Photodiode

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symbole de la photodiode

Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la capacité de capter

un rayonnement du domaine optique et de le transformer en signal électrique.

Généralités[modifier | modifier le code]

Comme beaucoup de diodes en électronique elle est constituée d'une jonction PN.
Cette configuration de base fut améliorée par l'introduction d'une zone intrinsèque (I)
pour constituer la photodiode PIN. En absence de polarisation (appelé mode
photovoltaïque) elle crée une tension. En polarisation inverse par une alimentation
externe (mode photoampérique), elle crée un courant. On repère 3 régions distinctes :

1. une zone de charge d'espace (ZCE) appelée couramment zone de déplétion et

de diffusion
2. une région dopée de type N
3. une région dopée de type P.
Ce composant relève de l'opto-électronique.

Fonctionnement[modifier | modifier le code]

Photodiodes

Quand un semi-conducteur est exposé à un flux lumineux, les photons sont absorbés à

condition que l’énergie du photon ( ) soit supérieure à la largeur de la bande interdite

(Eg). Ceci correspond à l'énergie nécessaire que doit absorber l'électron afin qu'il puisse
quitter la bande de valence (où il sert à assurer la cohésion de la structure) vers la
bande de conduction, le rendant ainsi mobile et capable de générer un courant
électrique. L’existence de la bande interdite entraîne l’existence d’un seuil d’absorption

tel que . Lors de l’absorption d’un photon, deux phénomènes peuvent se produire :

 La photoémission : c'est la sortie de l’électron hors du matériau photosensible.

L’électron ne peut sortir que s'il est excité près de la surface.
 La photoconductivité : l’électron est libéré à l’intérieur du matériau. Les électrons
ainsi libérés contribuent à la conductivité électrique du matériau.
Lorsque les photons pénètrent dans le semi-conducteur munis d’une énergie suffisante,
ils peuvent créer des photoporteurs (électrons et trous d'électrons) en excès dans le
matériau. On observe alors une augmentation du courant. Deux mécanismes
interviennent simultanément :

 Il y a création de porteurs minoritaires, c'est-à-dire des électrons dans la région P et

des trous dans la région N. Ceux-ci sont susceptibles d’atteindre la ZCE par diffusion
et d’être ensuite propulsés vers des zones où ils sont majoritaires. En effet, une fois
dans la ZCE, la polarisation étant inverse, on favorise le passage des minoritaires
vers leur zone de prédilection. Ces porteurs contribuent ainsi à créer le courant de
diffusion.
 Il y a génération de paires électron trou dans la ZCE, qui se dissocient sous l’action
du champ électrique ; l’électron rejoignant la zone N, le trou la zone P. Ce courant
s’appelle le courant de transit ou photocourant de génération.
Ces deux contributions s’ajoutent pour créer le photocourant Iph qui s’additionne au
courant inverse de la jonction. L’expression du courant traversant la jonction est alors :
Caractéristiques électriques[modifier | modifier le code]
Une photodiode peut être représentée par une source de courant Iph (dépendant de
l’éclairement), en parallèle avec la capacité de jonction Cj et
une résistance de shunt Rsh d'une valeur élevée (caractérisant la fuite de courant),
l'ensemble étant en série avec une résistance interne Rs :

 résistance de shunt : la résistance de shunt d'une photodiode idéale est infinie. En

réalité cette résistance est comprise entre 100 kΩ et 1 GΩ selon la qualité de la
photodiode. Cette résistance est utilisée pour calculer le courant de fuite (ou bruit)
en mode photovoltaïque, c'est-à-dire sans polarisation de la photodiode.
 capacité de jonction : cette capacité est due à la zone de charge ; elle est

inversement proportionnelle à la largeur de charge d'espace (W) : . Où A est la

surface de coupe de la photodiode. W est proportionnel à la polarisation inverse et la
capacité diminue si la polarisation augmente. Cette capacité oscille autour de 100 pF
pour les faibles polarisations à quelques dizaines de pF pour les polarisations
élevées.
 résistance interne : cette résistance est essentiellement due à la résistance du
substrat et aux résistances de contact. Rs peut varier entre 10 et 500Ω selon la
surface de la photodiode.
Autres caractéristiques :

 temps de réponse : il est habituellement défini comme le temps nécessaire pour

atteindre 90 % du courant final dans la photodiode. Ce temps dépend de 3 facteurs :
o ttransit : temps de parcours des porteurs dans la zone de charge d'espace.
o tdiffusion : temps de parcours des porteurs dans les régions neutres.
o la constante de temps tτ : constante de temps du schéma équivalent (de

résistance RS + RC et de capacité Cj + Cγ) : . Ainsi la constante de temps est

égale à : . Mais chaque temps est difficile à déterminer ; seul le temps global
est pris en compte. En général le temps de diffusion est plus lent que le temps
de transit.

 photosensibilité : elle est définie par et détermine les conditions d’utilisation

(200 nA/Lux pour les photodiodes au germanium (Ge), 10 nA/Lux pour les
photodiodes au silicium (Si)). Les photodiodes Ge présentent une photosensibilité
plus importante mais leur courant d'obscurité est notable I0 = 10 uA. Il est donc
préférable d’utiliser des photodiodes Si (I0 = 10 pA) pour la détection des
éclairements faibles.
 rendement de capture : c’est le rapport du nombre de charges élémentaires
traversant la jonction sur le nombre de photons incidents. Ce rendement dépend de
la longueur d’onde du rayonnement et des paramètres de construction du
composant. Il va définir le domaine spectral d’utilisation du détecteur.
Optimisation[modifier | modifier le code]
Pour avoir une meilleure efficacité quantique, la majorité des photoporteurs devront être
créés dans la ZCE, où le taux de recombinaison est faible. On y gagne ainsi au niveau
du temps de réponse de la photodiode. Pour réaliser cette condition, la photodiode
devra avoir une zone frontale aussi mince que possible. Cette condition limite cependant
la quantité de rayonnement absorbée. Il s’agit donc de faire un compromis entre la
quantité de rayonnement absorbée et le temps de réponse de la photodiode :

généralement . W étant la largeur de la ZCE et α, le coefficient d’absorption.

Nous venons de voir l’intérêt d’avoir une zone de charge d’espace suffisamment grande
pour que le photocourant soit essentiellement créé dans cette zone et suffisamment
mince pour que le temps de transit ne soit pas trop important. On peut toutefois
augmenter artificiellement en intercalant une région intrinsèque I entre les régions de
type N et de type P. Ceci conduit à un autre type de photodiode : les photodiodes PIN.
Si la polarisation inverse de la structure est suffisante, un champ électrique important
existe dans toute la zone intrinsèque et les photoporteurs atteignent très vite leur vitesse
limite. On obtient ainsi des photodiodes très rapides. De plus, le champ électrique dans
la région de déplétion (la ZCE) empêche la recombinaison des porteurs, ce qui rend la
photodiode très sensible.

Cas des phototransistors[modifier | modifier le code]

Fonctionnement[modifier | modifier le code]

Symbole du phototransistor.

Un phototransistor est un transistor sensible à la lumière. Il a été inventé en 1948

par John Shive, chercheur aux Laboratoires Bell1, mais la découverte n'a été rendue
publique qu'en 19502. Un type commun de phototransistor est ce qu'on appelle
un transistor bipolaire enveloppé dans une coque transparente qui permet à la lumière
d'atteindre la jonction du collecteur de base. La base est alors dite flottante puisqu’elle
est dépourvue de connexion. Lorsque la base n’est pas éclairée, le transistor est
parcouru par le courant de fuite ICE0. L’éclairement de la base conduit à un
photocourant Iph que l’on peut nommer courant de commande du transistor.

Celui-ci apparaît dans la jonction collecteur-base sous la forme : .

Pour simplifier, lorsque la base est éclairée le phototransistor est équivalent à un
interrupteur fermé entre l'émetteur et le collecteur et lorsque la base n'est pas éclairée,
c'est équivalent à un interrupteur ouvert.
Le courant d'éclairement du phototransistor est le photocourant de la
photodiode collecteur-base multiplié par l'amplification β du transistor. Sa réaction
photosensible est donc nettement plus élevée que celle d’une photodiode (de 100 à 400
fois plus). Par contre le courant d'obscurité est plus important.
On observe une autre différence entre phototransistor et photodiode : la base du
phototransistor est plus épaisse, ce qui entraîne une constante de temps plus
importante et, donc une fréquence de coupure plus basse que celle des photodiodes.
On peut éventuellement augmenter la fréquence de coupure en diminuant la
photosensibilité en connectant la base à l'émetteur.
Application[modifier | modifier le code]
En association avec une led infrarouge, les utilisations les plus courantes sont dans
la robotique avec le cas du suiveur de ligne (ligne noire sur fond blanc) ou de la
détection d'obstacle sur de courtes distances.

Réponse spectrale des photodiodes au silicium[modifier | modifier

le code]
Des photodétecteurs en silicium avec une réponse spectrale définie par le design sont
décrits. À cette fin, les technologies modernes de micro-usinage en général ainsi que
deux propriétés du photodétecteur en silicium intégré en particulier sont utilisées.
Premièrement, la dépendance du coefficient d'absorption à la longueur d'onde est
exploitée. Deuxièmement, le fait que le filtre d'interférence multicouche à la jonction pn
soit développé en traitant une tranche de silicium est exploité. L'indice de réfraction du
complexe de silicium, n * = n - jk, dépend de la longueur d'onde dans la partie visible du
spectre en raison d'une bande interdite indirecte à 1,12 eV et de la possibilité d'une
transition directe à 3,4 eV, ce qui fait que le matériau absorbe fortement le rayonnement
UV et agit pratiquement comme un matériau transparent pour les longueurs d'onde
supérieures à 800 nm. Ce mécanisme permet de concevoir des capteurs de couleur et
également des photodiodes avec une réponse discernable dans le réseau IR ou UV. La
transmission de la lumière événementielle avec un empilement de surface de films
minces au silicium volumétrique dépend de la longueur d'onde. La compatibilité
nécessaire avec les processus microélectroniques conventionnels en silicium limite la
gamme des matériaux idéaux aux matériaux compatibles avec le silicium
traditionnellement utilisés pour la fabrication de circuits intégrés. Des données précises
sur : le Si cristallin, le SiO2 obtenu par croissance thermique, le polysilicium LPCVD, le
nitrure de silicium (à faible perte et stœchiométrique) et les oxydes (LTO, PSG, BSG,
BPSG), les oxynitrures PECVD ainsi que les métaux en couches minces sont fournies
pour améliorer la qualité prédictive de la simulation. Pour un micro-spectromètre
complet, des actions de micro-usinage sont généralement utilisées pour fabriquer le
composant de diffusion. Des dispositifs fonctionnant dans le réseau spectral visible ou
infrarouge basé sur un réseau Fabry-Perot ou un étalon sont présentés.3