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Différences TTL et CMOS en logique

Le document présente quatre exercices sur la logique combinatoire. Le premier exercice demande de citer les différences entre les technologies TTL et CMOS. Le deuxième exercice demande d'écrire des tables de vérité et d'établir une équation booléenne. Le troisième exercice demande de proposer des combinaisons de portes logiques. Le quatrième exercice demande de donner les fonctions logiques de circuits.

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Le document présente quatre exercices sur la logique combinatoire. Le premier exercice demande de citer les différences entre les technologies TTL et CMOS. Le deuxième exercice demande d'écrire des tables de vérité et d'établir une équation booléenne. Le troisième exercice demande de proposer des combinaisons de portes logiques. Le quatrième exercice demande de donner les fonctions logiques de circuits.

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UNNIVERSITE SULTAN MOULAY SLIMANE AU 2019/2020

Faculté Polydisciplinaire SMP / S6


Béni Mellal Informatique Industrielle
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TD N° 2

Exercice1 :
Citer la différence entre les technologies TTL et CMOS et donner les plages des tensions
définissants les états logiques de chaque famille.
Exercice 2 :

- Ecrire les tables de vérité des portes logiques fondamentales en traçant leurs symboles.

- Etablir l’équation booléenne du schéma électrique suivant et donner son équivalent par des
portes logiques:
f(a,b,c,d)=a.b.k
avec k=(c+d)

donc,
f(a,b,c,d)= a.b.(c+d)
Exercice 3 : Proposer des combinaisons des portes logiques fondamentales qui donnent à la
sortie, les fonctions logiques suivantes :
- a � b � a.b � a.b
- a � b � a.c � a.c � (a.c � c)

Exercice 4 : Donner les fonctions logiques de chaque circuit et donner ses tables de vérité:

S1 S2

S3 S4

[Link]
Solution Exercice 1:
Deux familles technologiques dominent dans le champ des circuits logiques,
selon le type des transistors utilisés : la technologie bipolaire basée sur les transistors bipolaires,
et la technologie unipolaire ou MOS (Metal Oxyde Semiconducteur) basée sur le transistor à effet de champ.
- En bipolaire, on trouve la famille TTL (Transistor Transistor Lgic) fort utilisée dans les applications qui nécessitent une grande rapidité d’exécution.
- La famille MOS est moins rapide que TTL (rapport de 1 à 10 fois), mais elle présente des meilleures performances dans autres cotés.
Selon la gamme de la température d’utilisation, on distingue deux séries de la famille TTL :
- La série 5400 : gamme de température d’utilisation militaire indiquée par 5 (-55°, +125°C),
- La série 7400 : gamme de température d’utilisation générale indiquée par 7 (0°, +70°C).
L’avantage principal de cette technologie est la faible consommation (au détriment de la rapidité). Plage des tensions d'utilisation : de 3 jusqu’à 15V.
VCC = tension d'alimentation pour le circuit TTL
VDD = tension d'alimentation pour le circuit CMOS
VIH = tension d'entrée au niveau haut
VIL = tension d'entrée au niveau bas
VOH = tension de sortie au niveau haut (4.95V / 9.95V/14.95V)
VOL = tension de sortie au niveau bas (0.05V)
IIH = courant d'entrée au niveau haut
IIL = courant d'entrée au niveau bas
IOH = courant de sortie au niveau haut (-0.16mA / -0.4mA / -1.2 mA)
IOL = courant de sortie au niveau bas (0.44mA / 1.1mA / 3 mA)
IOS = courant de court-circuit (sortie à la masse)

f(a,b,c,d)=a.b.k
avec k=(c+d)

donc,
f(a,b,c,d)= a.b.(c+d)

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