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Diode

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(GEM PRESENTATION/ FONCTIONNEMENT = Symbole Atp- P. KG aloe D K ee = —— ee fe Vax=Vp Vax= Yb ‘On adopte la convention récepteur 1m Fonctionnement La diode est un composant dipdle (2 pattes : anode «A» et cathode « K ») @ semi-conducteur (jonction PN), qui posséde 2 régimes de fonctionnement ; blo- qué et passant. Ces régimes de fonctionnement ne sont pas contréla~ bles directement, mais, dépendent de la tension Vay. aux bornes de la diode et du courant /d la traversant. Diode bloquée Crest l'état de la diode quand Vay < Vyeuts empéche le passage du courant dans la diode : Diode passante Crest Pétat de la diode quand fp > 0, ce qui entraine Va = Veeuite Raisonnement par l'absurde afin de savoir si une diode est bloquée ou passante Dans un montage, afin de savoir si une diode est pas- sante, il suffit de calculer l'intensité du courant Ip en considérant Vp = Vjqi (comme si la diode était pas- sante) : = si Ip est positif alors "hypothése est vériiée et Vp = Vee: La diode est passante ; ~ sinon, la diode est bloquée ; Ip = 0 et Vp peut étre calculée avec la loi de la maille comprenant la tension Vp. Vp est alors obligatoirement < Vieuj — Viqut €st une donnée fournie par le constructeur et ‘aut fypiquement : — 0,3 V pour les diodes au germanium ; - 0,7 V pour les diodes au silicium. courant circulant dans la diode, est soit nul ce bloquée) soit positif (diode passante) ; ce com- © posant est donc un composant unidiectionnel, est. __ a-dire qu’il ne laisse passer le courant que dans un seul sens. Bs ce qui =0. aa Nt GE CARACTERISTIQUE Tp = FVD) La caractéristique électrique Ip = /(Vp) d'une diode vest pas linéaire. Néanmoins, en faisant quelques approxma- jons, nous pouvons linéariser la caractéristique /, = f Mp). Les différentes approximations donnent naissance aplu- sieurs modeéles, ayant chacun leur domaine d'utilisation. Dans le tableau suivant, nous avons donné 4 types de caractéristiques pour une méme diode Plus on des:end dans le tableau, plus on idéalise la caractéristique Les approximations ont pour out de simplifier les calcus. Modile Caractéristique et schéma équivalent Utilisaion ea Date Boece: 18 Hp es pas comple! fe poi de fonction. ement Cun 0, on dit que la diode est polarisé en direct. a ~ Pour Vp < 0, on dit que la diode est polarisée en inverse. En polarisation inverse, la tension aux barnes de la diode est donc négative (les constructeurs notent fa tension inverse Vz = ~ Vp). = Zone de claquage Si la tension inverse (tension — Vp) aux bornes de la diode devient trop importante. il y a un risque de des- » truction de la diode par claquage de la jonction. Les constructeurs précisent la tension de claquage inverse ; elle correspond a la tension maximum que peut supporter une diode en polarisation inverse: bt Vp: tension de claquage (GEM CARACTERISTIQUES ‘TECHNIQUES #Veeuil Crest la valeur de la tension de seuil, généralement notée V; dans les documents constructeur. (F étant Vabréviation de Forward, direct). ‘Néanmoins, les constructeurs précisent souvent plusieurs tensions de seuil pour différentes valeurs de Ip (ou don- nent la caractéristique complete Ip = fiV,)). Le courant |, est souvent noté /, dans les documentations. La caracté- fistique lp, = f(Vp) devient donc I, = f (V,). Exemple * Diode de commutation 1N4148: V, = I V pour J, = 10 mA. * Diode de redressement RURG3060 : Vimy, = 1.5 V. m= /, (noté souvent I, pour Forward) Jp est le courant direct circulant dans la diode. Les constructeurs précisent son maximum supportable par {a jonction en valeur continue (j,), en valeur créte (I) cen valeur de pointe répétitive (Ijq,). en valeur de sur- charge accidentelle non répétitive (I;g) ou encore en valeur moyenne (lray)- Exemple * Diode 1N4148 : Ijyy = 200 MA : yyy = 2A: le cou- fant maximum supportable est de 200 mA, mais ii peut atteindre « accidentellement » 2 A sans risquer de détruire la diode. * Diode RURG3060 : Irqymax = 30 les = 325 A. m Tension inverse (notée V_ pour Reverse) ‘Vg est la tension aux bornes de la diode quand celle-ci est bloquée (Va = Via): Les constructeurs précisent son maximum supportable par la jonction en valeur continue (V,), en valeur créte (Vqy), en valeur de poi te répétitive (pay), en valeur de surcharge accidentel- enon répétitive (Vasy)- pe Ils précisent aussi la tension Vg (Breakdown), tenson de claquage de la diode en inverse. Exemple + 1N4148 : Very + RURG3060 : Vazyy = um Temps de recouvrement inverse : t,, Une diode ne peut pas passer instantanément de 'éeat passant & I'état bloqué. Le temps de recouvremen: inverse. noté ¢,, dans les documents constructeur, est le temps nécessaire a la diode pour passer de l'état passant a l'état bloqué Exemple © IN4148: t, = 4 ns « RURG3060: t,, = 55 ns = Temps de recouvrement direct : ty, Une diode ne peut pas passer instantanément de I'éat bloqué a état passant. Le temps de recouvrement direct, noté t,, dans les documents constructeur, est le temps nécessaire ala diode pour passer de l'état bloque a I'é:at passant. Les temps t,, et ty, limiteront donc la fréquence de ‘commutation de la diode. [GZ CAs PARTICULIER DE LA DIODE Scuottrky = Symboles Vax: m Caractéristiques techniques Lavantage de ces diodes est de posséder une tension de seuil moins importante (de I'ordre de 0,3 volts). LLautre avantage est de pouvoir commuter rapidement d'état bloqué a I’état passant, leur temps de reccu- vrement inverse. t,,. étant quasiment nul. Ces diodes sont utilisées en haute fréquence. Les constructeurs précisent généralement la fréquerce limite d'utilisation. (GE La DIODE Zener ™ Symbole 51 hi) m Caract Dans le sens direct (Vp et /p posits), cette diode pré- sente In méme earactérstique qu'une autre diode Elle n'a 'érét qu’en utilisation dans le sens inverse (Vp et Ip négatifs) oi es notations changent et devien- nent Via, = —Vp et ly = —Ip. Dans ce sens, cette diode ne présente pas de zone de claquage : 21 Vyq < Vz. lors Iz = 0 (interrupteur ouver = sinon, Vjq = Vz. quel que soit le courant J, la tra- versant. 40 + Diode passante V, est appelée tension Zener. Les constructeurs préci- sent la valeur de la tension Zeer. Un large choix est propose, de 2 V a 300. La valeur maximale du courant /, pouvant travesser la diode, et celle de la puissance dissipse (VX 1,) dans la zone Zenek, sont aussi des caractéristiques de choix importantes. m Résistance dynamique En polarisation Zener, le schéma équivalent présente une ‘ésistance dynamique Ry non null. Aves Rs es a aes ae Vee tVea. Si, vatie, alors Viy. varie aussi. w Utilisation Les diodes Zinn sont appréciées pour leur tension V, sta- ble, On les trouve souvent associées & des fonctions de : « référence de tension ; « écrétage d'une tension ; « alimentation continue de petite puissance. (GME TECHNOLOGIE DES DIODES ET DIODES Zener Diode en boitier plastique DO204 (1N4000) a Caek Diode en boitier verre DO35 (1N4148) — eae Diodes Zener 500 mW en toitier verre DO3S (BZX55C) ee i Diode Zener 1,3 W en boitier verre DO41 (BZX85Q) ————_$ = Constitution Gee compocante semi-conductours élimentaires cont encapsulés en boitiers en plastique ou en verre (ou métal pour les fortes puissances). Leurs modéles mon- trent que ce sont des composants polarisés. ig Civ) SROta: = Marquage La référence est en général marquée en toutes letires autour du composant ce qui tient de l’exploit pour les diodes en boitier DOIS de |.7 mm de diamétre. Fileest plus rarement inscrite selon le code des couleurs. = Domaine d’application Chaque type de diode répond a des caractéristiques et des propriétés spécifiques. Un guide de choix de fabri ‘cant de composant et/ou les fiches techniques du pro- duit sont les éléments consulter pour choisir un composant. Ss Voir aussi le chapitre « redressement » pour les diodes spécialement:concues pour cette fonction. = Montage Le montage doit donc respecter ‘orientation des cio- des et diodes Zine. La cathode C est toujours repérée par une bague qui fait le tour du composant. Cette bague est parfois difficile & reconnaitre sur certains boi- tiers D035, La diode doit étre montée conformémert a la représentation portée sur la sérigraphie ou le plande montage (dessin du composant ou représentaton structurelle).

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