Chapitre 3

Les capteurs optiques

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 1. Introduction

L'optoélectronique exploite essentiellement les phénomènes d'électrolumines-

cence dans les semi-conducteurs pour les photoémetteurs et les phénomènes
en quelque sorte inverses pour les photorécepteurs. La réalisation des com-
posants en optoélectronique est basée sur l'utilisation des semi-conducteurs,
d'où la naissance de plusieurs types de photodétecteurs  Photodiodes de
type PN, PiN, et avalanche,....La lumière présente un aspect ondulatoire,
elle est constituée d'ondes électromagnétiques.
Ces ondes se propagent dans le vide à la vitesse c = 3.10 m/s et dans
8

la matière à une vitesse réduite : υ = nc où n est l'indice de réfraction

du milieu. La fréquence ν et la longueur d'onde λ sont liées par la relation
c
λ= ν
Une onde lumineuse monochromatique est formée d'un champ électrique
et d'un champ magnétique orthogonaux, perpendiculaires à la direction de
propagation et variant sinusoïdalement en phase.

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 2. Les photodiodes

Une jonction PN donne naissance à une zone de déplétion qui se forme

entre un semi-conducteur P et d'un semi-conducteur de type n, cette zone
est dénuée de porteurs libres en équilibre car il y règne un champ électrique ;
ce dernier établit entre les deux éléments semi-conducteurs une barrière de
potentiel Vb :

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 2. Les photodiodes

La tension Vd appliquée à la jonction détermine le courant I qui la traverse :

h qv i
d
I = I0 exp − I0
kT
Pour une tension inverse susamment importante, la hauteur de la barrière
de potentiel qui est accrue est telle que le courant de porteurs majoritaires
devient négligeable et seul subsiste le courant I aux porteurs minoritaires :
0

c'est le courant inverse I de la diode :

r

Ir = I0

Lorsque la diode est soumise à l'action d'un rayonnement de longueur d'onde :

λ ≤ λS ( λs longueur d'onde de seuil), celui-ci provoque la formation de
paires électron-trou.

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 2. Les photodiodes

Sous l'eet d'une polarisation inverse, on aura une augmentation du courant

inverse à travers la jonction. On aura donc un courant inverse qui sera pro-
portionnel à l'intensité de la lumière et quasi-nul en l'absence de lumière, car
en réalité un faible courant existe même dans le noir (courant d'obscurité).
Le courant alors du à la polarisation externe est donné par :
qηPi
iλ =
hv
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 2. Les photodiodes

Pi : La puissance optique incidente qui représente l'énergie apportée par

seconde au détecteur
hc
Pi = Nph hv = Nph
λ
La puissance optique décroît selon la relation suivante :
P(x) = P0 exp(−αx)

Avec Nρh est le nombre de photons et ηa l'ecacité quantique apparente est

donnée par :
nombre de paires collectés /s Iλ
q
nombre de photons incidents /s Nph
ηa = =

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 2. Les photodiodes
Dans la réalisation de la photodiode il faut veiller à ce que :
- la tranche de semi-conducteur éclairée soit très mince de façon à trans-
mettre la majeure partie de l'énergie incidente,
- la zone de déplétion soit large de façon à ce que l'absorption du rayonnement
y soit maximum.
Ces remarques trouvent en particulier leur application dans le cas des diodes
PIN où un matériau intrinsèque (I) de grande résistivité est pris en sandwich
entre le semiconducteur P et le semi-conducteur N :

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 2. Les photodiodes
A. La sensibilité d'une photodiode
- La sensibilité d'une photodiode est donnée par :
iλ qη
S= =
Pi hv
- S(λ) est une fonction non-linèaire.

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 2. Les photodiodes
B. Les modes de fonctionnement
Mode photoconducteur
Dans ce cas, le montage de base comporte une source Es polarisant la diode
en inverse et une résistance aux bornes de laquelle on récupère le signal ou
le courant Ir :

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 2. Les photodiodes
Dans l'étude des performances d'un montage, la photodiode peut être repré-
sentée par son schéma électrique équivalent :

- Dans le cas où : v < 0 la tension inverse appliquée à la diode le courant

d

inverse Ir est donné par :

 
qVd
Ir = −I0 · exp + I0 + Ip
kT

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 2. Les photodiodes
Avec : Ip est le courant d'origine photoélectrique créé par le ux lumineux.
Pour une tension inverse v susante, le terme exponentiel correspondant
d

devient négligeable on aura donc :

Ir = I0 + Ip

D'après le circuit électrique on a :

ES = vR − vd

avec :
vR = Rm Ir
Le point de fonctionnement de la diode est alors l'intersection de La droite
de charge et la caractéristique de la diode correspondant au ux lumineux
incident :
ES vd
Ir = +
Rm Rm
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 2. Les photodiodes

Alors les paramètres du montage précédent équivalent de la photodiode sont :

- une source de courant : Ir = I + Ip , ou Ip est le courant d'origine photo-
0

électrique créé dans la zone de déplétion par le ux lumineux.

-une résistance r en parallèle sur la source de courant et qui correspond à
d

la résistance dynamique de la jonction ; dans le mode photoconducteur, la

diode étant polarisée en inverse rd a des valeurs très élevées, de l'ordre de
1 Ohm.
10

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 2. Les photodiodes
-une résistance r en série avec la charge c'est la résistance ohmique des
S

éléments semiconducteurs entre les bornes d'accès de la diode et la zone de

déplétion ; r est de l'ordre d'une dizaine d'ohms et est souvent négligeable
S

devant la résistance de charge R . m

-Une capacité Cd en parallèle sur rd ce qui permet de traduire le comporte-

ment électrique de la jonction en régime transitoire ou aux fréquences élevées.
Cette capacité décroît comme le montre la gure ci-après sous l'inuence de
la tension inverse appliquée :

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 2. Les photodiodes
Mode photovoltaïque
Aucune source de polarisation externe n'est associée à la diode qui, est équi-
valente à un générateur dont on mesure soit la tension en circuit ouvert
soit le courant de court-circuit.
Calcul de la tension en circuit ouvert Vco
- L'augmentation de I provoque une réduction ∆V de la hauteur de la
p b

barrière de potentiel ; cette réduction entraîne un accroissement du courant

des porteurs majoritaires maintenant l'égalité des courants des porteurs ma-
joritaires et minoritaires de telle sorte que I = 0 cela implique que :
r
   
q∆vb KT I
−I0 exp + I0 + IP = 0 ⇒ ∆vb = log 1+ p
KT q I0
- Selon l'éclairement lumineux on distingue deux cas : Ip ≪ Io Le cas ou
l'éclairement est très faible la tension en circuit ouvert qui est très faible
devient :
KT Ip
VCO = · Où : Ip ≪ I 0
q I0
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 2. Les photodiodes
Le cas des éclairements importants on aura :
KT Ip
VCO = · log Où : Ip ≫ I0
q I0
La tension Vco est dans ce cas plus importante (de 0,1 à 0, 6 V ) mais elle
est fonction logarithmique du ux reçu :

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 2. Les photodiodes
Le point de fonctionnement Q est à l'intersection de la droite de charge ∆
et de la caractéristique de la diode pour le ux incident : il est d'autant
plus voisin de l'axe vd que la résistance Rm est plus élevée.

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 2. Les photodiodes
Calcul du courant de court-circuit :
Lorsque l'on branche aux bornes de la diode une résistance R faible devant
m

r , le courant de court-circuit de la diode est proportionnel au ux

d

incident.
Remarque :
L'avantage de ce mode photovoltaïque c'est la réduction du bruit de Schottky
et la possibilité de mesure de très faibles ux. Alors on peut résumer le
fonctionnement de la photodiode par le tableau suivant :

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 2. Les photodiodes
Le temps de réponse d'une photodiode
Soit le schéma électrique équivalent d'une photodiode qui illustre deux mon-
tages : un schéma complet (a) et un autre simplié (b).

On néglige la résistance rs dont la valeur est généralement inférieure à

quelques dizaines d'ohms . Dans ces conditions, la constante de temps du
montage a pour expression :
rd · Rm
τ = (Cd + Cp ) ·
rd + Rm
soit pour :
= 1011 Ω ⇒ τ = (Cd + Cp ) · Rm
Rm ≪< rd ∼
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 2. Les photodiodes

C. LE BRUIT
Les diverses sources de courant de bruit dans la photodiode sont :
- le bruit Schottky : IbS = 2q (I + Ipm ) B où q est la charge de l'électron,
2
0

I le courant d'obscurité et Ipm le courant photoélectrique dû au ux moyen,

0

B étant la bande passante

- le bruit de Johnson :
2
4KTB
IbR =
rd
où k est la constante da Boltzmann, T la température absolue de la diode
et r la résistance dynamique de sa jonction.
d

RmQ :
Le bruit de création-recombinaison et le bruit en 1/f, ce dernier pouvant être
négligé car il n'est pas important qu'aux fréquences basses.

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 2. Les photodiodes
D. Les montages associés à une photodiode
D-1. Montage en mode photoconducteur
Les caractéristiques du montage associé à la photodiode sont :
la linéarité, un temps de réponse qui est court et une bande passante étendue.
Parmi les montages en photoconducteur utilisés pour la mesure du courant
inverse I on trouve :
r

 
R2
a)vo = Rm 1+ · Ir b)vo = (R1 + R2 ) · Ir
R1
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 2. Les photodiodes
D-2. Montage en mode photovoltaïque
Les caractéristiques de ce montage sont :
- un fonctionnement linéaire ou logarithmique selon la charge et un bruit de
fond minimal,
-un temps de réponse important et une bande passante réduite,
-une sensibilité thermique importante en fonctionnement logarithmique. Comme
exemple de ce type de montage on trouve :

 
R2
a)vo = Rm · Icc b)vo = 1+ · Vco
R1
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 3. La photodiode A AVALANCHE

En appliquant à la diode une tension inverse, inférieure de quelques dixièmes

de volt à se tension de claquage VB , on confère aux porteurs créés par eet
photoélectrique une énergie susante pour qu'ils puissent ioniser par choc
des atomes de la zone de transition et créer une nouvelle paire électron-trou
qui à son tour pourra reproduire le même processus. Il y a alors multiplication
des porteurs et la diode devient le siège d'un phénomène d'avalanche qui
est linéaire en ce sens que le courant d'origine photoélectrique est multiplié
par un facteur M  gain  contrôlable par la tension inverse :
vr = −vd
K
M=
(1 − vr /VB )

K étant une constante qui dépend de la réalisation de la diode. La tension

de claquage VB est comprise selon le type de diode entre 100 et 200 V

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 4. Le phototransistor
La structure d'un phototransistor est basée sur la structure d'un transistor
pour lequel le courant de la base est créé par les photons  la lumière ,
l'éclairement de la base doit se faire sur une surface la plus étendue possible :

Le courant de la base dépendra donc de son éclairement, et chaque photon

incident va créer une paire d'électron/trou. Cela permettra aux électrons
produits de passer dans la zone collecteur avec les électrons issus de la zone
fortement dopée de l'émetteur an de franchir la barrière de potentiel pour
passer dans le collecteur ce qui produit l'eet transistor.
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 4. Le phototransistor
D'après la gure précédente, on peut écrire :
VCC = VCE + RC IC (1)
IC = f (ICE , Ee ) (2)
L'équation (1) exprime la loi d'Ohm et la (2)
exprime la relation du dipôle
phototransistor paramétrée en Ee mW/cm qui représente l'éclairement
2

de la base, la gure ci-dessous présente la caractéristique Ic = f (Vce ) en

fonction de la variation de la puissance lumineuse. On constate aussi qu'il
existe un seuil E à partir duquel le phototransistor commence à fonctionner.
0

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 4. Le phototransistor
Pour quelques applications il est possible de représenter le phototransistor
par le schéma suivant, où on constate qu'on a une photodiode associée à un
transistor :

Dans
h ce cas, ion a : Iph = IB + IRB or IC = β · IB , IC = β (Iph − IRB ) =
β Iph − VRBE
B
Avec : Iph = kEe
 
VBE
IC = K β Ee − = kβ (Ee − E0 )
KRB
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 5. Les Optocoupleurs, photo-coupleurs, opto-isolateurs
Pour réaliser ce type de composant optoélectronique, on passe par l'asso-
ciation d'une photodiode et d'une source de type DEL  diode électrolumi-
nescente  qu'on place dans un même boîtier en l'absence de toute source
lumineuse parasite. Selon les utilisations, la photodiode peut être remplacée
par un phototransistor comme le montre la gure ci-dessous, où être associée
à un montage amplicateur agissant comme montage de conditionnement
du [Link] existe deux types de montages pour les opto-coupleurs :

- Le premier est tel que la DEL est parallèle à la surface réceptrice (montage
face à face)
- Le deuxième est pour lequel la surface émettrice et la surface réceptrice
sont coplanaires de telle façon que le faisceau de lumière subit une réexion
avant d'atteindre la photodiode.
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