Composants et Circuits actifs

en hyperfréquences

Elaboré par: Dr. Belattar Mounir

Université 20 Aout 1955 Skikda

Année 2016
 Avant-propos

L'industrie des semi-conducteurs avait comme objet, la fabrication des composants destinés
aux traitement du signal afin d'accomplir certaines fonctions, telles que l'amplifications, la modulation,
la détection. En outre, la course vers les hautes fréquences, puis vers les hyperfréquences a dès
l'apparition du transistor a stimulé une évolution vers la miniaturisation et a permis vers 1970, la
réalisation d'amplificateurs en silicium capables d'amplifier des petits signaux jusqu'à 6 GHz environ.

Cet ouvrage est consacré à des composants et des circuits spécialisés de l'électroniques des
hyperfréquences, il a pour point de départ un enseignement par l'auteur donné à l'université du 20
Août 1955 Skikda, en parcours de Master II communication depuis l'année [Link] comporte Cinq
chapitres.

Le premier chapitre donne une introduction aux microondes et présente une méthode suivie
pour l'études une des structures planaires, à savoir la ligne microruban.

Le deuxième chapitre aborde le phénomène de propagation dans une ligne de transmission

avec pertes avec présentation de l'abaque de Smith et son utilisation pour le calcul de certains
paramètres liées aux lignes de transmission.

Le troisième chapitre présente les principales diodes semi conductrices utilisées en

hyperfréquences, et leurs utilisations dans certains circuits, telles que les diodes P.I.N dans les circuits
atténuateurs, les diodes Schottky utilisées dans les circuits de détection , les varicap dans les
modulateurs et les multiplicateurs de fréquence et les diode Gunn dans les oscillateurs microondes.

Quant au quatrième chapitre, il aborde l'amplification, en hyperfréquences, à savoir les

transistors à effet de champ et les transistors bipolaires à homojonctions et à hétérojonctions.

Le cinquième et dernier chapitre traite les oscillateurs micro ondes, à diode à résistance
négative et à transistors.

L'auteur

2
 Sommaire
Chapitre I Les hyperfréquences ou micro-ondes. 6
I-1 Situation dans le spectre électromagnétique 6
I-2 Quelques applications notables : 6
I- 3 Les lignes de télécommunication terrestre : 7
I-3-1 La ligne bifilaire 7
I-3-2 La ligne coaxiale : (Par exemple pour connecter un lecteur DVD et la télévision) 8
I-3-3 Les lignes à bandes et fentes : 9
I-4 Structures planaires 9
I-4-1. Introduction 9
I-4-2 Lignes planaires 10
I-4-3 Mode de propagation 11
I-4-4 Analyse de ligne microruban (méthode de Wheeler) 11
I-4-5 Impédance caractéristique 12
I-4-5-1 Correction pour tenir compte de l'épaisseur d 12
I-4-5-2 Correction pour tenir compte de la fréquence 13
I-4-6 Dimension d'une ligne microruban 13
I-4-7 Longueur d'onde-vitesse de propagation -constante de phase 13
I-4-8 Affaiblissement d'une ligne microruban 13
Chapitre II Propagation en hyperfréquence sur une ligne de transmission à constantes réparties. 15
II-1 Introduction 15
II-2 Etude électrocinétique locale 15
II-3 Equation différentielle des télégraphistes. 16
a) Ligne sans pertes (Dipôle : L,C). 16
b) Ligne avec pertes (Quadripôle : R,L,G,C). 17
II-4 Application aux signaux sinusoïdaux : Transmission en régime harmonique 18
II-5 Etude des solutions : Réflexion en bout de ligne alimentée par un signal sinusoïdal. 20
a) Facteur de propagation  20
b) Fermeture sur une Impédance de charge : ZR 21
Chapitre III Diodes semi-conductrices en hyperfréquence 25
III-1 Introduction 25
III-2 La diode P.I.N 25
III-2-1 Propriétés d'une diode P.I.N 25
III-2-2- Impédance de la diode P.I.N 27
III-2-3- Applications de la diode P.I.N dans un atténuateur 28
II-3 La diode Schottky 30
III-3-1 Structure d'une diode Schottky 30
III-3-2 Diode Schottky dans un circuit de détection 31
III-3-3 Calcul de la tension détectée 32

3
III-3-4 Performances de la Diode Schottky 33
III-4 La diode Varicap 35
III-4-1 Structure d'une diode Varicap 35
III-4-2 Utilisation du varicap dans un circuit d'accord 36
III-4-3 Principales caractéristiques d'un varicap 37
III-4-4 Applications du varicap 37
III-4-4-1 La modulation 37
III-4-4-2 La multiplication de fréquence 38
III-5 La diode Gunn (à transfert d'électrons) 39
III-5-1 Principe de fonctionnement 39
III-5-2 Critères de transfert 41
III-5-3 Critères d'oscillations 42
III-5-4 Différents modes d'oscillations 42
Chapitre IV Amplification en hyperfréquences 44
IV-1 Introduction 44
IV-2 Transistors à effet de champ hyperfréquences: MESFET, HEMT 44
IV-2-1 Le MESFET GaAs 44
IV-2-2 Le HEMT 45
IV-3 Transistors bipolaires 45
IV-3-1 Transistors bipolaires à homojonctions hyperfréquences 45
IV-3-2 Transistors bipolaires à hétérojonctions 46
IV-4 Définition d'une amplification microonde 46
IV-5 Caractéristiques d'un amplificateur microondes 46
IV-5-1 Le rapport d'onde stationnaire (R.O.S) 46
IV-5-2 Définitions de Gain en Puissance 47
IV-5-3 Gain de transfert en puissance en gain transducique 47
IV-5-4 Gain transducique unilatéralisé 48
IV-5-6 Gain Disponible 48
IV-6 Concept de Stabilité 48
IV-6-1 Définition: 49
IV-6-1 Cercle de Stabilité de Sortie 49
IV-6-2 Cercle de stabilité d'entrée 49
IV-6-3 Stabilité Inconditionnelle 50
IV-6-4 Adaptation en puissance simultanée entrée-sortie 50
IV-7 Facteur de Bruit 51
IV-8 Cercles de bruit et adaptation en bruit 51
Chapitre V Oscillateurs microondes 53
V-1 Introduction 53
V-2 Conditions d'oscillation 53

4
V-3 Oscillateurs à diodes 54
V-4 Oscillateurs à Transistors 56
V-5 Oscillateurs à diélectriques résonnants: 59
Bibliographie 61

5
 Chapitre I

Les hyperfréquences ou micro-ondes.

I-1 Situation dans le spectre électromagnétique

Quand on parle de micro-ondes on désigne un domaine particulier de fréquence des ondes
électromagnétiques dont la fréquence est comprise entre 300 MHz et 300 GHz. Il s’agit donc de ce
qu’on appelle les hyperfréquences. (noter que un Mégahertz MHz vaut 106Hz, un Gigahertz GHz vaut
109Hz, un Terahertz THz vaut 1012Hz, ). Dans le vide ou dans l’air, la fréquence N d’une onde
électromagnétique est reliée à sa longueur d’onde 0 par la relation : 0 = c/f où c=3 108m/s est la
célérité des ondes électromagnétiques dans le vide. On exprime aussi souvent la fréquence de l’onde
en termes de pulsation w suivant : w = 2f.
Les micro-ondes sont situées dans la moitié inférieure des fréquences du spectre des ondes
électromagnétiques. Symétriquement les ondes visibles sont situées dans la moitié supérieure haute.

Bande Fréquence (f) Longueur d’onde 0 catégorie

EHF* 30 GHz à 300 GHz 1cm à 1mm

SHF* 3 GHz à 30 GHz 10 cm à 1cm

UHF* 300 MHz à 3 GHz 1 m à 10 cm

Hyperfréquences*
VHF 30 MHz à 300 MHz 10 m à 1 m
Hautes
fréquences
HF 3 MHz à 30 MHz 100 m à 10 m

MF 300 kHz à 3 MHz 1 km à 100 m

LF 30 kHz à 300 kHz 10 km à 1 km

VLF 3 kHz à 30 kHz 100 km à 1 km

VF 300 Hz à 3 kHz 1000 km à 100 km Basses fréquences

ELF 1 Hz à 300 Hz 100 000 km à 1000 km

Tableau I-1: Spectre Electromagnétique.

I-2 Quelques applications notables :

Télécommunications terrestres et Transmission en espace libre seront traitées dans le détail.
Radionavigation (Radar, avionique MLS : Microwave Landing System développé pour
permettre l’atterrissage automatique des avions).
Electronique (miniaturisation des circuits de ce type les rend particulièrement aptes aux
applications spatiales).

6
 Fours à micro-ondes (à partir du Magnétron source fonctionnant à 2,45 GHz, la pénétration
des micro-ondes dans des matériaux diélectriques à pertes provoque une dissipation de chaleur).
Hyperthermie micro-ondes médicale (focaliser des micro-ondes sur une tumeur cancéreuse
pour la détruire. Comme tous les rayonnements la dose dangereuse est d’environ 1mW/cm2 pour nos
tissus).
Radioastronomie étude du cosmos (antennes paraboliques de 100m de diamètre).
Radiométrie micro-onde (mesure humidité, étude des ressources naturelles, de jour comme de nuit).
Accélérateurs de particules (Klystron : tubes spécifiquement micro-ondes de très forte
puissance : 100kW pour accélérer des particules à des vitesses relativistes ; Superklystron : pour
atteindre des températures > 10 millions de degrés et produire la fusion de l’hydrogène).
Industrie et recherche en science des matériaux : Polymérisation de plastiques, Spectroscopies
diélectriques (mesure de la permittivité diélectrique).
Parmi les lignes pour la transmission terrestre et parmi les circuits micro-onde on trouve trois
catégories particulièrement importantes :
Les lignes de télécommunication terrestre : Lignes bifilaires, coaxiales et les fibres optiques.
Les lignes à bande : composants passifs de circuits électroniques micro-onde.
Les guides d’onde métalliques : techniques de mesure au laboratoire et capteurs circuits passifs.
I- 3 Les lignes de télécommunication terrestre :
I-3-1 La ligne bifilaire :
C’est historiquement le premier type de lignes utilisé pour les liaisons télégraphiques et
téléphoniques. Ses deux fils conducteurs étaient maintenus à distance constante (environ 20 cm) par
des supports isolants. L’affaiblissement de la ligne est faible et permet des liaisons de plusieurs
dizaines de kilomètres sans besoin d’amplification. Par contre une seule communication passait par
ligne dans ces conditions. La majorité des câbles de transmission de données sont de type "paires
torsadées". Ces câbles peuvent contenir une ou plusieurs paires de fils, chacune étant légèrement
torsadée sur elle-même. Le principe local est celui de la ligne bifilaire. Pour augmenter le nombre de
liaisons possibles, des câbles téléphoniques ont été obtenus en regroupant des centaines de lignes
bifilaire (182 et 1792 paires de fils conducteurs d’environ 0,5 à 2mm).

a) Ligne Bifilaire. b) Câble téléphonique à 2x91 paires bifilaire.

c) Paire torsadée
7
 Figure I-1: Câbles UTP Unshielded Twisted Pair ou STP Shielded Twisted Pair.

Caractéristiques remarquables : Ligne bifilaire simple

Capacité par unité de longueur :

   
C
  d 
Arc cosh D


ln  D  D  d
2 2 

[F/m] (I-1)

 d 

Inductance par unité de longueur :


 
 d
 
 
L    Arc Cosh D    ln  D  D  d
  
2 2 
d 
[H/m] (I-2)

Impédance Caractéristique :

 
ln  D  D  d
Z 2 2
ZC 
d 
(I-3)
 

I-3-2 La ligne coaxiale : (Par exemple pour connecter un lecteur DVD et la télévision).

Dans ce cas le conducteur extérieur (souvent mis à la terre) sert de blindage pour le conducteur
central et joue aussi le rôle de conducteur retour.

Figure I-2: Câble coaxial.

L’affaiblissement de la ligne dépend de la qualité du milieu diélectrique utilisé

Nature du diélectrique Constante diélectrique  à 20°C Facteurs de pertes à 20°C

Polyéthylène 2,26 de 1 à 3000MHz 0,0002 à 1MHz et 0,0005 à 3000MHz

Polystyrène 2,56 de 60 à 3000MHz 0,0001 à 100MHz et 0,003 à 3000MHz

Téflon (polytétrafluoroéthylène) 2,1 de 60 à 3000MHz 0,002 à 100MHz et 0,00015 à 3000MHz

Tableau I-2: Affaiblissement de la ligne

Elle présente une bande passante importante et peuvent supporter plusieurs centaines de
communications téléphoniques échelonnées en fréquence par procédé de multiplexage. Des faisceaux
de câbles coaxiaux sont utilisés pour les lignes téléphoniques en France.

8
 Sur la figure on voit un câble dit interurbain 2,6/9,5 contenant quatre paires coaxiales ayant
chacune un cœur de 2,6mm et une gaine de 9,5mm. Sa bande passante est de 12MHz, soit 2700 voies.
Le câble 1,2/4,4 comprend 28 paires coaxiales pour la même bande passante. Des câble
3,7/13,5 de 4 à 10 paires ont une bande passante de 60MHz, soit 10800 voies.
Ils nécessitent un relais amplificateur tous les 2 à 5 km suivant le type.
Caractéristiques remarquables : Ligne coaxiale simple
Capacité par unité de longueur :

2 
C
 
ln D
d
en [F/m] (I-4)

Inductance par unité de longueur :

   D
L  ln d
 2 
  en [H/m] (I-5)

Impédance Caractéristique :

138  D  60  D 
ZC  log10    ln   (I-6)
r d r  d 

où r=/0.

I-3-3 Les lignes à bandes et fentes :

Ces lignes issues des technologies modernes des circuits imprimés sont utilisées dans les
circuits actifs micro-ondes de faible puissance. La microbande (microstrip) se compose d’une bande
substrat diélectrique métallisé complètement d’un coté et le long d’une bande de l’autre.

Figure I-3: Lignes (a) à micro bande, (b) à fente et (c) coplanaire.

La ligne à fente (slot line) possède deux bandes parallèles et la ligne coplanaire (coplanar
waveguide) présente trois bandes métalliques séparées par deux fentes.

I-4 Structures planaires

I-4-1. Introduction
La ligne microruban est une ligne planaire réalisée à partir de la technique des circuits
imprimés. Elle est utilisée dans la réalisation des circuits intégrés micro-ondes (cim) et peut remplacer
les guides d’ondes traditionnels pour toutes les applications à faibles puissances. Comparés aux
circuits à base de guide d’ondes, les circuits micro rubans sont plus légers et moins encombrants.

9
 Les avantages apportés par la ligne micro ruban ne signifient nullement que les lignes
coaxiales et les guides d’ondes doivent être abandonnés. Au contrainte, pour certaine application, ces
composants continuent à avoir un rôle important.
Les lignes coaxiales et, les guides d’ondes doivent être abandonnés. Au contraire, pour
certaine application, ces composants continuent à avoir un rôle important.
Les lignes coaxiales sont très utilisées dans les instruments de mesure (exemple : analyseur de
spectre). Quant aux guides, ils sont utilise pour transmission à grand puissance et dans le domaine
millimétrique pour lequel les lignes micro rubans présentent une forte atténuation.
I-4-2 Lignes planaires
Elles sont constituées d’un ensemble de rubans conducteurs déposés sur un substrat
diélectrique. La partie inferieur de ce substrat souvent métallisée est utilisée comme plan de masse.

Figure I-4: Constitution d'une ligne microbande

Les lignes représentées sur cette figure ont une structure non homogène dans laquelle se
propageant des modes hybrides. L’existence d’un conducteur plongé dans un diélectrique rend très
complexe la résolution des équations de propagation (maxwell).
Les lignes planaires sont des lignes ouverts qui rayonnement de l’énergie dans l’espace environnant.
Pour réduire ce rayonnement souvent indésirable deux techniques peuvent être utilisées :
- L’utilisation de blindage assez éloigné de la face supérieure du substrat,
- L’utilisation d’un substrat de grande permittivité

La ligne micro ban est constituée d’un ruban métallique posé sur un substrat diélectrique dont
la deuxième face est complètement métallisée.
substrat permittivité
Téflon 2,1
silice 3,6
alumine 9,8
Tableau I-3: diélectriques utilisés dans la réalisation de substrats.

Le substrat est caractérisé par sa permittivité 𝜀 r et son épaisseur h tandis que le ruban est caractérisé
par son épaisseur t et sa largeur w (en général h/10<w<h).

10
Les dimensions transversales déterminent l’impédance caractéristique de la ligne tandis que la
longueur de la ligne détermine le déphasage introduit par cette ligne.

I-4-3 Mode de propagation

Dans ce type de lignes, le milieu de propagation, non homogène, conduit à l’existence de

modes hybrides. Dons le cas ou la fréquence d’utilisation n’est pas très élevée, les composantes
longitudinales du champ électromagnétique sont relativement faible et peuvent être négligées .si c’est
le cas, les ondes qui se propagent peuvent être qualifiés d’ondes quasi-TEM.

Position du problème

Lors de l’étude de lignes micro rubans deux problèmes peuvent se poser soit l’analyse d’un cahier de
charge bien définit.

-l’analyse consiste à déterminer, à partir des paramètres physiques de la ligne (dimensions et

permittivité), la permittivité effective nécessaires à la détermination de l’impédance caractéristique de
la ligne.

-la synthèse permet quant à elle, de détermine les dimensions et la nature du diélectrique utilisé, pour
une l’impédance caractéristique donnée.

données Résultats recherchés

analyse (w/h, t,𝜀 r)
(𝜀 eff, weff)⇒zc
synthèse (zc,𝜀 r) (w/h, t)

I-4-4 Analyse de ligne microruban (méthode de Wheeler)

Pour analyse ce type de ligne, il est nécessaire de :

 Remplacer la structure réelle (air et substrat) par un diélectrique homogène de permittivité

effective 𝜀 eff.
 Remplacer la largeur du ruban par une largeur effective weff qui est fonction de l’épaisseur du
ruban.
 Conserver la distance séparant le ruban du plan conducteur.

L’étude de la ligne fictive permet de déterminer l’expression approchée de la permittivité

effective.
Pour cela Wheeler à proposer de raisonner comme suit:
* Pour une ligne microbande fictive dont le diélectrique serait de l'air, bous aurions:
1
- La vitesse de propagation 𝑉0 =
√𝜀0 µ0

- La capacité linéique C0

11
 - L'impédance caractéristique 𝑍0 = 1⁄𝑉 𝐶
0 0

Où les pertes sont assez faibles et négligeables.

* Pour une ligne microbande fictive dont le diélectrique aurait la même constante diélectrique
relative que celle de la ligne microbande réelle, on aura:
𝑉0
- La vitesse de propagation 𝑉𝑑 =
√𝜀0

- La capacité linéique 𝐶𝑑 = 𝐶0. 𝜀𝑟

1 𝑍0
- L'impédance caractéristique 𝑍𝑑 = =
𝑉𝑑 𝐶 𝑑 √𝜀𝑟

* Pour une ligne microbande réelle dont le diélectrique est de constante diélectrique 𝜀𝑟 ne
remplir qu'une partie de l'espace au dessus du plan de masse, l'autre étant rempli par l'air, il est
physiquement raisonnable de penser que les valeurs Vm , Cm et Zm doivent être comprises
entre celles des deux cas précédents:
𝑉0
* 𝑉𝑑 < 𝑉𝑚 < 𝑉0 avec 𝑉𝑑 =
√𝜀𝑒

* 𝐶𝑑 > 𝐶𝑚 > 𝐶 0 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝐶𝑚 = 𝐶0. 𝜀𝑒

𝑍0
* 𝑍𝑑 < 𝑍𝑚 < 𝑍0 avec 𝑍𝑚 =
√𝜀𝑒

On introduit une constante diélectrique équivalente 𝜀𝑒 pour la ligne microbande fictive

équivalente à la microbande réelle telle que:- 1 < 𝜀𝑒 < 𝜀𝑟 que l'on peut écrire sous la forme:
𝜀𝑒 = 1 + 𝑞(𝜀𝑟 − 1)
où q est un facteur de forme inférieur à 1 et indépendant de 𝜀𝑟 et h.

I-4-5 Impédance caractéristique

Résultat de Wheeler pour b=0

Elle est donnée par la relation ci-dessous, établie par Wheeler.
𝑊
* Pour les bandes telles que >2
ℎ

120𝜋 𝑊 𝜀𝑟 +1 𝑊 𝜀𝑟 −1 −1
𝑍𝑚 = [ + 0.883 + (𝑙𝑛 ( + 0.94) + 1.451) + 0.165 ] (I-7)
√𝜀𝑟 ℎ 𝜋𝜀𝑟 2ℎ 𝜀𝑟 2
𝑊
* Pour les bandes telles que <2
ℎ

60√𝜀𝑟 8ℎ 1 𝑤 2 𝜀𝑟 −1 𝜋 1 4
𝑍𝑚 = [ln ( ) + ( ) − (𝑙𝑛 + ln 1)] (I-8)
√𝜀𝑟 +1 𝑊 8 2ℎ 2(𝜀𝑟 +1) 2 𝜀𝑟 𝜋

I-4-5-1 Correction pour tenir compte de l'épaisseur d

Bien que très faible, l'épaisseur de la bande n'est pas nulle. On peut en tenir compte dans les
relations précédentes en substituant à la longueur réelle W du ruban, une largeur équivalente We un
peu plus grande donnée par la relation:
𝑏 2𝑥
𝑊𝑒 = 𝑊 + (1 + 𝑙𝑛 ) (I-9)
𝜋 𝑏

ℎ
𝑥 = ℎ 𝑠𝑖 𝑤>
2𝜋
avec { ℎ
𝑥 = 2𝜋𝑊 𝑠𝑖 > 𝑊 > 2𝑏
2𝜋

12
I-4-5-2 Correction pour tenir compte de la fréquence

Il est possible de tenir compte de façon approchée en remplaçant 𝜀𝑒 dans les formules
précédentes par:
𝜀𝑟 −𝜀𝑒
𝜀𝑒 (𝑓) = 𝜀𝑟 − 2 (I-10)
𝑓
1+𝐺.( ⁄𝑓 )
𝑑

1 𝑍𝑚
avec 𝑓𝑑 = et 𝐺 = 0.6 + 0.009. 𝑍𝑚
2µ0 ℎ

I-4-6 Dimension d'une ligne microruban

Des relations dues à Wheeler permettent de trouver le rapport W/h en fonction de l'impédance
caractéristique Zm de la ligne réelle.

- Dans le cas où W/h ≤ 2

𝑊 1 −1
= 4 [ exp(𝐴) − exp(−𝐴)] (I-11)
ℎ 2

𝑍𝑚 𝜀𝑟 −1 0.11
avec 𝐴 = 𝜋√2(𝜀𝑟 + 1)) ( )+ (0.23 + )
𝑍0 𝜀𝑟 +1 𝜀𝑟

- Dans le cas où W/h > 2

𝑊 𝜀𝑟 −1 0.61 2
= [ln(𝐵 − 1) + 0.39 − ]+ [𝐵 − 1 − ln(2𝐵 − 1)] (I-12)
ℎ 𝜋𝜀𝑟 𝜀𝑟 𝜋

𝜋 𝑍0
avec 𝐵 = et 𝑍0 = 120𝜋
2√𝜀𝑟 𝑍𝑚

I-4-7 Longueur d'onde-vitesse de propagation -constante de phase

En faisant l'approximation d'une propagation du type TEM et en utilisant la modélisation par

la ligne microruban fictive, la longueur d'onde et la vitesse de propagation sur la ligne microbande
réelles sont:
𝐶
𝑉ф = (I-13)
√𝜀𝑒

𝜆0
𝜆𝑔 = (I-14)
√𝜀𝑒

Comme 𝜀𝑒 dépend du rapport W/h, il en est de même que 𝑉ф 𝑒𝑡 𝜆𝑔. En ce qui concerne la
2𝜋
constante de phase 𝛽 = elle est une fonction linéaire de la fréquence dans l'approximation TEM.
𝜆𝑔

I-4-8 Affaiblissement d'une ligne microruban

Il existe trois types de pertes dans les lignes microruban; pertes dans les conducteurs, dans le
diélectrique et par rayonnement.

* Pertes dans les conducteurs

Ces pertes sont exprimées comme suit

13
 𝑊
- Dans le ca où ≤ 1
ℎ

𝑊 2
𝑅𝑠 32−( 𝑒 )
𝛼𝑒 (𝑑𝐵⁄𝑚) = 1.38 𝐴 . 𝑊 2
ℎ
(I-15)
ℎ𝑍𝑚 32+( 𝑒 )
ℎ

𝑊
- Dans le ca où >1
ℎ

𝑊
𝑅𝑠 𝑧𝑚 𝜀𝑒 𝑊𝑒 0.667( 𝑒 )
𝛼𝑒 (𝑑𝐵⁄𝑚) = 6.11 ∗ 10−5 . 𝐴. [ + ℎ
]. (I-16)
ℎ ℎ 𝑊
1.444+( 𝑒 )
ℎ

𝑊
ℎ 𝑠𝑖 ≫1
ℎ
et B={ 𝑊 1
2𝜋𝑊 𝑠𝑖 <
ℎ 2𝜋

et R s = √πµσc f où σc est la conductivité du conducteur

Zm : impédance caractéristique de la ligne microruban

We Longueur équivalente du ruban.

* Pertes dans le diélectrique

Ces pertes sont exprimées comme suit:

120𝜋 𝜀𝑒 −1
𝛼𝑑 (𝑑𝐵/𝑚) = 4.34. 𝜎 (I-17)
√𝜀𝑒 𝜀𝑟 −1 𝑑

ou encore

𝑑𝐵 𝜀𝑟 𝜀𝑒 −1 𝑡𝑔𝛿
𝛼𝑑 ( ) = 27.3 . (I-18)
𝑚 𝜀𝑟 −1 √𝜀𝑒 𝜆0

où 𝜎𝑑 = 𝜔 𝜀0 𝜀𝑟 𝑡𝑔𝛿 est la conductivité du diélectrique et 𝑡𝑔𝛿 est la tangente de l'angle de pertes.

* Pertes de rayonnement

Le rayonnement d'une ligne microruban est le fait des modes d'ordre supérieur qui sont
engendrés par les discontinuités. Selon Hamarstad ces pertes sont proportionnelles au termes :
(ℎ𝑓)2 /√𝜀𝑟 . Pour une ligne de 50 Ω, Gardiol donne la fréquence limite pour laquelle 1% de la
puissance est rayonnée à l'extrémité d'une ligne ouverte:
1⁄
fM (GHz) = 2.14. ε 4 /h(mm) (I-19)

Exemple: Pour un substrat de hauteur h=1mm, fM = 3GHz si εr = 2.5 et fM = 4GHz si εr = 10

14
 Chapitre II

Propagation en hyperfréquence sur une ligne de transmission

à constantes réparties.

II-1 Introduction

Les réseaux électriques parcourus par des basses fréquences (BF) répondent assez bien à
l’approximation des régimes quasi-stationnaires et l’on peut négliger l’aspect propagatif des ondes
puisque l’intensité, à un instant donné, est la même le long d’un même conducteur puisque la longueur
d’onde est bien plus grande que celui-ci. C’est le cas par exemple du secteur alternatif urbain qui pour
50Hz à une longueur d’onde de l’ordre de 6000km.
Au contraire, les signaux hyperfréquence (hautes fréquences HF, micro-ondes) ont une
longueur d’onde souvent plus petite que la taille des conducteurs utilisés et l’intensité instantanée de
l’onde varie le long des différents éléments du circuit (ainsi que les champs E et B). Dans la suite nous
considèrerons la propagation du courant et du potentiel le long d’une ligne utilisée pour la
transmission.

II-2 Etude électrocinétique locale

On appelle ligne de transmission un conducteur d’ondes permettant leur passage dans les deux
sens et qui a une dimension grande par rapport à la longueur d’onde considérée (on parle de fil
généralement dans le cas contraire). Considérons une ligne de longueur l alimentée par un générateur
de tension placé à l’origine z=0. En haute fréquence (HF), on ne peut définir pour toute la ligne un jeu
unique de constantes caractéristiques. Par contre on peut décomposer la ligne en une suite d’éléments
tous identiques et dont la longueur est petite devant la longueur d’onde . On utilise alors les lois de
l’électrocinétique locale sur cet élément en supposant implicitement que la fréquence soit
suffisamment basse pour que la notion de tension ait un sens. Il est alors possible d’établir des
équations électrocinétiques avec ce modèle de ligne à constantes réparties en définissant l’élément
unité à constantes réparties par le quadripôle (R, L, G, C) comportant :
 une inductance L en série (pertes d’énergie réactive dans les conducteurs). Provient des courants
opposés sur les conducteurs en regard.
 une capacité C en parallèle (pertes d’énergie réactive dans le diélectrique). Provient des charges
opposées sur les conducteurs en regard.
 une résistance R en série (pertes d’énergie active dans les conducteurs). La tension diminue le long
de la ligne car l’énergie se dissipe par effet joule dans l’épaisseur de peau des conducteurs métalliques
(avec N~10GHz on obtient ~0,7m pour le cuivre).
 une conductance G en parallèle (pertes d’énergie active dans le diélectrique). Le courant diminue le
long de la ligne car le milieu diélectrique n’est pas parfait et des courants de fuite prennent place.

15
 Figure II-1: Modélisation d’un tronçon de ligne par un quadripôle (R, L, G, C).

Pour la suite nous considèrerons une ligne TEM, soit un guide d’onde constitué de deux
conducteurs métalliques et propageant des ondes de type TEM (Transverse Electrique et Magnétique).
L’étude électromagnétique de la propagation sur les lignes sera abordée dans la suite du cours et nous
définirons précisément l’origine de ces modes qui permettent de définir les notions de courant et de
tension car E et B sont compris dans des plans perpendiculaires à la ligne. Ce n’est pas le cas si une
composante longitudinale de E ou B existe. Les exemples les plus courants sont le câble coaxiale, la
ligne bifilaire ou la ligne tri-plaque, lorsque l’on travaille avec des fréquences pouvant être hautes
(HF) mais suffisamment basses pour interdire la propagation des modes TE ou TM (coupés sous leur
fréquence propre Nc). Nous reviendrons sur cela aux chapitres suivants.

II-3 Equation différentielle des télégraphistes.

a) Ligne sans pertes (Dipôle : L,C).

Pour simplifier, considérons premièrement que le tronçon unitaire n’a pas de résistance R ni de
conductance G. Il s’agit d’une ligne sans pertes et dans ces conditions la constante de propagation du

mode TEM peut s’écrire : k      / c (vecteur d’onde).

A l’instant t, on note V(z,t) la différence de potentiel (ddp MN) qui existe entre les points M et
N pris sur la même section de la ligne (cote z) mais n’appartenant pas au même conducteur. On note
I(z,t) le courant qui traverse un conducteur de la ligne en z.

Figure II-2: Modélisation d’un tronçon de ligne sans pertes (Dipôle : L,C).

16
 On peut relier la variation de tension autour de z (V(z,t)/z) à la variation d’intensité qui se
produit dans le temps en ce point (I(z,t)/t). Pour cela rappelons qu’une inductance provoque une
chute de tension le long de la ligne quand l’intensité varie (bobine placée en série et d’inductance
linéique : L dz en Henry/m), En effet, le fait que le courant qui parcours la bobine varie dans le temps,
il induit une force électromotrice eauto (égale à L dz (I/t) Volts) qui s’oppose à son passage. En
appliquant la loi de Kirchhoff relative aux mailles (ddp nulle sur un tour de circuit) sur ce circuit, on
obtient finalement : V(z,t) - V(z+dz,t) = -L dz (I(z,t)/t), soit :

𝜕𝑉(𝑧,𝑡) 𝜕𝐼(𝑧,𝑡)
= −𝐿 (II-1)
𝜕𝑧 𝜕𝑧

Réciproquement, il est aussi possible de relier la variation d’intensité autour de z (I(z,t)/z) à

la variation de tension dans le temps qui se produit en ce point (V(z,t)/t). Nous invoquons
maintenant la présence de la capacité qui est responsable d’une fuite de courant le long de la ligne
quand la tension varie (placée en parallèle et de capacité linéique C dz en Farad/m telle que le courant
dans la capacité vaut Ic=q/t= C dz (V/t)). En appliquant la loi de Kirchhoff relative aux nœud (pas
d’accumulation de courant à la jonction du circuit), on montre que I(z,t) - I(z+dz,t) - Ic= 0, soit :

𝜕𝐼(𝑧,𝑡) 𝜕𝑉(𝑧,𝑡)
= −𝐿 (II-2)
𝜕𝑧 𝜕𝑧

En combinant ces relations suite à une seconde dérivation conduit aux équations dites des
télégraphistes :

  2V z ,t     2V z ,t  
   LC   (II-3)
 z  t
2 2
 

  2 I z ,t     2 I z ,t  
et    LC   (II-4)
 z  t
2 2
 

 2   1  2   1
qui ressemblent aux équations d’Alembert   2
2 
 2   0 avec u  .
 z  u  t  LC

b) Ligne avec pertes (Quadripôle : R,L,G,C).

Sur les circuits réels, des pertes prennent généralement place et on en tient compte en incluant
une résistance R et une conductance G au tronçon élémentaire.
L'isolant entre conducteurs, soumis au champ électrique oscillant portant le signal, peut être le
siège d'oscillations de résonance des composants moléculaires (effet semblable à celui des micro-
ondes sur les molécules d’eau et autres des aliments) et produire de la chaleur. C’est un effet de pertes
diélectriques du câble et il se modélise au travers de la conductance G.
Une autre forme de pertes est due à l'effet Joule, échauffement des conducteurs au passage du
courant. Un câble plus épais permet en général de réduire cet effet mais Il n'en est rien sur les lignes de
transmission car plus la fréquence du signal augmente et plus le courant abandonne le cœur du
conducteur pour se concentrer sur une couche très mince de sa surface (C'est l'effet pelliculaire ou

17
effet de peau). L'échauffement et les pertes peuvent être considérables. On le modélise par le biais
d’une résistance R.
On peut alors en suivant le même raisonnement que précédemment, corriger les équations
précédentes :

L'équation (II-4) devient

 V z ,t    I z ,t  
   L    R I z ,t  (II-5)
 z   t 

et l’Equation (II-2) devient

 I z ,t    V z ,t  
   C    G V z ,t  (II-6)
 z   t 

où apparaît maintenant pour chaque équation deux termes liés aux pertes (signe moins).

En dérivant ces équations et en les combinant on modifie de même les équations des télégraphistes :

  2V z ,t     2V z ,t    V z ,t  
   LC    RC  LG    R G V z ,t  (II-7)
 z  t  t 
2 2
 

  2 I z ,t     2 I z ,t    I z ,t  
et    LC    RC  LG    R G I z ,t  (II-8)
 z  t  t 
2 2
 

D’autres perturbations peuvent être prises en compte dans la modélisation. Les déformations
dues à des défauts de pose ou à des chocs, perturbe la continuité de l'impédance caractéristique et
expose le signal en ligne à des réflexions telles que des échos. Il peut s'en suivre un régime d'ondes
stationnaires produit par les interférences internes des ondes réfractées et réfléchies. Lorsque le taux
d'onde stationnaire (T.O.S.) dépasse un certain seuil, il apparaît le long du câble des "nœuds" où le
signal est très faible et des "ventres" où il est très fort. Dans ce cas un équipement branché sur un
nœud recueillera un signal très faible sinon nul.

II-4 Application aux signaux sinusoïdaux : Transmission en régime harmonique

Généralement, les signaux transmit sont sinusoïdaux, c'est-à-dire qu’on peut décrire les
variations dans le temps de V(z,t) et I(z,t) par le facteur complexe exp(it) (en n’oubliant pas qu’on
revient toujours aux valeurs réelles qui sont celles mesurées).
Pour la suite nous allons donc factoriser le terme contenant la dépendance temporelle et tirer profit de
la notation complexe :
I z ,t   e it I z  ainsi :

I z ,t 
 i e it I z   i I z ,t  (II-9)
t

et V z ,t   e itV z  donc

18
 V z ,t 
 i e it V z   i V z ,t  (II-10)
t

on peut alors réécrire les expressions précédentes en simplifiant par l’exponentielle liée au temps :

l’Equation (II-1) devient

 V z  
   R  iL  I z  (II-11)
 z 

où Z  R  iL

l’Equation (II-2) devient

 I z  
   G  iC  V z  (II-12)
 z 

où Y  G  iC 

en introduisant Z et Y qui ont respectivement les dimensions d’une impédance et admittance

complexes.

l’Equation (II-3) devient

  2V z  
   R  iL G  iC  V z ,t    2 V z ,t  (II-13)
 z 
2

l’Equation (II-4) devient

  2 I z  
 2 
  R  iL G  iC  I z ,t    2 I z ,t  (II-14)
  z 

où   ZY  R  iLG  iC  (II-15)

est une quantité complexe.

On Note qu’on peut introduire la dépendance au temps simplement, par exemple :

 V z ,t    V z   it
  e
 z   z 

Dans ce cas, quand le générateur alimente la ligne avec une tension sinusoïdale, les solutions
des équations différentielles (II-3) et (II-4) peuvent se mettre sous la forme :
V z   V e z  V e z soit V z ,t   V eit z  V e it z (II-16)

et I z   I  e z  I  e z soit I z ,t   I  e it z  I  e it z (II-17)

où V+, V-, I+, et I- ne dépendent ni de z ni de t et s’obtiennent en fonction des conditions aux

limites. Ces constantes sont liées deux à deux, en effet si on dérive la solution en intensité par rapport
à z et qu’on identifie ceci à l’équation 2’’, on obtient la relation :

19
 Y
I  V (II-18 )
Z

Y
et I   V (II-19)
Z

Z
où on note : Zc  (II-20)
Y

soit : I z   I  e z  I  e z (II-21)

V V R  iL
donc : Zc    (II-22)
I I G  iC

et V z   Z c I  e z  Z c I  e z (II-23)

II-5 Etude des solutions : Réflexion en bout de ligne alimentée par un signal sinusoïdal.
Les solutions pour l’onde de courant et d’intensité sont chacune la somme de deux ondes
planes progressives, l’une allant vers les z croissants (premiers termes d’amplitude +I+ ou +ZcI+) et
l’autre de sens opposé (termes d’amplitude +I- ou -ZcI-). Pour la suite nous travaillons encore en
factorisant le terme contenant la dépendance temporelle pour tirer profit de la notation complexe.

a) Facteur de propagation : 
En dérivant deux fois ces solutions pour identifier les termes de l’équation 3 ou 4, on obtient
dans les deux cas l’expression de l’exposant de propagation complexe qui fait intervenir :

 R  iL G  iC 

en m-1, où ces constantes sont linéiques (Ohm/m, …)

c’est un paramètre de propagation exprimé ici sous forme complexe   Re   i Im  et dont la
partie réelle Re  est un paramètre d’atténuation (affaiblissement de l’onde) en Nepers par mètres

(ou Décibels : 1 dB = 0,1151 NP) et où la partie imaginaire Im  est un paramètre de phase exprimé
en radians par mètres (1rad=57,3°).

Dans le cas des lignes sans pertes : R=0 et G=0,   i LC  et donc

Im   LC  qu’on identifie à un vecteur d’onde réel : k z  LC   Im 


i t  z / v 
En identifiant les ondes planes à : e , on obtient pour la vitesse de phase :
 1
v  
kz LC

dans ce cas il n’y a pas d’affaiblissement de l’onde au cours de sa propagation qui se fait à la vitesse
correspondant à la propagation des ondes électromagnétiques dans le matériaux diélectrique utilisé.

20
Puisque les solutions doivent aussi vérifier les équations 1 et 2 z et t, ce qui est le cas si Rckz=L,

kz L
on obtient aussi Z c  
C C

b) Fermeture sur une Impédance de charge : ZR

La ligne est maintenant fermée sur une impédance de charge ZR à l’autre extrémité z=l (qu’on
pourrait noter Z(l)). A partir de cette valeur, on peut remonter à l’impédance ramenée à un z donné, en
utilisant la définition : Z(z) = V(z,t)/I(z,t) = V(z)/I(z) et qui ne dépend pas du temps.

V z ,t  V z   Z c I  e z  Z c I  e z 
Z z      (II-24)
I z ,t  I z   I  e z  I  e z 

 I  e z  I  e z 
soit : Z z   Z c  z z

 I e  I e 

en introduisant la valeur de l’impédance ramenée au début de ligne (z=0), on peut montrer à partir de
solutions données ci-dessus que : I 0  I   I  et V 0  Z c I   Z c I 

soit : I 
1
I 0  V 0 / Z c  et V 
1
V 0  I 0 Z c 
2 2

I 
1
I 0  V 0 / Z c  et V 
1
V 0  I 0 Z c 
2 2

qui introduit dans les solutions donnent :

I z   I 0 ch  z   V 0 / Z c  sh z  avec : 

ch  X   1 2 e X  e  X 
V z   V 0 ch  z   I 0 Z c sh z  sh X   1 2 e X
e X

 Z 0  Z c tanhz   sh X 
soit : Z z   Z c   car tanh X  
 Z c  Z 0tanhz   ch  X 

 Z 0  i Z c tanIm  z  
Sans pertes on obtient : Z z   Z c   (II-25)
 Z c  i Z 0 tan  Im  z  

Des expressions précédentes on obtient aussi l’impédance de charge en bout de ligne (z=l) définie
par :

 I  e l  I  e l 
Z R  Z l   Z c  il l
 (II-26)
 I e  I e 

et en début de ligne en fonction de l’impédance de charge :

 Z  Z c tanh l  
Z 0  Z c  R  (II-27)
 Z c  Z R tanh  l  

Sans pertes on obtient :

21
  Z  iZ c tanIm l  
Z 0  Z c  R  (II-28)
 c
Z  iZ R tan  Im  l  

On peut en déduite directement le rapport des amplitudes complexes des deux ondes planes de sens
opposé qui s’identifie au coefficient complexe de réflexion de la ligne en z :

 V e z   V  2
z    z
    e z
(II-29)
 V e   V 

 V  Z 0  Z c
où    (II-30)
 V  Z 0  Z c

obtenu par : V  1 2 V 0  I 0 Z c 

divisé par V  1 2 V 0  I 0 Z c 

Z 0  Z c 2 l
A la charge on a : l   e
Z 0  Z c

Z 0  Z c
et au début de ligne : 0  or on peut en utilisant l’expression de Z(0) fonction de
Z 0  Z c
ZRZ(l), exprimer ce coefficient en y introduisant la valeur de charge ZR. On utilise le fait que :
1 - tan X  Z R  Z c 2l
 e 2 X , et on obtient : 0  e  R e 2l , où l’exp(-2 l) propage la
1  tan X  Z R  Zc
Z R  Zc
phase de z=0 à z=l. on vient d’utiliser : R  l   qui est complètement déterminé
Z R  Zc

connaissant ZR et Zc. , on retiendra que : z   R e 2  z l  et z   0 e 2z

On peut alors réécrire l’expression générale de l’intensité, du courant et de l’impédance ramenée sous
 
la forme : V z   Z c I  e  z 1  z   Z c I  e  z 1  R e 2  z l  , où on introduit (z).

I z   I  e  z 1  z   I  e  z 1  R e 2  z l 

soit

 1   z  
Z z   Z c   (II-31)
 1   z  

 Z z   Z c   z   1 
et réciproquement : z        (II-32)
 Z z   Z c   z   1 

Z  z   1   z  
où on a introduit l’impédance réduite obtenue en divisant Z(z) par z     
Zc  1   z  
On définit aussi le rapport d’ondes stationnaires (R.O.S.) dit Voltage Standing Waves Ratio en
anglais :

22
 maxI z  maxV z   1  R 
 z      (II-33)
minI z  minV z   1  R 
où R  l 

comme 0  l   1 alors 1    . Près de 1 c’est régime un régime d’ondes purement progressives
et au dessus de 10 on considère que la proportion d’ondes stationnaires apparaissant est grande. On
qualifiera alors l’impédance de charge ZR comme étant mal adaptée à la ligne d’impédance
caractéristique Zc.
minV z  Z c
on peut montrer les relations importantes suivantes : minZ z   
maxI z  
maxV z 
et maxZ z     Zc
minI z 
* Cas z   0 soit ZR=Zc. Ligne fermée avec impédance de charge adaptée.

 Z R  Z c tanh l    Z 0  Z c tanhz  

Si ZR=Zc, alors Z 0  Z c    Z c et donc Z z   Z c    Z c .
 Z c  Z R tanh l    Z c  Z 0tanhz  
l’impédance est donc constante sur toute la ligne tout comme si le générateur en z=0 était directement
fermé sur ZR en z=l.
soit avec z   0 , I  z   I  e  z soit I z ,t   I  e  Re   z e i t  Im   z 

et V  z   Z c I  e  z et V z ,t   Z c I  e  Re   z e i t Im   z 
ce qui permet de remarquer que si la ligne est fermée sur une impédance ZR égale à Zc, alors il n’y a
pas d’onde retour se propageant suivant les z décroissants. C’est pourquoi on dit que Zc est
l’impédance caractéristique de la ligne. Lorsque la ligne est fermée sur une telle impédance, elle se
comporte comme si elle était de longueur infinie et l’amplitude de la réflexion retour de l’extrémité de
la ligne est nulle, non pas comme si elle avait été totalement dissipée par effet joule mais comme si
l’onde incidente (I+ ou V+) n’avait pas vu de discontinuité de milieu au bout de la ligne.
Ainsi quand l’impédance de sortie de la ligne est égale à l’impédance caractéristique de la
ligne, l’impédance ramenée Z(z) devient indépendante de z et on peut dire qu’on a ramené l’impédance
placée en sortie jusqu’a son entrée. C’est la situation optimale pour le transfert du générateur (antenne)
au récepteur (poste de réception) qui devient un circuit sans discontinuité d’impédance.
Il s’établit sur la ligne un régime d’ondes progressives. Intensité et tension sont en phase ainsi
toute la puissance transportée est de type "énergie active".
Rappelons que les valeurs mesurées au millivoltmétre H.F. en pratique sont les valeurs
efficaces obtenues de celles introduites ci-dessus en prenant les modules des amplitudes complexes et
V z  Z c I   z
en divisant par 2, soit par exemple : Veff z    e
2 2
Zc I 
Avec pertes, Re()0 soit : en z1<z2 : V1  e  Re   z1
2

23
 Zc I
en z2 : V2  e  Re   z2 et V1/V2= e Re    z2  z1  ce qui conduit à : Re() = ln(V1/V2) / (z2-z1)
2
en Np/m (ou dB/m).

* Cas z   1 soit ZR=0 et/ou ZR= et/ou Zc-ZR=Zc+ZR. Ligne court-circuitée.
Dans chacun de ces cas, il s’établit sur la ligne un régime d’ondes stationnaires pures (en
l’absence de pertes). Il n’y a donc pas transmission d’énergie active par la ligne mais seulement d’une
puissance réactive. On parle d’une ligne court-circuitée.

ZR=0 : Ligne en court circuit : soit V(l)=0

 Z R  Z c tanh l  
alors Z 0  Z c    Z c tanh l  et sans pertes : Z 0  i Z c tanIm l 
 Z c  Z R tanh l  
ZR= : Ligne en court circuit ouvert : soit I(l)=0
alors Z 0  Z c / tanh l  et sans pertes : Z 0  i Z c / tanIm l 

* Dispositifs particuliers à faible largeur de bande (pour une gamme de fréquences particulières) :
Ligne demi onde : Inverseur d’impédance
Quand l= n/2 alors Im()l= n et donc : Z 0  Z R
permet par exemple de ramener à l’impédance d’entrée celle qui se trouve à la charge pour la
mesurer par exemple (utile pou les antennes ou circuits peu accessibles).
Ligne quart d’onde : Inverseur d’impédance

Quand l= (2n+1)/4 alors Im() l= (2n+1)/2 et donc : Z 0  Z 02 / Z R

et si court-circuitée (ZR=0) alors l’impédance d’entrée est Z 0   ce qui donne un isolateur H.F.

24
 Chapitre III

Diodes semi-conductrices en hyperfréquence

III-1 Introduction

Dans un circuit micro-onde, les éléments les plus importants, de par leur volume, sont les
lignes de transmissions qui relient entre eux les divers composants actifs et passifs utilisés. Dans la
plupart des cas ces lignes sont, au moins jusqu'à 20 GHz, des lignes micro-rubans fonctionnant en
mode quasi TEM et réalisées sur des substrats diélectriques tels que l'alumine. Or les diodes sont
toutes réalisées sur des substrat semi-conducteurs dont la nature est différente du substrat du circuit.
Les diodes semi-conductrices sont les plus anciens dispositifs à l'état solide utilisables dans le
domaine des micro-ondes. Ces composants ont considérablement évolué en raison des progrès de la
technologie des semi-conducteurs, permettent de remplir certaines fonctions telles que, la détection, le
traitement , le contrôle, la génération et l'amplification des signaux micro-ondes.
III-2 La diode P.I.N

La figure II-1 montre une structure schématisée de la diode PIN, le matériau est un substrat
N+ de silicium dont la face inférieure métallisée constitue le contact ohmique de cathode, sur la face
supérieure une couche non dopée dite intrinsèque (I), par diffusion on rend conductrice de type P+ la
surface de cette couche intrinsèque et on réalise le contact ohmique d'anode au-dessus de la région P+.
On a ainsi obtenu une structure où la zone intrinsèque I d'épaisseur d se trouve insérée entre deux
régions P et N, pour cette raison est dénommée P.I.N

Surface S

Contact ohmique (anode)

Région dopée P
Epaisseur d Région intrinsèque (I)
+ ohmique (cathode)
N Substrat N+
Contact ohmique (cathode)

Figure III-1 Structure d'un diode P.I.N

La structure P.I.N est équivalente à celle d'une jonction en série avec une résistance de très forte
valeur constituée par la zone intrinsèque. Dès que l'anode est polarisé positivement, un courant I d
apparait du fait que des trous passent de la zone P+ à la zone I et des électrons de la zone N+ à la
zone I. On dit que des porteurs libres sont injectés dans la zone intrinsèque. Cette région, qui était
pratiquement vide de porteurs donc très résistive, se trouve maintenant envahie par des porteurs libres
et sa résistance chute.

III-2-1 Propriétés d'une diode P.I.N

La structure P.I.N est équivalente à celle d'une jonction en série avec une résistance de
très forte valeur constituée par la zone intrinsèque. Dès que l'anode est polarisé positivement, un

25
courant Id apparait car des trous passent de la zone P+ à la zone I et des électrons de la zone N+ à la
zone I. On dit que des porteurs libres sont injectés dans la zone intrinsèque.

Figue III-2: Schéma équivalent d'une diode P.I.N

donc, cette région qui était pratiquement vide de porteurs, donc très résistive, se trouve
maintenant envahie par des porteurs libres et sa résistance chute. Pour un courant donné, une charge
Q0 est stockée dans la région I égale à ;
𝑄0 = 𝑞𝑝𝑆𝑑 (III-1)

= 𝑞𝑛𝑆𝑑

où; S est la section de la région I

q la charge de l'électron

p, n densités des trous et d'électrons (égales)

Nous supposons que les densités des trous p et d'électrons n étaient égales et
uniformes sur toute l'épaisseur d. En raison de la présence d'imperfection dans le réseau cristallin, les
électrons et les trous tendent à ce recombiner dans la zone intrinsèque, ce qui ne permet pas d'assurer
la condition précédente d'uniformité.
Pour mettre ce phénomène en évidence, il suffit d'interrompre brutalement le courant
Id à l'instant t=0, on constate alors que, qu'à un instant t plus tard, la charge stockée est donnée par
l'expression
t
Q s (t) = Q 0 e−τ (III-2a)

Ou encore
𝑑𝑄 𝑄𝑠
=− (III-2b)
𝑑𝑡 𝜏

Où τ c’est la durée de vie moyenne des porteurs, l’apport de nouvelles charges par le courant
Id , ce qui augmente Qs de Id par unité de temps, on obtient donc :
𝑑𝑄𝑠 𝑄𝑠
=− + 𝐼𝑑 (III-3)
𝑑𝑡 𝜏

La solution de cette équation différentielle est :

𝑡
𝑄𝑠 (𝑡) = 𝑄0 𝑒 −𝜏 + 𝐼𝑑 𝜏 (III-4)

Si t tend vers l’infini, 𝑄𝑠 tend vers 𝑄𝑠 (𝑡) = 𝐼𝑑 𝜏, le courant est donné donc par :
26
 𝑄𝑠
𝐼𝑑 = (III-5)
𝜏

Avec 𝑄𝑠 = 𝑞𝑝0 𝑆𝑑 = 𝑞𝑛0 𝑆𝑑 (III-6)

Où 𝑛0 et 𝑝0 sont les concentrations moyennes à l’équilibre. Supposant maintenant que la diode soit
parcourue par un courant alternatif sinusoïdal de faible amplitude i(t) de pulsation ω, superposé au
courant continu Id, l’équation différentielle devient alors en remplaçant Id par Id+i(t) et Qs par Qs+q(ω),
on obtient alors :
𝜏 𝑖(𝜔)
𝑞𝑠 (𝜔) = (III-7)
1+𝑗𝜔𝜏

Donc deux cas peuvent avoir lieu :

1) Si 𝜔𝜏 ≪ 1 on aura 𝑞𝑠 (𝜔) = 𝜏 𝑖(𝜔)

Ce qui implique qu’aux basses fréquences le signal alternatif joue le même rôle d’un signal
continu : la charge varie de 𝑞𝑠 (𝜔) autour de 𝑄𝑠 au rythme du signal alternatif.

2) Si 𝜔𝜏 ≫ 1 alors 𝑞𝑠 (𝜔) → 0

Cela signifie qu’aux hautes fréquences, le signal alternatif n’est plus capable de faire varier la charge
stockée dans le région intrinsèque. Par conséquent, lorsque simultanément circulent dans la diode un
courant continu Id et un courant alternatif de fréquence élevée i(t), la charge Qs stockée dans la région
intrinsèque dépend seulement de la composante continue.

III-2-2- Impédance de la diode P.I.N

La région intrinsèque, lorsque la diode est polarisée en direct en supposant n0 ≈ p0 ,

présente une résistance RI exprimée par la relation :

𝑑 𝑑
≈ (III-8)
𝑞𝑆(𝑝0 𝜇𝑝 +𝑛0 𝜇𝑛 ) 2𝑞𝑆𝑝0 𝜇𝐴

Où μp et μn sont respectivement les mobilités des trous et des électrons et la μA une quantité

définie par la relation :

2𝜇𝑛 𝜇𝑝
𝜇𝐴 = (III-
𝜇𝑛 +𝜇𝑝
9)

L’ordre de grandeur de 𝜇𝐴 est celui d’une mobilité égale à environ à 600 cm2 v-1 s-1 pour le
silicium. En substituant dans la relation (8) qsp0 par sa valeur QS/d , on obtient donc :

𝑑2
𝑅𝐼 = (III-10)
2𝑄𝑠 𝜇𝐴

Et en remplaçant Qs par sa valeur en fonction du courant Id on peut avoir :

𝑑2
𝑅𝐼 = (III-11)
2𝐼𝑑 𝜏𝜇𝐴

27
 On constate que l’impédance de la diode en direct est constituée d’une résistance dans la valeur est
inversement proportionnelle au courant Id. par contre, en régime de polarisation inverse, les deux
jonctions P+I et IN+ se trouvent polarisées en inverse, la région I est entièrement dépeuplée de
porteurs, on se retrouve dans une le cas d’une région intrinsèque I d’épaisseur d parfaitement isolant,
insérée entre deux zones P+ et N+ très conductrices. Cela correspond à une structure type
condensateur plan et l’impédance de la diode est celle d’une capacité de valeur égale à :
ϵS
C= (III-12)
d

Finalement le schéma électrique équivalent aux fréquences hautes de la diode P.I.N

est représenté par la figure (2). En polarisation inverse, on ne considère que C puisque RI tend vers
l’infini. En polarisation directe, on peut considérer, qu’il s’agit du même condensateur C mais qui
présenterait des fuites très élevées donc on rend compte par une résistance parallèle RI de faible valeur.

III-2-3- Applications de la diode P.I.N dans un atténuateur

Les circuits d’atténuation à diode P.I.N sont largement utilisés dans les applications de
contrôle automatique de gain et de contrôle de puissance. Le schéma de principe d’un atténuateur à
diode P.I.N est donné par la figure (3). La diode polarisée en direct est insérée en parallèle sur une
ligne d’impédance Zc, en plus une capacité CA est insérée en série avec la diode.

Zc
A

CA

a0 Cos2𝜋𝑓𝑡 Id Zc
Zc c
Id

B c

Figure III-3: Atténuateur à diode P.I.N

En remplaçant la diode par son schéma équivalent de la figure (2), où l’on a négligé C en
polarisation directe. On obtient le schéma la figure (4) qui permet de calculer l’impédance Z entre les
points A et B.
Supposant que la valeur de CA ait une valeur de telle manière que :
𝐿𝑠 𝐶𝐴 𝜔2 =1
𝜔 1 1
Où la fréquence 𝑓= , on peut écrire : 𝑌= = ce qui permet d’avoir
2𝜋 𝑍 𝑅𝑠 +𝑅𝐼
l’isolation sur la ligne Zc à la fréquence f par l’expression :

𝑍𝑐 𝑍𝑐2
𝐼 =1+ + (III-13)
𝑅𝑠 +𝑅𝐼 4(𝑅𝑠 +𝑅𝐼 )2

28
 Exercices :

Exercice N°1 :

Démontrer que l’isolation I sur une ligne d’impédance caractéristique Zc , où l’on insère une
diode P.I.N en parallèle présentation une résistance due aux connexion Rs a peut s’exprimer comme
suit:

𝑍𝑐 𝑍𝑐2
𝐼 =1+ +
𝑅𝑠 + 𝑅𝐼 4(𝑅𝑠 + 𝑅𝐼 )2

Exercice N°2 :
Considérons une diode P.I.N dont la région intrinsèque a une épaisseur de 100 µm, la durée de vie
des porteurs libres est 5µs et le courant de polarisation est égal à 10Ma.

- Calculer la résistance de la région intrinsèque

- Pour Rs=1 calculer l’isolation I.

Exercice N°2 :

Pour une diode [Link] de silicium une zone intrinsèque d’épaisseur 250µ m et une durée de
vie de 4 µs.

Tracer la courbe de variation de la résistance en fonction du courant de polarisation.

Solutions

Exercice N°1 :

Lorsqu’on connecte une diode en série ou en parallèle sur une ligne on modifie la propagation
du signal sur cette ligne. Nous allons évaluer cette modification en nous plaçant dans le cas général
d’une ligne d’impédance caractéristique Zc, alimentée par un générateur et chargée par une charge
adaptée Zc.
Introduisant entre deux points quelconques A et B sur la ligne une admittance y de valeur
réduite y=[Link], en parallèle sur lac ligne. Une tension réfléchie Vr aura lieu et la tension résultante Vt
entre A et B s’écrit :

𝑉𝑡 = 𝑉𝑟 + 𝑉𝑖

Où Vi est la tension incidente. Le coefficient de réflexion s’écrit alors :

𝑉𝑟 1 − 𝑦𝐴𝐵
𝛤= =
𝑉𝑖 1 + 𝑦𝐴𝐵

Avec 𝑦𝐴𝐵 = 1 + 𝑦 c’est l’admittance ramenée aux point A et B. ce qui conduit à

−𝑦
𝛤=
2+𝑦

Par ailleurs, le coefficient de transmission T de la ligne en AB est donné par l’expression :

𝑉𝑡 2
𝑇= =1+𝛤 =
𝑉𝑖 2+𝑦

29
 En outre, les pertes d’insertion ou isolation I de la ligne, est définie comme étant le rapport de
la puissance arrivant à la charge en l’absence de y sur la puissance sur la charge lorsqu’on insère y.
𝑉𝑖 2 𝑦2
𝐼 = | | = |1 + |
𝑉𝑡 2

𝑦2
=1+𝑦+
4

𝑍𝑐
Avec 𝑦= , ce qui donne finalement
𝑅𝐼 +𝑅𝑠

𝑍𝑐 𝑍𝑐2
𝐼 =1+ +
𝑅𝑠 + 𝑅𝐼 4(𝑅𝑠 + 𝑅𝐼 )2

Exercice N°2 :

- Selon l’équation (11) avec 𝜇𝐴 = 600𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1 , on trouve : RI =0.9 Ω

- Avec Rs= 1 Ω, on trouve I=200, soit I(dB)= 23 décibels.
Donc, avec cette diode on peut construire un atténuateur variant de entre 0 dB (pour Id=0) et
plus de 23dB (lorsque Id < 10mA).

II-3 La diode Schottky

III-3-1 Structure d'une diode Schottky

Le matériau utilisé dans la réalisation d'une diode Schottky est un monocristal en Silicium ou
en GaAs dont l'épaisseur est de quelques centaines de microns. Sur ce monocristal , on réalise une
couche minci du même semi-conducteur dopé n et d'épaisseur de l'ordre du micro. En utilisant les
techniques de l'épitaxie ou de l'implantation ionique, on protège cette couche par un oxyde puis à
travers des fenêtres creusées dans cet oxyde et dont la largeur peut atteindre le micron, on évapore un
métal convenablement choisi (souvent l'or ou l'Aluminium), le dépôt métallique supérieur (contact
Schottky) constitue l'anode, tandis que la cathode est réalisée par un autre dépôt métallique de nature
différente à la base du substrat. Nous notons que lorsqu'un métal approprié est mis en contact avec un
semi-conducteur de type n, les électrons du semi-conducteur au voisinage du métal diffusent dans ce
dernier et laissent donc sous le contact une région dépeuplée de porteurs libres, dont l'épaisseur est d.

Figure III-4: Structure de la diode Schottky

Cette région de charge d'espace du fait qu'elle ne comporte plus que des charges fixes
positives est donc parfaitement isolante. De plus, le semi-conducteur devenant de plus de plus positif

30
par rapport au métal, un champ électrique prend naissance, dont la direction est telle qu'il tend à
freiner la diffusion des électrons. Il s'établit donc un équilibre lorsque le potentiel atteint une valeur
ф𝐵 dite hauteur de barrière et qui est généralement comprise entre 0.5V et 1V en fonction des natures
respectives du métal et du semi-conducteur. Lorsqu'on applique une tension extérieure entre le métal
(anode) et le semi-conducteur (cathode), l'équilibre précédent sera rompu et deux cas peuvent avoir
lieu:
a) L'anode est négative par rapport à la cathode (Va tension appliquée négative), le processus diffusion
des électrons reprend et l'épaisseur augmente jusqu'au moment où le potentiel sera égal à -Va+ф𝐵 . Ce
nouvel équilibre est atteint de manière quasi-instantanée et il ne peut circuler aucun courant dans le
circuit extérieur à l'exception d'un courant inverse de saturation Is de très faible valeur.
b) L'anode est positive: le potentiel qui s'oppose au passage des électrons diminue jusqu'à la valeur:
-Va+ф𝐵 . Le champ tend donc à s'annuler, et lorsque Va s'approche de ф𝐵 et l'épaisseur d diminue, la
zone de charge d'espace tend à disparaitre: plus rien ne s'oppose au passage du flux continu des
électrons du semi-conducteur vers le métal, ce qui correspond à un courant Id d'amplitude élevée
circulant du métal vers le semi-conducteur et égal à:
Vj
Id = Is (exp ( − 1)) (III-14)
nUT

où UT est le potentiel thermodynamique, n le facteur d'i et Vj la tension réellement appliquée à

la jonction qui est égale à:
𝑉𝑗 = 𝑉𝑎 − 𝑅𝑠 𝐼𝐷 (III-15)

Avec Rs la résistance série des contact et du substrat.

III-3-2 Diode Schottky dans un circuit de détection

La détection d'un signal hyperfréquence consiste à obtenir une tension dont l'amplitude est
fonction de celle du signal HF. Le circuit ci-dessous, composé d'un générateur de tension qui peut
pratiquement être représenté par le signal délivré par une antenne, ce générateur est relié en série avec
une diode Schottky et un condensateur C.

Figure III-5: Diode Schottky détectrice

La figure représente les évolutions en fonction du temps et en régime permanent des tension
Vc(t) respectivement aux bornes du générateur et du condensateur.

31
 Figure II-6:Evolution de la fonction Vc(t)

Lorsque e(t) décrit le cycle AB, la diode est polarisée en directe, elle est parcourue par un courant I D
élevé et présente une résistance dynamique rD très faible donnée par l'expression:

∆𝑉𝑗 𝑈𝑇
𝑟𝐷 = = (III-16)
∆𝐼𝐷 𝑛𝐼𝐷

Du moment que rD est très faible dons ID est élevé. Le condensateur se charge à travers r D
presque instantanément à une tension e0 car la constante de temps rD.C=0.
Au cours du cycle BC, la diode se trouve polarisée en inverse et présente une résistance
dynamique très grande: ce qui fait que le condensateur ne peut se décharger pendant la durée de ce

cycle du fait que la constante de temps maintenant est très élevée (𝑟𝐷 . 𝐶 → ∞) , et reste donc chargée à
une tension proche de e0. On constate que la tension aux bornes du condensateur reste presque
constante de valeur moyenne V0 proche de e0.

III-3-3 Calcul de la tension détectée

D'après la figure II-6, en posant 𝑉𝑐 (𝑡) = 𝑉0 , on a:

𝑉0 + 𝑒0 𝐶𝑜𝑠𝜔𝑡 = 𝑉(𝑡) (III-17)

La valeur moyenne du courant ID peut s'écrire:

1 T V +e0 Cos𝜔𝑡
〈ID 〉 = ∫ I (exp 0 nU
T 0 s
− 1) dt
T

𝑉0 𝑒0
= 𝐼𝑠 [𝑒𝑥𝑝 𝐽( ) − 1] (III-18)
𝑛𝑈𝑇 𝑛𝑈𝑇

1
où 𝑇 = 𝑒𝑡 𝜔 = 2𝜋𝑓
𝑓
𝑒0
Et 𝐽 ( ) est la fonction de Bessel modifiée du premier ordre.
𝑛𝑈𝑇

32
 En régime permanent, lorsque le condensateur est chargé, la valeur moyenne du courant ID est
nulle, donc:

𝑒0
𝑉0 = −𝑛𝑈𝑇 𝐿𝑛 [𝐽 ( )] (III-19)
𝑛𝑈𝑇

Selon l'ordre de grandeur de l'amplitude du signal HF, on a deux cas particuliers:

𝑒0
* lorsque l'amplitude du signal HF est faible: ≪ 1 , on peut faire l′ approximation:
𝑛𝑈𝑇

𝑒0 𝑒0 2
𝐽( )=1+( ) (III-20)
𝑛𝑈𝑇 2𝑛𝑈𝑇

Ce qui permet d'avoir:

𝑒02
𝑉0 = (III-21)
4𝑛𝑈𝑇

La tension continue aux bornes du condensateur est proportionnelle au carré de l'amplitude du

signal HF, le détecteur est dit quadratique et ce régime est fréquemment utilisé.

* lorsque l'amplitude du signal HF est élevée de telle sorte que:

𝑒0
> 1 , on peut procéder à l′ approximation:
𝑛𝑈𝑇
−1⁄
𝑒0 𝑒0 2 𝑒0
𝐽( ) = (2𝜋 ) 𝑒𝑥𝑝 ( ) (III-22)
𝑛𝑈𝑇 2𝑛𝑈𝑇 𝑛𝑈𝑇

Ce qui permet de déduire:

𝑛𝑈𝑇 𝑒0
𝑉0 = 𝑒0 − 𝐿𝑛 (2𝜋 ) (III-23)
2 2𝑛𝑈𝑇

Etant donné que le deuxième terme de V0 est très faible devant e0, on peut considéré que V0
est proportionnel à e0, ce qui correspond à un régime de fonctionnement linéaire.

III-3-4 Performances de la Diode Schottky

Le schéma équivalent d'une diode Schottky en polarisation directe es donné par la figure

Figure III-7: Schéma équivalent de la diode Schottky

Avec Cj la capacité de la jonction donnée par l'expression

33
 Cj0
Cj = 1 (III-24)
Vj ⁄2
(1− )
фB

Où 𝐶𝑗0 est la capacité à tension nulle, elle est proportionnelle à la surfa ce S de la jonction.
Si on applique une tension V(t) entre les points A et B , une tension suffisante sera développée
aux bornes de Cj lorsque
1
2πfLs < 𝑅s ≪ (III-25)
2πfCj

Pour un fonctionnement correcte de la diode, il faut que la fréquence f soit inférieure à la

fréquence de coupure fc donnée par l'expression
1
fc = (III-26)
2πRs Cj

* La condition à vérifier pour avoir une fréquence de coupure élevée se qui revient à avoir une
diode de bonne qualité est de diminuer la résistance Rs et la capacité Cj.
- Pour diminuer Cj et par conséquent Cj0, il faut minimiser la surface S de la jonction
- Pour diminuer Rs , il faut utiliser un substrat qui soit le meilleur conducteur possible et de
maintenir la résistance Rs1 de la partie non dépeuplée de la couche mince, ce qui réalisable soit en
surdoppant cette couche soit en augmentant la mobilité des électrons. La première possibilité n'est pas
réalisable, car l'augmentation du dopage va augmenter aussi Cj0, tandis que la deuxième consiste à
changer le matériau semi-conducteur à savoir le silicium ayant une mobilité de 800 cm2V-1s-1 par un
autre tel que l'arséniure de Gallium ayant une mobilité de 5000cm2V-1s-1 .
* Une caractéristique importante de la diode Schottky détectrice est sa capacité de détecter des
signaux faibles qui est caractérisée par deux quantités:
- La sensibilité S
- La sensibilité tangentielle SS
La sensibilité S correspond à la puissance Pe pour obtenir en régime quadratique une tension
VO=1mV, en supposant que l'impédance de la diode à la fréquence choisie est égale à 50 Ω, on peut
écrire:
e20
Pe = (III-27)
100

et donc:
100 Pe
V0 = (III-28)
4n UT

La sensibilité est donnée par l'expression

V0
S= (III-29)
Pe

Exemple:
Une diode Schottky idéale ayant une puissance en régime quadratique de 1 µW détectant une tension
V0

34
- Calculer la tension Détectée V0
- En déduire la sensibilité de la diode
Solution:
1) Nous avons: Pe =1 µW, n=1 et UT = 25mV, donc la tension détectée est:
100𝑃𝑒
𝑉0 =
4𝑛𝑈𝑇
100.10−6
AN: 𝑉0 = = 1mV
4.25. 10−3

2) La sensibilité S est donnée par

V0
S=
Pe
1 𝑚𝑉
AN: 𝑆= = 100 µV/µW
1µW

La sensibilité tangentielle permet d'évaluer la puissance Pemin du plus petit signal détectable par
la diode. En présence d'une puissance faible Pe il apparait aux bornes de la diode une tension qui
fluctue entre deux valeurs V0+Vn et V0 -Vn , suite à la présence d'un bruit d'amplitude Vn généré par
l'agitation thermique des conducteurs. Ce bruit est donné par l'expression suivante

𝑉𝑛 = 2√2𝑘𝑇𝑅𝑒𝑞 ∆𝑓 (III-
30)

Où ∆𝑓 est la bande passante de l'appareil de mesure branché aux bornes de C. On admet que
le signal utile V0 n'est détectable que s'il est suffisamment élevé par rapport à Vn à savoir 𝑉0 ≫ 2 𝑉𝑛
2 𝑉𝑛
et sachant 𝑉0 = 𝑆 𝑃𝑒 donc 𝑃𝑒𝑚𝑖𝑛 = , on obtient
𝑆

𝑃𝑒𝑚𝑖𝑛 2𝑉𝑛
𝑇. 𝑆. 𝑆 (𝑑𝐵𝑚) = 10𝑙𝑜𝑔 = 10𝑙𝑜𝑔 (III-31)
10−3 𝑆 .10−3

III-4 La diode Varicap

III-4-1 Structure d'une diode Varicap

La figure représente la structure schématisée d'une diode à capacité variable(varicap ou

varactor) réalisée en technologie "Mésa", sur un substrat monocristallin de silicium N+ très
conducteur, on réalise une couche N épitaxiée sur laquelle on fait diffuser superficiellement des
impuretés acceptrices afin de réaliser une jonction P+N.

Figure III-8: Structure de la diode Varicap

Deux contacts ohmiques complètent la structure. Lorsqu'on polarise le contact supérieur négativement
par rapport au contact du substrat, la jonction P+N se trouve polarisée en inverse. Une région
dépeuplée d'épaisseur d apparait, essentiellement côté N, si bien que l'on peut mesurer entre les
électrodes une capacité relative à un condensateur plan qui s'écrit:
35
 εS
C= (III-34)
d

où ε est la permittivité du semi-conducteur et S la surface de la jonction; d variant avec la polarisation

appliquée, on peut faire varier C en agissant sur la tension extérieure Va. On obtient donc un
condensateur dont la valeur de sa capacité est ajustable électroniquement.
III-4-2 Utilisation du varicap dans un circuit d'accord

La relation exprimant les variations de C et celles de Va présente une forme similaire à celle
d'une diode Schottky et s'écrit:
Cj0
C(Va ) = V
γ (III-35)
(1− a )
фB

avec Va < 0 et ф𝐵 est la tension de diffusion de la jonction P+N. Lorsque la jonction est abrupte et
que les concentrations d'impuretés NA et ND sont uniformes sur toute l'épaisseur des zones P+ et N, on
peut écrire:
1⁄
qεNA ND 2
Cj0 = S ( ) (III-
2(NA +ND )ΦB
36)

Figure III-9: Circuit d'accord à Varicap

Dans ce cas le comportement du varicap est tout à fait comparable à celui d'une diode Schottky
polarisée en inverse. Un circuit d'accord est un circuit résonnant série se composant d'une capacité
variable afin de pouvoir faire varier la fréquence de résonnance fr, qui est exprimée par la relation:
1
fr = (III-37)
2π√LC

Si on remplace la capacité C par un varicap, la fréquence de résonnance varie en fonction de la

tension appliquée à la diode suivant la relation:
γ
1 Va ⁄2
fr = (1 − ) (III-38)
2π√LCj0 ΦB

Cette relation indique, que l'on peut obtenir une variation linéaire de la fréquence de
résonnance avec la tension appliquée uniquement lorsque γ = 2.

36
III-4-3 Principales caractéristiques d'un varicap

* La première caractéristique importante d'un varicap est sa capacité CJ0 à tension nulle. elle dépend en
particulier de la surface S et varie généralement entre 1 PF et 20 PF.
* La deuxième caractéristique est le rapport de Cj0 à la capacité minimale que l'on peut obtenir en
appliquant à la diode une tension inverse la plus élevée possible (en valeur absolue). Or la tension
inverse maximale admissible est liée à l'apparition du phénomène de claquage. Cette tension est
généralement supérieure à 45 V.
* La troisième caractéristique importante de la diode varicap est son coefficient de qualité ou de
surtension, en fait, le schéma électrique équivalent d'un varicap n'est pas seulement une capacité
parfaite, mais aussi une résistance Rs dont les origines sont les mêmes que dans le cas de la diode
Schottky. Il faut tenir compte de la capacité Cp parasite ( liée à la capacité de la métallisation
supérieure par rapport à la masse) et l'inductance Ls des fils de connexion. Pour évaluer l'influence vde
Rs sur les performances de la capacité, on définit le coefficient de qualité du varicap à la fréquence f
par la relation:
1
𝑄= (III-39)
2𝜋𝑓𝑅𝑠 𝐶(𝑉𝑎 )

La fréquence de coupure fc est la fréquence pour laquelle 𝑄 = 1 est définie par la relation:
1
𝑓𝑐 = (III-40)
2𝜋𝑅𝑠 𝐶(𝑉𝑎 )

Figure III-10: Schéma équivalent d'un Varicap

III-4-4 Applications du varicap

Bien que l'utilisation des varicaps dans des circuits d'accord soit plus répandue, ces composants
présentent un grand intérêt dans:
* La modulation et la commutation

* La multiplication de fréquence et l'amplification

III-4-4-1 La modulation

Le circuit de la figure III-11 correspond à un modulateur à varicap. Dans ce circuit, la capacité Cp est
de forte valeur dont le rôle est de bloquer la tension continue. L est une inductance dont la valeur est
choisie de telle sorte que pour une valeur donnée Va1 de Va (Va1 <0) on obtient:

37
 4𝜋 2 𝑓02 𝐿𝐶(𝑉𝑎1 ) = 1 (III-41)

où 𝑓0 est la fréquence de fonctionnement du circuit.

Lorsque Va=Va1, le circuit entre A et B se comporte comme un circuit "Bouchon", l'impédance

ZAB devient très grande et le signal transite librement sur la ligne Zc.

Figure III-11: Modulateur à Varicap

Par contre si l'on donne à Va une valeur Va2 positive ou nulle, l'impédance du varicap
diminue, l'isolation augmente et le signal circulant sur la ligne est atténué. Si on donne à Va une valeur
𝑉𝑎1 +𝑉𝑎2
intermédiaire : 𝑉𝑎3 = et que l'on superpose à Va3 une tension sinusoïdale Va(t), l'amplitude
2

du signal qui transite sur la ligne Zc se trouve modulée au rythme de la tension Va(t) et on réalise ainsi
une modulation d'amplitude.

III-4-4-2 La multiplication de fréquence

Le circuit de la figure est celui d'un multiplicateur de fréquence à varicap.

Figure III-12: Multiplicateur de fréquence à Varicap

Dans ce schéma, R est une résistance d'auto-polarisation. En présence du signal HF délivré par le
générateur, le varicap agit comme un détecteur et une tension continue V0 apparait aux bornes de R, la
tension totale entre les points A et B est donnée par l'expression:
𝑉(𝑡) = 𝑒0 𝐶𝑜𝑠𝜔𝑡 + 𝑉0 (III-42)

où ω est la pulsation.

Donc la capacité du varicap s'écrit alors:

38
 𝐶𝑗0
𝐶(𝑡) = 𝑉 +𝑒 𝐶𝑜𝑠2𝜋𝑓𝑡
𝛾 (III-43)
(1− 0 0 )
ф𝐵

En utilisant l'hypothèse 𝑉0 + 𝑒0 < ф𝐵 , on obtient:

𝐶(𝑡) = 𝐶(𝑉0 )[1 + 𝑚𝐶𝑜𝑠2𝜋𝑓𝑡] (III-44)

𝛾𝑒0 𝐶𝐽0
où 𝑚 =
ф𝐵 C(𝑉0 )

Le coefficient de transmission le long de la ligne Zc s'écrit en supposant que f << f

2 𝐶(𝑡)𝜔𝑍𝑐
T(t) = ≈1-𝑗 (III-45)
2+jC(t)2πfZc 2

La tension transmise en sortie est finalement:

VT (t) = T(t)e0 Cos2πft

=𝐴 + 𝐵. 𝐶𝑜𝑠2𝜋𝑓𝑡 + 𝐶. 𝐶𝑜𝑠4𝜋𝑓𝑡 (III-46)

où A, B et C sont des coefficients obtenus en remplaçant C(t) par son expression. Donc si le filtre
passe bande de la figure fonctionne à la fréquence 2f, seul ce signal pourra accéder à la charge Zc.

III-5 La diode Gunn (à transfert d'électrons)

Les diodes à effet Gunn sont appelées ainsi d'après le nom de [Link] qui en 1963 découvrit
des fluctuations périodiques de courant dans un barreau de GaAs alors que son objectif était l'étude du
bruit de fond dans les semi-conducteurs.
III-5-1 Principe de fonctionnement

Dans un matériau semi-conducteur classique, il existe deux bandes d'énergie autorisées aux
électrons; la bande de valence et la bande de conduction.
La bande de conduction du GaAs présente deux types de minimas: minimum principal et
minima secondaires situés à 0.36 eV. Dans chaque bande les électrons sont caractérisés par leur
densité, leur masse effective et leur mobilité.

Figure III-13:Structure de bandes dans l'arséniure de Gallium

La vitesse de dérive des électrons s'exprime par la relation suivante:

⃗⃗⃗⃗d = µE
V ⃗ (III-43)

39
 Et la densité de courant vaut: 𝑗 = 𝑛𝑞µ𝐸⃗

Figure III-14: Barreau d'AsGa sous un champ Electrique

Lorsque le champ électrique est faible, à température ambiante, tous les électrons sont dans la vallée
basse, et si n (n1+n2) représente le nombre total d'électrons, on a:
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗
𝑉𝑑1 = µ1 𝐸

et ⃗ = nqµ E
j = n1 qµ1 E ⃗ (III-47)
1

car n2 est faible.

Lorsque le champ électrique augmente, l'énergie cinétique des électrons peut atteindre et
dépasser 0.36eV, et il y a possibilité de déplacer les électrons vers les vallées secondaires. Dans
chacune de ces vallées, les électrons ont une mobilité µ2 inférieur à µ1 et ils acquièrent une vitesse ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑉𝑑2

égale à ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗

𝑉𝑑2 = µ2 𝐸

Figure III-15: Caractéristique vitesse de dérivée en fonction du champ électrique

Le passage mobilité à l'autre ne se fait brusquement, on définit alors une mobilité moyenne µ définie
par:
𝑛1 µ1 +𝑛2 µ2
µ= (III-48)
𝑛1 +𝑛2

Et la densité de courant vaut:

𝑗 = (𝑛1 + 𝑛2 )µ𝑞𝐸⃗ (III-49)

Alors que la conductivité du barreau s'écrit:

40
 σ= (𝑛1 µ1 + 𝑛2 µ2 )𝑞 (III-50)

Il est clair que si 𝑛2 augmente au détriment de 𝑛1 , µ va décroitre et Vd et 𝑗 diminueront.

III-5-2 Critères de transfert

L'expression de la conductivité du barreau est donnée par:

σ= (𝑛1 µ1 + 𝑛2 µ2 )𝑞

𝑑𝜎 𝑑𝑛1 𝑑𝑛2 𝑑µ1 𝑑µ2

d'où = 𝑞 (µ1 + µ2 ) + 𝑞 (𝑛1 + 𝑛2 ) (III-
𝑑𝐸 𝑑𝐸 𝑑𝐸 𝑑𝐸 𝑑𝐸
51)

Sachant que 𝑛1 + 𝑛2 = 𝑛 donc

𝑑(𝑛1 +𝑛2 ) 𝑑𝑛
= =0 (III-52)
𝑑𝐸 𝑑𝐸

Si on suppose que µ1 et µ2 sont proportionnels à 𝐸 𝑝 ( où p est une constante)

on aura:

𝑑µ 𝑑𝐸 𝑝 µ
=𝑘 = 𝑘 𝑝 𝐸 𝑝−1 = p (III-53)
𝑑𝐸 𝑑𝐸 𝐸

Ce qui permet d'avoir

𝑑𝜎 𝑑𝑛1 𝑝
= 𝑞(µ1 − µ2 ) − + 𝑞(𝑛1 µ1 + 𝑛2 µ2 ) (III-54)
𝑑𝐸 𝑑𝐸 𝐸

or j = σE donc:
𝑑𝑗 𝑑𝜎
= 𝜎 + 𝐸. (III-55)
𝑑𝐸 𝑑𝐸

Par conséquent
𝑑𝜎
1 𝑑𝑗 𝑑𝐸
. =1+ 𝜎 (III-56)
𝜎 𝑑𝐸
𝐸

𝑑𝑗
Si l'on veut obtenir une résistance négative, on doit avoir j qui décroit lorsque E croit et donc doit
𝑑𝐸
être négatif, ceci revient à:
𝑑𝜎
𝑑𝐸
− 𝜎 > 1 (III-57)
𝐸

Et à partir des relations ceci se traduit par:

(µ1 −µ2 −𝐸 𝑑𝑛1

(( 𝑛 )( ) − 𝑃) > 1 (III-58)
(µ1 + 1 µ2 𝑛1 𝑑𝐸
𝑛2

Pour satisfaire cette condition , il faut:

1) Que le terme p, qui est l'exposant de la loi de mobilité soit négatif, qui est réalisable dans la zone2.
𝑑𝑛1
2) Que le terme soit négatif, il représente la vitesse de transfert des électrons.
𝑑𝐸

3) Que le premier terme soit négatif, cela revient à ce que µ1 soit supérieur à µ2 ce qui initialise le
phénomène.

41
III-5-3 Critères d'oscillations

On sait que la solution du système d'équations locales suivant:

𝜌
𝑑𝑖𝑣𝐸⃗ =
𝜀
𝑗 = 𝜎. 𝜀 (III-
𝜕𝜌
{ 𝜕𝑡 + 𝑑𝑖𝑣𝑗 = 0
59)
Est du type:
−𝑡⁄𝑡
𝜌 = 𝜌0 𝑒 𝑑 (III-60)
Avec 𝑡𝑑 = 𝜀⁄𝜎 temps de relaxation diélectrique.
- Dans un milieu à conductivité positive, toute zone d'accumulation de charge soit retourner vers zéro
(neutralité électrique) avec la constante de temps 𝑡𝑑 .
𝑡⁄
- Par contre, dans un milieu à conductivité négative, la charge croît en 𝑒 𝑡𝑑 jusqu'au moment où elle
atteint l'anode, au bout du temps:
𝑙
∆𝑡 = (III-61)
𝑣𝑙

Avec l longueur du barreau, vl vitesse limite.

𝛥𝑡⁄
- Le critère de formation d'une charge d'espace importante est que la facteur de croissance 𝑒 𝑡𝑑 soit
plus grand que l'unité, qui signifie:
𝑙|𝜎|
>1 (III-62)
𝜀𝑣𝑙
𝜀𝑣𝑙
Ou 𝑛0 𝑙 > (III-63)
𝑞|µ|

Avec n0 densité d'électrons à faible champ (n1+n2), |µ| valeur absolue de la mobilité négative.
𝑣
- La fréquence d'oscillation f est de l'ordre de l'inverse du temps de transit, soit 𝑓 = 𝑙 , ce qui donne 1
𝑙

à 10 GHz pour des échantillons de 1 à 100 µm dans l'AsGa.

Dans le cas de l'AsGa la condition exprimée par la relation (III-63) s'écrit:

𝑛0 𝑙 > 1012 𝑐𝑚−2 (III-64)

- C'est la condition d'oscillation pour une instabilité du type dipôle (mode Gunn ou transit-time mode),
le temps de transit étant toujours à peu près le même.
- Pour une instabilité d'un seul signe, le temps de transit dépend du point de formation et donc
l'oscillation pourra être obtenue avec un circuit accordé (pure accumulation-layer mode).
- L'intérêt est l'utilisation en amplificateur, avec des gains de quelques unités, à la fréquence de transit.

III-5-4 Différents modes d'oscillations

- Si un échantillon où 𝑛0 𝑙 > 1012 𝑐𝑚−2 est connecté à un circuit résonnant, trois modes possibles
suivant que le domaine à haut champ se déplace normalement d'une électrode à l'autre (mode Gunn),

42
est annihilé avant son arrivée à l'anode (mode à étouffement, quenched mode), ou est tel que sa
formation est plus ou moins retardée (inhibited mode).
- Le mode LSA (limited space-charge accumulation mode) est obtenu lorsque, dans certaines
conditions, on place un circuit résonnant en parallèle avec l'échantillon, de telle sorte que le champ
total devienne inférieur au champ du seuil durant une partie du cycle.
- Le critère d'oscillation LSA s'obtient facilement en écrivant que la période 1/f doit être plus
importante que le temps de relaxation diélectrique à champ E > Es pour permettre la disparition, à
chaque période de la charge accumulée, mais bien plus petite ( au moins trois fois) que le temps de
relaxation diélectrique à champ E > Es pour empêcher toute formation de distribution de charges
additionnelles soit:
𝜀 1 𝜀
≤ ≤ 3. (III-65)
𝑞𝑛0 µ0 𝑓 𝑞𝑛0 |µ|

Avec µ0 mobilité à faible champ, |µ| valeur absolue de la mobilité négative.

- Pour la cas de l'AsGa , la condition d'établissement des oscillations s'écrit:
n0
1.4x103 ≤ ≤ 2x105 s/cm3 (III-66)
f

- En pratique, le mode LSA oscille pour:

n0
104 ≤ ≤ 2x105 s/cm3 (III-67)
f

- On obtient des oscillations dépassant 100 GHz, avec des rendements atteignant 3 à 10% de puissance
égale à plusieurs centaines de milliwatts à 10 GHz.

43
 Chapitre V

Oscillateurs microondes
V-1 Introduction
Les oscillateurs électroniques sont des élements essentiels dans les systèmes embarqués et
dans les équipements de communication. Dans un système de télécommunications ils sont utilisés au
niveau de l'émetteur pour produire une porteurse qui peut être modulée en amplitude, en fréquence ou
en phase. De même, dans le recepteur, l'oscilmlateur est utilisé de manière à faciliter la restitution de
l'information. Un oscillateur est considéré comme un dispositif électronique permettant la conversion
d'une puissance continue d'alimentation P0 en une puissance P1 alternative à une fréquence f0
déterminée. Dans l'oscillateur il est possible de définir certains éléments essentiels:

* Un circuit actif qui fournit de l'énergie

*Une chaine de réation, nécessaire pour la création d'une oscillation
*Un élement sélectif permettant de choisir la fréquence de l'oscillation à générer.
La figure V-1 montre le schéma général d'un oscillateur, dans lequel le circuit actif est
schématisé par un amplificateur et l'élément sélectif par un filtre passe-bande

Figure V-1: Schéma général d'ujn oscillateur

Dans un oscillateur le démarrage des oscillations est dpu au bruit qui est modélisé dans la figure
.....comme une source externe nommée Vn.

V-2 Conditions d'oscillation

Ce bruit, après passage sur le filtre et l'amplificateur peut constituer ke signal voulu. En plus,
la naissance d'une oscillation est soumises aux conditions de Barkhausen:
- Le gain du circuit actif doit compenser les pertes dans la boucle:
|𝛽|. |𝐺| = 1 (V-1)
- La phase dans la boucle est donnée par:
arg(𝛽) + 𝑎𝑟𝑔(𝐺) = 2𝑘𝜋 (V-2)
où 𝛽 et G sont les fonctions de transfert du circuit actif et de l'élément sélectif respectivement et k est
un nombre entier.
D'une façon générale, un oscillateur peut être représenté par la figure........

44
 Figure V-2: Représentation générale d'un oscillateur

Nous notons:

[𝑏] = [𝑆]. [𝑎]

et (V-3)
[𝑏 ′ ] = [𝑆 ′ ]. [𝑎′ ]

[𝑏] = [𝑎′ ]
comme { (V-4)
[𝑎] = [𝑏 ′ ]

Alors

([𝑆]. [𝑆 ′ ] − [1]). [𝑎′ ] = 0 et 𝑑𝑒𝑡 ([𝑆]. [𝑆 ′ ] − [1]). [𝑎′ ] = 0

* Dans le cas d'un seul port, nous avons

Figure V-3: Oscillateur à un seul port

Nous avons: [𝑆 ′ ] =. 𝛤𝑝 et [𝑆] = 𝛤𝑎

Et les conditions d'oscillations, s'expriment alors:

𝛤𝑝 . 𝛤𝑎 − 1 = 0 (V-5)

et aussi arg(𝛤𝑝 )+ arg(𝛤𝑎 )= 2𝑘𝜋 (V-6)

V-3 Oscillateurs à diodes

Les diodes sont particulièrement utilisées pour la réalisations des oscillateurs dans les
domaines de fréquences microondes, millimétriques et des THz, elles remplacent les transistors
lorsque ce dernier ne fonctionne plus, c'est à dire à des fréquences supérieures à la centaines de GHz et
également lorsque la puissance délivrée par les transistors est trop faible.

45
 Trois types de diode permettent de réaliser un oscillateur: les diodes à effet Tunnel, les diodes
IMPATT et les diodes Gunn. Ils ont la caractéristique d'avoir une zone de fonctionnement à résistance
négative (voir Fig.V-4)

Figure V-4:caractéristique coutant-tension d'un diode à résistance négative

Un oscillateur est donc un circuit actif non linéaire qui génère un signal. La figure V-5
représente ce fonctionnement de point de vue microondes. Nous plaçons deux charges en parallèle, en
supposant que l'impédance Zin pour représenter l'impédance du composant actif (la diode) et
l'impédance ZL de la charge (Fig V-5).

Figure V-5: Structuré d'un oscillateur à résistance négative.

Où : ZL=RL +j XL et Zin=Rin+ jXin

En appliquant la loi de Kirchhoff au circuit de la figure , on obtient:

(ZL + Zin ). I = 0 (V-7)

Le courant I est non nul, ce qui implique:

𝑅 + 𝑅𝑖𝑛 = 0
{ 𝐿 (V-8)
𝑋𝐿 + 𝑋𝑖𝑛 = 0

Comme ZL est passive, donc RL > 0, donc Rin < 0 (résistance négative) pour avoir une
oscillation, de plus 𝑋𝐿 = −𝑋𝑖𝑛 qui donne la condition d'oscillation, qui peut s'écrire comme suit:
𝑍𝐿 −𝑍0 −𝑍𝑖𝑛 −𝑍0 1
𝛤𝐿 = = = (V-
𝑍𝐿 +𝑍0 −𝑍𝑖𝑛 +𝑍0 𝛤𝑖𝑛
9)

Finalement la condition d'oscillation s'écrit:

𝛤𝐿 . 𝛤𝑖𝑛 = 1 𝑜𝑢 ZL + Zin = 0 (V-10)

46
C'est la condition limite, en général pour démarrer une oscillation, il est préférable de choisir:

𝛤𝐿 . 𝛤𝑖𝑛 > 1 𝑜𝑢 ZL + Zin < 0 (V-11)

Exemple: Conception d'un oscillateur à résistance négative

Un oscillateur à un port utilise une diolde à résistance négative ayant 𝛤𝑖𝑛 = 1.25∠40°
(Z0=50Ω) pour une fréquence de 6GHz. On veut concevoir un réseau d'adaptation de charge pour une
impédance de charge égale à 50 Ω.
Solution:

Sachant 𝛤𝑖𝑛 on peut à partir de l'abaque de Smith de trouver Zin.

𝑍𝑖𝑛 =-44+j123 Ω

Et selon l'équation (V-8), on aura:

ZL=44-j123 Ω

Figure V-6:Configuration d'un odcilllateur à diode de résistance négative

Un stub et un tronçon en série peuvent convertir la charge de 50 Ω à ZL (Fig. V-6).

V-4 Oscillateurs à Transistors

Contrairement à la conception de l'amplificateur, on obtient un oscillateur lorsque le transistor

est potentiellement instable, c'est à dire lorsque le facteur de Rollet K est inférieur à 1. Dans ce cas, on
va choisir comme impédances en entrée et en sortie du transistor, des impédances qui se trouvent dans
l'abaque de Smith qui rendent le circuit instable. La figure représente ces zones pour la conception
d'un oscillateur et pour les différentes valeurs du paramètre Δ , ce sont les zones inverses à ceux
correspondantes à l'amplificateur.

47
 Figure V-7 : Configuration d'un oscillateur à transistor

Les oscillateurs à Transistors sont à base de FET ou de transistors bipolaires, et les

configurations utilisées sont Base commune ou émetteur commun pour les bipolaires et source
commune ou grille commune pour les FET.
- Cercle de stabilité en sortie:
𝛤𝐿 doit être choisi de telle manière que ZL produise une résistance négative en entrée, et Zs doit être
choisie pour être adaptée à Zin. Ce qui permet d'avoir: Rs+Rin < 0 En pratique on choisit Rs=-Rin/3.
et pour le circuit résonnant Xs=-Xin.
Lorsque l'oscillation aura lieu entre le réseau de charge et le transistor, l'oscillation se produira
simultanément au port de sortie. Pour une oscillation à l'état stationnaire au port d'entrée, on doit avoir
conformément à l'équation V- : 𝛤𝐿 . 𝛤𝑖𝑛 = 1 et en utilisant l'équation 11.6a après remplacement
de ΓL par ΓT du réseau de sortie, on aura:
1 𝑆12 .𝑆21 .𝛤𝑇 𝑆11 −𝛥𝛤𝐿
𝛤𝑖𝑛 = = 𝑆11 + = (V-12)
𝛤𝐿 1−𝑆22 .𝛤𝑇 1−𝑆22 .𝛤𝐿

Où Δ=𝑆11 . 𝑆22 − 𝑆12 . 𝑆21 . On obtient alors:

1−𝑆11 𝛤𝐿
𝛤𝑇 = (V-13)
𝑆22 −𝛥𝛤𝐿

Et à partir de l'équation , on tire

𝑆12 .𝑆21 .𝛤𝑇 𝑆22 −𝛥𝛤𝐿
𝛤𝑜𝑢𝑡 = 𝑆22 + = (V-14)
1−𝑆11 .𝛤𝑇 1−𝑆11 .𝛤𝐿

Ce qui montre bien que 𝛤𝑇 . 𝛤𝑜𝑢𝑡 = 1 et par conséquent ZT=-Zout, donc la condition d'oscillation
du réseau de sortie est satisfaite.
* Exemple de réalisation d'un oscillateur à Transistor

Conception d'un oscillateur à 4 GHz à base de transistor FET source commune en AsGa, avec
une inductance de 5 nH en série avec la grille pour augmenter l'instabilité. On donne:
Z0= 50 Ω, 𝑆11 = 0.72∠ − 116°, 𝑆21 = 2.60∠76°, 𝑆12 = 0.03∠57°, 𝑆22 = 0.73∠ − 54°
Solution

La première étape est de trouver les nouveaux paramètres S correspondants à la configuration

d'un transistor à source commune en série avec une inductance:

Figure V-8: Transistor à source commune en série avec une inductance

𝑆11 ′ = 2.18∠ − 35°, 𝑆21 ′ = 2.75∠96°, 𝑆12 ′ = 1.26∠18°, 𝑆22 ′ = 0.52∠155°

48
 ′ |
On remarque que |𝑆11 est sensiblement plus grand que |𝑆11 |, ce qui implique que cette configuration
est plus instable que celle d'une source commune.
- Cercles de stabilité en sortie:
′ ′∗ )∗
(𝑆22 − ∆′ 𝑆11
𝐶𝐿 = ′ = 1.08∠33°
|𝑆22 |2 − |∆′ |2
′ ′
𝑆12 𝑆21
𝑅𝐿 = | ′ |2 | = 0.665
|𝑆22 − |∆′ |2

Etant donné que |𝑆11 ′ | = 2.18 > 1, la région stable est à l'intérieur du cercle de stabilité
comme le montre la figure V-8.

Figure V-9: Région de stabilité de l'oscillateur

L'objectif est d'avoir |𝛤𝑖𝑛 | grand, cela est possible pour plusieurs valeurs de 𝛤𝑇 sis dans la partie
opposée au cercle de stabilité dans l'abaque de Smith. On choisit 𝛤𝑇 = 0.59∠ − 104°.
Ensuite, on peut insérer un stub pour le réseau d'adaptation pour convertir une charge de 50Ω
à ZT=20-j35 Ω.(voir Fig. V-7).
Pour cette valeur donnée de 𝛤𝑇 , on calcule 𝛤𝑖𝑛 comme suit:

′ 𝑆12 ′ . 𝑆21 ′ . 𝛤𝑇
𝛤𝑖𝑛 = 𝑆11 + = 3.96∠ − 2.4°
1 − 𝑆22 ′ . 𝛤𝑇
Donc: Zin= -84+j1.9 Ω et par conséquent:
−𝑅𝑖𝑛
𝑍𝐿 = − 𝑗𝑋𝑖𝑛 = 28 + 𝑗1.9Ω.
3

V-5 Oscillateurs à diélectriques résonnants:

La stabilité d'un oscillateur peut être améliorée par l'utilisation d'un réseau de réglage de haut
facteur de qualité Q. Une cavité diélectrique résonnante peut avoir un facteur Q élevé (plusieurs
milliers), et compact et facilement intégrée à une structure planaire. Elle peut être réalisée d'un
céramique ayant une excellente stabilité en température. Pour ces raisons, les oscillateurs à
diélectriques résonnants (DRO) sont largement utilisés dans les bandes de fréquences micro ondes et
millimétriques. Un résonateur diélectrique est usuellement utilisé couplé avec une ligne micro bande.

49
 La force du couplage est déterminée par l'espacement d, entre le résonateur et la ligne micro
bande. Du fait que le couplage est fait par un champ magnétique, le résonateur apparait comme une
charge en série avec la ligne micro bande. Dans le circuit équivalent de la structure montrée par la
Figure ( V-10), le résonateur est modélisé par un circuit RLC, et le couplage par le rapport N d'un
transformateur. L'impédance série Z vue par la ligne micro ruban est donnée par:
𝑁2 𝑅
𝑍= (V-15)
1+2𝑗𝑄∆𝜔/𝜔0

Avec: ∆𝜔 = 𝜔 − 𝜔0 , où 𝜔0 est la pulsation de résonnance.

𝑅
Et 𝑄= = 𝑅𝐶𝜔0 (V-16)
𝜔0 𝐿

Figure V-10: Schéma équivalent d'un DRO

A la résonnance, la longueur d'onde dans le résonateur est égale à son diamètre D. La

fréquence de résonnance dépend de 𝜀𝑟 , du diamètre du cylindre et de son environnement (Fig. V-11)
𝐶
𝑓0 = (V-16)
𝐷√𝜀𝑟

Figure V-11: Résonateur diélectrique

Le coefficient de couplage entre la ligne et le diélectrique est défini par:

𝑅
𝑄 𝜔0 𝐿 𝑅𝑁2
𝛽𝛽 = = 𝑅𝐿 = (V-17)
𝑄𝑐 2𝑍0
𝐿𝜔0 𝑁2

Où RL=2Z0 est la résistance des deux tronçons de ligne de part et d'autre du diélectrique. Dans le cas
où un des tronçons de ligne ouverte a une longueur λ/4 (ramène un court-circuit), RL=Z0.
A la résonnance, le coefficient de réflexion est donné par:
(𝑍0 +𝑁2 𝑅)−𝑍0 𝛽
𝛤= (𝑍0 +𝑁2 𝑅)+𝑍0
= (V-18)
𝛽+1

50
 Bibliographie
[1] [Link], [Link], [Link], " Composants, dispositifs et circuits actifs en micro-
ondes", Collection Dunod 1985.

[2] [Link], " Microwave Transistor Amplifiers Analysis and Design", PRENTICE HALL,
Englewood Cliffs, New Jersey 1984.

[3] [Link], [Link], "Circuits spécialisés de l'électronique actuelle", Ellipses Edition Marketing
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[4] [Link], " Amplificateurs et oscillateurs micro-ondes", Collection Technologies, Edition

Masson, Paris, 1984.

[5] [Link], " Microwave engineering", Deuxième édition, John Wiley & Son Inc.

51