ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET UNIVERSITAIRE

ECOLE SUPERIEURE D' INFORMATIQUE SALAMA

Cours Électronique des

composants Télécoms

M2 RESEAUX ET TELECOMS

Faouzi BAHLOUL : Professeur

2022/2023
Faouzi BAHLOUL
Table de matières

METHODES D’ANALYSE DES CIRCUITS ELECTRIQUES LINEAIRES .............................. 61

1 : Introduction............................................................................................................................... 61
2 : Définition et conventions........................................................................................................... 61
3 : Théorèmes généraux ................................................................................................................. 63
3.1 : Loi des nœuds .................................................................................................................... 63
3.2 : Loi des mailles ................................................................................................................... 63
3.2 : Théorème de superposition ................................................................................................. 64
3.4 : Théorème de Thévenin ....................................................................................................... 64
3.5 : Théorème de Norton ........................................................................................................... 64
QUADRIPOLES .............................................................................................................................. 65
1 : Définition .................................................................................................................................. 65
2 : Matrices d’un quadripôle ........................................................................................................... 65
a- Matrice Impédance : ............................................................................................................... 65
b- Matrice admittance : ............................................................................................................... 66
c- Matrice hybride : .................................................................................................................... 67
d- Matrice transfert : ................................................................................................................... 68
d- Matrice chaine :...................................................................................................................... 68
3 : Quadripôles élémentaires ......................................................................................................... 69
4 : Relations entre les paramètres ................................................................................................... 70
5 : Impédances d’entrée et de sortie ................................................................................................ 71
6 : Différents gains des quadripôles ................................................................................................ 71
7 : Associations des quadripôles ..................................................................................................... 72
8 : Classification des quadripôles ................................................................................................... 73
9 : Filtre ......................................................................................................................................... 73
DIODES ............................................................................................................................................ 75
1 : Notion Caractéristiques ............................................................................................................. 75
1-1 : Définition ........................................................................................................................... 75
1-2 : Caractéristique courant tension ........................................................................................... 75
2:Modélisation de la diode ............................................................................................................. 76
3 : Point de fonctionnement d’une diode ......................................................................................... 77
4 : Applications de la diode ............................................................................................................ 78
4.1 : Redressement simple alternance ......................................................................................... 78
4.2 : Redressement double alternance avec 2 diodes (transformateur à point milieu) ................... 79
4.3 : Redressement double alternance avec pont de Graetz.......................................................... 81
4.4: Filtrage d’une tension simplement redressée ........................................................................ 82
4.5: Filtrage d’une tension doublement redressée ........................................................................ 83
5 : Diode zener ............................................................................................................................... 83
TRANSISTORS BIPOLAIRES....................................................................................................... 84
1 : Principe de fonctionnement d’un transistor bipolaire ................................................................. 84
2 : Modèles petits signaux ............................................................................................................. 85
3 : Les montages fondamentaux ..................................................................................................... 85
3-1 : Montage émetteur commun (EC) ........................................................................................ 85
3-2 : Montage collecteur commun (C.C) ..................................................................................... 88
3-3 : Montage base commune (B.C) .......................................................................................... 91
3-4 : Comparaison des trois montages ........................................................................................ 92
4 : Utilisation en commutation........................................................................................................ 96
4-1 : Etat bloqué / saturé ............................................................................................................. 96
TRANSITOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION .................................................................... 97
1 : Principe d’un transistor à effet de champ ................................................................................... 98
Faouzi BAHLOUL
2 : Polarisation ............................................................................................................................... 99
3 : Modèle petit signaux et amplification ...................................................................................... 101
4 : Les montages fondamentaux ................................................................................................... 102
4-1 : Montage source commune (SC)........................................................................................ 102
4-2 : Montage drain commun (D.C) .......................................................................................... 105
4-3 : Montage grille commune (G.C) ....................................................................................... 107
4-4 : Comparaison des trois montages ...................................................................................... 108
AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ....................................................................................... 112
1 : Introduction............................................................................................................................. 112
2 : Amplificateur opérationnel idéal ............................................................................................. 112
3 : Montage à amplificateurs opérationnels ................................................................................... 113
3 – 1 : Montage de base ............................................................................................................ 113
3 – 2 : Filtres actifs ................................................................................................................... 118
TD QUADRIPOLES ...................................................................................................................... 121
TD DIODES ................................................................................................................................... 125
TD TRANSISTORS BIPLOAIRES .............................................................................................. 131
TD TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ................................................................................ 136
TD AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS ............................................................................. 140
Bibliographie .................................................................................................................................. 142
Faouzi BAHLOUL

METHODES D’ANALYSE DES CIRCUITS ELECTRIQUES

LINEAIRES
1 : Introduction
L’analyse des circuits électriques linéaires est gouvernée par les lois et les théorèmes généraux
suivants :
 Lois de Kirchoff
 Théorème de superposition
 Théorème de Millman
 Théorème de Thévenin
 Théorème de Norton

2 : Définition et conventions
 Dipôle
C’est un dispositif électrique qui ne comporte que deux bornes et dans lequel un courant électrique
peut circuler.
Un dipôle est dit actif (pile, accumulateur, alternateur…) s’il fournit de l’énergie électrique à un circuit
extérieur. Le dipôle est dit passif dans le cas contraire (résistance, condensateur, bobine…)
 Dipôle linéaire
Un dipôle est linéaire si la caractéristique tension-courant est linéaire.
Exemple: résistance, source de tension ou de courant.

i
Dipôle

U=a.i+b (a et b sont des constantes)

Un circuit électrique est dit linéaire, s’il ne comporte que des dipôles linéaires.
 Source de tension
Une source de tension parfaite est un dipôle actif qui maintient entre ses bornes une différence de
potentiel constante quel que soit le courant qu’il débite. Si la source a une résistance interne en série,
elle est dite réelle.

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Faouzi BAHLOUL

E i
E

Symbole Caractéristique tension courant U=f(i)

Source de tension parfaite

U
E
r i
E

i
Symbole Caractéristique tension courant U=f(i)
Source de tension réelle
 Source de courant
Une source de courant parfaite est un dipôle actif qui fournit un courant électrique quelle que soit la
tension à ses bornes. La source est dite réelle, si elle a une résistance interne parallèle.
i i

I0
I0 U

Symbole Caractéristique courant tension i=f(U)

Source de courant parfaite

i i

I0
I0 r U

Symbole Caractéristique courant tension i=f(U)

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Faouzi BAHLOUL

Source de courant réelle

 Extinction des sources

Eteindre une source indépendante : c’est la remplacer par sa résistance interne.
 Conventions de signe

- Courant électrique
Le sens conventionnel du courant électrique est celui opposé à la circulation des électrons. Dans un
circuit électrique, le calcul de l’intensité du courant permet de confirmer ou non ce sens.
- Convention générateur
Un générateur est un dipôle qui fournit de l’énergie électrique, il possède une borne positive et une
borne négative. Le courant sort de la borne positive. I et U sont de même signe.

i
(-) Dipôle (+)

U
- Convention récepteur
Un récepteur est un dipôle qui consomme de l’énergie électrique. Il peut être polarisé (possède un pôle
positif et un négatif) ou non. Le courant entre par la borne positive (I > 0 et U > 0).

i
(-) Dipôle (+)

U
3 : Théorèmes généraux
3.1 : Loi des nœuds

Cette loi traduit la règle de conservation du courant. Elle est régie par l’égalité suivante :
La somme algébrique des courants rentrants dans un nœud = la somme des courants sortants de ce
nœud.


N
N .i N  0

Avec εN = +1 si iN se dirige vers le nœud.

εN = -1 si iN sort du nœud.
N représente le nombre des branches.

3.2 : Loi des mailles

Le long d’une maille donnée parcourue dans un sens donné, la somme des tensions est nulle.

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Faouzi BAHLOUL

N
N .U N  0

Avec εN = +1 si UN de même sens que celui choisi pour la maille.

εN = -1 si UN dans le cas contraire.

3.2 : Théorème de superposition

La tension entre deux points A et B (ou courant dans la branche AB) d’un circuit électrique linéaire
comportant plusieurs générateurs est égale à la somme des tensions (courants) obtenus entre ces deux
points lorsque chaque source agit seule.
3.3 : Théorème de Millman
La tension VNM d’un réseau électrique comportant n branches en parallèle, composées des résistances
et des sources de tensions ayant les mêmes sens que VNM, est
n
ei
R
i 1
V NM  n
i
1

i 1 Ri

3.4 : Théorème de Thévenin

Un réseau électrique linéaire vu de deux de ses points A et B est équivalent à un générateur de tension
réel (dit de Thévenin) de force électromotrice Eth et de résistance interne Rth. Eth est égale à la tension
à vide entre A et B. Rth est égale à la résistance vue des points A et B, toutes les sources indépendantes
éteintes

3.5 : Théorème de Norton

Un réseau électrique linéaire vu de deux de ses points A et B est équivalent à un générateur de

courant réel (dit de Norton) d’intensité IN et de résistance interne RN. IN est égal à l’intensité du
courant de court-circuit entre A et B. RN est égale à la résistance vue des points A et B, toutes les
sources indépendantes éteintes.

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Faouzi BAHLOUL

QUADRIPOLES

1 : Définition
C’est un système à deux accès 1 et 2 chacun des deux accès est caractérisé par un couple de
grandeurs dont le produit est une puissance
(1) (2)

I1 I2

Entrée U1 U2 Sortie
Q

Pour un quadripôle électrique les deux grandeurs sont la tension et le courant.

Un quadripôle est dit linéaire lorsqu’il est possible de trouver des relations linéaires entre U1,
U2, I1 et I2. Dans ces conditions, l’utilisation de l’algèbre matricielle permet de dégager un certain
nombre de propriétés
Les conditions de fermetures du quadripôle permettent de définir complètement le système :
Z1 I1 I2
E U1 U2 Z2

U1= E-Z1.I1
U2= - Z2.I2
On a ainsi un système linéaire de quatre équations à quatre inconnues.

2 : Matrices d’un quadripôle

a- Matrice Impédance :

On exprime les tensions en fonction des courants :

U 1   Z11 Z12   I1 
U   Z Z 22   I 2 
 2   21

65
Faouzi BAHLOUL
 Z11 Z12 
Z  est la matrice impédance du quadripôle.
 21 Z 22 

Z11 , Z12 , Z 21 , Z 22 sont des impédances du quadripôle. Tels que :

U1
Z 11  : Impédance d'entrée du quadripôle, sortie ouverte.
I1 I 2 0

U1
Z 12  : Impédance de transfert inverse (Trans-impédance d’entrée) du quadripôle, entrée
I2 I1  0

ouverte.

U2
Z 21  : Impédance de transfert (Trans-impédance de sortie) du quadripôle, sortie ouverte.
I1 I 2 0

U2
Z 22  : Impédance de sortie du quadripôle, entrée ouverte.
I2 I1  0

Schéma équivalent du quadripôle en utilisant la matrice Z

I1 I2
Z11 Z22
U1 U2
Z12I2 Z21I1

b- Matrice admittance :

On exprime les courants en fonction des tensions :

 I 1   Y 11 Y 12  U 1 
     
 I 2   Y 21 Y 22 U 2 
Y11 Y12 
Y  est la matrice admittance du quadripôle.
 21 Y22 
Y11 , Y12 , Y21 , Y22 sont des admittances du quadripôle. Tels que :

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Faouzi BAHLOUL
I
Y11  1 : Admittance d'entrée du quadripôle, sortie en court circuit.
U 1 U 0
2

I1
Y12  : Admittance de transfert inverse (Trans-admittance d’entrée) du quadripôle, entrée en
U2 U1  0

court circuit.

I2
Y21  : Admittance de transfert (Trans-admittance d’entrée) du quadripôle, sortie en court
U1 U 2 0

circuit.

I2
Y22  : Admittance de sortie du quadripôle, entrée en court circuit.
U2 U1  0

Schéma équivalent du quadripôle en utilisant la matrice Y

I1 1/Y22 I2
1/Y11 Y21U1
Y12U2
U2
U1

c- Matrice hybride :

Tels que :
U 1   H 11 H 12   I1 
I   H H 22  U 2 
 2   21

 H 11 H 12 
H est la matrice Hybride du quadripôle dont l’intérêt est primordiale pour l’étude des
 21 H 22 

transistors.
H11 , H12 , H 21 , H 22 sont des paramètres du quadripôle tels que

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Faouzi BAHLOUL
U
H 11  1 : Impédance d'entrée du quadripôle, sortie court circuitée.
I 1 U 0
2

U1
H 12  : Gain inverse en tension du quadripôle, entrée ouverte.
U2 I1  0

I2
H 21  : Gain en courant de transfert du quadripôle, sortie court circuitée.
I1 U 2 0

I2
H 22  : Admittance de sortie du quadripôle, entrée ouverte.
U2 I1  0

Schéma équivalent du quadripôle en utilisant la matrice H

I1 I2

H11 1/H22 U2
U1
H12U2 H21I1

d- Matrice transfert :

Tels que :
U 2  T11 T12  U 1 
 I   T  
 2   21 T22   I 1 

T11 T12 
T  est la matrice de transfert du quadripôle.
 21 T22 
T11 , T12 , T21 , T22 sont des paramètres du quadripôle tels que : T11 et T22 sont des nombres, T12 est une
impédance, T21 est une admittance.

d- Matrice chaine :

Matrice de transfert T :

 U2  U 1 
   T  
 I 2  I1 

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Faouzi BAHLOUL
Matrice chaine (C) : C T 
1

Théorème de réciprocité dans les quadripôles passifs

On a les relations : Y12 = Y21, Z12 = Z21, H12 = -H21 et ΔT = 1.

Quadripôle symétrique
Les deux accès d'un quadripôle symétrique sont indiscernables: les indices correspondant, 1 et 2, des
paramètres de matrices impédance ou admittance sont donc permutables sans changement. En
conséquence, pour les quadripôles symétriques, en plus de posséder les propriétés de réciprocité, on a
les relations Y11 = Y22 et Z11 = Z22.

3 : Quadripôles élémentaires
Cellule en T
I1 Z1 Z2 I2

U1 Z3 U2

 Z Z1.Z 2 
1  1 Z1  Z 2  
 Z1  Z 3 Z3 
Z     C    1Z3 Z3 
 Z3 Z 2  Z 3  Z
1 2

 Z 
 3 Z3 
 Cellule en π
I1 Z3 I2

U1 Z1 Z2 U2

 1 1 1   Z 
     1 3 Z3 
Y    Z 1 1Z 3 1
Z3
1 
 C    1 1 Z 2 Z 
Z3 
 Z   Z  Z  Z .Z 1 
3

 3 Z 2 Z 3   1 2 1 2 Z1 

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Faouzi BAHLOUL

4 : Relations entre les paramètres

Le tableau suivant résume les formules de passage d’un type de paramètres à l’autre ( X est le
déterminant de la matrice (X))

(Z) (Y) (T) (C) (H)

Z 11 Z 12 D 1 C H H 12
Y 22  Y 12   C11
Y Y C C C 21 C 21 H 22 H 22
(Z)
T A
Z 21 Z 22  Y 21 Y 11   1 C 22  H 21
1
Y Y C C C 21 C 21 H 22 H 22
Y11 Y12 A 1 C 1
Z 22  Z 12   C 22   H 12
Z Z B B C12 C 12 H 11 H 11
(Y)

 Z 21 Z 11 Y21 Y22 T D T
 
1 C11  H 21
Z Z B B C12 C12 H 11 H 11

Z 22 Z C12 1 H 11
 C22  
Z 12 Z 12  Y 11 1
A B C C H 12 H 12
Y 12 Y 12
(T)


1 Z 11 Y  Y 22 C D

C 21 C11 H 22 H
C 
Z 12 Z 12 Y 12 C H 12 H 12
Y 12
Z11 Z Y22 1 D B C11 C12 H H 11
    
Z 21 Z 21 Y21 Y21 T T H 21 H 21
(C)
Y C A C21 C22

Y
 11  
H 22

1
1 Z 22 T T
Z 21 Z 21 Y21 Y21 H 21 H 21

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Faouzi BAHLOUL
Z Z12 Y12 B 1 C12 C H11 H12
Z 22 Z 22
1   C22 C22
Y11 Y11 A A

(H)
Z 21 1 C21
 1 Y21 Y T 
C  H21 H22
Z 22 Z 22 Y11 Y11 A A C 22 C22

5 : Impédances d’entrée et de sortie

L’impédance d’entrée Ze est l’impédance vue des bornes d’entrée lorsque la sortie du quadripôle est
fermée sur l’impédance de charge ZL

I1 I1

U1 ZL
Q U1 Ze

U1
Ze 
I1
Z 12 .Z 21
On peut montrer que : Ze  Z 11 
Z 22  Z L
L’impédance de sortie Zs est l’impédance de Thévenin que voit la charge. C’est donc l’impédance
vue des bornes de sorties lorsque l’entrée est fermée par l’impédance interne Zg du générateur
d’attaque.
I2
I2
Zs U2
U2
Zg Q

U2
Zs 
I2
Pour bien choisir les impédances d’entrée et de sortie : il faut maximiser l’impédance d’entrée et
minimiser l’impédance de sortie.

6 : Différents gains des quadripôles

U2 U
Amplification en tension : Av  (à vide Av0  2 pour I2=0)
U1 U1

Amplification en courant : AI  I2 (en court circuit AICC  I2 pour U2=0)

I1 I1

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Faouzi BAHLOUL
U2 Ze
Amplification en tension composite : Ag   Av
E Ze  Zg
Les expressions des différents gains s’obtiennent en considérant les deux équations internes du
quadripôle et la relation de fermeture : U2=-ZLI2

Av [Link] ; Av0  Z21

[Link] Z Z11
H 21
AI   ; AICC   H 21
1  H 22 .Z L
A chaque amplification A correspond un gain exprimé en dB : G=20log10(A)

7 : Associations des quadripôles

 Association cascade : (C ) = (C’) . (C’’)

I1 I2
(C’) (C’’)
U1
U2

 Association série : (Z)= (Z’) + (Z’’)

I2
I1
(Z’)
U'1 U’2
U1 I1 I2 U2

(Z’’)

U”1 U’’2
U1= U’1 + U’’1
U2= U’2 + U’’2
 Association parallèle : (Y)= (Y’) + (Y’’)
I1= I’1 + I’’1 , I2= I’2 + I’’2
 Association Hybride :
Entrées en série et sorties en parallèle H   H '   H '' 
Entrées en parallèle et sorties en série H 1  H ' 1  H '' 1

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Faouzi BAHLOUL
8 : Classification des quadripôles
Un quadripôle est dit réciproque (QR) lorsque Z12=Z21 ou encore pour les autres matrices (Y12=Y21 ,
∆C= ∆T = 1 , h21=-h12)
Parmi les quadripôles non réciproques (QNR) on distingue deux familles importantes : les quadripôles
antiréciproques (QAR) définis par Z12=-Z21 et les quadripôles unilatéraux (Z12=0, h12=0)
Un quadripôle est dit symétrique s’il est totalement équivalent vu des accès (1) et (2) dans ce cas
Z12=Z21 et Z11=Z22

Un quadripôle est dit parfait lorsque :

R(Z11)=R(Z22=0)
Z12+ Z*21=0
Dans ce cas : C  1 .

9 : Filtre
Si on étudie le comportement d'un quadripôle Q en régime sinusoïdal, on appelle fonction de transfert
T du quadripôle le rapport :
U2
T
U1

Le diagramme de Bode de la fonction de transfert T est constitué de deux courbes tracées en fonction
de la fréquence, f, en échelle logarithmique :
- G (f) avec G = 20 Log lTl : appelé le gain, exprimé en décibels, dB.
- Arg T : argument de T exprimé en radians ou en degrés.
Dans certains cas, le diagramme de Bode pourra être représenté en fonction des variations de la
f
pulsation ou d'une variable réduite x = , où fo est définie à partir des éléments du circuit.
fo
Il peut arriver qu’on peut simplifier l'étude du diagramme de Bode, et qu’on peut déterminer les
asymptotes de la fonction G (f) et de l’argument de T (f).
Le diagramme obtenu est appelé diagramme asymptotique de Bode. Il rend compte rapidement du
comportement de la fonction de transfert.
1
T=
f
1+ j
fo
Si f << fo alors T ~ 1 donc G ~ 0 et Arg T = 0
Si f >> fo alors T ~ 1 / (j f / fo )
La pente de G dans sa partie non nulle reste égale à - 20 dB / décade.
Soient finalement les courbes suivantes :

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Faouzi BAHLOUL
G

0 dB
f (échelle logarithmique)


0
f (échelle logarithmique)
/2

Il existe 4 types de filtres :

 Filtre passe bas dont la bande passante est 0 Fc

 Filtre passe haut dont la bande passante est Fc 

 Filtre passe bande dont la bande passante est Fc1 Fc2

 Filtre coupe bande dont la bande passante est 0 Fc1  Fc2 

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Faouzi BAHLOUL
DIODES
1 : Notion Caractéristiques
1-1 : Définition

La diode est constituée par la juxtaposition de deux régions d’un même semi-conducteur, l’une dopée
de type P (manque d’électrons) et l’autre de type N (excès d’électrons).

A (Anode) P N K (Cathode)

Une diode est un dipôle non linéaire, symbolisé par le schéma suivant :

I
A (Anode) K (Cathode)

V
Les grandeurs V et I sont liées par la relation suivante :

V
I  I s (exp( )  1)
VT
Avec Is est le courant résiduel ou de fuite de l’ordre 10 -15 à 10-12 A.
kT
VT  : Tension Thermodynamique fonction de la température.
q
k : constante de Boltzmann k = 1.3810-23VC/K.
q : charge élémentaire q = 1.610-19C
T : la température en Kelvin T(K) = T(°C)+273
A T=25°C VT=26mV

1-2 : Caractéristique courant tension

Dans la caractéristique d’une diode à jonction P-N, On distingue trois zones de Fonctionnement :
* courant très faibles (1)
* coude (2)
* droite (3)
Le schéma suivant illustre la caractéristique courant tension d’une diode :

75
Faouzi BAHLOUL
I (mA)

Imax

300
1/rd

200

0,5 0,7
100 V (volts)

0 Vd Vmax

1 2 3

Remarque : Afin de ne pas détruire la diode, le constructeur indique les valeurs limites admissibles :
Imax : courant direct maximum
Vinv,max : tension d’avalanche
Pmax : puissance maximale (branche d’hyperbole)
Tmax : température maximale (fonction de P max)

2:Modélisation de la diode

L’ingénieur, contrairement au physicien, ne considère le composant que de l’extérieur et tente

de lui donner un schéma (modèle) adapté au problème à résoudre.
Les modèles essentiels d’une diode sont :
 un interrupteur ou encore diode idéale
 un interrupteur en série avec une source de tension Vd (tension de conduite directe)
 Un interrupteur en série avec une source de tension Vd et une résistance rd, ce modèle est dit
linéaire
 Modèle exponentiel ou le courant i est une fonction exponentielle de la tension v ce modèle
est le plus proche de la réalité physique

76
Faouzi BAHLOUL

Symbol d’une diode I

v=0 0 V

Modèle idéal
I

V=Vd

0 Vd V

Source de tension idéale

I
V= Vd+rd.I

Pente = 1
r d

I
0 Vd V
Modèle linéaire (source de tension réelle)

3 : Point de fonctionnement d’une diode

Une diode est polarisée en sens direct (en général) selon le schéma suivant :

I=(E-V)/R
I=(V-Vd)/rd

77
Faouzi BAHLOUL

I (mA)

R
M
I I M

V
E
E V (volts)

0
VM E

4 : Applications de la diode
4.1 : Redressement simple alternance

Le but du redressement est la transformation des tensions alternatives en tensions continues pour
alimenter les charges qui doivent être alimentées toujours dans le même sens. Soit le circuit suivant

Ve VL

Pour simplifier on va considérer la diode comme interrupteur parfait (Vd = 0 et rd = 0) :

Ve > 0  Diode passante  interrupteur fermé  VL = Ve
Ve < 0  Diode bloquée  interrupteur ouvert  VL = 0
5.0V

0V

-5.0V
0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms 24ms 28ms 32ms 36ms 40ms
V(VL) V(Ve)
Time

78
Faouzi BAHLOUL
On constate d’après la figure que la tension redressée est toujours positive mais elle est encore loin
d’être continue. Calculons sa composante continue qui n’est rien d’autre que sa valeur moyenne :
T
1
VLmoy   VL (t )dt
T0

1 
T /2 T
VLmoy    V L (t )dt   V L (t )dt 
T  0 T /2



1 
T /2
VLmoy    Ve max sin ( wt )dt  0 
T  0 


 1
T /2
Ve max 
VLmoy   cos( wt ) 
T w 0
 Ve max
VLmoy  cos( )  1
2.
Ve max
VLmoy 

Calculons la valeur efficace de la tension de sortie redressée :
T
1
VLeff  
T 0
VL2 (t )dt

1 
T /2 T
2
VLeff    VL2 (t )dt   VL2 (t )dt 
T  0 T /2



1 
T /2
2
VLeff    Ve2max sin 2 ( wt )dt  0 
T  0 


Ve2max  T /2  1  
T /2

V 2
  10   sin( 2wt ) 
Leff
2.T   2w  0 


Ve2max  T   1 
V 2
Leff       (sin( 2 )  sin( 0))  
2.T   2   2w 
Ve max
VLeff 
2

4.2 : Redressement double alternance avec 2 diodes (transformateur à point milieu)

Pour que VL s’approche un peu plus d’une tension continue, on va redresser les deux alternances.
Si on prend le point milieu du transformateur comme référence, les tensions de sortie du
transformateur V1 et V2 sont en opposition de phase. Pendant l’alternance positive de V1, (négative de
V2 ), la diode D1 conduit et alimente la charge alors que la diode D2 est bloquée  VL = V1. Pendant

79
Faouzi BAHLOUL
l’alternance négative de V1 , (positive de V2 ), la diode D 1 est bloquée alors que la diode D 2
conductrice, alimente la charge  V L = V 2 .
La charge se trouve ainsi alimentée pendant les deux alternances.

V1

V2 VL

V1

VL

+
VL

V2

Les allures des tensions d’entrée et de sortie sont affichées dans les figures suivantes

80
Faouzi BAHLOUL
5.0V

0V

-5.0V
0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms 24ms 28ms 32ms 36ms 40ms
V(V2) V(V1) V(VL)
Time

4.3 : Redressement double alternance avec pont de Graetz

Le redressement double alternance est obtenu à l’aide d’un pont redresseur à 4 diodes. Pendant
l’alternance positive de Ve , les diodes D1 et D2 sont conductrice et alimentent la charge (VL = Ve), les
diodes D3 et D4 sont bloquée. Pendant l’alternance négative de V e , les diodes D3 et D4 sont
conductrice et alimentent la charge, (VL = -Ve ) les diodes D1 et D2 sont bloquée. Le résultat est que la
charge est alimentée toujours dans le même sens, la tension V L est la même que celle obtenue par 2
diodes et un transformateur à point milieu.

VL

Ve

VL

Ve

+
81
Faouzi BAHLOUL

VL

Ve

4.4: Filtrage d’une tension simplement redressée

Le filtrage est réalisé à l’aide d’un condensateur de forte valeur placé en parallèle de la charge RL.

Ve VL

L’allure de la tension VL obtenue est illustrée sur la figure suivante pour C=100 µF. La diode conduit
pendant l’intervalle [a, b], la tension VC = VL suit alors la valeur de Ve . A l’instant b, Ve diminue
rapidement, la capacité ne peut se décharger dans le transformateur à cause de la diode, elle va donc se
décharger (alimenter) dans la charge RL avec la constante de temps τ = RLC. Si la valeur de C est
importante, cette décharge est lente et Ve devient très vite inférieure à VL ce qui provoque le blocage
de la diode. On constate donc que pendant la quasi totalité du temps, la charge RL est alimentée par le
condensateur qui est rechargé à chaque période pendant l’intervalle de temps [a,b].
5.0V

0V

-5.0V
0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms 24ms 28ms 32ms 36ms 40ms
V(Ve) V(VL)
Time

La tension VL aux bornes de la charge n’est pas tout à fait continue, mais comporte une ondulation
d’amplitude ΔV qui est d’autant plus faible que la valeur de C est élevée. La figure suivante illustre la
tension de sortie pour différentes valeurs de C (C1=10µF :20µF :100µF)

82
Faouzi BAHLOUL
6.0V

4.0V

2.0V

0V
0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms 24ms 28ms 32ms 36ms 40ms
V(out)
Time

4.5: Filtrage d’une tension doublement redressée

Dans le cas du redressement double alternance, l’amplitude de l’ondulation est divisée par 2.

V1
VL

V2

La décharge se fait pendant une demi-période de V e (ou de V 1 )

5.0V

0V

-5.0V
0s 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms 24ms 28ms 32ms 36ms 40ms
V(V2:-) V(in) V(out)
Time

5 : Diode zener
Lorsque la diode Zener est polarisée en inverse, la tension à ses bornes reste égale à VZ quelque soit le
courant Iz qui la traverse. On l’appelle diode stabilisatrice de tension. Evidemment, une Zener
polarisée en directe fonctionne comme une diode normale.

83
Faouzi BAHLOUL

TRANSISTORS BIPOLAIRES
1 : Principe de fonctionnement d’un transistor bipolaire
C’est un matériau semi-conducteur a trois zones distinctes NPN ou PNP
IE N P N IC IE P N P IC
E
IB IB

C C

B B
E E
Transistor NPN Transistor PNP
Pour réaliser un quadripôle avec un transistor bipolaire on met en commun ente les circuits
d’entrée et de sortie l’une de trois électrodes, d’où trois types de montages possible :
 base commune
 émetteur commun
 collecteur commun
C’est le montage émetteur commun le plus utilisé. Généralement le constructeur fournit les
caractéristiques statiques du transistor en émetteur commun.

84
Faouzi BAHLOUL

ic=iE ou encore ic=iB

iB=(1-)iE avec   
1
 présente le coefficient d’amplification en courant (de l’ordre de 100 )

2 : Modèles petits signaux

Le modèle petits signaux peut être défini à partir des paramètres hybrides :
vbe = [Link] + [Link]
ic = [Link] + h22 . vce
Avec
h11 = vbe/ib (pour vce=0) = tg= r résistance d’entrée
h12=vbe/vce ( pour ib=0) =  = tg0 coefficient de réaction
h21 = ic/ib (pour vce=0) ==tg coefficient d’amplification en courant
h22 = ic/vce ( pour ib=0) =1/ = tg  résistance de sortie

3 : Les montages fondamentaux

3-1 : Montage émetteur commun (EC)

Le montage EC est représenté par le schéma ci-après :

85
Faouzi BAHLOUL

Après avoir choisi un point de fonctionnement (VBE , VCE , IB , IC ) , on détermine les

éléments de polarisation du transistor (R1,R2,RE, RC , E)

E~VCE + (RC + RE).IC

VB~ R1 E , VE= [Link] (IE ~ IC)
R1 R2

Le gain en tension (Av) et l’impédance d’entrée (Ze) sont déterminés à partir du schéma

équivalent petits signaux :

86
Faouzi BAHLOUL

ie is
i1 i2

vs
ve

Ce, CE et Cs sont considérées comme des court-circuits.

On suppose que : R= R1||R2 et 1/h22 >> Rc, Ru
Amplification en tension :
vs
Av 
ve

vs   RC RU ib

ve  h11ib

  RC RU 
Av 
h11

Av=-gm.(Rc||Ru)

Impédance d’entrée
ve
Ze 
ie

ie=i1+i2+ib
ve
or i1 
R1

ve
i2 
R2

ve
ib 
h11

87
Faouzi BAHLOUL
ve
Ze 
ve ve ve
 
R1 R2 h11

1
Ze 
1 1 1
 
R1 R2 h11

Ze  R1 R2 h11

L’impédance de sortie n’est rien d’autre que l’impédance interne du générateur de Thévenin
équivalent vu par la charge Ru.

Vs

Zs est donnée par le rapport vs . Ru est remplacée par un générateur de tension pour imposer une
is
tension ( vs ). eg la seule source autonome étant rendue passive (théorème de Thévenin) d’où : Zs=

Rc

3-2 : Montage collecteur commun (C.C)

88
Faouzi BAHLOUL

is
ie i1 (1+B)ib
i2
vs
ve

Amplification en tension :
vs
Av 
ve

vs  1   ib RE

ve  h11ib  1   ib RE

Av 
1   RE 1
h11  1   RE

Impédance d’entrée

89
Faouzi BAHLOUL
v
Ze  e
ie

ie=i1+i2+ib
ve
or i1 
R1

ve
i2 
R2

ve
ib 
h11  1   RE

ve
Ze 
ve ve ve
 
R1 R2 h11  1   RE

1
Ze 
1 1 1
 
R1 R2 h11  1   RE

Ze  R1 R2 (h11  1   RE )

Impédance de sortie

vs
Zs 
is OHMMETRE

i is
iE

vs
Zs 
is

is=i+iE
vs
or iE 
RE

i=-(β+1)ib

90
Faouzi BAHLOUL
 
Rg R1 R2 .ib  h11ib  vs  0

Rg R R i
1 2 b
 h11ib  vs


 Rg R1 R 2  h11    vs
ib

vs
is   (   1).ib
RE

vs vs
is   (   1)
RE 
Rg R1 R 2  h11  
Zs 
Rg R 1 R2   h11
RE
 1
Il s’agit donc d’un montage suiveur. En effet, ce montage est à haute impédance d’entrée et
faible impédance de sortie et l’amplification en tension à vide est égal à l’unité.

3-3 : Montage base commune (B.C)

ie (1+B)ib is

iE

ve
vs

Amplification en tension :

91
Faouzi BAHLOUL
v
Av  s
ve

vs   RC RU ib

ve  h11ib

 RC RU 
Av 
h11

Av=gm.(Rc||Ru)
On retrouve le gain en tension du montage émetteur commun à un signe près.
Impédance d’entrée
ve
Ze 
ie

ie=iE-(β+1)ib
ve
or iE 
RE

ve
i2 
R2

ve
ib  
h11

ve
Ze 
ve v
 (   1) e
RE h11

1
Ze 
1 (   1)

RE h11

h11
Z e  RE
 1
h11
Ze  très faible
 1
Impédance de sortie : Zs= Rc

3-4 : Comparaison des trois montages

Le montage émetteur commun est le plus utilisé, en effet il présente le gain en puissance le plus
élevé. Pour réaliser une bonne adaptation d’impédance à l’entrée d’un amplificateur (EC) on peut

92
Faouzi BAHLOUL
utiliser comme étage d’entrée un montage C.C. Si la résistance interne du générateur est très grande ou
encore un montage B.C. si cette résistance est très faible.
D’autre part, on peut utiliser un montage C.C. comme étage de sortie si la charge présente une
faible impédance.

ie ib1 ie2 ib2 (1+β2)ib2 is

i1 i4 i5 i6
i2 i7

ve
vs1 ve2 vs
(1+β1)ib1

Etude du deuxième étage

Amplification en tension du deuxième étage :
vs
Av 2 
ve 2

vs  1  2 ib 2 Ru R7

ve 2  h11' ib 2  vs

1   2 ib 2 Ru R7
Av 2 
h'
11  1   2 ib 2 Ru R7

Impédance d’entrée du deuxième étage :

ve 2
Ze2 
ie 2

93
Faouzi BAHLOUL
ie2=i5+i6+ib2
ve 2
or i5 
R5

ve 2
i6 
R6

ve 2
ib 2 
h  1   2 Ru R7
'
11

ve 2
Ze2 
ve 2 ve 2 ve 2
  '
R5 R6 h11  1   2 Ru R7

1
Ze2 
1 1 1
  '
R5 R6 h11  1   2 Ru R7


Ze2  R5 R6 h11'  1  2 Ru R7 
Etude du premier étage
Amplification en tension du premier étage :
v s1
Av1 
ve

vs1  1  1 ib1R4 Ze2

ve  h11ib1  1  1 ib1R3

 1  1 ib1R4 Z e 2
Av1 
h11ib1  1  1 ib1R3

 1  1 R4 Z e 2
Av1 
h11  1  1 R3

Impédance d’entrée du premier étage :

ve
Ze 
ie

ie=i1+i2+ib1
ve
or i1 
R1

ve
i2 
R2

ve
ib1 
h11  (1  1 ) R3

94
Faouzi BAHLOUL
ve
Z e1 
ve ve ve
 
R1 R2 h11  1  1 R3

1
Z e1 
1 1 1
 
R1 R2 h11  1  1 R3

Ze1  R1 R2 (h11  1  1 R3 )

Etude du circuit complet

Amplification en tension
vs vs1
Av  .
vs1 ve

Av  Av 2 . Av1

Impédance d’entrée
Z e  Z e1

Impédance de sortie

vs
Zs 
is OHMMETRE

vs
Zs 
is

is=i+i7
vs
or i7 
R7

i=-(β2+1)ib2
On montre que Zs1=R4
Z s1 
R5 R6 .ib 2  h11' ib 2  vs  0

Z s1 R5 R .i
6 b2  h11' ib 2  vs

Z s1 
R5 R 6  h11'  
vs
ib 2

vs
is   (  2  1).ib 2
R7

vs vs
is   (  2  1).
R7 ( Z s1 R5 R6 )  h11'

95
Faouzi BAHLOUL
Z R R   h11' R
Z s  s1 5 6
2  1 7

4 : Utilisation en commutation
4-1 : Etat bloqué / saturé

D’après le réseau de caractéristiques ci-après , on constate trois zones de fonctionnement qui

sont les suivantes :
 Régime linéaire (P) : fonctionnement comme amplificateur
 Région de saturation (S) : le transistor se comporte comme un interrupteur fermé .Le courant de
base iB est très important, de même pour ic
 Région de blocage (B) : courant de base nul, de même pour ic et vce= E

IC
E
Rc
IB

S
P

B 0 VBE
E VCE(V) Vd

Les circuits équivalents pour les deux états bloqué et saturé sont donc :
C
B
B C
VBEsat VCEsat
E
E

Etat Bloqué : iB=0 et IC=0  (VBE<Vd , vCE=E )

Etat saturé : VBE Sat = 0.8 Volts et VCE Sat = 0.2 Volts  (vBE>Vd)

96
Faouzi BAHLOUL
Remarque : Le coefficient d’amplification en courant  est plus faible dans la zone de saturation en
raison du tassement des caractéristiques. On considère donc que l’état de saturation a effectivement
lieu lorsque la condition suivante est satisfaite : iB>iC/ min

TRANSITOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION

97
Faouzi BAHLOUL
1 : Principe d’un transistor à effet de champ

Il s’agit d’un barreau de semi-conducteur du type N à deux îlots d’un matériau du type P. La
partie inférieure s’appelle « source » parce que les électrons libres pénètrent par cet endroit. La partie
supérieure s’appelle « drain » parce que les électrons libres quittent le dispositif par cet endroit. Le
petit espace entre les régions P (grille) se comporte comme un canal vis a vis des électrons libres, sa
largeur détermine le courant qui traverse le F E T a jonction.

Drain

D
D
Grille G
P N P G

S S

Source
JFET à canal N JFET à canal P

Le fonctionnement d’un J F E T à canal P est complémentaire à celui d’un JFET à canal N ,

c’est à dire , toutes les tensions et tous les courants sont inversés.
La polarisation d’un JFET à canal N peut se faire selon le schéma suivant :

ID
D Zone de transition

G N
P P
VDS
-VGS

 VDS 0  un courant d’électrons libres circule de la source vers le drain, ce courant dépend
de la largeur du canal.

 VGS<0  * pas de courant de grille (très faible)

98
Faouzi BAHLOUL
* création de couches d’appauvrissement autour des régions P (zones de transition) ,
d’où rétrécissement du canal conducteur .
* lorsque VGS est suffisamment négative, les couches de transition se touchent et le
canal conducteur se pince. Cette tension est dite « tension de pincement » et notée Vp.

ID (mA)
VGS=0 ID (mA)
10

VGS=-1 IDSS à VDS=10V

6

VGS=-2
5
3
VGS=-3
VGS
0,6
30 VDS(V) -2 0
-Vp
Caractéristique de drain Caractéristique de transconductance

La caractéristique de trans-conductance correspond approximativement à une partie de la

 
parabole d’équation : I D  I DSS 1 V GS
VP
2

2 : Polarisation

Dans la pratique une seule source est utilisée pour polariser le transistor

99
 Faouzi BAHLOUL

E = VDS + (RD+RS)ID
VGS= - RSID

Le point de fonctionnement P est déterminé graphiquement comme suit :

ID
ID

Pente - 1
Rs IDSS E
Droite de RD  RS Droite
polarisation de charge

P  1
P RD  RS
VGS
0 VDS
-Vp

Généralement on est amené à réaliser des étages identiques, or les paramètres internes (IDSS,Vp)
présentent une forte dispersion (jusqu’à 5) d’un transistor à l’autre. Cela conduit à des points de
fonctionnement très différents (ID1ID2) pour limiter l’écart entre ID1 et ID2, on applique une tension de

grille E G  R1 .E et on augmente la valeur de Rs. En effet dans ce cas on réduit la perte de la droite
R1 R 2
de polarisation tout en évitant la zone non linéaire (risque de distorsion).

100
Faouzi BAHLOUL

ID
ID

VGS VGS
0 0 EG

On est ainsi conduit au schéma suivant :

Cs est une capacité de valeur élevée afin de réaliser un court-circuit pour le régime variable. On évite
ainsi la perturbation que peut provoquer Rs pour ce régime.

3 : Modèle petit signaux et amplification

Le modèle petits signaux ne met en jeu que la partie variable des grandeurs tension/courant
iD = ID + id
vDS = VDS + vds
vgs = VGS + vgs

101
Faouzi BAHLOUL

vgs

Pour les fréquences faibles on néglige l’effet des parasites entre les électrodes.

 trans-conductance : g  i d pour v ds=0

m
v gs

 résistance interne en régime variable :   v ds pour v gs=0

id

Note :
i  iD vGS  iD v DS  id  g m v gs   1 vds
vGS vDS
 
On peut montrer que : gm  gm0 1VGS
VP
Avec : gm0 = 2I DSS
VP

de même l’amplification en tension A est donnée par : A= vds = - gm RD

v1
4 : Les montages fondamentaux
4-1 : Montage source commune (SC)

Le montage SC est représenté par le schéma ci-après :

102
Faouzi BAHLOUL

Après avoir choisi un point de fonctionnement (VDS, VGS, ID), on détermine les éléments de

polarisation du transistor (R1,R2,RD, RS , E)

E~VDS + (RD + RS).ID

VG~ R1 E , VS= [Link] (ID ~ IS)
R1 R2
Le gain en tension (Av) et l’impédance d’entrée (Ze) sont déterminés à partir du schéma

équivalent petits signaux :

ie [Link] is
i1 i2
vgs

ve vs

Ce, Cd et Cs sont considérées comme des court-circuits.

On suppose que : R= R1||R2 et Rds >> Rc, Ru
Amplification en tension :
vs
Av 
ve

vs   g m .vgs .RD RU 

ve  v gs

103
Faouzi BAHLOUL
Av   g m .RD RU 

Impédance d’entrée
ve
Ze 
ie

ie=i1+i2
ve
or i1 
R1

ve
i2 
R2

ve
Ze 
ve ve

R1 R2

1
Ze 
1 1

R1 R2

Z e  R1 R2
L’impédance de sortie n’est rien d’autre que l’impédance interne du générateur de Thévenin
équivalent vu par la charge Ru.

ZTH=Zs
vs
Ru
ETH

Zs est donnée par le rapport vs . Ru est remplacée par un générateur de tension pour imposer une
is
tension ( vs ). eg la seule source autonome étant rendue passive (théorème de Thévenin) d’où : Zs=

RD.

104
Faouzi BAHLOUL
4-2 : Montage drain commun (D.C)

vgs is

ie i1 i2

vs
ve ve

Amplification en tension :
vs
Av 
ve

vs  g m .vgs .RS RU 

ve  vgs  gm .vgs .RS RU 

g m .RS RU 
Av  1
1  g m .RS RU 

Impédance d’entrée
ve
Ze 
ie

105
Faouzi BAHLOUL
ie=i1+i2
ve
or i1 
R1

ve
i2 
R2

ve
Ze 
ve ve

R1 R2

1
Ze 
1 1

R1 R2

Impédance de sortie

vs
Zs 
is OHMMETRE

vgs is
i

vs
Zs 
is

is=[Link]
vs
or i 
RS

vs  vgs  0

v gs  vs

vs
is   g m vs
RS

106
Faouzi BAHLOUL
1
is  v s (  g m )
RS

1
Zs  RE
gm

Il s’agit donc d’un montage suiveur. En effet, ce montage est à haute impédance d’entrée et faible
impédance de sortie et l’amplification en tension à vide est égal à l’unité.

4-3 : Montage grille commune (G.C)

ie
is

ve vgs
vs

Amplification en tension :
vs
Av 
ve

vs   g mvgs RD RU 

ve  v gs

Av  g m RC RU 

107
Faouzi BAHLOUL
On retrouve le gain en tension du montage émetteur commun à un signe près.
Impédance d’entrée
ve
Ze 
ie

ie=i-gmvgs
ve
or i 
RS

ve  v gs

ve
ie   g m ve
RS

ve
Ze 
ve
 g m ve
RS

1
Ze 
1
 gm
RE

1
Z e  RE
gm

Impédance de sortie : Zs= RD

4-4 : Comparaison des trois montages

Le montage source commune est le plus utilisé, en effet il présente le gain en puissance le plus
élevé. Pour réaliser une bonne adaptation d’impédance à l’entrée d’un amplificateur (SC) on peut
utiliser comme étage d’entrée un montage D.C. Si la résistance interne du générateur est très grande ou
encore un montage G.C. si cette résistance est très faible.
D’autre part, on peut utiliser un montage D.C. comme étage de sortie si la charge présente une
faible impédance.

108
Faouzi BAHLOUL

ie vg1s1 ie2 vg2s2 is

i1 i2 i5 i6 i7
i4
vs
ve vs1 ve2
i3

Etude du deuxième étage

Amplification en tension du deuxième étage :
vs
Av 2 
ve 2

vs  gm2vg 2s 2 Ru R7

ve 2  v g 2 s 2  vs

g m 2vg 2 s 2 Ru R7
Av 2 
vg 2 s 2  g m 2vg 2 s 2 Ru R7

Impédance d’entrée du deuxième étage :

ve 2
Ze2 
ie 2

ie2=i5+i6

109
Faouzi BAHLOUL
v
or i5  e 2
R5

ve 2
i6 
R6

ve 2
Ze2 
ve 2 ve 2

R5 R6

1
Ze2 
1 1

R5 R6

Ze 2  R5 R6

Etude du premier étage

Amplification en tension du premier étage :
v s1
Av1 
ve

vs1   gm1vg1s1R4 Ze2

ve  v g1s1  g m1v g1s1 R3

 g m1vg1s1R4 Z e 2
Av1 
vg1s1  g m1vg1s1R3

 g m1R4 Z e 2
Av1 
1  g m1 R3

Impédance d’entrée du premier étage :

ve
Ze 
ie

ie=i1+i2
ve
or i1 
R1

ve
i2 
R2

ve
Z e1 
ve ve

R1 R2

110
Faouzi BAHLOUL
1
Z e1 
1 1

R1 R2

Ze1  R1 R2

Etude du circuit complet

Amplification en tension
vs vs1
Av  .
vs1 ve

Av  Av 2 . Av1

Impédance d’entrée
Z e  Z e1

Impédance de sortie

vs
Zs 
is OHMMETRE

vs
Zs 
is

is= i7 – gm2vg2s2
vs
or i7 
R7

vs  v g 2 s 2  0

v g 2 s 2  vs

vs
is   g m 2vg 2 s 2
R7

1
is  v s (  gm2 )
R7

1
Zs  R7
gm2

111
Faouzi BAHLOUL

AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL

1 : Introduction
L’amplification opérationnel est circuit intégré amplificateur de différence auquel on ajoute des
composants pour réaliser des opérations mathématiques telles que : addition, soustraction, moyenne,
intégration, dérivation, produit, division ..
L’utilisation de ces amplificateurs est de plus en plus généralisée. Ils sont actuellement utilisés
pour certaines applications en hyperfréquences (amplification, oscillateur, comparateur…)
Une bonne connaissance de leurs caractéristiques permettra d’exploiter au mieux leurs
remarquables propriétés.
Dans la suite nous présenterons quelques applications ou l’amplificateur opérationnel sera
considéré comme idéal.

2 : Amplificateur opérationnel idéal

C’est un amplificateur différentiel idéal qui possède un gain infini Ao. Les impédances d’entrée sont
infinies et l’impédance de sortie est nulle.

+Vcc s
8 7 6 5 VCC : tension d’alimentation

1 2 3 4

e- e+ -Vcc
i- +Vcc
on Note :  =e+ - e-
ε A0
d’où : s= Ao .  i+

-Vcc
e- s
e+

Les courants i- et i+ sont nuls et la tension s ne dépend pas de la charge. Dés que   0 on aura
s = , alors l’amplification opérationnel fonctionnera en dehors du régime linéaire et sera saturé ( s =

112
Faouzi BAHLOUL
Vcc selon le signe de  ). Cet amplificateur fonctionne donc en commutateur ce qui n’est pas le but
recherché. D’où la nécessité d’une contre réaction (B).

e s
+ ε
A0

s= .Ao , = e + B.s

On a donc s = Ao  - 1 (Ao.B >>1)

e 1 Ao.B B

3 : Montage à amplificateurs opérationnels

3 – 1 : Montage de base

3 – 1 – 1 : Montage suiveur
C’est un montage adaptateur parfait.

Ze =  , Zs = 0 , s = 1 (  0)
e
ε

s
e

3 – 1 – 2 : Montage inverseur

113
Faouzi BAHLOUL

e+ =0
v1 vout

 R1 R2
e 
1 1

R1 R2
e+=e-
v1 vout

R1 R2
0
1 1

R1 R2

v1 vout
 0
R1 R2

v1 v
  out
R1 R2

R2
vout   v1
R1
15V

10V

0V

-10V

-15V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(out) V(in)
Time

3 – 1 – 3: Montage sommateur

114
Faouzi BAHLOUL

e+ =0
v1 vout v4
 
 R1 R2 R4
e 
1 1 1
 
R1 R2 R4
e+=e-
v1 vout v4
 
R1 R2 R4
0
1 1 1
 
R1 R2 R4

vout v v
 ( 1  4 )
R2 R1 R4

v1 v4
vout   R2 (  )
R1 R4

Pour R1=R4 on aura

R2
vout   (v1  v4 )
R1
10V

0V

-10V

-20V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(out) V(in)
Time

3 – 1 – 4 : Montage non inverseur

115
Faouzi BAHLOUL

Vout
Vin

e+ =v1
0 vout

 R1 R2
e 
1 1

R1 R2
e+=e-
0 vout

R1 R2
 v1
1 1

R1 R2

vout 1 1
 v1 (  )
R2 R1 R2

1 1
vout  v1 (  ) R2
R1 R2

R2
vout  v1 (  1)
R1
20V

10V

0V

-10V

-20V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(in) V(out)
Time

3 – 1 – 5 : Montage différentiel

116
Faouzi BAHLOUL

e+ =v1
v1 vout

 R1 R2
e 
1 1

R1 R2

v4 0

R R5
e  4
1 1

R4 R5
On pose R1=R4 et R2=R5
v4 0 v1 vout
 
R1 R2 R1 R2

1 1 1 1
 
R1 R2 R1 R2

v4 v1 vout
 
R1 R1 R2

R2
vout  (v4  v1 )
R1

117
Faouzi BAHLOUL
10V

5V

0V

-5V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(out) V(in)
Time

3 – 2 : Filtres actifs

Nous présentons ce filtre à titre d’exemple. Il comporte deux intégrateurs et un montage

soustracteur

Zc2
Pour le dernier étage: vout   vout 2
R2

R2
vout 2   vout
Zc2

Z c1
Pour le second étage: vout 2   vout1
R1

R1
vout1   vout 2
Z c1

R1 R2
vout1  vout
Z c1 Z c 2

Pour le premier étage:

118
Faouzi BAHLOUL
vout1 vout

 R0 R5
e 
1 1

R0 R5

R1 R2
vout
Z c1 Z c 2 v
 out
R0 R5
e 
1 1

R0 R5

vout 2 vin

 R4 R3
e 
1 1

R3 R4

R2
 vout
Zc2 v
 in
R4 R3
e 
1 1

R3 R4

R1 R2 R
vout  2 vout
Z c1 Z c 2 v Zc2 v
 out  in
R0 R5 R4 R3

1 1 1 1
 
R0 R5 R3 R4

R1 R2 R
vout  2 vout
Z Z v 1 1 1 1 Zc2 v
( c1 c 2  out )(  )  (  )(  in )
R0 R5 R3 R4 R0 R5 R4 R3

R1 R2
vout
Z c1 Z c 2 v 1 1 R
(  out )(  )  2 vout
R0 R5 R3 R4 Zc2 v
(  in )
1 1 R4 R3
(  )
R0 R5

R1 R2
vout
Z c1 Z c 2 v 1 1 R2
(  out )(  ) vout
R0 R5 R3 R4 Zc2 v
  in
1 1 R4 R3
(  )
R0 R5

119
Faouzi BAHLOUL
 R1 R2 
 
 ( Z c1 Z c 2  1 )( 1  1 ) R2 
 R0 R5 R3 R4 Z  v
vout   c 2   in
1 1 R4  R3
 (  )
 R0 R5 
 
 
vout 1

vin  R1 R2 
 
 ( Z c1 Z c 2  1 )( 1  1 ) R2 
 R0 R5 R3 R4 Z 
R3   c2 
1 1 R4 
 (  )
 R0 R5 
 
 

Pour étudier la réponse en fréquence de ce filtre, on calcule sa fonction de transfert dans le

out ( p )
domaine de Laplace H(p)=
in ( p )
On montre que :

S(p) 1 R0
H(p) = = K , avec : K= R5
E(p) R1C1R2C2p2 K' p Ro 1 R3
R5 R4

1 R0
K’= R2C2 R5
1 R4
R3
Il s’agit donc d’un filtre passe-bas du deuxième ordre

120
Faouzi BAHLOUL
QUADRIPOLES
EXERCICE 1
Pour le quadripôle en T suivant calculer les paramètres Zij ?

EXERCICE 2
Pour le quadripôle en π suivant calculer les paramètres Yij ?

EXERCICE 3
Soit le quadripôle suivant ou Ve est une tension sinusoïdale de pulsation ω:

1. Déterminer la matrice Z de ce quadripôle ?

2. Déduire les impédances d’entrée et de sortie ?
3. Calculer la fonction de transfert de ce circuit ?

121
Faouzi BAHLOUL
EXERCICE 4
1. Déterminer les matrices admittances des deux cellules T1 et T2 ?
2. Existe-t-il une façon simple de déduire la matrice admittance de la seconde cellule à partir de
celle de la première ?

EXERCICE 5
On considère un quadripôle alimenté par une tension sinusoïdale et fermé par une impédance Z 0.
1. Calculer la matrice impédance de ce filtre ?
2. Calculer, lorsque le quadripôle est chargé par Z0, l’expression de l’impédance d’entrée ZE en
fonction des paramètres Zij de la matrice et de Z0 ?

EXERCICE 6
En petits signaux et aux basses fréquences un transistor bipolaire est assimilable au modèle linéaire
dessiné. Calculer alors les paramètres h d’un transistor bipolaire ?

EXERCICE 7
Pour le Té ponté de droite, calculer : la résistance d’entrée à vide, en court circuit et la résistance de
sortie.

122
Faouzi BAHLOUL

EXERCICE 8
Donner les matrices d’impédance et d’admittance du treillis suivant ?

EXERCICE 9
On se propose d’étudier les caractéristiques du montage suivant qui inclut un quadripôle constitué des
éléments C, µ.V1 et R.

Par la méthode de votre choix, déterminer les paramètres impédances de ce quadripôle

1. Déterminer l’expression du gain en tension AV = V2/V1 ?
2. Déterminer l’expression du gain en tension à vide AV0 ?
3. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée, RE ?

123
Faouzi BAHLOUL
4. Déterminer l’expression du gain en tension composite AVG et montrer qu’il est de la forme :
V2 G
AVG  
EG 
1 j
c
où G est un nombre réel. On précisera l’expression de G et de wc.
5. Déterminer l’expression du module du gain en tension composite |A VG| en fonction de G et wc ?
6. Du point de vu de la charge, que se passe-t-il si la fréquence du générateur est très supérieure à
wc/2.π ?
EXERCICE 10
On se propose d’étudier la réponse en fréquence d’un circuit chargé par une impédance inconnue Z L.
L’entrée est attaquée par une tension VE et parcourue par un courant IE. La tension de sortie VL est
prise aux bornes de la charge.
I-Sachant que ZL est quelconque
1. Calculer l’impédance d‘entrée en charge ?
2. Calculer la fonction de transfert complexe ?
II-ZL est constituée d’une résistance RL en parallèle avec un condensateur CL.
1. Montrer que dans ce cas, on a :

1 j
1
H K

1 j
2
où K est une constante réelle, w1 et w2 deux pulsations à identifier.
2. Tracer le diagramme de Bode complet de H dans le cas où w1 = 10w2, et w2 = 0.1rad/s ?
3. Tracer le diagramme de Bode de H dans le cas où w2 = 10w1, et w1 = 0.1rad/s ?
4. Quelle relation particulière entre R, C, RL et CL doit-il exister pour que H = K ? Quel est alors
le diagramme de Bode ?

124
Faouzi BAHLOUL
TD DIODES
Exercice 1 :
La première figure comporte une diode D1N4002 dans un
circuit comportant deux sources de tensions. La
caractéristique I=f(V) de cette diode est donnée par la
seconde figure.
1. Sachant que E1=1.5V, E2=4V, R1=150Ω, R2=200Ω et
R3=100Ω, Déterminer l’intensité du courant circulant dans R3 en modélisant la diode ?
2. Tracer la droite de charge I=f(V) ?
3. Quel est alors le point de fonctionnement ?
4. Comparer la solution graphique e celle donnée par le calcul ?

Exercice 2
En utilisant les divers modèles de la diode, calculer le courant I débité par le générateur de tension E1.
(Vγ =0.6V et RD=100Ω).

125
Faouzi BAHLOUL
Exercice 3
On donne le circuit suivant :

1. En prenant la diode comme charge donner le générateur équivalent ?

2. Donner l’expression de la tension de sortie lorsque la diode (supposée idéale) est passante ?
3. Donner l’expression de la tension de sortie lorsque la diode (supposée idéale) est bloquée ?
4. Représenter sur le graphe donné, l’évolution de la tension de sortie ?

Exercice 4
Trouver les expressions i=f(vi) et vo=f(vi) en précisant l’intervalle de leur validité et faisant varier vi de
-10V à 10V en supposant que les diodes sont idéales. R1=100Ω, R2=500Ω R3=400Ω et R4=600Ω.

Exercice 5

Trouver les valeurs de V et de I dans le circuit suivant en

supposant que les diodes sont idéales.

Données : R1=1kΩ, R2=2.5 kΩ et R3=2kΩ.

126
Faouzi BAHLOUL

Exercice 6
Calculer le courant dans la diode si E1 =+20V et -20V pour Vγ =0.7V.

Exercice 7
Représenter la variation de la tension de sortie en fonction du temps et le graphe de la fonction de
transfert VOUTPUT = f(VINPUT) en supposant que V1max=100V?

Exercice 8
On considère le premier schéma dans lequel les diodes D1 et D2 sont supposées parfaites. La tension
appliquée à l’entrée est donnée par la seconde figure.
1. Pour différentes valeurs de V1, faire des hypothèses sur les états des diodes D1 et D2 puis les
vérifier, en déduire l’expression de la tension de sortie. Effectuer l’application numérique ?
2. Tracer les courbes de la tension de sortie Voutput en fonction de la tension d’entrée puis en
fonction du temps ?

127
Faouzi BAHLOUL

40V

30V

20V

10V

0V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms 45ms 50ms
V(INPUT)
Time

Exercice 9
On considère le circuit suivant dans lequel les diodes D1 et D2 sont supposées parfaites. La tension
sinusoïdale appliquée à l’entrée satisfait la condition suivante 0 < V1 < 25V.
1. Exprimer la tension de sortie Voutput en fonction de la tension d’entrée Vinput ?
2. Tracer la caractéristique de transfert Voutput = f(Vinput) ?
3. Déterminer puis tracer la variation du courant traversant la première diode en fonction de
Vinput ?

128
Faouzi BAHLOUL

Exercice 10
Le régulateur suivant permet d’obtenir, à partir d’une source de tension VIN, la tension régulée VOUT
aux bornes de la charge RL, dans une certaine plage de variation de cette dernière. La tension de la
diode zener Vz =8V. La résistance RS = 100Ω.

La tension VIN =20 V. La charge varie de 100 à 200Ω.

1. Déterminer les courants minimal et maximal dans la charge ?
2. Trouver les courants minimal et maximal dans la diode zener ?
3. Calculer la puissance maximale dissipée par la diode zener ?
Exercice 11
1. Identifier le circuit en indiquant le rôle de chaque composant ?
2. Sachant que m=0.05, V2=18V, Vz = 10V, Pzmax = 400mW et R2=1kΩ donner R1 pour
avoir Iz < 12mA ?
3. V1eff varie entre 200V et 240V donner Iz1 et Iz2 pour la valeur de R1 déterminée dans la
seconde question pour les deux cas?
4. Vérifier alors le bon fonctionnement de la diode ?

129
Faouzi BAHLOUL

130
Faouzi BAHLOUL
TD TRANSISTORS BIPLOAIRES

EXERCICE 1 : AMPLIFICATION EMETTEUR COMMUN

On considère le montage amplificateur donné en figure 1. Ce montage utilise un transistor NPN

T1, au silicium à T=25°C, alimenté sous une tension VCC de 15V. Le transistor possède un gain en
courant  de 250 et sa résistance rce est considérée comme infinie.

Dans l’émetteur de T1, on a disposé un potentiomètre tel que seule la portion ( R E1 telle
que : 0    1) de sa résistance totale RE1 soit découplée à la masse par le condensateur Cd de valeur
suffisante.
1. Dessiner le schéma du montage en régime continu. Sachant que le courant de repos de collecteur
est tel que IC1 repos=5mA, déterminer :
a- La tension par rapport à la masse de tous les nœuds
b- La valeur à donner à la résistance de polarisation R 1.
2. Dessiner le schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes du montage
complet sachant que toutes les capacités ont alors une impédance faible.
3. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée Re1 du montage vue par le générateur
d’excitation (eg, Rg).
4. Déterminer l’expression du gain en tension A1=vs/ve.
5. On veut que le gain évolue de la valeur minimale à -40. Donner la solution technique.
6. Montrer, en utilisant la « méthode de l’ohmmètre », que la résistance de sortie Rs1 du montage vue
entre le collecteur C1 de T1 et la masse est égale à RC1.

131
Faouzi BAHLOUL
EXERCICE 2 AMPLIFICATION EMETTEUR COMMUN

On donne en figure 1 le schéma d’un amplificateur émetteur commun à T = 25°C, alimenté par une
tension VCC de 20V, dans lequel le transistor NPN T1 possède, grâce à une valeur convenable
de la résistance de polarisation RP, un point de repos centré sur sa droite de charge.
Le transistor T1 possède un gain en courant statique ß de 100, une tension VBE=0.6V et une résistance
interne (h22)-1 infinie.
1. Dessiner le schéma qui permet de décrire le fonctionnement du montage en courant continu.
2. Le point de repos du transistor T1 doit être centré sur sa droite de charge VCErepos=10V avec un
courant de collecteur IC1repos = 5 mA. Indiquer sur le schéma précédent, la valeur de la tension
de tous les nœuds par rapport à la masse.

Figure 1
3. Calculer la valeur à donner à la résistance RC.
4. Déterminer la valeur à donner la résistance RP.
5. Déterminer le paramètre h11 du transistor T1 autour de son point de repos.
6. On suppose que les condensateurs CL1 et CL2 ont des valeurs suffisantes pour que leur
impédance soit négligeable à la fréquence d’utilisation du montage. Compte tenu de ces
hypothèses, dessiner le schéma aux petites variations (dynamique) équivalent au montage
complet.
7. Déterminer l’expression du gain en tension du montage et faire l’application numérique
8. Déterminer l’expression de l’impédance d’entrée du montage et faire l’application numérique.
9. Déterminer l’expression de l’impédance de sortie et faire l’application numérique.

132
Faouzi BAHLOUL
EXERCICE 3 : AMPLIFICATION COLLECTEUR COMMUN

Le schéma d’un étage amplificateur à transistor monté en collecteur, alimenté sous une tension
d’alimentation VCC de 15V, est donné par la figure ci- dessous. Il utilise un transistor NPN T1, au
silicium à T=25°C. Le transistor possède un gain en courant  de 300 et sa résistance rce =68.7kΩ.
1. On choisit le point de repos du transistor tel que : IC repos=5mA et VCE repos=6 V. Calculer
alors la valeur de la résistance d’émetteur RE et de polarisation RB
2. Dessiner le schéma équivalent du montage complet pour les petites variations imposées
par le générateur d’attaque sinusoïdal (eg,Rg) . Les capacités de liaison C1 et C2 ont une
impédance négligeable à la fréquence de travail.
3. Calculer les valeurs des paramètre du transistor autour de son point de repos :
h11  26. / I Crepos (mA) g m  I Crepos (mA) / U T

4. Déterminer la résistance d’entrée Re du montage vue par le générateur d’attaque (eg,Rg).

On rappelle que Re=ve/ig où ig représente le courant variable imposé par eg
5. Chercher l’expression et calculer le gain en tension en charge : Av=vs/ve
6. Chercher l’expression et calculer la résistance de sortie R s du montage ?
On rappelle la méthode générale permettant de construire le schéma permettant le calcul de R s :
 Court-circuiter eg (et non ve)
 Enlever Ru et mettre à sa place un générateur sinusoïdal u qui débite un courant i
 Dans ces conditions Rs est l’expression du rapport u/i

133
Faouzi BAHLOUL
EXERCICE 4 : AMPLIFICATION BASE COMMUNE
On considère le montage ci-contre où on a :
VCC=15V, RE=1.2k, RC=3.3k, R1=10k, R2=2.4k et
RL=6.8k, et les paramètres du transistor sont: h11=3.5k,
h21==120, et on néglige h12 et h22.
On suppose qu’à la fréquence de travail, les modules des
impédances des condensateurs C1, C2 et CB sont
négligeables devant les résistances du montage.
1. Quel est le rôle des capacités C1, C2 et CB ?
2. Représenter le schéma équivalent du montage en
régime dynamique.
3. Quel est le type du montage ?
4. Calculer l’amplification en tension Av, l’amplification en courant Ai ainsi que les impédances
d’entrée Ze et de la sortie Zs du montage.

EXERCICE 5 : AMPLIFICATION A PLUSIEURS ETAGES

On considère le montage amplificateur suivant qui utilise deux transistors Q1 et Q2 tels que β1=β2=200,
Vbe1=Vbe2=0.6V et les résistances internes rce sont élevées et seront négligées. On donne VCC = 12V, R1
= 15kΩ, R2 = 8.2 kΩ, RC = 4kΩ, RE = 4kΩ, ug(t) = 10mV, Rg = 50Ω, RE2 = 470Ω.
1. Identifier les deux étages constituant le circuit ?
2. Dessiner le circuit statique du montage considéré ?
3. a) Calculer le potentiel de la base du premier transistor UB1 par rapport à la masse ?
b) Calculer le courant dans le collecteur du premier transistor (I C1) ?
c) Calculer le potentiel du collecteur du premier transistor U C1 par rapport à la masse ?
d) Calculer le potentiel de l’émetteur du second transistor UE2 par rapport à la masse ?
e) Calculer le courant dans le collecteur du second transistor (I C2) ?
4. Dessiner le montage dynamique du circuit ?
5. Calculer h111et h112 des deux transistors ?
6. Calculer l’impédance d’entrée du deuxième étage ?
7. Calculer le gain en tension du deuxième étage ?
8. Calculer l’impédance de sortie du premier étage ?
9. Calculer le gain en tension du premier étage ?
10. Calculer l’impédance d’entrée du circuit ?
11. Calculer l’impédance de sortie du circuit ?
12. Calculer le gain en tension du circuit complet ?

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Faouzi BAHLOUL

EXERCICE 6 : AMPLIFICATION A PLUSIEURS ETAGES

Les deux transistors sont identiques et polarisés au même point de repos Q. Pour chacun des
transistors on a fixé ce point Q tel que : VCEQ = 4V, ICQ = 1mA, VBE = 0.8V, IB = 10µA. De plus
E=12V, RC=3RE et R3=18KΩ
1. Calculer les valeurs manquantes des résistances ainsi que les courants I 1, I2 et I3 et les résistances
R1, R2 et R3 et les potentiels par rapport à la masse de tous le points du circuit.
2. On donne les paramètres hybrides : h11=1.2KΩ ; h21= β=100 ; h22= h12=0.
a) Déterminer le type de montage de chaque transistor ?
b) Donner le schéma équivalent (dynamique) de l’amplificateur ?
3. Déterminer l’impédance d’entrée du transistor T2 vue de T1 et l’amplification en tension de T2 ?
4. Déterminer l’amplification en tension de T 1 et l’impédance d’entrée de T1 ?
5. Déduire l’amplification en tension totale ?

vs
ve2

ve1

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TD TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP
Exercice 1
Dans l’amplificateur à source commune (basé sur un JFET à canal N) de la figure suivante, V DD = 20
V, R2 = 800 kΩ, R1 = 100 kΩ, RD = 2.7 kΩ, RS = 1 kΩ. La valeur mesurée de VDS est 6 V. Les
capacités des condensateurs de couplage et de découplage CG, CD. et CS sont considérées infinies.
a) Déterminer les valeurs de VG, ID et VGS.
b) Calculer VD et VS.

Exercice 2
Soit l’amplificateur à transistor JFET à canal N de la figure suivante. Le transistor a un courant drain-
source en saturation IDSS = 5 mA et une tension grille source VGS = -1.8 V. Déterminer :
a. le courant de drain ID, la tension VDS et la conductance gm
b. le gain en tension vo/vs
c. le gain en courant Ai et la résistance d’entrée Rin
Données : RG = 200 kΩ, RD = 5 kΩ, RS = 1 kΩ, RL = 8 kΩ et VDD = 20 V. Les capacités des
condensateurs sont considérées infinies.

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Faouzi BAHLOUL
Exercice 3
On polarise un transistor à effet de champ au moyen de trois résistances R1, R2 et RL.

Le réseau de caractéristiques du transistor est le suivant :

1. Ecrire l’équation de la droite de charge du transistor I D = f(VDS).

2. Tracer la droite de charge passant par le point I D = 4 mA, VDS = 0 V. Choisir le point de
fonctionnement au milieu de la zone utilisable. En déduire la valeur de la tension V GS.
3. En déduire la valeur de RL.
4. Déterminer le rapport x = R1 / R2 des résistances de polarisation. Calculer R1 en sachant que R2
= 120 kΩ.
5. Le montage de la figure ci-dessous modifie-t-il le point de fonctionnement choisi en 2 ?
6. Donner le gain en tension, l’impédance d’entrée et l’impédance de sortie ?
7. Quel est l’intérêt de ce montage par rapport au précédent ?

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Faouzi BAHLOUL

Exercice 4
Soit l’amplificateur à transistor JFET à canal N de la figure suivante.

IDSS = 10mA, VGSoff = -2V et ID = 2.2mA

1. Calculer VGS ?
2. Calculer Rs ?
3. Calculer VDS repos ?
4. Calculer gm du transistor T ?
5. Montrer que l’amplification en tension en tenant compte des capacités sous la forme suivante
vs (1  j 1 )
Av ( )   A0
eg (1  j 2 )(1  j 3 )

6. Tracer le gain en tension en fonction de la fréquence et donner la bande passante de ce circuit ?

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Exercice 5
Soit le circuit de la figure 1 suivante
Les paramètres des deux transistors utilisés sont indiqués dans le tableau suivant :
T1 IDSS = 8mA, VGSoff = -1.5V rds = 20 kΩ
T2 IDSS = 8mA, VGSoff = 1.5V rds = 20 kΩ

1. On désire de fixer à 2mA, le courant de repos I D1 de T1. Calculer ID1, VGS, R2 et gm ?

2. En s’appuyant sur le montage dynamique de la partie encadrée seulement donner et calculer sa

résistance équivalente Réq ?
3. Donner l’expression du gain en tension en fonction de Réq?
4. Calculer l’impédance de sortie en utilisant la méthode d’ohmmètre ?

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Faouzi BAHLOUL
TD AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS
EXERCICE 1
On considère le montage suivant ou T1 et T2 sont deux transistors appariés ayant les mêmes
caractéristiques. Les tensions moyennes d'entrée sont maintenues à des valeurs égales. U 1 = U2 par des
ponts diviseurs réglables.
1. Calculer la valeur commune à laquelle devront être réglés les ajustables x pour que les valeurs
moyennes de potentiels des collecteurs soient:Us1=Us2=15V et on donne β=250 ?
2. Dessiner le montage dynamique en mode différentiel ? (e2=-e1=-0.5.e1maxsin(wt) )
3. Calculer l’amplification en tension en mode différentiel ?
4. Calculer l’amplification en tension en mode commun ? (e2=e1=0.5.e1maxsin(wt) )
5. Calculer le TRMMC ?

EXERCICE 2
Donner les rôles de ces circuits ?

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EXERCICE 3
Montrez que ce dispositif est un amplificateur différentiel qui délivre en sortie la tension:
Exprimez le gain différentiel A en fonction de k coefficient sans dimension.

EXERCICE 4
On étudie le filtre dont le schéma est donné ci-dessous :
R1=100kΩ, R2=1kΩ et C2=0.1µF
1. Calculer la fonction de transfert du circuit ?
2. Tracer les diagrammes de Bode du circuit ?
3. Déduire la fréquence de coupure graphiquement ?
4. Calculer la fréquence de coupure ?
5. Donner la bande passante du filtre ainsi que son type ?
EXERCICE 5
On étudie le filtre dont le schéma est donné ci-dessous
R=10KΩ et C=1nF :
1. Calculer la fonction de transfert du circuit ?
2. Tracer les diagrammes de Bode du circuit ?
3. Déduire la fréquence de coupure graphiquement ?
4. Calculer la fréquence de coupure ?
5. Donner la bande passante du filtre ainsi que son type ?

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Faouzi BAHLOUL
Bibliographie

1. A. Gharsallah, T. Ben Nasrallah, L. Gargouri, « Exercices et problèmes corrigés d’Electronique

Analogique », centre de publication universitaire, 2003.
2. [Link]

3. [Link]
4. Albert Paul Malvino, David J. Bates, « Principes d'électronique », Dunod, 7ème édition, 2008.

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