La magnétorésistance géante
Introduction
L'informatique fait aujourd'hui partie intégrante de notre mode de vie moderne. La possibilité d'y
enregistrer une quantité gargantuesque de données y est sûrement pour beaucoup dans notre
engouement pour les ordinateurs. Il est toutefois intéressant de noter que, derrière les capacités de
stockage chaque année plus élevées (il n'est pas rare de trouver aujourd'hui des disques durs de
plusieurs centaines de gigaoctets), la technologie utilisée, la magnétorésistance géante, n'est que
très récente (à peine plus de 20 ans). La magnétorésistance géante est, également, un exemple
parfait pour montrer à quel point les avancés de certains domaines physiques peuvent changer nos
modes de vie et contribuer au développement des industries de pointe.
La magnétorésistance géante, son histoire, son principe
La Magnétorésistance Géante, ou Giant Magnetoresistance (abrégé en GMR), repose sur un
principe physique qui, lui, est bien plus ancien, puisqu'il a été mis en évidence en 1857 par William
Thomson, plus connu sous le nom de Lord Kelvin : la magnétorésistance. Ce phénomène est le
changement de résistance d'un conducteur lorsqu'il est placé dans un champ magnétique extérieur
[1] (il écrit : «...», ce principe est appelé ...). Grâce à cela, Lord Kelvin a pu modifier «à sa guise» la
résistance d'un matériel, et donc de contrôler le nombre de charges électriques traversant un
conducteur. L'intérêt principal était bien sûr de pouvoir détecter ces changements de magnétisation,
et c'est sur ce principe que reposaient les premiers disques durs. Toutefois, cette découverte était
relativement limitée puisqu'elle ne permettait qu'un changement de résistance de l'ordre de 5%. Afin
d'augmenter la capacité des disques durs tout en augmentant pas leur taille, il était en effet
nécessaire de réduire de manière drastique la taille des parties à magnétiser, ce qui avait pour effet
de rendre la lecture extrêmement difficile, tant les différences devenaient minimes. Jusque dans les
années 1980, il était considéré que peu de progrès pouvaient être effectués sur le domaine de la
magnétorésistance.
Mais c'était sans compter deux équipes de chercheurs, l'une dirigée par Albert Fert de l'université
de Paris Sud-Orsay, et l'autre dirigée par Peter Grünberg du Centre de Recherche de Jülich
(Allemagne) qui, conjointement (ils ont d'ailleurs décidé de se partager le Prix Nobel, qu'ils ont reçu
en 2007 [1, 2]), découvrent en 1988 la magnétorésistance géante (car elle repose sur une
«multicouche magnétique», nous en reparlerons plus loin). Cette nouvelle découverte permet
surtout d'offrir une variation de résistance bien plus importante, de l'ordre de 50% (à comparer aux
quelques pour cents de la magnétorésistance de Lord Kelvin !).
Cette découverte repose notamment sur l'électronique du spin, et nous allons donc détailler ce
principe. Dans le cas d'un électron, le spin est une propriété quantique, au même titre que sa masse
et sa charge électrique. En présence d'un champ magnétique, on peut distinguer deux types de
spins pour les électrons : les «spins parallèles» ou «spin-up» (c'est-à-dire les électrons dont le spin
est dans «le même sens» que l'aimantation de la couche) et les «spins antiparallèles» ou «spin-
down» (c'est-à-dire les électrons dont le spin est dans «le sens opposé» de l'aimantation de la
couche). De manière imagée, dans les matériaux les électrons circulent «plus ou moins facilement»
suivant le spin des électrons : un électron spin-down circulera facilement dans un matériel aimanté
dans la même direction, alors qu'au contraire, il aura «plus de difficulté» à traverser un matériel
aimanté dans la direction opposé.
Voici une illustration tiré de [3] montrant une structure de deux matériaux magnétiques (en noir),
séparés par un matériel non magnétique (en gris). Les flèches rouges indiquent la magnétisation
des matériaux, qui est alignée avec la direction du spin-up :
Comme nous pouvons le voir, l'électron qui possède un spin-up traverse la structure de manière très
aisé, tandis que l'électron qui possède un spin-down est plus diffusé et aura donc plus de mal à
traverser le matériel. L'intérêt est très vite clair : la résistance augmente si peu d'électrons passent,
et elle diminue si les électrons passent facilement. La spintronique (électronique du spin) a donc
pour but de contrôler le mouvement des particules en agissant sur leur spin, et donc de modifier la
résistance électrique.
La magnétorésistance géante tire parti de ce principe fondamental. Elle est en effet composé d'un
empilement de films très minces (à peine plus épaisses que quelques rangées d'atomes, soit de
l'ordre du nanomètre), en alternant des couches ferromagnétiques (c'est-à-dire des matériaux qui
ont la capacité de s'aimanter très fortement en présence dans champ magnétique, comme le fer, le
cobalt ou le nickel) et de couches non magnétiques (comme le chrome). Parmi ces couches
ferromagnétiques, certaines sont à aimantation variable, tandis que d'autres sont à aimantation fixe,
comme représenté sur le schéma ci-dessous (issu de [4]. A noter que tous les schémas utilisent ici
deux couches ferromagnétiques, toutefois les recherches initiales concernaient un empilement de
10 couches et plus) :
Si nous souhaitons augmenter la résistance, il devient clair qu'il faille avoir deux orientations
différentes, afin de «filtrer» les deux types de spin :
Cette orientation est appelée «magnétisation antiparallèle», et un diagramme du circuit peut se
représenter ainsi :
Le trajet du haut est celui emprunté par les électrons «spin-up», et celui du bas par les électrons
«spin-down». De ce fait, si on pose 𝑅 ↑la résistance les électrons spin-up traversant les couches
ferromagnétiques et 𝑅 ↓ la résistance des électrons spin-down traversant les couches
ferromagnétiques, on a, en additionnant les résistances, 𝑅 ↑ +𝑅 ↓ en haut et en bas. Puis, en
1 1 1 1
utilisant les formules d'additions des résistances en parallèle ( = (𝑅 ) + (𝑅 )+. . . +(𝑅 ) ), on a
𝑅𝑒𝑞 1 2 𝑛
1 1 1 2 1
=( )+( )= d'où 𝑅𝑎𝑛𝑡𝑖𝑝𝑎𝑟𝑎𝑙𝑙è𝑙𝑒 = ∗ (𝑅 ↑ +𝑅 ↓).
𝑅𝑎𝑛𝑡𝑖𝑝𝑎𝑟𝑎𝑙𝑙è𝑙𝑒 𝑅↑+𝑅↓ 𝑅↑+𝑅↓ 𝑅↑+𝑅↓ 2
Au contraire, si nous souhaitons diminuer la résistance, il suffit de faire en sorte que les matériaux
soient tous aimantés de la même façon, afin de faire en sorte que tous les électrons d'un type de
spin (up ou down) passent sans difficulté :
Cette orientation est appelée une magnétisation parallèle, et un diagramme du circuit peut se
représenter ainsi :
En suivant les mêmes conventions que précédemment, on a, en haut : 2 ∗ 𝑅 ↑et en bas2 ∗ 𝑅 ↓. En
1 1 1 2∗(𝑅↑+𝑅↓) 𝑅↑+𝑅↓
additionnant ces deux résistances, on a =( )+( )= = d'où
𝑅𝑝𝑎𝑟𝑎𝑙𝑙è𝑙𝑒 2∗𝑅↑ 2∗𝑅↓ 4∗𝑅↑∗𝑅↓ 2∗𝑅↑∗𝑅↓
2∗𝑅↑∗𝑅↓
𝑅𝑝𝑎𝑟𝑎𝑙𝑙è𝑙𝑒 = .
𝑅↑+𝑅↓
Si on calcule la différence de résistance, on a :
2 ∗ 𝑅 ↑∗ 𝑅 ↓ 𝑅 ↑ +𝑅 ↓ 4 ∗ 𝑅 ↑∗ 𝑅 ↓ −(𝑅 ↑ +𝑅 ↓)2
𝛥𝑅 = 𝑅𝑝𝑎𝑟𝑎𝑙𝑙è𝑙𝑒 − 𝑅𝑎𝑛𝑡𝑖𝑝𝑎𝑟𝑎𝑙𝑙è𝑙𝑒 = − =
𝑅 ↑ +𝑅 ↓ 2 2 ∗ (𝑅 ↑ +𝑅 ↓)
4 ∗ 𝑅 ↑∗ 𝑅 ↓ −𝑅 ↑ − 𝑅 ↓ − 2 ∗ 𝑅 ↑∗ 𝑅 ↓ 2 ∗ 𝑅 ↑∗ 𝑅 ↓ −𝑅 ↑ − 𝑅 ↓2
2 2 2
𝛥𝑅 = =
2 ∗ (𝑅 ↑ +𝑅 ↓) 2 ∗ (𝑅 ↑ +𝑅 ↓)
2
1 (𝑅 ↑ −𝑅 ↓)
𝛥𝑅 = − ∗
2 𝑅 ↑ +𝑅 ↓
Il est donc évident que la résistance dans la magnétisation antiparallèle est supérieure à celle de la
magnétisation parallèle : la magnétorésistance géante est née !
En d'autres termes, et afin de résumer le principe, on peut dire que, dans un modèle simplifié avec
deux couches ferromagnétiques et une couche non-magnétique, si on utilise une magnétisation anti-
parallèle, la moitié des électrons (on peut en effet considérer pour simplifier que 50% des électrons
ont un spin-up, et les 50% restants un spin-down) passeront sans problème la première couche,
tandis qu'ils rencontreront une grande résistance lors de la traversée de la deuxième couche, et
vice-versa pour l'autre type d'électrons. Donc, théoriquement, 100% des électrons rencontreront une
grande résistance.
En appliquant un champ magnétique, même minime, à ce dispositif, les aimantations des couches
vont s'aligner, du fait de leur ultra-finesse, ce qui laissera donc «le champ libre» à la moitié des
électrons, et donc une augmentation du courant. Comme l'explique Albert Fert, l'un des deux
inventeurs de ce principe, «La variation de la résistance électrique est plusieurs dizaines, voire
centaines de fois plus importante que dans une couche de métal seule.» [5] Pour paraphraser son
expression, il s'agit d'un «système de vannes à électrons actionné par un petit champ magnétique».
Les résultats de la magnétorésistance géante
Après avoir parlé du principe de la magnétorésistance géante, nous allons à présent étudier les
résultats obtenus. Les deux équipes de chercheurs ont en effet pris des chemins très légèrement
différents : l'équipe de Peter Grünberg a utilisé un système similaire à ceux des schémas, constitué
de trois couches : deux couches ferromagnétiques de fer, séparées par une couche de chrome [1] :
L'équipe d'Albert Fert a, elle, empilé plusieurs sous-couches composées d'une couche
ferromagnétiques de fer et une autre de chrome (jusqu'à 60 !) :
Voici les résultats rapportés par les deux équipes (en abscisse, nous avons le champs magnétique
extérieur, et en ordonné le changement de résistance) :
Le graphique de gauche est celui de l'équipe de Grünberg, à température ambiante. On peut donc
apercevoir une baisse de la résistance d'environ 1,5% à température ambiante, tandis qu'ils ont
rapportés des baisses de 10% à une température de 4K.
Le graphique de droite est celui de l'équipe de Fert. Ces résultats ont été observés pour une
température extérieur de 4K, et on peut apercevoir une diminution de la résistance de presque 50%
!
Bref, autant dire que ces résultats étaient, à l'époque, particulièrement encourageants, ce qui n'a
évidemment pas échappé aux oreilles de industriels qui se sont empressés d'exploiter cette
technologie.
Les applications de la magnétorésistance
En effet, la découverte d'une nouvelle méthode permettant d'augmenter la capacité de stockage
sans sacrifier la taille d'un disque dur a très vite séduit les industriels. Il convient dans un premier
temps d'expliquer comment fonctionne un disque dur [3].
Certaines parties du disque sont d'abord magnétisées, puis, lorsque nous souhaitons y accéder,
certaines directions de magnétisations sont interprétées comme un 1 binaire, et d'autres directions
comme un 0 binaire, ce qui permet donc de sauvegarder des données.
A FAIRE
Une nouvelle technologie: l'effet tunnel
L'effet tunnel est un effet quantique qui permet à une particule de franchir un obstacle, même si cela
lui demande plus d'énergie que ce dont elle dispose, ce qui est impossible dans le monde
macroscopique . Les particules ont un comportement probabiliste : il y a toujours une petite
probabilité qu'elles se retrouvent de l'autre côté, comme si elles passaient "à travers" la barrière ou
au dessus d'une barrière moins grande.
Par exemple à notre échelle, si on prend une boule et que lui donne de l'élan pour franchir une petite
bosse on obtient 2 cas de figure:
– le premier cas, l'élan est suffisant et la boule franchie la bosse (on note une diminution de sa
vitesse pendant l'ascension puis une accélération à la descente).
– second cas l'élan n'est pas suffisant et donc la boule ne franchie pas la bosse.
Cependant, on a remarqué, en physique quantique, que certaines particules pouvaient franchir un
obstacle nécessitant une énergie supérieur à la particule en question.
– on obtient donc un troisième cas ou la boule (dans un exemple à l'échelle
macroscopique) franchie l'obstacle sans que l'on ai de force à exercer au départ.
La magnétorésistance à effet tunnel s'avère être l'une des techniques de demain, puisqu'elle est à
la base de la mémoire magnétique (MRAM [7]) et des capteurs de disques durs. La mémoire MRAM
(pour Magnetic Random Access Memory) est une mémoire non volatile, à l'inverse de la RAM, ce
qui signifie que les données n'ont pas besoin d'énergie pour être conservées, ce qui permet
notamment un démarrage plus rapide (tout comme les accès, qui seront bien plus rapides que ceux
de la mémoire RAM actuelle).
La MRAM utilise donc le spin des électrons pour stocker l'information. L'avantage est que les spins
des électrons n'ont pas besoin de courant et donc une mémoire non-volatile. Ensuite pour lire
l'information, il suffit de soumettre à l'endroit désiré par un courant électrique et de mesurer l'intensité
de sortie. En effet la magnétorésistance géante est avant tout une résistance. Il est donc facile de
trouver l'orientation d'un électron quand on connait l'intensité du courant de départ et celui de sortie.
Seulement des problèmes persistent: le temps d'écriture est relativement long car l'orientation d'un
spin influe sur d'autres spins, mais des études réduisent ce temps de façon significative(quelques
dizaines de nanosecondes). Ensuite le coup élevé avec 25$ pour 0,5Mb de MRAM alors que l'on
obtient 256Mb de mémoire flash.
Conclusion
La magnétorésistance géante a donc, sans nul doute, été l'une des découvertes physiques qui a le
plus contribué à l'évolution de l'informatique et des nouvelles technologies en général. Après de
nombreuses années passées à ne plus croire à une réelle évolution de la magnétorésistance, les
découvertes faites sur la magnétorésistance géante et, notamment, la spintronique, ont redonnées
un nouveau souffle à ce domaine [6]. De nombreuses voies se sont ouvertes et s'annoncent
particulièrement prometteuses : la magnétorésistance à effet tunnel, la magnétorésistance
colossale, la magnétorésistance balistique ou, encore plus fort, la magnétorésistance extraordinaire
!
Bibliographie
[1] Kungl. Vetenskapsakademien, The Royal Swedish Institute Of Science, «The Discovery Of Giant
Magnetoresistance» ([Link]
[2] Kung. Vetenskapsakademien, The Royal Swedish Institute Of Science, «The 2007 Nobel Prize
In Physics 2007» ([Link]
[3] University Of Tennessee, 2008, Zachary Barnett, «Giant Magnetoresistance»
([Link]
[4] Printemps des Sciences 2006, «Giant Magnetoresistance»
([Link]
[5] Université de Genève, entretient avec Albert Fert, co-inventeur de la Magnétorésistance
Géante ([Link]
[6] [Link], «Le prix Nobel de Physique 2007 : la magnétorésistance géante»
([Link]
magnetoresistance-geante/)
[7] Wikipedia, «Magnetic Random Access Memory» ([Link]
[8] Solid State Physics, 2001, Ehrenreich H. & Spaepen F., «Perspectives Of Giant
Magnetoresistance»;
([Link]
[Link]