Nanotechnologie

et microélectronique:
Techniques de fabrication des
microsystèmes

[Link]@[Link]
30/12/2022
 Sommaire

i- Introduction
1.1 Définitions: Microsystème
1.2 Histoire de la microélectronique
1.3 Evolution des microsystèmes: loi de Moore
ii- Technologies de fabrication
2.1 Salle blanche
2.2Production de la galette de silicium
2.3 Techniques et processus de fabrication
2.3.1 Technologie de la microélectronique standard
[Link] Oxydation
[Link] Dépôt des couches minces
[Link] Dopage: diffusion et implantation ionique
[Link] Gravure
[Link] Photolithographie
2.3.2 Nouvelles technologies
[Link] Micro-mécanisation des surfaces
2.3.2.2Micro-mécanisation en volume
[Link] Soudage des galettes
[Link] Processus LIGA
2.3.3 Technologie hybride
iii- Quelques exemples d’applications
2
Dépôt des couches
minces

3
 Micomécanisation de Silicium:
Dépôt des couches
Croissance par épitaxie

CVD : Dépôt en Phase chimique

Croissance par non épitaxie
PVD : Dépôt physique en Phase vapeur

Evaporation
Pulvérisation (Sputtering)
L'épitaxie: est une technique de croissance orientée qui consiste à faire
croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique (homoépitaxie)
ou différente (hétéroepitaxie).
1150-1225 ºC
SiCl4 + 2 H2 Si + 4 HCl 4
Définition :

L'épitaxie est une étape technologique consistant à faire croître du cristal sur du cristal.
Etymologiquement, "épi" signifie "sur" et "taxis", "arrangement". La technique va donc
consister à utiliser le substrat comme germe cristallin de croissance et à faire croître la
couche par un apport d'éléments constituant la nouvelle couche. La couche épitaxiée peut
être dopée ou non dopée.
On parlera, dans le cas où :
- les matériaux sont identiques, d'homoépitaxie ; par exemple, épitaxie d'une couche n-
sur une couche n+, impliquée dans la jonction collecteur-base d'un transistor bipolaire
permettant une meilleure tenue en tension de cette jonction polarisée en inverse.

- les matériaux sont différents, d'hétéroépitaxie ; par exemple croissance d'une couche
de GaxAl1-xAs sur une couche de GaAs ; cet assemblage permet la fabrication de
super-réseaux ou de couches à forte mobilité destinées aux transistors HEMT (High
Electron Mobility Transistor).

Dans ce dernier cas, la croissance ne sera possible que s'il y a accord de maille, c'est-à-
dire même réseau cristallin et paramètres de maille très voisins (distance entre atomes peu
différente pour le nouveau réseau ; quelque 1 à 2 % au maximum d'écart).

5
 Dépôt de couches

Types des croissances par épitaxie

•Epitaxie à jet de molécules

•Epitaxie à faisceau chimique

•Epitaxie en phase vapeur organométallique

•
•Epitaxie en phase vapeur hydride

•Epitaxie à couches atomiques

6
 Dépôt de couches minces
Epitaxie par jet molécules

Des Éléments ultra- purs sont chauffés dans des cellules séparées quasi - Knudsen
effusion jusqu'à évaporation . Les éléments évaporé se condensent alors sur la
plaque, où ils peuvent réagir les uns avec les autres . Le terme « faisceau» signifie
que les atomes évaporés n’interagissent pas entre eux jusqu'à ce qu'ils atteignent la
galette .

MBE est caractérisé par une vitesse lente

de dépôt , ce qui permet aux films de
croître de manière épitaxiale . Cela
nécessite proportionnellement meilleur
vide afin d' atteindre les mêmes niveaux
d'impuretés que les autres techniques de
dépôt.

MBE was invented in the late 1960s at Bell Telephone 7

Laboratories by J. R. Arthur and A. Y. Cho
Epitaxie par jet molécules

Schéma descriptif du bati épitaxie par jet moléculaire, EJM, ou Molecular Beam
Epitaxy, MBE (d'après D.V Morgan et K. Board [3]).
8
 Dépôt des couches minces
Epitaxie par faisceau chimique (CBE)

La version hybride de MBE utilise une source de gaz (généralement des hydrures
ou organométalliques) à la place d'un solide.

la source de gaz est à la température ambiante , ce qui évite les problèmes de

contamination .

La source gaz réagissent sur ​la surface du substrat .

La température du substrat peut être plus faible en évitant la ségrégation des

atomes de dopage.

9
 Dépôt des couches minces
Epitaxie en phase vapeur
de Métalorganiques/Organométalliques
(MOVPE/OMVPE)

Pas de procédé sous vide

phase gazeuse à pression modérée

(2 to 100 kPa)

Réaction à la surface des

composés métal-organiques et
des hydrures de métaux.

Phosphure d'indium pourrait être cultivé dans un réacteur sur un substrat 10 en

introduisant du triméthyl indium ( (CH3) 3In ) et de la phosphine ( Ph3 ) .
 Dépôt de couches minces
Epitaxie à phase vapeur Hydride (HVPE)

La technique de croissance épitaxie est utilisée souvent pour produire GaN, GaAs,
InP et ses dérivées
Les gazes porteurs souvent utilisés sont: Ammoniac, Hydrogène et une variété des
Chlorites
Les gazes sont moins dangereux que MOVPE
Le procédé est plus rapide

reaction chimique
REACTION CHIMIQUE
formation de chlorite
Condensation
Element Substrat
(Ga, In....) 11
 Dépôt des couches minces
Epitaxie à couches atomiques (ALE)

La structure réalisé du réseau cristallin est mince , uniforme et alignés avec la

structure du substrat.
L'épaisseur du film est très précis due à l’auto-arrèt de la réaction chimique.

L’élement chimique injecté est fortement lié jusqu'à ce que tous les
sites disponibles pour chimisorption sont occupées
.

ELEMENT
Pas 1 ELEMENT 2
de chemisorption
Le temps mort est utilisé MONOLAYER
MONOLAYER
SUBSTRAT
REACTION MONOCOUCHE
pour rincer l'excès de ELEMENT 2
1
matière.
This technique has been invented in 1977 by Dr. Tuomo Suntola, in the University of
Helsinki in Finland. 12
 Croissance par épitaxie
Sources de Silicium: Sources de Dopants

Tétrachlorure de Silicium SiCl4 Arsine AsH3

Dichlorosilane SiH2Cl2 Phosphine PH3
Trichlorosilane SiHCl3 Diborane B2H6
Silane SiH4

HETEROEPITAXIE

SOI (Silicon / Isolant)

SOS (Silicon / Sapphire- Al2O3)
SOG (Silicon / Glass-SiO2)
13
Procédés d'épitaxie en phase vapeur du silicium

Il existe différents types de procédés d'épitaxie du Silicium suivant la source de silicium

qui
peut être du SiCl2 , SiHCl3, du SiHCl2 et du SiH2

1) à partir du tétrachlorosilane, SiCl4, la réaction est :

SiCl4 gaz + 2H2 gaz Si sol + 4HCl gaz
Elle s'effectue en général autour de 1250°C, ce qui entraîne durant l'épitaxie une
redistribution
importante des dopants.

2) à partir de trichlorosilane, SiHCl3, la réaction est :

SiHCl3 gaz + H2 gaz Si sol + 3HCl gaz
Elle s'effectue en général autour de 1100°C ; c'est la méthode industrielle la plus utilisée
actuellement.

3) à partir de la pyrolyse du dichlorosilane, SiH2Cl2 , la réaction est :

SiH2 Cl2 gaz Si sol + 2HCl gaz
Cette réaction permet d'obtenir une bonne qualité du cristal avec une vitesse de dépôt
relativement élevée.
14
Procédés d'épitaxie en phase vapeur du silicium (suite):

L'ensemble des trois méthodes ci-dessus présente l'inconvénient de produire de l'acide

chlorhydrique qui peut attaquer le silicium en cours de croissance. Par contre, on peut
jouer sur la pression partielle de ce composé pour contrôler la croissance.

4) à partir du silane, SiH4 :

La réaction de pyrolyse du silane est une réaction irréversible :

SiH4 gaz -> Si sol + 2H2 gaz

Cette réaction s'effectue à 1000°C sans composés chlorés. Cette technique permet de
réaliser des jonctions abruptes puisque la température n'est pas très élevée, mais le
silane est un produit coûteux et dangereux (il s'enflamme instantanément à l'air libre)
et la vitesse de dépôt est faible.

15
 Questions de réflexion

1. La vitesse de croissance typique d'une épitaxie par jet moléculaire est de:

a. quelques nanomètres par minute

b. quelques microns par minute
c. quelconque puisqu'on peut la faire varier comme souhaité en fonction des
paramètres de dépôt
d. quelques centimètres par minutes
e. quelques picomètres par minute

2. L'homoépitaxie correspond à la croissance

a. de deux matériaux différents ayant même paramètre de maille

b. de ceux matériaux ayant des paramètres de maille différents
c. d'un même matériau dopé différemment
d. d'un seul matériau dopé uniformément
e. d'un deux matériaux dopés uniformément et différemment

3. Le positionement des atomes en cours de croissance se produit

préférentiellement :

a. à la surface de la couche
b. au niveau de défauts cristallins
c. sur les bords de marche en surface
d. dans des sites cristallins libres et isolés dans la première couche atomique
e. dans des sites interstitiels de la pemière couche atomique

16
 Dépôt des couches minces

CVD: Dépôt à vapeur chimique

Chambere de réacteur
source d’énérgie Système à vide -pour l'enlèver toutes
les autres espèces gazeuses que celles
Galettes requises pour la réaction.

Système d'échappement -pour

l’élimination des sous-produits
de la réaction et de leur
traitement.
Mécanisme de chargement des
substrats
· Chauffage Resistif e.g. Four tubulaire
Système de distribution de · Chaffage par radiation e.g. lampes à halogene
gaz Pour l’alimentation en · chauffage par radio fréquence e.g. chauffage par
précurseurs dans la chambre induction Lasers 17
de réacteur
 Dépôt des couches minces
CVD: Dépòt à vapeur chimique
APCVD: CVD à pression atmosphérique
LPCVP: CVD à base pression
UHVCVD: CVD à pression ultra-elevée

PECVD: CVD à plasma poussé

RPECVD: CVD à plasma poussé à distance
MPCVD: CVD à plsma à micro-onde assistée
RTCVD : CVD thermique rapide
HWCV: Hot Wire CVD/Cat-CVD: Catalytic CVD/HFCVD: Hot Filament CVD

ALCVD: CVD à couche atomique

AACVD: CVD assisté par aerosol
DLICVD: CVD à injection directe de liquide
MOCVD: CVD à métal-organique
18
• Atmospheric pressure CVD (APCVD) procédé à pression
atmosphérique.
• Low-pressure CVD (LPCVD) procédé à pression sub-
atmosphérique. A basse pression, ça permet de réduire les phases de
réactions non-désirables et améliore l’uniformité du film déposé sur
la galette.
Pression Air Hydrogène
105 Pa 60 nm 200 nm
102 Pa 60 m 200 m
10-1 Pa 6 cm 20 cm
Libre parcours moyen
10-4 Pa 60 m 200 m
10-7 Pa 60 km 200 km

•Ultrahigh vacuum CVD (UHVCVD) – procédé à une très basse,

typiquement moins de 10-6 Pa

1 Pascal = 9,86923e-6 atm 19

Low-pressure CVD (LPCVD)

20
• Plasma-Enhanced CVD (PECVD) - procédé qui utilise un
plasma afin d'améliorer les vitesses de réaction chimique des
précurseurs. Il permet le dépôt à basses températures.
• Remote plasma-enhanced CVD (RPECVD) – Dans ce cas, la
galette n’est pas directement placée dans la région de décharge du
plasma . Cela permet un traitement à des températures qui
arrivent jusqu'à la température ambiante.
• Rapid thermal CVD (RTCVD) - procédé qui utilise des lampes
de chauffage ou d'autres méthodes pour chauffer rapidement la
galette. On chauffe seulement le substrat (Sans chauffer les murs
de la chambre ou le gaz ) pour réduire les réactions indésirables
en phase gazeuse qui peuvent conduire à la formation de
particules
21
•Aerosol Assisted CVD (AACVD) - les précurseurs sont transportés
vers le substrat par l’intermédiaire d'un aérosol liquide / gaz, générés
par ultrasons. Pour une utilisation avec des précurseurs non volatils .

•Direct Liquid Injection CVD (DLICVD) - procédé dans lequel les

précurseurs sont des liquides ou des solides dissous dans un solvant
convenable. Les liquides sont injectés dans une chambre de
vaporisation à travers des injecteurs. DLICVD est adaptée à une
utilisation de liquides ou de précurseurs solides. On peut atteindre un
taux de croissance très élevé .

•Metal-organic CVD (MOCVD) – Equivalent à MOVPE

•Atomic layer CVD (ALCVD) – Equivalent à ALE

22
 Dépôt des couches minces
Les dépôts typiques de CVD en Microélectronique
600 ºC
Polysilicium SiH4 Si+ 2H2

Si3N4 3SiCl2H2+4NH3 800 ºC Si3N4+6HCl+6H2

SiCl2H2+2H2O 900 ºC SiO2+2HCl+2H2

SiO2
SiH4+O2 500 ºC SiO2+2H2

Qualité base d’oxyde Procédé rapid 23

 Dépôt de couches minces

Caractéristiques du revêtement (coating)

Revêtements CVD sont généralement :

· À grain fin
IDEAL
· Imperméable
· Haute pureté
· Plus dur que les matériaux similaires produits
en utilisant les procédés classiques de
fabrication de céramique.

Revêtements CVD sont généralement que

quelques microns d'épaisseur et sont REAL
généralement déposés à des taux assez lents ,
de l'ordre de quelques centaines de microns par
heure .

24
 Dépôt des couches minces
PVD: Pulvérisation Cible

Entrée Pompe à vide

gaz inerte :
He, Ar...

Courant RF alternatif
Galette
Champs magnétiques
Décalage de tension DC / La cible 25
Dépôt des couches minces
Pulverisation

26
 Dépôt des couches minces
DC Pulverisation

RF Pulerisation
Trés bonne pour les
matériaux isolants

27
 Dépôt des couches minces
Problèmes dans les systèmes de pulvérisation à base de diodes

Pas tous les électrons qui fuient la cible contribuent à la

zone de préchauffage du plasma ionisé. Les électrons
gaspillés volant autour de la chambre provoquent le
rayonnement et d'autres problèmes comme l'échauffement
de la cible .

Une source de pulvérisation magnétron, plaçant des aimants autour de la cible,

capte les électrons qui fuient et les confine dans le voisinage immédiat de la cible.
Le courant d'ions (densité des atomes d'argon ionisés atteignant la cible) est
augmenté d'un ordre de grandeur par rapport aux systèmes de pulvérisation des
diodes classiques , ce qui accélère les taux de dépôt à une pression inférieure .
28
 Dépôt des couches minces
PULVERISATION REACTIVE

Quand un gaz (généralement de l'oxygène ) est mélangé avec Ar.

Les gazes réagissent avec les ions produisant le dépôt des composés
correspondants.

29
 Dépôt des couches minces
PULVERISATEURS

30
 Dépôt des couches minces
EVAPORATION
Galette

Matériau Evaporé Pompe

à vide

Obturateur
Creuset Energie
filament de tungstène
bobines d'induction
Un faisceau d'électrons
31
 Dépôt des couches minces
EVAPORATION
* Résistance qui chauffe les sources
d'évaporation : fils, cables
* Simple, robuste, très répandu (widespread)
* T ~ 1800 ºC
* Utilise les filaments de: W , Ta ou Mo pour
chauffer la source d'évaporation
* Les courants typiques sont de 200 à 300 A
* Expose les substrats à rayonnement visible et
infrarouge
* Les taux de dépôt typiques sont 1-20A / s
* Évaporation de matériaux ordinaires
- Au, Ag, Al , Sn, Cr, Sb, Ge, In, Mg, Ga
- CdS , PbS , CdSe , NaCl, KCl , AgCl ,
MgF2 , CaF2 , PbCl2

32
 Dépôt des couches minces
Evaporation par faisceau d’électrons EVAPORATION

• Plus complexe, mais extrêmement polyvalente.

• T > 3000 ºC
• Utilise des cônes d'évaporation ou des creusets (par
exemple graphite ) dans un centre de cuivre .
• Tension d'émission typique est 8-10kV .
•Expose les substarats à un rayonnement d'électrons
secondaires
•Les rayons X peuvent également être générés par
un faisceau d'électrons à haute tension .
•Les taux de dépôt typiques sont 1-100 A / S
•Matériaux d’évaporation communs : tout évaporateur
chauffé par résistance pourra accueillir, en plus :
- Ni, Pt , Ir , Rh, Ti, V, Zr, W, Ta , Mo
- Al2O3 , SiO , SiO2 , SnO2 , TiO2 , ZrO2

33
 Dépôt des couches minces
Cellule d’effusion ( Knudsen): EVAPORATION
Taux d' évaporation contrôlé par la température
(contrôlé avec la pression de vapeur à
l'équilibre et la taille d’orifice)

NB : la distribution de l'intensité du faisceau de

vapeur, dépend du rapport L / d ( niveau de la
cellule de remplissage)

Enceinte isotherme avec un petit orifice

La surface de l'évaporation, à l'intérieur de

l'enceinte est grande par rapport à la surface de
l'orifice

Une pression de vapeur à l'équilibre Pº est

maintenue à l'intérieur de l'enceinte d’effusion
de Knudsen est donc :
34
Dépôt des couches minces
EVAPORATION

Inconvénients:

*Films très désordonnés

*Contraintes résiduelles importantes
( couches minces )
*Procédé très lent ( nm/s)

35
Dépôt des couches minces

Réacteur de
Pulvérisation

36
 Dépôt des couches minces

Cibles de pulvérisation

37
 Dépôt des couches minces

Cibles de pulvérisation (pureté très elevée 99.0-99.999)

METAUX MELANGE OXYDES
Ag Al Nb Ni Au Os De METAUX ZnO
Al/Cu MgO
Pb Pd C Pr Pt Co
Ni/Cr BaO
Re Rh Cr Ru Cu Sb Al2O3
Ni/Fe
Dy Si Er Eu Fe Ta TiO2
Ni/V
Gd Tb Ge Ti Hf In Al/Si GeO2
V Ir W Y Mg Zn Co/Ni SiO2
Fe/Mn ITO
Mn Mo Zr
Mn/Pt
COMPOSES
CaF2 MoS2 ZnSe TaC Si3N4
LaF3 ZnS TiC TiN
38
AlN BN
 Sommaire

i- Introduction
1.1 Définitions: Microsystème
1.2 Histoire de la microélectronique
1.3 Evolution des microsystèmes: loi de Moore
ii- Technologies de fabrication
2.1 Salle blanche
2.2Production de la galette de silicium
2.3 Techniques et processus de fabrication
2.3.1 Technologie de la microélectronique standard
[Link] Oxydation
[Link] Dépôt des couches minces
[Link] Dopage: diffusion et implantation ionique
[Link] Gravure
[Link] Photolithographie
2.3.2 Nouvelles technologies
[Link] Micro-mécanisation des surfaces
2.3.2.2Micro-mécanisation en volume
[Link] Soudage des galettes
[Link] Processus LIGA
2.3.3 Technologie hybride
iii- Quelques exemples d’applications
39
Dopage

40
 Dopage
Si Si Si Si Si Si Si Si

Si P Si Si Si B Si Si

Si Si Si Si Si Si Si Si

Type n (doneurs) Type p (accepteurs)

Phosphorous Boron
Arsenic Alluminium
Antimony Gallium
Indium
Diffusion
Méthodes de dopage
Implantation ionique
41
 Dopage: Diffusion
Pompe à vide
800-1200 ºC

Galette

Four
Masque de Diffusion Problème

42
 Mécanismes de diffusion

I) Phénomène de diffusion

Le phénomène de diffusion est un phénomène très général dans la nature, qui

correspond à la tendance à l'étalement d'espèces, particules, atomes ou molécules
grâce à une excitation énergétique apportée par la chaleur. Suivant le milieu dans lequel
se déplacent ces espèces, l'étalement sera plus ou moins grand.

A température ambiante le phénomène de diffusion sera très important dans un milieu

gazeux, plus faible dans un milieu liquide et pratiquement nul dans un milieu solide.
Pour obtenir un phénomène de diffusion dans un solide ou un cristal, il faudra chauffer le
matériau à des températures voisines de 1000°C.

Dans la suite, nous nous intéresserons essentiellement aux mécanismes de diffusion

dans le milieu solide, sachant qu'il est possible d'utiliser aussi des mécanismes en
milieu gazeux voire liquide au niveau des mises en œuvre technologiques de procédés
particuliers.

Pour mieux comprendre l'aspect macroscopique du phénomène de diffusion, il faut avoir

une idée des phénomènes et mécanismes mis en jeu à l'échelle atomique.

43
 Mécanismes de diffusion

Diffusion par lacune Diffusion multi atome

Diffusion mixte

Diffusion interstitielle
44
les mécanismes ne seront possibles qu'à la condition que les espèces concernées
soient suffisamment excitées (niveau d'énergie suffisant) pour statistiquement
franchir les barrières d'énergie que constituent par exemple les barrières de potentiel
atomique.

Ces barrières de potentiel vont dépendre des mécanismes mis en jeu. Par exemple
un petit atome tel que le Bore pourra se "faufiler" entre les mailles du réseau cristallin
et nécessitera donc une énergie plus faible pour se déplacer. Les quatre principaux
mécanismes recensés sont :

- mécanisme lacunaire, correspondant à l'occupation d'une lacune ou vacance

laissée par un atome du réseau cristallin qui peut, lui aussi se mouvoir en laissant
des lacunes,
- mécanisme interstitiel, correspondant au déplacement des atomes entre les sites
cristallins. Ce mécanisme sera prépondérant pour les petits atomes,
- mécanisme interstitiel combiné au mécanisme lacunaire. Ce phénomène
correspond à un placement en site substitutionnel d'un atome initialement positionné
en site interstitiel tout en envoyant en site interstitiel l'atome en site cristallin d'origine.
Ce phénomène correspond au "carreau sur place" du joueur de boules qui chasse la
boule en lui prenant sa place,
- mécanisme de groupe mettant en jeu plusieurs atomes. Ce mécanisme de
placement en force est plutôt typique des gros atomes.
45
Dopage: Diffusion

Loi de Fick

Relation de continuité
46
 Dopage: Diffusion
Loi de Fick Relation
de continuité

2 ème loi de Fick

Si D est constant / x donc:

Cette approximation est vérifiée pour le Bore, mais pas pour le phosphore

Expression 3D

47
 Dopage: Diffusion
Conditions initiales et limites: Approximation d’une source constante

Approximation 1D

on assume que le dopant

Galette
n’atteint pas le côté bas
infinie
de la galette 48
Dopage: Diffusion

49
Dopage: Diffusion

50
 Dopage: Diffusion

Le facteur pré-exponentiel, Do et l'énergie d'activation, E, dépendent de la nature de l'élément

diffusant et de la nature du cristal dans lequel il diffuse ainsi que de son orientation
cristallographique.
Le tableau suivant donne les valeurs typiques de ces coefficients pour les éléments dopants les
plus utilisés dans le silicium.

Une analyse rapide du tableau montre aisément que les éléments de petite dimension tels que le
bore et le phosphore diffusent plus facilement dans le cristal, l'énergie d'activation ou la barrière
énergétique qu'ils doivent franchir étant plus basse.

51
 Dopage: Diffusion

Diffusivité en fonction de 1/T des éléments dopants, antimoine, arsenic, bore et phosphore dans le
silicium. On retrouve une loi d'Arrhénius, c'est-à-dire une activation thermique

52
53
 Dopage: Diffusion
Paramètres contrôlant le procédé de diffusion pour les dopants
spécifiques sont :

• Temps t
• Température T
• Concentration de dopant No

No peut être contrôlé en changeant le flux de gaz porteur dans le four, mais est
typiquement limité par “la limite de solubilité du solide*”.

*La limite de solubilité du solide” est le nombre maximal de dopants que peut recevoir
un volume de silicium

54
 Dopage: Diffusion

Units in
cm-3

55
 Dopage: Diffusion

DOSE (Q): quantité de dopants introduits

56
 Dopage: Diffusion
Approximation d’une Dose constante diffusée
La DOSE déterminée est introduite à une temperature basse (pour éviter la diffusion)

57
 Dopage: Diffusion
Constant Dose Diffusion method

La concentration à la surface
depend du t

58
Dopage: Diffusion

Dose constante

59
 Dopage: Diffusion

Calcul de la profondeur de jonction

Source constante

Distribution Gausienne

60
Dopage: Diffusion

61
Dopage: Diffusion

62
Dopage: Diffusion

63
Dopage: Implantation Ionique
Ions accélerés

Masque de dopage

Galette

64
65
66
67
A la même énergie, plus l’ion est lourd, moins il est pénétrant

68
PHOSPHORE

69
ARSENIC

70
BORON

71
Dopage: Implantation Ionique

72
Dopage: Implantation ionique

73
Avantages de l’implantation ionique / par rapport à la diffusion :
•Temps de traitement court , bonne homogénéité et reproductibilité des profils
• Contrôle exact de la quantité d' ions implantés par intégration du courant .
• Températures relativement basses durant le traitement
• Différents matériaux peuvent être utilisés pour le masquage, par exemple oxyde , de
nitrure, de métaux, et résistent
•Implantation à travers des couches minces (par exemple SiO2 ou Si3N4) est possible
•Faible profondeur de pénétration des ions implantés. Cela permet la modification des
zones minces près de la surface avec des gradients de concentration élevée
• Des séquences d' étapes d'implantation avec des énergies différentes ( et les doses )
permettent l'optimisation de profils de dopants

Inconvenients:
*endommagement du substrat provoqué par les ions implantés.
* Le changement des propriétés des matériaux est limité aux zones proches du
substrat proches de la surface
* D'autres effets pendant ou après l'implantation (tels que la canalisation ou la
diffusion ) , qui rendent difficile d’atteindre des profils très peu profonds et de prédire
théoriquement les profilés exactes. 74