Chapitre 1
: Défauts dans les cristaux
CHAPITRE 1
DÉFAUTS DANS LES CRISTAUX
Chapitre 1 : Défauts dans les cristaux
1.1. Introduction
Un cristal idéal peut être construit par une répétition régulière, dans tout l’espace,
d’unités structurales identiques et s’étende suivant les trois dimensions de l’espace à l’infini
(figure 1.1). Les cristaux contiennent toujours des imperfections appelées défauts, la
concentration et la morphologie de ces défauts cristallins influencent directement les
propriétés des matériaux telles que les propriétés optiques, électriques et mécaniques. Mieux
appréhender les défauts et leur évolution aide donc à mieux prévoir les modifications de
comportement du matériau avec le temps [1.2].
Les matériaux cristallins les plus répandus, tels que les métaux et les alliages
métalliques, se présente sous une forme polycristalline qui est un assemblage d’une multitude
de petits cristaux de taille et d’orientation variées [3].
Figure 1.1. Représentation schématique d’un cristal parfait.
Il existe quatre sortes de défauts cristallins sans dimension (défaut ponctuel), à une dimension
(défaut linéaire), à deux dimensions (défaut plan) ou à trois dimensions (défaut volumique).
1.2. Défauts ponctuels
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Les défauts ponctuels sont des imperfections à l’échelle atomique traduisent par une
perturbation de l’ordre cristallin sur des dimensions limitées a une maille cristallographique
[4]. Ils peuvent être des lacunes, des auto-interstitiels et des défauts extrinsèques en insertion
ou en substitution [5].
1.2.1. Lacune
Ce défaut correspond à un site atomique inoccupé dans la structure. Les lacunes jouent
un rôle fondamental dans la diffusion a l’état solide qui résulte de déplacement d’atomes sur
de longues distances et est la base des traitements thermique notamment (figure 1.2)
[5].L’existence des lacunes a été prédite en 1926 par Frenkel [6].
Figure 1.2. Schéma d’une lacune dans un cristal.
Les lacunes sont toujours présentes dans les cristaux réels Elles augmentent la résistivité du
cristal et diminue par la même occasion sa densité. Leur concentration atomique n/N à
l'équilibre dans un cristal contenant N atomes dépend de la température, T, du matériau. Elle
varie suivant la relation [4, 7]
n
=e
−
( k T ),
EV
B
(1.1)
N
Où n désigne le nombre de lacunes se trouvant dans un ensemble contenant N atomes, EV
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représente l’énergie de formation d’une lacune qui est de l’ordre de 1 eV dans les métaux, et
kB désigne la constante de Boltzmann [7]
La diffusion des atomes dans le solide, qui s’effectue vers des régions où leur concentration
est faible, est facilitée par la présence des lacunes présence des lacunes. En effet, les
déplacements se produisent par permutation successives entre les lacunes et les
atomes adjacents (voir figure 1.3) [7,8].
Figure 1.3. Diffusion d’une lacune par déplacements successifs d’atomes.
1.2.2. Auto-interstitiel
Ce sont des atomes qui s’insèrent dans les espaces vides (voir figure 1.4). Si l’atome
en insertion est lui-même un atome du réseau cristallin on parle d’auto-interstitiel. La
présence d’un interstitiel dans un cristal produit une forte distorsion locale et Provoque
l’écartement des atomes voisins de leurs positions d’équilibre.
En général, l’énergie de formation des interstitiels est plus grande que celle des
lacunes Dans les métaux, elle est de l’ordre de 7 eV [9]. La concentration des interstitiels
comme celle des lacunes augmente avec la température Elle obéit à une loi similaire à la loi
donnée par (1.1). Les auto-interstitiels sont plus mutables que les lacunes et peuvent
actionner sur une longue distance avant de se recombiner avec elles [7].
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Figure 1.4. Schéma d’un auto-interstitiel.
1.2.3. Défauts de Schottky et de Frenkel
Dans les cristaux ioniques, la création de défauts doit préserver la neutralité électrique
du matériau. Les défauts ponctuels sont créés par paires de signe opposé. L’association d’une
lacune anionique et d’une lacune cationique donne un défaut dit de Schottky comme il est
illustré sur la figure 1.5. On rencontre de tel défaut dans les réseaux de NaCl, KCl [7, 10,11]
La formation d’un défaut de Schottky au sein du cristal requiert le déplacement d’une
paire cation-anion en position normale dans le réseau vers la surface du matériau. Les défauts
de Schottky conduisent à une diminution de la densité du cristal et leur nombre est donné par
l’expression [10, 11, 12] :
− ( ∆ H S /2 k B T )
0
nS ≈ N e , (1.2)
Où N désigne le nombre de sites du réseau et ∆ H 0S représente l’enthalpie standard de
formationdu défaut de Schottky.
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Figure 1.5. Défaut de Schottky.
Lorsque la paire est constituée d’une lacune d’une espèce donnée d’un atome de cette
même espèce en position interstitielle, on parle d’un défaut de Frenkel, comme il est
schématisé sur la figure 1.5. Les défauts de Frenkel peuvent être produits directement au sein
du cristal sans nécessité de déplacement d’ions ou de lacunes hors de la matrice. C’est le cas,
par exemple, dans l’irradiation des matériaux où la particule irradiante crée par collisions des
interstitiels et des lacunes. Le nombre de défauts de Frenkel est donné par l’expression [10,
11] :
−( ∆ H F / 2 k B T )
0
nF ≈ √ N N i e , (1.3)
où Ni représente le nombre de sites interstitiels et ∆ H 0F désigne l’enthalpie standard de
formation du défaut de Frenkel.
Figure 1.6. Défaut de Frenkel.
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1.2.4. Défauts extrinsèques
Lorsqu’il y a présence d’un atome de nature chimique différente de celle des atomes
composant le cristal. Alors on parle de défaut extrinsèque. La présence du défaut dans le
cristal peut être, selon le rayon atomique de l’atome, soit en substitution ou en insertion.
Dans la substitution, l’atome étranger remplace un atome du cristal sur un site de réseau qui
provoque, localement, une distorsion élastique de réseau (figure 1.7). Les défauts en
substitution peuvent se déplacer dans le cristal et ont une influence appréciable sur les
propriétés mécaniques et électriques des matériaux [7].
Figure 1.7. Défaut extrinsèque substitutionnel.
Les défauts extrinsèques en insertion concernent, en général, des atomes petits devant
les atomes du cristal et qui peuvent se glisser dans les interstices. L’insertion se fait en des
sites préférentiels ; site tétraédrique où l'atome inséré se loge au centre d'un tétraèdre dont
les sommets sont formés par les atomes du cristal (figure 1.7-a et figure 1.8-c) ou en site
octaédrique où l’atome introduit est placé au centre d'un octaèdre (figure 1.7-b et figure 1.8-
d).
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Figure 1.8. Positions interstitielles dans la structure cubique centrée (a) site octaédrique. (b) site tétraédrique.
Figure 1.9. Positions interstitielles dans la structure cubique à faces centrées (a) site octaédrique. (b) site
tétraédrique.
1.3. Dislocations
Une dislocation est un défaut unidimensionnel appelé aussi défaut linéaire. a été
introduit par Vito Volterra en 1907,
Elle se manifeste par une ligne séparant la partie qui a glissé relativement à une autre restée
immobile [13]. Elle traduit donc une discontinuité dans l'organisation de la structure
cristalline. Elle est caractérisée par un vecteur de glissement appelé vecteur de Burgers dont la
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norme donne l'amplitude de la déformation engendrée et la ligne d’imperfections. Les
dislocations ont un impact considérable sur les propriétés physique des matériaux [2, 7].
Il existe principalement, trois types de dislocations : les dislocations coin, les
dislocations vis, et les dislocations mixte.
1.3.1. Dislocation coin
Une dislocation coin est symbolisée par la présence d’un demi-plan atomique
supplémentaires dans une structure cristalline idéale. La dislocation introduit une déformation
dans le cristal de sorte que les atomes du demi-cristal supérieur sont comprimés, les autres
sont dilatés comme il est illustré sur la figure 1.10. Le vecteur b⃗ perpendiculaire à cette ligne,
est le vecteur de Burgers de la dislocation qui représente la grandeur et la direction du
glissement. [14].
Figure 1.10. Schéma d’une dislocation coin.
1.3.2. Dislocation vis
Le deuxième modèle de déformation montré sur la figure 1.10 est la dislocation dite
vis Le vecteur de Burgers b⃗ qui la caractérise est parallèle à la ligne de dislocation [7,15].
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Figure 1.11. Schéma d’une dislocation vis.
1.3.3. Dislocation mixte
Dans les cristaux réels les dislocations ne sont pas toujours rectilignes. De manière
générale les lignes dislocations sont courbes, et une dislocation est donc parfois coins
lorsque la ligne est perpendiculaire à la déformation, parfois vis lorsque la ligne parallèle à la
déformation parfois entre les deux. On peut même avoir une boucle de dislocation (la ligne
est un cercle fermé) [7,14]
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Figure 1.12. Représentation schématique d’une dislocation mixte.
1.4. Défauts plans
Ce sont des défauts a deux dimensions .on distingue principalement les joints de
grains, les joints de phases, les joints de macles, les défauts d’empilement, et les parois
d’antiphase.
1.4.1 Joints de grains et joints de phases
Les matériaux cristallins les plus répandus, tels que les métaux et les alliages
métalliques. Se présentent sous une forme polycristalline. Ils ne sont pas constitués d’un seul
cristal de taille macroscopique mais d’un grand nombre de cristaux juxtaposés appelés grains.
Ces cristaux disposés aléatoirement les uns par rapport aux autres. La surface de
raccordement des grains adjacents de natures identiques est appelée joint de grains. Si les
grains sont de natures différentes, la surface d’accolement est appelée joint de phases. Les
joints constituent des défauts bidimensionnels (figure 1.13) [14].
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Figure 1.13. Représentation schématique d’un joint de grains et d’un joint de phases.
1.4.2 Joints de macle
Un joint de macle est un joint de grain qui est également un plan de symétrie miroir pour
les réseaux des [Link] résulte en général d’une déformation plastique appelée maclage
(figure1.14) [2,11].
Figure 1.14. Schéma d’un joint de macle.
1.4.3. Défauts d’empilement
Il s’agit dans ce cas d’une modification de la séquence d’empilement des plans atomique
par exemple dans structure cubique a face centrées au de l’avoir la séquence d’empilement
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de plans comme il montre sur la figure 1.15 [16].
Figure 1.15. Défaut d’empilement.
1.4.4. Parois d’antiphase
On retrouve généralement ces défauts dans les alliages ordonnés. Elle représente une
surface séparation entre deux domaines ordonnés d’un cristal et le long de laquelle la
séquence ordonnée d’une domaine est décalée par rapport à celle de la domaine voisin (figure
1.16) [2, 14].
Figure 1.16. Schéma d’un cristal traversé par une paroi d’antiphase.
1.5. Défauts volumiques
Les défauts volumiques sont des agrégats tridimensionnels d’atomes ou de lacunes.
Quand une partie du cristal est remplacée par un volume d’un composé différent, la différence
est de nature chimique et peut ou non être accompagnée de différences cristallographiques.
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Ils sont classés en trois catégorie : les pores, les inclusions et les précipités [14, 17, 18].
1.5.1. Pores
Les pores sont des cavités qui formées dans un cristal ou d’un polycristal suites à
l’agglomération de lacunes ou sont des gaz piégés durant la phase de solidification. (figure
1.13). Ils ont pour effet de diminuer la résistance mécanique du matériau et de favoriser la
rupture à faible charge. [14].
Figure 1.16. Formation de pores dans un matériau.
1.5.2. Inclusions
Les inclusions sont des particules de nature différente (des impuretés) enrobées dans
le matériau qui proviennent de son élaboration a l’état liquide leur présence est indésirable car
son des sites préférentiels pour la rupture et altèrent les propriétés électriques des dispositifs
microélectroniques en introduisant des effets indésirables [18.19].
1.5.3. Précipités
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Les précipités sont de petites particules de nature différente de l’environnement
formées entre le métal de base et un élément d’alliage .la taille des précipites et la distance les
séparant influencent les propriétés mécaniques des matériaux. [14].
1.6 Effets d’irradiation dans les matériaux
L’irradiation d’un matériau par des particules énergétiques provoque le déplacement
des atomes hors de positions d’équilibre du réseau. Les atomes évincés peuvent à leur tour
provoquer d’autres déplacements il en résulte la création de lacunes et d’interstitiels. Outre les
déplacements atomiques produits par les interactions élastiques et l’ionisation des atomes du
milieu, des réactions nucléaires (transmutation, formation de gaz, fission) peuvent, également,
se produire suite au bombardement des matériaux.
Parmi les dommages macroscopiques qui peuvent se manifester dans les matériaux
irradiés, il y a : le gonflement (figure 1.14), la croissance, le durcissement, la fragilisation et la
dégradation de certaines propriétés telles que la conductivité thermique, la conductivité
électrique et la résistance à la corrosion [14].
La résistivité électrique qui est sensible à la pureté et la composition des matériaux est
influencée par les défauts induits par irradiation. Elle augmente dans les métaux irradiés
puisque les défauts réduisent le libre parcours moyen des électrons de conduction.
Dans les matériaux organiques, les rayonnements peuvent induire la vibration de
certains groupes chimiques et causer la scission des chaines, fragilisant ainsi le matériau. Ils
peuvent entrainer la réticulation de polymères thermodurcissables [19, 20].
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Figure 1.17. Gonflement du matériau suite à son irradiation [29].
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Références bibliographiques
RÉFÉRENCES BIBLIOGRAPHIQUES
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