se recombinent avec les porteurs
majoritaires selon une loi exponentielle de constante de temps égale à la durée de vie des porteurs.
CHAPITRE 2 THEORIE DE LA DIODE
1.1 INTRODUCTION.
La diode est le semi-conducteur de base : on ne peut pas combiner du silicium dopé plus
simplement.

Son fonctionnement macroscopique est assimilable à celui d'un interrupteur commandé qui ne
laisse passer le courant que dans un seul sens.

Cette propriété lui ouvre un champ d'applications assez vaste en électronique. C'est la diode qui va
permettre de redresser le courant alternatif issu du secteur et autoriser la fabrication
d'alimentations stabilisées qui sont obligatoires dans la plupart des montages électroniques. On
conçoit donc que si ce composant est basique , ainsi que son fonctionnement, il n'en n'est pas
moins fondamental !

Dans la catégorie des diodes, on trouve aussi des diodes de régulation, dites diodes zéner, qui ont
un comportement de source de tension. Cette propriété va permettre d'élaborer autour de ce
composant simple toute une série de montages délivrant une ou plusieurs tensions continues.

La fonction diode a existé bien avant l'arrivée du silicium : on utilisait alors des diodes à vide (les
lampes ) dont le fonctionnement était basé sur l'effet thermoélectronique. Le silicium a apporté les
avantages suivants : coût, fiabilité, encombrement, simplicité d'utilisation

1.2 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT.

1.2.1 LA JONCTION.
Si on dope une partie d'un semi conducteur intrinsèque avec des atomes à 5 électrons
périphériques (le semi conducteur devient extrinsèque de type N) et l'autre avec des atomes à 3
électrons périphériques (extrinsèque de type P), on crée une jonction, qui est la limite de
séparation entre les deux parties.

Nous avons fabriqué une diode à jonction.

1. Équilibre sans générateur.

Fig. 1. Équilibre au niveau de la jonction.

 Au voisinage de la jonction , les trous de la zone P vont neutraliser les électrons
libres de la zone N (il y a diffusion des charges). Ce phénomène va s'arrêter quand
le champ électrique Eint créé par les atomes donneurs ou accepteurs (qui vont
devenir respectivement des charges + et -) va être suffisant pour contrarier le
mouvement des charges mobiles. Ceci constitue une barrière de potentiel pour les
porteurs majoritaires. Par contre, cette barrière de potentiel va favoriser le passage
des porteurs minoritaires (conduction électrique).

Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des

minoritaires) s'équilibrent et leur somme est nulle en régime permanent et en
l'absence de champ électrique extérieur.

2. Avec un générateur en sens direct.

La barrière de potentiel interne empêche donc toute circulation de courant. Si on

applique un champ externe à l'aide d'un générateur en branchant le pôle + sur la
zone P et le pôle - sur la zone N, on peut annuler les effets du champ interne et
permettre au courant de circuler : le phénomène d'attraction des électrons libres de
la partie N par les trous de la partie P (diffusion) n'est plus contrarié, et le
générateur va pouvoir injecter des électrons dans la zone N et les repomper par la
zone P.

Le courant de conduction constitué par les porteurs minoritaires prend une valeur If
indépendante du champ extérieur.

Le courant total est la somme des deux courants, soit pratiquement le courant direct
dû aux porteurs majoritaires dès que la tension atteint la centaine de mV.

La diode est alors polarisée dans le sens direct, et un courant relativement intense
peut circuler : de quelques dizaines de milliampères pour des diodes de signal à
quelques ampères pour des diodes de redressement standard, voire à des centaines
d'ampères pour des diodes industrielles de très forte puissance.

3. Avec un générateur en sens inverse.

Si on branche le générateur dans le sens inverse du cas précédent, on renforce le

champ électrique interne, et on empêche le passage des porteurs majoritaires : les
électrons libres sont repoussés dans la zone N et les trous dans la zone P ; on
accentue la séparation des charges (zone de déplétion).

Par contre, les porteurs minoritaires (trous pour la zone N et électrons libres pour la
zone P) peuvent traverser la jonction et reboucler par le générateur : ils forment le
courant inverse If qui dépend essentiellement de la température.

Le champ extérieur repousse les charges qui vont se trouver à une distance
sensiblement proportionnelle à |V|, créant ainsi une capacité proportionnelle à cette
distance, donc à |V|.

Cette capacité est inhérente à toute jonction de semi conducteurs, et va constituer la

principale limitation (en régime linéaire tout du moins) au fonctionnement à haute
fréquence des composants électroniques (diodes, transistors et circuits intégrés les
employant).
1.2.2 CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES.

1. Caractéristique courant/tension.

 Caractéristique globale.

On a vu précédemment que le courant était négligeable pour une tension Vd

= Vp-Vn négative (ceci est vrai jusqu'à une tension Vc dite tension de
claquage). Au dessus d'un certain seuil Vo de tension Vd positive, le
courant direct croit très rapidement avec Vd.

Le seuil Vo (barrière de potentiel) dépend du semi conducteur intrinsèque

de base utilisé. Il est d'environ 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le
silicium.

La caractéristique a la forme suivante :

Fig. 2. Caractéristique complète.

 Caractéristique directe (Vd > 0)

Fig. 3. Caractéristique directe d'une diode.

Sur ce type de diode au silicium, le courant croit assez rapidement au delà

de 0,7V. C'est une diode de redressement supportant 1A en direct et 600V
en tension inverse.

 Autour de zéro.

La caractéristique passe par l'origine. Pour Vd négatif, le courant tend

rapidement vers la limite -If (courant de fuite) , car le courant de diffusion
dû aux porteurs majoritaires va s'annuler.
 Caractéristique inverse (Vd < 0). Phénomène de claquage.

Quand la tension appliquée dépasse la valeur spécifiée par le fabricant, le

courant décroît (attention : il est déjà négatif !) très rapidement. S'il n'est pas
limité par des éléments externes, il y a destruction rapide de la diode. Deux
phénomènes sont à l'origine de ce résultat :

- phénomène d'avalanche : quand le champ électrique au niveau de la

jonction devient trop intense, les électrons accélérés peuvent ioniser les
atomes par chocs, ce qui libère d'autres électrons qui sont à leur tour
accélérés Il y a divergence du phénomène, et le courant devient important.

- phénomène Zener : les électrons sont arrachés aux atomes directement

par le champ électrique dans la zone de transition et créent un courant qui
devient vite intense quand la tension Vd atteint une valeur Vz dite tension
Zéner.

Si on construit la diode pour que le phénomène Zéner l'emporte sur le

phénomène d'avalanche (en s'arrangeant pour que la zone de transition soit
étroite), on obtient une diode Zéner.

On utilise alors cette diode en polarisation inverse. L'effet zéner n'est pas
destructif dans ce cas. Ces diodes sont très utilisées pour la régulation de
tension.

 Équation.

Fig. 4. Linéarité de Log (I) fonction de V.

la courbe Fig. 2. (à l'exception de la zone de claquage) répond assez bien à

la formule suivante, expliquée par la thermodynamique statistique :

où :

- If est le courant de fuite

- q la charge de l'électron = 1,6E-19C
- k constante de Boltzman = 1,38E-23 J/K
- T température absolue
 La loi logarithmique [1] est bien illustrée par les figures 3 et 4. La courbe
expérimentale s'éloigne toutefois de la théorie aux forts courants, où le
modèle n'a pas tenu compte d'autres phénomènes dont les chutes de tension
ohmiques dans le semi conducteur.

A noter que sur la figure 4, le courant maxi représenté est égal au 1/10ème
admissible par cette diode.

 Effet de la température.

Pour Vd positif, la diode a un coefficient de température négatif égal à -

2mV/K. Cette dérive en température est suffisament stable pour qu'on
puisse utiliser des diodes comme thermomètres.

Pour Vd négatif, le courant de fuite If varie très rapidement avec la

température. Il est plus important pour le germanium que pour le silicium,
et croît plus vite, ce qui devient rapidement gênant. Dans le silicium, ce
courant double tous les 6°C.

2. Résistance différentielle (ou dynamique).

Fig. 5. Résistance dynamique.

La résistance dynamique étant l'inverse de la pente de la caractéristique en un point

donné, on peut la déduire par dérivation de la formule [1] :

C'est la résistance dynamique au point de fonctionnement (Vd , Id). Elle est

fonction du courant de polarisation Id au point étudié.

La figure 5 donne la valeur de rd en fonction de la tension de la diode : les

variations sont très importantes.
3. Schéma équivalent.

La représentation de la diode par sa loi logarithmique est un peu complexe pour

l'emploi de tous les jours. Plusieurs schémas équivalents simplifiés sont proposés :

 Diode idéale.

Dans ce cas, on néglige la tension de seuil et la résistance interne de la

diode. La caractéristique est alors celle de la figure 6.

Ce schéma est utile pour des pré calculs, surtout si les diodes sont
employées dans des circuits où les tensions sont élevées (plusieurs dizaines
de volts) : la tension de coude est alors négligeable.

Fig. 6. Caractéristique idéale.

 Diode avec seuil.

On peut continuer à négliger la résistance interne, mais tenir compte du

seuil de la diode. La caractéristique devient :

Fig. 7. Caractéristique avec seuil.

Ce schéma est le plus utilisé pour les calculs.

 Diode avec seuil et résistance.

Ici, on prend en compte la résistance de la diode. Ceci peut être utile si on

utilise la diode en petits signaux alternatifs et qu'on a besoin de sa
résistance dynamique.

Fig. 8. Caractéristique avec seuil et résistance.

Attention : dans ce cas, on considère que la résistance dynamique est
constante, ce qui n'est vrai que si la variation du signal alternatif est très
petite autour du point de polarisation en continu.
II. UTILISATION.

Il existe divers types de diodes correspondant à des technologies différentes. Chaque technologie
présente le meilleur compromis pour une utilisation donnée.

Nous allons balayer les applications des diodes en les classifiant par groupe technologique.

1.3 Paramètres essentiels des diodes.

En fonction de l'application considérée, on s'intéressera à certains paramètres des diodes
plutôt qu'à d'autres. Certains paramètres ne sont pas spécifiés pour tous les types de diodes,
sauf les suivants qui sont incontournables :

- VF : tension de coude de la diode spécifiée à un courant direct donné.

- IF : courant direct permanent admissible par la diode à la température maxi de

fonctionnement.

- IFSM : courant temporaire de surcharge (régime impulsionnel). En général, pour un

courant de surcharge donné, le constructeur spécifie l'amplitude des impulsions, leur durée,
le rapport cyclique, et dans certains cas, le nombre maxi d'impulsions qu'on peut appliquer.

- VR : c'est la tension inverse maxi admissible par la diode (avant l'avalanche).

- IR : c'est le courant inverse de la diode. Il est spécifié à une tension inverse donnée, et
pour plusieurs températures (généralement 25°C et Tmax). Ce courant n'est pas seulement
celui dû aux porteurs minoritaires. Il provient aussi des courants parasites à la surface de la
puce (le silicium est passivé par oxydation, et il peut subsister des impuretés qui vont
permettre le passage de faibles courants). Le boitier d'encapsulation de la puce de silicium
est aussi source de fuites.

Ces symboles sont ceux généralement employés par les différents constructeurs, mais il
peut y avoir des variantes, et il est toujours sage de se reporter à la documentation du
constructeur pour savoir comment sont spécifiés les paramètres, et à quoi ils correspondent
exactement.
A. DIODES DE REDRESSEMENT.

Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative du

secteur pour faire des générateurs de tension continue destinés à alimenter les montages
électroniques (entre autres).

Il y a deux types principaux de diodes de redressement : les diodes standard pour le

redressement secteur classique, et les diodes rapides pour les alimentations à découpage.
Nous étudierons ces dernières ultérieurement.

1. Caractéristiques physiques.

Les diodes de redressement standard sont les moins sophistiquées, et ne font l'objet
d'aucun traitement particulier, les conditions d'utilisations étant peu contraignantes.

Elles ont des tensions VR comprises entre 50 et 1000V environ, et les courants IF
vont de 1A à plusieurs centaines d'ampères.

Avant le système de redressement, on a presque toujours un transformateur qui sert

à abaisser la tension secteur (les montages électroniques fonctionnent souvent sous
des tensions de polarisation allant de quelques volts à quelques dizaines de volts),
et qui sert aussi à isoler les montages du secteur (220V, ça peut faire très mal !).

2. Redressement simple alternance.

C'est le redressement le plus simple qui soit : quand la tension aux bornes du
transformateur Vt dépasse la tension de seuil de la diode, celle-ci conduit, laissant
passer le courant direct dans la charge. La tension aux bornes de la charge Vr est
alors égale à la tension aux bornes du transformateur moins la tension directe VF de
la diode.
 Fig. 9. Redressement avec une diode.

Quand la tension aux bornes du transformateur devient inférieure à la tension de

seuil, la diode est bloquée ; il ne subsiste que le courant de fuite, qui est négligeable
en comparaison du courant direct.

La tension aux bornes de la diode est alors égale à celle aux bornes du
transformateur : il faudra choisir une diode avec une tension VR au minimum égale
à la tension crête du secondaire du transformateur.

3. Redressement double alternance.

 Avec transfo double enroulement.

Fig. 10. Redressement avec transfo double sortie.

Le montage précédent présente l'inconvénient de ne laisser passer que la

moitié du courant que peut délivrer le transformateur. Pour remédier à celà,
on utilise un transformateur avec deux enroulements secondaires que l'on
câble de manière à ce qu'ils délivrent des tensions en opposition de phase
sur les diodes.
 On notera la chute de tension dans les diodes : elle devient non négligeable
quand les tensions alternatives sont faibles (4V crête dans l'exemple ci-
dessus).

Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques à

celui de la Fig. 9 qui fonctionnent l'un pour l'alternance positive, l'autre
pour l'alternance négative. On vérifie bien (Fig. 11 et 12) que le courant
dans la charge est toujours orienté dans le même sens.

Fig. 11. Alternance positive.

Fig. 12. Alternance négative.

Les diodes sont plus sollicitées que pour le montage simple alternance : en
effet, la diode qui ne conduit pas devra supporter en plus de la tension aux
bornes de son secondaire de transformateur, la tension aux bornes de la
résistance. Au total, elle devra supporter une tension VR double de celle
requise dans le montage à simple alternance, soit deux fois la tension crête
présente sur chacun des secondaires.

 Avec pont de Grætz.

Fig.13. Redressement avec pont de diodes.

 Il existe une autre manière de faire du redressement double alternance, ne
nécessitant pas un transformateur à double enroulement : on utilise 4 diodes
montées en pont. Des ponts tous faits sont disponibles dans le commerce,
permettant de réduire le nombre de composants du montage.

Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4

conduisent, et quand elle est négative, D2 et D3 conduisent (Fig. 14 et 15).

Fig. 14. Alternance positive.

Fig.15. Alternance négative.

Chaque diode n'a à supporter qu'une fois la tension crête du secondaire du

transformateur (contre deux fois pour le montage précédent), mais en
revanche, on a deux tensions directes de diode en série. La puissance totale
dissipée dans les diodes est double par rapport à la solution précédente.

 Quelle solution choisir ?

Quand on en aura la possibilité, on préfèrera la solution à transfo à point

milieu, pour plusieurs raisons :

- le transfo n'est pas plus cher que celui à secondaire simple.

- avec un transfo à un seul secondaire, on ne peut pas faire d'alimentation

double symétrique en redressement double alternance. Ce type de transfo
est moins universel .

- le fait que les diodes aient à tenir une tension double n'est pas un problème
dans la plupart des cas, car les tensions redressées sont très souvent bien
inférieures aux tensions VR minimum des diodes disponibles dans le
commerce.

- dans le montage en pont, la charge est flottante par rapport au

transformateur, ce qui peut être gênant dans certains cas.
4. Filtrage.
Les montages précédents délivrent des tensions redressées mais non continues.

Pour obtenir une tension (quasi) continue, il suffit de mettre un gros condensateur
en parallèle avec la charge.

 Redressement simple alternance.

Ici, la charge est absolument quelconque, et peut être un montage

électronique complexe ayant une consommation en courant aléatoire.

Fig. 16. Redressement simple alternance et filtrage.

Sur le graphique du bas de la Fig. 16, on voit en pointillé la tension

redressée telle qu'elle serait sans condensateur. En traits pleins épais, on
voit la tension filtrée.

Sur ce graphe, le courant de décharge du condensateur est linéaire : il

correspond à l'hypothèse de décharge à courant constant.

Le fonctionnement est simple : quand la tension aux bornes du

transformateur est supérieure à la tension aux bornes du condensateur
additionnée de la tension directe de la diode, la diode conduit. Le
transformateur doit alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le
courant de recharge du condensateur.

Quand la tension du transformateur devient inférieure à celle du

condensateur plus la tension de coude de la diode, la diode se bloque.
L'ensemble condensateur / charge forme alors une boucle isolée du
transformateur.

Le condensateur se comporte comme un générateur de tension, et il restitue

l'énergie accumulée dans la phase précédente.

A noter que la tension aux bornes du condensateur étant en permanence

voisine de la tension crête positive du transformateur, lorsque celui-ci
fournit la tension de crête négative, la diode doit supporter deux fois la
tension crête délivrée par le transformateur : on perd le seul avantage
(hormis la simplicité) du montage à redressement simple alternance.

Calcul du condensateur : dans la littérature, on trouve classiquement le

calcul du condensateur pour une charge résistive. La décharge est alors
exponentielle et le calcul inutilement compliqué.

Ce calcul est assez éloigné des besoins réels : en général, on ne fait pas des
alimentations continues pour les faire débiter dans des résistances !

Très souvent, ces alimentations redressées et filtrées sont suivies d'un

régulateur de tension. La charge est fréquemment un montage complexe
ayant une consommation variable au cours du temps.

Pour faire le calcul du condensateur, on prendra donc une décharge à

courant constant, le courant servant au calcul étant le maximum (moyenné
sur une période du secteur) consommé par la charge.

Le critère de choix ne sera pas un taux d'ondulation qui n'a souvent aucune
utilité pratique, mais une chute de tension maxi autorisée sur le
condensateur pour que le montage connecté en aval fonctionne
correctement.

Avec ces hypothèses, le calcul du condensateur devient très simple : On

considère que le condensateur C se décharge à courant Imax constant
pendant un temps T et que la chute de sa tension est inférieure à V.

On a alors la relation :

Le temps T choisi va être approximé à la période du secteur. En pratique,

le condensateur va se décharger moins longtemps (Fig. 16), on va donc le
surdimensionner légèrement.

L'erreur commise est en fait très faible comparée à la dispersion que l'on
aura sur le résultat de par les tolérances des composants, et notamment des
condensateurs de filtrage : on utilise des condensateurs chimiques qui ont
des tolérances très larges (-20% / +80% en général) et qui n'existent souvent
que dans la série E6 (1 ; 1,5 ; 2,2 ; 3,3 ; 4,7 ; 6,8). Les transformateurs sont
eux aussi assez dispersés, ce qui fait qu'au final, mieux vaut prévoir large
pour éviter les mauvaises surprises !

Pour un redressement simple alternance, on aura un T de 20ms, qui

correspond à l'inverse de la fréquence secteur 50Hz. La valeur du
condensateur est alors :

Il faudra veiller à choisir un condensateur supportant au moins la tension

crête du transformateur à vide (la tension sera plus faible en charge du fait
des chutes de tensions diverses (résistance du transfo, diode ).
 Redressement double alternance.

Les hypothèses seront les mêmes que précédemment. La seule différence

viendra du temps T ; vu qu'on a un redressement double alternance, la
fréquence du courant redressé est double de celle du secteur. La formule de
calcul du condensateur devient donc :

Comme dans la formule [4], F est la fréquence secteur (50Hz en France).

A chute de tension égale, le condensateur sera donc deux fois plus petit que
pour le redressement simple alternance, ce qui est intéressant, vu la taille
importante de ces composants.

La diode aura à tenir deux fois la tension crête délivrée par chaque
enroulement du transformateur.

Fig. 17. Redressement double alternance et filtrage.

 Fonctionnement des diodes et transfos.

On peut remarquer Fig. 16 et 17 que les diodes ne conduisent pas pendant

toute l'alternance du secteur, mais seulement pendant un temps très court
vis à vis de cette alternance. L'énergie qui est restituée par le condensateur
dans la phase de roue libre doit être au préalable stockée pendant ce court
temps de conduction des diodes.
 La conséquence de ceci, c'est que pour assurer un certain courant moyen
dans la charge, l'ensemble transfo plus diode devra débiter un courant de
crête beaucoup plus intense que le courant moyen lors des phases de
conduction des diodes (environ 15 fois le courant moyen). Voir
chronogramme (GIF couleur 15ko)

La chute de tension dans les diodes sera alors importante (plus près d'1V
que de 0,6V) ainsi que la chute de tension dans les résistances du
transformateur.

Il ne faudra pas perdre ces considérations de vue quand on voudra calculer

l'alimentation au plus juste !

L'autre conséquence est le démarrage de l'alimentation : lorsqu'on branche

le transformateur sur le secteur, on peut se trouver au maximum de tension
de l'alternance secteur. La charge du transformateur, principalement
constituée du condensateur de filtrage, sera l'équivalent d'un court-circuit.
Le courant d'appel sera alors uniquement limité par la résistance interne du
transformateur (quelques dizièmes d'ohms à quelques ohms), et il sera très
intense : les diodes devront supporter ce courant (paramètre IFSM)

5. Alimentations doubles symétriques.

Si on analyse le fonctionnement du redresseur double alternance à transformateur à

point milieu, on s'aperçoit que chaque secondaire débite du courant seulement
pendant une alternance. L'autre alternance serait susceptible de fournir un courant
négatif.

Partant de cette constatation, on peut imaginer facilement une alimentation double

symétrique, avec 4 diodes disposée en pont : deux diodes vont conduire les
alternances positives des secondaires du transformateur, et les deux autres les
alternances négatives.

Le point milieu du transformateur sera le potentiel commun des deux

alimentations.

Fig. 18. Alimentation double positive et négative.

On peut bien évidemment mettre un condensateur aux bornes de chacune des

charges pour filtrer les tensions redressées obtenues.

Ces alimentations sont incontournables dans les montages symétriques où il est

nécessaire d'amplifier des tensions continues, et notamment dans les montages à
amplificateurs opérationnels
6. Doubleur de tension.

Dans certaines applications, on peut avoir besoin de tensions continues très élevées
(quelques milliers de volts). On pourrait les obtenir avec un transformateur
élévateur et un redressement / filtrage classique.

Il existe une solution moins onéreuse faisable avec des diodes et des
condensateurs : c'est le doubleur de tension.

Le montage de la Fig. 19. se décompose en deux : redressement / filtrage par la

cellule D1 / C1, puis détecteur de crête D2 / C2.

Fig. 19. Doubleur de tension de Schenkel.

Aux bornes du condensateur C1, si la charge est infinie, la tension Vc restera

constante et égale à la tension crête du transformateur.

La diode D1 verra à ses bornes la tension Vt + Vc, dont la valeur crête est égale à
deux fois la tension crête du transformateur. Tout se passe comme si la tension du
transformateur avait été translatée d'une fois la valeur de la tension crête.

Il suffit alors de filtrer cette tension à sa valeur de crête avec D2 et C2 : on obtient

une tension continue égale à deux fois la tension crête du transformateur.

Il est possible de continuer ce raisonnement, et en ajoutant d'autres cellules

semblables à celle du doubleur, on peut tripler, quadrupler ou plus les tensions.

Ces montages sont utilisés entre autres pour générer les tensions d'accélération des
tubes d'oscilloscopes (2 à 5 kV). On remarquera qu'ils ne peuvent pas débiter
beaucoup de courant (les tensions mises en jeu ne permettent pas d'utiliser des
condensateurs de forte valeur), et donc, ils sont plutôt destinés à des applications
quasi statiques.
B. DIODES À AVALANCHE CONTRÔLÉE.

Les diodes de redressement standard ne sont pas garanties pour fonctionner au delà de la
tension VR spécifiée. Si on utilise des diodes standard dans des milieux parasités, il se peut
qu'on dépasse momentanément la tension inverse maxi et qu'on détruise la diode.

Certaines applications ont besoin de diodes qui ne soient pas détruites par une entrée en
avalanche.

1. Caractéristiques physiques.

Les diodes à avalanche contrôlées sont fabriquées dans du silicium de meilleure

qualité que les diodes standard : meilleure homogénéité du cristal, traitement de
surface poussé limitant les courants de fuite

La résistivité du silicium est ainsi plus homogène, et lorsque le phénomène

d'avalanche se produit, c'est dans tout le volume du cristal qui peut alors supporter
des puissances très élevées pendant quelques dizaines de µs.

Ces diodes sont sévèrement triées en fin de fabrication pour détecter les défauts
éventuels.

On spécifie en plus des IR et VR standards une tension inverse maxi pour un

courant inverse donné.

2. Protection contre les surtensions.

Une des applications est l'utilisation dans des milieux parasités : des surtensions
brèves (quelques µs) d'une amplitude très supérieure à la tension VR de la diode
peuvent apparaître : la diode va partir en avalanche, et limiter la surtension parasite.
Ce phénomène ne sera pas destructif car la diode est conçue pour fonctionner en
avalanche sans casser.

Il y a une double fonction d'autoprotection (la diode n'est pas détruite), et de

protection de l'environnement de cette diode (écrêtage de la surtension).

3. Mise en série de diodes.

Lorsqu'on veut bloquer des fortes tensions sans faire appel à des diodes spéciales
haute tension (chères et difficiles à se procurer), on peut mettre en série plusieurs
diodes dont la somme des VR sera supérieure à la tension à bloquer.

Si on met en série des diodes ordinaires, les tensions ne vont pas se répartir de
façon égale pour toutes les diodes comme le montre la Fig. 20.
 Fig. 20. Caractéristiques de deux diodes.

Si on met les deux diodes de cet exemple en série, sans autres composants en
parallèle, le courant de fuite sera le même pour les deux diodes, et tel que VD1 +
VD2 = U, tension totale à bloquer ; VD1 et VD2 sont les tensions aux bornes des
diodes D1 et D2 pour le courant de fuite commun IR.

La diode D1 qui fuit plus que l'autre à tension donnée va imposer un courant IR
entraînant une tension aux bornes de D2 supérieure à la tension de claquage VR :
D2 va être détruite par avalanche.

Dans le cas général où on met plusieurs diodes en série, la rupture de la première

entraîne la destruction en chaîne de toutes les autres diodes.

La solution est dans les diodes à avalanche contrôlée : les courants de fuite (hors
porteurs minoritaires) sont très réduits par construction, et une ou plusieurs diodes
peuvent rentrer en avalanche sans problèmes. Le courant de fuite étant faible, la
puissance dissipée restera dans les limites admissibles par le composant.

C. DIODES DE REDRESSEMENT RAPIDES.

1. Notions de charge recouvrée.

Nous avons déjà mentionné le phénomène de diffusion au travers de la jonction

PN : les électrons majoritaires de la zone N franchissent la jonction et tendent à
neutraliser les trous de la zone P et vice versa.

Quand la jonction est polarisée en direct, le champ électrique externe s'oppose au

champ électrique interne crée par les ions dépossédés de leur électron (zone N) ou
trou (zone P) libres, et permet ainsi une plus grande diffusion des porteurs
majoritaires dans la région de type opposé où ils deviennent minoritaires. Ils se
recombinent alors avec une charge de signe opposé.

Ce phénomène de recombinaison n'est pas instantanné : les porteurs ont une durée
de vie t égale à environ 1ms dans le silicium. Il existe donc dans le cristal des
charges en excès de part et d'autre de la jonction, à la manière de charges présentes
sur les armatures d'un condensateur.

On associe d'ailleurs à cette charge, appelée charge stockée , une capacité appelée
capacité de diffusion .

Si on inverse brusquement la polarité aux bornes de la diode pour la bloquer, ces

porteurs vont se comporter de la même manière que les porteurs minoritaires en
 régime inverse établi : ils vont être attirés de l'autre côté de la jonction par le champ
électrique externe et vont former un courant intense qui va s'ajouter au courant de
fuite Is, jusqu'à ce que la charge stockée disparaisse.

Ce courant va décroître jusqu'à devenir nul pendant un temps tRR appelé temps de
recouvrement inverse .

La charge stockée est d'autant plus importante que le dopage est important. Le
dopage intervenant directement dans la conductivité du cristal, il se pose le
problème pour les diodes de puissance qui nécessitent une conductivité, et donc un
dopage importants.

Pour diminuer la charge stockée dans ces composants, on utilise des pièges
recombinants, qui sont souvent des atomes d'or. Ils diminuent la durée de vie des
porteurs, ce qui induit une charge stockée plus faible.

2. Utilisation.

Ces diodes sont utilisées en électronique de puissance partout où l'on doit

commuter très rapidement des courants importants. Elles sont le complément
indispensable des transistors de puissance rapides.

Des diodes standard sont inutilisables dans ces cas là car elles sont trop lentes. Lors
de la commutation des transistors, elles se comporteraient comme des court circuits
(pendant le temps de recouvrement inverse), ce qui entraînerait des surcourants
dans les transistors, et leur destruction plus ou moins rapide.

D. DIODES DE SIGNAL.

Les diodes précédemment étudiées font intervenir des courants et tensions non
négligeables. Les diodes de signal sont utilisées dans des applications à bas niveaux de
courants et tensions.

1. Carctéristiques physiques.

Les diodes de signal n'ont pas besoin de tenir des fortes tensions inverses : par
construction, elles pourront avoir une capacité parasite faible, et donc fonctionner à
des fréquences élevées.

Ces caractéristiques sont obtenues grâce à une surface de jonction réduite et un

faible dopage (diminution des charges stockées).
2. Détecteur de crête.
Ce dispositif permet de mémoriser la valeur crête d'un signal. Il est très utilisé en
instrumentation.

C'est en fait un redresseur simple alternance avec filtrage dont la charge est quasi
nulle (aux courants de fuite près) : la constante de temps de décharge du
condensateur est théoriquement infinie, (très grande en pratique).

Il se charge donc à la valeur crête (moins la tension de seuil de la diode) et reste

chargé à cette valeur.

La résitance R sert à limiter le courant de charge du condensateur à une valeur

raisonnable pour le générateur d'attaque.

Lorsque la tension e est supérieure à la tension aux bornes du condensateur U plus

la tension de coude de la diode, celle ci conduit et charge le condensateur à travers
la résistance R.

A noter que tel quel, ce montage est inexploitable pour des petits signaux : la
tension mémorisée par la diode et le condensateur est inférieure à la valeur crête du
signal d'entrée de la tension de seuil de la diode.

Il existe une version améliorée avec amplificateur opérationnel qui pallie cet
inconvénient. Il faut aussi adjoindre à ce montage un sytème permettant de
décharger le condensateur pour faire une nouvelle mesure.

Fig. 21. Détecteur de crête.

3. Détection AM.

En radio diffusion, on ne peut pas émettre correctement un signal audible (20Hz-

20kHz) directement sous forme d'une onde radio-électrique : il faut passer par un
signal haute fréquence (Fig. 22.).

Fig. 22. Signal HF modulé en amplitude.

Fig. 23. Détecteur grandes ondes .

Le signal haute fréquence (quelques centaines de kHz), qu'on appelle la porteuse

est modulé en amplitude par le signal audio (basse fréquence) à émettre. A l'arrivée
( le poste à transistors !), on doit séparer les deux signaux. On le fait très
simplement avec une diode et un condensateur (Fig. 23.).

Fig. 24. Signal démodulé.

Sans la résistance R, on aurait un détecteur de crête comme précédemment. On

détermine cette résistance de manière à ce que la constante de temps RC soit petite
devant la période de la porteuse, et grande devant la période du signal à émettre :
on arrive ainsi à reconstituer le signal basse fréquence (BF) : c'est la courbe en gras
de la Fig. 24.
III. DIODES SPÉCIALES.

. DIODES ZENER.

1. Caractéristique.

Fig. 25. Caractéristique d'une diode zéner.

Nous avons déjà parlé de l'effet zéner. Il concerne la caractéristique inverse de la

diode.

En direct, une diode zéner se comporte comme une mauvaise diode normale.

En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zéner et / ou d'avalanche se

produise à une tension bien déterminée, et ne soit pas destructif. La caractéristique
inverse présente alors l'allure d'un générateur de tension à faible résistance interne.

En général, les constructeurs spécifient :

- la tension d'avalanche Vzt pour un courant déterminé Izt. (les valeurs de tension
sont normalisées).

- à ce point de fonctionnement Vzt / Izt, on donne la résistance dynamique de la

diode rzt.

- le courant Izm pour lequel la puissance dissipée dans le composant sera le

maximum admissible.

- on indique aussi le coefficient de variation en température de la tension Vzt.

En dessous de Vzt = 5V, c'est l'effet zéner qui prédomine. Au dessus, c'est l'effet
d'avalanche.

L'effet zéner est affecté d'un coefficient de température négatif (Vzt diminue quand
la température augmente), et l'effet d'avalanche d'un coefficient positif. Les diodes
ayant une tension Vzt d'environ 5V ont un coefficient de température nul, car les
deux phénomènes se produisent de manière équilibrée, et leurs effets se
compensent.

L'effet d'avalanche est plus franc que l'effet zéner, ce qui fait que le coude de
tension inverse est plus arrondi pour les diodes zéner de faible tension.

Les diodes optimales en terme d'arrondi de coude et de résistance dynamique ont

des tensions zéner voisines de 6 à 7V.
2. Schéma équivalent.

Pour simplifier les calculs, et comme pour la diode, on va définir un schéma

équivalent approchant la réalité.

Si on utilise le composant suffisamment loin du coude, le schéma suivant modélise

bien le comportement d'une diode zéner :

Fig. 26. Schéma équivalent de la diode zéner

On définit une tension de coude Vzo, et une résistance interne constante Rz.

Ce schéma sera à utiliser avec beaucoup de prudence sur des zéners de faible
tension (< 5V) : leur coude est très arrondi, et la résistance dynamique varie
beaucoup avec le courant. Pour des tensions supérieures à 5V, il n'y aura en général
pas de problèmes.

3. Régulation de tension.

De par leurs caractéristiques de générateur de tension, ces diodes sont idéales pour
réguler des tension continues ayant une ondulation résiduelle non négligeable (cas
des tensions redressées filtrées).

Fig. 27. Régulation de tension avec diode zéner.

Il est nécessaire d'intercaler une résistance (ou un générateur de courant) entre le

générateur de tension filtrée et la zéner de régulation : ces deux éléments ayant des
caractéristiques de générateurs de tension à faible résitance interne, on ne peut pas
les brancher directement l'un sur l'autre sans les détruire.

Pour que la zéner fonctionne et assure son rôle de régulateur, il faut qu'un courant
Iz non nul circule en permanence dans ce composant, et ce quelles que soient les
variations de la tension d'entrée Vc et de la charge Ru.

La résistance R assure donc le rôle de polarisation de la zéner, et elle sera calculée

pour que la condition énoncée ci-dessus soit remplie. Il faudra aussi veiller à ce que
le courant Iz ne dépasse pas le courant Izm, sous peine de détruire le régulateur.
 Fig. 28. Schéma équivalent du régulateur

Lorsque la polarisation est correcte, on peut faire le schéma équivalent du montage.

La tension d'entrée du régulateur a été scindée en une tension continue (la tension
moyenne aux bornes du condensateur), et une tension alternative (l'ondulation).

On peut définir deux coefficients de stabilisation pour caractériser ce montage. En

effet, il est loin d'être parfait, et la tension de sortie va varier lorsque la tension
d'entrée et / ou la charge vont varier. On distingue deux coefficients :

- Stabilisation amont : ce coefficient est représentatif de la sensibilité du montage

aux variations de la tension non régulée, et ceci à charge constante . Si on utilise
les notations de la Fig. 27, c'est le rapport ( V z / Vc)Iu = cte.

- Stabilisation aval : ce coefficient est représentatif de la variation de la tension de

sortie quand le courant dans la charge varie (Ru varie de ± R u ), et ceci à tension
R

d'entrée constante. C'est le rapport ( V z / Iu)Vc = cte, soit en fait, l'impédance de

sortie du montage . Ce paramètre est très important dans tous les régulateurs de
tension.

Il est plus simple pour calculer ces coefficients d'utiliser le schéma équivalent
alternatif petits signaux. On retire alors toutes les sources de tension continues.

Fig. 29. Schéma équivalent petits signaux

Pour le coefficient de stabilisation amont, on a :

Comme en général Ru >> Rz, cette formule devient :

On voit le dilemme : plus R est grand, plus la stabilisation amont est bonne, mais
en contrepartie, quel gâchis ! Il faudrait prévoir des tensions filtrées très grandes
par rapport aux tensions régulées pour avoir un bon coefficient de régulation. Cela
ferait beaucoup d'énergie perdue dans R. Pour pallier cet inconvénient, on remplace
R par un générateur de courant : la chute de tension à ses bornes pourra être petite,
et par contre, sa résistance interne (celle qui va servir pour le calcul en
remplacement de R) sera très grande : on a les deux avantages, une très bonne
 régulation et un bon rendement.

Le coefficient de stabilisation aval est égal à l'impédance de sortie du montage ;

c'est la résistance du générateur de Thévenin équivalent, soit :

R étant souvent très supérieur à Rz, on obtient :

Dans ce cas, il n'y a pas grand chose à espérer d'un artifice quelconque pour
améliorer cette valeur, sauf à rajouter d'autre composants actifs comme des
transistors.

En général, on rajoute toutefois un condensateur en parallèle avec la zéner : son

impédance vient diminuer celle du montage aux fréquences élevées. C'est
avantageux si le montage alimenté a une consommation en courant avec des
composantes à hautes fréquences. Ce condensateur diminue aussi le bruit interne de
la zéner qui est assez important.

Ce type d'alimentation est appelé régulateur shunt , car le courant de régulation Iz

est dérivé à la masse.

En pratique, ces régulateurs sont utilisés dans des montages simples nécessitant peu
de puissance.

4. Écrêtage des surtensions.

De par leurs caractéristiques, les diodes zéner sont idéales pour écrêter des
surtension (commutation de selfs ou autres) et sont donc toutes indiquées pour la
protection d'autre semi-conducteurs sensibles a ces surtensions.

Certains composants comme les transils ont des caractéristiques similaires aux
zéners, mais peuvent supporter des puissances crête considérables pendant de
courts instants. Ils sont utilisés pour protéger les installations coûteuse contre la
foudre et les parasites d'équipements industriels (gros moteurs, relais de puissance,
commutateurs statiques ).
A. DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES.

1. Caractéristique.

Ces diodes spécifiques à base d'arseniure de gallium ont la propriété d'émettre de la

lumière dans une bande de fréquence déterminée par les caractéristiques du
matériau employé quand elles sont traversées par un courant direct.

Il en existe de diverses couleurs (jaune, orangé, rose, rouge, vert, infrarouges).

Leur rendement lumineux est assz faible. On les utilise avec un courant direct
d'environ 10 à 20mA.

La tension de coude de ces composants est plus élevée que pour les diodes
standard, et elle dépend de la couleur. Elle va de 1,2 à 2V environ.

2. Utilisation.

Les utilisations des Led sont de plus en plus nombreuses, car ces composants sont
plus fiables que des lampes à incandescence, et leur rendement est un peu meilleur.

On les rencontre partout où on a besoin de témoins lumineux, et de plus en plus,

associées en matrices pour remplacer des grosses lampes (feux tricolores de
circulation par exemple), ou pour faire des panneaux d'affichage électroniques
(heure, température, publicités diverses ).

Les diodes à infrarouges servent beaucoup dans les télécommandes d'appareils TV

/ HIFI. On les utilise alors avec des forts courants pulsés.

B. AUTRES.

Il existe encore beaucoup d'autres variétés de diodes. Citons entres autres :

- les diodes Schottky, à jonction métal / semi-conducteur : cette jonction hétérogène est
caractérisée par l'absence de stockage des charges, elle est donc très rapide. Elle est très
utilisée dans les circuits logiques rapides (TTL Schottky).

- les diodes varicap : on utilise la variation de la capacité de jonction avec la polarisation

inverse dans des oscillateurs ou des circuits d'accord. On fait alors facilement varier la
tension d'oscillation ou d'accord en modifiant la tension de polarisation.
CHAPITRE 3 Les transistors bipolaires
I. PRÉAMBULE

Il existe une catégorie de composants (qu'ils soient électriques, mécaniques, etc ) très
intéressante : c'est celle qui permet d'obtenir en sortie du dispositif une grandeur de même nature
et proportionnelle au stimuli d'entrée. Les exemples foisonnent :
- le levier, qui permet d'avoir en sortie un effort plus important qu'en entrée, ou bien un
déplacement plus important (ou plus faible) que celui appliqué à l'entrée.
- l'engrenage, qui est la même chose que le levier pour les mouvements rotatifs : il permet de
multiplier ou diviser la vitesse ou bien le couple d'entrée.
- le transformateur, qui permet de multiplier ou diviser la tension d'entrée.

Dans chacun de ces cas, la variable de sortie est de même nature que le stimuli à l'entrée, et il
existe un coefficient de proportionnalité entre les deux, indépendant du stimuli d'entrée, donc
intrinsèque au dispositif. Il faut toutefois noter que dans tous les cas cités, il y a conservation de
l'énergie : l'énergie à la sortie du composant est la même que celle à l'entrée.

Il existe d'autres dispositifs présentant les mêmes caractéristiques que ceux précédemment cités,
et qui en plus, permettent de multiplier l'énergie : on trouve en sortie du dispositif une énergie
supérieure à celle fournie à l'entrée. Bien entendu, il n'y a pas de génération spontanée d'énergie, il
faudra donc au dispositif une entrée supplémentaire par laquelle une source sera susceptible de
fournir de l'énergie. Dans ce cas, il n'y a pas seulement transformation de la sortie
proportionnellement à l'entrée, mais transfert d'énergie d'une source extérieure à la sortie du
dispositif, ce transfert étant contrôlé par l'entrée. Des exemples mécaniques bien connus sont
respectivement les freins et la direction assistée.

Dans le premier cas, l'effort de freinage est proportionnel à l'effort exercé sur la pédale, mais une
source d'énergie auxiliaire permet d'avoir à la pédale un effort beaucoup plus faible que ce qu'il
faudrait sans l'assistance.

Dans le deuxième cas, on a la même chose : les roues tournent proportionnellement à l'angle de
rotation du volant, mais la plus grosse partie de l'effort est prise en charge par un dispositif
hydraulique.

Dans les deux cas, le dispositif permet d'amplifier l'effort exercé tout en le conservant
proportionnel au stimuli d'entrée, ce qui facilite la commande.

Un tel dispositif est en fait un robinet de régulation d'énergie : il faut disposer d'un réservoir
d'énergie, on pose le robinet dessus , et on peut disposer de l'énergie proportionnellement à une
commande d'entrée.

En électronique, un tel composant est intéressant, car il va permettre d'amplifier un signal, et de

commander des actionneurs requérant de la puissance (haut parleurs moteurs, etc ) avec des
signaux de faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de température, de pression, ).

Le transistor à jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en électronique. Son
domaine d'action est donc particulièrement vaste

A noter qu'avant le transistor, cette fonction était remplie par des tubes à vide (triodes entre
autres).

L'avènement du transistor n'a donc pas apporté la fonction miracle en elle même, mais une
commodité d'utilisation, l'encombrement réduit (les tubes à vide ont besoin d'un système
d'alimentation complexe avec des tension relativement élevée, et nécessitent une adaptation
d'impédance en sortie (transformateur)), et plus tard, la fiabilité, le faible coût
II. PRINCIPE ET CARACTÉRISTIQUES.

A. INTRODUCTION À L'EFFET TRANSISTOR.

Nous avons déjà vu à propos de la diode que si celle-ci est polarisée en inverse, les
porteurs minoritaires (électrons de la zone P et trous de la zone N, créés par l'agitation
thermique) traversent sans problèmes la jonction et sont accélérés par le champ extérieur.

On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la jonction, ils
deviennent minoritaires dans l'autre zone, et qu'ils mettent un certain temps à se
recombiner avec les porteurs opposés.

Partant des deux remarques précédentes, on peut déduire que si on injecte dans la zone N
d'une jonction NP polarisée en inverse beaucoup de trous (qui seront dans cette zone des
porteurs minoritaires) en faisant en sorte qu'ils ne se recombinent pas avec les électrons de
la zone N, ils vont traverser la jonction et créer un courant dans le circuit extérieur.

Fig. 1. Injection de trous dans une zone N.

La figure 1 illustre ce propos : il y aura des recombinaisons (charges + et - encerclées),

mais limitées, et la plupart des trous iront dans la zone P et formeront le courant I2. A
noter que les recombinaisons correspondent au courant I1-I2.
B. LE TRANSISTOR RÉEL.

Ce que nous venons de décrire n'est ni plus ni moins que l'effet transistor : il ne manque
que le moyen d'injecter des trous dans la zone N et de faire en sorte que les
recombinaisons soient faibles, pour que la majorité des trous passent dans la zone P.

1. Principe de fonctionnement.

Dans le transistor réel, on va apporter les trous en créant une jonction PN, que l'on
va polariser en direct. On rajoute pour ce faire une zone P sur la zone N du
montage Fig. 1. Cette zone P qui injecte les trous est alors l'émetteur , et la zone
N, faiblement dopée est la base . Comme dans le schéma de la Fig. 1., la jonction
NP est polarisée en inverse. La deuxième zone P est le collecteur (voir Fig. 2.).

Fig. 2. Schéma de principe d'un transistor.

Les trous injectés dans la base par l'émetteur ont une faible probabilité de se
recombiner avec les électrons de la base pour deux raisons :

- la base est faiblement dopée, donc, les porteurs majoritaires (électrons) seront peu
nombreux.

- la base est étroite, et donc les trous émis sont happés par le champ électrique
collecteur-base avant d'avoir pu se recombiner (la largeur de la base est petite
devant la longueur de diffusion des porteurs minoritaires injectés par l'émetteur, qui
sont ici les trous).

On peut observer le phénomène d'un point de vue différent : quand on injecte un

électron dans la base, l'émetteur devra envoyer plusieurs trous dans la base pour
qu'il y en ait un qui se recombine avec l'électron émis. Les autres trous vont passer
directement dans le collecteur.

En première approximation, le nombre de trous passant dans le collecteur est

proportionnel au nombre d'électrons injectés dans la base.

Ce rapport de proportionnalité est un paramètre intrinsèque au transistor et

s'appelle le gain en courant .

Il ne dépend que des caractéristiques physiques du transistor : il ne dépend ni de la

tension inverse collecteur base, ni du courant circulant dans le collecteur. (ceci n'est
qu'une approximation, mais dans les hypothèses de petits signaux, c'est assez bien
vérifié.)
On a les relations suivantes :
2. Constitution et caractéristiques physiques d'un transistor.

Un transistor bipolaire est donc constitué de trois zones de silicium alternativement

dopées N et P, formant deux jonctions PN.

Le transistor décrit au paragraphe précédent comporte deux zones P et une zone N.

C'est une des deux façons d'agencer les jonctions pour fabriquer un transistor :

- soit une zone P, une N et une P : le transistor est dit PNP.

- soit une zone N, une P et une N : le transistor est dit NPN.

Dans les deux cas, la zone centrale (base) est très étroite vis à vis de la longueur de
diffusion des porteurs minoritaires issus de la zone adjacente (l'émetteur).

La base possède en outre la caractéristique d'être très faiblement dopée en

comparaison de l'émetteur.

3. Courants de fuite.

La relation [1] n'est qu'imparfaitement vérifiée pour une autre raison : si on reprend
le schéma Fig. 2. et qu'on coupe la connection de la base (Ib = 0), on s'aperçoit que
le courant circulant dans le collecteur n'est pas nul, dû à des porteurs minoritaires
qui passent de la base dans le collecteur. Ce courant est nommé ICEO. La relation
[1] devient donc :

En pratique, aux températures ordinaires, ce courant de fuite sera négligé. On verra

par la suite qu'on s'arrangera pour polariser les montages de telle manière que le
point de polarisation soit quasiment indépendant du courant de fuite.

4. Symboles, tensions et courants.

Dans le symbole du transistor (figures 3 et 4), une flèche désigne l'émetteur ainsi
que le sens de circulation du courant d'émetteur ; c'est le sens de cette flèche qui va
repérer le type de transistor : NPN pour un courant d'émetteur sortant du transistor,
et PNP dans le cas inverse.

La base est représentée par une barre parallèle à l'axe collecteur-émetteur. D'autres
symboles existent, mais celui-ci est le plus usité.

Les transistors sont des composants polarisés : les courants indiqués sont les seuls
possibles pour un fonctionnement correct. En conséquence, il faudra choisir le type
de transistor adapté au besoin (NPN ou PNP) et faire attention au sens de
branchement.
 Transistor NPN

Fig. 3. Courants et tensions sur un NPN.

Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont

rentrants, et le courant d'émetteur est sortant. Les tensions VBE et VCE sont
ici positives.

 Transistor PNP

Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont

sortants, et le courant d'émetteur est rentrant. Les tensions VBE et VCE sont
ici négatives.

Fig. 4. Courants et tensions sur un PNP.

C. CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES.

Pour ce paragraphe, nous allons étudier les caractéristiques des transistors NPN. Celles des
transistors PNP sont les mêmes aux réserves de signes décrites au paragraphe précédent.

Les transistors NPN sont plus répandus car ils ont de meilleures performances que les PNP
(la conductibilité du silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi que la tenue en
tension).

1. Montages de base.

Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune
à l'entrée et à la sortie du montage, il y a 3 manières fondamentales de procéder :

- la patte commune est l'émetteur : on parle de montage émetteur commun .

L'entrée est la base et la sortie le collecteur.

- La patte commune est la base : on parle de montage base commune . L'entrée est
l'émetteur et la sortie le collecteur.

- La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun .

L'entrée est la base et la sortie l'émetteur.

Nous reverrons ces trois montages fondamentaux dans un chapitre spécifique.

2. Schéma de mesure des caractéristiques.

Les caractéristiques qui suivent sont données pour un montage émetteur

commun . Le schéma le plus simple est le suivant :

Fig. 5. Montage de base émetteur commun .

Dans ce schéma, la base est polarisée en direct par la résistance de base Rb : le

potentiel de la base est alors de 0,7V environ, car l'émetteur est à la masse et la
jonction base émetteur est l'équivalent d'une diode passante.

Le collecteur est lui polarisé par la résistance de collecteur R c de telle manière que
la tension du collecteur soit supérieure à la tension de la base : la jonction base
collecteur est alors polarisée en inverse.

On polarise donc convenablement le transistor avec une simple alimentation et

deux résistances. Dans ce montage, l'entrée est la base et la sortie est le collecteur.

L'entrée est caractérisée par les deux grandeurs IB et VBE, et la sortie par les
grandeurs IC et VCE, soit 4 variables.
3. Caractéristique d'entrée.

La caractéristique d'entrée du transistor est donnée par la relation IB = f (VBE) @

VCE = cte.

En fait, le circuit d'entrée est la jonction base émetteur du transistor, soit une
jonction diode.

Cette caractéristique va dépendre très peu de la tension collecteur émetteur : on la

donne en général pour une seule valeur de VCE. La courbe est la suivante :

Fig. 6. Caractéristique d'entrée du transistor.

La tension VBE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du transistor
(courant de base inférieur au mA). Cette valeur est donc légèrement supérieure à
celle d'une jonction de diode.

4. Caractéristique de transfert.

La caractéristique de transfert est définie par la relation IC = f (IB) @ VCE = cte.

Nous avons déjà dit que le courant d'émetteur est proportionnel au courant de base
(formule [1]).

Fig. 7. Caractéristique de transfert du transistor.

La caractéristique de transfert est donc une droite ; le transistor est un générateur de

courant commandé par un courant.

Si on considère le courant de fuite ICEO, la caractéristique ne passe pas par l'origine,

car IC = ICEO pour IB = 0.

Le du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 5 à 10

pour des transistors de grosse puissance, 30 à 80 pour des transistors de moyenne
puissance, et de 100 à 500 pour des transistors de signal.
5. Caractéristique de sortie.

La caractéristique de sortie du transistor est définie par la relation IC = f (VCE) @

IB = cte. En pratique, on donne un réseau de caractéristiques pour plusieurs valeurs
de IB.

Fig. 8. Caractéristiques de sortie du transistor.

Sur ces caractéristiques (Fig. 8.), on distingue deux zones :

- une zone importante où le courant IC dépend très peu de VCE à IB donné : cette
caractéristique est celle d'un générateur de courant à résistance interne utilisé en
récepteur. Dans le cas des transistors petits signaux, cette résistance est très
grande : en première approche, on considérera que la sortie de ce montage à
transistor est un générateur de courant parfait.

- La zone des faibles tensions VCE (0 à quelques volts en fonction du transistor) est
différente. C'est la zone de saturation. Quand la tension collecteur-émetteur
diminue pour devenir très faible, la jonction collecteur-base cesse d'être polarisée
en inverse, et l'effet transistor décroît alors très rapidement. A la limite, la jonction
collecteur-base devient aussi polarisée en direct : on n'a plus un transistor, mais
l'équivalent de deux diodes en parallèle. On a une caractéristique ohmique
déterminée principalement par la résistivité du silicium du collecteur. Les tensions
de saturation sont toujours définies à un courant collecteur donné : elles varient de
50mV pour des transistors de signal à des courants d'environ 10mA, à 500mV pour
les mêmes transistors utilisés au maximum de leurs possibilités (100 à 300 mA), et
atteignent 1 à 3V pour des transistors de puissance à des courants de l'ordre de
10A.
6. Limites d'utilisation.

Le transistor pourra fonctionner sans casser à l'intérieur d'un domaine d'utilisation

bien déterminé.

Ce domaine sera limité par trois paramètres :

- le courant collecteur maxi ICMax. Le dépassement n'est pas immédiatement

destructif, mais le gain en courant va chuter fortement, ce qui rend le transistor
peu intéressant dans cette zone.

- la tension de claquage VCEMax : au delà de cette tension, le courant de collecteur

croît très rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur du transistor.

- la puissance maxi que peut supporter le transistor, et qui va être représentée par
une hyperbole sur le graphique, car on a la relation :

Fig. 9. Limites d'utilisation du transistor.

Toute la zone hachurée sur la caractéristique de sortie du transistor (Fig. 9.) est
donc interdite.

7. En bref

Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor, c'est que c'est un

amplificateur de courant : c'est un générateur de (fort) courant (en sortie)
piloté par un (faible) courant (en entrée).

8. Paramètres essentiels des transistors.

Le choix d'un transistor (au premier ordre) se fera en considérant les paramètre
suivants :

- Le VCEMax que peut supporter le transistor.

- Le courant de collecteur maxi ICMax.
- La puissance maxi que le transistor aura à dissiper (ne pas oublier le radiateur !).
- Le gain en courant .
- Si on utilise le transistor en commutation, la tension de saturation VCEsatmax sera
un critère de choix essentiel.
III. MONTAGES DE BASE.

A. PRELIMINAIRE.

1. Mise en œuvre du transistor.

On a vu que le transistor était un amplificateur de courant : on va donc l'utiliser

pour amplifier des signaux issus de sources diverses. Il va falloir pour cela
mettre en œuvre tout un montage autour du transistor pour plusieurs raisons :

 Alimentation.
Le transistor, tout en étant classifié dans les composants actifs, ne fournit
pas d'énergie : il faudra donc que cette énergie vienne de quelque part !
C'est le rôle de l'alimentation qui va servir à apporter les tensions de
polarisation et l'énergie que le montage sera susceptible de fournir en sortie.

 Polarisation.

Le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul sens : il va donc

falloir le polariser pour pouvoir y faire passer du courant alternatif, c'est à
dire superposer au courant alternatif un courant continu suffisamment grand
pour que le courant total (continu + alternatif) circule toujours dans le
même sens.

Il faudra en plus que la composante alternative du courant soit

suffisamment petite devant la composante continue pour que la linéarisation
faite dans le cadre de l'hypothèse des petits signaux soit justifiée.

 Conversion courant/tension.
Le transistor est un générateur de courant. Comme il est plus commode de
manipuler des tensions, il va falloir convertir ces courants en tensions : on
va le faire simplement en mettant des résistances dans des endroits
judicieusement choisis du montage.
 Liaisons.
Une fois le transistor polarisé, il va falloir prévoir le branchement de la
source alternative d'entrée sur le montage. En règle générale, ceci se fera
par l'intermédiaire d'un condensateur de liaison placé entre la source et le
point d'entrée du montage à transistor (base pour montages émetteur et
collecteur commun, émetteur pour montage base commune).
De la même manière, pour éviter que la charge du montage à transistor (le
dispositif situé en aval et qui va utiliser le signal amplifié) ne perturbe sa
polarisation, on va aussi l'isoler par un condensateur de liaison. Ces
condensateurs vont aussi éviter qu'un courant continu ne circule dans la
source et dans la charge, ce qui peut leur être dommageable.

 Insensibilité du montage aux paramètres du transistor.

Dans la mesure du possible, la polarisation devra rendre le montage

insensible aux dérives thermiques du transistor et elle devra être
indépendante de ses caractéristiques (notamment le gain), ceci pour que le
montage soit universel , et ne fonctionne pas uniquement avec le transistor
dont on dispose pour réaliser la maquette. Cela permet aussi de changer le
transistor sur le montage sans se poser de questions en cas de panne.
2. Méthodologie de calcul.
Nous avons déjà vu lors d'une approche globale de l'électronique qu'il convenait
pour des raisons de simplification des calculs de séparer l'étude de la polarisation
de l'étude en alternatif petits signaux.
La polarisation est calculée dans un premier temps ; on fait alors un schéma
équivalent du montage pour le continu. Le calcul se fait simplement avec la loi
d'Ohm et les principaux théorèmes de l'électricité.
Pour la partie petits signaux alternatifs, on a vu qu'on va devoir linéariser les
caractéristiques du transistor au point de fonctionnement défini par la polarisation.
Il faut donc définir les paramètres à linéariser et en déduire un schéma équivalent
du transistor.
La solution globale (celle correspondant à ce qui est physiquement constaté et
mesuré sur le montage) est la somme des deux solutions continue et alternative
définies ci-dessus.
3. Schéma équivalent alternatif petits signaux du transistor. Paramètres
hybrides.
En pratique, pour simplifier l'exposé, nous allons d'abord donner le schéma
équivalent et les équations qui s'y rapportent, pour ensuite justifier ces éléments à
l'aide des caractéristiques des transistors.
Le transistor est considéré comme un quadripôle ; il a deux bornes d'entrée et deux
bornes de sortie (une patte sera alors commune à l'entrée et à la sortie) et va être
défini par 4 signaux : courant et tension d'entrée, courant et tension de sortie. Ces
variables ont déjà été définies (Fig.5) pour le montage émetteur commun : il s'agit
du courant IB et de la tension VBE pour l'entrée, du courant IC et de la tension VCE
pour la sortie.
En fait, ces signaux se décomposent en deux parties : les tensions et courants
continus de polarisation notés IBo, VBEo, ICo, et VCEo, et les petites variations
alternatives autour du point de repos qui sont respectivement ib, vbe, ic, et vce. Nous
avons les équations :

Ce sont les petites variations qui vont nous intéresser pour le schéma équivalent
alternatif qui est le suivant :

Fig. 10. Schéma équivalent du transistor NPN.

Il convient de noter que ce schéma, bien que dérivé du montage émetteur commun
(l'émetteur est bien ici la borne commune entre l'entrée et la sortie) est intrinsèque
au transistor et pourra être utilisé dans tous les cas de figure : il suffira de
l'intégrer tel quel au schéma équivalent du reste du montage en faisant bien
attention aux connections des trois pattes du transistor E, B et C.

L'appellation schéma équivalent du montage émetteur commun provient de la

définition des variables d'entrée et de sortie qui sont celle de ce type de montage.
Nota : On peut remarquer ici que les sens des courants sont conventionnels, et non
absolus, et ne servent qu'à effectuer les calculs comme si les sources étaient
continues ; une seule chose est impérative : phaser convenablement ib et ic. On peut
donc choisir un sens opposé pour ces deux courants. En pratique, cela signifie que
les transistors PNP auront strictement le même schéma alternatif petits signaux que
les NPN.
Dans ce schéma, nous avons les relations suivantes :

L'indice e sur les paramètres hije (qu'on appelle paramètres de transfert) indique
qu'il s'agit des paramètres émetteur commun. On peut mettre le système [10] sous
la forme matricielle suivante :

Nous nous contenterons ici de voir que ça existe , et d'ajouter que ce formalisme
matriciel permet de simplifier les calculs quand on associe plusieurs quadripôles
(en série, en parallèle, en cascade ). Nous n'utiliserons pas ces caractéristiques dans
ce cours.
Si on analyse la première équation du système [10], on y voit l'expression de vbe en
fonction de ib et vce. On a :
- h11e = vbe/ib @ vce = 0 . Si on se rappelle que vbe et ib sont des petites variations
autour du point de repos (VBEo,IBo) et que la caractéristique d'entrée du transistor
est la courbe IB = f(VBE) @ VCE = cte (donc vce = 0), alors, on voit que h11e est la
résistance dynamique de la jonction base-émetteur .
- h12e = vbe/vce @ ib = 0. Ce paramètre est en fait la réaction de la sortie sur
l'entrée dans la théorie des quadripôles. Lors de l'étude du principe du transistor, il
a été dit que cette réaction était négligeable . Dans toute la suite de l'exposé, il ne
sera plus fait mention de ce paramètre.

La deuxième équation nous donne :

- h21e = ic/ib @ vce = 0. Ce paramètre est le gain en courant en fonctionnement
dynamique du transistor. Il peut être légèrement différent du gain en
fonctionnement statique déjà mentionné, car il a été dit que la linéarité de ce
paramètre n'est pas rigoureusement vérifiée.
- h21e = ic/vce @ ib = 0. Ce paramètre a la dimension d'une admittance : c'est
l'inverse de la résistance du générateur de courant de sortie du transistor. En
pratique, sa valeur est faible (donc la résistance est élevée), et sauf montage un peu
pointu , on le négligera, car son influence sera modérée vis à vis de l'impédance de
charge du montage.
On voit qu'en fait, les paramètres de transfert issus de la théorie des quadripôles
colle bien aux caractéristiques physiques du transistor :
- une entrée résistive (la résistance différentielle de la jonction base-
émetteur), la réaction de la sortie sur l'entrée étant négligeable.
- une sortie équivalente à un générateur de courant proportionnel au
courant d'entrée , ce générateur étant imparfait, donc avec une résistance
interne non nulle.
B. MONTAGE ÉMETTEUR COMMUN.

Le décor étant entièrement planté, on va pouvoir passer au montage fondamental à

transistor : le montage émetteur commun . Il réalise la fonction amplification de base de
l'électronique.
1. Polarisation. Point de fonctionnement.

 Polarisation par une résistance.

Le montage le plus élémentaire tout en étant fonctionnel est le suivant :

Fig. 11. Polarisation par résistance de base.

Le fonctionnement est simple : le courant de base IBo est fixé par Rb, ce qui
entraîne un courant de collecteur ICo égal à IBo. Le courant collecteur étant
fixé, la tension aux bornes de Rc va être égale à Rc ICo. Le montage est
entièrement déterminé.
Pour calculer les élément Rb et Rc, on va procéder à l'envers : on va partir
de ce qu'on désire (le courant ICo et la tension VCEo), et remonter la chaîne :
- On se fixe un courant collecteur de repos ICo (c'est le courant de
polarisation). Ce courant sera choisi en fonction de l'application, et variera
entre une dizaine de µA (applications très faible bruit), et une dizaine de
mA (meilleures performances en haute fréquence, soit quelques MHz).
- On se fixe une tension de collecteur VCEo, qu'on prend en général égale à
E/2, pour que la tension du collecteur puisse varier autant vers le haut que
vers le bas lorsqu'on appliquera le signal alternatif.
- La résistance de collecteur Rc , en plus d'assurer une polarisation
correcte de la jonction base-collecteur, convertit le courant collecteur (et ses
variations) en tension. Elle est déterminée par la formule :

- le courant IBo est alors imposé par les caractéristiques de gain en courant
du transistor (le ). On note ici qu'il est impératif de le connaître (donc de le
mesurer) :

- La résistance de base Rb est alors calculée à l'aide de la formule :

- Pour ce faire, on prendra VBEo = 0,7V, car un calcul plus précis (il faudrait
connaître la caractéristique IB = f (VBE) pour le faire !) ne servirait à rien.
On peut résumer toute cette étape de polarisation sur un seul graphique :

Fig. 12. Polarisation du transistor.

On reconnaîtra ici les trois caractéristiques du transistor (entrée, transfert,

sortie) jointes sur le même graphique. Attention : il faut bien remarquer
que les axes sont différents de part et d'autre du zéro !

Ce montage assure les diverses fonction vues précédemment : il est

correctement alimenté, polarisé (jonction base-émetteur en direct, jonction
base collecteur en inverse, courants dans le bon sens ), et il possède des
condensateurs de liaison. Il y a une ombre au tableau : bien que fonctionnel,
ce montage ne garantit pas du tout la fonction de robustesse vis à vis de la
dérive thermique et des caractéristiques du transistor. En effet, on peut
remarquer que :

- si ICEO (le courant de fuite) augmente sous l'effet de la température, rien

ne va venir compenser cette variation : VCEo va augmenter et le point de
polarisation va se déplacer.

- Si on veut changer le transistor par un autre dont le gain soit très différent,
vu que IBo est imposé par E et Rb, ICo = IBo n'aura pas la bonne valeur, et
VCEo non plus. Et il ne s'en faut pas de quelques %, car pour une même
référence de transistor, le gain peut varier d'un facteur 1,5 à 5 ou plus ! On
peut donc se retrouver avec un montage dont le transistor serait saturé, donc
inutilisable pour l'amplification de petits signaux.

Comme il est impensable de mesurer chaque transistor avant de l'utiliser, on

ne peut pas en pratique exploiter le montage décrit Fig. 11. Ce montage n'a
qu'un intérêt pédagogique, et pour des montages réels, on va lui préférer le
montage à polarisation par pont de base.
 Polarisation par pont de base.

Ce schéma est un peu plus complexe que le précédent. Nous allons d'abord
analyser les différences, et ensuite, nous suivrons pas à pas la méthode de
calcul de la polarisation.

Fig. 13. Polarisation par pont de base.

Par rapport au schéma Fig. 11, on note que la base est polarisée à l'aide d'un
pont de résistances Rb1 et Rb2. Le rôle de ces résistances sera de fixer le
potentiel de base. Comme la tension VBE est voisine de 0,7V, ceci impose
de mettre une résistance entre l'émetteur et la masse. Cette résistance est
découplée par le condensateur CDE, qui va être l'équivalent d'un court-
circuit en alternatif.

A quoi servent ces éléments ? Pour raisonner, on va faire abstraction du

condensateur CDE, qui est un circuit ouvert pour le régime continu.

Les résistances du pont de base vont être choisies de telle manière que le
courant circulant dans ce pont soit très supérieur au courant rentrant dans la
base (au moins 10 fois plus grand), ceci afin que des petites variations du
courant de base ne modifient pas le potentiel de la base, qui restera donc
fixe.

Le potentiel d'émetteur va être égal au potentiel de base moins environ 0,7V

et sera lui aussi fixe, à courant de base donné. Dans ce cas, la tension aux
bornes de RE est déterminé. Le courant d'émetteur (donc celui du
collecteur, et celui de la base, via le ) sera alors fixé par la valeur de la
résistance RE et la tension du pont de base.

Le courant collecteur étant défini, on choisit la résistance de collecteur pour

avoir VCEo au milieu de la plage de tension utilisable.

Quel est l'avantage de ce montage ? Supposons que le courant ICEO

augmente sous l'effet de la température. La tension aux bornes de RE va
alors augmenter. Comme le potentiel de base est fixé par le pont Rb1/Rb2, la
tension VBE va diminuer. Cette diminution va entraîner une baisse du
courant de base, donc du courant de collecteur.
Cet effet vient donc s'opposer à l'augmentation du courant collecteur dû à
l'augmentation du courant de fuite ICEO. Le montage s'auto-stabilise.
L'autre avantage, c'est que le courant de collecteur est fixé par le pont de
base et par la résistance d'émetteur. Ces éléments sont connus à 5% près en
général, donc, d'un montage à un autre, on aura peu de dispersions, et
surtout, le courant collecteur sera indépendant du gain du transistor. On a
dit à cet effet que le pont de base est calculé de manière à ce que le potentiel
de base soit indépendant du courant de base : ce potentiel ne dépendra pas
du transistor, et le courant de base s'ajustera automatiquement en fonction
du gain du transistor sans perturber le pont de base.
On fera les calculs dans l'ordre suivant :
- On fixe le courant collecteur de repos ICo . A noter que le courant
d'émetteur sera quasiment le même car IC = IE - IB # IE.

- On fixe le potentiel d'émetteur VEo (au maximum à E/3, et en pratique,

une valeur plus faible : 1 à 2V est une valeur assurant une assez bonne
compensation thermique sans trop diminuer la dynamique de sortie).
- On calcule alors la résistance RE par la formule :

- On se fixe la tension collecteur émetteur VCEo : en général, on la

prendra égale à la moitié de la tension disponible qui est égale non plus à E,
mais à E - VEo. On en déduit la résistance Rc :

- On fixe le courant du pont de base (on prendra une valeur moyenne pour
le du transistor, cette valeur n'étant pas critique ici) :

- On calcule Rb2 (en règle générale, on prendra VBEo égal à 0,7V) :

- On en déduit Rb1 :

Le point de repos du montage étant déterminé, on va passer au

comportement en alternatif.
2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs.
Si on applique les règles définies dans le chapitre "Outils pour l'électronique", on
obtient :

Fig. 14. Schéma équivalent en alternatif.

On notera que la résistance d'émetteur a disparu, car elle est shuntée par le
condensateur de découplage CDE.
En quoi va consister l'étude en alternatif ?
Tout d'abord, on va évaluer la capacité du montage à amplifier le signal d'entrée
. La caractéristique représentative de cette fonction est le gain en tension Av, qui
est le rapport entre les tensions de sortie et d'entrée.
Ensuite, il faut regarder en quoi le montage peut s'interfacer avec la source
d'entrée sans la perturber ; il doit rester le plus neutre possible vis à vis de cette
source, surtout s'il s'agit d'un capteur de mesure ! La grandeur représentative est
l'impédance d'entrée .
Même chose vis à vis de la charge branchée en sortie du montage, qui va utiliser le
signal amplifié : il va falloir regarder dans quelle mesure l'étage à transistor n'est
pas perturbé par cette charge . La grandeur représentative est l'impédance de
sortie .
Nous allons calculer ces trois paramètres. On pourrait y rajouter le gain en courant
Ai qui est le rapport des courants de sortie et d'entrée, et aussi le gain en puissance.
En amplification petits signaux, ces paramètres sont peu utilisés, nous n'en
parlerons donc pas.
 Fonctionnement intuitif .
Avant de faire des calculs compliqués sur un schéma abstrait, il serait bon
de voir comment marche le montage de façon intuitive et qualitative.
On considère que le potentiel d'émetteur est fixe grâce au condensateur de
découplage CDE.

Si on augmente légèrement la tension de base, le courant de base va

augmenter. Le courant de collecteur va augmenter proportionnellement au
courant de base, et donc, la chute de tension dans la résistance Rc va
augmenter. Le potentiel du collecteur va alors baisser.
On peut par conséquent s'attendre à un gain en tension négatif (entrée et
sortie en opposition de phase).

On peut aussi voir ce que donnerait le montage sans le condensateur CDE :

si la tension de base augmente, le courant de base, donc de collecteur
augmente. La tension aux bornes de la résistance d'émetteur va augmenter
aussi, et donc, le potentiel de l'émetteur va remonter, ce qui va entraîner une
diminution de la tension VBE, donc du courant de base, donc du courant de
collecteur : il y a une contre-réaction qui s'oppose à l'amplification.
Le gain en tension sera plus faible qu'avec le condensateur CDE. Nous
aurons l'occasion de revoir ce montage (dit à charge répartie) dans un
chapitre ultérieur.
 Gain en tension.

Le gain en tension peut être défini de deux manières :

- le gain à vide , c'est à dire sans charge connectée en sortie du montage.
- le gain en charge , avec la charge connectée.
Dans ce paragraphe, nous allons calculer le gain de l'étage à vide. Nous
verrons ensuite qu'il est simple de calculer le gain en charge à postériori.
On va d'abord procéder à quelques simplifications dans le schéma :
- les deux résistances du pont de base sont en parallèle du point de vue
alternatif. Nous allons donc les remplacer par une seule résistance Rp dont
la valeur sera égale à Rb1 // Rb2.
- la résistance de sortie 1/h22e du transistor est grande (plusieurs dizaines de
k ). Pour une alimentation E de 12V, un courant ICo de 2mA et une tension
VCEo de 5V, on aura Rc = 2500 , soit environ le dixième de 1/h22e. On va
donc négliger ce dernier terme. On notera que lorsque la tension
d'alimentation est élevée et que le courant de collecteur est faible, cette
simplification est moins justifiée.
- on supprime la charge Ru (hypothèse de calcul).

Avec ces hypothèses, le schéma devient :

Fig. 15. Schéma équivalent simplifié.

On a les équations suivantes :

Si on pose h21e = (le gain dynamique est égal au gain statique), on obtient
l'expression du gain en tension :

Cette expression montre que le gain de l'étage dépend de deux paramètres

du transistor : le gain en courant et la résistance dynamique d'entrée h11e .
Pour augmenter ce gain, on pourrait se dire qu'il suffit d'augmenter Rc
(donc de diminuer le courant ICo pour garder un VCEo constant).

Ce serait une grave erreur : en effet, si on diminue ICo, on diminue aussi

forcément IBo, et en conséquence, la résistance différentielle de la jonction
base émetteur augmente : le gain risque donc de ne pas trop augmenter.

Les paramètres de cette formule sont donc liés : ils ne sont pas
indépendants, et on ne fait pas ce qu'on veut.

Nous allons essayer de trouver une formulation mettant en œuvre des

paramètres indépendants.

Nous avons déjà dit que la jonction base-émetteur était l'équivalent d'une
diode. Elle satisfait notamment aux mêmes formulations mathématiques.
Dans le chapitre relatif à la diode, l'équation [2] donnait la résistance
différentielle en fonction du courant dans la diode :

Pour le transistor, on a la même chose en remplaçant Id par le courant de

base IBo et rd par h11e.

Le terme kT/q est homogène à une tension et vaut environ 26mV à

température ordinaire.

La relation simplifiée entre h11e et IBo (h11e est en et IBo en A) devient

alors :

Si on réinjecte cette relation dans la formule [24] en tenant compte du fait

que ICo = IBo, on obtient :

Le terme 38,5 ICo représente la pente du transistor au point de polarisation

ICo. C'est le rapport IC / VBE en ce point. Il ne dépend pas du transistor :
c'est un paramètre intéressant qui permet de calculer le gain d'un étage
indépendamment du composant choisi pour le réaliser.

Cette formulation du gain est beaucoup plus satisfaisante que la précédente,

car elle ne dépend plus des caractéristiques du transistor, et notamment de
son gain (attention toutefois au facteur 38,5 qui est le terme q/kT : il dépend
de la température !). Elle montre aussi que le gain est relativement figé si on
garde pour règle une tension de polarisation VCEo égale à la moitié de la
tension d'alimentation (moins la tension d'émetteur). Le seul moyen de
l'augmenter est d'accroître la tension d'alimentation ; on pourra alors
augmenter le terme RcICo qui est la chute de tension dans la résistance de
collecteur.

A tire indicatif, pour un montage polarisé sous 12V avec une tension VEo de
2V et VCEo de 5V, on aura Rc ICo égal à 5V, et un gain en tension Av égal à
190.
 Schéma équivalent de l'étage amplificateur.

Le schéma équivalent du montage amplificateur émetteur commun peut être

représenté sous la forme donnée figure 16 (voir chapitre I).

En entrée, on y trouve l'impédance Ze (on néglige la réaction de la sortie

sur l'entrée, donc, il n'y a pas d'autres composants)

En sortie, on a un générateur de tension commandé (la tension de sortie est

égale à la tension d'entrée multipliée par le gain Av de l'étage à vide) avec
sa résistance interne qui sera la résistance de sortie de l'étage.

On notera que la représentation de la sortie est celle du générateur de

Thévenin équivalent

Fig. 16. Schéma équivalent de l'étage amplificateur.

On pourra voir ici une contradiction avec notre montage émetteur commun
qui est doté en sortie d'un générateur de courant. Cette objection est balayée
par les deux points suivants :

- on veut calculer le gain en tension de l'étage ! On considère donc notre

montage comme un générateur de tension avec sa résistance interne, si
grande soit-elle.

- la transformation Norton / Thévenin nous permet de passer d'une

représentation à l'autre simplement.

Ce schéma va nous permettre de définir les impédances d'entrée et de sortie

de notre étage.

 Impédance d'entrée.

Par définition, et en se référant au schéma Fig. 16., l'impédance d'entrée est

égale à :

Ici, le schéma est simple, le générateur d'entrée débite sur deux résistances
en parallèle. On a donc :

On voit qu'on n'a pas intérêt à prendre un pont de base avec des valeurs trop
faibles. Il faudra donc faire un compromis avec la condition de polarisation
(Ip >> IBo). En général, h11e sera petit (1k pour IBo = 26µA), donc cette
impédance sera bien inférieure à Rp, et très souvent, elle sera insuffisante
pour qu'on puisse interfacer des sources de tension (capteurs notamment)
directement sur un étage émetteur commun.
 Impédance de sortie.

Fig. 17. Transformation Norton / Thévenin.

Si on transforme la sortie du montage Fig. 15. en celle du schéma Fig. 16.

(transformation Norton / Thévenin), on obtient le schéma de la figure 17.

la résistance Rc qui était en parallèle sur le générateur de courant h21e ib

devient la résistance en série avec le générateur de tension. L'impédance de
sortie est donc ici très simple à identifier :

Cette valeur est assez élevée, et souvent, on ne pourra pas connecter le

montage tel quel sur une charge.

 Gain de l'étage en charge.

Il y a deux manières de voir la chose :
- On reprend le schéma équivalent de la Fig. 15. et on rajoute Rch en
parallèle avec Rc. La formule du gain devient alors :

- On connaît l'impédance de sortie et la charge. D'après le schéma Fig. 16,

ces deux résistances forment un pont diviseur qui atténue la tension de
sortie à vide. Le gain devient :

- On vérifiera que si on développe Rc // Rch dans la formule [31], on tombe

bien sur la formule [32].
 Bilan. Utilisation du montage.

Au final, le montage émetteur commun est un montage ayant :

- une bonne amplification en tension (de l'ordre de plusieurs centaines).
- une impédance d'entrée relativement faible (égale à h11e, soit de l'ordre
de plusieurs k ), variable en fonction de la polarisation (plus ICo est faible,
plus l'impédance d'entrée est élevée).
- une impédance de sortie assez élevée Rc qui va aussi dépendre du
courant de polarisation ICo.

Ce montage est l'amplificateur de base à transistor et sera donc utilisé

comme sous-fonction dans des circuits plus complexes (discrets, ou intégrés
comme dans l'amplificateur opérationnel). Par contre, il sera souvent
inexploitable seul, et il faudra lui adjoindre des étages adaptateurs
d'impédance.
C. MONTAGE COLLECTEUR COMMUN.

Dans ce montage, l'entrée est la base et la sortie l'émetteur. C'est le collecteur qui est le
point commun entre l'entrée et la sortie. On notera que c'est faux pour la polarisation, car le
collecteur est relié au +E et l'entrée se fait entre base et masse, et la sortie entre émetteur et
masse. En fait, le collecteur est bien commun en alternatif, car le générateur de polarisation
+E est un court circuit pour ce régime, et donc, le collecteur va se retrouver à la masse
alternative : ce sera donc bien la patte commune entrée sortie.

1. Polarisation. Point de fonctionnement.

Comme pour le montage émetteur commun, il y a moyen de polariser le transistor

avec une seule résistance de base, ce qui entraîne exactement les mêmes
inconvénients. Nous passerons donc directement à la polarisation par pont de base,
qui est la plus utilisée. Le schéma complet est donné sur la figure 18.

Par rapport au montage émetteur commun, on remarque que la résistance de

collecteur a disparu. Le condensateur de découplage de RE aussi, ce qui est normal,
car ici, la sortie est l'émetteur : il n'est donc pas question de mettre la sortie à la
masse en alternatif !

Fig. 18. Montage collecteur commun.

Pour la polarisation, on se reportera au paragraphe équivalent du montage émetteur

commun, et on prendra en compte les différences suivantes :

- En général, on fixera le potentiel de repos de l'émetteur à E/2 pour avoir la même

dynamique pour les alternances positives et négatives.

- On n'a pas à se préoccuper du potentiel de collecteur ni de sa polarisation car cette

broche est à +E.
2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs.

Nous avons ici fait les mêmes simplifications de schéma que pour le montage
émetteur commun. On voit bien sur le schéma résultant que le collecteur est le
point commun entrée / sortie.

Fig. 19. Schéma équivalent collecteur commun.

On pourra remarquer que (en le réarrangeant) le schéma équivalent interne du

transistor est le même que pour le montage émetteur commun.

Par rapport à ce dernier montage, on a rajouté la résistance interne du générateur

d'attaque. En effet, on voit qu'ici, l'entrée et la sortie ne sont pas séparés, et donc, la
charge va avoir un impact sur l'impédance d'entrée et l'impédance interne du
générateur d'attaque influera sur l'impédance de sortie. Il ne faut pas oublier que
cette dernière est l'impédance vue de la charge, donc englobe l'étage à transistor et
le dispositif d'attaque.

Le paramètre h21e a été remplacé par , les gains statique et dynamique étant
sensiblement les mêmes.

 Fonctionnement intuitif .

Considérons le schéma de la Fig. 18. Si on augmente la tension de base, la

tension VBE va augmenter, ainsi que le courant IB, donc IC, ce qui va créer
une chute de tension plus grande dans RE. Le potentiel de l'émetteur va
alors remonter, contrariant l'augmentation de VBE, donc du courant IC. Le
potentiel de l'émetteur va ainsi suivre sagement (aux variations VBE près,
qui sont très faibles) le potentiel qu'on impose à la base.

Si on regarde bien le montage, on voit en fait que la tension de sortie est

toujours inférieure à la tension d'entrée de la valeur VBE. Quand on va

appliquer un signal alternatif sur la base, on va le retrouver sur la résistance

d'émetteur diminué de la variation de VBE qui va être très faible.

On voit donc qu'intuitivement, ce montage aura un gain positif mais

inférieur à 1.

Ce n'est pas un montage amplificateur. On va voir que ses caractéristiques

d'impédance d'entrée et de sortie le destinent à l'adaptation d'impédance.
 Gain en tension.

Si on applique la loi des nœuds au niveau de l'émetteur (Fig. 19.), on voit

que le courant circulant dans RE est égal à ( +1) ib et va de l'émetteur vers
le collecteur. On peut alors poser les équations suivantes :

On remarquera au passage en analysant l'équation [33] que vu de la base,

tout se passe comme si la résistance RE était multipliée par le gain en
courant.

On déduit le gain à vide des équations [33] et [34] :

Ce gain est légèrement inférieur à 1, et c'est normal, car la tension de sortie

est égale à la tension d'entrée multipliée par le pont diviseur formé par h11e
et ( +1)RE. En général, RE est du même ordre de grandeur que h11e, ce qui
fait que le terme ( +1) RE est beaucoup plus grand que h11e. A quelques
centièmes près, le gain sera quasiment égal à l'unité . Pour cette raison, et
aussi pour ce qui a été dit dans la rubrique fonctionnement intuitif , on
appelle ce montage émetteur suiveur , car le potentiel d'émetteur suit celui
imposé à la base (aux variations VBE près, qui sont très faibles).

Quand l'étage est chargé sur Rch, il convient de remplacer RE par RE // Rch
dans l'équation [35], ce qui change très peu le résultat, même si R ch est
égale ou même un peu inférieure à RE (dans les mêmes conditions, le gain
de l'étage émetteur commun aurait chuté d'un facteur supérieur ou égal à
2 !).

Ceci augure d'une bonne impédance de sortie : il ne faut pas oublier que ce
paramètre mesure l'aptitude d'un montage à tenir la charge.
 Impédance d'entrée.

Le courant ie est égal à ib augmenté du courant circulant dans Rp.

L'impédance d'entrée va donc être égale à Rp//(ve/ib). On peut tirer cette

dernière valeur de l'équation [33] :

On en déduit la valeur de l'impédance d'entrée :

On remarque que le premier terme est une valeur très élevée (de l'ordre de
RE , h11e étant négligeable), et que malheureusement, la valeur du pont de
R

base vient diminuer cette impédance d'un facteur 10 environ. C'est donc la
valeur de Rp qui va déterminer l'impédance d'entrée. Cette impédance est
quand même au moins 10 fois supérieure à celle de l'émetteur commun.

On voit toutefois que là encore, la polarisation ne fait pas bon ménage avec
le régime alternatif : tout sera une affaire de compromis, comme bien
souvent en électronique. Il n'y aura jamais la bonne solution, mais une
solution intermédiaire qui sera la mieux adaptée au fonctionnement désiré.

Il faut aussi remarquer que vu de la base, les impédances situées dans le

circuit d'émetteur sont multipliées par le gain du transistor. C'est une
remarque très importante qui est toujours vraie.

L'impédance d'entrée a été ici calculée pour un montage fonctionnant à

vide. Si on le charge par Rch, cette résistance vient se mettre en parallèle sur
R E dans la formule [37]. Dans le cas général, l'impédance d'entrée dépend
R

donc de la charge. Cette dépendance sera faible tant qu'on aura une
polarisation par pont de base, car on a vu que Rp est le terme prépondérant.
Il existe néanmoins des astuces pour éliminer l'effet du pont de base
(montage bootstrap ou couplage direct de deux étages à transistor), et dans
ce cas, il faudra tenir compte de la charge.
 Impédance de sortie.

Le calcul va être plus compliqué que pour l'émetteur commun. On

remarquera qu'ici la sortie n'est pas séparée de l'entrée, ce qui fait que tout
le circuit d'entrée va influer sur l'impédance de sortie, y compris la
résistance interne du générateur d'attaque Rg. Comme dans le cas général
cette impédance n'est pas nulle, nous l'avons faite figurer sur le schéma Fig.
19.

Là aussi, il faut calculer les caractéristiques du générateur de Thévenin

équivalent.
On peut écrire les équations suivantes :

Si on considère le générateur de Thévenin équivalent au générateur d'entrée

plus Rp, on peut écrire :

Si on pose :

en injectant [40] et [41] dans [39], on obtient :

En remplaçant ib par cette valeur dans [38], on a :

Après un développement laborieux, on peut mettre Vs sous la forme A eg +

Zsis : ce sont les caractéristiques du générateur de Thévenin de sortie de
l'étage. Le terme Zs est le suivant :

R E , Rg et h11e étant du même ordre de grandeur, le terme divisé par ( +1)

R

va être le plus petit, et RE va avoir un effet négligeable. On pourra aussi

souvent négliger Rp par rapport à Rg. Zs devient :

Cette impédance de sortie est relativement faible : le montage pourra tenir

des charges plus faibles que le montage émetteur commun.

On peut faire une remarque similaire a celle qui a été dite dans le
paragraphe sur l'impédance d'entrée : vu de la sortie, l'impédance du
montage est égale à tout ce qui est en amont de l'émetteur divisé par le gain
en courant.
 Bilan. Utilisation du montage.

Un montage collecteur commun présente donc les caractéristiques

suivantes :

- gain en tension quasiment égal à l'unité .

- impédance d'entrée élevée : environ fois plus grande que celle de

l'émetteur commun si on ne considère pas le pont de base (on verra qu'on
peut l'éviter). La valeur typique est de plusieurs dizaines à plusieurs
centaines de k en fonction du montage.

- impédance de sortie faible (divisée par environ par rapport à l'émetteur

commun). Sa valeur est de l'ordre de quelques dizaines d' .

Ce montage ne sera donc pas utilisé pour amplifier un signal, mais comme
adaptateur d'impédance, situé en amont ou en aval d'un montage émetteur
commun, qui, nous l'avons vu, n'a pas de bonnes caractéristiques d'entrée /
sortie.

On pourra donc intercaler un tel montage entre un capteur à haute

impédance de sortie et un montage émetteur commun sans que celui-ci ne
perturbe le capteur.

On pourra aussi le mettre en sortie d'un montage émetteur commun que l'on
doit interfacer avec une faible charge, et ceci, sans écrouler le gain en
tension de l'étage.
D. MONTAGE BASE COMMUNE.

1. Polarisation. Point de fonctionnement.

Fig. 20. Montage base commune.

Le montage commence à nous être familier : en effet, mis à part l'emplacement du

générateur d'attaque et le condensateur de découplage qui est ici situé sur la base, le
montage est le même que celui de l'émetteur commun.

La procédure de calculs des éléments de polarisation est donc identique, car seuls
les éléments liés au régime alternatif changent.

La raison en est simple : l'amplification est basée sur une augmentation de IC due à
une augmentation de VBE. Pour augmenter VBE, on a le choix entre deux solutions :

- soit on augmente la tension de base à potentiel d'émetteur constant : c'est le

montage émetteur commun.

- soit on abaisse la tension d'émetteur à potentiel de base constant : c'est le montage

base commune.

2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs.

On va donc étudier ici le montage base commune. On voit tout de suite le défaut
que va présenter ce montage : vu qu'on attaque côté émetteur, il faudra faire varier
un courant important, donc, l'impédance d'entrée sera sûrement beaucoup plus
faible que pour l'émetteur commun, qui n'était déjà pas brillant sur ce point. En fait,
ce montage sera peu utilisé, sauf dans des applications hautes fréquences où il
trouvera son seul avantage.

Le schéma équivalent est le suivant :

Fig. 21. Schéma équivalent base commune.

Le pont Rb1 / Rb2 disparait car il est shunté en alternatif par le condensateur de
découplage CDB. La base est bien le potentiel commun entrée / sortie, et le schéma
du transistor est le même que pour l'émetteur commun.
 Fonctionnement intuitif .
Le fonctionnement intuitif a déjà été ébauché dans le paragraphe relatif à la
polarisation : il est rigoureusement le même que pour l'émetteur commun
sauf qu'on attaque l'émetteur pour imposer les variation VBE, avec un
potentiel de base fixe. On aura juste une différence de signe provenant du
fait que quand on augmente la tension de base à potentiel d'émetteur
constant, la tension VBE augmente, et quand on augmente la tension
d'émetteur à potentiel de base constant, elle diminue : une tension d'entrée
positive dans les deux cas aura donc des effets contraires.

 Gain en tension.
Du schéma Fig. 21., on tire les équations suivantes :

D'où l'expression du gain en tension à vide :

Ce gain (au signe près) est le même que pour l'émetteur commun, ce qui est
normal, vu que le fonctionnement est identique.
On peut bien entendu faire les mêmes remarques que pour l'émetteur
commun et mettre le gain sous la forme donnée dans l'équation [27], au
signe près.
Pour le gain en charge, rien de différent non plus, Rch vient se mettre ne
parallèle sur Rc dans la formule du gain à vide.
 Impédance d'entrée.
Du circuit d'entrée, on tire l'équation suivante :

Si on tire ib de l'équation [47] et qu'on le remplace par sa valeur dans [49],

on obtient :

On en tire l'impédance d'entrée :

R E étant du même ordre de grandeur que h11e, le terme prépondérant est

R

h11e / ( +1). Cette impédance d'entrée est très faible, environ fois plus
faible que celle de l'émetteur commun : ce montage, sauf cas très spécial,
est inexploitable tel quel, il faudra un étage adaptateur d'impédance en
entrée pour l'utiliser.
On peut remarquer que cette impédance d'entrée est quasiment la même que
l'impédance de sortie du montage collecteur commun : si on se rappelle de
ce qui a été dit à ce propos, l'impédance vue de l'émetteur est égale à tout ce
qui est en amont divisé par le gain en courant : c'est exactement le cas ici, et
on aurait donc pu prévoir facilement la valeur de l'impédance d'entrée sans
calculs.
 Impédance de sortie.

Pour éviter de longs calculs inutiles, on ne tiendra pas compte de la

résistance du générateur d'attaque Rg.

Du circuit de sortie, on peut tirer l'équation suivante :

L'équation [47] nous donne ib en fonction de Ve ; en le remplaçant par sa

valeur dans [52], on obtient :

C'est l'équation du générateur de Thévenin de sortie : on en déduit que Zs =

Rc.
R

Si on fait le calcul en tenant compte du générateur d'entrée, on démontre

que le résultat reste le même, seul le terme multiplicatif de eg va changer
dans l'expression de la tension de sortie du générateur de Thévenin, et le
terme multiplicatif de is reste Rc.

On a donc :

On aurait pu prévoir ce résultat, car l'entrée est séparée de la sortie par un

générateur de courant qui présente une impédance infinie (en pratique égale
à 1/h22e, qui est très grand) : du point de vue des impédances, on se retrouve
avec l'entrée séparée de la sortie.

 Bilan. Utilisation du montage.

Les caractéristiques sont donc les suivantes :

- même gain en tension que pour l'émetteur commun (plusieurs

centaines).

- impédance d'entrée très faible : quelques dizaines d' .

- impédance de sortie moyenne : quelques k , la même que pour

l'émetteur commun.

En pratique, ce montage sera très peu utilisé, sauf en haute fréquence où il

va présenter une bande passante supérieure à celle du montage émetteur
commun.
E. REMARQUES FONDAMENTALES.

Il faudra garder à l'esprit ces deux remarques fondamentales , qui permettront d'évaluer
grossièrement mais sans calculs les impédances des montages à transistors :

- tout ce qui est vu de la base et situé en aval de l'émetteur est multiplié par le gain en
courant .

- tout ce qui est vu de l'émetteur et situé en amont de celui-ci est divisé par le gain en
courant .

Ces remarques sont fondamentales par le fait qu'on peut évaluer très rapidement les
potentialités d'un montage sans faire de calculs sur le schéma alternatif petits signaux, qui,
on l'a vu, sont particulièrement pénibles, et ne donnent pas beaucoup plus de précision que
ce que l'on peut déterminer très simplement.

Cette façon d'appréhender les choses permet à l'électronicien de bâtir un schéma

rapidement sans se noyer dans les calculs, et aussi, permettent de mieux comprendre le
fonctionnement d'un étage à transistor, autrement que par le biais d'équations.