Université de Bordj Bou Arreridj
Faculté des Sciences et de la technologie
Département d’Électronique
4éme année MCIL Année universitaire 2021/2022
Module : Électronique de Puissance
TP N° 4 : Les Hacheurs :
Série et Parallèle
1. But de la manipulation
Utilisation des caractéristiques du transistor bipolaire à grille isolée (IGBT).
Compréhension du principe de fonctionnement des hacheurs série et parallèle.
Etude des caractéristiques et performances des hacheurs série et parallèle.
2. Matériel utilisé
Alimentation à courant continu
Transistor IGBT
Générateur d’impulsion (Circuit de commande)
Charge : Résistance R= 33 Ω
Inductance L = 10 mH
Capacitance C = 550 µF
Appareils de mesure (Voltmètre, Ampèremètre)
Oscilloscope numérique bi-canal 204
Câbles de connexion
3. Manipulations
3.1. Partie 1 : Hacheur série
Le montage de la figure suivante représente le montage d’un hacheur série (Abaisseur,
Buck) à base d’IGBT.
Figure 1. Montage hacheur série à base d’IGBT.
1.a. Réaliser le montage de la figure 1 avec les réglages suivants :
Tension d’entrée E = 48 V
Rapport cyclique α = 0.5
Fréquence de commutation f = 10 Khz
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TP N° 4 : Hacheurs : Série et Parallèle
1.b. Alimenter le module de circuit de commande et visualiser le signale de commande.
1.c. Alimenter le montage et observer à l’oscilloscope la tension et le courant de sortie du
hacheur et mesurer la valeur moyenne de la tension et du courant. Comparer ces
résultats avec les valeurs théoriques.
1.d. Observer à l’oscilloscope la tension et le courant de l’IGBT et de la diode.
1.e. Compléter le tableau suivant et tracer VC , moy = f(α).
α 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
VC , moy
1.f. Conclure.
3.2. Partie 2 : Hacheur parallèle
Le montage de la figure suivante représente le montage d’un hacheur parallèle (Élévateur,
Boost) à base d’IGBT.
Figure 2. Montage hacheur parallèle à base d’IGBT.
2.a. Réaliser le montage de la figure 2 avec les réglages suivants :
Tension d’entrée E = 24 V
Rapport cyclique α = 0.5
Fréquence de commutation f = 10 Khz
2.b. Alimenter le montage et observer à l’oscilloscope la tension et le courant de sortie du
hacheur et mesurer la valeur moyenne de la tension et du courant. Comparer ces
résultats avec les valeurs théoriques.
2.c. Observer à l’oscilloscope la tension et le courant de l’IGBT et de la diode.
2.d. Compléter le tableau suivant et tracer VC , moy = f(α).
α 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
VC , moy
2.e. Conclure.